JP2003192398A - 陽極接合方法 - Google Patents
陽極接合方法Info
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- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】陽極接合において、酸化性金属が酸化するよう
な工程を経た後でも接合が可能な接合方法を提供する。 【解決手段】セラミック基板１の上にＣｕからなる酸化
性金属膜２を形成する。その上に、Ａｕからなる非酸化
性金属膜３を形成し、２層構造の多層金属膜４を形成す
る。真空状態でＣｕとＡｕが共晶反応する温度に加熱す
る。その後、多層金属膜４とガラス基板５との間に直流
電圧を印加し、陽極接合を行なう。 【効果】酸化性金属が陽極接合の前に酸化されることが
ないため、陽極接合が可能となり、しかも接合強度を十
分に確保することができる。
な工程を経た後でも接合が可能な接合方法を提供する。 【解決手段】セラミック基板１の上にＣｕからなる酸化
性金属膜２を形成する。その上に、Ａｕからなる非酸化
性金属膜３を形成し、２層構造の多層金属膜４を形成す
る。真空状態でＣｕとＡｕが共晶反応する温度に加熱す
る。その後、多層金属膜４とガラス基板５との間に直流
電圧を印加し、陽極接合を行なう。 【効果】酸化性金属が陽極接合の前に酸化されることが
ないため、陽極接合が可能となり、しかも接合強度を十
分に確保することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属膜と絶縁体と
を接合する陽極接合方法に関するものである。
を接合する陽極接合方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】真空管、光学品等の様々な分野で、基板
上に形成した金属膜とガラスなどの絶縁体とを接合する
陽極接合方法が用いられている。
上に形成した金属膜とガラスなどの絶縁体とを接合する
陽極接合方法が用いられている。
【０００３】このような陽極接合方法の一例が特開平７
−３０７２６０号公報に示されている。この公報による
と、基板の上にＡｕなどの非酸化性金属膜を蒸着し、次
にＡｌなどの酸化性金属膜を蒸着する。この基板にガラ
スを重ね、ヒーター付プラテンに設置する。そして、プ
ラテンを加熱し、酸化性金属膜と非酸化性金属膜の合金
を形成する。この後に、所望の接合温度にし、適当な直
流電源により非酸化性金属膜とガラスとの間に直流電圧
を印可する。このとき、酸化性金属膜の金属がガラス
（ＳｉＯ2）の酸素原子と結びついて陽極接合するとい
うものである。
−３０７２６０号公報に示されている。この公報による
と、基板の上にＡｕなどの非酸化性金属膜を蒸着し、次
にＡｌなどの酸化性金属膜を蒸着する。この基板にガラ
スを重ね、ヒーター付プラテンに設置する。そして、プ
ラテンを加熱し、酸化性金属膜と非酸化性金属膜の合金
を形成する。この後に、所望の接合温度にし、適当な直
流電源により非酸化性金属膜とガラスとの間に直流電圧
を印可する。このとき、酸化性金属膜の金属がガラス
（ＳｉＯ2）の酸素原子と結びついて陽極接合するとい
うものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな陽極接合方法を半導体プロセスに応用する場合に
は、陽極接合前にパターニング工程などが必要となる。
従来の陽極接合方法では、酸化性金属膜が表面にあるた
め、パターニング工程などを経たときに酸化性金属膜の
表面が酸化してしまう。この結果、酸化性金属膜がガラ
スの酸素原子と十分に結びつくことができず、陽極接合
の接合強度を十分に確保できないという問題があった。
うな陽極接合方法を半導体プロセスに応用する場合に
は、陽極接合前にパターニング工程などが必要となる。
従来の陽極接合方法では、酸化性金属膜が表面にあるた
め、パターニング工程などを経たときに酸化性金属膜の
表面が酸化してしまう。この結果、酸化性金属膜がガラ
スの酸素原子と十分に結びつくことができず、陽極接合
の接合強度を十分に確保できないという問題があった。
【０００５】本発明の陽極接合方法は、上述の問題を鑑
みてなされたものであり、この問題を解決し、陽極接合
の接合強度を十分に確保することができる陽極接合方法
を提供することを目的としている。
みてなされたものであり、この問題を解決し、陽極接合
の接合強度を十分に確保することができる陽極接合方法
を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の陽極接合方法は、基板上に形成した金属膜と、
絶縁体とを接合する陽極接合方法であって、前記金属膜
が多層で構成され、この多層金属膜の最外層が非酸化性
金属膜で構成され、前記非酸化性金属膜の下の層が酸化
性金属膜で構成されていることを特徴とする。
本発明の陽極接合方法は、基板上に形成した金属膜と、
絶縁体とを接合する陽極接合方法であって、前記金属膜
が多層で構成され、この多層金属膜の最外層が非酸化性
金属膜で構成され、前記非酸化性金属膜の下の層が酸化
性金属膜で構成されていることを特徴とする。
【０００７】また、前記非酸化性金属膜と酸化性金属膜
とを構成する金属材料の共晶反応が起こる温度以上の温
度で前記基板を加熱した後、前記金属膜と絶縁体とを接
合することを特徴とする。
とを構成する金属材料の共晶反応が起こる温度以上の温
度で前記基板を加熱した後、前記金属膜と絶縁体とを接
合することを特徴とする。
【０００８】また、前記非酸化性金属膜がＡｕで形成さ
れ、前記酸化性金属膜がＣｕで形成されていることを特
徴とする。
れ、前記酸化性金属膜がＣｕで形成されていることを特
徴とする。
【０００９】また、前記基板に直接接する層が下地金属
膜で構成されていることを特徴とする。
膜で構成されていることを特徴とする。
【００１０】また、前記絶縁体が、アルカリイオンを含
んだガラス基板であることを特徴とする。
んだガラス基板であることを特徴とする。
【００１１】また、前記接合を、真空中または不活性ガ
ス中で行なうことを特徴とする。
ス中で行なうことを特徴とする。
【００１２】また、前記基板がスルーホールを有し、前
記スルーホールの一端が前記多層金属膜に電気的に接続
されていることを特徴とする。これにより、陽極接合前
に酸化性金属が酸化するような工程を経ても多層金属膜
の表面および内部が酸化されることがないため、陽極接
合が可能である。また、多層金属膜の表面に拡散された
酸化性金属のほとんどが酸化されることがないため、陽
極接合の接合強度を十分に確保することができる。
記スルーホールの一端が前記多層金属膜に電気的に接続
されていることを特徴とする。これにより、陽極接合前
に酸化性金属が酸化するような工程を経ても多層金属膜
の表面および内部が酸化されることがないため、陽極接
合が可能である。また、多層金属膜の表面に拡散された
酸化性金属のほとんどが酸化されることがないため、陽
極接合の接合強度を十分に確保することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】［第一実施例、図１］以下、本発
明の第一実施例である陽極接合方法を、図１に基づいて
説明する。
明の第一実施例である陽極接合方法を、図１に基づいて
説明する。
【００１４】図１に示すように、スパッタ装置を用い
て、セラミック基板１の上にＣｕからなる酸化性金属膜
２を例えば２００ｎｍの厚さで形成し、その上にＡｕか
らなる非酸化性金属膜３を例えば２０ｎｍの厚さで形成
し、２層構造の多層金属膜４を形成する。ここで、Ｃ
ｕ、Ａｕは体積抵抗率が小さく、配線の材料でもある。
このため、金属膜の形成を配線形成と同時に行なうこと
ができ、工程の簡略化がはかれる。このように、非酸化
性金属膜３を多層金属膜４の最外層に形成する。このた
め、多層金属膜４を形成したセラミック基板１を空気に
触れる状態にしても、多層金属膜４の表面および内部は
酸化されることはない。なお、セラミック基板１はガラ
ス基板などの絶縁性基板やＳｉ基板などの半導体基板で
も良い。また、酸化性金属膜２はＡｌ、Ｎｉなどで形成
しても良く、非酸化性金属膜３はＰｔなどで形成しても
良い。
て、セラミック基板１の上にＣｕからなる酸化性金属膜
２を例えば２００ｎｍの厚さで形成し、その上にＡｕか
らなる非酸化性金属膜３を例えば２０ｎｍの厚さで形成
し、２層構造の多層金属膜４を形成する。ここで、Ｃ
ｕ、Ａｕは体積抵抗率が小さく、配線の材料でもある。
このため、金属膜の形成を配線形成と同時に行なうこと
ができ、工程の簡略化がはかれる。このように、非酸化
性金属膜３を多層金属膜４の最外層に形成する。このた
め、多層金属膜４を形成したセラミック基板１を空気に
触れる状態にしても、多層金属膜４の表面および内部は
酸化されることはない。なお、セラミック基板１はガラ
ス基板などの絶縁性基板やＳｉ基板などの半導体基板で
も良い。また、酸化性金属膜２はＡｌ、Ｎｉなどで形成
しても良く、非酸化性金属膜３はＰｔなどで形成しても
良い。
【００１５】次に、絶縁体であるアルカリイオンを含む
ガラス基板５と多層金属膜４との陽極接合について順に
説明する。まず、フォトリソグラフィとエッチングを用
いて、ガラス基板５と接合する領域以外の不用な多層金
属膜４を除去する。このとき、多層金属膜４の端に陽極
接合のために直流電圧印加部１１を残しておく。この工
程においても、非酸化性金属膜３が多層金属膜４の最外
層に形成されているため、多層金属膜４の表面および内
部は酸化されることはない。
ガラス基板５と多層金属膜４との陽極接合について順に
説明する。まず、フォトリソグラフィとエッチングを用
いて、ガラス基板５と接合する領域以外の不用な多層金
属膜４を除去する。このとき、多層金属膜４の端に陽極
接合のために直流電圧印加部１１を残しておく。この工
程においても、非酸化性金属膜３が多層金属膜４の最外
層に形成されているため、多層金属膜４の表面および内
部は酸化されることはない。
【００１６】次に、ガラス基板５とこれに接合する多層
金属膜４との位置合わせを行ない、これらを重ねた状態
で真空チャンバの中に設置してあるヒーター付プラテン
（図示せず）の上に置く。
金属膜４との位置合わせを行ない、これらを重ねた状態
で真空チャンバの中に設置してあるヒーター付プラテン
（図示せず）の上に置く。
【００１７】次に、真空チャンバの中の真空度を、酸化
性金属が酸化されない程度の真空状態にする。その後、
ヒーター付プラテンを加熱する。セラミック基板１の温
度をＣｕとＡｕの共晶反応が起こる４２０℃より高い例
えば５００℃にし、１０分程度維持する。このとき、Ｃ
ｕとＡｕが十分に共晶反応する温度に設定しているた
め、酸化性金属膜２から拡散されたＣｕが多層金属膜４
の表面に広範囲に広がってガラス基板５と接する状態に
なる。ここで、真空チャンバの中は酸化性金属であるＣ
ｕが酸化されない程度の真空度に保たれているため、多
層金属膜４の表面に拡散されたＣｕが酸化されることは
ない。なお、真空チャンバの中はＣｕなどの酸化性金属
が酸化されない状態であれば良く、例えば、Ａｒなどの
不活性ガスが充満している状態にしても良い。
性金属が酸化されない程度の真空状態にする。その後、
ヒーター付プラテンを加熱する。セラミック基板１の温
度をＣｕとＡｕの共晶反応が起こる４２０℃より高い例
えば５００℃にし、１０分程度維持する。このとき、Ｃ
ｕとＡｕが十分に共晶反応する温度に設定しているた
め、酸化性金属膜２から拡散されたＣｕが多層金属膜４
の表面に広範囲に広がってガラス基板５と接する状態に
なる。ここで、真空チャンバの中は酸化性金属であるＣ
ｕが酸化されない程度の真空度に保たれているため、多
層金属膜４の表面に拡散されたＣｕが酸化されることは
ない。なお、真空チャンバの中はＣｕなどの酸化性金属
が酸化されない状態であれば良く、例えば、Ａｒなどの
不活性ガスが充満している状態にしても良い。
【００１８】次に、陽極接合を行なう温度例えば４００
℃までセラミック基板１およびガラス基板５の温度を下
げる。ここで、端子８ａが多層金属膜４に電気的に接続
され、端子８ｂがガラス基板５に電気的に接続されてい
る。これらの端子の間に、直流電源１０がリード線９に
て接続されている。そして、多層金属膜４の表面を＋、
ガラス基板５の表面を−として、直流電圧５００Ｖ１０
分程度を印加して陽極接合を行なう。このとき、多層金
属膜４の表面に拡散されたＣｕがガラス基板５のガラス
を構成する酸素原子と結びつくことによって、ガラス基
板５と多層金属膜４とが陽極接合する。ここで、多層金
属膜４の表面に広範囲に拡散している酸化されていない
Ｃｕのほとんどがガラス基板５の酸素原子と結びつくこ
とができるので、陽極接合の接合強度を向上させること
ができる。
℃までセラミック基板１およびガラス基板５の温度を下
げる。ここで、端子８ａが多層金属膜４に電気的に接続
され、端子８ｂがガラス基板５に電気的に接続されてい
る。これらの端子の間に、直流電源１０がリード線９に
て接続されている。そして、多層金属膜４の表面を＋、
ガラス基板５の表面を−として、直流電圧５００Ｖ１０
分程度を印加して陽極接合を行なう。このとき、多層金
属膜４の表面に拡散されたＣｕがガラス基板５のガラス
を構成する酸素原子と結びつくことによって、ガラス基
板５と多層金属膜４とが陽極接合する。ここで、多層金
属膜４の表面に広範囲に拡散している酸化されていない
Ｃｕのほとんどがガラス基板５の酸素原子と結びつくこ
とができるので、陽極接合の接合強度を向上させること
ができる。
【００１９】ここで、ガラス基板５にはＮａ＋，Ｋ＋等
のアルカリイオンが含まれている。これは正イオンであ
るため、直流電圧を印加したとき、−電位にあるガラス
基板５の表面側に移動する。そして、ガラス基板５の接
合面側は−電位になり、多層金属膜４の表面が＋電位で
あるため、静電引力が働きガラス基板５とセラミック基
板１どうしが密着し、加圧を必要としないで陽極接合で
きる。この場合、アルカリイオンの移動量が大きいほど
ガラス基板５の接合面と多層金属膜４の表面との電位差
が大きくなるため、この静電引力は大きくなる。このた
め、ガラス基板５はアルカリイオンの移動度が大きい、
パイレックス（登録商標）＃７７４０を用いることが望
ましい。
のアルカリイオンが含まれている。これは正イオンであ
るため、直流電圧を印加したとき、−電位にあるガラス
基板５の表面側に移動する。そして、ガラス基板５の接
合面側は−電位になり、多層金属膜４の表面が＋電位で
あるため、静電引力が働きガラス基板５とセラミック基
板１どうしが密着し、加圧を必要としないで陽極接合で
きる。この場合、アルカリイオンの移動量が大きいほど
ガラス基板５の接合面と多層金属膜４の表面との電位差
が大きくなるため、この静電引力は大きくなる。このた
め、ガラス基板５はアルカリイオンの移動度が大きい、
パイレックス（登録商標）＃７７４０を用いることが望
ましい。
【００２０】以上のように、多層金属膜４の最外層がＡ
ｕからなる非酸化性金属膜３であるため、陽極接合の前
に多層金属膜４の表面および内部が酸化されることがな
い。また、酸化性金属が酸化されない程度の真空状態で
陽極接合を行なうため、多層金属膜４の表面に拡散され
たＣｕが酸化されることがなく、陽極接合の接合強度を
十分に確保することができる。
ｕからなる非酸化性金属膜３であるため、陽極接合の前
に多層金属膜４の表面および内部が酸化されることがな
い。また、酸化性金属が酸化されない程度の真空状態で
陽極接合を行なうため、多層金属膜４の表面に拡散され
たＣｕが酸化されることがなく、陽極接合の接合強度を
十分に確保することができる。
【００２１】なお、工程の簡略化のために加熱温度を変
えることなく、陽極接合可能な温度である３００℃〜５
００℃で、かつ共晶反応を起こす温度に固定して陽極接
合を行なってもよい。
えることなく、陽極接合可能な温度である３００℃〜５
００℃で、かつ共晶反応を起こす温度に固定して陽極接
合を行なってもよい。
【００２２】また、非酸化性金属と酸化性金属との組み
合わせをＡｕとＣｕ以外の組み合わせで行なうことで、
共晶反応が起こる温度を下げても良い。例えば、非酸化
性金属をＰｔ、酸化性金属をＡｌとする組み合わせで行
なうと、ＰｔとＡｌとの共晶反応を３５０℃程度で起こ
すことができる。
合わせをＡｕとＣｕ以外の組み合わせで行なうことで、
共晶反応が起こる温度を下げても良い。例えば、非酸化
性金属をＰｔ、酸化性金属をＡｌとする組み合わせで行
なうと、ＰｔとＡｌとの共晶反応を３５０℃程度で起こ
すことができる。
【００２３】さらに、基板の種類によっては、非酸化性
金属と酸化性金属との共晶反応が起こる温度まで基板の
温度を上げると、温度ストレスによってクラックなど損
傷が基板に発生する場合がある。この場合には温度を下
げて行なう必要があるが、温度が低いと拡散量が小さ
い。このため、陽極接合できる程度まで非酸化性金属が
拡散するように、十分時間をかけて基板を加熱してから
陽極接合を行なう必要がある。
金属と酸化性金属との共晶反応が起こる温度まで基板の
温度を上げると、温度ストレスによってクラックなど損
傷が基板に発生する場合がある。この場合には温度を下
げて行なう必要があるが、温度が低いと拡散量が小さ
い。このため、陽極接合できる程度まで非酸化性金属が
拡散するように、十分時間をかけて基板を加熱してから
陽極接合を行なう必要がある。
【００２４】［第二実施例、図２］以下、本発明の第二
実施例である陽極接合方法を、図２に基づいて説明す
る。
実施例である陽極接合方法を、図２に基づいて説明す
る。
【００２５】図２に示す陽極接合方法は、第一実施例と
ほとんど同じであり、異なる点はセラミック基板１と酸
化性金属膜２との間に下地金属膜６を形成している点で
ある。図２において、図１と同一もしくは同等の部分に
は同じ記号を符し、その説明を省略する。
ほとんど同じであり、異なる点はセラミック基板１と酸
化性金属膜２との間に下地金属膜６を形成している点で
ある。図２において、図１と同一もしくは同等の部分に
は同じ記号を符し、その説明を省略する。
【００２６】図２に示すように、スパッタ装置を用いて
セラミック基板１の上にＴｉからなる下地金属膜６を例
えば５０ｎｍの厚さで形成し、その上にＣｕからなる酸
化性金属膜２を例えば２００ｎｍの厚さで形成する。さ
らに、その上にＡｕからなる非酸化性金属膜３を例えば
２０ｎｍの厚さで形成し、セラミック基板１の上に３層
構造の多層金属膜４を形成する。一般に、Ｔｉ膜、Ｃｒ
膜は絶縁性基板や半導体基板に対して密着性が高い。こ
のため、本実施例ではセラミック基板１と多層金属膜４
との密着強度を向上させることができる。
セラミック基板１の上にＴｉからなる下地金属膜６を例
えば５０ｎｍの厚さで形成し、その上にＣｕからなる酸
化性金属膜２を例えば２００ｎｍの厚さで形成する。さ
らに、その上にＡｕからなる非酸化性金属膜３を例えば
２０ｎｍの厚さで形成し、セラミック基板１の上に３層
構造の多層金属膜４を形成する。一般に、Ｔｉ膜、Ｃｒ
膜は絶縁性基板や半導体基板に対して密着性が高い。こ
のため、本実施例ではセラミック基板１と多層金属膜４
との密着強度を向上させることができる。
【００２７】［第三実施例、図３］以下、本発明の第三
実施例である陽極接合方法を、図３に基づいて説明す
る。図３に示す陽極接合方法は、第二実施例とほとんど
同じであり、異なる点はガラス基板５が多層金属膜４を
すべて覆っている点と、セラミック基板１にスルーホー
ル７を形成している点である。図３において、図２と同
一もしくは同等の部分には同じ記号を符し、その説明を
省略する。
実施例である陽極接合方法を、図３に基づいて説明す
る。図３に示す陽極接合方法は、第二実施例とほとんど
同じであり、異なる点はガラス基板５が多層金属膜４を
すべて覆っている点と、セラミック基板１にスルーホー
ル７を形成している点である。図３において、図２と同
一もしくは同等の部分には同じ記号を符し、その説明を
省略する。
【００２８】図３に示すように、セラミック基板１の多
層金属膜４を形成する部分にスルーホール７を形成した
後、スルーホール７の内部を導電性のメッキなどにより
内部電極を形成する。
層金属膜４を形成する部分にスルーホール７を形成した
後、スルーホール７の内部を導電性のメッキなどにより
内部電極を形成する。
【００２９】次に、スルーホール７が形成されたセラミ
ック基板１の上に多層金属膜４を形成する。この成膜は
第二実施例と同じようにおこなう。これにより、スルー
ホール７と多層金属膜４とを電気的に接続することがで
きる。
ック基板１の上に多層金属膜４を形成する。この成膜は
第二実施例と同じようにおこなう。これにより、スルー
ホール７と多層金属膜４とを電気的に接続することがで
きる。
【００３０】次に、ガラス基板５と多層金属膜４との陽
極接合を行なう。ここでは、ガラス基板５が多層金属膜
４をすべて覆っているため、多層金属膜４の表面に陽極
接合のために直流電圧を印加する端子を接続することが
困難である。この場合、セラミック基板１の裏面に出て
いるスルーホール７の端面に直流電圧を印加する端子８
を接続することによって多層金属膜４に電圧を印加する
ことができる。
極接合を行なう。ここでは、ガラス基板５が多層金属膜
４をすべて覆っているため、多層金属膜４の表面に陽極
接合のために直流電圧を印加する端子を接続することが
困難である。この場合、セラミック基板１の裏面に出て
いるスルーホール７の端面に直流電圧を印加する端子８
を接続することによって多層金属膜４に電圧を印加する
ことができる。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、最外層に
非酸化性金属膜を形成し、その下に酸化性金属膜を形成
した多層金属膜を基板上に形成する。これによって、酸
化性金属が酸化するような工程を経ても多層金属膜の表
面および内部が酸化されることがないため、陽極接合が
可能である。また、多層金属膜の表面に拡散された酸化
性金属のほとんどが酸化されることがないため、陽極接
合の接合強度を十分に確保することができる。
非酸化性金属膜を形成し、その下に酸化性金属膜を形成
した多層金属膜を基板上に形成する。これによって、酸
化性金属が酸化するような工程を経ても多層金属膜の表
面および内部が酸化されることがないため、陽極接合が
可能である。また、多層金属膜の表面に拡散された酸化
性金属のほとんどが酸化されることがないため、陽極接
合の接合強度を十分に確保することができる。
【図１】本発明の陽極接合方法の第一実施例を示す概略
図である。
図である。
【図２】本発明の陽極接合方法の第二実施例を示す概略
図である。
図である。
【図３】本発明の陽極接合方法の第三実施例を示す概略
図である。
図である。
１ ----- セラミック基板
２ ----- 酸化性金属膜
３ ----- 非酸化性金属膜
４ ----- 多層金属膜
５ ----- ガラス基板
６ ----- 下地金属膜
７ ----- スルーホール
８ａ、８ｂ ----- 端子
９ ----- リード線
１０ ----- 電源
Claims (7)
- 【請求項１】基板上に形成した金属膜と、絶縁体とを接
合する陽極接合方法であって、 前記金属膜が多層で構成され、この多層金属膜の最外層
が非酸化性金属膜で構成され、前記非酸化性金属膜の下
の層が酸化性金属膜で構成されていることを特徴とする
陽極接合方法。 - 【請求項２】前記非酸化性金属膜と酸化性金属膜とを構
成する金属材料の共晶反応が起こる温度以上の温度で前
記基板を加熱した後、前記金属膜と絶縁体とを接合する
ことを特徴とする、請求項１に記載の陽極接合方法。 - 【請求項３】前記非酸化性金属膜がＡｕで形成され、前
記酸化性金属膜がＣｕで形成されていることを特徴とす
る、請求項１または請求項２に記載の陽極接合方法。 - 【請求項４】前記基板に直接接する層が下地金属膜で構
成されていることを特徴とする、請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載の陽極接合方法。 - 【請求項５】前記絶縁体が、アルカリイオンを含んだガ
ラス基板であることを特徴とする、請求項１ないし請求
項４のいずれかに記載の陽極接合方法。 - 【請求項６】前記接合を、真空中または不活性ガス中で
行なうことを特徴とする、請求項１ないし請求項５のい
ずれかに記載の陽極接合方法。 - 【請求項７】前記基板がスルーホールを有し、前記スル
ーホールの一端が前記多層金属膜に電気的に接続されて
いることを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいず
れかに記載の陽極接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001386562A JP2003192398A (ja) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | 陽極接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001386562A JP2003192398A (ja) | 2001-12-19 | 2001-12-19 | 陽極接合方法 |
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2001-12-19 JP JP2001386562A patent/JP2003192398A/ja active Pending
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