JP2001118245A - 情報記録方法及びその装置 - Google Patents
情報記録方法及びその装置Info
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- JP2001118245A JP2001118245A JP29211199A JP29211199A JP2001118245A JP 2001118245 A JP2001118245 A JP 2001118245A JP 29211199 A JP29211199 A JP 29211199A JP 29211199 A JP29211199 A JP 29211199A JP 2001118245 A JP2001118245 A JP 2001118245A
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- pulse
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
- G11B7/00456—Recording strategies, e.g. pulse sequences
Landscapes
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の再生専用メディアの記録フォーマット
との互換性を維持しながら、相変化型の光ディスク媒体
をＣＡＶ方式で回転駆動する簡易な方法を用いて、光デ
ィスク媒体全面に渡って均一な信号特性で記録できる情
報記録方法を提供する。 【解決手段】 記録パルス列における先頭加熱パルスの
前エッジを変化させた先頭加熱パルスデューティ比Ｔto
pと、記録パルス列における最終冷却パルスの後エッジ
を変化させた最終冷却パルスデューティ比Ｔecpと、消
去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワー比Ｅ
との設定値中の少なくとも２つ以上の設定値を、所定の
間隔で更新させることで、ディスク回転数を一定するＣ
ＡＶ制御によって記録線速度が変化しても、相変化型の
光ディスク媒体全面に渡って均一な特性の記録が可能と
なる。
との互換性を維持しながら、相変化型の光ディスク媒体
をＣＡＶ方式で回転駆動する簡易な方法を用いて、光デ
ィスク媒体全面に渡って均一な信号特性で記録できる情
報記録方法を提供する。 【解決手段】 記録パルス列における先頭加熱パルスの
前エッジを変化させた先頭加熱パルスデューティ比Ｔto
pと、記録パルス列における最終冷却パルスの後エッジ
を変化させた最終冷却パルスデューティ比Ｔecpと、消
去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワー比Ｅ
との設定値中の少なくとも２つ以上の設定値を、所定の
間隔で更新させることで、ディスク回転数を一定するＣ
ＡＶ制御によって記録線速度が変化しても、相変化型の
光ディスク媒体全面に渡って均一な特性の記録が可能と
なる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、映像用ＤＶＤ（Ｄ
igital Ｖideo又はＶersatile Ｄisk）やＤＶＤ−ＲＯ
Ｍなどの再生専用のＤＶＤメディアとフォーマットの互
換性を有するＤＶＤ−ＲＷ（ＲeＷritable）ディスク等
の結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録
層を有する相変化型の光ディスク媒体に対する情報記録
方法及びその装置に関する。
igital Ｖideo又はＶersatile Ｄisk）やＤＶＤ−ＲＯ
Ｍなどの再生専用のＤＶＤメディアとフォーマットの互
換性を有するＤＶＤ−ＲＷ（ＲeＷritable）ディスク等
の結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録
層を有する相変化型の光ディスク媒体に対する情報記録
方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マルチメディアの普及に伴い、映像用Ｄ
ＶＤやＤＶＤ−ＲＯＭなどの再生専用メディアや、記録
層として色素材料を用いた追記型のＤＶＤ−Ｒ及び相変
化材料を用いた書換型のＤＶＤ−ＲＷなどの情報記録メ
ディアが開発されている。
ＶＤやＤＶＤ−ＲＯＭなどの再生専用メディアや、記録
層として色素材料を用いた追記型のＤＶＤ−Ｒ及び相変
化材料を用いた書換型のＤＶＤ−ＲＷなどの情報記録メ
ディアが開発されている。
【０００３】これらのＤＶＤメディアの記録されている
情報（この例ではセクタ）は、図７（ａ）に示すような
フォーマットである。このようなフォーマットでは、図
７（ｄ）に示すようにメディアの全トラック上に一定の
線密度で連続的にデータ（セクタ）が記録されている。
情報（この例ではセクタ）は、図７（ａ）に示すような
フォーマットである。このようなフォーマットでは、図
７（ｄ）に示すようにメディアの全トラック上に一定の
線密度で連続的にデータ（セクタ）が記録されている。
【０００４】この再生専用メディアと互換性を有するフ
ォーマットの情報記録媒体とするために、従来では、情
報記録媒体（メディア）の回転速度制御法として図７
（ｂ）に示すようにＣＬＶ（Constant Linear Velocit
y:線速度一定）方式を用いて、トラック半径に反比例し
た回転数になるようにメディアの回転速度を制御し、ト
ラックの線速度を常に一定にしながら、一定の記録チャ
ンネルクロックの周波数で情報の記録を行っている。
ォーマットの情報記録媒体とするために、従来では、情
報記録媒体（メディア）の回転速度制御法として図７
（ｂ）に示すようにＣＬＶ（Constant Linear Velocit
y:線速度一定）方式を用いて、トラック半径に反比例し
た回転数になるようにメディアの回転速度を制御し、ト
ラックの線速度を常に一定にしながら、一定の記録チャ
ンネルクロックの周波数で情報の記録を行っている。
【０００５】しかしながら、ＣＬＶ方式により回転速度
の制御を行うためには、トラックの線速度を常に一定に
するために、メディアの回転速度を変化させる必要があ
る。即ち、メディアを回転駆動するスピンドルモータの
変速を伴なうため、大きな回転トルクを必要とし大型で
高コストなモータが必要となる。また、シーク時におい
て、スピンドルモータの変速を完了するまでに待ち時間
がかかるため、ＨＤＤやＭＯドライブなどと比較して、
多大なアクセス時間を要するという欠点がある。
の制御を行うためには、トラックの線速度を常に一定に
するために、メディアの回転速度を変化させる必要があ
る。即ち、メディアを回転駆動するスピンドルモータの
変速を伴なうため、大きな回転トルクを必要とし大型で
高コストなモータが必要となる。また、シーク時におい
て、スピンドルモータの変速を完了するまでに待ち時間
がかかるため、ＨＤＤやＭＯドライブなどと比較して、
多大なアクセス時間を要するという欠点がある。
【０００６】このようなことから、メディアの回転速度
を変速制御することなく常に一定にして、メディアに記
録を行うには、メディアに記録される情報のフォーマッ
トを図８に示すようなものにすることも考えられてい
る。即ち、図８（ｃ）に示すように、メディアに記録す
るチャンネルクロックの周波数を、トラックの半径位置
に比例させて、内周側で小さく、外周側で大きくさせる
ものである。この場合には、記録線速度は内周側で小さ
く外周側で大きくなるため、図８（ｄ）に示すように記
録線密度は一定である。また、メディアの回転数（回転
速度）を図８（ｂ）に示すように常に一定として、即
ち、ＣＡＶ（Ｃonstant Ａngular Velocity:回転角一
定）方式で、メディアに情報を記録することが可能とな
る。
を変速制御することなく常に一定にして、メディアに記
録を行うには、メディアに記録される情報のフォーマッ
トを図８に示すようなものにすることも考えられてい
る。即ち、図８（ｃ）に示すように、メディアに記録す
るチャンネルクロックの周波数を、トラックの半径位置
に比例させて、内周側で小さく、外周側で大きくさせる
ものである。この場合には、記録線速度は内周側で小さ
く外周側で大きくなるため、図８（ｄ）に示すように記
録線密度は一定である。また、メディアの回転数（回転
速度）を図８（ｂ）に示すように常に一定として、即
ち、ＣＡＶ（Ｃonstant Ａngular Velocity:回転角一
定）方式で、メディアに情報を記録することが可能とな
る。
【０００７】これによって、メディアを回転駆動するス
ピンドルモータの回転変速制御が不要となり、従って、
低回転トルクで良く、小型で低コストなモータが使用で
きるようになる。また、変速を行わないためシーク時の
変速待ち時間が不要となりアクセス時間を大幅に短縮す
ることができる。
ピンドルモータの回転変速制御が不要となり、従って、
低回転トルクで良く、小型で低コストなモータが使用で
きるようになる。また、変速を行わないためシーク時の
変速待ち時間が不要となりアクセス時間を大幅に短縮す
ることができる。
【０００８】しかしながら、一般的に相変化型の光ディ
スク媒体は、特定の記録線速度において記録時のレーザ
発光による記録パルス列のパルス幅と加熱パワー及び消
去パワーの比が最適化され、異なった記録線速度では形
成されたマークやスペースの状態が変化する。即ち、マ
ークの形成に必要な先頭加熱パルスによる熱容量の過不
足が発生したり、冷却速度の変化によってマークの平均
長が異なったり、消去パワーの過不足によって消去不良
や記録膜の劣化が発生するため、再生信号のジッタの悪
化が起こったりオーバーライト回数が減少してしまう。
スク媒体は、特定の記録線速度において記録時のレーザ
発光による記録パルス列のパルス幅と加熱パワー及び消
去パワーの比が最適化され、異なった記録線速度では形
成されたマークやスペースの状態が変化する。即ち、マ
ークの形成に必要な先頭加熱パルスによる熱容量の過不
足が発生したり、冷却速度の変化によってマークの平均
長が異なったり、消去パワーの過不足によって消去不良
や記録膜の劣化が発生するため、再生信号のジッタの悪
化が起こったりオーバーライト回数が減少してしまう。
【０００９】この点、例えば特開平５−２２５５７０号
公報によれば、個々の光ディスクの全記録可能領域に対
応する最適記録光量を比較的短時間に求めるために、試
し書き用領域に少なくとも２つの位置に等しい記録線速
度で最適記録光量を求め、補間ルーチンにより求めた２
つの記録線速度における最適記録光量に対して内挿処理
又は外挿処理を行うことにより、全ての記録線速度での
最適記録光量を求めるようにしている。
公報によれば、個々の光ディスクの全記録可能領域に対
応する最適記録光量を比較的短時間に求めるために、試
し書き用領域に少なくとも２つの位置に等しい記録線速
度で最適記録光量を求め、補間ルーチンにより求めた２
つの記録線速度における最適記録光量に対して内挿処理
又は外挿処理を行うことにより、全ての記録線速度での
最適記録光量を求めるようにしている。
【００１０】また、特開平５−２７４６７８号公報によ
れば、ジッタ特性を悪化させることなく、記録に必要な
レーザパワーを低減させるために、光ディスクを一定の
回転数で回転させながら、領域によって異なる基準クロ
ックに基づき情報信号に応じて強度変調された光ビーム
を照射することによって、外周側の領域で内周側の領域
より高い周波数で情報を記録する方法において、光ビー
ムを、各領域において基準クロックの周波数の整数倍の
周波数で周期的にパルス発光する光ビームとし、かつ、
外周側の領域に光ビームが照射されるときに、内周側の
領域に光ビームが照射されるときより、パルス発光のデ
ューティ比を大きくするようにしている。
れば、ジッタ特性を悪化させることなく、記録に必要な
レーザパワーを低減させるために、光ディスクを一定の
回転数で回転させながら、領域によって異なる基準クロ
ックに基づき情報信号に応じて強度変調された光ビーム
を照射することによって、外周側の領域で内周側の領域
より高い周波数で情報を記録する方法において、光ビー
ムを、各領域において基準クロックの周波数の整数倍の
周波数で周期的にパルス発光する光ビームとし、かつ、
外周側の領域に光ビームが照射されるときに、内周側の
領域に光ビームが照射されるときより、パルス発光のデ
ューティ比を大きくするようにしている。
【００１１】さらに、特開平１０−１０６００８号公報
によれば、高速・高信頼性の記録が可能な光ディスク装
置を提供するために、光ディスク、光ヘッド、同期信号
生成手段、ＶＣＯ、位相比較手段、コントローラ及び記
録信号生成手段を具備し、記録線速度に応じて記録信号
のパルス高さ・幅を変化させることで、常に最良の記録
条件で記録を行えるようにしている。
によれば、高速・高信頼性の記録が可能な光ディスク装
置を提供するために、光ディスク、光ヘッド、同期信号
生成手段、ＶＣＯ、位相比較手段、コントローラ及び記
録信号生成手段を具備し、記録線速度に応じて記録信号
のパルス高さ・幅を変化させることで、常に最良の記録
条件で記録を行えるようにしている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】即ち、これらの公報例
の場合、ＣＡＶ方式において記録線速度に応じてパルス
発光のデューティ比等の記録パルス列の何らかの要素の
設定値を可変させるように制御しているものであるが、
光ディスク媒体に対する定性的な効果であり、特にＤＶ
Ｄの記録メディアに対しては不十分である。即ち、ジッ
タ特性等の記録情報（ＲＦ信号）の特性変動には複数の
要因が相互に作用しているため、これらの公報例のよう
な記録方法では不十分で必ずしも光ディスク媒体の全面
に渡って均一な信号特性で記録することができず、必ず
しも所望の効果が得られるものではない。また、記録パ
ルス列の設定値を変化させるにしても、その変化のさせ
方について定量的には検討されていないものである。
の場合、ＣＡＶ方式において記録線速度に応じてパルス
発光のデューティ比等の記録パルス列の何らかの要素の
設定値を可変させるように制御しているものであるが、
光ディスク媒体に対する定性的な効果であり、特にＤＶ
Ｄの記録メディアに対しては不十分である。即ち、ジッ
タ特性等の記録情報（ＲＦ信号）の特性変動には複数の
要因が相互に作用しているため、これらの公報例のよう
な記録方法では不十分で必ずしも光ディスク媒体の全面
に渡って均一な信号特性で記録することができず、必ず
しも所望の効果が得られるものではない。また、記録パ
ルス列の設定値を変化させるにしても、その変化のさせ
方について定量的には検討されていないものである。
【００１３】また、記録パルス列の設定値を変化させる
場合も、設定を変化させた前後で再生信号の変調度やア
シンメトリの変化が生じ、２値化するためのスライスレ
ベルが異なってしまいジッタの悪化が生じてしまう。
場合も、設定を変化させた前後で再生信号の変調度やア
シンメトリの変化が生じ、２値化するためのスライスレ
ベルが異なってしまいジッタの悪化が生じてしまう。
【００１４】そこで、本発明は、結晶相とアモルファス
相とに可逆的に相変化する記録層を有する相変化型の光
ディスク媒体を回転駆動しながら情報を記録するとき、
光ディスク媒体の回転速度を変速制御することなく、ま
た、従来の再生専用メディアの記録フォーマットとの互
換性を維持しながら、簡易な方法を用いて、光ディスク
媒体全面に渡って均一な信号特性で記録することが可能
な情報記録方法及びその装置を提供することを目的とす
る。
相とに可逆的に相変化する記録層を有する相変化型の光
ディスク媒体を回転駆動しながら情報を記録するとき、
光ディスク媒体の回転速度を変速制御することなく、ま
た、従来の再生専用メディアの記録フォーマットとの互
換性を維持しながら、簡易な方法を用いて、光ディスク
媒体全面に渡って均一な信号特性で記録することが可能
な情報記録方法及びその装置を提供することを目的とす
る。
【００１５】また、本発明は、２値化のスライスレベル
に対する変動を抑え、ジッタ特性の悪化を防止して、再
生クロックのＰＬＬも安定動作するような情報記録方法
を提供することを目的とする。
に対する変動を抑え、ジッタ特性の悪化を防止して、再
生クロックのＰＬＬも安定動作するような情報記録方法
を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の情
報記録方法は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相
変化する記録層を有する光ディスク媒体上に、レーザ光
源から照射されるレーザ光が加熱パルスと冷却パルスと
からなる記録パルス列により情報を記録する際に、記録
線速度の変化に応じて記録クロック周期Ｔを変化させ
て、記録線密度が略一定となるようにして記録を行うと
ともに、前記記録パルス列における先頭加熱パルスの前
エッジを変化させた先頭加熱パルスデューティ比Ｔtop
と、前記記録パルス列における最終冷却パルスの後エッ
ジを変化させた最終冷却パルスデューティ比Ｔecpと、
消去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワー比
Ｅとの前記記録パルス列の設定値中の少なくとも２つ以
上の設定値を、所定の間隔で更新するようにした。
報記録方法は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相
変化する記録層を有する光ディスク媒体上に、レーザ光
源から照射されるレーザ光が加熱パルスと冷却パルスと
からなる記録パルス列により情報を記録する際に、記録
線速度の変化に応じて記録クロック周期Ｔを変化させ
て、記録線密度が略一定となるようにして記録を行うと
ともに、前記記録パルス列における先頭加熱パルスの前
エッジを変化させた先頭加熱パルスデューティ比Ｔtop
と、前記記録パルス列における最終冷却パルスの後エッ
ジを変化させた最終冷却パルスデューティ比Ｔecpと、
消去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワー比
Ｅとの前記記録パルス列の設定値中の少なくとも２つ以
上の設定値を、所定の間隔で更新するようにした。
【００１７】従って、記録パルス列における先頭加熱パ
ルスの前エッジを変化させた先頭加熱パルスデューティ
比Ｔtopと、記録パルス列における最終冷却パルスの後
エッジを変化させた最終冷却パルスデューティ比Ｔecp
と、消去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワ
ー比Ｅとの設定値中の少なくとも２つ以上の設定値を、
所定の間隔で更新させることで、ディスク回転数を一定
とするＣＡＶ制御によって記録線速度が変化しても、相
変化型の光ディスク媒体全面に渡って均一な特性の記録
が可能となる。
ルスの前エッジを変化させた先頭加熱パルスデューティ
比Ｔtopと、記録パルス列における最終冷却パルスの後
エッジを変化させた最終冷却パルスデューティ比Ｔecp
と、消去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワ
ー比Ｅとの設定値中の少なくとも２つ以上の設定値を、
所定の間隔で更新させることで、ディスク回転数を一定
とするＣＡＶ制御によって記録線速度が変化しても、相
変化型の光ディスク媒体全面に渡って均一な特性の記録
が可能となる。
【００１８】請求項２記載の発明は、請求項１記載の情
報記録方法において、前記記録線速度の増加に応じて、
前記先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopを増加させ、前
記最終冷却パルスデューティ比Ｔecpを減少させ、前記
消去パワー比Ｅを増加させるように、各々の設定値の変
化量を更新するようにした。
報記録方法において、前記記録線速度の増加に応じて、
前記先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopを増加させ、前
記最終冷却パルスデューティ比Ｔecpを減少させ、前記
消去パワー比Ｅを増加させるように、各々の設定値の変
化量を更新するようにした。
【００１９】従って、ディスク回転数を一定とするＣＡ
Ｖ制御によって記録時の線速度が変化しても、相変化型
の光ディスク媒体の最内周から最外周に渡って全面的に
均一な特性の記録が可能となる。
Ｖ制御によって記録時の線速度が変化しても、相変化型
の光ディスク媒体の最内周から最外周に渡って全面的に
均一な特性の記録が可能となる。
【００２０】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載の情報記録方法において、再生される記録情報の最長
データと最短データとのアシンメトリの差が、前記記録
パルス列の設定値を更新させる前後で１０％以内となる
ように、各々の設定値の変化量又は更新間隔を設定して
なる。
載の情報記録方法において、再生される記録情報の最長
データと最短データとのアシンメトリの差が、前記記録
パルス列の設定値を更新させる前後で１０％以内となる
ように、各々の設定値の変化量又は更新間隔を設定して
なる。
【００２１】従って、２値化のスライスレベルに対する
変動を抑えることができ、ジッタ特性が悪化することな
く、また、再生クロックのＰＬＬの安定性も良好となる
記録が可能となる。
変動を抑えることができ、ジッタ特性が悪化することな
く、また、再生クロックのＰＬＬの安定性も良好となる
記録が可能となる。
【００２２】請求項４記載の発明は、請求項１，２又は
３記載の情報記録方法において、前記記録線速度の増加
に応じて、前記先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopを
０．２Ｔ〜１．０Ｔの範囲、前記最終冷却パルスデュー
ティ比Ｔecpを１．０Ｔ〜０．２Ｔの範囲、前記消去パ
ワー比Ｅを０．３〜０．７の範囲で、各々の設定値の変
化量を増減するようにした。
３記載の情報記録方法において、前記記録線速度の増加
に応じて、前記先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopを
０．２Ｔ〜１．０Ｔの範囲、前記最終冷却パルスデュー
ティ比Ｔecpを１．０Ｔ〜０．２Ｔの範囲、前記消去パ
ワー比Ｅを０．３〜０．７の範囲で、各々の設定値の変
化量を増減するようにした。
【００２３】従って、相変化型の光ディスク媒体に対し
て回転数を一定とするＣＡＶ制御による記録を行なって
も、光ディスク媒体全面に対応した記録パルス列の設定
値の近似が可能となり、記録不良を起こすような設定を
防止して、均一な再生特性が得られる記録が可能とな
る。
て回転数を一定とするＣＡＶ制御による記録を行なって
も、光ディスク媒体全面に対応した記録パルス列の設定
値の近似が可能となり、記録不良を起こすような設定を
防止して、均一な再生特性が得られる記録が可能とな
る。
【００２４】請求項５記載の発明は、請求項１ないし４
の何れか一に記載の情報記録方法において、前記光ディ
スク媒体上にプリフォーマットされた前記記録パルス列
の設定値、若しくは、より以前に所定の領域に記録され
たディスク情報に含まれる前記記録パルス列の設定値の
何れかの、複数の記録線速度毎の最適設定値に基づい
て、前記所定の間隔で更新させる変化量又は勾配を算出
するようにした。
の何れか一に記載の情報記録方法において、前記光ディ
スク媒体上にプリフォーマットされた前記記録パルス列
の設定値、若しくは、より以前に所定の領域に記録され
たディスク情報に含まれる前記記録パルス列の設定値の
何れかの、複数の記録線速度毎の最適設定値に基づい
て、前記所定の間隔で更新させる変化量又は勾配を算出
するようにした。
【００２５】従って、必要以上に設定値の更新をするこ
となく、簡易な方法で光ディスク媒体全面に渡って均一
な特性で記録をすることが可能となる。
となく、簡易な方法で光ディスク媒体全面に渡って均一
な特性で記録をすることが可能となる。
【００２６】請求項６記載の発明は、請求項１ないし５
の何れか一に記載の情報記録方法において、前記光ディ
スク媒体上にプリフォーマットされたアドレス情報を検
出し、前記所定の間隔で更新させる変化量からそのアド
レス情報に対応する前記記録パルス列の設定値を算出
し、前記所定の間隔とアドレスの範囲とを対応付けるよ
うにした。
の何れか一に記載の情報記録方法において、前記光ディ
スク媒体上にプリフォーマットされたアドレス情報を検
出し、前記所定の間隔で更新させる変化量からそのアド
レス情報に対応する前記記録パルス列の設定値を算出
し、前記所定の間隔とアドレスの範囲とを対応付けるよ
うにした。
【００２７】従って、記録中であっても記録パルス列の
最適な設定値からずれないように、設定値の更新の間隔
を容易に認識することが可能となる。よって、ディスク
回転数を一定とするＣＡＶ方式における記録パルス列の
設定値を高精度に更新できる。
最適な設定値からずれないように、設定値の更新の間隔
を容易に認識することが可能となる。よって、ディスク
回転数を一定とするＣＡＶ方式における記録パルス列の
設定値を高精度に更新できる。
【００２８】請求項７記載の発明は、請求項１ないし６
の何れか一記載の情報記録方法において、前記光ディス
ク媒体の前記記録層が、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料
からなる。
の何れか一記載の情報記録方法において、前記光ディス
ク媒体の前記記録層が、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料
からなる。
【００２９】従って、ＣＡＶ制御による記録を行う場
合、全ての記録線速度において記録パルス列の設定を高
精度に行うことが可能となる。
合、全ての記録線速度において記録パルス列の設定を高
精度に行うことが可能となる。
【００３０】請求項８記載の発明の情報記録装置は、結
晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を
有する光ディスク媒体上に、レーザ光源から照射される
レーザ光が加熱パルスと冷却パルスとからなる記録パル
ス列により情報を記録する際に、記録線速度の変化に応
じて記録クロック周期Ｔを変化させて、記録線密度が略
一定となるようにして記録を行う情報記録装置であっ
て、前記記録パルス列における先頭加熱パルスの前エッ
ジと最終冷却パルスの後エッジを変化させるための多数
段のエッジ信号生成回路と、前記記録パルス列における
前記先頭加熱パルスの前エッジを変化させた先頭加熱パ
ルスデューティ比と、前記記録パルス列における前記最
終冷却パルスの後エッジを変化させた最終冷却パルスデ
ューティ比と、消去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対す
る消去パワー比Ｅとの各設定値を算出し随時更新するコ
ントローラと、前記エッジ信号生成回路から出力される
多数段のエッジ信号中から前記各設定値に基づいて所定
のエッジ信号を選択するセレクタと、前記レーザ光源の
出射光量を随時更新するドライバ回路と、を備える。
晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を
有する光ディスク媒体上に、レーザ光源から照射される
レーザ光が加熱パルスと冷却パルスとからなる記録パル
ス列により情報を記録する際に、記録線速度の変化に応
じて記録クロック周期Ｔを変化させて、記録線密度が略
一定となるようにして記録を行う情報記録装置であっ
て、前記記録パルス列における先頭加熱パルスの前エッ
ジと最終冷却パルスの後エッジを変化させるための多数
段のエッジ信号生成回路と、前記記録パルス列における
前記先頭加熱パルスの前エッジを変化させた先頭加熱パ
ルスデューティ比と、前記記録パルス列における前記最
終冷却パルスの後エッジを変化させた最終冷却パルスデ
ューティ比と、消去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対す
る消去パワー比Ｅとの各設定値を算出し随時更新するコ
ントローラと、前記エッジ信号生成回路から出力される
多数段のエッジ信号中から前記各設定値に基づいて所定
のエッジ信号を選択するセレクタと、前記レーザ光源の
出射光量を随時更新するドライバ回路と、を備える。
【００３１】従って、簡易で小規模な回路構成で請求項
１ないし７記載の情報記録方法を用いたＣＡＶ制御によ
る記録が可能となる。
１ないし７記載の情報記録方法を用いたＣＡＶ制御によ
る記録が可能となる。
【００３２】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
ないし図４に基づいて説明する。まず、光ディスク媒体
である相変化型光ディスクで用いる基本的な記録パルス
列は、図１に示すように、そのパルス幅の設定として、
記録パルス列を構成する先頭加熱パルスの先頭加熱パル
スデューティ比Ｔtop と後続するマルチパルス部分の加
熱パルスのデューティ比Ｔmpと最終冷却パルスの最終冷
却パルスデューティ比Ｔecp とがある。また、記録パワ
ーの設定として、加熱パワーＰwと消去パワーＰｅとバ
イアスパワーＰｂとがある。記録パワーについては、マ
ーク形成の状態が消去パワーＰｅ単独ではなく、加熱パ
ワーＰwとの相関を持つため、消去パワーＰｅの加熱パ
ワーＰｗに対する消去パワー比Ｅ（＝Ｐｅ／Ｐｗ）を設
定する。本実施の形態では、これらの設定値のうち、先
頭加熱パルスデューティ比Ｔtop と最終冷却パルスデュ
ーティ比Ｔecp と消去パワー比Ｅとについて、より詳細
な設定を行うものである。
ないし図４に基づいて説明する。まず、光ディスク媒体
である相変化型光ディスクで用いる基本的な記録パルス
列は、図１に示すように、そのパルス幅の設定として、
記録パルス列を構成する先頭加熱パルスの先頭加熱パル
スデューティ比Ｔtop と後続するマルチパルス部分の加
熱パルスのデューティ比Ｔmpと最終冷却パルスの最終冷
却パルスデューティ比Ｔecp とがある。また、記録パワ
ーの設定として、加熱パワーＰwと消去パワーＰｅとバ
イアスパワーＰｂとがある。記録パワーについては、マ
ーク形成の状態が消去パワーＰｅ単独ではなく、加熱パ
ワーＰwとの相関を持つため、消去パワーＰｅの加熱パ
ワーＰｗに対する消去パワー比Ｅ（＝Ｐｅ／Ｐｗ）を設
定する。本実施の形態では、これらの設定値のうち、先
頭加熱パルスデューティ比Ｔtop と最終冷却パルスデュ
ーティ比Ｔecp と消去パワー比Ｅとについて、より詳細
な設定を行うものである。
【００３３】直径１２０ｍｍの相変化型ＤＶＤディスク
に対してＣＡＶ方式で記録制御を行うと、記録線速度は
ディスクの最内周位置で３．５ｍ／ｓ、最外周位置で
８．４ｍ／ｓ程度となる。よって、相変化型の光ディス
ク媒体は広範囲な記録線速度に対して、同一の記録パル
ス列の設定値を用いると、均一な記録を行うことが困難
である。ここに、高線速度になるに従い、先頭加熱パル
スデューティ比Ｐtop による予備加熱は不十分となり、
ＲＦ信号の変調度が低くなったり、アシンメトリが小さ
くなるので、図２に示すように、記録線速度の増加に応
じて先頭加熱パルスデューティ比Ｐtop の設定値を増加
するように更新させることで、十分な熱量を加えること
ができ、良好なるマークの形成を維持できる。
に対してＣＡＶ方式で記録制御を行うと、記録線速度は
ディスクの最内周位置で３．５ｍ／ｓ、最外周位置で
８．４ｍ／ｓ程度となる。よって、相変化型の光ディス
ク媒体は広範囲な記録線速度に対して、同一の記録パル
ス列の設定値を用いると、均一な記録を行うことが困難
である。ここに、高線速度になるに従い、先頭加熱パル
スデューティ比Ｐtop による予備加熱は不十分となり、
ＲＦ信号の変調度が低くなったり、アシンメトリが小さ
くなるので、図２に示すように、記録線速度の増加に応
じて先頭加熱パルスデューティ比Ｐtop の設定値を増加
するように更新させることで、十分な熱量を加えること
ができ、良好なるマークの形成を維持できる。
【００３４】また、高線速度になるに従い、オーバーラ
イト時に必要な消去パワーも冷却速度の増大によって不
足するようになり、消去不良によるジッタの悪化が発生
する。従って、記録線速度の増加に応じて消去パワー比
Ｅの設定値を増加するように更新することで十分な消去
パワーを加えることができ良好なスペースの形成を維持
することができる。
イト時に必要な消去パワーも冷却速度の増大によって不
足するようになり、消去不良によるジッタの悪化が発生
する。従って、記録線速度の増加に応じて消去パワー比
Ｅの設定値を増加するように更新することで十分な消去
パワーを加えることができ良好なスペースの形成を維持
することができる。
【００３５】一方、高線速度になるに従い冷却速度が増
大するため、形成されたマークの平均長が長くなり、Ｒ
Ｆ信号のアシンメトリが大きくなる。従って、高線速度
になるに従い最終冷却パルスデューティ比Ｐecp を減少
させることで、異なる記録線速度においてもＲＦ信号の
特性を一定に保つことができる。
大するため、形成されたマークの平均長が長くなり、Ｒ
Ｆ信号のアシンメトリが大きくなる。従って、高線速度
になるに従い最終冷却パルスデューティ比Ｐecp を減少
させることで、異なる記録線速度においてもＲＦ信号の
特性を一定に保つことができる。
【００３６】このように、記録線速度が半径位置によっ
て変化するＣＡＶ方式によって記録する場合、これらの
設定値を以下のように更新することができる。具体的な
設定値例としては、図３に示すように、先頭加熱パルス
デューティ比Ｔtopは、最内周位置での０．５T（≒１
９．１ｎｓ）から最外周位置での０．８T（≒１２．６
ｎｓ）まで変化させ、トータルで０．３Ｔ長くなるよう
に設定値を更新変更させている。また、先頭加熱パルス
デューティ比Ｔtopの設定値を更新させる間隔は、記録
線速度の幅で約０．３５ｍ／ｓのステップとして段階的
に更新させている。
て変化するＣＡＶ方式によって記録する場合、これらの
設定値を以下のように更新することができる。具体的な
設定値例としては、図３に示すように、先頭加熱パルス
デューティ比Ｔtopは、最内周位置での０．５T（≒１
９．１ｎｓ）から最外周位置での０．８T（≒１２．６
ｎｓ）まで変化させ、トータルで０．３Ｔ長くなるよう
に設定値を更新変更させている。また、先頭加熱パルス
デューティ比Ｔtopの設定値を更新させる間隔は、記録
線速度の幅で約０．３５ｍ／ｓのステップとして段階的
に更新させている。
【００３７】同様に、最終冷却パルスデューティ比Ｔec
p は、最内周位置での０．７Ｔ（≒２６．７ｎｓ）か
ら、最外周位置での０．４T（≒６．３ｎｓ）まで変化
させ、トータルで０．３Ｔ短くなるように設定値を更新
変更している。また、最終冷却パルスデューティ比Ｔec
pの設定値を更新させる間隔も先頭加熱パルスデューテ
ィ比Ｔtopと同様である。
p は、最内周位置での０．７Ｔ（≒２６．７ｎｓ）か
ら、最外周位置での０．４T（≒６．３ｎｓ）まで変化
させ、トータルで０．３Ｔ短くなるように設定値を更新
変更している。また、最終冷却パルスデューティ比Ｔec
pの設定値を更新させる間隔も先頭加熱パルスデューテ
ィ比Ｔtopと同様である。
【００３８】また、消去パワーＰｅに関しても、半導体
レーザ駆動電流源の消去パワー設定値を制御することに
より、消去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パ
ワー比Ｅも、最内周位置での０．４から最外周位置での
０．６まで０．２だけ大きくなるように設定値を更新変
更している。また、消去パワー比Ｅの設定値を更新させ
る間隔も先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopと同様であ
る。
レーザ駆動電流源の消去パワー設定値を制御することに
より、消去パワーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パ
ワー比Ｅも、最内周位置での０．４から最外周位置での
０．６まで０．２だけ大きくなるように設定値を更新変
更している。また、消去パワー比Ｅの設定値を更新させ
る間隔も先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopと同様であ
る。
【００３９】このようにこれらの先頭加熱パルスデュー
ティ比Ｔtop及び消去パワー比Ｅの設定値をディスク外
周側になるにつれて増加させ、最終冷却パルスデューテ
ィ比Ｔecpをディスク外周側になるにつれて減少させる
ように更新変更することで、再生されたＲＦ信号は変調
度やアシンメトリやジッタの悪化が少なく、かつ、オー
バーライト回数の良好な記録が可能となるものである。
ティ比Ｔtop及び消去パワー比Ｅの設定値をディスク外
周側になるにつれて増加させ、最終冷却パルスデューテ
ィ比Ｔecpをディスク外周側になるにつれて減少させる
ように更新変更することで、再生されたＲＦ信号は変調
度やアシンメトリやジッタの悪化が少なく、かつ、オー
バーライト回数の良好な記録が可能となるものである。
【００４０】なお、加熱パワーＰｗは、試し書き（ＯＰ
Ｃ）によって最適値が求められており、記録線速度に応
じて異なった値とすることもできる。
Ｃ）によって最適値が求められており、記録線速度に応
じて異なった値とすることもできる。
【００４１】ところで、上述した各設定値は、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系相変化型光ディスクについての代表的な値で
あり、各種チューニングや材料の組成によって異なった
値とすることもできる。即ち、従来から用いられている
相変化型光ディスク媒体の記録層として、ＧｅＳｂＴｅ
系、ＧｅＴｅＳｂＳ系、ＴｅＧｅＳｎＡｕ系、ＧｅＴｅ
Ｓｎ系、ＳｂＳｅ系、ＳｂＳｅＴｅ系、ＳｎＳｅＴｅ
系、ＧａＳｅＴｅ系、ＧａＳｅＴｅＧｅ系、ＩｎＳｅ
系、ＩｎＳｅＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系などがあり、
本実施の形態では、上述したように、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
系の記録材料を用いている。この記録材料の相変化型光
ディスク媒体にデータの記録をするとき、記録線速度の
変化による加熱→冷却の急冷条件の変化に対してアモル
ファス形成の依存性が高いため、マークの前後エッジ部
に相当する先頭加熱パルスデューティ比Ｔtop、最終冷
却パルスデューティ比Ｔecp及び消去パワー比Ｅによっ
てエッジ部の形状やマークの大きさが左右される。従っ
て、マークの前後エッジ部の形状や大きさは高精度に制
御することが可能である。また、前述した記録パルス列
の設定値の最適値は、ほとんど直線的に近似できる傾向
があり、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料がマーク長を制
御しやすいということがわかる。もっとも、他の記録材
料においても、発光パワーとジッタ特性及びオーバーラ
イト特性の関係や、記録パルス幅とマーク長の関係は基
本的に同じであるため、本記録方式が効果的であること
は言うまでもない。
ＳｂＴｅ系相変化型光ディスクについての代表的な値で
あり、各種チューニングや材料の組成によって異なった
値とすることもできる。即ち、従来から用いられている
相変化型光ディスク媒体の記録層として、ＧｅＳｂＴｅ
系、ＧｅＴｅＳｂＳ系、ＴｅＧｅＳｎＡｕ系、ＧｅＴｅ
Ｓｎ系、ＳｂＳｅ系、ＳｂＳｅＴｅ系、ＳｎＳｅＴｅ
系、ＧａＳｅＴｅ系、ＧａＳｅＴｅＧｅ系、ＩｎＳｅ
系、ＩｎＳｅＴｅ系、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系などがあり、
本実施の形態では、上述したように、ＡｇＩｎＳｂＴｅ
系の記録材料を用いている。この記録材料の相変化型光
ディスク媒体にデータの記録をするとき、記録線速度の
変化による加熱→冷却の急冷条件の変化に対してアモル
ファス形成の依存性が高いため、マークの前後エッジ部
に相当する先頭加熱パルスデューティ比Ｔtop、最終冷
却パルスデューティ比Ｔecp及び消去パワー比Ｅによっ
てエッジ部の形状やマークの大きさが左右される。従っ
て、マークの前後エッジ部の形状や大きさは高精度に制
御することが可能である。また、前述した記録パルス列
の設定値の最適値は、ほとんど直線的に近似できる傾向
があり、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料がマーク長を制
御しやすいということがわかる。もっとも、他の記録材
料においても、発光パワーとジッタ特性及びオーバーラ
イト特性の関係や、記録パルス幅とマーク長の関係は基
本的に同じであるため、本記録方式が効果的であること
は言うまでもない。
【００４２】何れにしても、ＣＡＶ制御による記録を行
うには、加熱部分と冷却部分と消去部分との設定範囲が
限定されるため、先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopに
関しては０．２Ｔ〜１．０Ｔの範囲、最終冷却パルスデ
ューティ比Ｔecpに関しては１．０Ｔ〜０．２Ｔの範
囲、消去パワー比Ｅに関しては０．３〜０．７の範囲
で、各々の設定値の変化量を増減させる必要がある。
うには、加熱部分と冷却部分と消去部分との設定範囲が
限定されるため、先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopに
関しては０．２Ｔ〜１．０Ｔの範囲、最終冷却パルスデ
ューティ比Ｔecpに関しては１．０Ｔ〜０．２Ｔの範
囲、消去パワー比Ｅに関しては０．３〜０．７の範囲
で、各々の設定値の変化量を増減させる必要がある。
【００４３】また、記録線速度の増加に対応して、上述
のように各設定値を更新する間隔としてはＲＦ信号の特
性上は、極力、細かなステップが望ましいがコントロー
ラの負担が増大する。しかしながら、ジッタ特性に多大
な影響を及ぼす最長データと最短データとのアシンメト
リの差は、±１０％以内にする必要がある。図４に示す
ように、設定値を更新変更した時点前後のアシンメトリ
の差が±１０％近傍になると、急激にジッタ特性が悪化
する。ＲＦ信号を２値化するためのスライス回路によっ
て追従する時定数では正確な２値化が行えず、ＲＦ信号
に大きなエッジシフトが生じてしまう。場合によって
は、再生クロック生成のためのＰＬＬが外れることもあ
る。なお、より詳細にはジッタ特性やＰＬＬ安定性を考
慮すると、アシンメトリの差が±５％以内となるよう
に、前述の設定値を更新することが望ましい。
のように各設定値を更新する間隔としてはＲＦ信号の特
性上は、極力、細かなステップが望ましいがコントロー
ラの負担が増大する。しかしながら、ジッタ特性に多大
な影響を及ぼす最長データと最短データとのアシンメト
リの差は、±１０％以内にする必要がある。図４に示す
ように、設定値を更新変更した時点前後のアシンメトリ
の差が±１０％近傍になると、急激にジッタ特性が悪化
する。ＲＦ信号を２値化するためのスライス回路によっ
て追従する時定数では正確な２値化が行えず、ＲＦ信号
に大きなエッジシフトが生じてしまう。場合によって
は、再生クロック生成のためのＰＬＬが外れることもあ
る。なお、より詳細にはジッタ特性やＰＬＬ安定性を考
慮すると、アシンメトリの差が±５％以内となるよう
に、前述の設定値を更新することが望ましい。
【００４４】また、上述した３つの設定値（先頭加熱パ
ルスデューティ比Ｔtop、最終冷却パルスデューティ比
Ｔecp及び消去パワー比Ｅの設定値）は各々の効果が認
められるが、ＲＦ信号の特性変動は相互作用をもつた
め、少なくとも２つの設定値で実施することが望まし
い。なお、本実施の形態のように、３つの設定値（先頭
加熱パルスデューティ比Ｔtop、最終冷却パルスデュー
ティ比Ｔecp及び消去パワー比Ｅの設定値）全てを更新
設定する場合に最も効果があることは言うまでもない。
ルスデューティ比Ｔtop、最終冷却パルスデューティ比
Ｔecp及び消去パワー比Ｅの設定値）は各々の効果が認
められるが、ＲＦ信号の特性変動は相互作用をもつた
め、少なくとも２つの設定値で実施することが望まし
い。なお、本実施の形態のように、３つの設定値（先頭
加熱パルスデューティ比Ｔtop、最終冷却パルスデュー
ティ比Ｔecp及び消去パワー比Ｅの設定値）全てを更新
設定する場合に最も効果があることは言うまでもない。
【００４５】本発明の第二の実施の形態を図５を参照し
て説明する。相変化型の光ディスク媒体には、一般的に
トラッキングエラー信号（プッシュプル信号）を得るた
めのグルーブ溝が形成されており、グルーブ溝を蛇行し
て得られるウォブル信号を重畳しており、各々の記録線
速度において、プログラマブルＢＰＦによって検出し、
周波数変調や位相変調によって符号化されたアドレス情
報を復調することで、未記録ディスクであってもディス
ク固有のアドレス情報とディスク情報が得られるように
なっている。これらの情報は、ランド部の切り込み状の
断続ピット（Land−PrePit信号）によって生成する場合
も知られている。このようなディスク情報に、最小（最
内周）記録線速度と最大（最外周）記録線速度と中間
（中周）記録線速度などの複数の記録線速度における、
最適な先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopと、最終冷却
パルスデューティ比Ｔecpと、消去パワー比Ｅとを予め
埋め込んでおき、これらを読み出すことで（ステップＳ
１）最適な設定値が得られ、記録線速度に対する線形近
似された設定値の変化量（又は、その勾配）を算出する
（Ｓ２）。
て説明する。相変化型の光ディスク媒体には、一般的に
トラッキングエラー信号（プッシュプル信号）を得るた
めのグルーブ溝が形成されており、グルーブ溝を蛇行し
て得られるウォブル信号を重畳しており、各々の記録線
速度において、プログラマブルＢＰＦによって検出し、
周波数変調や位相変調によって符号化されたアドレス情
報を復調することで、未記録ディスクであってもディス
ク固有のアドレス情報とディスク情報が得られるように
なっている。これらの情報は、ランド部の切り込み状の
断続ピット（Land−PrePit信号）によって生成する場合
も知られている。このようなディスク情報に、最小（最
内周）記録線速度と最大（最外周）記録線速度と中間
（中周）記録線速度などの複数の記録線速度における、
最適な先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopと、最終冷却
パルスデューティ比Ｔecpと、消去パワー比Ｅとを予め
埋め込んでおき、これらを読み出すことで（ステップＳ
１）最適な設定値が得られ、記録線速度に対する線形近
似された設定値の変化量（又は、その勾配）を算出する
（Ｓ２）。
【００４６】なお、変化量や勾配は、光ディスク媒体の
特性に合わせて算出すればよく、線形近似以外の近似式
で算出することもできる。次に、ＣＡＶ制御における記
録線速度の範囲から、適正な設定値の更新間隔を算出す
る（Ｓ３）（本実施の形態では、約０．３５ｍ／ｓ毎と
している）。
特性に合わせて算出すればよく、線形近似以外の近似式
で算出することもできる。次に、ＣＡＶ制御における記
録線速度の範囲から、適正な設定値の更新間隔を算出す
る（Ｓ３）（本実施の形態では、約０．３５ｍ／ｓ毎と
している）。
【００４７】このようにして得られた設定値の変化量は
記録線速度に対するものであり、実際には前述のウォブ
ル信号やＬＰＰ信号を復調して得られるアドレス情報で
認識する必要がある。特定のアドレスが最内周位置から
最外周位置まで決められており、記録線速度と対応づけ
できる。次に、設定値を更新する間隔と、その間隔に対
応したアドレスの範囲を割り付けることで（Ｓ４）、更
新すべきアドレスに到達した時点で、設定値を更新する
ことができる（Ｓ５）。実際のＣＡＶ制御による記録中
においては、現在のアドレスを読み出しながら（Ｓ
６）、設定値を更新する範囲内、即ち、アドレス範囲内
にあるかを判定し（Ｓ７）、範囲外になった場合、新た
に算出された設定値に更新して（Ｓ４，Ｓ５）、連続的
に記録を行うことができる。アドレス範囲内にある場合
には、前述した通り、ＣＡＶ制御にて記録を行い（Ｓ
８）、記録終了のアドレスに達するまで同様の処理を繰
り返す（Ｓ９）。このような構成とすることで、コント
ローラによる記録パルス列の制御管理の負担を大幅に軽
減することができる。
記録線速度に対するものであり、実際には前述のウォブ
ル信号やＬＰＰ信号を復調して得られるアドレス情報で
認識する必要がある。特定のアドレスが最内周位置から
最外周位置まで決められており、記録線速度と対応づけ
できる。次に、設定値を更新する間隔と、その間隔に対
応したアドレスの範囲を割り付けることで（Ｓ４）、更
新すべきアドレスに到達した時点で、設定値を更新する
ことができる（Ｓ５）。実際のＣＡＶ制御による記録中
においては、現在のアドレスを読み出しながら（Ｓ
６）、設定値を更新する範囲内、即ち、アドレス範囲内
にあるかを判定し（Ｓ７）、範囲外になった場合、新た
に算出された設定値に更新して（Ｓ４，Ｓ５）、連続的
に記録を行うことができる。アドレス範囲内にある場合
には、前述した通り、ＣＡＶ制御にて記録を行い（Ｓ
８）、記録終了のアドレスに達するまで同様の処理を繰
り返す（Ｓ９）。このような構成とすることで、コント
ローラによる記録パルス列の制御管理の負担を大幅に軽
減することができる。
【００４８】本発明の第三の実施の形態を図６に基づい
て説明する。本実施の形態は、上述した情報記録方法
（先頭加熱パルスデューティ比Ｔtop、最終冷却パルス
デューティ比Ｔecp及び消去パワー比Ｅの設定値を更新
設定しながら）を用いて光ディスク媒体に記録するため
の情報記録装置に関する。
て説明する。本実施の形態は、上述した情報記録方法
（先頭加熱パルスデューティ比Ｔtop、最終冷却パルス
デューティ比Ｔecp及び消去パワー比Ｅの設定値を更新
設定しながら）を用いて光ディスク媒体に記録するため
の情報記録装置に関する。
【００４９】まず、光ディスク媒体１に対して、この光
ディスク媒体１を回転駆動させるスピンドルモータ２を
含む回転機構３が設けられているとともに、光ディスク
媒体１に対してレーザ光を集光照射させる対物レンズや
半導体レーザ等の光源を備えた光ヘッド４がディスク半
径方向にシーク移動自在に設けられている。光ヘッド４
の対物レンズ駆動装置や出力系に対してはサーボ機構５
が接続されている。このサーボ機構５にはプログラマブ
ルＢＰＦ６を含むウォブル検出部７が接続されている。
ウォブル検出部７には検出されたウォブル信号からアド
レスを復調するアドレス復調回路８が接続されている。
このアドレス復調回路８にはＰＬＬシンセサイザ回路９
を含む記録クロック生成部１０が接続されている。ＰＬ
Ｌシンセサイザ回路９にはドライブコントローラ１１が
接続されている。システムコントローラ１２に接続され
たこのドライブコントローラ１１には、回転機構３、サ
ーボ機構５、ウォブル検出部７及びアドレス復調回路８
も接続されている。また、システムコントローラ１２に
はＥＦＭエンコーダ１３や記録パルス列制御部１４が接
続されている。この記録パルス列制御部１４は、先頭加
熱パルスと後続するマルチパルス部分の加熱パルスとを
含む加熱パルス制御信号を生成する記録パルス列生成部
１５の他、後述するセレクタであるエッジセレクタ１６
及びエッジ信号生成回路を構成するゲート素子を用いた
多段遅延素子１７を含む。記録パルス列制御部１４の出
力側には加熱パワーＰｗと消去パワーＰｅとバイアスパ
ワーＰｂとの各々の駆動電流源１８をスイッチングする
ことで光ヘッド４中の半導体レーザを駆動させるドライ
バ回路であるＬＤドライバ１９が接続されている。
ディスク媒体１を回転駆動させるスピンドルモータ２を
含む回転機構３が設けられているとともに、光ディスク
媒体１に対してレーザ光を集光照射させる対物レンズや
半導体レーザ等の光源を備えた光ヘッド４がディスク半
径方向にシーク移動自在に設けられている。光ヘッド４
の対物レンズ駆動装置や出力系に対してはサーボ機構５
が接続されている。このサーボ機構５にはプログラマブ
ルＢＰＦ６を含むウォブル検出部７が接続されている。
ウォブル検出部７には検出されたウォブル信号からアド
レスを復調するアドレス復調回路８が接続されている。
このアドレス復調回路８にはＰＬＬシンセサイザ回路９
を含む記録クロック生成部１０が接続されている。ＰＬ
Ｌシンセサイザ回路９にはドライブコントローラ１１が
接続されている。システムコントローラ１２に接続され
たこのドライブコントローラ１１には、回転機構３、サ
ーボ機構５、ウォブル検出部７及びアドレス復調回路８
も接続されている。また、システムコントローラ１２に
はＥＦＭエンコーダ１３や記録パルス列制御部１４が接
続されている。この記録パルス列制御部１４は、先頭加
熱パルスと後続するマルチパルス部分の加熱パルスとを
含む加熱パルス制御信号を生成する記録パルス列生成部
１５の他、後述するセレクタであるエッジセレクタ１６
及びエッジ信号生成回路を構成するゲート素子を用いた
多段遅延素子１７を含む。記録パルス列制御部１４の出
力側には加熱パワーＰｗと消去パワーＰｅとバイアスパ
ワーＰｂとの各々の駆動電流源１８をスイッチングする
ことで光ヘッド４中の半導体レーザを駆動させるドライ
バ回路であるＬＤドライバ１９が接続されている。
【００５０】このような構成において、記録線速度に対
応したＢＰＦの中心周波数をドライブコントローラ１１
によりプログラマブルＢＰＦ６にセットし、ウォブル検
出部７により検出されたウォブル信号からアドレス復調
回路８によりアドレス復調するとともに、ドライブコン
トローラ１１によって基本クロック周波数を変化させた
ＰＬＬシンセサイザ回路９により、任意の記録線速度に
おける記録チャンネルクロックを生成し記録パルス列制
御部１４に出力する。
応したＢＰＦの中心周波数をドライブコントローラ１１
によりプログラマブルＢＰＦ６にセットし、ウォブル検
出部７により検出されたウォブル信号からアドレス復調
回路８によりアドレス復調するとともに、ドライブコン
トローラ１１によって基本クロック周波数を変化させた
ＰＬＬシンセサイザ回路９により、任意の記録線速度に
おける記録チャンネルクロックを生成し記録パルス列制
御部１４に出力する。
【００５１】次に、半導体レーザによる記録パルス列を
発生させるため、記録パルス列制御部１４には記録チャ
ンネルクロックと記録情報であるＥＦＭデータが記録パ
ルス列制御部１４、ＥＦＭエンコーダ１３から各々入力
され、記録パルス列生成部１５で、先頭加熱パルスと後
続するマルチパルス部分の加熱パルスを含む加熱パルス
制御信号を生成する。そして、消去部分である消去パル
ス制御信号も生成し、ＬＤドライバ１９で加熱パワーＰ
ｗと消去パワーＰｅとバイアスパワーＰｂとの各々の駆
動電流源１８をスイッチングする。記録時にはバイアス
電流源により定常的に冷却パワー相当の消去パワーＰｅ
で半導体レーザを発光をさせ、前述の記録パルス列生成
部１５で生成された加熱パルス制御信号と消去パルス制
御信号とにより 図１に示したような記録パルス列のレ
ーザ発光波形を得ることができる。
発生させるため、記録パルス列制御部１４には記録チャ
ンネルクロックと記録情報であるＥＦＭデータが記録パ
ルス列制御部１４、ＥＦＭエンコーダ１３から各々入力
され、記録パルス列生成部１５で、先頭加熱パルスと後
続するマルチパルス部分の加熱パルスを含む加熱パルス
制御信号を生成する。そして、消去部分である消去パル
ス制御信号も生成し、ＬＤドライバ１９で加熱パワーＰ
ｗと消去パワーＰｅとバイアスパワーＰｂとの各々の駆
動電流源１８をスイッチングする。記録時にはバイアス
電流源により定常的に冷却パワー相当の消去パワーＰｅ
で半導体レーザを発光をさせ、前述の記録パルス列生成
部１５で生成された加熱パルス制御信号と消去パルス制
御信号とにより 図１に示したような記録パルス列のレ
ーザ発光波形を得ることができる。
【００５２】ここに、本実施の形態では、記録パルス列
生成部１５中の先頭加熱パルス生成部に遅延量０．５ｎ
ｓ程度の多段遅延(ゲート遅延)素子１７を配置してお
り、マルチプレクサ構成のエッジセレクタ１６に入力さ
れた後、システムコントローラ１２によって選択された
エッジパルスによって前エッジを可変する先頭加熱パル
ス制御信号が生成される。同様に、最終冷却パルスの後
エッジに相当する記録パルス列生成部１５中の消去パル
ス生成回路においても遅延量０．５ｎｓ程度の多段遅延
素子１７を配置し、エッジセレクタ１６に入力された
後、システムコントローラ１２によって選択されたエッ
ジパルスによって、消去パルス制御信号が生成されてい
る。
生成部１５中の先頭加熱パルス生成部に遅延量０．５ｎ
ｓ程度の多段遅延(ゲート遅延)素子１７を配置してお
り、マルチプレクサ構成のエッジセレクタ１６に入力さ
れた後、システムコントローラ１２によって選択された
エッジパルスによって前エッジを可変する先頭加熱パル
ス制御信号が生成される。同様に、最終冷却パルスの後
エッジに相当する記録パルス列生成部１５中の消去パル
ス生成回路においても遅延量０．５ｎｓ程度の多段遅延
素子１７を配置し、エッジセレクタ１６に入力された
後、システムコントローラ１２によって選択されたエッ
ジパルスによって、消去パルス制御信号が生成されてい
る。
【００５３】従って、本実施の形態の情報記録装置によ
れば、簡易で小規模な回路構成で前述したような先頭加
熱パルスデューティ比Ｔtop、最終冷却パルスデューテ
ィ比Ｔecp及び消去パワー比Ｅの設定値の更新設定を伴
う情報記録方法を用いたＣＡＶ制御による記録が可能と
なる。
れば、簡易で小規模な回路構成で前述したような先頭加
熱パルスデューティ比Ｔtop、最終冷却パルスデューテ
ィ比Ｔecp及び消去パワー比Ｅの設定値の更新設定を伴
う情報記録方法を用いたＣＡＶ制御による記録が可能と
なる。
【００５４】
【発明の効果】請求項１記載の発明の情報記録方法によ
れば、記録パルス列における先頭加熱パルスの前エッジ
を変化させた先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopと、記
録パルス列における最終冷却パルスの後エッジを変化さ
せた最終冷却パルスデューティ比Ｔecpと、消去パワー
Ｐｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワー比Ｅとの設定
値中の少なくとも２つ以上の設定値を、所定の間隔で更
新させるようにしたので、ディスク回転数を一定とする
ＣＡＶ制御によって記録線速度が変化しても、相変化型
の光ディスク媒体全面に渡って均一な特性の記録が可能
となる。
れば、記録パルス列における先頭加熱パルスの前エッジ
を変化させた先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopと、記
録パルス列における最終冷却パルスの後エッジを変化さ
せた最終冷却パルスデューティ比Ｔecpと、消去パワー
Ｐｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワー比Ｅとの設定
値中の少なくとも２つ以上の設定値を、所定の間隔で更
新させるようにしたので、ディスク回転数を一定とする
ＣＡＶ制御によって記録線速度が変化しても、相変化型
の光ディスク媒体全面に渡って均一な特性の記録が可能
となる。
【００５５】請求項２記載の発明の情報記録方法によれ
ば、ディスク回転数を一定とするＣＡＶ制御によって記
録時の線速度が変化しても、相変化型の光ディスク媒体
の最内周から最外周に渡って全面的に均一な特性の記録
が可能となる。
ば、ディスク回転数を一定とするＣＡＶ制御によって記
録時の線速度が変化しても、相変化型の光ディスク媒体
の最内周から最外周に渡って全面的に均一な特性の記録
が可能となる。
【００５６】請求項３記載の発明の情報記録方法によれ
ば、２値化のスライスレベルに対する変動を抑えること
ができ、ジッタ特性が悪化することなく、また、再生ク
ロックのＰＬＬの安定性も良好となる記録が可能とな
る。
ば、２値化のスライスレベルに対する変動を抑えること
ができ、ジッタ特性が悪化することなく、また、再生ク
ロックのＰＬＬの安定性も良好となる記録が可能とな
る。
【００５７】請求項４記載の発明の情報記録方法によれ
ば、相変化型の光ディスク媒体に対して回転数を一定と
するＣＡＶ制御による記録を行なっても、光ディスク媒
体全面に対応した記録パルス列の設定値の近似が可能と
なり、記録不良を起こすような設定を防止して、均一な
再生特性が得られる記録が可能となる。
ば、相変化型の光ディスク媒体に対して回転数を一定と
するＣＡＶ制御による記録を行なっても、光ディスク媒
体全面に対応した記録パルス列の設定値の近似が可能と
なり、記録不良を起こすような設定を防止して、均一な
再生特性が得られる記録が可能となる。
【００５８】請求項５記載の発明の情報記録方法によれ
ば、必要以上に設定値の更新をすることなく、簡易な方
法で相変化型の光ディスク媒体全面に渡って均一な特性
で記録をすることが可能となる。
ば、必要以上に設定値の更新をすることなく、簡易な方
法で相変化型の光ディスク媒体全面に渡って均一な特性
で記録をすることが可能となる。
【００５９】請求項６記載の発明の情報記録方法によれ
ば、記録中であっても記録パルス列の最適な設定値から
ずれないように、設定値の更新の間隔を容易に認識する
ことが可能となり、よって、ディスク回転数を一定とす
るＣＡＶ方式における記録パルス列の設定値を高精度に
更新できる。
ば、記録中であっても記録パルス列の最適な設定値から
ずれないように、設定値の更新の間隔を容易に認識する
ことが可能となり、よって、ディスク回転数を一定とす
るＣＡＶ方式における記録パルス列の設定値を高精度に
更新できる。
【００６０】請求項７記載の発明の情報記録方法によれ
ば、ＣＡＶ制御による記録を行う場合、全ての記録線速
度において記録パルス列の設定を高精度に行うことが可
能となる。
ば、ＣＡＶ制御による記録を行う場合、全ての記録線速
度において記録パルス列の設定を高精度に行うことが可
能となる。
【００６１】請求項８記載の発明の情報記録装置によれ
ば、簡易で小規模な回路構成で請求項１ないし７記載の
情報記録方法を用いたＣＡＶ制御による記録が可能とな
る。
ば、簡易で小規模な回路構成で請求項１ないし７記載の
情報記録方法を用いたＣＡＶ制御による記録が可能とな
る。
【図１】本発明の第一の実施の形態を示す記録パルス列
等の説明図である。
等の説明図である。
【図２】記録線速度−パルスデューティ比、消去パルス
比の特性図である。
比の特性図である。
【図３】その更新のさせ方を示す特性図である。
【図４】アシンメトリ差−ジッタ特性図である。
【図５】本発明の第二の実施の形態を示すフローチャー
ト図である。
ト図である。
【図６】本発明の第三の実施の形態を示すブロック図で
ある。
ある。
【図７】ＣＬＶ方式の従来例を示す説明図である。
【図８】ＣＡＶ方式の従来例を示す説明図である。
１ 光ディスク媒体 １２ コントローラ １６ セレクタ １７ エッジ信号生成回路 １９ ドライバ回路
Claims (8)
- 【請求項１】 結晶相とアモルファス相とに可逆的に相
変化する記録層を有する光ディスク媒体上に、レーザ光
源から照射されるレーザ光が加熱パルスと冷却パルスと
からなる記録パルス列により情報を記録する際に、 記録線速度の変化に応じて記録クロック周期Ｔを変化さ
せて、記録線密度が略一定となるようにして記録を行う
とともに、 前記記録パルス列における先頭加熱パルスの前エッジを
変化させた先頭加熱パルスデューティ比Ｔtopと、前記
記録パルス列における最終冷却パルスの後エッジを変化
させた最終冷却パルスデューティ比Ｔecpと、消去パワ
ーＰｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワー比Ｅとの前
記記録パルス列の設定値中の少なくとも２つ以上の設定
値を、所定の間隔で更新するようにした情報記録方法。 - 【請求項２】 前記記録線速度の増加に応じて、前記先
頭加熱パルスデューティ比Ｔtopを増加させ、前記最終
冷却パルスデューティ比Ｔecpを減少させ、前記消去パ
ワー比Ｅを増加させるように、各々の設定値の変化量を
更新するようにした請求項１記載の情報記録方法。 - 【請求項３】 再生される記録情報の最長データと最短
データとのアシンメトリの差が、前記記録パルス列の設
定値を更新させる前後で１０％以内となるように、各々
の設定値の変化量又は更新間隔を設定してなる請求項１
又は２記載の情報記録方法。 - 【請求項４】 前記記録線速度の増加に応じて、前記先
頭加熱パルスデューティ比Ｔtopを０．２Ｔ〜１．０Ｔ
の範囲、前記最終冷却パルスデューティ比Ｔecpを１．
０Ｔ〜０．２Ｔの範囲、前記消去パワー比Ｅを０．３〜
０．７の範囲で、各々の設定値の変化量を増減するよう
にした請求項１，２又は３記載の情報記録方法。 - 【請求項５】 前記光ディスク媒体上にプリフォーマッ
トされた前記記録パルス列の設定値、若しくは、より以
前に所定の領域に記録されたディスク情報に含まれる前
記記録パルス列の設定値の何れかの、複数の記録線速度
毎の最適設定値に基づいて、前記所定の間隔で更新させ
る変化量又は勾配を算出するようにした請求項１ないし
４の何れか一に記載の情報記録方法。 - 【請求項６】 前記光ディスク媒体上にプリフォーマッ
トされたアドレス情報を検出し、前記所定の間隔で更新
させる変化量からそのアドレス情報に対応する前記記録
パルス列の設定値を算出し、前記所定の間隔とアドレス
の範囲とを対応付けるようにした請求項１ないし５の何
れか一に記載の情報記録方法。 - 【請求項７】 前記光ディスク媒体の前記記録層が、Ａ
ｇＩｎＳｂＴｅ系の記録材料からなる請求項１ないし６
の何れか一記載の情報記録方法。 - 【請求項８】 結晶相とアモルファス相とに可逆的に相
変化する記録層を有する光ディスク媒体上に、レーザ光
源から照射されるレーザ光が加熱パルスと冷却パルスと
からなる記録パルス列により情報を記録する際に、記録
線速度の変化に応じて記録クロック周期Ｔを変化させ
て、記録線密度が略一定となるようにして記録を行う情
報記録装置であって、 前記記録パルス列における先頭加熱パルスの前エッジと
最終冷却パルスの後エッジを変化させるための多数段の
エッジ信号生成回路と、 前記記録パルス列における前記先頭加熱パルスの前エッ
ジを変化させた先頭加熱パルスデューティ比と、前記記
録パルス列における前記最終冷却パルスの後エッジを変
化させた最終冷却パルスデューティ比と、消去パワーＰ
ｅの加熱パワーＰｗに対する消去パワー比Ｅとの各設定
値を算出し随時更新するコントローラと、 前記エッジ信号生成回路から出力される多数段のエッジ
信号中から前記各設定値に基づいて所定のエッジ信号を
選択するセレクタと、 前記レーザ光源の出射光量を随時更新するドライバ回路
と、を備える情報記録装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29211199A JP2001118245A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 情報記録方法及びその装置 |
| US09/655,912 US6459666B1 (en) | 1999-09-06 | 2000-09-05 | Information recording apparatus and method |
| US10/244,732 US6771577B2 (en) | 1999-09-06 | 2002-09-17 | Information recording apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29211199A JP2001118245A (ja) | 1999-10-14 | 1999-10-14 | 情報記録方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118245A true JP2001118245A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17777700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29211199A Pending JP2001118245A (ja) | 1999-09-06 | 1999-10-14 | 情報記録方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001118245A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2006030938A1 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, recording method thereof and evaluation method of optical recording medium |
| US7116623B2 (en) | 2002-10-28 | 2006-10-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording method, optical information recording device and optical information recording medium |
| US7304931B2 (en) | 2003-05-08 | 2007-12-04 | Hitachi, Ltd. | Recording medium, optical disk apparatus and writing method |
| US7426166B2 (en) | 2003-07-15 | 2008-09-16 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording method and information recording apparatus that can achieve uniform signal characteristics and overwriting characteristics over an entire surface of an optical disk medium |
| CN100440331C (zh) * | 2003-08-27 | 2008-12-03 | 株式会社理光 | 相变型光记录介质的光记录方法和光记录装置 |
| EP1667123A4 (en) * | 2003-09-16 | 2009-04-01 | Ricoh Kk | RECORDING CONDITIONING METHOD, RECORDING METHOD, RECORDING MEDIUM AND OPTICAL DATA DISTRIBUTION DEVICE |
| CN100489969C (zh) * | 2005-10-11 | 2009-05-20 | 联发科技股份有限公司 | 控制光学储存的写入品质的装置及其方法 |
| US7715293B2 (en) | 2005-03-16 | 2010-05-11 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and method of recording to the same |
| US8363522B2 (en) | 2010-06-10 | 2013-01-29 | Sony Corporation | Recording device and recording method |
| JPWO2024189721A1 (ja) * | 2023-03-13 | 2024-09-19 |
-
1999
- 1999-10-14 JP JP29211199A patent/JP2001118245A/ja active Pending
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| JP7712722B2 (ja) | 2023-03-13 | 2025-07-24 | 寿精版印刷株式会社 | 複合印刷による転写箔の製造方法及び転写箔 |
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