CN101800163A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基板处理装置，能够在发生相对其他批次优先进行处理的特急批次的情况下，缩短该特急批次的基板等待处理开始的待机时间。对载体移载机构(3)进行控制，使得当收纳有优先进行处理的特急批次的基板的特急载体(E)被搬入载体搬入部(225)时，如果晶片搬入部(211、212)的全部被载体(C)占有，则将该载体(C)中的一个移载至退避用载置部(22)，由此，在变空的晶片搬入部(211(212))载置上述特急载体(E)。对交接机构(A1)进行控制，使得当上述特急载体(E)被载置于上述晶片搬入部(211(212))时，该特急载体(E)内的晶片比其他载体更先移出。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，对例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等基板进行抗蚀剂液的涂敷处理、曝光后的显影处理等处理。

背景技术

在半导体器件或LCD基板的制造工艺中，利用被称为光刻的技术对基板进行抗蚀剂图案的形成。该技术通过以下一系列工序进行，即，在例如半导体晶片(以下称为晶片)等基板，涂敷抗蚀剂液，在该晶片的表面形成液膜，利用光掩模使该抗蚀剂膜曝光后，通过进行显影处理获得所期望的图案。

这样的处理，通常使用将曝光装置与进行抗蚀剂液的涂敷、显影的涂敷显影装置连接而成的抗蚀剂图案形成装置进行。在该装置中，例如如图15所示，将收纳多个晶片的载体10搬入载体区1A的载体台11，通过交接臂12将载体10内的晶片交接至处理区1B。然后，在处理区1B内，在进行反射防止膜形成模块(未图示)中的反射防止膜的形成、涂敷模块13中的抗蚀剂膜的形成后，通过接口区1C传送至曝光装置1D。

另一方面，曝光处理后的晶片，被再次送回处理区1B，通过显影模块14进行显影处理，然后被送回原来的载体10内。在上述反射防止膜、抗蚀剂膜的形成处理的前后和显影处理的前后，进行晶片的加热处理和冷却处理，这些进行加热处理的加热模块和进行冷却处理的冷却模块等，多层地排列在搁板模块15(15a～15c)，通过设置于处理区1B的主臂16(16A，16B)，将晶片在各模块彼此之间传送。

通常，按照处理的各批次准备载体10，从一个载体10被移出至处理区1B的晶片，在通过该处理区1B和曝光装置1D进行规定的处理后，被收纳于原来的载体10。此时，在上述载体台11，载置有多个例如4个载体10，例如上述交接臂12构成为能够访问全部的载体10。然后，将晶片移出至处理区1B后的空的载体10，在载体台11上，进行待机直至晶片结束规定的处理，将已处理结束的晶片W送回上述载体10内后，使收纳已处理的晶片的载体10与收纳未处理的晶片的载体10交换。

然而，被搬入该涂敷显影装置的载体10，按照以下的方式进行晶片的搬送，即，预先确定被搬入载体台11的顺序，根据载体10的搬入顺序，通过交接臂12进行晶片从载体10向处理区1B的移出，利用该处理区1B进行处理，并将处理后的晶片送回原来的载体10。

然而，对于例如评价测试用基板、研究开发用基板、试制基板等而言，存在发生无视已确定的载体10的搬入顺序而优先进行处理的特急批次的情况。在该情况下，将收纳有特急批次的晶片的载体(以下，称为“特急载体”)插入上述已确定的载体10的搬入顺序中，搬入载体台11，通过交接臂12将该特急载体的晶片优先地移出至处理区B1进行处理。

此时，如果存在用于将该特急载体搬入载体台11的载置部，则能够立即将该特急载体搬入该载置部，并且将该载体内的晶片移出至处理部1B进行处理，因此不会产生问题。然而，在载体台11的载置部被其他的载体10占有的情况下，如果不等至对这些载体10的晶片结束所有的处理、并且将该载体10与未处理的载体10交换的时刻为止，特急载体就不能被搬入载体台11。在这样的情况下，会存在特急载体的晶片向处理区1B移出得较晚，以至虽然是特急载体但是等待处理开始的待机时间却较长的问题。

专利文献1：日本特开2004-193597号公报

发明内容

本发明是为解决上述课题而完成的，目的在于提供一种基板处理装置，涉及在发生相对其他批次而优先进行处理的特急批次的情况下，能够缩短该特急批次的基板的等待处理开始的待机时间的技术。

因此，本发明的基板处理装置，具备载置收纳有多个基板的载体并且按照每个载体准备的交接用载置部，对从载置于该交接用载置部的载体通过交接机构被移出的基板进行处理后，通过上述交接机构将该基板送回上述交接用载置部上的原来的载体，其特征在于，在该基板处理装置中，包括：

多个退避用载置部，为了载置上述载体而与上述交接用载置部分别设置；

搬入用载置部，为了将上述载体从外部搬入该基板处理装置而与上述交接用载置部分别设置；

载体移载机构，在这些交接用载置部、退避用载置部、和搬入用载置部之间进行上述载体的移载；

对载体移载结构进行控制的控制机构，使得：平时根据被搬入上述搬入用载置部的载体的搬入顺序将这些载体直接或者通过退避用载置部依次移载至上述交接用载置部，当收纳有优先进行处理的特急批次的基板的特急载体被搬入上述搬入用载置部时，如果上述交接用载置部的全部已被载体占有，则将该载体的一个移载至上述退避用载置部，在由此变空的交接用载置部载置上述特急载体；

对上述交接结构进行控制的控制机构，使得：平时根据载置于上述交接用载置部的载体的搬入顺序将基板从载体移出，当上述特急载体被载置于上述交接用载置部时，该特急载体的基板比其他的载体更先移出。

上述对载体移载结构进行控制的控制机构优选构成为，对上述载体移载机构进行控制，使得当上述特急载体被搬入上述搬入用载置部时，如果上述交接用载置部为空，则立即将该特急载体载置于该交接用载置部。

此外，上述对载体移载结构进行控制的控制机构优选构成为，对上述载体移载机构进行控制，使得当上述交接用载置部为多个、而上述特急载体被搬入上述搬入搬出用载置部时，如果这些上述交接用载置部的全部已被载体占有，并且在这些载体中存在通过上述交接机构正在进行基板移出的载体，则将该载体以外的载体移载至上述载置部。

进而，上述对上述交接结构进行控制的控制机构优选构成为，对上述交接机构进行控制，使得当上述特急载体被搬入上述交接用载置部时，如果没有正在进行从其他的载体移出基板，则优先进行来自该特急载体的基板的移出；当上述特急载体被搬入上述交接用载置部时，如果正在进行从其他的载体将基板移出，则在从该载体的全部的基板的移出结束后，优先进行从上述特急载体移出基板。

进而，还包括用于暂时保管上述多个载体的保管部，可以构成为，上述退避用载置部兼用作设置于该保管部的上述载体的载置部。进而，还包括对从上述载体通过交接机构被移出的基板进行处理的处理部，该处理部，为了对上述基板形成涂敷膜并且对曝光后的基板进行显影，可以包括对基板进行处理或者载置基板的多个模块、和在这些多个模块之间进行基板的搬送的基板搬送机构。

根据本发明，在发生相对其他批次优先进行处理的特急批次的情况下，当上述特急批次的特急载体被搬入搬入搬出用载置部时，如果交接用载置部的全部已被载体占有，则将该载体移载至退避用载置部，在由此变空的交接用载置部载置上述特急载体。因此，能够仅花费很短的待机时间就将特急载体载置于交接用载置部，由于能够通过交接机构将特急载体的基板迅速地移出，因此缩短了该特急载体的基板等待处理开始的待机时间。

附图说明

图1是表示本发明的抗蚀剂图案形成装置的实施方式的平面图。

图2是表示上述抗蚀剂图案形成装置的立体图。

图3是表示上述抗蚀剂图案形成装置中的载体区的立体图。

图4是从载体移载机构一侧观看上述载体区的正面图。

图5是表示载体的正面图。

图6是表示上述抗蚀剂图案形成装置中的处理区内的晶片W的搬送路径的平面图。

图7是表示上述抗蚀剂图案形成装置中的控制部的一部分的结构图。

图8是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的侧面图。

图9是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的说明图。

图10是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的流程图。

图11是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的工序图。

图12是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的工序图。

图13是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的工序图。

图14是用于说明上述抗蚀剂图案形成装置的作用的工序图。

图15是表示现有的涂敷显影装置的平面图。

符号说明：

W  半导体晶片

C  载体

B1 载体区

B2 处理区

B3 接口区

B4 曝光装置

A1 交接机构

A2、A3  主臂

21(211～214)  交接用载置部

22(221～228)  退避用载置部

3  载体移载机构

6  控制部

63 搬送计划(schedule)存储部

64 移载计划存储部

65 特急批次处理控制部

具体实施方式

以下，以将本发明的基板处理装置应用于涂敷显影装置的情况为例进行说明。首先，参照附图，对将曝光装置与上述涂敷显影装置连接而成的抗蚀剂图案形成装置进行说明。图1是表示上述抗蚀剂图案形成装置的一个实施方式的平面图，图2是同一情况下的概略立体图。图中，B1是用于将密闭地收纳有例如13个基板(例如晶片W)的载体C搬入搬出的载体区，B2是对上述晶片W进行涂敷、显影处理的处理区，B3是接口区，B4是曝光装置。上述载体区B1，例如如图3所示那样，设置有：多层地设置有载体C的交接用载置部21(211～214)和退避用载置部22(221～228)的载体站2、从该载体站2观看时设置于前方的壁面上的开闭部23、和用于在被置于上述交接用载置部21的载体C与后述的处理区B2之间进行上述晶片W交接的交接机构A1。上述载体区B1被例如箱体20包围其周围。

上述载体站2，包括：设置有多个例如上述交接用载置部21(211～214)的载置台24、和设置于该载置台24的上方侧、构成暂时保管载体C的保管部的暂存盒25。该暂存盒25具备多层例如2层地设置的搁板部26、27。上述交接用载置部21，是按照每个载体准备并且通过上述交接机构A1进行访问(access)的载置部，在上述载置台24上沿图中Y方向并排排列有多个例如4个，固定被载置的载体C，并且能够沿图中X方向自由滑动，使设置于载体C而未图示的晶片取出口与上述开闭部23连接。

在该例中，在上述载置台24上的交接用载置部211～214中，分配例如2个交接用载置部211、212作为用于将晶片从载体C向处理区B2移出的晶片搬入部，余下的2个交接用载置部213、214作为用于将晶片从处理区B2送回至载体C内的晶片搬出部。而且，为了对这4个交接用载置部211～214进行晶片W的移出，上述交接机构A1构成为沿图中Y方向能够自由移动、自由进退、并且绕铅直轴自由旋转。

此外，在上述暂存盒25，排列有多个按照每个载体C准备且用于在其上载置载体C并暂时保管的载置部。在该例中，暂存盒25内的载置部，兼用作上述退避用载置部22。上述退避用载置部22，在上述暂存盒25内的例如下层侧的搁板部26，沿上述Y方向并排排列有多个例如4个退避用载置部221～224，并且，在上层侧的搁板部27，沿上述Y方向并排排列有多个例如4个退避用载置部225～228。

这里，在该上层侧的退避用载置部225～228中，例如2个退避用载置部225、226，被用作构成将载体C从外部搬入该抗蚀剂图案形成装置的搬入用载置部的载体搬入部，余下的2个退避用载置部227、228，被用作将载体C从该抗蚀剂图案形成装置向外部搬出时载置载体C的载体搬出部227、228。此外，这些退避用载置部221～228将载体C载置于其上并固定。

在上述上层侧的搁板部27的上方侧，如图4所示那样，配设有沿图中Y方向延伸的轨道R，在该轨道R，设置有在该抗蚀剂图案形成装置与外部的其他处理装置之间搬送载体C的外部载体搬送机构200。该外部载体搬送机构200，具备保持载体C的握持部201，构成为以该握持部201从左右方向夹着载体C的侧方的方式进行支承。此外，外部载体搬送机构200，能够沿轨道R自由移动，并且，为了通过升降机构202将载体C载置于上层侧的搁板部27的载体搬入部225、226，也为了从载体搬出部227、228接收载体C，能够自由升降。

进而，如图1～图3所示那样，载体区B1具备用于对载体站2的交接载置部211～214和退避用载置部221～228的各部进行载体C的交接的载体移载机构3。该载体移载机构3，是由例如第一臂31、第二臂32、保持臂33构成的多关节臂，能够自由进退，并且，通过旋转机构34能够绕铅直轴自由旋转。

这里，对载体C的形状进行说明，如图2～图5所示那样，在该载体C的上表面，隔着支承部41，设置有板状的保持板42。而且，例如如图5所示那样，上述保持臂33，构成为包围上述载体C的保持板42的周围、在悬吊载体C的状态下进行支承。

这样的载体移载机构3，能够沿升降轴35自由升降，并且，在例如载体区B1的顶部，该升降轴35能够沿着图1中Y方向上延伸设置的导轨36(参照图1)自由移动，这样，对载体站2的交接用载置部211～214和退避用载置部221～228的各个进行载体C的移载。此外，在不进行载体C的移载作业时，载体移载机构3在退避区域30进行待机。该退避区域30，例如如图1所示那样，被设定于当从载体移载机构3一侧观看载体站2时，载体站2的左右方向中的任一侧。

在这样的交接用载置部211～214和上层的退避用载置部225～228，例如如图3所示那样，分别设置有用于确认载体C的载置位置的位置传感器231、和用于确认载体C有无的有无传感器232，并且，在中层的退避用载置部221～224，设置有上述位置传感器231。作为这些位置传感器231和有无传感器232，使用反射型光传感器、或在将载体C载置于这些载置部211～214、221～228时对接触该载体C的底部而检测其位置和有无的撞针(撞击器)的动作进行观察的传感器等。

处理区B2与上述载体区B1的里侧连接，在该处理区B2，从跟前一侧起依次交替地排列设置有使加热-冷却系统的模块多层化的搁板模块U1～U3、和在这些搁板模块U1～U3与后述的液处理模块U4、U5的各模块之间进行晶片W的交接的主臂A2、A3。即，搁板模块U1、U2、U3和主臂A2、A3，从载体区B1一侧观看时，排列为前后一列，在各个连接部位，形成有未图示的晶片搬送用的开口部，晶片W在处理区B2内从一端侧的搁板模块U1起直至另一端侧的搁板模块U3为止能够自由地移动。

上述搁板模块U1～U3形成为，将用于进行在液处理模块U4、U5所进行的处理的前处理和后处理的各种模块叠层为多层例如10层的结构，包括：交接模块TRS、用于将晶片W调整为规定温度的调温模块CPL、用于进行晶片W的加热处理的加热模块CLH、用于在抗蚀剂液的涂敷后进行晶片W的加热处理的加热模块CPH、显影处理前对晶片W进行加热处理的加热模块PEB、和对显影处理后的晶片W进行加热处理的加热模块POST等。

此外，例如如图2所示，液处理模块U4、U5构成为，将对晶片W涂敷反射防止膜形成用的药液的反射防止膜形成模块BCT、对晶片W涂敷抗蚀剂液的涂敷模块COT、和向晶片W供给显影液进行显影处理的显影模块DEV等多层例如5层地叠层。

曝光装置B4，经由接口区B3与上述处理区B2中的搁板模块U3的里侧连接。该接口区B3，通过在处理区B2与曝光装置B4之间前后设置的第一搬送室51和第二搬送室52构成，分别包括能够自由升降、绕铅直轴自由旋转、并且自由进退的第一搬送臂53和第二搬送臂54。进而，在第一搬送室51，设置有将例如交接模块等上下叠层地设置的搁板模块U6。

上述主臂A(A2、A3)构成为，与上述处理区B2内的全部的模块(载置晶片W的场所)例如搁板模块U1～U3的各模块、液处理模块U4、U5的各模块之间进行晶片交接。因此，包括能够自由进退、自由升降、绕铅直轴自由旋转、在Y方向上自由移动并且用于支承晶片W的背面侧周边区域的2个保持臂，这些保持臂能够相互独立地进退。

参照图6，对这样的抗蚀剂图案形成系统中的晶片W的流动的一个例子进行说明。载置于载体区B1的晶片搬入部211(212)的载体C内的晶片W，被交接至处理区B2的搁板模块U1的交接模块TRS，然后，利用调温模块CPL1→反射防止膜形成模块BCT→加热模块CLH→调温模块CPL2→涂敷模块COT→加热模块CPH→接口区B3→曝光装置B4的路径进行搬送，在曝光装置进行曝光处理。另一方面，将曝光处理后的晶片W送回处理区B2，利用加热模块PEB→调温模块CPL3→显影模块DEV→加热模块POST→调温模块CPL4的路径进行搬送，然后，被送回载置于载体区B1的晶片搬出部213(214)的原来的载体C内。

此时，控制主臂A2、A3进行将载置于各模块的晶片W从下游侧的模块逐个地移动至上游侧的模块的一系列操作(搬送循环)，即，在处理区B2内，从搁板模块U1的交接模块TRS接收晶片，通过调温模块CPL等将该晶片沿上述的搬送路径依次搬送至加热模块CPH后，从接口区B3接收曝光处理后的晶片W，通过加热模块PEB等将该晶片沿上述的搬送路径依次搬送至调温模块CPL4。

然后，上述抗蚀剂图案形成装置，具备由对各处理模块的处理方案的管理、晶片W的搬送流程(搬送路径)的处理方案的管理、各处理模块中的处理、外部载体搬送机构200、载体移载机构3、交接机构A1、和主臂A2、A3等进行驱动控制的计算机构成的控制部6。该控制部6，具有由例如计算机程序构成的程序存储部，在该程序存储部，存储有由例如软件构成的程序，该程序具备步骤(命令)组，使抗蚀剂图案形成装置整体的作用即对晶片W形成规定的抗蚀剂图案的各模块中的处理和晶片W的搬送等得以实施。而且，这些程序被控制部6读出，由此，通过控制部6对抗蚀剂图案形成装置整体的作用进行控制。另外，该程序以收纳于例如软磁盘、硬盘、微型光盘、光磁盘、存储器卡等存储介质的状态存储在程序存储部。

图7是表示该控制部的结构的图，实际上由CPU(中央处理模块)、程序和存储器等构成，但是，在本发明中，由于其特征在于收纳有特急批次发生时的该特急批次的晶片W的载体的搬送，因此，这里使与此关联的结构要件的一部分模块化并进行说明。图7中，60是总线，该总线60与处理方案存储部61、处理方案选择部62、搬送计划存储部63、移载计划存储部64、特急批次处理控制部65、和搬送控制部66连接。

处理方案存储部61，存储有记录着例如晶片W的搬送路径的搬送处理方案和记录了对晶片W进行的处理条件等的多个处理方案。搬送计划存储部63，是存储搬送计划的机构，该搬送计划是基于上述搬送处理方案，将批次内的全部的晶片在哪个时刻搬送至哪个模块等内容的计划，例如按时间序列排列制作有对晶片分配顺序、将晶片的顺序与各模块进行对应并指定搬送循环的搬送循环数据。

移载计划存储部64存储有载体站2中的载体C的移载计划。这里，分别对上述交接用载置部211～214和退避用载置部221～228赋予地址，对载体C也分别赋予固有的ID，因此，在该移载计划，将载体C、与交接退避用载置部221～214和退避用载置部221～228按时间序列进行对应，按时间序列记载有将哪个载体C在哪个时刻移载至哪个载置部211～214、221～228。

特急批次处理控制部65，是对载体移载机构3和交接机构A1进行控制的机构，使得当优先进行处理的特急批次发生时，最优先地处理该特急批次的晶片。这里，特急批次是指，与先被搬入上述载体搬入部225、226却没有向上述处理区B2交接晶片的先行载体相比，更先地向上述处理区B2进行晶片交接的批次，收纳该特急批次的晶片的载体叫做特急载体。

因此，对载体移载机构3进行控制，使得当上述特急载体被搬入上述载体搬入部225、226时，如果上述晶片搬入部211、212的全部已被载体C占有，则将该载体的一个移载至上述退避用载置部22，由此，在变空的晶片搬入部211、212载置上述特急载体。

更具体而言，如图8所示，

(1)进行控制，使得当特急载体被载置于载体搬入部225(226)时，如果存在没有载置载体的晶片搬入部211、212，则立即将特急载体移载至该晶片搬入部211(212)。

(2)进行控制，使得当特急载体被载置于载体搬入部225(226)时，如果晶片搬入部211、212的全部已被载体占有，则载置于该晶片搬入部211、212的一个载体退避至退避用载置部22，由此将特急载体移载至变空的晶片搬入部211(212)。此时，如该实施方式所述那样，在多个晶片搬入部211、212已全部被载体占有的情况下，当其中一个载体正在进行晶片W的移出时，使没有在进行晶片W移出的载体立即退避至退避用载置部22。此外，在晶片搬入部为一个的情况下，进行控制，使得当载置于此的载体正在进行晶片W的移出时，在从该载体进行了全部晶片W的移出后，使该载体立即退避至退避用载置部22。

此外，对交接机构A1进行控制，使得当上述特急载体被载置于上述晶片搬入部211、212时，该特急载体的晶片比其他载体C更先移出。更具体而言，如图8所示，

(1)进行控制，使得当特急载体被载置于晶片搬入部211、212时，如果交接机构A1没有在进行来自其他载体的晶片的移出，则立即进行特急载体的晶片W的移出。

(2)进行控制，使得当特急载体被载置于晶片搬入部211、212时，如果交接机构A1正在进行来自其他载体的晶片的移出，则在从该载体进行了全部晶片W的移出后，优先从特急载体移出晶片。

上述搬送控制部66，是对载体移载机构3、交接机构A1、主臂A2、A3等进行控制的机构，参照搬送计划和移载计划来执行规定的搬送作业。

接着，对本实施方式的作用进行说明。首先，对一般的处理进行说明，在开始对作为基板的晶片W进行处理之前，操作者选择进行处理的批次、处理方案、搬送计划、和移载计划。由此，确定批次的处理顺序，根据该处理顺序，将晶片W从载体C向处理区B2移出，控制部6参照所选择的搬送计划和移载计划，向各部输出指示，按照所确定的顺序，将晶片移出至处理区B2，实行处理。

在该例中，对例如批次L1～批次L6，按照批次L1→批次L2→批次L3→批次L4→批次L5→批次L6的顺序进行处理。这里，由于在每个批次准备载体，因此，批次的处理顺序，分别与对应于批次的载体被搬入载体搬入部225、226的顺序、和上述载体被搬入晶片搬入部211、212的顺序对应。

因此，在载体区B1，首先，通过外部载体搬送机构200，从批次L1的载体C1起，按照批次L2的载体C2→批次L3的载体C3→批次L4的载体C4→批次L5的载体C5→批次L6的载体C6的顺序，依次被搬入载体搬入部225、226，然后，通过载体移载机构3，根据例如移载计划直接或通过暂存盒25内的其他的退避用载置部22，从上述载体C 1起，按照载体C2→载体C3→载体C4→载体C5→载体C6的顺序，将载体C1～C6依次移载至晶片搬入部211、212。

这样，首先，将载体C1移载至晶片搬入部211，打开盖体后，通过交接机构A1，接收载体C1内的晶片W1，移出至处理区B2。接着，通过载体移载机构3，将下一个载体C2移载至例如晶片搬入部212上，将载体C2的晶片W2移出至处理区B2。这样，按照载体C3→载体C4→载体C5→载体C6的顺序，将载体C移载至晶片搬入部211、212中的任一个，通过交接机构A1，依次向处理区B2移出，但是，此时，由于移出晶片W而变空的载体C被移载至预先由移载计划确定的、空的退避用载置部22，因此，将下一个载体搬入晶片搬入部211、212。

另一方面，在处理区B2，按照从载体区B1被移出的顺序，即从载体C1的晶片起，根据上述搬送计划，通过主臂A2、A3依次搬送至规定的模块。这里，在主臂A2、A3，如已述的那样，通过2个以上的保持臂，从下游侧的模块内的晶片起，依次逐个地向后面的模块移出替换，由此，形成与顺序大的晶片相比，顺序小的晶片更位于下游侧的模块中的状态，由此，实行1个循环(搬送循环)，在该循环结束后，移行至下一个循环，通过依次实行各循环，沿已述的路径，按照顺序将晶片依次搬送，进行规定的处理。

这样，处理已结束的载体C1的晶片，通过交接机构A1送回被置于晶片搬出部213、214的原来的载体C1内。这里，载体C1在载体站2内，通过载体移载机构3，根据移载计划沿晶片搬入部211→退避用载置部22→晶片搬出部213(214)的路径被移载。这样，载体C2～C6的晶片W，在处理结束后，依次被送回被移载至晶片搬出部213、214的原来的载体C2～C6内。

接着，参照图9～图12，对发生特急批次的情况进行说明。此外，图11、图12是从载体移载机构3一侧观看载体站2的图。在该情况下，操作者向对包括该抗蚀剂图案形成装置的多个装置进行控制的主机发出发生特急批次的指示，通过主机，确定将特急批次的特急载体搬入该抗蚀剂图案形成装置的顺序，并向该抗蚀剂图案形成装置的控制部6输出该载体的搬入顺序。例如如图9所示，在按照载体C1→载体C2→载体C3→载体C4→载体C5→载体C6的顺序，将载体从外部搬入载体搬入部225、226的情况下，以在载体C4和载体C5之间搬送特急载体E的情况为例进行说明。在该情况下，被搬入载体搬入部225(226)的载体的顺序，如图9所示那样，成为C1→C2→C3→C4→E→C5→C6。

然后，当特急载体E被搬入该载体搬入部225(226)(步骤S1)时，通过载体移载机构3，优先将特急载体E移载至晶片搬入部211(212)(步骤S2)。即，如图11(a)所示，如果存在没有载置载体C的晶片搬入部211，则将特急载体E移载至该晶片搬入部211(参照图11(b))。此外，如图12(a)所示，如果晶片搬入部211、212的全部已被载体C1、C2占有，则使该载体C1、C2中的任一个退避，将特急载体E移载至变空的晶片搬入部211、212。在该例中，由于从一个载体C1通过交接机构A1进行着晶片W的移出，因此，如图12(b)所示，使另一个载体C2退避至空的退避用载置部223，将特急载体E移载至变空的晶片搬入部212(参照图12(c))。

这样，当特急载体E被搬入晶片搬入部211(212)时，通过交接机构A1，优先进行来自特急载体E的晶片W的移出(步骤S3)。即，当特急载体E被载置于晶片搬入部211(212)时，如果交接机构A1没有在进行从其他的载体C移出晶片W，则立即从特急载体E进行晶片W的移出；当特急载体E被载置于晶片搬入部211(212)时，如果交接机构A1正在进行从其他的载体C移出晶片W，则当来自该载体的全部晶片W的移出结束后，立即进行从特急载体E移出晶片W。

这样，被移出至处理区B2的特急载体E的晶片W，按照向处理区B2移出的顺序，沿规定的搬送路径，在各模块之间被搬送，进行规定的处理(步骤S4)，处理后的晶片，被送回原来的特急载体E内(步骤S5)。这样，收纳处理后的晶片W的特急载体E，通过载体移载机构3，迅速地被移载至载体搬出部227(228)(步骤S6)，通过外部载体搬送机构200，从该抗蚀剂图案形成装置被搬出(步骤S7)，搬送至下个工序。

在该例中，特急载体E的晶片，在载体C1之后接着被移出至处理区B1，在该特急载体E之后，例如如图9所示，按照载体C2→载体C3→载体C4→载体C5→载体C6的顺序，将晶片移出至处理区B1，进行处理。因此，在该例中，特急载体E的晶片，与先被搬入上述载体搬入部225、226的载体C2～C4相比，更优先地被移载至晶片搬入部211、212；特急载体E内的晶片，与这些载体C2～C4内的晶片相比，更优先地向上述处理区B2移出，进行处理。

此时，将特急载体E的全部晶片通过交接机构A1移出至处理区B2后，如图11(c)或图13(a)所示，从下个处理顺序的载体C2起进行向处理区B2移出晶片，并且将该特急载体E移载至退避用载置部224。这样，如图13(a)～图14(b)所示，将载体C3～C6依次移载至晶片搬入部211、212，依次进行从这些载体C3～C6向处理区B2移出晶片。

在该情况下，根据处理区B2中的晶片W的处理结束的时刻，将与正在进行该处理的晶片W对应的载体也移载至晶片搬出部213、214，例如如图13(b)、(c)所示，根据特急载体E的晶片的处理结束的时刻，将特急载体E从退避用载置部224移载至晶片搬出部214。而且，将处理后的晶片被送回后的特急载体E，如图14(a)、(b)所示，移载至载体搬出部227，然后，通过外部载体搬送机构200搬送至下个工序。

这样的载体移载机构3和交接机构A1的控制，在将例如发生特急载体的情况从主机输出至该涂敷显影装置的控制部6，特急载体E被搬入载体搬入部225、226之前，通过修改上述移载计划、搬送计划而进行。

即，由于了解特急载体E的搬入顺序，因此，基于特急载体E被搬入之前的一般的处理的移载计划、搬入计划，对特急载体E被搬入载体搬入部225、226的时刻的载体站2内的载体的载置状况进行把握，如已述那样，特急载体被优先搬入晶片搬入部211、212，此外，修改移载计划，使得特急载体暂时退避至退避用载置部22后，在处理后的特急载体的晶片被送回的时刻，被移载至晶片搬入部211、212，并且，对搬送计划进行修改，使得特急载体内的晶片被优先向处理区B2移出。

然后，当特急载体E被搬入载体搬入部225、226时，根据已修改的移载计划和搬送计划，通过载体移载机构3、交接机构A1、和主臂A2、A3，进行载体的移载作业和晶片的搬送。

此外，也可以不修改移载计划，而基于赋予给上述交接用载置部21和退避用载置部22的地址、来自设置于这些载置部的检测载体C的有无传感器232的信息、和赋予给载体C的ID，判断在晶片搬入部211、212是否有载体C、哪个退避用载置部22为空，从而进行特急载体和载体C的移载。

根据这样的实施方式，在载体站2，设置有暂时保管载体C的暂存盒25，在暂存盒25，排列有多个载体C的载置部，该载置部兼用作使载体C退避的退避用载置部22，因此，提高了暂存盒25的利用价值。即，在发生相对其他批次优先进行处理的特急批次的情况下，当上述特急批次的特急载体E被搬入载体区B1的载体搬入部225、226时，如果晶片搬入部211、212的全部已被载体占有，则将该载体移载至退避用载置部22，由此，能够使上述特急载体E载置于变空的晶片搬入部211、212。因此，能够仅花费很短的待机时间，就将特急载体E移载至晶片搬入部211、212，从而能够将特急载体E的晶片迅速地交接至处理区B2，因此能够缩短该特急载体E的晶片等待处理开始的待机时间。

进而，在发生特急载体E的情况下，也通过将晶片的移出已结束的特急载体E、载体C1～C6移载至退避用载置部22，从而能够将特急载体E、其他载体C1～C6依次移载至晶片搬入部211、212，依次进行晶片的移出，因此，能够向处理区B2迅速地供给晶片W，从而能够抑制处理量的降低。

进而，特急载体E，在晶片的移出结束后，被移载至退避用载置部22，在将处理后的晶片W送回该特急载体E的时刻，又被移载至晶片搬出部213、214，因此，处理后的晶片W迅速地被回收于特急载体E。此外，收纳该已处理的晶片的特急载体E，被迅速地移载至载体搬出部226、227，因此，通过外部载体搬送机构200，顺利地搬送至下次工序。

本发明能够应用于除了对半导体晶片进行处理之外还能对液晶显示器用的玻璃基板(LCD基板)等基板进行处理的抗蚀剂图案形成装置。此外，载体移载机构3的形状，不限于上述的结构。进而，暂时保管载体的保管部(暂存盒)的结构，也不限于上述的例子，也可以在交接台24的下方侧设置载体用的载置部，或者以与交接台24相对的方式设置载体用的载置部。此外，在该保管部的载置部，暂时保管收纳有未处理的晶片W的载体C、收纳有已处理的晶片W的载体、空的载体等，但是，无需将全部的载置部均用作退避用载置部。

进而，此外，也可以使交接用载置部兼用作从载体区B1向处理区B2移出晶片W时所使用的载置部、和从处理区B2向载体区B1送回晶片W时所使用的载置部，通过交接机构A1访问的交接用载置部的个数被适当选择。

进而，此外，本发明的基板处理装置，也能够应用于立式热处理装置、其他对多个晶片进行批处理类的清洗装置。

Claims (6)

1.一种基板处理装置，具备用于对收纳多个基板的载体进行载置并且按照每个载体准备的交接用载置部，对通过交接机构从载置于该交接用载置部的载体被移出的基板进行处理后，通过所述交接机构将该基板送回所述交接用载置部上的原来的载体，所述基板处理装置的特征在于，在装置中包括：

多个退避用载置部，为了载置所述载体而与所述交接用载置部分别设置；

搬入用载置部，为了将所述载体从外部搬入到该基板处理装置而与所述交接用载置部分别设置；

载体移载机构，在这些交接用载置部、退避用载置部和搬入用载置部之间进行所述载体的移载；

对载体移载机构进行控制的控制机构，其对载体移载机构进行控制，使得：通常根据被搬入所述搬入用载置部的载体的搬入顺序将这些载体直接或通过退避用载置部依次移载至所述交接用载置部，当收纳有优先进行处理的特急批次的基板的特急载体被搬入所述搬入到用载置部时，如果所述交接用载置部的全部已被载体占有，则将该载体的一个移载至所述退避用载置部，在由此而变空的交接用载置部载置所述特急载体；

对所述交接结构进行控制的控制机构，其对所述交接结构进行控制，使得：平时根据载置于所述交接用载置部的载体的搬入顺序将基板从载体移出，当所述特急载体被载置于所述交接用载置部时，比其他的载体更先移出该特急载体的基板。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述对载体移载机构进行控制的控制机构，对所述载体移载机构进行控制，使得当所述特急载体被搬入到所述搬入用载置部时，如果所述交接用载置部为空，则立即将该特急载体载置于该交接用载置部。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于：

所述对载体移载机构进行控制的控制机构，对所述载体移载机构进行控制，使得当所述交接用载置部为多个、而所述特急载体被搬入所述搬入搬出用载置部时，如果这些所述交接用载置部的全部已被载体占有，并且在这些载体中存在由所述交接机构正在进行基板移出的载体，则将该载体以外的载体移载至所述载置部。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

所述对交接机构进行控制的控制机构，对所述交接机构进行控制，使得：当所述特急载体被搬入到所述交接用载置部时，如果没有正在从其他的载体移出基板，则优先进行来自该特急载体的基板的移出；当所述特急载体被搬入所述交接用载置部时，如果正在从其他的载体移出基板，则在从该载体的全部的基板的移出结束后，优先进行从所述特急载体移出基板。

5.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

具备用于暂时保管所述多个载体的保管部，所述退避用载置部兼用作设置于该保管部的所述载体的载置部。

6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：

具备对通过交接机构从所述载体被移出的基板进行处理的处理区，

该处理区，为了对所述基板形成涂敷膜并且对曝光后的基板进行显影，包括对基板进行处理或者载置基板的多个模块、和在这些多个模块之间进行基板的搬送的基板搬送机构。

Images