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JP2003212670A - 異種材料の接合体及びその製造方法 - Google Patents

異種材料の接合体及びその製造方法

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JP2003212670A
JP2003212670A JP2002017762A JP2002017762A JP2003212670A JP 2003212670 A JP2003212670 A JP 2003212670A JP 2002017762 A JP2002017762 A JP 2002017762A JP 2002017762 A JP2002017762 A JP 2002017762A JP 2003212670 A JP2003212670 A JP 2003212670A
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layer
solid
joined body
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JP2002017762A
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Masayuki Shinkai
正幸 新海
Masahiro Kida
雅裕 來田
Takahiro Ishikawa
貴浩 石川
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Original Assignee
NGK Insulators Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ａｕろう材からなるプレコート層へのＮｉの
拡散を抑止するバリア層を設けてセラミックス基材と金
属部材とを固相接合することにより、Ａｕの硬度上昇を
効果的に抑え、高温域での使用を可能にした異種材料の
接合体及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 セラミックス基材１と金属部材７とをろ
う材５を介して固相接合してなる異種材料の接合体にお
いて、セラミックス基材１の表面に活性金属４を配置
し、該活性金属４上にＡｕからなるろう材５を配置し、
活性金属４及びろう材５を加熱してプレコート層６を形
成し、該プレコート層６の表面にバリア層８を介して金
属部材７を配置し、プレコート層６と金属部材７とを加
圧及び加熱することにより固相接合する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】 本発明は、異種材料の接合
体及びその製造方法に関し、更に詳しくは、高温域での
使用が可能な異種材料の接合体及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】 異種材料の接合、例えば、セラミック
ス基材と金属部材との接合には、ろう材を用いる方法が
あるが、高温での接合での冷却操作中に、異種材料間、
あるいはこれら異種材料を接合するために使用したろう
材と部材との熱膨張率の差に起因する熱応力が発生し、
接合界面に剥離を生じたり、また、一方の部材が脆弱な
場合には、接合界面近傍にクラックを生じたりして、所
望の接合強度や気密性を得られないことがある。製造過
程でこれらの異常が発生した製品は、不良品として処分
せざるを得ないためにこれら複合部材の製品のコストを
押し上げる一因となっている。また、使用時に熱サイク
ルがかかる場合には、これらの異常が一定期間の使用後
に発生して、製品の信頼性を低下させる一因ともなって
いる。
【０００３】 異種材料をろう材を用いて接合する場
合、手法としてはメタライズろう付け法と直接ろう付け
法がある。メタライズろう付け法は、セラミックス表面
に気層からの析出、蒸着、スパッタリング等の気相法
や、ペースト塗布後の加熱処理等の手法で金属層を形成
し金属材料との接合を行う手法である。直接ろう付け法
は活性金属法が著名で、第ＩＶ属元素をインサート材と
して用いて金属材料との接合を行う手法である。ところ
で、これらの方法においては、接合部に生ずる熱応力を
低下させるための何らかの手段を講じないと、熱応力に
対して脆弱なセラミックス基材側にしばしばクラックを
生じたり、接合部に剥離を生じたりして、結合強度ばか
りでなく複合部材として要求される気密性などの各種性
能に影響を及ぼす場合がある。とりわけ、窒化アルミニ
ウム等低強度の部材を金属材料等の異種材料と上記の問
題を抑止しつつ接合することは非常に困難である。
【０００４】 上記問題点を解決するために、低い応力
によって塑性変形が起こる低耐力の金属、例えばＡｇ、
Ｃｕ、Ａｕからなるろう材を使用し、液相接合によって
基材と金属部材を接合する方法を考えることができる。
しかし、Ａｇ、Ｃｕを用いる場合には、接合体を酸化雰
囲気下で４００℃以上の使用環境に曝すときのろう材の
酸化に起因する不具合、高温低圧下で使用する際にはこ
れらの蒸気圧が高さに起因するろう材揮発に起因する問
題、通電して使用する場合にはマイグレーションの問
題、あるいはＭｏ酸化物との反応の問題等により使用が
困難である場合がある。また、Ａｕを用いることは、前
記Ａｇ、Ｃｕを用いた際の不具合の回避には有効である
が、耐酸化性に優れた金属部材としてＮｉ、Ｃｏ、Ｋｏ
ｖａｒ等を用いた場合、これらの成分（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ）が熱を加えた場合にＡｕ中へと拡散してしまい、ろ
う材の耐力が上昇し、その結果、接合時の残留応力をろ
うの塑性変形で吸収しきれなくなり、接合あがりの時点
で、又はその後に加えられる熱によって、接合強度が低
下することになる。そのため、熱サイクル又は熱衝撃を
加えた場合等には、セラミックス基材にクラックが生ず
ることもある。
【０００５】 また、Ａｕ−１８Ｎｉろう材と電気伝導
体（Ｍｏ）を接合すると、ろう材中のＮｉとＭｏが反応
し脆性組織を形成することが知られている。従って、例
えば高温ヒーター用部材として使用を想定した場合、接
合部が熱サイクル及び熱衝撃等に曝された際の耐久特性
が低くなり、また、急速に劣化してしまうために使用で
きなくなるといった問題がある。
【０００６】 更に、金属部材として、例えばＫｏｖａ
ｒを用いた場合、基材とＫｏｖａｒとの接合の際に、ろ
う材中にＫｏｖａｒを構成する成分（Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃ
ｏ）が拡散し、電気伝導性の低い金属間化合物層を形成
するために、熱特性の劣化、当該部位での異常発熱の生
起等の問題もあった。
【０００７】 一方、Ａｕと固溶しない金属を金属部材
として使用することも考えることができ、この条件に合
致する金属材料としては、Ｗ、Ｍｏ等を挙げることがで
きる。しかしこれらの金属材料は、大気中高温条件下に
おいては酸化が激しく、係る条件下に曝される高温ヒー
ター用の金属部材としては使用することができないとい
った問題を有している。
【０００８】 上記の問題を解決する手法として、接合
構造を工夫する試みも行われている。例えば特開平１０
−２０９２５５号公報において、半導体ウエハーを設置
するためのサセプターとして、図４に示す構造に係るセ
ラミックス基材と電力供給用コネクターの接合構造が開
示されている。図４においてはセラミックス基材１に、
孔１４が設けられている。孔１４にはセラミックス基材
１中に予め埋設されたセラミックス基材１と近似の熱膨
張係数を有する、例えばＭｏ等の金属部材１７が露出し
ている。また孔１４内に筒状雰囲気保護体１０が挿入さ
れている。雰囲気保護体１０の内側に電力供給用コネク
ター１６と応力緩和用の低熱膨張体１５が挿入されてい
る。雰囲気保護体１０とコネクター１６はろう材５によ
って気密に接合されており、低熱膨張体１５及び雰囲気
保護体１０は金属部材１７に対してろう材５によって気
密に接合されている。
【０００９】 この接合構造によれば、低熱膨張体１５
と金属部材１７が接合時の残留応力を緩衝され、またＭ
ｏ等の金属部材１７の酸化は雰囲気保護体１０によって
押さえられているので、耐力の高いろう材、例えば前記
のＡｕ−１８Ｎｉろうをもって接合しても、接合時にセ
ラミックス基材１に割れを生ずることは無くまた、熱に
よる強度変化も少なく、接合部が高温ヒーター使用時の
熱サイクル及び熱衝撃等に曝された際の耐久信頼性も高
い。しかし当該接合構造は、部品点数が多くなること、
雰囲気保護体１０と金属部材１７の接合を完全に行わな
いと、金属部材１７の酸化による劣化を生ずるので、非
常に高い生産管理能力が要求されること等の問題を有し
ている。
【００１０】 また、特開平１１−２７８９５１号公報
においては、半導体ウエハーを設置するためのサセプタ
ーとして、図５に示す構造に係るセラミックス基材にお
いて、Ｋｏｖａｒ等の耐蝕性金属製リング２３を、セラ
ミックス製サセプター２２の背面２２ｂに接合するに当
たって、発生する熱応力緩和のためこれら部材構造を、
例えば、図６、図７に示す形状にする接合体及びその製
造方法が開示されている。即ち、部材構造をこれら形状
とすることで熱応力緩和には有効であるが、Ｃｕをベー
スとしたろう材を用いるために前記のろう材酸化、蒸気
圧に起因するろう材揮発の問題により使用温度の制約が
ある。
【００１１】 上記の不具合を回避するために、本願発
明者らは特願２０００−２２７２９１明細書に示すよう
に、Ａｕからなるろう材でＮｉからなる金属部材を他の
部材に接合した固相接合体を提案した。当該出願内容に
記載された手法によれば、脆弱な部材と異種材料とを高
い信頼性を持って接合することができる。しかしなが
ら、Ａｕからなるろう材とＮｉからなる金属部材の固相
接合体を、７５０℃を超える高温雰囲気下において長時
間保持した場合、徐々にＡｕ中にＮｉが拡散し、Ａｕの
耐力が上昇するといった現象が認められる。従って、使
用条件が７００℃を超えるような電気機器、例えば半導
体ウエハーを設置するためのサセプター用の部材とし
て、Ａｕからなるろう材をプレコート層とするセラミッ
クス基材とＮｉ等からなる金属部材との複合部材を使用
した場合においては、比較的短期間の使用によりセラミ
ックス基材にクラックを生ずるといった不具合を招きや
すい。
【００１２】 また、ＰｔがＡｕ中での拡散速度が遅い
ことが知られており、特開２００１−１９９７７５公報
にはセラミックと金属をＡｕを主成分とするろう材で接
合しかつ金属成分の拡散を抑止するためにバリア層とし
てＰｔで被覆する手法が提案されている。しかし、セラ
ミックとろう材との接合にＴｉを使用している場合、Ｐ
ｔをバリア層として使用することはできない。例えば、
ＡｕとＴｉを用いてセラミックとＰｔで被覆した金属材
料を接合する場合、特開２００１−１９９７７５公報に
示される液層接合を行った場合には、Ａｕとセラミック
との接合が効果的に起こらない。これはＰｔとＴｉの親
和性がよいためにＡｕ中に溶融したＴｉが、Ｐｔ層に引
き寄せられる結果、界面でＴｉＮ反応層を形成すべきＴ
ｉが不足してＴｉＮ層の形成が不十分となり、Ａｕろう
とセラミックとの接合力が低下するものと理解される。
【００１３】 更に、本発明者らの先願（特願２０００
−２２７２９１）の手法に沿って、Ｔｉを活性材として
使用したＡｕプレコ−ト層に対してＰｔコーティング材
を固相接合した場合においても、一定温度以上の使用に
おいてはＡｕろう中の微量ＴｉがＰｔ側に引き寄せられ
てセラミックとＡｕろう材層との接合強度が低下するほ
か、これら原子の移動の際にＰｔ被覆材の接合界面近傍
で生ずるカーケンダールボイドにより接合強度が低下し
てしまうので使用が困難である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】 本発明は、このよう
な従来技術の有する問題に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、Ａｕろう材（プレコート層）
へのＮｉの拡散を抑止するバリア層を設けてセラミック
ス基材と金属部材とを固相接合することにより、Ａｕの
硬度上昇を効果的に抑え、高温域での使用を可能にした
異種材料の接合体及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】 上記目的を達成する本
発明の異種材料の接合体は、セラミックス基材と金属部
材とをろう材を介して固相接合してなる異種材料の接合
体において、前記セラミックス基材の表面に、活性金属
を配置し又はメタライズ層を配置して、該活性金属又は
メタライズ層上にＡｕからなる前記ろう材を配置し、前
記活性金属又はメタライズ層及び前記ろう材を加熱して
プレコート層を形成し、該プレコート層の表面にバリア
層を介して前記金属部材を配置し、前記プレコート層と
前記金属部材とを加圧及び加熱することにより固相接合
してなることを特徴とする。
【００１６】 また、上記目的を達成する本発明の他の
異種材料の接合体は、セラミックス基材と金属部材とを
ろう材を介して固相接合してなる異種材料の接合体にお
いて、前記セラミックス基材の表面に、活性金属を配置
し又はメタライズ層を配置して、該活性金属又はメタラ
イズ層上にＡｕからなる前記ろう材を配置し、前記活性
金属又はメタライズ層及び前記ろう材を加熱してプレコ
ート層を形成し、該プレコート層にＣｒ又はＣｒを主成
分とする合金からなる前記金属部材を配置し、前記プレ
コート層と前記金属部材とを加圧及び加熱することによ
り固相接合してなることを特徴とする。
【００１７】 上記目的を達成する本発明の異種材料の
接合体の製造方法は、セラミックス基材と金属部材とを
ろう材を介して固相接合してなる異種材料の接合体の製
造方法において、前記セラミックス基材の表面に、活性
金属を配置し又はメタライズ層を配置して、該活性金属
又はメタライズ層上にＡｕからなる前記ろう材を配置
し、前記活性金属又はメタライズ層及び前記ろう材を加
熱してプレコート層を形成し、該プレコート層の表面に
バリア層を介して前記金属部材を配置し、前記プレコー
ト層と前記金属部材とを加圧及び加熱することにより固
相接合することを特徴とする。
【００１８】 更に、上記目的を達成する本発明の他の
異種材料の接合体の製造方法は、セラミックス基材と金
属部材とをろう材を介して固相接合してなる異種材料の
接合体の製造方法において、前記セラミックス基材の表
面に、活性金属を配置し又はメタライズ層を配置して、
該活性金属又はメタライズ層上にＡｕからなる前記ろう
材を配置し、前記活性金属又はメタライズ層及び前記ろ
う材を加熱してプレコート層を形成し、該プレコート層
にＣｒ又はＣｒを主成分とする合金からなる前記金属部
材を配置し、前記プレコート層と前記金属部材とを加圧
及び加熱することにより固相接合することを特徴とす
る。
【００１９】 このように、本発明の異種材料の接合体
の製造方法によれば、異種材料であるセラミックス基材
と金属部材とを、Ａｕからなるろう材（プレコート層）
及びバリア層を介して固相接合するか、また金属部材を
Ｃｒ又はＣｒを主成分とする合金としてＡｕからなるろ
う材を介してセラミックス基材と固相接合したため、高
温条件で使用しても、該バリア層によりＮｉ等Ａｕろう
材に固溶した際の硬化が激しい金属材料のろう材側への
拡散を防止し、Ａｕからなるろう材の耐力上昇を抑制す
ることにより、高温条件においても接合強度が低下し難
い接合体が得られる。そして、本発明の異種材料の接合
体は、上記本発明の製造方法によって得られた異種材料
の接合体である。
【００２０】
【発明の実施の形態】 以下、本発明の実施の形態につ
いて説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定され
るものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当
業者の通常の知識に基づいて、適宜、設計の変更、改良
等が加えられることが理解されるべきである。
【００２１】 図１は、本発明の異種材料の接合体の製
造方法の第一の実施の形態を示す模式図であり、（ａ）
は第一工程、（ｂ）は第二工程を示す。
【００２２】 第一工程においては、セラミックス基材
１の表面を覆うように活性金属箔４と、Ａｕからなるろ
う材（以下、「Ａｕろう材」という。）５を配置し、加
熱によりプレコート層６を形成する。続く第二工程にお
いては、プレコート層６の上にＣｒ板からなるバリア層
８を配置し、その上にＡｕろう材９を、更にその上に金
属部材７を配置して、加圧及び加熱することによりＡｕ
プレコート層６、Ａｕろう材９を溶融させること無く固
相接合する。そして、本発明の異種材料の接合体は、上
述した本発明の製造方法により得られた異種材料の接合
体である。
【００２３】 プレコート層形成にあたっては、スパッ
タリングにより活性金属の膜が配置した上にＡｕろう材
を配置して加熱溶融してもよく、又は活性金属とＡｕを
含むペーストをセラミックス基材上に塗布して加熱溶融
してもよい。
【００２４】 また、メタライズ処理されたセラミック
ス基材にＡｕのプレコート層を形成してもよい。メタラ
イズ処理は、ペーストによりあるいは蒸気により、メタ
ライズ層を形成すればよく、当該メタライズ層を形成す
る金属が、Ｗ等Ａｕに固溶しＡｕプレコート層を固溶硬
化させる恐れが少ない金属である場合にはＡｕろう材を
溶融させてプレコート層を形成すればよいし、固溶硬化
の恐れがある場合にはＡｕを溶融させること無く固相接
合すればよい。メタライズ層を形成する金属としてはＷ
以外には、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗ−Ｍｎあるいはこれら
にＳｉＯ2、ＴｉＯ2等の添加物を加えたものが挙げられ
る。固相接合させる場合には前記第二工程において、当
該メタライズ層とＡｕろう材間、並びにＡｕろう材とバ
リア層たるＣｒ間、バリア層とＡｕろう材間、Ａｕろう
材と金属部材を一括で固相接合してもよい。
【００２５】 このように、本発明の異種材料の接合体
の製造方法によれば、異種材料であるセラミックス基材
と金属部材とを、Ａｕろう材からなるプレコート層及び
Ｃｒからなるバリア層を介して固相接合したため、高温
条件で使用しても、該バリア層によりろう材側への金属
部材成分の拡散を防止し、Ａｕからなるろう材の耐力上
昇を抑制することにより、高温条件においても接合強度
が低下し難い接合体が得られる。また、本発明の異種材
料の接合体は、上記本発明の製造方法によって得られた
異種材料の接合体である。
【００２６】 第一工程において用いるＡｕろう材５及
び第二工程において用いるＡｕろう材９として使用する
Ａｕは、低耐力特性を有する軟質金属であり、熱衝撃に
より発生する熱応力を塑性変形により緩和するといった
特徴を有するろう材となり得るものである。従って、Ａ
ｕろう材を使用する本発明の製造方法により異種材料を
接合して得られた本発明の接合体は、熱衝撃にも強く、
熱サイクル特性も向上し、接合強度及び気密性を良好に
保持することができる。また、Ａｕろう材の使用量は、
接合部の形状等によっても異なるが、配置した活性金属
箔（Ａｕろう５の場合）やＣｒ板からなるバリア層（Ａ
ｕろう９の場合）を覆うことができればよく、加熱によ
り溶融させ得る範囲内において任意にその使用量を調整
すればよい。また、接合時の残留応力を低減させるため
に、プレコート層としたときの厚さを２０μｍ以上とす
ることが好ましい。また、Ａｕが高価なろう材であるこ
とを考慮すると、２ｍｍ以上とすることは材料費用の観
点で必ずしも好ましいことではないであろう。そしてセ
ラミックス部位が曲げ強度が３００〜４００ＭＰａ程度
である窒化アルミ二ウムである場合には、接合時の不具
合や熱サイクルを与えた際の不具合を効率的に回避する
上で、Ａｕプレコート層のビッカース硬度がＨｖ0.1８
０より小さいことが好ましい。
【００２７】 また、活性金属箔４はセラミックス基材
１に対して活性であり、セラミックス基材１とＡｕろう
材５の界面において、Ａｕろう材５に一旦固溶した後、
セラミックス基材と窒化物等反応生成物層を形成する。
そのため、セラミックス基材１に対するＡｕろう材５の
濡れ性が改善され、良好な気密性を有するプレコート層
６が形成される。また、活性金属箔４の材質はＴｉ、Ｎ
ｂ、Ｈｆ、及びＺｒからなる群より選択される少なくと
も１種であることが好ましい。活性金属箔４をこれらの
ような材質にしたため、活性金属箔を構成する金属元素
がＡｕろう材との界面でほとんど消費し尽くされ、Ａｕ
ろう材５中に残留しないので、Ａｕろう材５の耐力を低
く維持してその塑性変形による緩衝効果で被接合材の熱
応力が低減され、気密性に信頼のあるプレコート層を形
成することができるために、長期信頼性を有する複合部
材を提供することができる。活性金属の形態は、上述の
ような箔状が好ましいが、ペースト状物から形成された
膜状物であってもよいし、スパッタリングによりセラミ
ックス基材上に形成された膜状物であってもよい。
【００２８】 更に、セラミックス基材の材質は、窒化
アルミニウム、窒化珪素、アルミナ、ジルコニア、マグ
ネシア、スピネル及び炭化珪素からなる群より選択され
る少なくとも１種であることが好ましい。セラミックス
基材は、活性金属箔との加熱加工によって反応を生ずる
ものであればよく、前記各種の材質を用いることができ
る。尚、上記材質がそれぞれ単独でセラミックス基材を
構成することに限られるものではなく、上記材質を組み
合わせてセラミックス基材を構成してもよい。従って、
これらの材質を単独、又は、組み合わせてなるセラミッ
クス基材を適宜選択することにより、用途に応じた耐熱
性や硬度等を有する接合体、及びこれらを組み込んだ機
器類を提供することが可能である。
【００２９】 ここで、上述のセラミックス基材及び活
性金属箔について、セラミックス基材の原材料として窒
化アルミニウム（以下、「ＡｌＮ」という）を用い、活
性金属箔としてＴｉを用いた場合においては、加熱する
ことによりＡｌＮとろう材の界面においてＴｉＮの薄膜
層が形成される。このとき、ＴｉはＡｌＮとの反応によ
って全て消費されることとなり、従ってＴｉがろう材に
固溶することがなく、ろう材の低耐力特性が維持された
プレコート層が形成されるといった効果を示す。この場
合、Ａｕろう材に対するＴｉの使用量は０．０３〜１０
質量％が好ましく、０．１〜２質量％が更に好ましい。
０．０３質量％より少ない場合には接合不具合が発生す
る可能性があり、また、１０質量％超の場合では、ろう
材中にＴｉが残留することで、ろう材の耐力上昇による
ＡｌＮにクラックが発生し得るからである。
【００３０】 第二工程において、加圧及び加熱するこ
とにより固相接合するため、金属部材の成分が接合層に
固溶することを抑止することが可能である。従って、固
相接合の際の加熱温度はＡｕろう材の融点よりも低い温
度で行われることが好ましく、具体的には、７５０〜１
０００℃が好ましく、８００〜９５０℃が更に好まし
い。
【００３１】 図１（ｂ）に示す、プレコート層６の上
に配置するバリア層８を構成する金属は、Ｃｒが好まし
い。Ｃｒを使用することにより、金属部材７中の成分、
特にＮｉのＡｕろう材への拡散を抑制し、Ａｕろう材の
耐力値が上昇するのを抑制している。これにより、Ａｕ
の有する、低耐力特性を有する軟質金属であり、熱衝撃
により発生する熱応力を塑性変形により緩和するといっ
た特徴を保持することができる。そして、Ｃｒを使用す
ると、Ａｕろう材と固溶しても硬くなり難いためバリア
層自体がＡｕろう材の特性を低下させることもない。ま
た、活性金属としてＴｉを使用しても、ＣｒとＴｉとの
親和性が低いため、Ｐｔを使用した場合のようにＴｉが
Ｃｒ（バリア層）に引き寄せられることは無く、接合部
の強度も低下しない。
【００３２】 バリア層８は、図１（ｂ）のように板状
であってもよいが、図１（ｃ）のように、金属部材７に
めっきを施すことにより配置することもできる。Ｃｒめ
っきは、ＪＩＳ Ｈ８６１５「工業用Ｃｒめっき」に規
定される、普通Ｃｒめっき、二重Ｃｒめっきが好適に利
用できるがポーラスＣｒめっき、クラックＣｒめっきで
あってもよい。
【００３３】 金属部材の材質はＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒ及び
Ｆｅからなる群より選択される少なくとも１種である
か、又は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ及びＦｅからなる群より選
択される少なくともいずれか１種を主な構成要素とする
合金であることが好ましい。特にＮｉあるいはＮｉをベ
ースとする合金は耐酸化性能が優れており被覆をするこ
と無く高温の大気中での長期間の使用が可能である。
尚、ここでいうＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒ及びＦｅからなる群よ
り選択される少なくとも１種を主な構成要素とする合金
とは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ及びＦｅのいずれかの金属元素
の物理的特性が顕著に表れる含有率であることを意味
し、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ及びＦｅのそれぞれの含有率の合
計が５０質量％以上の合金を意味する。例えば、インコ
ネル６００、インコネル６０１、ナイモニック９０、パ
イロマックス、インコロイ８００、インコロイ９０３、
ハステロイ及びＫｏｖａｒ等が挙げられる。
【００３４】 これらの金属あるいは合金は、大気中、
８００℃における耐酸化性試験においても酸化され難
く、半導体製造において使用される半導体ウエハー設置
用のヒーター機能を有するサセプターの給電用金属端子
等の構成部品として使用するために必要な耐酸化性を有
しているとともに、金属端子として使用するために必要
な電気伝導性にも優れている。従って、前記高温ヒータ
ー用の部材を構成することができ、更には、安価で入手
し易い点からみても、これらの金属は好ましい。
【００３５】 更に、上述の金属部材は、図１に示すよ
うな形状に限定されるものではなく、円柱状、角柱状、
尖塔状、リング状等、その他各種の形状を任意に採用す
ることができる。
【００３６】 本発明の異種材料の接合体及びその製造
方法においては、前述のセラミックス基材にＭｏ、Ｗ、
又はＭｏとＷの合金からなる電気伝導体が、その電気伝
導体の表面の一部がセラミックス基材の外部に露出した
状態で埋設されていてもよい。図２は、それを例示する
ものであり、本発明の異種材料の接合体の製造方法の第
二の実施の形態を示す模式図である。（ａ）は第一工
程、（ｂ）は第二工程を示す。
【００３７】 セラミックス基材１には、Ｍｏメッシュ
２とそれに導通するよう配置された電気伝導体（Ｍｏ）
３が埋設されている。第一工程においては、セラミック
ス基材１と電気伝導体（Ｍｏ）３の表面を覆うように活
性金属箔４とろう材５を配置し、加熱によりプレコート
層６を形成する。続く第二工程においては、プレコート
層６の上にＣｒ板からなるバリア層８を配置し、その上
にＡｕろう材９を、更にその上に金属部材７を配置し
て、加圧及び加熱することにより固相接合する。そし
て、本発明の異種材料の接合体は、上述した本発明の第
二の実施態様で示した異種材料の接合体の製造方法によ
っても得ることができる。
【００３８】 第一工程において用いる活性金属箔４は
セラミックス基材１に対して活性であり、セラミックス
基材１とＡｕろう材５、及び、電気伝導体（Ｍｏ）３と
ろう材５との界面において反応生成物層を形成する。従
って、セラミックス基材１に対するＡｕろう材５の濡れ
性が改善され、同時に気密性が確保されることから、セ
ラミックス基材１に埋設された電気伝導体（Ｍｏ）３が
外気に曝されることは無く、電気伝導体の酸化劣化が起
こり難いといった利点を有する。このような、セラミッ
クス基材に埋設された電気伝導体に接合する金属部材
は、電気伝導体へ給電するための端子として構成するこ
とができ、該接合体を半導体製造用チャンバーに対して
取り付けたときに、ろう材がチャンバー外の不活性又は
酸化性を有する雰囲気に曝露されてもよい。
【００３９】 尚、本発明の異種材料の接合体は、熱に
よる強度低下が少なく、熱サイクル特性や熱衝撃耐性に
優れているため、半導体製造装置においてヒーター機能
を有する半導体ウエハーを設置するためのサセプター、
より具体的には、内蔵する金属電極や金属発熱体によっ
て静電チャック機能やヒーター機能を発揮する機器に組
み込まれる接合体として好適に採用することができる。
また、本発明の異種材料の接合体は、図５に示すよう
な、半導体ウエハーを設置するためのセラミックス製サ
セプターと、当該サセプターを半導体製造用チャンバー
に対して取り付けるための耐蝕性金属製のリングとを接
合した接合体とすることにより、接合部を図６や図７の
ような構造にしなくても、発生する熱応力を緩和するこ
とができる。このとき、ろう材は、チャンバー外の不活
性又は酸化性を有する雰囲気とチャンバー外の雰囲気よ
り圧力が低いチャンバー内の雰囲気に対して曝露されて
いてもよい。
【００４０】 本発明の異種材料の接合体の製造方法の
他の実施形態は、まず、図３（ａ）に示すように、上述
した図１（ａ）に示すプレコート層の形成方法と同様の
方法で、セラミックス基材１上にプレコート層６を形成
する。そして、図３（ｂ）に示す金属部材７を、図１
（ｃ）に示すようにＣｒとし、プレコート層６の上に配
置し、加圧及び加熱することにより固相接合する。ま
た、セラミックス基材上に上記メタライズ層を形成し、
該メタライズ層とＣｒからなる金属部材の間にＡｕろう
材を配して、加圧及び加熱することにより固相接合して
もよい。そして、本発明の他の異種材料の接合体は、上
述した本発明の他の製造方法により得られた異種材料の
接合体である。金属部材としてはＣｒの他にＣｒを主成
分とする合金を使用することができる。
【００４１】 このように、金属部材をＣｒとすること
により、バリア層を使用すること無く、金属部材とセラ
ミックス基材とをＡｕろう材を使用して固相接合して
も、Ａｕろう材中への金属成分の拡散を防止することが
できる。使用される金属部材はＣｒを主成分とする合金
であってもよいが、現時点で工業的に量産され販売され
ているものは無い様である。
【００４２】
【実施例】 次に本発明の実施例について説明するが、
本発明が以下の実施例に限定されるものでないことはい
うまでもない。
【００４３】（実施例１〜８）ＡｌＮからなるセラミッ
クス基材（ＡｌＮ純度＞９９．９％の焼結体、曲げ強度
３６０ＭＰａ）上にＴｉ箔５μｍと純Ａｕろう材１００
０μｍを配置し、真空雰囲気下１１００℃−１０ｍｉｎ
の条件で加熱溶融させてＡｕプレコート層（厚さ８００
μｍ）を形成した。プレコート層の硬度（ビッカース硬
度（荷重１００ｇ）Ｈｖ0.1））を測定した結果、Ｈｖ
0.1＝４５〜５５であった。また、これら接合層を設け
た後に、これら接合層を研削除去してＡｌＮのクラック
発生の有無を調べたところ、ＡｌＮにクラックは生じて
いなかった。
【００４４】 当該プレコート層の上に、厚さ２ｍｍ、
直径６ｍｍの純Ｃｒ板、その上に厚さ２００μｍの純Ａ
ｕ、そして、その上に直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍのイン
コネル６０１（Ｆｅ−６１Ｎｉ−２３Ｃｒ−１．４Ａ
ｌ）及びＮｉ端子を配置して、真空雰囲気下、８００℃
−１ｈの温度条件で、荷重１０ＭＰａの加圧過熱処理を
行って固相接合した（実施例１、５）。接合後でのプレ
コート層の硬度（ＡｌＮから５０μｍの位置で測定）は
Ｈｖ0.1＝４５〜５５であり、変化していなかった。ま
た、これら接合端子、接合層を研削除去してＡｌＮのク
ラック発生の有無を調べたところ、ＡｌＮにクラックは
生じていなかった。
【００４５】 上記接合体を大気中、８００℃−１００
時間、８５０℃−１００時間及び９００℃−１００時間
の条件で保持した（実施例２〜４、６〜８）。プレコー
ト層の硬度は、８００℃及び８５０℃で保持したもの
は、Ｈｖ0.1＝４５〜５５と変化はなかった。９００℃
で保持したものは、いずれもＨｖ0.1＝５５〜６５と高
くなっていたが、この変化は表４に示すように接合体と
しては特に問題となるものではない。接合層を研削除去
してＡｌＮのクラック発生の有無を調べたところ、Ａｌ
Ｎにクラックは生じていなかった。上記実施例１〜８の
接合体について下記引張り試験を行った。結果を表１に
示す。引張試験は、前記の金属端子φ５ｍｍ×２０ｍｍ
ｔ＋ろう材層＝Ａｕ他φ５ｍｍ×０．５ｍｍｔ＋セラミ
ックス基材＝ＡｌＮ２０ｍｍ×５ｍｍｔの接合体を引張
速度：０．５ｍｍ／ｍｉｎで引張り測定した。
【００４６】
【表１】
【００４７】（実施例９〜１３）上記実施例１〜８と同
様に、ＡｌＮからなるセラミックス基材上にプレコート
層を形成し、該プレコート層上に、厚さ２０μｍのＣｒ
めっきを施した直径５ｍｍ、長さ２０ｍｍのコバール
（Ｆｅ−２９Ｎｉ−１７Ｃｏ）端子又はＮｉ端子を配置
し、８００℃−１ｈｒ、１０ＭＰａの条件で固相接合し
た（実施例９、１１）。
【００４８】 上記接合体を大気中、Ｎｉ端子を配置し
たものについては、７００℃−１００時間の条件で保持
し（実施例１０）、コバール端子を配置したものについ
ては、７００℃−１００時間及び８００℃−１００時間
の条件で保持した（実施例１２、１３）。プレコート層
の硬度は、いずれも、Ｈｖ0.1＝４５〜５５と変化はな
かった。接合層を研削除去してＡｌＮのクラック発生の
有無を調べたところ、ＡｌＮにクラックは生じていなか
った。上記実施例９〜１３の接合体について上記引張り
試験を行った。結果を表１に示す。
【００４９】（比較例１〜３）上記実施例１〜８と同様
に、ＡｌＮからなるセラミックス基材上にプレコート層
を形成し、該プレコート層上に直径５ｍｍ、長さ２０ｍ
ｍのＮｉ端子を配置し、８００℃−１ｈｒ、１０ＭＰａ
の条件で固相接合した（比較例１）。上記接合体を大気
中、７００℃−１００時間又は８００℃−１００時間の
条件で保持した（比較例２、３）。
【００５０】 接合後及び７００℃−１００時間の条件
で保持したものについては、プレコート層の硬度は、い
ずれも、Ｈｖ0.1＝４５〜５５と変化はなく、また、接
合層を研削除去してＡｌＮのクラック発生の有無を調べ
たところ、ＡｌＮにクラックは生じていなかった。それ
に対し、８００℃−１００時間の条件で保持したものに
ついては、プレコート層の硬度は、Ｈｖ0.1＝１９０〜
２４０と高くなっており、更に、接合層を研削除去して
ＡｌＮのクラック発生の有無を調べたところ、ＡｌＮに
クラックが生じていた。
【００５１】 以上より、Ｎｉ端子とＡｌＮからなるセ
ラミックス基材とをＣｒを介在させずにＡｕろうで接合
すると、８００℃−１００時間の条件でＡｕろう材から
なるプレコート層の硬度が大きく上昇し、ＡｌＮにクラ
ックが生じるのに対し、Ｎｉとプレコート層との間にＣ
ｒ板又はＣｒめっきを介在させて、Ｎｉ（インコネル、
コバール）とＡｌＮとをＡｕろうで接合すると、８００
℃以上の保持温度でもプレコート層の硬度の大きな上昇
はなく、ＡｌＮにクラックが発生することもないことが
分かった。上記比較例１〜３の接合体について上記引張
り試験を行った。結果を表１に示す。
【００５２】 また、上記実施例５、６、８及び比較例
１〜３の接合体について、プレコート層中への不純物
（Ｃｒ又はＮｉ）の拡散状態とプレコート層の硬度変化
を詳細に測定した。実施例５、６、８の接合体について
はＣｒからの距離が、また比較例１〜３についてはＮｉ
からの距離が２０、５０、１００、２００、３００、４
００μｍの位置におけるＣｒ又はＮｉの各濃度（質量％
（ＥＤＳ分析結果））と硬度（Ｈｖ0.1（ＪＩＳ Ｚ２
２４４に基づく））を測定した。そして、実施例５、
６、８及び比較例１〜３において、ＡｌＮからの距離が
２０、５０、１００μｍの位置について前記測定を行っ
た。結果を表２、３に示す。
【００５３】
【表２】
【００５４】
【表３】
【００５５】 表２、３より、Ｎｉとプレコート層との
間にＣｒを介在させると、Ｃｒ原子のＡｕ層への拡散速
度がＮｉ原子にくらべて遅い上、拡散しても固溶硬化の
効果が小さいためプレコート層の硬度上昇を効果的に抑
止していることがわかる。
【００５６】 本例のようにセラミックス部位が曲げ強
度が３００〜４００ＭＰａ程度である窒化アルミ二ウム
である場合には、基材クラックを効率的に回避する上
で、Ａｕろう材からなるプレコート層の硬度としては、
表４より、Ｈｖ0.1８０より小さいことが好ましいこと
がわかる。
【００５７】
【表４】
【００５８】 表４は、Ａｕろう材と活性金属Ｔｉによ
り金属材料とＡｌＮ（ＡｌＮ純度＞９９．９％の焼結体
で、曲げ強度３６０ＭＰａ）を接合した接合体につい
て、Ａｕろう材の硬度と対比させてＡｌＮのクラック発
生状況を調査した結果である。調査に供されたサンプル
は、Ａｕろう材に各種の元素が拡散して硬度が上昇し、
それぞれの硬度となっているものを使用している。その
ため、Ａｕろう材中に拡散した金属は必ずしも一定の組
成ではない。ろう材の硬度は接合されているＡｌＮから
約３０μｍ離れた位置で測定した。判定は、各種のサン
プルの硬度とＡｌＮのクラック発生の有無を調査して、
硬度毎に層別（Ｈｖ0.1５０〜５９、６０〜６９等）し
て判定した。各硬度範囲において１０点以上のサンプル
を調査して、全点でＡｌＮにクラックが確認されないも
のを「クラック無し」と判定し、一部についてクラック
が確認される場合は「一部クラックが確認」とし、全点
でクラックが確認される場合は「必ずクラックが発生」
と判定した。尚、クラックが確認されない範囲でも、Ａ
ｕ硬度が低下するほど、接合部の残留応力が低くなり接
合強度が高くなるため好ましい。
【００５９】
【発明の効果】 以上説明したように、本発明の異種材
料の接合体の製造方法によれば、異種材料であるセラミ
ックス基材と金属部材とを、Ａｕからなるろう材（プレ
コート層）及びバリア層を介して固相接合するか、又は
金属部材をＣｒ又はＣｒを主成分とする合金としてＡｕ
からなるろう材を介してセラミックス基材と固相接合し
たため、高温条件で使用しても、該バリア層によりＮｉ
等Ａｕろう材に固溶した際の硬化が激しい金属材料のろ
う材側への拡散を防止し、Ａｕからなるろう材の耐力上
昇を抑制することにより、高温条件においても接合強度
が低下し難い接合体が得られる。そして、本発明の異種
材料の接合体は、上記本発明の製造方法によって得られ
た異種材料の接合体である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の異種材料の接合体の製造方法の第一
の実施の形態を示す模式図であり、（ａ）は第一工程、
（ｂ）、（ｃ）は第二工程を示す。
【図２】 本発明の異種材料の接合体の製造方法の第二
の実施の形態を示す模式図であり、（ａ）は第一工程、
（ｂ）は第二工程を示す。
【図３】 本発明の異種材料の接合体の製造方法の他の
実施の形態を示す模式図であり、（ａ）は第一工程、
（ｂ）は第二工程を示す。
【図４】 半導体ウエハーを設置するためのサセプター
（従来品）の、接合構造の一例を示す断面図である。
【図５】 半導体ウエハーを設置するためのサセプター
（従来品）の、接合構造の他の例を示す断面図である。
【図６】 リングとサセプターとの接合形態（従来品）
の一例を示す部分断面図である。
【図７】 リングとサセプターとの接合形態（従来品）
の別の例を示す部分断面図である。
【符号の説明】
１…セラミックス基材、２…Ｍｏメッシュ、３…電気伝
導体（Ｍｏ）、４…活性金属箔、５…Ａｕろう材、６…
プレコート層、７…金属部材、８…バリア層、９…Ａｕ
ろう材、１０…雰囲気保護体、１４…孔、１５…低熱膨
張体、１６…電力供給用コネクター、１７…金属部材、
２０…半導体収容容器、２１…チャンバー、２２…サセ
プター、２２ａ…ウエハー設置面、２２ｂ…サセプター
の背面、２３…耐蝕性金属製リング、２４…ウエハー、
２５…サセプターとリングとの設置面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 貴浩 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 4G026 BA02 BA03 BA05 BA14 BA16 BA17 BB21 BB24 BB25 BB28 BC01 BD02 BD04 BD06 BF15 BF24 BF31 BF42 BF44 BF52 BG02 BG03 BG23 BH06

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 セラミックス基材と金属部材とをろう材
    を介して固相接合してなる異種材料の接合体において、
    前記セラミックス基材の表面に活性金属を配置し、該活
    性金属上にＡｕからなる前記ろう材を配置し、前記活性
    金属及び前記ろう材を加熱してプレコート層を形成し、
    該プレコート層の表面にバリア層を介して前記金属部材
    を配置し、前記プレコート層と前記金属部材とを加圧及
    び加熱することにより固相接合してなることを特徴とす
    る異種材料の接合体。
  2. 【請求項２】 セラミックス基材と金属部材とをろう材
    を介して固相接合してなる異種材料の接合体において、
    前記セラミックス基材の表面にペーストを用いて又は気
    相法によってメタライズ層を形成し、該メタライズ層上
    にＡｕからなるろう材を配置した後、該Ａｕろう材を加
    熱溶融させるか又は溶融させること無く加圧及び加熱し
    て固相接合することでプレコート層を形成し、 該プレコート層の表面にバリア層を介して前記金属部材
    を配置し、前記プレコート層と前記金属部材とを加圧及
    び加熱することにより固相接合してなることを特徴とす
    る異種材料の接合体。
  3. 【請求項３】 メタライズ層とバリア層、バリア層と金
    属部材をそれぞれの間に配置したＡｕからなるろう材と
    加圧及び加熱することにより同時に固相接合する請求項
    ２に記載の異種材料の接合体。
  4. 【請求項４】 前記バリア層がＣｒである請求項１又は
    ２に記載の異種材料の接合体。
  5. 【請求項５】 前記プレコート層の厚さが２０μｍ以上
    である請求項１〜４のいずれか一項に記載の異種材料の
    接合体。
  6. 【請求項６】 プレコート層の硬度がＨｖ0.1８０より
    小さい請求項１〜５のいずれか一項に記載の異種材料の
    接合体。
  7. 【請求項７】 前記金属部材を構成する金属が、Ｎｉ、
    Ｃｏ、Ｃｒ及びＦｅからなる群より選択される少なくと
    もいずれか一種又はいずれか一種を主成分とする合金で
    ある請求項１〜６のいずれか一項に記載の異種材料の接
    合体。
  8. 【請求項８】 半導体製造用チャンバーに対して取り付
    けるための接合体であることを特徴とする請求項１〜７
    のいずれか一項に記載の異種材料の接合体。
  9. 【請求項９】 前記接合体が、半導体ウエハーを設置す
    るためのセラミックス製サセプターと、当該サセプター
    を半導体製造用チャンバーに対して取り付けるための耐
    蝕性金属製のリングとが接合された物であることを特徴
    とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の異種材料の
    接合体。
  10. 【請求項１０】 前記ろう材が、前記チャンバー外の不
    活性又は酸化性を有する雰囲気と、チャンバー外の雰囲
    気より圧力が低い前記チャンバー内の雰囲気に対して曝
    露されることを特徴とする請求項８又は９に記載の異種
    材料の接合体。
  11. 【請求項１１】 前記セラミックス基材にＭｏ、Ｗ、又
    はＭｏとＷとの合金からなる電気伝導体が、該電気伝導
    体の表面の一部が該セラミックス基材の外部に露出した
    状態で埋設されている請求項１〜６のいずれか一項に記
    載の異種材料の接合体。
  12. 【請求項１２】 ヒーター機能もしくは静電チャック機
    能又はこれらの両機能を有する半導体ウエハーを設置す
    るためのサセプターに用いられる請求項１〜１１のいず
    れか一項に記載の異種材料の接合体。
  13. 【請求項１３】 前記金属部材が、前記の埋設された電
    気伝導体へ給電するための端子であって、前記ろう材が
    チャンバー外の不活性又は酸化性を有する雰囲気とに曝
    露されることを特徴とする請求項１２に記載の異種材料
    の接合体。
  14. 【請求項１４】 前記バリア層が前記金属部材にめっき
    を施すことにより形成される請求項１〜１２のいずれか
    一項に記載の異種材料の接合体。
  15. 【請求項１５】 セラミックス基材と金属部材とをろう
    材を介して固相接合してなる異種材料の接合体におい
    て、前記セラミックス基材の表面に活性金属を配置し、
    該活性金属上にＡｕからなる前記ろう材を配置し、前記
    活性金属及び前記ろう材を加熱してプレコート層を形成
    し、該プレコート層にＣｒ又はＣｒを主成分とする合金
    からなる前記金属部材を配置し、前記プレコート層と前
    記金属部材とを加圧及び加熱することにより固相接合し
    てなることを特徴とする異種材料の接合体。
  16. 【請求項１６】 セラミックス基材と金属部材とをろう
    材を介して固相接合してなる異種材料の接合体におい
    て、前記セラミックス基材の表面にペーストを用いて又
    は気相法によってメタライズ層を形成し、該メタライズ
    層上にＡｕからなるろう材を配置した後、該Ａｕろう材
    を加熱溶融させるか、又は溶融させること無く加圧して
    固相接合することでプレコート層を形成し、 該プレコート層にＣｒ又はＣｒを主成分とする合金から
    なる前記金属部材を配置し、前記プレコート層と前記金
    属部材とを加圧及び加熱することにより固相接合してな
    ることを特徴とする異種材料の接合体。
  17. 【請求項１７】 セラミックス基材と金属部材とをろう
    材を介して固相接合してなる異種材料の接合体の製造方
    法において、前記セラミックス基材の表面に活性金属を
    配置し、該活性金属上にＡｕからなる前記ろう材を配置
    し、前記活性金属及び前記ろう材を加熱してプレコート
    層を形成し、該プレコート層の表面にバリア層を介して
    前記金属部材を配置し、前記プレコート層と前記金属部
    材とを加圧及び加熱することにより固相接合することを
    特徴とする異種材料の接合体の製造方法。
  18. 【請求項１８】 セラミックス基材と金属部材とをろう
    材を介して固相接合してなる異種材料の接合体におい
    て、前記セラミックス基材の表面にペーストを用いて、
    又は気相法によってメタライズ層を形成し、該メタライ
    ズ層上にＡｕからなるろう材を配置した後、該Ａｕろう
    材を加熱溶融させるか、又は溶融させること無く加圧及
    び加熱して固相接合することでプレコート層を形成し、 該プレコート層の表面にバリア層を介して前記金属部材
    を配置し、前記プレコート層と前記金属部材とを加圧及
    び加熱することにより固相接合してなることを特徴とす
    る異種材料の接合体の製造方法。
  19. 【請求項１９】 メタライズ層とバリア層、及びバリア
    層と金属部材をそれぞれの層間に配置したＡｕからなる
    ろう材と、加圧及び加熱することにより同時に固相接合
    する請求項１８に記載の異種材料の接合体の製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記バリア層をＣｒにする請求項１７
    に記載の異種材料の接合体の製造方法。
  21. 【請求項２１】 前記プレコート層の厚さを２０μｍ以
    上にする請求項１７又は２０に記載の異種材料の接合体
    の製造方法。
  22. 【請求項２２】 プレコート層の硬度をＨｖ0.1８０よ
    り小さくする請求項１７〜２１のいずれか一項に記載の
    異種材料の接合体の製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記セラミックス基材にＭｏもしくは
    Ｗ又はＭｏとＷとの合金からなる電気伝導体を、該電気
    伝導体の表面の一部が該セラミックス基材の外部に露出
    した状態で埋設する請求項１７〜２２のいずれか一項に
    記載の異種材料の接合体の製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記バリア層を前記金属部材にめっき
    を施すことにより形成する請求項１７〜２３のいずれか
    一項に記載の異種材料の接合体の製造方法。
  25. 【請求項２５】 セラミックス基材と金属部材とをろう
    材を介して固相接合してなる異種材料の接合体の製造方
    法において、前記セラミックス基材の表面に活性金属を
    配置し、該活性金属上にＡｕからなる前記ろう材を配置
    し、前記活性金属及び前記ろう材を加熱してプレコート
    層を形成し、該プレコート層にＣｒ又はＣｒを主成分と
    する合金からなる前記金属部材を配置し、前記プレコー
    ト層と前記金属部材とを加圧及び加熱することにより固
    相接合してなることを特徴とする異種材料の接合体の製
    造方法。
  26. 【請求項２６】 セラミックス基材と金属部材とをろう
    材を介して固相接合してなる異種材料の接合体において
    前記セラミックス基材の表面にペーストを用いて又は
    気相法によってメタライズ層を形成し、該メタライズ層
    上にＡｕからなるろう材を配置した後、該Ａｕろう材を
    加熱溶融させるか、又は溶融させること無く加圧して固
    相接合することでプレコート層を形成し、 該プレコート層にＣｒ又はＣｒを主成分とする合金から
    なる前記金属部材を配置し、前記プレコート層と前記金
    属部材とを加圧及び加熱することにより固相接合してな
    ることを特徴とする異種材料の接合体の製造方法。
  27. 【請求項２７】 メタライズ層とＣｒからなる金属部材
    を間に配したＡｕからなるろう材と加圧及び加熱するこ
    とにより固相接合する請求項２６に記載の異種材料の接
    合体の製造方法。
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