JP2006049064A

JP2006049064A - サージアブソーバ

Info

Publication number: JP2006049064A
Application number: JP2004227773A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Adachi; 美紀足立; Toshiaki Ueda; 稔晃植田
Original assignee: Mitsubishi Materials Corp
Current assignee: Mitsubishi Materials Corp
Priority date: 2004-08-04
Filing date: 2004-08-04
Publication date: 2006-02-16

Abstract

【課題】高温領域で化学的安定性に優れ、かつ主放電面に対する付着力の優れた酸化物層が被覆されたことにより、長寿命化したサージアブソーバを提供すること。
【解決手段】放電ギャップ２を介して導電性被膜３が分割形成された円柱状セラミックス４と、対向配置されて導電性被膜３に接触する一対の主放電電極部材５と、円柱状セラミックス４を内部に封止ガス７と共に封入する筒型セラミックス８とを備え、主放電電極部材５の対向する面である主放電面１０Ａが、ガラス被膜１１で被覆されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、サージから様々な機器を保護し、事故を未然に防ぐのに使用するサージアブソーバに関する。

電話機、ファクシミリ、モデム等の通信機器用の電子機器が通信線との接続する部分、電源線、アンテナ或いはＣＲＴ駆動回路等、雷サージや静電気等の異常電流（サージ電流）や異常電圧（サージ電圧）による電撃を受けやすい部分には、異常電圧によって電子機器やこの機器を搭載するプリント基板の熱的損傷又は発火等による破壊を防止するために、サージアブソーバが接続されている。

従来、例えばマイクロギャップを有するサージ吸収素子を用いたサージアブソーバが提案されている。このサージアブソーバは、導電性被膜で被覆した円柱状のセラミックス部材の周面に、いわゆるマイクロギャップが形成され、セラミックス部材の両端に一対のキャップ電極を有するサージ吸収素子が封止ガスと共にガラス管内に収容され、円筒状のガラス管の両端にリード線を有する封止電極が高温加熱で封止された放電型サージアブソーバである。

近年、このような放電タイプのサージアブソーバにおいても、長寿命化が進んでいる。上記サージアブソーバに適応した例としては、ギャップ電極の主放電が行われる面にキャップ電極よりも放電時の揮散性が低いＳｎＯ_２を被覆層としたものがある。このようにすることによって、主放電時にキャップ電極の金属成分がマイクロギャップやガラス管の内壁に飛散することを抑制して長寿命化を図っている（例えば、特許文献１参照。）。

また、機器の小型化に伴い、表面実装化が進んでいる。上記サージアブソーバに適応した例としては、面実装型（メルフ型）として、封止電極にリード線がなく、実装するときは封止電極と基板側とをハンダ付けで接続して固定するものがある（例えば、特許文献２参照）。
このサージアブソーバ１００は、図１０に示すように、一面に中央の放電ギャップ１０１を介して導電性被膜１０２が分割形成された板状セラミックス１０３と、この板状セラミックス１０３の両端に配置された一対の封止電極１０５と、これら封止電極１０５を両端に配して板状セラミックス１０３を封止ガス１０６と共に封止する筒型セラミックス１０７とを備えている。
この封止電極１０５は、端子電極部材１０８と、この端子電極部材１０８と電気的に接続して導電性被膜１０２に接触する板バネ導体１０９とによって構成されている。
特開平１０−１０６７１２号公報（第５頁、第１図）特開２０００−２６８９３４号公報（第１図）

しかしながら、上記従来のサージアブソーバには、以下の課題が残されている。すなわち、上記従来のサージアブソーバでは、例えば化学蒸着（ＣＶＤ）法等の薄膜形成法によってＳｎＯ_２被膜が形成されたが、ＳｎＯ_２被膜のキャップ電極に対する付着力が弱いために、主放電時のＳｎＯ_２被膜の剥離により、ＳｎＯ_２被膜の特性を十分に発揮させることができなかった。

本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、高温領域で化学的安定性に優れ、かつ主放電面に対する付着力の優れた酸化物層が被覆されたことにより、長寿命化したサージアブソーバを提供することを目的とする。

本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明にかかるサージアブソーバは、放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された絶縁性部材と、対向配置されて前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、内部に前記絶縁性部材を封止ガスと共に封入する絶縁性管とを備えるサージアブソーバであって、前記一対の主放電電極部材の対向する面である主放電面が、ガラス部材で被覆されていることを特徴とする。

この発明によれば、外部から侵入したサージ等の異常電流及び異常電圧は、放電ギャップでの放電をトリガとし、一対の主放電電極部材の対向する面である主放電面間で主放電が行われることで吸収される。ここで、主放電面がガラス部材で被覆されることで、主放電時に主放電面の金属成分が飛散して放電ギャップや絶縁性管の内壁などに付着することを抑制する。
また、主放電によってガラス部材が損傷した場合であっても、加熱溶融した他の部分のガラス部材が被覆剤として機能することで損傷した箇所を被覆する。さらに、被覆しているガラス部材が酸化剤として機能することで、主放電面を主放電面の金属成分で形成された酸化物層で被覆する。この酸化物層は高温領域で化学的安定性に優れているので、これによっても、主放電時に主放電面の金属成分が飛散することが抑制される。
このように、主放電面の金属成分の飛散が抑制されることで、サージアブソーバの長寿命化が図れる。
また、高温領域で化学的安定性に優れる高価な金属を主放電電極部材として使用する必要がないため、主放電電極部材に安価な金属材料を用いることができる。

また、本発明にかかるサージアブソーバは、前記一対の主放電電極部材の対向する面である主放電面に、酸化処理による酸化膜が形成されていることが好ましい。
この発明によれば、高温領域で化学的安定性に優れた主放電面とすることができる。また、この酸化膜は主放電面との付着力が優れているので、酸化膜の特性を発揮することができる。

本発明のサージアブソーバによれば、主放電面をガラス部材で被覆することで、主放電面の金属成分の飛散が抑制される。また、主放電時に被覆しているガラス部材が損傷しても、加熱溶融した他の部分のガラス部材が被覆剤あるいは酸化剤として機能することによって主放電面の金属成分が飛散することを抑制する。したがって、サージアブソーバを長寿命とすることができる。

以下、本発明にかかるサージアブソーバの第１の実施形態を、図１から図３を参照しながら説明する。
本実施形態によるサージアブソーバ１は、図１に示すように、いわゆるマイクロギャップを使用した放電型サージアブソーバであって、周面に中央の放電ギャップ２を介して導電性被膜３が分割形成された円柱状セラミックス（絶縁性部材）４と、この円柱状セラミックス４の両端に対向配置されて導電性被膜３に接触する一対の主放電電極部材５と、一対の主放電電極部材５を両端に配して、円柱状セラミックス４を内部に所望の電気特性を得るために組成などを調整された、例えば、Ａｒ（アルゴン）などの封止ガス７と共に封止する筒型セラミックス（絶縁性管）８とを備えている。

円柱状セラミックス４は、ムライト焼結体等のセラミックス材料からなり、表面に導電性被膜３として物理蒸着（ＰＶＤ）法、化学蒸着（ＣＶＤ）法の薄膜形成技術によるＴｉＮ（窒化チタン）などの薄膜が形成されている。
放電ギャップ２は、レーザカット、ダイシング、エッチングなどの加工によって０．０１から１．５ｍｍの幅で１から１００本形成されるが、本実施形態では、１５０μｍのものを１本形成している。

一対の主放電電極部材５は、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ（ニッケル）、及びＣｏ（コバルト）の合金であるコバール（ＫＯＶＡＲ：登録商標）で構成されている。
この一対の主放電電極部材５は、図２に示すように、それぞれ筒型セラミックス８の端面とロウ材９で接着される縦横比が１以下とされた長方形状の周縁部５Ａと、筒型セラミックス８の内側且つ軸方向に突出すると共に円柱状セラミックス４を支持する突出支持部１０とを備え、突出支持部１０に囲まれて円柱状セラミックス４の端部に対向する位置には中央領域５Ｂが形成されている。
突出支持部１０は、径方向内側面と円柱状セラミックス４の端部とを圧入又は嵌合させやすいように、径方向内側面がわずかにテーパ形状を有することが望ましい。また、突出支持部１０の先端の互いに対向する面が主放電面１０Ａとされている。
ここで、主放電電極部材５の主放電面１０Ａに、大気中で５００℃、３０分間酸化処理を行うことにより平均膜厚０．６μｍの酸化膜１０Ｂが形成されている。
また、主放電面１０Ａの表面には、ＳｉＯ_２（酸化ケイ素）を含有するガラス被膜（ガラス部材）１１が被覆されている。ガラスを被膜する方法としては、物理蒸着（ＰＶＤ）法や印刷・焼成法などを使用した。

筒型セラミックス８は、例えばＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）等の絶縁性セラミックスからなり、断面長方形を有し、両端面外形が周縁部５Ａの外周寸法とほぼ一致している。

次に、以上の構成からなる本実施形態のサージアブソーバ１の製造方法について説明する。
まず、一対の主放電電極部材５を抜き打ち加工によって所望の形状に一体成形する。そして、主放電面１０Ａに対し、大気中で５００℃、３０分間酸化処理を行うことにより平均膜厚０．６μｍの酸化膜１０Ｂを形成する。そして、主放電面１０Ａにガラスペーストを印刷・焼成することにより、ガラス被膜１１を被覆する。

続いて、筒型セラミックス８の両端面に、ロウ材９とのぬれ性を向上させるために、例えば、Ｍｏ（モリブデン）−Ｗ（タングステン）層とＮｉ層とを各１層ずつ備えるメタライズ層を形成する。
そして、一方の主放電電極部材５の中央領域５Ｂ上に、円柱状セラミックス４を載置して径方向内側面と円柱状セラミックス４の端面とを接触させる。その後、周縁部５Ａと筒型セラミックス８の端面との間にロウ材９を挟んだ状態で、筒型セラミックス８を他方の主放電電極部材５の周縁部５Ａ上に載置する。
さらに、円柱状セラミックス４の上方が中央領域５Ｂと対向するように主放電電極部材５を載置して径方向内側面と主放電電極部材５とを接触させる。そして、周縁部５Ａと筒型セラミックス８の端面との間にロウ材９を挟んだ状態とする。

上述のように仮組した状態で十分に真空引きを行った後、封止ガス雰囲気としてロウ材９が溶融するまで加熱し、ロウ材９の溶融により円柱状セラミックス４を封止し、その後急速に冷却を行う。以上のようにして、サージアブソーバ１を製造する。
このようにして製造したサージアブソーバ１を、例えば、図３に示すように、プリント基板等の基板Ｂ上に筒型セラミックス８の一側面である実装面８Ａを基板Ｂ上に載置し、基板Ｂと一対の主放電電極部材５の外面とをハンダＳによって接着固定して使用する。

このように構成されたサージアブソーバ１によれば、主放電面１０Ａがガラス被膜１１及び高温領域で化学的（熱力学的）に安定した酸化膜１０Ｂによって被覆されていることで、主放電時に主放電面１０Ａの金属成分が飛散して放電ギャップ２や筒型セラミックス８の内壁などに付着することを抑制できる。また、主放電時に、ガラス被膜１１及び酸化膜１０Ｂが損傷しても、加熱溶融した他の部分のガラス被膜１１が被覆剤として機能することで、この損傷箇所を被覆すると共に、酸化剤として機能することで、主放電面１０Ａの金属成分で形成された酸化物層で被覆する。これによっても、主放電面１０Ａの金属成分の飛散が抑制される。したがって、サージアブソーバの長寿命化が図れる。
また、高温領域で化学的安定性に優れる高価な金属を主放電電極部材５として使用する必要がないため、本発明では主放電電極部材５に安価な金属材料を用いることができる。

次に、第２の実施形態について、図４を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態はその基本的構成が上述した第１の実施形態と同様であり、上述の第１の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図４においては、図１と同一構成要素に同一符号をし、この説明を省略する。

第２の実施形態と第１の実施形態との異なる点は、第１の実施形態では主放電電極部材５の突出支持部１０によって円柱状セラミックス４が支持された構成であるのに対して、第３の実施形態におけるサージアブソーバ２０は、主放電電極部材２１が第１の実施形態における主放電電極部材５と同様の構成である端子電極部材２２とキャップ電極２３とを有しており、円柱状セラミックス４がキャップ電極２３を介して端子電極部材２２に設けられた突出支持部２４に支持されている点である。

一対のキャップ電極２３は、円柱状セラミックス４よりも硬度が低く、塑性変形できる、例えばステンレス等の金属からなり、外周部が端子電極部材２２の突出支持部２４の先端よりも軸方向内方に延びて断面略Ｕ字状に形成され、主放電面２３Ａとされている。
この一対のキャップ電極２３の表面は、所定酸素濃度に制御された還元雰囲気で７００℃、４０分間酸化処理を行うことにより、酸化膜２３Ｂが０．６μｍ形成されている。
また、主放電面２３Ａの表面には、物理蒸着（ＰＶＤ）法や印刷・焼成法により、ガラス被膜２５が被覆されている。

次に、以上の構成からなる本実施形態のサージアブソーバ２０の製造方法について説明する。
まず、一対の端子電極部材２２に対し焼鈍処理を施した後、抜き打ち加工によって一体成形する。
そして、一対のキャップ電極２３の表面に、所定酸素濃度に制御された還元雰囲気で７００℃、４０分間酸化処理を行うことにより酸化膜２３Ｂを形成する。そして、主放電面２３Ａの表面に、物理蒸着（ＰＶＤ）法によりガラス被膜２５を被覆する。
その後、一対のキャップ電極２３を円柱状セラミックス４の両端に係合させ、第１の実施形態と同様の方法でサージアブソーバ２０を製造する。

このように構成されたサージアブソーバ２０は、上述した第１の実施形態にかかるサージアブソーバ１と同様の作用、効果を有するが、円柱状セラミックス４よりも硬度の低いキャップ電極２３が円柱状セラミックス４と突出支持部２４との両面に密着して良好な接触面が得られる。これにより、十分なオーミックコンタクトを得ることができ、サージアブソーバ２０の放電開始電圧などの電気特性が安定する。

次に、第３の実施形態について、図５を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第２の実施形態と同様であり、上述の第２の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図５においては、図４と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。

第３の実施形態と第２の実施形態との異なる点は、第２の実施形態では端子電極部材２２が一体的に形成された突出支持部２４を有しているのに対して、第４の実施形態におけるサージアブソーバ３０では、図５（ａ）に示すように、主放電電極部材３１が平板状の端子電極部材３２とキャップ電極２３とで構成されている点である。

そして、この一対の端子電極部材３２の互いに対向する内面には、ロウ材３３が塗布されている。
このロウ材３３は、図５（ｂ）に示すように、一対の端子電極部材３２とキャップ電極２３との接触面に形成された間隙３４を埋める充填部３５と、キャップ電極２３の両端でキャップ電極２３の外周面を保持する保持部３６とを備えている。
なお、保持部３６の高さｈは、キャップ電極２３の高さよりも低く形成されている。これにより、キャップ電極２３の互いに対向する面が、主放電面２３Ａとなる。

次に、以上の構成からなる本実施形態のサージアブソーバ３０の製造方法について説明する。
まず、上述した第２の実施形態と同様に一対のキャップ電極２３の表面に酸化膜２３Ｂを形成し、主放電面２３Ａを、物理蒸着（ＰＶＤ）法によりガラス被膜２５で被覆する。そして、円柱状セラミックス４の両端に係合させる。
次に、端子電極部材３２の一面に保持部３６を形成するのに十分な量のロウ材３３を塗布し、端子電極部材３２の中央領域上に、キャップ電極２３が係合された円柱状セラミックス４を載置して端子電極部材３２とキャップ電極２３とを接触させる。そして、筒型セラミックス８の端面を載置する。
さらに、筒型セラミックス８のもう一方の端面にロウ材３３が塗布されたもう一方の端子電極部材３２を載置することで仮組みの状態とする。

上述のように仮組みした状態で十分に真空引きを行った後、封止ガス雰囲気として加熱処理することで、ロウ材３３が溶融し、端子電極部材３２とキャップ電極２３とが密着する。このとき、溶融によりロウ材３３の充填部３５が、キャップ電極２３と端子電極部材３２との間に存在する間隙３４を埋める。また、ロウ材３３の表面張力により形成された保持部３６が、キャップ電極２３の両端部を埋め込むようにして保持する。
その後、上述した第１の実施形態と同様に冷却工程を行ってサージアブソーバ３０を製造する。

このサージアブソーバ３０は、上述した第１の実施形態にかかるサージアブソーバ１と同様の作用、効果を有するが、寸法精度、傷、加工時の変形などによって端子電極部材３２とキャップ電極２３との接触面に形成された間隙３４をロウ材３３で埋めることにより、端子電極部材３２とキャップ電極２３との接触面積が増大する。これにより、十分なオーミックコンタクトを得ることができ、サージアブソーバ３０の放電開始電圧などの電気特性が安定する。

なお、本実施形態において、ロウ材３３と同じ部材によって保持部３６及び充填部３５を形成していたが、充填部３５がロウ材３３とは異なる材料によって形成されていてもよく、例えば活性銀ロウのように酸化膜２３Ｂと端子電極部材３２とを接着可能である導電性の接着剤であってもよい。このような構成としても、キャップ電極２３と端子電極部材３２とが接着し、主放電電極部材３１と導電性被膜３とのより十分なオーミックコンタクトを得ることができる。
また、保持部３６も充填部３５と同様にロウ材３３とは異なる材料で形成されてもよく、例えばロウ材３３や活性銀ロウに対してぬれにくいガラス材を用いてもよい。このようにすることで、円柱状セラミックス４がより確実に端子電極部材３２の中央付近またはその周辺部に固定される。

次に、第４の実施形態について、図６を参照しながら説明する。
なお、ここで説明する実施形態は、その基本的構成が上述した第１の実施形態と同様であり、上述の第１の実施形態に別の要素を付加したものである。したがって、図６においては、図１と同一構成要素に同一符号を付し、この説明を省略する。

第４の実施形態と第１の実施形態との異なる点は、第１の実施形態では主放電電極部材５が一体的に形成された突出支持部１０を有し、円柱状セラミックス４をこの突出支持部１０に圧入または嵌合させているのに対して、第４の実施形態におけるサージアブソーバ４０は、主放電電極部材４１が端子電極部材３２と、突出支持部材４２とで構成されている点である。

突出支持部材４２は、ほぼ有底円筒形状を有しており、底面４２Ａの中央に開口４２Ｂが形成されている。この開口４２Ｂの開口径は、円柱状セラミックス４よりもやや小さく形成されている。そして、円柱状セラミックス４を開口４２Ｂに挿通して底面４２Ａを軸方向外方に向かって弾性的に屈曲させることで、突出支持部材４２と導電性被膜３との良好なオーミックコンタクトが得られるように構成されている。
なお、この一対の突出支持部材４２の表面は、上述した第１の実施形態と同様の酸化処理により酸化膜４２Ｃが０．６μｍ形成されており、互いに対向する面である底面４２Ａが主放電面となっている。
また、底面４２Ａの表面には、ガラスペーストの印刷・焼成法によりガラス被膜４３が被覆されている。

このサージアブソーバ４０は、上述した第１の実施形態におけるサージアブソーバ１と同様の作用、効果を有する。

次に、本発明にかかるサージアブソーバを、実施例により図７及び図８を参照して具体的に説明する。

上述した第２の実施形態にかかるサージアブソーバ２０と、酸化膜２３Ｂ及びガラス被膜２５のない従来のサージアブソーバとをそれぞれ基板などに実装した際の寿命を比較した。
具体的には、実施例として図７に示すようなサージ電流を繰り返しサージアブソーバに所定回数印加して、そのときのギャップ間での放電開始電圧（Ｖ）を測定した結果を図８に示す。

従来のサージアブソーバは、サージ電流を繰り返し印加されると、主放電面の金属成分が多く飛散し、比較的短時間でマイクロギャップにおいて、それら金属成分が堆積するために、ギャップ間の放電開始電圧が低下して寿命に至る。一方、本発明にかかるサージアブソーバ２０は、ガラス被膜２５及び酸化膜２３Ｂによってキャップ電極２３の金属成分の飛散が抑制されるので、放電ギャップ２における金属成分の堆積があまりない。これにより、ギャップ間の放電開始電圧が安定していることがわかる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、図９に示すように、一対の板バネ導体１０９の互いに対向する面である主放電面１０９Ａに上述した第１の実施形態と同様の酸化処理によって酸化膜１０９Ｂを形成し、この主放電面１０９Ａをガラス被膜１１０で被覆したサージアブソーバ５０であってもよい。このようにしても上述と同様の作用、効果を有する。

また、導電性被膜は、Ａｇ（銀）、Ａｇ（銀）／Ｐｄ（パラジウム）合金、ＳｎＯ_２（酸化スズ）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、ＳｉＣ（炭化シリコン）、ＢａＡｌ（バリウム・アルミナ）、Ｃ（炭素）、Ａｇ（銀）／Ｐｔ（白金）合金、ＴｉＯ（酸化チタン）、ＴｉＣ（炭化チタン）、ＴｉＣＮ（炭窒化チタン）などでもよい。
また、主放電電極部材は、ＣｕやＮｉ系の合金でもよい。
また、ガラス被膜は、主放電面に限らず、主放電電極部材の表面全体を被覆するような構成であってもよく、また、ＳｉＯ_２を含有するものに限らず、結晶相のガラスを含有する部材であってもよい。
また、筒型セラミックス両端面のメタライズ層は、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）でもよく、また、メタライズ層を用いず活性金属ロウ材だけで封止してもよい。
また、封止ガスは、所望の電気特性を得るために組成等を調整され、例えば、大気（空気）でもよく、Ａｒ（アルゴン）、Ｎ_２（窒素）、Ｎｅ（ネオン）、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｘｅ（キセノン）、Ｈ_２（水素）、ＳＦ_６、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ＣＯ_２（二酸化炭素）等、及びこれらの混合ガスでもよい。

本発明の第１の実施形態におけるサージアブソーバを示す断面図である。図１の主放電電極部材を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線矢視断面図である。図１のサージアブソーバを基板上に実装したときの断面図である。本発明の第２の実施形態におけるサージアブソーバを示す断面図である。本発明の第３の実施形態におけるサージアブソーバを示すもので、（ａ）は断面図、（ｂ）は端子電極部材とキャップ電極との接触部分の拡大図である。本発明の第４の実施形態におけるサージアブソーバを示す断面図である。本発明の実施例におけるサージ電流の時間と電流値との関係を示すグラフである。本発明の実施例におけるサージアブソーバの放電回数と放電開始電圧との関係を示すグラフである。本発明の実施形態以外の、本発明を適用可能なサージアブソーバを示す断面図である。従来のサージアブソーバを示す断面図である。

符号の説明

１、２０、３０、４０、５０サージアブソーバ
２、１０１放電ギャップ
３、１０２導電性被膜
４円柱状セラミックス（絶縁性部材）
５、２１、３１、４１主放電電極部材
７、１０６封止ガス
８、１０７筒型セラミックス（絶縁性管）
１０Ａ、２３Ａ、１０９Ａ主放電面
１０Ｂ、２３Ｂ、４２Ｃ、１０９Ｂ酸化膜
１１、２５、４３、１１０ガラス被膜（ガラス部材）
４２Ａ底面（主放電面）
１０３板状セラミックス（絶縁性部材）
１０５封止電極（主放電電極部材）

Claims

放電ギャップを介して導電性被膜が分割形成された絶縁性部材と、対向配置されて前記導電性被膜に接触する一対の主放電電極部材と、内部に前記絶縁性部材を封止ガスと共に封入する絶縁性管とを備えるサージアブソーバであって、
前記一対の主放電電極部材の対向する面である主放電面が、ガラス部材で被覆されていることを特徴とするサージアブソーバ。
前記主放電面に、酸化処理による酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサージアブソーバ。