JP2003179321A - 回路基板及び多層回路基板及び回路基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多層回路基板における多層回路間の層間接触
抵抗を減少させて、回路全体の伝送特性を向上せしめた
多層回路基板とその製造方法の提供。 【解決手段】 片面に導電体回路を形成する導電体箔２
を有する絶縁性材料１の導電体箔２をマスクとしてエッ
チングにより貫通孔３を形成して、絶縁性材料１の貫通
孔３の開口部が導電体箔２の貫通孔２ｂの開口部より大
きくなるようサイドエッチングを施すことにより、前記
導電体箔２と貫通孔３内に充填する導電性ペースト４と
の接触面積を増大せしめてなる回路基板、これを用いた
多層回路基板、その製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品を実装す
る配線板又はパッケージ基板に係わり、特に表面実装密
度を向上せしめるため２層以上の多層の回路層を有する
多層回路基板及びそれに用いられる回路基板及びその製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子機器の軽薄短小化、半導体チップや
部品の小型化、及び端子の狭ピッチ化等に伴って、プリ
ント基板においても実装面積の縮小や配線の精細化が進
められて来ている。又、同時に情報関連機器では、信号
周波数の広域化に対応して部品間を連結する配線の短距
離化が求められてきており、高密度、高性能を達成する
ための回路基板の多層化が必要不可欠な技術となって来
ている。そして、この多層基板では、従来の平面回路に
は無かった層間を電気的に接続する回路形成が鍵となる
技術となっている。

【０００３】しかるに、多層基板の第１ステップである
両面配線基板は、絶縁基材に貫通孔を穿孔して、孔の壁
面に沿って導体をメッキして表裏の配線を接続して形成
している。例えば、工業調査会刊行の福田泰生著の「は
じめてのエレクトロニクス実装技術（第７１ページ）」
に開示されているように、ＩＢＭ社で実施されているＳ
ＬＣ（Ｓurface Ｌaminar Ｃircuit）に代表されるビル
ドアップ多層基板においても、回路層間の絶縁層の一部
をレーザ等で除去して、メッキによって回路層間を接続
する方法が用いられている。このメッキを用いた配線の
接続は、微細な回路を低く安定した接続抵抗で連結する
ことが出来る利点を有するが、工程が複雑で、工数も多
いためコストが高くなり、多層基板の用途を限られた分
野に制限する要因となっていた。

【０００４】又、近年メッキに代わる安価な層間接続方
法として、松下電器産業株式会社発行の「松下テクニカ
ルジャーナル Vol.45 No.4 p.401 (1999)」に開示され
ている、ＡＬＩＶＨ（Ａny Layer Interstitial Ｖia
Ｈole、多層膜層間貫通孔）や、株式会社工業調査会刊
行の「電子材料 Vol.34 No.16 p.31 (1995)」に開示さ
れている、株式会社東芝でのＢ²it（Ｂuried Ｂump Ｉn
terconnection Ｔechnology 埋設突き合わせ相互連結技
術）で代表される導電性ペーストを用いた多層基板が実
用化されるようになって、多層基板の用途が急速に拡大
することとなった。

【０００５】前者のＡＬＩＶＨの技術では、絶縁樹脂板
を出発材料として、レーザを用いて貫通孔（ビアホー
ル）を開口した後、印刷法によって導電性ペーストを貫
通孔内に充填し、表裏接続回路としている。所望の箇所
に導電性ペーストによる接続部が設けられた絶縁基材を
銅箔で挟んで圧着することを繰り返して、多層接続回路
を構成する。このＡＬＩＶＨの工法以外にも、前記した
ＳＬＣのように絶縁層として感光性樹脂を用いて露光・
現像を行うことにより、ビアホールを形成したり、ケミ
カルあるいはドライエッチングによって、樹脂を除去す
る方法をも適用出来る可能性がある。しかるに、導電性
ペーストを用いた多層基板の製造方法は安価である反
面、樹脂で接続される部分の電気抵抗が高く、銅箔回路
との接触抵抗が安定しない等の幾つかの不都合も存在す
るが、これらも逐次克服、解消されつつあるのが現状で
ある。

【０００６】このような現状にあって、多層チップモジ
ュール等のペアチップを実装する基板では、配線の高密
度化に伴なって、一層の厚さを減少せしめる傾向にあ
る。そして、層厚の減少によって絶縁フィルム単体で
は、基板の撓みや皺が発生しやすくなり、寸法の安定性
が確保し難くなっている。これに鑑みて、銅箔付きフィ
ルムを出発材料とすることによって、フィルムの剛性が
高まり、高い寸法精度を容易に維持することが可能であ
るが、この銅箔付き材料を出発材料として使用すると、
以下の如き不都合が生じる。

【０００７】導電性ペーストは、フィラーとして含まれ
る銀や銅等の導電性粒子同士の接触によって、電気伝導
性を発現しているものである。そこで、基板上の回路用
の導電体箔と貫通孔に充填した導電性ペーストとの連結
状態について図５を参照して考察する。図５に図示する
回路基板６０では、絶縁基板６１上の銅箔等の回路用導
電体箔６２と貫通孔６３に導電連結用として充填される
導電性ペースト６４のフィラーとの間の接触は点接触に
近く、両者の接触点６５の接触面積Ｓが狭くなると、回
路抵抗が急激に増加する。

【０００８】又、冷−熱サイクル等の状態の変化によっ
て、繰り返しの応力が発生すると、上記接触点６５や導
電性ペースト６４のフィラー間の接触抵抗が増加するた
め、多層回路を構成した時に良好な伝送特性が得られな
くなる問題があった。特に、回路の微細化に伴って回路
用導体層の導電体箔６２が薄くなるほど接触面積Ｓが減
少し、抵抗の増大が顕著になる。そこで、回路用の導電
体箔６２と導電性ペースト６４間の接触抵抗を安定して
低く維持するために、貫通孔６３に導電性ペースト６４
を充填した後に、図６に図示する回路基板７０では、そ
の貫通孔６３の開口部６３ａにメッキ６６を施して、回
路用の導電体箔６２と接続する構造が提案されている。
しかしながら、この場合、ペーストと回路用の導電体箔
６２との接触面積を広げることができて、接触抵抗を十
分低く抑えることは出来るが、メッキによる加工コスト
の上昇は避けられず、ペースト６４による層間接続法の
利点が失われてしまうこととなる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した事情
に鑑みなされたものであり、その目的とするところ、絶
縁基板の表裏両面に銅箔の如き導電体箔を、絶縁性基板
に設ける貫通孔に充填した導電性ペーストを介して連結
してなる多層回路基板にあって、回路用の導電体箔と導
電性ペーストのフィラーとの接触抵抗を低下せしめて、
多層回路基板における多層回路間の層間接触抵抗を減少
させて、回路全体の伝送特性を向上せしめた多層回路基
板及びそれに用いられる回路基板及び回路基板の製造方
法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため以下の如き手段をなしたものである。請求項
１の発明の回路基板は、片面に導電体回路が形成された
絶縁性材料の基板に貫通孔が形成され、該貫通孔内に充
填された導電性ペーストによって前記基板の表裏を電気
的に接続するための貫通配線が形成され、絶縁性材料の
導電体箔側の面に開口された貫通孔開口部が導電体箔の
貫通孔開口部より大きく形成され、貫通孔内に充填する
導電性ペーストと導電体箔との接触面積が増大されてい
ることを特徴とする。請求項２記載の発明の回路基板
は、絶縁性材料の基板の両面に導電体回路が形成され、
この基板の片側又は両側に前記基板を貫通する貫通孔が
開口され、該貫通孔内に充填された導電性ペーストによ
って基板の表裏を電気的に接続するための貫通配線が形
成され、絶縁性材料の導電体箔側の面に開口された貫通
孔開口部が導電体箔の貫通孔開口部より大きく形成さ
れ、貫通孔内に充填する導電性ペーストと導電体箔との
接触面積が増大されていることを特徴とする回路基板。
請求項３記載の発明の多層回路基板は、請求項１又は２
記載の回路基板を複数積層、一体化し電気的に連結した
ことを特徴とする。請求項４記載の発明の回路基板の製
造方法は、片面に導電体箔を有する絶縁性材料の基板を
出発材料とし、パターンに従って導電体箔をエッチング
して、前記絶縁性材料に貫通形成する貫通孔の部分に整
合する貫通孔を形成した後、この導電体箔をマスクとす
るエッチングにより前記絶縁性材料に貫通孔を形成する
とともに、前記導電体箔裏面の絶縁性材料にサイドエッ
チングを施すことにより、貫通孔内に充填する導電性ペ
ーストと前記導電体箔との接触面積を増大せしめた後、
該貫通孔内に導電性ペーストを充填して、基板の表裏を
電気的に接続するための貫通配線が形成された回路基板
を形成することを特徴とする回路基板の製造方法。請求
項５記載の発明の回路基板の製造方法は、絶縁性材料の
基板の両面に導電体箔が形成されたものを出発材料と
し、パターンに従って片側又は両側の導電体箔をエッチ
ングして、前記基板に貫通形成する貫通孔の部分に整合
する開口部を形成した後、この導電体箔をマスクとする
エッチングにより前記基板に貫通孔を形成するととも
に、片側又は両側の導電体箔の裏面の絶縁性材料にサイ
ドエッチングを施すことにより、貫通孔内に充填する導
電性ペーストと前記導電体箔との接触面積を増大せしめ
た後、該貫通孔内に導電性ペーストを充填して、基板の
表裏を電気的に接続するための貫通配線が形成された回
路基板を形成することを特徴とする。請求項６記載の発
明の発明は、請求項４又は５記載の回路基板の製造方法
において、前記サイドエッチングでは、プラズマエッチ
ング又はエッチャントへの浸漬エッチングを施すことに
より、等方性エッチングと同じあるいはこれに近い条件
でエッチングを促進することを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の多層回路基板の一例につ
いて、その実施の形態を図面を参照して説明する。図１
は本発明の多層回路基板を構成する回路基板の一例を説
明する概略断面図である。図１において、回路基板１０
は、絶縁性基板１の片面に導電体回路を形成する銅箔の
如き回路用の導電体箔２（以下、導電体箔２の代表とし
て「銅箔」と記す場合がある）を有する基板に、貫通孔
３を開口し、該貫通孔３内に導電性ペースト４を充填し
て形成した貫通配線によって、基板の表裏１０ａ−１０
ｂを電気的に接続するようにしたものであり、例えば図
２（へ）の如く複数積層して一体化し電気的に連結する
ことで多層回路基板４０を形成する。この回路基板１０
の製造方法としては、まず、導電体箔２付きの絶縁性基
板１に形成する貫通孔３部分の導電体箔２を構成する銅
箔をレジストマスク５を用いた化学エッチングにより除
去して貫通孔２ｂを形成し、次いで該貫通孔２ｂを有す
る銅箔をマスクとしてエッチングにより絶縁性基板１に
貫通孔３を形成するようにして、導電体箔２の裏面２ｃ
の絶縁性基板部分に浸食部６が形成されるようにしたも
のである。

【００１２】本発明は、このような浸食部６が形成され
るようなエッチング、すなわちアンダーカット又はサイ
ドエッチングと称せられるエッチングを積極的に利用し
て、貫通孔３の周辺の回路用の導電体箔裏面２ｃを露出
させて、貫通孔３に充填する導電性ペースト４と導電体
箔２との接触面積Ｓを大きくして接触せしめることによ
り、接触抵抗を効果的に低下せしめ得るようにした回路
基板１０の積層、一体化によって構成される多層回路基
板及びその製造方法である。なお、アンダーカットによ
る浸食部６の深さはエッチングの条件、特にエッチング
液の供給方法により適宜制御することが可能である。

【００１３】

【実施例】本発明の多層回路基板について、以下実施例
を例示して詳細に説明する。 ＜実施例１＞実施例１を、図２に図示する多層回路基板
の形成工程図を参照して説明する。この実施例１では、
片面に回路用の導電体箔２として銅箔２３付きのポリイ
ミドフィルムを出発材料２０（基板）として用いて、本
発明に係る多層回路基板４０を形成した例を説明する。
なお、図中、図１とその構成部が共通するものは、同一
符号を付してその説明を省略する。

【００１４】図２−（イ）に図示する如く、出発材料２
０である前記銅箔付きポリイミドフィルムとしては、ポ
リイミドフィルム２１としてデュポン社製のカプトン
（商品名）や、鐘淵化学社製のアピカルＮＰＩ（商品
名）をコアとして用い、該ポリイミドフィルム２１のコ
ア両面に熱可塑性ポリイミド２２が形成されたものを使
用した。なお、この他に、銅箔の片面に熱可塑性ポリイ
ミドが形成されたポリイミド積層フィルム（絶縁性基
板）なども使用できる。又、前記ポリイミド以外にも液
晶ポリマー等の熱可塑性フィルムを適用し得ることもで
きる。ポリイミドフィルム２１及び熱可塑性ポリイミド
２２は絶縁性材料として機能する。更に、銅箔２３と反
対側のフィルム面にはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレ
ート）のフィルム２４を予め貼っておく。これにより、
導電性ペースト４を熱可塑性ポリイミド２２のフィルム
面より突出させ、積層時の層間接続を密接なものとする
ことが出来る。なお、フィルム２４は省略することも可
能である。

【００１５】そして、図２−（ロ）に図示する如く、銅
箔２３の上面にレジストマスク５をラミネートし、該レ
ジストマスク５に、後工程でポリイミドに形成する貫通
孔２５に整合するパターンを、露光、現像してエッチン
グマスクを形成した。そして、このようなパターンのレ
ジストマスク５が形成された銅箔付きポリイミドフィル
ムである出発材料２０を、塩化第２鉄溶液をエッチング
液として満たしたエッチング浴槽に浸漬して銅箔２３を
エッチング処理した。そして、ポリイミド２１、２２に
設けられる貫通孔２５と連通する銅箔２３の貫通孔２３
ｂを開口せしめた。

【００１６】上記銅箔２３のエッチング処理が完了した
後、図２−（ハ）に図示する如く銅箔２３をマスクとし
て、銅箔２３の貫通孔２３ｂ部に位置するポリイミド２
２、２１を、四フッ化炭素（ＣＦ4）１０％混合した酸
素ガスプラズマを用いてエッチングして、貫通孔２５を
形成した。この時、深さ方向以外にも積極的にエッチン
グを進行せしめるために、被加工物ステージ側電極をア
ースに接続し、イオンの突入によるスパッタリングの影
響を受け無いようなプラズマエッチングモードとして行
った。

【００１７】開口した貫通孔２５の断面を観察して、ア
ンダーカットの浸食部６の深さｄを調べたところ、ポリ
イミドフィルムの厚さ５０μｍ、貫通孔２５の開口径１
５０μｍの時、前記深さｄ＝２０−４０μｍであった。
エッチング方法としては、加温した水酸化カリウム（Ｋ
ＯＨ）や、脂肪族アミン、水酸化ナトリウム（ＮaＯ
Ｈ）、又はこれらの混合物をエッチング液とした湿式法
を用いることもできるが、この湿式法の場合３０−５０
μｍと深いアンダーカット浸食部６を形成することがで
きた。又、湿式法の場合、シャワーによることなく、エ
ッチング液中に浸漬する方式を採用して、アンダーカッ
トを促進せしめた。銅箔２３をコンフォーマルマスクと
したレーザー加工によってもアンダーカットを形成する
ことは可能であったが、銅箔裏面２３ｃにポリイミド２
２が残留することから、エッチング法の方が有利で好ま
しかった。

【００１８】引き続いて、図２−（ニ）に図示する如
く、前記工程で開口した銅箔２３の貫通孔２３ｂ及びポ
リイミド２１等のフィルムにおける貫通孔２５に、ペー
スト状の導電性ペースト４を銅箔２３面側から印刷法に
より充填した。この導電性ペースト４にはフィラー径１
〜５μｍの銀又は銅を混入したエポキシ樹脂を用いた。
なお、フィラーとしてはニッケルやカーボン等他の導電
体やこれらの混合物を使用したり、又樹脂としてはエポ
キシ樹脂の他にウレタン系、アクリル系等の樹脂も適宜
選択して使用することも出来る。導電性ペースト４のフ
ィラーの種類、フィラー径、樹脂の種類は、上記した以
外のものを用いても、程度の差は見られるものの、本発
明の効果を同様に奏することが出来る。又、貫通孔２５
の縦横比（アスペクト比）が大きく、所望の樹脂を用い
ても空孔を発生せしめること無く充填することが困難な
場合は、真空印刷機を使用すると良い。

【００１９】このようにして貫通孔２５に充填された導
電性ペースト４は、アンダーカットでの浸食部６で回路
用の銅箔２３と接触面積Ｓを増大した状態で接触して接
続される。この結果、該接続部では小さい抵抗で電気的
接続が可能となる。導電性ペースト４を貫通孔２３ｂ及
び２５に充填した後、図２−（ニ）に図示するように、
貫通孔２３ｂ、２５を開口する前に貼っておいたＰＥＴ
フィルム２４を剥がすことにより、導電性ペースト４の
内、丁度、ＰＥＴフィルム２４を貫通する貫通孔２５内
に充填された部分が、熱可塑性ポリイミドフィルム２２
面より突出する突出部４ａとして露出された状態とな
る。なお、前記導電性ペースト４の貫通孔２３ｂ、２５
への印刷による充填は、上記した銅箔２３側とは反対側
の面（ＰＥＴフィルム２４面側）からも印刷することが
出来る。貫通孔２３ｂ、２５に対するペースト４の充填
方向は、本発明の効果に影響することが無いので、導電
性ペースト４の充填でボイドの発生が少なく、充填性が
良好な方を適宜選択して行うことが出来る。

【００２０】次いで、図２−（ホ）に図示するように、
再度銅箔２３上面にレジストマスクをラミネートして、
所望の回路パターンを露光、現像した後、塩化第２鉄溶
液を用いて銅箔２３をエッチングして、所望する回路２
６を銅箔２３で形成して、回路基板３０を得た。回路形
成の場合、銅箔２３の端面には垂直性が要求されるた
め、スプレー式エッチング装置を用いて行い、（垂直方
向のエッチング速度）／（サイドエッチング速度）の速
度比を高い値で行うことが出来た。

【００２１】次いで、図２−（ヘ）に示すように、前述
の手順によって形成された複数の回路基板３０（区別の
ため図２−（ヘ）では符号３０−１、３０−２を付し
た）を、それぞれレジストマスクを除去して積層し、加
熱圧着した。これにより接着層の熱可塑性ポリイミド２
２が加熱されて軟化して各層の回路基板３０−１、３０
−２を接合すると同時に、表面に存在する銅箔２３でな
る回路２６の凹凸をカバーして隙間無く埋め込む。この
加熱の際、貫通孔２３ｂ、２５に充填した導電性ペース
ト４も同時に硬化せしめて電気的接続状態のまま連結固
定し、各回路基板の層間を電気的抵抗を小さくして接続
し得て、多層回路基板４０を得た。

【００２２】＜実施例２＞次に、実施例２を図３を参照
して説明する。なお、図３において図１及び図２に図示
した構成部と共通する構成は同一符号を付して詳細な説
明は省略する。この実施例２の回路基板１０Ａを形成す
るための出発材料２０Ａは、コアとしてのポリイミドフ
ィルム２１の両面に熱可塑性ポリイミド２２が形成され
たポリイミド積層フィルム（絶縁性基板１）を基材とす
る点は実施例１の出発材料２０と同じであるが、但し、
このポリイミド積層フィルム１の両面に回路用の導電体
箔を形成する銅箔２３−１、２３−２が設けられている
点が異なる。そしてこの回路基板１０Ａでは、両面の回
路用の銅箔２３−１、２３−２のうち片面の銅箔２３−
１のみ前記図２の実施例１と同様に銅箔２３−１をマス
クとしてエッチングして貫通孔２３ｂを形成した後、こ
の貫通孔２３ｂを介して、等方性エッチングと同じある
いはこれに近い条件でのエッチングによって貫通孔２５
とアンダーカットの浸食部６を形成させている。そし
て、銅箔２３−１側から導電性ペースト４を印刷した
後、硬化して表裏両面の回路用の銅箔２３−１、２３−
２を接続した。

【００２３】＜実施例３＞更に、実施例３を図４を参照
して説明する。なお、図４中、図１乃至３に図示した構
成と共通するものについては同一符号を付して、詳細な
説明は省略する。この実施例３の回路基板１０Ｂを形成
するための出発材料２０Ａは、実施例２の出発材料と同
じもの、つまり、絶縁性基板１の両面に回路用の導電体
箔２を形成する銅箔２３−１、２３−２を配してなるも
のである。そして、この実施例３の特徴は、両面の銅箔
２３−１、２３−２をマスクとして、出発材料５０の表
裏両面から実施例１と同様なエッチング加工を行って貫
通孔２５をアンダーカットの浸食部６を形成して開口
し、該貫通孔２５に導電性ペースト４を充填して、導電
性ペースト４と銅箔２３−１、２３−２との接触面積Ｓ
を増大せしめて接触せしめ、表裏両面の回路用の銅箔２
３−１、２３−２を接続抵抗を小さくして接続し得るも
のである。

【００２４】実施例２、３の回路基板１０Ａ、１０Ｂ
も、実施例１の回路基板３０と同様に、複数枚積層、一
体化して、絶縁性基板１に貫通された貫通孔に導電性ペ
ーストを充填してなる貫通配線を介して電気的に連結す
ることで、多層回路基板を形成する。

【００２５】なお、上記各実施例では、回路用の導電体
箔２として銅箔２３を用いた例について説明したが、本
発明はこれに限定されるものでなく、電導性の導体であ
れば如何なる材料でも適用することが出来る。又、多層
の層数も２層に限定されずそれ以上の層数の多層回路基
板をも優れた伝送特性を維持して製作することが出来
る。

【００２６】

【発明の効果】本発明によれば、以下の如き効果を奏す
る。導電体回路を形成する導電体箔貼りの絶縁性材料の
基板を出発材料として、基板に形成する貫通孔部に整合
して貫通孔を形成した導電体箔をマスクとして、等方的
にエッチングが進行するように絶縁性基板に貫通孔を形
成することによって、サイドエッチングで導電体箔の裏
面を浸食せしめて、貫通孔に充填される導電性ペースト
と導電体箔との接触面積を増大させてなる回路基板であ
り、貫通孔に充填した導電性ペーストとの接触抵抗を小
さくすることが可能となる。このような回路基板を複
数、貫通孔に充填した導電性ペーストによって多層にし
て、電気的に連結して多層回路基板を形成せしめてなる
ので、多層回路の層間接続抵抗を減少させ、回路全体の
伝送特性を向上せしめることが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の多層回路基板の一例を説明する回路
基板の概略断面図。

【図２】 実施例１の本発明の多層回路基板形成工程
図。

【図３】 実施例２の本発明の多層回路基板を説明する
概略断面図。

【図４】 実施例３の本発明の多層回路基板を説明する
概略断面図。

【図５】 従来の多層回路基板の一例を説明する概略断
面図。

【図６】 従来の多層回路基板の別の例を説明する概略
断面図。

【符号の説明】

１…絶縁性基板（絶縁性材料）、 ２…導電体箔、２ｂ
…導電体箔に形成する貫通孔、３…絶縁性基板の貫通
孔、４…導電性ペースト、 ５…レジストマスク、 ６
…浸食、１０、１０Ａ、１０Ｂ…多層回路基板、 ２
０、２０Ａ…出発材料、２１…ポリイミド、 ２２…熱
可塑性ポリイミド、 ２３…銅箔、２３ｂ…銅箔の貫通
孔、 ２３ｃ…銅箔の裏面、２４…ＰＥＴフィルム、
２５…貫通孔、２６…銅箔でなる回路、 ３０…回路基
板、 ４０…多層回路基板、Ｓ…導電体箔の貫通孔端面
と導電性ペーストとの接触面積、ｄ…サイドエッチング
の浸食深さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 彰二 千葉県佐倉市六崎1440番地 株式会社フジ クラ佐倉事業所内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB12 CC22 CC25 CC52 CD25 CD27 CD32 GG11 5E346 AA05 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA35 AA43 BB01 CC02 CC10 CC32 DD02 DD12 DD32 EE02 EE06 EE07 EE19 FF18 FF35 FF36 GG15 GG22 GG28 HH07

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 片面に導電体回路が形成された絶縁性材
   料の基板に貫通孔が形成され、該貫通孔内に充填された
   導電性ペーストによって前記基板の表裏を電気的に接続
   するための貫通配線が形成され、 絶縁性材料の導電体箔側の面に開口された貫通孔開口部
   が導電体箔の貫通孔開口部より大きく形成され、貫通孔
   内に充填する導電性ペーストと導電体箔との接触面積が
   増大されていることを特徴とする回路基板。
2. 【請求項２】 絶縁性材料の基板の両面に導電体回路が
   形成され、この基板の片側又は両側に前記基板を貫通す
   る貫通孔が開口され、該貫通孔内に充填された導電性ペ
   ーストによって基板の表裏を電気的に接続するための貫
   通配線が形成され、絶縁性材料の導電体箔側の面に開口
   された貫通孔開口部が導電体箔の貫通孔開口部より大き
   く形成され、貫通孔内に充填する導電性ペーストと導電
   体箔との接触面積が増大されていることを特徴とする回
   路基板。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の回路基板を複数積
   層、一体化し電気的に連結したことを特徴とする多層回
   路基板。
4. 【請求項４】 片面に導電体箔を有する絶縁性材料の基
   板を出発材料とし、パターンに従って導電体箔をエッチ
   ングして、前記絶縁性材料に貫通形成する貫通孔の部分
   に整合する貫通孔を形成した後、この導電体箔をマスク
   とするエッチングにより前記絶縁性材料に貫通孔を形成
   するとともに、前記導電体箔裏面の絶縁性材料にサイド
   エッチングを施すことにより、貫通孔内に充填する導電
   性ペーストと前記導電体箔との接触面積を増大せしめた
   後、該貫通孔内に導電性ペーストを充填して、基板の表
   裏を電気的に接続するための貫通配線が形成された回路
   基板を形成することを特徴とする回路基板の製造方法。
5. 【請求項５】 絶縁性材料の基板の両面に導電体箔が形
   成されたものを出発材料とし、パターンに従って片側又
   は両側の導電体箔をエッチングして、前記基板に貫通形
   成する貫通孔の部分に整合する開口部を形成した後、こ
   の導電体箔をマスクとするエッチングにより前記基板に
   貫通孔を形成するとともに、片側又は両側の導電体箔の
   裏面の絶縁性材料にサイドエッチングを施すことによ
   り、貫通孔内に充填する導電性ペーストと前記導電体箔
   との接触面積を増大せしめた後、該貫通孔内に導電性ペ
   ーストを充填して、基板の表裏を電気的に接続するため
   の貫通配線が形成された回路基板を形成することを特徴
   とする回路基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記サイドエッチングでは、プラズマエ
   ッチング又はエッチャントへの浸漬エッチングを施すこ
   とにより、等方性エッチングと同じあるいはこれに近い
   条件でエッチングを促進することを特徴とする請求項４
   又は５記載の回路基板の製造方法。