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JP2004221965A - 円偏波パッチアンテナ - Google Patents

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JP2004221965A
JP2004221965A JP2003007246A JP2003007246A JP2004221965A JP 2004221965 A JP2004221965 A JP 2004221965A JP 2003007246 A JP2003007246 A JP 2003007246A JP 2003007246 A JP2003007246 A JP 2003007246A JP 2004221965 A JP2004221965 A JP 2004221965A
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Abstract

【課題】小形かつコンパクトに構成するのに適した円偏波パッチアンテナの特長を活かしつつ、周波数−軸比特性が良好で、インピーダンス整合のための調整も行いやすいと円偏波パッチアンテナを提供する。
【解決手段】アンテナベース基板11の表面に形成されたパッチ素子12と、このパッチ素子12の隣り合う2つの縁辺に容量結合または共振結合する2つの給電導体13,14とを有する円偏波パッチアンテナ10において、2つの給電導体13,14をそれぞれパッチ素子の中心線Xc,Yc上から外して配置する。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、パッチ形状の平面アンテナ素子いわゆるパッチ素子を用いた送信および/または受信用の円偏波パッチアンテナに関し、とくにマイクロ波あるいはミリ波など超高周波無線信号の送受信用に適用して有効であり、たとえば移動体通信機器、無線LAN(Local Area Network)、ITS(Intelligent Transport Systems)、ETC(Electronic Toll Collection System)、GPS(Global Positioning System)等に利用することができる。
【0002】
【従来の技術】
図7は、たとえば特開2002−9536に記載されている従来の円偏波パッチアンテナの構成を示す。同図に示す円偏波パッチアンテナ101は、アンテナベース基板11、パッチ素子12、接地導体18、給電導体131,141、給電端子15,16などを有する。アンテナベース基板11は、セラミック、樹脂、セラミックと樹脂とのコンポジット材料のうちの少なくとも1つからなる誘電体または磁性体によって構成されている。このベース基板11の表(おもて)面にはパッチ素子12が形成されている。また、その裏面にはパッチ素子12の励振用接地導体18が配置されている。
【0003】
パッチ素子12は、ほぼ正方形の矩形状導体パターンにより形成されている。このパッチ素子12を円偏波アンテナの放射導体として励振させるために、そのパッチ素子12の隣り合う2辺の縁に容量結合または共振結合する2つ給電導体131,141が配置されている。給電導体131,141は、細長い長方形の導体パターンにより形成され、パッチ素子12の縁辺に平行に近接するとともに、その長手方向の中心がパッチ素子の中心線Xc,Ycにほぼ一致するように配置されている。
【0004】
中心線(仮想線)Xc,Ycは、パッチ素子12面の中心を通り、かつその面の上で直交する2つの直線であって、2つの給電導体131,141の長手の中心がその中心線Xc,Ycにほぼ合致するように配置されている。2つの給電導体131,141には、ハイブリッド回路20にて互いに90度(λ/4)の位相差を持たせられた信号が給電端子15,16を介して給電される。これにより、パッチ素子12は直交する2方向から90度の位相差で励振されて、その素子12面の鉛直方向へ円偏波モードの電磁波を放射する。ハイブリッド回路20は、アンテナベース基板11とは別の基板にマイクロストリップライン21,22を用いて形成される。ハイブリッド回路20には入力端子INや終端抵抗Reが接続されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
円偏波アンテナでは偏波の真円度が高いこと、つまり軸比が小さいこと(良軸比)が望まれる。円偏波アンテナの特徴として、電界の回転方向が同じ同相の円偏波に対しては利得を持つが、その回転方向が反対となる逆相の円偏波に対しては利得を持たないという特性がある。この特性は同じ周波数の無線信号を偏波の違いで弁別したりするのに利用できる。しかし、軸比が悪い(大きいと)その特性が薄れてしまう。したがって、円偏波アンテナでは偏波の真円度が高い良軸比が望まれる。さらに、その良軸比はできるだけ広い範囲で得られること、すなわち周波数−軸比特性が良好なことも望まれる。
【0006】
上述した従来の円偏波パッチアンテナ101は、パッチ素子12の中心線Xc,Yc上に配置された2つの給電導体131,141により、そのパッチ素子12を直交する2方向から90度の位相差で円偏波励振するように構成されている。この構成は広い周波数範囲で良軸比を得るのに適しているとされている。しかし、本発明者が知得したところによれば、その構成は周波数−軸比特性の改善に必ずしも適したものではなく、むしろそれを妨げる阻害要因もあることが判明した。
【0007】
すなわち、直交する2方向から90度の位相差で励振されるパッチ素子12には、面状に分布して変化するアンテナ電流が流れる。この電流の分布状態とベクトル状態が、上述した従来の円偏波アンテナ101では、図8に示すような状態となる。図8は、パッチ素子12面におけるアンテナ電流の分布状態とベクトル状態を給電電流の位相(0度、90度)別に示すが、同図に示す状態では、アンテナ電流が素子12面の一部に偏って分布しているとともに、その分布の偏り状態が給電電流の位相(0度と90度)ごとに変化している。また、円偏波を励振する電流ベクトルの大きさが給電電流の位相によって異なり、真円度の高い円偏波を励振することができない。このことは周波数−軸比特性の向上を妨げる阻害要因となる。
【0008】
また、上述した円偏波パッチアンテナ101では、給電導体131,141がパッチ素子12の縁辺の中央部とその両側の広い範囲にわたって結合させられているが、その縁辺の中央部付近は、図8からもわかるように、上記アンテナ電流の分布密度が高くなるところである。このため、その給電導体131,141も上記電流ベクトルに影響を与えて軸比を悪くする(大きくする)要因になることが判明した。パッチ素子12と結合させられる給電導体131,141は、その位置あるいは形状等を、パッチ素子12に対してインピーダンス整合がとれるように設定する必要がある。しかし、その給電導体131,141の位置や形状も上記電流ベクトルに影響を及ぼすため、インピーダンス整合のために位置や形状を変更すると、軸比が悪くなってしまうという背反が生じる。つまり、インピーダンス調整が困難で安易に行えないという問題があった。
【0009】
この発明は以上のような問題を鑑みてなされたもので、その目的は、小形かつコンパクトに構成するのに適した円偏波パッチアンテナの特長を活かしつつ、周波数−軸比特性が良好で、インピーダンス整合のための調整も行いやすい円偏波パッチアンテナを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明による手段は、セラミック、樹脂、セラミックと樹脂とのコンポジット材料のうちの少なくとも1つによって構成されている誘電体または磁性体のアンテナベース基板と、このベース基板の1つの面である第1の面に配置されて円偏波アンテナの放射導体部となるパッチ素子と、上記第1の面に上記ベース基板を介して対向する第2の面に配置された上記パッチ素子の励振用接地導体と、上記第1の面にて上記パッチ素子の縁に2方向から容量結合または共振結合する2つの給電導体と、この2つの給電導体に給電するための給電端子とを有する送信および/または受信用の円偏波パッチアンテナにおいて、上記2つの給電導体は、上記第1の面にて上記パッチ素子の中心を通過し、かつその面上で直交する2つの中心線と、上記パッチ素子の縁からの延長線とで挟まれる幅内で形成されるとともに、上記中心線を避けた位置にて上記パッチ素子の縁に2方向から容量結合または共振結合するように配置されていることを特徴とする。
【0011】
上記手段によれば、パッチ素子に分布して円偏波を励振するアンテナ電流の分布状態とベクトル状態を安定化させることができ、また給電導体の形状や位置などがそのアンテナ電流の分布状態やベクトル状態に影響して軸比を悪化させることを軽減させることができる。これにより、小形かつコンパクトに構成するのに適した円偏波パッチアンテナの特長を活かしつつ、周波数−軸比特性が良好で、インピーダンス整合のための調整も行いやすい円偏波パッチアンテナを得ることができる。
【0012】
上記円偏波パッチアンテナは、アンテナ入力信号を上記2つの給電端子に90度の位相差で給電するハイブリッド回路と集合一体化させることにより、無線利用機器への組込み(高密度実装)を行いやすくすることができる。この集合一体化の形態としては、上記ハイブリッド回路が形成された回路基板を上記アンテナベース基板に積層して両者を集合一体化する構成が好適である。
【0013】
また、上記集合一体化では、アンテナベース基板とは別の誘電体基板の片面に積層固定された接地導体をそのアンテナベース基板の第2の面に配置するとともに、上記接地導体に上記誘電体基板を介して対向する弟3の面に、ハイプリッド回路を形成するマイクロストリップラインの導体パターンを配置することにより、上記接地導体がパッチ素子の励振用接地導体とマイクロストリップラインの接地導体を兼ねさせて、構成の簡略化あるいは合理化をはかることができる。
【0014】
このためには、誘電体層を挟んで導体パターンと接地導体が対向する層構造を有する2層以上の多層プリント回路基板を使用するとよい。その多層プリント回路基板の導体パターンと接地導体により上記ハイブリッド回路を構成するマイクロストリップラインを形成すれば、そのマイクロストリップラインの接地導体をパッチ素子の励振用接地導体と兼ねさせることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の代表的な実施形態を説明する。なお、アンテナは送信および/または受信用に使用されるが、説明は当該技術分野の慣例にしたがい、送信アンテナを想定して行う。
【0016】
図1は、本発明の技術が適用された円偏波パッチアンテナの第1実施形態を示す。同図に示す円偏波パッチアンテナ10は、アンテナベース基板11、パッチ素子12、接地導体18、給電導体13,14、給電端子15,16などを有する。アンテナベース基板11は、セラミック、樹脂、セラミックと樹脂とのコンポジット材料のうちの少なくとも1つからなる誘電体または磁性体によって構成されている。このベース基板11の表(おもて)面すなわち第1の面にはパッチ素子12が形成されている。また、上記ベース基板11の裏面すなわち第2の面にはパッチ素子12の励振用接地導体18が配置されている。
【0017】
パッチ素子12は、ほぼ正方形の矩形状導体パターンにより形成されている。このパッチ素子12を円偏波アンテナの放射導体として励振させるために、そのパッチ素子12の隣り合う2辺の縁に容量結合または共振結合する2つ給電導体13,14が配置されている。各給電導体13,14はそれぞれ、細長い長方形の導体パターンにより形成されている。上記給電導体13,14は、パッチ素子12と同じベース基板11の表面にて、そのパッチ素子12の縁辺に平行に近接配置されて、そのパッチ素子12の縁に容量結合または共振結合するようになっている。
【0018】
2つの給電導体13,14には、ハイブリッド回路20にて互いに90度の位相差を持たせられて2分配された信号が給電端子15,16を介して給電される。これにより、パッチ素子12は直交する2方向から90度の位相差で励振されて、その素子12面の鉛直方向へ円偏波モードの電磁波を放射する。ハイブリッド回路20は、マイクロストリップライン21,22によるλ/4の伝送路をブリッジ状に組合わせたもので、入力端子INの信号を90度の位相差で2分配して出力する。ハイブリッド回路20にはアイソレーション端子があるが、この端子は抵抗Reで終端される。このハイブリッド回路20と上述した円偏波アンテナ10をモジュール形式に集合一体化させると、無線利用機器への組込み(高密度実装)が行いやすくなる。
【0019】
ここで、2つの給電導体13,14は、パッチ素子12が形成されたベース基板11面上にて、その上記パッチ素子12面の中心を通過し、かつその面上で直交する2つの中心線Xc,Ycと、そのパッチ素子12の縁からの延長線(図示省略)とで挟まれる幅内で形成されている。つまり、給電導体13,14の長手方向が矩形状パッチ素子12の一辺の半分よりも短く形成されている。さらに、その給電導体13,14は、上記中心線Xc,Ycを避けた位置にてパッチ素子12の縁に2方向から容量結合または共振結合するように配置されている。
【0020】
図2は、図1に示した円偏波パッチアンテナ10のパッチ素子12に励振されるアンテナ電流の分布状態とベクトル状態を示す。上述した2つの給電導体13,14により、パッチ素子12は直交する2方向から90度の位相差で励振されてアンテナ電流が流れるが、このアンテナ電流の分布状態とベクトル状態は、前述した従来の円偏波アンテナの場合(図8)とは大きく異なる。すなわち、給電により励振されたパッチ素子12に流れるアンテナ電流は部分的に大きく偏在することなく、素子12全体にほぼ均等に分布する。この均等な分布状態は電流の位相(0度と90度)が変ってもそれほど変化しない。つまり、位相が変っても円偏波を励振するアンテナ電流のベクトル状態はそれほど変らない。これにより、真円度の高い円偏波を励振する状態が安定して得られるようになって、良好な周波数−軸比特性が実現される。
【0021】
また、上述した本発明の円偏波パッチアンテナ10では、給電導体13,14とパッチ素子12の結合が、アンテナ電流の分布密度が相対的に高くなる素子縁辺の中央部を避けた部分で行われることにより、給電導体13,14が上記電流ベクトルに及ぼす影響が小さい。これにより、給電導体13,14の影響による軸比の悪化を防止あるいは軽減することができる。さらに、これにより、給電導体13,14とパッチ素子12間のインピーダンス整合のためにその給電導体13,14の位置や形状等を変更することも、軸比を悪くすることなく行うことできるようになる。つまり、インピーダンス調整が容易になる。
【0022】
図3は、上述した本発明による円偏波パッチアンテナの周波数−軸比特性と前述した従来の円偏波パッチアンテナの周波数−軸比特性を示す。同図において、横軸は周波数(MHz)、縦軸は軸比(dB)をそれぞれ示す。同図からもあきらかなように、本発明による円偏波パッチアンテナは、従来のものに比べて、周波数−軸比特性が確実に向上している。
【0023】
このように、上述した本発明の円偏波パッチアンテナ10は、小形かつコンパクトに構成するのに適した円偏波パッチアンテナの特長を活かしつつ、周波数−軸比特性が良好で、インピーダンス整合のための調整も行いやすいという利点を持つことができる。
【0024】
図4は、本発明による円偏波アンテナの第2実施形態を示す。この実施形態では、上述したハイブリッド回路20をアンテナベース基板11とは別に用意した誘電体基板31に形成するが、両基板11,31を積層状態で集合一体化することにより、全体を小形かつコンパクトに形成することができる。
【0025】
同図において、パッチ素子12の励振用接地導体(18)は、パッチ素子12が形成されたアンテナベース基板11の裏面(第2の面)ではなく、そのベース基板11とは別に用意された誘電体基板31の表(おもて)面に積層固定された接地導体32によって形成されている。つまり、アンテナベース基板11の第2の面には、そのベース基板11とは別の誘電体基板31の片面に積層固定された接地導体32が配置されている。そして、その接地導体32に誘電体基板31を介して対向する弟3の面すなわち誘電体基板31の裏面に、ハイプリッド回路20を形成するマイクロストリップライン21,22の導体パターンが配置される。これにより、上記接地導体32にパッチ素子12の励振用接地導(18)とマイクロストリップライン21,22の接地導体を兼ねさせて、構成を単純化あるいは合理化させることができる。
【0026】
上述した構成は多層プリント回路基板を用いて簡単に実現できる。2層以上の多層プリント回路基板は誘電体層を挟んで導体パターンと接地導体が対向する層構造を有するので、これを用いれば、上記ハイブリッド回路20のマイクロストリップライン21,22を形成するとともに、そのマイクロストリップライン21,22の接地導体をパッチ素子12の励振用接地導体として兼用させることができる。
【0027】
上記誘電体基板31の接地導体32には、アンテナベース基板11側に形成した給電端子15,16を誘電体基板31側に形成したハイブリッド回路20に接続させるための給電用端子パッド33,34が形成されている。この端子パッド33,34は、導体部が環状に切り抜かれて形成された絶縁囲いの中にパッチ状の導体ランドを配置したものである。上記アンテナベース基板11と上記誘電体基板31は、その誘電体基板31の接地導体32上にアンテナベース基板11を表面実装させる形で集合一体化される。上記給電端子15,16と上記端子パッド33,34はその表面実装がなされた状態にて互いに接続されるように、あらかじめ位置を合わせて形成されている。端子パッド33,34とハイブリッド回路20間は、いわゆるスルーホール配線35,36により誘電体基板31を貫通して接続される。
【0028】
上記マイクロストリップライン21,22の導体パターンは、たとえばフィルム状基板に形成してもよい。このフィルム状基板を上記誘電体基板31の裏側(第3の面)に貼り付ければマイクロストリップライン21,22を形成できる。あるいは、上記導体パターンが形成された別のプリント回路基板上に上記誘電体基板31をアンテナベース基板11と共に表面実装させるようにしてもよい。
【0029】
以上のようにして、円偏波パッチアンテナ10とハイブリッド回路20を小形かつコンパクトに集合一体化させることができる。また、ハイブリッド回路20と給電端子15,16の位置関係などについては、たとえば図5に第3実施形態として示すように、給電端子15,16の線路パターンを若干変更することなどにより、高い自由度で設計することができる。
【0030】
図6は、本発明による円偏波アンテナの第4実施形態を示す。同図に示すように、パッチ素子12に結合する給電導体13,14は、そのパッチ素子12の中心線Xc,Ycを避けた位置ならば、隣り合う2つの辺にそれぞれ2つずつ配置してもよい。つまり、パッチ素子12を直交する2方向から90度の位相差で励振する2つの給電導体13,14はそれぞれ、2つに分割して配置してもよい。
【0031】
上述した各実施形態において、パッチ素子12、給電導体13,14、給電端子15,16、接地導体18,32、マイクロストリップライン21,22等の導体は、金、銀、銅、パラジウム、白金、銀パラジウム、銀白金、アルミニウム等の導体を、印刷、めっき、蒸着、スパッタ、エッチング等によって構成することができる。
【0032】
以上、本発明をその代表的な実施例に基づいて説明したが、本発明は上述した以外にも種々の態様および応用が可能である。たとえば、ハイブリッド回路20は、マイクロストリップライン21,22で構成される以外の伝送路、たとえば同軸ケーブルなどを用いて構成したものも使用可能である。また、本発明は当然、受信用アンテナとしても使用可能である。
【0033】
【発明の効果】
本発明によれば、小形かつコンパクトに構成するのに適した円偏波パッチアンテナの特長を活かしつつ、周波数−軸比特性が良好で、インピーダンス整合のための調整も行いやすいと円偏波パッチアンテナを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による円偏波パッチアンテナの第1実施形態を示す斜視図である。
【図2】本発明の円偏波パッチアンテナにおいてパッチ素子に励振されるアンテナ電流の分布状態とベクトル状態を示す平面図である。
【図3】本発明と従来の円偏波パッチアンテナの周波数−軸比特性を示す特性グラフである。
【図4】本発明による円偏波アンテナの第2実施形態を示す斜視図である。
【図5】本発明による円偏波アンテナの第3実施形態を示す斜視図である。
【図6】本発明による円偏波アンテナの第4実施形態を示す斜視図である。
【図7】従来の円偏波パッチアンテナの構成を示す斜視図である。
【図8】従来の円偏波パッチアンテナにおいてパッチ素子に励振されるアンテナ電流の分布状態とベクトル状態を示す平面図である。
【符号の説明】
10 円偏波パッチアンテナ(本発明)
101 円偏波パッチアンテナ(従来)
11 アンテナベース基板
12 パッチ素子
Xc,Yc 中心線
18 接地導体
13,14 給電導体(本発明)
131,141 給電導体(従来)
15,16 給電端子
20 ハイブリッド回路
21,22 マイクロストリップライン
IN 入力端子
Re 終端抵抗
31 誘電体基板
32 接地導体
33,34 給電用端子パッド
35,36 スルーホール配線

Claims (5)

  1. セラミック、樹脂、セラミックと樹脂とのコンポジット材料のうちの少なくとも1つによって構成されている誘電体または磁性体のアンテナベース基板と、このベース基板の1つの面である第1の面に配置されて円偏波アンテナの放射導体部となるパッチ素子と、上記第1の面に上記ベース基板を介して対向する第2の面に配置された上記パッチ素子の励振用接地導体と、上記第1の面にて上記パッチ素子の縁に2方向から容量結合または共振結合する2つの給電導体と、この2つの給電導体に給電するための給電端子とを有する送信および/または受信用の円偏波パッチアンテナにおいて、上記2つの給電導体は、上記第1の面にて上記パッチ素子の中心を通過し、かつその面上で直交する2つの中心線と、上記パッチ素子の縁からの延長線とで挟まれる幅内で形成されるとともに、上記中心線を避けた位置にて上記パッチ素子の縁に2方向から容量結合または共振結合するように配置されていることを特徴とする円偏波パッチアンテナ。
  2. 請求項1において、アンテナ入力信号を上記2つの給電端子に90度の位相差で給電するハイブリッド回路が集合一体化されたことを特徴とする円偏波パッチアンテナ。
  3. 請求項1または2において、上記ハイブリッド回路が形成された回路基板を上記アンテナベース基板に積層して両者を集合一体化したことを特徴とする円偏波パッチアンテナ。
  4. 請求項1〜3のいずれかにおいて、アンテナベース基板とは別の誘電体基板の片面に積層固定された接地導体をそのアンテナベース基板の第2の面に配置するとともに、上記接地導体に上記誘電体基板を介して対向する弟3の面に、ハイプリッド回路を形成するマイクロストリップラインの導体パターンを配置することにより、上記接地導体がパッチ素子の励振用接地導体とマイクロストリップラインの接地導体を兼ねるようにしたことを特徴とする円偏波パッチアンテナ。
  5. 請求項4において、誘電体層を挟んで導体パターンと接地導体が対向する層構造を有する2層以上の多層プリント回路基板を使用し、この回路基板の導体パターンと接地導体により上記ハイブリッド回路を構成するマイクロストリップラインが形成されているとともに、そのマイクロストリップラインの接地導体がパッチ素子の励振用接地導体を兼ねていることを特徴とする円偏波パッチアンテナ。
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Cited By (11)

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