JP2003151940A - バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法 - Google Patents
バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法Info
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- JP2003151940A JP2003151940A JP2001350862A JP2001350862A JP2003151940A JP 2003151940 A JP2003151940 A JP 2003151940A JP 2001350862 A JP2001350862 A JP 2001350862A JP 2001350862 A JP2001350862 A JP 2001350862A JP 2003151940 A JP2003151940 A JP 2003151940A
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハの研磨工程において、半導体ウ
エハの研磨される面とは反対側の面に強固に接着して半
導体ウエハを保護し、研磨終了後には容易に剥離するこ
とのできるバックグラインドテープ及びこれを用いた半
導体ウエハの研磨方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハの研磨工程において、研磨
される面とは反対側の面を保護するバックグラインドテ
ープであって、基材の片面に粘着剤層が形成されてなる
ものであり、前記粘着剤層は、刺激を与えることにより
気体を発生するアジド化合物を含有するバックグライン
ドテープ。
エハの研磨される面とは反対側の面に強固に接着して半
導体ウエハを保護し、研磨終了後には容易に剥離するこ
とのできるバックグラインドテープ及びこれを用いた半
導体ウエハの研磨方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウエハの研磨工程において、研磨
される面とは反対側の面を保護するバックグラインドテ
ープであって、基材の片面に粘着剤層が形成されてなる
ものであり、前記粘着剤層は、刺激を与えることにより
気体を発生するアジド化合物を含有するバックグライン
ドテープ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの研
磨工程において、半導体ウエハの研磨される面とは反対
側の面に強固に接着して半導体ウエハを保護し、研磨終
了後には容易に剥離することのできるバックグラインド
テープ及びこれを用いた半導体ウエハの研磨方法に関す
る。
磨工程において、半導体ウエハの研磨される面とは反対
側の面に強固に接着して半導体ウエハを保護し、研磨終
了後には容易に剥離することのできるバックグラインド
テープ及びこれを用いた半導体ウエハの研磨方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常
高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとしたの
ち、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路
パターンを形成して、次いでウエハ裏面を研磨機により
研磨して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで
薄くし、最後にダイシングしてチップ化することによ
り、製造されている。
高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとしたの
ち、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路
パターンを形成して、次いでウエハ裏面を研磨機により
研磨して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで
薄くし、最後にダイシングしてチップ化することによ
り、製造されている。
【０００３】ここで、上記研磨時には、ウエハ表面にバ
ックグラインドテープと呼ばれる粘着シートを貼り付け
て、ウエハ表面に形成された回路パターンを保護し、ウ
エハの破損を防止したり、研磨加工を容易にしたりして
いる。
ックグラインドテープと呼ばれる粘着シートを貼り付け
て、ウエハ表面に形成された回路パターンを保護し、ウ
エハの破損を防止したり、研磨加工を容易にしたりして
いる。
【０００４】研磨終了後に次の工程へと進むためには、
このバックグラインドテープを剥離する必要がある。し
かしながら、研磨時の衝撃に耐えられるようにするため
には、バックグラインドテープの接着力は強い必要があ
り、強固に接着したバックグラインドテープを剥離する
ことは困難であった。このように、バックグラインドテ
ープには、高接着と易剥離という矛盾する条件を満たす
ことが求められていた。
このバックグラインドテープを剥離する必要がある。し
かしながら、研磨時の衝撃に耐えられるようにするため
には、バックグラインドテープの接着力は強い必要があ
り、強固に接着したバックグラインドテープを剥離する
ことは困難であった。このように、バックグラインドテ
ープには、高接着と易剥離という矛盾する条件を満たす
ことが求められていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記現状に
鑑み、半導体ウエハの研磨工程において、半導体ウエハ
の研磨される面とは反対側の面に強固に接着して半導体
ウエハを保護し、研磨終了後には容易に剥離することの
できるバックグラインドテープ及びこれを用いた半導体
ウエハの研磨方法を提供することを目的とする。
鑑み、半導体ウエハの研磨工程において、半導体ウエハ
の研磨される面とは反対側の面に強固に接着して半導体
ウエハを保護し、研磨終了後には容易に剥離することの
できるバックグラインドテープ及びこれを用いた半導体
ウエハの研磨方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体ウエハ
の研磨工程において、研磨される面とは反対側の面を保
護するバックグラインドテープであって、基材の片面に
粘着剤層が形成されてなるものであり、前記粘着剤層
は、刺激を与えることにより気体を発生するアジド化合
物を含有するバックグラインドテープである。以下に本
発明を詳述する。
の研磨工程において、研磨される面とは反対側の面を保
護するバックグラインドテープであって、基材の片面に
粘着剤層が形成されてなるものであり、前記粘着剤層
は、刺激を与えることにより気体を発生するアジド化合
物を含有するバックグラインドテープである。以下に本
発明を詳述する。
【０００７】本発明のバックグラインドテープは、基材
の片面に粘着剤層が形成されてなるものである。上記基
材としては特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）等の樹脂からなるものが挙げられ
る。上記基材が紫外線を透過する物質からなる場合に
は、基材側から紫外線を照射することにより、半導体ウ
エハと基材とを剥離することができるので好ましい。
の片面に粘着剤層が形成されてなるものである。上記基
材としては特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）等の樹脂からなるものが挙げられ
る。上記基材が紫外線を透過する物質からなる場合に
は、基材側から紫外線を照射することにより、半導体ウ
エハと基材とを剥離することができるので好ましい。
【０００８】上記粘着剤層を形成する粘着剤としては特
に限定されないが、重合性オリゴマーを含有し、これが
重合架橋することにより粘着力が低下する粘着剤からな
ることが好ましい。かかる粘着剤としては、例えば、分
子内に放射線重合性の不飽和結合を有してなるアクリル
酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキル
エステル系の重合性ポリマーと、放射線重合性の多官能
オリゴマー又はモノマーとを主成分として含んでなる光
硬化型粘着剤等が挙げられる。
に限定されないが、重合性オリゴマーを含有し、これが
重合架橋することにより粘着力が低下する粘着剤からな
ることが好ましい。かかる粘着剤としては、例えば、分
子内に放射線重合性の不飽和結合を有してなるアクリル
酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキル
エステル系の重合性ポリマーと、放射線重合性の多官能
オリゴマー又はモノマーとを主成分として含んでなる光
硬化型粘着剤等が挙げられる。
【０００９】上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に
官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官
能基含有（メタ）アクリル系ポリマーともいう）をあら
かじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基
と放射線重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、
官能基含有不飽和化合物ともいう）と反応させることに
より得ることができる。なお、本明細書において（メ
タ）アクリル系ポリマーとは、アクリル系ポリマー及び
メタクリル系ポリマーを意味するものとする。
官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官
能基含有（メタ）アクリル系ポリマーともいう）をあら
かじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基
と放射線重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、
官能基含有不飽和化合物ともいう）と反応させることに
より得ることができる。なお、本明細書において（メ
タ）アクリル系ポリマーとは、アクリル系ポリマー及び
メタクリル系ポリマーを意味するものとする。
【００１０】上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の
（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル
基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アル
キルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステル
を主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に
必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマー
とを常法により共重合させることにより得られるもので
ある。
ーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の
（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル
基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アル
キルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステル
を主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に
必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマー
とを常法により共重合させることにより得られるもので
ある。
【００１１】上記官能基含有モノマーとしては、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有
モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸
ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；ア
クリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポ
キシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチ
ル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネ
ート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタク
リル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げ
られる。
ば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有
モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸
ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；ア
クリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポ
キシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチ
ル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネ
ート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタク
リル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げ
られる。
【００１２】上記共重合可能な他の改質用モノマーとし
ては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレ
ン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられて
いる各種のモノマーが挙げられる。
ては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレ
ン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられて
いる各種のモノマーが挙げられる。
【００１３】上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーの重量平均分子量は通常２０〜２００万程度である。
ーの重量平均分子量は通常２０〜２００万程度である。
【００１４】上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記
官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じ
て上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用でき
る。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モ
ノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同
官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有
モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカ
ルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド
基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合
はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
ーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記
官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じ
て上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用でき
る。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマ
ーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モ
ノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同
官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有
モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカ
ルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド
基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合
はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００１５】上記多官能オリゴマー又はモノマーとして
は、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ま
しくは光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よ
くなされるように、その分子量が５，０００以下でかつ
分子内の放射線重合性の不飽和結合の数が２〜６個のも
のである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又
はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリ
スリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメ
タクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチ
レングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様
のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オ
リゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２
種以上が併用されてもよい。
は、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ま
しくは光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よ
くなされるように、その分子量が５，０００以下でかつ
分子内の放射線重合性の不飽和結合の数が２〜６個のも
のである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又
はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリ
スリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペン
タエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメ
タクリレート類等が挙げられる。その他、１，４−ブチ
レングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオ
ールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様
のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オ
リゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２
種以上が併用されてもよい。
【００１６】上記光硬化型粘着剤は、上記重合性ポリマ
ー及び多官能オリゴマー又はモノマーを必須成分とする
ほか、その重合硬化に紫外線等の活性光線を用いるとき
は、通常光重合開始剤を配合するのが好ましい。
ー及び多官能オリゴマー又はモノマーを必須成分とする
ほか、その重合硬化に紫外線等の活性光線を用いるとき
は、通常光重合開始剤を配合するのが好ましい。
【００１７】上記光重合開始剤としては、例えば、２５
０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化
されるものが挙げられ、このような光重合開始剤として
は、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノ
ン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾ
インイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合
物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチ
ルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオ
キシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニ
ル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラ
ーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサン
トン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサント
ン、α―ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２
−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重
合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独
で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化
されるものが挙げられ、このような光重合開始剤として
は、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノ
ン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾ
インイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合
物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチ
ルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオ
キシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニ
ル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラ
ーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサン
トン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサント
ン、α―ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２
−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重
合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独
で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００１８】上記光硬化型粘着剤には、以上の成分のほ
か、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望に
よりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ
化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化
合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面
活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加
えることもできる。
か、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望に
よりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ
化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化
合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面
活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加
えることもできる。
【００１９】上記光硬化型粘着剤は、光の照射により光
発泡性粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋し
て一体化するため、重合硬化による弾性率の増加が著し
くなり、粘着力が大きく低下する。
発泡性粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋し
て一体化するため、重合硬化による弾性率の増加が著し
くなり、粘着力が大きく低下する。
【００２０】上記粘着剤層は、刺激を与えることにより
気体を発生するアジド化合物を含有する。上記アジド化
合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチル
オキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
ベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタ
ンを開環重合することにより得られるグリシジルアジド
ポリマーなどのアジド基を有するポリマー等が挙げられ
る。上記アジド化合物は、光、熱、超音波及び衝撃によ
る刺激を与えることにより分解して、窒素と活性ラジカ
ル種に分裂し、窒素ガスを発生する。
気体を発生するアジド化合物を含有する。上記アジド化
合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチル
オキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチル
ベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタ
ンを開環重合することにより得られるグリシジルアジド
ポリマーなどのアジド基を有するポリマー等が挙げられ
る。上記アジド化合物は、光、熱、超音波及び衝撃によ
る刺激を与えることにより分解して、窒素と活性ラジカ
ル種に分裂し、窒素ガスを発生する。
【００２１】上記アジド化合物から発生した窒素ガスは
粘着剤層外へ放出される。これにより、本発明のバック
グラインドテープに光、熱、超音波又は衝撃等の刺激を
与えるとアジド化合物から発生した窒素ガスが接着面の
一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に半導体ウ
エハからバックグラインドテープを剥離することができ
る。この際、アジド化合物から発生した窒素ガスはすべ
て粘着剤層外へ放出され接着性物質中に存在しないこと
が好ましい。ただしこの場合であっても、粘着剤が発泡
して粘着剤の凝集力が著しく低下しない限りは、発生し
た窒素ガスの一部が気泡として粘着剤層中に存在してい
てもかまわない。
粘着剤層外へ放出される。これにより、本発明のバック
グラインドテープに光、熱、超音波又は衝撃等の刺激を
与えるとアジド化合物から発生した窒素ガスが接着面の
一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に半導体ウ
エハからバックグラインドテープを剥離することができ
る。この際、アジド化合物から発生した窒素ガスはすべ
て粘着剤層外へ放出され接着性物質中に存在しないこと
が好ましい。ただしこの場合であっても、粘着剤が発泡
して粘着剤の凝集力が著しく低下しない限りは、発生し
た窒素ガスの一部が気泡として粘着剤層中に存在してい
てもかまわない。
【００２２】上記アジド化合物の分解により生成した活
性ラジカル種は、重合性オリゴマーに作用して重合架橋
を促進する。したがって、例えば、上記接着性物質が上
記光硬化型粘着剤からなる場合にあっては、光による刺
激を与えなくとも、上記アジド化合物の分解により生成
した活性ラジカル種により重合架橋が起こり、粘着力が
低下する。
性ラジカル種は、重合性オリゴマーに作用して重合架橋
を促進する。したがって、例えば、上記接着性物質が上
記光硬化型粘着剤からなる場合にあっては、光による刺
激を与えなくとも、上記アジド化合物の分解により生成
した活性ラジカル種により重合架橋が起こり、粘着力が
低下する。
【００２３】上記アジド化合物は粘着剤層中に分散され
てあってもよいが、半導体ウエハと接する面に存在する
ことが好ましい。より好ましくは半導体ウエハと接する
面におけるアジド化合物の濃度が、基材と接する面にお
けるアジド化合物の濃度よりも高いことであり、更に好
ましくはアジド化合物が半導体ウエハと接する面に存在
し、基材と接する面には存在しないことである。これに
より、剥離は粘着剤層と半導体ウエハとの接着面でのみ
起こることから、半導体ウエハに糊残りを生ずることが
ない。
てあってもよいが、半導体ウエハと接する面に存在する
ことが好ましい。より好ましくは半導体ウエハと接する
面におけるアジド化合物の濃度が、基材と接する面にお
けるアジド化合物の濃度よりも高いことであり、更に好
ましくはアジド化合物が半導体ウエハと接する面に存在
し、基材と接する面には存在しないことである。これに
より、剥離は粘着剤層と半導体ウエハとの接着面でのみ
起こることから、半導体ウエハに糊残りを生ずることが
ない。
【００２４】かかる構成のバックグラインドテープを作
製するためには、上記粘着剤層は、少なくとも２層以上
の層からなる多層構造を有するものであって、アジド化
合物は、前記粘着剤層を構成する複数層のうち半導体ウ
エハと接する層には含有され、基材と接する層には含有
されないことが好ましい。
製するためには、上記粘着剤層は、少なくとも２層以上
の層からなる多層構造を有するものであって、アジド化
合物は、前記粘着剤層を構成する複数層のうち半導体ウ
エハと接する層には含有され、基材と接する層には含有
されないことが好ましい。
【００２５】本発明のバックグラインドテープを製造す
る方法としては特に限定されず、例えば、基材上に上記
アジド化合物を含有しない接着性物質からなる層を形成
し、その上に上記アジド化合物を含有する接着性物質か
らなる層を形成させることにより作製することができ
る。
る方法としては特に限定されず、例えば、基材上に上記
アジド化合物を含有しない接着性物質からなる層を形成
し、その上に上記アジド化合物を含有する接着性物質か
らなる層を形成させることにより作製することができ
る。
【００２６】本発明のバックグラインドテープを用いて
半導体ウエハを研磨する方法としては、例えば、以下の
工程による。まず、本発明のバックグラインドテープを
半導体ウエハに貼りつける。貼り付ける面は、研磨する
面とは反対側の、あらかじめ回路パターンが形成された
面である。バックグラインドテープを貼り付けることに
より、研磨中に回路パターンが損傷を受けたり、半導体
ウエハ自体が破損したりするのを防止することができ
る。
半導体ウエハを研磨する方法としては、例えば、以下の
工程による。まず、本発明のバックグラインドテープを
半導体ウエハに貼りつける。貼り付ける面は、研磨する
面とは反対側の、あらかじめ回路パターンが形成された
面である。バックグラインドテープを貼り付けることに
より、研磨中に回路パターンが損傷を受けたり、半導体
ウエハ自体が破損したりするのを防止することができ
る。
【００２７】続いて、バックグラインドテープを貼り付
けた半導体ウエハを研削装置に固定して半導体ウエハを
研磨する。研磨は通常、半導体ウエハが１００〜６００
μｍ程度の厚さになるまで行うが、近年では５０μｍ以
下の厚さにまで研磨することもある。
けた半導体ウエハを研削装置に固定して半導体ウエハを
研磨する。研磨は通常、半導体ウエハが１００〜６００
μｍ程度の厚さになるまで行うが、近年では５０μｍ以
下の厚さにまで研磨することもある。
【００２８】研磨が終了すると、バックグラインドテー
プの粘着剤層に刺激を与えて接着力を低下させる。刺激
としては、光、熱、超音波又は衝撃が挙げられるが、基
材として透明なものを用いている場合には、基材側から
光を照射することにより刺激を与えることができる。刺
激を与えることにより、粘着剤層に含有されているアジ
ド化合物が分解して窒素ガスが発生し、上記アジド化合
物から発生した窒素ガスが接着面の一部を剥がすことに
より、接着力が低下する。
プの粘着剤層に刺激を与えて接着力を低下させる。刺激
としては、光、熱、超音波又は衝撃が挙げられるが、基
材として透明なものを用いている場合には、基材側から
光を照射することにより刺激を与えることができる。刺
激を与えることにより、粘着剤層に含有されているアジ
ド化合物が分解して窒素ガスが発生し、上記アジド化合
物から発生した窒素ガスが接着面の一部を剥がすことに
より、接着力が低下する。
【００２９】最後に、半導体ウエハからバックグライン
ドテープを剥離する。上記刺激を与えることにより、粘
着剤層の接着力が低下しているため、容易に半導体ウエ
ハからバックグラインドテープを剥離することができ
る。かかる、半導体ウエハの研磨方法もまた、本発明の
１つである。
ドテープを剥離する。上記刺激を与えることにより、粘
着剤層の接着力が低下しているため、容易に半導体ウエ
ハからバックグラインドテープを剥離することができ
る。かかる、半導体ウエハの研磨方法もまた、本発明の
１つである。
【００３０】
【実施例】以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるもの
ではない。
【００３１】＜接着性物質の調製＞下記の化合物を酢酸
エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量
平均分子量７０万のアクリル共重合体を得た。得られた
アクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１
００重量部に対して、メタクリル酸２−イソシアネート
エチル３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の
酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート２０重量部、ベン
ゾフェノン０．５重量部、ポリイソシアネート０．３重
量部を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製し
た。 ブチルアクリレート ７９重量部 エチルアクリレート １５重量部 アクリル酸 １重量部 ２ーヒドロキシエチルアクリレート ５重量部 光重合開始剤 ０．２重量部 （イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液） ラウリルメルカプタン ０．０１重量部
エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量
平均分子量７０万のアクリル共重合体を得た。得られた
アクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１
００重量部に対して、メタクリル酸２−イソシアネート
エチル３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の
酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、ペ
ンタエリスリトールトリアクリレート２０重量部、ベン
ゾフェノン０．５重量部、ポリイソシアネート０．３重
量部を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製し
た。 ブチルアクリレート ７９重量部 エチルアクリレート １５重量部 アクリル酸 １重量部 ２ーヒドロキシエチルアクリレート ５重量部 光重合開始剤 ０．２重量部 （イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液） ラウリルメルカプタン ０．０１重量部
【００３２】粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形
分１００重量部に対して、３−アジドメチル−３−メチ
ルオキセタン１００重量部を混合して、アジド化合物を
含有する粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を調製した。
分１００重量部に対して、３−アジドメチル−３−メチ
ルオキセタン１００重量部を混合して、アジド化合物を
含有する粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を調製した。
【００３３】＜バックグラインドテープの作製＞粘着剤
（１）の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した
厚さ３８μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）フィルムのコロナ処理を施した面上に乾燥皮膜の
厚さが約１０μｍとなるようにドクターナイフで塗工
し、溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘
着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。
（１）の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した
厚さ３８μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）フィルムのコロナ処理を施した面上に乾燥皮膜の
厚さが約１０μｍとなるようにドクターナイフで塗工
し、溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘
着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。
【００３４】一方、粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、
表面に離型処理が施された厚さ３８μｍＰＥＴフィルム
に、バーコーターを用いての乾燥後の厚さが５μｍとな
るように塗工し、溶剤を揮発させ粘着剤層を乾燥させ
た。
表面に離型処理が施された厚さ３８μｍＰＥＴフィルム
に、バーコーターを用いての乾燥後の厚さが５μｍとな
るように塗工し、溶剤を揮発させ粘着剤層を乾燥させ
た。
【００３５】片面にコロナ処理を施したＰＥＴフィルム
上に形成された粘着剤（１）層と、離型処理が施された
ＰＥＴフィルム上に形成された粘着剤（２）層とを貼り
合わせた後、３日間４０℃で養生して、バックグライン
ドテープを得た。
上に形成された粘着剤（１）層と、離型処理が施された
ＰＥＴフィルム上に形成された粘着剤（２）層とを貼り
合わせた後、３日間４０℃で養生して、バックグライン
ドテープを得た。
【００３６】＜半導体ウエハの研磨＞バックグラインド
テープの粘着剤（２）層を保護するＰＥＴフィルムを剥
がし、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍのシリコンウエ
ハに貼り付けた。次に、バックグラインドテープに貼り
付けられたシリコンウエハを研磨装置に取り付け、シリ
コンウエハの厚さが約２００μｍになるまで研磨した。
ＰＥＴフィルム側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎ
ｍの紫外線をＰＥＴフィルム表面への照射強度が４０ｍ
Ｗ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２分間照射した。
照射後、バックグラインドテープをシリコンウエハから
剥がした。バックグラインドテープは、研磨工程中に剥
がれることなく、紫外線照射後には容易に剥離すること
ができた。
テープの粘着剤（２）層を保護するＰＥＴフィルムを剥
がし、直径２０ｃｍ、厚さ約７５０μｍのシリコンウエ
ハに貼り付けた。次に、バックグラインドテープに貼り
付けられたシリコンウエハを研磨装置に取り付け、シリ
コンウエハの厚さが約２００μｍになるまで研磨した。
ＰＥＴフィルム側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎ
ｍの紫外線をＰＥＴフィルム表面への照射強度が４０ｍ
Ｗ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２分間照射した。
照射後、バックグラインドテープをシリコンウエハから
剥がした。バックグラインドテープは、研磨工程中に剥
がれることなく、紫外線照射後には容易に剥離すること
ができた。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、半導体ウエハの研磨工
程において、半導体ウエハの研磨される面とは反対側の
面に強固に接着して半導体ウエハを保護し、研磨終了後
には容易に剥離することのできるバックグラインドテー
プ及びこれを用いた半導体ウエハの研磨方法を提供する
ことができる。
程において、半導体ウエハの研磨される面とは反対側の
面に強固に接着して半導体ウエハを保護し、研磨終了後
には容易に剥離することのできるバックグラインドテー
プ及びこれを用いた半導体ウエハの研磨方法を提供する
ことができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ０９Ｊ 11/06 Ｃ０９Ｊ 11/06
Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ
(72)発明者 大山 康彦
大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学
工業株式会社内
(72)発明者 檀上 滋
大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学
工業株式会社内
(72)発明者 林 聡史
大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学
工業株式会社内
(72)発明者 下村 和弘
大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学
工業株式会社内
(72)発明者 長谷川 剛
大阪府三島郡島本町百山２−１ 積水化学
工業株式会社内
Ｆターム(参考） 3C058 AA01 AB04 CA01 CB03
4J004 AA10 AB07 AC03 CA06 FA04
4J040 DF041 DF051 HC18 JB08
KA37 PA39
5F031 CA02 DA15 MA22
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体ウエハの研磨工程において、研磨
される面とは反対側の面を保護するバックグラインドテ
ープであって、基材の片面に粘着剤層が形成されてなる
ものであり、前記粘着剤層は、刺激を与えることにより
気体を発生するアジド化合物を含有することを特徴とす
るバックグラインドテープ。 - 【請求項２】 アジド化合物は、粘着剤層の半導体ウエ
ハと接する面に存在することを特徴とする請求項１記載
のバックグラインドテープ。 - 【請求項３】 粘着剤層の半導体ウエハと接する面にお
けるアジド化合物の濃度が、粘着剤層の基材と接する面
におけるアジド化合物の濃度よりも高いことを特徴とす
る請求項１又は２記載のバックグラインドテープ。 - 【請求項４】 アジド化合物は、粘着剤層の半導体ウエ
ハと接する面に存在し、粘着剤層の基材と接する面には
存在しないことを特徴とする請求項１、２又は３記載の
バックグラインドテープ。 - 【請求項５】 粘着剤層は、少なくとも２層以上の層か
らなる多層構造を有するものであって、アジド化合物
は、前記粘着剤層を構成する複数層のうち半導体ウエハ
と接する層には含有され、基材と接する層には含有され
ないことを特徴とする請求項１記載のバックグラインド
テープ。 - 【請求項６】 少なくとも、基材の片面に接着性物質か
らなる粘着剤層が形成され、前記粘着剤層は、刺激を与
えることにより気体を発生するアジド化合物を含有する
ものであるバックグラインドテープを半導体ウエハに貼
り付ける工程と、前記バックグラインドテープを貼り付
けた半導体ウエハを研削装置に固定して半導体ウエハを
研磨する工程と、研磨終了後、前記半導体ウエハに貼り
付けられている前記バックグラインドテープの粘着剤層
に刺激を与えて接着力を低下させる工程と、前記半導体
ウエハから前記バックグラインドテープを剥離する工程
とを有することを特徴とする半導体ウエハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001350862A JP2003151940A (ja) | 2001-11-15 | 2001-11-15 | バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001350862A JP2003151940A (ja) | 2001-11-15 | 2001-11-15 | バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003151940A true JP2003151940A (ja) | 2003-05-23 |
Family
ID=19163269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001350862A Withdrawn JP2003151940A (ja) | 2001-11-15 | 2001-11-15 | バックグラインドテープ及び半導体ウエハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003151940A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6939741B2 (en) * | 2002-01-15 | 2005-09-06 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | IC chip manufacturing method |
| JP2005290091A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハ固定用粘着テープ |
| JP2005298600A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Sekisui Chem Co Ltd | 粘着シート |
| JP2012253373A (ja) * | 2012-08-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| WO2013088686A1 (ja) | 2011-12-14 | 2013-06-20 | 三井化学株式会社 | 接着性樹脂組成物、積層体および自己剥離方法 |
| WO2014192631A1 (ja) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 三井化学東セロ株式会社 | 電子部材の剥離方法および積層体 |
| JP2016092333A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 積水化学工業株式会社 | 研削体の製造方法、及び、被研削体を含む積層体 |
-
2001
- 2001-11-15 JP JP2001350862A patent/JP2003151940A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6939741B2 (en) * | 2002-01-15 | 2005-09-06 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | IC chip manufacturing method |
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| WO2013088686A1 (ja) | 2011-12-14 | 2013-06-20 | 三井化学株式会社 | 接着性樹脂組成物、積層体および自己剥離方法 |
| KR20140101843A (ko) | 2011-12-14 | 2014-08-20 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 접착성 수지 조성물, 적층체 및 자기 박리 방법 |
| US9611410B2 (en) | 2011-12-14 | 2017-04-04 | Mitsui Chemicals Tohcello, Inc. | Adhesive resin composition, laminate, and self-stripping method |
| JP2012253373A (ja) * | 2012-08-01 | 2012-12-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| WO2014192631A1 (ja) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 三井化学東セロ株式会社 | 電子部材の剥離方法および積層体 |
| KR20150140801A (ko) | 2013-05-31 | 2015-12-16 | 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 | 전자 부재의 박리 방법 및 적층체 |
| JP2016092333A (ja) * | 2014-11-10 | 2016-05-23 | 積水化学工業株式会社 | 研削体の製造方法、及び、被研削体を含む積層体 |
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