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JP2004032759A - Delay adjustment circuit - Google Patents

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JP2004032759A
JP2004032759A JP2003173299A JP2003173299A JP2004032759A JP 2004032759 A JP2004032759 A JP 2004032759A JP 2003173299 A JP2003173299 A JP 2003173299A JP 2003173299 A JP2003173299 A JP 2003173299A JP 2004032759 A JP2004032759 A JP 2004032759A
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吉川 篤志
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萩原 靖彦
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To adjust the delayed time of an input signal by controlling the value of an internal register, the internal signal or the external signal of a semiconductor integrated circuit device. <P>SOLUTION: The delay adjustment circuit is provided with a first gate group 10 for effecting the fine adjustment of delayed time of the input signal, load capacities 60-63, 70-73 connected to the output side of specified gates among the first gate group through first switching means 40-43, 50-53, a second gate group 20 for effecting rough adjustment of the delayed time of the input signal, and a control means 30 for adjusting the delayed time of the input signal by adjusting the load capacities connected to the output side of specified gates among the first gate group 10 and the number of gate stages of the second gate group 20. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はディジタル処理に用いるクロック信号を生成するのに使用される波形調整可能な遅延調整回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のクロック生成回路では、基準クロックの動作周波数を0.5×N(N=3、4、5、…)倍したクロックを生成するために、PLL回路を用いることが多い。図14に示すように、一般的に使用されているPLL回路800は、位相比較回路802と、ローパスフィルタ(LPF)804と、電圧制御発振器(VCO)806と、1/N分周器808から構成されている。810は、PLL回路800により生成されたクロックを各部に供給するクロック分配回路である。
【0003】
このPLL回路800では、PLL回路800に入力される基準クロック801のN倍動作周波数であるクロック807が生成される。PLL回路800
により生成されたクロック807から、クロック分配回路810によって、出力クロック809が半導体集積回路装置(LSI)内の各ブロックに供給される。出力クロック809を1/N分周器808によりN分の1に分周した比較信号810がフィードバックされて、位相比較回路802で基準クロック801との位相差が検出される。
【0004】
位相比較回路802の出力である位相差検出パルス803は、位相差に応じたパルス幅を有し、ローパスフィルタ804によって積分され、そのパルス幅に応じた値のVCO制御電圧805が電圧制御発振回路(VCO)806に入力される。そして、基準クロック801と比較信号810との位相差に応じて電圧制御発振回路806の発振周波数が変更され、最終的にクロッ分配回路810の出力809が基準クロック801と同期するよう制御される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
このようにPLL回路は半導体集積回路の製造時に発生するトランジスタの能力や配線厚さ、配線幅等の半導体集積回路内のばらつきを補償するために用いられる。ところがPLL回路は周辺回路の動作率変動に伴い電源電圧が上下すると、時間的に出力波形の幅が増減する現象がみられる。これをジッタと呼ぶ。PLL回路が基準クロック801に同期しようと動作する限り、PLL回路を使用する以上、決してジッタが無くなることはない。
【0006】
また基準クロック801の波形がデューティ比の変動により期待している波形と異なる場合には、位相比較回路が期待通りに動作しない場合がある。ジッタが大きかったり、デューティ比が設計時の見積もりと異なる場合には製造したLSIが動作しない可能性があり、再製造又は再設計を行わなければならないという問題があった。
【0007】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、半導体集積回路装置の内部レジスタ値または内部信号、外部信号を制御することにより入力信号の遅延時間を調整することができる遅延調整回路を提供することを第1の目的とする。また、本発明は、半導体集積回路装置の内部レジスタ値または内部信号、外部信号を制御することにより遅延時間を調節することができる遅延調整回路を用いて、半導体集積回路装置の製造ばらつきに起因するクロックスキュー及びデューティ比を補償することができ、かつジッタが小さいクロック生成回路を提供することを第2の目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、各ゲートが直列接続され入力信号の遅延時間の微調整を行うための第1のゲート群と、該第1のゲート群のうち特定のゲートの出力側に第1のトランスファースイッチを介して接続される第1の負荷容量と、前記特定のゲートの次段のゲート出力側に第2のトランスファースイッチを介して接続される第2の負荷容量と、前記第1のゲート群の出力側にスイッチ手段を介して接続され前記入力信号の遅延時間の粗調整を行うための第2のゲート群と、前記第1、第2の負荷容量及び前記第2のゲート群のゲート段数を調整することにより前記入力信号の遅延時間を調整するように前記第1、第2のトランスファーゲート、及び前記スイッチ手段を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、半導体集積回路装置内に設けられ、内部信号により出力値を設定することができるレジスタを含んで構成され、前記レジスタに設定されたレジスタ値に基づいて前記第1、第2のトランスファーゲート及び前記スイッチ手段を切換制御することにより、ゲート出力負荷及び前記第2のゲート群のゲート段数を調整することを特徴とする。
【0009】
また、請求項2に記載の発明は、各ゲートが直列接続され入力信号の遅延時間の微調整を行うための第1のゲート群と、該第1のゲート群のうち特定のゲートの出力側に第1のトランスファースイッチを介して接続される第1の負荷容量と、前記特定のゲートの次段のゲート出力側に第2のトランスファースイッチを介して接続される第2の負荷容量と、前記第1のゲート群の出力側にスイッチ手段を介して接続され前記入力信号の遅延時間の粗調整を行うための第2のゲート群と、前記第1、第2の負荷容量及び前記第2のゲート群のゲート段数を調整することにより前記入力信号の遅延時間を調整するように前記第1、第2のトランスファーゲート、及び前記スイッチ手段を制御する制御手段とを有し、前記制御手段は、半導体集積回路装置内に設けられ、初期化により外部から出力値を設定することができるレジスタを含んで構成され、前記レジスタに設定されたレジスタ値に基づいて前記第1、第2のトランスファーゲート及び前記スイッチ手段を切換制御することにより、ゲート出力負荷及び前記第2のゲート群のゲート段数を調整することを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。本発明の実施の形態に係る遅延調整回路の構成を図1に示す。同図において、本実施の形態に係る遅延調整回路は、各ゲートが直列接続され入力信号の遅延時間の微調整を行うための第1のゲート群10を構成するインバータ11〜14と、該第1のゲート群のうちインバータ12、13の出力側に第1のスイッチ手段としてのトランスファゲート40〜43、50〜53を介して接続される負荷容量60〜63、70〜73と、前記第1のゲート群10の出力側に第2のスイッチ手段としてのトランスファゲート80〜83を介して接続され前記入力信号の遅延時間の粗調整を行うための第2のゲート群20を構成するインバータチェーン21〜23と、第1のゲート群10のうちインバータ12、13の出力側に接続される負荷容60〜63、70〜73量及び第2のゲート群20のゲート段数を調整ることにより前記入力信号の遅延時間を調整するように第1、第2のスイッチ手段としてのトランスファゲート40〜43、50〜53、80〜83を制御する制御手段としてのレジスタ群30とを有している。
【0011】
第1のゲート群10を構成するインバータ11の入力側は入力端子100に接続され、インバータ11の出力側に、インバータ12、13、14の順に接続され、インバータ14の出力側には更にインバータチェーン21〜23が順に接続されている。インバータチェーン21〜23は、偶数段のインバータにより構成されたゲート遅延回路である。
【0012】
第1のゲート群10におけるインバータ12の出力側はトランスファーゲート40〜43の入力側に接続されており、インバータ13の出力側はトランスファーゲート50〜53の入力側に接続されている。トランスファーゲート40〜43の出力側にはそれぞれ容量60〜63が接続され、トランスファーゲート50〜53の出力側にはそれぞれ容量70〜73が接続されている。インバータ14及びインバータチェーン21〜23の出力側は、それぞれトランスファーゲート80〜83の入力側に接続されている。
【0013】
また、トランスファーゲート80〜83の出力側は共通接続され、トランスファーゲート80〜83のうち1つのトランスファーゲートだけが選択的にオンになるように制御される4入力セレクタを構成している。この4入力セレクタを構成するトランスファーゲート80〜83の出力側は、バッファ90を介して遅延調整回路の出力端子101に接続されている。
【0014】
レジスタ200〜203から出力される信号はそれぞれトランスファーゲート40〜43に制御入力信号として供給され、レジスタ210〜213から出力される信号はそれぞれトランスファーゲート50〜53に制御入力信号として供給される。トランスファーゲート40〜43に供給する制御入力信号をレジスタ200〜203に設定されるレジスタ値で調節することによって、インバータ12の出力負荷としての容量値を容量60〜63の組み合せによる合成容量として設定することができる。また、トランスファーゲート50〜53に供給する制御入力信号をレジスタ210〜213に設定されるレジスタ値で調節することによって、インバータ13の出力負荷として容量値を容量70〜73の組み合せによる合成容量として設定することができる。
【0015】
容量61〜63の容量値を容量60の容量値に対して2倍、4倍、8倍とすると、インバータ12の出力負荷として容量60の容量値の0倍から15倍まで1倍単位で合成容量の容量値を調整することができる。同様に、容量71〜73の容量値を容量70の容量値に対して2倍、4倍、8倍とすると、インバータ13の出力負荷として容量70の容量値の0倍から15倍まで1倍単位で合成容量の容量値を調整することができる。
【0016】
インバータ12及び13は、PMOSトランジスタのゲート幅を大きくして、NMOSトランジスタのオン抵抗よりも小さくなるような設計を行う。このように設計すると、NMOSトランジスタの駆動力を必要とする立ち下がりの方が、PMOSトランジスタの駆動力を必要とする立ち上がりよりも出力負荷の影響を受けやすい。したがって、出力端子101より出力される信号の立ち下がりはインバータ12の出力負荷を調整することによって変動させることができ、また出力端子101より出力される信号の立ち上がりはインバータ13の出力負荷を調整することによって変動させることができる。それ故、出力端子101より出力される信号の立ち上がり波形及び立ち下がり波形は、インバータ12及び13の適切な出力負荷調整によって各々調整可能となる。
【0017】
レジスタ220及び221から出力される信号は図示してないデコーダにより変換され、トランスファーゲート80〜83に制御入力信号として供給される。トランスファーゲート80〜83に供給される制御入力信号でオンになるのはトランスファーゲート80〜83のうち1つだけであり、レジスタ220及び221の設定データにより遅延調整回路の入力端子100から出力端子101までのゲート段数を調整することができる。レジスタ200〜203、210〜213、220、221の各レジスタは、半導体集積回路装置(LSI)内に設けられ、内部信号により、または初期化により外部よりレジスタ値が設定されるようになっている。
【0018】
上記構成からなる遅延調整回路では、インバータ12、13の出力負荷調整、すなわちゲート出力負荷調整により入力信号の遅延時間の微調整を行い、インバータチェーン21〜23の切換による入出力ゲート段数調整により入力信号の遅延時間の粗調整を行うことによって、入力端子100から入力された信号が出力端子101から出力されるまでの信号の立ち上がり及び立ち下がりの遅延時間を各々調整することができる。
【0019】
尚、本実施の形態では、制御手段としてレジスタを用い、その設定値により遅延時間を制御するようしたが、これに限らず、内部メモリの値、内部の論理信号、または外部の信号により遅延時間の制御を行うようにしてもよい。
【0020】
図2に示すように、図1に示した遅延調整回路300の入力端子100に入力信号として基準クロックCLK0を入力すると、基準クロックCLK0と動作周波数が等しい、立ち上がり及び立ち下がりの波形調整可能なクロックCLKiを生成することができる。図3に基準クロックCLK0と波形調整可能なクロックCLKiの波形図を示す。
【0021】
次に、本発明の第1の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を図4に示す。本実施の形態に係るクロック生成回路は、基準クロックCLK0を入力信号とする図1に示した構成の遅延調整回路300と、基準クロックCLK0と遅延調整回路300の出力信号との排他的論理和演算を行う排他的論理和回路301とを有する。
【0022】
上記構成において、入力端子110より入力される基準クロックCLKに対して遅延調整回路300により1/4周期遅れたクロックCLLjを生成して、排他的論理和回路301により基準クロックCLK0とクロックCLLjとの排他的論理和をとると、動作周波数が基準クロックCLK0に対して2倍のクロックCLKnを生成することができる。クロックCLLjはレジスタ値の制御により波形を調節することができるので、CLKnの立ち下がりエッジは調整可能である。基準クロックと、クロックCLLj及びクロックCLKnの出力タイミングを図5に示す。本発明の第1の実施の形態に係るクロック生成回路によれば、半導体集積回路装置の製造ばらつきに起因するクロックスキュー及びデューティ比を補償することができ、かつジッタを小さくすることができる。
【0023】
次に、半導体集積回路を波形の立ち下がりが調整可能なクロックタイミング信号として使用することを前提として設計した場合につい説明する。図6(A)は図4に示したクロック生成回路により出力されるクロックCLKnの波形を示しており、図6(B)は、上述した半導体集積回路装置の構成を示している。この半導体集積回路装置は、図4に示したクロック生成回路と、論理ゲート370、371、372と、論理ゲート370、371、372間に設けられ、クロック生成回路における調整可能な特定エッジ(この例では立ち下がりエッジ)のタイミングで動作する立ち下がりエッジフリップフロップ360、361とを有する。
【0024】
上記構成において、立ち下がりエッジフリップフロップ360及び361には、それぞれクロックエッジ350及び351が入力される。370、371及び372は、それぞれフリップフロップ間の論理ゲートを表している。このクロックCLKnの調整可能な立ち下がりエッジのみを用いたLSI設計を行うと、クロックスキュー及びジッタの影響を最小限に抑制することが可能となる。
【0025】
次に、本発明の第2の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を図7に示す。本実施の形態に係るクロック生成回路は、基準クロックが入力される図1に示す遅延調整回路と、基準クロックと前記遅延調整回路における出力信号との論理演算行い前記基準クロックに対してN倍動作周波数のクロックを出力する論理回路としての排他的論理和回路120と、前記遅延調整回路の出力を非動作モード時にのみ一定値に固定する設定手段としてのPMOSトランジスタ110とを有し、排他的論理和回路120の論理演算結果に基づいて非動作モードとして基準クロックの1倍又は動作モードとして基準クロックのN倍(本実施の形態では2倍)の動作周波数のクロックを出力するものである。
【0026】
遅延調整回路は上述したように図1に示す構成と基本的には同一である。図7に示すように、図1示す遅延調整回路のノード91にソースが電源に接続されたプリチャージ用のPMOSトランジスタ110が追加され、またレジスタ群30’におけるレジスタ222が追加されている。本実施の形態に係るクロック生成回路では、トランスファーゲート80〜83の制御入力が全てオフの状態を許可して、その場合にはプリチャージ用PMOSトランジスタ110のゲートに入力される入力信号である非動作信号によりPMOSトランジスタ110がオンとなるように制御される。
【0027】
レジスタ220〜222の信号は図示してないデコーダによりデコードされて、トランスファーゲート80〜83及びプリチャージ用PMOSトランジスタ110に制御入力信号としてに供給され、トランスファーゲート80〜83及びプリチャージ用PMOSトランジスタ110のうちの1つだけがオンとなるように制御される。プリチャージ用PMOSトランジスタ110がオンの場合には、遅延調整回路の出力、すなわちバッファ90の出力は一定値1となり非動作モードとなる。従って、この非動作モードを持つ遅延調整回路の出力と力端子100から入力される基準クロックとの排他的論理和演算を行う排他的論理和回路120を用いてクロック生成回路を構成することにより、遅延調整回路から出力されるクロックを基準クロックの波形に関係なく固定値1とすることができるので、レジスタ値の設定により出力端子122か出力されるクロックの動作周波数を非動作モードとして基準クロックの1倍、動作モードとして基準クロックの2倍のクロックを生成することができる。
【0028】
図8に本発明の第3の実施の形態としてのクロック生成回路を、図9に基準クロックと各部の出力クロックの出力タイミンを示す。図4のクロック生成回路では、遅延調整回路300により1/4周期遅れたクロックを生成しているが、図8に示すクロック生成回路では、遅延調整回路302により1/6周期遅れたクロックCLKx、遅延調整回路303により1/3周期遅れたクロックCLKyを生成している。
【0029】
排他的論理和回路304により基準クロックCLK0、1/6周期遅れたクロックCLKx及び1/3周期遅れたクロックCLKyに対して排他的論理和をとると、基準クロックCLK0に対して動作周波数が3倍の波形制御可能なクロックCLKzを生成することができる。同様に、本実施の形態によれば、基準クロックを入力とする、遅延時間の異なる複数の遅延調整回路の出力の論理演算を行うことにより、基準クロックCLK0に対してN倍動作周波数の波形制御可能なクロックを生成することができる。
【0030】
次に、本発明の第4の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を図10に示す。本実施の形態に係るクロック生成回路400は、図1または図7に記載の遅延調整回路410と、遅延調整回路410の出力クロックの論理演算を行う論理回路420と、クロック生成回路400のクロック出力のデューティ比及びクロックスキューを検出する検出回路430と、検出回路430の検出出力に基づいて予め設定されたデューティ比及びクロックスキューとなるように前記遅延調整回路410内のレジスタ410のレジスタ値を動的に更新する制御回路440とを有している。遅延調整回路410は、レジスタ410と、可変遅延回路414とから構成されている。遅延調整回路410は、図1または図7に示す遅延調整回路と同様の構成であり、レジスタ410は図1または図7に示すレジスタ群30、または30’に相当し、可変遅延回路は図1または図7に示す遅延調整回路からレジスタ群30、または30’を除いた構成に相当する。500は基準クロック発生回路、510は分配回路である。
【0031】
上記構成において、基準クロック発生回路500から出力される基準クロック501が遅延調整回路410に入力され、遅延調整回路の出力415と基準クロック501の論理演算が論理回路420により行われ、この論理演算により基準クロック501のN倍の動作周波数のクロック421が生成される。クロック421から分配回路510により出力クロック512が出されLSI内の各ブロックに分配される。
【0032】
分配回路510の出力クロックの一部511から、検出回430により出力クロック511のデューティ比やクロックスキューが検出され、これらの検出値と期待値としてのクロック波形とのずれが検出される。出力クロック511のデューティ比やクロックスキューが期待値と異なる場合には、制御回路440は、遅延調整回路410により出力クロック421の波形を調整するために、検出回路430の出力431に基づいてレジスタを適切な値に設定する。制御回路440の出力441により設定されたレジスタ値411により可変遅延回路420におけるクロックの遅延時間が調整され、出力クロック421がデューティ比やクロックスキューが期待値と一致するように補正される。
【0033】
本実施の形態に係るクロック発生回路によれば、PLL回路を用いずにレジスタの設定値に基づいて入力信号の遅延時間を調整する遅延調整回路と、該クロック生成回路のクロック出力のデューティ比及びクロックスキューを検出する検出回路と、前記検出回の検出出力に基づいて予め設定されたデューティ比及びクロックスキューとなるように前記遅延調整回路内のレジスタ値を動的に更新する制御回路とを有するので、クロックのデューティ比及びクロックスキューが期待値になるように自動的に調整することができる。
【0034】
本発明の他の実施の形態として、その基本
的構成は上記の通りであるが、上述した実施の形態においてクロック生成回路に用いられる遅延調整回路は1つに限らず、2以上であってもよい。上記各実施の形態における遅延調整回路の負荷素子として2倍、4倍、8倍と設定している容量値は、これに限定されない。負荷素子としての実現方法は、インバータなどのゲート入力を用いるなど様々な方法がある。また、出力負荷容量調整用インバータのNMOSトランジスタ及びPMOSトランジスタにおけるゲート幅の比は、NMOSトランジスタのオン抵抗の方を小さくする設計も可能である。
【0035】
また、上記実施の形態における遅延調整回路の微調整及び粗調整用のトランスファーゲート及びレジスタの数は、一例にすぎず、これに限定されない。また、トランスファーゲート以外のスイッチ手段を用いてもよい。さらに、上記実施の形態において遅延調整回路の遅延素子としてはインバータを用いているが、インバータ以外のゲートを利用することも可能であり、ゲート段数も限定されない。また、遅延調整回路の出力の論理演算を行う論理回路として排他的論理和回路を使用した例について説明したが、これに限らず、排他的論理和回路の替わりに、排他的否定論理積回路とすることによってクロック波形を反転することも可能であり、この場合には調整可能なクロックエッジも反転する。
【0036】
上記実施の形態における非動作モードを持つ遅延調整回路では、固定値出力をプリチャージ用PMOSトランジスタにより実現しているが、NMOSトランジスタを用いて固定値を出力することも可能である。また、固定値は1に限定されない。
【0037】
次に、本発明の第5の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を図11に示す。同図において、本実施の形態に係るクロック生成回路は、半導体集積回路装置の内部レジスタの値、または内部メモリの値、または内部の論理信号、または外部の信号により遅延時間を調整することが可能な第1、第2、第3の3つの遅延調整回路601、602、603と、3つの遅延調整回路601〜603の入力端は共通接続され、第1及び第3遅延調整回路601、603の出力の一方または両方により前記3つの遅延調整回路601〜603の入力または第2の遅延調整回路602の出力を選択する第1のセレクタ610と、前記3つの遅延調整回路の601〜603入力と第2の遅延調整回路602の出力の一方または両方に基づいて前記第1または第3の遅延調整回路601、603の出力を選択する第2のセレクタ611と、前記第1、第2のセレクタ610,611の出力信号の排他的論理積を求める論理回路612とを有している。
【0038】
図11において、第1、第2、第3の3つの遅延調整回路601、602、603は入力側が共通接続され、入力信号(本実施の形態では、基準クロック)650が入力されるようになっている。第1、第2、第3の3つの遅延調整回路601、602、603の出力信号は、LSI内部のレジスタ、内部信号、外部の信号のいずれかにより、第1の遅延調整回路601は目標とするサイクル時間cの1/4の遅延時間を有するように調整され、第2の遅延調整回路602はサイクル時間cの2/4の遅延時間を有し、かつ反転されるように調整され、第3の遅延調整回路603はサイクル時間cの3/4の遅延時間を有し、かつ反転されるように調整される。
【0039】
第1のセレクタ610は第1の遅延調整回路601の出力に応じて入力信号650と第2の遅延調整回路の602の出力を選択する。第2のセレクタ611は入力信号650に応じて第1の遅延調整回路601と第3の遅延調整回路603の出力を選択する。排他的否定論理和(EX−NOR)回路612は第1、2のセレクタ610、611の出力の排他的論理積を求め、出力信号660を出力する。
【0040】
ここで第1のセレクタ610は第1の遅延調整回路601の出力によって制御されているが、第3の遅延調整回路603の出力、または第1、第3の遅延調整回路601、603の出力の両方によって制御しても同様の効果が得られる。同様に第2のセレクタ611は入力信号650及び第2の遅延調整回路602の一方、または両方によって制御されても同様の効果が得られる。図12は図11に示した各部の動作波形を示している。
【0041】
動作周波数f(サイクル時間c=1/f)の入力信号650が第1、2,3の3つの遅延調整回路601、602、603に入力される(図12(A))。この入力信号650は、図示してない遅延調整回路により供給され、信号の立ち上がりが波形調整可能な信号である。入力信号650が第1、2,3の遅延調整回路601、602、603に入力される結果、周波数fを持った第1、2、3の内部信号が第1、2,3の遅延調整回路601、602、603より出力される
(図12(B),(D),(F))。図12(C)は、入力信号650の2/4周期だけ遅延させた信号、図12(E)は、入力信号650の3/4周期だけ遅延させた信号である。
【0042】
入力信号650、第1、2,3の遅延調整回路601、602、603の出力信号(内部信号)を第1、第2のセレクタ610、611で統合する。すなわち、入力信号650と第2の遅延調整回路602の出力信号とを第1のセレクタ610で統合し、第1の遅延調整回路601の出力信号と第3の遅延調整回路603の出力信号とを第2のセレクタ611で統合する。
【0043】
ここで第1のセレクタ610は、第1の遅延調整回路601の出力信号がローレベルの期間に入力信号650を選択し、ハイレベルの期間で遅延調整回路602の出力信号を選択するように動作する。また、第2のセレクタ611は、入力信号650がローレベルの期間で遅延調整回路603の出力信号を選択し、ハイレベルの期間で遅延調整回路601の出力信号を選択するように動作する。この結果、第1のセレクタ610より入力信号650と第2の遅延調整回路602の出力信号とが統合された信号が出力され(図12(G))、また第2のセレクタ611より第1の遅延調整回路601の出力信号と第3の遅延調整回路603の出力信号とが統合された信号が出力される(図12(H))。
【0044】
第1のセレクタ610の出力信号と第2のセレクタ611の出力信号は排他的論理積回路612により論理演算が行われ、入力信号650の動作周波数fの2倍の周波数を有する信号(クロック)を得ることができる(図12(I))。
【0045】
本発明の第5の実施の形態に係るクロック生成回路によれば、基準クロックを入力とし、半導体集積回路装置の内部レジスタの値、または内部メモリの値、または内部の論理信号、または外部の信号により遅延時間を調整することが可能な第1、第2、第3の3つの遅延調整回路の出力を第1、第2の2つのセレクタで統合し、これらのセレクタの出力を論理回路により排他的論理積をとるようにしたので、入力信号である基準クロックのデューティ比に関係なく、自由なデューティ比のクロックを生成することが可能となる。
【0046】
次に、本発明の第6の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を図13に示す。同図において、本実施の形態に係るクロック生成回路は、半導体集積回路装置の内部レジスタの値、または内部メモリの値、または内部の論理信号、または外部の信号により遅延時間を調整することが可能な第1、第2、第3、第4の4つの遅延回路700、701、702、703と、遅延調整回路700、701、702、703の入力端は共通接続され、第2及び第4の遅延調整回路701、703の出力の一方または両方により第1または第3の遅延調整回路700、702の出力を選択する第1のセレクタ710と、第1及び第3の遅延調整回路700、702の出力の一方または両方により第2または第4の遅延調整回路701、703の出力を選択する第2のセレクタ711と、第1及び第2のセレクタ710、711の出力の排他的論理積を求める論理回路720とを有している。
【0047】
図13において、第1、第2、第3、第4の4つの遅延調整回路700、701、702、703は入力側が共通接続され、入力信号(本実施の形態では、基準クロック)750が入力されるようになっている。第1、第2、第3、第4の遅延調整回路700、701、702、703はの出力信号は、LSI内部のレジスタ、内部信号、外部の信号のいずれかにより、それぞれ目標とするサイクル時間をc、セレクタと排他的論理積回路の遅延時間をτとしたとき、LSI内部のレジスタ、内部信号、外部の信号のいずれかにより、第1の遅延調整回路700は、(1/4c―τ)の遅延時間を有するように、また第2の遅延調整回路701は、(2/4c―τ)の遅延時間を有するように、それぞれ調整される。また第3の遅延調整回路702は、(3/4c―τ)の遅延時間を有し、かつ反転されるように調整され、第4の遅延調整回路703は、(c−τ)の遅延時間を有し、かつ反転するように調整される。
【0048】
第1のセレクタ710は第2の遅延調整回路701の出力信号に応じて第1の遅延調整回路700の出力と第3の遅延調整回路702の出力とを選択する。第2のセレクタ711は第1の遅延調整回路700の出力信号に応じて第2の遅延調整回路701と第4の遅延調整回路703の出力とを選択する。排他的否定論理和(EX−NOR)回路720は第1、2のセレクタ710、711の出力の排他的論理積を求め、出力信号760を出力する。
【0049】
ここで、本実施の形態では第1のセレクタ710は第2の遅延調整回路701の出力によって制御されているが、第2,4の遅延調整回路701、703の出力の一方または両方によって制御しても同様の効果が得られる。同様に第2のセレクタ711は第1,第3の遅延調整回路700、702の出力の一方、または両方によって制御されても同様の効果が得られる。
【0050】
以上、本発明の第6の実施の形態に係るクロック生成回路によれば、基準クロックを入力とし、半導体集積回路装置の内部レジスタの値、または内部メモリの値、または内部の論理信号、または外部の信号により遅延時間を調整することが可能な第1、第2、第3、第4の4つの遅延調整回路の出力を第1、第2の2つのセレクタで統合し、これらのセレクタの出力を論理回路により排他的論理積をとるようにしたので、入力信号である基準クロックのデューティ比に関係なく、自由なデューティ比のクロックを生成することが可能となる。
【0051】
本発明の他の実施の形態として、その基本的構成は上記の通りであるが、例えばサイクル時間の1/2の遅延時間を有するように調整された遅延調整回路を構成する場合、1/4の遅延時間を有するように調整された遅延調整回路を2個用いてもよいし、さらに微少な遅延時間を発生する遅延調整可能な遅延調整回路を用いて構成してもよい。
【0052】
またここで重要なのは各遅延調整回路が発生する遅延時間の差分であり、差分が入力波形(クロック波形)のサイクル時間の1/nになるようにして、入力波形のn倍またはn/2倍の周波数を持った波形を生成することが重要である。さらにクロック生成回路の出力段に設けられる論理回路としての論理ゲートを排他的論理和とするか排他的論理積とするかによって、遅延調整回路がインバータとして動作するか、バッファとして動作するかが決定される。したがって、遅延回路として正論理、負論理のどちらを用いてもよい。なお、本発明が上記各実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適宜変更され得ることは明らかである。
【0053】
【発明の効果】
本発明の遅延調整回路によれば、各ゲートが直列接続され入力信号の遅延時間の微調整を行うための第1のゲート群と、該第1のゲート群のうち特定のゲートの出力側に第1のスイッチ手段を介して接続される負荷容量と、前記第1のゲート群の出力側に第2のスイッチ手段を介して接続され前記入力信号の遅延時間の粗調整を行うための第2のゲート群第1のゲート群のうち特定のゲートの出力側に接続される負荷容量及び第2のゲート群のゲート段数を調整することにより前記入力信号の遅延時間を調整するように第1、第2のスイッチ手段を制御する制御手段とを有するので、半導体集積回路装置の内部レジスタ値または内部信号、外部信号を制御することにより入力信号の遅延時間を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る遅延調整回路の具体的構成を示す回路図。
【図2】図1に示す遅延調整回路の入出力関係を示すブロック図。
【図3】図2における遅延調整回路の入力信号としての基準クロックと出力信号としてのクロックの出力タイミング示すタイミングチャート。
【図4】本発明の第1の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を示す回路図。
【図5】図4に示すクロック生成回路の各部の信号を示すタイミングチャート。
【図6】クロック生成回路により生成される調整可能な特定エッジを有するクロックの波形と、このクロックの特定エッジのタイミングで動作するフリップフロップが論理ゲート間に設けられた半導体集積回路装置の回路構成とを示す説明図。
【図7】本発明の第2の実施の形態に係るクロック生回路の構成を示す回路図。
【図8】本発明の第3の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を示す回路図。
【図9】図8に示すクロック生成回路の各部の信号を示すタイミングチャート。
【図10】本発明の第4の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を示すブロック図。
【図11】本発明の第5の実施の形態に係るクロック成回路の構成を示す回路図。
【図12】図11に示すクロック生成回路の各部の動作波形を示すタイミングチャート。
【図13】本発明の第6の実施の形態に係るクロック生成回路の構成を示す回路図。
【図14】従来のクロック生成回路に使用されているPLL回路の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
10  第1のゲート群
11〜14  インバータ
20  第2のゲート群
21〜23  インバータチェーン
30  レジスタ群(制御手段)
40〜43、50〜53  トランスファゲート(第1のスイッチ手段)
80〜83  トランスファゲート(第2のスイッチ手段)
300、302、303、400、410  遅延調整回路
301、304、420  論理回路
400  クロック生成回路
412  レジスタ
414  可変遅延回路
430  検出回路
440  制御回路
500  基準クロック発生回路
510  分配回路
601、602、603  遅延調整回路
610、611  セレクタ
612  排他的論理積回路
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a waveform-adjustable delay adjustment circuit used to generate a clock signal used for digital processing.
[0002]
[Prior art]
A conventional clock generation circuit often uses a PLL circuit to generate a clock whose operating frequency is multiplied by 0.5 × N (N = 3, 4, 5,...). As shown in FIG. 14, a commonly used PLL circuit 800 includes a phase comparison circuit 802, a low-pass filter (LPF) 804, a voltage-controlled oscillator (VCO) 806, and a 1 / N frequency divider 808. It is configured. A clock distribution circuit 810 supplies the clock generated by the PLL circuit 800 to each unit.
[0003]
In the PLL circuit 800, a clock 807 which is N times the operating frequency of the reference clock 801 input to the PLL circuit 800 is generated. PLL circuit 800
An output clock 809 is supplied from the clock 807 generated by the clock distribution circuit 810 to each block in the semiconductor integrated circuit device (LSI). A comparison signal 810 obtained by dividing the output clock 809 by 1 / N by a 1 / N divider 808 is fed back, and a phase difference from the reference clock 801 is detected by a phase comparison circuit 802.
[0004]
The phase difference detection pulse 803 output from the phase comparison circuit 802 has a pulse width corresponding to the phase difference, is integrated by the low-pass filter 804, and a VCO control voltage 805 having a value corresponding to the pulse width is applied to the voltage control oscillation circuit. (VCO) 806. Then, the oscillation frequency of the voltage controlled oscillation circuit 806 is changed according to the phase difference between the reference clock 801 and the comparison signal 810, and the output 809 of the clock distribution circuit 810 is controlled so as to be finally synchronized with the reference clock 801.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the PLL circuit is used for compensating for variations in the semiconductor integrated circuit, such as transistor performance, wiring thickness, and wiring width, which occur during the manufacture of the semiconductor integrated circuit. However, in the PLL circuit, when the power supply voltage rises and falls due to the change in the operation rate of the peripheral circuit, a phenomenon in which the width of the output waveform increases and decreases with time is observed. This is called jitter. As long as the PLL circuit operates so as to synchronize with the reference clock 801, the jitter is never eliminated as long as the PLL circuit is used.
[0006]
If the waveform of the reference clock 801 is different from the expected waveform due to a change in the duty ratio, the phase comparison circuit may not operate as expected. If the jitter is large or the duty ratio is different from the estimate at the time of design, the manufactured LSI may not operate, and there is a problem that remanufacture or redesign must be performed.
[0007]
The present invention has been made in view of such circumstances, and a delay adjustment circuit capable of adjusting a delay time of an input signal by controlling an internal register value or an internal signal of a semiconductor integrated circuit device or an external signal. The primary purpose is to provide. Further, the present invention uses a delay adjustment circuit capable of adjusting a delay time by controlling an internal register value or an internal signal of a semiconductor integrated circuit device or an external signal, and is caused by manufacturing variations of the semiconductor integrated circuit device. It is a second object of the present invention to provide a clock generation circuit which can compensate for clock skew and duty ratio and has small jitter.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 includes a first gate group in which each gate is connected in series for fine adjustment of a delay time of an input signal, and a first gate group among the first gate group. A first load capacitance connected to the output side of the specific gate via a first transfer switch; and a second load capacitance connected to a gate output side of the next stage of the specific gate via a second transfer switch. And a second group of gates connected to the output side of the first group of gates via switch means for coarsely adjusting the delay time of the input signal; and the first and second loads. Control means for controlling the first and second transfer gates and the switch means so as to adjust the delay time of the input signal by adjusting the capacitance and the number of gate stages of the second gate group , The controlling hand Comprises a register provided in the semiconductor integrated circuit device and capable of setting an output value by an internal signal, and based on the register value set in the register, the first and second transfer gates and The switching control of the switch means adjusts a gate output load and the number of gate stages of the second gate group.
[0009]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a first gate group in which each gate is connected in series for fine adjustment of a delay time of an input signal, and an output side of a specific gate in the first gate group. A first load capacitance connected via a first transfer switch, a second load capacitance connected via a second transfer switch to a gate output side next to the specific gate, and A second group of gates connected to the output side of the first group of gates via switch means for coarsely adjusting the delay time of the input signal, the first and second load capacitors, and the second group of gates; Control means for controlling the first and second transfer gates and the switch means so as to adjust the delay time of the input signal by adjusting the number of gate stages of the gate group, wherein the control means comprises: Semiconductor integrated circuit And a register which is provided in the device and can set an output value from the outside by initialization. The first and second transfer gates and the switch means are configured based on the register value set in the register. , The gate output load and the number of gate stages of the second gate group are adjusted.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the configuration of the delay adjustment circuit according to the embodiment of the present invention. In FIG. 1, a delay adjustment circuit according to the present embodiment includes inverters 11 to 14 each having a gate connected in series and forming a first gate group 10 for performing fine adjustment of a delay time of an input signal; Load capacitances 60 to 63, 70 to 73 connected to the output side of the inverters 12 and 13 of the one gate group via transfer gates 40 to 43 and 50 to 53 as first switch means; An inverter chain 21 which is connected to the output side of the gate group 10 through transfer gates 80 to 83 as second switch means and constitutes a second gate group 20 for coarsely adjusting the delay time of the input signal. To 23, the amount of load capacity 60 to 63, 70 to 73 connected to the output side of the inverters 12 and 13 of the first gate group 10 and the number of gate stages of the second gate group 20 are adjusted. And a register group 30 as control means for controlling the transfer gates 40 to 43, 50 to 53, and 80 to 83 as first and second switch means so as to adjust the delay time of the input signal. are doing.
[0011]
The input side of the inverter 11 constituting the first group of gates 10 is connected to the input terminal 100, the output side of the inverter 11 is connected to the inverters 12, 13, and 14 in that order, and the output side of the inverter 14 is further connected to the inverter chain. 21 to 23 are connected in order. Each of the inverter chains 21 to 23 is a gate delay circuit including an even number of stages of inverters.
[0012]
The output side of the inverter 12 in the first gate group 10 is connected to the input side of the transfer gates 40 to 43, and the output side of the inverter 13 is connected to the input side of the transfer gates 50 to 53. Capacitors 60 to 63 are connected to the output sides of the transfer gates 40 to 43, respectively, and capacitors 70 to 73 are connected to the output sides of the transfer gates 50 to 53, respectively. The output sides of the inverter 14 and the inverter chains 21 to 23 are connected to the input sides of the transfer gates 80 to 83, respectively.
[0013]
The output sides of the transfer gates 80 to 83 are connected in common, and constitute a four-input selector that is controlled so that only one of the transfer gates 80 to 83 is selectively turned on. Output sides of the transfer gates 80 to 83 constituting the 4-input selector are connected to an output terminal 101 of the delay adjustment circuit via a buffer 90.
[0014]
The signals output from the registers 200 to 203 are supplied to the transfer gates 40 to 43 as control input signals, respectively, and the signals output from the registers 210 to 213 are supplied to the transfer gates 50 to 53 as control input signals, respectively. By adjusting the control input signals supplied to the transfer gates 40 to 43 with the register values set in the registers 200 to 203, the capacitance value as the output load of the inverter 12 is set as a combined capacitance by a combination of the capacitances 60 to 63. be able to. Further, by adjusting the control input signal supplied to the transfer gates 50 to 53 by the register value set in the registers 210 to 213, the capacitance value is set as the output load of the inverter 13 as a combined capacitance by a combination of the capacitances 70 to 73. can do.
[0015]
Assuming that the capacitance values of the capacitors 61 to 63 are twice, four times, and eight times as large as the capacitance value of the capacitance 60, the output load of the inverter 12 is synthesized from 0 to 15 times the capacitance value of the capacitance 60 in units of one time. The capacitance value of the capacitance can be adjusted. Similarly, assuming that the capacitance values of the capacitors 71 to 73 are twice, four times, and eight times the capacitance value of the capacitor 70, the output load of the inverter 13 is one time from 0 to 15 times the capacitance value of the capacitor 70. The capacitance value of the combined capacitance can be adjusted in units.
[0016]
The inverters 12 and 13 are designed such that the gate width of the PMOS transistor is increased so as to be smaller than the on-resistance of the NMOS transistor. With such a design, the falling edge requiring the driving force of the NMOS transistor is more susceptible to the output load than the rising edge requiring the driving force of the PMOS transistor. Therefore, the falling of the signal output from the output terminal 101 can be varied by adjusting the output load of the inverter 12, and the rising of the signal output from the output terminal 101 adjusts the output load of the inverter 13. Can be varied. Therefore, the rising waveform and the falling waveform of the signal output from the output terminal 101 can be adjusted by appropriate output load adjustment of the inverters 12 and 13, respectively.
[0017]
The signals output from the registers 220 and 221 are converted by a decoder (not shown) and supplied to the transfer gates 80 to 83 as control input signals. Only one of the transfer gates 80 to 83 is turned on by the control input signal supplied to the transfer gates 80 to 83, and from the input terminal 100 to the output terminal 101 of the delay adjustment circuit according to the setting data of the registers 220 and 221. The number of gate stages up to can be adjusted. Each of the registers 200 to 203, 210 to 213, 220, and 221 is provided in a semiconductor integrated circuit device (LSI), and a register value is externally set by an internal signal or by initialization. .
[0018]
In the delay adjusting circuit having the above configuration, fine adjustment of the delay time of the input signal is performed by adjusting the output load of the inverters 12 and 13, that is, by adjusting the gate output load, and the input is controlled by adjusting the number of input / output gate stages by switching the inverter chains 21 to 23. By roughly adjusting the delay time of the signal, it is possible to adjust the delay time of the rise and fall of the signal until the signal input from the input terminal 100 is output from the output terminal 101.
[0019]
In this embodiment, the register is used as the control means, and the delay time is controlled by the set value. However, the present invention is not limited to this, and the delay time is controlled by the value of the internal memory, the internal logic signal, or the external signal. May be controlled.
[0020]
As shown in FIG. 2, when the reference clock CLK0 is input as an input signal to the input terminal 100 of the delay adjustment circuit 300 shown in FIG. 1, a clock whose operating frequency is equal to the reference clock CLK0 and whose rising and falling waveforms can be adjusted. CLKi can be generated. FIG. 3 shows a waveform diagram of the reference clock CLK0 and the clock CLKi whose waveform can be adjusted.
[0021]
Next, FIG. 4 shows the configuration of the clock generation circuit according to the first embodiment of the present invention. The clock generation circuit according to the present embodiment includes a delay adjustment circuit 300 having the configuration shown in FIG. 1 using reference clock CLK0 as an input signal, and an exclusive OR operation of reference clock CLK0 and an output signal of delay adjustment circuit 300. And an exclusive OR circuit 301 for performing
[0022]
In the above configuration, the clock CLLj delayed by た cycle from the reference clock CLK input from the input terminal 110 is generated by the delay adjustment circuit 300, and the exclusive OR circuit 301 generates the clock CLLj between the reference clock CLK0 and the clock CLLj. By taking exclusive OR, a clock CLKn whose operating frequency is twice as high as that of the reference clock CLK0 can be generated. Since the waveform of the clock CLLj can be adjusted by controlling the register value, the falling edge of CLKn can be adjusted. FIG. 5 shows the reference clock and the output timing of the clock CLLj and the clock CLKn. According to the clock generation circuit according to the first embodiment of the present invention, it is possible to compensate for a clock skew and a duty ratio caused by manufacturing variations of a semiconductor integrated circuit device, and to reduce jitter.
[0023]
Next, a case will be described in which the semiconductor integrated circuit is designed on the assumption that it is used as a clock timing signal whose waveform fall can be adjusted. FIG. 6A shows the waveform of the clock CLKn output by the clock generation circuit shown in FIG. 4, and FIG. 6B shows the configuration of the semiconductor integrated circuit device described above. This semiconductor integrated circuit device is provided between the clock generation circuit shown in FIG. 4, the logic gates 370, 371, and 372, and between the logic gates 370, 371, and 372. (Falling edge), falling edge flip-flops 360 and 361 which operate at the timing of the falling edge.
[0024]
In the above configuration, clock edges 350 and 351 are input to the falling edge flip-flops 360 and 361, respectively. 370, 371 and 372 represent logic gates between flip-flops, respectively. When an LSI design using only the adjustable falling edge of the clock CLKn is performed, the effects of clock skew and jitter can be minimized.
[0025]
Next, the configuration of a clock generation circuit according to a second embodiment of the present invention is shown in FIG. The clock generation circuit according to the present embodiment performs a logic operation on the reference clock and the output signal of the delay adjustment circuit shown in FIG. An exclusive OR circuit 120 as a logic circuit for outputting a clock of a frequency; and a PMOS transistor 110 as setting means for fixing the output of the delay adjustment circuit to a constant value only in the non-operation mode. Based on the logical operation result of the sum circuit 120, a clock having an operation frequency of 1 time of the reference clock as the non-operation mode or N times (2 times in this embodiment) of the reference clock as the operation mode is output.
[0026]
As described above, the delay adjustment circuit is basically the same as the configuration shown in FIG. As shown in FIG. 7, a PMOS transistor 110 for precharging whose source is connected to a power supply is added to a node 91 of the delay adjustment circuit shown in FIG. 1, and a register 222 in the register group 30 'is added. In the clock generation circuit according to the present embodiment, all the control inputs of the transfer gates 80 to 83 are allowed to be in the off state, and in that case, the non-input signal which is input to the gate of the precharge PMOS transistor 110 is output. The operation signal is controlled so that the PMOS transistor 110 is turned on.
[0027]
The signals of the registers 220 to 222 are decoded by a decoder (not shown) and supplied to the transfer gates 80 to 83 and the precharge PMOS transistor 110 as control input signals, and the transfer gates 80 to 83 and the precharge PMOS transistor 110 Is controlled so that only one of them is turned on. When the precharge PMOS transistor 110 is on, the output of the delay adjustment circuit, that is, the output of the buffer 90, becomes a constant value of 1 and enters the non-operation mode. Therefore, by configuring the clock generation circuit using the exclusive OR circuit 120 that performs the exclusive OR operation of the output of the delay adjustment circuit having the non-operation mode and the reference clock input from the input terminal 100, The clock output from the delay adjustment circuit can be set to a fixed value of 1 irrespective of the waveform of the reference clock, so that the operating frequency of the clock output from the output terminal 122 is set to the non-operation mode by setting the register value. It is possible to generate a clock that is one time and twice the reference clock as the operation mode.
[0028]
FIG. 8 shows a clock generation circuit according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 9 shows a reference clock and an output timing of an output clock of each unit. In the clock generation circuit of FIG. 4, a clock delayed by 1/4 cycle is generated by the delay adjustment circuit 300, but in the clock generation circuit shown in FIG. The clock CLKy delayed by 1 / cycle is generated by the delay adjustment circuit 303.
[0029]
When the exclusive OR circuit 304 performs an exclusive OR operation on the reference clock CLK0, the clock CLKx delayed by 1/6 cycle and the clock CLKy delayed by 1/3 cycle, the operating frequency is tripled with respect to the reference clock CLK0. Can be generated. Similarly, according to the present embodiment, by performing a logical operation of outputs of a plurality of delay adjustment circuits having different delay times with a reference clock as an input, waveform control of an N-fold operating frequency with respect to the reference clock CLK0 is performed. A possible clock can be generated.
[0030]
Next, a configuration of a clock generation circuit according to a fourth embodiment of the present invention is shown in FIG. The clock generation circuit 400 according to the present embodiment includes a delay adjustment circuit 410 illustrated in FIG. 1 or 7, a logic circuit 420 that performs a logical operation on an output clock of the delay adjustment circuit 410, and a clock output of the clock generation circuit 400. A detection circuit 430 for detecting the duty ratio and the clock skew of the clock signal, and operating the register value of the register 410 in the delay adjustment circuit 410 based on the detection output of the detection circuit 430 so that the duty ratio and the clock skew are set in advance. And a control circuit 440 for dynamically updating. The delay adjustment circuit 410 includes a register 410 and a variable delay circuit 414. The delay adjustment circuit 410 has the same configuration as the delay adjustment circuit shown in FIG. 1 or FIG. 7, the register 410 corresponds to the register group 30 or 30 ′ shown in FIG. 1 or FIG. Alternatively, this corresponds to a configuration in which the register group 30 or 30 'is removed from the delay adjustment circuit shown in FIG. 500 is a reference clock generation circuit, and 510 is a distribution circuit.
[0031]
In the above configuration, the reference clock 501 output from the reference clock generation circuit 500 is input to the delay adjustment circuit 410, and the logic operation of the output 415 of the delay adjustment circuit and the reference clock 501 is performed by the logic circuit 420. A clock 421 having an operating frequency N times the reference clock 501 is generated. An output clock 512 is output from the clock 421 by the distribution circuit 510 and distributed to each block in the LSI.
[0032]
From a part 511 of the output clock of the distribution circuit 510, the duty ratio and the clock skew of the output clock 511 are detected by the detection time 430, and the deviation between these detected values and the expected clock waveform is detected. If the duty ratio or clock skew of the output clock 511 is different from the expected value, the control circuit 440 adjusts the register based on the output 431 of the detection circuit 430 so that the delay adjustment circuit 410 adjusts the waveform of the output clock 421. Set to an appropriate value. The delay time of the clock in the variable delay circuit 420 is adjusted by the register value 411 set by the output 441 of the control circuit 440, and the output clock 421 is corrected so that the duty ratio and the clock skew match the expected values.
[0033]
According to the clock generation circuit according to the present embodiment, a delay adjustment circuit that adjusts a delay time of an input signal based on a set value of a register without using a PLL circuit, a duty ratio of a clock output of the clock generation circuit, A detection circuit for detecting a clock skew, and a control circuit for dynamically updating a register value in the delay adjustment circuit so as to have a preset duty ratio and clock skew based on the detection output of the detection times. Therefore, it is possible to automatically adjust the clock duty ratio and the clock skew to the expected values.
[0034]
As another embodiment of the present invention,
Although the physical configuration is as described above, the number of delay adjustment circuits used for the clock generation circuit in the above-described embodiment is not limited to one, and may be two or more. The capacitance value set to 2, 4, or 8 times as the load element of the delay adjustment circuit in each of the above embodiments is not limited to this. There are various methods for realizing the load element, such as using a gate input of an inverter or the like. Further, the ratio of the gate widths of the NMOS transistor and the PMOS transistor of the output load capacitance adjusting inverter can be designed so that the on-resistance of the NMOS transistor is smaller.
[0035]
Further, the number of transfer gates and registers for fine adjustment and coarse adjustment of the delay adjustment circuit in the above embodiment is merely an example, and is not limited to this. Further, switch means other than the transfer gate may be used. Further, although an inverter is used as a delay element of the delay adjustment circuit in the above embodiment, a gate other than the inverter can be used, and the number of gate stages is not limited. Also, an example has been described in which an exclusive OR circuit is used as a logical circuit that performs a logical operation on the output of the delay adjustment circuit. However, the present invention is not limited to this, and instead of the exclusive OR circuit, an exclusive NOR circuit and By doing so, it is also possible to invert the clock waveform, in which case the adjustable clock edge is also inverted.
[0036]
In the delay adjustment circuit having the non-operation mode in the above embodiment, the fixed value output is realized by the PMOS transistor for precharging, but the fixed value can be output by using the NMOS transistor. Further, the fixed value is not limited to one.
[0037]
Next, FIG. 11 shows a configuration of a clock generation circuit according to a fifth embodiment of the present invention. In the figure, the clock generation circuit according to the present embodiment can adjust the delay time by the value of the internal register of the semiconductor integrated circuit device, the value of the internal memory, the internal logic signal, or the external signal. The first, second, and third three delay adjustment circuits 601, 602, and 603 and the input terminals of the three delay adjustment circuits 601 to 603 are connected in common, and the first and third delay adjustment circuits 601, 603 A first selector 610 that selects an input of the three delay adjustment circuits 601 to 603 or an output of the second delay adjustment circuit 602 according to one or both of the outputs; A second selector 611 that selects the output of the first or third delay adjustment circuit 601 or 603 based on one or both of the outputs of the second delay adjustment circuit 602; And a logic circuit 612 for obtaining an exclusive logical product of said first output signal of the second selector 610 and 611.
[0038]
In FIG. 11, the first, second, and third delay adjustment circuits 601, 602, and 603 have their input sides commonly connected, and an input signal (a reference clock in this embodiment) 650 is input. ing. The output signal of the first, second, and third three delay adjustment circuits 601, 602, and 603 is determined by a register inside the LSI, an internal signal, or an external signal. The second delay adjustment circuit 602 is adjusted so as to have a delay time of 1 / of the cycle time c, and adjusted so as to have a delay time of / of the cycle time c and inverted. The third delay adjusting circuit 603 has a delay time of / of the cycle time c and is adjusted to be inverted.
[0039]
The first selector 610 selects the input signal 650 and the output of the second delay adjustment circuit 602 according to the output of the first delay adjustment circuit 601. The second selector 611 selects the output of the first delay adjustment circuit 601 and the output of the third delay adjustment circuit 603 according to the input signal 650. An exclusive-NOR (EX-NOR) circuit 612 obtains an exclusive logical product of outputs of the first and second selectors 610 and 611, and outputs an output signal 660.
[0040]
Here, the first selector 610 is controlled by the output of the first delay adjustment circuit 601, but the output of the third delay adjustment circuit 603 or the output of the first and third delay adjustment circuits 601 and 603 is controlled. A similar effect can be obtained by controlling both. Similarly, the same effect can be obtained even if the second selector 611 is controlled by one or both of the input signal 650 and the second delay adjustment circuit 602. FIG. 12 shows operation waveforms of each unit shown in FIG.
[0041]
An input signal 650 having an operating frequency f (cycle time c = 1 / f) is input to the first, second, and third three delay adjustment circuits 601, 602, and 603 (FIG. 12A). The input signal 650 is supplied by a delay adjustment circuit (not shown), and is a signal whose rising edge can be adjusted in waveform. As a result of the input signal 650 being input to the first, second and third delay adjustment circuits 601, 602 and 603, the first, second and third internal signals having the frequency f are converted to the first, second and third delay adjustment circuits. Output from 601 602 603
(FIGS. 12 (B), (D), (F)). FIG. 12C is a signal delayed by 2/4 cycle of the input signal 650, and FIG. 12E is a signal delayed by 3/4 cycle of the input signal 650.
[0042]
The input signal 650 and the output signals (internal signals) of the first, second, and third delay adjustment circuits 601, 602, and 603 are integrated by the first and second selectors 610 and 611. That is, the input signal 650 and the output signal of the second delay adjustment circuit 602 are integrated by the first selector 610, and the output signal of the first delay adjustment circuit 601 and the output signal of the third delay adjustment circuit 603 are combined. Integration is performed by the second selector 611.
[0043]
Here, the first selector 610 operates to select the input signal 650 during a period when the output signal of the first delay adjustment circuit 601 is at a low level and to select an output signal from the delay adjustment circuit 602 during a period when the output signal is at a high level. I do. The second selector 611 operates so as to select the output signal of the delay adjustment circuit 603 during a period when the input signal 650 is at a low level and to select the output signal from the delay adjustment circuit 601 during a period when the input signal 650 is at a high level. As a result, an integrated signal of the input signal 650 and the output signal of the second delay adjustment circuit 602 is output from the first selector 610 (FIG. 12G), and the first selector 611 outputs the first signal. A signal in which the output signal of the delay adjustment circuit 601 and the output signal of the third delay adjustment circuit 603 are integrated is output (FIG. 12H).
[0044]
A logical operation is performed on the output signal of the first selector 610 and the output signal of the second selector 611 by the exclusive-OR circuit 612 to generate a signal (clock) having a frequency twice as high as the operating frequency f of the input signal 650. (FIG. 12 (I)).
[0045]
According to the clock generation circuit according to the fifth embodiment of the present invention, the reference clock is input, the value of the internal register of the semiconductor integrated circuit device, the value of the internal memory, the internal logic signal, or the external signal , The outputs of the first, second, and third delay adjustment circuits capable of adjusting the delay time are integrated by the first and second selectors, and the outputs of these selectors are mutually exclusive by the logic circuit Since a logical AND operation is performed, a clock having a free duty ratio can be generated regardless of the duty ratio of the reference clock which is an input signal.
[0046]
Next, FIG. 13 shows a configuration of a clock generation circuit according to a sixth embodiment of the present invention. In the figure, the clock generation circuit according to the present embodiment can adjust the delay time by the value of the internal register of the semiconductor integrated circuit device, the value of the internal memory, the internal logic signal, or the external signal. The first, second, third, and fourth four delay circuits 700, 701, 702, and 703 and the input terminals of the delay adjustment circuits 700, 701, 702, and 703 are commonly connected, and the second and fourth A first selector 710 for selecting the output of the first or third delay adjustment circuit 700, 702 by one or both of the outputs of the delay adjustment circuits 701, 703, and a first selector 710 for selecting the output of the first and third delay adjustment circuits 700, 702; A second selector 711 for selecting an output of the second or fourth delay adjustment circuit 701 or 703 by one or both of the outputs, and an output of the first and second selectors 710 and 711 And a logic circuit 720 for obtaining an exclusive logical product.
[0047]
In FIG. 13, the first, second, third, and fourth four delay adjustment circuits 700, 701, 702, and 703 are commonly connected on the input side, and receive an input signal (a reference clock in this embodiment) 750. It is supposed to be. The output signals of the first, second, third, and fourth delay adjustment circuits 700, 701, 702, and 703 are each set to a target cycle time by one of a register inside the LSI, an internal signal, and an external signal. Is c, and the delay time between the selector and the exclusive-OR circuit is τ, the first delay adjustment circuit 700 determines ((c−τ) by one of the register inside the LSI, an internal signal, and an external signal. ) And the second delay adjustment circuit 701 is adjusted so as to have a delay time of (2 / 4c-τ). The third delay adjustment circuit 702 has a delay time of (3 / 4c−τ) and is adjusted so as to be inverted, and the fourth delay adjustment circuit 703 has a delay time of (c−τ) And adjusted to be inverted.
[0048]
The first selector 710 selects the output of the first delay adjustment circuit 700 and the output of the third delay adjustment circuit 702 according to the output signal of the second delay adjustment circuit 701. The second selector 711 selects the output of the second delay adjustment circuit 701 and the output of the fourth delay adjustment circuit 703 according to the output signal of the first delay adjustment circuit 700. An exclusive-NOR (EX-NOR) circuit 720 obtains an exclusive logical product of outputs of the first and second selectors 710 and 711, and outputs an output signal 760.
[0049]
Here, in the present embodiment, the first selector 710 is controlled by the output of the second delay adjustment circuit 701, but is controlled by one or both of the outputs of the second and fourth delay adjustment circuits 701 and 703. A similar effect can be obtained. Similarly, the same effect can be obtained even if the second selector 711 is controlled by one or both of the outputs of the first and third delay adjustment circuits 700 and 702.
[0050]
As described above, according to the clock generation circuit according to the sixth embodiment of the present invention, the reference clock is input, the value of the internal register of the semiconductor integrated circuit device, the value of the internal memory, the internal logic signal, or the external The outputs of the first, second, third, and fourth delay adjustment circuits capable of adjusting the delay time by the signal of (i) are integrated by the first and second selectors, and the outputs of these selectors are integrated. Is exclusive-ANDed by a logic circuit, so that a clock having a free duty ratio can be generated irrespective of the duty ratio of a reference clock which is an input signal.
[0051]
In another embodiment of the present invention, the basic configuration is as described above. For example, when a delay adjustment circuit adjusted to have a delay time of 1/2 of the cycle time is configured, 1/4 Two delay adjustment circuits adjusted to have the above delay time may be used, or a delay adjustment circuit capable of adjusting the delay that generates a minute delay time may be used.
[0052]
What is important here is the difference between the delay times generated by the respective delay adjustment circuits. The difference is set to 1 / n of the cycle time of the input waveform (clock waveform), and is n times or n / 2 times the input waveform. It is important to generate a waveform having a frequency of Furthermore, whether the delay adjustment circuit operates as an inverter or a buffer depends on whether the logic gate as a logic circuit provided at the output stage of the clock generation circuit is an exclusive OR or an exclusive AND. Is done. Therefore, either the positive logic or the negative logic may be used as the delay circuit. It should be noted that the present invention is not limited to the above embodiments, and it is clear that the embodiments can be appropriately modified within the scope of the technical idea of the present invention.
[0053]
【The invention's effect】
According to the delay adjustment circuit of the present invention, each gate is connected in series, and the first gate group for finely adjusting the delay time of the input signal is provided on the output side of a specific gate in the first gate group. A load capacitance connected through the first switch means and a second capacitance connected to the output side of the first gate group through the second switch means for coarsely adjusting the delay time of the input signal; The first and second gate groups are configured so as to adjust the delay time of the input signal by adjusting the load capacitance connected to the output side of a specific gate in the first gate group and the number of gate stages of the second gate group. Since it has the control means for controlling the second switch means, the delay time of the input signal can be adjusted by controlling the internal register value or the internal signal or the external signal of the semiconductor integrated circuit device.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing a specific configuration of a delay adjustment circuit according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram showing an input / output relationship of the delay adjustment circuit shown in FIG. 1;
FIG. 3 is a timing chart showing output timings of a reference clock as an input signal and a clock as an output signal of the delay adjustment circuit in FIG. 2;
FIG. 4 is a circuit diagram showing a configuration of a clock generation circuit according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a timing chart showing signals of respective units of the clock generation circuit shown in FIG. 4;
FIG. 6 is a circuit diagram of a semiconductor integrated circuit device in which a waveform of a clock having an adjustable specific edge generated by a clock generation circuit and a flip-flop operating at the timing of the specific edge of the clock are provided between logic gates. FIG.
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a clock generation circuit according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a clock generation circuit according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a timing chart illustrating signals of respective units of the clock generation circuit illustrated in FIG. 8;
FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of a clock generation circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 11 is a circuit diagram showing a configuration of a clock forming circuit according to a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 12 is a timing chart showing operation waveforms of each unit of the clock generation circuit shown in FIG. 11;
FIG. 13 is a circuit diagram showing a configuration of a clock generation circuit according to a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a block diagram showing a configuration of a PLL circuit used in a conventional clock generation circuit.
[Explanation of symbols]
10 First gate group
11-14 Inverter
20 Second gate group
21-23 Inverter chain
30 register group (control means)
40-43, 50-53 Transfer gate (first switch means)
80-83 transfer gate (second switch means)
300, 302, 303, 400, 410 delay adjustment circuit
301, 304, 420 logic circuit
400 clock generation circuit
412 registers
414 Variable delay circuit
430 detection circuit
440 control circuit
500 Reference clock generation circuit
510 distribution circuit
601, 602, 603 delay adjustment circuit
610, 611 selector
612 Exclusive AND circuit

Claims (2)

各ゲートが直列接続され入力信号の遅延時間の微調整を行うための第1のゲート群と、
該第1のゲート群のうち特定のゲートの出力側に第1のトランスファースイッチを介して接続される第1の負荷容量と、
前記特定のゲートの次段のゲート出力側に第2のトランスファースイッチを介して接続される第2の負荷容量と、
前記第1のゲート群の出力側にスイッチ手段を介して接続され前記入力信号の遅延時間の粗調整を行うための第2のゲート群と、
前記第1、第2の負荷容量及び前記第2のゲート群のゲート段数を調整することにより前記入力信号の遅延時間を調整するように前記第1、第2のトランスファーゲート、及び前記スイッチ手段を制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、半導体集積回路装置内に設けられ、内部信号により出力値を設定することができるレジスタを含んで構成され、
前記レジスタに設定されたレジスタ値に基づいて前記第1、第2のトランスファーゲート及び前記スイッチ手段を切換制御することにより、ゲート出力負荷及び前記第2のゲート群のゲート段数を調整することを特徴とする遅延調整回路。
A first gate group in which each gate is connected in series to finely adjust a delay time of an input signal;
A first load capacitance connected to an output side of a specific gate in the first gate group via a first transfer switch;
A second load capacitance connected to a gate output side of the next stage of the specific gate via a second transfer switch;
A second group of gates connected to an output side of the first group of gates via switch means for coarsely adjusting the delay time of the input signal;
The first and second transfer gates and the switch means are adjusted so as to adjust the delay time of the input signal by adjusting the first and second load capacitances and the number of gate stages of the second gate group. Control means for controlling,
The control means includes a register provided in the semiconductor integrated circuit device and capable of setting an output value by an internal signal,
The switching control of the first and second transfer gates and the switch means based on a register value set in the register adjusts a gate output load and the number of gate stages of the second gate group. Delay adjustment circuit.
各ゲートが直列接続され入力信号の遅延時間の微調整を行うための第1のゲート群と、
該第1のゲート群のうち特定のゲートの出力側に第1のトランスファースイッチを介して接続される第1の負荷容量と、
前記特定のゲートの次段のゲート出力側に第2のトランスファースイッチを介して接続される第2の負荷容量と、
前記第1のゲート群の出力側にスイッチ手段を介して接続され前記入力信号の遅延時間の粗調整を行うための第2のゲート群と、
前記第1、第2の負荷容量及び前記第2のゲート群のゲート段数を調整することにより前記入力信号の遅延時間を調整するように前記第1、第2のトランスファーゲート、及び前記スイッチ手段を制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、半導体集積回路装置内に設けられ、初期化により外部から出力値を設定することができるレジスタを含んで構成され、
前記レジスタに設定されたレジスタ値に基づいて前記第1、第2のトランスファーゲート及び前記スイッチ手段を切換制御することにより、ゲート出力負荷及び前記第2のゲート群のゲート段数を調整することを特徴とする遅延調整回路。
A first gate group in which each gate is connected in series to finely adjust a delay time of an input signal;
A first load capacitance connected to an output side of a specific gate in the first gate group via a first transfer switch;
A second load capacitance connected to a gate output side of the next stage of the specific gate via a second transfer switch;
A second group of gates connected to an output side of the first group of gates via switch means for coarsely adjusting the delay time of the input signal;
The first and second transfer gates and the switch means are adjusted so as to adjust the delay time of the input signal by adjusting the first and second load capacitances and the number of gate stages of the second gate group. Control means for controlling,
The control means includes a register provided in the semiconductor integrated circuit device and capable of externally setting an output value by initialization.
The switching control of the first and second transfer gates and the switch means based on a register value set in the register adjusts a gate output load and the number of gate stages of the second gate group. Delay adjustment circuit.
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