JP2003282778A - 半導体装置及びプリント配線基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリント配線基板に実装された半導体素子の
安定駆動と高信頼性を実現する。 【解決手段】 半導体素子基板２は、電気接続用バンプ
８ｂと放熱接合用バンプ８ａを介してプリント配線基板
１１とフリップチップ接続されている。また、プリント
配線基板１１側の放熱接合用パッド１２ａ下部には開口
部が形成され、この開口部内には銀ペースト１４が充填
されている。このような構成によれば、半導体素子が発
生した熱は、放熱接合用バンプ８ａ、放熱接合用パッド
１２ａ、及び銀ペースト１４を介して外部に効率的に放
熱されるので、半導体素子の動作を安定化させることが
できる。また、放熱接合用バンプ８ａが電気接続用バン
プ８ｂに対する熱ストレスを分散するので、半導体素子
基板２とプリント配線基板１１間の接合信頼性を向上す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばプラズマデ
ィスプレイパネルを発光駆動するパワートランジスタ型
半導体等のような発熱性を有するＩＣチップを実装した
半導体装置及びそのプリント配線基板に関し、特に、Ｉ
Ｃチップが発生した熱を効果的に放熱することにより、
ＩＣチップの安定駆動と高信頼性を実現する技術に係わ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば図１２（ａ）に示すよ
うな、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display P
anel：PDP）を発光駆動する半導体素子（以下、ＩＣと
表記する）１０１が実装されたＰＤＰ駆動半導体搭載モ
ジュール（以下、基板モジュールと表記する）１００が
知られている。この基板モジュール１００は、一般に、
ワイヤ１０５を介してＩＣ１０１とプリント配線基板１
０２とを接続するワイヤボンド法に基づくＣＯＦ（Chip
On Flex）実装基板であり、また、銀ペースト等の接着
剤１０３を利用してＩＣ１０１の裏面をプリント配線基
板１０２に具備された放熱用金属補強板１０４に接着す
ることにより、ＩＣ１０１が発生した熱を基板モジュー
ル外部に放出するように設計されている。

【０００３】また、この図１２（ａ）に示す基板モジュ
ール１００は、プラズマディプレイパネルに装着された
後に、金属製の外装フレームに放熱用金属補強板１０４
をかしめ等で装着することにより、発生した熱を外装フ
レームに伝搬し、より高い放熱効率を実現するように設
計されている。またこのとき、この放熱金属補強板１０
４の外装フレーム装着面とＩＣ搭載面とは両面に対向
し、ＩＣ１０１による発熱量はＩＣ１０１とプリント配
線基板１０２との接続点（以下、パッドと表記する）１
０６の反対側に伝搬するので、ワイヤ１０５との接続方
向への熱ストレスは緩和される。さらに、ＩＣ１０１と
プリント配線基板１０２はワイヤ１０５を介して接続さ
れているので、ワイヤ１０５が、ＩＣ１０１の発熱によ
るモールドパッケージ内での歪み等のストレスを柔軟に
緩衝し、接続信頼性を確保している。

【０００４】ところで、上記ワイヤボンド法は、ＩＣ１
０１のパッド１０６に対しワイヤ１０５を一本一本接続
する実装方法であるために、ＩＣ１０１をプリント配線
基板１０２に実装する際には多くの労力と時間が必要と
され、製造コストを削減する上で大きな障害となる。こ
のような背景から、最近では、例えば１２（ｂ）に示す
ように、ＩＣ１０１のパッド１０６部分にバンプ１０７
を形成し、このバンプ１０７を介してパッド１０６とプ
リント配線基板１０２とを向かい合って接合するフリッ
プチップ法を利用してＩＣ１０１をプリント配線基板１
０２に実装する方法が利用されるようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フリッ
プチップ法を利用してプリント配線基板１０２にＩＣ１
０１を実装する場合には、ＩＣ１０１は、電源や信号等
の基本接続に利用されるパッド１０６部分においてのみ
プリント配線基板１０２の高熱伝導材である回路銅箔と
接続されることになるので、ＩＣ１０１とプリント配線
基板１０２との間に隙間が生じ、バンプ１０７による接
合面積はＩＣ面積の１０％にも満たなくなる。このた
め、ＩＣ１０１から発生した熱は、放熱用金属補強板１
０４等のプリント配線基板１０２側に効率的に伝達され
ず、基板モジュール内に蓄積されてしまう。

【０００６】一般に、バンプ１０７は歪み等のストレス
を緩衝する能力に乏しいので、上記のようにして基板モ
ジュール内に熱が蓄積されてしまうと、熱によって発生
する剪断圧力が最も集中するバンプ１０５が破断してス
トレスを緩和する。このため、基板モジュール内部に蓄
積された熱は、ＩＣ１０１の動作を不安定にすると同時
に、ＩＣ１０１の動作不良をも引き起こす。

【０００７】このような問題を解決するために、例えば
図１２（ｃ）に示すように、ＩＣ実装面と同一面に露出
したＩＣ底辺に金属板や金属製フィン等の放熱部品１０
８を接着することも考えられるが、この場合には、ＩＣ
１０１の規模が小さいことから、十分な熱容量を有する
放熱部品１０８をＩＣ１０１表面に対し均一に装着する
ことが極めて困難である。さらに、ＩＣ１０１に過大な
放熱部品１０８を装着すると、ＩＣ１０１に機械的負荷
が加わり、また、放熱部品１０８によって機器内容積及
び重量が増加することから、製造された基板モジュール
を軽量化，薄型化が要求される機器に適用することが困
難となる。

【０００８】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、実装された半導体素子の
安定駆動と高信頼性を実現する半導体装置及びそのプリ
ント配線基板を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の特徴は、電気配線が形成されたプリント配線基板に電
気回路を搭載したＩＣチップをフリップチップ実装する
ことにより形成される半導体装置であって、ＩＣチップ
は、プリント配線基板との接合面側に形成され、電気回
路と接続する複数の第一パッド部と、第一パッド部上に
形成された電気接続用バンプ部と、第一パッド部以外の
接合面上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された
金属層と、金属層上に形成された複数の放熱接合用バン
プ部とを備え、プリント配線基板は、ＩＣチップとの接
合面側に形成され、電気配線と接続する複数の第二パッ
ド部と、電気配線と第二のパッド部以外の接合面上に形
成された放熱接合用パッド部と、放熱接合用パッド部の
下部に形成された少なくとも一つの開口部と、開口部内
に充填された熱伝導性材料層とを備え、電気接続用バン
プ部及び放熱接合用バンプ部はそれぞれ第二パッド部及
び放熱接合用パッドと接続していることにある。

【００１０】すなわち、本発明の特徴は、ＩＣチップが
発生した熱を、放熱接合用バンプ部、放熱接合用パッド
部、及び熱伝導性材料層を介して半導体装置外部に効率
的に伝達することにある。このような構成によれば、Ｉ
Ｃチップが発生した熱は半導体装置内部に蓄積されるこ
となく効率的に外部に放出されるので、ＩＣチップの動
作を安定化させることができる。また、電気接続用バン
プ部に対する熱ストレスを放熱接合用バンプ部に分散し
て、ＩＣチップとプリント配線基板間の接合信頼性を向
上することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置は、半導
体素子（以下、ＩＣと表記する）をバンプを介してプリ
ント配線基板にフリップチップ接続して実装する基板モ
ジュールに適用することができる。以下、図１〜図１１
を参照して、本発明の実施の形態となる基板モジュール
の構成について説明する。

【００１２】［ＩＣの構造］始めに、図１〜図４を参照
して、プリント配線基板にフリップチップ接続するＩＣ
に対する前処理について説明する。

【００１３】この実施の形態においては、ＩＣをプリン
ト配線基板に実装する前に、図１に示すように、ＩＣ基
板２のプリント配線基板と接続される表面側の所定位置
に銅箔の電気接続用パッド３を形成する。そして次に、
スピンコートにより感光性ポリイミドワニスをＩＣ基板
２上にコーティングして乾燥することにより、図２
（ａ）に示すように、ＩＣ基板２上にポリイミド層４を
形成する。なお、後述するが、上記電気接続用パッド３
は、バンプを介してプリント配線基板上の配線に接続さ
れる。

【００１４】ＩＣ基板２上にポリイミド層４を形成する
と、次に、電気接続用パッド３の配置パターンが描写さ
れたネガを用いてポリイミド層４を露光した後、エッチ
ング処理を施すことにより、図２（ｂ）に示すような電
気接続用パッド３部分が開口した薄膜電気絶縁層５をＩ
Ｃ基板２上に形成する。ここで、感光性ポリイミドワニ
スの種類やコーティング厚に依存するが、薄膜電気絶縁
層５の膜厚は約１０［μ］程度とする。なお、この実施
の形態においては、ポリイミド層４を利用して薄膜電気
絶縁層５を形成したが、ポリイミド層４を利用せずに、
例えば絶縁性を有する酸化シリコンを蒸着して、薄膜電
気絶縁層５を形成するようにしてもよい。

【００１５】ＩＣ基板２上に薄膜電気絶縁層５を形成す
ると、次に、ＩＣ基板２上にレジスト層６を塗膜、乾燥
した後、パターニング処理とエッチング処理を行うこと
により、図２（ｃ）に示すように、ＩＣ基板の中央部が
開口されたレジスト層６を形成する。そして次に、スパ
ッタリング処理や蒸着処理によりＩＣ基板２上にＣｕ，
Ａｌ，Ｃｒ等の任意の金属材料を蒸着することにより、
図２（ｄ）に示すように、ＩＣ基板２上に５０００
［Å］程度の膜厚を有する金属膜７を形成する。

【００１６】なお、この実施の形態においては、金属材
料を利用して金属膜７を形成したが、例えば銀等の金属
ペーストを利用して金属膜７を形成するようにしてもよ
い。また、図２（ｂ）に示す状態のＩＣ基板２上に、Ｉ
Ｃの中央部分と電気接続用パッド３とが開口したレジス
ト層６を形成して金属膜７を形成するようにしてもよ
い。さらに、ＩＣ基板２の表面全面にスパッタリング処
理によりシード層を打った後にＩＣの中央部分と電気接
続用パッド３部分とが開口したレジスト層６を形成し、
銅３［μ］、ニッケル２［μ］、金０．３［μ］の順で
金属材料を蒸着して金属膜７を形成するようにしてもよ
い。なお、電気接続用パッド３の膜厚をさらに大きくし
たい場合には無電解メッキ処理により膜厚を数ミクロン
程度にするとよい。

【００１７】ＩＣ基板２表面上に金属膜７を形成する
と、次に、レジスト層６を除去（リフトオフ）して、図
２（ｅ）に示すように、ＩＣの中央部分の金属膜７ａ以
外の金属膜７を除去する。金属膜７ａは、プリント配線
基板に実装された際に、バンプを介してＩＣ２基板が発
生した熱をプリント配線基板に伝達する放熱接合用パッ
ドの役割を担う。そこで以下では、この金属膜７ａ部分
を放熱接合用パッド７ａと表現する。

【００１８】ここで、放熱接合用パッド７ａの形状や大
きさは、ＩＣの外形、電気接続用パッドの配置エリアの
形状や面積、Ｃ４法、ＡＣＦ法、ＡＣＰ法、金属接合法
等のフリップチップ実装方法の種類に応じて、例えば図
４（ａ）〜（ｄ）の平面模式図に示すように種々のパタ
ーンを選択することができる。なお、ＩＣ基板２表面に
おける放熱接合用パッドの被覆率が最も大きい、図４
（ａ）に示すような形状が最適であろう。なお、図４
（ｃ）、（ｄ）に示す様な複数の島部分からなる放熱接
合用パッド７ａの場合、上記各島部分７ａにそれぞれ後
述する加熱接合用バンプ８ａが形成される。また、この
放熱接合用パッド７ａを形成する際に、電気接続用パッ
ド３を再配置してもよい。具体的には、放熱接合用パッ
ド７ａ形成時に電気接続用パッド３をパッド間距離が広
がるように再配置・再配線することにより、電気的接合
点同士の絶縁信頼性を上げることができる。

【００１９】このようにしてＩＣ基板２表面上に放熱接
合用パッド７ａを形成すると、次に、図３（ｆ）に示す
ように電気接続用パッド３上と放熱接合用パッド７ａ上
にそれぞれ、バンプ８ａ，８ｂ（以下、加熱接合用パッ
ド７ａ上と電気接続用パッド３上に形成されたバンプを
それぞれ、放熱接続用バンプ８ａ、電気接合用バンプ８
ｂと表記する）を形成する。そして最後に、各バンプを
高さをレベリングして図３（ｇ）に示すように各バンプ
の高さ位置が同一面内に入るように統一する。これによ
り、プリント配線基板に実装するＩＣに対する一連の前
処理工程は完了する。なお、図３（ｇ）に示すＩＣにお
いては、２個の放熱接合用バンプ８ａが形成されている
が、後述するように、放熱接合用バンプ８ａはＩＣが発
生した熱をプリント配線基板に伝達する役割を担うこと
から、ＩＣとプリント配線基板間の接合面積を増やすた
めにその個数は２個以上であってもよい。

【００２０】［プリント配線基板の構造］次に、図５〜
図９を参照して、上記ＩＣをフリップチップ実装するプ
リント配線基板に対する前処理について説明する。

【００２１】上記前処理を施したＩＣをフリップチップ
実装するプリント配線基板１０に対しては、実装前に、
基板部１１のＩＣが実装される表面側にＣｕ等の金属材
料を蒸着し、図５（ａ）に示すように、基板部１１上に
金属膜１２を形成する。そして、金属膜１２を形成する
と、金属膜１２表面に対しパターニング処理、エッチン
グ処理を施すことにより、図５（ｂ）に示すように、基
板部１１上に銅箔の電気配線パターン、放熱接合用パッ
ド１２ａ、及び電気接続用パッド１２ｂを形成する。な
お、基板部１１上の放熱接合用パッド１２ａ及び電気接
続用パッド１２ｂは、図４に示すＩＣ上に形成された放
熱接合用パッド７ａ及び電気接続用パッド３と同じ形
状、配置位置で形成する。また、上記放熱接合用パッド
１２ａと電気接続用パッド１２ｂには同一の表面処理を
施しておくものとする。具体的には、フリップチップ実
装方法の修類に応じて、ＡＣＦ法、ＡＣＰ法、金・金共
晶法であれば軟質金めっき、金・スズ法であればスズめ
っきを放熱接合用パッド１２ａと電気接続用パッド１２
ｂに施す。

【００２２】基板部１１表面上に放熱接合用パッド１２
ａと電気接続用パッド１２ｂを形成すると、次に、図６
（ｃ）に示すように、レーザ光等を利用して放熱接合用
パッド１２ａの下部に複数の開口部１３を形成する。そ
して、開口部１３を形成すると、図６（ｄ）に示すよう
に、開口部１３内に銀ペースト１４を印刷充填した後、
基板部１１の背面を平滑化する。なお、開口部１３の形
状はどのような形態であっても構わない。また、開口部
１３内に充填する材料は、熱伝導性に優れたものであれ
ばどのようなものでもよく、例えば、めっき法によって
銅等の高熱伝導性金属材料をめっきした後、銀ペースト
等のペースト材料を印刷充填するようにしてもよい。さ
らに、開口部１３内をめっき金属のみで充填するように
してもよい。

【００２３】開口部１３内に銀ペースト１４を印刷充填
すると、次に、接着剤１５を用いてアルミニウム材等か
ら成る放熱用金属補強板１６を基板部１１の背面に接着
する。これにより、プリント配線基板に対する一連の前
処理工程は完了する。

【００２４】なお、この実施の形態においては、基板部
１１の背面には板状の放熱用金属補強板１６を接続した
が、例えば図７に示すように、放熱用金属補強板１６の
接合面と反対側の面に複数の凹凸形状を設けるようして
もよい。このような放熱用金属補強板１６の形状によれ
ば、放熱用金属補強板１６の表面積が増加し、外気と接
する面積が増加することから、銀ペースト１４からの熱
をより効率的に放熱することができる。

【００２５】また、この実施の形態においては、放熱接
合用パッド１２ａ下部に開口部１３を複数形成したが、
例えば図８に示すように、開口部１３を一つに統一して
もよい。また、例えば図４（ｃ）や図４（ｄ）に示すよ
うに、ＩＣの放熱接合用パッド７ａが複数の島により構
成されている場合には、基板部１１の放熱接合用パッド
１２ａも同様に複数の島から構成されされるのである
が、このような場合には、図９に示すように、各放熱接
合用パッド１２ａ毎に開口部を形成することが望まし
い。

【００２６】［基板モジュールの構造］最後に、図１
０，図１１を参照して、上記ＩＣを上記プリント配線基
板にフリップチップ実装することにより形成される半導
体装置の構成について説明する。

【００２７】本発明の実施の形態となる基板モジュール
は、図１０（ａ）に示すように、バンプ８ａ，ｂを介し
てプリント配線基板とＩＣとをフリップチップ接続し、
プリント配線基板とＩＣとの間を封止樹脂１７により封
止することにより構成される。このとき、ＩＣの電気接
続用パッド３とプリント配線基板の電気接続用パッド１
２ｂは電気接続用バンプ８ｂを介して接続されており、
ＩＣとプリント配線基板間で電気信号を伝搬する。ま
た、ＩＣの放熱接合用パッド７ａとプリント配線基板の
放熱接合用パッド１２ａは複数の放熱接合用バンプ８ａ
を介して接続されており、ＩＣが発生した熱は放熱接合
用バンプ８ａを介してプリント配線基板側に伝達する。

【００２８】このような構成によれば、放熱接合用バン
プ８ａの数分だけＩＣとプリント配線基板間の接合面積
が増加するので、プリント配線基板への熱放散効率を向
上させると同時に、電気接続用バンプ８ｂへのストレス
を分散することができるので、ＩＣの安定駆動と高信頼
性を実現することができる。また、前述のように、放熱
接合用パッド１２ａ下部には銀ペースト１４が充填され
ているので、放熱接合用バンプ８ａに伝わった熱は銀ペ
ースト１４を介してプリント配線基板の背面に効果的に
伝達され、高い熱放散効率を実現することができる。

【００２９】なお、図１０（ｂ）に示すようにプリント
配線基板の裏面に放熱用金属補強板１６が接続されてい
る場合には、銀ペースト１４に伝達した熱が放熱用金属
補強板１６から効果的に放熱されるので、ＩＣの安定駆
動と高信頼性をより確実に実現することができる。ま
た、上記図１０（ａ），（ｂ）に示す基板モジュールに
おいて、ＩＣの放熱接合用パッド７ａとプリント配線基
板の放熱接合用パッド１２ａの周部を、図１１（ａ），
（ｂ）に示すように、封止樹脂１７の代わりに導電性ペ
ースト１８を用いて封止すれば、ＩＣの放熱接合用パッ
ド７ａに伝達した熱が放熱接合用バンプ８ａと導電性ペ
ースト１８とを介してプリント配線基板側の放熱接合用
パッド１２ａにより確実に伝達されるようになるので、
ＩＣの安定駆動と高信頼性をさらに確実に実現すること
ができる。

【００３０】［実施の形態の効果］以上の説明から明ら
かなように、この実施の形態の基板モジュールによれ
ば、ＩＣとプリント配線基板は、電気接続用バンプ８ｂ
と併せて、放熱接合用バンプ８ａを介して接続され、Ｉ
Ｃとプリント配線基板間の接合面積が増加するので、Ｉ
Ｃが発熱した熱量をプリント配線基板側に効率的に伝搬
し、ＩＣの動作を安定化させることができる。また、Ｉ
Ｃの背面に放熱用部品を装着する必要性がなくなる。ま
た、電気接続用バンプ８ｂへの熱ストレスを放熱接合用
バンプ８ａに分散することができるので、ＩＣとプリン
ト配線基板間の接合信頼性を向上することができる。

【００３１】また、この実施の形態の基板モジュールに
よれば、プリント配線基板側の放熱接合用パッド１２ａ
の下部には銀ペースト１４が充填されているので、放熱
接合用バンプ８ａからプリント配線基板側の放熱接合用
パッド１２ａに伝達した熱は、銀ペースト１４を介して
プリント配線基板の背面に効果的に伝達し、高い放熱効
果を実現することができる。また、プリント配線基板の
背面に放熱用金属補強板１６が接着されている場合に
は、さらに高い放熱効果を実現することができる。

【００３２】また、この実施の形態の基板モジュールに
よれば、放熱接合用パッド７ａを形成する際に電気接続
用パッド３を再配置することができるので、パッド間距
離が広がるように電気接続用パッドを再配置することに
より、電気的接合点同士の絶縁信頼性を向上させること
ができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、プリント配線基板内に
実装されたＩＣチップの安定駆動と高信頼性を実現する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態となるＩＣ基板に対する前
処理を説明するための断面および平面工程図である。

【図２】本発明の一実施形態となるＩＣ基板に対する前
処理を説明するための断面工程図である。

【図３】本発明の一実施形態となるＩＣ基板に対する前
処理を説明するための断面および平面工程図である。

【図４】本発明の一実施形態となる放熱接合用パッドの
形状を示す平面模式図である。

【図５】本発明の一実施形態となるプリント配線基板に
対する前処理を説明するための断面および平面工程図で
ある。

【図６】本発明の一実施形態となるプリント配線基板の
構造を示す断面図である。

【図７】図６に示すプリント配線基板構造の応用例を示
す断面図である。

【図８】本発明の他の実施形態となるプリント配線基板
の構造を示す断面図である。

【図９】本発明の他の実施形態となるプリント配線基板
の構造を示す断面図である。

【図１０】本発明の一実施形態となる基板モジュールの
構成を示す断面図である。

【図１１】本発明の他の実施形態となる基板モジュール
の構成を示す断面図である。

【図１２】従来の基板モジュールの構成を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１…半導体素子（ＩＣ）、２…半導体素子（ＩＣ）基
板、３，１２ｂ…電気接続用パッド、４…ポリイミド
層、５…薄膜電気絶縁層、６…レジスト層、７…金属
膜、７ａ，１２ａ…放熱接合用パッド、８ａ…放熱接合
用バンプ、８ｂ…電気接続用パッド、１０…プリント配
線基板、１１…基板部、１３…開口部、１４…銀ペース
ト、１５…接着剤、１６…放熱用金属補強板、１７…封
止樹脂、１８…導電性ペースト

フロントページの続き (72)発明者 圓尾 弘樹 千葉県佐倉市六崎1440 株式会社フジクラ 佐倉事務所内 (72)発明者 海津 雅洋 千葉県佐倉市六崎1440 株式会社フジクラ 佐倉事務所内 Ｆターム(参考） 5E336 AA04 BB01 BC15 CC32 CC58 EE01 EE05 GG03 5E338 AA01 AA16 BB05 BB13 BB25 BB71 BB75 CC01 EE02

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気配線が形成されたプリント配線基板
   に電気回路を搭載したＩＣチップをフリップチップ実装
   することにより形成された半導体装置であって、 前記ＩＣチップは、前記プリント配線基板との接合面側
   に形成され、前記電気回路と接続する複数の第一パッド
   部と、前記第一パッド部上に形成された電気接続用バン
   プ部と、前記第一パッド部以外の前記接合面上に形成さ
   れた絶縁層と、前記絶縁層上に形成された金属層と、前
   記金属層上に形成された複数の放熱接合用バンプ部とを
   備え、 前記プリント配線基板は、前記ＩＣチップとの接合面側
   に形成され、前記電気配線と接続する複数の第二パッド
   部と、前記電気配線と前記第二のパッド部以外の前記接
   合面上に形成された放熱接合用パッド部と、前記放熱接
   合用パッド部の下部に形成された少なくとも一つの開口
   部と、前記開口部内に充填された熱伝導性材料層とを備
   え、 前記電気接続用バンプ部及び前記放熱接合用バンプ部は
   それぞれ前記第二パッド部及び前記放熱接合用パッドと
   接続していることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置であって、 前記熱伝導性材料層は銀ペーストであることを特徴とす
   る半導体装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の半導体装
   置であって、 前記プリント配線基板は前記ＩＣチップとの接合面の反
   対側の面に接着された放熱板を備えることを特徴とする
   半導体装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の半導体装置であって、 前記放熱板は接着面と反対側の面に複数の溝を有するこ
   とを特徴とする半導体装置。
5. 【請求項５】 請求項１〜請求項４のうち、いずれか１
   項に記載の半導体装置であって、 前記金属層は複数の島により構成され、前記放熱接合用
   バンプ部は各島毎に形成されていることを特徴とする半
   導体装置。
6. 【請求項６】 電気回路を搭載したＩＣチップをフリッ
   プチップ実装するプリント配線基板であって、 前記ＩＣチップとの接合面側に形成された電気配線と、 前記接合面側に形成され、前記電気配線と接続する電気
   接続用パッド部と、 前記電気配線と前記電気接続用パッド部以外の前記接合
   面上に形成された放熱接合用パッド部と、 前記放熱接合用パッド部の下部に形成された少なくとも
   一つの開口部と、 前記開口部内に充填された熱伝導性材料層とを備え、 前記電気接続用パッド部と前記放熱接合用パッド部は前
   記ＩＣチップとフリップチップ接続することを特徴とす
   るプリント配線基板。
7. 【請求項７】 請求項６に記載のプリント配線基板であ
   って、 前記熱伝導性材料層は銀ペーストであることを特徴とす
   るプリント配線基板。
8. 【請求項８】 請求項６又は請求項７に記載のプリント
   配線基板であって、 前記プリント配線基板は前記接合面の反対側の面に接着
   された放熱板を備えることを特徴とするプリント配線基
   板。
9. 【請求項９】 請求項８に記載のプリント配線基板であ
   って、 前記放熱板は前記接着面と反対側の面に複数の溝を有す
   ることを特徴とするプリント配線基板。