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JP2004343571A - Piezoelectric vibration device - Google Patents

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Publication number
JP2004343571A
JP2004343571A JP2003139672A JP2003139672A JP2004343571A JP 2004343571 A JP2004343571 A JP 2004343571A JP 2003139672 A JP2003139672 A JP 2003139672A JP 2003139672 A JP2003139672 A JP 2003139672A JP 2004343571 A JP2004343571 A JP 2004343571A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
piezoelectric
package
auxiliary support
silicone resin
vibrating element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003139672A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiromasa Ishihara
宏征 石原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daishinku Corp
Original Assignee
Daishinku Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daishinku Corp filed Critical Daishinku Corp
Priority to JP2003139672A priority Critical patent/JP2004343571A/en
Publication of JP2004343571A publication Critical patent/JP2004343571A/en
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  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

【課題】耐衝撃性を向上させるとともに、超小型化に対応しかつ効率よく製造することのできる圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】電子部品用パッケージ1は、アルミナ等のセラミックスからなるパッケージ本体に必要な電極が形成されたセラミックパッケージ構成であり、全体として直方体形状で、断面で見て凹形の電子部品素子収納部1aを有している。電子部品用パッケージ1の内部接続電極非形成側(長辺方向他端)には、膜状に形成されたシリコーン樹脂からなり、平面で見て楕円形状の補助支持部4が形成されている。
【選択図】 図1
[PROBLEMS] To provide a piezoelectric vibration device capable of improving impact resistance, responding to miniaturization, and being efficiently manufactured.
An electronic component package (1) has a ceramic package configuration in which necessary electrodes are formed on a package body made of ceramics such as alumina, and has a rectangular parallelepiped shape as a whole, and a recessed electronic component element housing when viewed in cross section. It has a portion 1a. On the side of the electronic component package 1 where the internal connection electrodes are not formed (the other end in the long side direction), an auxiliary support portion 4 made of a silicone resin formed in a film shape and having an elliptical shape in a plan view is formed.
[Selection diagram] Fig. 1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は電子機器等に用いられる水晶振動子、水晶発振器等の圧電振動デバイスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
圧電振動デバイスは、例えば内部配線の施されたセミックパッケージに、励振電極形成された水晶振動素子を格納し、これを気密的に収納した水晶振動子構成がよく採用されている。最近の水晶振動子は超小型化が急速に進み、パッケージ内部に収納される水晶振動素子も超小型化が進んでいる。このような超小型の水晶振動素子は例えばATカット水晶板でかつ平面視長方形状のものが汎用されているが、その振動領域を確保するために長方形状の長辺方向の一端のみを支持領域として用い、他端は自由端とすることが多かった。また前記圧電振動素子に一対の振動腕とこれを連結する基部とからなる音叉型水晶振動素子を用いた場合も、前記基部を支持領域とし、振動腕側を自由端とする構成が一般的に用いられている。
【0003】
このような片持ち支持構成においては、パッケージも受けられた電極接続部に導電性接合材で接合する際に、水晶振動素子の自由端側がパッケージ本体の内部底面に接するよう斜めに傾き、当該内部底面と平行に片持ち支持できないことがあった。このような不具合を解決するために、特開平3−88373号(特許文献1)においては、圧電片の自由端側となる他端部の下方に枕材を設けた構成が提案されている。特開平3−88373号においては、絶縁性の底板と、この底板の一側板面に設けた少なくとも一対の保持電極と、板面に形成した励振電極を一端部に導出してこの導出端を上記保持電極に導電接着剤で固着するとともに電気的に導通させた圧電片と、この圧電片の他端部に対応して上記底板の一側面に設けた枕部材とを有する構成であり、この枕材により自由端側の変位を抑制することができるという効果を得ていた。
【0004】
しかしながら、特開平3−88373号において上記枕材は例えばメタライズ処理等により形成されたものが開示されているが、このような構成は堅く、弾性による緩衝機能を有しないものであった。このため外部から圧電振動子に対して大きな衝撃が加えられたとき、当該衝撃を枕材が吸収しきれないため、水晶振動素子が破損することがあった。
【0005】
また最近は超小型に呼応して超薄型化も進んでおり、枕材も薄型化が求められている。特に水晶振動素子の支持において自由端を形成するために電極接続部の厚さよりも薄い枕材が必要となるが、このような構成を積層技術により製造するには精緻な製造が必要であった。
【0006】
【特許文献1】
特開平3−88373号
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、耐衝撃性を向上させるとともに、超小型化に対応しかつ効率よく製造することのできる圧電振動デバイスを提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は圧電振動素子の一端を保持する導電接合材と圧電振動素子の他端の下方に位置する補助接続部を構成する母材にシリコーン樹脂を用いたことを特徴としており、次のような構成により実現することができる。
【0009】
請求項1による圧電振動デバイスは、絶縁材料からなる平面視長方形のパッケージ本体と、パッケージ本体の長辺方向一端側に並列して形成された複数の電極接続部と、前記電極接続部に導電性接合材により一端側を片持ち支持される励振電極形成された圧電振動素子と、前記圧電振動素子の他端側の下方であって、パッケージ本体の長辺方向他端側に形成された緩衝機能を有する補助支持部とを具備し、前記導電性接合材と補助支持部の母材がシリコーン樹脂からなることを特徴としている。
【0010】
導電性接合材はシリコーン樹脂を母材として、接着部位への接着材の供給が容易で、かつ供給後の取扱いに優れた粘性、チクソ性を有するように結合材等を添加するとともに、金属片あるいは金属粒等の導電フィラーを添加することににより得られる。また補助支持部はシリコーン樹脂の母材のみを塗布する。このシリコーン樹脂は重合度、側基の種類、橋かけの程度などによって液状、グリース状、ゴム状、樹脂状のものに調整することができ、また添加剤によっても特性を調整することができるが、このような調整により補助支持部の高さ並びに形状を調整することができる。
【0011】
上記構成によれば、補助支持部に緩衝機能を有するシリコーン樹脂を用いているため、圧電振動デバイスに衝撃が加わり、内部の圧電振動素子の自由端がパッケージ本体に強く当たった場合でも、シリコーン樹脂の緩衝機能により、圧電振動デバイスが破損したり、あるいは圧電振動デバイスに形成された電極材料の一部が剥がれることが無くなる。これにより、上記破損や剥がれによる周波数等の特性が変動するという不具合の発生が無くなった。
【0012】
また導電接合材と補助支持部との母材に同じシリコーン樹脂を用いることにより、樹脂の基本特性、例えば硬化条件、あるいは含有する不要なガスの排出条件等を概ね等しく扱うことができる。従って、余分な製造工程を必要とせず、特性の安定したコスト安の圧電振動デバイスを得ることができる。
【0013】
請求項2は、請求項1の構成を基本として、前記圧電振動素子が一対の振動腕とこれを連結する基部とからなる音叉形圧電振動素子であり、前記各振動腕の自由端の先端部分に周波数調整用の金属膜領域を形成するとともに、前記基部にて前記電極接続部と接合する片持ち支持構成において、少なくとも前記金属膜領域の下方に前記補助支持部が形成されている構成を開示している。
【0014】
音叉型振動子はその振動腕部自由端の先端部分に周波数調整用の金属膜領域が設けられている。従来においては外部衝撃により当該自由端がパッケージに接触した場合、その金属膜が剥がれることがあった。特に周波数調整用の金属膜は、その調整範囲を大きく取ることができるよう、付加された質量としては比較的大きく、剥がれた場合は大きな特性変動につながることがあった。請求項2においては、緩衝機能を有する補助支持部にシリコーン樹脂を用いているため、圧電振動デバイスに衝撃が加わり、内部の圧電振動素子の自由端がパッケージ本体に強く当たった場合でも、シリコーン樹脂の緩衝機能により、圧電振動デバイスが破損したり、あるいは圧電振動デバイスに形成された電極材料の一部が剥がれることが無くなる。これにより、上記破損や剥がれによる周波数等の特性が変動するという不具合の発生が無くなった。
【0015】
請求項3は、リッド側にも緩衝部を設けた構成であり、請求項1または2記載の圧電振動デバイスにおいて、圧電振動素子の他端側の上方に位置するリッド部分に、シリコーン樹脂からなる緩衝部を形成した構成である。
【0016】
請求項3によれば、リッド側に導電性接合材と同じ母材のシリコーン樹脂からなる緩衝部を形成しているので、パッケージ本体あるいはリッドに強く当たった場合でも、シリコーン樹脂の緩衝機能により、圧電振動デバイスが破損したり、あるいは圧電振動デバイスに形成された電極材料の一部が剥がれることが無くなる。これにより、上記破損や剥がれによる周波数等の特性が変動するという不具合の発生が無くなった。また導電接合材と補助支持部との母材に同じシリコーン樹脂を用いることにより、樹脂の基本特性、例えば硬化条件、あるいは含有する不要なガスの排出条件等を概ね等しく扱うことができる。従って、余分な製造工程を必要とせず、特性の安定したコスト安の圧電振動デバイスを得ることができる。
【0017】
さらに請求項4に示すように、請求項1または2または3記載の圧電振動デバイスにおいて、補助支持部がシリコーン樹脂のみからなる膜状構成としてもよい。発明者が圧電振動素子として音叉型水晶振動素子を用いて鋭意耐衝撃性試験を行った結果、シリコーン樹脂の厚さは20μm以上あれば緩衝機能を得るという結果を得た。検証実験に用いた音叉型水晶振動素子は、長辺寸法3.2mm、短辺寸法0.5mm、厚さ0.1mmで、振動腕の幅寸法はそれぞれ0.2mmであり、図4および図5に示すように、音叉型水晶振動素子の基部を支持した構成である。支持した状態において音叉型水晶振動素子と電子部品収納部の底面との間隔は130μmに設定されている。このような圧電振動デバイスについて、補助支持部のシリコーン樹脂の厚さを変化させ、耐衝撃性について確認した。10μmの厚さでは試験後周波数変化が認められたが、20μm以上になると実用上問題となる周波数変化は認められなかった。ただし、圧電振動素子の自由端との接触や圧電振動デバイスの低背化を考慮すると、あまり厚くすることは好ましくなく、100μm以下に設定することが好ましい。なお、膜構成は上面が必ずしも平坦でなくでもよく、緩やかな錐形状であっても問題ない。
【0018】
このような膜状のシリコーン樹脂の形成は、液状に調製されたシリコーン樹脂をパッケージ本体あるいはパッケージ本体とリッドに塗布し、これを乾燥硬化させることにより、比較的容易に形成することができる。
【0019】
このように膜状構成のシリコーン樹脂を採用することにより、低背化に対応し、かつ耐衝撃性にも優れた圧電振動デバイスを得ることができる。
【0020】
さらに、請求項5に示すように、請求項1乃至4のいずれかに記載の圧電振動デバイスにおいて、パッケージ本体に形成された補助支持部の高さが前記電極接続部の高さの1/4〜2/3の高さであることを特徴とする構成としてもよい。
【0021】
補助支持部は、定常状態において圧電振動デバイスの自由端と接しない程度に接触電極接続部と高さを可能な限り等しくすることが望ましい。しかしながら補助支持部はシリコーン樹脂により形成することから、どうしてもその厚さにバラツキが生じる。一方、補助支持部が薄すぎると、圧電振動素子を電極接続部に搭載する際、自由端側が下がりすぎることにより、適切な接着が行われない可能性があり、また自由端が強い衝撃でパッケージやリッドに接触した際、緩衝機能が得られない場合がある。上述の範囲以外、すなわち補助支持部の高さが前記電極接続部の高さの1/4以下の場合は、適切な接着が行われないことがあったり、あるいは充分な緩衝機能が得られない場合があり、また2/3以上の厚さの場合は、シリコーン樹脂の厚さバラツキにより圧電振動素子が発振しない等の不具合の生じることがあったが、請求項5の範囲においては良好な特性を確保することができる。
【0022】
【発明の実施の形態】
本発明による第1の実施の形態を図1から図5とともに説明する。図1は本実施の形態を示す電子部品用パッケージの平面図、図2は図1のA−A断面図であり、リッドにて封止した状態の内部構造を示している。また図3は図1の電子部品用パッケージの底面図であり、図4は当該電子部品用パッケージに圧電振動素子を搭載した場合の平面図、図5は図1のB−B断面図であり、リッドにて封止した状態の内部構造を示している。
【0023】
電子部品用パッケージ1は、アルミナ等のセラミックスからなるパッケージ本体に必要な電極が形成されたセラミックパッケージ構成であり、全体として直方体形状で、断面で見て凹形の電子部品素子収納部1aを有している。電子部品素子収納部1aの周囲には堤部10が形成され、当該堤部10の上面には周状の金属層11が形成されている。電子部品用パッケージ1の外周の4角には上下にキャスタレーションC1,C2,C3,C4が形成されている。また電子部品用パッケージ1内部の電子部品搭載面には電極接続部となる内部接続電極12,13が長辺方向の一端側に、短辺方向に並んで形成されるとともに、内部接続電極以外のパッケージ内部においては一段下った空間を形成している。内部接続電極12は長辺方向の一端のパッケージ外部に導出され外部接続電極121と図示しない引出電極を介して電気的接続されている。またこの内部接続電極12にはダミー電極12aが接続されており、電子部品用パッケージ内部の電子部品搭載面下方において長辺方向の他端近傍まで伸長されている。
【0024】
内部電極13は長辺方向他端のパッケージ外部に導出され、外部接続電極131と引出電極13aを介して接続している。前述のダミー電極12aは当該引出電極13aのサイズにほぼ合致するように設定されており、これにより内部接続電極12から外部接続電極121にいたる間の静電容量と、内部接続電極13から外部接続電極131にいたる間の静電容量がほぼ等しくなるようになっている。これらダミー電極12aと引出電極13aは、セラミックスとメタライズ層の積層技術により、電子部品素子収納部1aの下方であって電子部品用パッケージ1の内部に形成されている。また図3に示すようにパッケージ底面においては外部接続電極121,131が長辺方向の両端にそれぞれ配置されており、その一部が前記キャスタレーション部分に伸長され、パッケージ4角領域での外部接続を容易ならしめている。
【0025】
電子部品用パッケージ1の内部接続電極非形成側(長辺方向他端)には、補助支持部4が形成されている。補助支持部4は厚さ約50μmの膜状に形成されたシリコーン樹脂からなり、平面で見て楕円形状に形成されている。当該補助支持部4は後述の搭載する音叉形水晶振動素子の自由端先端部分に対応したパッケージ本体に形成されており、当該自由端が外部衝撃により大きくたわみパッケージに接触するであろう位置に対応して形成している。
【0026】
なお、当該補助支持部4の厚さは20μm〜100μmであることが好ましく、より好ましくは30μm〜80μmの厚さにすることにより、耐衝撃性の向上と安定した電気的特性を得ることができる。
【0027】
このような膜状のシリコーン樹脂の形成は、パッケージ本体やリッドの所定に位置に対しチクソ性の低い液状に調製されシリコーン樹脂をニードルから吐出することにより、パッケージ本体あるいはパッケージ本体とリッドに広がる。これを乾燥硬化させることにより、所定の膜状の補助支持部を比較的容易に形成することができる。
【0028】
このような電子部品用パッケージは図2に示すように、上記堤部上面の金属層11とリッド2に形成された金属膜(図示せず)とをシーム溶接またはビーム溶接等の加熱手段により接合し、パッケージの気密封止を行う。なお、リッド2はコバール等の金属母材にニッケルメッキあるいは封止面に銀ろう等のろう材が形成されている。
【0029】
このようなパッケージに音叉形圧電振動素子を収納した構成を図4と図5とともに説明する。音叉形水晶振動素子3は一対の振動腕部3b、3cとこれら振動腕部を連結する基部3aとからなる。当該音叉形水晶振動素子には屈曲振動を励起するよう1対の励振電極が形成されており(図示せず)、また振動腕部3b、3cの自由端の先端部分には調整用金属膜31,32が形成されている。音叉形水晶振動素子3においては、当該調整用金属膜31,32の領域に対して質量加減の動作を行うことにより特性の調整を行う。本実施の形態においてはイオンミーリング方法により、調整用電極31の質量を減じることにより調整を行っている。なお、音叉形水晶振動素子3の振動腕先端部分には予め銀等の調整用金属膜を真空蒸着法あるいはスパッタリングあるいは電気メッキ法等により比較的厚膜の金属膜を形成しておく。
【0030】
このような音叉形水晶振動素子3をその基部3aに形成された一対の電極とパッケージ1の内部接続電極12,13とが接続されるよう片持ち支持状態に搭載し、導電接合材Sにて接合する。ここで用いる導電接合材Sはシリコーン系の樹脂に導電フィラーを添加したもので、シリコーン弾性体による衝撃吸収機能も有しているものである。このような状態において周波数等の特性調整作業を行うが、作業を行うにあたり、まず前記調整用電極31,32に対応する部分に開口部を形成した、例えば板状の金属からなるマスク部材をパッケージに近接させる。この状態でイオンミーリング(イオンエッチング)を実行し、調整金属膜を徐々に減じる。このとき調整したい特性の変化をリアルタイムにモニタリングしてよいし、それが困難な場合は調整作業と当該調整による特性測定作業を交互に行うことによって所望の特性を得てもよい。
【0031】
なお、当該調整においては反応性ガスを用いないイオンミーリングにより調整を行ったが、反応性ガスを用いたイオンエッチングを用いてもよいし、あるいは質量を付加するパーシャル蒸着法を用いてもよい。ただし、周知のとおり、質量を減じる場合は例えば周波数特性においては初期特性を所望の周波数より低くする必要があるし、質量付加をする場合は反対に所望の周波数より高くしておく必要がある。
【0032】
以上、必要な調整を行った後、真空雰囲気中にてリッド2にて閉蓋し、例えば電子ビーム溶接あるいは真空雰囲気中でのシーム溶接により、気密封止を行い、音叉形水晶振動素子の格納された圧電振動デバイスを得ることができる。
【0033】
本発明による第2の実施の形態について図6とともに説明する。図6は音叉型水晶振動素子を電子部品用パッケージに搭載し、リッドにて気密接合した例を示す内部構造を示す断面図である。この実施の形態においては、リッド側に緩衝部を設けた点で第1の実施の形態と相違しており、それ以外の点については概ね先の実施形態と類似しているので一部説明を割愛する。
【0034】
電子部品用パッケージ1は全体として直方体形状で、断面で見て凹形の電子部品素子収納部1aを有している。電子部品素子収納部1aの周囲には堤部10が形成され、当該堤部10の上面には周状の金属層11が形成されている。電子部品用パッケージ1の内部には内部接続電極14,15が長辺方向の一端側に、短辺方向に並んで形成されるとともに、内部接続電極以外のパッケージ内部においては一段下った空間を形成している。
【0035】
また電子部品用パッケージ1の長辺方向の他端側には補助支持部41が形成されるとともに、当該電子部品用パッケージの電子部品収納部1aを被覆する金属製のリッド2にも長辺方向の他端側に緩衝部42が形成されている。当該補助支持部41と緩衝部42はいずれも膜状のシリコーン樹脂が形成されており、収納される音叉型水晶振動素子の自由端部分に対応する位置に配置されている。
【0036】
電子部品用パッケージ、リッドとも、チクソ性の低い液状に調製されシリコーン樹脂をニードルから吐出することにより、パッケージ本体あるいはリッドに広がる。これを乾燥硬化させることにより、所定の膜状の補助支持部を比較的容易に形成することができる。
【0037】
この実施の形態においても、前述の実施形態におけると同様に搭載する電子部品素子は音叉形水晶振動素子を用いており、自由端の先端部分に調整用金属膜31,32を形成している。内部接続電極12,13と音叉型水晶振動素子の基部とを導電性接合材(導電性シリコーン樹脂接着剤)により電気的機械的接合し、硬化乾燥させ、かつアニール等による安定化処理を行う。その後上記シリコーン樹脂による緩衝部を有するリッドにて気密封止する。気密封止は例えばシーム溶接あるいはビーム溶接あるいは雰囲気加熱によるろう接により行う。
【0038】
以上の構成により、パッケージ本体およびリッド側に導電性接合材と同じ母材のシリコーン樹脂からなる緩衝部を形成しているので、パッケージ本体あるいはリッドに強く当たった場合でも、シリコーン樹脂の緩衝機能により、圧電振動デバイスが破損したり、あるいは圧電振動デバイスに形成された電極材料の一部が剥がれることが無くなる。これにより、上記破損や剥がれによる周波数等の特性が変動するという不具合の発生が無くなる。また導電接合材と補助支持部との母材に同じシリコーン樹脂を用いることにより、樹脂の基本特性、例えば硬化条件、あるいは含有する不要なガスの排出条件等を概ね等しく扱うことができる。従って、余分な製造工程を必要とせず、特性の安定したコスト安の圧電振動デバイスを得ることができる。
【0039】
本発明による第3の実施の形態について図7とともに説明する。図7は音叉型水晶振動素子を電子部品用パッケージに搭載した例を示す内部構造を示す断面図である。この実施の形態においては、補助支持部43,44を、音叉型水晶振動素子を接合する導電接合材と同じもので構成するとともに、導電接合材を分割した構成を採用している。なお、それ以外の点については概ね先の実施形態と類似しているので一部説明を割愛する。
【0040】
電子部品用パッケージの長辺方向他端には補助支持部43,44が形成されている。これら補助支持部43,44は音叉型水晶振動素子3をパッケージ2に電気的機械的に接続する導電接合材と同じ材料である、シリコーン樹脂を母材とし、導電フィラーを添加したシリコーン樹脂系の導電接合材S1をからなる。これら補助支持部43,44は音叉型水晶振動素子のそれぞれの振動腕部3b、3cに対応して形成され、振動腕部に形成された電極が補助支持部43,44を介して両者が短絡しないように形成されている。
【0041】
補助支持部43,44が形成されたパッケージに励振電極形成された音叉型水晶振動素子をパッケージの内部接続電極14,15上に搭載し、導電接合材S1を塗布後、硬化並びにアニール等の安定化させる。その後、必要な調整を行った後、真空雰囲気中にてリッド2にて閉蓋し、例えば電子ビーム溶接あるいは真空雰囲気中でのシーム溶接により、気密封止を行い、音叉形水晶振動素子の格納された圧電振動デバイスを得ることができる。
【0042】
なお、本実施の各形態においては弾性絶縁膜S1を音叉形水晶振動素子の調整用金属部分を中心に形成した例を示したが、振動腕部全体あるいは内部接続電極以外のパッケージ内部に形成してもよい。
【0043】
なお、上記各実施の形態において、電子部品素子として音叉型水晶振動素子を例示したが、ATカット水晶振動素子等の他の圧電振動素子を用いてもよい。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば、耐衝撃性を向上させるとともに、超小型化に対応しかつ効率よく製造することのできる圧電振動デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の実施の形態を示す平面図。
【図2】第1の実施の形態を示す内部断面図。
【図3】第1の実施の形態を示す底面図。
【図4】第1の実施の形態を示す平面図。
【図5】第1の実施の形態を示す内部断面図。
【図6】第2の実施の形態を示す内部断面図。
【図7】第3の実施の形態を示す平面図。
【符号の説明】
1 電子部品用パッケージ
12,13、14,15 内部接続電極
121,131、141,151 外部接続電極
10 堤部
2 リッド
12a,14a ダミー電極
13a,15a 引出電極
4,41,42,43,44 補助支持部
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a piezoelectric vibrating device such as a crystal oscillator and a crystal oscillator used for electronic equipment and the like.
[0002]
[Prior art]
A piezoelectric vibrating device often employs a crystal vibrator configuration in which a crystal vibrating element having excitation electrodes formed therein is housed in a semi-package provided with internal wiring, and the vibrating element is hermetically housed. The recent miniaturization of quartz resonators is rapidly progressing, and the miniaturization of quartz resonator elements housed in packages is also progressing. Such an ultra-small quartz-crystal vibrating element, for example, an AT-cut quartz plate and a rectangular shape in a plan view is generally used. And the other end was often a free end. Also, when a tuning-fork type quartz vibrating element composed of a pair of vibrating arms and a base connecting the pair is used for the piezoelectric vibrating element, a structure in which the base is used as a support region and the vibrating arm side is a free end is generally used. Used.
[0003]
In such a cantilever support configuration, when the package is joined to the electrode connection portion that has also been received by the conductive joining material, the free end side of the crystal vibrating element is inclined obliquely so as to contact the inner bottom surface of the package body, and In some cases, the cantilever could not be supported parallel to the bottom surface. In order to solve such a problem, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-88373 (Patent Document 1) proposes a configuration in which a pillow member is provided below the other end portion on the free end side of the piezoelectric piece. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-88373, an insulating bottom plate, at least a pair of holding electrodes provided on one side plate surface of the bottom plate, and an excitation electrode formed on the plate surface are led out to one end, and this lead-out end is described above. The pillow has a piezoelectric piece fixed to the holding electrode with a conductive adhesive and electrically connected to the holding piece, and a pillow member provided on one side of the bottom plate corresponding to the other end of the piezoelectric piece. The effect that the displacement on the free end side can be suppressed by the material was obtained.
[0004]
However, Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-88373 discloses that the pillow material is formed by, for example, a metallizing process or the like, but such a structure is rigid and does not have a cushioning function due to elasticity. Therefore, when a large shock is applied to the piezoelectric vibrator from the outside, the shock cannot be completely absorbed by the pillow material, and the quartz vibrating element may be damaged.
[0005]
In recent years, ultra-thinness has also been promoted in response to ultra-small size, and pillow materials are also required to be thinner. Particularly, a pillow material thinner than the thickness of the electrode connection part is required to form a free end in supporting the quartz crystal vibrating element, but elaborate manufacturing was required to manufacture such a configuration by lamination technology. .
[0006]
[Patent Document 1]
JP-A-3-88373
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a piezoelectric vibrating device that can improve impact resistance, can be miniaturized, and can be manufactured efficiently.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention is characterized in that a silicone resin is used as a conductive bonding material for holding one end of a piezoelectric vibrating element and a base material constituting an auxiliary connecting portion located below the other end of the piezoelectric vibrating element. It can be realized by the configuration.
[0009]
The piezoelectric vibrating device according to claim 1, wherein the package main body is made of an insulating material and has a rectangular shape in a plan view, a plurality of electrode connecting portions formed in parallel on one end side in the long side direction of the package main body, and a conductive material provided on the electrode connecting portions. A piezoelectric vibrating element formed with an excitation electrode whose one end is cantilevered by a bonding material; and a buffer function formed below the other end of the piezoelectric vibrating element and at the other end in the long side direction of the package body. And a base material of the conductive bonding material and the auxiliary support portion is made of a silicone resin.
[0010]
The conductive bonding material is made of silicone resin as a base material. A bonding material is added to the bonding material so that the bonding material can be easily supplied to the bonding site and has excellent viscosity and thixotropy for easy handling after the supply. Alternatively, it can be obtained by adding a conductive filler such as metal particles. The auxiliary support is coated with only a silicone resin base material. This silicone resin can be adjusted to liquid, grease-like, rubber-like, or resin-like depending on the degree of polymerization, type of side group, degree of cross-linking, etc., and its properties can be adjusted by additives. By such adjustment, the height and shape of the auxiliary support portion can be adjusted.
[0011]
According to the above configuration, since a silicone resin having a cushioning function is used for the auxiliary support portion, a shock is applied to the piezoelectric vibrating device, and even when the free end of the internal piezoelectric vibrating element strongly hits the package body, the silicone resin is used. By the buffer function described above, the piezoelectric vibrating device is not damaged or a part of the electrode material formed on the piezoelectric vibrating device does not peel off. As a result, the problem that the characteristics such as the frequency fluctuate due to the breakage or peeling is eliminated.
[0012]
Further, by using the same silicone resin as the base material of the conductive bonding material and the auxiliary support portion, it is possible to treat the basic characteristics of the resin, for example, the curing conditions or the exhaust conditions of the contained unnecessary gas, almost equally. Therefore, it is possible to obtain a low-cost piezoelectric vibration device with stable characteristics without requiring an extra manufacturing process.
[0013]
According to a second aspect of the present invention, based on the configuration of the first aspect, the piezoelectric vibrating element is a tuning-fork type piezoelectric vibrating element including a pair of vibrating arms and a base connecting the pair of vibrating arms, and a tip portion of a free end of each of the vibrating arms. A metal film region for frequency adjustment is formed at the base portion, and the auxiliary support portion is formed at least below the metal film region in a cantilever support structure in which the base portion is joined to the electrode connection portion. are doing.
[0014]
The tuning-fork type vibrator has a metal film region for frequency adjustment at the tip of the free end of the vibrating arm. Conventionally, when the free end contacts the package due to an external impact, the metal film may be peeled off. In particular, the metal film for frequency adjustment has a relatively large added mass so that the adjustment range can be widened, and if it comes off, it may lead to a large variation in characteristics. According to the second aspect of the present invention, the silicone resin is used for the auxiliary support having the buffer function, so that even if the piezoelectric vibrating device receives an impact and the free end of the internal piezoelectric vibrating element hits the package body strongly, By the buffer function described above, the piezoelectric vibrating device is not damaged or a part of the electrode material formed on the piezoelectric vibrating device does not peel off. As a result, the problem that the characteristics such as the frequency fluctuate due to the breakage or peeling is eliminated.
[0015]
According to a third aspect of the present invention, the cushioning portion is provided also on the lid side. In the piezoelectric vibration device according to the first or second aspect, the lid portion located above the other end of the piezoelectric vibration element is made of silicone resin. This is a configuration in which a buffer section is formed.
[0016]
According to the third aspect, the buffer portion made of the same base resin as the conductive bonding material is formed on the lid side of the silicone resin. Therefore, even if the package body or the lid is strongly hit, the cushioning function of the silicone resin enables The piezoelectric vibrating device is not damaged, and a part of the electrode material formed on the piezoelectric vibrating device does not peel off. As a result, the problem that the characteristics such as the frequency fluctuate due to the breakage or peeling is eliminated. Further, by using the same silicone resin as the base material of the conductive bonding material and the auxiliary support portion, it is possible to treat the basic characteristics of the resin, for example, the curing conditions or the exhaust conditions of the contained unnecessary gas, almost equally. Therefore, it is possible to obtain a low-cost piezoelectric vibration device with stable characteristics without requiring an extra manufacturing process.
[0017]
Further, as described in claim 4, in the piezoelectric vibration device according to claim 1, 2, or 3, the auxiliary supporting portion may have a film-like configuration made of only silicone resin. As a result of the inventor's intense impact resistance test using a tuning-fork type quartz vibrating element as the piezoelectric vibrating element, it was found that a buffer function was obtained when the thickness of the silicone resin was 20 μm or more. The tuning-fork type quartz vibrating element used in the verification experiment had a long side dimension of 3.2 mm, a short side dimension of 0.5 mm, and a thickness of 0.1 mm, and the width of the vibrating arm was 0.2 mm, respectively. As shown in FIG. 5, the tuning fork type quartz vibrating element has a configuration supporting the base. In the supported state, the distance between the tuning-fork type quartz vibrating element and the bottom surface of the electronic component housing is set to 130 μm. With respect to such a piezoelectric vibration device, the impact resistance was confirmed by changing the thickness of the silicone resin of the auxiliary support portion. When the thickness was 10 μm, a change in frequency was observed after the test, but when the thickness was 20 μm or more, a change in frequency that would be a problem in practice was not observed. However, in consideration of contact with the free end of the piezoelectric vibrating element and reduction in the height of the piezoelectric vibrating device, it is not preferable to make the piezoelectric vibrating element too thick, and it is preferable to set the thickness to 100 μm or less. Note that the film configuration does not necessarily have to be flat on the upper surface, and there is no problem even if it has a gentle conical shape.
[0018]
Such a film-like silicone resin can be formed relatively easily by applying a liquid-form silicone resin to the package body or the package body and the lid and drying and curing the same.
[0019]
By adopting the silicone resin having the film-like configuration as described above, it is possible to obtain a piezoelectric vibrating device that can be reduced in height and has excellent impact resistance.
[0020]
According to a fifth aspect of the present invention, in the piezoelectric vibration device according to any one of the first to fourth aspects, the height of the auxiliary support portion formed on the package body is 1 / of the height of the electrode connection portion. The height may be up to 2/3.
[0021]
It is desirable that the height of the auxiliary support portion is as equal as possible to the height of the contact electrode connection portion so as not to make contact with the free end of the piezoelectric vibration device in a steady state. However, since the auxiliary support portion is formed of a silicone resin, the thickness of the auxiliary support portion varies. On the other hand, if the auxiliary support is too thin, the free end may be too low when mounting the piezoelectric vibrating element on the electrode connection, which may result in improper adhesion. When it comes into contact with the lid or the lid, the cushioning function may not be obtained. When the height is outside the above range, that is, when the height of the auxiliary support portion is 1/4 or less of the height of the electrode connection portion, proper bonding may not be performed or a sufficient buffer function may not be obtained. In the case where the thickness is more than 2/3, the piezoelectric vibrating element may not oscillate due to the thickness variation of the silicone resin. Can be secured.
[0022]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A first embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a plan view of an electronic component package according to the present embodiment, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along a line AA of FIG. 1, showing an internal structure sealed with a lid. 3 is a bottom view of the electronic component package of FIG. 1, FIG. 4 is a plan view of a case where the piezoelectric vibration element is mounted on the electronic component package, and FIG. 5 is a BB cross-sectional view of FIG. , The internal structure in a state sealed with a lid.
[0023]
The electronic component package 1 has a ceramic package configuration in which necessary electrodes are formed on a package body made of ceramics such as alumina, and has a rectangular parallelepiped overall shape and a concave electronic component element storage section 1a when viewed in cross section. are doing. A bank portion 10 is formed around the electronic component storage section 1a, and a circumferential metal layer 11 is formed on the upper surface of the bank portion 10. Castellations C1, C2, C3, and C4 are formed vertically at the outer four corners of the electronic component package 1. On the electronic component mounting surface inside the electronic component package 1, internal connection electrodes 12, 13 serving as electrode connection portions are formed on one end side in the long side direction and are arranged side by side in the short side direction. Inside the package, a space one step down is formed. The internal connection electrode 12 is led out of the package at one end in the long side direction, and is electrically connected to the external connection electrode 121 via a lead electrode (not shown). A dummy electrode 12a is connected to the internal connection electrode 12, and extends to the vicinity of the other end in the long side direction below the electronic component mounting surface inside the electronic component package.
[0024]
The internal electrode 13 is led out of the package at the other end in the long side direction, and is connected to the external connection electrode 131 via the extraction electrode 13a. The above-mentioned dummy electrode 12a is set to substantially match the size of the extraction electrode 13a, whereby the capacitance from the internal connection electrode 12 to the external connection electrode 121 and the external connection electrode 13 The capacitances up to the electrode 131 are almost equal. The dummy electrode 12a and the extraction electrode 13a are formed inside the electronic component package 1 below the electronic component storage section 1a by a lamination technique of ceramics and a metallized layer. As shown in FIG. 3, external connection electrodes 121 and 131 are arranged at both ends in the long side direction on the bottom surface of the package, and a part of the external connection electrodes 121 and 131 is extended to the castellation portion, and external connection in the package square region is performed. Is easy.
[0025]
An auxiliary support 4 is formed on the side of the electronic component package 1 where the internal connection electrode is not formed (the other end in the long side direction). The auxiliary support portion 4 is made of a silicone resin formed in a film shape with a thickness of about 50 μm, and is formed in an elliptical shape when viewed in a plane. The auxiliary support portion 4 is formed on a package body corresponding to a free end of a tuning fork type quartz vibrating element to be mounted, which will be described later, and corresponds to a position where the free end is likely to come into contact with a large-deflection package due to an external impact. It is formed.
[0026]
In addition, the thickness of the auxiliary support portion 4 is preferably 20 μm to 100 μm, and more preferably 30 μm to 80 μm, whereby improvement in impact resistance and stable electric characteristics can be obtained. .
[0027]
Such a film-like silicone resin is formed into a liquid having low thixotropy at a predetermined position on the package body or the lid, and is spread over the package body or the package body and the lid by discharging the silicone resin from the needle. By drying and curing this, a predetermined film-shaped auxiliary support portion can be formed relatively easily.
[0028]
As shown in FIG. 2, such an electronic component package joins the metal layer 11 on the upper surface of the bank and a metal film (not shown) formed on the lid 2 by heating means such as seam welding or beam welding. Then, the package is hermetically sealed. The lid 2 is formed by nickel plating on a metal base material such as Kovar or a brazing material such as silver brazing on a sealing surface.
[0029]
A configuration in which a tuning fork type piezoelectric vibration element is housed in such a package will be described with reference to FIGS. The tuning-fork type crystal vibrating element 3 includes a pair of vibrating arms 3b and 3c and a base 3a connecting these vibrating arms. A pair of excitation electrodes (not shown) are formed on the tuning-fork type quartz vibrating element so as to excite bending vibration, and an adjusting metal film 31 is provided on the free ends of the vibrating arms 3b and 3c. , 32 are formed. In the tuning-fork type quartz vibrating element 3, the characteristics are adjusted by performing an operation of increasing or decreasing the mass in the region of the adjustment metal films 31 and 32. In the present embodiment, the adjustment is performed by reducing the mass of the adjustment electrode 31 by the ion milling method. Note that a relatively thick metal film such as silver is formed in advance on the tip of the vibrating arm of the tuning-fork type quartz vibrating element 3 by a vacuum evaporation method, a sputtering method, an electroplating method, or the like.
[0030]
Such a tuning-fork type quartz vibrating element 3 is mounted in a cantilever manner so that a pair of electrodes formed on its base 3a and the internal connection electrodes 12 and 13 of the package 1 are connected. Join. The conductive bonding material S used here is a material obtained by adding a conductive filler to a silicone-based resin, and also has a shock absorbing function by a silicone elastic material. In such a state, a characteristic adjustment operation such as a frequency is performed. In performing the operation, first, a mask member made of, for example, a plate-like metal having an opening formed in a portion corresponding to the adjustment electrodes 31 and 32 is packaged. Close to. In this state, ion milling (ion etching) is performed to gradually reduce the adjustment metal film. At this time, a change in the characteristic to be adjusted may be monitored in real time, or if it is difficult, a desired characteristic may be obtained by alternately performing the adjustment operation and the characteristic measurement operation based on the adjustment.
[0031]
In the adjustment, the adjustment is performed by ion milling without using a reactive gas. However, ion etching using a reactive gas may be used, or a partial vapor deposition method that adds mass may be used. However, as is well known, when the mass is reduced, for example, in the frequency characteristics, the initial characteristics need to be lower than the desired frequency, and when the mass is added, the initial characteristics need to be higher than the desired frequency.
[0032]
After the necessary adjustments have been made, the lid is closed with the lid 2 in a vacuum atmosphere, and hermetically sealed by, for example, electron beam welding or seam welding in a vacuum atmosphere, and storing the tuning-fork type quartz vibrating element. The obtained piezoelectric vibration device can be obtained.
[0033]
A second embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a cross-sectional view showing an internal structure showing an example in which a tuning fork type crystal resonator element is mounted on an electronic component package and hermetically bonded by a lid. This embodiment is different from the first embodiment in that a buffer portion is provided on the lid side, and the other points are substantially similar to the previous embodiment, so that a part of the description will be given. Omit.
[0034]
The electronic component package 1 has a rectangular parallelepiped shape as a whole, and has an electronic component element housing portion 1a that is concave when viewed in cross section. A bank portion 10 is formed around the electronic component storage section 1a, and a circumferential metal layer 11 is formed on the upper surface of the bank portion 10. Inside the electronic component package 1, internal connection electrodes 14 and 15 are formed at one end in the long side direction side by side in the short side direction, and a space one step lower is formed inside the package other than the internal connection electrodes. are doing.
[0035]
An auxiliary support portion 41 is formed on the other end of the electronic component package 1 in the long side direction, and the metal lid 2 that covers the electronic component housing portion 1a of the electronic component package also has a long side direction. A buffer 42 is formed on the other end. Each of the auxiliary support portion 41 and the buffer portion 42 is formed of a film-shaped silicone resin, and is disposed at a position corresponding to a free end portion of a tuning fork type quartz vibrating element to be housed.
[0036]
Both the electronic component package and the lid are prepared in a liquid having a low thixotropy and are spread over the package body or the lid by discharging the silicone resin from the needle. By drying and curing this, a predetermined film-shaped auxiliary support portion can be formed relatively easily.
[0037]
In this embodiment, as in the above-described embodiment, the electronic component element to be mounted uses a tuning-fork type quartz vibrating element, and the adjusting metal films 31 and 32 are formed at the free ends. The internal connection electrodes 12, 13 and the base of the tuning-fork type quartz vibrating element are electrically and mechanically bonded by a conductive bonding material (conductive silicone resin adhesive), cured, dried, and stabilized by annealing or the like. Then, it is air-tightly sealed with a lid having a buffer portion made of the silicone resin. Hermetic sealing is performed by, for example, seam welding, beam welding, or brazing by atmospheric heating.
[0038]
With the above configuration, the buffer portion made of silicone resin of the same base material as the conductive bonding material is formed on the package body and the lid side, so even if the package body or the lid is strongly hit, the silicone resin buffer function is used. In addition, the piezoelectric vibrating device is not damaged, and a part of the electrode material formed on the piezoelectric vibrating device does not peel off. This eliminates the problem that the characteristics such as frequency fluctuate due to the damage or peeling. Further, by using the same silicone resin as the base material of the conductive bonding material and the auxiliary support portion, it is possible to treat the basic characteristics of the resin, for example, the curing conditions or the exhaust conditions of the contained unnecessary gas, almost equally. Therefore, it is possible to obtain a low-cost piezoelectric vibration device with stable characteristics without requiring an extra manufacturing process.
[0039]
A third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view showing an internal structure of an example in which a tuning fork type crystal resonator element is mounted on an electronic component package. In the present embodiment, the auxiliary support portions 43 and 44 are formed of the same conductive bonding material as that for bonding the tuning-fork type quartz vibrating element, and a configuration in which the conductive bonding material is divided is employed. Note that the other points are substantially similar to the previous embodiment, and thus a description thereof is partially omitted.
[0040]
Auxiliary support portions 43 and 44 are formed at the other end in the long side direction of the electronic component package. These auxiliary support portions 43 and 44 are made of the same material as the conductive bonding material for electrically and mechanically connecting the tuning fork type quartz vibrating element 3 to the package 2. It is made of a conductive bonding material S1. These auxiliary support portions 43 and 44 are formed corresponding to the respective vibrating arms 3b and 3c of the tuning fork type crystal vibrating element, and the electrodes formed on the vibrating arms are short-circuited via the auxiliary support portions 43 and 44. It is formed not to be.
[0041]
The tuning fork type quartz vibrating element having the excitation electrodes formed on the package on which the auxiliary support portions 43 and 44 are formed is mounted on the internal connection electrodes 14 and 15 of the package, and the conductive bonding material S1 is applied, followed by curing and annealing. To Thereafter, after performing necessary adjustments, the lid is closed with the lid 2 in a vacuum atmosphere, and hermetically sealed by, for example, electron beam welding or seam welding in a vacuum atmosphere, and storing the tuning-fork type quartz vibrating element. The obtained piezoelectric vibration device can be obtained.
[0042]
In each of the embodiments, an example has been described in which the elastic insulating film S1 is formed around the adjustment metal portion of the tuning-fork type quartz vibrating element, but the elastic insulating film S1 is formed in the entire vibrating arm portion or inside the package other than the internal connection electrodes. You may.
[0043]
In each of the above embodiments, a tuning fork type quartz vibrating element has been exemplified as an electronic component element, but another piezoelectric vibrating element such as an AT cut quartz vibrating element may be used.
[0044]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while improving impact resistance, it can respond to microminiaturization and can obtain the piezoelectric vibration device which can be manufactured efficiently.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view showing a first embodiment.
FIG. 2 is an internal cross-sectional view showing the first embodiment.
FIG. 3 is a bottom view showing the first embodiment.
FIG. 4 is a plan view showing the first embodiment.
FIG. 5 is an internal cross-sectional view showing the first embodiment.
FIG. 6 is an internal sectional view showing a second embodiment.
FIG. 7 is a plan view showing a third embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electronic component package 12, 13, 14, 15 Internal connection electrode 121, 131, 141, 151 External connection electrode 10 Embankment 2 lid 12a, 14a Dummy electrode 13a, 15a Extraction electrode 4, 41, 42, 43, 44 Auxiliary Support

Claims (5)

絶縁材料からなる平面視長方形のパッケージ本体と、パッケージ本体の長辺方向一端側に並列して形成された複数の電極接続部と、前記電極接続部に導電性接合材により一端側を片持ち支持される励振電極形成された圧電振動素子と、前記圧電振動素子の他端側の下方であって、パッケージ本体の長辺方向他端側に形成された補助支持部と、前記パッケージ本体と気密接合されるリッドと、を具備した圧電振動デバイスにおいて、
前記導電性接合材と補助支持部の母材がシリコーン樹脂からなることを特徴とする圧電振動デバイス。
A package main body having a rectangular shape in plan view made of an insulating material, a plurality of electrode connecting portions formed in parallel on one end side in the long side direction of the package main body, and one end supported by a conductive bonding material at the electrode connecting portions. A piezoelectric vibrating element on which an excitation electrode is formed, an auxiliary support formed below the other end of the piezoelectric vibrating element and on the other end in the long side direction of the package body, and hermetically bonded to the package body. A piezoelectric vibrating device comprising:
A piezoelectric vibrating device, wherein the base material of the conductive bonding material and the auxiliary support portion is made of a silicone resin.
前記圧電振動素子が一対の振動腕とこれを連結する基部とからなる音叉形圧電振動素子であり、前記各振動腕の自由端の先端部分に周波数調整用の金属膜領域を形成するとともに、前記基部にて前記電極接続部と接合する片持ち支持構成において、少なくとも前記金属膜領域の下方に前記補助支持部が形成されていることを特徴とする請求項1記載の圧電振動デバイス。The piezoelectric vibrating element is a tuning-fork type piezoelectric vibrating element including a pair of vibrating arms and a base connecting the vibrating arms, and a metal film region for frequency adjustment is formed at a free end of each vibrating arm. 2. The piezoelectric vibration device according to claim 1, wherein the auxiliary support portion is formed at least below the metal film region in a cantilever support configuration in which the base portion is joined to the electrode connection portion. 3. 前記圧電振動素子の他端側の上方に位置するリッド部分に、シリコーン樹脂からなる緩衝部を形成したことを特徴とする請求項1または2記載の圧電振動デバイス。The piezoelectric vibration device according to claim 1, wherein a buffer portion made of a silicone resin is formed in a lid portion located above the other end of the piezoelectric vibration element. 補助支持部がシリコーン樹脂のみからなる膜状構成であることを特徴とする請求項1または2または3記載の圧電振動デバイス。4. The piezoelectric vibration device according to claim 1, wherein the auxiliary support portion has a film-like configuration made of only a silicone resin. パッケージ本体に形成された補助支持部の高さが前記電極接続部の高さの1/4〜1/2の高さであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の圧電振動デバイス。The piezoelectric device according to any one of claims 1 to 4, wherein the height of the auxiliary support portion formed on the package body is 1 / to の of the height of the electrode connection portion. Vibration device.
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