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JP2005152970A - レーザー加工装置 - Google Patents

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JP2005152970A
JP2005152970A JP2003396960A JP2003396960A JP2005152970A JP 2005152970 A JP2005152970 A JP 2005152970A JP 2003396960 A JP2003396960 A JP 2003396960A JP 2003396960 A JP2003396960 A JP 2003396960A JP 2005152970 A JP2005152970 A JP 2005152970A
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laser
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workpiece
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JP2003396960A
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Kentaro Iizuka
健太呂 飯塚
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Disco Corp
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Disco Abrasive Systems Ltd
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Abstract

【課題】被加工物の表面に平行に形成された複数のストリートに対して同時にレーザー光線を照射することにより生産性を向上することができるレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】チャックテーブル36と、レーザー光線照射手段5と、チャックテーブル36とレーザー光線照射手段5を加工送り方向に相対移動する加工送り手段37と、チャックテーブル36と該レーザー光線照射手段5を加工送り方向と直角な割り出し送り方向に相対移動する割り出し送り手段38とを具備するレーザー加工装置であって、レーザー光線照射手段5は、レーザー光線発振手段と、所定の間隔をもって配設された複数の対物集光レンズ54を備えレーザー光線発振手段が発したレーザー光線を複数の対物集光レンズ54を通して被加工物に照射するレーザーヘッド55と、複数の対物集光レンズの割り出し方向における光軸間距離を調整するための光軸間距離調整手段とを具備している。
【選択図】図1

Description

本発明は、表面に複数の加工予定ラインが平行に形成された板状物にレーザー光線を照射して所定の加工を施すレーザー加工装置に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路(素子)を形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のストリートに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。
しかるに、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは20μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画するストリートとしては幅が50μm程度必要となる。このため、例えば大きさが300μm×300μm程度のデバイスの場合には、ストリートが占める面積比率が大きく、生産性が低いという問題がある。
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものであり、ストリートの幅を小さくすることが可能となる。(例えば、特許文献1参照。)
特開平2002−192370号公報
而して、被加工物の内部にストリートに沿って形成する変質層の厚さは被加工物の厚さに対する割合が大きい程望ましく、被加工物の一方の面から他方の面に渡って変質層が形成されることがより好ましい。しかるに、1回のレーザー光線の照射によって形成することができる変質層の厚さは20〜30μm程度であり、被加工物の一方の面から他方の面に渡って変質層を形成するためには同一のストリートに対してレーザー光線の集光点を段階的に変位させてレーザー光線照射工程を複数回実施する必要があり、生産性の面で必ずしも満足し得るものではない。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物の表面に平行に形成された複数のストリートに対して同時にレーザー光線を照射することにより生産性を向上することができるレーザー加工装置を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対移動する加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を該加工送り方向と直角な割り出し送り方向に相対移動する割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
該レーザー光線照射手段は、レーザー光線発振手段と、所定の間隔をもって配設された複数の対物集光レンズを備え該レーザー光線発振手段が発したレーザー光線を該複数の対物集光レンズを通して被加工物に照射するレーザーヘッドと、該複数の対物集光レンズの該割り出し方向における光軸間距離を調整するための光軸間距離調整手段とを具備している、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。
上記レーザーヘッドは上記チャックテーブルの保持面に対して平行な面内で回動可能に構成されており、上記光軸間距離調整手段はレーザーヘッドを所定角度回動することにより複数の対物集光レンズの割り出し方向における光軸間距離を調整する。上記光軸間距離調整手段は、レーザーヘッドに装着された環状の被駆動歯車と、該被駆動歯車と噛み合う駆動歯車を装着したパルスモータとを具備している。
また、上記レーザーヘッドは、上記レーザー光線発振手段が発したレーザー光線を複数の対物集光レンズに向けて分光する分光手段を備えている。
本発明においては、被加工物にレーザー光線を照射するレーザーヘッドは複数の集光器を備えているので、被加工物に形成された複数のストリートに沿って同時にレーザー加工を施すことができ、生産性を向上することができる。また、複数の集光器の割り出し方向における光軸間距離は光軸間距離調整手段によって調整することができるため、ストリートの間隔が異なる種々の被加工物にも対応することができる。
以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図1に示されたレーザー加工装置は、静止基台2と、該静止基台2に矢印Xで示す加工送り方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に上記矢印Xで示す方向と直角な矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構4と、該レーザー光線ユニット支持機構4に矢印Zで示す方向に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット5とを具備している。
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に矢印Xで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール31、31と、該案内レール31、31上に矢印Xで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック32と、該第1の滑動ブロック32上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された第2の滑動ブロック33と、該第2の滑動ブロック33上に円筒部材34によって支持された支持テーブル35と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル36を具備している。このチャックテーブル36は、多孔性材料から形成され被加工物保持面361aを備えた吸着チャック361を具備しており、吸着チャック361上に板状の被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。また、チャックテーブル36は、円筒部材34内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。
上記第1の滑動ブロック32は、その下面に上記一対の案内レール31、31と嵌合する一対の被案内溝321、321が設けられているとともに、その上面に矢印Yで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール322、322が設けられている。このように構成された第1の滑動ブロック32は、被案内溝321、321が一対の案内レール31、31に嵌合することにより、一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第1の滑動ブロック32を一対の案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動させるための加工送り手段37を具備している。加工送り手段37は、上記一対の案内レール31と31の間に平行に配設された雄ネジロッド371と、該雄ネジロッド371を回転駆動するためのパルスモータ372等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド371は、その一端が上記静止基台2に固定された軸受ブロック373に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ372の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド371は、第1の滑動ブロック32の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ372によって雄ネジロッド371を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック32は案内レール31、31に沿って矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられる。
上記第2の滑動ブロック33は、その下面に上記第1の滑動ブロック32の上面に設けられた一対の案内レール322、322と嵌合する一対の被案内溝331、331が設けられており、この被案内溝331、331を一対の案内レール322、322に嵌合することにより、矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構3は、第2の滑動ブロック33を第1の滑動ブロック32に設けられた一対の案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動させるための第1の割り出し送り手段38を具備している。第1の割り出し送り手段38は、上記一対の案内レール322と322の間に平行に配設された雄ネジロッド381と、該雄ネジロッド381を回転駆動するためのパルスモータ382等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド381は、その一端が上記第1の滑動ブロック32の上面に固定された軸受ブロック383に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ382の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド381は、第2の滑動ブロック33の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ382によって雄ネジロッド381を正転および逆転駆動することにより、第2の滑動ブロック33は案内レール322、322に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
上記レーザー光線照射ユニット支持機構4は、静止基台2上に矢印Yで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール41、41と、該案内レール41、41上に矢印Yで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された可動支持基台42を具備している。この可動支持基台42は、案内レール41、41上に移動可能に配設された移動支持部421と、該移動支持部421に取り付けられた装着部422とからなっている。装着部422は、一側面に矢印Zで示す方向に延びる一対の案内レール423、423が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構4は、可動支持基台42を一対の案内レール41、41に沿って割り出し送り方向である矢印Yで示す方向に移動させるための第2の割り出し送り手段43を具備している。第2の割り出し送り手段43は、上記一対の案内レール41、41の間に平行に配設された雄ネジロッド431と、該雄ねじロッド431を回転駆動するためのパルスモータ432等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド431は、その一端が上記静止基台2に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ432の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド431は、可動支持基台42を構成する移動支持部421の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ432によって雄ネジロッド431を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台42は案内レール41、41に沿って矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
図示の実施形態のおけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51と、該ユニットホルダ51に取り付けられたレーザー光線照射手段52を具備している。ユニットホルダ51は、上記装着部422に設けられ上記チャックテーブル36の被加工物保持面361aに対して垂直な方向(矢印Zで示す方向)に延びる一対の案内レール423、423に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝511、511が設けられており、この被案内溝511、511を上記案内レール423、423に嵌合することにより、チャックテーブル36の被加工物保持面361aに対して垂直な矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。
図示のレーザー光線照射手段52は、上記ユニットホルダ51に固定され実質上水平に延出する円筒形状のケーシング521を含んでいる。ケーシング521内には図2に示すようにパルスレーザー光線発振手段522と伝送光学系523とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段522は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器522aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段522bとから構成されている。伝送光学系523は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。また、図示のレーザー光線照射手段52は、上記伝送光学系523を介して伝達されたレーザー光線を被加工物に照射する集光手段53を具備している。この集光手段53は、組レンズ機構54と該組レンズ機構54に接続して配設されたレーザーヘッド55とからなっている。組レンズ機構54は、組レンズから構成される集光レンズ(図示せず)を収容したレンズホルダー541(図3参照)を備えており、このレンズホルダー541が上記ケーシング521の先端部に装着されている。
レーザーヘッド55は、図3および図4に示すように上記レンズホルダー541の底壁542に装着されるヘッドケース56を具備している。このヘッドケース56は円筒状に形成され、上壁561と底壁562および周壁563とからなっている。上壁561の中心部には、上記組レンズ機構54から送られるレーザー光線を通す開口561aが設けられている。また、上壁561には開口561aの周縁から上方に突出して設けられた円筒状に被支持部561bが設けられており、該被支持部561bの外周に軸受560が装着されている。この軸受560を介して上記レンズホルダー541の底壁542に設けられた支持部543に装着することにより、ヘッドケース56は上記チャックテーブル36の被加工物保持面361aに対して平行な面内で回動可能に支持される。ヘッドケース56を構成する底壁562には、中心を通る直線上に所定の間隔をおいて複数(図示の実施形態においては4個)のレンズ装着穴562a、562b、562c、562dが設けられている。なお、図示の実施形態においては、レンズ装着穴562bは上記上壁561に設けられた開口561aの直下位置に設けられている。このレンズ装着穴562a、562b、562c、562dには、それぞれ対物集光レンズ57a、57b、57c、57dが装着されている。
このように構成されたヘッドケース56内には、上壁561に設けられた開口561aを通して入光されるレーザー光線を上記複数(図示の実施形態においては4個)の対物レンズ57a、57b、57c、57dに向けて分光する分光手段58が配設されている。この分光手段58は、上記開口561aの下側に配設された第1のハーフミラー581と、該第1のハーフミラー581と同一高さ位置において上記対物集光レンズ57c直上位置に配設された第2のハーフミラー582と、該第2のハーフミラー582と同一高さ位置において上記対物集光レンズ57d直上位置に配設された第1のミラー583と、上記第1のハーフミラー581と対物集光レンズ57bとの間に配設された第3のハーフミラー584と、該第3のハーフミラー584と同一高さ位置において上記対物集光レンズ57aの直上位置に配設された第2のミラー585とからなっている。このように構成された分光手段58は、ヘッドケース56の上壁561に設けられた開口561aを通して入光されるレーザー光線を上記各ハーフミラーおよび各ミラーによって4分の1(1/4)に分光され上記各対物集光レンズ57a、57b、57c、57dに送られる。
上記パルスレーザー光線発振手段522から発振されたレーザー光線は、伝送光学系523および組レンズ機構54を介してレーザーヘッド55に至り、該レーザーヘッド55の上記各対物集光レンズ57a、57b、57c、57dから上記チャックテーブル36に保持される被加工物に所定の集光スポット径Dで照射される。この集光スポット径Dは、図5に示すようにガウス分布を示すパルスレーザー光線が対物集光レンズ57(a、b、c、d)を通して照射される場合、D(μm)=4×λ×f/(π×W)、ここでλはパルスレーザー光線の波長(μm)、Wは対物集光レンズ57(a、b、c、d)に入射されるパルスレーザー光線の直径(mm)、fは対物集光レンズ57(a、b、c、d)の焦点距離(mm)、で規定される。
図3および図4に戻って説明を続けると、図示のレーザー光線照射手段52は、上記各対物集光レンズ57a、57b、57c、57dの割り出し方向(図1において矢印Yで示す方向)における光軸間距離を調整するための光軸間距離調整手段59を具備している。光軸間距離調整手段59は、上記レンズホルダー541に装着されたパルスモータ591と、該パルスモータ591の駆動軸591aに装着された駆動歯車592と、上記ヘッドケース56の周壁563の外周面に装着され上記駆動歯車592と噛み合う環状の被駆動歯車593とからなっている。このように構成された光軸間距離調整手段59は、パルスモータ591を駆動すると駆動歯車592および被駆動歯車593を介してヘッドケース56を回動する。ここで、上記各対物集光レンズ57a、57b、57c、57dの割り出し方向における光軸間距離の調整について図6および図7を参照して説明する。図6に示すようにヘッドケース56に配設された上記各対物集光レンズ57a、57b、57c、57dが矢印Yで示す割り出し方向と平行に位置付けられている状態においては、各レンズの割り出し方向Yの光軸間距離がL1で最も長い。図6で示す状態から光軸間距離調整手段59を作動して図7で示すようにヘッドケース56を矢印で示す方向に所定角度(θ)回動すると、ヘッドケース56に配設された上記各対物集光レンズ57a、57b、57c、57dの割り出し方向Yの光軸間距離はL2となり、上記L1より短くなる。従って、ヘッドケース56の回動角度を適宜設定することにより対物集光レンズ57a、57b、57c、57dの割り出し方向Yの光軸間距離を調整することができる。
図1に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段52を構成するケーシング521の前端部には、撮像手段6が配設されている。この撮像手段6は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット5は、ユニットホルダ51を一対の案内レール423、423に沿って矢印Zで示す方向に移動させるための集光点位置調整手段60を具備している。集光点位置調整手段60は、一対の案内レール423、423の間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ602等の駆動源を含んでおり、パルスモータ602によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ51およびレーザ光線照射手段52を案内レール423、423に沿って上記チャックテーブル36の被加工物保持面361aに対して垂直な矢印Zで示す方向に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ602を正転駆動することによりレーザビーム照射手段52を上方に移動し、パルスモータ602を逆転駆動することによりレーザビーム照射手段52を下方に移動するようになっている。従って、集光点位置調整手段53は、ケーシング521の先端に取り付けられたレーザーヘッド55から照射されるレーザー光線の集光点位置を調整することができる。
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下図8に示す半導体ウエーハ10を加工する動作について主に図1を参照して説明する。
図8に示す半導体ウエーハ10は、シリコンウエーハからなる半導体基板の表面10aに格子状に配列された複数のストリート101によって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路102が形成されている。このような半導体ウエーハ10をストリート101に沿ってレーザー加工するには、上記レーザー光線照射手段52を構成するレーザーヘッド55のヘッドケース56に配設された対物集光レンズ57a、57b、57c、57dの間隔を半導体ウエーハ10のストリート101の間隔(設計値の寸法)と一致するように上記光軸間距離調整手段59によって調整しておく。上記半導体ウエーハ10は、裏面10bを上側にしてチャックテーブル36上に載置され吸引保持される。半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37の作動により案内レール31、31に沿って移動せしめられレーザー光線照射ユニット5に配設された撮像手段6の直下に位置付けられる。
チャックテーブル36が撮像手段6の直下に位置付けられると、撮像手段6および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段6および制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されているストリート101と、ストリート101に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射ユニット5を構成するレーザーヘッド55のヘッドケース56に配設された対物集光レンズ57a、57b、57c、57dとの位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ10に形成されている上記所定方向に対して直角に延びるストリート101に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ10のストリート101が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段6が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面10bから透かしてストリート101を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル36上に保持されている半導体ウエーハ10に形成されているストリート101を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル36をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段52を構成するレーザーヘッド55の対物集光レンズ57a、57b、57c、57dが位置するレーザー光線照射領域に移動し、図9に示すように半導体ウエーハ10に形成されている所定のストリート101の一端(図9において左端)に位置付ける。次に、レーザー光線照射手段52を作動し、レーザーヘッド55の対物集光レンズ57a、57b、57c、57dから透過性を有するパルスレーザー光線を照射しつつ図10の(a)で示すようにチャックテーブル36即ち半導体ウエーハ10を矢印X1で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる。そして、図10の(b)で示すようにレーザーヘッド55の対物レンズ57a、57b、57c、57dの照射位置がストリート101の他端(図10の(b)において右端)の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル36即ち半導体ウエーハ10の移動を停止する。このレーザー光線照射工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pをウエーハ10の表面10a(下面)付近に合わせることにより、表面10a(下面)から内部に向けて変質層110が形成される。このように、図示の実施形態においては、レーザーヘッド55の4個の対物集光レンズ57a、57b、57c、57dから照射されるパルスレーザー光線によって加工するので、ウエーハ10の内部には4本のストリート101に沿って同時に変質層110を形成することができ、生産性を向上することができる。また、図示の実施形態においては、レーザーヘッド55はパルスレーザー光線発振手段522が発したレーザー光線を複数の対物集光レンズ57a、57b、57c、57dに向けて分光する分光手段58を備えているので、レーザー光線発振手段が1個でよく、装置の小型化が図れるとともに、安価なレーザー加工装置を得ることができる。
なお、上記レーザー光線照射工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
レーザー ;Nd:YVO4 パルスレーザー
波長 ;1064nm
パルスエネルギー ;40μJ
繰り返し周波数 :100kHz
パルス幅 ;25ns
集光スポット径 ;φ1μm
集光点のピークパワー密度;2.0×10E11W/cm
加工送り速度 ;100mm/秒
なお、半導体ウエーハ10の厚さが厚い場合には、図11に示すように集光点Pを段階的に変えて上述したレーザー光線照射工程を複数回実行することにより、半導体ウエーハ10の内部に分割予定ライン101に沿って表面2aから裏面2bに渡って変質層110を形成する。
上述したように所定の4本のストリート101に沿ってレーザー光線照射工程を実行したら、チャックテーブル36従ってこれに保持されている半導体ウエーハ10を矢印Yで示す割り出し送り方向にストリート101の間隔の4倍に相当する量を割り出し送りし(割り出し送り工程)、上記レーザー光線照射工程を遂行する。このようにして所定方向に延在する全てのストリート101についてレーザー光線照射工程および割り出し送り工程を遂行したならば、チャックテーブル36従ってこれに保持されている半導体ウエーハ10を90度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる方向に形成されている各ストリート101に沿って上記レーザー光線照射工程および割り出し送り工程を実行することにより、半導体ウエーハ10の全てのストリート101に変質層110を形成することができる。
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。上述した実施形態においては波長が1064nmのレーザー光線を用いた例を示したが、例えばウエーハの表面に低誘電率絶縁体被膜(Low−k膜)が形成されている場合にLow−k膜をストリートに沿って除去する加工においては、レーザー光線の波長は355nmが選択される。また、上述した実施形態においては分光手段によってレーザー光線発振手段が発したレーザー光線を4つに分光する例を示したが、これに限るものではない。
本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。 図1に示すレーザー加工装置に装備されるレーザ光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。 図1に示すレーザー加工装置に装備されるレーザ光線照射手段を構成する集光手段の斜視図。 図3に示す集光手段を構成するレーザーヘッドの断面図。 パルスレーザー光線の集光スポット径を説明するための簡略図。 図3に示すレーザーヘッドに配設された複数の対物集光レンズの割り出し方向の光軸間距離を示す説明図。 図3に示すレーザーヘッドに配設された複数の対物集光レンズの割り出し方向の光軸間距離を変更した状態を示す説明図。 被加工物としての半導体ウエーハの斜視図。 図3に示すレーザーヘッド複数の対物集光レンズの位置に被加工物に形成されたストリートを位置付けた状態を示す説明図。 図1に示すレーザー加工装置のチャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線商社工程を実施している状態を示す説明図。 被加工物の内部に変質層を積層して形成した状態を示す説明図。
符号の説明
2:静止基台
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:第1の割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット支持機構
5:レーザー光線照射ユニット
51:ユニットホルダ
52:レーザー光線照射手段
522:パルスレーザー光線発振手段
523:伝送光学系
53:集光手段
54:組レンズ機構
541:レンズホルダー
55:レーザーヘッド
56:ヘッドケース
57a、57b、57c、57d:対物集光レンズ
58:分光手段
59:光軸間距離調整手段
60:集光点位置調整手段
10:半導体ウエーハ(被加工物)

Claims (4)

  1. 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対移動する加工送り手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段を該加工送り方向と直角な割り出し送り方向に相対移動する割り出し送り手段と、を具備するレーザー加工装置において、
    該レーザー光線照射手段は、レーザー光線発振手段と、所定の間隔をもって配設された複数の対物集光レンズを備え該レーザー光線発振手段が発したレーザー光線を該複数の対物集光レンズを通して被加工物に照射するレーザーヘッドと、該複数の対物集光レンズの該割り出し方向における光軸間距離を調整するための光軸間距離調整手段とを具備している、
    ことを特徴とするレーザー加工装置。
  2. 該レーザーヘッドは該チャックテーブルの該保持面に対して平行な面内で回動可能に構成されており、該光軸間距離調整手段はレーザーヘッドを所定角度回動することにより該複数の対物集光レンズの該割り出し方向における光軸間距離を調整する、請求項1記載のレーザー加工装置。
  3. 該光軸間距離調整手段は、該レーザーヘッドに装着された環状の被駆動歯車と、該被駆動歯車と噛み合う駆動歯車を装着したパルスモータとを具備している、請求項2記載のレーザー加工装置。
  4. 該レーザーヘッドは、該レーザー光線発振手段が発したレーザー光線を該複数の対物集光レンズに向けて分光する分光手段を備えている、請求項1から3のいずれかに記載のレーザー加工装置。
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