JP2004241379A - プラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ、並びにプラズマディスプレイ部材の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高精細かつ高発光効率なプラズマディスプレイ部材ならびにプラズマディスプレイを低コストで製造し提供することを目的とする。
【解決手段】複数の電極、隔壁、蛍光体を有したプラズマディスプレイ部材であって、一部の電極が隔壁の表面および／または内部に配してあることを特徴とするプラズマディスプレイ部材およびその製造方法である。
【選択図】図４

Description

本発明はプラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイ部材の製造方法に関するものである。

プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」とする）は液晶パネルに比べて高速の表示が可能であり、かつ大型化が容易であることから、ＯＡ機器および広報表示装置などの分野に利用されている。また、高品位テレビジョン、ホームシアター用途への進展が非常に期待されている。

ＰＤＰは、前面側基板と背面側基板との間に備えられた放電空間内で対向するアノードおよびカソード電極間にプラズマ放電を生じさせ、放電空間内に封入されている放電ガスから発生した紫外線を、放電空間内に設けた蛍光体に照射することにより表示を行うものである。放電ガスとしてＸｅ−Ｎｅ混合ガスを用いた場合、１４７ｎｍ、１７２ｎｍといった非常に波長が短い紫外線が発生している。また、放電の広がりを一定領域に抑え、表示を規定のセル内で行わせると同時に、かつ均一な放電空間を確保するために隔壁（障壁、リブともいう）が設けられている。隔壁の形状は、一般にはおよそ幅２０〜１２０μｍ、高さ５０〜２５０μｍのストライプ状や格子状のものなどがある。

ＡＣ型ＰＤＰは、一般に、図１に示すような構造をしている。すなわち前面側基板に透明電極、バス電極、透明誘電体層、保護膜が形成されている。１つの透明電極とバス電極は積層され電気的に導通している。この１つの透明電極およびバス電極（スキャン電極）とその隣に位置する透明電極とバス電極（サスティン電極）に電圧を印加することで、これらの透明電極間の（放電）ギャップから放電を開始し、保護膜表面での面放電が維持されて表示発光動作を行っている。また、精細度、隣接セルとの放電干渉といったことから、放電電極間をあまり大きくとることができないので、微少領域での放電になりやすく、しかも面放電であるので紫外線の発生効率の高い陽光柱は生成されず、放電モードは負グローに制約され、紫外線生成効率が低い、すなわち、発光効率も低くなりやすい。特に、ハイビジョン用途など高精細ＰＤＰにおいては、放電部位と隔壁、蛍光体の距離が相対的に短くなり、イオンや電子などの荷電粒子が拡散しやすいため、より一層放電がシュリンクしやすい。さらに、放電形態が面放電であるので、発生した紫外線は蛍光体が形成されていない前面側基板の方向にも照射しており、ほとんどが前面側基板で吸収されてしまっており表示に利用されていない。

前面側基板には表示画素を選択するアドレス時の電荷蓄積機能や、蛍光体発光の透過機能も必要とされる。そのため、厚み２０〜５０μｍの透明な誘電体層が形成される。誘電体層の可視光透過率は７０〜８０％程度であり、蛍光体からの可視発光の一部が吸収され、全てが表示として利用されず、ロスが生じている。また、発光の透過性という観点では、透明電極（ＩＴＯなど）としては、決して満足するものではない。また、放電領域が透明電極付近に限定されるため、効率的に紫外線を発生させることが難しかった。
さらに、前面側基板は作製プロセスが多く、歩留まり低下、ひいてはコストの上昇の要因となっていた。
以上述べたように、ＰＤＰの主な課題は高発光効率化および低コスト化であった。

発光効率を向上させるために、例えばメタル隔壁を用いる技術が提案されている（特許文献１または２参照）。これは、対向放電とすることで放電路を長くし、絶縁したひとつ、または複数のシート状金属板の積み重ねで隔壁を形成することで、陽光柱形成時の荷電粒子の隔壁拡散を抑制させて放電効率を大きくするといったものである。しかし、構造がより複雑化するだけでなく、前面側基板、背面側基板、メタル隔壁の３層構成となり、部材数、作成プロセスが増加し低コスト化には課題が多かった。

他に厚膜セラミックシートを用いたＰＤＰが提案されている（例えば、非特許文献１）。これは、隔壁に相当する部分を格子状の厚膜セラミックシート化し、蛍光体を形成した背面板と前面板で厚膜セラミックシートを挟む３層構造としたものである。厚膜セラミックシート内に表示電極やアドレス電極を形成し、対向放電とすることで発光効率の向上を狙うものである。しかし、画素３ｍｍ程度の大画面（３００型付近）を目指しており、プロセス上厚膜セラミックシートの高精細化には困難がある。また、背面基板、厚膜セラミックシート、前面側基板の位置合わせに精度が必要であり、歩留まり低下、コストの上昇を招く。さらに、電極ギャップ（＝放電ギャップ）が長いために放電開始電圧が高くなり、これまで以上の高耐圧ＩＣが必要となり駆動回路のコストが上昇してしまう。

すなわち、現在製品化されている従来構造のＰＤＰや上記のこれまで提案されているＰＤＰでは、高精細、高発光効率、低コストの全てを満足することは困難であった。
特開平１１−３１２４７０号公報（第５〜９頁） 特開２０００−３０６５１６号公報（第５〜８頁） LCD/PDP International 2002、PDPセミナー2002（PDP将来技術）、テキスト2-1〜2-13

そこで本発明は、上記従来技術の問題点に着目し、高精細かつ高発光効率なＰＤＰ部材ならびにＰＤＰを低コストで製造し提供することにある。

上記課題を解決するために本発明は以下の構成を有する。すなわち本発明は、複数の電極、隔壁、蛍光体を有したプラズマディスプレイ部材であって、一部の電極が隔壁の表面および／または内部に配してあることを特徴とするプラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイである。
また、その電極が、主電極と主電極から互いに向き合う方向に張り出した補助電極を有することを特徴とするプラズマディスプレイ部材およびプラズマディスプレイである。
さらに、複数の電極、隔壁、蛍光体を有したプラズマディスプレイ部材の製造方法であって、隔壁の表面および／または内部に電極を配する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイ部材の製造方法である。

本発明によれば、高発光効率かつ低コストなＰＤＰ部材とＰＤＰの製造方法を提供することができる。

発明者らは、プラズマディスプレイを高発光効率化すると同時に低コスト化も可能なプラズマディスプレイ部材のパネル構造について鋭意検討を行った結果、従来の前面板や背面板の構造とは大きく異なり、以下に述べる新規な構造によって達成されることを見出した。

本発明のプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）部材は、複数の電極、隔壁、蛍光体を有したＰＤＰ部材であって、一部の電極が隔壁の表面および／または内部に配してあることを特徴とするＰＤＰ部材であることが重要である。図３に本発明のＰＤＰ部材の構造例を示す（蛍光体は省略）。本図では、隔壁の内部に電極を形成した場合を示したが、隔壁の側面、頂部などに形成してもよい。電極を隔壁の側面や頂部に形成した場合、絶縁破壊の回避や放電の安定性といった点から、ＡＣ方式で駆動する際は電極表面を絶縁性の材料で被覆することが好ましく、ＤＣ方式で駆動する際は、電流制限のための抵抗を挿入する方がよい。

このように本発明のＰＤＰおよびＰＤＰ部材は、図１に示した従来のＰＤＰの構造、すなわち、表示電極が形成された前面板と隔壁が形成された背面板からなる３面放電型の構造とは全く異なっており、隔壁の表面および／または内部に表示電極が形成されているという新しい構造である。

隔壁表面または／および内部に形成した電極は、表示（維持）電極としても用いることができるし、種火放電用のプライミング電極やアドレス電極としても用いることができる。隔壁の表面または／および内部に形成した電極を表示（維持）電極として用いた場合について、以下に説明する。ただし、本発明はこれに限定されない。

本発明のＰＤＰは面放電型ではなく対向放電型となる。そのため、面放電型と比較して電極の電極間ギャップを大きくするこが可能で、放電路を長くとることができる。すなわち、陽光柱の生成確率が高くなり、紫外線発生効率、発光効率を高くすることができる。また、これまでの対向放電型ＰＤＰの多くは前面基板と背面基板間の対向放電であり、放電路長（＝電極間ギャップ）を大きくするためには、より高い隔壁を形成する必要があり、アスペクト比が大きくなり加工精度、歩留まりといった点から現実的ではなかった。また、前面側基板と背面側基板の対向放電でアドレスを行う場合、電極間ギャップが長くなり過ぎ、アドレス電圧が高くなり高耐圧ＩＣが必要になりコストが増加してしまう問題もある。このため、対向放電型での電極間ギャップは１００〜１５０μｍ程度であった。

本発明の構造における電極間ギャップは、放電セルの間隔と同程度にすることができる。例えば、４２インチのＶＧＡクラスで０．５ｍｍ程度、ＸＧＡクラスで０．３ｍｍ程度である。したがって隔壁を高くすることなく、従来の対向放電型に比べて電極間ギャップを２〜３倍以上に長くすることが可能である。また、従来の面放電型と比べても、電極間ギャップは３〜５倍程度にもなる。すなわち、放電のモードが陽光柱により近くなり、紫外線発生効率を高く、すなわち発光効率を高くすることができる。さらに対向放電となるので、前面側基板への紫外線損失や隔壁への荷電粒子の損失が低下するので、こういった観点からも発光効率が高くなる。

また、従来の前面側基板と背面側基板間の対向放電型では、電極間ギャップ、隔壁高さ、放電空間体積を独立に変えることはできなかったが、本発明の構造では、電極間ギャップを一定にしたまま、隔壁高さを高くすることで放電空間を広くできるので、放電開始電圧を変化させることなく、紫外線発生効率を大きくしたり荷電粒子の拡散損失を少なくするセル設計の自由度が増す。

さらに、電極を前面側基板に形成する必要がなくなるので、透明誘電体層、透明電極層が不要となり、２０〜３０％ロスしていた蛍光体発光が有効に表示光として利用できるようになる。さらに、これらを形成しなくて済むので、前面側基板の作成工程が大幅に低減できる。また、前面側基板にはバス電極も不要となるので、１画素の開口率も大きくすることができる。さらに、これまでバス電極に照射された蛍光体からの発光はほとんどが吸収されて表示は利用されていなかったが、これを有効に利用できるようになるので高輝度化できる。

本発明の前面側基板として究極的には、ガラス基板のみでも可能であるが、ガラス基板表面の耐スパッタ性を向上する目的でガラス基板上に保護膜（例えば、ＭｇＯ膜）を形成したり、明室コントラストを向上させる目的でブラックストライプやブラックマトリックスを形成してもよい。また、表示セルのアドレス電圧やマージンを改善する目的で、前面側にアドレス電極を形成することもできる。

さらに、これまでの前面側基板での構造や作成プロセスでは作成することが難しかった機能付与も容易となりやすかったり、材料、プロセス的な自由度が広がる。例えば、放電で発生する紫外線をより一層有効に利用する紫外線反射層を形成したり、蛍光体からの発光光をパネルの外に取り出しやすくするための光学薄膜層を形成するなどである。これまでは、透明誘電体層が形成される場合、その厚みや屈折率などの光学的因子から決定されるのではなく、絶縁耐圧、誘電率といった電気的な観点や、焼成温度と熱軟化特性といったプロセス性とのバランスで決定されていた。しかし、本発明では、これらの制約が無くなるので、屈折率および光学的膜厚といった観点で材料設計が可能となる。

また、前面側基板を作成する焼成や蒸着といった高温プロセスが不要となるので、使用するガラスなどの基板を薄くすることも可能となり、パネルの重量を軽減することも可能と考えられる。

また、さらに隔壁形状として格子状、ワッフル構造、ミアンダ構造と言った複雑な構造を採用した際、前面側基板と背面側基板の封着・張り合わせ工程では位置精度の高いステージやＣＣＤカメラを搭載した装置が必要である。なぜならば、前面側基板に形成された電極は、隔壁とは別々の基板上に形成されるからである。さらに、パネル化の最終工程での加工ミスは非常に大きな生産ロスに繋がるので、低コスト化の妨げになっている。本発明のＰＤＰ部材では、ひとつの基板上に隔壁、および隔壁の表面および／または内部に配してある電極が形成されるのが好ましい。より好ましくは、基板上にアドレス電極、隔壁、および隔壁の表面および／または内部に配してある電極、蛍光体を形成することが好ましい。なぜならば、複雑なセル構造の場合でも、１つの基板上に電極と隔壁を形成するので封着、張り合わせ工程での歩留まりを向上することができる。さらに、高い張り合わせ精度が必要ないので、張り合わせ工程が簡便かつ低コストの装置を用いて可能である。また、１枚の基板上に主要なパターンを作り込めるので、画素、すなわち放電セルのユニフォーミティーが高くなり、大型基板内での場所による放電開始電圧、アドレス電圧などの差が生じにくく、電圧マージンが広くなるので電圧設定を低めに設定できたり、信頼性が向上するといったメリットもある。

本発明のＰＤＰ部材においては、電極が、主電極と主電極から互いに向き合う方向に張り出した補助電極を有することが好ましい。これにより、放電開始電圧を下げ、安定な放電を行うことができる。放電開始電圧は、パッシェンの法則（Ｖｆ＝ｆ（ｐ・ｄ）、Ｖｆ：放電開始電圧、ｐ：放電ガス圧、ｄ：電極間距離）により決定される。Ｖｆはｐ・ｄの積に対して極小を示す。電極を隔壁の表面および／または内部に配する場合、前述の通り面放電に比べて電極間距離が長くなり、放電開始電圧が高くなってしまうが、例えば図４に示すように、主電極から互いに向き合う方向に張り出した補助電極を設けることで、放電開始電圧を低くすることができる。なぜならば、補助電極を設けることで、表示電極間隔で部分的に距離を小さくできるので、この補助電極間ギャップ（放電ギャップ）で放電が生じやすくなり、これをトリガーとして主電極間隔の広い放電に繋がる。

放電開始電圧の低減効果、放電の安定性から、補助電極間ギャップは、５０〜８００μｍであることが好ましい。より好ましく、６０〜３００μｍである。さらにより好ましく、７０〜１５０μｍである。補助電極間ギャップが５０μｍよりも小さい場合、電極間ギャップでの絶縁破壊が生じやすくなる。また、８００μｍよりも大きい場合、放電開始電圧の低減効果が得にくくなる。

主電極間ギャップは、作成する放電セルの大きさによるが１００〜１０００μｍであることが好ましい。より好ましくは、１５０〜６５０μｍである。１００μｍよりも小さい場合、放電空間が狭くなり過ぎて安定した放電が出来なくなる。１０００μｍよりも大きい場合、放電開始電圧が実用上大きく成りすぎるからである。

また、図４には単純なスリットを入れた構造の補助電極を示してあるが、片側にテーパーしてもよい。すなわち、隣接する放電セル側をテーパーすることによって、隣接の非放電セル（非表示セル）の誤放電を抑えることができる。また、電極間間隔の加工精度の均一性といった点からは、平行なスリット形状が好ましい。

ＡＣ型ＰＤＰの場合、電極は絶縁性の材料で被覆することが必要であるが、補助電極を設けた場合、この補助電極を主電極と同様に隔壁の内部に埋め込むか、隔壁の表面に形成し、後で絶縁性の材料で被覆することがよい。補助電極、主電極を隔壁の表面および／または内部に配する場合、隔壁形状は、ストライプ状ではなく、格子状、ワッフル状が好ましい。より好ましくは格子状の隔壁である。なぜならば、水平方向の画素を仕切る隔壁（主隔壁）の表面および／または内部に補助電極の大部分を形成し、垂直方向の画素を仕切るための隔壁（補助隔壁）の表面および／または内部に主電極の大部分を形成すれば、よいからである。ここで、大部分とは、その電極の５０％以上を意味する。

また、図３、図４では主電極および補助電極の断面が、高さ（厚み）方向に比べて幅方向に長い場合（図５）を示したが、放電領域をさらに広くするために、図６のようにその断面が幅方向に比べて高さ（厚み）方向が長い電極形状とするのがよい。

“ＡＬＩＳ”方式のＰＤＰを除き、その他のＡＣ型ＰＤＰの場合、垂直方向のセルは放電（表示）セルと非放電（非表示）セルが交互に配置している。放電セルと非放電セルの電極間隔を同じにすると両セルとも放電してしまう。そこで、放電セルの透明電極間間隔を隣接の非放電セルのそれよりも短くしてある。本発明のＰＤＰにおいても同様に、放電（表示）セルと非放電（非表示）におけるそれぞれの電極間隔を異なるようにして、表示セルのみを放電させ、垂直方向の隣接セルが放電しないような構造とすることができる。
また、補助電極を設けた場合、隣接セルへの放電干渉を少なくできるので、放電（表示）セルと非放電（非表示）セルの電極間隔の差を小さく、すなわち放電（表示）セルを大きくできる。したがって、１画素あたりの開口率が大きくなり高輝度化できる。

電極は隔壁の内部および片側面にのみに配されることが好ましい。片側面とは、放電（表示）する放電空間に面している面を指し、隔壁の頂部、底部以外の面である。例えば、図７のようにすることができる。なぜならば、隣接の非放電（非表示）セルへの放電干渉を抑制したり、放電開始電圧を低減できるからである。片側面にある電極は、主電極、補助電極対のいずれか、または双方でもよい。放電開始電圧の低減という観点では、補助電極の一部が片側面に形成されていることが好ましい。

また、隔壁が反射率の異なる２層以上の複数層で構成されるのが好ましい。反射率の高い層は、隔壁内や背面基板側にこれまで漏れていた蛍光体から発生する可視光を、表示面側に反射させ有効利用することによって、発光効率を上げることができる。ここで、反射率とは、可視領域での全光線（直進線分＋拡散成分）反射率を指す。
反射率の差は大きければ大きいほどよいが、４０％以上あることが好ましい。より好ましくは５０％以上である。さらにより好ましくは６０％以上である。例えば、上層が反射率５％、下層が６０％（反射率の差が５５％）などである。

反射率の低い層が表示面側にあるのが好ましい。反射率の低い層があることによって、表示面側から入射する外光を吸収し、コントラストを向上させることができる。また、外光の反射防止フィルターを可視光の透過率のよいものに変えることができ発光効率を向上させることができる。

表示画素内部にある表示電極対の一部あるいは全てが、ガラス軟化点４００〜６５０℃のガラス（低軟化点ガラス）で覆われているのが好ましい。４００〜６５０℃のガラスを用いることによって、緻密性がよく、気泡の少ない層で電極を覆うことができる。これにより絶縁破壊を少なくし、安定な放電を行うことができる。ガラス軟化点が４００℃より低いと有機物の分解前にガラスが軟化するため逆に気泡を形成する要因となる。６５０℃より高いと焼結不足となりやすく絶縁破壊が起こりやすくなる。

例えば、ＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃系の低軟化点ガラスを好ましく用いることが出来る。
焼成時の形状保持性からガラス以外に、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、高軟化点ガラス（何加点７００℃以上）の材料をフィラー成分として含んでもよい。フィラーの含有量は、低軟化点ガラスの軟化点た被覆層の厚み、焼成温度にもよるが、好ましくは低軟化点ガラス１００重量部に対してフィラー１〜４０重量部である。より好ましくは２〜１５重量部である。

隔壁表面の一部あるいは全てが絶縁性の材料で被覆されているのが好ましい。絶縁性の材料で被覆することで、電極の絶縁破壊を抑制しやすくでき、より信頼性の高いＰＤＰを作製できるからである。絶縁性の材料で被覆しないと、表示電極の絶縁破壊が生じやすい傾向にあり、過電流による駆動回路の破壊が起こりやすくなる傾向にある。

絶縁性の材料としては、ＭｇＯ、ＭｇＧｄ₂Ｏ₄、ＢａＧｄ₂Ｏ₄、Ｓｒ_0.6Ｃａ_0.4Ｇｄ₂Ｏ₄、Ｂａ_0.6Ｓｒ_0.4Ｇｄ₂Ｏ₄、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、前述の低軟化点ガラスの群から選ばれる少なくとも１種以上を含むのが好ましい。

また、蛍光体の一部あるいは全てが絶縁性の材料で被覆されていることが好ましい。放電による蛍光体の輝度低下、色度変化などを少なくできるのでより長寿命なディスプレイを提供できるからである。絶縁性の材料としては、上述の材料を用いることができる。好ましくはＭｇＯを７０％以上含むことである。さらに好ましくはＭｇＯを９０％以上含むことである。ＭｇＯは放電による耐スパッタ性に優れると同時に２次電子放出係数が高いので、放電開始電圧を低くしたり放電の安定性を高めることが出来るからである。さらに、できるだけＰＤＰの励起紫外線の透過性が良好である材料が好ましい。例えば、ＭｇＦ₂、ＣａＦ₂、ＢａＦ₂などのフッ化物などが挙げられる。好ましくは、ＭｇＯとＭｇＦ₂の混合材料が好ましく用いることができる。

次に、本発明のプラズマディスプレイ用部材ならびプラズマディスプレイの作製手順を図４を用いて説明する。ここではＡＣ型プラズマディスプレイを例にその作成手順を説明するが、必ずしもこの構造には限定されない。

最初にＰＤＰ部材の作製方法を説明する。
本発明のＰＤＰ用部材としての基板としては、ソーダガラスの他にＰＤＰ用の耐熱ガラスである旭硝子社製の“ＰＤ２００”や日本電気硝子社製の“ＰＰ８”を用いることができる。

ガラス基板上に銀やアルミニウム、クロム、ニッケルなどの金属によりアドレス電極を放電セルのピッチにてストライプ状に形成する。形成する方法としては、これらの金属の粉末と有機バインダーを主成分とする金属ペーストをスクリーン印刷でパターン印刷する方法や、有機バインダーとして感光性有機成分を用いた感光性金属ペーストを塗布した後に、フォトマスクを用いてパターン露光し、不要な部分を現像工程で溶解除去し、さらに、通常４００〜６００℃に加熱・焼成して電極パターンを形成する感光性ペースト法を用いることができる。また、ガラス基板上にクロムやアルミニウム等の金属を蒸着した後に、レジストを塗布し、レジストをフォトマスクを用いてパターン露光・現像した後にエッチングにより、不要な部分の金属を取り除くエッチング法を用いることができる。
さらに、放電の安定化のためにアドレス電極層の上に誘電体層を設けても良い。

アドレス電極を形成したガラス基板上に、隔壁、隔壁の表面および／または内部に表示電極対を配する工程について説明する。
まず、アドレス電極を形成した基板上に、電極を形成する高さまでの下層の隔壁を形成する。隔壁の作製方法としては、サンドブラスト法、型転写法、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。本発明に使用する隔壁の材料としては特に限定されず、公知の材料が適用できる。隔壁形状としては、特に限定されないが、補助電極を形成する場合、格子状であることが好ましい。

次に電極を下層の隔壁の上に形成する。電極の作製方法としてはアドレス電極の作製方法で述べた方法と同様な公知材料・方法を用いることができる。隔壁の表面に電極を形成する場合は、後述の絶縁性材料の被覆工程や蛍光体の形成を行うが、隔壁の内部に電極を形成する場合は続いて、下層の隔壁の上に形成された電極の上にさらに上層の隔壁を形成する。

このように下層の隔壁、電極、上層の隔壁の順に形成することで電極を隔壁の内部に形成することができる。アスペクト比の高い隔壁を形成する場合の加工精度、均一性といった点から隔壁の形成方法としては、フォトリソグラフィー法が好ましい。また、電極、特に補助電極の電極間間隔の均一性の高さから、電極の作製方法としても、同様にフォトリソグラフィー法が好適である。

フォトリソグラフィー法による隔壁の形成方法を説明するが、本発明はこれに限定されるわけではない。隔壁は公知の感光性ガラスペーストを用いて形成させることができる。感光性ガラスペーストは、例えば感光性モノマー、感光性オリゴマー、感光性ポリマーのうち少なくとも１種類から選ばれる感光性成分を含有し、さらに必要に応じて、バインダー、光重合開始剤、紫外線吸光剤、増感剤、増感助剤、重合禁止剤、可塑剤、増粘剤、酸化防止剤、分散剤、有機あるいは無機の沈殿防止剤やレベリング剤等の添加成分と、低融点ガラスと、フィラーとして高融点ガラスを少なくとも各１種類ずつ含む。これら各種成分を所定の組成になるよう調合した後、３本ローラーや混練機で均質に混合分散し、感光性ガラスペーストを作製することができる。

ペースト粘度は、ガラス粉末、増粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤等の添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は２０００〜２０００００ｃｐｓ（センチポイズ）である。例えば、基板への塗布をスリットダイコーター法やスクリーン印刷法以外にスピンコート法で行う場合は、２００〜５０００ｃｐｓが好ましい。

ガラス、セラミックス、ポリマー製フィルム等からなる基板上に、作製した感光性ガラスペーストを全面塗布、もしくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、ブレードコーター等の方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペーストの粘度によって調整できる。

ここで、ペーストを基板上に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板の表面処理を行うことができる。
塗布した後、露光装置を用いて露光を行う。露光は、通常のフォトリソグラフィー法で行われるように、フォトマスクを用いてマスク露光する方法が一般的である。用いるマスクは、感光性有機成分の種類によって、ネガ型もしくはポジ型のどちらかを選定する。また、フォトマスクを用いずに、赤色や青色のレーザー光等で直接描画する方法を用いても良い。露光装置としては、ステッパー露光機、プロキシミティ露光機等を用いることができる。また、大面積の露光を行う場合は、ガラス基板等の基板上に感光性ペーストを塗布した後に、搬送しながら露光を行うことによって、小さな露光面積の露光機で、大きな面積を露光することができる。

露光後、感光部分と非感光部分の現像液に対する溶解度差を利用して現像を行うが、この場合、浸漬法、シャワー法、スプレー法、ブラシ法で行う。
隔壁パターンを含む基板の焼成工程は焼成炉により行う。焼成雰囲気や温度はペーストや基板の種類によって異なるが、空気中、窒素、水素等の雰囲気下で焼成する。焼成温度は４００〜６１０℃で行う。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。また、以上の工程中に乾燥、予備反応の目的で、５０〜３００℃加熱工程を導入してもよい。

次に、フォトリソグラフィー法で表示電極対を形成する方法を説明するが、本発明はこれに限定されるわけではない。表示電極対は、公知の感光性電極ペーストを用いて形成させることができる。感光性電極ペーストとして、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｒなどの導電性の金属粉末および感光性有機成分を主成分とするペーストを用いることにより電極形成のための薄膜パターンを形成することができる。

感光性金属ペーストを下層の隔壁上に一括塗布した後、所望のパターンを得るためのマスクを介して活性光線を照射する。活性光線の照射には、プロキシミティ露光機などを用いることができる。また、大面積の露光を行う場合は、基板上に感光性ペーストを塗布した後に、搬送しながら露光を行うことによって、小さな露光面積の露光機で、大きな面積を露光することができる。
露光後、露光部分と未露光部分の現像液に対する溶解度差を利用して、浸漬法やスプレー法、ブラシ法等で現像処理を行う。
次に焼成炉にて焼成を行う。焼成雰囲気や温度は、ペーストや基板の種類によって異なるが、空気中、窒素、水素などの雰囲気中で焼成する。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。

下層の隔壁、表示電極対、上層の隔壁を形成する各工程において、その都度焼成を行ってもよいが、さらなる低コスト化のために上層の隔壁を形成した後に最後に一括で焼成したり、下層の隔壁を一度焼成しておき、電極、上層の隔壁を一括で焼成したり、アドレス電極と隔壁を一括で焼成してもよい。
電極と隔壁を一括で焼成する場合、断線、亀裂の抑制のために、電極を形成後に熱によりキュアすることが好ましい。キュアする条件としては、１４０〜３００℃の温度範囲で３〜３０分の時間範囲が好ましい。より好ましくは、１５０〜２５０℃の温度範囲で５〜３０分の時間範囲である。ここでいうキュアとは、約１２０℃以下で行われる単なる乾燥を含まない。キュアには熱風乾燥機やＩＲ乾燥機を用いることができる。また、隔壁や電極を形成するペーストには、できるだけ焼成応力の少ないものを用いた方がよい。焼成応力を低減するためにウレタン化合物を添加することができる。

ウレタン化合物として、例えば、下記一般式（１）で示される化合物が挙げられる。
Ｒ¹−（Ｒ⁴−Ｒ³）_n−Ｒ⁴−Ｒ² （１）
（Ｒ¹およびＲ²はエチレン性不飽和基を含む置換基、水素、炭素数１〜２０のアルキル基、アリール基、アラルキル基およびヒドロキシアラルキル基からなる群から選ばれたものであり、それぞれ同じであっても異なっていても良い。Ｒ³はアルキレンオキサイド基またはアルキレンオキサイドオリゴマー、Ｒ⁴はウレタン結合を含む有機基である。ｎは１〜１０の自然数）
このようなウレタン化合物は、エチレンオキサイド単位を含むことが好ましい。より好ましくは、一般式（１）中、Ｒ³がエチレンオキサイド単位（以下、ＥＯと示す）とプロピレンオキサイド単位（以下、ＰＯと示す）を含むオリゴマーであることであり、かつ、該オリゴマー中のＥＯ含有量が８〜７０重量％の範囲内であることである。ＥＯ含有量が７０重量％以下であることにより、柔軟性がさらに向上し、焼成応力を小さくできるため、欠陥を効果的に抑制できる。さらに、熱分解性が向上し、隔壁形成後の焼成工程において、焼成残渣が発生しにくくなる。また、ＥＯ含有量が８％以上であることにより、他の有機成分との相溶性が向上する。

また、ウレタン化合物が炭素−炭素二重結合を有することも好ましい。ウレタン化合物の炭素−炭素二重結合が他の架橋剤の炭素−炭素二重結合と反応して架橋体の中に含有されることにより、さらに重合収縮を抑制することができる。

本発明で好ましく用いられるウレタン化合物の具体例としては、ＵＡ−２２３５ＰＥ（分子量１８０００，ＥＯ含有率２０％）、ＵＡ−３２３８ＰＥ（分子量１９０００，ＥＯ含有率１０％）、ＵＡ−３３４８ＰＥ（分子量２２０００，ＥＯ含有率１５％）、ＵＡ−５３４８ＰＥ（分子量３９０００，ＥＯ含有率２３％）（以上、新中村化学（株）製）などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらの化合物は混合して用いてもよい。
ウレタン化合物の含有量は、ペースト中の０．１〜２０重量％であることが好ましい。含有量を０．１重量％以上とすることで、適切なはがれ抑制の効果が得られる。２０重量％を超えると、有機成分と無機微粒子の分散性が低下し、欠陥のが生じやすくなる。

このように下層の隔壁、電極、上層の隔壁を順次形成する場合を説明したが、下層の隔壁を形成するための隔壁ペーストを塗布・乾燥した後露光し、現像せずに続けて電極を塗布、乾燥、キュア、現像により形成し（隔壁ペーストと比較して電極ペーストは現像時間が非常に早いので、隔壁ペーストの現像がほとんど進まないうちに、表示電極対を形成できる）、さらに続けて上層の隔壁を形成するための隔壁ペーストを塗布・乾燥し、上層と下層の隔壁を一括でパターン形成（サンドブラスト法の場合では研磨砂により切削作業を、フォトリソグラフィー法の場合では現像作業を指す）を行ってもよい。

上層の隔壁を形成した後に、パネル化後の真空排気の効率をよくするために、前面側基板とのクリアランスを確保するための隔壁をさらに設けてもよい。このクリアランス用隔壁もまた、上層と下層とともに一括してパターン形成を行ってもよい。

次に、隔壁の表面に電極を形成した場合や隔壁片側面に電極を形成した場合では、放電空間に晒される電極の表面を絶縁性の材料で被覆してもよい。被覆の方法は特に限定されず公知の方法が適用できる。例えば、薄膜状態での膜の均一性の観点からはスパッタ法、真空蒸着法が好適である。低コストといった観点からは絶縁性の材料とバインダーを含む絶縁性ペーストを塗布する、スクリーン印刷法、ディスペンサー法、感光性ペースト法が好ましい。被覆層の厚みは特に限定されないが、０．５〜５０μｍが好ましい。より好ましくは、２〜２０μｍである。０．５μｍよりも薄い場合は電気的絶縁の機能が発現しにくいからである。また、５０μｍよりも厚い場合は、放電セルの放電空間が狭く成りすぎて輝度が低下する傾向にあるからである。
例えば、低軟化点ガラスで被覆する場合、低軟化点ガラスフリット、有機バインダー（エチルセルロース系やアクリル系樹脂など）、溶媒（例えば、テルピネオールなど）を３本ロールで混練したペーストを用いることが出来る。各組成は、被覆層の厚み、塗布条件などにより適宜調整できる。

樹脂成分除去のための焼成は、使用する樹脂が十分に脱バインダーする温度で行うのがよい。樹脂にセルロース系樹脂を用いた場合では、例えば４５０〜６５０℃である。アクリル系樹脂を用いた場合では、４３０〜６５０℃である。焼成温度が低すぎると樹脂成分が残存しやすく、高すぎるとガラス基板に歪みが導入され割れが生じてしまう。

アドレス電極、隔壁、表示電極対を形成したガラス基板上に、蛍光体ペーストを用いて蛍光体を形成する。感光性蛍光体ペーストを用いたフォトリソグラフィー法、ディスペンサー法、スクリーン印刷法等によって形成できる。蛍光体の厚みも特に限定されるものではないが、１０〜３０μｍ、より好ましくは１５〜２５μｍである。 蛍光体粉末は特に限定されないが、発光強度、色度、色バランス、寿命などの観点から、以下の蛍光体が好適である。青色は２価のユーロピウムを賦活したアルミン酸塩蛍光体（例えば、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ）やＣａＭｇＳｉ₂Ｏ₆である。緑色では、パネル輝度の点からＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ、ＹＢＯ₃：Ｔｂ、ＢａＭｇ₂Ａｌ₁₄Ｏ₂₄：Ｅｕ，Ｍｎ、ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ₂₃：Ｍｎが好適である。さらに好ましくはＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎである。赤色では、同様に（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ、ＹＰＶＯ：Ｅｕ、ＹＶＯ₄：Ｅｕが好ましい。さらに好ましくは（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕである。

蛍光体を形成した後に、絶縁性の材料で蛍光体の一部あるいは全てを被覆してもよい。被覆の方法などは、前述の隔壁の被覆のところで記したものと同様であるが、蛍光体を被覆する層の焼成温度は、蛍光体の劣化を最小限にするために５５０℃以下であることが好ましい。より好ましくは５１０℃以下である。

次にプラズマディスプレイの製造方法について説明する。
本発明のＰＤＰ用部材とガラス基板を封着後、２枚の基板間隔に形成された空間を加熱しながら真空排気を行った後に、ヘリウム、ネオン、キセノンなどから構成される放電ガスを封入して封止する。放電電圧と輝度の両面からはＸｅ５〜１０％−Ｎｅ bal.混合ガスが好ましい。紫外線の発生効率を大きくするために、さらにＸｅを３０％程度まで高くしてもよい。

最後に、駆動回路を装着し、エージングを行いＰＤＰを作製できる。
ここで、本発明のＰＤＰ用部材とガラス基板を用いてＰＤＰを作製する例を示したが、ガラス基板の耐スパッタ性を向上させるためにＭｇＯ膜を形成したガラス基板、明室コントラストを向上させるためにブラックストライプやブラックマトリックスを形成したガラス基板と本発明のＰＤＰ部材を封着してプラズマディスプレイを作製してもよい。

以下、本発明を実施例を用いて、具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定はされない。まず、電極の絶縁性評価方法、相対発光効率の測定法について、具体的に説明する。

（電極の絶縁性評価方法）
封着して放電ガスを封入したＰＤＰの電極に絶縁耐圧測定装置（菊水電子工業株式会社製、“ＴＯＳ９２０１”）を用いて６０Ｈｚの電圧を徐々に印加していき、絶縁破壊が１セル以上生じた電圧を測定した。絶縁破壊電圧は高ければ高いほどよいが、２ｋＶ以上あれば優れており、実用上は１ｋＶ以上であれば問題ない。

（相対発光効率の測定）
発光効率は次のように求めた。まず、作製したＰＤＰの輝度Ｂ（ｃｄ／ｍ²）を色彩計ミノルタ製“ＣＳ−１０００”を用いて測定した。この時のＰＤＰに印加されている電力Ｗ（Ｗ）をデジタルパワーメータ（横河電機株式会社製、２５３２）を用いて求めた。そして次式より発光効率ηを求めた。
η＝πＢ・Ｓ／Ｗ
ただし、Ｓは作製したＰＤＰの表示部の面積（ｍ²）である。
比較例１の発光効率を１００とした時の発光効率を相対発光効率とした。

（実施例１）
プラズマディスプレイを以下の手順にて作製した。まず、旭硝子社製“ＰＤ２００”ガラス基板（１３インチ）上に、感光性銀ペーストを用いたフォトリソグラフィー法によりアドレス電極パターンを形成した。アドレス電極の幅は１５０μｍ、ピッチ３６０μｍ、焼成後の厚みは４μｍとした。次いで、アドレス電極が形成されたガラス基板上に誘電体層をスクリーン印刷法により２０μｍの厚みで形成した。しかる後、あらかじめ作製しておいた感光性ガラスペーストをスリットダイコータを用いてアドレス電極パターンおよび誘電体層が形成されたガラス基板上に均一に塗布した。塗布膜厚みは、焼成後に５０μｍになるように調整した。その後、８０℃で１時間保持して乾燥した。
続いて、ネガ型クロムマスクを用いて、上面から超高圧水銀灯で紫外線露光した。

次に、３５℃に保持したモノエタノールアミンの０．３重量％水溶液により現像、水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去した後、５９０℃で焼成して主隔壁と補助隔壁からなる下層の隔壁部分の（格子状の）隔壁を形成した。主隔壁の幅は頂部６０μｍ、底部１２０μｍ、ピッチは３６０μｍとした。補助隔壁の幅は、頂部８０μｍ、底部１５０μ、ピッチは１．０８ｍｍ（放電セル幅：７４０μｍ、非放電セル幅：３４０μｍ）とした。

感光性ガラスペーストの組成は次のものを用いた。ガラス粉末６０重量部、バインダー（メタクリル酸メチルとメタクリル酸の共重合体（平均分子量２５０００、酸価１０２）１０重量部、感光性モノマー（テトラプロピレングリコールジアクリレート）１０重量部、光重合開始剤（チバガイギー社製、“イルガキュア”３６９）、γ−ブチロラクトン１７重量部。ガラス粉末は、ガラス転移点４９５℃、軟化点５３０℃、熱膨張係数７５×１０^-7／℃、密度２．５４ｇ／ｃｍ³なるものを用いた。
ペーストは、これらの成分からなる混合物を３本ローラー混練機で混練して作製した。

続いて主隔壁と補助隔壁の下層部分の上に、感光性銀ペーストを印刷した。乾燥後にネガ型クロムマスクを用いて、上面から超高圧水銀灯で紫外線露光した。３５℃に保持したモノエタノールアミンの０．３重量％水溶液により現像、水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去した後、５９０℃で焼成して表示（維持）電極パターンを形成した。表示電極パターンは格子状隔壁の補助隔壁となる隔壁上にストライプ状の主表示電極パターンを、また主隔壁となる隔壁上には一対の主表示電極からギャップ１００μmで互いに向き合うように張り出した補助電極パターンとなるように形成した。

感光性銀ペーストは、バインダー樹脂１２重量部、架橋剤６重量部、重合禁止剤３重量部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル２０重量部を５０℃に加熱しながら溶解し、続いて、銀微粒子１５０重量部および低融点ガラス粉末５重量部）を添加し、混練機を用いて混練して作製した。バインダー樹脂は、アクリル系ポリマー（スチレン／メチルメタクリレート／メタクリル酸共重合体のカルボキシル基に対して０．４当量のグリシジルメタクリレートを付加反応したもの。重量平均分子量４３０００、酸価９５）４０％γ−ブチロラクトン溶液として用いた。架橋剤はトリメチロールプロパントリアクリレート（日本化薬（株）製、“ＴＰＡ３３０”、３官能）を用いた。重合禁止剤は、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノンを用いた。銀粒子は平均粒子径１．５μｍ、比表面積０．８０ｍ²／ｇのものを用いた。低融点ガラスははガラス転移点４６０℃、軟化点４９５℃のものを用いた。

次に、アドレス電極パターン、誘電体、下層の隔壁、表示電極パターンが形成されたガラス基板上に感光性ガラスペースト１をスリットダイコータを用いて塗布・乾燥した。
続いて、ネガ型クロムマスクを用いて、上面から超高圧水銀灯で紫外線露光した。次に、３５℃に保持したモノエタノールアミンの０．５重量％水溶液により現像、水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去した後、焼成して表示電極パターンが隔壁の内部に配されるように上層の隔壁を形成した。上層の隔壁の高さは、７０μｍとした。上層の隔壁は、下層の隔壁と同様に主隔壁と補助隔壁からなる格子状の隔壁パターンとした。さらに、感光性ガラスペーストをスクリーン印刷法を用いて塗布した後、乾燥した。同様に露光現像を行い、主隔壁の上にのみ高さ１０μｍのストライプ上の隔壁パターンを形成して、パネル化時の真空排気コンダクタンスを向上させるようにした。

そして、蛍光体粉末と有機バインダーを含む蛍光体ペーストをディスペンサーを用いて厚さ２０μｍになるように塗布した後、５００℃で焼成して蛍光体を形成した。このようにしてＰＤＰ部材を作製した。
次に、“ＰＤ２００”ガラス基板上に、５００ｎｍ厚のＭｇＯ膜を電子ビーム蒸着法により形成した。

このように作製したＰＤＰ部材とＭｇＯ膜が形成されたガラス基板をＰｂＯを主成分とする封着フリットペーストを用いて４５０℃で封着した。封着には高度な位置合わせ装置は不要で目視で合わせることができた。その後、封着したパネル内部を３５０℃に加熱しながら真空排気を行い、室温に冷却した後、Ｘｅ５％−Ｎｅ ｂａｌ．の混合ガスの封入を行い、封止して１０時間のエージング処理を行いＰＤＰを完成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は１．８ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１５０であった。

（実施例２）
蛍光体を形成した後に電子ビーム蒸着法にてＭｇＯ膜（厚み１μｍ）を形成した以外は、実施例１と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は１．９ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１６２であった。

（実施例３）
表示電極パターンを形成した後上層の隔壁は形成せずに、スクリーン印刷法でガラス軟化点４５８℃のＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃系の低軟化点ガラスで表示電極を被覆したこと以外は、実施例１と同様にＰＤＰを作成した。下層の隔壁の高さは８０μｍ、低軟化点ガラスの被覆層の高さは４０μｍとした。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．３ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１４３であった。

（実施例４）
蛍光体の形成後のＭｇＯ膜を形成しなかった以外は、実施例３と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．３ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１５５であった。

（実施例５）
表示電極パターンを形成した後上層の隔壁は形成せずに、電子ビーム蒸着法でＳｉＯ₂膜で表示電極を被覆したこと以外は、実施例１と同様にＰＤＰを作成した。下層の隔壁の高さは１１６μｍ、ＳｉＯ₂の被覆層の高さは３μｍとした。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．１ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１５３であった。

（実施例６）
表示電極パターンの補助電極を、隔壁の片側面（放電セル側）にも形成し、スクリーン印刷法でガラス軟化点４５８℃のＰｂＯ−Ｂ₂Ｏ₃系の低軟化点ガラスで表示電極パターン全体を覆うように被覆した。さらに上層の隔壁を形成し、下層の隔壁高さ５０μｍ、被覆層２０μｍ、上層の隔壁高さ５０μｍとした。これら以外は、実施例２と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．０ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１９２であった。

（実施例７）
蛍光体を形成した後に電子ビーム蒸着法にてＭｇＯ膜（厚み１μｍ）を形成しなかった以外は、実施例６と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．０ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１８９であった。

（実施例８）
補助電極パターンの電極間隔を１２０μｍとした以外は、実施例２と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．４ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１５３であった。

（実施例９）
補助電極パターンの電極間隔を８０μｍとした以外は、実施例２と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．３ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１７５であった。

（実施例１０）
放電ガスとしてＸｅ１０％−Ｎｅ ｂａｌ．の混合ガスを用いたこと以外は実施例９と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．３ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１９０であった。

（実施例１１）
放電ガスとしてＸｅ１５％−Ｎｅ ｂａｌ．の混合ガスを用いたこと以外は実施例９と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．３ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は２００であった。
（実施例１２）
補助隔壁の断面において高さが５０μｍ、幅４０μｍの表示電極パターンとしたこと以外は、実施例２と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は１．８ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１９０であった。
（実施例１３）
補助隔壁の断面において高さが７０μｍ、幅４０μｍの表示電極パターンとしたこと以外は、実施例２と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は１．８ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１９５であった。
（実施例１４）
補助電極を設けなかった以外は、実施例２と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．５ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１２０であった。
（実施例１５）
補助電極を設けず、補助隔壁の断面において高さが５０μｍ、幅４０μｍの表示電極パターンとしたこと以外は、実施例１２と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．５ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１２８であった。
（実施例１６）
下層の隔壁の形成に、感光性ガラスペースト１にフィラーとしてＴｉＯ₂ナノ粒子（直径７ｎｍ）を５重量％添加したペーストを用い、また、上層の隔壁の形成に感光性ガラスペースト１に黒色顔料（Ｃｕ−Ｆｅ−Ｍｎの複合酸化物）を３重量％添加したペーストを用いた以外は、実施例９と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．２ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１８０であった。

（実施例１７）
画素ピッチを２００μｍ、アドレス電極幅を９０μｍ、ピッチ２００μｍ、主隔壁幅を頂部４５μｍ、底部７０μｍ、ピッチ２００μｍ、補助隔壁の幅を頂部６０μｍ、底部１２０μｍ、ピッチは０．６ｍｍ（放電セル幅：３２０μｍ、非放電セル幅：２８０μｍ）とした以外は、実施例９と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は１．９ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１４０であった。

（実施例１８）
補助電極間の間隔を３０μｍとした以外は、実施例１と同様にＰＤＰを作製した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は０．８ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、表示ムラがでやすかったが、ほとんどの部分で画像表示できた。相対発光効率は１５８であった。

（実施例１９）
補助電極間ギャップを１１００μｍとなるようにセル設計を変更した以外は、実施例１と同様にＰＤＰを作製した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は３．２ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、駆動電圧が高く、３ヶの駆動ＩＣが故障した他、表示ムラがでやすかった。

（実施例２０）
主表示電極間ギャップを１１００μｍとした以外は、実施例１と同様にＰＤＰを作製した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は１．８ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示ができた。相対発光効率は１６０であった。

（比較例１）
旭硝子社製“ＰＤ２００”ガラス基板（４２インチ）上に、感光性銀ペーストを用いたフォトリソグラフィー法によりアドレス電極パターンを形成した。アドレス電極の幅は、１５０μｍ、ピッチ３６０μｍ、焼成後の厚みは４μｍとした。次いで、アドレス電極が形成されたガラス基板上に誘電体層をスクリーン印刷法により２０μｍの厚みで形成した。しかる後、感光性ガラスペーストを作製し、アドレス電極パターン、誘電体層の形成されたガラス基板上に、スクリーン印刷法により均一に塗布および乾燥した。塗布膜にピンホールなどの発生を回避するために塗布・乾燥を数回以上繰り返し行い、膜厚みの調整を行った。その後、８０℃で１時間保持して乾燥した。
続いて、ネガ型クロムマスクを用いて、上面から超高圧水銀灯で紫外線露光した。

次に、３５℃に保持したモノエタノールアミンの０．５重量％水溶液により現像、水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去して背面板用ガラス基板上にストライプ状の隔壁ガラスパターンを形成した。隔壁の幅は頂部６０μｍ、底部１２０μｍ、ピッチは３６０μｍとした。
次に、蛍光体をディスペンサー法にて厚さ２０μｍに形成し、焼成して背面板を作製した。

次に、“ＰＤ２００”ガラス基板上に、フォトエッチング法によりＩＴＯ電極（放電セルの電極間隔を１００μｍ、非放電セルの電極間隔を３４０μｍ、ＩＴＯ電極幅３２０μｍ）を形成した後、感光性銀ペーストを用いたフォトリソグラフィー法によりバス電極パターンを形成した。バス電極の厚みは６μｍ、幅は９０μｍとした。しかる後、透明誘電体層をスクリーン印刷法により３０μｍの厚みで形成した。さらに、５００ｎｍ厚のＭｇＯ膜を電子ビーム蒸着法により形成して、前面板を得た。前面板の画素ピッチは１．０８ｍｍとした。

このように作製した前面板と背面板をＰｂＯを主成分とする封着フリットペーストを用いて４５０℃で封着した。その後、封着したパネル内部を３５０℃に加熱しながら真空排気を行い、室温に冷却した後、Ｘｅ５％−Ｎｅ ｂａｌ．の混合ガスの封入を行い、封止して１０時間のエージング処理を行いＰＤＰを完成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．７ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は１００であった。

（比較例２）
背面板の画素ピッチを２００μｍ、アドレス電極幅を９０μｍ、隔壁幅を６０μｍとし、また前面板の画素ピッチを６００μｍ、ＩＴＯ電極幅を２００μｍとした以外は、比較例１と同様にＰＤＰを作成した。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．３ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は７３であった。

実施例１〜２０および比較例１、２のパネルの構造、放電ガス、表示電極の絶縁性評価結果、相対発光効率を示す。実施例１〜１６、１８、２０は、比較例１に比べて相対発光効率が高く、高発光高率なＰＤＰである。特に、実施例６、７、１０〜１２は高発光効率なディスプレイである。また、実施例９、１７と比較例１、２を比べると、実施例１７は精細度が高くなった場合の発光効率の低下の程度が小さく、高精細でも高発光効率なＰＤＰである。

（実施例２１）
実施例９と同様にしてアドレス電極をパターンニングした後、２００℃、３０分間キュアを行った。次に焼成せずに、誘電体層、下層の隔壁、表示電極、上層の隔壁を続けて作成して、最後にこれらを一括で５９０℃、１５分間の焼成を行った以外は、実施例９と同様にＰＤＰを作成した。電極および隔壁の断線、亀裂は２箇所生じたが、ディプレイとして実用的には問題ないものであった。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．１ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は実施例と９と同様であった。

（実施例２２）
下層の隔壁のパターンニングした後に、焼成せずに続けて表示電極、上層の隔壁を形成してこれらを一括で５９０℃、１５分間の焼成を行った以外は、実施例９と同様にＰＤＰを作成した。電極および隔壁の断線、亀裂は１箇所生じたが、ディプレイとして実用的には問題ないものであった。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．１ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は実施例と９と同様であった。

（実施例２３）
隔壁の形成に感光性ガラスペーストを用いずに、ガラス粉末、フィラー、有機バインダー（エチルセルロースをテルピネオールで溶解した物）からなるガラスペーストを塗布・乾燥してサンドブラストすることで、隔壁のパターンニングを行い、さらに主隔壁の上にのみ焼成後に高さ１０μｍのストライプ状になるように同様のペーストをスクリーン印刷した。電極および隔壁の断線、亀裂は生じなかったが、形成したセルのユニフォーミティーが実施例９に比べて低く、放電電圧マージンが少し低かったが、実用上は問題ないレベルであった。
表示電極の絶縁性評価を行ったところ、絶縁破壊電圧は２．１ｋＶであった。
同様にＰＤＰを作製して駆動したところ、問題なく画像表示できた。相対発光効率は実施例と９と同様であった。

従来の３面放電型ＡＣプラズマディスプレイを説明する斜視図。 従来の３面放電型ＡＣプラズマディスプレイの前面板の断面図。 本発明のプラズマディスプレイ（補助電極なし）の斜視図。 本発明のプラズマディスプレイ（補助電極あり）の斜視図。（蛍光体は除く） 本発明のプラズマディスプレイの表示電極を含んだ断面図（例えば図１の断面図）。 本発明のプラズマディスプレイの表示電極を含んだ断面図（例えば実施例１２、１３、１５）。 本発明のプラズマディスプレイ（補助電極が隔壁の片側面にも形成した場合）の斜視図。（蛍光体は除く。）

符号の説明

１：前面板
２：ガラス基板
３：スキャン電極（透明電極）
４：サスティン電極（透明電極）
５：バス電極
６：透明誘電体層
７：ＭｇＯ保護膜
８：背面板
９：ガラス基板
１０：アドレス電極
１１：誘電体層
１２：隔壁層
１３：赤色蛍光体
１４：緑色蛍光体
１５：青色蛍光体
１６：放電セル
１７：非放電セル
１８：主隔壁
１９：補助隔壁
２０：主電極
２１：補助電極
２２：蛍光体
２３：絶縁体層

Claims (21)

1. 複数の電極、隔壁、及び蛍光体を有したプラズマディスプレイ部材であって、電極が隔壁の表面および／または内部に配してあることを特徴とするプラズマディスプレイ部材。
2. 隔壁の表面および／または内部に配された電極が、主電極と主電極から互いに向き合う方向に張り出した補助電極を有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ部材。
3. 補助電極間のギャップが、５０〜８００μｍであることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ部材。
4. 主電極間のギャップが、１００〜１０００μｍであることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイ部材。
5. 電極が、隔壁の内部および片側面のみに配してあることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイ部材。
6. 隔壁がアドレス電極と平行方向にある主隔壁と主隔壁に交差する方向にある補助隔壁からなり、補助隔壁の表面および／または内部に主電極が配してあり、かつ主隔壁の表面および／または内部に補助電極が配してあることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマディスプレイ部材。
7. 隔壁が反射率の異なる２層以上の複数層で構成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマディスプレイ部材。
8. 反射率の低い層が表示面側にあることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ部材。
9. 表示画素内部にある電極の一部あるいは全てが、ガラス軟化点４００〜６５０℃のガラスで覆われていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマディスプレイ部材。
10. 隔壁表面の一部あるいは全てが絶縁性の材料で被覆されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマディスプレイ部材。
11. 蛍光体の一部あるいは全てが絶縁性の材料で被覆されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のプラズマディスプレイ部材。
12. 絶縁性の材料がＭｇＯ、ＭｇＧｄ₂Ｏ₄、ＢａＧｄ₂Ｏ₄、Ｓｒ_0.6Ｃａ_0.4Ｇｄ₂Ｏ₄、Ｂａ_0.6Ｓｒ_0.4Ｇｄ₂Ｏ₄、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、低軟化点ガラスの群から選ばれる少なくとも１種以上を含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載のプラズマディスプレイ部材。
13. ガラス基板上に隔壁、および隔壁の表面および／または内部に配してある電極が形成されたことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のプラズマディスプレイ部材。
14. 請求項１〜１３のいずれかに記載のプラズマディスプレイ部材を用いたことを特徴とするプラズマディスプレイ。
15. 複数の電極、隔壁、及び蛍光体を有したプラズマディスプレイ部材の製造方法であって、隔壁の表面および／または内部に電極を配する工程を有することを特徴とするプラズマディスプレイ部材の製造方法。
16. 電極の全てまたは一部をフォトリソグラフィー法により形成することを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイ部材の製造方法。
17. 隔壁の全てまたは一部をフォトリソグラフィー法により形成することを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイ部材の製造方法。
18. 隔壁の一部あるいは全てを絶縁性の材料で被覆する工程を有することを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイ部材の製造方法。
19. 蛍光体の一部あるいは全てを絶縁性の材料で被覆する工程を有することを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイ部材の製造方法。
20. 隔壁とアドレス電極を同時に焼成する工程を有することを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイ部材の製造方法。
21. 隔壁と電極を同時に焼成する工程を有することを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイ部材の製造方法。

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