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JP2003533033A - 光電池 - Google Patents

光電池

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JP2003533033A
JP2003533033A JP2001581356A JP2001581356A JP2003533033A JP 2003533033 A JP2003533033 A JP 2003533033A JP 2001581356 A JP2001581356 A JP 2001581356A JP 2001581356 A JP2001581356 A JP 2001581356A JP 2003533033 A JP2003533033 A JP 2003533033A
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photoactive layer
layer
electrode
electron
photovoltaic cell
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Application number
JP2001581356A
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シャヒーン ショーン
ブラーベク クリストフ
フロムヘルツ トーマス
パディンガー フランツ
サリシフチ セダル
グレーツル エアハルト
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キューエスイーエル − クァンタム ソーラー エナジー リンツ フォルシュングス− ウント エントヴィックルングスゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 ２個の成分、すなわち電子供与体として共役ポリマー成分および電子受容体としてフラーレン成分からなる光活性層（４）および光活性層（４）の両側に備えられた２つの金属電極（２，６）を有する光電池が記載される。有利な構成条件を提供するために、光活性層（４）と電極（２，６）の少なくとも１つの間に共役ポリマーからなる中間層（５）が備えられ、前記ポリマーが電極電位に相当するドーピングを有し、電子エネルギー帯域に関して価電子帯と伝導帯の間の少なくとも１.８ｅＶのエネルギーギャップを有することが提案される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、２個の分子成分、すなわち電子供与体および電子受容体、特に共役
ポリマー成分およびフラーレン（Ｆｕｌｌｅｒｅｎ）成分からなる光活性層およ
び光活性層の両側に備えられた２つの金属電極を有する光電池に関する。
【０００２】 単結合および二重結合が交互に連続する、延長したπ−電子系を有するプラス
チックは共役プラスチックと呼ばれる。この共役プラスチックは電子エネルギー
に関して半導体に匹敵するエネルギー帯域を有し、ドーピングにより非導電性の
状態から金属導電性の状態に移行することができる。この共役プラスチックの例
は、ポリフェニレン、ポリビニルフェニレン（ＰＰＶ）、ポリチオフェンまたは
ポリアニリンである。しかし共役ポリマーからなる光電池ポリマーセルのエネル
ギー変換効率は典型的に１０−３〜１０−２％である。この効率を改良するため
に、すでに電子供与体としてポリマー成分および電子受容体として他のポリマー
成分を使用する２つの共役ポリマー成分からなる不均一の層が提案された（米国
特許第５６７０７９１号明細書）。電子受容体としてフラーレン（Ｆｕｌｌｅｒ
ｅｎｅ）、特にバックミンスターフラーレン（Ｂｕｃｋｍｉｎｓｔｅｒｆｕｌｌ
ｅｒｅｎｅ）Ｃ６０の使用により（米国特許第５４５４８８０号明細書）そのほ
かの通常の電荷担体再結合を十分に回避することができ、これがかなりの効率の
上昇を生じた。良好な効率を達成するために、良好な電荷分離は必要であるが、
十分でない条件である。それというのも分離した電荷が光電池の相当する電極に
到達することを付加的に考慮しなければならないからである。この種の通常の光
電池においてはインジウム／錫−酸化物（ＩＴＯ）からなる正孔が集まる電極お
よびアルミニウムからなる電子が集まる電極が有利である。
【０００３】 従って本発明の課題は、冒頭に記載の形式の光電池を、短絡電流の上昇の意味
で光活性層と電極の間の電荷の移動が増加するように形成することである。
【０００４】 前記課題は、本発明により、光活性層と電極の少なくとも１つの間に共役ポリ
マーからなる中間層が備えられ、前記ポリマーが電極電位に相当するドーピング
を有し、電子エネルギーに関して価電子帯と伝導帯の間の少なくとも１.８ｅＶ
のエネルギーギャップを有することにより解決される。
【０００５】 中間層の共役ポリマーは電極電位の意味でドーピングされ、これは正孔が集ま
る電極の領域で酸化ドーピングおよび電子が集まる電極の領域で還元ドーピンを
意味するので、共役ポリマーは正孔が集まる電極の領域で正孔過剰を保証するが
、電子が集まる電極の領域で電子過剰を保証し、酸化ドーピングポリマーの領域
で正孔の伝導が支持され、還元ドーピングポリマーの領域で電子の伝導が支持さ
れる。しかしそれぞれの中間層の共役ポリマーは電子エネルギー帯域に関して価
電子帯と伝導帯の間に少なくとも１.８ｅＶの比較的大きいエネルギーギャップ
を有するので、固有の伝導のための相当する高い活性化エネルギーが得られ、こ
れが酸化ドーピングポリマー層の場合に光活性層から正孔が集まる電極への電子
の伝導および還元ドーピング中間層の場合に光活性層から電子が集まる電極への
正孔の伝導が回避される。従ってこの特別な中間層を使用して、それぞれ隣接す
る電極に集まる電荷担体の光活性層から電極への伝導を支持するが、反対の極の
電荷の同じ方向の拡散を阻止する、弁作用が達成される。この特別な層の結果と
して、電極への電荷の伝導を相当して改良することができ、これは直接短絡電流
の増加に作用する。使用する場合に応じて正孔が集まる電極と光活性層の間、電
子が集まる電極と光活性層の間、または２つの電極の領域内にこの中間層を有す
る光電池を使用することができることは特に強調しなくてよい。
【０００６】 中間層を形成するために、種々の共役ポリマーを相当して酸化によりまたは還
元によりドーピングできるにもかかわらず、中間層がドーピングしたポリチオフ
ェン誘導体からなる場合に特に有利な状況が達成される。この場合にポリマーの
語はホモポリマーおよびオリゴマーであると理解される。
【０００７】 本発明の対象は図面に例示的に示されている。
【０００８】 図１は本発明の光電池の断面図であり、図２は従来の光電池と本発明の光電池
の電流−電圧特性曲線である。
【０００９】 図１による光電池は光透過性ガラス支持体１を有し、この支持体の上にインジ
ウム／錫−酸化物（ＩＴＯ）からなる電極層２が付着している。この電極層２は
一般に比較的粗い表面構造を形成し、電極層は相当するドーピングにより導電性
のポリマー、一般にＰＥＤＯＴからなる平滑層３で覆われている。この種の従来
の光電池と異なり、本発明により、相当する正孔過剰を得るために、光活性層４
は直接平滑層の上に付着せず、中間層５の上に付着し、中間層は、平滑層３に付
着後にニトロソニウム−テトラフルオロボラートで酸化ドーピングされた共役ポ
リマー、有利にはポリ−３−アルキルチオフェンからなる。
【００１０】 中間層５の上に溶液の形で付着する光活性層４は電子供与体として共役ポリマ
ー、有利にはポリチオフェン誘導体および電子受容体としてフラーレン、特に機
能性フラーレンＰＣＢＭからなる。この場合にポリマーの語はホモポリマーおよ
びオリゴマーであると理解される。電子集積電極６はアルミニウムからなり、ア
ルミニウムは示された実施例の場合に他の中間層を挿入せずに光活性層４の上に
蒸着されるが、これは全く可能である。この場合に中間層の共役ポリマーは、相
当する電子過剰を保証するために、電子が集まる電極６のマイナスの電位に相当
して還元ドーピングすべきである。
【００１１】 価電子帯と伝導帯の間に少なくとも１.８ｅＶのエネルギーギャップを有する
中間層５により、この比較的幅広いエネルギーギャップのために、光活性層４か
ら中間層５への電子の浸入が困難であり、光活性層４と正孔が集まる電極２の間
の正孔の伝導が損なわれない。中間層５の共役ポリマーの伝導帯は、例えばＰＥ
ＤＯＴ層３と異なり光活性層４の電子受容体のエネルギー帯域より明らかに高い
エネルギー水準に存在する。これは光活性層４から正孔が集まる電極２への単極
の電荷移行を意味し、これは図２から理解できるような、相当する短絡電流の増
加に認められる。この図２において、中間層５を除いて一致する構造のセルと比
較した本発明の光電池に関して、模擬的ＡＭ１.５条件下で８０ｍＷ／ｃｍ２の
励起エネルギーで、電圧Ｕに対して電流密度Ｉをプロットする。本発明の光電池
に属する特性曲線７は電圧Ｕ＝０Ｖにおいて測定された短絡電流を生じるが、特
性曲線８による比較セルの短絡電流の約２倍の大きさであることが示される。
【００１２】 光活性層４と電子が集まる電極６の間の中間層５の配置の場合に価電子帯の間
隔が決定的であり、伝導帯の間隔が決定的でないことは詳しく説明しなくてよい
。
【００１３】 電気的絶縁性の移行層６の作用が電子供与体として共約ポリマーおよび電子受
容体としてフラーレンに限定されないので、本発明の作用は電子供与体および電
子受容体からなる分子の二成分層を有するすべての光電池に認めることができる
。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光電池の断面図である。
【図２】 従来の光電池と本発明の光電池の電流−電圧特性曲線の比較を示すグラフであ
る。
【符号の説明】
２ 電極、 ４ 光活性層、 ５ 中間層、 ６ 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ， ＶＮ，ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ (72)発明者 クリストフ ブラーベク オーストリア国 リンツ エートミュール ヴェーク 14 (72)発明者 トーマス フロムヘルツ オーストリア国 ロッテネック ヴィース ホフ ６ (72)発明者 フランツ パディンガー オーストリア国 ザンクト フローリアン ヴィーナー シュトラーセ 46 (72)発明者 セダル サリシフチ オーストリア国 リンツ パハマイルシュ トラーセ 135 (72)発明者 エアハルト グレーツル オーストリア国 リンツ グルーバーシュ トラーセ 40−42 Ｆターム(参考） 5F051 AA11 FA04 FA06 5H032 AA06 AS09 AS16 EE01 EE04 HH08

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２個の分子成分、すなわち電子供与体および電子受容体、特
    に共役ポリマー成分およびフラーレン成分からなる光活性層（４）および光活性
    層（４）の両側に備えられた２つの金属電極（２，６）を有する光電池において
    、光活性層（４）と電極（２，６）の少なくとも１つの間に共役ポリマーからな
    る中間層（５）が備えられ、前記ポリマーが電極電位に相当するドーピングを有
    し、電子エネルギー帯域に関して価電子帯と伝導帯の間の少なくとも１.８ｅＶ
    のエネルギーギャップを有することを特徴とする光電池。
  2. 【請求項２】 中間層（５）がドーピングされたポリチオフェン誘導体から
    なる請求項１記載の光電池。
JP2001581356A 2000-04-27 2001-04-27 光電池 Pending JP2003533033A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278585A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池素子
JP2007533814A (ja) * 2004-04-21 2007-11-22 コミツサリア タ レネルジー アトミーク モノマー、オリゴマー、およびπ共役ポリマー化合物、ならびに、これを含有している光電池
JP2008538223A (ja) * 2005-03-16 2008-10-16 プレックストロニクス インコーポレーティッド 改善された電子性能を有する可溶性ポリ（チオフェン）のコポリマー

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070084506A1 (en) * 2005-07-15 2007-04-19 James Ryan Diffraction foils
US7560175B2 (en) * 1999-12-31 2009-07-14 Lg Chem, Ltd. Electroluminescent devices with low work function anode
KR100377321B1 (ko) * 1999-12-31 2003-03-26 주식회사 엘지화학 피-형 반도체 성질을 갖는 유기 화합물을 포함하는 전기소자
KR100721656B1 (ko) * 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
AT411306B (de) * 2000-04-27 2003-11-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
AT410859B (de) * 2000-04-27 2003-08-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei organischen komponenten
DE10140991C2 (de) * 2001-08-21 2003-08-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organische Leuchtdiode mit Energieversorgung, Herstellungsverfahren dazu und Anwendungen
SG176316A1 (en) * 2001-12-05 2011-12-29 Semiconductor Energy Lab Organic semiconductor element
US7989695B2 (en) * 2001-12-18 2011-08-02 Steven Allen Carlson Organic photovoltaic cells
DE10235012A1 (de) * 2002-07-31 2004-03-04 Siemens Ag Material für eine Zwischenschicht eines organischen photovoltaischen Bauelements, Herstellungsverfahren und Verwendung dazu sowie ein photovoltaisches Bauelement
TWI272874B (en) 2002-08-09 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Organic electroluminescent device
JP2005538556A (ja) * 2002-09-05 2005-12-15 コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド 有機光起電素子およびその製造方法
JP4866006B2 (ja) * 2002-10-04 2012-02-01 田辺三菱製薬株式会社 抗体認識抗原
EP1447860A1 (en) 2003-02-17 2004-08-18 Rijksuniversiteit Groningen Organic material photodiode
DE10326546A1 (de) * 2003-06-12 2005-01-05 Siemens Ag Organische Solarzelle mit einer Zwischenschicht mit asymmetrischen Transporteigenschaften
EP1642348A2 (de) * 2003-07-01 2006-04-05 Konarka Technologies, Inc. Verfahren zur herstellung von organischen solarzellen oder photodetektoren
US7511421B2 (en) * 2003-08-25 2009-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mixed metal and organic electrode for organic device
WO2005031891A1 (en) 2003-10-02 2005-04-07 National Research Council Of Canada 2,7-carbazolenevinylene derivatives as novel materials in producing organic based electronic devices
TWI265753B (en) 2004-05-11 2006-11-01 Lg Chemical Ltd Organic electronic device
KR100718765B1 (ko) * 2004-08-19 2007-05-15 주식회사 엘지화학 버퍼층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제작 방법
JP4712372B2 (ja) 2004-12-16 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI251354B (en) * 2005-02-02 2006-03-11 Ind Tech Res Inst Solar energy power module with carbon nano-tube
US7466376B2 (en) * 2005-03-22 2008-12-16 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell
US20090050204A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-26 Illuminex Corporation. Photovoltaic device using nanostructured material
US20100193768A1 (en) * 2005-06-20 2010-08-05 Illuminex Corporation Semiconducting nanowire arrays for photovoltaic applications
US20080006324A1 (en) * 2005-07-14 2008-01-10 Konarka Technologies, Inc. Tandem Photovoltaic Cells
US7781673B2 (en) * 2005-07-14 2010-08-24 Konarka Technologies, Inc. Polymers with low band gaps and high charge mobility
US8158881B2 (en) * 2005-07-14 2012-04-17 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
US20070181179A1 (en) * 2005-12-21 2007-08-09 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
AT502549B1 (de) 2005-10-07 2007-06-15 Anagnostics Bioanalysis Gmbh Vorrichtung zur analyse von flüssigen proben
KR100890862B1 (ko) * 2005-11-07 2009-03-27 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
US20070110140A1 (en) * 2005-11-14 2007-05-17 Ipwireless, Inc. Automatic selection of coherent and noncoherent transmission in a wireless communication system
WO2007083918A1 (en) 2006-01-18 2007-07-26 Lg Chem. Ltd. Oled having stacked organic light-emitting units
EP2025015A2 (en) 2006-06-02 2009-02-18 Innovalight, Inc. Photoactive materials containing group iv nanostructures and optoelectronic devices made therefrom
CN101563388B (zh) 2006-07-21 2013-05-15 普莱克斯托尼克斯公司 导电聚合物的磺化和oled器件、光电器件以及esd器件
US8008424B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with thiazole-containing polymer
US8008421B2 (en) 2006-10-11 2011-08-30 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with silole-containing polymer
AT504568B1 (de) * 2006-12-05 2010-03-15 Nanoident Technologies Ag Schichtaufbau
GB0718010D0 (en) * 2007-09-14 2007-10-24 Molecular Vision Ltd Photovoltaic device
KR20160010646A (ko) * 2007-12-20 2016-01-27 시마 나노 테크 이스라엘 리미티드 충전제 재료를 포함하는 투명한 전도성 코팅
WO2009137141A2 (en) * 2008-02-21 2009-11-12 Konarka Technologies, Inc. Tandem photovoltaic cells
ATE540069T1 (de) 2008-02-29 2012-01-15 Plextronics Inc Planierungsmittel und vorrichtungen
KR101710213B1 (ko) 2008-03-06 2017-02-24 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 변형된 평탄화제 및 장치
US8865025B2 (en) * 2008-04-11 2014-10-21 Solvay Usa, Inc. Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices
JP5340656B2 (ja) 2008-07-02 2013-11-13 シャープ株式会社 太陽電池アレイ
US8455606B2 (en) 2008-08-07 2013-06-04 Merck Patent Gmbh Photoactive polymers
KR101777551B1 (ko) 2008-10-27 2017-09-11 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 전하 주입 및 수송 층
US8828274B2 (en) * 2008-10-27 2014-09-09 Solvay Usa, Inc. Polyarylamine ketones
JP5774996B2 (ja) * 2008-11-18 2015-09-09 ソルベイ ユーエスエイ インコーポレイテッド アミノベンゼン組成物ならびに関連する素子および方法
EP2404333A2 (en) * 2009-03-05 2012-01-11 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell having multiple electron donors
WO2010118370A1 (en) 2009-04-10 2010-10-14 Plextronics, Inc. Dehalogenation
KR20100130514A (ko) * 2009-06-03 2010-12-13 삼성전자주식회사 유기 태양 전지 및 그 제조방법
KR101797783B1 (ko) 2009-09-29 2017-11-14 솔베이 유에스에이 인크. 유기 전자 소자, 조성물 및 방법
CN102884102A (zh) 2010-05-11 2013-01-16 普莱克斯托尼克斯公司 掺杂的共轭聚合物和装置
US9006567B2 (en) 2011-03-03 2015-04-14 Phillips 66 Company Donor-acceptor DYAD compounds in photovoltaics
CN103781845B (zh) 2011-07-05 2016-07-13 索尔维美国有限公司 垂直相分离半导体有机材料层
JP6269489B2 (ja) 2011-10-04 2018-01-31 日産化学工業株式会社 正孔注入層および輸送層のための改善されたドーピング法
WO2014039687A1 (en) 2012-09-06 2014-03-13 Plextronics, Inc. Electroluminescent devices comprising insulator-free metal grids
US8975134B2 (en) * 2012-12-27 2015-03-10 Intermolecular, Inc. Fullerene-based capacitor electrode
WO2016100313A1 (en) 2014-12-15 2016-06-23 Solvay Usa, Inc. Compositions containing hole carrier materials and fluoropolymers, and uses thereof
CN107646147B (zh) 2015-03-03 2021-02-02 日产化学工业株式会社 包含空穴载体化合物和聚合酸的组合物及其用途
CN107532022B (zh) 2015-04-22 2021-06-15 日产化学工业株式会社 适用于有机电子器件的非水性组合物
JP6551597B2 (ja) 2015-07-17 2019-07-31 日産化学株式会社 有機電子デバイスに使用するのに適した金属ナノ粒子を含有する非水性インク組成物
US9905769B2 (en) 2015-10-01 2018-02-27 Phillips 66 Company Process of manufacturing an electron transport material
US10312448B2 (en) 2015-10-01 2019-06-04 Phillips 66 Company Process of manufacturing an electron transport material
US10418555B2 (en) 2015-10-01 2019-09-17 Phillips 66 Company Formation of films for organic photovoltaics
US9911919B2 (en) 2015-10-01 2018-03-06 Phillips 66 Company Process of manufacturing an electron transport material
WO2017058406A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Phillips 66 Company Formation of films for organic photovoltaics
CN108463517B (zh) 2016-01-20 2021-09-28 日产化学工业株式会社 包含过渡金属络合物的非水性油墨组合物及其在有机电子学中的用途
US10782014B2 (en) 2016-11-11 2020-09-22 Habib Technologies LLC Plasmonic energy conversion device for vapor generation
KR102564836B1 (ko) 2017-01-18 2023-08-09 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 잉크 조성물
CN110235264B (zh) 2017-01-18 2022-08-23 日产化学株式会社 含有磺化共轭聚合物的墨液组合物
KR102677529B1 (ko) 2017-06-20 2024-06-24 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 비수계 잉크 조성물
TWI829765B (zh) 2018-09-25 2024-01-21 日商日產化學股份有限公司 塗料組成物
CN114689097B (zh) * 2020-06-18 2023-11-24 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 一种超声旋转编码器的传感部件
CN115045600A (zh) * 2022-08-15 2022-09-13 湖南大学 能量自治窗户的控制方法、装置及系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0378978A (ja) * 1989-08-23 1991-04-04 Agency Of Ind Science & Technol 光電気化学電池の製造方法
JPH0622793A (ja) * 1990-07-19 1994-02-01 Miles Inc 導電センサーおよびそれらの診断用検定への使用
JPH08222281A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Mitsubishi Chem Corp フラーレン類を含有する光化学電池、光電変換素子並びに光化学電池用電極の製造方法
US5670791A (en) * 1994-11-23 1997-09-23 U.S. Philips Corporation Photoresponsive device with a photoresponsive zone comprising a polymer blend
WO1998020565A1 (en) * 1996-11-07 1998-05-14 University Of Durham Polymer light emitting diode
WO1999049525A1 (en) * 1998-03-20 1999-09-30 Cambridge Display Technology Limited Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
WO2000011725A1 (en) * 1998-08-19 2000-03-02 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60149177A (ja) * 1984-01-13 1985-08-06 Mitsubishi Electric Corp 光電変換素子の製造方法
US5185208A (en) * 1987-03-06 1993-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional devices comprising a charge transfer complex layer
US5009958A (en) * 1987-03-06 1991-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Functional devices comprising a charge transfer complex layer
US5006915A (en) * 1989-02-14 1991-04-09 Ricoh Company, Ltd. Electric device and photoelectric conversion device comprising the same
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5171373A (en) * 1991-07-30 1992-12-15 At&T Bell Laboratories Devices involving the photo behavior of fullerenes
US5178980A (en) * 1991-09-03 1993-01-12 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with a fullerene compound
DE4133621A1 (de) * 1991-10-10 1993-04-22 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Nanoskalige teilchen enthaltende kompositmaterialien, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung fuer optische elemente
US5221854A (en) 1991-11-18 1993-06-22 United Solar Systems Corporation Protective layer for the back reflector of a photovoltaic device
JPH05308146A (ja) * 1992-05-01 1993-11-19 Ricoh Co Ltd 有機光起電力素子
US5331183A (en) * 1992-08-17 1994-07-19 The Regents Of The University Of California Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells
US5759725A (en) 1994-12-01 1998-06-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Photoconductors and electrophotographic photoreceptors containing amorphous fullerenes
GB2296815B (en) * 1994-12-09 1999-03-17 Cambridge Display Tech Ltd Photoresponsive materials
US5677572A (en) * 1996-07-29 1997-10-14 Eastman Kodak Company Bilayer electrode on a n-type semiconductor
US5986206A (en) * 1997-12-10 1999-11-16 Nanogram Corporation Solar cell
US6198092B1 (en) 1998-08-19 2001-03-06 The Trustees Of Princeton University Stacked organic photosensitive optoelectronic devices with an electrically parallel configuration
WO2000022682A2 (en) * 1998-10-09 2000-04-20 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Solid-state photoelectric device
US6291763B1 (en) 1999-04-06 2001-09-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photoelectric conversion device and photo cell
DE10003588C2 (de) * 2000-01-25 2002-10-02 Sl Microtest Wissenschaftliche Verfahren zum Isolieren eines Teils einer Schicht biologischen Materials
AT411306B (de) 2000-04-27 2003-11-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Photovoltaische zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei molekularen organischen komponenten
AT410859B (de) 2000-04-27 2003-08-25 Qsel Quantum Solar Energy Linz Verfahren zum herstellen einer photovoltaischen zelle mit einer photoaktiven schicht aus zwei organischen komponenten
EP1160888A1 (en) * 2000-05-29 2001-12-05 Sony International (Europe) GmbH Hole transporting agents and photoelectric conversion device comprising the same
EP1209708B1 (en) * 2000-11-24 2007-01-17 Sony Deutschland GmbH Hybrid solar cells with thermal deposited semiconductive oxide layer
US6580027B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-17 Trustees Of Princeton University Solar cells using fullerenes
DE60132450T2 (de) 2001-09-04 2008-04-17 Sony Deutschland Gmbh Solarzelle und Herstellungsmethode
EP1289030A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-05 Sony International (Europe) GmbH Doping of a hole transporting material

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0378978A (ja) * 1989-08-23 1991-04-04 Agency Of Ind Science & Technol 光電気化学電池の製造方法
JPH0622793A (ja) * 1990-07-19 1994-02-01 Miles Inc 導電センサーおよびそれらの診断用検定への使用
US5670791A (en) * 1994-11-23 1997-09-23 U.S. Philips Corporation Photoresponsive device with a photoresponsive zone comprising a polymer blend
JPH08222281A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Mitsubishi Chem Corp フラーレン類を含有する光化学電池、光電変換素子並びに光化学電池用電極の製造方法
WO1998020565A1 (en) * 1996-11-07 1998-05-14 University Of Durham Polymer light emitting diode
WO1999049525A1 (en) * 1998-03-20 1999-09-30 Cambridge Display Technology Limited Multilayer photovoltaic or photoconductive devices
WO2000011725A1 (en) * 1998-08-19 2000-03-02 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive optoelectronic device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007533814A (ja) * 2004-04-21 2007-11-22 コミツサリア タ レネルジー アトミーク モノマー、オリゴマー、およびπ共役ポリマー化合物、ならびに、これを含有している光電池
JP2008538223A (ja) * 2005-03-16 2008-10-16 プレックストロニクス インコーポレーティッド 改善された電子性能を有する可溶性ポリ（チオフェン）のコポリマー
JP2006278585A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池素子

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