JP2003249755A

JP2003249755A - セラミック多層配線基板の製造方法、並びにセラミック多層配線基板

Info

Publication number: JP2003249755A
Application number: JP2002047088A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Shigeoka; 俊昭重岡; Satoshi Hamano; 智濱野; Yasuhide Tami; 保秀民; Tetsuya Kimura; 哲也木村
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-02-22
Filing date: 2002-02-22
Publication date: 2003-09-05

Abstract

(57)【要約】【課題】拘束シートを用いて多層配線基板を作製する場
合、基板の側端面付近の変形による配線回路層の寸法ズ
レの発生を防止したセラミック多層配線基板の製造方法
と、寸法精度に優れたセラミック多層配線基板を提供す
る。【解決手段】セラミックグリーンシート１１の周縁部か
ら３ｍｍ以上内側の領域に配線回路層１３を形成する工
程と、配線回路層１３を形成したグリーンシート１１を
複数層積層する工程と、積層体１５の少なくとも一方の
表面の周辺部に、平面的にみて配線回路層１３を横切ら
ないように深さ０．０１〜１ｍｍの切り込み１４を形成
する工程と、切り込み１４を形成した積層体１５の表面
に、焼成時に収縮しないセラミックシート１６を積層
し、焼成して平面方向の焼成収縮を抑制しながら焼成す
る工程と、焼成後のセラミックシート１６を除去する工
程と、焼成後の積層体１５の少なくとも周辺部を切り込
み１４に沿って切断除去する工程と、を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、寸法精度に優れた
セラミック多層配線基板を作製するための製造方法およ
びセラミック多層配線基板に関するものである。

【０００２】

【従来技術】ガラスセラミック多層配線基板の変形及び
反りを低減し、高寸法制度の基板を得る方法として、グ
リーンシート積層体の両面に焼成で実質的に収縮しない
セラミックシート（以下、単に拘束シートという。）を
積層し、この拘束シートによって平面方向への焼成収縮
を抑制しながら焼成した後、拘束シートを除去する方法
が知られている。

【０００３】また、同時焼成多層配線基板において高寸
法精度の配線を形成するため金属箔にフォトリソ／エッ
チング法を行いて導体層を形成する場合には、金属箔が
焼成で収縮しないことから平面方向の基板全体の収縮を
極力抑制する必要があるため、上記と同様にグリーンシ
ート積層体の両面に拘束シートを積層し、焼成後に拘束
シートを除去して多層配線基板を作製する方法が特開２
０００−２８１４５０号、特開２００１−６０７６７
号、特開２００１−２９１９５５号で報告されている。

【０００４】

【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、これ
らの方法で多層配線基板を作製した場合、配線基板の側
端面には拘束シートによる平面方向の収縮を抑制する拘
束力が付与されないために、多層配線基板の内部の焼結
収縮が基板の表面部に比べて進行し、しかもその焼成収
縮が厚み方向のみならず、平面方向にも生じるために、
結果として図５に示すように、多層配線基板２０の側端
面２１は、側端面２１の厚み方向の中央部がへこみ、表
面側および／または裏面側に突起ａが形成された形状と
なる。その結果、電極表面へのメッキ処理などの工程中
において、この突起ａに衝撃が加わると欠けやすいとい
う問題があった。また、かかる配線基板の変形は、基板
厚みが０．３ｍｍ以上の場合に特に顕著となる。

【０００５】また、多層配線基板２０の側端面２１付近
に配線回路層２２が形成されている場合、上記の変形に
よって配線回路層２２にずれが発生したり、複雑な焼成
収縮による応力によって側端面２１で層間の剥離が発生
しやすくなるという問題があった。

【０００６】従って、本発明は、拘束シートを用いて多
層配線基板を作製する場合、基板の側端面付近の変形に
よる配線回路層の寸法ズレの発生を防止したセラミック
多層配線基板の製造方法と、寸法精度に優れたセラミッ
ク多層配線基板を提供することを目的とするものであ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のセラミック多層
配線基板の第１の製造方法によれば、セラミックグリー
ンシートの周縁部から３ｍｍ以上内側の領域に配線回路
層を形成する工程と、前記配線回路層を形成したグリー
ンシートを複数層積層する工程と、前記積層体の少なく
とも一方の表面の周辺部に、平面的にみて前記配線回路
層を横切らないように深さ０．０１〜１ｍｍの切り込み
を形成する工程と、前記切り込みを形成した前記積層体
の表面に、焼成時に収縮しないセラミックシートを積層
し、焼成して平面方向の焼成収縮を抑制しながら焼成す
る工程と、焼成後のセラミックシートを除去する工程
と、前記焼成後の積層体の少なくとも周辺部を前記切り
込みに沿って切断除去する工程と、を具備することを特
徴とするものである。

【０００８】また、第２の製造方法によれば、セラミッ
クグリーンシートの周縁部から３ｍｍ以上内側の領域に
配線回路層を形成する工程と、前記配線回路層を形成し
たグリーンシートを複数層積層する工程と、該積層体の
表面に、焼成時に収縮しないセラミックシートを積層
し、焼成して平面方向の焼成収縮を抑制しながら焼成す
る工程と、焼成後のセラミックシートを除去する工程
と、前記焼成後の積層体の少なくとも周辺部を前記配線
回路層を横切らないように切断除去する工程と、を具備
することを特徴とするものである。

【０００９】そして、上記第１の製造方法に基づき、厚
みが０．３ｍｍ以上であり、側端面のうち、少なくとも
４つの側端面における厚み方向の少なくとも中央部が破
断面またはカット面によって形成され、該中央部の表面
側および／または裏面側が０．０１〜１ｍｍにわたって
焼き肌面によって形成されたセラミック多層配線基板が
得られる。

【００１０】また、第２の製造方法によれば、厚みが
０．３ｍｍ以上であり、側端面のうち、少なくとも４つ
の側端面が砥石による切断面からなるセラミック多層配
線基板が得られる。

【００１１】なお、本発明の多層配線基板によれば、前
記側端面には、外部と接続するための電極を持たないこ
とが望ましい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面に基
づいて説明する。図１は本発明のセラミック多層配線基
板の一例を示す概略断面図である。図１の多層配線基板
１によれば、絶縁基板２は、複数のセラミック絶縁層２
ａ〜２ｃを積層してなる積層体７から構成され、各セラ
ミック絶縁層２ａの表面または絶縁層間に配線回路層３
が被着形成されている。また、絶縁層２ａ〜２ｃには、
厚み方向を貫くように形成された直径が８０〜２００μ
ｍのビアホール導体４が形成され、前記配線回路層３同
士を電気的に接続している。

【００１３】なお、この配線回路層３は厚みが３０μｍ
以下、特に５〜２０μｍの高純度金属箔であることが高
寸法精度の配線回路を形成する上で望ましいが、金属粉
末を主成分とするペースト使用して形成してもなんら問
題はない。また配線回路層３の表面には半導体素子など
の電子部品５が実装搭載される。

【００１４】本発明では、セラミック絶縁層２ａ〜２ｃ
からなる絶縁基板２は、ガラス成分、あるいはガラス成
分とセラミックフィラー成分との混合物を焼成してなる
ガラスセラミックスなどの８００〜１０５０℃の低温で
焼成可能なセラミックス（以下、単に低温焼成セラミッ
クスという。）によって形成されたものであることが望
ましい。

【００１５】特にガラスセラミックスとしては、ガラス
成分１０〜７０質量％と、セラミックフィラー成分３０
〜９０質量％の割合からなる組成物を焼成したものであ
ることが望ましい。このようなガラスセラミックスは、
焼成温度が８００〜１０５０℃と低いために、後述する
Ｃｕ、Ａｇなどの低抵抗導体との同時焼成が可能である
点で有利であり、また、概して誘電率が低いために、高
周波信号などの伝送損失を低減することができる。

【００１６】ここで、用いられるガラス成分としては、
少なくともＳｉＯ₂を含み、Ａｌ₂Ｏ ₃、Ｂ₂Ｏ₃、Ｚｎ
Ｏ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸
化物のうちの少なくとも１種を含有したものであって、
例えば、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃系、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂
Ｏ₃系−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｂａま
たはＺｎを示す）等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸
ガラス、Ｂａ系ガラス、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラスの
群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。

【００１７】これらのガラス成分は、焼成処理すること
によっても非晶質のままである非晶質ガラス、また焼成
処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリス
トバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイ
ト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を
少なくとも１種類を析出する結晶化ガラスのいずれでも
用いられる。

【００１８】また、セラミックフィラー成分としては、
クォーツ、クリストバライト等のＳｉＯ₂や、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、ムライト、フォルステライト、エンス
タタイト、スピネル、マグネシア、ジルコン酸カルシウ
ム、珪酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン
酸バリウムの群から選ばれる少なくとも１種が好適に用
いられる。

【００１９】配線回路層３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｎｉ、ＰｔおよびＰｄの群から選ばれる少なくとも
１種を含む、９９質量％以上の高純度の金属からなる金
属箔、あるいはこれらの金属粉とセラミックあるいはガ
ラス粉末を主成分とするペーストからなる。またビアホ
ール導体４は、上記の配線回路層３と同様の成分からな
る導体が充填されていることが望ましい。

【００２０】また、本発明の多層配線基板１において、
表面の配線回路層３は、ＩＣチップなどの各種電子部品
５を搭載するためのパッドとして、シールド用導体膜と
して、さらには、外部回路と接続する端子電極として用
いられ、各種電子部品５が配線回路層３に半田や導電性
接着剤などを介して接合される。尚、図示していない
が、必要に応じて、配線基板の表面には、さらに珪化タ
ンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護
膜などを形成しても構わない。

【００２１】本発明によれば、上記のセラミック多層配
線基板を製造するための第１の方法について説明する。
まず、例えば上述したような結晶化ガラス成分又は非晶
質ガラス成分と前記のセラミックフィラー成分を混合し
てセラミック組成物を調製し、その混合物に有機バイン
ダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレ
ス法などによりシート状に成形して厚さ約５０〜５００
μｍのグリーンシート１１を作製する（図２（ａ））。

【００２２】そして、このグリーンシート１１にレーザ
ーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径８０
〜２００μｍの貫通孔を形成し、その内部に導体ペース
トを充填してビアホール導体１２を形成する（図２
（ｂ））。導体ペースト中には、Ｃｕ、Ａｇ等の金属成
分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダーと
トルエン、イソプロピルアルコール、アセトン、テルピ
ネオールなどの有機溶剤とを均質混合して形成される。
有機バインダーは、金属成分１００質量部に対して、
０．５〜１５．０質量部、有機溶剤は、固形成分及び有
機バインダー１００質量部に対して、５〜１００質量部
の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペ
ースト中には若干のガラス成分等を添加してもよい。

【００２３】次に、配線回路層３の形成方法としては、
種々の方法があげられるが、ここでは金属箔の転写法に
ついて説明する。厚み３〜３０μｍの金属箔を高分子材
料等からなる転写フィルム上に接着し、この金属箔の表
面に回路パターン状にレジストを被着した後、塩酸ある
いは塩化第二鉄によりエッチングを行い不要な部分の金
属箔を溶解除去し、レジストの除去およびレジスト除去
液の洗浄を行い鏡像の配線回路層１３を得る。

【００２４】次に、配線回路層１３を形成した転写フィ
ルムをビアホール導体１２が形成されたグリーンシート
１１の表面に位置合わせして積層圧着した後、転写フィ
ルムを剥がすことにより、配線回路層１３をグリーンシ
ート１１表面に形成することができる（図２（ｃ））。

【００２５】この時、金属箔からなる配線回路層１３の
転写性を高めるために、金属箔からなる配線回路層１３
のグリーンシート１１と接触する側の表面粗さＲｚを３
〜６μｍとすることによって、配線回路層１３のグリー
ンシート１１への密着性を高めることができる。

【００２６】次に、上記と同様にして作製された複数の
グリーンシート１１を積層圧着して積層体１５を形成す
る（図２（ｄ））。グリーンシート１１の積層には、積
み重ねられたグリーンシート１１に熱と圧力を加えて熱
圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からな
る接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用
可能である。

【００２７】また、積層体１５の表面や内部に形成され
る配線回路層１３の形成箇所は、グリーンシート１１の
周縁部から３ｍｍ以上、特に５ｍｍ以上内側の領域に形
成することが重要である。言い換えれば、図２（ｄ）の
距離ｗが３ｍｍ以上、特に５ｍｍ以上であることを意味
する。これは、配線回路層１３をグリーンシート１１の
周縁部から３ｍｍ未満の領域にまで形成すると、後述す
る焼成時に、この部分の変形によって配線回路層１３に
ずれが発生し、回路の信頼性が低下するためである。

【００２８】次に、基板の所定の位置に片面あるいは両
面から焼成後に深さｍが０．０１〜１ｍｍとなるような
切り込み１４を形成する（図２（ｅ））。この時、切り
込み１４を形成する位置は、グリーンシート１１の周縁
部から距離ｗの範囲内であり、つまり、切り込み１４の
積層体７の周縁部からの距離ｖは、ｖ＜wを満足し、特
に、ｖは、１ｍｍ以上、特に３ｍｍ以上、さらには５ｍ
ｍ以上であることが望ましい。これによって、図５で示
したような側端面の厚み方向の中央部がへこみ、表面側
および／または裏面側が突出した形状の部分を完全に除
去することができる。

【００２９】また、切り込み１４の深さｍは、１ｍｍ以
下であることが必要である。この深さが１ｍｍよりも深
いと、焼成時に切り込み１４が起点となり、基板に予期
し得ないクラックなどが発生する場合がある。なお、切
り込み１４の深さｍは、後の切断性を考えれば、０．１
ｍｍ以上であることが望ましい。

【００３０】さらに、切り込み１４は、図面では、積層
体１５の両面に形成されているが、切り込み１４の形成
は、積層体１５の表面側、裏面側のいずれか一方であっ
てもよい。

【００３１】この切り込み１４の形成は、例えば、積層
体１５から複数の配線基板を製造する場合において形成
する場合にも適用される。例えば、図３の平面図に示す
ように、積層体１５に対して、マトリックス状に切り込
み１４を形成することができる。その場合においても、
積層体１５の周縁部における切り込み１４の形成箇所
は、前述した通り、ｖが１ｍｍ以上、特に３ｍｍ以上、
さらには５ｍｍ以上であることが望ましく、また、切り
込み深さｍも０．０１〜１ｍｍであることが必要であ
る。

【００３２】次に、焼成により実質的に収縮しないセラ
ミックシート１６（以下、拘束シートという場合もあ
る）を積層体１５の少なくとも一方、望ましくは両面に
積層する（図２（ｅ））。積層の方法はグリーンシート
１６の積層と同様に熱圧着や、有機バインダー、可塑
剤、溶剤等からなる接着剤を塗布して熱圧着する方法等
を用いることが可能である。

【００３３】この拘束シート１６は、難焼結性セラミッ
ク材料を主成分とするセラミック成分に、有機バインダ
ー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形
して得られる。難焼結性セラミック材料としては、具体
的には１１００℃以下の温度で焼成が進行し収縮しない
ようなセラミック組成物から構成され、具体的にはＡｌ
₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＺｒＯ₂、ＢＮ、ＴｉＯ₂の少
なくとも１種又はその化合物（ムライト、スピネル、フ
ォルステライト、エンスタタイト等）の粉末が挙げられ
る。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはガ
ラスセラミックグリーンシート１１で使用したのと同様
の材料が使用可能である。

【００３４】また、この拘束シート１６中には、ガラス
成分を０．５〜１５体積％加えることによって、積層体
７との密着性が高くなり、収縮を抑制する作用が大きく
なり、また積層体７表面のガラス成分の拡散によるボイ
ドの発生を抑制できるなどの利点を有する。

【００３５】次に、こうして得られた積層体１５を１０
０〜８５０℃、特に４００〜７５０℃の窒素雰囲気中で
加熱処理してグリーンシート１１内やビアホール導体ペ
ースト中の有機成分を分解除去した後、８００〜１１０
０℃の窒素雰囲気中で焼成する。また、配線回路層１３
としてＡｇ導体を用いる場合、焼成雰囲気は大気中で行
うことができる。

【００３６】その後、適宜、拘束シート１６を超音波洗
浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サ
ンドブラスト、ウェットブラスト等によって除去する
（図２（ｆ）。

【００３７】そして、先に積層体１５に形成した切り込
み１４に沿って折ることによって破断するか、もしくは
砥石によってカットする。これによってセラミック多層
配線基板を得ることができる。

【００３８】なお、このようにして作製されるセラミッ
ク多層配線基板は、図４の要部断面図に示す通り、多層
配線基板の側端面のうち、少なくとも主要となる４つの
側端面における厚み方向の少なくとも中央部ａが破断面
またはカット面によって形成されており、この中央部ａ
の表面側ｂ１および／または裏面側ｂ２は、０．０１〜
１ｍｍにわたって焼き肌面によって形成された構造から
なる。なお、この焼き肌面からなる面表面側ｂ１、裏面
側ｂ２の幅は、前記図２（ｅ）における切込み１４の深
さｍと同じになる。

【００３９】かかる構造においては、図４に示すとお
り、多層配線基板の側端面が外側に凸となる構造を有す
ることから、多層配線基板の割れや欠けを防止すること
ができる。

【００４０】一方、第２の製造方法においては、図２の
製造工程図で説明したように、配線回路層３の形成箇所
を積層体７の周縁部から３ｍｍ以上、特に５ｍｍ以上内
側の領域に形成する。そして、積層体１５に図２（ｅ）
で説明したような切り込み１４を形成することなく、拘
束シート１６を積層し、焼成した後、拘束シート１６を
除去する。その後、焼成後の積層体１５をカッターなど
の砥石によって所望の箇所を切断除去する。その場合、
切断箇所は、前記図２の積層体の周縁部から距離ｗまで
の間で切断すればよい。この場合には、多層配線基板の
側端面のうち、少なくとも４つの側端面においては、焼
き肌面は存在せず、すべて砥石による切断面からなる。

【００４１】また、本発明においては、多層配線基板の
側端面には、外部と接続するための電極を持たないこと
が望ましい。これは、電極部を形成した部分を切断処理
すると、電極がセラミックスから剥がれる場合がある。
特に、電極をＣｕやＡｇなどの柔らかい金属で形成した
場合、電極と磁器との密着強度も低いために、電極の剥
がれが顕著となるためである。言い換えれば、多層配線
基板の側端面は、すべてセラミックスからなることが望
ましい。

【００４２】

【実施例】ＳｉＯ₂：３７質量％、Ａｌ₂Ｏ₃：２７質量
％、ＣａＯ：１１質量％、ＺｎＯ：１２質量％、Ｂ
₂Ｏ₃：１３質量％の組成を有する平均粒径３μｍの結晶
化ガラス粉末（軟化点８５０℃）７３質量％と、セラミ
ックフィラーとして、平均粒径２μｍのシリカ２７質量
％からなるガラスセラミック原料粉末１００質量部に対
して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹
脂を固形分で１０質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチ
ルを４質量部添加し、トルエンを有機溶剤としてボール
ミルにより３６時間混合しスラリーを調整した。得られ
たスラリーをドクターブレード法により厚さ０．２ｍｍ
のグリーンシートを形成した。

【００４３】次に、厚み０．０２ｍｍの銅箔を樹脂フィ
ルム上に積層し、フォトエッチング法により、所定の配
線回路層の鏡像となる導体パターンを作製した。この樹
脂フィルム上に形成した導体パターンをグリーンシート
に加熱圧着し、樹脂フィルムを剥離して導体パターンを
グリーンシート表面に転写させた。このグリーンシート
１０枚を位置あわせして積層した。積層は８０℃、１０
ＭＰａで行った。

【００４４】なお、導体パターン形成にあたっては、グ
リーンシートの周縁部からの距離ｗを表１のように設定
した。

【００４５】さらに、必要に応じて積層体の周縁部から
の距離がｖの付近の上面および／または下面に、深さｍ
の切り込みを回転式円形カッター刃により入れた。

【００４６】次に、アルミナ粉末１００質量部に対して
有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固
形分で１０質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを６
質量部添加し、ドクターブレード法により０．３ｍｍの
厚みに形成死、焼成時に実質的に収縮しない拘束シート
を作製した。そして、この拘束シートを先の積層体の両
面に８０℃、１０ＭＰａで加熱圧着した。

【００４７】その後、この積層体中の有機成分（バイン
ダー、可塑剤等）を分解除去するために水蒸気を含んだ
窒素雰囲気中で７５０℃、３時間の熱処理を行い残留炭
素量を３００ｐｐｍ以下に低減せしめた後、９３０℃で
１時間の焼成を行なった後、ウェットブラストを行い拘
束シートの除去を行なった。

【００４８】その後、必要に応じて、回転式円形カッタ
ー刃を用いて砥石切断することか、または切り込みに沿
って、折って破断する（折破断）あるいは砥石切断する
ことにより多層配線基板を得た。なお、切り込みを形成
しなかったものは、すべて砥石による切断を行なった。
その後、得られた多層配線基板における表面の配線回路
層に対して厚み３μｍのニッケルめっき及び厚み１μｍ
の金めっきを行いすることにより多層配線基板を得た。（評価）作製した多層配線基板１００個に対して、電極
表面にメッキ処理を行った後の基板の周縁部における欠
けの発生ならびに層間剥離の発生個数をそれぞれ表１に
示した。

【００４９】また、作製した１００個の配線基板に対し
て、周縁部付近の配線回路層を横切るように砥石で切断
し、露出した配線回路層から内部配線回路層の位置ずれ
を観察し、設計値から配線回路層の寸法に０．１ｍｍ以
上のズレが発生したものの個数を表１に示した。その結
果を表１にまとめた。

【００５０】

【表１】

【００５１】表１の結果によれば、従来、拘束シートに
よって焼成収縮を抑制しながら焼成した場合、焼成した
配線基板における周縁部には、図５に示されるような突
起ａが形成されており、いたるところに欠けや層間剥離
が観察された。しかも、配線回路層形成箇所ｗが３ｍｍ
以内の場合には、配線基板の厚み方向における中央部に
位置する配線回路層に寸法のズレが多数発生していた。
配線回路層の形成箇所ｗが５ｍｍ以下の試料Ｎｏ．３で
は配線回路層のズレは解消されたが、欠けが大量に発生
した。また、切り込み深さが１ｍｍを超えると、焼成中
にシートが一部破断し周縁部における変形が大きいもの
であった。

【００５２】これに対して、本発明品は、いずれも欠け
や層間剥離が顕著に抑制され、しかも周縁部付近におけ
る配線回路層の寸法のずれの発生も抑制することができ
た。

【００５３】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、焼
成時に収縮しないセラミックシートを用いて焼成収縮を
抑制しながら焼成して、寸法精度の高い多層配線基板を
得るにあたって、配線回路層を焼成前の積層体の周縁部
より所定の内側に形成し、また、その周辺部を切断加工
することによって、焼成後において配線回路層の寸法の
ずれの発生や、配線基板の側端面での欠けやクラック等
の発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】セラミック多層配線基板の概略断面図である。

【図２】本発明の多層配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図である。

【図３】本発明の多層配線基板の製造方法における多数
個の配線基板を作製する場合の切り込みの形成箇所を説
明するための平面図である。

【図４】本発明の多層配線基板における側端部の構造を
説明するための概略断面図である。

【図５】従来の方法によって得られる多層配線基板の側
端面の断面図である。

【符号の説明】

１多層配線基板２絶縁基板３配線回路層４ビアホール導体５電子部品１１グリーンシート１４切り込み１５積層体１６拘束シート

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者木村哲也鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 5E338 AA03 AA18 BB47 BB66 CC01 EE21 5E346 AA12 AA15 AA24 AA38 BB01 CC18 CC31 CC60 DD02 DD34 EE24 EE29 GG03 GG08 GG09 GG10 HH11 HH33

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミックグリーンシートの周縁部から３
ｍｍ以上内側の領域に配線回路層を形成する工程と、前
記配線回路層を形成したグリーンシートを複数層積層す
る工程と、前記積層体の少なくとも一方の表面の周辺部
に、平面的にみて前記配線回路層を横切らないように深
さ０．０１〜１ｍｍの切り込みを形成する工程と、前記
切り込みを形成した前記積層体の表面に、焼成時に収縮
しないセラミックシートを積層し、焼成して平面方向の
焼成収縮を抑制しながら焼成する工程と、焼成後のセラ
ミックシートを除去する工程と、前記焼成後の積層体の
少なくとも周辺部を前記切り込みに沿って切断除去する
工程と、を具備することを特徴とするセラミック多層配
線基板の製造方法。
【請求項２】セラミックグリーンシートの周縁部から３
ｍｍ以上内側の領域に配線回路層を形成する工程と、前
記配線回路層を形成したセラミックグリーンシートを複
数層積層する工程と、該積層体の表面に、焼成時に収縮
しないセラミックシートを積層し、焼成して平面方向の
焼成収縮を抑制しながら焼成する工程と、焼成後のセラ
ミックシートを除去する工程と、前記焼成後の積層体の
少なくとも周辺部を前記配線回路層を横切らないように
切断除去する工程と、を具備することを特徴とするセラ
ミック多層配線基板の製造方法。
【請求項３】セラミックグリーンシート積層体の両面に
焼成温度で実質的に収縮しないセラミックシートを積層
して焼成した後、前記収縮しないセラミックシートを除
去して得られる、厚みが０．３ｍｍ以上のセラミック多
層配線基板において、該多層配線基板の側端面のうち、
少なくとも４つの側端面における厚み方向の中央部が破
断面またはカット面によって形成され、該中央部から表
面側および／または裏面側の部分が０．０１〜１ｍｍに
わたって焼き肌面によって形成されていることを特徴と
するセラミック多層配線基板。
【請求項４】セラミックグリーンシート積層体の両面に
焼成温度で実質的に収縮しないセラミックシートを積層
して焼成した後、前記収縮しないセラミックシートを除
去して得られる、厚みが０．３ｍｍ以上のセラミック多
層配線基板において、該多層配線基板の側端面のうち、
少なくとも４つの側端面がカット面からなることを特徴
とするセラミック多層配線基板。
【請求項５】前記側端面には、外部と接続するための電
極を持たないことを特徴とする請求項３または請求項４
記載のセラミック多層配線基板。