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JP2004047170A - 電子線描画装置 - Google Patents

電子線描画装置 Download PDF

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JP2004047170A
JP2004047170A JP2002200113A JP2002200113A JP2004047170A JP 2004047170 A JP2004047170 A JP 2004047170A JP 2002200113 A JP2002200113 A JP 2002200113A JP 2002200113 A JP2002200113 A JP 2002200113A JP 2004047170 A JP2004047170 A JP 2004047170A
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JP
Japan
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electron beam
rotary
sample
bearing
rotary drive
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Pending
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JP2002200113A
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English (en)
Inventor
Sumio Hosaka
保坂 純男
Tatsuto Suzuki
鈴木 達人
Tetsuya Nishida
西田 哲也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

【課題】回転型電子ビームマスタリング装置において、高精度のビーム位置決めができ、安価で堅牢な機構システムを提供する。
【解決手段】試料6を保持する回転テーブル31は、回転用モータ28により回転駆動され、直動用モータ43により直線駆動される。回転軸40の軸受けとしてボールベアリング軸受け27を用い、回転の半径方向の変動を容量変位計44a,44bで測定し、直動運動における目標値からのズレをレーザ測長計47で検出する。この測定誤差量を誤差検出・補正回路48に入力し、2種類の誤差量を加えて偏向信号25を作り、静電偏向電極15に入力することで、電子ビーム10の正確な位置決めを可能とする。
【選択図】 図2

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光及び磁気記録媒体の微小な記録ビットや微細なガイド溝などを正確に形成する電子線描画装置に係わり、特に、超高密度マスタリング用電子線描画装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、情報化社会の進展は目覚ましく、より多くの情報を記憶できる技術の開発が要求されている。現在、ディスク型ファイルメモリの研究分野では記録ビット径の微細化と共に多値記録化が進められている。現在では、光記録で約0.4μmのビット径であるが、これ以上の向上は困難な状況にある。しかし、2002年には、20〜25GBの大容量光ディスクが必要となる。現在の容量は4.7GB(記録密度約3Gb/in)であり、この4〜5倍が要求され、記録密度約15Gb/inが要求される。これを実現するには現状のビット径の半分以下、0.2μmより小さい記録ビット径の実現が必要となる。これに伴い、書き込み/読み出しに必要なビーム径は、100nm前後のサブミクロン径が必要となる。また、ROM(読出し専用メモリ)でも、同様に100nm以下の微小なビットパターンや間隙が必要となる。
【0003】
一方、現行の光技術で、ビーム光学系は現状のままで多値記録する研究が進められている。現状の技術では、青色レーザ(波長:405nm)を用い、高NA化(NA:0.95)したとしても、ビーム径は約250nmであり、高密度化は難しい。そこで、最近では、上述の微小光スポットと多値記録方式を採用しようとする要求が高まっている。多値記録に関する最近の提案は、小川清也「ナノメータ制御光ディスクシステムプロジェクトの概要」第1回次世代光メモリシンポジウム講演資料((財)光産業技術進行協会、平成11年11月1日発行)に記載されている。そこには、100Gb/inの高密度記録方式の例が示され、1つのマークに3〜8bitsの多値情報をもたせる多値記録の方式が提案されている。マークの中心位置の間隔は380nm、トラック間隔は140nmと非常に微小なものとなっている。多値記録は、マークのタンジェンシャル方向の長さをマーク内にシステムで設定された位置から最小の長さをとり、そこから7nm刻みで16レベル(4bits)を設定することによって、100Gb/inが実現される。この方式をエッジ変調記録と言う。ここでは、さらに、マーク内にシステム内で設定された位置の前後にこのエッジ変調記録を行うので、1つのマークに2倍の8bitsの情報をもたせることができる。この場合、ビット長さの精度を1nm以下にすることが必要となる。特開2002−15424号公報に記載されている幅に多値情報をもたせる多値記録方法においても、同様に、正確なビット幅サイズが必要となる。
【0004】
微細なビットパターンや案内溝を記録するためにレーザ光に代えて電子線を用いる電子線マスタリング装置が開発されている(Applied Optics, 33, p.2032; Japanese Journal of Applied Physics, 37, p.2137)。従来のレーザマスタリング装置に代わる電子線マスタリング装置は、回転機構に気体軸受けを使用している。電子線描画装置装置にも気体ベアリングを使用しているのは、スムーズに試料を回転し、更に非同期な軸方向への振動が起こらないようにするためである。このような方式は、レーザマスタリング装置で採用されている方式である。レーザマスタリング装置は、レーザビームを高速にシフトすることが難しいため、非常に高精度な回転機構を組み込み、レーザビームの位置補正は行わずに高精度なマスタリング技術を達成している。
【0005】
図3は、従来の電子線マスタリング装置の回転機構部を示す概略図である。
試料6は回転テーブル31上に保持されている。電子ビーム10は、コンデンサレンズ2と対物レンズ22によって、試料6上に絞り込まれ、ナノメータオーダーのビームスポットが形成される。試料室には、気体軸受け方式の軸受けが設置されている。気体を大気中から真空中に導き、気体軸受け部で、軸受け用回転平板39に上下から気体を噴き出して回転軸を浮かし、側壁から更に気体を軸方向に噴き出して、モータ28によって回転される回転軸40を固定している。真空中で気体軸受けを動作させるためには、気体軸受けから吹き出る気体を真空中に出さずに、大気中に放出する必要がある。そのため、供給空気配管35,36を通して気体が供給される空気軸受けシリンダ37を軸受け外部ハウジング38で囲い、供給された気体を真空中に出さない構造としている。軸受け外部ハウジング38は排気管34に結合され、図示省略したポンプにて気体を試料室外に排気する。固定部と回転軸40との間は、僅かの間隙を作って両者を非接触状態に保っている。このため、回転軸40とハウジング38の間隙から空気が真空中にリークするが、それを最小限にするため、間隙を1μm前後に設計・製作している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
気体軸受けを真空中で動作させるには精密な機構系が必要で、技術的な困難が伴い、保守も難しい。さらに、気体が真空中に少しでもリークすれば、電子銃が破壊され、重大な事故となる。これは、電子描画装置(マスタリング装置)の信頼性をなくす致命的な欠点となる。
【0007】
本発明は、気体軸受けを使用せずに、ナノメートルオーダの回転及びスパイラル曲線及び情報ビット列を形成できる電子線描画装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
従来から使用されているボールベアリング(軸受け)に注目すると、通常のボールベアリングを使用すると回転軸に対して半径方向の非同期位置誤差が最大で約0.25μm生じることが分かっている。これは、ボールベアリングのボール直径の不揃いに起因する。また、その周波数成分は数1000回転(rpm)で、約数10kHzである。また、回転方向の非同期信号はサンプルサーボ方式を採用すれば、無視できる。従って、非同期信号を多く持つ半径方向の誤差を補正できれば従来から使用されているボールベアリング方式が電子線描画装置でも使用できることになる。電子線描画装置で使用されている偏向系には静電偏向方式と電磁偏向方式とがある。後者は、エディカレント等の影響で数100kHzの応答性しか持たないが、前者は容量等を小さくすることにより、数10から数100MHzの応答帯域を持つ。従って、ボールベアリング方式を採用しても、静電偏向方式の電子線位置補正方式を採用すれば十分スムーズな回転曲線を形成することができる。
【0009】
このような検討のもとになされた本発明の電子線描画装置は、真空排気された試料室と、試料室内に位置し試料を保持して回転する回転テーブルと、回転テーブルに固定された回転軸を回転駆動する回転駆動機構と、回転駆動機構を回転軸と直交する方向に駆動する直動機構と、細く絞った電子線を試料上に照射する電子光学系とを含む電子線描画装置において、回転駆動機構は回転軸の軸受け部にボールベアリング軸受けを用い、回転テーブルの回転に伴う軸振れを検出する第1の検出器と、直動機構による駆動目標位置からの位置誤差を検出する第2の検出器と、第1の検出器の出力信号及び第2の検出器の出力信号を演算して試料上の電子線照射位置を補正するための補正信号を発生する補正信号発生部と、補正信号によって電子線を偏向する電子線偏向部とを備えることを特徴とする。
【0010】
ボールベアリング軸受けは非磁性のボールを用いるのが好ましい。また、回転駆動機構は回転駆動モータ及びエンコーダを備え、ボールベアリング軸受け、回転駆動モータ及びエンコ−ダを包囲する磁気シールドを有するのが好ましい。
【0011】
以上のように、本発明によると、レーザマスタリング装置に使用されていた空気軸受けを用いることなく正確に回転位置誤差を検出して電子線照射位置を補正することにより位置誤差を抑制することができる。これにより、真空中で実現するのが難しい空気軸受けを持った回転機構を使用しなくても、従来から用いられてきたボール軸受けを用いて電子線マスタリング装置を実現することができ、装置の信頼性を増すことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。図1から図3において、同じ機能部分には同一の番号を付して説明する。
【0013】
図1は、本発明による回転機構及び直動機構を搭載した電子線マスタリング装置(電子線描画装置)の概略図である。
【0014】
電子光学系は、ショットキエミッション型電界放射電子銃1から電子を放出させ、コンデンサレンズ2及び対物レンズ22で電子線10を直径10ナノメータまで絞り込む。また、微細なピット列や円及びスパイラルなどに沿って描くためのブランキング電極8及び位置誤差補正をするための偏向コイル4あるいは静電偏向電極15を装備し、ビット形成及び機構系の位置誤差補正をする機能を有する。この電子光学系を試料室5や真空排気系7に結合して電子光学系筐体部分を形成している。試料室5には、試料6を支える試料台と直線あるいは直交移動機構及び回転移動機構13があり、試料6上に微小なビットを同心円状あるいはスパイラル状にマーク列として形成することができる。装置全体は計算機システム11によって制御される。計算機システム11の制御下にある制御系12は、ブランキング回路14を介してブランキング電極8にブランキング信号49を出力する。また、制御系12は、直線あるいは直交移動機構及び回転移動機構13に直線移動、回転速度等を指定する信号16を送り、回転速度、位置等の計測信号17を受信する。さらに、制御系12は、偏向コイル4あるいは静電偏向電極15に偏向信号を送出する。
【0015】
図2は、図1に示した電子線マスタリング装置に搭載されているボール軸受けを持つ回転機構及び直動機構と、位置誤差補正機構の例を示す図である。
【0016】
回転直動機構系は、試料台ベース41の上に直動用モータ43、移動テーブル42を設置し、その上に回転機構系を設置して構成されている。移動テーブル42は、直動用モータ43によって試料台ベース41上を直線的に移動する。移動テーブル42に設けられた回転機構系は、回転テーブル31、回転軸40、ボールベアリング27、回転用モータ28、エンコーダ29を備え、回転テーブル31の上に試料6を載せて回転する。回転機構系は、回転テーブル31を除いた部品が磁気シールド30で覆われている。磁気シールド30は、モータ28、ボール軸受け及びエンコーダ29から交番あるいは誘導磁界が発生するため、これらの漏洩磁界が試料6上の電子線10の位置を変化させることを防ぐ目的で設けられている。この他にボールベアリング27のボールにサファイア等の非磁性材料を使うことも有効である。
【0017】
この回転直動機構系は最大で1μm前後の位置誤差を持つ。これを偏向系でフィードバック制御あるいはフィードフォワード制御して高精度なマーク列形成を行う。上記の誤差を極力少なくするためには、回転誤差と直線誤差を極力サブナノメートルで計測しなければならない。
【0018】
試料台ベース41にはレーザ測長計47が設置され、移動テーブル42に固定されたミラー46との間の距離を測定する。また、移動テーブル42には、回転テーブル31の回転中心を挟んで対向するように一対の容量変位計44a,44bが設置されている。各容量変位計44a,44bは、容量変位計ヘッドと容量変位検出回路から構成され、対面する回転テーブル31の端面までの距離に応じた出力信号を発生する。高精度の検出をするためには周波数の高いキャリア信号を持ったものが良い。レーザ測長計47は、レーザ光を用いた干渉計であり、単一干渉型と複数(多重)干渉型のものがあるが、より高精度の検出を行うには複数干渉型のものが良い。また、電気的に干渉信号を分割するので、検出分解能は約0.3nmとなる。レーザ測長計47及び一対の容量変位計44a,44bからの信号は誤差検出・補正回路48に入力され、誤差検出・補正回路48から静電偏向電極15に偏向信号が出力される。また、回転方向の回転ムラはエンコーダ29で検出する。
【0019】
回転用モータ28と直動用モータ43によって試料6を回転させながら、その回転中心を直線的に移動させることにより、試料6上に電子線10によってスパイラルや同心円状に電子線描画を行う。スパイラルデータやピット列データは、計算機システム11に格納され、電子線描画条件データと共に保存されている。電子線描画データが変更になるとスパイラルデータ等を変更する必要があるが、ここではソフトウェアで自動的に変更する。直動速度、回転速度さらに開始点終了点などが基本的に指定され、ピットデータが入力される。この時、回転速度ムラは、セクタの先頭番地に相当するエンコーダ番地で常に同期を取る。この同期信号を基準として、セクタ毎のピット列が描画される。
【0020】
回転の半径方向の変動は容量変位計44a,44bによって測定され、この測定誤差量を誤差検出・補正回路48に入力する。さらに、直動運動においても目標値からのズレがレーザ測長計47によって検出され、誤差量が誤差検出・補正回路48に入力される。上記の2種類の誤差量を加えて偏向信号25を作り、静電偏向電極15に入力する。これにより、電子ビーム10の正確な位置決めが可能となり、この位置決め信号あるいはセクタを指定する同期信号によるクロック信号を基にブランキング信号49が作られ、ブランキング電極8に送られて、ピット列がナノメートル精度で形成される。
【0021】
ここで、位置誤差検出・補正回路48による位置誤差補正量の算出方法について説明する。容量変位計44a,44bによって検出された基準値からの変位をそれぞれΔX,ΔXとすると、回転に伴う非同期の位置誤差ΔXは、次のように計算される。kは比例定数である。
【0022】
【数1】
Figure 2004047170
【0023】
また、制御系12から直動用モータ43に指令された直動運動の目標値xとレーザ測長計47による測定値xから、次式によって直動運動の誤差Δxが計算される。
Δx=x−x
【0024】
位置誤差検出・補正回路48は、上記回転に伴う非同期の位置誤差ΔXと直動運動の誤差Δxから位置誤差補正量Δεを算出し、それに静電偏向電極15の装置係数kを掛けたものを、偏向信号25として静電偏向電極15に出力する。
【0025】
なお、図2には容量変位計44a,44b及び静電偏向電極15は1軸方向(x軸方向)しか図示していないが、y軸方向にも容量変位計と静電偏向電極を備え、同様に電子線10の位置制御を行うことで、より高精度の描画を行うことができる。また、レーザ測長計も1軸しか図示していないが、y軸方向にも備えてもよい。
【0026】
以上には、本発明を光ディスクに適用するための例を示した。これに加えて、本発明の電子線描画装置は、磁気ディスクのトラックパターンやサーボマーク、量子磁気ドットパターンを形成するのに用いることもできる。また、ボールベアリングは高級で1ミクロン以下の精度が揃ったものが良く、あるいはサファイアのような絶縁物でサブミクロンの精度が揃ったものを選択するのが望ましい。磁気シールド内を排気すること、磁気シールドを水冷することも有効である。上述した例では、静電偏向器、容量変位計、レーザ測長計の組み合わせを示したが、静電偏向電極の代わりに電磁偏向器を用いたり、容量変位計の代わりにレーザ測長計などを用いてもよく、さらに他の測長計を用いてもよい。
また、本発明の電子線描画装置によると装置コストを下げることができ、試料の電気的な導通が容易となるなど高精度描画が可能となる。これは、ボールベアリングを使用しているので、試料台本体と回転機構上に搭載した試料台を電気的にブラシで接触して導電性をとることができるためである。従来技術では空気軸受けを使用しているので、確実な導電性をとることができない。このように、本発明では確実な導電性をとることができるので、試料のチャージアップを防止でき、高精度な描画が可能となる。
【0027】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、従来から使用している空気軸受けを持つ回転機構ではなく、ボール軸受けを持つ回転機構を用いて電子線マスタリングシステムを構築することができるので、装置が堅牢となり、より実用的なシステムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による電子線マスタリング装置(電子線描画装置)の概略図。
【図2】図1に示した電子線マスタリング装置に搭載されているボール軸受けを持つ回転機構及び直動機構と、位置誤差補正機構の例を示す図。
【図3】従来の電子線マスタリング装置の回転機構部を示す概略図。
【符号の説明】
1…ショットキエミッション型電界放射電子銃、2…コンデンサレンズ、4…偏向コイル、5…試料室、6…試料、7…真空排気系、8…ブランキング電極、10…電子線、11…計算機システム、12…制御系、13…回転移動機構および直交あるいは直線移動機構、14…ブランキング回路、15…静電偏向電極、22…対物レンズ、25…偏向信号、27…ボールベアリング(ボール軸受け)、28…回転用モータ、30…磁気シールド、31…回転テーブル、34…排気管、35…供給空気配管、37…空気軸受けシリンダ、38…軸受け外部ハウジング、39…軸受け用回転平板、40…回転軸、41…試料台ベース、42…移動テーブル、43…直動用モータ、44a,44b…容量変位計、46…ミラー、47…レーザ測長計、48…誤差検出・補正回路、49…ブランキング信号

Claims (3)

  1. 真空排気された試料室と、前記試料室内に位置し試料を保持して回転する回転テーブルと、前記回転テーブルに固定された回転軸を回転駆動する回転駆動機構と、前記回転駆動機構を前記回転軸と直交する方向に駆動する直動機構と、細く絞った電子線を試料上に照射する電子光学系とを含む電子線描画装置において、
    前記回転駆動機構は前記回転軸の軸受け部にボールベアリング軸受けを用い、前記回転テーブルの回転に伴う軸振れを検出する第1の検出器と、前記直動機構による駆動目標位置からの位置誤差を検出する第2の検出器と、前記第1の検出器の出力信号及び前記第2の検出器の出力信号を演算して試料上の電子線照射位置を補正するための補正信号を発生する補正信号発生部と、前記補正信号によって電子線を偏向する電子線偏向部とを備えることを特徴とする電子線描画装置。
  2. 請求項1記載の電子線描画装置において、前記ボールベアリング軸受けは非磁性のボールを用いることを特徴とする電子線描画装置。
  3. 請求項1又は2記載の電子線描画装置において、前記回転駆動機構は回転駆動モータ及びエンコーダを備え、前記ボールベアリング軸受け、前記回転駆動モータ及びエンコ−ダを包囲する磁気シールドを有することを特徴とする電子線描画装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007021065A1 (en) * 2005-08-18 2007-02-22 Amorepacific Corporation Cosmetic composition containing enzyme and amino acid
JP2013021044A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Canon Inc 荷電粒子線描画装置、および、物品の製造方法
CN104049471A (zh) * 2014-06-18 2014-09-17 中国科学院光电技术研究所 一种径向零附加力转台

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