JP2005268320A

JP2005268320A - Development processing apparatus and development processing method

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Publication number: JP2005268320A
Application number: JP2004074958A
Authority: JP
Inventors: Takamitsu Furukawa; 貴光古川
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2004-03-16
Filing date: 2004-03-16
Publication date: 2005-09-29
Anticipated expiration: 2024-03-16
Also published as: JP4331024B2

Abstract

【課題】フォトレジストの現像において、基板面内における現像時間の均一化及び短縮化を図る。
【解決手段】フォトレジストの現像において、現像液供給ノズルを、所定の移動方向に移動しながら、基板に、現像液を供給する。同時に、現像液供給ノズルと所定の間隔を空けて、進行方向後から同一方向に、現像液回収ノズルを移動しながら、基板から現像液を吸引する。その後、現像液回収ノズルより更に進行方向後ろから、所定の間隔を空けて、同一方向に、洗浄液供給ノズルを移動しながら、洗浄液を供給する。
【選択図】図２
PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformize and shorten the development time in a substrate surface in developing a photoresist.
In developing a photoresist, a developer is supplied to a substrate while moving a developer supply nozzle in a predetermined movement direction. At the same time, the developer is sucked from the substrate while moving the developer recovery nozzle in the same direction after the traveling direction at a predetermined interval from the developer supply nozzle. Thereafter, the cleaning liquid is supplied while moving the cleaning liquid supply nozzle in the same direction at a predetermined interval from the rear in the advancing direction further than the developer recovery nozzle.
[Selection] Figure 2

Description

この発明は、現像処理装置及び現像処理方法に関する。更に具体的には、リソグラフィにおけるフォトレジストの現像処理を行う現像処理装置及び現像処理方法に関するものである。 The present invention relates to a development processing apparatus and a development processing method. More specifically, the present invention relates to a development processing apparatus and a development processing method for performing development processing of a photoresist in lithography.

半導体装置の製造において、フォトレジストに微細パターンを形成するリソグラフィ工程は、主に、半導体基板へのフォトレジストの塗布工程、マスクパターンを用いたフォトレジストへの露光工程、その後のフォトレジストの現像工程により構成される。 In the manufacture of semiconductor devices, a lithography process for forming a fine pattern on a photoresist mainly includes a photoresist coating process on a semiconductor substrate, an exposure process on the photoresist using a mask pattern, and a subsequent photoresist development process. Consists of.

ここで、フォトレジストの現像を行う場合、一般に、スリットスキャン方式を用いる。スリットスキャン方式における現像においては、一般に、基板最大幅以上のスリットを有する現像液供給ノズルの配置された現像処理装置を用いる。そして、フォトレジストの現像の際には、このノズルのスリットから、現像液を吐き出しながら、現像液供給ノズルを、一定の方向に、基板端部付近から反対側の端部付近まで、水平に移動させる。これにより、現像液が基板全面に供給され、表面張力により、基板全面に液盛りされた状態となる。一般に、現像液の液盛りを均一にするため、現像液供給ノズルの移動速度と、現像液の吐き出し量の最適化が図られている。 Here, when developing the photoresist, a slit scan method is generally used. In the development in the slit scan method, generally, a development processing apparatus in which a developer supply nozzle having a slit having a width equal to or larger than the maximum width of the substrate is used. When developing the photoresist, the developer supply nozzle is horizontally moved from the vicinity of the substrate end to the vicinity of the opposite end while discharging the developer from the nozzle slit. Let As a result, the developer is supplied to the entire surface of the substrate, and the liquid is accumulated on the entire surface of the substrate due to surface tension. In general, in order to make the liquid level of the developing solution uniform, the moving speed of the developing solution supply nozzle and the discharge amount of the developing solution are optimized.

また、現像液供給後は、液盛りされた状態のまま、２０〜９０秒程度、静止状態で保持する。その後、現像液の振り切り並びに純水による洗浄、及び、スピン乾燥等を行い、現像処理が終了する。 In addition, after supplying the developer, the liquid is kept in a stationary state for about 20 to 90 seconds while remaining in a liquid-filled state. Thereafter, the developer is shaken off, washed with pure water, spin-dried, etc., and the development process is completed.

ここで、フォトレジストの現像を正確に行うためには、基板全面における現像時間を一定にする必要がある。しかし、スリットスキャン方式を用いる場合、現像液の供給開始から終了まで、ある程度時間を要する。従って、現像液供給完了後、所定の現像時間、静止現像を行い、その後、基板を洗浄する従来の方法では、基板面内において、現像時間に差が生じてしまう。 Here, in order to accurately develop the photoresist, it is necessary to make the developing time on the entire surface of the substrate constant. However, when the slit scan method is used, a certain amount of time is required from the start to the end of the supply of the developer. Therefore, in the conventional method of performing static development for a predetermined development time after completion of supplying the developer and then cleaning the substrate, a difference occurs in the development time within the substrate surface.

これに対して、従来のスリットスキャン方式においては、現像時間を十分に長くすることで、現像時間の差による影響を緩和することができた。具体的には、例えば、基板面内における、現像時間差は、約３〜５秒程度と考えると、現像時間を約６０秒程度とすることで、現像時間差による現像の不均一を緩和させていた。 On the other hand, in the conventional slit scan method, the influence of the difference in the development time can be alleviated by sufficiently increasing the development time. Specifically, for example, assuming that the development time difference in the substrate surface is about 3 to 5 seconds, the development time is about 60 seconds, thereby reducing development unevenness due to the development time difference. .

しかしながら、近年のパターンの微細化に伴い、露光において用いられるフォトレジストの膜厚が、約３００(nm)以下になる等、薄膜化が進んでいる。また、例えば、波長１５７(nm)のＦ_２エキシマレーザに用いるフォトレジスト等、短波長の露光光に対して用いるフォトレジストは、一般に、溶解速度が速く、具体的には、数百(nm/s)程度の速さを有する。したがって、露光部分の現像は、約１〜２秒程度で終了する場合がある。このような状況下において、現像時間差を、現像処理時間を長くとることで緩和しようとすると、現像時間が過剰になってしまう。過剰な現像処理は、フォトレジストパターンの膜減り等、パターンの劣化を生じるため、問題である。 However, with the recent miniaturization of patterns, the film thickness of the photoresist used in exposure is becoming thinner, such as about 300 (nm) or less. In addition, for example, a photoresist used for exposure light having a short wavelength, such as a photoresist used for an F ₂ excimer laser having a wavelength of 157 (nm), generally has a high dissolution rate, specifically several hundreds of nm / nm. s) about the speed. Therefore, the development of the exposed portion may be completed in about 1 to 2 seconds. Under such circumstances, if the development time difference is to be reduced by increasing the development processing time, the development time becomes excessive. Excessive development processing is problematic because it causes pattern degradation such as film loss of the photoresist pattern.

したがって、この問題に対応するため、例えば、従来同様に現像液供給ノズルにより現像液を供給して、所定の時間経過した後、洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルから洗浄液を吐き出しながら、この洗浄液供給ノズルを、現像液供給ノズルと同一方向に同一速度で移動させて、洗浄液を基板全面に供給する方法が考えられている。このようにすれば、基板面内における、現像時間の不均一を緩和することができる（例えば、特許文献１参照）。 Therefore, in order to cope with this problem, for example, the developer is supplied from the developer supply nozzle as in the prior art, and after a predetermined time has elapsed, the cleaning liquid is discharged from the cleaning liquid supply nozzle that supplies the cleaning liquid. Has been considered to supply the cleaning liquid to the entire surface of the substrate by moving the same in the same direction as the developer supply nozzle at the same speed. In this way, non-uniform development time within the substrate surface can be alleviated (see, for example, Patent Document 1).

特開平１０−２０５０８号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-20508

ところで、フォトレジストの現像処理時間は、パターンの膜減り防止の観点から、短時間化が望まれると同時に、露光マージンの拡大の観点からも、現像時間の短縮が望まれている。しかし、上述したように、現像液供給完了後、所定時間静止現像を行い、その後、洗浄液供給ノズルを移動させて洗浄を行う方法では、現像時間の短縮化には限界がある。 By the way, the development time of the photoresist is desired to be shortened from the viewpoint of preventing the pattern from being reduced, and at the same time, the development time is desired to be shortened from the viewpoint of increasing the exposure margin. However, as described above, there is a limit to shortening the development time in the method of performing the static development for a predetermined time after the completion of the supply of the developer and then performing the cleaning by moving the cleaning liquid supply nozzle.

また、現像液供給完了前に、現像液供給ノズルの移動と同時に、洗浄液を供給して、現像時間を短縮化することも考えられる。しかしながら、このような方法の場合、洗浄液の供給量を現像液の供給量よりも多くすると、ノズルの移動方向の前方へ、洗浄液が回り込んでしまうことが考えられる。この場合、現像液に濃度むらが生じ、現像後のフォトレジスト寸法に、却ってばらつきが生じてしまう場合がある。 It is also conceivable to shorten the development time by supplying the cleaning liquid simultaneously with the movement of the developer supply nozzle before the completion of the supply of the developer. However, in the case of such a method, if the supply amount of the cleaning liquid is made larger than the supply amount of the developing solution, it is conceivable that the cleaning liquid wraps forward in the moving direction of the nozzle. In this case, density unevenness occurs in the developing solution, and the photo-resist dimensions after development may vary.

また、洗浄液供給量を、現像液供給量以下にした場合、現像液の希釈度合いが、１/２以上となり、現像処理を停止するには不十分な領域が生じ、却って、基板面内において、現像時間の差が生じてしまうことが考えられる。 In addition, when the cleaning solution supply amount is set to be equal to or less than the developer supply amount, the degree of dilution of the developer becomes 1/2 or more, and an area insufficient to stop the development processing is generated. A difference in development time may occur.

したがって、この発明は、上述のような問題を解決し、フォトレジスト面内における現像時間の差を緩和しつつ、現像時間の短縮化を図ることができるように改良した現像処理装置及び現像処理方法を提供するものである。 Accordingly, the present invention solves the above-described problems and improves the development processing apparatus and development processing method so as to reduce the development time while reducing the difference in development time in the photoresist surface. Is to provide.

この発明の現像処理装置は、基板を載置する載置台と、載置台上方に配置された、現像液供給ノズルと現像液回収ノズルと洗浄液供給ノズルとを備える。ここで、現像液供給ノズルは、所定の移動方向に移動しながら、基板に、現像液を供給する。また、現像液回収ノズルは、移動方向に対して、現像液供給ノズルより後方に、現像液供給ノズルと所定の間隔を持って配置され、移動方向に移動しながら、現像液が供給された基板から、現像液を吸引する。また、洗浄液供給ノズルは、移動方向に対して、現像液回収ノズルより後方に、現像液供給ノズルと所定の間隔を持って配置され、移動方向に移動しながら、基板に、洗浄液を供給する。 The development processing apparatus of the present invention includes a mounting table on which a substrate is mounted, and a developing solution supply nozzle, a developing solution recovery nozzle, and a cleaning solution supply nozzle that are disposed above the mounting table. Here, the developer supply nozzle supplies the developer to the substrate while moving in a predetermined movement direction. The developer recovery nozzle is disposed behind the developer supply nozzle with a predetermined distance from the developer supply nozzle with respect to the movement direction, and is a substrate to which the developer is supplied while moving in the movement direction. Then, the developer is sucked. The cleaning liquid supply nozzle is disposed behind the developer recovery nozzle with a predetermined interval in the movement direction, and supplies the cleaning liquid to the substrate while moving in the movement direction.

あるいは、この発明の現像処理装置は、基板を載置する載置台と、載置台上方に配置された現像液供給ノズルと、調節手段と、洗浄液供給ノズルとを備える。ここで、現像液供給ノズルは、所定の移動方向に移動しながら、基板に、現像液を供給する。調節手段は、基板上に供給された現像液の、基板表面からの高さを調節する。更に、洗浄液供給ノズルは、移動方向に対して、現像液供給ノズルより後方に、現像液供給ノズルと所定の間隔を持って配置され、移動方向に移動しながら、基板に、洗浄液を供給する。 Alternatively, the development processing apparatus of the present invention includes a mounting table on which the substrate is mounted, a developer supply nozzle disposed above the mounting table, an adjusting unit, and a cleaning liquid supply nozzle. Here, the developer supply nozzle supplies the developer to the substrate while moving in a predetermined movement direction. The adjusting means adjusts the height of the developer supplied on the substrate from the substrate surface. Further, the cleaning liquid supply nozzle is disposed behind the developing solution supply nozzle with a predetermined interval with respect to the moving direction, and supplies the cleaning liquid to the substrate while moving in the moving direction.

また、この発明の現像処理方法は、現像液供給ノズルを所定の移動方向に移動させながら、載置台に載置された基板に、現像液を供給する現像液供給工程と、現像液供給ノズルの後ろから、前記移動方向に、現像液回収ノズルを移動させながら、基板上に供給された現像液を吸引する現像液吸引工程と、現像液回収ノズルの後ろから、移動方向に、洗浄液供給ノズルを移動させながら、基板に、洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを備えるものである。 Further, the development processing method of the present invention includes a developer supply step of supplying a developer to a substrate mounted on a mounting table while moving the developer supply nozzle in a predetermined movement direction, and a developer supply nozzle A developer suction step for sucking the developer supplied onto the substrate while moving the developer recovery nozzle in the moving direction from behind, and a cleaning liquid supply nozzle in the moving direction from behind the developer collecting nozzle. A cleaning liquid supply step for supplying the cleaning liquid to the substrate while moving the substrate.

あるいは、この発明の現像処理方法は、現像液供給ノズルを所定の移動方向に移動させながら、載置台に載置された基板に、現像液を供給する現像液供給工程と、基板に供給された現像液の、基板表面からの高さを一定に調節する調節工程と、現像液供給ノズルの後ろから、移動方向に、洗浄液供給ノズルを移動させながら、基板に、洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを備えるものである。 Alternatively, in the development processing method of the present invention, a developer supply step of supplying the developer to the substrate placed on the mounting table while moving the developer supply nozzle in a predetermined movement direction, and the substrate supplied to the substrate An adjustment step of adjusting the height of the developer from the substrate surface to a constant, and a cleaning solution supply step of supplying the cleaning solution to the substrate while moving the cleaning solution supply nozzle in the moving direction from behind the developer supply nozzle; Is provided.

この発明において、現像液供給後、洗浄液供給前に、予め現像液を吸引することができるものによれば、現像液の濃度むらの発生を抑えつつ、洗浄液の供給により、確実に現像処理を停止することができる。これにより、短時間で、かつ、処理時間を一定にして、現像処理をおこなうことができる。 According to the present invention, the developer can be sucked in advance after supplying the developing solution and before supplying the cleaning solution, and the development processing is reliably stopped by supplying the cleaning solution while suppressing the occurrence of uneven concentration of the developing solution. can do. As a result, development processing can be performed in a short time and with a constant processing time.

あるいは、この発明において、現像液供給後、現像液の供給量を調整できるものについては、現像液の余分な供給を抑え、必要十分な、少量の現像液を供給することができる。したがって、洗浄液による希釈度を大きく確保することができ、確実に現像処理を停止することができる。したがって、短時間で、かつ、処理時間を一定にして、現像処理をおこなうことができる。 Alternatively, in the present invention, for the developer whose supply amount can be adjusted after supplying the developer, an excessive supply of the developer can be suppressed, and a necessary and sufficient amount of developer can be supplied. Therefore, a large degree of dilution with the cleaning liquid can be secured, and the development process can be stopped reliably. Therefore, development processing can be performed in a short time and with a constant processing time.

以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。なお、各図において、同一または相当する部分には同一符号を付してその説明を簡略化ないし省略する。
また、簡略化のため、特記した場合を除き、以下、この明細書において、図１〜８における横方向を、「移動方向」と称するものとする。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.
Further, for simplification, unless otherwise specified, the horizontal direction in FIGS. 1 to 8 is hereinafter referred to as “movement direction” in this specification.

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１における現像処理装置１００を説明するための模式図である。
現像処理装置１００は、基板２上に塗布され、露光されたフォトレジストの現像を行うための装置である。
図１に示すように、現像処理装置１００の処理室４内には、基板２を載置するスピンチャック６が設けられている。スピンチャック６は、駆動手段８に接続されている。駆動手段８は、必要に応じて、スピンチャック６を、回転させ、また、上下に移動させることができる。また、スピンチャック６に載置される基板２の外周部分には、カップ１０が設けられている。カップ１０は、処理室４内から、外部に、現像液を排出する排出口（図示せず）を備える。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a development processing apparatus 100 according to Embodiment 1 of the present invention.
The development processing apparatus 100 is an apparatus for developing the photoresist coated and exposed on the substrate 2.
As shown in FIG. 1, a spin chuck 6 on which the substrate 2 is placed is provided in the processing chamber 4 of the development processing apparatus 100. The spin chuck 6 is connected to the driving means 8. The drive means 8 can rotate the spin chuck 6 and move it up and down as needed. A cup 10 is provided on the outer peripheral portion of the substrate 2 placed on the spin chuck 6. The cup 10 includes a discharge port (not shown) for discharging the developer from the processing chamber 4 to the outside.

処理室４上部には、現像液供給ノズル１２と現像液回収ノズル１４と洗浄液供給ノズル１６とが設けられている。現像液供給ノズル１２、現像液回収ノズル１４、洗浄液供給ノズル１６は、共に、基板２の最長幅より長いスリットを有する。そして、各ノズル１２、１４、１６は、共に、このスリットの長手方向（図１においては、奥行き方向）が、各ノズル１２、１４、１６の移動方向に対して直行するように配置されている。 A developing solution supply nozzle 12, a developing solution recovery nozzle 14, and a cleaning solution supply nozzle 16 are provided in the upper portion of the processing chamber 4. The developer supply nozzle 12, the developer recovery nozzle 14, and the cleaning liquid supply nozzle 16 all have a slit longer than the longest width of the substrate 2. The nozzles 12, 14, and 16 are both arranged such that the longitudinal direction of the slit (the depth direction in FIG. 1) is orthogonal to the moving direction of the nozzles 12, 14, and 16. .

また、現像液供給ノズル１２の端部と、基板２表面との距離は、約１．０(mm)である。現像液供給ノズル１２は、外部の現像液供給源（図示せず）に接続されている。
また、現像液回収ノズル１４と洗浄液供給ノズル１６とは、平行に配置され、一体化されている。現像液回収ノズル１４端部と、基板２表面との距離は、約０．５(mm)である。洗浄液供給ノズル１６の端部と、基板２表面との距離は、約２．０(mm)である。また、現像液供給ノズル１２と、洗浄液供給ノズル１６との距離は、約１００(mm)である。洗浄液供給ノズル１６は、外部の純水等の洗浄液供給源（図示せず）に接続されている。
また、洗浄液供給ノズル１８は、基板２中央部上方に配置されている。 The distance between the end of the developer supply nozzle 12 and the surface of the substrate 2 is about 1.0 (mm). The developer supply nozzle 12 is connected to an external developer supply source (not shown).
Further, the developer recovery nozzle 14 and the cleaning liquid supply nozzle 16 are arranged in parallel and integrated. The distance between the end of the developer recovery nozzle 14 and the surface of the substrate 2 is about 0.5 (mm). The distance between the end of the cleaning liquid supply nozzle 16 and the surface of the substrate 2 is about 2.0 (mm). The distance between the developing solution supply nozzle 12 and the cleaning solution supply nozzle 16 is about 100 (mm). The cleaning liquid supply nozzle 16 is connected to an external cleaning liquid supply source (not shown) such as pure water.
The cleaning liquid supply nozzle 18 is disposed above the center of the substrate 2.

現像液供給ノズル１２と、現像液回収ノズル１４及び洗浄液供給ノズル１６とは、アーム２０により支持され、アーム２０は、制御手段２２に接続されている。制御手段２２は、アーム２０を介して、現像液供給ノズル１２、又は、現像液回収ノズル１４及び洗浄液供給ノズル１６を、基板２に水平に、端部付近から反対側の端部付近までの移動方向に、移動させることができる。また、制御手段２２は、この移動の際、各ノズル１２、１４、１６の移動速度や、現像液あるいは洗浄液の供給量を制御することができる。具体的には、実施の形態１においては、各ノズル１２、１４、１６の移動速度を、共に、約１００(mm/s)とする。また、現像液供給ノズル１２からの現像液吐き出し流量を、約１．５(l/min)とする。また、現像液回収ノズル１４による回収量を、約１．５(l/min)とし、洗浄液供給ノズル１６からの洗浄液の吐き出し流量を、約１．５(l/min)とする。 The developer supply nozzle 12, the developer recovery nozzle 14, and the cleaning solution supply nozzle 16 are supported by an arm 20, and the arm 20 is connected to the control unit 22. The control means 22 moves the developer supply nozzle 12 or the developer recovery nozzle 14 and the cleaning solution supply nozzle 16 horizontally through the arm 20 from the vicinity of the end portion to the vicinity of the opposite end portion. Can be moved in the direction. Further, the control means 22 can control the moving speed of each nozzle 12, 14, 16 and the supply amount of the developer or cleaning liquid during this movement. Specifically, in the first embodiment, the moving speeds of the nozzles 12, 14, and 16 are both about 100 (mm / s). Further, the flow rate of the developer discharged from the developer supply nozzle 12 is set to about 1.5 (l / min). Further, the recovery amount by the developer recovery nozzle 14 is about 1.5 (l / min), and the discharge flow rate of the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle 16 is about 1.5 (l / min).

また、処理室４内には、各ノズル１２、１４、１６を洗浄するための洗浄槽２４が配置されており、現像液、洗浄液の供給や回収後、各ノズルを洗浄することができる。 Further, a cleaning tank 24 for cleaning each nozzle 12, 14, 16 is disposed in the processing chamber 4, and each nozzle can be cleaned after the supply and recovery of the developer and cleaning liquid.

図２〜図５は、この発明の実施の形態１において、基板２を現像する場合の各工程における状態を説明する断面模式図である。
以下、図２〜図５を用いて、実施の形態１における現像処理方法について説明する。 2 to 5 are schematic cross-sectional views for explaining the states in the respective steps when the substrate 2 is developed in the first embodiment of the present invention.
Hereinafter, the development processing method according to the first embodiment will be described with reference to FIGS.

まず、現像の対象となる基板２には、フォトレジスト３０が塗布され、フォトマスクを用いた露光により、フォトレジストの必要部分は感光された状態となっている。このような基板２に現像処理を行う場合には、まず、処理室４内に搬送された基板２が、スピンチャック６に載置される。駆動装置８は、基板２載置の際には、基板２の円滑な受け渡しのため、スピンチャック６を上下に移動させる。基板２は、スピンチャック６に載置された後、スピンチャック６上に、吸引保持される。 First, a photoresist 30 is applied to the substrate 2 to be developed, and necessary portions of the photoresist are exposed to light by exposure using a photomask. When performing development processing on such a substrate 2, first, the substrate 2 transported into the processing chamber 4 is placed on the spin chuck 6. When the substrate 2 is placed, the driving device 8 moves the spin chuck 6 up and down for smooth delivery of the substrate 2. The substrate 2 is placed on the spin chuck 6 and then sucked and held on the spin chuck 6.

基板２の載置後、現像液３２の供給が開始される。現像液３２を供給する場合、制御手段２２により、アーム２０を介して、現像液供給ノズル１２を移動させる。ここでの移動速度は、約１００(mm/s)程度とする。現像液供給ノズル１２は、図２に示すように、基板２の端部から、現像液３２の供給を行う。現像液の吐出流量は、約１．５(l/min)とする。上述したが、現像液供給ノズル１２のスリットの幅は、基板２の最長幅より広くなっており、従って、現像液供給ノズル１２は、移動方向に移動するだけで、基板２全面に現像液３２を供給できる。また、このとき、不要な現像液３２は、カップ１０により回収され、処理室４外部へ排出される。 After the substrate 2 is placed, the supply of the developer 32 is started. When supplying the developing solution 32, the control unit 22 moves the developing solution supply nozzle 12 through the arm 20. The moving speed here is about 100 (mm / s). As shown in FIG. 2, the developer supply nozzle 12 supplies the developer 32 from the end of the substrate 2. The discharge flow rate of the developer is about 1.5 (l / min). As described above, the width of the slit of the developing solution supply nozzle 12 is wider than the longest width of the substrate 2, and therefore, the developing solution supply nozzle 12 moves only in the moving direction, and the developing solution 32 is provided on the entire surface of the substrate 2. Can supply. At this time, unnecessary developer 32 is collected by the cup 10 and discharged to the outside of the processing chamber 4.

所定時間経過の後、アーム２０に備えられた現像液回収ノズル１４及び洗浄液供給ノズル１６の移動を開始する。ここでも、同様に、制御手段２２により、アーム２０を介して、ノズル１４、１６が移動する。移動速度は、現像液供給ノズル１２と同じであり、約１００(mm/s)である。これにより、図３に示すように、現像液回収ノズル１４は、基板２上に供給された現像液３２を吸引する。現像液３２の吸引後、同時に移動する洗浄液供給ノズル１６からは、純水等の洗浄液３４が供給される。なお、ここで、現像液の吸引量は、約１．５(l/min)であり、洗浄液のノズルからの吐出流量は、約１．５(l/min)である。 After a predetermined time has passed, the movement of the developer recovery nozzle 14 and the cleaning liquid supply nozzle 16 provided in the arm 20 is started. Here, similarly, the nozzles 14 and 16 are moved by the control means 22 via the arm 20. The moving speed is the same as that of the developer supply nozzle 12 and is about 100 (mm / s). As a result, as shown in FIG. 3, the developer recovery nozzle 14 sucks the developer 32 supplied onto the substrate 2. A cleaning liquid 34 such as pure water is supplied from the cleaning liquid supply nozzle 16 that moves simultaneously after the suction of the developer 32. Here, the suction amount of the developing solution is about 1.5 (l / min), and the discharge flow rate of the cleaning solution from the nozzle is about 1.5 (l / min).

その後、洗浄液供給ノズル１６が、基板端部まで移動して洗浄液３４の供給を完了した時点で、現像液３２の供給、吸引、洗浄液３４の供給が完了する。その後、駆動手段８により、スピンチャック６と基板２とを高速回転させる。この状態で、基板２上方中央部に配置された洗浄液供給ノズル１８から、洗浄液３６を供給して、再び、基板２を洗浄する。その後、洗浄液３６の供給を中止し、更に、基板２を高速回転さえることにより、スピン乾燥を行う。これにより、基板２上に、フォトレジストパターン３０が形成される。 Thereafter, when the cleaning liquid supply nozzle 16 moves to the end of the substrate and completes the supply of the cleaning liquid 34, supply of the developer 32, suction, and supply of the cleaning liquid 34 are completed. Thereafter, the drive chuck 8 rotates the spin chuck 6 and the substrate 2 at high speed. In this state, the cleaning liquid 36 is supplied from the cleaning liquid supply nozzle 18 disposed in the upper central portion of the substrate 2 to clean the substrate 2 again. Thereafter, the supply of the cleaning liquid 36 is stopped, and the substrate 2 is further rotated at a high speed to perform spin drying. Thereby, a photoresist pattern 30 is formed on the substrate 2.

以上説明したように、実施の形態１によれば、現像液３２の供給後、まず現像液回収ノズル１４により、現像液３２を吸引した後、洗浄液３４の供給を行うことができる。したがって、洗浄液３４の供給量を抑えつつ、洗浄液３４による現像液の希釈度合いを高めることができ、確実に現像処理を停止することができる。また、ここでは、先に、現像液３２の吸引を行うため、現像液と洗浄液とが、移動方向前方まで供給されて、現像液３２の濃度にばらつきを生じるといった問題を抑えることができる。したがって、フォトレジストパターンの均一な条件での現像を行うことができる。 As described above, according to the first embodiment, after the developer 32 is supplied, the developer 32 is first sucked by the developer recovery nozzle 14 and then the cleaning liquid 34 can be supplied. Accordingly, the degree of dilution of the developer with the cleaning liquid 34 can be increased while suppressing the supply amount of the cleaning liquid 34, and the development processing can be stopped reliably. Here, since the developing solution 32 is first sucked, the problem that the developing solution and the cleaning solution are supplied to the front in the moving direction and the concentration of the developing solution 32 varies can be suppressed. Therefore, it is possible to develop the photoresist pattern under uniform conditions.

また、実施の形態１によれば、現像液３２の供給開始後、所定の間隔を空けて、現像液の供給を行っている状態で、現像液の回収と洗浄液との供給を開始する。また、このとき、各ノズル１２、１４、１６は、所定の間隔を空けて、同一速度で移動させる。したがって、現像時間の均一化と短縮化を同時に実現することができる。具体的に、例えば、現像液供給ノズルの移動速度をＶ(mm/s)とし、現像液供給ノズルと洗浄液供給ノズルとの間隔をＤ_０(mm)とすれば、現像時間Ｔ(s)は、基板全面に渡って、Ｔ=Ｄ_０／Ｖ(ｓ)となり、一定に保つことができる。 Further, according to the first embodiment, after the supply of the developer 32 is started, the recovery of the developer and the supply of the cleaning liquid are started in a state where the developer is supplied at a predetermined interval. At this time, the nozzles 12, 14, and 16 are moved at the same speed at predetermined intervals. Therefore, the development time can be made uniform and shortened at the same time. Specifically, for example, if the moving speed of the developer supply nozzle is V (mm / s) and the distance between the developer supply nozzle and the cleaning liquid supply nozzle is D ₀ (mm), the development time T (s) is , T = D ₀ / V (s) over the entire surface of the substrate, and can be kept constant.

なお、実施の形態１においては、現像液回収ノズル１４と洗浄液供給ノズル１６とが一体化され、また、これらのノズル１４、１６と、現像液供給ノズル１２とは、アーム２０を介して、連動して動作する場合について説明した。しかし、この発明において、現像液供給ノズル、現像液回収ノズル及び洗浄液供給ノズルの配置や動作の構造は、実施の形態１において説明した構造に限るものではない。例えば、この発明において、３つのノズルは、所定の間隔をおいて、一体となって設置されているものであってもよく、また、逆に、３つのノズルが個々に設置されているものであっても良い。また、同一のアーム２０により連動して動作するものに限るものではなく、各ノズルを移動させるためのアームを個々に独立して備えるものであっても良い。また、制御手段２２により、各ノズルの移動速度や移動開始地点を、それぞれに制御できるものであってもよく、また、これらのノズルを一体として制御するものであっても良い。但し、これらのノズルの配置構造においても、移動方向に対して、順に、現像液供給ノズル１２、現像液回収ノズル１４、洗浄液供給ノズル１６の順に配置する必要がある。また、現像液供給ノズル１２と洗浄液供給ノズル１６との移動速度は、同一であることが好ましく、更に、これらの移動速度と、現像液回収ノズルの移動速度も、同一であることが好ましい。 In the first embodiment, the developer recovery nozzle 14 and the cleaning liquid supply nozzle 16 are integrated, and the nozzles 14 and 16 and the developer supply nozzle 12 are linked via an arm 20. The case of operating as described above. However, in the present invention, the arrangement and operation structure of the developer supply nozzle, developer recovery nozzle, and cleaning liquid supply nozzle are not limited to the structures described in the first embodiment. For example, in the present invention, the three nozzles may be integrally installed at a predetermined interval, and conversely, the three nozzles are individually installed. There may be. Moreover, it is not restricted to what operate | moves interlock | cooperating with the same arm 20, You may provide the arm for moving each nozzle separately independently. Moreover, the control means 22 may be capable of controlling the moving speed and the movement start point of each nozzle, or may control these nozzles as a unit. However, also in the arrangement structure of these nozzles, it is necessary to arrange the developer supply nozzle 12, the developer recovery nozzle 14, and the cleaning liquid supply nozzle 16 in this order in the moving direction. The moving speed of the developer supply nozzle 12 and the cleaning liquid supply nozzle 16 are preferably the same, and the moving speed of the developing liquid recovery nozzle is preferably the same.

また、この発明において、現像液供給ノズル１２の移動速度や、現像液３２の吐き出し流量等は、実施の形態１において説明したものに限るものではない。これらは、フォトレジストの膜質や膜厚、露光量等の条件を考慮して、適宜設定しうるものである。但し、好適には、５０〜２００(mm/s)程度の速度を持って移動させることが好ましく、また、このときの現像液の供給量としては、０．５〜２．５(l/min)程度であることが好ましい。また、更に好適には、実施の形態１において説明したようにに、１００(mm/s)の移動速度で、約１．５(l/min)程度の供給を行うことが好ましい。 In the present invention, the moving speed of the developing solution supply nozzle 12, the discharge flow rate of the developing solution 32, and the like are not limited to those described in the first embodiment. These can be appropriately set in consideration of conditions such as the film quality and thickness of the photoresist, and the exposure amount. However, it is preferably moved at a speed of about 50 to 200 (mm / s), and the supply amount of the developer at this time is 0.5 to 2.5 (l / min ) Is preferable. More preferably, as described in the first embodiment, it is preferable to supply about 1.5 (l / min) at a moving speed of 100 (mm / s).

また、実施の形態１において、現像液供給ノズル１２と、基板２表面との距離が、約１．０(mm)程度である場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、現像液供給ノズル１２の距離は、現像液の性質や、現像液供給ノズル１２の移動速度等を考慮して、適宜決定し得るものである。但し、好適には、約０．５〜３．０(mm)程度の間隔を有することが好ましい。 In the first embodiment, the case where the distance between the developer supply nozzle 12 and the surface of the substrate 2 is about 1.0 (mm) has been described. However, the present invention is not limited to this, and the distance of the developer supply nozzle 12 can be appropriately determined in consideration of the properties of the developer, the moving speed of the developer supply nozzle 12, and the like. However, it is preferable to have an interval of about 0.5 to 3.0 (mm).

また、実施の形態１においては、現像液回収ノズル１４の移動速度を約１００(mm/s)とし、回収速度が、約１．５(l/min)とする場合について説明した。しかし、この発明は、これに限るものではなく、移動速度や、回収速度は、現像液３２の供給量等を考慮して適宜決定しうるものである。但し、好適には、移動速度は、現像液供給ノズル１２の移動速度と同一であることが好ましく、また、回収速度は、約０．５〜２．５(l/min)程度であることが好ましい。 In the first embodiment, the case where the moving speed of the developer recovery nozzle 14 is about 100 (mm / s) and the recovery speed is about 1.5 (l / min) has been described. However, the present invention is not limited to this, and the moving speed and the collection speed can be appropriately determined in consideration of the supply amount of the developer 32 and the like. However, it is preferable that the moving speed is preferably the same as the moving speed of the developer supply nozzle 12, and the recovery speed is about 0.5 to 2.5 (l / min). preferable.

また、この実施の形態１においては、現像液回収ノズル１４の基板からの距離が、約０．５(mm)程度である場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、現像液回収ノズル１４の距離は、回収する現像液３２の量や、ノズルの移動速度等を考慮して、適宜決定し得るものである。但し、好適には、約０．３〜０．７(mm)程度であることが好ましい。 In the first embodiment, the case where the distance of the developer recovery nozzle 14 from the substrate is about 0.5 (mm) has been described. However, the present invention is not limited to this, and the distance of the developer recovery nozzle 14 can be appropriately determined in consideration of the amount of developer 32 to be recovered, the moving speed of the nozzle, and the like. However, it is preferably about 0.3 to 0.7 (mm).

また、この発明において、洗浄液供給ノズル１６の移動速度や、洗浄液３４の吐き出し流量等は、実施御形態１において説明したものに限るものではない。これらは、現像液３２の供給量等を考慮して、適宜決定し得るものである。但し、現像処理時間を一定にすることを考慮すると、洗浄液供給ノズルの移動速度は、現像液供給ノズル１２の移動速度に近いものであることが好ましく、より好適には、同一速度で移動させることが好ましい。また、洗浄液の供給量は、現像液３２の供給量とその後の吸引量を考慮して、決定すればよいが、例えば、実施の形態１においては、洗浄液３４の供給量は、約０．５〜２．５(l/min)程度であることが好ましく、更に、好適には、約１．５(l/min)程度であることが好ましい。 In the present invention, the moving speed of the cleaning liquid supply nozzle 16 and the discharge flow rate of the cleaning liquid 34 are not limited to those described in the first embodiment. These can be appropriately determined in consideration of the supply amount of the developer 32 and the like. However, in consideration of making the development processing time constant, the moving speed of the cleaning liquid supply nozzle is preferably close to the moving speed of the developing liquid supply nozzle 12, and more preferably, it is moved at the same speed. Is preferred. The supply amount of the cleaning liquid may be determined in consideration of the supply amount of the developer 32 and the subsequent suction amount. For example, in Embodiment 1, the supply amount of the cleaning liquid 34 is about 0.5. It is preferable to be about ~ 2.5 (l / min), more preferably about 1.5 (l / min).

また、実施の形態１においては、洗浄液供給ノズル１６と基板２表面との距離が、約２．０(mm)である場合について説明した。しかし、この発明はこれに限るものではなく、この距離は、現像液３２の量やノズルの移動速度等を考慮して、適宜決定し得るものである。但し、洗浄液供給ノズル１６先端部に、現像液３２が付着しない構造であることが好ましく、具体的には、実施の形態１においては、この距離は、約１．０〜３．０mm程度であることが好ましい。 In the first embodiment, the case where the distance between the cleaning liquid supply nozzle 16 and the surface of the substrate 2 is about 2.0 (mm) has been described. However, the present invention is not limited to this, and this distance can be appropriately determined in consideration of the amount of the developer 32, the moving speed of the nozzle, and the like. However, it is preferable that the developer 32 does not adhere to the tip of the cleaning liquid supply nozzle 16. Specifically, in Embodiment 1, this distance is about 1.0 to 3.0 mm. It is preferable.

また、その他の部分においても、この発明の現像処理装置の構造は、実施の形態１において説明したものに限るものではない。例えば、基板２上方に、洗浄液供給ノズル１８を供給するものに限るものではない。特に、フォトレジストのパターン倒れ等が起こる可能性がある場合には、例えば、洗浄液供給ノズル１６を用いて、繰り返し洗浄液を供給することなども考えられる。 In other parts as well, the structure of the development processing apparatus of the present invention is not limited to that described in the first embodiment. For example, the present invention is not limited to supplying the cleaning liquid supply nozzle 18 above the substrate 2. In particular, when there is a possibility that a photoresist pattern collapses or the like, for example, it may be possible to repeatedly supply the cleaning liquid using the cleaning liquid supply nozzle 16.

実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２における現像処理装置２００について説明するための断面模式図である。
実施の形態２における現像処理装置２００は、実施の形態１における現像処理装置１００と類似するものである。但し、実施の形態１では、現像液供給ノズル１２、現像液回収ノズル１４と、洗浄液回収ノズル１６とが配置されている。これに対して、実施の形態２の現像処理装置２００においては、支持部４０の、移動方向前後に、現像液供給ノズル４２と洗浄液供給ノズル４４とが、それぞれ配置されて、各ノズルが構成されている。また、現像処理装置２００においては、現像液回収ノズル１４に相当するノズルは設置されていない。また、現像液供給ノズル４２の先端部から、移動方向に対して後ろ側に向けて、平行板４６が配置されている。平行板４６は、長手方向において、少なくとも基板最大幅よりも長く構成されており、この長手方向が、移動方向に対して直行するように配置されている。また、平行板４６は、基板２に対して平行に設置されている。 Embodiment 2. FIG.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view for explaining a development processing apparatus 200 according to Embodiment 2 of the present invention.
The development processing apparatus 200 in the second embodiment is similar to the development processing apparatus 100 in the first embodiment. However, in the first embodiment, the developer supply nozzle 12, the developer recovery nozzle 14, and the cleaning liquid recovery nozzle 16 are arranged. On the other hand, in the development processing apparatus 200 of the second embodiment, the developing solution supply nozzle 42 and the cleaning solution supply nozzle 44 are respectively arranged before and after the support portion 40 in the moving direction, and each nozzle is configured. ing. Further, in the development processing apparatus 200, a nozzle corresponding to the developer recovery nozzle 14 is not installed. In addition, a parallel plate 46 is disposed from the front end of the developer supply nozzle 42 toward the rear side in the moving direction. The parallel plate 46 is configured to be longer than at least the maximum substrate width in the longitudinal direction, and the longitudinal direction is arranged so as to be orthogonal to the moving direction. The parallel plate 46 is installed in parallel to the substrate 2.

ここで、各ノズルを含めて、支持部４０は、約１００(mm/s)の速度で移動するように、アーム２０を介して、制御手段２２により制御されている。また、現像液の吐き出し速度は、約１(l/min)であり、洗浄液の吐き出し速度は、約１．５(l/min)である。また、現像液供給ノズル４２先端部と基板２表面との距離、及び、平行板４６と基板２表面との距離は、共に、約０．１mm程度である。また、洗浄液供給ノズル４４と基板２表面との距離は、約２．０mm程度である。 Here, the support section 40 including each nozzle is controlled by the control means 22 via the arm 20 so as to move at a speed of about 100 (mm / s). Further, the discharge speed of the developing solution is about 1 (l / min), and the discharge speed of the cleaning liquid is about 1.5 (l / min). The distance between the tip of the developer supply nozzle 42 and the surface of the substrate 2 and the distance between the parallel plate 46 and the surface of the substrate 2 are both about 0.1 mm. The distance between the cleaning liquid supply nozzle 44 and the surface of the substrate 2 is about 2.0 mm.

図７及び図８は、この発明の実施の形態２における現像処理方法について説明するための模式図である。
実施の形態２における現像処理方法は、実施の形態１において説明した現像処理方法と類似するものである。 7 and 8 are schematic diagrams for explaining the development processing method according to Embodiment 2 of the present invention.
The development processing method in the second embodiment is similar to the development processing method described in the first embodiment.

具体的には、まず、スピンチャック６に保持された基板２上に、支持部４０ごと、現像液供給ノズル４２の移動を開始する。このとき、現像液５０の供給速度は、１．０(l/min)程度とする。また、支持部４０の移動速度（即ち、現像液供給ノズル４２の移動速度）は、約１００(mm/s)とする。このとき、図７に示すように、供給された現像液５０は、平行板４６により後方に押し出されるため、正確に、必要十分の現像液５０を、フォトレジスト３０上に液盛りすることができる。 Specifically, first, the movement of the developing solution supply nozzle 42 is started together with the support portion 40 on the substrate 2 held by the spin chuck 6. At this time, the supply speed of the developer 50 is set to about 1.0 (l / min). The moving speed of the support section 40 (that is, the moving speed of the developer supply nozzle 42) is about 100 (mm / s). At this time, as shown in FIG. 7, since the supplied developer 50 is pushed backward by the parallel plate 46, the necessary and sufficient developer 50 can be accurately deposited on the photoresist 30. .

ここで、平行板４６と基板２表面との距離は、約０．１(mm)程度である。したがって、液盛りされた現像液５０の膜厚も、同程度となる。しかし、この場合でも、レジスト膜厚が約３００nm程度であることを考慮すれば、現像液５０は、フォトレジストに対して、約３００以上の体積を確保することができる。したがって、十分な現像液５０の量を確保することができる。 Here, the distance between the parallel plate 46 and the surface of the substrate 2 is about 0.1 (mm). Therefore, the film thickness of the accumulated developer 50 is approximately the same. However, even in this case, considering that the resist film thickness is about 300 nm, the developer 50 can secure a volume of about 300 or more for the photoresist. Therefore, a sufficient amount of the developer 50 can be ensured.

洗浄液供給ノズル４４は、このとき、支持部４０に連動して、移動方向に移動する。基板２端部上方に、洗浄液供給ノズル４４が位置したときに、洗浄液５２の供給が開始する。洗浄液５２の供給量は、約１．５(l/min)とする。また、このとき、洗浄液供給ノズル４４と、基板２表面との間隔は、約２．０(mm)程度となっている。 At this time, the cleaning liquid supply nozzle 44 moves in the moving direction in conjunction with the support portion 40. When the cleaning liquid supply nozzle 44 is positioned above the end of the substrate 2, supply of the cleaning liquid 52 starts. The supply amount of the cleaning liquid 52 is about 1.5 (l / min). At this time, the distance between the cleaning liquid supply nozzle 44 and the surface of the substrate 2 is about 2.0 (mm).

各ノズル４２、４４端部が、基板２の他端を通過した時点で、それぞれ、現像液５０、洗浄液５２の供給を停止する。その後、図８に示すように、実施の形態１と同様に、基板２を高速回転させて、洗浄液供給ノズル１８から、洗浄液５４の供給を行う。 When the end portions of the nozzles 42 and 44 pass the other end of the substrate 2, the supply of the developing solution 50 and the cleaning solution 52 is stopped, respectively. Thereafter, as shown in FIG. 8, the substrate 2 is rotated at a high speed as in the first embodiment, and the cleaning liquid 54 is supplied from the cleaning liquid supply nozzle 18.

以上説明したように、実施の形態２においては、現像液供給ノズル４２先端部に、平行板４６を配置して、必要十分な現像液５０を供給できるようにした。これにより、洗浄液供給の際の、洗浄液の希釈度合いを高めることができる。したがって、正確に現像処理を停止することができ、現像時間の短縮化を図ると共に、過剰な現像を防止することができる。 As described above, in the second embodiment, the parallel plate 46 is arranged at the tip of the developer supply nozzle 42 so that the necessary and sufficient developer 50 can be supplied. Thereby, the dilution degree of the cleaning liquid at the time of supplying the cleaning liquid can be increased. Therefore, development processing can be stopped accurately, development time can be shortened, and excessive development can be prevented.

また、現像液の供給を必要最小限に抑える一方、現像液の供給開始後、現像液の供給が終わる前であっても、洗浄液の供給を行う。したがって、現像時間の更なる短縮化を図ることができ、過剰な現像を防止しつつ、露光におけるマージンを拡大することができる。 In addition, the supply of the developing solution is minimized, and the cleaning solution is supplied even after the supply of the developing solution is started and before the supply of the developing solution is finished. Accordingly, the development time can be further shortened, and the margin in exposure can be expanded while preventing excessive development.

ここで、ノズルの移動速度をＶ(mm/s)とし、現像液供給ノズル４２と洗浄液供給ノズル４４との距離をＤ_１とすると、現像処理時間は、基板全面に渡り、Ｔ=Ｄ_１/Ｖとすることができる。即ち、基板全面において、現像時間を一定にすることができ、正確なフォトレジストの現像を行うことができる。 Here, the moving speed of the nozzle and V (mm / s), and the distance between the developing solution supply nozzle 42 and the cleaning liquid supply nozzle 44 and D _1, the development processing time, over the entire surface of the substrate, T = D ₁ / V. That is, the development time can be made constant over the entire surface of the substrate, and the photoresist can be accurately developed.

なお、実施の形態２においては、供給された現像液５０の量を調節する調節手段として、現像液供給ノズル４２先端部に、平行板４６を取付ける場合について説明した。しかし、この発明においては、調節手段は、平行板４６に限るものではなく、何らかの形で、基板２表面に液盛りされる現像液の高さを調節できるものであればよい。また、平行板を用いる場合にも、その配置位置は、実施の形態２において説明した場合に限るものではない。この発明において、平行板は、現像液５０の供給量が必要十分になる程度に、基板から所定の距離をおいて、所定の位置に配置したものであればよく、したがって、現像液供給ノズル４２の適切な位置、あるいは、支持部の適切な位置等に配置すればよい。但し、好適には、平行板４６と基板２表面との距離は、約０．１〜０．５(mm)程度であることが好ましい。 In the second embodiment, the case where the parallel plate 46 is attached to the tip of the developer supply nozzle 42 as the adjusting means for adjusting the amount of the supplied developer 50 has been described. However, in the present invention, the adjusting means is not limited to the parallel plate 46, and any means may be used as long as it can adjust the height of the developer accumulated on the surface of the substrate 2 in some form. Also, when using a parallel plate, the arrangement position is not limited to the case described in the second embodiment. In the present invention, the parallel plate only needs to be arranged at a predetermined position at a predetermined distance from the substrate to such an extent that the supply amount of the developer 50 is necessary and sufficient. It may be arranged at an appropriate position or an appropriate position of the support portion. However, the distance between the parallel plate 46 and the surface of the substrate 2 is preferably about 0.1 to 0.5 (mm).

また、実施の形態２においては、現像液供給ノズル４２からの現像液吐き出し流量を、１(l/min)とする場合について説明した。しかし、この発明において、現像液５０の吐き出し量は、これに限るものではなく、フォトレジストの膜厚等を考慮して適宜決定することができる。但し、好適には、約０．５〜１．５(l/min)程度であることが好ましい。 In the second embodiment, the case where the developer discharge flow rate from the developer supply nozzle 42 is 1 (l / min) has been described. However, in the present invention, the discharge amount of the developer 50 is not limited to this, and can be appropriately determined in consideration of the film thickness of the photoresist. However, it is preferably about 0.5 to 1.5 (l / min).

また、実施の形態２においては、洗浄液供給ノズル４４からの洗浄液５２の吐き出し流量を約１．５(l/min)とし、また、洗浄液供給ノズル４４の配置位置を、基板２表面から、約２．０(mm)として説明した。しかし、これらの値は、この発明を拘束するものではなく、これらは、レジストの性質や現像液５０の供給量等を考慮して適宜選択し得るものである。但し、洗浄液吐き出し流量は、好適には、約０．５〜２．５(l/min)であることが好ましい。また、洗浄液供給ノズルの高さは、現像液によって、ノズル先端が汚染されないことを考慮すれば、約１．０〜３．０(mm)程度であることが好ましい。 In the second embodiment, the discharge flow rate of the cleaning liquid 52 from the cleaning liquid supply nozzle 44 is about 1.5 (l / min), and the position of the cleaning liquid supply nozzle 44 is about 2 from the surface of the substrate 2. It was described as .0 (mm). However, these values do not restrict the present invention, and these values can be appropriately selected in consideration of the properties of the resist, the supply amount of the developer 50, and the like. However, the cleaning liquid discharge flow rate is preferably about 0.5 to 2.5 (l / min). The height of the cleaning liquid supply nozzle is preferably about 1.0 to 3.0 (mm) considering that the tip of the nozzle is not contaminated by the developer.

また、実施の形態２においては、現像液供給ノズル４２と洗浄液供給ノズル４４とが一体となって形成され、同じ速度、約１００(mm/s)にて移動する場合について説明した。しかし、この発明において、移動速度は、これに限るものはなく、レジストの性質等を考慮して適宜選択することができる。但し、好適には、移動速度は、約５０〜１５０(mm/s)程度であることが好ましい。また、実施の形態１において説明したように、各ノズルは、別々に設置され、個別に制御できるようになっているものであってもよい。
その他の部分については、実施の形態１と同様であるから説明を省略する。 In the second embodiment, the case where the developer supply nozzle 42 and the cleaning liquid supply nozzle 44 are integrally formed and moved at the same speed and about 100 (mm / s) has been described. However, in the present invention, the moving speed is not limited to this, and can be appropriately selected in consideration of the properties of the resist. However, the moving speed is preferably about 50 to 150 (mm / s). Further, as described in the first embodiment, each nozzle may be installed separately and can be individually controlled.
Since other parts are the same as those in the first embodiment, the description thereof is omitted.

この発明の実施の形態１における現像処理装置を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the image development processing apparatus in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１における現像処理方法について説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the image development processing method in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１における現像処理方法について説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the image development processing method in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１における現像処理方法について説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the image development processing method in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態１における現像処理方法について説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the image development processing method in Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態２における現像処理装置を説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the image development processing apparatus in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態２における現像処理方法について説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the image development processing method in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態２における現像処理方法について説明するための断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram for demonstrating the image development processing method in Embodiment 2 of this invention.

Explanation of symbols

１００、２００現像処理装置
２基板
４処理室
６スピンチャック
８駆動手段
１０カップ
１２現像液供給ノズル
１４現像液回収ノズル
１６洗浄液供給ノズル
１８洗浄液供給ノズル
２０アーム
２２制御手段
２４洗浄槽
３０フォトレジスト
３２現像液
３４洗浄液
３６洗浄液
４０支持部
４２現像液供給ノズル
４４洗浄液供給ノズル
４６平行板
５０現像液
５２洗浄液
５４洗浄液 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100, 200 Development processing apparatus 2 Substrate 4 Processing chamber 6 Spin chuck 8 Driving means 10 Cup 12 Developer supply nozzle 14 Developer recovery nozzle 16 Cleaning liquid supply nozzle 18 Cleaning liquid supply nozzle 20 Arm 22 Control means 24 Cleaning tank 30 Photoresist 32 Development Liquid 34 Cleaning liquid 36 Cleaning liquid 40 Support section 42 Developer supply nozzle 44 Cleaning liquid supply nozzle 46 Parallel plate 50 Developer 52 Cleaning liquid 54 Cleaning liquid

Claims

A mounting table for mounting the substrate;
A developer supply nozzle that is disposed above the mounting table and supplies a developer to the substrate while moving in a predetermined movement direction;
With respect to the movement direction, the developer supply nozzle is disposed behind the developer supply nozzle at a predetermined interval, and the substrate is supplied with the developer while moving in the movement direction. A developer recovery nozzle for sucking the developer;
A cleaning liquid supply nozzle that is arranged behind the developing liquid recovery nozzle with a predetermined interval with respect to the moving direction and supplies the cleaning liquid to the substrate while moving in the moving direction. When,
A development processing apparatus comprising:

The development processing apparatus according to claim 1, wherein movement speeds of the developing solution supply nozzle and the cleaning solution supply nozzle are substantially the same.

The development processing apparatus according to claim 1, further comprising a control unit that controls an arrangement interval between the developer supply nozzle, the developer recovery nozzle, and the cleaning liquid supply nozzle.

4. The development according to claim 1, further comprising a control unit that controls movement speeds of the developer supply nozzle, the developer recovery nozzle, and the cleaning liquid supply nozzle. 5. Processing equipment.

A mounting table for mounting the substrate;
A developer supply nozzle that is disposed above the mounting table and supplies a developer to the substrate while moving in a predetermined movement direction;
Adjusting means for adjusting the height of the developer supplied on the substrate from the surface of the substrate;
A cleaning liquid supply nozzle that is disposed behind the developing solution supply nozzle with a predetermined interval with respect to the moving direction and supplies the cleaning liquid to the substrate while moving in the moving direction. When,
A development processing apparatus comprising:

The adjusting means is a parallel plate disposed in parallel to the substrate behind the developer supply nozzle with respect to the moving direction, and moves in the same direction as the developer supply nozzle. The development processing apparatus according to claim 5.

The development processing apparatus according to claim 5, wherein movement speeds of the developer supply nozzle and the cleaning liquid supply nozzle are substantially the same.

8. The development processing apparatus according to claim 5, further comprising a control unit that controls an arrangement interval between the developing solution supply nozzle and the cleaning solution supply nozzle.

9. The development processing apparatus according to claim 5, further comprising control means for controlling movement speeds of the developer supply nozzle and the cleaning liquid supply nozzle.

A developer supply step of supplying the developer to the substrate mounted on the mounting table while moving the developer supply nozzle in a predetermined movement direction;
A developer suction step of sucking the developer supplied onto the substrate while moving the developer recovery nozzle in the moving direction from behind the developer supply nozzle;
A cleaning liquid supply step of supplying a cleaning liquid to the substrate while moving the cleaning liquid supply nozzle in the moving direction from behind the developer recovery nozzle;
A development processing method comprising:

The development processing method according to claim 10, wherein the developer supply nozzle and the cleaning liquid supply nozzle are moved at the same speed.

A developer supply step of supplying the developer to the substrate mounted on the mounting table while moving the developer supply nozzle in a predetermined movement direction;
An adjusting step for adjusting the height of the developer supplied to the substrate from the surface of the substrate to be constant;
A cleaning liquid supply step for supplying a cleaning liquid to the substrate while moving the cleaning liquid supply nozzle in the moving direction from behind the developer supply nozzle;
A development processing method comprising:

The development processing method according to claim 12, wherein the developing solution supply nozzle and the cleaning solution supply nozzle are moved at the same speed.