JP2003192398A - Anode bonding method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、金属膜と絶縁体と
を接合する陽極接合方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an anodic bonding method for bonding a metal film and an insulator.
【０００２】[0002]
【従来の技術】真空管、光学品等の様々な分野で、基板
上に形成した金属膜とガラスなどの絶縁体とを接合する
陽極接合方法が用いられている。2. Description of the Related Art In various fields such as vacuum tubes and optical products, an anodic bonding method for bonding a metal film formed on a substrate and an insulator such as glass is used.
【０００３】このような陽極接合方法の一例が特開平７
−３０７２６０号公報に示されている。この公報による
と、基板の上にＡｕなどの非酸化性金属膜を蒸着し、次
にＡｌなどの酸化性金属膜を蒸着する。この基板にガラ
スを重ね、ヒーター付プラテンに設置する。そして、プ
ラテンを加熱し、酸化性金属膜と非酸化性金属膜の合金
を形成する。この後に、所望の接合温度にし、適当な直
流電源により非酸化性金属膜とガラスとの間に直流電圧
を印可する。このとき、酸化性金属膜の金属がガラス
（ＳｉＯ2）の酸素原子と結びついて陽極接合するとい
うものである。An example of such an anodic bonding method is disclosed in Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Hei 7 (1998).
No. 307260. According to this publication, a non-oxidizing metal film such as Au is deposited on a substrate, and then an oxidizing metal film such as Al is deposited. Glass is placed on this substrate and placed on a platen with a heater. Then, the platen is heated to form an alloy of the oxidizing metal film and the non-oxidizing metal film. After that, a desired junction temperature is set and a DC voltage is applied between the non-oxidizing metal film and the glass by an appropriate DC power source. At this time, the metal of the oxidizable metal film is combined with oxygen atoms of glass (SiO 2 ) to perform anodic bonding.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな陽極接合方法を半導体プロセスに応用する場合に
は、陽極接合前にパターニング工程などが必要となる。
従来の陽極接合方法では、酸化性金属膜が表面にあるた
め、パターニング工程などを経たときに酸化性金属膜の
表面が酸化してしまう。この結果、酸化性金属膜がガラ
スの酸素原子と十分に結びつくことができず、陽極接合
の接合強度を十分に確保できないという問題があった。However, when applying such an anodic bonding method to a semiconductor process, a patterning step or the like is required before the anodic bonding.
In the conventional anodic bonding method, since the oxidizing metal film is on the surface, the surface of the oxidizing metal film is oxidized when a patterning process or the like is performed. As a result, there is a problem that the oxidizable metal film cannot sufficiently bond with the oxygen atoms of the glass and the anodic bonding strength cannot be sufficiently secured.
【０００５】本発明の陽極接合方法は、上述の問題を鑑
みてなされたものであり、この問題を解決し、陽極接合
の接合強度を十分に確保することができる陽極接合方法
を提供することを目的としている。The anodic bonding method of the present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to solve this problem and provide an anodic bonding method which can sufficiently secure the bonding strength of anodic bonding. Has an aim.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の陽極接合方法は、基板上に形成した金属膜と、
絶縁体とを接合する陽極接合方法であって、前記金属膜
が多層で構成され、この多層金属膜の最外層が非酸化性
金属膜で構成され、前記非酸化性金属膜の下の層が酸化
性金属膜で構成されていることを特徴とする。In order to achieve the above object, the anodic bonding method of the present invention comprises a metal film formed on a substrate,
An anodic bonding method for bonding an insulator, wherein the metal film is composed of multiple layers, the outermost layer of the multilayer metal film is composed of a non-oxidizing metal film, and the layer under the non-oxidizing metal film is It is characterized by being composed of an oxidizing metal film.
【０００７】また、前記非酸化性金属膜と酸化性金属膜
とを構成する金属材料の共晶反応が起こる温度以上の温
度で前記基板を加熱した後、前記金属膜と絶縁体とを接
合することを特徴とする。Further, after heating the substrate at a temperature equal to or higher than a temperature at which a eutectic reaction of the metal materials forming the non-oxidizing metal film and the oxidizing metal film occurs, the metal film and the insulator are joined. It is characterized by
【０００８】また、前記非酸化性金属膜がＡｕで形成さ
れ、前記酸化性金属膜がＣｕで形成されていることを特
徴とする。Further, the non-oxidizing metal film is formed of Au, and the oxidizing metal film is formed of Cu.
【０００９】また、前記基板に直接接する層が下地金属
膜で構成されていることを特徴とする。Further, the layer which is in direct contact with the substrate is formed of a base metal film.
【００１０】また、前記絶縁体が、アルカリイオンを含
んだガラス基板であることを特徴とする。Further, the insulator is a glass substrate containing alkali ions.
【００１１】また、前記接合を、真空中または不活性ガ
ス中で行なうことを特徴とする。Further, the joining is performed in vacuum or in an inert gas.
【００１２】また、前記基板がスルーホールを有し、前
記スルーホールの一端が前記多層金属膜に電気的に接続
されていることを特徴とする。これにより、陽極接合前
に酸化性金属が酸化するような工程を経ても多層金属膜
の表面および内部が酸化されることがないため、陽極接
合が可能である。また、多層金属膜の表面に拡散された
酸化性金属のほとんどが酸化されることがないため、陽
極接合の接合強度を十分に確保することができる。Further, the substrate has a through hole, and one end of the through hole is electrically connected to the multilayer metal film. As a result, the surface and the inside of the multilayer metal film are not oxidized even after a process in which the oxidizing metal is oxidized before the anodic bonding, so that anodic bonding is possible. Further, most of the oxidizing metal diffused on the surface of the multilayer metal film is not oxidized, so that the bonding strength of anodic bonding can be sufficiently secured.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】［第一実施例、図１］以下、本発
明の第一実施例である陽極接合方法を、図１に基づいて
説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION [First Embodiment, FIG. 1] The anodic bonding method according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００１４】図１に示すように、スパッタ装置を用い
て、セラミック基板１の上にＣｕからなる酸化性金属膜
２を例えば２００ｎｍの厚さで形成し、その上にＡｕか
らなる非酸化性金属膜３を例えば２０ｎｍの厚さで形成
し、２層構造の多層金属膜４を形成する。ここで、Ｃ
ｕ、Ａｕは体積抵抗率が小さく、配線の材料でもある。
このため、金属膜の形成を配線形成と同時に行なうこと
ができ、工程の簡略化がはかれる。このように、非酸化
性金属膜３を多層金属膜４の最外層に形成する。このた
め、多層金属膜４を形成したセラミック基板１を空気に
触れる状態にしても、多層金属膜４の表面および内部は
酸化されることはない。なお、セラミック基板１はガラ
ス基板などの絶縁性基板やＳｉ基板などの半導体基板で
も良い。また、酸化性金属膜２はＡｌ、Ｎｉなどで形成
しても良く、非酸化性金属膜３はＰｔなどで形成しても
良い。As shown in FIG. 1, a sputtering apparatus is used to form an oxidizing metal film 2 made of Cu on the ceramic substrate 1 to a thickness of, for example, 200 nm, and a non-oxidizing metal film made of Au is formed thereon. The film 3 is formed to have a thickness of 20 nm, for example, and the multilayer metal film 4 having a two-layer structure is formed. Where C
u and Au have low volume resistivity and are also materials for wiring.
Therefore, the metal film can be formed at the same time when the wiring is formed, and the process can be simplified. Thus, the non-oxidizing metal film 3 is formed as the outermost layer of the multilayer metal film 4. Therefore, even if the ceramic substrate 1 on which the multilayer metal film 4 is formed is exposed to air, the surface and the inside of the multilayer metal film 4 are not oxidized. The ceramic substrate 1 may be an insulating substrate such as a glass substrate or a semiconductor substrate such as a Si substrate. The oxidizable metal film 2 may be formed of Al, Ni or the like, and the non-oxidizable metal film 3 may be formed of Pt or the like.
【００１５】次に、絶縁体であるアルカリイオンを含む
ガラス基板５と多層金属膜４との陽極接合について順に
説明する。まず、フォトリソグラフィとエッチングを用
いて、ガラス基板５と接合する領域以外の不用な多層金
属膜４を除去する。このとき、多層金属膜４の端に陽極
接合のために直流電圧印加部１１を残しておく。この工
程においても、非酸化性金属膜３が多層金属膜４の最外
層に形成されているため、多層金属膜４の表面および内
部は酸化されることはない。Next, the anodic bonding between the glass substrate 5 containing an alkali ion as an insulator and the multilayer metal film 4 will be described in order. First, by using photolithography and etching, the unnecessary multilayer metal film 4 other than the region bonded to the glass substrate 5 is removed. At this time, the DC voltage applying section 11 is left at the end of the multilayer metal film 4 for anodic bonding. Also in this step, since the non-oxidizing metal film 3 is formed as the outermost layer of the multilayer metal film 4, the surface and the inside of the multilayer metal film 4 are not oxidized.
【００１６】次に、ガラス基板５とこれに接合する多層
金属膜４との位置合わせを行ない、これらを重ねた状態
で真空チャンバの中に設置してあるヒーター付プラテン
（図示せず）の上に置く。Next, the glass substrate 5 and the multi-layered metal film 4 to be bonded to the glass substrate 5 are aligned with each other, and they are placed on top of a platen with a heater (not shown) installed in the vacuum chamber in a stacked state. Put on.
【００１７】次に、真空チャンバの中の真空度を、酸化
性金属が酸化されない程度の真空状態にする。その後、
ヒーター付プラテンを加熱する。セラミック基板１の温
度をＣｕとＡｕの共晶反応が起こる４２０℃より高い例
えば５００℃にし、１０分程度維持する。このとき、Ｃ
ｕとＡｕが十分に共晶反応する温度に設定しているた
め、酸化性金属膜２から拡散されたＣｕが多層金属膜４
の表面に広範囲に広がってガラス基板５と接する状態に
なる。ここで、真空チャンバの中は酸化性金属であるＣ
ｕが酸化されない程度の真空度に保たれているため、多
層金属膜４の表面に拡散されたＣｕが酸化されることは
ない。なお、真空チャンバの中はＣｕなどの酸化性金属
が酸化されない状態であれば良く、例えば、Ａｒなどの
不活性ガスが充満している状態にしても良い。Next, the degree of vacuum in the vacuum chamber is set to such a vacuum level that the oxidizing metal is not oxidized. afterwards,
Heat the platen with heater. The temperature of the ceramic substrate 1 is set to, for example, 500 ° C., which is higher than 420 ° C. at which the eutectic reaction of Cu and Au occurs, and is maintained for about 10 minutes. At this time, C
Since the temperature at which u and Au are sufficiently eutecticized is set, the Cu diffused from the oxidizable metal film 2 is contained in the multilayer metal film 4.
It spreads over a wide area on the surface of and contacts the glass substrate 5. Here, the inside of the vacuum chamber is C which is an oxidizing metal.
Since the degree of vacuum is maintained such that u is not oxidized, Cu diffused on the surface of the multilayer metal film 4 is not oxidized. The vacuum chamber may be in a state in which an oxidizing metal such as Cu is not oxidized, and may be in a state filled with an inert gas such as Ar.
【００１８】次に、陽極接合を行なう温度例えば４００
℃までセラミック基板１およびガラス基板５の温度を下
げる。ここで、端子８ａが多層金属膜４に電気的に接続
され、端子８ｂがガラス基板５に電気的に接続されてい
る。これらの端子の間に、直流電源１０がリード線９に
て接続されている。そして、多層金属膜４の表面を＋、
ガラス基板５の表面を−として、直流電圧５００Ｖ１０
分程度を印加して陽極接合を行なう。このとき、多層金
属膜４の表面に拡散されたＣｕがガラス基板５のガラス
を構成する酸素原子と結びつくことによって、ガラス基
板５と多層金属膜４とが陽極接合する。ここで、多層金
属膜４の表面に広範囲に拡散している酸化されていない
Ｃｕのほとんどがガラス基板５の酸素原子と結びつくこ
とができるので、陽極接合の接合強度を向上させること
ができる。Next, the temperature at which anodic bonding is performed, for example, 400
The temperature of the ceramic substrate 1 and the glass substrate 5 is lowered to ℃. Here, the terminal 8 a is electrically connected to the multilayer metal film 4, and the terminal 8 b is electrically connected to the glass substrate 5. A DC power supply 10 is connected between these terminals by a lead wire 9. Then, the surface of the multilayer metal film 4 is +,
With the surface of the glass substrate 5 as −, a DC voltage of 500V10
About a minute is applied to perform anodic bonding. At this time, Cu diffused on the surface of the multilayer metal film 4 is bonded to oxygen atoms forming the glass of the glass substrate 5, so that the glass substrate 5 and the multilayer metal film 4 are anodically bonded. Here, most of the non-oxidized Cu diffused in a wide range on the surface of the multilayer metal film 4 can be bonded to the oxygen atoms of the glass substrate 5, so that the bonding strength of the anodic bonding can be improved.
【００１９】ここで、ガラス基板５にはＮａ＋，Ｋ＋等
のアルカリイオンが含まれている。これは正イオンであ
るため、直流電圧を印加したとき、−電位にあるガラス
基板５の表面側に移動する。そして、ガラス基板５の接
合面側は−電位になり、多層金属膜４の表面が＋電位で
あるため、静電引力が働きガラス基板５とセラミック基
板１どうしが密着し、加圧を必要としないで陽極接合で
きる。この場合、アルカリイオンの移動量が大きいほど
ガラス基板５の接合面と多層金属膜４の表面との電位差
が大きくなるため、この静電引力は大きくなる。このた
め、ガラス基板５はアルカリイオンの移動度が大きい、
パイレックス（登録商標）＃７７４０を用いることが望
ましい。Here, the glass substrate 5 contains alkali ions such as Na + and K +. Since this is a positive ion, when a DC voltage is applied, it moves to the surface side of the glass substrate 5 at a negative potential. Since the bonding surface side of the glass substrate 5 has a − potential and the surface of the multilayer metal film 4 has a + potential, electrostatic attraction works and the glass substrate 5 and the ceramic substrate 1 are in close contact with each other and pressure is required. Can be anodically bonded without. In this case, since the potential difference between the bonding surface of the glass substrate 5 and the surface of the multilayer metal film 4 increases as the amount of movement of the alkali ions increases, the electrostatic attractive force increases. Therefore, the glass substrate 5 has a high mobility of alkali ions,
It is preferable to use Pyrex (registered trademark) # 7740.
【００２０】以上のように、多層金属膜４の最外層がＡ
ｕからなる非酸化性金属膜３であるため、陽極接合の前
に多層金属膜４の表面および内部が酸化されることがな
い。また、酸化性金属が酸化されない程度の真空状態で
陽極接合を行なうため、多層金属膜４の表面に拡散され
たＣｕが酸化されることがなく、陽極接合の接合強度を
十分に確保することができる。As described above, the outermost layer of the multilayer metal film 4 is A
Since it is the non-oxidizing metal film 3 made of u, the surface and the inside of the multilayer metal film 4 are not oxidized before the anodic bonding. Further, since the anodic bonding is performed in a vacuum state where the oxidizable metal is not oxidized, Cu diffused on the surface of the multilayer metal film 4 is not oxidized and the bonding strength of the anodic bonding can be sufficiently secured. it can.
【００２１】なお、工程の簡略化のために加熱温度を変
えることなく、陽極接合可能な温度である３００℃〜５
００℃で、かつ共晶反応を起こす温度に固定して陽極接
合を行なってもよい。In order to simplify the process, the temperature at which the anodic bonding can be performed is 300 ° C. to 5 ° C. without changing the heating temperature.
Anodic bonding may be performed at a temperature of 00 ° C. and at a temperature at which a eutectic reaction occurs.
【００２２】また、非酸化性金属と酸化性金属との組み
合わせをＡｕとＣｕ以外の組み合わせで行なうことで、
共晶反応が起こる温度を下げても良い。例えば、非酸化
性金属をＰｔ、酸化性金属をＡｌとする組み合わせで行
なうと、ＰｔとＡｌとの共晶反応を３５０℃程度で起こ
すことができる。By combining the non-oxidizing metal and the oxidizing metal with a combination other than Au and Cu,
The temperature at which the eutectic reaction occurs may be lowered. For example, when Pt is used as the non-oxidizing metal and Al is used as the oxidizing metal, a eutectic reaction between Pt and Al can occur at about 350 ° C.
【００２３】さらに、基板の種類によっては、非酸化性
金属と酸化性金属との共晶反応が起こる温度まで基板の
温度を上げると、温度ストレスによってクラックなど損
傷が基板に発生する場合がある。この場合には温度を下
げて行なう必要があるが、温度が低いと拡散量が小さ
い。このため、陽極接合できる程度まで非酸化性金属が
拡散するように、十分時間をかけて基板を加熱してから
陽極接合を行なう必要がある。Further, depending on the type of the substrate, when the temperature of the substrate is raised to a temperature at which the eutectic reaction of the non-oxidizing metal and the oxidizing metal occurs, the stress may cause damage such as cracks on the substrate. In this case, it is necessary to lower the temperature, but when the temperature is low, the diffusion amount is small. Therefore, it is necessary to heat the substrate for a sufficient time and then perform the anodic bonding so that the non-oxidizing metal diffuses to the extent that the anodic bonding can be performed.
【００２４】［第二実施例、図２］以下、本発明の第二
実施例である陽極接合方法を、図２に基づいて説明す
る。[Second Embodiment, FIG. 2] The anodic bonding method according to the second embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００２５】図２に示す陽極接合方法は、第一実施例と
ほとんど同じであり、異なる点はセラミック基板１と酸
化性金属膜２との間に下地金属膜６を形成している点で
ある。図２において、図１と同一もしくは同等の部分に
は同じ記号を符し、その説明を省略する。The anodic bonding method shown in FIG. 2 is almost the same as that of the first embodiment, except that the underlying metal film 6 is formed between the ceramic substrate 1 and the oxidizing metal film 2. . 2, parts that are the same as or equivalent to those in FIG. 1 are given the same reference numerals, and descriptions thereof will be omitted.
【００２６】図２に示すように、スパッタ装置を用いて
セラミック基板１の上にＴｉからなる下地金属膜６を例
えば５０ｎｍの厚さで形成し、その上にＣｕからなる酸
化性金属膜２を例えば２００ｎｍの厚さで形成する。さ
らに、その上にＡｕからなる非酸化性金属膜３を例えば
２０ｎｍの厚さで形成し、セラミック基板１の上に３層
構造の多層金属膜４を形成する。一般に、Ｔｉ膜、Ｃｒ
膜は絶縁性基板や半導体基板に対して密着性が高い。こ
のため、本実施例ではセラミック基板１と多層金属膜４
との密着強度を向上させることができる。As shown in FIG. 2, a base metal film 6 made of Ti, for example, with a thickness of 50 nm is formed on the ceramic substrate 1 by using a sputtering apparatus, and an oxidizable metal film 2 made of Cu is formed thereon. For example, it is formed with a thickness of 200 nm. Further, a non-oxidizing metal film 3 made of Au is formed thereon with a thickness of, for example, 20 nm, and a multilayer metal film 4 having a three-layer structure is formed on the ceramic substrate 1. Generally, Ti film, Cr
The film has high adhesion to an insulating substrate or a semiconductor substrate. Therefore, in this embodiment, the ceramic substrate 1 and the multilayer metal film 4 are
The adhesion strength with can be improved.
【００２７】［第三実施例、図３］以下、本発明の第三
実施例である陽極接合方法を、図３に基づいて説明す
る。図３に示す陽極接合方法は、第二実施例とほとんど
同じであり、異なる点はガラス基板５が多層金属膜４を
すべて覆っている点と、セラミック基板１にスルーホー
ル７を形成している点である。図３において、図２と同
一もしくは同等の部分には同じ記号を符し、その説明を
省略する。[Third Embodiment, FIG. 3] The anodic bonding method according to the third embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. The anodic bonding method shown in FIG. 3 is almost the same as that of the second embodiment, except that the glass substrate 5 covers the entire multilayer metal film 4 and the through holes 7 are formed in the ceramic substrate 1. It is a point. 3, parts that are the same as or equivalent to those in FIG. 2 are given the same symbols, and descriptions thereof are omitted.
【００２８】図３に示すように、セラミック基板１の多
層金属膜４を形成する部分にスルーホール７を形成した
後、スルーホール７の内部を導電性のメッキなどにより
内部電極を形成する。As shown in FIG. 3, after forming the through hole 7 in the portion of the ceramic substrate 1 where the multilayer metal film 4 is formed, the inside electrode of the through hole 7 is formed by conductive plating or the like.
【００２９】次に、スルーホール７が形成されたセラミ
ック基板１の上に多層金属膜４を形成する。この成膜は
第二実施例と同じようにおこなう。これにより、スルー
ホール７と多層金属膜４とを電気的に接続することがで
きる。Next, the multilayer metal film 4 is formed on the ceramic substrate 1 having the through holes 7 formed therein. This film formation is performed in the same manner as in the second embodiment. As a result, the through hole 7 and the multilayer metal film 4 can be electrically connected.
【００３０】次に、ガラス基板５と多層金属膜４との陽
極接合を行なう。ここでは、ガラス基板５が多層金属膜
４をすべて覆っているため、多層金属膜４の表面に陽極
接合のために直流電圧を印加する端子を接続することが
困難である。この場合、セラミック基板１の裏面に出て
いるスルーホール７の端面に直流電圧を印加する端子８
を接続することによって多層金属膜４に電圧を印加する
ことができる。Next, the glass substrate 5 and the multilayer metal film 4 are anodically bonded. Here, since the glass substrate 5 entirely covers the multilayer metal film 4, it is difficult to connect a terminal for applying a DC voltage to the surface of the multilayer metal film 4 for anodic bonding. In this case, a terminal 8 for applying a DC voltage is applied to the end face of the through hole 7 on the back surface of the ceramic substrate 1.
A voltage can be applied to the multilayer metal film 4 by connecting the.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、最外層に
非酸化性金属膜を形成し、その下に酸化性金属膜を形成
した多層金属膜を基板上に形成する。これによって、酸
化性金属が酸化するような工程を経ても多層金属膜の表
面および内部が酸化されることがないため、陽極接合が
可能である。また、多層金属膜の表面に拡散された酸化
性金属のほとんどが酸化されることがないため、陽極接
合の接合強度を十分に確保することができる。As described above, according to the present invention, a non-oxidizing metal film is formed on the outermost layer, and an oxidizing metal film is formed under the non-oxidizing metal film to form a multilayer metal film on a substrate. As a result, the surface and the inside of the multilayer metal film are not oxidized even after a process in which the oxidizing metal is oxidized, so that anodic bonding is possible. Further, most of the oxidizing metal diffused on the surface of the multilayer metal film is not oxidized, so that the bonding strength of anodic bonding can be sufficiently secured.
【図１】本発明の陽極接合方法の第一実施例を示す概略
図である。FIG. 1 is a schematic view showing a first embodiment of the anodic bonding method of the present invention.
【図２】本発明の陽極接合方法の第二実施例を示す概略
図である。FIG. 2 is a schematic view showing a second embodiment of the anodic bonding method of the present invention.
【図３】本発明の陽極接合方法の第三実施例を示す概略
図である。FIG. 3 is a schematic view showing a third embodiment of the anodic bonding method of the present invention.
１ ----- セラミック基板 ２ ----- 酸化性金属膜 ３ ----- 非酸化性金属膜 ４ ----- 多層金属膜 ５ ----- ガラス基板 ６ ----- 下地金属膜 ７ ----- スルーホール ８ａ、８ｂ ----- 端子 ９ ----- リード線 １０ ----- 電源 1 ----- Ceramic substrate 2 ----- Oxidizing metal film 3 ----- Non-oxidizing metal film 4 ----- Multilayer metal film 5 ----- Glass substrate 6 ----- Base metal film 7 ----- Through hole 8a, 8b ----- terminals 9 ----- Lead wire 10 ----- Power supply
Claims (7)
合する陽極接合方法であって、 前記金属膜が多層で構成され、この多層金属膜の最外層
が非酸化性金属膜で構成され、前記非酸化性金属膜の下
の層が酸化性金属膜で構成されていることを特徴とする
陽極接合方法。1. An anodic bonding method for bonding a metal film formed on a substrate and an insulator, wherein the metal film is composed of multiple layers, and the outermost layer of the multilayer metal film is a non-oxidizing metal film. An anodic bonding method, wherein a layer under the non-oxidizing metal film is constituted by an oxidizing metal film.
成する金属材料の共晶反応が起こる温度以上の温度で前
記基板を加熱した後、前記金属膜と絶縁体とを接合する
ことを特徴とする、請求項１に記載の陽極接合方法。2. The substrate is heated at a temperature equal to or higher than a temperature at which a eutectic reaction of a metal material forming the non-oxidizing metal film and the oxidizing metal film occurs, and then the metal film and the insulator are bonded to each other. The anodic bonding method according to claim 1, wherein:
記酸化性金属膜がＣｕで形成されていることを特徴とす
る、請求項１または請求項２に記載の陽極接合方法。3. The anodic bonding method according to claim 1, wherein the non-oxidizing metal film is made of Au and the oxidizing metal film is made of Cu.
成されていることを特徴とする、請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載の陽極接合方法。4. The anodic bonding method according to claim 1, wherein the layer that is in direct contact with the substrate is composed of a base metal film.
ラス基板であることを特徴とする、請求項１ないし請求
項４のいずれかに記載の陽極接合方法。5. The anodic bonding method according to claim 1, wherein the insulator is a glass substrate containing alkali ions.
行なうことを特徴とする、請求項１ないし請求項５のい
ずれかに記載の陽極接合方法。6. The anodic bonding method according to claim 1, wherein the bonding is performed in vacuum or in an inert gas.
ーホールの一端が前記多層金属膜に電気的に接続されて
いることを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいず
れかに記載の陽極接合方法。7. The substrate according to claim 1, wherein the substrate has a through hole, and one end of the through hole is electrically connected to the multilayer metal film. Anodic bonding method.
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|---|---|---|---|---|
| US7115182B2 (en) * | 2004-06-15 | 2006-10-03 | Agency For Science, Technology And Research | Anodic bonding process for ceramics |
| JP2007070176A (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Casio Comput Co Ltd | Bonding substrate, bonding method, and microreactor manufacturing method |
| WO2010097901A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | Anodic bonding method, package manufacturing method, piezoelectric vibrator manufacturing method, oscillator, electronic apparatus and radio-controlled clock |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307260A (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Canon Inc | Bonded body and method of forming the same |
| JPH10259039A (en) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Fujitsu Ltd | Anodic bonding method and apparatus |
| JP2001106545A (en) * | 1999-07-30 | 2001-04-17 | Hoya Corp | Glass substrate, method for manufacturing semiconductor sensor and semiconductor sensor |
| JP2001270744A (en) * | 2000-03-28 | 2001-10-02 | Japan Science & Technology Corp | How to control the re-separability of anodic joints |
-
2001
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307260A (en) * | 1994-05-13 | 1995-11-21 | Canon Inc | Bonded body and method of forming the same |
| JPH10259039A (en) * | 1997-03-18 | 1998-09-29 | Fujitsu Ltd | Anodic bonding method and apparatus |
| JP2001106545A (en) * | 1999-07-30 | 2001-04-17 | Hoya Corp | Glass substrate, method for manufacturing semiconductor sensor and semiconductor sensor |
| JP2001270744A (en) * | 2000-03-28 | 2001-10-02 | Japan Science & Technology Corp | How to control the re-separability of anodic joints |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115182B2 (en) * | 2004-06-15 | 2006-10-03 | Agency For Science, Technology And Research | Anodic bonding process for ceramics |
| JP2007070176A (en) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Casio Comput Co Ltd | Bonding substrate, bonding method, and microreactor manufacturing method |
| WO2010097901A1 (en) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | Anodic bonding method, package manufacturing method, piezoelectric vibrator manufacturing method, oscillator, electronic apparatus and radio-controlled clock |
| JPWO2010097901A1 (en) * | 2009-02-25 | 2012-08-30 | セイコーインスツル株式会社 | Anodic bonding method, package manufacturing method, piezoelectric vibrator manufacturing method, oscillator, electronic device, and radio timepiece |
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