JP2003179325A

JP2003179325A - 電子部品およびその製造方法

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Publication number: JP2003179325A
Application number: JP2001378685A
Authority: JP
Inventors: Naoya Kikuchi; 直哉菊地; Hisatoku Kurobe; 久徳黒部; Misao Iwata; 美佐男岩田
Original assignee: Noritake Co Ltd
Current assignee: Noritake Co Ltd
Priority date: 2001-12-12
Filing date: 2001-12-12
Publication date: 2003-06-27

Abstract

(57)【要約】【課題】素子取付部分の構造がコンパクトな電子部品
およびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の電子部品１は、スルーホール４
０を有する基板１０と、接着剤層３０によって基板１０
の下面１０ａに取付けられた素子２０と、スルーホール
４０に充填されたホール導電体５０とを備える。素子２
０は、誘電体層２２と内部電極（素子配線）２４とが積
層された構成を有する。その内部電極２４は基板下面１
０ａ側の外面２０ａに露出されている。基板下面１０ａ
のうち素子１０が配置された範囲にはスルーホール４０
が少なくとも一つ形成されている。そのスルーホール４
０の開口部において、ホール導電体５０と内部電極２４
とが接続している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミック
コンデンサ等の素子が基板に取付けられた電子部品およ
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】回路基板に素子を実装した電子部品が
知られている。このような電子部品に実装される素子に
は、リードフレーム端子を有する素子（代表例としては
電解コンデンサ）と、フレームレス形式の素子（代表例
としては積層セラミックコンデンサ）とがある。リード
フレーム端子を有する素子は、例えば、基板に設けられ
たスルーホールに、素子から外方に引き出されたリード
フレーム端子を差し込んで半田で固定することにより基
板に取付けられている。また、この半田によって、素子
側の配線（素子配線）と基板側の配線（回路配線）とが
電気的に接続される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】一方、フレームレス
形式の素子は、例えば、基板の表面（素子取付側表面）
に回路配線の一部によって形成されたランド上に取付け
られる。この取付けには、半田、導電性接着剤、異方性
導電膜等の導電材料が用いられる。この導電材料によっ
て、素子がランド上に固定されるとともに、素子の外面
に露出した素子配線と回路配線とが電気的に接続され
る。この種の技術としては、特開平２−３１２２９６号
公報および特開２０００−１３８４００号公報に記載の
もの等がある。一般にフレームレス形式の素子は、リー
ドフレーム端子を有する素子に比べて容易に基板への実
装密度を高めることができるとされている。

【０００４】しかし、これらの素子取付（実装）方法に
よると、基板の素子取付側表面において、素子の取付け
に要する領域（取付構造）が素子の外方（素子が配置さ
れた範囲よりも外側）にはみ出しやすい。例えば、リー
ドフレーム端子を有する素子ではこのリードフレームや
スルーホール等が、フレームレス形式の素子ではランド
および／または半田等が、素子配置部分の外方の領域を
占有することとなる。このため従来は、素子相互の間に
この占有部分を考慮した隙間（例えば２mm以上）を設け
て実装設計を行っていた。

【０００５】そこで本発明は、かかる占有部分を減少
し、素子の取付密度（実装密度）を高めやすい構造の基
板および当該基板に素子が取付けられてなる電子部品な
らびにその製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段、作用および効果】本発
明により提供される電子部品は、スルーホールを有する
基板と、前記基板の下面に取付けられている素子であっ
て該基板下面側の外面に素子配線がある素子と、前記ス
ルーホールに充填されたホール導電体とを備える。前記
基板下面のうち前記素子が配置された範囲には、前記ス
ルーホールが少なくとも一つ形成されている。そのスル
ーホールの開口部においてホール導電体と前記素子配線
とが接続している。かかる構成の電子部品では、基板下
面側に面する素子外面にある素子配線とホール導電体と
の接続は、基板下面のうち素子が配置された範囲に形成
されたスルーホールの開口部において行われている。し
たがって本発明の電子部品では、従来の電子部品のよう
な素子外方の半田等による占有部分が実質的になくな
り、基板下面のうちこの素子の配置された範囲内に素子
の取付構造をほぼ収めることができる。これにより、基
板下面に取付けられる素子相互の間隔を狭くすることが
できるので、この基板下面における素子の実装密度を向
上させ得る。

【０００７】なお、本明細書中で基板について「下面」
とは、基板の向きにかかわらず、この基板の一面および
他面のうち本発明に係る実装手段によって素子が配置さ
れる側の面を指す。また、基板の一面および他面のうち
下面と反対側の面を、便宜上「上面」という。また、本
発明の電子部品は、基板の一部領域では基板の一方の面
に素子が配置され、他部領域では基板の他方の面に素子
が配置された構成とすることもできる。

【０００８】本発明の電子部品の好ましい例では、前記
素子の前記外面（基板下面と向かい合う側の外面）と前
記基板下面との間に設けられた接着剤層により、前記素
子が前記基板下面に接着されている。かかる構成による
と、素子の基板への取付け（固定）を効率よく行うこと
ができる。また、この接着剤層によって、素子の位置ズ
レを防止または抑制し得る。あるいはまた、素子と基板
との熱膨張率の違いに起因して素子配線とホール導電体
との接続部が損傷することを防止または抑制し得る。

【０００９】前記スルーホールは、前記基板下面から前
記基板の上面に向けて拡径するテーパ形状であることが
好ましい。このような形状のスルーホールは、その内部
にホール導電体を形成する際の作業性がよい。また、基
板下面（素子取付面）側へのスルーホールの開口径が小
さいので、素子配線とホール導電体との接続部をより小
さく設けることができる。これにより、基板下面におけ
る素子の実装密度を向上させ得る。

【００１０】本発明により提供される電子部品製造方法
は、外面の一部に素子配線がある素子と、スルーホール
を有する基板とを準備する工程と、前記基板の下面に前
記素子を配置する工程と、前記スルーホールに導電材料
を充填してホール導電体を形成する工程とを包含する。
前記素子を配置する工程は、最終的に前記スルーホール
の開口部において前記ホール導電体と前記素子配線とが
接続されるように行われる。この製造方法は、本発明の
いずれかの電子部品を製造する方法として好適である。

【００１１】本発明の製造方法のうち好ましい例では、
前記素子を配置する工程が、前記基板下面に接着フィル
ムを配置する過程と、その接着フィルム上に前記素子を
配置する過程と、前記接着フィルムを加熱して前記基板
と前記素子とを接着する接着剤層を形成する過程とを包
含する。この接着フィルム（例えばエポキシ系接着剤か
らなる）は、基板上に配置する際の作業性がよく、また
位置合わせが容易である。したがって、かかる接着フィ
ルムを用いることによって、基板に素子を効率よく取付
ける（固定する）ことができる。

【００１２】前記製造方法において、前記接着フィルム
は前記スルーホールの開口部を覆って配置することがで
きる。その後、この接着フィルムから形成された接着剤
層のうち前記開口部を覆う部分に貫通孔を形成する。こ
の貫通孔の形成は、前記基板の上面側から前記スルーホ
ールを通じて基板下面側の接着剤層にレーザを照射する
ことにより行うことができる。この貫通孔の形成により
ホール導電体と素子配線とが接続される。かかる製造方
法によると、基板下面に接着フィルムを配置する際には
スルーホールと貫通孔との位置合わせを行う必要がな
い。したがって基板と接着フィルムとの位置合わせが容
易である。なお、本発明の製造方法においては、基板下
面に接着フィルムを配置した後、素子と基板とを接着す
る前に（すなわち、貫通孔を覆う部分の接着フィルム
に）かかる貫通孔を形成してもよい。また、スルーホー
ル開口部に対応した箇所にあらかじめ貫通孔が形成され
た接着フィルムを準備し、この接着フィルムを基板下面
に配置してもよい。この貫通孔は、レーザ照射による方
法の他、パンチング等の方法によっても形成することが
できる。

【００１３】本発明の製造方法によると、携帯電話等の
小型電子機器に装備される電子部品（回路基板）をより
小型化、高密度実装化することができる。したがって本
発明によると、かかる小型電子機器に装着される小型で
高密度実装された電子部品（たとえば携帯通信機器用モ
ジュール）を提供することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態
につき詳細に説明する。本発明の電子部品を構成する素
子は、その外面に素子配線が露出して形成されたもので
あればよく、一般に表面実装と呼ばれる実装方法が適用
される各種の素子（チップ）を用いることができる。か
かる素子の具体例としては、積層セラミックコンデンサ
（ＭＬＣＣ）、積層チップコイル、チップ抵抗等が挙げ
られる。素子の構造は単層および積層のいずれでもよ
い。積層構造の素子（例えば圧電セラミック振動素子）
に対しては、本発明を適用することによる効果（実装密
度を向上させる効果等）が特によく発揮される。素子が
積層構造である場合、その積層端面（積層方向と交差
（通常はほぼ直交）する外面）が基板下面に直接または
間接に接するようにして取付けられることが好ましい。
このような素子の外面（基板下面に対向する外面）にあ
る素子配線の少なくとも一部がホール導電体と接続され
る。ホール導電体と接続される素子配線は、素子の内部
に形成された配線（例えば積層セラミックコンデンサの
内部電極）の一端であってもよく、素子の外面に沿って
形成されている配線（例えば積層セラミックコンデンサ
の端面電極）であってもよい。

【００１５】本発明の好ましい実施形態としては、素子
が積層セラミックコンデンサであり、その積層端面に露
出した内部電極がホール導電体と接続されている電子部
品が挙げられる。この積層セラミックコンデンサの積層
ピッチ（一つの誘電体層と一つの内部電極との合計厚
さ）は５〜５００μmであることが好ましく、より好ま
しくは１０〜２００μmである。このピッチが５μmより
も小さすぎると内部電極とホール導電体との接続精度が
低下する場合がある。

【００１６】本発明の電子部品を構成する基板として
は、ガラス基板、ガラエポ基板、セラミックス基板（ア
ルミナ基板、ジルコニア基板等）、フレキシブルプリン
ト基板（ポリイミドフィルム等からなる）等の各種の基
板を用いることができる。この基板の構造は単層および
積層のいずれでもよい。絶縁材料をコアとし、そのコア
の表面および／または内部に回路配線が形成された単層
または積層構造の基板が好ましく用いられる。特に限定
するものではないが、この基板の厚さは１０mm以下であ
ることが好ましく、より好ましくは１mm以下（特に０．
０１〜１mm）、さらに好ましくは０．１mm以下（特に
０．０１〜０．１mm）である。このように比較的薄い基
板は、スルーホールの形成や、このスルーホールへのホ
ール導電体の充填等が容易である。したがって、本発明
の構成または製造方法に用いる基板として好適である。

【００１７】かかる基板に取付けられる素子の数は一つ
でもよく複数でもよい。複数の素子が取付けられること
が好ましく、これら複数の素子が一以上の方向に配列さ
れていることがより好ましい。このような場合には本発
明を適用することによる効果がよく発揮される。隣接す
る素子同士の間隔は１０００μm以下であることが好ま
しく、より好ましくは２５０μm以下（特に５〜２５０
μm）、さらに好ましくは１００μm以下（特に１０〜１
００μm）である。基板下面のうち、少なくとも隣接す
る素子間には回路配線が形成されていないことが好まし
い。このことによって素子の取付密度を高める（隣接す
る素子同士の間隔を狭める）ことができる。基板下面の
いずれの箇所にも回路配線が形成されていないことがさ
らに好ましい。

【００１８】この基板には、前記素子が配置された範囲
にスルーホール（貫通孔）が設けられている。ここで、
「素子が配置された範囲（以下、素子配置領域ともい
う。）にスルーホールが設けられている」とは、基板下
面において、スルーホールの開口部の中心が素子配置領
域の境界上あるいはこの境界よりも内側に位置すること
をいう。スルーホールの開口部の全体が素子配置領域の
境界上あるいはこの境界よりも内側に位置することが好
ましく（すなわち、スルーホールの開口部が素子配置領
域から外方にはみ出さない）、開口部の全体がかかる領
域の境界よりも内側に収まっていることがさらに好まし
い。

【００１９】このスルーホールは、基板下面から基板上
面までほぼ同じ形状（筒状）であってもよく、基板下面
から基板上面に向けて拡径あるいは縮径するテーパ形状
等であってもよい。ホール導電体の充填性の観点から
は、基板下面から基板上面に向けて（すなわち、素子が
取付けられる面からその反対側の面に向けて）拡径する
テーパ状または筒状のスルーホールが好ましい。また、
スルーホールの横断面形状は円形状、楕円形状、長円
状、多角形状等のいずれもよいが、ホール導電体の充填
性の観点からは、横断面がほぼ円形状のスルーホール
（円筒状、円錐台状等）が好ましい。

【００２０】スルーホールの横断面形状がほぼ円形状で
ある場合、その直径は１０〜２００μmの範囲にあるこ
とが好ましく、より好ましくは３０〜１００μmであ
る。スルーホールの直径が１０μmよりも小さすぎる
と、このスルーホールへのホール導電体の充填性が低下
する場合がある。一方、スルーホールの直径が２００μ
mよりも大きすぎると素子の実装密度が低下しやすくな
る。なお、スルーホールの形状がテーパ状である場合に
は、その基板下面への開口部の直径が上記範囲にあるこ
とが好ましい。また、スルーホールの横断面形状が円形
以外の形状である場合には、その最大幅が上記範囲にあ
ることが好ましい。

【００２１】基板にスルーホールを設ける手段として
は、ドリル加工、パンチング加工、レーザー加工、マイ
クロブラスト加工等の従来公知の手段を適宜選択して用
いることができる。好ましく採用されるスルーホール形
成手段は、基板の種類によっても異なる。例えば、ガラ
ス基板に対してマイクロブラスト加工等が、ガラエポ基
板に対してはドリル加工等が、セラミック基板に対して
はパンチング加工等が好ましく採用される。

【００２２】スルーホールにはホール導電体が充填され
ている。このホール導電体の構成材料は、ホール導電体
が導電性を示し得る限りにおいて特に限定されない。通
常は導電性金属を主体とするホール導電体が好ましい。

【００２３】かかるホール導電体は、典型的には、導電
性金属粉末を有機ビヒクルに分散させた導体ペーストを
用いて形成することができる。導電性金属粉末として
は、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の貴金属およびこれらを
主体とする合金（Ａｇ−Ｐｔ合金，Ａｇ−Ｐｄ合金
等）、ならびにＣｕ、Ｎｉ等の卑金属およびこれらを主
体とする合金から選択される金属粉末等の一種または二
種以上を用いることができる。コスト安や電気的抵抗の
低さ等の観点から、銀または銀主体の合金（Ａｇ−Ｐｄ
合金等）からなる導電性金属粉末を用いることが特に好
ましい。

【００２４】また、有機ビヒクルとしては、従来の導体
ペーストに用いられているもの等を特に制限なく使用す
ることができる。例えば、エチルセルロース、ヒドロキ
シエチルセルロース等のセルロース系高分子、ポリブチ
ルメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリエ
チルメタクリレート等のアクリル系樹脂、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、アルキド樹脂、ポリビニルアルコ
ール、ポリビニルブチラール等をベースとする有機バイ
ンダ；ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトー
ルアセテート等のエステル系溶剤、ブチルカルビトール
等のエーテル系溶剤、エチレングリコールおよびジエチ
レングリコール誘導体、トルエン、キシレン、ミネラル
スピリット、ターピネオール等の高沸点有機溶媒等を用
いることができる。この導体ペーストは、さらにガラス
フリットや増粘剤、分散剤等の各種有機添加剤および／
または無機添加剤を含有してもよい。

【００２５】このような導体ペーストをスルーホールに
充填（注入）した後、充填された導体ペーストを加熱処
理などにより硬化または焼成してホール導電体を形成す
ることができる。スルーホールへの導体ペーストの充填
は、スルーホールに挿入可能な形状の先端部を有するデ
ィスペンサ等を用いて行うことができる。

【００２６】なお、スルーホールに充填されたホール導
電体を作製する方法としては、上記のように導体ペース
トを用いる方法のほか、半田等の低融点合金を溶融させ
てスルーホールに流し込む方法、無電解メッキによる方
法等が挙げられる。また、ここで「充填」とは、ホール
導電体が素子配線と外部（例えば回路配線）とを電気的
に接続可能な程度にスルーホールに詰まっていることを
いい、スルーホール内および／またはホール導電体に空
隙があってもよい。

【００２７】本発明の好ましい態様では、素子と基板と
の間に接着剤層が設けられている。この接着剤層によっ
て素子を基板下面に容易に固定することができる。接着
剤層は、基板下面のうち素子が配置された範囲（素子配
置領域）の一部または全体に形成されていればよく、こ
の範囲の外方には接着剤層がはみだしていないことが好
ましい。また、接着剤層はスルーホールの開口部におい
てホール導電体と前記素子配線とが接続可能となるよう
に設けられる。典型的には、この開口部（基板下面側開
口部）の少なくとも一部には接着剤層が形成されない部
分がある。

【００２８】接着剤層は導電性および絶縁性のいずれで
あってもよいが、絶縁性であることが好ましい。この接
着剤層は、接着フィルム（好ましくは熱接着フィルム）
から形成されたものであることが好ましい。好ましい接
着フィルムの例としてはエポキシ系の熱接着フィルムが
挙げられる。接着の際の具体的な操作方法としては、基
板下面の所定箇所に接着フィルムおよび素子をこの順に
配置（積層）し、次いでこの接着フィルムを加熱する方
法が好ましい。また、基板下面の所定箇所に配置した接
着フィルムを加熱した後、この接着フィルム上に素子を
配置することにより素子を基板下面に接着してもよい。

【００２９】ここで、基板下面の所定箇所に接着フィル
ムを配置する方法としては、まず複数の素子配置領域を
含む範囲にわたって接着フィルムを配置し、次いでレー
ザ照射等によりこの接着フィルムの不要部分を取り除く
方法が好ましく用いられる。このレーザ照射は、スルー
ホールの開口部（基板下面側開口部）を覆う接着フィル
ムまたは接着剤層に貫通孔を形成する方法としても用い
ることができる。レーザとしてはＣＯ₂レーザ、ＹＡＧ
レーザ、エキシマレーザ等のいずれも使用可能である。
接着フィルムがエポキシ系熱接着フィルムである場合に
はエキシマレーザを用いることが好ましい。これによ
り、レーザ照射箇所周辺の接着フィルムまたは接着剤層
の変形を比較的小さく抑えることができる。

【００３０】なお、この接着剤層は、接着フィルムに代
えて液状接着剤を用いて形成されたものであってもよ
い。例えば、基板および／または素子に液状接着剤を塗
布して基板下面に素子を配置した後、塗布された液状接
着剤を硬化させることにより、素子と基板とを接着する
接着剤層を形成することができる。接着剤層の形成範囲
は液状接着剤の塗布パターン等によって定めることがで
きる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明に関するいくつかの実施例を
説明するが、本発明をかかる実施例に示すものに限定す
ることを意図したものではない。

【００３２】＜第一実施例：ガラエポ基板を用いた電子
部品＞本発明の第一実施例に係る、超音波送受信用プロ
ーブに装備される電子部品の構造を図１に示す。この電
子部品１は、基板１０（ここでは厚さ：５０μmのガラ
エポ基板を用いた。）と、その下面１０ａに取付けられ
た５０個（図１ではそのうち５個を表示している）の積
層セラミックスブロック（積層振動素子）２０とを備え
る。各素子２０は、５層の誘電体層２２と４層の内部電
極（素子配線）２４とが交互に積層された構造を有し、
その外形は２００μm×２００μm×５４０μmの直方体
状である。これらの素子２０は、図１に示すように、そ
の積層方向と直交する方向に一列に並んで取付けられて
いる。素子２０の配列ピッチは２５０μmであり、各素
子２０と隣接する素子２０との隙間は５０μmである。
各素子２０は、図２に示すように、その積層端面２０ａ
の一つが接着剤層３０によって基板下面１０ａに固定さ
れている。この接着剤層３０のうちスルーホール４０の
開口部を覆う部分には貫通孔３０ａが形成されている。

【００３３】図１および図２に示すように、基板１０に
は、各素子２０の内部電極２４に対応する位置に円筒状
のスルーホール４０が形成されている。一つの素子２０
に対応する４つのスルーホール４０は、いずれも基板１
０のうち素子２０の配置された範囲内に設けられており
（図１）、この範囲内で交互に位置をずらして配置され
ている。図２に示すように、各スルーホール４０にはＡ
ｇを主成分とするホール導電体５０が充填されている。
ホール導電体５０の下端（素子側端部）は、スルーホー
ル４０の開口部（基板下面側開口部；この場合には接着
剤層３０の貫通孔３０ａ）において、素子２０の外面２
０ａに露出された内部電極２４に接続されている。ま
た、ホール導電体５０の上端（基板上面側端部）は、ス
ルーホール４０の開口部（基板上面側開口部）周縁にお
いて、基板上面１０ｂに形成されたＣｕ製の回路配線１
２に接続されている。

【００３４】以下、この電子部品１の製造方法の一例に
つき説明する。５枚のセラミック板（厚さ：１００μ
m、比誘電率εｒ：２５００）と４枚のＡｕ箔（厚さ：
１０μm）とを交互に重ね、積層方向に荷重をかけて一
体化させた。この積層体から、ダイヤモンドカッターを
用いて、２００μm×２００μm×５４０μmの直方体状
の積層セラミックスブロック（素子）を切り出した。こ
のようにして、５層の誘電体層とその間に配置された４
層の内部電極とからなる積層セラミックスブロックを作
製した。一方、表面にＣｕ箔が貼られたガラエポ基板の
所定箇所に、ドリル加工によって直径１００μmのスル
ーホールを形成した。次いで、エッチングによりＣｕ箔
の不要部分を除去して回路配線を形成した。

【００３５】図３に示すように、この基板１０の下面１
０ａに一枚のエポキシ系接着フィルム３を配置した。次
いで、この接着フィルム３にエキシマレーザを照射する
ことにより、図４に示すように、各素子配置領域の内側
に位置する部分の接着フィルム３を残して、その外側部
分（不要部分）を除去した。その後、残された各接着フ
ィルム３上にそれぞれ素子２０を配置した。これらの素
子２０は、最終的（すなわち、得られる電子部品１にお
いて）にスルーホール４０の開口部でホール導電体５０
と内部電極２４とが接続されるように（図１参照）配置
される。次いで、素子２０と基板１０との間に０．５ｇ
の応力をかけつつ９０℃に１時間保持することにより、
接着フィルム３から形成された接着剤層３０によって素
子２０を基板１０に接着した。この段階では、内部電極
２４とスルーホール４０とは接着剤層３０によって隔て
られている。

【００３６】その後、図５に示すように、接着剤層３０
のうちスルーホール４０の開口部を覆う部分に、基板上
面１０ｂ側からスルーホール４０を通じてエキシマレー
ザＬを照射し、素子電極２４とスルーホール４０とを隔
てる部分の接着剤層３０を除去した。これにより貫通孔
３０ａを形成した。

【００３７】一方、ホール導電体を形成するために、Ａ
ｇ粉末を主成分とする導体ペーストを調製した。図６に
示すように、先端部の直径が７０μmのディスペンサ５
２を用いてこの導体ペースト５をスルーホール４０に注
入した。このようにして貫通孔３０ａおよびスルーホー
ル４０に導体ペースト５を充填した。次いで、９０℃×
１時間の熱処理を施して導体ペースト５を硬化させた。
これにより、図２に示すように、内部電極２４に接続さ
れたホール導電体５０を形成した。

【００３８】この第一実施例により得られた電子部品１
の容量は２２．５３pFであった。これに対して、素子２
０を接続する前の電子部品（基板）に現れた容量（Ｃ）
は１．４pFであった。このことは、電子部品１において
各接続部分が良好に電気接続されていることを示してい
る。また、電子部品１の共振周波数（ｆｒ）は２．５２
MHz、電気機械結合係数（ｋ３３；ここで、３３は部品
の振動方向を意味する。）は３７．０％であった。

【００３９】＜第二実施例：ガラス基板を用いた電子部
品の製造＞この第二実施例は、第一実施例の電子部品に
おいて、ガラエポ基板に代えてガラス基板を用いた例で
ある。以下、第一実施例に係る部材と同様の機能を果た
す部材については同じ符号を付し、その説明を省略す
る。図７に示すように、電子部品１を構成する基板１０
（ここでは厚さ：５０μmのガラス基板を用いた。）に
は、この基板１０の下面１０ａから基板上面１０ｂに向
けて拡径するテーパ形状（円錐台形状）のスルーホール
４０が設けられている。このスルーホール４０は、上面
１０ｂ側から基板１０をマイクロブラスト加工すること
により形成されたものであって、その上面側開口部の直
径は８０μm、下面側開口部の直径は４０μmである。そ
の他の部分の構成は第一実施例と同様である。この第二
実施例により得られた電子部品１の容量（Ｃ）は１８．
８pF、共振周波数（ｆｒ）は１．８１MHz、電気機械結
合係数（ｋ３３）は３６．２％であった。

【００４０】以上、本発明の具体例を詳細に説明した
が、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定する
ものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上
に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれ
る。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、
単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性
を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせ
に限定されるものではない。また、本明細書または図面
に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであ
り、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的
有用性を持つものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】第一実施例に係る電子部品を示す平面図であ
る。

【図２】図１のII−II線断面図である。

【図３】第一実施例に係る電子部品の製造工程におい
て、基板下面に接着フィルムを配置した状態を示す平面
図である。

【図４】第一実施例に係る電子部品の製造工程におい
て、接着フィルムの不要部分を除去した状態を示す平面
図である。

【図５】第一実施例に係る電子部品の製造工程におい
て、接着剤層に貫通孔を形成する過程を図４のＶ−Ｖ断
面において示す断面図である。

【図６】第一実施例に係る電子部品の製造工程におい
て、スルーホールに導体ペーストを充填する過程を示す
断面図である。

【図７】第二実施例に係る電子部品を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１：電子部品３：接着フィルム１０：基板１０ａ：基板下面１０ｂ：基板上面１２：回路配線２０：積層セラミックスブロック（素子）２２：誘電体層２４：内部電極（素子配線）３０：接着剤層３０ａ：貫通孔４０：スルーホール５０：ホール導電体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０１Ｇ 1/035 Ｃ 1/14 Ｖ (72)発明者黒部久徳愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番36 号株式会社ノリタケカンパニーリミテド内 (72)発明者岩田美佐男愛知県名古屋市西区則武新町三丁目１番36 号株式会社ノリタケカンパニーリミテド内Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB12 BB13 BB14 BB15 BB18 CC25 CC32 CD34 GG14 5E336 AA04 AA16 BB02 BC01 CC43 CC53 DD13 DD37 EE05 EE08 GG09 GG30 5E338 AA12 AA16 AA18 BB14 EE23 EE32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スルーホールを有する基板と、前記基板の下面に取付けられている素子であって該基板
下面側の外面に素子配線がある素子と、前記スルーホールに充填されたホール導電体とを備え、前記基板下面のうち前記素子が配置された範囲には前記
スルーホールが少なくとも一つ形成されており、そのス
ルーホールの開口部においてホール導電体と前記素子配
線とが接続していることを特徴とする電子部品。
【請求項２】前記素子の前記外面と前記基板下面との
間に設けられた接着剤層により、前記素子が前記基板下
面に接着されている請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】前記スルーホールは、前記基板下面から
前記基板の上面に向けて拡径するテーパ形状である請求
項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】外面の一部に素子配線がある素子と、ス
ルーホールを有する基板とを準備する工程と、前記基板の下面に前記素子を配置する工程と、前記スルーホールに導電材料を充填してホール導電体を
形成する工程と、を包含し、前記素子を配置する工程は、最終的に前記スルーホール
の開口部において前記ホール導電体と前記素子配線とが
接続されるように行われる電子部品製造方法。
【請求項５】前記素子を配置する工程は、前記基板下面に接着フィルムを配置する過程と、その接着フィルム上に前記素子を配置する過程と、前記接着フィルムを加熱して前記基板と前記素子とを接
着する接着剤層を形成する過程と、を包含する請求項４に記載の電子部品製造方法。
【請求項６】前記接着フィルムは前記スルーホールの
開口部を覆って配置され、その後、該接着フィルムから
形成された接着剤層に前記基板の上面側から前記スルー
ホールを通じてレーザを照射することにより、前記開口
部を覆う部分の接着剤層に貫通孔を形成する請求項５に
記載の電子部品製造方法。