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JP2003208127A - 表示装置 - Google Patents

表示装置

Info

Publication number
JP2003208127A
JP2003208127A JP2002302579A JP2002302579A JP2003208127A JP 2003208127 A JP2003208127 A JP 2003208127A JP 2002302579 A JP2002302579 A JP 2002302579A JP 2002302579 A JP2002302579 A JP 2002302579A JP 2003208127 A JP2003208127 A JP 2003208127A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
optical element
display device
current
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002302579A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoichiro Matsumoto
昭一郎 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to JP2002302579A priority Critical patent/JP2003208127A/ja
Publication of JP2003208127A publication Critical patent/JP2003208127A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
    • G09G2310/0256—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel

Landscapes

  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い輝度データが設定されている光学素子
を、低い輝度データに書き換えるとき残像現象が見られ
ることがある。 【解決手段】 輝度データの書込のため、走査線ＳＬが
ハイになり第１のトランジスタＴｒ１がオンすると、第
２のトランジスタＴｒ２のゲート電極に有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤの輝度データが設定される。同時に、バイ
パスに設けられた第４のトランジスタＴｒ４がオンし有
機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードの電荷が接地電位
に引き抜かれる。また同時に、第３のトランジスタＴｒ
３がオフするので、電源供給線Ｖｄｄからの貫通電流の
発生が抑えられる。これにより、有機発光ダイオードＯ
ＬＥＤの輝度データは初期化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表示装置に関し、特
にアクティブマトリックス型表示装置の表示品位を改善
する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】ノート型パーソナルコンピュータや携帯
端末の普及が急激に進んでいる。現在、これらの表示装
置に主に使用されているのが液晶ディスプレイであり、
次世代平面表示パネルとして期待されているのが有機Ｅ
Ｌ（Electro Luminescence）ディスプレイである。これ
らディスプレイの表示方法として中心に位置するのがア
クティブマトリックス駆動方式である。この方式を用い
たディスプレイは、アクティブマトリックス型ディスプ
レイと呼ばれ、画素は縦横に多数配置されマトリックス
形状を示し、各画素にはスイッチング素子が配置され
る。映像データはスイッチング素子によって画素毎に順
次書き込まれる。
【０００３】有機ＥＬディスプレイの研究開発は草創期
にあり、様々な画素回路が提案されている。そのような
回路の一例として、図９をもとに簡単に説明する（特許
文献１参照）。
【０００４】この回路は、２個のｎチャネルトランジス
タである第１、２のトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２
と、光学素子である有機発光ダイオードＯＬＥＤと、保
持容量ＳＣ１１と、走査線ＳＬと、電源供給線Ｖｄｄ
と、輝度データを入力するデータ線ＤＬを備える。
【０００５】この回路の動作は、有機発光ダイオードＯ
ＬＥＤの輝度データの書込のために、走査線ＳＬがハイ
になり、第１のＴｒ１１がオンとなり、データ線ＤＬに
入力された輝度データが第２のトランジスタＴｒ１２お
よび保持容量ＳＣ１１に設定される。発光のタイミング
となり走査線ＳＬがローとなることで第１のトランジス
タＴｒ１１がオフとなり、第２のトランジスタＴｒ１２
のゲート電圧は維持され設定された輝度データで発光す
る。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１-２１９１４６号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】光学素子の輝度データ
が大きい場合、輝度データの書き換えで、小さな輝度デ
ータを設定しようとしても、前の大きな輝度データに対
応する電荷が光学素子から抜けずに残ってしまい、正確
な輝度データの設定ができず残像現象が見られることが
ある。特に、動きの速い動画を表示する際に非常に見に
くい画像となる。
【０００８】本発明はこうした状況に鑑みなされたもの
であり、その目的は前述の残像現象を低減する新たな回
路を提案するものである。また、別の目的は、表示装置
の消費電力の削減を実現することにある。また別の目的
は、光学素子の劣化の進行を抑制する新たな回路を提案
することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のある態様は表示
装置に関する。この装置は、光学素子と並列に電流バイ
パス素子を設け、光学素子に輝度データを設定する動作
に応じて電流バイパス素子を制御して光学素子の両端に
生じた電圧を初期化する。また、電流バイパス素子がオ
ンするときに、光学素子へ電流を供給する経路を遮断す
るスイッチを設けてもよい。
【００１０】輝度データを設定するためのデータ更新指
示信号と、電流バイパス素子を制御するための信号を共
通化し、光学素子の両端に生じた電圧を初期化すると同
時に輝度データを設定してもよい。ここで、データ更新
指示信号とは、一般に走査信号であり、走査線に入力さ
れる。また、輝度データを設定するためのデータ更新指
示信号と、電流バイパス素子を制御するための信号を別
々に設け、光学素子の両端に生じた電圧の初期化のタイ
ミングを設定可能としてもよい。つまり、走査線とは別
の配線を用意し、電流バイパス素子と光学素子へ電流を
供給するスイッチを制御する。これにより、走査のタイ
ミングに拘束されず光学素子の両端に生じた電圧を初期
化できる。
【００１１】アクティブマトリックス型表示装置を想定
した場合、一般に一画素は光学素子、駆動回路、データ
線、走査線、および電源供給線から構成される。また、
電源供給線から駆動回路、光学素子、接地電位と直列に
接続される経路が形成され、光学素子に所望の値の電流
が流される。ここで、光学素子のアノードから接地電位
にスイッチング素子を含むバイパスを設ける。また、駆
動回路と電源供給線の間、または駆動回路と光学素子の
間にも、電源供給線から光学素子への電源供給を遮断す
るスイッチング素子を設ける。
【００１２】バイパスに設けたスイッチング素子をオン
すると、光学素子のアノードは接地電位に短絡され、接
地電位と同電位となる。また同時に、電源供給線と駆動
回路の間に設けたスイッチング素子をオフすることで、
電源供給線から接地電位に流れる貫通電流を抑える。
【００１３】また、光学素子の両端に生じた電圧を初期
化する際に、光学素子の両端に、光学素子を発光させる
際に印加すべき電圧を正電圧とした場合の逆電圧を印加
してもよい。つまり、光学素子を発光させる際の逆バイ
アス印加状態としてもよい。
【００１４】ここで、光学素子として、有機発光ダイオ
ード（Organic Light Emitting Diode）が想定できるが
これに限る趣旨ではない。また、電流バイパス素子やス
イッチング素子として、ＭＯＳ（Metal Oxide Semicond
uctor ）トランジスタや薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Th
in Film Transistor）が想定できるが、これに限る趣旨
ではない。また、「輝度データ」とは駆動用トランジス
タに設定される輝度情報に関するデータであって、光学
素子が放つ光強度とは区別する。
【００１５】本発明の別の態様も表示装置に関する。こ
の装置は、電流の入り口に当たる第１の端子と、前記電
流の出口に当たる第２の端子を有する光学素子と、その
光学素子に流すべき電流の変更に際し、所定の期間、前
記第１の端子の側から電荷を能動的に放電する初期化素
子とを備える。ここで、初期化素子とは、光学素子に並
列に設けられたスイッチング素子であって、このスイッ
チング素子がオンすると、光学素子のアノードの電荷が
接地電位にこのスイッチング素子を経由して引き抜かれ
る。
【００１６】本発明のさらに別の態様も表示装置に関す
る。この装置は、電流の入り口に当たる第１の端子と電
流の出口に当たる第２の端子とを有する光学素子と、そ
の光学素子に流すべき電流の変更に際し、所定の期間、
第１の端子の側に蓄電する初期化素子とを備える。ま
た、所定期間に初期化素子は第２の端子を第１の端子よ
り高電位となるよう動作してもよい。
【００１７】なお、以上の構成要素の任意の組合せや組
み替えもまた、本発明の態様として有効である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下の実施の形態では、表示装置
としてアクティブマトリックス型有機ＥＬディスプレイ
を想定する。実施の形態では、前述の残像現象を低減す
る新しい回路を提案する。このために、光学素子のアノ
ードから接地電位まで並列にスイッチング素子を含むバ
イパスを設け、所定のタイミングでそのスイッチング素
子をオンオフすることで光学素子の電荷を接地電位に逃
がし、光学素子の輝度データを初期化する。
【００１９】実施の形態１：図１は、実施の形態１に係
る表示装置の一画素の回路を示す。この画素は、光学素
子である有機発光ダイオードＯＬＥＤと、駆動回路１０
と、第１、２の保持容量ＳＣ１、ＳＣ２と、スイッチン
グ素子として機能する第３、４のトランジスタＴｒ３、
Ｔｒ４を備える。駆動回路１０はさらに第１、２のトラ
ンジスタＴｒ１、Ｔｒ２を備える。
【００２０】また、輝度データが入力されるデータ線Ｄ
Ｌと、有機発光ダイオードＯＬＥＤに流す電流を供給す
る電源供給線Ｖｄｄと、輝度データの更新の信号が入力
される走査線ＳＬを備える。データ線ＤＬ、電源供給線
Ｖｄｄ、および走査線ＳＬは他の画素と共有する。
【００２１】また、第１、２、４のトランジスタＴｒ
１、Ｔｒ２、Ｔｒ４はｎチャネルトランジスタであり、
第３のトランジスタＴｒ３はｐチャネルトランジスタで
ある。
【００２２】第１、３、４のトランジスタＴｒ１、Ｔｒ
３、Ｔｒ４のゲート電極は走査線ＳＬに接続される。第
１のトランジスタＴｒ１のドレイン電極（またはソース
電極）はデータ線ＤＬに、第１のトランジスタＴｒ１の
ソース電極（またはドレイン電極）と第２のトランジス
タＴｒ２のゲート電極は第２の保持容量ＳＣ２の一方の
電極に接続される。第２のトランジスタＴｒ２のソース
電極と有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードと、第２
の保持容量ＳＣ２のもう一方の電極は第４のトランジス
タＴｒ４のドレイン電極（またはソース電極）に接続さ
れる。有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソードと第４の
トランジスタＴｒ４のソース電極（またはドレイン電
極）はそれぞれ接地電位に接続される。第２のトランジ
スタＴｒ２のドレイン電極と第１の保持容量ＳＣ１の一
方の電極は第３のトランジスタＴｒ３のドレイン電極
（またはソース電極）に接続される。第１の保持容量Ｓ
Ｃ１のもう一方の電極は接地電位に接続される。第３の
トランジスタＴｒ３のソース電極（またはドレイン電
極）は電源供給線Ｖｄｄに接続される。
【００２３】したがって、電源供給線Ｖｄｄから接地電
位へ、第３、２のトランジスタＴｒ３、Ｔｒ２、有機発
光ダイオードＯＬＥＤがこの順で直列に接続され主経路
を形成する。また、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノ
ードから第４のトランジスタＴｒ４を含むバイパスが形
成される。
【００２４】この回路による動作を説明する。輝度デー
タの書込のために、走査線ＳＬがハイになり第１のトラ
ンジスタＴｒ１がオンすると、第２のトランジスタＴｒ
２のゲート電極および第２の保持容量ＳＣ２に有機発光
ダイオードＯＬＥＤの輝度データに対応した電位が設定
される。同時に、第４のトランジスタＴｒ４がオンとな
り有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードの電荷が第４
のトランジスタＴｒ４を経由して接地電位に引き抜かれ
る。また同時に、第３のトランジスタＴｒ３がオフとな
るので、電源供給線Ｖｄｄからの貫通電流の発生を防
ぐ。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノー
ドは接地電位と同電位となる。
【００２５】続いて、発光のタイミングになると、走査
線ＳＬはローとなるので、第１、４のトランジスタＴｒ
１、Ｔｒ４はオフし、第３のトランジスタＴｒ３はオン
する。これにより第２のトランジスタＴｒ２に設定され
た輝度データに応じた電流が電源供給線Ｖｄｄから有機
発光ダイオードＯＬＥＤに流れる。
【００２６】実施の形態１によると、輝度データの書込
の際に、光学素子の輝度データが初期化されるので、大
きい輝度データから小さい輝度データへ書き換える際に
見られた残像現象を低減できる。また、その際、電源供
給線から駆動回路への電流の供給が遮断されるため消費
電流の低減が実現される。
【００２７】実施の形態２：図２は、実施の形態２に係
る表示装置の一画素の回路を示す。この画素は、光学素
子である有機発光ダイオードＯＬＥＤと、駆動回路１０
と、第１、２の保持容量ＳＣ１、ＳＣ２とスイッチング
素子として機能する第３、４のトランジスタＴｒ３、Ｔ
ｒ４と、データ線ＤＬと、電源供給線Ｖｄｄと、第１、
２の走査線ＳＬ１、ＳＬ２を備える。駆動回路１０はさ
らに第１、２、５、６のトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、
Ｔｒ５、Ｔｒ６を備える。第１、４のトランジスタＴｒ
１、Ｔｒ４はｎチャネルトランジスタで、第２、３、
５、６のトランジスタＴｒ２、Ｔｒ３、Ｔｒ５，Ｔｒ６
はｐチャネルトランジスタである。
【００２８】第１、３、４のトランジスタＴｒ１、Ｔｒ
３、Ｔｒ４のゲート電極は走査線ＳＬ１に、第６のトラ
ンジスタＴｒ６のゲート電極は走査線ＳＬ２に接続され
る。第１のトランジスタＴｒ１のドレイン電極（または
ソース電極）はデータ線ＤＬに接続される。第１のトラ
ンジスタＴｒ１のソース電極（またはドレイン電極）と
第５のトランジスタＴｒ５のドレイン電極はトランジス
タＴｒ６のドレイン電極（またはソース電極）に接続さ
れる。第２、５のトランジスタＴｒ２、Ｔｒ５のゲート
電極とトランジスタＴｒ６のソース電極（またはドレイ
ン電極）は第２の保持容量ＳＣ２の一方の電極に接続さ
れる。第２、５のトランジスタＴｒ２、Ｔｒ５のソース
電極と、第３のトランジスタＴｒ３のドレイン電極（ま
たはソース電極）と第２の保持容量ＳＣ２のもう一方の
電極は第１の保持容量ＳＣ１の一方の電極に接続され
る。第３のトランジスタＴｒ３のソース電極（またはド
レイン電極）は電源供給線Ｖｄｄに、第１の保持容量Ｓ
Ｃ１のもう一方の電極は接地電位に接続される。第２ト
ランジスタＴｒ２のドレイン電極および第４トランジス
タＴｒ４のドレイン電極（またはソース電極）は、有機
発光ダイオードＯＬＥＤのアノードに接続される。有機
発光ダイオードＯＬＥＤのカソードと第４のトランジス
タＴｒ４のソース電極（またはドレイン電極）は接地電
位に接続される。
【００２９】この回路の動作を説明する。輝度データ書
込のため第１の走査線ＳＬ１がハイ、第２の走査線ＳＬ
２がローになると、第１、４、６のトランジスタＴｒ
１、Ｔｒ４、Ｔｒ６がオン、第３のトランジスタＴｒ３
がオフになる。第５のトランジスタＴｒ５のゲート電極
とドレイン電極は短絡され、第５のトランジスタＴｒ５
は不飽和領域で作動し、第５のトランジスタＴｒ５のゲ
ート電極と第２のトランジスタＴｒ２のゲート電極は同
電位になる。これにより、第２のトランジスタＴｒ２に
輝度データが設定される。このとき、第３のトランジス
タＴｒ３のオフにより電源供給線Ｖｄｄからの経路が遮
断され、第４のトランジスタＴｒ４がオンになっている
ので、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードの電荷は
第４のトランジスタＴｒ４を経由して接地電位に引き抜
かれ、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードの電位は
接地電位まで下がる。
【００３０】発光のタイミングになり、第１の走査線Ｓ
Ｌ１がロー、第２の走査線ＳＬ２がハイとなり第１、
４、６のトランジスタＴｒ１、Ｔｒ４、Ｔｒ６がオフ、
第３のトランジスタＴｒ３がオンとなる。これにより、
第２のトランジスタＴｒ２に設定された輝度データに応
じた電流が有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる。
【００３１】実施の形態２によると、実施の形態１同様
の効果が得られる。
【００３２】実施の形態３：図３、図４は実施の形態３
に係る表示装置の一画素の回路を示す。実施の形態１、
２ではスイッチング素子として機能する第３のトランジ
スタＴｒ３が電源供給線Ｖｄｄと駆動回路１０の間に設
けられたが、実施の形態３では駆動回路１０と有機発光
ダイオードＯＬＥＤの間に設ける。従って、図３に示す
回路は、実施の形態１の図１に示した回路の第３のトラ
ンジスタＴｒ３と第２のトランジスタＴｒ２の接続順序
を入れ替えた回路であり、同様に図４に示す回路は、実
施の形態２の図２に示した回路の第３のトランジスタＴ
ｒ３と第２のトランジスタＴｒ２の接続順序を入れ替え
た回路である。
【００３３】これら回路の動作はそれぞれ実施の形態１
および２の回路の動作と同様なので省略する。また、得
られる効果も同様である。ただし、実施の形態１および
２では、第３のトランジスタＴｒ３をオフにした際に、
輝度データにあたえる影響、つまり第２のトランジスタ
Ｔｒ２のゲート電極に与える影響を抑えるために第１の
保持容量ＳＣ１を設けた。実施の形態３では、第３のト
ランジスタＴｒ３を第２のトランジスタＴｒ２と有機発
光ダイオードＯＬＥＤの間に設けたことで、第３のトラ
ンジスタＴｒ３がオフとなった場合でも第２のトランジ
スタＴｒ２のゲート電極にあたえる影響を取り除くこと
ができる。
【００３４】以上、本発明を実施の形態をもとに説明し
た。この実施の形態は例示であり、それら各構成要素や
各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこ
と、またそうした変形例も本発明の範囲であることは当
業者に理解されるところである。そうした変形例を挙げ
る。
【００３５】実施の形態では、駆動回路として図１から
図４に示す駆動回路１０を想定したが、これに限る趣旨
ではない。この駆動回路は多数存在するので、本発明が
適用される回路を図５および図６に示すように一般化し
て示すことができる。図５の回路は実施の形態１、２を
一般化した回路であり、図６の回路は実施の形態３を一
般化した回路である。
【００３６】実施の形態では、第３、４のトランジスタ
Ｔｒ３、Ｔｒ４のオンオフを同一画素の駆動回路に繋が
る走査線ＳＬを用いて行ったが、時間的に１走査前の走
査線ＳＬに繋いでもよい。こうすることで、書込データ
への走査線ＳＬの動作によるカップリングノイズを低減
できる。またさらに、第３、４のトランジスタＴｒ３、
Ｔｒ４のオンオフを行うために専用の配線を別途設けて
もよい。図７、図８に示した回路は、それぞれ図５、図
６に示した一般化した回路を上述のごとく第３、４のト
ランジスタＴｒ３、Ｔｒ４のオンオフを行う制御線ＣＳ
Ｌを設けた回路である。これにより、走査線ＳＬにかか
る時間的制約がなくなり、任意の時間に画素の発光を制
御できる。すなわち、制御線ＣＳＬの制御によって、発
光時間を調整し、ホワイトバランスと輝度とを調整でき
る。
【００３７】実施の形態では、バイパスを流れる電流の
逃がし口、つまり、第４のトランジスタＴｒ４のソース
電極は接地電位に接続されたがこれに限る趣旨ではな
い。例えば、これを有機発光ダイオードＯＬＥＤの閾値
電圧と等しくしてもよい。こうすると、有機発光ダイオ
ードＯＬＥＤの発光の応答性がよくなる。
【００３８】実施の形態では、有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤに対してバイパスを形成した第４のトランジスタＴ
ｒ４のソース電極は接地電位に接続され、有機発光ダイ
オードＯＬＥＤのカソードと同電位に設定されたがこれ
に限る趣旨ではない。そのほかに例えば、第４のトラン
ジスタＴｒ４のソース電極は、有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤのカソードより低い電位に接続されてもよい。その
ような画素回路を図１０および１１に例示する。
【００３９】図１０は、図７に示した画素の回路におい
て接地電位に接続されていた第４のトランジスタＴｒ４
のソース電極を有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソード
が接続される接地電位より低い負電位Ｖｅｅに接続した
回路である。同様に、図１１は、図８に示した画素回路
において、接地電位に接続されていた第４のトランジス
タＴｒ４のソース電極を有機発光ダイオードＯＬＥＤの
カソードが接続される接地電位より低い負電位Ｖｅｅに
接続する回路である。これらの画素回路において、制御
線ＣＳＬがハイになると、第３のトランジスタＴｒ３は
オフとなり、第４のトランジスタＴｒ４がオンとなる。
このとき有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードの電位
は、第４のトランジスタＴｒ４のソース電極は負電位Ｖ
ｅｅとなる。有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソードは
接地電位であり、アノードより高電位となっているた
め、有機発光ダイオードＯＬＥＤは発光期間の逆バイア
ス印加状態となる。
【００４０】このように有機発光ダイオードＯＬＥＤを
逆バイアス印加状態とすることで、有機発光ダイオード
ＯＬＥＤのアノードに残留している電荷を引き抜き、残
像現象を抑制できると同時に、有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤを構成する有機膜の特性回復をできる。一般的な課
題として、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、液晶を利用
した光学素子などと比較して長期使用による有機膜の劣
化つまり輝度低下が顕著であるという課題がある。この
ように、有機発光ダイオードＯＬＥＤをその輝度データ
の更新期間に逆バイアス印加状態とすることで表示品位
の低下を防ぎつつ有機膜の劣化を回復できる。
【００４１】ここでは、初期化素子である第３、４のト
ランジスタＴｒ３、Ｔｒ４を走査線ＳＬとは別の制御線
ＣＳＬによりオンオフ制御したがこれに限る趣旨ではな
く、走査線ＳＬによって第３、４のトランジスタＴｒ
３、Ｔｒ４をオンオフ制御してもよい。例えば、図５、
図６に示すような第４のトランジスタＴｒ４が走査線Ｓ
Ｌにより制御される回路においても、第４のトランジス
タＴｒ４のソース電極の電位を有機発光ダイオードＯＬ
ＥＤのカソードの電位より低い負電位Ｖｅｅに接続して
もよい。
【００４２】一般に有機発光ダイオードＯＬＥＤの積層
構造は、図１２に示すようにガラス基板１００などの絶
縁基板上に、アノード層１１０、正孔輸送層１２０、有
機ＥＬ層１３０、カソード層１４０が順に積層されてい
る。有機発光ダイオードＯＬＥＤの積層構造は、図１２
に示した構造に限らず図１３に示すように、ガラス基板
１００などの絶縁基板上に、カソード層１４０、有機Ｅ
Ｌ層１３０、正孔輸送層１２０、アノード層１１０が順
に積層された構造であってもよい。有機発光ダイオード
ＯＬＥＤの積層構造が図１２に示した構造である場合、
有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソードが固定電位であ
る接地電位に接続されたが、図１３に示す構造である場
合、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードが固定電位
に接続される。このような積層構造を有する有機発光ダ
イオードＯＬＥＤに好適な画素回路を図１４および１５
に例示する。
【００４３】図１４は、図１０に示した画素回路におい
て、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードとカソード
を入れ替え、アノードを正電位かつ固定電位である電源
電位Ｖｆｆに接続する。また第４のトランジスタＴｒ４
の負電位Ｖｅｅに接続されていた電極は、電源電位Ｖｆ
ｆより高い電位である正電位Ｖｇｇに接続される。電源
供給線Ｖｄｄに接続されていた第３のトランジスタＴｒ
３の電極は、接地電位となっている低電位線Ｖｈｈに接
続される。
【００４４】また、第３のトランジスタＴｒ３は、ｐチ
ャネルトランジスタからｎチャネルトランジスタへ、第
４のトランジスタＴｒ４はｎチャネルトランジスタから
ｐチャネルトランジスタへ変更する。有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤの発光期間には、電流は電源電位Ｖｆｆか
ら、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、駆動回路１０、第３
のトランジスタＴｒ３を経て接地電位である低電位線Ｖ
ｈｈに流れる。このとき、制御線ＣＳＬをハイとするこ
とで、第３のトランジスタＴｒ３をオン、第４のトラン
ジスタＴｒ４をオフとする。有機発光ダイオードＯＬＥ
Ｄの輝度データの更新期間に制御線ＣＳＬをローとする
と、第３のトランジスタＴｒ３はオフとなり、第４のト
ランジスタＴｒ４がオンとなるので、有機発光ダイオー
ドＯＬＥＤのカソードの電位は、電源電位Ｖｆｆより高
電位である正電位Ｖｇｇとなり、有機発光ダイオードＯ
ＬＥＤは逆バイアス印加状態となる。
【００４５】図１５は、図１１に示した画素回路におい
て、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノードとカソード
を入れ替え、アノードを固定電位である接地電位に接続
する。図１１で駆動回路１０が接続されていた正電位で
ある電源供給線Ｖｄｄを負電位である負電位線Ｖｉｉと
する。また、第４のトランジスタＴｒ４の負電位Ｖｅｅ
に接続されていた電極は、接地電位より高電位である正
電位Ｖｇｇに接続される。有機発光ダイオードＯＬＥＤ
の輝度データの更新期間に、制御線ＣＳＬをハイとする
と、第４のトランジスタＴｒ４がオンとなり第３のトラ
ンジスタＴｒ３がオフとなる。このとき、有機発光ダイ
オードＯＬＥＤのカソードの電位はアノードの電位であ
る電源電位Ｖｆｆより高い正電位Ｖｇｇとなるので有機
発光ダイオードＯＬＥＤは逆バイアス印加状態となる。
【００４６】図１４、図１５で示した画素回路では、第
３、４のトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４を制御線ＣＳＬに
よりオンオフ制御したがこれに限る趣旨ではなく、走査
線ＳＬによりオンオフ制御する構成としてもよい。その
場合、駆動回路１０に輝度データが設定されるときに、
第３のトランジスタＴｒ３がオフかつ第４のトランジス
タＴｒ４がオンとなる型のトランジスタとすればよい。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、残像現象の低減、また
は消費電力の削減が実現できる。また別の観点では、有
機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化の進行を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施の形態１に係る画素の回路を示した図で
ある。
【図２】 実施の形態２に係る画素の回路を示した図で
ある。
【図３】 実施の形態３に係る画素の回路を示した図で
ある。
【図４】 実施の形態３に係る画素の回路を示した図で
ある。
【図５】 実施の形態１、２に係る画素の回路を一般化
して示した図である。
【図６】 実施の形態３に係る画素の回路を一般化して
示した図である。
【図７】 変形例の画素の回路を一般化して示した図で
ある。
【図８】 変形例の画素の回路を一般化して示した図で
ある。
【図９】 従来技術の画素の回路を示した図である。
【図１０】 変形例の画素の回路を一般化して示した図
である。
【図１１】 変形例の画素の回路を一般化して示した図
である。
【図１２】 一般的な有機発光ダイオードの積層構造を
示した図である。
【図１３】 一般的な有機発光ダイオードの積層構造と
は逆の積層構造を示した図である。
【図１４】 変形例の画素の回路を一般化して示した図
である。
【図１５】 変形例の画素の回路を一般化して示した図
である。
【符号の説明】
１０ 駆動回路、 ＯＬＥＤ 有機発光ダイオード、
ＳＣ１ 第１の保持容量、 ＳＣ２ 第２の保持容量、
ＳＬ 走査線、 ＣＳＬ 制御線、 Ｔｒ１第１のト
ランジスタ、 Ｔｒ２ 第２のトランジスタ、 Ｔｒ３
第３のトランジスタ、 Ｔｒ４ 第４のトランジス
タ、 Ｔｒ５ 第５のトランジスタ、Ｔｒ６ 第６のト
ランジスタ、 Ｖｄｄ 電源供給線、 Ｖｅｅ 負電
位、 Ｖｆｆ 電源電位、 Ｖｇｇ 正電位、 Ｖｈｈ
低電位線、 Ｖｉｉ 負電位線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光学素子と並列に電流バイパス素子を設
    け、光学素子に輝度データを設定する動作に応じて電流
    バイパス素子を制御して、光学素子の両端に生じた電圧
    を初期化することを特徴とする表示装置。
  2. 【請求項２】 電流バイパス素子がオンするときに、光
    学素子へ電流を供給する経路を遮断するスイッチを設け
    たことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 【請求項３】 輝度データを設定するためのデータ更新
    指示信号と、電流バイパス素子を制御するための信号を
    共通化し、光学素子の両端に生じた電圧を初期化すると
    同時に、輝度データを設定することを特徴とする請求項
    １または２に記載の表示装置。
  4. 【請求項４】 輝度データを設定するためのデータ更新
    指示信号と、電流バイパス素子を制御するための信号を
    別々に設け、光学素子の両端に生じた電圧の初期化のタ
    イミングを設定可能とすることを特徴とする請求項１ま
    たは２に記載の表示装置。
  5. 【請求項５】 電流の入り口に当たる第１の端子と前記
    電流の出口に当たる第２の端子とを有する光学素子と、
    その光学素子に流すべき電流の変更に際し、所定の期
    間、前記第１の端子の側から電荷を能動的に放電する初
    期化素子とを備えることを特徴とする表示装置。
  6. 【請求項６】 電流の入り口に当たる第１の端子と前記
    電流の出口に当たる第２の端子とを有する光学素子と、
    その光学素子に流すべき電流の変更に際し、所定の期
    間、前記第１の端子の側に蓄電する初期化素子とを備え
    ることを特徴とする表示装置。
  7. 【請求項７】 前記所定の期間に前記初期化素子は前記
    第２の端子を前記第１の端子より高電位となるよう動作
    することを特徴とする請求項５または６のいずれかに記
    載の表示装置。
  8. 【請求項８】前記光学素子の両端に生じた電圧を初期化
    する際に、前記光学素子の両端に、前記光学素子を発光
    させる際に印加すべき電圧を正電圧とした場合の逆電圧
    を印加することを特徴とする請求項１から４のいずれか
    に記載の表示装置。
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