JP2006019591A - 配線基板の製造方法および配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板が容易に得られ、かつ半導体チップ接続側の金属端子パッドを更に高密度化できる配線基板の製造方法と、それにより得られる配線基板を提供する。
【解決手段】２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体を用意し、その一方の表面に誘電体層と導体層を交互に積層して積層シート体を形成する。その積層シート体の主表面には第一金属端子パッドＰＤ１が設けられる。積層シート体の周囲部を除去し、片方の金属箔が積層シート体に付着した状態で前記金属箔密着体を剥離する。その後、付着した金属箔の表面をマスク材で覆い、第二金属端子パッドを形成する領域が開口するようにパターン形成する。そして電解メッキ処理を行い、各金属端子パッドＰＤ１，ＰＤ２に電解メッキ表面層ＮＭを形成する。マスク材を除去した後に、電解メッキ表面層ＮＭをエッチングレジストとした、金属箔のエッチング処理を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線基板の製造方法および配線基板に関するものである。

近年、電子機器における高機能化並びに軽薄短小化の要求により、ＩＣチップやＬＳＩ等の電子部品では高密度集積化が急速に進んでおり、これに伴い、電子部品を搭載するパッケージ基板には、従来にも増して高密度配線化及び多端子化が求められている。

このようなパッケージ基板としては、現状において、ビルドアップ多層配線基板が採用されている。ビルドアップ多層配線基板とは、補強繊維に樹脂を含浸させた絶縁性のコア基板（ＦＲ−４等のガラスエポキシ基板）のリジッド性を利用し、その両主表面上に、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に配されたビルドアップ層を形成したものである。このようなビルドアップ多層配線基板では、ビルドアップ層において高密度配線化が実現されており、一方、コア基板は補強の役割を果たす。そのため、コア基板は、ビルドアップ層と比べて非常に厚く構成され、またその内部にはそれぞれの主表面に配されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（例えば、スルーホール導体と呼ばれる）が厚さ方向に貫通形成されている。ところが、使用する信号周波数が１ＧＨｚを超える高周波帯域となってきた現在では、そのような厚いコア基板を貫通する配線は、大きなインダクタンスとして寄与してしまうという問題があった。

そこで、そのような問題を解決するため、特許文献１に示されるような、コア基板を有さず、高密度配線化が可能なビルドアップ層を主体とした配線基板が提案されている。このような配線基板では、コア基板が省略されているため、全体の配線長が短く構成され、高周波用途に供するのに好適である。このような配線基板を製造するためには、段落００１２〜００２９及び図１〜４に記載されているように、金属板上にビルドアップ層を形成した後、該金属板をエッチングすることにより薄膜のビルドアップ層のみを得る。そして、このビルドアップ層が配線基板とされる。
特開２００２−２６１７１号公報

しかし、特許文献１に記載された製造方法の場合、ビルドアップ層が形成される金属板は、製造時における補強の役割を担うことが可能な程度の厚さ（例えば、銅板にして０．８ｍｍ程度）に設定されるが、ビルドアップ層を形成した後にそれを全てエッチングすることは、時間が掛かり過ぎる（例えば、銅板０．８ｍｍに対して３０分程度）など工程上の無駄が多いという問題があった。

一方、このようなコア基板を有さない配線基板において、半導体チップ接続側の金属端子パッドの表面には半田バンプや半田コートが形成される。これら半田バンプや半田コートは半導体チップとの接続のために必要なもので、従来から、半田ペーストを金属端子パッド表面へ印刷し、その後にリフローすることにより形成されてきた。しかしながらこの方法では例えばピッチが１５０μｍ以下の金属端子パッドに対応することは困難であった。

そこで、本発明では、コア基板を有さず、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線基板が容易に得られ、かつ半導体チップ接続側の金属端子パッドを更に高密度化できる配線基板の製造方法と、それにより得られる配線基板を提供することを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

上記課題を解決するために本発明の配線基板の製造方法は、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層され、一方の主表面に複数の第一金属端子パッドが設けられ、他方の主表面に複数の第二金属端子パッドが設けられるとともに、これら複数の第一及び第二金属端子パッドに電解メッキ表面層が形成された配線基板を製造するために、
製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて前記下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、その第一誘電体シート内に形成され、前記金属箔密着体と接続する複数の第一ビア導体と、を有する積層シート体を形成し、
該積層シート体において露出した主表面には、誘電体シート間に設けられた導体層及び誘電体シート内に設けられたビア導体を通じて前記金属箔密着体に連結された複数の第一金属端子パッドが形成され、
前記積層シート体のうち、前記金属箔密着体上の領域を前記配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、前記配線積層部を前記支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、前記金属箔密着体における２つの金属箔の界面にて剥離し、
前記配線積層部の前記第一誘電体シートに付着した前記金属箔の表面をマスク材を用いて覆い、前記複数の第一ビア導体に対応する領域が露出するようにパターン形成し、
その複数の露出領域または前記複数の第一金属端子パッドのいずれかから電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより、前記複数の露出領域および前記複数の第一金属端子パッドのそれぞれの表面に電解メッキ表面層を形成し、
前記マスク材を除去して、前記金属箔上の、前記電解メッキ表面層が形成されていない領域を露出させるとともに、
前記電解メッキ表面層がエッチング保護層として作用する条件で前記金属箔をエッチング処理することにより、前記金属箔の、前記電解メッキ表面層が形成されていない領域を選択的にエッチングし、前記第一ビア導体と接続され且つ残存した前記金属箔と、その表面を覆う電解メッキ表面層からなる第二金属端子パッドを形成することを主要な特徴とする。

上記本発明によると、本発明の配線基板の製造方法は、図１〜図３を参照して簡略に説明すると、（ａ）支持基板２０（特許文献１における金属板に該当する）上に形成された下地誘電体シート２１上に、配線基板となるべき配線積層部１００（図４参照）を含有する積層シート体１０を形成し、（ｂ）積層シート体１０のうち配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去することにより、配線積層部１００の端面１０３を露出させて、（ｃ）配線積層部１００を支持基板２０（及び下地誘電体シート２１）から剥離する。このように、配線積層部と支持基板との分離を剥離により行うことで、容易に配線基板を得ることが可能となっている。また、配線積層部と支持基板との分離をエッチングにより行わないため、支持基板の両主表面に積層シート体を形成することもでき、ひいては配線基板の量産が可能となる。

以下、図１のそれぞれの工程に関して詳細な説明を行う。図１（ａ）では、支持基板２０上に形成された下地誘電体シート２１上に、配線基板となるべき配線積層部１００（図４参照：詳細は後述）を含有する積層シート体１０が形成されている。積層シート体１０では、下地誘電体シート２１の主表面に包含されるように、２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５が配され、該金属箔密着体５を包むように第一誘電体シート１１が配されている。なお、積層シート体１０は、この他に、誘電体シート間に設けられた導体層３１、３２と、誘電体シート内に設けられたビア導体４１、４３と、これらにより金属箔密着体５に連結された第一金属端子パッドＰＤ１とを有するが、これらに関しては後述する。そして、該金属箔密着体５を包むよう形成された第一誘電体シート１１は、金属箔密着体５（上側金属箔５ｂ）に密着するとともに、金属箔密着体５の周囲領域２１ｃにて下地誘電体シート２１と密着しており、これによって、金属箔密着体５は第一誘電体シート１１に封止された状態とされている。

このように金属箔密着体５が第一誘電体シート１１に封止されていることにより、金属箔密着体５（下側金属箔５ａ）と下地誘電体シート２１との界面に膨れや剥れが生じることなく、積層シート体１０を形成することができる。そしてその後、図１（ｂ）において、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃが除去されるので、図１（ｃ）において、金属箔密着体５の界面で配線積層部１００の剥離を容易に行うことが可能となる。つまり、このように構成することにより、密着性が要求される積層シート体の形成（図１（ａ））と、剥離容易性が要求される配線積層部の剥離（図１（ｃ））とを、どちらも良好に行うことが可能となる。

積層シート体１０のうち、金属箔密着体５上の領域は、配線積層部１００とされている。配線積層部１００は、図１（ｃ）の剥離により上側金属箔５ｂが付着した状態で得られ、その後配線基板となるべきものである。すなわち、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された構造を有する（詳細な構造については後述する）。

次に、図１（ｂ）では、積層シート体１０のうち、配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去し、該配線積層部１００の端面１０３を露出させる。つまり、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃが取り除かれ、金属箔密着体５の端面が露出することになる。これにより、図１（ｃ）のように、配線積層部１００を支持基板２０から、金属箔密着体５の界面（すなわち、下側金属箔５ａと上側金属箔５ｂとの界面）にて容易に剥離することができる。なお、積層シート体１０において配線積層部１００の周囲部（図中の破線部）を除去する際、該周囲部とともに、支持基板２０及び下地誘電体シート２１の該周囲部下にあたる領域も除去するようにすれば、配線積層部１００の端面１０３の露出を容易に行うことができる。

また、図１（ｂ）では配線積層部１００の周囲部を除去する際に、第一誘電体シート１１と下地誘電体シート２１とが密着している周囲領域２１ｃを取り除き、金属箔密着体５の端部を露出させることで配線積層部１００の剥離が可能となるが、金属箔密着体５の端部をより確実に露出させるため、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線積層部１００を、金属箔密着体５のうち外縁端付近を除いた部分及び該部分上の領域によって構成し、その周囲領域を除去、すなわち金属箔密着体５の外縁端付近も除去するようにすることができる。

次に、積層シート体１０は、その他、誘電体シート間に設けられた導体層３１、３２と、誘電体シート内に設けられたビア導体４１、４３と、これらにより金属箔密着体５にそれぞれ連結され、かつ積層シート体１０の主表面に露出してなる複数の第一金属端子パッドＰＤ１とを有する。つまり、複数の第一金属端子パッドＰＤ１は、互いに電気的に連結されているので、複数の第一金属端子パッドＰＤ１のいずれかから、電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより、複数の第一金属端子パッドＰＤ１のそれぞれの表面に電解メッキ表面層を形成することができる。

剥離工程の後、上側金属箔５ｂの表面にマスク材５０（感光性レジスト）を用いてコーティングし、図２（ｄ）に示すように第一ビア導体４１に対応する領域５０ａが露出するようにパターン形成する。この露出領域５０ａは後述するように、第二金属端子パッドＰＤ２となる部分である。マスク材５０には例えば感光性のドライフィルムを用い、フォトリソ工程を用いてパターニングするとよい。このようにすると、高密度なパターン形成が可能になる。パターン形成した後に、電解メッキ処理を行うことにより、複数の露出領域５０ａと、第一金属端子パッドＰＤ１のそれぞれの表面に電解メッキ表面層ＮＭを形成する（図２（ｅ））。この電解メッキ処理は第一金属端子パッドＰＤ１または露出領域５０ａのいずれかにメッキバーを接続して電流を供給しながら行う。電解メッキ表面層ＮＭは例えばＮｉメッキと半田メッキをこの順で行ったり、ＮｉメッキとＡｕメッキをこの順で行ったりできる。また、半田メッキのみを単独で行うことも可能である。

次に、マスク材５０を除去し（図３（ｆ））、電解メッキ表面層ＮＭがエッチングレジストとなる条件で上側金属箔５ｂをエッチングする。エッチングは、例えば電解メッキ表面層ＮＭをＮｉ−半田メッキ層とした場合、アルカリ系のエッチング液を用いると可能である。この結果、第一金属端子パッドに接続され且つ残存した上側金属箔５ｂと、その表面を覆う電解メッキ表面層ＮＭからなる第二金属端子パッドＰＤ２が形成される。

第一金属端子パッドＰＤ１上及び第二金属端子パッドＰＤ２上にＮｉ−半田メッキ層を形成した場合は、例えばハンダボール等の外部基板との接合部材が設置されるが、電解メッキ処理により電解メッキ表面層を形成するので、メッキ浴に還元剤が使用されず、ハンダに対するぬれ性や密着性の良好なメッキ表面層が得られる利点がある。これにより、金属端子パッドと接合部材（ハンダボール等）との接続信頼性が向上する。また、通常、電解メッキ処理を施すためには、配線とともにメッキタイバーを誘電体層間に挿入する必要があるが、上記のように第一金属端子パッドＰＤ１または露出領域５０ａのいずれかにメッキバーを接続する方法を用いれば、誘電体層間にメッキタイバーを配す必要がないという利点もある。メッキタイバーは、高密度配線化の妨げになるばかりでなく、末端が電気的に開放した不要な導通路として配線基板に残るため、該部分がノイズ収拾源となって、耐ノイズ性が悪化したり、あるいはパッドを含んだ伝送経路のインピーダンス不整合を招く原因となるという問題がある。

また、第一金属端子パッドＰＤ１上及び第二金属端子パッドＰＤ２上にＮｉ−Ａｕメッキ層を形成した場合は、これらの金属端子パッドは例えばボンディングパッドとして使用され、ワイヤーボンディングによって外部基板と接続される。この場合も、電解メッキ処理によって電解メッキ表面層を形成するので、還元剤などの影響を受けない良質なメッキ表面層が得られる。これにより、ワイヤーボンディングの接続信頼性が向上する。

以上説明したように各金属端子パッドＰＤ１，ＰＤ２を形成すると、フォトリソ工程により微細化できるとともに、電解メッキ表面層によって、半田ボール等の接続部材とのぬれ性や接続信頼性が向上し、また、ワイヤーボンディングをする際にも接続信頼性が向上する。

一方、詳細は後述するが、以下の方法を用いると、第一金属端子パッドＰＤ１上と第二金属端子パッドＰＤ２上に異なる種類の金属メッキ表面層を形成することが可能である。まず、配線積層部１００を形成する際に、剥離工程の前に第一の電解メッキ処理（例えばＮｉ−Ａｕメッキ）を施して、第一金属端子パッドＰＤ１上に第一電解メッキ表面層を形成する。その後、上側金属箔５ｂが付着した状態で配線積層部１００を剥離し、第一金属端子パッドＰＤ１側をマスク材を用いてコーティングし、露光工程などを行わず、全面がマスク材で保護されるようにする。そして、上側金属箔５ｂをマスク材でコーティングし、第一ビア導体４１に対応する領域が開口するようにパターン形成する。その後、第二の電解メッキ処理（例えばＮｉ−半田メッキ）を施して、露出領域５０ａに第二電解メッキ表面層を形成する。そして第一金属端子パッドＰＤ１側のマスク材と、上側金属箔５ｂ側のマスク材を除去し、第二電解メッキ表面層がエッチングレジストとなる条件で上側金属箔５ｂをエッチングする。これにより、残存した上側金属箔５ｂと、その表面を覆う第二電解メッキ表面層からなる第二金属端子パッドＰＤ２が形成される。

上述の配線基板の製造方法は、言い換えると、コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層され、一方の主表面に複数の第一金属端子パッドが設けられ、他方の主表面に複数の第二金属端子パッドが設けられるとともに、これら複数の第一及び第二金属端子パッドに電解メッキ表面層が形成された配線基板を製造するために、
製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて前記下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、その第一誘電体シート内に形成され、前記金属箔密着体と接続する複数の第一ビア導体と、を有する積層シート体を形成し、
該積層シート体において露出した主表面には、誘電体シート間に設けられた導体層及び誘電体シート内に設けられたビア導体を通じて前記金属箔密着体に連結された複数の前記第一金属端子パッドが形成されており、前記複数の第一金属端子パッドのいずれかから電流を供給して第一の電解メッキ処理を行うことにより、前記複数の第一金属端子パッドのそれぞれの表面に第一電解メッキ表面層を形成するとともに、
前記積層シート体のうち、前記金属箔密着体上の領域を前記配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、前記配線積層部を前記支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、前記金属箔密着体における２つの金属箔の界面にて剥離し、
前記配線積層部の、前記複数の第一金属端子パッドが形成されている主表面を全面にわたって第一のマスク材で覆い、
前記配線積層部の前記第一誘電体シートに付着した前記金属箔の表面を第二のマスク材を用いて覆い、前記複数の第一ビア導体に対応する領域がそれぞれ露出するようにパターン形成し、
第二の電解メッキ処理を行うことにより、前記複数の露出領域に第二電解メッキ表面層を形成し、
前記第一のマスク材を除去して、前記複数の第一金属端子パッドを露出させ、
前記第二のマスク材を除去して、前記金属箔上の、前記第二電解メッキ表面層が形成されていない領域を露出させるとともに、
前記第二電解メッキ表面層がエッチング保護層として作用する条件で前記金属箔をエッチング処理することにより、前記金属箔の、前記第二電解メッキ表面層が形成されていない領域を選択的にエッチングし、前記第一ビア導体と接続され且つ残存した前記金属箔と、その表面を覆う第二電解メッキ表面層からなる第二金属端子パッドを形成することを主要な特徴とする。

以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
図５は、本発明の配線基板の製造方法により得られる配線基板１の断面構造の概略を表す図である。配線基板１は、高分子材料からなる誘電体層（Ｂ１〜Ｂ３、ＳＲ）と導体層（Ｍ１、Ｍ２、ＰＤ１）とが交互に積層された構造を有する。その第一主表面ＭＰ１は、外部基板へ接続するための接続面とされ、主表面をなす誘電体層（ソルダーレジスト層）ＳＲには開口が形成されており、該開口内には外部基板への接続を担うハンダボール（後述）を設置するための第一金属端子パッドＰＤ１が露出している。第二主表面ＭＰ２には電子部品と接続するための第二金属端子パッドＰＤ２が形成されている。

また、金属層Ｍ１、Ｍ２において配線ＣＬが形成されており、誘電体層Ｂ１〜Ｂ３内には該配線ＣＬに接続されるビア導体ＶＡが埋設形成されている。そして、配線ＣＬ及びビア導体ＶＡにより、電気導通路（例えば第一金属端子パッドＰＤ１から第二金属端子パッドＰＤ２への）が形成される。なお、誘電体層Ｂ１〜Ｂ３、ＳＲは、例えばエポキシ樹脂を主成分とする材料にて構成することができ、また配線ＣＬ、ビア導体ＶＡ及び第一金属端子パッドＰＤ１は、例えば銅を主成分とする材料にて構成することができる。また、第一及び第二金属端子パッドＰＤ１，ＰＤ２は、その表面に電解メッキ処理により得られる、例えばＮｉ−ＡｕメッキやＮｉ−Ｓｎメッキによる電解メッキ表面層が施されている。なお、電解メッキ表面層は、他に例えばＳｎ（ハンダ）メッキのみにより構成することも可能である。

以上のような配線基板１は、図６に示すように、第一金属端子パッドＰＤ１に外部基板への接続を担うハンダボールＳＢが設置され、一方、第二主表面ＭＰ２には、補強枠（スティフナー）ＳＴが設置されるとともに、第二金属端子パッドＰＤ２にハンダバンプＦＢが形成され、そのハンダバンプＦＢに電子部品ＩＣがフリップチップ接続され、また電子部品ＩＣ下の隙間がアンダーフィル材ＵＦにて充填されることで、半導体装置３００となる。

以下、本発明の実施形態である配線基板の製造方法の一例を説明する。図７〜図１０は製造工程を表す図である。工程１〜５に示す支持基板２０上に積層シート体１０を形成していく工程は、周知のビルドアップ法等により行うことができる。まず、図７の工程１に示すように、製造時における補強のための支持基板２０上に下地誘電体シート２１を形成する。支持基板２０は、下地誘電体シート２１が密着するものであれば特には限定されないが、例えばＦＲ−４等のガラスエポキシ基板（上述のようにコア基板に用いられる材料である）にて構成することができる。また、下地誘電体シート２１も、特には限定されないが、例えば後述する第一誘電体シート１１と同材料、すなわちエポキシを主成分とする材料にて構成することができる。

次に、工程２に示すように、下地誘電体シート２１の主表面上に、該主表面に包含されるよう配され、２つの金属箔５ａ、５ｂが密着してなる金属箔密着体５を配す。なお、金属箔密着体５は、半硬化状態の下地誘電体シート２１上に配すようにすることができる。これにより、以降の工程で金属箔密着体５（下側金属箔５ａ）が下地誘電体シート２１から剥れない程度の密着性が得られやすくなる。また、金属箔密着体５は、例えば２つの銅箔を金属メッキ（例えばＣｒ）を介して密着させたものを用いることができる。このような金属箔密着体５は、剥離が可能となる。

次に、工程３に示すように、金属箔密着体５を包むように第一誘電体シート１１を形成する。そして、第一誘電体シート１１は、金属箔密着体５（上側金属箔５ｂ）とともに、金属箔密着体５の周囲領域にて下地誘電体シート２１と密着して、金属箔密着体５を封止する。なお、誘電体シートの形成は、例えば周知の真空ラミネーション法を用いることができる。

次に、図８の工程４に示すように、第一誘電体シート１１上に第一導体層３１をパターン形成し、また第一誘電体シート１１には該第一導体層３１と金属箔密着体５とを接続する第一ビア導体４１を形成する。なお、導体層の形成は、例えば周知のセミアディティブ法により形成することができる。また、ビア導体は、例えば周知のフォトビアプロセスによりビア孔を形成し、該ビア孔を、上記セミアディティブ法における無電解メッキによって充填することにより得ることができる。

次に、第一誘電体シート１１（及び第一導体層３１）上に第二誘電体シート１２を形成し、該第二誘電体シート１２内にビア導体４２を形成するとともに、該第二誘電体シート１２上に第二導体層３２を形成する。そして、同様の工程を繰り返して、誘電体シート１３、１４、ビア導体４３、導体層３３を形成していき、工程５に示すような積層シート体１０を形成する。なお、本実施形態では、積層シート体１０は、金属箔密着体５及び４層の誘電体シート１１〜１４にて構成されているが、誘電体シートの層数はこれに限られることはない。以上により、下地誘電体シート２１の主表面上に、該主表面に包含されるよう配された金属箔密着体５と、該金属箔密着体５を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体５の周囲領域にて下地誘電体シート２１と密着して該金属箔密着体５を封止する第一誘電体シート１１と、を有する積層シート体１０が形成される。

なお、誘電体シート１１〜１４は、エポキシを主成分とする材料にて構成することができる。また、導体層３１〜３３とビア導体４１〜４３は銅を主成分として構成することができる。

本実施形態では、積層シート体１０の上側の露出した主表面が、図５に示す配線基板１の第一主表面ＭＰ１となるように形成されている。したがって、積層シート体１０の上側主表面をなす誘電体シート１４は、図５の配線基板１のソルダーレジスト層ＳＲに該当し、またその開口１４ａ内に露出する導体層３３は、図５の配線基板１の第一金属端子パッドＰＤ１に該当する。

次に、積層シート体１０は、金属箔密着体５上の領域が、配線基板１（図５参照）となるべき配線積層部１００となるよう形成されている。そこで、工程６に示すように、配線積層部１００の周囲領域を除去し、端面１０３を露出させる（図９の工程７）。その際、配線積層部１００と周囲部との境界において、その下の下地誘電体シート２１及び支持基板２０ごと、例えばブレード刃等により切断する。このようにして、配線積層部１００の周囲領域とともに、支持基板２０及び下地誘電体シート２１のうちの該周囲部下にあたる領域も除去するようにすると、端面１０３の露出が容易である。

次に、工程８に示すように、配線積層部１００を支持基板２０から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で、金属箔密着体５における２つの金属箔５ａ、５ｂの界面にて剥離する。

その後、工程９、１０に示すように、第一誘電体シート１１に付着した上側金属箔５ｂの表面をマスク材５０（感光性レジスト）を用いて覆い、フォトリソ工程を用いて、第一ビア導体４１に対応する領域が開口するようにパターン形成する。これによって上側金属箔５ｂに、露出した（マスク材５０に覆われていない）領域５０ａが形成される。

次に、工程１１に示すように、メッキバー７０を第一金属端子パッドＰＤ１に接続し、電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより、第一金属端子パッドＰＤ１表面に電解メッキ表面層ＮＭを形成する。第一金属端子パッドＰＤ１はビア導体４１〜４３及び導体層３１〜３２によって上側金属箔５ｂと接続しているので、上側金属箔５ｂの露出領域５０ａにも電解メッキ表面層ＮＭが形成される。この電解メッキ表面層ＮＭはＮｉ−半田メッキ層やＮｉ−Ａｕメッキ層とすることができる。例えばＮｉ−半田メッキ層とした場合、表層に半田メッキが形成されるので、半田ボールＳＢや半田バンプＦＢ（図６）に対するぬれ性や密着性を向上できる。さらに、Ｎｉ−Ａｕメッキ層とした場合、ワイヤーボンディングに好適な表面層として使用できる。

なお、メッキバー７０の接続先は第一金属端子パッドＰＤ１に限らず、第二金属端子パッドＰＤ２でもよい。また、図示しないが、マスク材５０にメッキバー７０を接続するための専用の開口部を形成して、そこから電流を供給しながら電解メッキ処理を行ってもよい。

次に、工程１２に示すように、マスク材５０を除去し、上側金属箔５ｂ上の、電解メッキ表面層ＮＭが形成されていない領域５０ｂを露出させる。その後、工程１３に示すように、電解メッキ表面層ＮＭがエッチング保護層として作用する条件でエッチング処理することにより、上側金属箔５ｂの、電解メッキ表面層ＮＭが形成されていない領域５０ｂを選択的にエッチングする。これにより、電解メッキ表面層ＮＭがエッチングレジストとなり、第一ビア導体４１に対応する位置に第二金属端子パッドＰＤ２が形成される。このエッチング処理は、例えば表層が半田メッキ表面層とされている場合、アルカリ系のエッチング液を用いると可能である。また、第一金属端子パッドＰＤ１にも電解メッキ表面層ＮＭが被膜形成されているので、第一金属端子パッドＰＤ１がエッチングされることはない。

以上説明した工程では第一金属端子パッドＰＤ１、第二金属端子パッドＰＤ２の両方に同じ種類の電解メッキ表面層を形成した。それに対して以下の方法を用いると、第一金属端子パッドＰＤ１と第二金属端子パッドＰＤ２に異なる種類の電解メッキ表面層を形成することができる。まず、図７、８に示す工程１〜４を行った後、工程５’（図１２）に示すように、上側金属箔５ｂと下側金属箔５ａが密着した状態で、第一金属端子パッドＰＤ１にメッキバー７０を接続し、電流を供給しながら第一の電解メッキ処理を行う。これにより第一金属端子パッドＰＤ１には第一電解メッキ表面層ＮＭ１が形成される。この第一電解メッキ表面層ＮＭ１は例えばＮｉ−Ａｕメッキ層とすることができる。

その後、配線積層部１００の周囲領域を除去し、端面１０３を露出させる（工程６’，７’：図は省略）。そして、工程８’に示すように、配線積層部１００を支持基板２０から、片方の金属箔（上側金属箔５ｂ）が付着した状態で剥離する。このようにすることで、第一金属端子パッドＰＤ１に第一電解メッキ表面層ＮＭ１が被膜した状態で、配線積層部１００を形成することができる。

次に、工程９’に示すように、第一金属端子パッドＰＤ１が形成されている主表面（第一主表面ＭＰ１）及び上側金属箔５ｂをそれぞれ第一のマスク材５１、第二のマスク材５２で覆う。各マスク材にはドライフィルムや液状感光性レジストを用いることができる。その後、工程１０’に示すように、第二のマスク材５２にパターン形成して、上側金属箔５ｂの、第一ビア導体４１に対応する領域５２ａを露出させる。一方、第一主表面ＭＰ１側はパターン形成せず、全面が第一のマスク材５１で保護されるようにする。

その後、工程１１’に示すように、第二の電解メッキ処理を行って、露出領域５２ａに第二電解メッキ表面層ＮＭ２を形成する。第二電解メッキ表面層ＮＭ２は、例えばＮｉ−半田メッキ層とすることができる。すなわち、第一金属端子パッドＰＤ１側に形成された第一電解メッキ層とは異なる金属種のメッキ層を、上側金属箔５ｂの露出領域５２ａに形成できる。

なお、第二の電解メッキ処理は、露出領域５２ａにメッキバー（図示しない）を接続して電流を供給しながら行うことができる。露出領域５２ａはピッチが狭いので、メッキバーが接続しにくい場合がある。この場合はメッキバーを接続するのに十分な面積を有する、メッキバー接続専用の露出領域（図示しない）を形成するとよい。

次に、工程１２’に示すように、第一のマスク材５１を除去して第一金属端子パッドＰＤ１を露出させるとともに、第二のマスク材５２も除去して、上側金属箔５ｂの、第二電解メッキ表面層ＮＭ２が形成されていない領域５２ｂを露出させる。その後、工程１３’に示すように、第二電解メッキ表面層ＮＭ２がエッチング保護層として作用する条件で、上側金属箔５ｂをエッチング処理する。これにより、第二電解メッキ表面層ＮＭ２が形成されていない領域５２ｂが選択的にエッチングされる。その結果、図に示すように、残存した上側金属箔５ｂと、その表面を覆う第二電解メッキ表面層ＮＭ２からなる金属端子パッドＰＤ２が形成される。

なお、以上の製造工程では、図１５に示すように、積層シート体１０に含まれる配線積層部１００は、一つの配線基板に対応する個体１００´が複数連結されたもの、つまり、配線基板１の多数個取りワーク基板として構成することができる。

本発明に係る配線基板の製造方法の概略説明図。 図１に続く図。 図２に続く図。 積層シート体１０に含まれる配線積層シート体１００を示す図 本発明に係る配線基板の実施形態。 半導体チップＩＣ及び補強枠ＳＴを接続した状態。 本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態。 図７に続く図。 図８に続く図。 図９に続く図。 図１０に続く図。 図７〜図１１とは別の実施形態。 図１２に続く図。 図１３に続く図。 多数個取りワーク基板とされた配線積層部１００を上部より見た図

符号の説明

１ 配線基板
５ 金属箔密着体
１０ 積層シート体
１１ 第一誘電体シート
２０ 支持基板
２１ 下地誘電体シート
１００ 配線積層シート体
ＰＤ 金属端子パッド
ＮＭ 電解メッキ表面層

Claims (3)

1. コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層され、一方の主表面に複数の第一金属端子パッドが設けられ、他方の主表面に複数の第二金属端子パッドが設けられるとともに、これら複数の第一及び第二金属端子パッドに電解メッキ表面層が形成された配線基板を製造するために、
   製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて前記下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、その第一誘電体シート内に形成され、前記金属箔密着体と接続する複数の第一ビア導体と、を有する積層シート体を形成し、
   該積層シート体において露出した主表面には、誘電体シート間に設けられた導体層及び誘電体シート内に設けられたビア導体を通じて前記金属箔密着体に連結された複数の第一金属端子パッドが形成され、
   前記積層シート体のうち、前記金属箔密着体上の領域を前記配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、前記配線積層部を前記支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、前記金属箔密着体における２つの金属箔の界面にて剥離し、
   前記配線積層部の前記第一誘電体シートに付着した前記金属箔の表面をマスク材を用いて覆い、前記複数の第一ビア導体に対応する領域が露出するようにパターン形成し、
   その複数の露出領域または前記複数の第一金属端子パッドのいずれかから電流を供給して電解メッキ処理を行うことにより、前記複数の露出領域および前記複数の第一金属端子パッドのそれぞれの表面に電解メッキ表面層を形成し、
   前記マスク材を除去して、前記金属箔上の、前記電解メッキ表面層が形成されていない領域を露出させるとともに、
   前記電解メッキ表面層がエッチング保護層として作用する条件で前記金属箔をエッチング処理することにより、前記金属箔の、前記電解メッキ表面層が形成されていない領域を選択的にエッチングし、前記第一ビア導体と接続され且つ残存した前記金属箔と、その表面を覆う電解メッキ表面層からなる第二金属端子パッドを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
2. コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層され、一方の主表面に複数の第一金属端子パッドが設けられ、他方の主表面に複数の第二金属端子パッドが設けられるとともに、これら複数の第一及び第二金属端子パッドに電解メッキ表面層が形成された配線基板を製造するために、
   製造時における補強のための支持基板上に形成された下地誘電体シートの主表面上に、該主表面に包含されるよう配された、２つの金属箔が密着してなる金属箔密着体と、該金属箔密着体を包むよう形成され、かつ該金属箔密着体の周囲領域にて前記下地誘電体シートと密着して該金属箔密着体を封止する第一誘電体シートと、その第一誘電体シート内に形成され、前記金属箔密着体と接続する複数の第一ビア導体と、を有する積層シート体を形成し、
   該積層シート体において露出した主表面には、誘電体シート間に設けられた導体層及び誘電体シート内に設けられたビア導体を通じて前記金属箔密着体に連結された複数の前記第一金属端子パッドが形成されており、前記複数の第一金属端子パッドのいずれかから電流を供給して第一の電解メッキ処理を行うことにより、前記複数の第一金属端子パッドのそれぞれの表面に第一電解メッキ表面層を形成するとともに、
   前記積層シート体のうち、前記金属箔密着体上の領域を前記配線基板となるべき配線積層部として、その周囲部を除去し、該配線積層部の端面を露出させた後、前記配線積層部を前記支持基板から、片方の金属箔が付着した状態で、前記金属箔密着体における２つの金属箔の界面にて剥離し、
   前記配線積層部の、前記複数の第一金属端子パッドが形成されている主表面を全面にわたって第一のマスク材で覆い、
   前記配線積層部の前記第一誘電体シートに付着した前記金属箔の表面を第二のマスク材を用いて覆い、前記複数の第一ビア導体に対応する領域がそれぞれ露出するようにパターン形成し、
   第二の電解メッキ処理を行うことにより、前記複数の露出領域に第二電解メッキ表面層を形成し、
   前記第一のマスク材を除去して、前記複数の第一金属端子パッドを露出させ、
   前記第二のマスク材を除去して、前記金属箔上の、前記第二電解メッキ表面層が形成されていない領域を露出させるとともに、
   前記第二電解メッキ表面層がエッチング保護層として作用する条件で前記金属箔をエッチング処理することにより、前記金属箔の、前記第二電解メッキ表面層が形成されていない領域を選択的にエッチングし、前記第一ビア導体と接続され且つ残存した前記金属箔と、その表面を覆う第二電解メッキ表面層からなる第二金属端子パッドを形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
3. コア基板を有さず、かつ両主表面が誘電体層にて構成されるよう、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層され、かつ一方の主表面には複数の第一金属端子パッドが設けられ、他方の主表面には複数の第二金属端子パッドが設けられるとともに、
   これら複数の第一及び第二金属端子パッドの表面には、電解メッキ処理により得られる電解メッキ表面層が形成されていることを特徴とする配線基板。

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