JP2003203340A - 光記録装置及び光記録媒体 - Google Patents
光記録装置及び光記録媒体Info
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- JP2003203340A JP2003203340A JP2002000723A JP2002000723A JP2003203340A JP 2003203340 A JP2003203340 A JP 2003203340A JP 2002000723 A JP2002000723 A JP 2002000723A JP 2002000723 A JP2002000723 A JP 2002000723A JP 2003203340 A JP2003203340 A JP 2003203340A
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- recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 相変化型光記録層を有する光記録媒体に対す
る情報記録方法を最適化することで、より高速記録が可
能な光記録装置を提供する。 【解決手段】 光記録媒体と光ビームとの間の相対的な
走査速度Ｖと光記録媒体の相変化型光記録層における熱
拡散速度との関係から、走査速度ＶがＶ１≦Ｖ２＜Ｖ３
≦Ｖ４なる条件下で、走査速度Ｖ２，Ｖ３を境として、
Ｖ１≦Ｖ≦Ｖ２ではマルチパルス発光波形なる最適な記
録方法を適用し、Ｖ３≦Ｖ≦Ｖ４ではシングルパルス発
光波形なる最適な記録方法を適用するように発光波形を
走査速度に応じて切換え設定することで、Ｖ３以上の高
い走査速度の領域でも十分な変調度と良好なジッタで記
録することができるようにした。
る情報記録方法を最適化することで、より高速記録が可
能な光記録装置を提供する。 【解決手段】 光記録媒体と光ビームとの間の相対的な
走査速度Ｖと光記録媒体の相変化型光記録層における熱
拡散速度との関係から、走査速度ＶがＶ１≦Ｖ２＜Ｖ３
≦Ｖ４なる条件下で、走査速度Ｖ２，Ｖ３を境として、
Ｖ１≦Ｖ≦Ｖ２ではマルチパルス発光波形なる最適な記
録方法を適用し、Ｖ３≦Ｖ≦Ｖ４ではシングルパルス発
光波形なる最適な記録方法を適用するように発光波形を
走査速度に応じて切換え設定することで、Ｖ３以上の高
い走査速度の領域でも十分な変調度と良好なジッタで記
録することができるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＰＤ等の相
変化型光記録層を有する光記録媒体を扱う光記録装置に
関する。
Ｄ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＰＤ等の相
変化型光記録層を有する光記録媒体を扱う光記録装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光記録媒体の高速記録化が進んで
いる。特に、コンパクトディスク（ＣＤ）をベースとし
た追記型光記録媒体であるＣＤ−Ｒは記録モードの簡易
さと幅広い記録速度マージンから高速化が進み、基準速
度からその２４倍相当の記録まで可能になっている。
いる。特に、コンパクトディスク（ＣＤ）をベースとし
た追記型光記録媒体であるＣＤ−Ｒは記録モードの簡易
さと幅広い記録速度マージンから高速化が進み、基準速
度からその２４倍相当の記録まで可能になっている。
【０００３】一方、コンパクトディスクをベースとした
書換え型光記録媒体であるＣＤ−ＲＷは記録モードが急
冷、徐冷を制御することによって行う相変化材料を記録
層材料に用いているため、熱記録モードが複雑で幅広い
記録速度をカバーすることが困難である。例えば、ＣＤ
−ＲＷは基準速度の１〜４倍速までの記録をサポート
し、ＨＳ ＣＤ−ＲＷは基準速度の４〜１０倍速までの
記録をサポートする。また、双方の光ディスクのオーバ
ーラップする４倍速でも、同様の記録方法を用いて記録
することは不可能である。
書換え型光記録媒体であるＣＤ−ＲＷは記録モードが急
冷、徐冷を制御することによって行う相変化材料を記録
層材料に用いているため、熱記録モードが複雑で幅広い
記録速度をカバーすることが困難である。例えば、ＣＤ
−ＲＷは基準速度の１〜４倍速までの記録をサポート
し、ＨＳ ＣＤ−ＲＷは基準速度の４〜１０倍速までの
記録をサポートする。また、双方の光ディスクのオーバ
ーラップする４倍速でも、同様の記録方法を用いて記録
することは不可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】即ち、ＣＤ−ＲＷの場
合、記録層に熱伝導率の高い金属材料を用いていること
と記録のために記録層に印加するエネルギーが高いこと
から、ＣＤ−Ｒのようなシングルパルスでの記録が困難
であり、通常はマルチパルス法を用いて記録するが高速
記録になると高い記録パワーで高速なパルスで記録する
必要があり、十分な記録振幅を得ることが困難となって
いる。
合、記録層に熱伝導率の高い金属材料を用いていること
と記録のために記録層に印加するエネルギーが高いこと
から、ＣＤ−Ｒのようなシングルパルスでの記録が困難
であり、通常はマルチパルス法を用いて記録するが高速
記録になると高い記録パワーで高速なパルスで記録する
必要があり、十分な記録振幅を得ることが困難となって
いる。
【０００５】これは、ＣＤ−ＲＷに限らず、ＰＤ，ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ等の相変化型
光記録層を有する光記録媒体に対して記録する場合でも
同様である。
Ｄ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ等の相変化型
光記録層を有する光記録媒体に対して記録する場合でも
同様である。
【０００６】本発明の目的は、相変化型光記録層を有す
る光記録媒体に対する情報記録方法を最適化すること
で、より高速記録が可能な光記録装置を提供することで
ある。
る光記録媒体に対する情報記録方法を最適化すること
で、より高速記録が可能な光記録装置を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
光ビームが照射されることにより結晶相とアモルファス
相とに可逆的に相変化する相変化型光記録層を有する光
記録媒体に対して強度変調された光ビームを照射するこ
とによりＰＷＭ変調された記録情報を記録する光記録装
置において、前記光記録媒体を回転させる回転駆動機構
と、前記光記録媒体に対して照射する光ビームを発する
レーザ光源と、このレーザ光源を発光させる光源駆動手
段と、前記レーザ光源が発する光ビームの発光波形を設
定して前記光源駆動手段を制御する発光波形設定手段
と、回転駆動される前記光記録媒体とこの光記録媒体に
照射される前記光ビームとの間の走査速度を制御する速
度制御手段と、を備え、記録時における前記走査速度Ｖ
がＶ１≦Ｖ２＜Ｖ３≦Ｖ４なる関係で表され、記録され
るマーク長が基本クロック周期Ｔに対してｎＴ（ｎは自
然数）で表されるとき、前記発光波形設定手段は、前記
走査速度ＶがＶ１≦Ｖ≦Ｖ２の範囲では（ｎ−１）個の
記録パルスからなるマルチパルス発光波形を設定し、前
記走査速度ＶがＶ３≦Ｖ≦Ｖ４の範囲では１つの記録パ
ルスからなるシングルパルス発光波形を設定するように
した。
光ビームが照射されることにより結晶相とアモルファス
相とに可逆的に相変化する相変化型光記録層を有する光
記録媒体に対して強度変調された光ビームを照射するこ
とによりＰＷＭ変調された記録情報を記録する光記録装
置において、前記光記録媒体を回転させる回転駆動機構
と、前記光記録媒体に対して照射する光ビームを発する
レーザ光源と、このレーザ光源を発光させる光源駆動手
段と、前記レーザ光源が発する光ビームの発光波形を設
定して前記光源駆動手段を制御する発光波形設定手段
と、回転駆動される前記光記録媒体とこの光記録媒体に
照射される前記光ビームとの間の走査速度を制御する速
度制御手段と、を備え、記録時における前記走査速度Ｖ
がＶ１≦Ｖ２＜Ｖ３≦Ｖ４なる関係で表され、記録され
るマーク長が基本クロック周期Ｔに対してｎＴ（ｎは自
然数）で表されるとき、前記発光波形設定手段は、前記
走査速度ＶがＶ１≦Ｖ≦Ｖ２の範囲では（ｎ−１）個の
記録パルスからなるマルチパルス発光波形を設定し、前
記走査速度ＶがＶ３≦Ｖ≦Ｖ４の範囲では１つの記録パ
ルスからなるシングルパルス発光波形を設定するように
した。
【０００８】従って、光記録媒体と光ビームとの間の相
対的な走査速度と光記録媒体の相変化型光記録層におけ
る熱拡散速度との関係から、走査速度ＶがＶ１≦Ｖ２＜
Ｖ３≦Ｖ４なる条件下で、走査速度Ｖ２，Ｖ３を境とし
て異なる走査速度での記録モードの領域について各々マ
ルチパルス発光波形、シングルパルス発光波形なる最適
な記録方法を適用することで、高い走査速度の領域でも
十分な変調度と良好なジッタで記録することができる。
対的な走査速度と光記録媒体の相変化型光記録層におけ
る熱拡散速度との関係から、走査速度ＶがＶ１≦Ｖ２＜
Ｖ３≦Ｖ４なる条件下で、走査速度Ｖ２，Ｖ３を境とし
て異なる走査速度での記録モードの領域について各々マ
ルチパルス発光波形、シングルパルス発光波形なる最適
な記録方法を適用することで、高い走査速度の領域でも
十分な変調度と良好なジッタで記録することができる。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の光
記録装置において、前記発光波形設定手段は、前記走査
速度ＶがＶ１≦Ｖ≦Ｖ２の範囲では記録パワーレベルＰ
ｗ，バイアスパワーレベルＰｂ，消去パワーレベルＰｅ
（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値の組合せによるマ
ルチパルス発光波形を設定し、前記走査速度ＶがＶ３≦
Ｖ≦Ｖ４の範囲では前記記録パワーレベルＰｗと前記消
去パワーレベルＰｅの２値の組合せによるシングルパル
ス発光波形を設定するようにした。
記録装置において、前記発光波形設定手段は、前記走査
速度ＶがＶ１≦Ｖ≦Ｖ２の範囲では記録パワーレベルＰ
ｗ，バイアスパワーレベルＰｂ，消去パワーレベルＰｅ
（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値の組合せによるマ
ルチパルス発光波形を設定し、前記走査速度ＶがＶ３≦
Ｖ≦Ｖ４の範囲では前記記録パワーレベルＰｗと前記消
去パワーレベルＰｅの２値の組合せによるシングルパル
ス発光波形を設定するようにした。
【００１０】従って、請求項１記載の発明を実現する上
で、低速記録時のマルチパルス発光波形については記録
パワーレベルＰｗ，バイアスパワーレベルＰｂ，消去パ
ワーレベルＰｅの３値の組合せによるものとし、高速記
録時のシングルパルス発光波形については記録パワーレ
ベルＰｗと消去パワーレベルＰｅの２値の組合せによる
ものとすることにより、何れの走査速度の領域でも十分
な変調度と良好なジッタで記録することができる。
で、低速記録時のマルチパルス発光波形については記録
パワーレベルＰｗ，バイアスパワーレベルＰｂ，消去パ
ワーレベルＰｅの３値の組合せによるものとし、高速記
録時のシングルパルス発光波形については記録パワーレ
ベルＰｗと消去パワーレベルＰｅの２値の組合せによる
ものとすることにより、何れの走査速度の領域でも十分
な変調度と良好なジッタで記録することができる。
【００１１】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の光記録装置において、前記走査速度ＶがＶ１≦Ｖ≦
Ｖ２の範囲で（ｎ−１）個からなる記録パルスのうち２
番目以降の記録パルスのパルス幅をＴｍｐとするとき，
基本クロック周期Ｔに対するパルス比ｚ＝Ｔｍｐ／Ｔが
記録速度Ｖに対して ０．０２（ｓ／ｍ）×Ｖ≦ｚ≦０．０１２（ｓ／ｍ）×
Ｖ＋０．２５ の範囲である。
載の光記録装置において、前記走査速度ＶがＶ１≦Ｖ≦
Ｖ２の範囲で（ｎ−１）個からなる記録パルスのうち２
番目以降の記録パルスのパルス幅をＴｍｐとするとき，
基本クロック周期Ｔに対するパルス比ｚ＝Ｔｍｐ／Ｔが
記録速度Ｖに対して ０．０２（ｓ／ｍ）×Ｖ≦ｚ≦０．０１２（ｓ／ｍ）×
Ｖ＋０．２５ の範囲である。
【００１２】従って、走査速度がＶ１〜Ｖ２と低い速度
領域ではマルチパルス発光波形の発光長さ（パルス幅）
を走査速度に対して変化させているため、Ｖ１〜Ｖ２の
範囲内での最適記録パワーの変動を最小限に抑えること
ができ、Ｖ１〜Ｖ２の範囲内でのＣＡＶ記録対応の何れ
の走査速度でも同等の記録感度と高い変調度を得ること
ができる。
領域ではマルチパルス発光波形の発光長さ（パルス幅）
を走査速度に対して変化させているため、Ｖ１〜Ｖ２の
範囲内での最適記録パワーの変動を最小限に抑えること
ができ、Ｖ１〜Ｖ２の範囲内でのＣＡＶ記録対応の何れ
の走査速度でも同等の記録感度と高い変調度を得ること
ができる。
【００１３】請求項４記載の発明は、請求項３記載の光
記録装置において、前記走査速度Ｖ２は、前記マルチパ
ルス発光波形に従い前記光記録媒体に記録した場合にｚ
＝０．５で記録可能な最高記録線速度である。
記録装置において、前記走査速度Ｖ２は、前記マルチパ
ルス発光波形に従い前記光記録媒体に記録した場合にｚ
＝０．５で記録可能な最高記録線速度である。
【００１４】従って、マルチパルス発光波形を用いて十
分な変調度と良好なジッタで記録することができる最高
記録線速度が明確となる。
分な変調度と良好なジッタで記録することができる最高
記録線速度が明確となる。
【００１５】請求項５記載の発明は、請求項１ないし４
の何れか一記載の光記録装置において、前記走査速度Ｖ
がＶ３≦Ｖ≦Ｖ４の範囲での記録パルスのパルス幅をＴ
ｓｐ＝（ｎ−δ）Ｔとするとき、補正パラメータδが ０≦δ≦０．５ の範囲である。
の何れか一記載の光記録装置において、前記走査速度Ｖ
がＶ３≦Ｖ≦Ｖ４の範囲での記録パルスのパルス幅をＴ
ｓｐ＝（ｎ−δ）Ｔとするとき、補正パラメータδが ０≦δ≦０．５ の範囲である。
【００１６】従って、シングルパルス発光波形における
発光時間（パルス幅）が歪みの影響によるジッタの悪化
を低減できるように最適化されているので、Ｖ３〜Ｖ４
なる高い走査速度でも高い変調度と良好なジッタを得る
ことができる。
発光時間（パルス幅）が歪みの影響によるジッタの悪化
を低減できるように最適化されているので、Ｖ３〜Ｖ４
なる高い走査速度でも高い変調度と良好なジッタを得る
ことができる。
【００１７】請求項６記載の発明は、請求項１ないし５
の何れか一記載の光記録装置において、前記走査速度Ｖ
３は、前記シングルパルス発光波形に従い前記光記録媒
体に記録した場合の歪みパラメータがΔＩ／Ｉ１１≦
０．１となる領域の記録線速度に設定される。
の何れか一記載の光記録装置において、前記走査速度Ｖ
３は、前記シングルパルス発光波形に従い前記光記録媒
体に記録した場合の歪みパラメータがΔＩ／Ｉ１１≦
０．１となる領域の記録線速度に設定される。
【００１８】従って、低走査速度領域の最高走査速度Ｖ
２と高走査速度領域の最低走査速度Ｖ３との関係が熱伝
導の影響を最小限にし得るように最適化されており、発
光波形が切換えられる走査速度範囲が適切な範囲に設定
されているため、何れの走査速度領域でも良好なオーバ
ーライト特性を得ることができる。
２と高走査速度領域の最低走査速度Ｖ３との関係が熱伝
導の影響を最小限にし得るように最適化されており、発
光波形が切換えられる走査速度範囲が適切な範囲に設定
されているため、何れの走査速度領域でも良好なオーバ
ーライト特性を得ることができる。
【００１９】請求項７記載の発明は、請求項１ないし６
の何れか一記載の光記録装置において、前記走査速度Ｖ
２，Ｖ３の比Ｖ３／Ｖ２が、１．２≦Ｖ３／Ｖ２≦２．
０である。
の何れか一記載の光記録装置において、前記走査速度Ｖ
２，Ｖ３の比Ｖ３／Ｖ２が、１．２≦Ｖ３／Ｖ２≦２．
０である。
【００２０】従って、低走査速度領域の最高走査速度Ｖ
２と高走査速度領域の最低走査速度Ｖ３との関係が最適
化されており、発光波形が切換えられる走査速度範囲が
適切な範囲に設定されているため、何れの走査速度領域
でも良好なオーバーライト特性を得ることができる。
２と高走査速度領域の最低走査速度Ｖ３との関係が最適
化されており、発光波形が切換えられる走査速度範囲が
適切な範囲に設定されているため、何れの走査速度領域
でも良好なオーバーライト特性を得ることができる。
【００２１】請求項８記載の発明は、請求項１ないし７
の何れか一記載の光記録装置において、前記光記録媒体
は、透明基板上に下部誘電体層、前記相変化型光記録
層、上部誘電体層及び反射層を有し、前記相変化型光記
録層がＧａ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とし、各々の組成比を
α，β，γとするとき、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ α＋β＋γ≦１ の関係が成り立つ。
の何れか一記載の光記録装置において、前記光記録媒体
は、透明基板上に下部誘電体層、前記相変化型光記録
層、上部誘電体層及び反射層を有し、前記相変化型光記
録層がＧａ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とし、各々の組成比を
α，β，γとするとき、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ α＋β＋γ≦１ の関係が成り立つ。
【００２２】従って、相変化型光記録層の組成として走
査速度ＶがＶ≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる原子
組成を使用しているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で
良好なオーバーライト特性を得ることができる。
査速度ＶがＶ≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる原子
組成を使用しているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で
良好なオーバーライト特性を得ることができる。
【００２３】請求項９記載の発明は、請求項８記載の光
記録装置において、前記反射層は、Ａｇを主成分とする
金属又は合金である。
記録装置において、前記反射層は、Ａｇを主成分とする
金属又は合金である。
【００２４】従って、反射層の組成として走査速度Ｖが
Ｖ≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる反射層材料を使
用しているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で良好なオ
ーバーライト特性を得ることができる。
Ｖ≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる反射層材料を使
用しているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で良好なオ
ーバーライト特性を得ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図面に基
づいて説明する。まず、基本として、本実施の形態の光
記録装置に適用される光記録媒体への記録方法は、光記
録媒体中の相変化型光記録層に光ビームを集光し、当該
光記録媒体を相対的に走査することで行う。記録は光ビ
ームの強度変調によって行う。記録される情報は任意の
ものであるが、記録する際にはマーク長変調、マークエ
ッジ変調又はパルス幅変調（ＰＷＭ）と呼ばれる方法で
変調された記録情報を記録する。ＰＷＭ変調の方法とし
ては、記録するデータの長さ等に従って任意の変調方式
を採用して良いが、一例としてＣＤ−ＲＷ系のＥＦＭ変
調、ＤＶＤ−ＲＷ系のＥＦＭ＋（プラス）変調などがあ
る。このようなＰＷＭ変調された記録情報は基本クロッ
ク周期Ｔに対してｎＴの長さのマークとして光記録媒体
上に記録される。このとき、ｎは自然数であり、変調方
式によってその範囲が決定される。ＥＦＭ変調の場合は
ｎ＝３〜１１であり、ＥＦＭ＋変調ではｎ＝３〜１１，
１４となっている。このような長さｎＴのマークを形成
するには、相変化型光記録層に集光された光ビームを照
射することで形成する。
づいて説明する。まず、基本として、本実施の形態の光
記録装置に適用される光記録媒体への記録方法は、光記
録媒体中の相変化型光記録層に光ビームを集光し、当該
光記録媒体を相対的に走査することで行う。記録は光ビ
ームの強度変調によって行う。記録される情報は任意の
ものであるが、記録する際にはマーク長変調、マークエ
ッジ変調又はパルス幅変調（ＰＷＭ）と呼ばれる方法で
変調された記録情報を記録する。ＰＷＭ変調の方法とし
ては、記録するデータの長さ等に従って任意の変調方式
を採用して良いが、一例としてＣＤ−ＲＷ系のＥＦＭ変
調、ＤＶＤ−ＲＷ系のＥＦＭ＋（プラス）変調などがあ
る。このようなＰＷＭ変調された記録情報は基本クロッ
ク周期Ｔに対してｎＴの長さのマークとして光記録媒体
上に記録される。このとき、ｎは自然数であり、変調方
式によってその範囲が決定される。ＥＦＭ変調の場合は
ｎ＝３〜１１であり、ＥＦＭ＋変調ではｎ＝３〜１１，
１４となっている。このような長さｎＴのマークを形成
するには、相変化型光記録層に集光された光ビームを照
射することで形成する。
【００２６】このような記録に用いられる光記録媒体１
としてＣＤ−ＲＷの構造例を図１に示す。概略的には、
透明基板２上に下部誘電体層３、相変化型光記録層４、
上部誘電体層５、反射層６及びオーバーコート層７を順
に積層させた層構成とされている。このような光記録媒
体１は、ＣＡＶ方式又はＺＣＬＶ方式で回転駆動される
ことを想定している。
としてＣＤ−ＲＷの構造例を図１に示す。概略的には、
透明基板２上に下部誘電体層３、相変化型光記録層４、
上部誘電体層５、反射層６及びオーバーコート層７を順
に積層させた層構成とされている。このような光記録媒
体１は、ＣＡＶ方式又はＺＣＬＶ方式で回転駆動される
ことを想定している。
【００２７】次に、このような光記録媒体１に記録光を
強度変調された光ビームとして照射する場合の発光波形
例について図２を参照して説明する。
強度変調された光ビームとして照射する場合の発光波形
例について図２を参照して説明する。
【００２８】記録光の強度変調の方式には多数の方式が
あるが、制御のしやすさからパルス発光を用いるのが一
般的である。パルス発光の手法としては、１つの記録マ
ークに対して１つのパルス発光（シングルパルス発光波
形）で記録するシングルパルスと、１つの記録マークに
対して複数のパルス発光（マルチルパルス発光波形）を
用いるマルチパルス法とに分けられる。
あるが、制御のしやすさからパルス発光を用いるのが一
般的である。パルス発光の手法としては、１つの記録マ
ークに対して１つのパルス発光（シングルパルス発光波
形）で記録するシングルパルスと、１つの記録マークに
対して複数のパルス発光（マルチルパルス発光波形）を
用いるマルチパルス法とに分けられる。
【００２９】シングルパルス法とマルチパルス法の発光
波形例を図２に示す。図示例は図２（ａ）に示すように
ｎＴ＝５Ｔの長さのマークを記録する場合についてであ
る。ここで、記録極性はＨigh to Ｌowであり、図２
（ａ）のＨighレベルがランドに相当し、Ｌowレベルが
ピットに相当する。シングルパルスの場合の発光波形は
図２（ｂ）のように、５Ｔのピットに対して、５Ｔに近
い長さのパルスが記録パワーＰｗだけ発光する。パワー
レベルとしては、記録パワーレベルＰｗと消去パワーレ
ベルＰｅ（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ）の２値が用いられる。
発光長さ（パルス幅Ｔｓｐ）は特定の規則に従い任意に
設定することが可能であり、（ｎ−δ）Ｔの長さだけ発
光する。ここで、δはｎ毎に設定することができる補正
パラメータである。このようなシングルパルスの記録方
法はＣＤ−Ｒに採用されており、ＣＤ−Ｒの標準規格書
によると（ｎ−１）Ｔのシングルパルス発光での記録方
法が記載されている。
波形例を図２に示す。図示例は図２（ａ）に示すように
ｎＴ＝５Ｔの長さのマークを記録する場合についてであ
る。ここで、記録極性はＨigh to Ｌowであり、図２
（ａ）のＨighレベルがランドに相当し、Ｌowレベルが
ピットに相当する。シングルパルスの場合の発光波形は
図２（ｂ）のように、５Ｔのピットに対して、５Ｔに近
い長さのパルスが記録パワーＰｗだけ発光する。パワー
レベルとしては、記録パワーレベルＰｗと消去パワーレ
ベルＰｅ（ただし、Ｐｗ＞Ｐｅ）の２値が用いられる。
発光長さ（パルス幅Ｔｓｐ）は特定の規則に従い任意に
設定することが可能であり、（ｎ−δ）Ｔの長さだけ発
光する。ここで、δはｎ毎に設定することができる補正
パラメータである。このようなシングルパルスの記録方
法はＣＤ−Ｒに採用されており、ＣＤ−Ｒの標準規格書
によると（ｎ−１）Ｔのシングルパルス発光での記録方
法が記載されている。
【００３０】シングルパルス法の最大の利点は、記録信
号から発光波形への変調方法が容易であり、発光してい
る実時間が長いために高速記録でも十分なエネルギーを
媒体の記録層に加えることができることにある。
号から発光波形への変調方法が容易であり、発光してい
る実時間が長いために高速記録でも十分なエネルギーを
媒体の記録層に加えることができることにある。
【００３１】シングルパルス法の欠点としては、熱伝導
率の高い記録層材料については、媒体にかかるエネルギ
ー量が高いために、温度の上がる領域が広くなり、記録
マークが歪んでしまうことにある。合金材料を相変化型
光記録層４の材料に用いている相変化の光記録媒体１に
対して低速記録時にシングルパルス法を用いると、図３
（ａ）に示すように、走査速度が熱伝導による熱の伝播
に速度に対して遅いため、記録マークの後方の幅が大き
くなる傾向にある（涙状となる）。このような記録マー
クは再生信号に大きく影響し、図３（ｂ）に示すような
再生信号波形の歪みとなってしまう。このような再生信
号はジッタの劣化として影響する。
率の高い記録層材料については、媒体にかかるエネルギ
ー量が高いために、温度の上がる領域が広くなり、記録
マークが歪んでしまうことにある。合金材料を相変化型
光記録層４の材料に用いている相変化の光記録媒体１に
対して低速記録時にシングルパルス法を用いると、図３
（ａ）に示すように、走査速度が熱伝導による熱の伝播
に速度に対して遅いため、記録マークの後方の幅が大き
くなる傾向にある（涙状となる）。このような記録マー
クは再生信号に大きく影響し、図３（ｂ）に示すような
再生信号波形の歪みとなってしまう。このような再生信
号はジッタの劣化として影響する。
【００３２】また、光記録媒体１にかかる絶対的なエネ
ルギー量が高いため、多数回の繰返し記録（オーバーラ
イト記録）に媒体が耐えることができない傾向にある。
ルギー量が高いため、多数回の繰返し記録（オーバーラ
イト記録）に媒体が耐えることができない傾向にある。
【００３３】このような理由で、シングルパルス法は相
変化型の光記録媒体１には向かないとされている。
変化型の光記録媒体１には向かないとされている。
【００３４】一方、図２（ｃ）にマルチパルス法の発光
波形例を示す。複数個の記録パルスからなるマルチパル
ス発光波形は、記録パワーレベルＰｗ，バイアスパワー
レベルＰｂ，消去パワーレベルＰｅ（ただし、Ｐｗ＞Ｐ
ｅ＞Ｐｂ）の３値の組合せにより構成される。パルスの
数は任意に設定できるが、図示例ではｎＴ＝５Ｔの長さ
のマークを記録する場合に（ｎ−１）＝４個の記録パル
スを用いる場合である。各パルスの幅は任意に設定でき
るが、１パルス目のパルス幅Ｔｔｏｐを広めに設定し、
２パルス以降のパルス幅Ｔｍｐは同一とするのが制御上
単純であると同時に多種の長さのマークを形成する場合
にマーク長のばらつきを抑えることができるため有利で
ある。パルス幅Ｔｍｐはマルチパルス法を用いる場合、
１パルス目のパルス幅Ｔｔｏｐ、最後の冷却パルス幅Ｔ
ｏｆｆを固有の幅に設定することができる。
波形例を示す。複数個の記録パルスからなるマルチパル
ス発光波形は、記録パワーレベルＰｗ，バイアスパワー
レベルＰｂ，消去パワーレベルＰｅ（ただし、Ｐｗ＞Ｐ
ｅ＞Ｐｂ）の３値の組合せにより構成される。パルスの
数は任意に設定できるが、図示例ではｎＴ＝５Ｔの長さ
のマークを記録する場合に（ｎ−１）＝４個の記録パル
スを用いる場合である。各パルスの幅は任意に設定でき
るが、１パルス目のパルス幅Ｔｔｏｐを広めに設定し、
２パルス以降のパルス幅Ｔｍｐは同一とするのが制御上
単純であると同時に多種の長さのマークを形成する場合
にマーク長のばらつきを抑えることができるため有利で
ある。パルス幅Ｔｍｐはマルチパルス法を用いる場合、
１パルス目のパルス幅Ｔｔｏｐ、最後の冷却パルス幅Ｔ
ｏｆｆを固有の幅に設定することができる。
【００３５】マルチパルス法は短いマークも長いマーク
を記録する場合も光記録媒体１の熱伝導の影響を受けに
くく、均一にエネルギーを加えることが可能なため、歪
みの少ないマークを形成することができ、ジッタを改善
できる。また、光記録媒体１にかかるエネルギー量も小
さくなるため、多数回の繰返し記録（オーバーライト記
録）でも劣化が遅い傾向にある。しかし、基本クロック
周期Ｔに近い細い記録パルスを射出する必要があるた
め、高周波数に対応でき、かつ、応答の速い回路（レー
ザーダイオード，アナログ回路）が必要となる。
を記録する場合も光記録媒体１の熱伝導の影響を受けに
くく、均一にエネルギーを加えることが可能なため、歪
みの少ないマークを形成することができ、ジッタを改善
できる。また、光記録媒体１にかかるエネルギー量も小
さくなるため、多数回の繰返し記録（オーバーライト記
録）でも劣化が遅い傾向にある。しかし、基本クロック
周期Ｔに近い細い記録パルスを射出する必要があるた
め、高周波数に対応でき、かつ、応答の速い回路（レー
ザーダイオード，アナログ回路）が必要となる。
【００３６】マルチパルス法を用いる場合、記録パルス
の数も重要な要因となる。記録パルスの数としては（ｎ
−１）個のパルスで記録するのが最も単純でありマーク
長さを揃える上で有利であるため好ましい。
の数も重要な要因となる。記録パルスの数としては（ｎ
−１）個のパルスで記録するのが最も単純でありマーク
長さを揃える上で有利であるため好ましい。
【００３７】このようなマルチパルス法は、ＣＤ−Ｒ
Ｗ，ＤＶＤ−ＲＷ等の相変化型の光記録媒体の記録方法
として採用されている。マルチパルス法は記録する走査
速度Ｖに対してパルス幅Ｔｍｐを変化させることで、異
なる記録速度でも同等の記録パワーで記録することが可
能となる。その例としてＨＳ ＣＤ−ＲＷの標準規格で
あるオレンジブックパートIII ｖｏｌ２で採用されてい
る手法があり、記録線速４．８ｍ／ｓ（４倍速）ではＴ
ｍｐ＝０．２Ｔであり、９．６ｍ／ｓ（８倍速）ではＴ
ｍｐ＝０．４Ｔ，１２．０ｍ／ｓ（１０倍速）では０．
５Ｔとなっている。このように記録パワーを揃えること
が可能であるため、本来ＣＬＶ記録が主流であるＣＤ−
ＲＷにＣＡＶ記録又は半径位置毎に走査速度ＶをＣＡＶ
的に変化させＣＬＶで擬似的なＣＡＶを行うゾーンＣＬ
Ｖ（ＺＣＬＶ）法等が採用できる。
Ｗ，ＤＶＤ−ＲＷ等の相変化型の光記録媒体の記録方法
として採用されている。マルチパルス法は記録する走査
速度Ｖに対してパルス幅Ｔｍｐを変化させることで、異
なる記録速度でも同等の記録パワーで記録することが可
能となる。その例としてＨＳ ＣＤ−ＲＷの標準規格で
あるオレンジブックパートIII ｖｏｌ２で採用されてい
る手法があり、記録線速４．８ｍ／ｓ（４倍速）ではＴ
ｍｐ＝０．２Ｔであり、９．６ｍ／ｓ（８倍速）ではＴ
ｍｐ＝０．４Ｔ，１２．０ｍ／ｓ（１０倍速）では０．
５Ｔとなっている。このように記録パワーを揃えること
が可能であるため、本来ＣＬＶ記録が主流であるＣＤ−
ＲＷにＣＡＶ記録又は半径位置毎に走査速度ＶをＣＡＶ
的に変化させＣＬＶで擬似的なＣＡＶを行うゾーンＣＬ
Ｖ（ＺＣＬＶ）法等が採用できる。
【００３８】パルス幅Ｔｍｐは通常０．５Ｔを最大とす
る。従って、光記録媒体の記録可能な最高速度でＴｍｐ
＝０．５Ｔとするのが好ましい。Ｔｍｐ＞０．５Ｔにな
ると，シングルパルスと同様の効果が出て記録マークに
歪みが発生する。そのため、記録速度ＶとＴｍｐ／Ｔの
関係は図４に示すようになる。つまり、或る線速度以上
の走査線速度で記録する場合はＴｍｐを０．５Ｔ近傍に
設定する。
る。従って、光記録媒体の記録可能な最高速度でＴｍｐ
＝０．５Ｔとするのが好ましい。Ｔｍｐ＞０．５Ｔにな
ると，シングルパルスと同様の効果が出て記録マークに
歪みが発生する。そのため、記録速度ＶとＴｍｐ／Ｔの
関係は図４に示すようになる。つまり、或る線速度以上
の走査線速度で記録する場合はＴｍｐを０．５Ｔ近傍に
設定する。
【００３９】従って、幅広い記録速度（走査速度）に対
応するためにはＴｍｐ＝０．５Ｔで記録できる最高記録
速度がその光記録媒体１の最高記録線速度である。Ｔｍ
ｐ＝０．５Ｔのマルチパルス法で記録した場合の記録速
度（走査速度）と変調度の関係を図５に模式的に示す。
高速記録になるにつれて変調度が出なくなる傾向にあ
る。従って、変調度が十分に確保できる走査速度Ｖの上
限値がマルチパルス法での記録可能最高速度Ｖ２とな
る。
応するためにはＴｍｐ＝０．５Ｔで記録できる最高記録
速度がその光記録媒体１の最高記録線速度である。Ｔｍ
ｐ＝０．５Ｔのマルチパルス法で記録した場合の記録速
度（走査速度）と変調度の関係を図５に模式的に示す。
高速記録になるにつれて変調度が出なくなる傾向にあ
る。従って、変調度が十分に確保できる走査速度Ｖの上
限値がマルチパルス法での記録可能最高速度Ｖ２とな
る。
【００４０】一方、シングルパルスによる歪みを表すパ
ラメータとしてΔＩ／Ｉ１１を定義する（図３参照）。
Ｉ１１はＥＦＭ記録の場合の１１Ｔ振幅であり、ΔＩは
ＩＩＴ信号の歪み量を表す。シングルパルス記録を行っ
た場合、記録速度と歪みパラメータΔＩ／Ｉ１１の関係
は図６に示すようなる。記録時の走査速度Ｖが高くなる
と、熱伝導の影響が無視できる記録モードになるため、
歪みは小さくなる傾向にある。つまり、歪みが十分に無
視できる領域からシングルパルス法で記録可能な最低線
速（走査速度）Ｖ３が設定される。
ラメータとしてΔＩ／Ｉ１１を定義する（図３参照）。
Ｉ１１はＥＦＭ記録の場合の１１Ｔ振幅であり、ΔＩは
ＩＩＴ信号の歪み量を表す。シングルパルス記録を行っ
た場合、記録速度と歪みパラメータΔＩ／Ｉ１１の関係
は図６に示すようなる。記録時の走査速度Ｖが高くなる
と、熱伝導の影響が無視できる記録モードになるため、
歪みは小さくなる傾向にある。つまり、歪みが十分に無
視できる領域からシングルパルス法で記録可能な最低線
速（走査速度）Ｖ３が設定される。
【００４１】本実施の形態の光記録装置で用いる記録方
法は、これらの考察事項を踏まえて、光ビームと光記録
媒体１との間の相対速度である走査速度Ｖが、Ｖ２＜Ｖ
３なる条件下に、Ｖ≦Ｖ２なる速度領域ではマルチパル
ス法により光ビームを発光させる記録方法により記録を
行い、Ｖ≧Ｖ３なる速度領域ではシングルパルス法によ
り光ビームを発光させる記録方法により記録させるよう
にしたものである。
法は、これらの考察事項を踏まえて、光ビームと光記録
媒体１との間の相対速度である走査速度Ｖが、Ｖ２＜Ｖ
３なる条件下に、Ｖ≦Ｖ２なる速度領域ではマルチパル
ス法により光ビームを発光させる記録方法により記録を
行い、Ｖ≧Ｖ３なる速度領域ではシングルパルス法によ
り光ビームを発光させる記録方法により記録させるよう
にしたものである。
【００４２】即ち、Ｖ１≦Ｖ≦Ｖ２なる速度範囲で記録
する場合は（ｎ−１）個の記録パルスからなるマルチパ
ルス法を用いる。マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐと基本
クロック周期Ｔとの比率ｚ＝Ｔｍｐ／Ｔは走査速度の上
昇に従って大きくなっていくことが、前述の通り、ＣＡ
Ｖ記録に対応するために好ましく、図７に示すように、
０．０２Ｖ≦ｚ≦０．０１．２Ｖ＋０．２５であること
が好ましい。この範囲内に設定することでＶ１≦Ｖ≦Ｖ
２なる速度範囲での最適記録パワーの変動を最小限に抑
えることができ、Ｖ１〜Ｖ２なる速度範囲内でＣＡＶ記
録に対応することができる。
する場合は（ｎ−１）個の記録パルスからなるマルチパ
ルス法を用いる。マルチパルスのパルス幅Ｔｍｐと基本
クロック周期Ｔとの比率ｚ＝Ｔｍｐ／Ｔは走査速度の上
昇に従って大きくなっていくことが、前述の通り、ＣＡ
Ｖ記録に対応するために好ましく、図７に示すように、
０．０２Ｖ≦ｚ≦０．０１．２Ｖ＋０．２５であること
が好ましい。この範囲内に設定することでＶ１≦Ｖ≦Ｖ
２なる速度範囲での最適記録パワーの変動を最小限に抑
えることができ、Ｖ１〜Ｖ２なる速度範囲内でＣＡＶ記
録に対応することができる。
【００４３】一方、Ｖ３≦Ｖ≦Ｖ４なる速度範囲での記
録にはシングルパルス法を用いる。シングルパルス法を
用いる最低記録速度Ｖ３とマルチパルス法での最高記録
速度Ｖ２とはＶ２＜Ｖ３なる関係を満たさなくてはなら
ない。Ｖ３は歪みパラメータΔＩ／Ｉ１１≦０．１とな
る点に設定することで、歪みの影響によるジッタの悪化
を低減できるので好ましく、Ｖ２とＶ３との比がＶ３／
Ｖ２≧１．２とすることが熱伝導の影響を最小限にする
ために好ましく、記録感度を実現可能な範囲に設定する
ためにはＶ３／Ｖ２≦２．０とすることが好ましい。
録にはシングルパルス法を用いる。シングルパルス法を
用いる最低記録速度Ｖ３とマルチパルス法での最高記録
速度Ｖ２とはＶ２＜Ｖ３なる関係を満たさなくてはなら
ない。Ｖ３は歪みパラメータΔＩ／Ｉ１１≦０．１とな
る点に設定することで、歪みの影響によるジッタの悪化
を低減できるので好ましく、Ｖ２とＶ３との比がＶ３／
Ｖ２≧１．２とすることが熱伝導の影響を最小限にする
ために好ましく、記録感度を実現可能な範囲に設定する
ためにはＶ３／Ｖ２≦２．０とすることが好ましい。
【００４４】シングルパルスの発光パルス幅Ｔｓｐはｎ
に対して任意のものを設定できるが、（ｎ−δ）Ｔに設
定することが好ましく、０≦δ≦０．５とすることが好
ましい。発光パルスが最適な範囲内にあるので、高い変
調度を確保できるとともに、高いオーバーライト特性を
得ることができる。
に対して任意のものを設定できるが、（ｎ−δ）Ｔに設
定することが好ましく、０≦δ≦０．５とすることが好
ましい。発光パルスが最適な範囲内にあるので、高い変
調度を確保できるとともに、高いオーバーライト特性を
得ることができる。
【００４５】図８はこのような記録方法を実現するため
の本実施の形態の光記録装置の構成の一例を示す。ま
ず、光記録媒体１に対して、この光記録媒体１をＣＡＶ
方式又はＺＣＬＶ方式に従い回転駆動させるスピンドル
モータ１２を含み回転駆動機構を構成する回転機構１３
が設けられているとともに、光記録媒体１に対してレー
ザ光による光ビームを集光照射させる対物レンズや半導
体レーザ等のレーザ光源を備えた光ヘッド１４がディス
ク半径方向にシーク移動自在に設けられている。光ヘッ
ド１４の対物レンズ駆動装置や出力系に対してはサーボ
機構１５が接続されている。また、光ヘッド１４中の受
光素子等により検出される再生信号から変調度を算出す
る等の再生動作に関与する再生信号検出手段１６が設け
られている。これらのサーボ機構１５や再生信号検出手
段１６にはプログラマブルＢＰＦ１７を含むウォブル検
出部１８が接続されている。ウォブル検出部１８には検
出されたウォブル信号からアドレスを復調するアドレス
復調回路１９が接続されている。このアドレス復調回路
１９にはＰＬＬシンセサイザ回路２０を含む記録クロッ
ク生成部２１が接続されている。ＰＬＬシンセサイザ回
路２０には速度制御手段として機能するドライブコント
ローラ２２が接続されている。システムコントローラ２
３に接続されたこのドライブコントローラ２２には、回
転機構１３、サーボ機構１５、再生信号検出手段１６、
ウォブル検出部１８及びアドレス復調回路１９も接続さ
れている。
の本実施の形態の光記録装置の構成の一例を示す。ま
ず、光記録媒体１に対して、この光記録媒体１をＣＡＶ
方式又はＺＣＬＶ方式に従い回転駆動させるスピンドル
モータ１２を含み回転駆動機構を構成する回転機構１３
が設けられているとともに、光記録媒体１に対してレー
ザ光による光ビームを集光照射させる対物レンズや半導
体レーザ等のレーザ光源を備えた光ヘッド１４がディス
ク半径方向にシーク移動自在に設けられている。光ヘッ
ド１４の対物レンズ駆動装置や出力系に対してはサーボ
機構１５が接続されている。また、光ヘッド１４中の受
光素子等により検出される再生信号から変調度を算出す
る等の再生動作に関与する再生信号検出手段１６が設け
られている。これらのサーボ機構１５や再生信号検出手
段１６にはプログラマブルＢＰＦ１７を含むウォブル検
出部１８が接続されている。ウォブル検出部１８には検
出されたウォブル信号からアドレスを復調するアドレス
復調回路１９が接続されている。このアドレス復調回路
１９にはＰＬＬシンセサイザ回路２０を含む記録クロッ
ク生成部２１が接続されている。ＰＬＬシンセサイザ回
路２０には速度制御手段として機能するドライブコント
ローラ２２が接続されている。システムコントローラ２
３に接続されたこのドライブコントローラ２２には、回
転機構１３、サーボ機構１５、再生信号検出手段１６、
ウォブル検出部１８及びアドレス復調回路１９も接続さ
れている。
【００４６】また、記録パワー演算手段２４を備えると
ともにシステムコントローラ２３にはＥＦＭエンコーダ
２５やＬＤ制御手段２６が接続されている。このＬＤ制
御手段２６は、マルチパルス発光波形用の複数個の記録
パルス（先頭加熱パルス、加熱パルス、冷却パルス及び
消去パルス等）や、シングルパルス発光波形用の１つの
記録パルスなどのパルス列制御信号を生成する記録パル
ス列生成部２７を含む。この記録パルス列生成部２７は
システムコントローラ２３とともに発光波形設定手段を
構成する。ＬＤ制御手段２６の出力側には、前述したよ
うな走査速度Ｖ１≦Ｖ≦Ｖ２なるマルチパルス発光波形
での動作時にはその波形に従い記録パワーレベルＰｗと
バイアスパワーレベルＰｂと消去パワーレベルＰｅとの
３値の各々の駆動電流源２９をスイッチングすることで
光ヘッド１４中の半導体レーザを記録情報に応じてパワ
ーレベルＰｗ，Ｐｅ，Ｐｂの何れかで駆動させ、走査速
度Ｖ３≦Ｖ≦Ｖ４なるシングルパルス発光波形での動作
時にはその波形に従い記録パワーレベルＰｗと消去パワ
ーレベルＰｅとの２値の各々の駆動電流源２９をスイッ
チングすることで光ヘッド１４中の半導体レーザを記録
情報に応じてパワーレベルＰｗ，Ｐｅの何れかで駆動さ
せる光源駆動手段としてのドライバ回路であるＬＤ駆動
手段３０が接続されている。
ともにシステムコントローラ２３にはＥＦＭエンコーダ
２５やＬＤ制御手段２６が接続されている。このＬＤ制
御手段２６は、マルチパルス発光波形用の複数個の記録
パルス（先頭加熱パルス、加熱パルス、冷却パルス及び
消去パルス等）や、シングルパルス発光波形用の１つの
記録パルスなどのパルス列制御信号を生成する記録パル
ス列生成部２７を含む。この記録パルス列生成部２７は
システムコントローラ２３とともに発光波形設定手段を
構成する。ＬＤ制御手段２６の出力側には、前述したよ
うな走査速度Ｖ１≦Ｖ≦Ｖ２なるマルチパルス発光波形
での動作時にはその波形に従い記録パワーレベルＰｗと
バイアスパワーレベルＰｂと消去パワーレベルＰｅとの
３値の各々の駆動電流源２９をスイッチングすることで
光ヘッド１４中の半導体レーザを記録情報に応じてパワ
ーレベルＰｗ，Ｐｅ，Ｐｂの何れかで駆動させ、走査速
度Ｖ３≦Ｖ≦Ｖ４なるシングルパルス発光波形での動作
時にはその波形に従い記録パワーレベルＰｗと消去パワ
ーレベルＰｅとの２値の各々の駆動電流源２９をスイッ
チングすることで光ヘッド１４中の半導体レーザを記録
情報に応じてパワーレベルＰｗ，Ｐｅの何れかで駆動さ
せる光源駆動手段としてのドライバ回路であるＬＤ駆動
手段３０が接続されている。
【００４７】このような構成において、基本的には、Ｃ
ＡＶ方式又はＺＣＬＶ方式における記録線速度に対応し
たＢＰＦの中心周波数をドライブコントローラ２２によ
りプログラマブルＢＰＦ１７にセットし、ウォブル検出
部１８により検出されたウォブル信号からアドレス復調
回路１９によりアドレス復調するとともに、ドライブコ
ントローラ２２によって基本クロック周波数を変化させ
たＰＬＬシンセサイザ回路２０により、任意の記録線速
度における基本クロック周期を規定する記録チャンネル
クロックを生成し記録パルス列生成部２７に出力する。
ＡＶ方式又はＺＣＬＶ方式における記録線速度に対応し
たＢＰＦの中心周波数をドライブコントローラ２２によ
りプログラマブルＢＰＦ１７にセットし、ウォブル検出
部１８により検出されたウォブル信号からアドレス復調
回路１９によりアドレス復調するとともに、ドライブコ
ントローラ２２によって基本クロック周波数を変化させ
たＰＬＬシンセサイザ回路２０により、任意の記録線速
度における基本クロック周期を規定する記録チャンネル
クロックを生成し記録パルス列生成部２７に出力する。
【００４８】次に、半導体レーザ用の記録パルスを発生
させるため、記録パルス列生成部２７には記録チャンネ
ルクロックと記録情報であるＥＦＭデータが記録クロッ
ク生成部２１、ＥＦＭエンコーダ２５から各々入力さ
れ、かつ、システムコントローラ２３からはその記録時
の走査速度Ｖに応じてマルチパルス発光波形モードかシ
ングルパルス発光波形モードかを決定するモード信号が
与えられ、記録パルス列生成部２７ではマルチパルス発
光波形モードであればＰｗ，Ｐｅ，Ｐｂの３値のパワー
レベルを組合せる（ｎ−１）個の記録パルスによるマル
チパルス発光波形、シングルパルス発光波形モードであ
ればＰｗ，Ｐｅの２値のパワーレベルを組合せる１個の
記録パルスによるシングルパルス発光波形をパルス列制
御信号として生成する。そして、ＬＤ駆動手段３０で各
々のパルスに応じてパワーレベルＰｗ，Ｐｂ，Ｐｅの各
々の駆動電流源２９をスイッチングする。後は、通常通
り、動作する。
させるため、記録パルス列生成部２７には記録チャンネ
ルクロックと記録情報であるＥＦＭデータが記録クロッ
ク生成部２１、ＥＦＭエンコーダ２５から各々入力さ
れ、かつ、システムコントローラ２３からはその記録時
の走査速度Ｖに応じてマルチパルス発光波形モードかシ
ングルパルス発光波形モードかを決定するモード信号が
与えられ、記録パルス列生成部２７ではマルチパルス発
光波形モードであればＰｗ，Ｐｅ，Ｐｂの３値のパワー
レベルを組合せる（ｎ−１）個の記録パルスによるマル
チパルス発光波形、シングルパルス発光波形モードであ
ればＰｗ，Ｐｅの２値のパワーレベルを組合せる１個の
記録パルスによるシングルパルス発光波形をパルス列制
御信号として生成する。そして、ＬＤ駆動手段３０で各
々のパルスに応じてパワーレベルＰｗ，Ｐｂ，Ｐｅの各
々の駆動電流源２９をスイッチングする。後は、通常通
り、動作する。
【００４９】
【実施例】上記実施の形態に基づく本発明の一実施例に
ついて説明する。連続グルーブを転写したＣＤ−ＲＷ１
用のポリカーボネート製の透明基板２上に下部誘電体層
３、相変化型光記録層４、上部誘電体層５、反射層６及
びオーバーコート層７を順次積層した。
ついて説明する。連続グルーブを転写したＣＤ−ＲＷ１
用のポリカーボネート製の透明基板２上に下部誘電体層
３、相変化型光記録層４、上部誘電体層５、反射層６及
びオーバーコート層７を順次積層した。
【００５０】下部誘電体層３、上部誘電体層５にはＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ２の混合物を用いた。成膜には真空成膜法の
一種であるＲＦマグネトロンスパッタリング法を用い、
各層の膜厚を８０ｎｍ，２０ｎｍとした。
Ｓ−ＳｉＯ２の混合物を用いた。成膜には真空成膜法の
一種であるＲＦマグネトロンスパッタリング法を用い、
各層の膜厚を８０ｎｍ，２０ｎｍとした。
【００５１】相変化型光記録層４の材料としては、相変
化合金であるＧａＳｂＴｅ合金に添加物としてＧｅを添
加したものを用いた。その組成比をＧａαＳｂβＴｅγ
Ｇｅ ηとしたとき、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ ０．０１≦η≦０．０５ の範囲であった。 ただし、α＋β＋γ＋η＝１．０である。
化合金であるＧａＳｂＴｅ合金に添加物としてＧｅを添
加したものを用いた。その組成比をＧａαＳｂβＴｅγ
Ｇｅ ηとしたとき、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ ０．０１≦η≦０．０５ の範囲であった。 ただし、α＋β＋γ＋η＝１．０である。
【００５２】一般論でいえば、Ｇｅは必須ではなく、Ｇ
ａαＳｂβＴｅγを主成分とし、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ α＋β＋γ≦１ の関係が成り立てばよい。
ａαＳｂβＴｅγを主成分とし、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ α＋β＋γ≦１ の関係が成り立てばよい。
【００５３】このような相変化型光記録層４の成膜には
Ａｒガス雰囲気を用いたＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法を用い、その膜厚は２０ｎｍとした。
Ａｒガス雰囲気を用いたＤＣマグネトロンスパッタリン
グ法を用い、その膜厚は２０ｎｍとした。
【００５４】反射層６の材料として、Ａｇを主成分とす
る金属（又は、合金）を用いた。Ａｇの純度は９９．９
％ｗｔとした。反射層６の成膜には記録層と同様のＤＣ
マグネトロンスパッタリング法を用いた。反射層６の膜
厚は１５０ｎｍとした。
る金属（又は、合金）を用いた。Ａｇの純度は９９．９
％ｗｔとした。反射層６の成膜には記録層と同様のＤＣ
マグネトロンスパッタリング法を用いた。反射層６の膜
厚は１５０ｎｍとした。
【００５５】これらのスパッタ膜を積層した透明基板２
上に樹脂製のオーバーコート層７を作成し光記録媒体１
とした。オーバーコート層７の樹脂としては紫外線硬化
樹脂をスピンコート法で均一に塗布し紫外線を照射し硬
化させることで成膜した。オーバーコート層７の膜厚は
４〜１０μｍの膜厚であった。
上に樹脂製のオーバーコート層７を作成し光記録媒体１
とした。オーバーコート層７の樹脂としては紫外線硬化
樹脂をスピンコート法で均一に塗布し紫外線を照射し硬
化させることで成膜した。オーバーコート層７の膜厚は
４〜１０μｍの膜厚であった。
【００５６】得られた光記録媒体１は相変化型光記録層
４の全面が非晶質状態のため、結晶化する必要がある。
市販の相変化光ディスク用初期化装置を使用して全面を
初期化した。初期化装置は高出力半導体レーザを光記録
媒体１に照射・走査することで行う。走査速度は５．０
ｍ／ｓとし、照射するビーム径は幅８０μｍであった。
４の全面が非晶質状態のため、結晶化する必要がある。
市販の相変化光ディスク用初期化装置を使用して全面を
初期化した。初期化装置は高出力半導体レーザを光記録
媒体１に照射・走査することで行う。走査速度は５．０
ｍ／ｓとし、照射するビーム径は幅８０μｍであった。
【００５７】得られた光記録媒体１はグルーブ反射率
２．０％のＣＤ−ＲＷディスクとなった。
２．０％のＣＤ−ＲＷディスクとなった。
【００５８】このようなＣＤ−ＲＷディスクに異なる走
査速度Ｖで記録を行った。記録はマルチパルス法、シン
グルパルス法の双方で行った。記録情報は通常のＣＤ−
ＲＷと同様のＥＦＭ変調されたＰＷＭ信号であり、ラン
ダムパターンとした。
査速度Ｖで記録を行った。記録はマルチパルス法、シン
グルパルス法の双方で行った。記録情報は通常のＣＤ−
ＲＷと同様のＥＦＭ変調されたＰＷＭ信号であり、ラン
ダムパターンとした。
【００５９】記録にはスピンドルテスターＤＤＵ１００
０にパターンジェネレータで作成した記録波形を入力し
て行った。ＤＤＵ１０００の光ピックアップはＮＡ０．
５０，λ＝７８９ｎｍであった。
０にパターンジェネレータで作成した記録波形を入力し
て行った。ＤＤＵ１０００の光ピックアップはＮＡ０．
５０，λ＝７８９ｎｍであった。
【００６０】記録速度（走査速度）と各特性（ｚ、Ｉ１
／Ｉｔｏｐ、初期ジッタ、オーバーライト（ＤＯＷ）１
００後のジッタ、δ、ΔＩ／Ｉ１１、Ｉ１／Ｉｔｏｐ、
初期ジッタ、オーバーライト（ＤＯＷ）１００後のジッ
タ）の測定結果を表１に示す。
／Ｉｔｏｐ、初期ジッタ、オーバーライト（ＤＯＷ）１
００後のジッタ、δ、ΔＩ／Ｉ１１、Ｉ１／Ｉｔｏｐ、
初期ジッタ、オーバーライト（ＤＯＷ）１００後のジッ
タ）の測定結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
【００６２】ジッタ＜３５ｎｓ，Ｉ１１／Ｉｔｏｐ＞
０．５５を目標仕様として考慮すると記録速度（走査速
度）Ｖ，ΔＩ／Ｉ１１，パルス比ｚ等の各パラメータが
前述したように、 Ｖ１≦Ｖ≦Ｖ２…マルチパルス，Ｖ３≦Ｖ≦Ｖ４…シン
グルパルス ０．０２（ｓ／ｍ）×Ｖ≦ｚ≦０．０１２（ｓ／ｍ）×
Ｖ＋０．２５ ｚ＝０．５で走査速度Ｖ２を規定 ０≦δ≦０．５ ΔＩ／Ｉ１１≦０．１で走査速度Ｖ３を規定 １．２≦Ｖ３／Ｖ２≦２．０ のような条件にあることが必要である。
０．５５を目標仕様として考慮すると記録速度（走査速
度）Ｖ，ΔＩ／Ｉ１１，パルス比ｚ等の各パラメータが
前述したように、 Ｖ１≦Ｖ≦Ｖ２…マルチパルス，Ｖ３≦Ｖ≦Ｖ４…シン
グルパルス ０．０２（ｓ／ｍ）×Ｖ≦ｚ≦０．０１２（ｓ／ｍ）×
Ｖ＋０．２５ ｚ＝０．５で走査速度Ｖ２を規定 ０≦δ≦０．５ ΔＩ／Ｉ１１≦０．１で走査速度Ｖ３を規定 １．２≦Ｖ３／Ｖ２≦２．０ のような条件にあることが必要である。
【００６３】この結果、本実施例の場合であれば、Ｖ２
＝２４．０ｍ／ｓ，Ｖ３＝２８．８ｍ／ｓであり、高速
側の特性はシングルパルス法のほうが良好な特性とな
り、低速側はマルチパルス法の方が良好な特性であるこ
とを確認できたものである。
＝２４．０ｍ／ｓ，Ｖ３＝２８．８ｍ／ｓであり、高速
側の特性はシングルパルス法のほうが良好な特性とな
り、低速側はマルチパルス法の方が良好な特性であるこ
とを確認できたものである。
【００６４】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、光記録媒
体と光ビームとの間の相対的な走査速度と光記録媒体の
相変化型光記録層における熱拡散速度との関係から、走
査速度ＶがＶ１≦Ｖ２＜Ｖ３≦Ｖ４なる条件下で、走査
速度Ｖ２，Ｖ３を境として異なる走査速度での記録モー
ドの領域について各々マルチパルス発光波形、シングル
パルス発光波形なる最適な記録方法を適用することで、
高い走査速度の領域でも十分な変調度と良好なジッタで
記録することができる。
体と光ビームとの間の相対的な走査速度と光記録媒体の
相変化型光記録層における熱拡散速度との関係から、走
査速度ＶがＶ１≦Ｖ２＜Ｖ３≦Ｖ４なる条件下で、走査
速度Ｖ２，Ｖ３を境として異なる走査速度での記録モー
ドの領域について各々マルチパルス発光波形、シングル
パルス発光波形なる最適な記録方法を適用することで、
高い走査速度の領域でも十分な変調度と良好なジッタで
記録することができる。
【００６５】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明を実現する上で、低速記録時のマルチパルス発
光波形については記録パワーレベルＰｗ，バイアスパワ
ーレベルＰｂ，消去パワーレベルＰｅの３値の組合せに
よるものとし、高速記録時のシングルパルス発光波形に
ついては記録パワーレベルＰｗと消去パワーレベルＰｅ
の２値の組合せによるものとすることにより、何れの走
査速度の領域でも十分な変調度と良好なジッタで記録す
ることができる。
載の発明を実現する上で、低速記録時のマルチパルス発
光波形については記録パワーレベルＰｗ，バイアスパワ
ーレベルＰｂ，消去パワーレベルＰｅの３値の組合せに
よるものとし、高速記録時のシングルパルス発光波形に
ついては記録パワーレベルＰｗと消去パワーレベルＰｅ
の２値の組合せによるものとすることにより、何れの走
査速度の領域でも十分な変調度と良好なジッタで記録す
ることができる。
【００６６】請求項３記載の発明によれば、請求項１又
は２記載の光記録装置において、走査速度がＶ１〜Ｖ２
と低い速度領域ではマルチパルス発光波形の発光長さ
（パルス幅）を走査速度に対して変化させているため、
Ｖ１〜Ｖ２の範囲内での最適記録パワーの変動を最小限
に抑えることができ、Ｖ１〜Ｖ２の範囲内でのＣＡＶ記
録対応の何れの走査速度でも同等の記録感度と高い変調
度を得ることができる。
は２記載の光記録装置において、走査速度がＶ１〜Ｖ２
と低い速度領域ではマルチパルス発光波形の発光長さ
（パルス幅）を走査速度に対して変化させているため、
Ｖ１〜Ｖ２の範囲内での最適記録パワーの変動を最小限
に抑えることができ、Ｖ１〜Ｖ２の範囲内でのＣＡＶ記
録対応の何れの走査速度でも同等の記録感度と高い変調
度を得ることができる。
【００６７】請求項４記載の発明によれば、請求項３記
載の光記録装置において、マルチパルス発光波形を用い
て十分な変調度と良好なジッタで記録することができる
最高記録線速度が明確となる。
載の光記録装置において、マルチパルス発光波形を用い
て十分な変調度と良好なジッタで記録することができる
最高記録線速度が明確となる。
【００６８】請求項５記載の発明によれば、請求項１な
いし４の何れか一記載の光記録装置において、シングル
パルス発光波形における発光時間（パルス幅）が歪みの
影響によるジッタの悪化を低減できるように最適化され
ているので、Ｖ３〜Ｖ４なる高い走査速度でも高い変調
度と良好なジッタを得ることができる。
いし４の何れか一記載の光記録装置において、シングル
パルス発光波形における発光時間（パルス幅）が歪みの
影響によるジッタの悪化を低減できるように最適化され
ているので、Ｖ３〜Ｖ４なる高い走査速度でも高い変調
度と良好なジッタを得ることができる。
【００６９】請求項６記載の発明によれば、請求項１な
いし５の何れか一記載の光記録装置において、低走査速
度領域の最高走査速度Ｖ２と高走査速度領域の最低走査
速度Ｖ３との関係が熱伝導の影響を最小限にし得るよう
に最適化されており、発光波形が切換えられる走査速度
範囲が適切な範囲に設定されているため、何れの走査速
度領域でも良好なオーバーライト特性を得ることができ
る。
いし５の何れか一記載の光記録装置において、低走査速
度領域の最高走査速度Ｖ２と高走査速度領域の最低走査
速度Ｖ３との関係が熱伝導の影響を最小限にし得るよう
に最適化されており、発光波形が切換えられる走査速度
範囲が適切な範囲に設定されているため、何れの走査速
度領域でも良好なオーバーライト特性を得ることができ
る。
【００７０】請求項７記載の発明によれば、請求項１な
いし６の何れか一記載の光記録装置において、低走査速
度領域の最高走査速度Ｖ２と高走査速度領域の最低走査
速度Ｖ３との関係が最適化されており、発光波形が切換
えられる走査速度範囲が適切な範囲に設定されているた
め、何れの走査速度領域でも良好なオーバーライト特性
を得ることができる。
いし６の何れか一記載の光記録装置において、低走査速
度領域の最高走査速度Ｖ２と高走査速度領域の最低走査
速度Ｖ３との関係が最適化されており、発光波形が切換
えられる走査速度範囲が適切な範囲に設定されているた
め、何れの走査速度領域でも良好なオーバーライト特性
を得ることができる。
【００７１】請求項８記載の発明によれば、請求項１な
いし７の何れか一記載の光記録装置において、相変化型
光記録層の組成として走査速度ＶがＶ≧２４ｍ／ｓの高
速記録に対応できる原子組成を使用しているので、Ｖ３
〜Ｖ４の走査速度範囲で良好なオーバーライト特性を得
ることができる。
いし７の何れか一記載の光記録装置において、相変化型
光記録層の組成として走査速度ＶがＶ≧２４ｍ／ｓの高
速記録に対応できる原子組成を使用しているので、Ｖ３
〜Ｖ４の走査速度範囲で良好なオーバーライト特性を得
ることができる。
【００７２】請求項９記載の発明によれば、請求項８記
載の光記録装置において、反射層の組成として走査速度
ＶがＶ≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる反射層材料
を使用しているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で良好
なオーバーライト特性を得ることができる。
載の光記録装置において、反射層の組成として走査速度
ＶがＶ≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる反射層材料
を使用しているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で良好
なオーバーライト特性を得ることができる。
【図１】本発明の一実施の形態の光記録媒体を示す断面
構造図である。
構造図である。
【図２】発光波形例を示す説明図である。
【図３】シングルパルス記録時の特性を示し、（ａ）は
マーク形状の説明図、（ｂ）はそのマーク再生時の時間
−反射率特性図である。
マーク形状の説明図、（ｂ）はそのマーク再生時の時間
−反射率特性図である。
【図４】記録速度Ｖ−ｚ特性図である。
【図５】記録速度Ｖ−Ｉ１１／Ｉｔｏｐ特性図である。
【図６】記録速度Ｖ−ΔＩ／Ｉ１１特性図である。
【図７】記録速度Ｖ−ｚ特性図である。
【図８】本実施の形態の光記録装置の構成例を示すブロ
ック図である。
ック図である。
１ 光記録媒体
２ 透明基板
３ 下部誘電体層
４ 相変化型光記録層
５ 上部誘電体層
６ 反射層
１３ 回転駆動機構
２２ 速度制御手段
２３，２７ 発光波形設定手段
３０ 光源駆動手段
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年２月７日（２００２．２．７）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 光記録装置及び光記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＰＤ等の相
変化型光記録層を有する光記録媒体を扱う光記録装置及
びこの光記録装置で記録を行う光記録媒体に関する。
Ｄ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＰＤ等の相
変化型光記録層を有する光記録媒体を扱う光記録装置及
びこの光記録装置で記録を行う光記録媒体に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】請求項８記載の発明は、請求項１ないし７
の何れか一記載の光記録装置で記録を行う光記録媒体
は、透明基板上に下部誘電体層、相変化型光記録層、上
部誘電体層及び反射層を有し、前記相変化型光記録層が
Ｇａ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とし、各々の組成比をα，
β，γとするとき、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ α＋β＋γ≦１ の関係が成り立つ。
の何れか一記載の光記録装置で記録を行う光記録媒体
は、透明基板上に下部誘電体層、相変化型光記録層、上
部誘電体層及び反射層を有し、前記相変化型光記録層が
Ｇａ，Ｓｂ，Ｔｅを主成分とし、各々の組成比をα，
β，γとするとき、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ α＋β＋γ≦１ の関係が成り立つ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】請求項９記載の発明は、請求項８記載の光
記録媒体において、前記反射層は、Ａｇを主成分とする
金属又は合金である。
記録媒体において、前記反射層は、Ａｇを主成分とする
金属又は合金である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７１】請求項８記載の発明によれば、請求項１な
いし７の何れか一記載の光記録装置で記録を行う光記録
媒体が、相変化型光記録層の組成として走査速度ＶがＶ
≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる原子組成を使用し
ているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で良好なオーバ
ーライト特性を得ることができる。
いし７の何れか一記載の光記録装置で記録を行う光記録
媒体が、相変化型光記録層の組成として走査速度ＶがＶ
≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる原子組成を使用し
ているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で良好なオーバ
ーライト特性を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７２】請求項９記載の発明によれば、請求項８記
載の光記録媒体において、反射層の組成として走査速度
ＶがＶ≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる反射層材料
を使用しているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で良好
なオーバーライト特性を得ることができる。
載の光記録媒体において、反射層の組成として走査速度
ＶがＶ≧２４ｍ／ｓの高速記録に対応できる反射層材料
を使用しているので、Ｖ３〜Ｖ４の走査速度範囲で良好
なオーバーライト特性を得ることができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ
Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 EA33 FA12
FA21 FA23 FB09 FB12 FB21
FB30
5D029 JA01 MA13
5D090 AA01 BB05 CC02 DD01 EE01
EE05 FF21 KK04 KK05
5D119 AA23 AA24 AA26 BA01 BB04
DA02 HA25 HA27 HA47 HA49
HA52 HA60
5D789 AA23 AA24 AA26 BA01 BB04
DA02 HA25 HA27 HA47 HA49
HA52 HA60
Claims (9)
- 【請求項１】 光ビームが照射されることにより結晶相
とアモルファス相とに可逆的に相変化する相変化型光記
録層を有する光記録媒体に対して強度変調された光ビー
ムを照射することによりＰＷＭ変調された記録情報を記
録する光記録装置において、 前記光記録媒体を回転させる回転駆動機構と、 前記光記録媒体に対して照射する光ビームを発するレー
ザ光源と、 このレーザ光源を発光させる光源駆動手段と、 前記レーザ光源が発する光ビームの発光波形を設定して
前記光源駆動手段を制御する発光波形設定手段と、 回転駆動される前記光記録媒体とこの光記録媒体に照射
される前記光ビームとの間の走査速度を制御する速度制
御手段と、を備え、 記録時における前記走査速度ＶがＶ１≦Ｖ２＜Ｖ３≦Ｖ
４なる関係で表され、記録されるマーク長が基本クロッ
ク周期Ｔに対してｎＴ（ｎは自然数）で表されるとき、
前記発光波形設定手段は、前記走査速度ＶがＶ１≦Ｖ≦
Ｖ２の範囲では（ｎ−１）個の記録パルスからなるマル
チパルス発光波形を設定し、前記走査速度ＶがＶ３≦Ｖ
≦Ｖ４の範囲では１つの記録パルスからなるシングルパ
ルス発光波形を設定するようにしたことを特徴とする光
記録装置。 - 【請求項２】 前記発光波形設定手段は、前記走査速度
ＶがＶ１≦Ｖ≦Ｖ２の範囲では記録パワーレベルＰｗ，
バイアスパワーレベルＰｂ，消去パワーレベルＰｅ（た
だし、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）の３値の組合せによるマルチ
パルス発光波形を設定し、前記走査速度ＶがＶ３≦Ｖ≦
Ｖ４の範囲では前記記録パワーレベルＰｗと前記消去パ
ワーレベルＰｅの２値の組合せによるシングルパルス発
光波形を設定するようにしたことを特徴とする請求項１
記載の光記録装置。 - 【請求項３】 前記走査速度ＶがＶ１≦Ｖ≦Ｖ２の範囲
で（ｎ−１）個からなる記録パルスのうち２番目以降の
記録パルスのパルス幅をＴｍｐとするとき，基本クロッ
ク周期Ｔに対するパルス比ｚ＝Ｔｍｐ／Ｔが記録速度Ｖ
に対して ０．０２（ｓ／ｍ）×Ｖ≦ｚ≦０．０１２（ｓ／ｍ）×
Ｖ＋０．２５ の範囲であることを特徴とする請求項１又は２記載の光
記録装置。 - 【請求項４】 前記走査速度Ｖ２は、前記マルチパルス
発光波形に従い前記光記録媒体に記録した場合にｚ＝
０．５で記録可能な最高記録線速度であることを特徴と
する請求項３記載の光記録装置。 - 【請求項５】 前記走査速度ＶがＶ３≦Ｖ≦Ｖ４の範囲
での記録パルスのパルス幅をＴｓｐ＝（ｎ−δ）Ｔとす
るとき、補正パラメータδが ０≦δ≦０．５ の範囲であることを特徴とする請求項１ないし４の何れ
か一記載の光記録装置。 - 【請求項６】 前記走査速度Ｖ３は、前記シングルパル
ス発光波形に従い前記光記録媒体に記録した場合の歪み
パラメータがΔＩ／Ｉ１１≦０．１となる領域の記録線
速度に設定されることを特徴とする請求項１ないし５の
何れか一記載の光記録装置。 - 【請求項７】 前記走査速度Ｖ２，Ｖ３の比Ｖ３／Ｖ２
が、１．２≦Ｖ３／Ｖ２≦２．０であることを特徴とす
る請求項１ないし６の何れか一記載の光記録装置。 - 【請求項８】 前記光記録媒体は、透明基板上に下部誘
電体層、前記相変化型光記録層、上部誘電体層及び反射
層を有し、前記相変化型光記録層がＧａ，Ｓｂ，Ｔｅを
主成分とし、各々の組成比をα，β，γとするとき、 ０．０４≦α≦０．０８ ０．７３≦β≦０．７９ ０．１９≦γ≦０．２１ α＋β＋γ≦１ の関係が成り立つことを特徴とする請求項１ないし７の
何れか一記載の光記録装置。 - 【請求項９】 前記反射層は、Ａｇを主成分とする金属
又は合金であることを特徴とする請求項８記載の光記録
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002000723A JP2003203340A (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | 光記録装置及び光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002000723A JP2003203340A (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | 光記録装置及び光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003203340A true JP2003203340A (ja) | 2003-07-18 |
Family
ID=27641023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002000723A Pending JP2003203340A (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | 光記録装置及び光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003203340A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038705A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録方法、光学的情報記録装置および光学的情報記録媒体 |
| US7376065B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-05-20 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method, optical recording apparatus and optical storage medium |
| US7443776B2 (en) | 2002-12-13 | 2008-10-28 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| US7564769B2 (en) * | 2004-01-30 | 2009-07-21 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Phase-change recording medium having the relation between pulse patterns and reflectivity of un-recorded section |
| US7602675B2 (en) | 2003-10-17 | 2009-10-13 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
-
2002
- 2002-01-07 JP JP2002000723A patent/JP2003203340A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038705A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 光学的情報記録方法、光学的情報記録装置および光学的情報記録媒体 |
| JPWO2004038705A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2006-02-23 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録方法、光学的情報記録装置および光学的情報記録媒体 |
| US7116623B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording method, optical information recording device and optical information recording medium |
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| US7532555B2 (en) | 2002-12-13 | 2009-05-12 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording layer optical recording method |
| US7602675B2 (en) | 2003-10-17 | 2009-10-13 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| US7376065B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-05-20 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical recording method, optical recording apparatus and optical storage medium |
| US7564769B2 (en) * | 2004-01-30 | 2009-07-21 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Phase-change recording medium having the relation between pulse patterns and reflectivity of un-recorded section |
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|---|---|---|---|
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