JP2005116920A - Adhesive sheet for semiconductor processing and semiconductor processing method - Google Patents
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Abstract
【課題】 薄型化した半導体チップにおいても優れたピックアップ性能を有する半導体加工用粘着シートを提供すること。
【解決手段】 基材フィルム（１）の少なくとも片面に粘着剤層（２）を有する半導体加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを含有してなることを特徴とする半導体加工用粘着シート。
【選択図】 図６
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet for semiconductor processing having excellent pickup performance even in a thin semiconductor chip.
In a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing having a pressure-sensitive adhesive layer (2) on at least one surface of a base film (1), the base film contains low-density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less. A pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing.
[Selection] Figure 6
Description
本発明は、半導体加工用粘着シートに関する。また本発明は当該半導体加工用粘着シートを用いて半導体を加工する方法に関する。さらには当該半導体加工方法により得られた半導体チップに関する。 The present invention relates to an adhesive sheet for semiconductor processing. Moreover, this invention relates to the method of processing a semiconductor using the said adhesive sheet for semiconductor processing. Further, the present invention relates to a semiconductor chip obtained by the semiconductor processing method.
本発明の半導体加工用粘着シートは、半導体ウエハ等の素子小片を切断分離（ダイシング）する際に、当該半導体ウエハ等の被切断物を固定するために用いるダイシング用粘着シート、またダイシングされた当該被切断物を個々に剥離（ピックアップ）するために用いる半導体ピックアップ用粘着シートとして有用である。通常はダイシング工程からピックアップ工程までを同一の粘着シートで行なうことが多いため、半導体加工用粘着シートは、それら用途を包含した半導体加工用粘着シートとして特に有用である。 The pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing according to the present invention is a dicing pressure-sensitive adhesive sheet used for fixing an object to be cut such as a semiconductor wafer or the like when the element piece such as a semiconductor wafer is cut and separated (diced). It is useful as a pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor pickup used for peeling (pickup) individual objects to be cut. Usually, since the dicing process to the pick-up process are often performed with the same adhesive sheet, the adhesive sheet for semiconductor processing is particularly useful as an adhesive sheet for semiconductor processing including those uses.
また、本発明の半導体加工用粘着シートは、シリコン半導体加工用粘着シート、化合物半導体加工用粘着シート、半導体パッケージ加工用粘着シート等として使用できるほか、ガラス加工用粘着シートとしても使用することができる。 Moreover, the adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention can be used as an adhesive sheet for silicon semiconductor processing, an adhesive sheet for compound semiconductor processing, an adhesive sheet for semiconductor package processing, etc., and can also be used as an adhesive sheet for glass processing. .
従来よりシリコン、ガリウム、砒素等を材料とする半導体ウエハは、大径の状態で製造された後、素子小片にダイシングされ、更にマウント工程に移される。この際、半導体ウエハは粘着シートに貼付けされ保持された状態でダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウント工程の各工程が施される。前記粘着シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上に粘着剤層が形成されているものが一般的に用いられる。 Conventionally, a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic or the like is manufactured in a large diameter state, then diced into small element pieces, and further transferred to a mounting process. At this time, the semiconductor wafer is subjected to a dicing process, a cleaning process, an expanding process, a pick-up process, and a mounting process in a state where the semiconductor wafer is stuck and held on the adhesive sheet. As the pressure-sensitive adhesive sheet, a sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer is formed on a substrate made of a plastic film is generally used.
前記ダイシング工程においては、通常は回転しながら移動する丸刃によって切断が行なわれるが、その際に半導体ウエハを保持する目的で半導体加工用粘着シートが貼付けされる。そして、続くピックアップ工程においては、貼付けされた粘着シート背面側より、ニードルと呼ばれる針を使って、切断された半導体チップを１０〜１０００μｍ持ち上げながら、半導体チップ側表面を吸着できる吸着コレツト等の治具で半導体チップを更に上方に引き上げることで粘着シートからチップを引き剥がす方法が用いられている。 In the dicing process, cutting is usually performed with a circular blade that moves while rotating. At that time, a semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet is attached for the purpose of holding the semiconductor wafer. In the subsequent pick-up process, a jig such as an adsorbing collet that can adsorb the semiconductor chip side surface while lifting the cut semiconductor chip by 10 to 1000 μm from the back side of the adhered adhesive sheet using a needle called a needle. Then, a method is used in which the chip is peeled off from the adhesive sheet by pulling the semiconductor chip further upward.
上記ピックアップ工程における剥離メカニズムは概ね次の通りである。初めにニードルにより、半導体チップを１０〜１０００μｍ持ち上げることで、半導体チップ外周部の剥離が発生する。そして、続く吸着コレットでの引き上げによって、外周部の剥離が基材の反発等を利用しながら進行し、最終的に半導体チップと粘着シートを完全に剥離して分離する。このピックアップ工程において、半導体チップと粘着シート間の接着力を下げる目的で、粘着剤層に紫外線などの放射線を照射することで、接着力を低下させることのできる放射線硬化型粘着剤を用いた半導体加工用粘着シートが使用されるのが一般的になってきている（特許文献１参照）。 The peeling mechanism in the pick-up process is generally as follows. First, the semiconductor chip is lifted by 10 to 1000 μm with a needle, and peeling of the outer periphery of the semiconductor chip occurs. Then, by the subsequent pulling up by the suction collet, the peeling of the outer peripheral portion proceeds using the repulsion of the base material and the like, and finally the semiconductor chip and the adhesive sheet are completely peeled and separated. In this pickup process, a semiconductor using a radiation curable pressure-sensitive adhesive that can reduce the adhesive force by irradiating the adhesive layer with radiation such as ultraviolet rays for the purpose of reducing the adhesive force between the semiconductor chip and the adhesive sheet. 2. Description of the Related Art Processing pressure-sensitive adhesive sheets are generally used (see Patent Document 1).
しかしながら、近年、半導体素子が薄くなる傾向があり、薄型化した半導体素子では、前記放射線硬化型粘着剤を用いた半導体加工用粘着シートにおいても、ニードルで半導体チップを持ち上げた際に、半導体チップと粘着剤層との間の微弱な接着力でも基材に追従する形で半導体チップが変形（しなり）を生じていまう。その結果、半導体チップ周辺部の剥離が発生せず、ピックアップを行なうことができないという問題が発生している。
本発明は上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであり、薄型化した半導体チップにおいても優れたピックアップ性能を有する半導体加工用粘着シートを提供することを目的とする。 The present invention is intended to solve the problems associated with the prior art as described above, and an object thereof is to provide a semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet having excellent pickup performance even in a thin semiconductor chip.
また本発明は、当該半導体加工用粘着シートを用いた半導体加工方法を提供することを目的とする。さらには当該半導体加工方法により得られた半導体チップを提供することを目的とする。 Moreover, an object of this invention is to provide the semiconductor processing method using the said adhesive sheet for semiconductor processing. Furthermore, it aims at providing the semiconductor chip obtained by the said semiconductor processing method.
本発明者らは前記目的を達成するため鋭意検討した結果、以下に示す半導体加工用粘着シートを見出し本発明を完成するに至った。すなわち本発明は以下に示す通りである。 As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventors have found the following adhesive sheet for semiconductor processing and have completed the present invention. That is, the present invention is as follows.
１．基材フィルムの少なくとも片面に粘着剤層を有する半導体加工用粘着シートにおいて、前記基材フィルムが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを含有してなることを特徴とする半導体加工用粘着シート。 1. A semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer on at least one surface of a base film, wherein the base film contains low-density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less. Adhesive sheet.
２．前記基材フィルム中の密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンの含有量が２０重量％以上であることを特徴とする前記１記載の半導体加工用粘着シート。 2. 2. The pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing according to 1, wherein the content of low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less in the base film is 20% by weight or more.
３．前記基材フィルムの２３℃における引張弾性率が１００ＭＰa 以下であることを特徴とする前記１または２記載の半導体加工用粘着シート。 3. 3. The adhesive sheet for semiconductor processing according to 1 or 2, wherein the base film has a tensile elastic modulus at 23 ° C. of 100 MPa or less.
４．前記低密度ポリエチレンが側鎖分岐を制御してなる直鎖状低密度ポリエチレンであることを特徴とする前記１〜３のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。 4). 4. The semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of 1 to 3, wherein the low-density polyethylene is a linear low-density polyethylene formed by controlling side chain branching.
５．前記低密度ポリエチレンがメタロセン触媒を使って重合されものであることを特徴とする前記１〜４のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。 5). 5. The semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of 1 to 4, wherein the low-density polyethylene is polymerized using a metallocene catalyst.
６．粘着剤層が放射線硬化型粘着剤により形成されたものであることを特徴とする前記１〜５のいずれかに記載の半導体加工用粘着シート。 6). 6. The pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of 1 to 5, wherein the pressure-sensitive adhesive layer is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive.
７．前記１〜６のいずれかの半導体加工用粘着シートを用いて、半導体ウエハをダイシングする工程および／またはピックアップする工程を有することを特徴とする半導体加工方法。 7). A semiconductor processing method comprising a step of dicing and / or picking up a semiconductor wafer using the adhesive sheet for semiconductor processing according to any one of 1 to 6 above.
８．半導体ウエハの厚さが２００μｍ以下であることを特徴とする前記７記載の半導体加工方法。 8). 8. The semiconductor processing method according to 7 above, wherein the thickness of the semiconductor wafer is 200 μm or less.
９．前記７または８記載の半導体加工方法により得られたものであることを特徴とする半導体チップ。 9. 9. A semiconductor chip obtained by the semiconductor processing method according to 7 or 8 above.
上記本発明の半導体加工用粘着シートの基材フィルムは、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを用いているため、柔軟性を有しており、半導体ウエハとして厚さが２００μｍ以下の薄いものを用いた場合にも、半導体チップのピックアップ時の突上時のフィルム変形性に優れている。しかも基材フィルムの伸長に伴い、その応力が増大していく特長を有しており、半導体チップの剥離を容易に行なうことができ、優れたピックアップ性能を有する。 Since the base film of the pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention uses low-density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less, it has flexibility and has a thickness of 200 μm or less as a semiconductor wafer. Even when a thin material is used, the film has excellent film deformability when protruding when picking up a semiconductor chip. In addition, the stress increases as the base film is elongated, the semiconductor chip can be easily peeled off, and the pickup performance is excellent.
以下、従来の半導体加工用粘着シートと本発明の半導体加工用粘着シートとを用いた場合の、半導体チップの剥離機構を図面に基づいて説明する。図１〜図３はピックアップ工程でのニードル突上げ時における粘着シートと半導体チップの挙動を示すものである。 Hereinafter, the peeling mechanism of a semiconductor chip when the conventional adhesive sheet for semiconductor processing and the adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention are used will be described with reference to the drawings. 1 to 3 show the behavior of the adhesive sheet and the semiconductor chip when the needle is pushed up in the pickup process.
図２は、半導体チップ（Ｗ）が厚く剛性が高いものに対して、従来の粘着シート（Ａ′）を適用し、ニードル（Ｎ）によって半導体チップ（Ｗ）を突上げた状態を示している。半導体チップ（Ｗ）の剛性が高いため、放射線硬化等で十分に粘着力が低下していれば、ニードル（Ｎ）ピンにより半導体チップ（Ｗ）の突上げを行なうことで、粘着シート（Ａ′）だけが変形するため、半導体チップ（Ｗ）の剥離が起こる。 FIG. 2 shows a state in which the conventional adhesive sheet (A ′) is applied to the semiconductor chip (W) which is thick and has high rigidity, and the semiconductor chip (W) is pushed up by the needle (N). . Since the rigidity of the semiconductor chip (W) is high, if the adhesive force is sufficiently reduced due to radiation curing or the like, the semiconductor chip (W) is pushed up by the needle (N) pin, thereby the adhesive sheet (A ′ ) Is deformed, and the semiconductor chip (W) is peeled off.
図３は、半導体チップ（Ｗ）が薄く剛性が低いものに対して、従来の粘着シート（Ａ′）を適用し、ニードル（Ｎ）によって半導体チップ（Ｗ）を突上げた状態を示している。半導体チップ（Ｗ）の剛性が低いため、放射線硬化等で接着力が低下していても、半導体チップ（Ｗ）と粘着シート（Ａ′）との間の接着力が完全になくなっていない状態では、半導体チップ（Ｗ）が粘着シート（Ａ′）に追従するように変形するため、半導体チップ（Ｗ）の剥離が起こらずピックアップができない。 FIG. 3 shows a state in which the conventional adhesive sheet (A ′) is applied to the thin semiconductor chip (W) and the rigidity is low, and the semiconductor chip (W) is pushed up by the needle (N). . Since the rigidity of the semiconductor chip (W) is low, the adhesive force between the semiconductor chip (W) and the pressure sensitive adhesive sheet (A ′) is not completely lost even if the adhesive force is reduced due to radiation curing or the like. Since the semiconductor chip (W) is deformed so as to follow the pressure-sensitive adhesive sheet (A ′), the semiconductor chip (W) does not peel off and cannot be picked up.
図１は、半導体チップ（Ｗ）が薄く剛性が低い場合であっても、本発明の粘着シート（Ａ）を適用すれば、ピックアップできることを示している。本発明の粘着シート（Ａ）は、基材フィルムとして、極めて密度が低く柔軟性に優れる低密度ポリエチレンを用いているため、ニードル（Ｎ）によって半導体チップ（Ｗ）を突上げた時の粘着シート（Ａ）の変形が大きく、半導体チップ（Ｗ）がニードル形状に追従する。すなわち、放射線硬化等で接着力が十分に低下していれば、粘着シート（Ａ）に追従できなくなった半導体チップ（Ｗ）の反発力で剥離が開始し、それによってピックアップが可能となる。 FIG. 1 shows that even when the semiconductor chip (W) is thin and has low rigidity, it can be picked up by applying the pressure-sensitive adhesive sheet (A) of the present invention. Since the pressure-sensitive adhesive sheet (A) of the present invention uses a low-density polyethylene having an extremely low density and excellent flexibility as a base film, the pressure-sensitive adhesive sheet when the semiconductor chip (W) is pushed up by a needle (N) The deformation of (A) is large, and the semiconductor chip (W) follows the needle shape. That is, if the adhesive strength is sufficiently reduced due to radiation curing or the like, peeling starts with the repulsive force of the semiconductor chip (W) that cannot follow the pressure-sensitive adhesive sheet (A), thereby enabling pick-up.
また、本発明の半導体加工用粘着シートの基材フィルムは、２３℃における初期弾性率が１００Ｍｐａ以下であることが好ましい。これは次のような理由によるもと考えられる。前記の通り、基材フィルムは十分に柔軟性を有し、ニードルによる突上げ時に、ニードルにある程度追従するように、局所変形する必要がある。その柔軟性の目安が１００ＭＰa である。 Moreover, it is preferable that the base film of the adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention has an initial elastic modulus at 23 ° C. of 100 Mpa or less. This is considered based on the following reasons. As described above, the base film is sufficiently flexible and needs to be locally deformed so as to follow the needle to some extent when it is pushed up by the needle. The measure of flexibility is 100 MPa.
また、ニードルによる突上げ後には、コレット吸着による最終剥離が行なわれるが、その時には先述の柔軟性とは逆に適度な基材フィルムの反発性が必要となる。しかも、これらの一連の動作は３００ｍｓｅｃ（ミリ秒）程度の極めて短い時間で行なわれるため、反発性には高速変形下における基材フィルムの粘弾性挙動が影響すると考えられる。 Further, after the needle is pushed up, the final peeling is performed by collet adsorption. At that time, an appropriate substrate film repelling property is required contrary to the aforementioned flexibility. Moreover, since these series of operations are performed in an extremely short time of about 300 msec (milliseconds), it is considered that the resilience is influenced by the viscoelastic behavior of the base film under high-speed deformation.
以下、図４、図５に、粘着シートの基材フィルムとして、前記初期弾性率が１００Ｍｐａ以下のものを用いた場合について説明する。図４、図５は、粘着シート（Ａ，Ａ′）を用い、ピックアップ工程における吸着コレット（Ｃ）による半導体チップ（Ｗ）の最終剥離の状態を示している。 Hereinafter, the case where the said initial elastic modulus uses a 100 Mpa or less thing as a base film of an adhesive sheet is demonstrated to FIG. 4, FIG. 4 and 5 show the state of final peeling of the semiconductor chip (W) by the suction collet (C) in the pickup process using the adhesive sheet (A, A ′).
図４は、本発明の半導体加工用粘着シートを用いた場合である。基材フィルムは、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを用いており、かつ前記初期弾性率が１００Ｍｐａ以下である。図４では、吸着コレット（Ｃ）が上方へ半導体チップ（Ｗ）を吸着しながら上昇するにつれて、粘着シート（Ａ）の粘着剤層と半導体チップ（Ｗ）との間の接着力によって粘着シート（Ａ）も上方に引っ張られている。このとき基材フィルムの反発が十分あり、その反発力が粘着シート（Ａ）の粘着剤層と半導体チップ（Ｗ）との間の接着力よりも大きければ、その反発によって、吸着コレット（Ｃ）を上方に引き上げるにつれて、自然に半導体チップ（Ｗ）から粘着シート（Ａ）が剥離される。 FIG. 4 shows a case where the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is used. The base film uses low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less, and the initial elastic modulus is 100 Mpa or less. In FIG. 4, as the adsorbing collet (C) rises while adsorbing the semiconductor chip (W) upward, the adhesive sheet (A) is bonded by the adhesive force between the adhesive layer of the adhesive sheet (A) and the semiconductor chip (W). A) is also pulled upward. At this time, if the repulsion of the substrate film is sufficient and the repulsive force is larger than the adhesive force between the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive sheet (A) and the semiconductor chip (W), the repulsion causes the adsorption collet (C). As the sheet is pulled upward, the pressure-sensitive adhesive sheet (A) is naturally peeled from the semiconductor chip (W).
一方、図５は、粘着シート（Ａ′）の基材フィルムとして、前記初期弾性率が１００Ｍｐａ以下の極めて柔軟なものであるが、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを用いていない場合である。かかる基材フィルムとしては、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体を材料として用いたものがあげられる。図５では、ピックアップ初期のニードルでの突上げによる剥離は生じる。しかし、次の吸着コレツト（Ｃ）による剥離の段階では、基材フィルムの反発力が十分でなく、当該反発力よりも粘着シート（Ａ′）の粘着剤層と半導体チップ（Ｗ）との間の接着力の方が大ききため、粘着シート（Ａ′）が伸びてしまいスムーズに剥離ができない。その結果、基材フィルムが大きく伸びた後に半導体チップ（Ｗ）が剥離するため、例えば、剥離後の粘着シート（Ａ′）が戻る振動等によって未剥離の周辺チップが他のチップと干渉する等の問題を生じる。 On the other hand, FIG. 5 shows that the base film of the pressure-sensitive adhesive sheet (A ′) is very flexible with an initial elastic modulus of 100 Mpa or less, but does not use low-density polyethylene with a density of 0.915 g / cm 3 or less. Is the case. Examples of such a base film include those using an ethylene-vinyl acetate copolymer as a material. In FIG. 5, separation occurs due to the pushing up with the needle at the initial stage of the pickup. However, at the stage of peeling by the next adsorbing collect (C), the repulsive force of the base film is not sufficient, and the repulsive force is greater than the repulsive force between the adhesive layer of the adhesive sheet (A ′) and the semiconductor chip (W). Since the adhesive strength is larger, the pressure-sensitive adhesive sheet (A ′) is stretched and cannot be peeled smoothly. As a result, since the semiconductor chip (W) is peeled after the base film is greatly stretched, for example, the non-peeled peripheral chip interferes with other chips due to the vibration of the peeled adhesive sheet (A ′) returning. Cause problems.
以下に本発明の半導体加工用粘着シートを、図６を参照しながら説明する。図６は、半導体加工用粘着シートの断面図である。半導体加工用粘着シートは、基材フィルム（１）の片面に粘着剤層（２）を有する。粘着剤層（２）は、基材フィルム（１）の少なくとも片面に有していればよい。図６では、基材フィルム（１）の片面にのみ粘着剤層（２）を有する場合を例示している。半導体加工用粘着シートは、テープ状、巻回状にしたものを用いることができる。粘着剤層（２）にはセパレータ（３）が設けられている。なお、図３乃至図４において、半導体加工用粘着シート（Ａ）は半導体チップ（Ｗ）側が、粘着剤層（２）になるように配置される。 Hereinafter, the adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view of an adhesive sheet for semiconductor processing. The pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing has a pressure-sensitive adhesive layer (2) on one side of the base film (1). What is necessary is just to have an adhesive layer (2) on the at least single side | surface of a base film (1). In FIG. 6, the case where it has an adhesive layer (2) only on the single side | surface of a base film (1) is illustrated. As the adhesive sheet for semiconductor processing, a tape-like or wound-like one can be used. The pressure-sensitive adhesive layer (2) is provided with a separator (3). 3 to 4, the semiconductor processing pressure-sensitive adhesive sheet (A) is arranged so that the semiconductor chip (W) side becomes the pressure-sensitive adhesive layer (2).
前述の通り、薄型化半導体チップのピックアップ工程では、半導体加工用粘着シートに対して、初期のニードルによる変形剥離を容易に起こるようにするための柔軟性と、続く吸着コレットでの剥離をスムーズに起こるようにするための反発力が必要になる。これら柔軟性と反発力は相反する特性である。このような要求特性を満たす柔軟性のある基材フィルムとして、本発明では、ニードル突上げという比較的（吸着コレットによる剥離段階と比べ）低速変形領域では柔軟性に富み、且つ吸着コレットによる剥離という高速変形領域下での弾性に優れる材料が用いられる。 As described above, in the pick-up process of a thinned semiconductor chip, the flexibility for making the deformation peeling by the initial needle easy to occur on the adhesive sheet for semiconductor processing and the subsequent peeling by the suction collet are smooth. You need repulsion to make it happen. These flexibility and repulsive force are contradictory characteristics. As a flexible base film satisfying such required characteristics, in the present invention, the needle is pushed up and is relatively flexible (compared to the peeling step by the adsorption collet) in the low-speed deformation region, and is called peeling by the adsorption collet. A material having excellent elasticity under a high-speed deformation region is used.
基材フィルム（１）には、かかる粘弾性特性を示す材料として、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを有するものが用いられる。低密度ポリエチレンの密度は好ましくは０．９１０ｇ／ｃｍ3 以下、さらには好ましくは０．９０５ｇ／ｃｍ3 以下である。低密度ポリエチレンの密度が０．９１５ｇ／ｃｍ3 を超える場合は、柔軟性に乏しく好ましくない。なお、低密度ポリエチレンは、通常、フィルムに用いる場合には密度が０．９１５ｇ／ｃｍ3 を超えるものが用いられる。 As the base film (1), a material having low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less is used as a material exhibiting such viscoelastic properties. The density of the low density polyethylene is preferably 0.910 g / cm 3 or less, more preferably 0.905 g / cm 3 or less. When the density of the low density polyethylene exceeds 0.915 g / cm 3 , the flexibility is poor, which is not preferable. The low density polyethylene usually has a density exceeding 0.915 g / cm 3 when used for a film.
密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンは、一般的に、エチレンとα−オレフィンを共重合させて得られる。α−オレフィンを共重合させることによって、ポリエチレンの結晶性を低下させ、その密度を下げ、柔軟性を付与している。α−オレフィンとしては、ブテン−１、３−メチルペンテン−１、４−メチルペンテン−１、ヘキセン−１、オクテン−１等があげられる。α−オレフィンの共重合比は、前記密度条件を満足すれば特に制限されないが、低密度ポリエチレンの通常６０重量％以下、好ましくは１０〜４０重量％である。 A low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less is generally obtained by copolymerizing ethylene and an α-olefin. By copolymerizing the α-olefin, the crystallinity of polyethylene is lowered, the density thereof is lowered, and flexibility is imparted. Examples of the α-olefin include butene-1, 3-methylpentene-1, 4-methylpentene-1, hexene-1, octene-1, and the like. The copolymerization ratio of the α-olefin is not particularly limited as long as the above density condition is satisfied, but is usually 60% by weight or less, preferably 10 to 40% by weight of the low density polyethylene.
前記低密度ポリエチレンは、直鎖状低密度ポリエチレンに近いものが好ましい。したがって、前記低密度ポリエチレンは側鎖分岐を制御してなる直鎖状低密度ポリエチレンであることが好ましい。更にはメタロセン重合触媒を用いて作られた直鎖状低密度ポリエチレンが好ましい。通常の低密度ポリエチレンの場合、密度を０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度としようとした場合には、分子量分布が過度に広くなりすぎることが多い。その結果、流動性の違いなどによって高分子側の分子同士で凝集が起こりやすく、ゲル化物のような凝集物ができ、外観的に好ましくない。メタロセン重合触媒を用いることによって、分子量を比較的均一に保つことができ、更に直鎖状とすることで不要な分子間の絡まりあいによる凝集も防止することができる。前述のメタロセン重合触媒により得られた直鎖状低密度ポリエチレンは外観的に好ましいものであり、直鎖状低密度ポリエチレンがメタロセン重合触媒により得られたものに限定されるものではない。 The low density polyethylene is preferably close to linear low density polyethylene. Therefore, the low-density polyethylene is preferably a linear low-density polyethylene obtained by controlling side chain branching. Furthermore, linear low density polyethylene made using a metallocene polymerization catalyst is preferred. In the case of ordinary low-density polyethylene, the molecular weight distribution is often too wide when the density is to be as low as 0.915 g / cm 3 or less. As a result, aggregation is likely to occur between molecules on the polymer side due to differences in fluidity and the like, and an aggregate such as a gelled product is formed, which is not preferable in appearance. By using a metallocene polymerization catalyst, the molecular weight can be kept relatively uniform, and by making it linear, aggregation due to entanglement between unnecessary molecules can be prevented. The linear low density polyethylene obtained by the metallocene polymerization catalyst described above is preferable in appearance, and the linear low density polyethylene is not limited to that obtained by the metallocene polymerization catalyst.
なお、エチレン系共重合物であっても、共重合モノマーの主成分が、α−オレフィンを含むオレフィンモノマーではないものは好ましくない。例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等の場合には柔軟性を得ることができるが、高速変形時の反発力が十分ではない。これは前記したように粘弾性特性が通常のエチレンの粘弾性特性から大きく変化してしまうためと考えられる。 In addition, even if it is an ethylene-type copolymer, what the main component of a copolymerization monomer is not an olefin monomer containing an alpha olefin is not preferable. For example, in the case of ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, etc., flexibility can be obtained. The repulsive force is not enough. This is presumably because the viscoelastic properties greatly change from the normal viscoelastic properties of ethylene as described above.
基材フィルム（１）は、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンを他のブレンド可能な樹脂と混合して用いるもできる。樹脂ブレンド物は、前記低密度ポリエチレンのポリマー鎖に結晶を低下させる効果があるため、混合した他方のポリマーの結晶性を低下させて、前記同様な効果を得ることができる。前記樹脂ブレンド物において、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンは主成分でなくてもよく、その混合割合としては、密度０．９１５ｇ／ｃｍ3 以下の低密度ポリエチレンが樹脂ブレンド物全体の２０重量％以上あれば、前記効果を得ることができる。前記混合割合は２５重量％以上であるのが好ましい。前記低密度ポリエチレンとブレンド可能な樹脂としては、低密度ポリエチレンと完全相溶し、その密度を変化させうるもの、たとえば、高密度ポリエチレン等の各種ポリエチレンは好ましくない。ブレンド可能な樹脂は、前記のもの以外であれば特に制限されないが、たとえば、ポリプロピレン、スチレン系熱可塑性エラストマー等があげられる。 The base film (1) can be used by mixing low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less with other blendable resins. Since the resin blend has an effect of lowering the crystal in the polymer chain of the low density polyethylene, the same effect as described above can be obtained by lowering the crystallinity of the other polymer mixed. In the resin blend, the low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less may not be the main component, and the mixing ratio of the low density polyethylene having a density of 0.915 g / cm 3 or less is the entire resin blend. If it is 20% by weight or more, the above effect can be obtained. The mixing ratio is preferably 25% by weight or more. As the resin that can be blended with the low density polyethylene, those that are completely compatible with the low density polyethylene and can change the density, for example, various polyethylenes such as high density polyethylene are not preferable. The blendable resin is not particularly limited as long as it is other than those described above, and examples thereof include polypropylene and styrene thermoplastic elastomer.
基材フィルム（１）は押出し法等の常法に従って製作することができる。その厚さは、通常１０〜３００μｍ、好ましくは３０〜２００μｍ程度である。基材フィルム（１）は単層フィルム又は多層フィルムの何れであってもよいが、最終的な基材フィルム（１）の２３℃における引張弾性率が１００ＭＰａ以下となるようにするのが好ましい。多層フィルムは、例えば、他の軟質フィルム材料を用いて、共押出し法、ドライラミネート法等の慣用のフィルム積層法により製造できる。また、得られた基材フィルムは、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施してもよい。延伸処理を施す場合にも、基材の弾性率が１００ＭＰa 以下となる範囲でとどめるのが好ましい。基材フィルムの前記引張弾性率は好ましくは８０ＭＰａ以下、さらに好ましくは６０ＭＰａ以下である。なお、前記引張り弾性率は、通常、１０ＭＰａ以上である。 The base film (1) can be produced according to a conventional method such as an extrusion method. The thickness is usually about 10 to 300 μm, preferably about 30 to 200 μm. The base film (1) may be either a single layer film or a multilayer film, but it is preferable that the final base film (1) has a tensile elastic modulus at 23 ° C. of 100 MPa or less. The multilayer film can be produced by, for example, a conventional film lamination method such as a coextrusion method or a dry lamination method using another soft film material. Moreover, the obtained base film may be subjected to uniaxial or biaxial stretching treatment as necessary. Even when the stretching treatment is performed, it is preferable to keep the elastic modulus of the base material within a range of 100 MPa or less. The tensile elastic modulus of the base film is preferably 80 MPa or less, more preferably 60 MPa or less. The tensile elastic modulus is usually 10 MPa or more.
このようにして製膜された基材フィルム（１）は、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理等の慣用の物理的又は化学的処理を施すことができる。 The base film (1) thus formed can be subjected to conventional physical or chemical treatment such as mat treatment, corona discharge treatment, primer treatment and the like, if necessary.
粘着剤層（２）は、公知乃至慣用の粘着剤を使用できる。このような粘着剤は、何ら制限されるものではないが、例えばゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の各種粘着剤が用いられる。 As the pressure-sensitive adhesive layer (2), a known or common pressure-sensitive adhesive can be used. Such an adhesive is not limited at all, but various adhesives such as rubber-based, acrylic-based, silicone-based, and polyvinyl ether-based are used.
前記粘着剤としてはアクリル系粘着剤が好ましい。アクリル系粘着剤のベースポリマーであるアクリル系ポリマーは、通常（メタ）アクリル酸アルキルの重合体または共重合性モノマーとの共重合体が用いられる。アクリル系ポリマーの主モノマーとしては、そのホモポリマーのガラス転移温度が２０℃以下の（メタ）アクリル酸アルキルが好ましい。 The pressure-sensitive adhesive is preferably an acrylic pressure-sensitive adhesive. As the acrylic polymer that is the base polymer of the acrylic pressure-sensitive adhesive, an alkyl (meth) acrylate polymer or a copolymer with a copolymerizable monomer is usually used. As the main monomer of the acrylic polymer, an alkyl (meth) acrylate having a homopolymer having a glass transition temperature of 20 ° C. or lower is preferable.
（メタ）アクリル酸アルキルのアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、2 −エチルヘキシル基、オクチル基、イソノニル基等があげられる。また、前記共重合性モノマーとしては、（メタ）アクリル酸のヒドロキシアルキルエステル（例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキシルエステル等）、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、（メタ）アクリル酸アミド、（メタ）アクリル酸Ｎ−ヒドロキシメチルアミド、（メタ）アクリル酸アルキルアミノアルキル、（例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、t −ブチルアミノエチルメタクリレート等）、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等があげられる。 Examples of the alkyl group of the alkyl (meth) acrylate include a methyl group, an ethyl group, a butyl group, a 2-ethylhexyl group, an octyl group, and an isononyl group. Examples of the copolymerizable monomer include hydroxyalkyl esters of (meth) acrylic acid (eg, hydroxyethyl ester, hydroxybutyl ester, hydroxyhexyl ester, etc.), (meth) acrylic acid glycidyl ester, (meth) acrylic acid, Itaconic acid, maleic anhydride, (meth) acrylic acid amide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, alkyl (alkyl) alkyl (meth) acrylate (for example, dimethylaminoethyl methacrylate, t-butylaminoethyl methacrylate, etc.) Vinyl acetate, styrene, acrylonitrile and the like.
また、粘着剤としては紫外線、電子線等により硬化する放射線硬化型粘着剤や加熱発泡型粘着剤を用いることもできる。さらには、ダイシング・ダイボンド兼用可能な粘着剤であってもよい。本発明においては、放射線硬化型粘着剤、特に紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。なお、粘着剤として放射線硬化型粘着剤を用いる場合には、ダイシング工程の前又は後に粘着剤に放射線が照射されるため前記基材フィルムは十分な放射線透過性を有しているものが好ましい。 Further, as the pressure-sensitive adhesive, a radiation curable pressure-sensitive adhesive or a heat-foaming pressure-sensitive adhesive that is cured by ultraviolet rays, electron beams, or the like can be used. Furthermore, an adhesive that can be used for dicing and die bonding may be used. In the present invention, it is preferable to use a radiation curable pressure sensitive adhesive, particularly an ultraviolet curable pressure sensitive adhesive. In addition, when using a radiation curing type adhesive as an adhesive, since the radiation is irradiated to an adhesive before or after a dicing process, what the said base film has sufficient radiation transmittance is preferable.
放射線硬化型粘着剤は、例えば、前記ベースポリマー（アクリル系ポリマー）と、放射線硬化成分を含有してなる。放射線硬化成分は、分子中に炭素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー又はポリマーを特に制限無く使用できる。放射線硬化成分としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ぺンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、1 ，6 −へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオぺンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジぺンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物；エステルアクリレートオリゴマー；2 −プロぺニルージ−3 −ブテニルシアヌレート、2 −ヒドロキシエチルビス（2 −アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート等のイソシアヌレートまたはイソシアヌレート化合物などがあげられる。 The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains, for example, the base polymer (acrylic polymer) and a radiation curable component. As the radiation curing component, a monomer, oligomer or polymer having a carbon-carbon double bond in the molecule and curable by radical polymerization can be used without particular limitation. Examples of the radiation curable component include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, neope Nylglycol di (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate and other esterified products of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohols; ester acrylate oligomers; 2-propenyl-di-3-butenyl cyanurate And isocyanurates such as 2-hydroxyethylbis (2-acryloxyethyl) isocyanurate and tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate, or isocyanurate compounds.
また、放射線硬化型粘着剤はベースポリマー（アクリル系ポリマー）として、ポリマー側鎖に炭素−炭素二重結合を有する放射線硬化型ポリマーを使用することもでき、この場合においては特に上記放射線硬化成分を加える必要は無い。 The radiation-curable pressure-sensitive adhesive can also use a radiation-curable polymer having a carbon-carbon double bond in the polymer side chain as the base polymer (acrylic polymer). There is no need to add.
放射線硬化型粘着剤を紫外線により硬化させる場合には、光重合開始剤が必要である。重合開始剤としては、たとえば、べンゾイルメチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のペンゾインアルキルエーテル類；べンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類；べンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類；ポリビニルベンゾフェノン；クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン等のチオキサントン類等があげられる。 When the radiation curable adhesive is cured by ultraviolet rays, a photopolymerization initiator is required. Examples of the polymerization initiator include benzoin alkyl ethers such as benzoyl methyl ether, benzoin propyl ether, and benzoin isobutyl ether; aromatic ketones such as benzyl, benzoin, benzophenone, and α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; Aromatic ketals such as benzyl dimethyl ketal; polyvinyl benzophenone; thioxanthones such as chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, and diethylthioxanthone.
前記粘着剤には、更に必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添加剤を含有させることができる。架橋剤としては、例えば、ポリイソシアネート化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、アジリジン化合物、エポキシ樹脂、無水化物、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどがあげられる。 The pressure-sensitive adhesive may further contain conventional additives such as a crosslinking agent, a tackifier, a filler, an anti-aging agent, and a colorant, if necessary. Examples of the crosslinking agent include polyisocyanate compounds, melamine resins, urea resins, aziridine compounds, epoxy resins, anhydrides, polyamines, and carboxyl group-containing polymers.
本発明の半導体加工用粘着シートは、例えば、基材フィルム（１）の表面に、粘着剤を塗布して乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層（２）を形成し、必要に応じてこの粘着剤層（２）の表面にセパレータ（３）を貼り合わせることにより製造できる。また、別途、セパレータ（３）に粘着剤層（２）を形成した後、それらを基材フィルム（１）に貼り合せる方法等を採用できる。 The pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention forms, for example, a pressure-sensitive adhesive layer (2) by applying a pressure-sensitive adhesive to the surface of the base film (1) and drying (heating and crosslinking as necessary). If necessary, it can be produced by attaching a separator (3) to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (2). Moreover, after forming an adhesive layer (2) in a separator (3) separately, the method of bonding them to a base film (1) etc. can be employ | adopted.
粘着剤層（２）の厚さは、粘着剤の種類、あるいはダイシング切込深さにより適宜決定することができるが、通常は１〜２００μｍ、好ましくは３〜５０μｍ程度である。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer (2) can be appropriately determined depending on the type of pressure-sensitive adhesive or the dicing cut depth, but is usually about 1 to 200 μm, preferably about 3 to 50 μm.
セパレータ（３）は、ラベル加工のため、または粘着剤層を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。セパレータの構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等があげられる。セパレータの表面には、粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていてもよい。また、剛性を高める等の目的に応じて、一軸または二軸の延伸処理や他のプラスチックフィルム等で積層を行ってもよい。セパレータの厚みは、通常、１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μｍ程度である。 The separator (3) is provided as necessary for label processing or for the purpose of smoothing the pressure-sensitive adhesive layer. Examples of the constituent material of the separator include paper, synthetic resin films such as polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. The surface of the separator may be subjected to a release treatment such as silicone treatment, long-chain alkyl treatment, fluorine treatment, etc., as necessary, in order to enhance the peelability from the pressure-sensitive adhesive layer. Further, depending on the purpose such as increasing the rigidity, lamination may be performed by uniaxial or biaxial stretching treatment or other plastic films. The thickness of the separator is usually about 10 to 200 μm, preferably about 25 to 100 μm.
本発明の半導体加工用粘着シートは、半導体ウエハをダイシングする工程、ピックアップする工程に用いられる。ダイシング工程、ピックアップ工程は常法を採用できる。本発明の半導体加工用粘着シートは、半導体ウエハの厚さが２００μｍ以下に薄型化したものに好適に用いられる。半導体ウエハの厚さは、１００μｍ以下、さらには５０μｍ以下の場合にも好適に用いられる。 The pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention is used in a step of dicing a semiconductor wafer and a step of picking up. Conventional methods can be used for the dicing process and the pickup process. The pressure-sensitive adhesive sheet for semiconductor processing of the present invention is suitably used for a semiconductor wafer whose thickness is reduced to 200 μm or less. The thickness of the semiconductor wafer is also suitably used when the thickness is 100 μm or less, and further 50 μm or less.
以下、本発明を実施例に基づいてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail based on an Example, this invention is not limited by these Examples.
実施例１
（基材フィルムの作成）
三井化学（株）製の「商品名：エボリューＳＰ−０５４０」をＴダイ押出し成形機（設定温度２３０℃）に供給し製膜し、厚み１００μｍの基材フィルムを作成した。エボリューＳＰ−０５４０は、メタロセン触媒により重合された直鎖状低密度ポリエチレンであり、密度は０．９０３ｇ／ｃｍ3 である。
Example 1
(Creation of base film)
“Trade name: Evolue SP-0540” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. was supplied to a T-die extrusion molding machine (set temperature: 230 ° C.) to form a film having a thickness of 100 μm. Evolue SP-0540 is a linear low density polyethylene polymerized with a metallocene catalyst and has a density of 0.903 g / cm 3 .
（粘着剤の調整）
アクリル酸メチル８０重量部およびアクリル酸２−ヒドロキシエチル２０重量部を、トルエン８０重量部およびアセトニトリル２０重量部の混合溶剤中で常法により共重合させて重量平均分子量５０万のアクリル系共重合体を含有する溶液を得た。次いでアクリル酸２−ヒドロキシエチル１モル部に対し、２−メタクリロイルオキシエチレンイソシアネートが０．９モル部となるように添加し、空気雰囲気下において５０℃で１２時間撹拌反応させ、放射線硬化型ポリマー溶液を得た。このポリマー溶液１００重量部にジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（商品名「カヤラッドＤＰＨＡ」，日本化薬（株）製）１００重量部、光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」，チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５重量部、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」，日本ポリウレタン（株）製）５重量部を加えて、アクリル系紫外線硬化型粘着剤溶液を調製した。
(Adhesive adjustment)
Acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 500,000 by copolymerizing 80 parts by weight of methyl acrylate and 20 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate in a mixed solvent of 80 parts by weight of toluene and 20 parts by weight of acetonitrile by a conventional method. A solution containing was obtained. Subsequently, 2-methacryloyloxyethylene isocyanate is added to 0.9 mol part with respect to 1 mol part of 2-hydroxyethyl acrylate, and the mixture is reacted by stirring at 50 ° C. for 12 hours in an air atmosphere. Got. 100 parts by weight of this polymer solution, 100 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate (trade name “Kayarad DPHA”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), photopolymerization initiator (trade name “Irgacure 184”, Ciba Specialty Chemicals) 5 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) was added to prepare an acrylic ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive solution.
（粘着シートの作製）
上記で調製した粘着剤溶液を、上記で得られた基材フィルムのコロナ処理面上に塗布し、８０℃で１０分間加熱架橋して、厚さ２０μｍの紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次いで、当該粘着剤層面にセパレータを貼り合せて紫外線硬化型粘着シートを作製した。
(Preparation of adhesive sheet)
The pressure-sensitive adhesive solution prepared above was applied onto the corona-treated surface of the base film obtained above, and was heat-crosslinked at 80 ° C. for 10 minutes to form a 20 μm thick UV-curable pressure-sensitive adhesive layer. Subsequently, a separator was bonded to the pressure-sensitive adhesive layer surface to produce an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive sheet.
実施例２
実施例１において、基材フィルムの材料として、三菱化学（株）製の「カーネルＫＦ２７３」を用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。カーネルＫＦ２７３はメタロセン触媒により重合された直鎖状低密度ポリエチレンで、密度は０．９１３ｇ／ｃｍ3 である。
Example 2
In Example 1, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive sheet was prepared according to Example 1 except that “Kernel KF273” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was used as the material of the base film. Kernel KF273 is a linear low density polyethylene polymerized by a metallocene catalyst, and has a density of 0.913 g / cm 3 .
実施例３
実施例１において、基材フィルムの材料として、三菱化学（株）製の「ゼラス」７０重量部と三菱化学（株）製の「カーネルＫＦ２６１」３０重量部を二軸混練押出器で混合したものを用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。ゼラスは、プロピレン５８重量％とエチレン−プロピレンラバー４２重量％の混合品であり、密度は０．８８ｇ／ｃｍ3 である。カーネルＫＦ２６１はメタロセン触媒により重合された直鎖状低密度ポリエチレンで、密度は０．８９８ｇ／ｃｍ3 である。
Example 3
In Example 1, 70 parts by weight of “Zeras” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation and 30 parts by weight of “Kernel KF261” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation were mixed in a twin-screw kneading extruder as the material of the base film. An ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive sheet was prepared according to Example 1 except that was used. Zelas is a mixture of 58% by weight of propylene and 42% by weight of ethylene-propylene rubber and has a density of 0.88 g / cm 3 . Kernel KF261 is a linear low density polyethylene polymerized by a metallocene catalyst, and its density is 0.898 g / cm 3 .
比較例１
実施例１において、基材フィルムの材料として、三井デュポンポリケミカル（株）製の「エバフレックスＰ−１２０５」を用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。エバフレックスＰ−１２０５はエチレン−酢酸ビニル共重合体で、密度は０．９３ｇ／ｃｍ3 である。
Comparative Example 1
In Example 1, the ultraviolet curable adhesive sheet was produced according to Example 1 except having used "Evaflex P-1205" by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd. as a material of a base film. Everflex P-1205 is an ethylene-vinyl acetate copolymer having a density of 0.93 g / cm 3 .
比較例２
実施例１において、基材フィルムの材料として三井化学 (株）製の「ウルトゼックス２０２２Ｌ」を用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。ウルトゼックス２０２２Ｌはチーグラー触媒により重合された直鎖状低密度ポリエチレンで、密度は０．９２ｇ／ｃｍ3 である。
Comparative Example 2
In Example 1, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive sheet was produced according to Example 1 except that “Ultzex 2022L” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc. was used as the material for the base film. Ultraxex 2022L is a linear low density polyethylene polymerized by a Ziegler catalyst and has a density of 0.92 g / cm 3 .
比較例３
実施例１において、基材フィルムの材料として三菱化学（株）製の「ゼラス」を用いたこと以外は実施例１に準じて紫外線硬化型粘着シートを作製した。
Comparative Example 3
In Example 1, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive sheet was produced according to Example 1 except that “Zelas” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation was used as the material for the base film.
（評価試験）
実施例及び比較例で得られた粘着シートを下記の方法により評価した。結果を表１に示す。
(Evaluation test)
The adhesive sheets obtained in Examples and Comparative Examples were evaluated by the following methods. The results are shown in Table 1.
（１）基材フィルムの引張弾性率
作製した基材フィルムの引張弾性率をＪＩＳ Ｋ６９２１−２に準じて測定した。引張速度：２００ｍｍ／ｍｉｎ、チャック間：５０ｍｍ、サンプル幅：１０ｍｍ。
(1) Tensile modulus of base film The tensile modulus of the prepared base film was measured according to JIS K6921-2. Tensile speed: 200 mm / min, between chucks: 50 mm, sample width: 10 mm.
（２）ピックアップ試験
作製した粘着シートを厚さ５０μｍの６インチウエハにマウントし、７ｍｍ×７ｍｍのサイズにダイシングを行なった後、紫外線を照射して粘着剤層の粘着力を低下させてから、ダイボンダーでピックアップを行なった。
ダイボンダー：ＮＥＣマシナリー製ＣＰＳ−１００
突上ザピン：３５０μｍＲ１５°×０．７５ｍｍφ
突上げ量：３００μｍ
上記条件にて約３０チップのピックアップを試み、どれだけピックアップできたかを評価した。
(2) Pickup test After the prepared adhesive sheet was mounted on a 6-inch wafer having a thickness of 50 μm and diced to a size of 7 mm × 7 mm, the adhesive force of the adhesive layer was reduced by irradiating ultraviolet rays. Picked up with a die bonder.
Die bonder: CPS-100 manufactured by NEC Machinery
Upward Zappin: 350μm R15 ° × 0.75mmφ
Push-up amount: 300 μm
An attempt was made to pick up about 30 chips under the above conditions, and the amount of pick-up was evaluated.
Ａ，Ａ′ 半導体加工用粘着シート
Ｗ 半導体チップ
Ｎ ニードル
Ｃ 吸着コレット
１ 基材フィルム
２ 粘着剤層
３ セパレータ
A, A 'Adhesive sheet for semiconductor processing W Semiconductor chip N Needle C Adsorption collet 1 Base film 2 Adhesive layer 3 Separator
Claims (9)
A semiconductor chip obtained by the semiconductor processing method according to claim 7 or 8.
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009060788A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| WO2009060787A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| JP2009135377A (en) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| JP2009135378A (en) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| WO2009090838A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die bonding film |
| WO2009090817A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die bonding film |
| JP2010166090A (en) * | 2010-04-14 | 2010-07-29 | Nitto Denko Corp | Dicing-die bonding film |
| JP2010177699A (en) * | 2010-04-14 | 2010-08-12 | Nitto Denko Corp | Dicing die-bonded film |
| JP2012117024A (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Film for semiconductor, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012209363A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Dicing film |
| JP2021114576A (en) * | 2020-01-21 | 2021-08-05 | タキロンシーアイ株式会社 | Substrate film for dicing tape |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20230064291A (en) * | 2021-11-03 | 2023-05-10 | 삼성전자주식회사 | Release film and method for manufacturing semiconductor package using same |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120640B2 (en) * | 1987-07-08 | 1995-12-20 | 古河電気工業株式会社 | Radiation curable adhesive tape for semiconductors |
| KR100222141B1 (en) * | 1996-01-11 | 1999-10-01 | 사또 아끼오 | Adhesive polyethylene compositions and multi-layer laminated films using the same |
| JP2002168820A (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-14 | Yazaki Corp | Smoke detector |
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010166091A (en) * | 2007-11-08 | 2010-07-29 | Nitto Denko Corp | Dicing die bonding film |
| WO2009060787A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| JP2009135377A (en) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| JP2009135378A (en) * | 2007-11-08 | 2009-06-18 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| WO2009060788A1 (en) * | 2007-11-08 | 2009-05-14 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| JP2010212704A (en) * | 2007-11-08 | 2010-09-24 | Nitto Denko Corp | Dicing film and die-bonding film |
| WO2009090838A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die bonding film |
| JP2009170786A (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| JP2009170787A (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Nitto Denko Corp | Dicing die bond film |
| WO2009090817A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nitto Denko Corporation | Dicing/die bonding film |
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| JP2010166090A (en) * | 2010-04-14 | 2010-07-29 | Nitto Denko Corp | Dicing-die bonding film |
| JP2010177699A (en) * | 2010-04-14 | 2010-08-12 | Nitto Denko Corp | Dicing die-bonded film |
| JP2012117024A (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Film for semiconductor, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012209363A (en) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Dicing film |
| JP2021114576A (en) * | 2020-01-21 | 2021-08-05 | タキロンシーアイ株式会社 | Substrate film for dicing tape |
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