JP2003223001A - ポジ型レジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光
を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の
性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト
組成物を提供することにあり、より具体的には、孤立ラ
インパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れ
た遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供す
ることにある。 【解決手段】 （Ａ）脂環基を有する特定の繰り返し単
位を２種含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対
する溶解速度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又
は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポ
ジ型レジスト組成物。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は遠紫外線に感応する
半導体素子等の微細加工用ポジ型フォトレジスト組成物
に関するものであり、更に詳しくは、遠紫外線露光用ポ
ジ型フォトレジスト組成物に関する。 【０００２】 【従来の技術】近年、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超ＬＳＩ等の半導体基板の製造に於いてはハー
フミクロン以下の線幅から成る超微細パターンの加工が
必要とされるようになってきた。その必要性を満たすた
めにフォトリソグラフィーに用いられる露光装置の使用
波長は益々短波化し、今では、遠紫外線の中でも短波長
のエキシマレーザー光（ＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦ等）
を用いることが検討されるまでになってきている。この
波長領域におけるリソグラフィーのパターン形成に用い
られるものとして、化学増幅系レジストがある。 【０００３】一般に化学増幅系レジストは、通称２成分
系、２．５成分系、３成分系の３種類に大別することが
できる。２成分系は、光分解により酸を発生する化合物
（以後、光酸発生剤という）とバインダー樹脂とを組み
合わせている。該バインダー樹脂は、酸の作用により分
解して、樹脂のアルカリ現像液中での溶解性を増加させ
る基（酸分解性基ともいう）を分子内に有する樹脂であ
る。２．５成分系はこうした２成分系に更に酸分解性基
を有する低分子化合物を含有する。３成分系は光酸発生
剤とアルカリ可溶性樹脂と上記低分子化合物を含有する
ものである。 【０００４】上記化学増幅系レジストは紫外線や遠紫外
線照射用のフォトレジストに適しているが、その中でさ
らに使用上の要求特性に対応する必要がある。例えば、
ＫｒＦエキシマレーザーの２４８ｎｍの光を用いる場合
に特に光吸収の少ないヒドロキシスチレン系のポリマ−
に保護基としてアセタ−ル基やケタ−ル基を導入したポ
リマ−を用いたレジスト組成物が提案されている。特開
平２−１４１６３６号、特開平２−１９８４７号、特開
平４−２１９７５７号、特開平５−２８１７４５号各公
報等がその例である。そのほかｔ−ブトキシカルボニル
オキシ基やｐ−テトラヒドロピラニルオキシ基を酸分解
基とする同様の組成物が特開平２−２０９９７７号、特
開平３−２０６４５８号、特開平２−１９８４７号各公
報等に提案されている。これらは、ＫｒＦエキシマレー
ザーの２４８ｎｍの光を用いる場合には適していても、
ＡｒＦエキシマレーザーを光源に用いるときは、本質的
になお吸光度が大き過ぎるために感度が低い。さらにそ
れに付随するその他の欠点、例えば解像性の劣化、フォ
−カス許容度の劣化、パターンプロファイルの劣化等の
問題があり、なお改善を要する点が多い。 【０００５】ＡｒＦ光源用のフォトレジスト組成物とし
ては、ドライエッチング耐性付与の目的で脂環式炭化水
素部位が導入された樹脂が提案されている。そのような
樹脂としては、アクリル酸やメタクリル酸というカルボ
ン酸部位を有する単量体や水酸基やシアノ基を分子内に
有する単量体を脂環式炭化水素基を有する単量体と共重
合させた樹脂が挙げられる。 【０００６】一方、前記アクリレート系単量体の側鎖に
脂環式炭化水素部位を導入する方法以外にポリマー主鎖
として脂環式炭化水素部位を活用したドライエッチング
耐性付与する方法も検討されている。 【０００７】また、特開平９−７３１７３号、特開平９
−９０６３７号、特開平１０−１６１３１３号各公報に
は、脂環式基を含む構造で保護されたアルカリ可溶性基
と、そのアルカリ可溶性基が酸により脱離して、アルカ
リ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物を
用いたレジスト材料が記載されている。特開平１１−１
０９６３２号公報には、極性基含有脂環式官能基と酸分
解性基を含有する樹脂を放射線感光材料に用いることが
記載されている。 【０００８】特開平７−２３４５１１号は、透明性、エ
ッチィング耐性、高感度、密着性に優れたレジスト組成
物として、脂環基を有する繰り返し単位と酸分解性基を
有する繰り返し単位を含有する樹脂を含有する組成物を
記載している。特開平７−１９９４６７号は、感度、解
像度及びドライエッチィング耐性を改良すべく、脂環基
を有する繰り返し単位、酸により極性変換を起こす基及
びカルボン酸基を有する（メタ）アクリレートの共重合
体を含有するレジスト組成物を記載している。 【０００９】以上のように、遠紫外線露光用フォトレジ
ストに用いられる、酸分解性基を含有する樹脂は、分子
内に同時に脂肪族の環状炭化水素基を含有することが一
般的である。上記の技術では未だ不十分な点が多く、改
善が望まれている。最近のデバイスの傾向として様々な
パターンが含まれるため、レジストには種々の性能が求
められており、その一つに孤立ラインパターンのデフォ
ーカスラチチュードが広いことがある。デバイスには孤
立ラインが存在する。このため、孤立ラインを高い再現
性をもって解像することは重要である。しかし、孤立ラ
インを再現させることは、光学的な要因により必ずしも
容易ではなく、レジストによるその解決方法は明確では
ないのが現状である。特に、前述の脂環基を含有するレ
ジスト系においては、孤立パターンのデフォーカスラチ
チュードが狭く、改善が望まれている。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用
する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向
上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物
を提供することにあり、具体的には、孤立ラインパター
ンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線
露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあ
る。 【００１１】 【課題を解決するための手段】本発明者等は、ポジ型化
学増幅系レジスト組成物の構成材料を鋭意検討した結
果、下記の構成によって、本発明の目的が達成されるこ
とを見出し、本発明に至った。 【００１２】(１）（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される
繰り返し単位（Ａ１）及び側鎖に−ＣＯＯＲ（Ｒは、脂
環基を有する炭化水素基であり、但し−ＣＯＯ基と結合
する炭素原子が３級炭素原子であるとき、脂環基を有す
る非酸分解性の炭化水素基を表す）を有する繰り返し単
位（Ａ２）を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液
に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光
線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有す
るポジ型レジスト組成物。 【００１３】 【化３】 【００１４】一般式（Ｉ）において、Ｒ₁は水素原子又
はメチル基を表し、Ａは単結合又は連結基を表し、ＡＬ
Ｇは下記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐＶ）のいずれかを
表す。 【００１５】 【化４】【００１６】式中、Ｒ₁₁は、メチル基、エチル基、ｎ−
プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチ
ル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とと
もに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表
す。Ｒ₁₂〜Ｒ₁₆は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直
鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表
す。但し、Ｒ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なくとも１つ、及び
Ｒ₁₅、Ｒ₁₆のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。Ｒ₁₇
〜Ｒ₂₁は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、
直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を
表し、但し、Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式
炭化水素基を表す。また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₁のいずれかは炭素
数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環
式炭化水素基を表す。Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各々独立に、炭素
数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環
式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくと
も１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ₂₃とＲ
₂₄は、互いに結合して環を形成していてもよい。 【００１７】更に好ましい態様として以下の構成を挙げ
ることができる。 （２）上記樹脂（Ａ）が更に下記一般式（ＩＩＩ）で表
される繰り返し単位を含有することを特徴とする上記
（１）に記載の組成物。 【００１８】 【化５】 【００１９】一般式（III）において、Ｒ₃は水素原子又
はメチル基を表す。Ａ₃は単結合又は２価の連結基を表
す。Ｚ₃はｐ＋１価の脂環式炭化水素基を表す。ｐは１
〜３の整数を表す。 【００２０】（３）一般式(III)で表される繰り返し単
位が下記一般式(IIIa)で表される繰り返し単位であるこ
とを特徴とする上記（２）に記載のポジ型レジスト組成
物。 【００２１】 【化６】 【００２２】一般式（IIIa）中、Ｒ₃₀は、水素原子又は
メチル基を表す。Ｒ₃₁〜Ｒ₃₃は、各々独立に、水素原
子、水酸基又はアルキル基を表し、但し少なくとも一つ
は水酸基を表す。 【００２３】（４） 一般式(IIIa)で表される繰り返し
単位において、Ｒ₃₁〜Ｒ₃₃のうちの二つが水酸基である
ことを特徴とする上記（３）に記載のポジ型レジスト組
成物。 （５） 樹脂（Ａ)が、更に、シクロヘキサンラクト
ン、ノルボルナンラクトン、又はアダマンタンラクトン
を有する繰り返し単位を含有することを特徴とする前記
（１）〜（４）に記載のポジ型レジスト組成物。 【００２４】（６） 一般式(Ｉ)において、Ａが単結合
であり、ＡＬＧが下記で表される基であることを特徴と
する上記（１）〜（５）のいずれかに記載のポジ型レジ
スト組成物。 【００２５】 【化７】 【００２６】Ｒ₂₆及びＲ₂₇は、各々独立に、炭素数１〜
４個の直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。 【００２７】 【発明の実施の形態】以下、本発明に使用する成分につ
いて詳細に説明する。 〔１〕（Ａ）酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶
解速度が増加する樹脂（「酸分解性樹脂」ともいう）。 【００２８】本発明における（Ａ）樹脂としては、上記
した一般式（Ｉ）で表される酸分解性基含有繰り返し単
位（Ａ１）を含有することを要件とする。一般式（Ｉ）
において、Ｒは水素原子又はメチル基を表し、Ａは単結
合又は連結基を表し、ＡＬＧは上記一般式（ｐＩ）〜一
般式（ｐＶ）で示される脂環式炭化水素を含む基であ
る。 【００２９】Ａの連結基は、アルキレン基、置換アルキ
レン基、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、
エステル基、アミド基、スルフォンアミド基、ウレタン
基、又はウレア基よりなる群から選択される単独あるい
は２つ以上の基の組み合わせを表す。上記Ａにおけるア
ルキレン基としては、下記式で表される基を挙げること
ができる。 −〔Ｃ（Ｒ_b )(Ｒ_c ）〕_r − 式中、Ｒ_b 、Ｒ_c は、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基（好ましくは炭素
数１〜４）を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４個のものを挙げることができる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。ｒは１〜１０の
整数を表す。 【００３０】一般式（ｐＩ）〜（ｐＶ）において、Ｒ₁₂
〜Ｒ₂₅におけるアルキル基としては、置換もしくは非置
換のいずれであってもよい、１〜４個の炭素原子を有す
る直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキル
基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ
ｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。また、
上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数１〜４
個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原
子、臭素原子、ヨウ素原子）、アシル基、アシロキシ
基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカル
ボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。 【００３１】Ｒ₁₁〜Ｒ₂₅における脂環式炭化水素基ある
いはＺと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基として
は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数
５以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシ
クロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素
数は６〜３０個が好ましく、特に炭素数７〜２５個が好
ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有してい
てもよい。以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部
分の構造例を示す。 【００３２】 【化８】【００３３】 【化９】【００３４】 【化１０】 【００３５】本発明においては、上記脂環式部分の好ま
しいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル
基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシク
ロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、
シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることが
できる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残
基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカ
ニル基、シクロドデカニル基、トリシクロデカニル基で
ある。 【００３６】これらの脂環式炭化水素基の置換基として
は、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低
級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選
択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個
のものを挙げることができる。 【００３７】尚、走査型電子顕微鏡で観察時のパターン
サイズの変動が少ない点（ＳＥＭ耐性）から、一般式
(Ｉ)において、Ａが単結合であり、ＡＬＧが下記で表さ
れる基である繰り返し単位が特に好ましい。 【００３８】 【化１１】 【００３９】Ｒ₂₆及びＲ₂₇は、各々独立に、炭素数１〜
４個の直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。 【００４０】以下、一般式（Ｉ）で示される繰り返し単
位に相当するモノマーの具体例を示す。 【００４１】 【化１２】【００４２】 【化１３】 【００４３】 【化１４】【００４４】 【化１５】 【００４５】 【化１６】【００４６】 【化１７】 【００４７】次に、−ＣＯＯＲを有する繰り返し単位
（Ａ２）について説明する。Ｒは、脂環基を有する炭化
水素基であり、但し−ＣＯＯ基と結合する炭素原子が３
級炭素原子であるとき、非酸分解性の、脂環基を有する
炭化水素基を表す。ここで脂環基としては、単環式で
も、多環式でもよい。具体的には、炭素数５以上のモノ
シクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシクロ構造等を
有する基を挙げることができる。その炭素数は５〜３０
個が好ましく、更に炭素数６〜２５個、特に６〜１５個
が好ましい。脂環基の具体例については、一般式（Ｉ）
のＡＬＧの定義におけるＲ₁₁〜Ｒ₂₅としての脂環式炭化
水素基あるいはＺと炭素原子が形成する脂環式炭化水素
基について挙げたものと同様のものを挙げることができ
る。但し、Ｒにおける脂環基はアルキル基以外の置換基
を有するものではない。脂環を構成する炭素原子が−Ｃ
ＯＯ−における酸素原子と連結基を介して結合してもよ
いが、直接結合していることが好ましい。連結基として
は、前述の式（Ｉ）におけるＡと同様に定義されるアル
キレン基、エーテル基、カルボニル基、エステル基また
はこれらの組み合わせを挙げることができる。Ｒにおい
て−ＣＯＯ基と結合する炭素原子が３級炭素原子であ
り、Ｒが非酸分解性の、脂環基を有する炭化水素基であ
る場合としては、例えば、その３級炭素原子が脂環を構
成する炭素原子であり、その３級炭素原子の３つのすべ
ての結合が脂環を構成する他の原子に結合している場合
（例えば、アダマンチル基を構成している場合）を挙げ
ることができる。 【００４８】繰り返し単位（Ａ２）としては、例えば、
下記の一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を挙げる
ことができる。 【００４９】 【化１８】 【００５０】Ｒ₁及びＡは、式（Ｉ）におけるものと同
義である。尚、Ａは、単結合が好ましい。 【００５１】繰り返し単位（Ａ２）の具体例を以下に示
すが、これらに限定するものではない。 【００５２】 【化１９】 【００５３】上記樹脂は、更に一般式(III)で表される
繰り返し単位を含有することが現像性を改良する点で好
ましい。 【００５４】 【化２０】 【００５５】一般式（III）において、Ｒ₃は水素原子又
はメチル基を表す。Ａ₃は単結合又は２価の連結基を表
す。Ｚ₃はｐ＋１価の脂環式炭化水素基を表す。ｐは１
〜３の整数を表す。即ち、−Ｚ₃−（ＯＨ)ｐは、脂環式
炭化水素基に水酸基がｐ個置換した基を表す。 【００５６】Ａ₃の２価の連結基としては、一般式
（Ｉ）におけるＡと同様のものを挙げることができ、好
ましい基についても同様である。Ｚ₃の脂環式炭化水素
基としては、一般式（I)におけるＲ₁₁〜Ｒ₂₅としての脂
環式炭化水素基を挙げることができ、好ましい基につい
ても同様である。ｐ個の水酸基は、Ｚ₃の脂環式炭化水
素基自体、及び、脂環式炭化水素が有する置換基部分の
いずれで置換していてもよい。 【００５７】尚、アンダー露光によるラインパターン形
成の際、広い露光マージンが得られる点で、一般式(II
I)で表される繰り返し単位として、下記一般式(IIIa)で
表される繰り返し単位が好ましい。 【００５８】 【化２１】 【００５９】一般式（IIIa）中、Ｒ₃₀は、水素原子又は
メチル基を表す。Ｒ₃₁〜Ｒ₃₃は、各々独立に、水素原
子、水酸基又はアルキル基を表し、但し少なくとも一つ
は水酸基を表す。 【００６０】また、アンダー露光によるホールパターン
形成の際、広い露光マージンが得られる点で、一般式(I
IIa)で表される繰り返し単位において、Ｒ₃₁〜Ｒ₃₃のう
ちの二つが水酸基であることが更に好ましい。 【００６１】以下に一般式（III）で表される繰り返し
単位の具体例を挙げるが、これらに限定するものではな
い。 【００６２】 【化２２】 【００６３】 【化２３】【００６４】 【化２４】 【００６５】また、本発明の組成物に添加される樹脂
は、エッチング時のホール変形を抑制する点で、脂環ラ
クトン構造を有する繰り返し単位を含有することが好ま
しい。脂環ラクトン構造を有する繰り返し単位として
は、例えば、シクロヘキサンラクトン、ノルボルナンラ
クトン、又はアダマンタンラクトンを有する繰り返し単
位を挙げることができる。 【００６６】例えば、シクロヘキサンラクトンを有する
繰り返し単位としては、下記一般式（Ｖ−１）及び（Ｖ
−２）で表される基を有する繰り返し単位、ノルボルナ
ンラクトンを有する繰り返し単位としては下記一般式
（Ｖ−３）及び（Ｖ−４）で表される基を有する繰り返
し単位、アダマンタンラクトンを有する繰り返し単位と
しては、下記一般式（ＶＩ）で表される基を有する繰り
返し単位を挙げることができる。 【００６７】 【化２５】 【００６８】一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、
Ｒ_1b〜Ｒ_5bは、各々独立に水素原子、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニ
ル基を表す。Ｒ_1b〜Ｒ_5bの内の２つは、結合して環を形
成してもよい。 【００６９】一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）において、
Ｒ_1b〜Ｒ_5bにおけるアルキル基としては、直鎖状、分岐
状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよ
い。直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数１〜
１２個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、
より好ましくは炭素数１〜１０個の直鎖状あるいは分岐
状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソ
ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基である。 【００７０】Ｒ_1b〜Ｒ_5bにおけるシクロアルキル基とし
ては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の炭
素数３〜８個のものが好ましい。Ｒ_1b〜Ｒ_5bにおけるア
ルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニ
ル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜６個のものが好まし
い。また、Ｒ_1b〜Ｒ_5bの内の２つが結合して形成する環
としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロ
ペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環等の
３〜８員環が挙げられる。なお、一般式（Ｖ−１）〜
（Ｖ−４）におけるＲ_1b〜Ｒ_5bは、環状骨格を構成して
いる炭素原子のいずれに連結していてもよい。 【００７１】また、上記アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基が有してもよい好ましい置換基として
は、炭素数１〜４個のアルコキシ基、ハロゲン原子（フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、炭素数
２〜５のアシル基、炭素数２〜５のアシロキシ基、シア
ノ基、水酸基、カルボキシ基、炭素数２〜５のアルコキ
シカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。 【００７２】一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）で表される
基を有する繰り返し単位としては、下記一般式（ＡＩ）
で表される繰り返し単位等を挙げることができる。 【００７３】 【化２６】 【００７４】一般式（ＡＩ）中、Ｒ_b0は、水素原子、ハ
ロゲン原子、又は炭素数１〜４の置換もしくは非置換の
アルキル基を表す。Ｒ_b0のアルキル基が有していてもよ
い好ましい置換基としては、前記一般式（Ｖ−１）〜
（Ｖ−４）におけるＲ_1bとしてのアルキル基が有してい
てもよい好ましい置換基として先に例示したものが挙げ
られる。Ｒ_b0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Ｒ
_b0は水素原子が好ましい。Ａ’は、単結合、エーテル
基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこ
れらを組み合わせた２価の基を表す。Ｂ₂は、一般式
（Ｖ−１）〜（Ｖ−４）のうちのいずれかで示される基
を表す。Ａ’において、該組み合わせた２価の基として
は、例えば下記式のものが挙げられる。 【００７５】 【化２７】 【００７６】上記式において、Ｒ_ab、Ｒ_bbは、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていて
もよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキ
ル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数
１〜４のアルコキシ基を挙げることができる。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のものを挙げること
ができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。ｒ
１は１〜１０の整数、好ましくは１〜４の整数を表す。
ｍは１〜３の整数、好ましくは１又は２を表す。 【００７７】以下に、一般式（ＡＩ）で表される繰り返
し単位の具体例を挙げるが、本発明の内容がこれらに限
定されるものではない。 【００７８】 【化２８】【００７９】 【化２９】【００８０】 【化３０】【００８１】 【化３１】【００８２】 【化３２】【００８３】 【化３３】【００８４】 【化３４】【００８５】アダマンタンラクトンを有する繰り返し単
位としては、下記一般式（ＶＩ）で表される繰り返し単
位を挙げることができる。 【００８６】 【化３５】 【００８７】一般式（ＶＩ）において、Ａ₆は単結合、
アルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオ
エーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から
選択される単独あるいは２つ以上の基の組み合わせを表
す。Ｒ_6aは水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、シア
ノ基、又はハロゲン原子を表す。 【００８８】一般式（ＶＩ）において、Ａ₆のアルキレ
ン基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔Ｃ（Ｒｎｆ)(Ｒｎｇ）〕ｒ− 上記式中、Ｒｎｆ、Ｒｎｇは、水素原子、アルキル基、
置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基
を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げるこ
とができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４の
ものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩
素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げるこ
とができる。ｒは１〜１０の整数である。 【００８９】一般式（ＶＩ）において、Ａ₆のシクロア
ルキレン基としては、炭素数３から１０個のものが挙げ
られ、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シク
ロオクチレン基等を挙げることができる。 【００９０】Ｚ₆を含む有橋式脂環式環は、置換基を有
していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数１〜４)、アルコキ
シカルボニル基（好ましくは炭素数１〜５）、アシル基
（例えば、ホルミル基、ベンゾイル基）、アシロキシ基
（例えば、プロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４）、カ
ルボキシル基、水酸基、アルキルスルホニルスルファモ
イル基（−ＣＯＮＨＳＯ₂ＣＨ₃等）が挙げられる。尚、
置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）等で置換
されていてもよい。 【００９１】一般式（ＶＩ）において、Ａ₆に結合して
いるエステル基の酸素原子は、Ｚ₆を含む有橋式脂環式
環構造を構成する炭素原子のいずれの位置で結合しても
よい。 【００９２】以下に、一般式（ＶＩ）で表される繰り返
し単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるもので
はない。 【００９３】 【化３６】 【００９４】 【化３７】【００９５】本発明の酸分解性樹脂は、更に下記一般式
（ＩＶ）で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位
を含有することができる。 【００９６】 【化３８】 【００９７】一般式（ＩＶ）中、Ｒ_1aは、水素原子又は
メチル基を表す。Ｗ₁は、単結合、アルキレン基、エー
テル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基よ
りなる群から選択される単独あるいは２つ以上の基の組
み合わせを表す。Ｒ_a1，Ｒ_b1，Ｒ_c1，Ｒ_d1，Ｒ_e1は各々
独立に、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表
す。ｍ，ｎは各々独立に０〜３の整数を表し、ｍ＋ｎ
は、２以上６以下である。 【００９８】Ｒ_a1〜Ｒ_e1の炭素数１〜４のアルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル
基、ｔ−ブチル基等を挙げることができる。 【００９９】一般式（ＩＶ）において、Ｗ₁のアルキレ
ン基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔Ｃ（Ｒｆ)(Ｒｇ）〕ｒ₁− 上記式中、Ｒｆ、Ｒｇは、水素原子、アルキル基、置換
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表
し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基から選択される。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。ｒ₁は１〜１０の整数である。 【０１００】上記アルキル基における更なる置換基とし
ては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、ア
ルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、ア
ルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。ここで
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を
挙げることができる。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。置換アルコキシ基の置換基としては、アルコ
キシ基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数１〜４のものを挙げることができる。アシ
ルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。 【０１０１】以下、一般式（ＩＶ）で示される繰り返し
単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これらに限
定されるものではない。 【０１０２】 【化３９】 【０１０３】 【化４０】【０１０４】 【化４１】【０１０５】上記一般式（ＩＶ）の具体例において、露
光マージンがより良好になるという点から（ＩＶ−１
７）〜（ＩＶ−３６）が好ましい。 【０１０６】（Ａ）成分である酸分解性樹脂は、上記の
繰り返し単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像
液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらにレ
ジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感
度等を調節する目的で様々な繰り返し単位を含有するこ
とができる。 【０１０７】このような繰り返し単位としては、下記の
単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることができ
るが、これらに限定されるものではない。これにより、
酸分解性樹脂に要求される性能、特に、（１）塗布溶剤
に対する溶解性、（２）製膜性（ガラス転移点）、
（３）アルカリ現像性、（４）膜べり（親疎水性、アル
カリ可溶性基選択）、（５）未露光部の基板への密着
性、（６）ドライエッチング耐性、等の微調整が可能と
なる。このような単量体として、例えばアクリル酸エス
テル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、
メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル
類、ビニルエステル類、等から選ばれる付加重合性不飽
和結合を１個有する化合物等を挙げることができる。 【０１０８】具体的には、以下の単量体を挙げることが
できる。 アクリル酸エステル類（好ましくはアルキル基の炭素数
が１〜１０のアルキルアクリレート）：アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル
酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸エチ
ルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−ｔ−オ
クチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒドロキシエ
チルアクリレート、２，２−ジメチルヒドロキシプロピ
ルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリレー
ト、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタ
エリスリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリ
レート、テトラヒドロフルフリルアクリレート等。 【０１０９】メタクリル酸エステル類（好ましくはアル
キル基の炭素数が１〜１０のアルキルメタアクリレー
ト）：メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、
プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレー
ト、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、
シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリ
レート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒ
ドロキシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチ
ルメタクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノ
メタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレ
ート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフ
リルメタクリレート等。 【０１１０】アクリルアミド類：アクリルアミド、Ｎ−
アルキルアクリルアミド（アルキル基としては炭素数１
〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基等があ
る。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アルキル
基としては炭素数１〜１０のもの、例えばメチル基、エ
チル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、
シクロヘキシル基等がある）、Ｎ−ヒドロキシエチル−
Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチ
ル−Ｎ−アセチルアクリルアミド等。 【０１１１】メタクリルアミド類：メタクリルアミド、
Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基としては炭
素数１〜１０のもの、例えばメチル基、エチル基、ｔ−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基等がある）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタク
リルアミド（アルキル基としてはエチル基、プロピル
基、ブチル基等がある）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−
メチルメタクリルアミド等。 【０１１２】アリル化合物：アリルエステル類（例えば
酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラ
ウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸ア
リル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル
等）、アリルオキシエタノール等。 【０１１３】ビニルエーテル類：アルキルビニルエーテ
ル（例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエ
ーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニル
エーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエ
チルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１
−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、
２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビ
ニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、
ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノ
エチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエー
テル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリ
ルビニルエーテル等。 【０１１４】ビニルエステル類：ビニルブチレート、ビ
ニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビ
ニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプ
ロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルア
セテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシ
アセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテー
ト、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘ
キシルカルボキシレート等。イタコン酸ジアルキル類；
イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸
ジブチル等。フマール酸のジアルキルエステル類又はモ
ノアルキルエステル類；ジブチルフマレート等。 【０１１５】その他クロトン酸、イタコン酸、無水マレ
イン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、マレイロニトリル等。 【０１１６】その他にも、上記種々の繰り返し単位に相
当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化
合物であれば、共重合されていてもよい。 【０１１７】酸分解性樹脂において、各繰り返し単位の
含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現
像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さらに
はレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、
感度等を調節するために適宜設定される。 【０１１８】本発明の酸分解性樹脂（Ａ）中、一般式
（Ｉ）で表される繰り返し単位（Ａ１）の含有率は、全
繰り返し単位中、１５〜５０モル％が好ましく、より好
ましくは１８〜４６モル％、更に好ましくは２０〜４２
モル％である。−ＣＯＯＲで表される基を有する繰り返
し単位（Ａ２）の含有率は、全繰り返し単位中、５〜３
０モル％が好ましく、より好ましくは８〜２６モル％、
更に好ましくは１０〜２２モル％である。一般式（II
I）で表される繰り返し単位の含有率は、全繰り返し単
位中、５〜５０モル％が好ましく、より好ましくは１０
〜４５モル％、更に好ましくは１５〜４０モル％であ
る。脂環ラクトン構造を有する繰り返し単位の含有量
は、全繰り返し単位中５〜６０モル％が好ましく、より
好ましくは１０〜５５モル％、更に好ましくは１５〜５
０モル％である。一般式（ＩＶ）で表される側鎖にラク
トン構造を有する繰り返し単位の含有量は、全繰り返し
単位中５〜６０モル％が好ましく、より好ましくは１０
〜５０モル％、更に好ましくは１５〜４５モル％であ
る。本発明の組成物がＡｒＦ露光用であるとき、ＡｒＦ
光への透明性の点から、酸分解性樹脂は芳香族基を有し
ないことが好ましい。 【０１１９】本発明に用いる酸分解性樹脂は、常法に従
って（例えばラジカル重合）合成することができる。例
えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括で
あるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応
じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、１，４−ジオ
キサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケ
トン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後
述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トのような、各種モノマーを溶解させ得る溶媒に溶解さ
せ均一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気
下で必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤（アゾ系開
始剤、パーオキサイドなど）を用いて重合を開始させ
る。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、
反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の
方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は２０重
量％以上であり、好ましくは３０重量％以上、さらに好
ましくは４０重量％以上である。反応温度は１０℃〜１
５０℃であり、好ましくは３０℃〜１２０℃、さらに好
ましくは５０〜１００℃である。 【０１２０】本発明に係る樹脂の重量平均分子量は、Ｇ
ＰＣ法によりポリスチレン換算値として、３，０００〜
１００，０００が好ましく、より好ましくは、４，００
０〜５０，０００、さらに好ましくは５，０００〜３
０，０００である。重量平均分子量が３，０００未満で
は耐熱性やドライエッチング耐性の劣化が見られるため
余り好ましくなく、１００，０００を越えると現像性が
劣化したり、粘度が極めて高くなるため製膜性が劣化す
るなど余り好ましくない結果を生じる。 【０１２１】また、本発明に係る樹脂の分散度（Ｍｗ／
Ｍｎ)としては、１.３〜４．０の範囲が好ましく、より
好ましくは１.４〜３.８、さらに好ましくは１.５〜
３．５である。 【０１２２】本発明のポジ型レジスト組成物において、
本発明に係わる全ての樹脂の組成物全体中の配合量は、
全レジスト固形分中４０〜９９．９９重量％が好まし
く、より好ましくは５０〜９９．９７重量％である。 【０１２３】〔２〕（Ｂ）活性光線又は放射線の照射に
より酸を発生する化合物（光酸発生剤） 本発明で用いられる光酸発生剤は、活性光線又は放射線
の照射により酸を発生する化合物である。 【０１２４】本発明で使用される光酸発生剤としては、
光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始
剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレ
ジスト等に使用されている公知の光（４００〜２００ｎ
ｍの紫外線、遠紫外線、特に好ましくは、ｇ線、ｈ線、
ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー光）、ＡｒＦエキシマレ
ーザー光、電子線、Ｘ線、分子線又はイオンビームによ
り酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択
して使用することができる。 【０１２５】また、その他の本発明に用いられる光酸発
生剤としては、たとえばジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、ｏ
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物、ジアゾケトスルホ
ン、ジアゾジスルホン化合物等を挙げることができる。
また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合
物をポリマーの主鎖又は側鎖に導入した化合物を用いる
ことができる。 【０１２６】さらにV.N.R.Pillai,Synthesis,(1),1(198
0)、A.Abad etal,Tetrahedron Lett.,(47)4555(1971)、
D.H.R.Barton etal,J.Chem.Soc.,(C),329(1970)、米国
特許第３,７７９,７７８号、欧州特許第１２６，７１２
号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用するこ
とができる。 【０１２７】上記活性光線又は放射線の照射により分解
して酸を発生する化合物の中で、特に有効に併用される
他の光酸発生剤について以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体又は一般式（ＰＡＧ
２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。 【０１２８】 【化４２】 【０１２９】式中、Ｒ²⁰¹は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、Ｒ²⁰²は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−Ｃ（Ｙ）₃
を示す。Ｙは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的には
以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定され
るものではない。 【０１３０】 【化４３】【０１３１】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、又は一般式（ＰＡＧ４）で表される
スルホニウム塩。 【０１３２】 【化４４】 【０１３３】ここで式Ａｒ¹、Ａｒ²は、各々独立に、置
換もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、
Ｒ²⁰⁵は、各々独立に、置換もしくは未置換のアルキル
基、アリール基を示す。 【０１３４】Ｚ^-は、対アニオンを示し、例えばＢ
Ｆ₄ ^-、ＡｓＦ₆ ^-、ＰＦ₆ ^-、ＳｂＦ₆ ^-、ＳｉＦ₆ ^2-、Ｃｌ
Ｏ₄ ^-、ＣＦ₃ＳＯ₃ ^-等のパーフルオロアルカンスルホン
酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン等の縮合多核
芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸
アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げることがで
きるがこれらに限定されるものではない。 【０１３５】またＲ²⁰³、Ｒ²⁰⁴、Ｒ²⁰⁵のうちの２つ及
びＡｒ¹、Ａｒ²はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。 【０１３６】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。 【０１３７】 【化４５】 【０１３８】 【化４６】【０１３９】 【化４７】 【０１４０】 【化４８】【０１４１】 【化４９】【０１４２】 【化５０】【０１４３】 【化５１】 【０１４４】 【化５２】 【０１４５】 【化５３】 【０１４６】 【化５４】 【０１４７】 【化５５】【０１４８】 【化５６】【０１４９】 【化５７】【０１５０】 【化５８】 【０１５１】 【化５９】【０１５２】上記において、Ｐｈはフェニル基を表す。
一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示される上記オニ
ウム塩は公知であり、例えば、米国特許第２,８０７,６
４８ 号及び同４,２４７,４７３号、特開昭５３−１０
１,３３１号等に記載の方法により合成することができ
る。 【０１５３】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体又は一般式（ＰＡＧ６）で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。 【０１５４】 【化６０】 【０１５５】式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴は、各々独立に、置換
もしくは未置換のアリール基を示す。Ｒ²⁰⁶は置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換
もしくは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリ
ーレン基を示す。 【０１５６】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。 【０１５７】 【化６１】【０１５８】 【化６２】【０１５９】 【化６３】 【０１６０】 【化６４】【０１６１】 【化６５】 【０１６２】（４）下記一般式（ＰＡＧ７）で表される
ジアゾジスルホン誘導体。 【０１６３】 【化６６】 【０１６４】ここでＲは、直鎖、分岐又は環状アルキル
基、あるいは置換していてもよいアリール基を表す。具
体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、これら
に限定されるものではない。 【０１６５】 【化６７】【０１６６】 【化６８】 【０１６７】これらの光酸発生剤の添加量は、組成物中
の固形分を基準として、通常０．０１〜３０重量％の範
囲で用いられ、好ましくは０．３〜２０重量％、更に好
ましくは０．５〜１０重量％の範囲で使用される。光酸
発生剤の添加量が、０．００１重量％より少ないと感度
が低くなる傾向になり、また添加量が３０重量％より多
いとレジストの光吸収が高くなりすぎ、プロファイルの
悪化や、プロセス（特にベーク）マージンが狭くなる傾
向がある。尚、本発明においては、活性光線又は放射線
の照射により分解してスルホン酸を発生する化合物が好
ましい。 【０１６８】〔３〕その他の添加剤 本発明のポジ型レジスト組成物には、必要に応じて更に
界面活性剤、有機塩基性化合物、酸分解性溶解阻止化合
物、染料、可塑剤、光増感剤、及び現像液に対する溶解
性を促進させる化合物等を含有させることができる。 【０１６９】（Ｃ）界面活性剤 本発明のポジ型レジスト組成物は、界面活性剤、好まし
くはフッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤を含有す
る。本発明のポジ型レジスト組成物は、フッ素系界面活
性剤、シリコン系界面活性剤及びフッ素原子と珪素原子
の両方を含有する界面活性剤のいずれか、あるいは２種
以上を含有することが好ましい。本発明のポジ型レジス
ト組成物が上記酸分解性樹脂と上記界面活性剤とを含有
することにより、パターンの線幅が一層細い時に特に有
効であり、現像欠陥が一層改良される。これらの界面活
性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号、特開昭
６１−２２６７４６号、特開昭６１−２２６７４５号、
特開昭６２−１７０９５０号、特開昭６３−３４５４０
号、特開平７−２３０１６５号、特開平８−６２８３４
号、特開平９−５４４３２号、特開平９−５９８８号、
米国特許５４０５７２０号、 同５３６０６９２号、同
５５２９８８１号、同５２９６３３０号、同５４３６０
９８号、同５５７６１４３号、同５２９４５１１号、同
５８２４４５１号記載の界面活性剤を挙げることがで
き、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもでき
る。使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフト
ップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、(新秋田化成(株)製)、フ
ロラードＦＣ４３０、４３１(住友スリーエム(株)製)、
メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８
９、Ｒ０８（大日本インキ（株）製）、サーフロンＳ−
３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０
５、１０６（旭硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６
（トロイケミカル（株）製）等フッ素系界面活性剤又は
シリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリ
シロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）
製）もシリコン系界面活性剤として用いることができ
る。 【０１７０】界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中
の固形分を基準として、通常０．００１重量％〜２重量
％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％である。これ
らの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いく
つかの組み合わせで添加することもできる。 【０１７１】上記の他に使用することのできる界面活性
剤としては、具体的には、ポリオキシエチレンラウリル
エーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポ
リオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレン
オレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエー
テル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテ
ル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオ
キシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマ
ー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパル
ミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモ
ノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタン
トリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポ
リオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキ
シエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレ
ンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソル
ビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビ
タン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤等を挙
げることができる。これらの他の界面活性剤の配合量
は、本発明の組成物中の固形分１００重量部当たり、通
常、２重量部以下、好ましくは１重量部以下である。 【０１７２】（Ｄ）有機塩基性化合物 本発明のポジ型レジスト組成物は、有機塩基性化合物を
含有することが好ましい。好ましい有機塩基性化合物と
しては、フェノールよりも塩基性の強い化合物である。
中でも含窒素塩基性化合物が好ましく、例えば下記
（Ａ）〜（Ｅ）で表される構造が挙げられる。 【０１７３】 【化６９】 【０１７４】ここで、Ｒ²⁵⁰、Ｒ²⁵¹及びＲ²⁵²は、各々
独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数
１〜６のアミノアルキル基、炭素数１〜６のヒドロキシ
アルキル基又は炭素数６〜２０の置換もしくは非置換の
アリール基であり、ここでＲ ²⁵¹とＲ²⁵²は互いに結合し
て環を形成してもよい。 【０１７５】 【化７０】 【０１７６】（式中、Ｒ²⁵³、Ｒ²⁵⁴、Ｒ²⁵⁵及びＲ
²⁵⁶は、各々独立に、炭素数１〜６のアルキル基を示
す） 更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の
窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化合物であり、
特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素
原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキル
アミノ基を有する化合物である。好ましい具体例として
は、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未
置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノア
ルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジ
ン、置換もしくは未置換のインダーゾル、置換もしくは
未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、
置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換
のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換も
しくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペ
ラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙
げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキ
ル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリール
アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシ
ロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、
水酸基、シアノ基である。 【０１７７】含窒素塩基性化合物の好ましい具体例とし
て、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジン、１，
１，３，３，−テトラメチルグアニジン、２−アミノピ
リジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２
−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジ
ン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチ
ル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−
アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチル
ピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミ
ノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、３−ア
ミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチ
ル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジ
ン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリ
ジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジ
ン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾー
ル、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−
３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２
−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジ
ン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキ
シピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−
アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフ
ォリン、１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナ−
５−エン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウン
デカ−７−エン、１,４−ジアザビシクロ〔２．２．
２〕オクタン、２，４，５−トリフェニルイミダゾー
ル、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ
−ヒドロキシエチルモルホリン、Ｎ−ベンジルモルホリ
ン、シクロヘキシルモルホリノエチルチオウレア（ＣＨ
ＭＥＴＵ）等の３級モルホリン誘導体、特開平１１−５
２５７５号公報に記載のヒンダードアミン類（例えば該
公報〔０００５〕に記載のもの）等が挙げられるがこれ
に限定されるものではない。 【０１７８】特に好ましい具体例は、１,５−ジアザビ
シクロ〔４．３．０〕ノナ−５−エン、１,８−ジアザ
ビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−エン、１,４−
ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン、４−ジメチル
アミノピリジン、ヘキサメチレンテトラミン、４,４−
ジメチルイミダゾリン、ピロール類、ピラゾール類、イ
ミダゾール類、ピリダジン類、ピリミジン類、ＣＨＭＥ
ＴＵ等の３級モルホリン類、ビス（１，２，２，６，６
−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバゲート等のヒン
ダードアミン類等を挙げることができる。中でも、１，
５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕ノナ−５−エン、
１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデカ−７−
エン、１，４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタ
ン、４−ジメチルアミノピリジン、ヘキサメチレンテト
ラミン、ＣＨＭＥＴＵ、ビス（１，２，２，６，６−ペ
ンタメチル−４−ピペリジル）セバゲートが好ましい。 【０１７９】これらの含窒素塩基性化合物は、単独であ
るいは２種以上組み合わせて用いられる。含窒素塩基性
化合物の使用量は、本発明のレジスト組成物の全組成物
の固形分に対し、通常、０．００１〜１０重量％、好ま
しくは０．０１〜５重量％である。０．００１重量％未
満では上記含窒素塩基性化合物の添加の効果が得られな
い。一方、１０重量％を超えると感度の低下や非露光部
の現像性が悪化する傾向がある。 【０１８０】本発明のポジ型レジスト組成物は、上記各
成分を溶解する溶剤に溶かして支持体上に塗布する。こ
こで使用する溶剤としては、エチレンジクロライド、シ
クロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、
γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレング
リコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧ
ＭＥＡ）、エチレンカーボネート、トルエン、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプ
ロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピ
ル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が
好ましく、これらの溶剤を単独あるいは混合して使用す
る。 【０１８１】上記の中でも、好ましい溶剤としてはプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、２−
ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、エチレングリコール
モノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテル、エチレンカーボ
ネート、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキ
シプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、
Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフランを挙げるこ
とができる。 【０１８２】本発明のこのようなポジ型レジスト組成物
は基板上に塗布され、薄膜を形成する。この塗膜の膜厚
は０．２〜１．２μｍが好ましい。使用することができ
る基板としては、通常のBareSi基板、SOG基板、あるい
は次に記載の無機の反射防止膜を有する基板等を挙げる
ことができる。また、必要により、市販の無機あるいは
有機反射防止膜を使用することができる。 【０１８３】反射防止膜としては、チタン、二酸化チタ
ン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、α−シリコン
等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜
型が用いることができる。前者は膜形成に真空蒸着装
置、ＣＶＤ装置、スパッタリング装置等の設備を必要と
する。有機反射防止膜としては、例えば特公平７−６９
６１１号記載のジフェニルアミン誘導体とホルムアルデ
ヒド変性メラミン樹脂との縮合体、アルカリ可溶性樹
脂、吸光剤からなるものや、米国特許５２９４６８０号
記載の無水マレイン酸共重合体とジアミン型吸光剤の反
応物、特開平６−１１８６３１号記載の樹脂バインダー
とメチロールメラミン系熱架橋剤を含有するもの、特開
平６−１１８６５６号記載のカルボン酸基とエポキシ基
と吸光基を同一分子内に有するアクリル樹脂型反射防止
膜、特開平８−８７１１５号記載のメチロールメラミン
とベンゾフェノン系吸光剤からなるもの、特開平８−１
７９５０９号記載のポリビニルアルコール樹脂に低分子
吸光剤を添加したもの等が挙げられる。また、有機反射
防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のＤＵＶ３
０シリーズや、ＤＵＶ−４０シリーズ、ＡＲＣ２５、シ
プレー社製のＡＣ−２、ＡＣ−３、ＡＲ１９、ＡＲ２０
等を使用することもできる。 【０１８４】上記レジスト液を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板（例：シリコン／二酸化シリコ
ン被覆）上に（必要により上記反射防止膜を設けられた
基板上に）、スピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布後、所定のマスクを通して露光し、ベークを行
い現像することにより良好なレジストパターンを得るこ
とができる。ここで露光光としては、好ましくは１５０
ｎｍ〜２５０ｎｍの波長の光である。具体的には、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレ
ーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ₂エキシマレーザー（１５７
ｎｍ）、Ｘ線、電子ビーム等が挙げられる。 【０１８５】現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタ
ケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、
エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、
ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン
類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三
アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノール
アミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピヘリジン
等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用すること
ができる。更に、上記アルカリ性水溶液にアルコール
類、界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。 【０１８６】 【実施例】以下、本発明を実施例によって更に具体的に
説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるもので
はない。 【０１８７】合成例（１）樹脂（１）の合成 ２−アダマンチル−２−プロピルメタクリレート、イソ
ボロニルアクリレート、ノルボルナンラクトンアクリレ
ート、ジヒドロキシアダマンタンメタクリレートを３５
／１５／３０／２０の割合で仕込み、ＰＧＭＥＡ（プロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）／Ｐ
ＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）＝
７／３（重量比）に溶解し、固形分濃度２２重量％の溶
液４５０ｇを調製した。この溶液に和光純薬製Ｖ−６０
１を１mol％加え、これを窒素雰囲気下、６時間かけ
て、１００℃に加熱したＰＧＭＥＡ（プロピレングリコ
ールモノメチルエーテルアセテート）／ＰＧＭＥ（プロ
ピレングリコールモノメチルエーテル）＝７／３（重量
比）、４０ｇに滴下した。滴下終了後、反応液を４時間
撹拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、水／
メタノール＝１／１の混合溶媒５Ｌに晶析、析出した白
色粉体を濾取した後、得られた粉体をメタノール１Ｌで
リスラリーし目的物である樹脂（１）を回収した。 【０１８８】ＮＭＲから求めたポリマー組成比は２−ア
ダマンチル−２−プロピルメタクリレート／イソボロニ
ルアクリレート／ノルボルナンラクトンアクリレート／
ジヒドロキシアダマンタンメタクリレート＝３４／１４
／３１／２１であった。また、ＧＰＣ測定により求めた
標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は８６００であ
った。 【０１８９】上記合成例と同様の操作で、樹脂
（１'）、(１"）、（２）〜（１０）を合成した。樹脂
（１）〜（１０）が有する繰り返し単位の構成を以下に
示す。また、これらの樹脂の繰り返し単位の比率、重量
平均分子量を表１に示す。表１における繰り返し単位の
比率は、下記に示す繰り返し単位の構成における、左の
繰り返し単位からの順である。尚、樹脂（１'）及び
（１''）が有する繰り返し単位の構成は、樹脂（１）と
同様である。 【０１９０】 【化７１】 【０１９１】 【化７２】【０１９２】 【化７３】 【０１９３】 【表１】【０１９４】実施例１〜１４及び比較例１及び２ （ポジ型レジスト組成物組成物の調製と評価）表２にお
けるように、上記合成例で合成した樹脂（２ｇ）、光酸
発生剤(配合量は表２に示した)、有機塩基性化合物（４
ｍｇ）、必要により界面活性剤（１０ｍｇ）を配合し、
固形分１４重量％となるように表２に示す溶剤に溶解し
た後、０．１μｍのミクロフィルターで濾過し、実施例
１〜１４と比較例１及び２のポジ型レジスト組成物を調
製した。尚、表２における各成分について複数使用の際
の比率は重量比である。 【０１９５】尚、比較例１に使用した樹脂Ｒ１は、特開
平７−１９９４６７号の実施例２似従って調製したトリ
シクロデカニルメタクリレート／ｔ−ブチルメタクリレ
ート／メタクリル酸（５０／２５／２５）の構造を有す
る樹脂である。比較例２に使用した樹脂Ｒ２は、特開平
７−２３４５１１号の実施例３に従い調製したアクリル
酸アダマンチルアクリル酸ｔ−ブチル（１：１）共重合
体である。 【０１９６】 【表２】 【０１９７】表２における各成分の記号は以下を示す。 〔界面活性剤〕 Ｗ１：メガファックＦ１７６（大日本インキ（株）製）
（フッ素系） Ｗ２：メガファックＲ０８（大日本インキ（株）製） （フッ素及びシリコーン系） Ｗ３：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学
工業（株）製） Ｗ４：ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル Ｗ５：トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）
製） 【０１９８】〔アミン〕 １：１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕−５−ノネ
ン（ＤＢＮ） ２：ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピ
ペリジル）セバゲート ３：トリオクチルアミン ４：トリフェニルイミダゾール ５：アンチピリン ６：２，６−ジイソプロピルアニリン を表す。 【０１９９】〔溶剤〕 Ｓ１：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート Ｓ２：プロピレングリコールモノメチルエーテル Ｓ３：γ−ブチロラクトン Ｓ４：シクロヘキサノン Ｓ５：乳酸エチル Ｓ６：酢酸ブチル 【０２００】〔孤立ラインのデフォーカスラチチュード
（ＤＯＦ）の評価方法〕上記で調製されたポジ型フォト
レジスト液をスピンコータを利用してシリコンウエハー
上に塗布し、１３０℃で９０秒間乾燥、約０．４μｍの
ポジ型フォトレジスト膜を作製し、それにＡｒＦエキシ
マレーザー（波長１９３ｎｍ、ＮＡ＝０．６のＩＳＩ社
製ＡｒＦステッパー）で露光した。露光後の加熱処理を
１２０℃で９０秒間行い、２．３８重量％のテトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像、蒸留水でリ
ンスし、レジストパターンプロファイルを得る。０．１
５μｍの孤立ライン（ライン／スペース＝１／１０）に
ついて、露光の際のフォーカスを−１．０〜＋１．０ま
で変化させ、得られた孤立ラインパターンを走査型電子
顕微鏡で観察し、膜ベリせずに残っているフォーカスの
範囲（μｍ）を求めた。この評価結果を下記表３に示
す。 【０２０１】 【表３】 【０２０２】表３の結果から、本発明の組成物は、孤立
パターンのデフォーカスラチチュードが大きく優れてい
ることがわかる。 【０２０３】 【発明の効果】本発明により、孤立パターンのデフォー
カスラチチュードが大きく優れているポジ型レジスト組
成物を提供できる。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA03 AB16 AC04 AD03 BE00 BE10 BG00 CB08 CB14 CB41 FA17 4J100 AE03Q AE04Q AE06Q AE09Q AG08Q AG10Q AG12Q AJ01Q AJ08Q AK32Q AL03Q AL04Q AL08P AL08Q AL09Q AL34Q AL36Q AL44Q AL63Q AM02Q AM15Q AM17Q AM21Q AM43Q BA02P BA03P BA03Q BA11P BA12P BA15P BA20P BA30Q BA31Q BA34Q BB01Q BC02P BC03P BC04P BC04Q BC08P BC09P BC12P BC15P BC43Q BC53P BC53Q BD10P CA01 CA04 DA01 DA04 DA28 DA38 JA38

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 （Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される繰り
   返し単位及び−ＣＯＯＲで表される基（Ｒは、脂環基を
   有する炭化水素基であり、但し−ＣＯＯ基と結合する炭
   素原子が３級炭素原子であるとき、脂環基を有する非酸
   分解性の炭化水素基を表す）を有する繰り返し単位を含
   有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速
   度が増大する樹脂、及び、（Ｂ）活性光線又は放射線の
   照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジス
   ト組成物。 【化１】 一般式（Ｉ）において、Ｒ₁は水素原子又はメチル基を
   表し、Ａは単結合又は連結基を表し、ＡＬＧは下記一般
   式（ｐＩ）〜一般式（ｐＶ）のいずれかを表す。 【化２】 式中、Ｒ₁₁は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、
   イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅ
   ｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭
   化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。Ｒ₁₂〜Ｒ
   ₁₆は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分
   岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、Ｒ
   ₁₂〜Ｒ₁₄のうち少なくとも１つ、及びＲ₁₅、Ｒ₁₆のいず
   れかは脂環式炭化水素基を表す。Ｒ₁₇〜Ｒ₂₁は、各々独
   立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐
   のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ₁₇
   〜Ｒ₂₁のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表
   す。また、Ｒ₁₉、Ｒ₂₁のいずれかは炭素数１〜４個の、
   直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を
   表す。Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅は、各々独立に、炭素数１〜４個の、
   直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を
   表し、但し、Ｒ₂₂〜Ｒ₂₅のうち少なくとも１つは脂環式
   炭化水素基を表す。また、Ｒ₂₃とＲ₂₄は、互いに結合し
   て環を形成していてもよい。