JP2003118104A - 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 - Google Patents
強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置Info
- Publication number
- JP2003118104A JP2003118104A JP2001312145A JP2001312145A JP2003118104A JP 2003118104 A JP2003118104 A JP 2003118104A JP 2001312145 A JP2001312145 A JP 2001312145A JP 2001312145 A JP2001312145 A JP 2001312145A JP 2003118104 A JP2003118104 A JP 2003118104A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferroelectric film
- ferroelectric
- sputtering target
- forming
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い圧電特性および絶縁性を有する強誘電体
膜が成膜できる強誘電体膜形成用スパッタリングターゲ
ットを得る。 【解決手段】 Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカ
イト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットで
あって、相対密度が８５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８
（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）＜１．５とする。
膜が成膜できる強誘電体膜形成用スパッタリングターゲ
ットを得る。 【解決手段】 Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカ
イト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットで
あって、相対密度が８５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８
（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）＜１．５とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強誘電体膜形成用
スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、
強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、イン
クジェットヘッドならびにインクジェット記録装置に関
する。
スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、
強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、イン
クジェットヘッドならびにインクジェット記録装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】たとえばアクチュエータの変位によりイ
ンクをノズルから吐出させて印字を行うインクジェット
式記録装置には、強誘体電膜の圧電特性を利用した強誘
電体素子が用いられている。
ンクをノズルから吐出させて印字を行うインクジェット
式記録装置には、強誘体電膜の圧電特性を利用した強誘
電体素子が用いられている。
【０００３】ＰＺＴ膜などの強誘電体膜には、大きな変
位量を得るために高い圧電特性と、駆動電圧で十分な絶
縁性を得るために高い絶縁特性が要求される。
位量を得るために高い圧電特性と、駆動電圧で十分な絶
縁性を得るために高い絶縁特性が要求される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ここで、強誘電体膜は
スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングによ
り形成されるが、従来においては圧電特性および絶縁特
性とスパッタリングターゲットの特性との関係について
の解析が必ずしも十分に行われてきたとはいえない。
スパッタリングターゲットを用いてスパッタリングによ
り形成されるが、従来においては圧電特性および絶縁特
性とスパッタリングターゲットの特性との関係について
の解析が必ずしも十分に行われてきたとはいえない。
【０００５】そこで、本発明は、高い圧電特性および絶
縁性を有する強誘電体膜を得ることのできる強誘電体膜
形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的
とする。
縁性を有する強誘電体膜を得ることのできる強誘電体膜
形成用スパッタリングターゲットを提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に、本発明の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トは、Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の
強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、
相対密度が８５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋
Ｔｉ＝１）、且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．
５としたものである。
に、本発明の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲッ
トは、Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の
強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、
相対密度が８５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋
Ｔｉ＝１）、且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．
５としたものである。
【０００７】これにより、高い圧電特性および絶縁性を
有する強誘電体膜を得ることが可能になる。
有する強誘電体膜を得ることが可能になる。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強
誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、相
対密度が８５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ＝１）、且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．５
である強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであ
り、高い圧電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得
ることが可能になるという作用を有する。
は、Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強
誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであって、相
対密度が８５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ＝１）、且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．５
である強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであ
り、高い圧電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得
ることが可能になるという作用を有する。
【０００９】本発明の請求項２に記載の発明は、Ｐｂ、
ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形
成用スパッタリングターゲットであって、相対密度が９
５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、
且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．５である強誘
電体膜形成用スパッタリングターゲットであり、より高
い圧電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ること
が可能になるという作用を有する。
ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイト型の強誘電体膜形
成用スパッタリングターゲットであって、相対密度が９
５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、
且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．５である強誘
電体膜形成用スパッタリングターゲットであり、より高
い圧電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ること
が可能になるという作用を有する。
【００１０】本発明の請求項３に記載の発明は、請求項
１または２記載の強誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットにより形成された強誘電体膜であり、高い圧電特
性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ることが可能に
なるという作用を有する。
１または２記載の強誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットにより形成された強誘電体膜であり、高い圧電特
性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ることが可能に
なるという作用を有する。
【００１１】本発明の請求項４に記載の発明は、請求項
３記載の発明において、膜厚が１〜１０μｍで比誘電率
が１５０〜５００である強誘電体膜であり、より高い圧
電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ることが可
能になるという作用を有する。
３記載の発明において、膜厚が１〜１０μｍで比誘電率
が１５０〜５００である強誘電体膜であり、より高い圧
電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ることが可
能になるという作用を有する。
【００１２】本発明の請求項５に記載の発明は、第１の
電極と、第１の電極上に形成された請求項３または４記
載の強誘電体膜と、強誘電体膜上に形成された第２の電
極とを有する強誘電体素子であり、安定した動作特性を
得ることが可能になるという作用を有する。
電極と、第１の電極上に形成された請求項３または４記
載の強誘電体膜と、強誘電体膜上に形成された第２の電
極とを有する強誘電体素子であり、安定した動作特性を
得ることが可能になるという作用を有する。
【００１３】本発明の請求項６に記載の発明は、請求項
５記載の強誘電体素子が用いられているアクチュエータ
であり、安定した変位動作を行うことが可能になるとい
う作用を有する。
５記載の強誘電体素子が用いられているアクチュエータ
であり、安定した変位動作を行うことが可能になるとい
う作用を有する。
【００１４】本発明の請求項７に記載の発明は、請求項
６記載のアクチュエータと、インク液が収容され、アク
チュエータの変位が作用する複数の圧力室とを備えたこ
とを特徴とするインクジェットヘッドであり、安定した
インク吐出を行うことが可能になるという作用を有す
る。
６記載のアクチュエータと、インク液が収容され、アク
チュエータの変位が作用する複数の圧力室とを備えたこ
とを特徴とするインクジェットヘッドであり、安定した
インク吐出を行うことが可能になるという作用を有す
る。
【００１５】本発明の請求項８に記載の発明は、請求項
７記載のインクジェットヘッドを備えたインクジェット
式記録装置であり、安定したインク吐出により高画質の
印字を行うことが可能になるという作用を有する。
７記載のインクジェットヘッドを備えたインクジェット
式記録装置であり、安定したインク吐出により高画質の
印字を行うことが可能になるという作用を有する。
【００１６】以下、本発明の実施の形態について、図１
から図１０を用いて説明する。なお、これらの図面にお
いて同一の部材には同一の符号を付しており、また、重
複した説明は省略されている。
から図１０を用いて説明する。なお、これらの図面にお
いて同一の部材には同一の符号を付しており、また、重
複した説明は省略されている。
【００１７】図１は本発明の一実施の形態である強誘電
体膜形成用スパッタリングターゲットで作製された強誘
電体素子が用いられたインクジェット式記録装置の全体
概略構成を示す斜視図、図２は図１のインクジェット式
記録装置におけるインクジェットヘッドの全体構成を示
す断面図、図３は図２の要部を示す斜視図、図４は図２
のインクジェットヘッドのアクチュエータ部の構成を示
す断面図、図５は強誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットで作製された強誘電体膜におけるＺｒ比と圧電特
性との関係を示すグラフ、図６は強誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットで作製された強誘電体膜における
Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）と圧電特性との関係を示すグラ
フ、図７は強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
で作製された強誘電体膜におけるターゲット相対密度と
圧電特性との関係を示すグラフ、図８は強誘電体膜形成
用スパッタリングターゲットで作製された強誘電体膜に
おけるターゲット相対密度と絶縁破壊電圧との関係を示
すグラフ、図９は強誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットで作製された強誘電体膜における膜厚と圧電特性
との関係を示すグラフ、図１０は強誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットで作製された強誘電体膜における
比誘電率と絶縁破壊電圧との関係を示すグラフである。
体膜形成用スパッタリングターゲットで作製された強誘
電体素子が用いられたインクジェット式記録装置の全体
概略構成を示す斜視図、図２は図１のインクジェット式
記録装置におけるインクジェットヘッドの全体構成を示
す断面図、図３は図２の要部を示す斜視図、図４は図２
のインクジェットヘッドのアクチュエータ部の構成を示
す断面図、図５は強誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットで作製された強誘電体膜におけるＺｒ比と圧電特
性との関係を示すグラフ、図６は強誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットで作製された強誘電体膜における
Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）と圧電特性との関係を示すグラ
フ、図７は強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
で作製された強誘電体膜におけるターゲット相対密度と
圧電特性との関係を示すグラフ、図８は強誘電体膜形成
用スパッタリングターゲットで作製された強誘電体膜に
おけるターゲット相対密度と絶縁破壊電圧との関係を示
すグラフ、図９は強誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットで作製された強誘電体膜における膜厚と圧電特性
との関係を示すグラフ、図１０は強誘電体膜形成用スパ
ッタリングターゲットで作製された強誘電体膜における
比誘電率と絶縁破壊電圧との関係を示すグラフである。
【００１８】図１に示すインクジェット式記録装置４０
は、強誘電体素子の圧電効果を利用して記録を行う本発
明のインクジェットヘッド４１を備え、このインクジェ
ットヘッド４１から吐出したインク滴を紙等の記録媒体
４２に着弾させて、記録媒体４２に記録を行うものであ
る。インクジェットヘッド４１は、主走査方向Ｘに配置
したキャリッジ軸４３に設けられたキャリッジ４４に搭
載されていて、キャリッジ４４がキャリッジ軸４３に沿
って往復動するのに応じて、主走査方向Ｘに往復動す
る。さらに、インクジェット式記録装置４０は、記録媒
体４２をインクジェットヘッド４１の幅方向（すなわ
ち、主走査方向Ｘ）と略垂直方向の副走査方向Ｙに移動
させる複数個のローラ（移動手段）４５を備える。
は、強誘電体素子の圧電効果を利用して記録を行う本発
明のインクジェットヘッド４１を備え、このインクジェ
ットヘッド４１から吐出したインク滴を紙等の記録媒体
４２に着弾させて、記録媒体４２に記録を行うものであ
る。インクジェットヘッド４１は、主走査方向Ｘに配置
したキャリッジ軸４３に設けられたキャリッジ４４に搭
載されていて、キャリッジ４４がキャリッジ軸４３に沿
って往復動するのに応じて、主走査方向Ｘに往復動す
る。さらに、インクジェット式記録装置４０は、記録媒
体４２をインクジェットヘッド４１の幅方向（すなわ
ち、主走査方向Ｘ）と略垂直方向の副走査方向Ｙに移動
させる複数個のローラ（移動手段）４５を備える。
【００１９】図２は本発明の実施の形態のインクジェッ
トヘッド４１の全体構成を示し、図３はその要部の構成
を示す。図２および図３において、Ａは圧力室部品であ
って、圧力室用開口部１が形成される。Ｂは圧力室用開
口部１の上端開口面を覆うように配置されるアクチュエ
ータ部、Ｃは圧力室用開口部１の下端開口面を覆うよう
に配置されるインク液流路部品である。圧力室部品Ａの
圧力室用開口部１は、その上下に位置するアクチュエー
タ部Ｂおよびインク流流路部品Ｃにより区画されて圧力
室２となる。アクチュエータ部Ｂには、圧力室２の上方
に位置する個別電極（第２の電極）３が配置されてい
る。これ等圧力室２および個別電極３は、図２から判る
ように、千鳥状に多数配列されている。インク液流路部
品Ｃには、インク液供給方向に並ぶ圧力室２間で共用す
る共通液室５と、この共通液室５を圧力室２に連通する
供給口６と、圧力室２内のインク液が流出するインク流
路７とが形成される。Ｄはノズル板であって、インク流
路７に連通するノズル孔８が形成されている。また、図
２において、ＥはＩＣチップであって、ボンディングワ
イヤーＢＷを介して多数の個別電極３に対して電圧を供
給する。
トヘッド４１の全体構成を示し、図３はその要部の構成
を示す。図２および図３において、Ａは圧力室部品であ
って、圧力室用開口部１が形成される。Ｂは圧力室用開
口部１の上端開口面を覆うように配置されるアクチュエ
ータ部、Ｃは圧力室用開口部１の下端開口面を覆うよう
に配置されるインク液流路部品である。圧力室部品Ａの
圧力室用開口部１は、その上下に位置するアクチュエー
タ部Ｂおよびインク流流路部品Ｃにより区画されて圧力
室２となる。アクチュエータ部Ｂには、圧力室２の上方
に位置する個別電極（第２の電極）３が配置されてい
る。これ等圧力室２および個別電極３は、図２から判る
ように、千鳥状に多数配列されている。インク液流路部
品Ｃには、インク液供給方向に並ぶ圧力室２間で共用す
る共通液室５と、この共通液室５を圧力室２に連通する
供給口６と、圧力室２内のインク液が流出するインク流
路７とが形成される。Ｄはノズル板であって、インク流
路７に連通するノズル孔８が形成されている。また、図
２において、ＥはＩＣチップであって、ボンディングワ
イヤーＢＷを介して多数の個別電極３に対して電圧を供
給する。
【００２０】次に、アクチュエータ部Ｂの構成を図４に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２１】同図において、アクチュエータ部Ｂは、図
２に示したインク液供給方向とは直交する方向の断面図
を示す。同図では、直交方向に並ぶ４個の圧力室２を持
つ圧力室部品Ａが参照的に描かれている。
２に示したインク液供給方向とは直交する方向の断面図
を示す。同図では、直交方向に並ぶ４個の圧力室２を持
つ圧力室部品Ａが参照的に描かれている。
【００２２】このアクチュエータ部Ｂは、各圧力室２の
上方に位置する個別電極３、この個別電極３の直下に位
置する強誘電体膜１０、この強誘電体膜１０の圧電効果
により変位し振動する振動板兼共通電極１１とを有す
る。振動板兼共通電極１１は、導電性物質で形成されて
いて、各圧力室２で共通する共通電極（第１の電極）を
兼用する。さらに、アクチュエータ部Ｂは、各圧力室２
の相互を区画する区画壁２ａの上方に位置する縦壁１３
を持つ。なお、同図中、１４は圧力室部品Ａとアクチュ
エータ部Ｂとを接着する接着剤である。各縦壁１３は、
接着剤１４を用いた接着時に、一部の接着剤１４が区画
壁２ａの外方にはみ出した場合にも、この接着剤１４が
振動板兼共通電極１１に付着せず、振動板兼共通電極１
１が所期通りの変位、振動を起こすように、圧力室２の
上面と振動板兼共通電極１１の下面との距離を拡げる役
割を持つ。但し、振動板と共通電極は別体となっていて
もよい。
上方に位置する個別電極３、この個別電極３の直下に位
置する強誘電体膜１０、この強誘電体膜１０の圧電効果
により変位し振動する振動板兼共通電極１１とを有す
る。振動板兼共通電極１１は、導電性物質で形成されて
いて、各圧力室２で共通する共通電極（第１の電極）を
兼用する。さらに、アクチュエータ部Ｂは、各圧力室２
の相互を区画する区画壁２ａの上方に位置する縦壁１３
を持つ。なお、同図中、１４は圧力室部品Ａとアクチュ
エータ部Ｂとを接着する接着剤である。各縦壁１３は、
接着剤１４を用いた接着時に、一部の接着剤１４が区画
壁２ａの外方にはみ出した場合にも、この接着剤１４が
振動板兼共通電極１１に付着せず、振動板兼共通電極１
１が所期通りの変位、振動を起こすように、圧力室２の
上面と振動板兼共通電極１１の下面との距離を拡げる役
割を持つ。但し、振動板と共通電極は別体となっていて
もよい。
【００２３】そして、個別電極３、強誘電体膜１０およ
び振動板兼共通電極１１で強誘電体素子が構成されてい
る。
び振動板兼共通電極１１で強誘電体素子が構成されてい
る。
【００２４】なお、個別電極３は例えばＰｔ（白金）
で、強誘電体膜１０は例えばチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐ
ＺＴ）で、振動板兼共通電極１１は例えばＣｒ（クロ
ム）、Ｍｏ（モリブデン）またはＴａ（タンタル）で、
形成されている。また、個別電極３は厚さ０．１〜０．
５μｍに、強誘電体膜１０は厚さ１〜１０μｍに、特に
好ましくは３〜５μｍに、成膜される。これは振動板と
の応力バランスや全体のトータル膜厚等を考慮して決め
られ、この場合振動板兼共通電極１１は厚さ３〜５μｍ
に、各々成膜されている。
で、強誘電体膜１０は例えばチタン酸ジルコン酸鉛（Ｐ
ＺＴ）で、振動板兼共通電極１１は例えばＣｒ（クロ
ム）、Ｍｏ（モリブデン）またはＴａ（タンタル）で、
形成されている。また、個別電極３は厚さ０．１〜０．
５μｍに、強誘電体膜１０は厚さ１〜１０μｍに、特に
好ましくは３〜５μｍに、成膜される。これは振動板と
の応力バランスや全体のトータル膜厚等を考慮して決め
られ、この場合振動板兼共通電極１１は厚さ３〜５μｍ
に、各々成膜されている。
【００２５】ここで、本発明者は、前述した強誘電体膜
１０について種々の解析を行った。なお、スパッタリン
グターゲットは、Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブス
カイト型を有するものである。
１０について種々の解析を行った。なお、スパッタリン
グターゲットは、Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブス
カイト型を有するものである。
【００２６】先ず、スパッタリングターゲットの製造工
程について説明する。
程について説明する。
【００２７】例えばＰＺＴターゲットＰｂ1.1（Ｚｒ0.5
Ｔｉ0.5）Ｏ3.1を製作するに当たり、ＰｂＯ、ＺｒＯ2
およびＴｉＯ2の粉末原料を、所望の組成になるように
用意し、これらの原料をよく混合する。
Ｔｉ0.5）Ｏ3.1を製作するに当たり、ＰｂＯ、ＺｒＯ2
およびＴｉＯ2の粉末原料を、所望の組成になるように
用意し、これらの原料をよく混合する。
【００２８】次いで、この粉末原料を約１０００〜１３
００℃程度の温度で大気仮焼を行った後に粉砕し、ＰＺ
Ｔ粉末を所定量調整する。この粉末に０．１モルのＰｂ
Ｏを加えて十分に混合し、本焼前原料粉末とする。そし
て、この原料粉末をカーボン型にセットし、真空ホット
プレス法によって原料粉末の本焼を行う。
００℃程度の温度で大気仮焼を行った後に粉砕し、ＰＺ
Ｔ粉末を所定量調整する。この粉末に０．１モルのＰｂ
Ｏを加えて十分に混合し、本焼前原料粉末とする。そし
て、この原料粉末をカーボン型にセットし、真空ホット
プレス法によって原料粉末の本焼を行う。
【００２９】ここで、真空ホットプレス法に用いられる
真空ホットプレス装置は、真空容器内に上下一対のホッ
トプレスが備えられたものである。
真空ホットプレス装置は、真空容器内に上下一対のホッ
トプレスが備えられたものである。
【００３０】真空ホットプレス法では、先ず、この真空
ホットプレス装置の上側ホットプレスを上昇させておい
て下側ホットプレス上にカーボン製の円盤状の底型を設
置し、この底型の上に、当該底型と同じ直径を有するカ
ーボン製の中空円筒状の成形型を設置する。このとき、
底型の表面上に、厚み約２ｍｍ程度のカーボンシートを
内張りするとともに、このカーボンシートと一部が重な
り合うようにして、成形型の内側壁にも全周にわたって
カーボンシートを張る。
ホットプレス装置の上側ホットプレスを上昇させておい
て下側ホットプレス上にカーボン製の円盤状の底型を設
置し、この底型の上に、当該底型と同じ直径を有するカ
ーボン製の中空円筒状の成形型を設置する。このとき、
底型の表面上に、厚み約２ｍｍ程度のカーボンシートを
内張りするとともに、このカーボンシートと一部が重な
り合うようにして、成形型の内側壁にも全周にわたって
カーボンシートを張る。
【００３１】そして、成形型の空間内に原料粉末を充填
した後、成形型に張ったカーボンシートと一部が重なり
合うようにして、その原料粉末の上側にカーボンシート
を設置する。
した後、成形型に張ったカーボンシートと一部が重なり
合うようにして、その原料粉末の上側にカーボンシート
を設置する。
【００３２】このようにして原料粉末をカーボンシート
で包み込んだならば、原料粉末の上側のカーボンシート
の上にカーボン製の上板を設置して上側ホットプレスを
下降させる。そして、真空容器内の圧力を約１０−１Ｐ
ａ程度に保持し、上下のホットプレス間を２０〜５０Ｍ
Ｐａ程度の加圧状態としながら約９００〜１０００℃程
度で約２時間のホットプレスを行い、円盤状の焼結体を
作製する。
で包み込んだならば、原料粉末の上側のカーボンシート
の上にカーボン製の上板を設置して上側ホットプレスを
下降させる。そして、真空容器内の圧力を約１０−１Ｐ
ａ程度に保持し、上下のホットプレス間を２０〜５０Ｍ
Ｐａ程度の加圧状態としながら約９００〜１０００℃程
度で約２時間のホットプレスを行い、円盤状の焼結体を
作製する。
【００３３】その後、このようにして得られたターゲッ
トの表面に湿式による研削および研磨加工を加えて平坦
度を上げ、目的とするターゲットを得る。そして、この
ような方法によれば、カーボンシートによる気密性向上
によりＰｂＯの蒸発が極力抑えられ、ほぼ仕込原料と同
一組成の焼結体を得ることができる。
トの表面に湿式による研削および研磨加工を加えて平坦
度を上げ、目的とするターゲットを得る。そして、この
ような方法によれば、カーボンシートによる気密性向上
によりＰｂＯの蒸発が極力抑えられ、ほぼ仕込原料と同
一組成の焼結体を得ることができる。
【００３４】なお、ターゲットの作成方法は以上の説明
のような真空ホットプレス法に限定されるものではな
く、例えば常圧焼結法、熱間等方加圧法など他の種々の
方法を用いることも可能である。
のような真空ホットプレス法に限定されるものではな
く、例えば常圧焼結法、熱間等方加圧法など他の種々の
方法を用いることも可能である。
【００３５】得られた焼結体ターゲットはカソードとな
るバッキングプレート上にＩｎとＧａの合金等で接着さ
れ、真空中でアルゴンガスやアルゴン／酸素ガスを導入
して、ＤＣもしくはＲＦ電源よりカソードに電界を印加
して、プラズマを発生させ、ターゲット分子を取り出
し、ターゲット材料をアノードの基板上に堆積させるこ
とにより成膜される。
るバッキングプレート上にＩｎとＧａの合金等で接着さ
れ、真空中でアルゴンガスやアルゴン／酸素ガスを導入
して、ＤＣもしくはＲＦ電源よりカソードに電界を印加
して、プラズマを発生させ、ターゲット分子を取り出
し、ターゲット材料をアノードの基板上に堆積させるこ
とにより成膜される。
【００３６】次に、強誘電体膜形成用スパッタリングタ
ーゲットで作製された強誘電体膜におけるＺｒ比と圧電
特性との関係を図５に示す。
ーゲットで作製された強誘電体膜におけるＺｒ比と圧電
特性との関係を図５に示す。
【００３７】図示するように、Ｚｒ＋Ｔｉ＝１とした場
合において、Ｚｒ比が０．３〜０．８であれば、つまり
０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）であれば、Ｚ
ｒが単独で結晶化してペロブスカイト層を形成しにくく
なるという問題が発生することを抑制し、良好な圧電特
性を示していることが分かった。
合において、Ｚｒ比が０．３〜０．８であれば、つまり
０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）であれば、Ｚ
ｒが単独で結晶化してペロブスカイト層を形成しにくく
なるという問題が発生することを抑制し、良好な圧電特
性を示していることが分かった。
【００３８】また、誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットで作製された強誘電体膜におけるＰｂ／（Ｚｒ＋
Ｔｉ）と圧電特性との関係を図６に示す。
ゲットで作製された強誘電体膜におけるＰｂ／（Ｚｒ＋
Ｔｉ）と圧電特性との関係を図６に示す。
【００３９】図６に示すように、１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ
＋Ｔｉ）＜１．５において良好な圧電特性を示してい
る。
＋Ｔｉ）＜１．５において良好な圧電特性を示してい
る。
【００４０】一般に、ＰＺＴ膜のような酸化物薄膜の形
成における問題点として、各金属元素が十分に酸化され
ず、その酸素欠損のために圧電特性や耐電圧性の低下を
招くということがある。したがって、ＰＺＴの組成の中
で特に酸化しやすい元素であるＰｂを、Ｐｂ／（Ｚｒ＋
Ｔｉ）が１．０以上と過剰に加えることにより、Ｐｂの
酸化に伴って他の金属元素も十分に酸化した状態になり
やすく、結果的に圧電特性および耐電圧性が向上したも
のと考えられる。
成における問題点として、各金属元素が十分に酸化され
ず、その酸素欠損のために圧電特性や耐電圧性の低下を
招くということがある。したがって、ＰＺＴの組成の中
で特に酸化しやすい元素であるＰｂを、Ｐｂ／（Ｚｒ＋
Ｔｉ）が１．０以上と過剰に加えることにより、Ｐｂの
酸化に伴って他の金属元素も十分に酸化した状態になり
やすく、結果的に圧電特性および耐電圧性が向上したも
のと考えられる。
【００４１】ところで、Ｐｂの成分量が多すぎると、結
晶成長の際に結合に結びつかないＰｂ原子が増えること
になり、却って圧電特性の低下を引き起こす。図６にお
いて、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．５以上になると圧電
特性が急激に低下しているのはこのためである。
晶成長の際に結合に結びつかないＰｂ原子が増えること
になり、却って圧電特性の低下を引き起こす。図６にお
いて、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．５以上になると圧電
特性が急激に低下しているのはこのためである。
【００４２】そこで、成分比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を
１．０〜１．５の範囲内とすることにより、電圧印加時
の発熱等の損失が低減し、耐電圧性が向上する。
１．０〜１．５の範囲内とすることにより、電圧印加時
の発熱等の損失が低減し、耐電圧性が向上する。
【００４３】なお、圧電特性は、カンチレバー法による
測定を行い、変位量から圧電膜の圧電定数（ｄ３１）を
算出した。
測定を行い、変位量から圧電膜の圧電定数（ｄ３１）を
算出した。
【００４４】このように、図５および図６から、ターゲ
ット組成０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且
つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．５において圧電
特性および絶縁特性が向上することが分かった。
ット組成０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋Ｔｉ＝１）、且
つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．５において圧電
特性および絶縁特性が向上することが分かった。
【００４５】次に、ターゲット相対密度と圧電特性およ
び絶縁特性との関係について説明する。
び絶縁特性との関係について説明する。
【００４６】誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
で作製された強誘電体膜におけるターゲット相対密度と
圧電特性との関係を図７に、ターゲット密度と絶縁破壊
特性との関係を図８に示す。
で作製された強誘電体膜におけるターゲット相対密度と
圧電特性との関係を図７に、ターゲット密度と絶縁破壊
特性との関係を図８に示す。
【００４７】ここで、相対密度とは、原料仕込時に用い
る化学式とＸＲＤ測定で求まる格子定数により（前者は
１格子の質量、後者はその体積）算術的に求まる値であ
り、焼結体の実密度はアルキメデス法により算出し、こ
の実密度の相対密度に対する比：実密度／相対密度で定
義される。
る化学式とＸＲＤ測定で求まる格子定数により（前者は
１格子の質量、後者はその体積）算術的に求まる値であ
り、焼結体の実密度はアルキメデス法により算出し、こ
の実密度の相対密度に対する比：実密度／相対密度で定
義される。
【００４８】図７に示すように、ターゲット相対密度が
８５％以上のとき、変曲点を持ち圧電特性が向上してい
るのが分かる。また、図８に示すように、ターゲット相
対密度が８５％以上のときに変曲点を持ち圧電特性が向
上し、さらに９５％以上のときに一層向上しているのが
分かる。
８５％以上のとき、変曲点を持ち圧電特性が向上してい
るのが分かる。また、図８に示すように、ターゲット相
対密度が８５％以上のときに変曲点を持ち圧電特性が向
上し、さらに９５％以上のときに一層向上しているのが
分かる。
【００４９】圧電特性は膜の結晶性に依存する側面が非
常に大きい。そのためターゲット相対密度が上がるにつ
れ、微量な不純物等による結晶性の阻害といったものが
なくなってくる。この結晶性の差はＸＲＤ解析等で観察
される大きな差ではなく、結晶性の微視的な構造の変
化、不連続性によるものであり、ターゲットの特性に大
きく依存する。
常に大きい。そのためターゲット相対密度が上がるにつ
れ、微量な不純物等による結晶性の阻害といったものが
なくなってくる。この結晶性の差はＸＲＤ解析等で観察
される大きな差ではなく、結晶性の微視的な構造の変
化、不連続性によるものであり、ターゲットの特性に大
きく依存する。
【００５０】したがって、相対密度の低い８５％以下の
領域では、形成された強誘電体膜の特性が低くなるが、
相対密度が８５％以上になるとこの影響を受けなくなる
ため特性が安定する。
領域では、形成された強誘電体膜の特性が低くなるが、
相対密度が８５％以上になるとこの影響を受けなくなる
ため特性が安定する。
【００５１】耐電圧特性については、一般的に膜中の不
純物が増えると特性の低下が起こる。不純物の多くは微
量の金属である場合が多く、したがって相対密度の低い
ターゲットにより形成された強誘電体膜はリーク電流密
度が高くなり、熱損失による破壊が起こりやすくなる。
強誘電体膜は電圧印加時に振動するので、膜の結晶性が
さらに作用し、結晶性の乱れがある場合はさらに絶縁破
壊が起こりやすくなる。
純物が増えると特性の低下が起こる。不純物の多くは微
量の金属である場合が多く、したがって相対密度の低い
ターゲットにより形成された強誘電体膜はリーク電流密
度が高くなり、熱損失による破壊が起こりやすくなる。
強誘電体膜は電圧印加時に振動するので、膜の結晶性が
さらに作用し、結晶性の乱れがある場合はさらに絶縁破
壊が起こりやすくなる。
【００５２】そのため、相対密度８５％以上の領域では
耐電圧特性が改善される。
耐電圧特性が改善される。
【００５３】なお、相対密度が９５％以上のときは一層
良好な耐電圧特性が得られるのは、相対密度が９５％以
上の高密度ターゲットの場合、ターゲットにポア（スパ
ッタリングのパーティクルの発生の一助となっていると
考えられる空間）が存在する確率が低くなるからであ
る。
良好な耐電圧特性が得られるのは、相対密度が９５％以
上の高密度ターゲットの場合、ターゲットにポア（スパ
ッタリングのパーティクルの発生の一助となっていると
考えられる空間）が存在する確率が低くなるからであ
る。
【００５４】なお、絶縁破壊電圧は、強誘電体膜にスパ
ッタリング等により上部電極と下部電極を形成し、上部
電極をフォトリソ工程等で面積１ｍｍ2の個別電極に形
成したものを用いて行った。そして、両電極間に１ｋＨ
ｚのサイン波を印加して、電極の破壊、電極間のショー
ト、圧電膜の振動状態の変化が起こった場合に、その電
圧値を絶縁破壊電圧とした。耐電圧性は絶縁破壊電圧に
より置き換えて評価した。ここで、強誘電体膜の膜厚は
３μｍ、ターゲットの組成はＺｒ＝０．５５、Ｐｂ／Ｚ
ｒ＋Ｔｉ＝１．２で行った。
ッタリング等により上部電極と下部電極を形成し、上部
電極をフォトリソ工程等で面積１ｍｍ2の個別電極に形
成したものを用いて行った。そして、両電極間に１ｋＨ
ｚのサイン波を印加して、電極の破壊、電極間のショー
ト、圧電膜の振動状態の変化が起こった場合に、その電
圧値を絶縁破壊電圧とした。耐電圧性は絶縁破壊電圧に
より置き換えて評価した。ここで、強誘電体膜の膜厚は
３μｍ、ターゲットの組成はＺｒ＝０．５５、Ｐｂ／Ｚ
ｒ＋Ｔｉ＝１．２で行った。
【００５５】次に、誘電体膜形成用スパッタリングター
ゲットで作製された強誘電体膜における膜厚と圧電特性
との関係を図９に示す。
ゲットで作製された強誘電体膜における膜厚と圧電特性
との関係を図９に示す。
【００５６】図示するように、膜厚が１μｍ以下では、
下地の電極の影響を受けて圧電特性の劣化した膜とな
る。また、１０μｍを越える場合では、膜応力の増大か
ら来る膜クラックの発生や応力による圧電特性の阻害と
いった弊害が現れる。したがって、強誘電体膜の膜厚は
１〜１０μｍが望ましいことが分かる。したがって、本
実施例の形態の強誘電体膜は圧電素子に用いることが好
適である。
下地の電極の影響を受けて圧電特性の劣化した膜とな
る。また、１０μｍを越える場合では、膜応力の増大か
ら来る膜クラックの発生や応力による圧電特性の阻害と
いった弊害が現れる。したがって、強誘電体膜の膜厚は
１〜１０μｍが望ましいことが分かる。したがって、本
実施例の形態の強誘電体膜は圧電素子に用いることが好
適である。
【００５７】さらに、誘電体膜形成用スパッタリングタ
ーゲットで作製された強誘電体膜における比誘電率と絶
縁破壊電圧との関係を図１０に示す。
ーゲットで作製された強誘電体膜における比誘電率と絶
縁破壊電圧との関係を図１０に示す。
【００５８】図１０から分かるように、比誘電率が１５
０〜５００のときに絶縁特性が良好となっている。
０〜５００のときに絶縁特性が良好となっている。
【００５９】従来のゾルゲル法やスクリーン印刷等の焼
結体構造の強誘電体においては、膜厚のコントロールが
困難なために比誘電率が１０００を越えるものが多かっ
たが、スパッタリングによる成膜技術では、膜厚の制御
は容易である。しかしながら、強誘電体膜の結晶構造の
制御は難しく、単に薄膜化しただけでは所定の特性を得
ることができない。
結体構造の強誘電体においては、膜厚のコントロールが
困難なために比誘電率が１０００を越えるものが多かっ
たが、スパッタリングによる成膜技術では、膜厚の制御
は容易である。しかしながら、強誘電体膜の結晶構造の
制御は難しく、単に薄膜化しただけでは所定の特性を得
ることができない。
【００６０】ここで、本実施の形態のスパッタリングタ
ーゲットを用いることにより、良好な結晶性を有する圧
電膜が得られる。そして、それにより比誘電率が低く
（００１）配向率が高い膜が得られ、前述のような低い
比誘電率の強誘電体膜が得られるものである。また、タ
ーゲットの相対密度が高いため、強誘電体膜中に含まれ
る不純物が少なくなって比誘電率を上昇させる誘電損失
が小さくなり、低い比誘電率と耐電圧性の高い強誘電体
膜が得られる。
ーゲットを用いることにより、良好な結晶性を有する圧
電膜が得られる。そして、それにより比誘電率が低く
（００１）配向率が高い膜が得られ、前述のような低い
比誘電率の強誘電体膜が得られるものである。また、タ
ーゲットの相対密度が高いため、強誘電体膜中に含まれ
る不純物が少なくなって比誘電率を上昇させる誘電損失
が小さくなり、低い比誘電率と耐電圧性の高い強誘電体
膜が得られる。
【００６１】なお、比誘電率が１５０以下の場合に絶縁
特性が悪化しているのは、膜質が悪く、欠陥が多くなる
ためである。
特性が悪化しているのは、膜質が悪く、欠陥が多くなる
ためである。
【００６２】以上説明したように、本実施の形態の強誘
電体膜形成用スパッタリングターゲットによれば、高い
圧電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ることが
可能になる。
電体膜形成用スパッタリングターゲットによれば、高い
圧電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ることが
可能になる。
【００６３】そして、このような強誘電体膜により強誘
電体素子を形成すれば、安定した動作特性を得ることが
できる。
電体素子を形成すれば、安定した動作特性を得ることが
できる。
【００６４】さらに、当該強誘電体素子を圧電素子とし
て用いたアクチュエータによれば、安定した変位動作を
行うことが可能になり、このようなアクチュエータを用
いたインクジェットヘッドによれば、安定したインク吐
出を行うことが可能になる。そして、このようなインク
ジェットヘッドを備えたインクジェット式記録装置によ
れば、安定したインク吐出により高画質の印字を行うこ
とが可能になる。
て用いたアクチュエータによれば、安定した変位動作を
行うことが可能になり、このようなアクチュエータを用
いたインクジェットヘッドによれば、安定したインク吐
出を行うことが可能になる。そして、このようなインク
ジェットヘッドを備えたインクジェット式記録装置によ
れば、安定したインク吐出により高画質の印字を行うこ
とが可能になる。
【００６５】なお、本実施の形態では、本発明の強誘電
体膜で形成した強誘電体素子をインクジェット式記録装
置のインク吐出に用いられるアクチュエータに適用した
場合について説明したが、本発明の強誘電体膜形成用ス
パッタリングターゲット、強誘電体膜および強誘電体素
子は、その焦電性を利用した温度センサなど、他の種々
の用途に適用することが可能である。
体膜で形成した強誘電体素子をインクジェット式記録装
置のインク吐出に用いられるアクチュエータに適用した
場合について説明したが、本発明の強誘電体膜形成用ス
パッタリングターゲット、強誘電体膜および強誘電体素
子は、その焦電性を利用した温度センサなど、他の種々
の用途に適用することが可能である。
【００６６】また、本実施の形態では、説明の便宜上、
個別電極を第２の電極とし、共通電極を第１の電極とし
たが、個別電極を第１の電極とし、共通電極を第２の電
極としてもよい。
個別電極を第２の電極とし、共通電極を第１の電極とし
たが、個別電極を第１の電極とし、共通電極を第２の電
極としてもよい。
【００６７】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高い圧
電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ることが可
能になるという有効な効果が得られる。
電特性および絶縁性を有する強誘電体膜を得ることが可
能になるという有効な効果が得られる。
【００６８】このような強誘電体膜を用いて強誘電体素
子を形成すれば、安定した動作特性を得ることが可能に
なるという有効な効果が得られる。
子を形成すれば、安定した動作特性を得ることが可能に
なるという有効な効果が得られる。
【００６９】このような強誘電体素子を用いてアクチュ
エータを形成すれば、安定した変位動作を行うことが可
能になるという有効な効果が得られる。
エータを形成すれば、安定した変位動作を行うことが可
能になるという有効な効果が得られる。
【００７０】このようなアクチュエータを用いてインク
ジェットヘッドを形成すれば、安定したインク吐出を行
うことが可能になるという有効な効果が得られる。
ジェットヘッドを形成すれば、安定したインク吐出を行
うことが可能になるという有効な効果が得られる。
【００７１】このようなインクジェットヘッドを備えた
インクジェット式記録装置によれば、安定したインク吐
出により高画質の印字を行うことが可能になるという有
効な効果が得られる。
インクジェット式記録装置によれば、安定したインク吐
出により高画質の印字を行うことが可能になるという有
効な効果が得られる。
【図１】本発明の一実施の形態である強誘電体膜形成用
スパッタリングターゲットで作製された強誘電体素子が
用いられたインクジェット式記録装置の全体概略構成を
示す斜視図
スパッタリングターゲットで作製された強誘電体素子が
用いられたインクジェット式記録装置の全体概略構成を
示す斜視図
【図２】図１のインクジェット式記録装置におけるイン
クジェットヘッドの全体構成を示す断面図
クジェットヘッドの全体構成を示す断面図
【図３】図２の要部を示す斜視図
【図４】図２のインクジェットヘッドのアクチュエータ
部の構成を示す断面図
部の構成を示す断面図
【図５】強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットで
作製された強誘電体膜におけるＺｒ比と圧電特性との関
係を示すグラフ
作製された強誘電体膜におけるＺｒ比と圧電特性との関
係を示すグラフ
【図６】強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットで
作製された強誘電体膜におけるＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）と
圧電特性との関係を示すグラフ
作製された強誘電体膜におけるＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）と
圧電特性との関係を示すグラフ
【図７】強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットで
作製された強誘電体膜におけるターゲット相対密度と圧
電特性との関係を示すグラフ
作製された強誘電体膜におけるターゲット相対密度と圧
電特性との関係を示すグラフ
【図８】強強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
で作製された強誘電体膜におけるターゲット相対密度と
絶縁破壊電圧との関係を示すグラフ
で作製された強誘電体膜におけるターゲット相対密度と
絶縁破壊電圧との関係を示すグラフ
【図９】強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットで
作製された強誘電体膜における膜厚と圧電特性との関係
を示すグラフ
作製された強誘電体膜における膜厚と圧電特性との関係
を示すグラフ
【図１０】強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット
で作製された強誘電体膜における比誘電率と絶縁破壊電
圧との関係を示すグラフ
で作製された強誘電体膜における比誘電率と絶縁破壊電
圧との関係を示すグラフ
３ 個別電極（第２の電極）
１０ 強誘電体膜
１１ 振動板兼共通電極（第１の電極）
４１ インクジェットヘッド
４０ インクジェット式記録装置
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 41/18 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｕ
(72)発明者 中野 貴徳
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
(72)発明者 西村 和夫
大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器
産業株式会社内
Ｆターム(参考） 2C057 AF93 AG44 AP14 AP52 BA04
BA14
4K029 BA50 BB07 CA05 DC05 DC09
5G303 AA10 AB01 AB20 BA03 BA09
CA01 CB25 CB35 CB39
Claims (8)
- 【請求項１】Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイ
ト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであ
って、 相対密度が８５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋
Ｔｉ＝１）、且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．
５であることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリ
ングターゲット。 - 【請求項２】Ｐｂ、ＺｒおよびＴｉを含むペロブスカイ
ト型の強誘電体膜形成用スパッタリングターゲットであ
って、 相対密度が９５％以上、０．３＜Ｚｒ＜０．８（Ｚｒ＋
Ｔｉ＝１）、且つ１．０＜Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＜１．
５であることを特徴とする強誘電体膜形成用スパッタリ
ングターゲット。 - 【請求項３】請求項１または２記載の強誘電体膜形成用
スパッタリングターゲットにより形成されたことを特徴
とする強誘電体膜。 - 【請求項４】前記強誘電体膜は、その膜厚が１〜１０μ
ｍで比誘電率が１５０〜５００であることを特徴とする
請求項３記載の強誘電体膜。 - 【請求項５】第１の電極と、 前記第１の電極上に形成された請求項３または４記載の
強誘電体膜と、 前記強誘電体膜上に形成された第２の電極とを有するこ
とを特徴とする強誘電体素子。 - 【請求項６】請求項５記載の強誘電体素子が用いられて
いることを特徴とするアクチュエータ。 - 【請求項７】請求項６記載のアクチュエータと、 インク液が収容され、前記アクチュエータの変位が作用
する複数の圧力室とを備えたことを特徴とするインクジ
ェットヘッド。 - 【請求項８】請求項７記載のインクジェットヘッドを備
えたことを特徴とするインクジェット式記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312145A JP2003118104A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001312145A JP2003118104A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003118104A true JP2003118104A (ja) | 2003-04-23 |
Family
ID=19130851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001312145A Pending JP2003118104A (ja) | 2001-10-10 | 2001-10-10 | 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003118104A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900579B2 (en) * | 2000-07-24 | 2005-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film piezoelectric element |
| JP2007088447A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Canon Inc | 圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び圧電素子の製造方法 |
| JP2007088446A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Canon Inc | 圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置 |
| JP2008179894A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
| JP2009123972A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Sony Corp | 圧電素子、角速度センサ、及び圧電素子の製造方法 |
| KR20090071392A (ko) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 알박 머티리얼스 가부시키가이샤 | 티탄산 지르콘산납계 소결체의 제조방법, 티탄산 지르콘산납계 소결체 및 티탄산 지르콘산납계 스패터링 타겟 |
| US8728283B2 (en) | 2006-09-28 | 2014-05-20 | Fujifilm Corporation | Process for forming a film, piezoelectric film, piezoelectric device, and liquid discharge apparatus |
-
2001
- 2001-10-10 JP JP2001312145A patent/JP2003118104A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6900579B2 (en) * | 2000-07-24 | 2005-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film piezoelectric element |
| JP2007088447A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Canon Inc | 圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び圧電素子の製造方法 |
| JP2007088446A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-04-05 | Canon Inc | 圧電体、圧電素子、圧電素子を用いた液体吐出ヘッドおよび液体吐出装置 |
| US8728283B2 (en) | 2006-09-28 | 2014-05-20 | Fujifilm Corporation | Process for forming a film, piezoelectric film, piezoelectric device, and liquid discharge apparatus |
| JP2009123972A (ja) * | 2007-11-15 | 2009-06-04 | Sony Corp | 圧電素子、角速度センサ、及び圧電素子の製造方法 |
| KR20090071392A (ko) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 알박 머티리얼스 가부시키가이샤 | 티탄산 지르콘산납계 소결체의 제조방법, 티탄산 지르콘산납계 소결체 및 티탄산 지르콘산납계 스패터링 타겟 |
| JP2009155171A (ja) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Ulvac Material Kk | チタン酸ジルコン酸鉛系焼結体の製造方法、チタン酸ジルコン酸鉛系焼結体及びチタン酸ジルコン酸鉛系スパッタリングターゲット |
| KR101722391B1 (ko) | 2007-12-27 | 2017-04-05 | 가부시키가이샤 알박 | 티탄산 지르콘산납계 소결체의 제조방법, 티탄산 지르콘산납계 소결체 및 티탄산 지르콘산납계 스패터링 타겟 |
| JP2008179894A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0991130B1 (en) | Piezoelectric device, ink-jet recording head, method for manufacture, and printer | |
| CN102205717B (zh) | 液体喷射头以及液体喷射装置 | |
| CN102152629B (zh) | 液体喷头、液体喷射装置、压电元件及液体喷头制造方法 | |
| US20080231667A1 (en) | Ferroelectric film, process for producing the same, ferroelectric device, and liquid discharge device | |
| JPH1081016A (ja) | 圧電体薄膜素子、その製造方法、及び圧電体薄膜素子を用いたインクジェット式記録ヘッド | |
| JPH11277754A (ja) | インクジェットプリンタのヘッドに利用されるマイクロアクチュエ―タの製造方法 | |
| KR20040020050A (ko) | 압전체 및 그 제조방법, 그리고 이 압전체를 구비한 압전소자, 잉크젯헤드 및 잉크젯방식 기록장치 | |
| CN102640315B (zh) | 压电体膜、喷墨头、使用喷墨头形成图像的方法、角速度传感器、使用角速度传感器测定角速度的方法、压电发电元件以及使用压电发电元件的发电方法 | |
| JP3996594B2 (ja) | 圧電素子、インクジェットヘッド、及びインクジェット式記録装置 | |
| JP5585767B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置および圧電素子 | |
| JP4875827B2 (ja) | 圧電薄膜及びその製造方法、並びにその圧電薄膜を備えた圧電素子、並びにその圧電素子を用いたインクジェットヘッド、並びにそのインクジェットヘッドを備えたインクジェット式記録装置 | |
| JP2011061118A (ja) | 圧電素子、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 | |
| JP2004186646A (ja) | 圧電素子、インクジェットヘッド及びこれらの製造方法、並びにインクジェット式記録装置 | |
| JP2003118104A (ja) | 強誘電体膜形成用スパッタリングターゲット、それを用いた強誘電体膜、強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 | |
| JP2005079507A (ja) | 圧電体素子、インクジェット記録ヘッド、圧電体素子の製造方法 | |
| EP2296200A1 (en) | Liquid ejecting head, liquid ejecting apparatus, and piezoelectric element | |
| JP4138421B2 (ja) | 液滴吐出ヘッド | |
| CN100418769C (zh) | 压电陶瓷、促动器及其制造方法、印刷头及喷墨打印机 | |
| JP2008041921A (ja) | 圧電薄膜素子およびその製造方法、ならびにインクジェットヘッドおよびインクジェット式記録装置 | |
| EP3930015B1 (en) | Piezoelectric element, piezoelectric element application device | |
| JP5549798B2 (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置及び圧電素子 | |
| JP4578744B2 (ja) | 強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッドならびにインクジェット記録装置 | |
| JP4851108B2 (ja) | 複合ペロブスカイト型化合物の膜の成膜方法、並びに、それを用いた液体吐出ヘッドの製造方法 | |
| JP2008060599A (ja) | 強誘電体素子およびそれを用いたアクチュエータ、インクジェットヘッド、インクジェット記録装置、ならびに強誘電体素子の製造方法 | |
| JP2019057570A (ja) | 圧電素子および液体吐出ヘッド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041008 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050701 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070215 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070424 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070521 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20070608 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091118 |