JP2003179351A - ビルドアップ多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ビルドアップ表層の銅の厚みが薄く、微細な
回路形成が可能なビルドアップ多層配線基板の提供。 【解決手段】 レーザーによる層間ビアの孔あけによ
り、ビア開口部に形成された導体層の傘状突出が残存し
ていると共に、当該ビアに導電性ペーストが充填され、
かつ当該導体層にめっき層が存在しないビルドアップ多
層配線基板；レーザーにより層間ビアを形成すると共
に、ビア開口部に導体層の傘状突出部を形成する工程
と、当該ビアに導電性ペーストを充填する工程とを有す
るビルドアップ多層配線基板の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はビルドアップ多層配
線基板、特に表層の銅厚みが薄くなることで微細な回路
形成を行なうことの可能なビルドアップ多層配線基板及
びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話や情報通信端末はその使用用途
からより小型で軽量な商品が好まれている。一方、その
製品の中に使用されているプリント配線板も小型化や高
密度化に重点が置かれ、要素技術の構築が検討されてい
る。プリント配線基板をより小型に、そしてより高密度
化する技術は数多くの要素技術を必要とするが、その中
でより重要視される技術としては、プリント配線基板上
の信号線や電力源を伝える回路（パターン）の設計上の
引き回し技術及び回路自身の細線化技術の２点を考える
ことが重要である。

【０００３】プリント配線基板の設計上の回路の引き回
し技術ではビルドアップ多層配線基板のＢＶＨ構造が効
果的であり、最近では情報通信端末のように小型化や高
密度化を必要とするプリント配線基板にビルドアップ多
層配線基板が多く使われるようになってきている。そし
て、実装面積が小さくなっているＢＧＡ（ボールグリッ
ドアレイ）実装方式やＣＳＰ（チップサイズパッケー
ジ）実装方式のような多ピン配列パッド部分には高密度
化を目的としてＢＶＨ構造を多く使用している。

【０００４】ビルドアップ多層配線基板の層間接続用の
ＢＶＨ構造としては、レーザー孔あけ工法による層間接
続用ビアの形成方法がある。この層間接続用ビアの形成
方法は、先にビアをレーザー照射により設け、次いでそ
の上からＢＶＨ用の銅めっきを施して層間の導通接続を
得るコンフォーマル工法によるＢＶＨの作成方法であ
る。しかしながら、コンフォーマル工法のＢＶＨは層間
接続用に銅めっきを行なうために、ＢＶＨを表層に有す
るビルドアップ多層配線基板の銅厚みはそのＢＶＨ用銅
めっき分だけ厚くなり、ＲＣＣ（樹脂付き銅箔）の素材
銅と銅めっきの厚みの合計がビルドアップ多層配線基板
の表層の銅厚みとなる。従って、小型化や高密度化を必
要とするビルドアップ多層配線基板の回路形成では表層
の銅厚みが問題となり、微細回路形成を行なう際に困難
である。

【０００５】一方、小型で高密度なビルドアップ多層配
線基板はプリント回路の細線化技術を向上させることに
より実現する。そして回路幅を細線化する方法は、その
求める回路幅に適した回路形成方法を選択することが有
効な手段である。例えば、サブトラクティブ法と呼ばれ
る回路形成方法は、プリント配線基板の銅箔上に回路形
成用レジストを被覆し、フォトマスクを使用することで
露光、現像を行ない、その後銅箔のエッチングによって
回路を作成する方法である。このサブトラクティブ法に
おける回路幅に適した回路形成方法は代表的な工法とし
てはドライフィルムレジスト工法、及びＥＤ（電着塗
装）工法が有名であり、それらの工法を選択することで
求める回路幅の形成が可能になる。

【０００６】前記２種類の回路形成方法の大きな違いは
フォトレジストの感度と解像度であり、それらはレジス
トの材料特性と厚みの違いが大きく影響する。ドライフ
ィルムレジスト工法のレジスト厚みは４０μm前後で、
それによりＬ（ライン）／Ｓ（スペース）＝１００／１
００μm程度の回路形成を行なうことが可能であり、Ｅ
Ｄ工法のレジスト厚みは約６μmで、それによりＬ／Ｓ
＝６０／６０μm程度の回路形成を行なうことが可能で
ある。このように従来の技術は、微細回路形成を行なう
場合にその目的に達した回路形成方法を選択することが
重要であった。

【０００７】従って、以上のことからプリント配線基板
の小型化及び高密度化はビルドアップ多層配線基板を使
用し、ＢＶＨを用いることで回路設計の上で小スペース
に必要とされる回路を配置し、次いで微細回路形成を行
なうことのできる回路形成方法で加工することが従来の
考え方であった。

【０００８】本発明では微細な回路形成を行なうために
は回路形成方法の選択以外にも、回路形成部分の銅の厚
みを薄くすることが効果的である箇所に着眼している。
それについて図３を用いて説明する。図３では実際の回
路形成後の回路断面を示し、回路幅と回路間スペースを
同じとし、銅の厚みによって回路形成後に得られる回路
形状を示している。図３（ａ）は銅（２）の厚みが薄い
ため、回路形成部１０に求めている回路幅（図３
（ｂ））が得られ、回路間スペースも充分に取れている
ために、絶縁不良による問題は生じてこない。しかしな
がら、図３（ｃ）は銅（２，１２）の厚みが厚いため、
回路形成部１０に求めている回路形成ができず、回路間
スペースが充分に取れていないために、回路同士を接触
することにより生じる絶縁不良の問題を引き起こす（図
３（ｄ））。従って、図３に示すように微細な回路形成
を行なう際には、銅の厚みが薄い方が望ましい。

【０００９】しかしながら、ビルドアップ多層配線基板
のＢＶＨ構造は回路設計上で高密度化する特徴は有して
いるが、ＢＶＨ構造を形成するために層間接続用の銅め
っきが必要で、図２（ｄ）に示したようにＢＶＨ以外の
回路部分にも銅めっきが施され、微細回路形成に必要と
される薄い銅の厚みを形成することは困難であった。ま
た、ＢＶＨ自身は層間での導通を確実に形成するため
に、必要以上には薄くすることはできないため従来のＢ
ＶＨ構造ではビルドアップ多層配線基板の銅厚みを薄く
することは困難であった。

【００１０】また、導電ペーストによるレーザー孔あけ
部への充填方法はいくつかの構造が考えれ、その構造を
図４に３種類示した。図４（ａ）の構造はラージウイン
ドウ構造のレーザー孔あけ後に導電ペーストをビア内に
充填した状態である。この構造は前記ＢＶＨ用の銅めっ
きを省略することが可能であるが、ビルドアップ多層配
線基板の信頼性試験として冷熱高温循環サイクル（例え
ば、−６５℃⇔１２５℃）のような試験においては、図
４（ａ）内３の絶縁層部が熱膨張と収縮を繰り返すた
め、表層の銅と導電ペーストの接触部分で安定な導通は
得られず、信頼性試験で不具合が生じる。また、図４
（ｂ）の構造は銅と導電ペーストの導通部分はビア上に
めっきが存在するために安定な導通が得られるが、前記
回路形成の際に銅の厚みで問題が生じる。従って、ビル
ドアップ多層配線基板の信頼性試験を考慮に入れて、銅
の厚みを薄くすることが可能なＢＶＨを作製することは
困難であった。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】以上のような背景に基
づき本発明が解決しようとする課題は、小型で高密度な
ビルドアップ多層配線基板を作製するために、従来のＢ
ＶＨを作製する際に必要であったＢＶＨ用の銅めっきを
省略した構造を考案し、ビルドアップ表層の銅の厚みを
薄くすることで、微細な回路形成が可能なビルドアップ
多層配線基板及びその製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するために種々検討を重ねた。その結果、ＢＶＨ形
成用の銅めっきを省略し層間接続用のビアを形成するた
めには、ビルドアップ多層配線基板のビルドアップ層を
レーザー孔あけにより層間接続用のビアを形成し、また
その際に傘状突出部（図１（ｂ）内６）を作製し、特に
望ましくは高圧噴射型粗化装置を使用することで前記傘
状突出部を緩やかに折り曲げ、次いでビア内に導電ペー
ストを充填し、層間の導通接続の信頼性を向上させるた
めに傘状突出部を導電ペースト内に埋め込んだＢＶＨ構
造（図１（ｅ）内９）が有効であることを見出して本発
明を完成するに至った。

【００１３】すなわち、本発明は、導体層と絶縁層が交
互に積層されたビルドアップ多層配線基板であって、レ
ーザーによる層間ビアの孔あけにより、当該ビアの開口
部に形成された導体層の傘状突出部が残存していると共
に、当該ビアに導電性ペーストが充填され、かつ当該導
体層にめっき層が存在しないことを特徴とするビルドア
ップ多層配線基板により上記目的を達成したものであ
る。

【００１４】本発明ビルドアップ多層配線基板におい
て、前記導体層の傘状突出部は、ビアの内底部方向に緩
やかに折り曲げられて導電性ペースト中に没入した状態
となっているのが、安定した接続信頼性を得る上で望ま
しい。

【００１５】また、本発明は、導体層と絶縁層を交互に
積層するビルドアップ多層配線基板の製造方法であっ
て、レーザー加工により層間ビアを形成すると共に、当
該ビアの開口部に導体層の傘状突出部を形成する工程
と、当該ビアに導電性ペーストを充填する工程とを有す
ることを特徴とするビルドアップ多層プリント配線基板
の製造方法により上記目的を達成したものである。

【００１６】本発明方法において、前記傘状突出部を形
成する工程の後に、当該傘状突出部に高圧噴射型粗化装
置を用いて研磨材を吹き付け、該傘状突出部をビア内底
部方向に折り曲げるのが望ましい。

【００１７】本発明方法において、レーザー加工による
層間ビアの形成は、カッパーダイレクト工法による銅箔
貫通レーザー孔あけ、もしくはコンフォーマルマスク工
法を用いて、レーザーエネルギーを合計３０mJとしたレ
ーザー孔あけが導体層の傘状突出部を形成する上で望ま
しい。

【００１８】本発明方法に用いる高圧噴射型粗化装置と
しては、特にウェットブラストが好適であり、就中噴射
圧力０．２〜０．４MPaで研磨材を吹き付けるのが、傘
状突出部をビア内底部方向に緩やかに折り曲げる上で良
い結果が得られる。

【００１９】本発明方法において、導電性ペーストの充
填は、印刷用マスクを使用して真空印刷機にて行なうの
が好ましく、またここに充填される導電性ペーストの導
体フィラーの平均粒径は６μm以下のものが好ましい。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を表１及
び図面と共に説明する。

【００２１】本発明の工程を従来の工程と比較して表１
に示す。

【００２２】

【表１】

【００２３】表１内の（Ａ）本発明の工程中、次の工程
の概略を項を分けてそれぞれ説明する。 工程順序：レーザー孔あけ 工程順序：高圧噴射型粗化装置 工程順序：導電ペースト充填

【００２４】◎工程順序：レーザー孔あけ 本発明におけるレーザー孔あけ工程には「カッパーダイ
レクト工法」や「コンフォーマルマスク工法」が好適に
使用される。「カッパーダイレクト工法」は、図５内
（ａ）でのビルドアップ層の表面にレーザーを直接照射
するレーザー孔あけ方法である。この際、表１内Ａ−
のレーザー前処理工程としてビルドアップ層の銅表面を
物理研磨もしくは化学研磨し、銅箔表面の金属固有の光
沢を抑制することが望ましい。例えばメック株式会社製
の銅箔表面粗化剤「ＣＺ８１００」を使用して、３μm
程度エッチングすると同時に銅表面の金属固有の光沢を
落とす処理が好適なものとして挙げられる。ビルドアッ
プ層の表面に直接照射するレーザーとしては炭酸ガスレ
ーザーが使用され、好適に用いられる機種としては例え
ば三菱電機株式会社製「ＭＬ６０５ＧＴＸ（発振器：５
１００Ｕ）」が挙げられる。また、レーザー光の絞り用
のマスクを使用し、銅箔を突き破る１stショット目及び
絶縁層部を燃焼させる２ndショット目のレーザーエネル
ギーを適宜調整するのが好ましい。

【００２５】また、レーザー孔あけ工程では「コンフォ
ーマルマスク工法」のレーザー加工でも同様の形状を有
する傘状突出構造が得られる。「コンフォーマルマスク
工法」とは、図６にて特徴を説明しているように、レー
ザーを照射する位置に予め銅箔エッチングでウインドウ
を開口させ、その開口部にレーザーを照射する方法であ
る。具体的にはレーザー照射径よりも小さな形状のウイ
ンドウをビルドアップ表層のＢＶＨ形成箇所の中心部に
回路形成でエッチング加工により施し、次いでそのウイ
ンドウよりも大きなレーザー径をそのウインドウ部分に
照射する工法がより望ましい。照射されたレーザーのエ
ネルギーはビルドアップ層の絶縁部分を燃焼させ、レー
ザー照射後に得られる構造としては傘状突出部を有する
図６（ｃ）のようになる。「コンフォーマルマスク工
法」に使用するレーザーとしては炭酸ガスレーザーが使
用され、三菱電機株式会社製「ＭＬ６０５ＧＴＸ（発振
器：５１００Ｕ）」が好適に用いられる。また、レーザ
ー光の絞り用のマスクを用いることで、ビルドアップ表
層のウインドウ部分よりも大きなレーザー径を照射する
のが好ましい。更に、「コンフォーマルマスク工法」に
おける傘状突出部の形成にはレーザー条件として３ショ
ットを連続で照射する方式を標準条件とするのが好まし
い。

【００２６】◎工程順序：高圧噴射型粗化装置 本発明の工程である表１（Ａ）内、Ａ−で使用してい
る高圧噴射型粗化装置の目的はレーザー加工により作製
した傘状突出部分を緩やかに折り曲げることを主な目的
としている。高圧粗化処理装置としてはウェットブラス
トが好適に使用される。ウェットブラストとしては例え
ばマコー株式会社製の「Physical FineEtcher：FR-66
3、Wet Blasting System」が好適なものとして挙げら
れ、その使用条件はプリント基板に対して垂直方向に吹
き付けられる水平式装置であり、処理速度：０．３〜
２．７Ｍ／分、エアー消費量：８．０〜１２．０m³／
分、エアー圧力：０．１〜０．４MPa、研磨材：♯８０
０〜２０００を標準条件とするのが好ましい。また、水
と研磨材（スラリー液）と圧縮空気との混合液は、傘状
突出部を緩やかに折り曲げる際にそれに対し垂直に吹き
付けた方が均一に傘状突出部が降り曲がるという理由か
ら、ブラストガンと呼ばれる噴射口から被加工物に投射
する方法を標準条件とするのが好ましい。

【００２７】◎工程順序：導電性ペースト充填 本発明における導電性ペーストの充填方法には真空印刷
機を使用するのが好ましい。真空印刷機としては例えば
東レエンジニアリング株式会社製「ＶＥ−５００」が好
適に使用され、ドライバキュームポンプにより印刷環境
を真空状態にして使用するのが好ましい。また、印刷用
の導電ペーストは印刷前に充分に脱泡した状態で使用す
るのが好ましい。

【００２８】本発明で使用する導電ペーストとしてはタ
ツタ電線株式会社製「穴埋め用ＤＤペースト」が好適に
使用されている。導電ペーストはエポキシ樹脂をバイン
ダーとし、硬化剤にはイミダゾールを主成分としたもの
が好適に使用される。金属フィラーには銀コート銅粉を
使用し、フィラーの平均粒径は２．５μmが好ましい。
また、ペーストの体積固有抵抗値としては５×１０
^-5（Ωcm）が好適である。

【００２９】

【実施例】以下実施例を挙げて本発明を更に説明する。

【００３０】実施例１ 図１は傘状突出部を有するＢＶＨの作製方法を示す図で
あり、当該ＢＶＨの構造は図１（ｅ）内９に示される。
また、図１は同一層の回路形成を示す図であり、当該Ｂ
ＶＨ（図１（ｅ）内９）及び微細回路形成部（図１
（ｅ）内１０）を用いて表現している。以下該図１と共
に本発明を説明する。 （１）．内層回路４形成終了後のコア基板部分にビルド
アップ層１を積み上げた（図１（ａ）参照）。ここで
は、ビルドアップ層１としてＲＣＣ（樹脂付き銅箔）を
使用している。 （２）．前記（１）におけるビルドアップ層１の表面を
レーザー孔あけ前処理としてＣＺ粗化処理し、次いでＢ
ＶＨ形成位置にカッパーダイレクト工法によるレーザー
加工を行ない、開口部は傘状突出部６を有する層間接続
用ビア５を作成した（図１（ｂ）参照）。レーザー加工
終了後にはビア５の底部に燃焼物が残るために、デスミ
ア工程でその残渣を除去した。 （３）．前記（２）の傘状突出部６作成後、ウェットブ
ラストを使用して基板表面を高圧噴射にて処理し、緩や
かに折り曲げた傘状突出部７とした（図１（ｃ）参
照）。 （４）．前記（３）で作成したビア５内に真空印刷機を
使用して、導電ペーストを充填し、加熱硬化し、傘状突
出部７を有するＢＶＨを作成した（図１（ｄ）参照）。 （５）．前記（４）で作成した傘状突出部７を有するＢ
ＶＨを表層に有するビルドアップ多層配線基板の回路形
成を行なった（図１（ｅ）参照）。本発明による工程順
で作成されたビルドアップ多層配線基板の表層の銅厚み
は、銅めっき工程が省略されているために薄くなり、Ｒ
ＣＣの銅箔のみの１２μmの状態で表層の回路が形成さ
れた。

【００３１】比較例１ 図２は前記表１に示した従来法によるＢＶＨの形成方法
を示し、最終工程は回路形成を示している。また図１同
様に、ＢＶＨ（図２（ｅ）内１３）及び微細回路形成部
（図２（ｅ）内１０）を用いて表現している。以下該図
２と共に従来法を説明する。 （１）．内層回路形成終了後のコア基板部分にビルドア
ップ層１を積み上げた（図２（ａ）参照）。ここでは、
ビルドアップ層１としてＲＣＣ（樹脂付き銅箔）を使用
している。 （２）．前記（１）におけるビルドアップ層１の表面を
レーザー孔あけ前処理として、ＢＶＨ孔あけ用のウイン
ドウ部１１をエッチング工程にて作成した（図２（ｂ）
参照）。 （３）．前記（２）におけるウインドウ部１１にレーザ
ー照射を行ない、層間接続用ビア５の孔あけを行なった
（図２（ｃ）参照）。レーザー加工終了後にはビア５の
底部に燃焼物が残るために、デスミア工程でその残渣を
除去した。 （４）．前記（３）のビア５作成後、めっき工程にて化
学銅めっき、電解銅めっきの順に層間接続用のＢＶＨめ
っき１２を行なった（図２（ｄ）参照）。 （５）．前記（４）で作成したビルドアップ多層配線基
板の回路形成を行なった（図２（ｅ）参照）。 以上の工程順で作成されたビルドアップ多層配線基板表
層の銅の厚みは、ＲＣＣの銅箔が１２μm、そしてＢＶ
Ｈ用の銅めっきが２０μmとなり、銅の厚みは合計で３
２μmであった。

【００３２】試験例１ 銅厚みの違いによる回路形成性の違いを明らかにするた
めに、回路形成方法にＥＤ（電着塗装）法を使用して、
従来のＢＶＨ構造にて作成したビルドアップ多層配線基
板と、本発明にて作成したビルドアップ多層配線基板と
を表２内に示されるそれぞれの回路幅で回路形成を行な
い、微細回路パターン部の良品数を比較した。その結果
は表２の通りであった。試験結果より回路幅が細線化し
た場合において、従来のＢＶＨ構造にて作成したビルド
アップ多層配線基板は良品数が減少するが、本発明にお
けるビルドアップ多層配線基板は不良品を回路幅５０μ
mで全く発生させることなく、微細回路パターン部の良
品数を向上させることが明らかとなった。また、回路形
成上の不具合点を分類すると、微細な回路間でエッチン
グ不足により回路同士が接触するショート系の不具合、
そして回路上の銅が過剰エッチングにより欠損し導通不
良を起こすオープン系の不具合に分類できる。その分類
により表２内の不良を比較すると、従来工法では銅の厚
みが厚いために微細回路パターン部のエッチングが充分
に行なえず、ショート系の不具合が非常に多い結果とな
っている（この状態の模式図を図３に示す）。しかしな
がら、本発明の工法では銅厚が従来と比較して薄いた
め、充分に微細回路パターン部のエッチング加工を行な
うことが可能になり、その結果としてショート系の不具
合が無くなっている。従って、この試験結果より本発明
は微細回路パターン部の回路形成性を向上させる効果が
あることが確認された。

【００３３】

【表２】

【００３４】試験例２ 本発明方法においては、ビルドアップ多層配線基板の表
層にレーザー照射を行なうことで傘状突出部を作成する
が、その際、レーザーエネルギーの条件で作成される傘
状突出の構造には違いが見られる。そのため、好適な傘
状突出部を作成するためのレーザーエネルギーの条件を
求めるべく、「カッパーダイレクト工法」及び「コンフ
ォーマルマスク工法」のそれぞれについて表３に記載の
条件で比較試験を行なった。その結果は表３の通りであ
った。表３から得られる結果として、「カッパーダイレ
クト工法」及び「コンフォーマルマスク工法」の何れの
場合にもレーザーエネルギーの合計が３０mJである場合
が３０μm程度の長さを有する特に良好な傘状突出構造
が得られることが明らかとなった。

【００３５】

【表３】

【００３６】試験例３ 本発明方法においては、レーザー加工にて得られた傘状
突出部をウェットブラスト（高圧噴射型粗化装置）を用
いてビルドアップ多層配線基板の表面を粗化すること
で、粗化圧力により傘状突出部を緩やかに折り曲げる。
この緩やかに折り曲げられた傘状突出部はビア内に導電
ペーストを充填した際に、傘状突出部が導電ペースト内
に埋め込まれ、その埋め込まれた箇所がビルドアップ多
層配線基板の１層目から２層目への電気的な導通を行な
う役割を示す。そこで傘状突出部の長さと緩やかに折り
曲げられた角度が導通を支えるうえで重要となる。前
者、傘状突出部の長さについては試験例２で示したよう
に、レーザーエネルギーの条件検討が効果として大きい
が、後者の傘状突出部の角度については、本項のウェッ
トブラストの粗化条件検討が効果として大きく関与して
くる。そこで、ウェットブラストの噴射圧力の条件を検
討し、傘状突出部を緩やかに折り曲げる際の有効な条件
を表４で示した様々な条件で検討を行ない比較した。そ
の結果は表４の通りであった。因に、傘状突出部を曲げ
る際の角度は接続信頼性の安定性からより直角に曲がる
ことを良好な状態とし、その曲げられた角度をマイナス
で表現し、数値が大きいほど良好な結果を意味する。試
験結果より、傘状突出部を良好に折り曲げられる条件と
しては０．２MPa〜０．４MPaの噴射圧力が適しているこ
とが明らかとなった。

【００３７】

【表４】

【００３８】試験例４ 表５に記載の条件で、レーザー加工にて得られた層間接
続用のビア内に導電ペーストを充填する検討を行なっ
た。充填方法は印刷方式を採用し、ビア内にボイドを発
生させることなく導電ペーストを充填するために、印刷
方法と印刷用マスクの有無の検討を行なった。本発明に
おける層間接続用ビア内には導電ペーストが充填され、
それが層間での導通を支えるために、ビア内に気泡が巻
き込まれた場合その気泡は導通抵抗値を向上させる原因
となる可能性がある。従って、ビア内に気泡が巻き込ま
れた場合そのビアを不良品として区別し、印刷終了後の
状態で気泡が巻き込まれない良好なビアと共にその数を
記録した。その結果は表５の通りであった。試験結果よ
り、常圧での印刷方式は多数の不良を発生させたが、真
空状態での印刷は良好に行なうことができ、印刷用のマ
スクを使用することで不良品は全て無くなることが明ら
かとなった。

【００３９】

【表５】

【００４０】試験例５ 層間接続用のビア内に充填するための導電ペーストに使
用する導体フィラーの平均粒径とビア内に発生する気泡
との関係を明らかにするために、表６に記載の平均粒径
２．５〜７．５μmの導体フィラーを使用して試験を行
なった。比較はビア内に気泡が巻き込まれた場合、その
ビアを不良品として区別し、印刷終了後の状態で気泡が
巻き込まれない良好なビアと共にその数を記録した。そ
の結果は表６の通りであった。試験結果より導体フィラ
ー平均粒径が６．０μm以下の場合においては、印刷は
良好に行なうことができ、ビア内に内在する気泡不良は
全て無くなることが明らかとなった。

【００４１】

【表６】

【００４２】

【発明の効果】本発明における傘状突出部を有するＢＶ
Ｈ構造（図１（ｅ）内９）は、層間の導通を接続させる
従来のＢＶＨの有効な機能を保持したまま、従来のＢＶ
Ｈ構造を形成する際に使用していたＢＶＨ用の銅めっき
を省略できるため、本発明によれば、ビルドアップ多層
配線基板の表層の銅の厚みが薄くなる結果、回路形成が
容易となり、特に微細回路形成性に優れたビルドアップ
多層配線基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明方法によるビルドアップ多層配線基板の
製造例を示す概略断面工程説明図。

【図２】従来方法によるビルドアップ多層配線基板の製
造例を示す概略断面工程説明図。

【図３】銅の厚み違いによる微細回路形成状態を示す概
略断面説明図。

【図４】導電ペースト充填後のＢＶＨを示す概略断面説
明図。

【図５】カッパーダイレクト工法によるビアの形成方法
を示す概略断面説明図。

【図６】コンフォーマルマスク工法によるビアの形成方
法を示す概略断面説明図。

【符号の説明】

１：ビルドアップ層 ２：銅箔（ＲＣＣ） ３：絶縁層部 ４：内層回路部 ５：層間接続用ビア ６：傘状突出部 ７：緩やかに折り曲げた傘状突出部 ８：導電ペースト ９：傘状突出部を有するＢＶＨ １０：微細回路形成部 １１：ウインドウ部 １２：銅めっき １３：従来のＢＶＨ １４：フォトマスク １５：フォトレジスト １６：表面粗化 １７：レーザー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｊ Ｎ 3/40 3/40 Ｋ (72)発明者 森田 和孝 群馬県伊勢崎市長沼町1744−１ 日本シイ エムケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5E317 AA24 BB01 BB12 CC22 CC25 CD31 CD32 GG14 5E346 AA01 AA12 AA15 AA32 AA43 BB01 BB16 CC02 CC08 CC32 DD02 DD12 DD32 EE06 EE07 FF18 GG15 GG19 GG28 HH24

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体層と絶縁層が交互に積層されたビル
   ドアップ多層配線基板であって、レーザーによる層間ビ
   アの孔あけにより、当該ビアの開口部に形成された導体
   層の傘状突出部が残存していると共に、当該ビアに導電
   性ペーストが充填され、かつ当該導体層にめっき層が存
   在しないことを特徴とするビルドアップ多層配線基板。
2. 【請求項２】 前記導体層の傘状突出部が、当該ビアの
   内底部方向に緩やかに折り曲げられて導電性ペースト中
   に没入していることを特徴とする請求項１記載のビルド
   アップ多層配線基板。
3. 【請求項３】 導体層と絶縁層を交互に積層するビルド
   アップ多層配線基板の製造方法であって、レーザー加工
   により層間ビアを形成すると共に、当該ビアの開口部に
   導体層の傘状突出部を形成する工程と、当該ビアに導電
   性ペーストを充填する工程とを有することを特徴とする
   ビルドアップ多層プリント配線基板の製造方法。
4. 【請求項４】 前記傘状突出部を形成する工程の後に、
   当該傘状突出部に高圧噴射型粗化装置を用いて研磨材を
   吹き付け、該傘状突出部をビア内底部方向に折り曲げる
   工程を有することを特徴とする請求項３記載のビルドア
   ップ多層プリント配線基板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記レーザー加工による層間ビアの形成
   を、カッパーダイレクト工法により行なうことを特徴と
   する請求項３又は４記載のビルドアップ多層プリント配
   線基板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記レーザー加工による層間ビアの形成
   を、コンフォーマルマスク工法により行なうことを特徴
   とする請求項３又は４記載のビルドアップ多層プリント
   配線基板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記レーザー加工におけるレーザーエネ
   ルギーの合計が３０mJであることを特徴とする請求項３
   〜６の何れか１項記載のビルドアップ多層プリント配線
   基板の製造方法。
8. 【請求項８】 前記高圧噴射型粗化装置による研磨材の
   吹き付けを、ウェットブラストを用い、噴射圧力０．２
   〜０．４MPaで行なうことを特徴とする請求項３〜７の
   何れか１項記載のビルドアップ多層プリント配線基板の
   製造方法。
9. 【請求項９】 前記導電性ペーストの充填を、印刷用マ
   スクを使用して真空印刷機にて行なうことを特徴とする
   請求項３〜８の何れか１項記載のビルドアップ多層プリ
   ント配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記導電性ペーストの導電フィラーの
    平均粒径が６μm以下であることを特徴とする請求項３
    〜９の何れか１項記載のビルドアップ多層プリント配線
    基板の製造方法。