JP2003039731A - 光書き込みヘッドおよび光書き込みヘッドに用いられるヒートシンクの加工方法 - Google Patents
光書き込みヘッドおよび光書き込みヘッドに用いられるヒートシンクの加工方法Info
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- JP2003039731A JP2003039731A JP2001234453A JP2001234453A JP2003039731A JP 2003039731 A JP2003039731 A JP 2003039731A JP 2001234453 A JP2001234453 A JP 2001234453A JP 2001234453 A JP2001234453 A JP 2001234453A JP 2003039731 A JP2003039731 A JP 2003039731A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子アレイチップを実装した基板の下地
にヒートシンクを備える光書き込みヘッドにおいて、前
記基板とヒートシンクとの接着層界面にストレスを与え
ず、高い平面性を保持するとともに、発光素子の熱エネ
ルギーを効率的に基ヒートシンクに伝導し、さらに接着
剤のはみ出しによるチップ実装面の汚染を防止する。 【解決手段】 ヒートシンク3には、基板取り付け面に
複数本の凸状のリブ7が設けられ、リブ7上にチップ実
装基板5が接着剤8により固定される。複数本のリブ7
のうちの1本は、チップ実装基板5の発光素子アレイチ
ップ実装位置裏面側に設けられ、複数本のリブ7のうち
最も外側のリブは、リブの外側に接着剤の余剰部を滞留
させる接着剤溜まりを形成するように設けられる。接着
剤8は、低弾性樹脂の高熱伝導性接着剤が用いられ、リ
ブ7の内側に塗布される。
にヒートシンクを備える光書き込みヘッドにおいて、前
記基板とヒートシンクとの接着層界面にストレスを与え
ず、高い平面性を保持するとともに、発光素子の熱エネ
ルギーを効率的に基ヒートシンクに伝導し、さらに接着
剤のはみ出しによるチップ実装面の汚染を防止する。 【解決手段】 ヒートシンク3には、基板取り付け面に
複数本の凸状のリブ7が設けられ、リブ7上にチップ実
装基板5が接着剤8により固定される。複数本のリブ7
のうちの1本は、チップ実装基板5の発光素子アレイチ
ップ実装位置裏面側に設けられ、複数本のリブ7のうち
最も外側のリブは、リブの外側に接着剤の余剰部を滞留
させる接着剤溜まりを形成するように設けられる。接着
剤8は、低弾性樹脂の高熱伝導性接着剤が用いられ、リ
ブ7の内側に塗布される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真プリンタ
に搭載されて、発光素子アレイからの出射光をレンズア
レイにより集光して感光体に投影する光書き込みヘッド
に関する。
に搭載されて、発光素子アレイからの出射光をレンズア
レイにより集光して感光体に投影する光書き込みヘッド
に関する。
【0002】
【従来の技術】電子写真プリンタに搭載されている従来
の光書き込みヘッドの一例を図1に示す。図1は、従来
の光書き込みヘッドの断面図である。
の光書き込みヘッドの一例を図1に示す。図1は、従来
の光書き込みヘッドの断面図である。
【0003】セラミック基板33には、発光素子アレイ
チップ36が実装され、アルミニウム基板台35には、
ドライバー基板34およびセラミック基板33が載置さ
れ、セラミック基板33とドライバー基板34とはFP
C(Flexible Printed Circui
t:フレキシブル基板)37により電気的に接続されて
いる。レンズ支持部材32には、正立等倍レンズアレイ
31が載置され、正立等倍レンズアレイ31の光軸上に
は、図示しない感光ドラムが設けられる。正立等倍レン
ズアレイ31は、発光素子アレイの光を集光し、感光ド
ラムを照射して感光ドラムの表面に潜像を形成する。
チップ36が実装され、アルミニウム基板台35には、
ドライバー基板34およびセラミック基板33が載置さ
れ、セラミック基板33とドライバー基板34とはFP
C(Flexible Printed Circui
t:フレキシブル基板)37により電気的に接続されて
いる。レンズ支持部材32には、正立等倍レンズアレイ
31が載置され、正立等倍レンズアレイ31の光軸上に
は、図示しない感光ドラムが設けられる。正立等倍レン
ズアレイ31は、発光素子アレイの光を集光し、感光ド
ラムを照射して感光ドラムの表面に潜像を形成する。
【0004】この従来の光書き込みヘッドでは、発光素
子アレイチップ36を実装したセラミック基板33を載
置するアルミニウム基板台35と、正立等倍レンズアレ
イ31を載置するレンズ支持部材32を別体化し、精密
な光軸調整を可能としている。
子アレイチップ36を実装したセラミック基板33を載
置するアルミニウム基板台35と、正立等倍レンズアレ
イ31を載置するレンズ支持部材32を別体化し、精密
な光軸調整を可能としている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光書き込みヘッドでは、セラミック基板とアルミニウム
基板台の線膨張係数が異なるため、アルミニウム基板台
にセラミック基板を載置する製造プロセスにおいて、セ
ラミック基板とアルミニウム基板台間に応力歪みが発生
してしまい、セラミック基板の反りの発生を招いたり、
セラミック基板とアルミニウム基板台の接着界面を剥離
させてしまうという問題がある。
光書き込みヘッドでは、セラミック基板とアルミニウム
基板台の線膨張係数が異なるため、アルミニウム基板台
にセラミック基板を載置する製造プロセスにおいて、セ
ラミック基板とアルミニウム基板台間に応力歪みが発生
してしまい、セラミック基板の反りの発生を招いたり、
セラミック基板とアルミニウム基板台の接着界面を剥離
させてしまうという問題がある。
【0006】次に、アルミニウム基板台にセラミック基
板を載置する製造プロセスを説明する。 1.セラミック基板とアルミニウム基板台とを接着剤に
より固定する。 2.FPCをセラミック基板に接着固定する。 3.セラミック基板に発光素子アレイチップを実装す
る。 4.発光素子アレイチップをセラミック基板に接着固定
する接着剤を硬化させるために150℃前後のキュアを
行う。 5.発光素子アレイチップとFPC間の電気的接続を図
るため、ワイヤーボンドを行う。
板を載置する製造プロセスを説明する。 1.セラミック基板とアルミニウム基板台とを接着剤に
より固定する。 2.FPCをセラミック基板に接着固定する。 3.セラミック基板に発光素子アレイチップを実装す
る。 4.発光素子アレイチップをセラミック基板に接着固定
する接着剤を硬化させるために150℃前後のキュアを
行う。 5.発光素子アレイチップとFPC間の電気的接続を図
るため、ワイヤーボンドを行う。
【0007】以上のプロセスとなるが、セラミック基板
とアルミニウム基板台を接着後のキュア工程において
は、アルミニウム線膨張係数を22×10-6/℃とし、
セラミック線膨張係数を7×10-6/℃とし、キュア温
度を150℃、室温を25℃として温度差Δtを125
℃(150℃−25℃=125℃)とし、基板の長さを
360mm(A3サイズ)とすると、両者間の歪み長さ
は、0.675(15×10-6×125×360=0.
675)mmにもなり、接着層界面に過大なストレスを
与え、接着面剥離を発生させたり、セラミック基板とア
ルミニウム基板台の歪み差に起因してバイメタル現象に
よる、セラミック基板の発光素子アレイチップ実装面の
平面性を悪化させてしまう。
とアルミニウム基板台を接着後のキュア工程において
は、アルミニウム線膨張係数を22×10-6/℃とし、
セラミック線膨張係数を7×10-6/℃とし、キュア温
度を150℃、室温を25℃として温度差Δtを125
℃(150℃−25℃=125℃)とし、基板の長さを
360mm(A3サイズ)とすると、両者間の歪み長さ
は、0.675(15×10-6×125×360=0.
675)mmにもなり、接着層界面に過大なストレスを
与え、接着面剥離を発生させたり、セラミック基板とア
ルミニウム基板台の歪み差に起因してバイメタル現象に
よる、セラミック基板の発光素子アレイチップ実装面の
平面性を悪化させてしまう。
【0008】このような問題に対して、例えば、接着層
の厚みを大きくとり、さらに、硬化後の硬度が低い接着
剤を採用して、両者間の歪みを、接着剤の弾性変形によ
り吸収するという手段も考えられるが、接着層の厚みを
拡大させると、セラミック基板の発光素子アレイチップ
実装面の平面性が得られないという問題がある。
の厚みを大きくとり、さらに、硬化後の硬度が低い接着
剤を採用して、両者間の歪みを、接着剤の弾性変形によ
り吸収するという手段も考えられるが、接着層の厚みを
拡大させると、セラミック基板の発光素子アレイチップ
実装面の平面性が得られないという問題がある。
【0009】また、発光素子アレイチップとFPC間の
金線によるワイヤーボンディングの際の超音波が、接着
層に吸収されて、金線の溶着不良を発生させる。
金線によるワイヤーボンディングの際の超音波が、接着
層に吸収されて、金線の溶着不良を発生させる。
【0010】さらに、セラミック基板とアルミニウム基
板台との間の接着剤塗布量は、少ないと、両者間に空隙
層を作ってしまい、接着強度の低下や、空隙層が介在す
ることにより発光素子の熱エネルギーを基板台に伝達す
る機能を阻害してしまう。多いと、セラミック基板と基
板台間の接着剤のはみ出しにより、セラミック基板のF
PC貼り付け面およびチップ実装面を汚染してしまう。
板台との間の接着剤塗布量は、少ないと、両者間に空隙
層を作ってしまい、接着強度の低下や、空隙層が介在す
ることにより発光素子の熱エネルギーを基板台に伝達す
る機能を阻害してしまう。多いと、セラミック基板と基
板台間の接着剤のはみ出しにより、セラミック基板のF
PC貼り付け面およびチップ実装面を汚染してしまう。
【0011】また、高解像度の光書き込みヘッドに用い
られる光学レンズの焦点距離は、非常に短いために、発
光素子アレイチップと正立等倍レンズアレイ間の距離を
厳しく管理しなければならない。所定の焦点距離から外
れた状態で光学部品を配置した場合は、感光ドラム上の
潜像形状が不安定となったり、虚像が発生してしまい、
印字画像の品位を低下させてしまう問題点がある。
られる光学レンズの焦点距離は、非常に短いために、発
光素子アレイチップと正立等倍レンズアレイ間の距離を
厳しく管理しなければならない。所定の焦点距離から外
れた状態で光学部品を配置した場合は、感光ドラム上の
潜像形状が不安定となったり、虚像が発生してしまい、
印字画像の品位を低下させてしまう問題点がある。
【0012】高画質の印字品位を得るためには、各々の
光学部品の配置精度を高める必要があるが、これは光学
部品を保持する材料に高精度化を要求することとなり、
自ずと部品コストの増大を招く。例えば、発光素子アレ
イチップを実装するチップ実装基板には、ガラスエポキ
シ基板などが用いられるのが一般的であるが、ガラスエ
ポキシ基板は、自己形状保持性が低いため、各々の発光
素子間のチップ高さを高精度でコントロールすることは
難しい。
光学部品の配置精度を高める必要があるが、これは光学
部品を保持する材料に高精度化を要求することとなり、
自ずと部品コストの増大を招く。例えば、発光素子アレ
イチップを実装するチップ実装基板には、ガラスエポキ
シ基板などが用いられるのが一般的であるが、ガラスエ
ポキシ基板は、自己形状保持性が低いため、各々の発光
素子間のチップ高さを高精度でコントロールすることは
難しい。
【0013】実際は、チップ実装基板とチップ実装基板
を載置するヒートシンク(基板台)との接合面を基準と
して面精度を保証し、または正立等倍レンズとチップ実
装基板をレンズホルダにより支持する光書き込みヘッド
においては、チップ実装基板とレンズホルダとの接合面
を基準として面精度を保証するのが一般的である。しか
しながら、レンズホルダは、一般的には樹脂成型品であ
り、ヒートシンクは、アルミニウム押し出し材料を用い
ることが知られているが、両者共に、チップ実装基板と
の接合面に高い面精度を持たせることは困難である。
を載置するヒートシンク(基板台)との接合面を基準と
して面精度を保証し、または正立等倍レンズとチップ実
装基板をレンズホルダにより支持する光書き込みヘッド
においては、チップ実装基板とレンズホルダとの接合面
を基準として面精度を保証するのが一般的である。しか
しながら、レンズホルダは、一般的には樹脂成型品であ
り、ヒートシンクは、アルミニウム押し出し材料を用い
ることが知られているが、両者共に、チップ実装基板と
の接合面に高い面精度を持たせることは困難である。
【0014】ヒートシンクのチップ実装基板との接合面
を研磨加工する手段が考えられるが、研磨加工または切
削加工においては、ヒートシンクをマグネットやバイス
等で固定した後、加工することが一般的である。加工時
の切削表面発熱および切削応力により、切削面側と反切
削面側の応力バランスが崩れてしまい、ヒートシンクを
マグネット等の固定治具より取り外した時点で、ヒート
シンクに反りが発生してしまうため、ヒートシンクの表
裏を数回加工することにより、表裏の応力バランスを均
等にすることにより、平坦度の高い面を得ることができ
る。しかし、このような工程を必要とするヒートシンク
は非常に高価なものとなってしまう。
を研磨加工する手段が考えられるが、研磨加工または切
削加工においては、ヒートシンクをマグネットやバイス
等で固定した後、加工することが一般的である。加工時
の切削表面発熱および切削応力により、切削面側と反切
削面側の応力バランスが崩れてしまい、ヒートシンクを
マグネット等の固定治具より取り外した時点で、ヒート
シンクに反りが発生してしまうため、ヒートシンクの表
裏を数回加工することにより、表裏の応力バランスを均
等にすることにより、平坦度の高い面を得ることができ
る。しかし、このような工程を必要とするヒートシンク
は非常に高価なものとなってしまう。
【0015】本発明は、このような従来の問題点に着目
してなされたもので、その目的は、発光素子アレイチッ
プを実装する基板とヒートシンク(基板台)を接着によ
り固定するという形態を用いても、接着層界面にストレ
スを与えず、高い平面性を保持するとともに、発光素子
の熱エネルギーを効率的にヒートシンク(基板台)に伝
播でき、接着剤のはみ出しによる実装面の汚染を防止で
きる光書き込みヘッドを提供することにある。
してなされたもので、その目的は、発光素子アレイチッ
プを実装する基板とヒートシンク(基板台)を接着によ
り固定するという形態を用いても、接着層界面にストレ
スを与えず、高い平面性を保持するとともに、発光素子
の熱エネルギーを効率的にヒートシンク(基板台)に伝
播でき、接着剤のはみ出しによる実装面の汚染を防止で
きる光書き込みヘッドを提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光素子アレ
イチップの発光素子が発光する光の光軸上にレンズアレ
イを備え、さらに前記発光素子アレイチップを実装した
基板の下地にヒートシンクを備える光書き込みヘッドに
おいて、前記ヒートシンクには、前記基板の取り付け面
に、ヒートシンクの長手方向に複数本の凸状のリブが設
けられ、前記ヒートシンクのリブ上には、前記基板が固
定手段により固定されていることを特徴とする。
イチップの発光素子が発光する光の光軸上にレンズアレ
イを備え、さらに前記発光素子アレイチップを実装した
基板の下地にヒートシンクを備える光書き込みヘッドに
おいて、前記ヒートシンクには、前記基板の取り付け面
に、ヒートシンクの長手方向に複数本の凸状のリブが設
けられ、前記ヒートシンクのリブ上には、前記基板が固
定手段により固定されていることを特徴とする。
【0017】前記複数本のリブのうちの1本は、前記基
板の発光素子アレイチップ実装位置裏面側に設けられる
ことが好適であり、前記リブは、前記ヒートシンクの長
手方向の両端に渡って設けられることが好適である。
板の発光素子アレイチップ実装位置裏面側に設けられる
ことが好適であり、前記リブは、前記ヒートシンクの長
手方向の両端に渡って設けられることが好適である。
【0018】また、前記固定手段は、接着剤であること
が好適であり、前記複数本のリブのうち前記ヒートシン
クの長手方向に直交する方向の最も外側のリブは、リブ
の外側に前記接着剤の余剰部を滞留させる接着剤溜まり
を形成するように設けられることが好適である。
が好適であり、前記複数本のリブのうち前記ヒートシン
クの長手方向に直交する方向の最も外側のリブは、リブ
の外側に前記接着剤の余剰部を滞留させる接着剤溜まり
を形成するように設けられることが好適である。
【0019】また、前記接着剤は、低弾性樹脂の高熱伝
導性接着剤であることが好適であり、前記接着剤は、前
記リブ間に塗布されることが好適である。
導性接着剤であることが好適であり、前記接着剤は、前
記リブ間に塗布されることが好適である。
【0020】また、前記ヒートシンクおよび基板は、前
記複数本のリブのうちの1本が、前記基板の発光素子ア
レイチップ実装位置裏面側に設けられるように位置決め
手段を備えることが好適である。
記複数本のリブのうちの1本が、前記基板の発光素子ア
レイチップ実装位置裏面側に設けられるように位置決め
手段を備えることが好適である。
【0021】また、前記ヒートシンクは、側面に開口部
が設けられ、または内部に中空部が設けられていること
が好適であり、前記ヒートシンクは、ヒートシンクの長
手方向に渡って断面がコ字状の開口部が設けられ、また
はヒートシンクの長手方向に渡って断面が矩形状または
円形状の中空部が設けられていることが好適である。
が設けられ、または内部に中空部が設けられていること
が好適であり、前記ヒートシンクは、ヒートシンクの長
手方向に渡って断面がコ字状の開口部が設けられ、また
はヒートシンクの長手方向に渡って断面が矩形状または
円形状の中空部が設けられていることが好適である。
【0022】また、前記レンズアレイは、ロッドレンズ
アレイまたは樹脂正立等倍レンズアレイであることが好
適である。
アレイまたは樹脂正立等倍レンズアレイであることが好
適である。
【0023】また、前記発光素子アレイチップは、自己
走査型発光素子アレイチップであることが好適である。
走査型発光素子アレイチップであることが好適である。
【0024】また、本発明は、光書き込みヘッドに用い
られるヒートシンクの加工方法において、前記ヒートシ
ンクを、片面ラッピング装置の加工面に前記リブを有す
る面が接するようにセットして、前記リブの先端部分を
ラッピング加工することを特徴とする。
られるヒートシンクの加工方法において、前記ヒートシ
ンクを、片面ラッピング装置の加工面に前記リブを有す
る面が接するようにセットして、前記リブの先端部分を
ラッピング加工することを特徴とする。
【0025】また、前記リブの先端部分を、前記ヒート
シンクのほぼ自重により前記片面ラッピング装置の加工
面に接するようにしてラッピング加工することが好適で
ある。
シンクのほぼ自重により前記片面ラッピング装置の加工
面に接するようにしてラッピング加工することが好適で
ある。
【0026】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0027】図2は、本発明の光書き込みヘッドの実施
の形態を示すヘッド長手方向に直交する方向の断面図で
ある。
の形態を示すヘッド長手方向に直交する方向の断面図で
ある。
【0028】ヒートシンク3には、チップ実装基板取り
付け面に凸状のリブ7が設けられており、リブ7上にチ
ップ実装基板5が接着剤8により固定され、チップ実装
基板5上には発光素子が列状に配置された発光素子アレ
イチップ6が実装されている。
付け面に凸状のリブ7が設けられており、リブ7上にチ
ップ実装基板5が接着剤8により固定され、チップ実装
基板5上には発光素子が列状に配置された発光素子アレ
イチップ6が実装されている。
【0029】支持体1には、正立等倍レンズが列状に配
置された正立等倍レンズアレイ2が、接着等の手段によ
り取り付けられており、ヒートシンク3が、発光素子か
らの出射光の光軸と正立等倍レンズの光軸中心とが一致
するように調整されて固定されており、また、ドライバ
ー基板4がボルト9により固定されている。
置された正立等倍レンズアレイ2が、接着等の手段によ
り取り付けられており、ヒートシンク3が、発光素子か
らの出射光の光軸と正立等倍レンズの光軸中心とが一致
するように調整されて固定されており、また、ドライバ
ー基板4がボルト9により固定されている。
【0030】ドライバー基板4上には、発光素子を駆動
するためのIC等の電子素子が実装されており、ドライ
バー基板4とチップ実装基板5は、FPC(Flexi
ble Printed Circuit:フレキシブ
ル基板)10により電気的に接続されている。また、ヒ
ートシンク3とチップ実装基板5は、樹脂カバー11に
より覆われている。
するためのIC等の電子素子が実装されており、ドライ
バー基板4とチップ実装基板5は、FPC(Flexi
ble Printed Circuit:フレキシブ
ル基板)10により電気的に接続されている。また、ヒ
ートシンク3とチップ実装基板5は、樹脂カバー11に
より覆われている。
【0031】図3は、発光素子アレイチップを実装した
チップ実装基板とヒートシンクとの位置関係を説明する
斜視図である。
チップ実装基板とヒートシンクとの位置関係を説明する
斜視図である。
【0032】ヒートシンクのチップ実装基板取り付け面
には、ヒートシンクの長手方向の両端に渡って複数本の
凸状のリブが設けられ、複数本のリブのうちの1本は、
発光素子アレイチップ6の直下に設けられる。本実施の
形態では、チップ実装基板取り付け面に3本のリブが設
けられる場合について説明する。
には、ヒートシンクの長手方向の両端に渡って複数本の
凸状のリブが設けられ、複数本のリブのうちの1本は、
発光素子アレイチップ6の直下に設けられる。本実施の
形態では、チップ実装基板取り付け面に3本のリブが設
けられる場合について説明する。
【0033】3本のリブが設けられる場合は、リブは、
ヒートシンク3のチップ実装基板取り付け面に、ヒート
シンク3の長手方向に直交する方向の中央部付近と両端
部付近に設けられる。中央部付近に設けられるリブ7
は、チップ実装基板5の発光素子アレイチップ6を実装
する位置の裏面側、すなわち発光素子アレイチップ6の
直下位置となるように設けられる。
ヒートシンク3のチップ実装基板取り付け面に、ヒート
シンク3の長手方向に直交する方向の中央部付近と両端
部付近に設けられる。中央部付近に設けられるリブ7
は、チップ実装基板5の発光素子アレイチップ6を実装
する位置の裏面側、すなわち発光素子アレイチップ6の
直下位置となるように設けられる。
【0034】両端部付近に設けられるリブ7は、リブ7
の外側に、接着剤の余剰部を滞留させる接着剤溜まりを
形成するように、図4に示すように、ヒートシンク3の
エッジ部分から0.5〜3.0mmの位置に設けられ
る。リブ7の高さは0.1〜1.0mmとするのが好適
である。
の外側に、接着剤の余剰部を滞留させる接着剤溜まりを
形成するように、図4に示すように、ヒートシンク3の
エッジ部分から0.5〜3.0mmの位置に設けられ
る。リブ7の高さは0.1〜1.0mmとするのが好適
である。
【0035】リブ7は、ヒートシンク3の長手方向に設
けられる凸状の突起であり、長手方向の両端に渡って設
けられることが好ましいが、必ずしも両端に渡って設け
られる必要はなく、また、不連続に設けられても良い。
けられる凸状の突起であり、長手方向の両端に渡って設
けられることが好ましいが、必ずしも両端に渡って設け
られる必要はなく、また、不連続に設けられても良い。
【0036】また、発光素子アレイチップ実装位置裏面
側に設けられるリブ以外のリブは、チップ実装基板5を
ヒートシンク3に固定する際の支持部となるものである
ので、必ずしも連続して設けられる必要はなく、短い長
さのものであってもよく、ヒートシンク3に1個以上設
けられればよい。
側に設けられるリブ以外のリブは、チップ実装基板5を
ヒートシンク3に固定する際の支持部となるものである
ので、必ずしも連続して設けられる必要はなく、短い長
さのものであってもよく、ヒートシンク3に1個以上設
けられればよい。
【0037】なお、発光素子アレイチップ実装位置裏面
側に幅の広いリブが設けられ、チップ実装基板5をこの
リブだけで支持することができれば、ヒートシンク3に
設けられるリブはこの1個だけでも良い場合がある。
側に幅の広いリブが設けられ、チップ実装基板5をこの
リブだけで支持することができれば、ヒートシンク3に
設けられるリブはこの1個だけでも良い場合がある。
【0038】また、ヒートシンク3には、図3に示すよ
うに、ヒートシンク3の長手方向(チップ走査方向)の
両端部分に、チップ実装基板5を位置決めするための2
本の基準ピン12が設けられる。チップ実装基板5に
は、ヒートシンク3の2本の基準ピン位置に相当する部
分に、この基準ピン12と嵌合するための基準穴13が
設けられる。この基準穴13に基準ピン12を嵌合させ
ることにより、ヒートシンク3の中央部付近に設けられ
るリブ7は、チップ実装基板5の発光素子アレイチップ
実装位置裏面側に位置決めされる。
うに、ヒートシンク3の長手方向(チップ走査方向)の
両端部分に、チップ実装基板5を位置決めするための2
本の基準ピン12が設けられる。チップ実装基板5に
は、ヒートシンク3の2本の基準ピン位置に相当する部
分に、この基準ピン12と嵌合するための基準穴13が
設けられる。この基準穴13に基準ピン12を嵌合させ
ることにより、ヒートシンク3の中央部付近に設けられ
るリブ7は、チップ実装基板5の発光素子アレイチップ
実装位置裏面側に位置決めされる。
【0039】ここで、チップ実装基板5には、セラミッ
ク基板、ガラスエポキシ基板または鉄基板が用いられ
る。
ク基板、ガラスエポキシ基板または鉄基板が用いられ
る。
【0040】また、リブ7の先端部分のチップ実装基板
5に当接する面は、平面性を持たせるため精密加工が施
されている。
5に当接する面は、平面性を持たせるため精密加工が施
されている。
【0041】次に、リブの先端部分が高い平面性を有す
るヒートシンクの製造方法について説明する。
るヒートシンクの製造方法について説明する。
【0042】ヒートシンクには、熱伝導性の良い金属系
または非鉄金属系の材料が用いられる。アルミニウム材
料を用いる場合は、押し出し材料を用いる。金属系材料
の場合は、冷間引き抜き製法で作るのが好適である。こ
のような製法で作られたヒートシンクは、0.1mm/
300mm程度の平面性を有することが可能である。し
かしながら、高解像度用途の樹脂レンズの焦点距離は非
常に短く、60μm程度の精度が必要とされることによ
り、ヒートシンクに設けられるリブの発光素子実装基板
取り付け面の精度は、更に高い精度が必要とされる。そ
のため、リブの先端部分の発光素子実装基板取り付け面
は、以下の仕様のラッピングマシン(ラッピング装置)
を用いて、高精度面を得る。
または非鉄金属系の材料が用いられる。アルミニウム材
料を用いる場合は、押し出し材料を用いる。金属系材料
の場合は、冷間引き抜き製法で作るのが好適である。こ
のような製法で作られたヒートシンクは、0.1mm/
300mm程度の平面性を有することが可能である。し
かしながら、高解像度用途の樹脂レンズの焦点距離は非
常に短く、60μm程度の精度が必要とされることによ
り、ヒートシンクに設けられるリブの発光素子実装基板
取り付け面の精度は、更に高い精度が必要とされる。そ
のため、リブの先端部分の発光素子実装基板取り付け面
は、以下の仕様のラッピングマシン(ラッピング装置)
を用いて、高精度面を得る。
【0043】図5は、ラッピングマシンのラッピングプ
レート部分の平面図である。ラッピングマシンは、片面
ラッピングマシンを用い、キャリア21には複数本のワ
ーク(ヒートシンク)20を挿入できる形態とする。こ
の片面ラッピングマシンは、比較的短時間で加工でき、
ラッピングマシンの1バッチ当たりに相当数のヒートシ
ンクを同時加工できるため、大量生産に適している。
レート部分の平面図である。ラッピングマシンは、片面
ラッピングマシンを用い、キャリア21には複数本のワ
ーク(ヒートシンク)20を挿入できる形態とする。こ
の片面ラッピングマシンは、比較的短時間で加工でき、
ラッピングマシンの1バッチ当たりに相当数のヒートシ
ンクを同時加工できるため、大量生産に適している。
【0044】ラッピングプレート19、インターナルギ
ア22、サインギア23は、各々回転速度を可変できる
ように駆動系が別途であるか、または同一駆動源からギ
アと可変変速機を介在させ、各々の周速が可変できるよ
うにしてある。
ア22、サインギア23は、各々回転速度を可変できる
ように駆動系が別途であるか、または同一駆動源からギ
アと可変変速機を介在させ、各々の周速が可変できるよ
うにしてある。
【0045】ワーク20が挿入されたキャリア21に
は、インターナルギア22およびサンギア23の回転数
差により、キャリア21の中心部分を起点とした自転
と、ラッピングプレート19の中心部分を起点とした自
転とが与えられる。
は、インターナルギア22およびサンギア23の回転数
差により、キャリア21の中心部分を起点とした自転
と、ラッピングプレート19の中心部分を起点とした自
転とが与えられる。
【0046】キャリア21がキャリア中心部分を起点と
して回転するため、ワーク20は、ラッピングプレート
19の中心付近から外周付近までの間を移動しながら切
削研磨されることにより、ラッピングプレート19とワ
ーク20との周速差が平均化され、各々のワーク20の
研磨レートが一定化される。
して回転するため、ワーク20は、ラッピングプレート
19の中心付近から外周付近までの間を移動しながら切
削研磨されることにより、ラッピングプレート19とワ
ーク20との周速差が平均化され、各々のワーク20の
研磨レートが一定化される。
【0047】浮遊砥粒は#600〜1200の範囲を用
いるのが好適である。ワーク20とラッピングプレート
19との間の荷重は、ヒートシンクに鉄を用いた場合は
50〜300g/cm2 、ヒートシンクにアルミニウム
を用いた場合は30〜250g/cm2 程度とすること
が好適である。このため、必要であれば、このような設
定となるように、ヒートシンク上部にウエイトを載せ
る。その場合は、ヒートシンクの長さ方向に渡り等分荷
重となるように設置する必要がある。ワーク20をキャ
リア21に挿入する際は、発光素子実装基板との接合面
をラッピングプレート19に接するように配置する。
いるのが好適である。ワーク20とラッピングプレート
19との間の荷重は、ヒートシンクに鉄を用いた場合は
50〜300g/cm2 、ヒートシンクにアルミニウム
を用いた場合は30〜250g/cm2 程度とすること
が好適である。このため、必要であれば、このような設
定となるように、ヒートシンク上部にウエイトを載せ
る。その場合は、ヒートシンクの長さ方向に渡り等分荷
重となるように設置する必要がある。ワーク20をキャ
リア21に挿入する際は、発光素子実装基板との接合面
をラッピングプレート19に接するように配置する。
【0048】図6は、ラッピングマシンのラッピングプ
レート部分の一部断面図である。ワーク(ヒートシン
ク)20は、リブを有する面を下にしてセットされる。
ラッピングマシンを用いることにより、ワーク(ヒート
シンク)20のラッピングプレート19に接する面は、
両者間に侵入する浮遊砥粒24により研磨され、高い平
面性が得られる。その際、研磨面と反研磨面の材料応力
差が発生して、微少な反りが発生しても、その反った分
量を更に研磨していくため、更に、ワーク加工時は従来
のバイス等のチャッキング外力を受けない。このため、
加工時の精度が、加工機から取り出した後も、そのまま
保持されるので、高い加工精度を得ることができる。
レート部分の一部断面図である。ワーク(ヒートシン
ク)20は、リブを有する面を下にしてセットされる。
ラッピングマシンを用いることにより、ワーク(ヒート
シンク)20のラッピングプレート19に接する面は、
両者間に侵入する浮遊砥粒24により研磨され、高い平
面性が得られる。その際、研磨面と反研磨面の材料応力
差が発生して、微少な反りが発生しても、その反った分
量を更に研磨していくため、更に、ワーク加工時は従来
のバイス等のチャッキング外力を受けない。このため、
加工時の精度が、加工機から取り出した後も、そのまま
保持されるので、高い加工精度を得ることができる。
【0049】このように、ヒートシンクは、ラッピング
加工時には、片面ラッピングマシンの加工面であるラッ
ピングプレートにほぼ自重のみで接しているため、ラッ
ピング処理後のワーク変形が発生せず、高精度の平面性
を簡単に得ることができる。したがって、高い平面性を
有するヒートシンクを比較的低コストで製造できる。
加工時には、片面ラッピングマシンの加工面であるラッ
ピングプレートにほぼ自重のみで接しているため、ラッ
ピング処理後のワーク変形が発生せず、高精度の平面性
を簡単に得ることができる。したがって、高い平面性を
有するヒートシンクを比較的低コストで製造できる。
【0050】なお、図7に示すように、同時に支持体の
ロッドレンズ取り付け面を、ラッピング加工により高精
度に研磨しても良い。
ロッドレンズ取り付け面を、ラッピング加工により高精
度に研磨しても良い。
【0051】次に、チップ実装基板をヒートシンクに固
定させる方法について説明する。
定させる方法について説明する。
【0052】先ず、図8に示すように、リブとリブの
間、すなわちリブ7の内側に接着剤8を塗布する。接着
剤8をリブ7の内側に塗布するため、リブ7が堰となっ
て接着剤8がリブ7の外側へ流出するのを防止できる。
間、すなわちリブ7の内側に接着剤8を塗布する。接着
剤8をリブ7の内側に塗布するため、リブ7が堰となっ
て接着剤8がリブ7の外側へ流出するのを防止できる。
【0053】接着剤8には、低弾性樹脂(JIS−A硬
度100以下)の接着剤を用いる。低弾性樹脂の接着剤
を用いることによって、ヒートシンクとチップ実装基板
の熱膨張係数差が及ぼす歪みは、低弾性樹脂の層内で吸
収されるため、接着層の界面剥離および部材の変形が防
止できる。
度100以下)の接着剤を用いる。低弾性樹脂の接着剤
を用いることによって、ヒートシンクとチップ実装基板
の熱膨張係数差が及ぼす歪みは、低弾性樹脂の層内で吸
収されるため、接着層の界面剥離および部材の変形が防
止できる。
【0054】また、接着剤8は、熱硬化型高熱伝導性接
着剤(熱伝導率1.0W/m・k以上)を用いることが
望ましい。
着剤(熱伝導率1.0W/m・k以上)を用いることが
望ましい。
【0055】次に、チップ実装基板5の基準穴にヒート
シンク3の基準ピンを嵌合させた後、図9に示す治具1
5を用いて、チップ実装基板5との間にシリコンシート
17を挟んで、チップ実装基板5をエアシリンダー16
により均等な荷重にて押さえ込む。押さえ込んだまま、
ヒートシンク3の下部に設けられる定盤18を昇温させ
ることにより、接着剤8を硬化させて、チップ実装基板
5をヒートシンク3に接着固定させる。
シンク3の基準ピンを嵌合させた後、図9に示す治具1
5を用いて、チップ実装基板5との間にシリコンシート
17を挟んで、チップ実装基板5をエアシリンダー16
により均等な荷重にて押さえ込む。押さえ込んだまま、
ヒートシンク3の下部に設けられる定盤18を昇温させ
ることにより、接着剤8を硬化させて、チップ実装基板
5をヒートシンク3に接着固定させる。
【0056】接着剤8の硬化後は、若干の体積収縮によ
り、チップ実装基板5は、図10に示すように、リブと
リブの間では接着剤の厚みが薄くなって平面性が損なわ
れるが、発光素子アレイチップ6の実装面付近の平面性
は、ヒートシンク3の中央部のリブ先端精度に倣うた
め、接着剤8の厚み精度に依存されずに、高い面精度を
得ることが可能となる。
り、チップ実装基板5は、図10に示すように、リブと
リブの間では接着剤の厚みが薄くなって平面性が損なわ
れるが、発光素子アレイチップ6の実装面付近の平面性
は、ヒートシンク3の中央部のリブ先端精度に倣うた
め、接着剤8の厚み精度に依存されずに、高い面精度を
得ることが可能となる。
【0057】また、外側のリブは、リブの外側に、余剰
となった接着剤を滞留させる接着剤溜まりを形成するよ
うに設けられているので、塗布した接着剤の量が多少多
すぎても、図10に示すように、リブ外側の接着剤溜ま
りに接着剤が留まり、接着剤8がチップ実装基板5の基
板表面に回り込むことを防止できる。図11は、チップ
実装基板を接着した状態のヒートシンクの正面図であ
り、リブ外側の接着剤溜まりに接着剤が留まっていると
きの状態を示している。
となった接着剤を滞留させる接着剤溜まりを形成するよ
うに設けられているので、塗布した接着剤の量が多少多
すぎても、図10に示すように、リブ外側の接着剤溜ま
りに接着剤が留まり、接着剤8がチップ実装基板5の基
板表面に回り込むことを防止できる。図11は、チップ
実装基板を接着した状態のヒートシンクの正面図であ
り、リブ外側の接着剤溜まりに接着剤が留まっていると
きの状態を示している。
【0058】上述した実施の形態の構造においては、発
光素子アレイチップの実装面の直下位置にヒートシンク
のリブが位置しているので、チップ実装基板のチップ実
装部付近の平面性は、接着剤厚みに影響されず、高い平
面性を維持することができる。また、発光素子アレイチ
ップ実装位置の直下に、ヒートシンクのリブが位置して
いるので、発光素子の熱エネルギーは、このリブを介し
てヒートシンク全体に伝播される。
光素子アレイチップの実装面の直下位置にヒートシンク
のリブが位置しているので、チップ実装基板のチップ実
装部付近の平面性は、接着剤厚みに影響されず、高い平
面性を維持することができる。また、発光素子アレイチ
ップ実装位置の直下に、ヒートシンクのリブが位置して
いるので、発光素子の熱エネルギーは、このリブを介し
てヒートシンク全体に伝播される。
【0059】また、上述した実施の形態では、ヒートシ
ンクとチップ実装基板間の接着に高熱伝導性の接着剤を
用いているため、接着部分での熱伝導も良好となり、発
光素子の発熱エネルギーを容易にヒートシンクに伝達で
き、発光素子の温度上昇を低減でき、濃度ムラの少な
い、高品位画像の出力ができる光書き込みヘッドを得る
ことができる。
ンクとチップ実装基板間の接着に高熱伝導性の接着剤を
用いているため、接着部分での熱伝導も良好となり、発
光素子の発熱エネルギーを容易にヒートシンクに伝達で
き、発光素子の温度上昇を低減でき、濃度ムラの少な
い、高品位画像の出力ができる光書き込みヘッドを得る
ことができる。
【0060】また、上述した実施の形態では、リブの外
側に接着剤の余剰部を滞留させる接着剤溜まりを形成す
るようにリブを形成しているので、接着剤のはみ出しを
防止でき、接着剤のはみ出しによるチップ実装面の汚染
を防止できる。
側に接着剤の余剰部を滞留させる接着剤溜まりを形成す
るようにリブを形成しているので、接着剤のはみ出しを
防止でき、接着剤のはみ出しによるチップ実装面の汚染
を防止できる。
【0061】さらに、上述した実施の形態では、接着剤
は低弾性樹脂であり、接着剤の厚みを比較的厚くするこ
とができるため、接着層内部の弾性変形により、両者部
品間の熱歪みが吸収される。そのため、接着界面および
部材にかかる荷重が低減され、部品の変形や、接着剤界
面の剥離も低減される。
は低弾性樹脂であり、接着剤の厚みを比較的厚くするこ
とができるため、接着層内部の弾性変形により、両者部
品間の熱歪みが吸収される。そのため、接着界面および
部材にかかる荷重が低減され、部品の変形や、接着剤界
面の剥離も低減される。
【0062】なお、上述した実施の形態では、チップ実
装基板をヒートシンクに接着剤を用いて固定する場合に
ついて説明したが、本発明は、これに限らず、チップ実
装基板をヒートシンクにボルト締結等の固定手段を用い
て固定しても良い。
装基板をヒートシンクに接着剤を用いて固定する場合に
ついて説明したが、本発明は、これに限らず、チップ実
装基板をヒートシンクにボルト締結等の固定手段を用い
て固定しても良い。
【0063】また、上述した実施の形態において、ヒー
トシンクには、放熱面を増やして放熱効果を高めるため
に、側面に開口部を設け、または内部に中空部を設ける
ようにしても良い。
トシンクには、放熱面を増やして放熱効果を高めるため
に、側面に開口部を設け、または内部に中空部を設ける
ようにしても良い。
【0064】図12、図13、図14は、ヒートシンク
の形状の一例を示す図である。図12は、ヒートシンク
の長手方向の両端に渡って、ヒートシンクの側面に断面
がコ字状の開口部を設けたものである。図13は、ヒー
トシンクの長手方向の両端に渡って、断面が矩形状の中
空部を設けたものである。図14は、ヒートシンクの長
手方向の両端に渡って、断面が円形状の中空部を設けた
ものである。開口部および中空部は、ヒートシンクの長
手方向の両端に渡って設けることが好ましいが、必ずし
も長手方向の両端に渡って設ける必要はなく、放熱効果
を高めることができるのであれば、どのような長さ、ど
のような形状でも良く、また不連続に設けるようにして
も良い。
の形状の一例を示す図である。図12は、ヒートシンク
の長手方向の両端に渡って、ヒートシンクの側面に断面
がコ字状の開口部を設けたものである。図13は、ヒー
トシンクの長手方向の両端に渡って、断面が矩形状の中
空部を設けたものである。図14は、ヒートシンクの長
手方向の両端に渡って、断面が円形状の中空部を設けた
ものである。開口部および中空部は、ヒートシンクの長
手方向の両端に渡って設けることが好ましいが、必ずし
も長手方向の両端に渡って設ける必要はなく、放熱効果
を高めることができるのであれば、どのような長さ、ど
のような形状でも良く、また不連続に設けるようにして
も良い。
【0065】また、上述した実施の形態において、発光
素子アレイチップには自己走査型発光素子アレイチップ
を用いることができる。なお、自己走査型発光素子アレ
イとは、自己走査回路を内蔵し、発光点を順次転送して
いく機能を有する発光素子アレイである。
素子アレイチップには自己走査型発光素子アレイチップ
を用いることができる。なお、自己走査型発光素子アレ
イとは、自己走査回路を内蔵し、発光点を順次転送して
いく機能を有する発光素子アレイである。
【0066】自己走査型発光素子アレイについては、特
開平1−238962号公報、特開平2−14584号
公報、特開平2−92650号公報、特開平2−926
51号公報等により、プリンタヘッド用光源として実装
上簡便となること、発光素子間隔を細かくできること、
コンパクトなプリンタヘッドを作製できること等が示さ
れている。また、特開平2−263668号公報では、
転送素子アレイをシフト部として、発光部である発光素
子アレイと分離した構造の自己走査型発光素子アレイを
提案している。
開平1−238962号公報、特開平2−14584号
公報、特開平2−92650号公報、特開平2−926
51号公報等により、プリンタヘッド用光源として実装
上簡便となること、発光素子間隔を細かくできること、
コンパクトなプリンタヘッドを作製できること等が示さ
れている。また、特開平2−263668号公報では、
転送素子アレイをシフト部として、発光部である発光素
子アレイと分離した構造の自己走査型発光素子アレイを
提案している。
【0067】図15に、シフト部と発光部とを分離した
構造の自己走査型発光素子アレイの等価回路図を示す。
シフト部は、転送素子T1 ,T2 ,T3 ,…を有し、発
光部は、書込み用発光素子L1 ,L2 ,L3 ,…を有し
ている。これら転送素子および発光素子は、3端子発光
サイリスタにより構成される。シフト部の構成は、転送
素子のゲートを互いに電気的に接続するのにダイオード
D1 ,D2 ,D3 ,…を用いている。VGKは電源(通常
5V)であり、負荷抵抗RL を経て各転送素子のゲート
電極G1 ,G2 ,G3 ,…に接続されている。また、転
送素子のゲート電極G1 ,G2 ,G3 ,…は、書込み用
発光素子のゲート電極にも接続される。転送素子T1 の
ゲート電極にはスタートパルスφS が加えられ、転送素
子のアノード電極には、交互に転送用クロックパルスφ
1,φ2が加えられ、書込み用発光素子のアノード電極
には、書込み信号φI が加えられている。
構造の自己走査型発光素子アレイの等価回路図を示す。
シフト部は、転送素子T1 ,T2 ,T3 ,…を有し、発
光部は、書込み用発光素子L1 ,L2 ,L3 ,…を有し
ている。これら転送素子および発光素子は、3端子発光
サイリスタにより構成される。シフト部の構成は、転送
素子のゲートを互いに電気的に接続するのにダイオード
D1 ,D2 ,D3 ,…を用いている。VGKは電源(通常
5V)であり、負荷抵抗RL を経て各転送素子のゲート
電極G1 ,G2 ,G3 ,…に接続されている。また、転
送素子のゲート電極G1 ,G2 ,G3 ,…は、書込み用
発光素子のゲート電極にも接続される。転送素子T1 の
ゲート電極にはスタートパルスφS が加えられ、転送素
子のアノード電極には、交互に転送用クロックパルスφ
1,φ2が加えられ、書込み用発光素子のアノード電極
には、書込み信号φI が加えられている。
【0068】なお、図中、R1,R2,RS ,RI は、
それぞれ電流制限抵抗を示している。
それぞれ電流制限抵抗を示している。
【0069】動作を簡単に説明する。まず転送用クロッ
クパルスφ1の電圧が、Hレベルで、転送素子T2 がオ
ン状態であるとする。このとき、ゲート電極G2 の電位
はV GKの5Vからほぼ零Vにまで低下する。この電位降
下の影響はダイオードD2 によってゲート電極G3 に伝
えられ、その電位を約1Vに(ダイオードD2 の順方向
立上り電圧(拡散電位に等しい))に設定する。しか
し、ダイオードD1 は逆バイアス状態であるためゲート
電極G1 への電位の接続は行われず、ゲート電極G1 の
電位は5Vのままとなる。発光サイリスタのオン電圧
は、ゲート電極電位+pn接合の拡散電位(約1V)で
近似されるから、次の転送用クロックパルスφ2のHレ
ベル電圧は約2V(転送素子T3 をオンさせるために必
要な電圧)以上でありかつ約4V(転送素子T5 をオン
させるために必要な電圧)以下に設定しておけば転送素
子T3 のみがオンし、これ以外の転送素子はオフのまま
にすることができる。従って2本の転送用クロックパル
スでオン状態が転送されることになる。
クパルスφ1の電圧が、Hレベルで、転送素子T2 がオ
ン状態であるとする。このとき、ゲート電極G2 の電位
はV GKの5Vからほぼ零Vにまで低下する。この電位降
下の影響はダイオードD2 によってゲート電極G3 に伝
えられ、その電位を約1Vに(ダイオードD2 の順方向
立上り電圧(拡散電位に等しい))に設定する。しか
し、ダイオードD1 は逆バイアス状態であるためゲート
電極G1 への電位の接続は行われず、ゲート電極G1 の
電位は5Vのままとなる。発光サイリスタのオン電圧
は、ゲート電極電位+pn接合の拡散電位(約1V)で
近似されるから、次の転送用クロックパルスφ2のHレ
ベル電圧は約2V(転送素子T3 をオンさせるために必
要な電圧)以上でありかつ約4V(転送素子T5 をオン
させるために必要な電圧)以下に設定しておけば転送素
子T3 のみがオンし、これ以外の転送素子はオフのまま
にすることができる。従って2本の転送用クロックパル
スでオン状態が転送されることになる。
【0070】スタートパルスφS は、このような転送動
作を開始させるためのパルスであり、スタートパルスφ
S をHレベル(約0V)にすると同時に転送用クロック
パルスφ2をHレベル(約2〜約4V)とし、転送素子
T1 をオンさせる。その後すぐ、スタートパルスφS は
Hレベルに戻される。
作を開始させるためのパルスであり、スタートパルスφ
S をHレベル(約0V)にすると同時に転送用クロック
パルスφ2をHレベル(約2〜約4V)とし、転送素子
T1 をオンさせる。その後すぐ、スタートパルスφS は
Hレベルに戻される。
【0071】いま、転送素子T2 がオン状態にあるとす
ると、ゲート電極G2 の電位は、ほぼ0Vとなる。した
がって、書込み信号φI の電圧が、pn接合の拡散電位
(約1V)以上であれば、発光素子L2 を発光状態とす
ることができる。
ると、ゲート電極G2 の電位は、ほぼ0Vとなる。した
がって、書込み信号φI の電圧が、pn接合の拡散電位
(約1V)以上であれば、発光素子L2 を発光状態とす
ることができる。
【0072】これに対し、ゲート電極G1 は約5Vであ
り、ゲート電極G3 は約1Vとなる。したがって、発光
素子L1 の書込み電圧は約6V、発光素子L3 の書込み
電圧は約2Vとなる。これから、発光素子L2 のみに書
込める書込み信号φI の電圧は、1〜2Vの範囲とな
る。発光素子L2 がオン、すなわち発光状態に入ると、
発光強度は書込み信号φI に流す電流量で決められ、任
意の強度にて画像書込みが可能となる。また、発光状態
を次の発光素子に転送するためには、書込み信号φI ラ
インの電圧を一度0Vまでおとし、発光している発光素
子をいったんオフにしておく必要がある。
り、ゲート電極G3 は約1Vとなる。したがって、発光
素子L1 の書込み電圧は約6V、発光素子L3 の書込み
電圧は約2Vとなる。これから、発光素子L2 のみに書
込める書込み信号φI の電圧は、1〜2Vの範囲とな
る。発光素子L2 がオン、すなわち発光状態に入ると、
発光強度は書込み信号φI に流す電流量で決められ、任
意の強度にて画像書込みが可能となる。また、発光状態
を次の発光素子に転送するためには、書込み信号φI ラ
インの電圧を一度0Vまでおとし、発光している発光素
子をいったんオフにしておく必要がある。
【0073】また、上述した実施の形態において、正立
等倍レンズアレイには、ロッドレンズアレイまたは樹脂
正立等倍レンズアレイを用いることができる。図16
は、ロッドレンズアレイの構成の一例を示す切り欠き斜
視図である。ロッドレンズアレイは、屈折率が中心軸か
ら周辺に向かって減少していくロッドレンズ25を1列
または2列に配列させたものであり、正立等倍像を結像
させることができる。図17は、樹脂正立等倍レンズア
レイの構成の一例を示す斜視図である。樹脂正立等倍レ
ンズアレイは、1列または2列に配列された単眼レンズ
27を備えるレンズアレイ板26を2枚以上重ねたもの
であり、正立等倍像を結像させることができる。単眼レ
ンズ27は、同一の焦点距離と口径を有し、片面が凸ま
たは両面が凸である。
等倍レンズアレイには、ロッドレンズアレイまたは樹脂
正立等倍レンズアレイを用いることができる。図16
は、ロッドレンズアレイの構成の一例を示す切り欠き斜
視図である。ロッドレンズアレイは、屈折率が中心軸か
ら周辺に向かって減少していくロッドレンズ25を1列
または2列に配列させたものであり、正立等倍像を結像
させることができる。図17は、樹脂正立等倍レンズア
レイの構成の一例を示す斜視図である。樹脂正立等倍レ
ンズアレイは、1列または2列に配列された単眼レンズ
27を備えるレンズアレイ板26を2枚以上重ねたもの
であり、正立等倍像を結像させることができる。単眼レ
ンズ27は、同一の焦点距離と口径を有し、片面が凸ま
たは両面が凸である。
【0074】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、発光素
子アレイチップの実装面の直下位置にヒートシンクのリ
ブを設けているので、チップ実装基板のチップ実装部付
近の平面性は、接着剤厚みに影響されず、高い平面性を
維持することが可能となる。
子アレイチップの実装面の直下位置にヒートシンクのリ
ブを設けているので、チップ実装基板のチップ実装部付
近の平面性は、接着剤厚みに影響されず、高い平面性を
維持することが可能となる。
【0075】また、本発明は、リブの外側に接着剤の余
剰部を滞留させる接着剤溜まりを形成するようにリブを
形成しているので、接着剤のはみ出しを防止できる。
剰部を滞留させる接着剤溜まりを形成するようにリブを
形成しているので、接着剤のはみ出しを防止できる。
【0076】また、本発明は、接着剤に低弾性樹脂の接
着剤を用いているので、ヒートシンクとチップ実装基板
の熱膨張係数差が及ぼす歪みは、低弾性樹脂の層内で吸
収され、接着層の界面剥離および部材の変形が防止でき
る。
着剤を用いているので、ヒートシンクとチップ実装基板
の熱膨張係数差が及ぼす歪みは、低弾性樹脂の層内で吸
収され、接着層の界面剥離および部材の変形が防止でき
る。
【図1】従来の光書き込みヘッドの断面図である。
【図2】本発明の光書き込みヘッドの実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【図3】発光素子アレイチップを実装したチップ実装基
板とヒートシンクとの位置関係を説明する斜視図であ
る。
板とヒートシンクとの位置関係を説明する斜視図であ
る。
【図4】リブ位置を説明するためのチップ実装基板とヒ
ートシンクの断面図である。
ートシンクの断面図である。
【図5】ラッピングマシンのラッピングプレート部分の
平面図である。
平面図である。
【図6】ラッピングマシンのラッピングプレート部分の
一部断面図である。
一部断面図である。
【図7】研磨する部材の他の例を示す図である。
【図8】接着剤の塗布状態を説明するためのヒートシン
クの断面図である。
クの断面図である。
【図9】治具によりチップ実装基板をヒートシンクに固
定する方法を説明するための断面図である。
定する方法を説明するための断面図である。
【図10】チップ実装基板を接着した状態のヒートシン
クの断面図である。
クの断面図である。
【図11】チップ実装基板を接着した状態のヒートシン
クの正面図である。
クの正面図である。
【図12】ヒートシンクの形状の他の例を示す図であ
る。
る。
【図13】ヒートシンクの形状の他の例を示す図であ
る。
る。
【図14】ヒートシンクの形状の他の例を示す図であ
る。
る。
【図15】自己走査型発光素子アレイの等価回路を示す
図である。
図である。
【図16】ロッドレンズアレイの構成の一例を示す切り
欠き斜視図である。
欠き斜視図である。
【図17】樹脂正立等倍レンズアレイの構成の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
1 支持体
2,31 正立等倍レンズアレイ
3 ヒートシンク
4,34 ドライバー基板
5 チップ実装基板
6,36 発光素子アレイチップ
7 リブ
8 接着剤
9 ボルト
10,37 FPC
11 樹脂カバー
12 基準ピン
13 基準穴
15 治具
16 エアシリンダー
17 シリコンコート
18 定盤
19 ラッピングプレート
20 ワーク
21 キャリア
22 インターナルギア
23 サンギア
24 浮遊砥粒
25 ロッドレンズ
26 レンズアレイ板
27 単眼レンズ
32 レンズ支持部材
33 セラミック基板
35 アルミニウム基板台
Claims (14)
- 【請求項1】発光素子アレイチップの発光素子が発光す
る光の光軸上にレンズアレイを備え、さらに前記発光素
子アレイチップを実装した基板の下地にヒートシンクを
備える光書き込みヘッドにおいて、 前記ヒートシンクには、前記基板の取り付け面に、ヒー
トシンクの長手方向に複数本の凸状のリブが設けられ、 前記ヒートシンクのリブ上には、前記基板が固定手段に
より固定されていることを特徴とする光書き込みヘッ
ド。 - 【請求項2】前記複数本のリブのうちの1本は、前記基
板の発光素子アレイチップ実装位置裏面側に設けられる
ことを特徴とする請求項1に記載の光書き込みヘッド。 - 【請求項3】前記リブは、前記ヒートシンクの長手方向
の両端に渡って設けられることを特徴とする請求項1ま
たは2に記載の光書き込みヘッド。 - 【請求項4】前記固定手段は、接着剤であることを特徴
とする請求項1〜3のいずれかに記載の光書き込みヘッ
ド。 - 【請求項5】前記複数本のリブのうち前記ヒートシンク
の長手方向に直交する方向の最も外側のリブは、リブの
外側に前記接着剤の余剰部を滞留させる接着剤溜まりを
形成するように設けられることを特徴とする請求項4に
記載の光書き込みヘッド。 - 【請求項6】前記接着剤は、低弾性樹脂の高熱伝導性接
着剤であることを特徴とする請求項4または5に記載の
光書き込みヘッド。 - 【請求項7】前記接着剤は、前記リブ間に塗布されるこ
とを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載の光書き
込みヘッド。 - 【請求項8】前記ヒートシンクおよび基板は、前記複数
本のリブのうちの1本が、前記基板の発光素子アレイチ
ップ実装位置裏面側に設けられるように位置決め手段を
備えることを特徴とする請求項2〜7のいずれかに記載
の光書き込みヘッド。 - 【請求項9】前記ヒートシンクは、側面に開口部が設け
られ、または内部に中空部が設けられていることを特徴
とする請求項1〜8のいずれかに記載の光書き込みヘッ
ド。 - 【請求項10】前記ヒートシンクは、ヒートシンクの長
手方向に渡って断面がコ字状の開口部が設けられ、また
はヒートシンクの長手方向に渡って断面が矩形状または
円形状の中空部が設けられていることを特徴とする請求
項1〜8のいずれかに記載の光書き込みヘッド。 - 【請求項11】前記レンズアレイは、ロッドレンズアレ
イまたは樹脂正立等倍レンズアレイであることを特徴と
する請求項1〜10のいずれかに記載の光書き込みヘッ
ド。 - 【請求項12】前記発光素子アレイチップは、自己走査
型発光素子アレイチップであることを特徴とする請求項
1〜11のいずれかに記載の光書き込みヘッド。 - 【請求項13】請求項1〜12のいずれかに記載の光書
き込みヘッドに用いられるヒートシンクの加工方法にお
いて、前記ヒートシンクを、片面ラッピング装置の加工
面に前記リブを有する面が接するようにセットして、前
記リブの先端部分をラッピング加工することを特徴とす
るヒートシンクの加工方法。 - 【請求項14】前記リブの先端部分を、前記ヒートシン
クのほぼ自重により前記片面ラッピング装置の加工面に
接するようにしてラッピング加工することを特徴とする
請求項13に記載のヒートシンクの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001234453A JP2003039731A (ja) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | 光書き込みヘッドおよび光書き込みヘッドに用いられるヒートシンクの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001234453A JP2003039731A (ja) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | 光書き込みヘッドおよび光書き込みヘッドに用いられるヒートシンクの加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003039731A true JP2003039731A (ja) | 2003-02-13 |
Family
ID=19066061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001234453A Pending JP2003039731A (ja) | 2001-08-02 | 2001-08-02 | 光書き込みヘッドおよび光書き込みヘッドに用いられるヒートシンクの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003039731A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230054034A1 (en) * | 2021-08-23 | 2023-02-23 | Palo Alto Research Center Incorporated | 3d package for semiconductor thermal management |
| US20230056905A1 (en) * | 2021-08-23 | 2023-02-23 | Palo Alto Research Center Incorporated | Independently-addressable high power surface-emitting laser array with tight-pitch packing |
-
2001
- 2001-08-02 JP JP2001234453A patent/JP2003039731A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20230054034A1 (en) * | 2021-08-23 | 2023-02-23 | Palo Alto Research Center Incorporated | 3d package for semiconductor thermal management |
| US20230056905A1 (en) * | 2021-08-23 | 2023-02-23 | Palo Alto Research Center Incorporated | Independently-addressable high power surface-emitting laser array with tight-pitch packing |
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