JP2011061118A - 圧電素子、液体噴射ヘッドおよび液体噴射装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる圧電素子100は、第1導電層10と、第1導電層10に対向して配置された第2導電層20と、第1導電層10および第2導電層20の間に配置され、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンおよび酸素を含む複合酸化物によって形成された圧電体層30と、を含み、圧電体層30は、鉛の濃度が第1導電層10側から第2導電層20側に向かって増加する鉛濃度勾配領域32を有し、鉛濃度勾配領域32は、圧電体層30の第1導電層10側の端に配置された。
【選択図】図1
Description
本発明にかかる圧電素子の一態様は、
第1導電層と、
前記第1導電層に対向して配置された第2導電層と、
前記第1導電層および前記第2導電層の間に配置され、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンおよび酸素を含む複合酸化物によって形成された圧電体層と、
を含み、
前記圧電体層は、鉛の濃度が前記第1導電層側から前記第2導電層側に向かって増加する鉛濃度勾配領域を有し、
前記鉛濃度勾配領域は、前記圧電体層の前記第1導電層側の端に配置されている。
本発明にかかる圧電素子の一態様は、
第1導電層と、
前記第1導電層に対向して配置された第2導電層と、
前記第1導電層および前記第2導電層の間に配置され、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンおよび酸素を含む複合酸化物によって形成された圧電体層と、
を含み、
前記圧電体層は、鉛の濃度が前記第1導電層側から前記第2導電層側に向かって増加する鉛濃度勾配領域を2つ有し、
一方の前記鉛濃度勾配領域は、前記圧電体層の前記第1導電層側の端に配置され、他方の前記鉛濃度勾配領域は、前記圧電体層の前記第2導電層側の端に配置されている。
適用例1または適用例2において、
前記鉛濃度勾配領域の前記第1導電層側の端における鉛の濃度と、前記鉛濃度勾配領域の前記第2導電層側の端における鉛の濃度との差は、0.8(原子%)以上1.8(原子%)以下である、圧電素子。
適用例1ないし適用例3のいずれか一項において、
前記鉛濃度勾配領域の鉛の濃度の勾配は、0.006(原子%/nm)以上0.014(原子%/nm)以下である、圧電素子。
適用例1ないし適用例4のいずれか一項において、
前記圧電体層の鉛の濃度は、ラザフォード後方散乱法およびオージェ電子分光法を併用し、相対感度因子を決定し、該相対感度因子を用いて測定された、圧電素子。
適用例1ないし適用例5のいずれか一例において、
前記鉛濃度勾配領域は、層状の形状を有し、
前記鉛濃度勾配領域の厚みは、前記圧電体層の厚みの20分の1以上3分の1以下である、圧電素子。
本発明にかかる液体噴射ヘッドは、
適用例1ないし適用例6のいずれか一例に記載された圧電素子と、
前記第1導電層または前記第2導電層に接して設けられ、可撓性を有する振動板と、
ノズル孔と連通し、前記圧電素子の動作によって容積が変化する圧力室と、
を含む。
本発明にかかる液体噴射装置は、
適用例7に記載された液体噴射ヘッドを含む。
図1は、本実施形態にかかる圧電素子100の断面の模式図である。
第1導電層10は、たとえば、基板1の上方に形成される。基板1は、たとえば、導電体、半導体、絶縁体で形成された平板とすることができる。基板1は、単層であっても、複数の層が積層された構造であってもよい。また、基板1は、上面が平面的な形状であれば内部の構造は限定されず、たとえば、内部に空間等が形成された構造であってもよい。また、たとえば、後述する液体噴射ヘッドのように、基板1の下方に圧力室等が形成されているような場合においては、基板1より下方に形成される複数の構成をまとめて一つの基板1とみなしてもよい。
第2導電層20は、第1導電層10に対向して配置される。第2導電層20は、全体が第1導電層10と対向していてもよいし、一部が第1導電層10に対向していてもよい。第2導電層20の形状は、第1導電層10と対向できるかぎり限定されないが、圧電素子100を薄膜状にする場合には、層状あるいは薄膜状の形状が好ましい。この場合の第2導電層20の厚みは、たとえば、10nm以上300nm以下とすることができる。また、第2導電層20の平面的な形状についても、第1導電層10に対向して配置されたときに両者の間に圧電体層30を配置できる形状であれば、特に限定されず、たとえば、矩形、円形等とすることができる。
圧電体層30は、第1導電層10および第2導電層20の間に配置される。圧電体層30は、第1導電層10および第2導電層20の少なくとも一方に接していてもよい。また、圧電体層30と、第1導電層10および第2導電層20の少なくとも一方と、の間には、他の層が形成されてもよい。この場合の他の層としては、たとえば圧電体層30の結晶の配向を制御するための配向制御層(たとえばチタン層)などが挙げられる。
本実施形態の圧電素子100は、圧電体層30の第1導電層10側に、鉛濃度勾配領域32が形成されている。そのため、圧電体層30の全体にわたって複合酸化物の結晶性が良好となっている。その上、圧電材料の結晶の100方向が、圧電体層30の厚み方向に対して平行となりやすい。そのため、圧電素子100の変位量を大きくすることができ、動作特性を向上させることができる。また、本実施形態の圧電素子100は、圧電体層30の結晶性が良好であるため、繰り返し駆動されたときの耐久性を向上させることができる。
本実施形態の圧電素子100は、以下のように変形することができる。
本発明の圧電素子は、たとえば、以下のように製造することができる。
以下に実験例を示し、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実験例によってなんら限定されるものではない。
各実験例の圧電素子は、以下のように作成した。まず、シリコン基板を用意し、第1導電層10としてイリジウムをスパッタにより成膜してパターニングした。各実験例の圧電体層30は、いずれもゾルゲル法によって作成した。第1導電層10の上に、スピンコート法によって、PZTの原料溶液を塗布した。この原料溶液は、実験例ごとに異なる配合を有するものとした。また、スピンコートにおいては、エッジリンスを主溶媒にて行い、スピン速度は、1500rpmとした。
図3および図4は、それぞれ実験例1および実験例2の圧電素子の第1導電層10および圧電体層30の界面近傍をRBS(ラザフォード後方散乱分光法)/AES(オージェ電子分光法)で測定した結果に基づくデプスプロファイルである。RBS法は標準試料不要で深さ方向の定量組成分布を得ることができるが、単独での厚膜測定(本電極構成でのPZT限界膜厚は100nm程度)や電極との界面近傍の組成分布に関しては判定が難しい。そこで、各実験例では深さ分解能の高いAESと定量精度が高いRBSを併用し、相対感度因子を決定することで、横軸(深さ分解能)と縦軸(定量精度)を両立させることとした。相対感度因子は、AESの安定領域(選択エッチングによる影響が少ない)の平均ピーク強度と、RBSから求めた組成の比、これを規格化した値である。この方法は、各元素単独で組成プロファイルが出せる訳ではなく、全ての元素のピーク強度と相対感度因子が必要であり、相対的な濃度プロファイルとなる。第1導電層10と圧電体層30との界面近傍のPZTから求めた相対感度因子をPZT厚膜(500nm程度)に適用して、以下の式1に基づき、厚膜の深さ方向の濃度プロファイルを求めた。
図8はPb過剰量と、変位量の変化率との関係を示している。この評価は、圧電素子の作成直後の変位量に対する、1億回のパルス(第1導電層10を+電位とし、第2導電層20を+電位とした、−2Vから+30Vの矩形波)を印加した後の変位量の変化率を求め、Pb過剰量に対してプロットしたものである。なお、変化率は、小さいほど圧電素子が良好な耐久性を有しているといえる。図8をみると、少なくともPb過剰量が18%(図中、実験例1と記載)よりも大きい範囲では、変化率が4%よりも小さく抑えられていることが分かる。また、実験例2のPb過剰量が28%においては、変化率が3%よりも小さく抑えられていることが分かる。そして例えば、規格値として、変化率を5%とした場合には、Pb過剰量が18%よりも大きい範囲であれば十分に規格を満足することができることが分かる。
参考例として、Pb過剰量が8%である圧電素子を作成した。参考例の圧電素子は、仕込量(原料溶液の組成)が異なる以外は、上記実験例の圧電素子と、同様に作成した。
次に、本発明にかかる圧電素子が圧電アクチュエーターとして機能する液体噴射ヘッド600について、図面を参照しながら説明する。図12は、液体噴射ヘッド600の要部を模式的に示す断面図である。図13は、液体噴射ヘッド600の分解斜視図であり、通常使用される状態とは上下を逆に示したものである。
次に、本実施形態にかかる液体噴射装置について、図面を参照しながら説明する。図14は、本実施形態にかかる液体噴射装置700を模式的に示す斜視図である。液体噴射装置700は、本発明にかかる液体噴射ヘッドを有する。以下では、液体噴射装置700が上述の液体噴射ヘッド600を有するインクジェットプリンターである場合について説明する。
Claims (8)
- 第1導電層と、
前記第1導電層に対向して配置された第2導電層と、
前記第1導電層および前記第2導電層の間に配置され、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンおよび酸素を含む複合酸化物によって形成された圧電体層と、
を含み、
前記圧電体層は、鉛の濃度が前記第1導電層側から前記第2導電層側に向かって増加する鉛濃度勾配領域を有し、
前記鉛濃度勾配領域は、前記圧電体層の前記第1導電層側の端に配置された、圧電素子。 - 第1導電層と、
前記第1導電層に対向して配置された第2導電層と、
前記第1導電層および前記第2導電層の間に配置され、少なくとも鉛、ジルコニウム、チタンおよび酸素を含む複合酸化物によって形成された圧電体層と、
を含み、
前記圧電体層は、鉛の濃度が前記第1導電層側から前記第2導電層側に向かって増加する鉛濃度勾配領域を2つ有し、
一方の前記鉛濃度勾配領域は、前記圧電体層の前記第1導電層側の端に配置され、他方の前記鉛濃度勾配領域は、前記圧電体層の前記第2導電層側の端に配置された、圧電素子。 - 請求項1または請求項2において、
前記鉛濃度勾配領域の前記第1導電層側の端における鉛の濃度と、前記鉛濃度勾配領域の前記第2導電層側の端における鉛の濃度との差は、0.8(原子%)以上1.8(原子%)以下である、圧電素子。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
前記鉛濃度勾配領域の鉛の濃度の勾配は、0.006(原子%/nm)以上0.014(原子%/nm)以下である、圧電素子。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項において、
前記圧電体層の鉛の濃度は、ラザフォード後方散乱法およびオージェ電子分光法を併用し、相対感度因子を決定し、該相対感度因子を用いて測定された、圧電素子。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項において、
前記鉛濃度勾配領域は、層状の形状を有し、
前記鉛濃度勾配領域の厚みは、前記圧電体層の厚みの20分の1以上3分の1以下である、圧電素子。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載された圧電素子と、
前記第1導電層または前記第2導電層に接して設けられ、可撓性を有する振動板と、
ノズル孔と連通し、前記圧電素子の動作によって容積が変化する圧力室と、
を含む、液体噴射ヘッド。 - 請求項9に記載された液体噴射ヘッドを含む、液体噴射装置。
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