JP2003037325A - 発光モジュール及び発光モジュールの組み立て方法 - Google Patents
発光モジュール及び発光モジュールの組み立て方法Info
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- JP2003037325A JP2003037325A JP2001224913A JP2001224913A JP2003037325A JP 2003037325 A JP2003037325 A JP 2003037325A JP 2001224913 A JP2001224913 A JP 2001224913A JP 2001224913 A JP2001224913 A JP 2001224913A JP 2003037325 A JP2003037325 A JP 2003037325A
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- H10W72/5522—
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構造を簡略化することによって耐久性を高め
ると共に、製造コストの削減を図ること、及びレーザダ
イオードバーの大出力化、積層化に対応すること。 【解決手段】 レーザダイオードバー３と、レーザダイ
オードバー３に並設された絶縁板４と、レーザダイオー
ドバー３の一端面に設けられた導電性プレート６と、絶
縁板４に設けられ、導電性プレート６に当接する導電ブ
ロック７とを備える構成を採る。
ると共に、製造コストの削減を図ること、及びレーザダ
イオードバーの大出力化、積層化に対応すること。 【解決手段】 レーザダイオードバー３と、レーザダイ
オードバー３に並設された絶縁板４と、レーザダイオー
ドバー３の一端面に設けられた導電性プレート６と、絶
縁板４に設けられ、導電性プレート６に当接する導電ブ
ロック７とを備える構成を採る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
バーを備える発光モジュール及び発光モジュールの組み
立て方法に関する。
バーを備える発光モジュール及び発光モジュールの組み
立て方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、第１の従来例に係る発光モジ
ュールの斜視図である。なお、以下の説明では、図面
中、X方向を前側、Ｙ方向を上側とする。図１１に示す
ように、導電性を有するサブマウントベース１１１の上
面に、出射面上に複数のレーザ出射点が設けられたレー
ザダイオードバー１１２を半田により接合し、さらに、
レーザダイオードバー１１２の上面にアッパープレート
１１３を半田により接合している。アッパープレート１
１３の上面には、破線で示すように、通電用電極を設置
する通電用電極設置部１１３ａが設けられている。
ュールの斜視図である。なお、以下の説明では、図面
中、X方向を前側、Ｙ方向を上側とする。図１１に示す
ように、導電性を有するサブマウントベース１１１の上
面に、出射面上に複数のレーザ出射点が設けられたレー
ザダイオードバー１１２を半田により接合し、さらに、
レーザダイオードバー１１２の上面にアッパープレート
１１３を半田により接合している。アッパープレート１
１３の上面には、破線で示すように、通電用電極を設置
する通電用電極設置部１１３ａが設けられている。
【０００３】上記のような発光モジュールでは、より大
出力を得る為に図１１のＹ方向に、複数の発光モジュー
ルを積層して用いることがある。上記発光モジュールを
積層する場合、上段の発光モジュールと下段の発光モジ
ュールとは、図示しない導電性ヒートシンクを介して積
層される。しかしながら、アッパープレートの通電用電
極をヒートシンクに半田接合する際に、Ｙ方向、または
Ｙ方向と逆の方向から加圧された状態で半田により接合
される為、レーザダイオードバー１１２に圧縮力が加わ
って、レーザダイオードバー１１２の性能に悪影響が出
るという問題がある。
出力を得る為に図１１のＹ方向に、複数の発光モジュー
ルを積層して用いることがある。上記発光モジュールを
積層する場合、上段の発光モジュールと下段の発光モジ
ュールとは、図示しない導電性ヒートシンクを介して積
層される。しかしながら、アッパープレートの通電用電
極をヒートシンクに半田接合する際に、Ｙ方向、または
Ｙ方向と逆の方向から加圧された状態で半田により接合
される為、レーザダイオードバー１１２に圧縮力が加わ
って、レーザダイオードバー１１２の性能に悪影響が出
るという問題がある。
【０００４】このような問題点を解決するため、第２，
３の従来例により、レーザダイオードバーに圧縮力が加
わることを回避する技術が提案されている。
３の従来例により、レーザダイオードバーに圧縮力が加
わることを回避する技術が提案されている。
【０００５】図１２は、第２の従来例に係る発光モジュ
ールの斜視図である。図１２に示すように、サブマウン
トベース１２１の上面に、レーザダイオードバー１２２
と絶縁板１２３とを並べて半田により接合し、さらに、
絶縁板１２３の上面にアッパープレート１２４を半田に
より接合している。また、レーザダイオードバー１２２
とアッパープレート１２４とを、金線１２５を用いてワ
イヤボンディングし導通をとっている。アッパープレー
ト１２４の上面には、破線で示すように、通電用電極を
設置する通電用電極設置部１２４ａが設けられている。
ールの斜視図である。図１２に示すように、サブマウン
トベース１２１の上面に、レーザダイオードバー１２２
と絶縁板１２３とを並べて半田により接合し、さらに、
絶縁板１２３の上面にアッパープレート１２４を半田に
より接合している。また、レーザダイオードバー１２２
とアッパープレート１２４とを、金線１２５を用いてワ
イヤボンディングし導通をとっている。アッパープレー
ト１２４の上面には、破線で示すように、通電用電極を
設置する通電用電極設置部１２４ａが設けられている。
【０００６】また、図１３は、第３の従来例に係る発光
モジュールの斜視図である。図１３に示すように、サブ
マウントベース１３１の上面に、レーザダイオードバー
１３２と絶縁板１３３とを並べて半田により接合し、さ
らに、レーザダイオードバー１３２と絶縁板１３３の上
面を被うようにアッパープレート１３４を半田により接
合している。アッパープレート１３４の上面の絶縁板１
３３の直上に当たる部分には、破線で示すように、通電
用電極を設置する通電用電極設置部１３４ａが設けられ
ている。
モジュールの斜視図である。図１３に示すように、サブ
マウントベース１３１の上面に、レーザダイオードバー
１３２と絶縁板１３３とを並べて半田により接合し、さ
らに、レーザダイオードバー１３２と絶縁板１３３の上
面を被うようにアッパープレート１３４を半田により接
合している。アッパープレート１３４の上面の絶縁板１
３３の直上に当たる部分には、破線で示すように、通電
用電極を設置する通電用電極設置部１３４ａが設けられ
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】第２の従来例に係る発
光モジュールでは、アッパープレートの通電用電極をヒ
ートシンクに半田接合する際、レーザダイオードバー１
１２に圧縮力が加わらないため、レーザダイオードバー
１１２の性能に悪影響が出ることはない。しかしなが
ら、レーザダイオードバー１２２とアッパープレート１
２４とをワイヤボンディングする金線１２５の径を、あ
まり大きくすることができないため、レーザダイオード
バー１２２に供給できる電流が制限されるという問題が
ある。また、各レーザダイオード毎に金線１２５の接続
が必要となり、製造工程が増えると共に装置の構造が複
雑化し、コストが上昇するという問題点がある。さら
に、断線が生じることがあり、故障の可能性も高くなっ
てしまう。
光モジュールでは、アッパープレートの通電用電極をヒ
ートシンクに半田接合する際、レーザダイオードバー１
１２に圧縮力が加わらないため、レーザダイオードバー
１１２の性能に悪影響が出ることはない。しかしなが
ら、レーザダイオードバー１２２とアッパープレート１
２４とをワイヤボンディングする金線１２５の径を、あ
まり大きくすることができないため、レーザダイオード
バー１２２に供給できる電流が制限されるという問題が
ある。また、各レーザダイオード毎に金線１２５の接続
が必要となり、製造工程が増えると共に装置の構造が複
雑化し、コストが上昇するという問題点がある。さら
に、断線が生じることがあり、故障の可能性も高くなっ
てしまう。
【０００８】また、第３の従来例に係る発光モジュール
でもアッパープレートの通電用電極をヒートシンクに半
田接合する際にレーザダイオードバー１１２に圧縮力が
加わらないため、レーザダイオードバー１１２の性能に
悪影響が出ることはない。しかしながら、レーザダイオ
ードバー１３２の厚さと絶縁板１３３の厚さを同一にし
なければならない。図１４（ａ）は、レーザダイオード
バー１３２の厚さが絶縁板１３３の厚さよりも薄い場合
の第１の接合状態を示す側面図であり、図１４（ｂ）
は、レーザダイオードバー１３２の厚さが絶縁板１３３
の厚さよりも厚い場合の第１の接合状態を示す断面図で
ある。また、図１５（ａ）は、レーザダイオードバー１
３２の厚さが絶縁板１３３の厚さよりも薄い場合の第２
の接合状態を示す断面図であり、図１５（ｂ）は、レー
ザダイオードバー１３２の厚さが絶縁板１３３の厚さよ
りも厚い場合の第２の接合状態を示す断面図である。図
１４（ａ）及び同（ｂ）に示すように接合されると、ア
ッパープレート１３４が傾斜して接合されるため、レー
ザダイオードバー１３２及び絶縁板１３３との間に隙間
が生じる。これにより、均一に半田で接合することがで
きず、大電流を供給することができない。また、図１５
（ａ）及び同（ｂ）に示すように接合されると、それぞ
れ、レーザダイオードバー１３２及び絶縁板１３３の上
面に隙間が生じる。その結果、均一に半田で接合するこ
とができず、大電流を供給することができない。
でもアッパープレートの通電用電極をヒートシンクに半
田接合する際にレーザダイオードバー１１２に圧縮力が
加わらないため、レーザダイオードバー１１２の性能に
悪影響が出ることはない。しかしながら、レーザダイオ
ードバー１３２の厚さと絶縁板１３３の厚さを同一にし
なければならない。図１４（ａ）は、レーザダイオード
バー１３２の厚さが絶縁板１３３の厚さよりも薄い場合
の第１の接合状態を示す側面図であり、図１４（ｂ）
は、レーザダイオードバー１３２の厚さが絶縁板１３３
の厚さよりも厚い場合の第１の接合状態を示す断面図で
ある。また、図１５（ａ）は、レーザダイオードバー１
３２の厚さが絶縁板１３３の厚さよりも薄い場合の第２
の接合状態を示す断面図であり、図１５（ｂ）は、レー
ザダイオードバー１３２の厚さが絶縁板１３３の厚さよ
りも厚い場合の第２の接合状態を示す断面図である。図
１４（ａ）及び同（ｂ）に示すように接合されると、ア
ッパープレート１３４が傾斜して接合されるため、レー
ザダイオードバー１３２及び絶縁板１３３との間に隙間
が生じる。これにより、均一に半田で接合することがで
きず、大電流を供給することができない。また、図１５
（ａ）及び同（ｂ）に示すように接合されると、それぞ
れ、レーザダイオードバー１３２及び絶縁板１３３の上
面に隙間が生じる。その結果、均一に半田で接合するこ
とができず、大電流を供給することができない。
【０００９】さらに、図１４（ａ）、同（ｂ）及び図１
５（ｂ）に示すように接合されると、アッパープレート
１３４の上面における絶縁板１３３側の破線で囲まれた
部分１３４ａに通電用電極を設置したとしても、積層化
する場合、レーザダイオードバー１３２に荷重が加わ
る。その結果、レーザダイオードバー１３２に歪みが発
生し、レーザダイオードバー１３２の性能に悪影響が出
るという問題がある。
５（ｂ）に示すように接合されると、アッパープレート
１３４の上面における絶縁板１３３側の破線で囲まれた
部分１３４ａに通電用電極を設置したとしても、積層化
する場合、レーザダイオードバー１３２に荷重が加わ
る。その結果、レーザダイオードバー１３２に歪みが発
生し、レーザダイオードバー１３２の性能に悪影響が出
るという問題がある。
【００１０】さらに、近年特にレーザダイオードバーの
大出力化、積層化が求められており、これらに対応する
レーザダイオードバーの発光モジュールが求められてい
る。
大出力化、積層化が求められており、これらに対応する
レーザダイオードバーの発光モジュールが求められてい
る。
【００１１】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、構造を簡略化することによって耐久性を
高めると共に、製造コストの削減を図ることを目的とす
る。また、レーザダイオードバーの大出力化、積層化に
対応することができる発光モジュール及び発光モジュー
ルの組み立て方法を提供することを目的とする。
たものであり、構造を簡略化することによって耐久性を
高めると共に、製造コストの削減を図ることを目的とす
る。また、レーザダイオードバーの大出力化、積層化に
対応することができる発光モジュール及び発光モジュー
ルの組み立て方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発光モジ
ュールの発明は、レーザダイオードバーと、レーザダイ
オードバーに並設された絶縁板と、レーザダイオードバ
ーの一端面に設けられた導電性プレートと、絶縁板に設
けられ、導電性プレートに当接する導電ブロックとを備
える構成を採る。
ュールの発明は、レーザダイオードバーと、レーザダイ
オードバーに並設された絶縁板と、レーザダイオードバ
ーの一端面に設けられた導電性プレートと、絶縁板に設
けられ、導電性プレートに当接する導電ブロックとを備
える構成を採る。
【００１３】このように、導通に金線を用いず、導電性
プレート及び導電ブロックを用いているため、構造を簡
略化することができ、耐久性が高まると共に、製造コス
トの削減を図ることができる。また、導電性プレートを
レーザダイオードバーの一端面（上面）のみに配置する
ことで、導電性プレートがレーザダイオードバーの上面
で傾いたりすることなく、均一に半田等で接合される。
これにより、大電流を供給することができ、レーザダイ
オードバーの大出力化に対応することができる。さら
に、導電ブロックを導電性プレートに当接するように絶
縁板上に配置することで、導電ブロックの絶縁板と反対
側の面に通電用電極を設置したり、複数の発光モジュー
ルを積層しても、レーザダイオードバーに圧縮力が加わ
ることを回避することができる。
プレート及び導電ブロックを用いているため、構造を簡
略化することができ、耐久性が高まると共に、製造コス
トの削減を図ることができる。また、導電性プレートを
レーザダイオードバーの一端面（上面）のみに配置する
ことで、導電性プレートがレーザダイオードバーの上面
で傾いたりすることなく、均一に半田等で接合される。
これにより、大電流を供給することができ、レーザダイ
オードバーの大出力化に対応することができる。さら
に、導電ブロックを導電性プレートに当接するように絶
縁板上に配置することで、導電ブロックの絶縁板と反対
側の面に通電用電極を設置したり、複数の発光モジュー
ルを積層しても、レーザダイオードバーに圧縮力が加わ
ることを回避することができる。
【００１４】請求項２記載の発光モジュールの発明は、
レーザダイオードバーと、絶縁板と、レーザダイオード
バー及び絶縁板が載置されるサブマウントベースと、レ
ーザダイオードバーのサブマウントベースと反対側の面
に設けられた導電性プレートと、絶縁板のサブマウント
ベースと反対側の面に設けられ、導電性プレートに当接
する導電ブロックとを備え、導電ブロックのサブマウン
トベースと反対側の端部からサブマウントベースまでの
距離は、導電性プレートのサブマウントベースと反対側
の端部からサブマウントベースまでの距離よりも大きい
構成を採る。
レーザダイオードバーと、絶縁板と、レーザダイオード
バー及び絶縁板が載置されるサブマウントベースと、レ
ーザダイオードバーのサブマウントベースと反対側の面
に設けられた導電性プレートと、絶縁板のサブマウント
ベースと反対側の面に設けられ、導電性プレートに当接
する導電ブロックとを備え、導電ブロックのサブマウン
トベースと反対側の端部からサブマウントベースまでの
距離は、導電性プレートのサブマウントベースと反対側
の端部からサブマウントベースまでの距離よりも大きい
構成を採る。
【００１５】このように、導電ブロックのサブマウント
ベースと反対側の端部からサブマウントベースまでの距
離は、導電性プレートのサブマウントベースと反対側の
端部からサブマウントベースまでの距離よりも大きいの
で、導電ブロックのサブマウントベースと反対側の面に
他のサブマウントベースを設置し、発光モジュールの積
層化を図ることが可能となる。また、導通に金線を用い
ず、導電性プレート及び導電ブロックを用いているた
め、構造を簡略化することができ、耐久性が高まると共
に、製造コストの削減を図ることができる。また、導電
性プレートをレーザダイオードバーの一端面（上面）の
みに配置することで、導電性プレートがレーザダイオー
ドバーの上面で傾いたりすることなく、均一に半田等で
接合される。これにより、大電流を供給することがで
き、レーザダイオードバーの大出力化に対応することが
できる。さらに、導電ブロックを導電性プレートに当接
するように絶縁板上に配置することで、導電ブロックの
絶縁板と反対側の面に通電用電極を設置したり、複数の
発光モジュールを積層しても、レーザダイオードバーに
圧縮力が加わることを回避することができる。
ベースと反対側の端部からサブマウントベースまでの距
離は、導電性プレートのサブマウントベースと反対側の
端部からサブマウントベースまでの距離よりも大きいの
で、導電ブロックのサブマウントベースと反対側の面に
他のサブマウントベースを設置し、発光モジュールの積
層化を図ることが可能となる。また、導通に金線を用い
ず、導電性プレート及び導電ブロックを用いているた
め、構造を簡略化することができ、耐久性が高まると共
に、製造コストの削減を図ることができる。また、導電
性プレートをレーザダイオードバーの一端面（上面）の
みに配置することで、導電性プレートがレーザダイオー
ドバーの上面で傾いたりすることなく、均一に半田等で
接合される。これにより、大電流を供給することがで
き、レーザダイオードバーの大出力化に対応することが
できる。さらに、導電ブロックを導電性プレートに当接
するように絶縁板上に配置することで、導電ブロックの
絶縁板と反対側の面に通電用電極を設置したり、複数の
発光モジュールを積層しても、レーザダイオードバーに
圧縮力が加わることを回避することができる。
【００１６】請求項３記載の発明は、請求項１又は請求
項２記載の発光モジュールにおいて、導電性プレートと
導電ブロックとが当接する部位に溝が形成されるよう
に、導電性プレート及び導電ブロックの少なくとも一方
に、絶縁板に対して鋭角に傾く傾斜面が設けられている
構成を採る。
項２記載の発光モジュールにおいて、導電性プレートと
導電ブロックとが当接する部位に溝が形成されるよう
に、導電性プレート及び導電ブロックの少なくとも一方
に、絶縁板に対して鋭角に傾く傾斜面が設けられている
構成を採る。
【００１７】この構成により、導電性プレートと導電ブ
ロックとが当接する部位に溝が形成されるので、半田等
を用いて両者を簡単に接合することが可能となる。ま
た、導電性プレートは、導電ブロックと当接しているた
め、半田等が凝固して収縮する際に、水平方向に位置が
ずれることがない。そのため、レーザダイオードバーに
歪みが発生することはない。
ロックとが当接する部位に溝が形成されるので、半田等
を用いて両者を簡単に接合することが可能となる。ま
た、導電性プレートは、導電ブロックと当接しているた
め、半田等が凝固して収縮する際に、水平方向に位置が
ずれることがない。そのため、レーザダイオードバーに
歪みが発生することはない。
【００１８】請求項４記載の発明は、請求項１又は請求
項２記載の発光モジュールにおいて、導電性プレート
は、一端がレーザダイオードバーを有する面と反対の方
向に折れ曲がった曲折部を備え、導電ブロックは、導電
性プレートの曲折部と当接する部位に絶縁板に対して鋭
角に傾く傾斜面を備える構成を採る。
項２記載の発光モジュールにおいて、導電性プレート
は、一端がレーザダイオードバーを有する面と反対の方
向に折れ曲がった曲折部を備え、導電ブロックは、導電
性プレートの曲折部と当接する部位に絶縁板に対して鋭
角に傾く傾斜面を備える構成を採る。
【００１９】このように、曲折部を有する導電性プレー
トを用いることによって、製造コストの削減を図ること
ができる。また、大電流を供給することを妨げず、レー
ザダイオードバーの大出力化に対応することができる。
さらに、導電性プレートに可撓性を有する金属や熱処理
された無酸素銅板を用いれば、積層等により導電ブロッ
クに荷重が加わり絶縁板が圧縮されても、導電性プレー
トが変形してその変位を吸収するので、レーザダイオー
ドバーに歪みが発生することはない。したがって、絶縁
板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、ウレタンゴ
ム等の弾性体も用いることができる。
トを用いることによって、製造コストの削減を図ること
ができる。また、大電流を供給することを妨げず、レー
ザダイオードバーの大出力化に対応することができる。
さらに、導電性プレートに可撓性を有する金属や熱処理
された無酸素銅板を用いれば、積層等により導電ブロッ
クに荷重が加わり絶縁板が圧縮されても、導電性プレー
トが変形してその変位を吸収するので、レーザダイオー
ドバーに歪みが発生することはない。したがって、絶縁
板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、ウレタンゴ
ム等の弾性体も用いることができる。
【００２０】請求項５記載の発明は、請求項１又は請求
項２記載の発光モジュールにおいて、導電ブロックは、
導電性プレートと当接する部位に断面がＬ字状の開口部
を備えている構成を採る。
項２記載の発光モジュールにおいて、導電ブロックは、
導電性プレートと当接する部位に断面がＬ字状の開口部
を備えている構成を採る。
【００２１】このように、導電ブロックは、導電性プレ
ートと当接する部位に断面がＬ字状の開口部を備えてい
るので、概略長方形の導電性プレートを容易に接合する
ことが可能となる。導電性プレートに可撓性を有する金
属や熱処理された無酸素銅板を用いれば、積層等により
導電ブロックに荷重が加わり絶縁板が圧縮されても、導
電性プレートが変形してその変位を吸収するので、レー
ザダイオードバーに歪みが発生することはない。したが
って、絶縁板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、
ウレタンゴム等の弾性体も用いることができる。
ートと当接する部位に断面がＬ字状の開口部を備えてい
るので、概略長方形の導電性プレートを容易に接合する
ことが可能となる。導電性プレートに可撓性を有する金
属や熱処理された無酸素銅板を用いれば、積層等により
導電ブロックに荷重が加わり絶縁板が圧縮されても、導
電性プレートが変形してその変位を吸収するので、レー
ザダイオードバーに歪みが発生することはない。したが
って、絶縁板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、
ウレタンゴム等の弾性体も用いることができる。
【００２２】請求項６記載の発明は、請求項１又は請求
項２記載の発光モジュールにおいて、導電性プレート
は、一端に断面が逆Ｕ字状の湾曲部を備え、導電ブロッ
クは、絶縁板と反対側の面に凹部を備え、湾曲部の端部
と凹部とが当接する構成を採る。
項２記載の発光モジュールにおいて、導電性プレート
は、一端に断面が逆Ｕ字状の湾曲部を備え、導電ブロッ
クは、絶縁板と反対側の面に凹部を備え、湾曲部の端部
と凹部とが当接する構成を採る。
【００２３】このように、一端に断面が逆Ｕ字状の湾曲
部を備えた導電性プレートを用いることによって、導電
性プレートの製造コストの削減を図ることができる。ま
た、大電流を供給することを妨げず、レーザダイオード
バーの大出力化に対応することができる。導電性プレー
トに可撓性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用
いれば、積層等により導電ブロックに荷重が加わり絶縁
板が圧縮されても、導電性プレートが変形してその変位
を吸収するので、レーザダイオードバーに歪みが発生す
ることはない。特に、導電性プレートは、一端が逆Ｕ字
状に成形されているため、この性質が大きい。したがっ
て、絶縁板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、ウ
レタンゴム等の弾性体を用いることができる。
部を備えた導電性プレートを用いることによって、導電
性プレートの製造コストの削減を図ることができる。ま
た、大電流を供給することを妨げず、レーザダイオード
バーの大出力化に対応することができる。導電性プレー
トに可撓性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用
いれば、積層等により導電ブロックに荷重が加わり絶縁
板が圧縮されても、導電性プレートが変形してその変位
を吸収するので、レーザダイオードバーに歪みが発生す
ることはない。特に、導電性プレートは、一端が逆Ｕ字
状に成形されているため、この性質が大きい。したがっ
て、絶縁板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、ウ
レタンゴム等の弾性体を用いることができる。
【００２４】請求項７記載の発光モジュールの組み立て
方法の発明は、レーザダイオードバーと絶縁板とを並設
する工程と、レーザダイオードバーの一端面に導電性プ
レートを設置する工程と、導電性プレートに当接するよ
うに導電ブロックを絶縁板に設ける工程とを含む構成を
採る。
方法の発明は、レーザダイオードバーと絶縁板とを並設
する工程と、レーザダイオードバーの一端面に導電性プ
レートを設置する工程と、導電性プレートに当接するよ
うに導電ブロックを絶縁板に設ける工程とを含む構成を
採る。
【００２５】請求項８記載の発明は、請求項７記載の発
光モジュールの組み立て方法において、レーザダイオー
ドバー及び絶縁板を、サブマウントベース上に設ける工
程を含む構成を採る
光モジュールの組み立て方法において、レーザダイオー
ドバー及び絶縁板を、サブマウントベース上に設ける工
程を含む構成を採る
【００２６】このように、導通に金線を用いず、導電性
プレート及び導電ブロックを用いているため、構造を簡
略化することができ、耐久性が高まると共に、製造コス
トの削減を図ることができる。また、導電性プレートを
レーザダイオードバーの一端面（上面）のみに配置する
ことで、導電性プレートがレーザダイオードバーの上面
で傾いたりすることなく、均一に半田等で接合される。
これにより、大電流を供給することができ、レーザダイ
オードバーの大出力化に対応することができる。さら
に、導電ブロックを導電性プレートに当接するように絶
縁板上に配置することで、導電ブロックの絶縁板と反対
側の面に通電用電極を設置したり、複数の発光モジュー
ルを積層しても、レーザダイオードバーに圧縮力が加わ
ることを回避することができる。
プレート及び導電ブロックを用いているため、構造を簡
略化することができ、耐久性が高まると共に、製造コス
トの削減を図ることができる。また、導電性プレートを
レーザダイオードバーの一端面（上面）のみに配置する
ことで、導電性プレートがレーザダイオードバーの上面
で傾いたりすることなく、均一に半田等で接合される。
これにより、大電流を供給することができ、レーザダイ
オードバーの大出力化に対応することができる。さら
に、導電ブロックを導電性プレートに当接するように絶
縁板上に配置することで、導電ブロックの絶縁板と反対
側の面に通電用電極を設置したり、複数の発光モジュー
ルを積層しても、レーザダイオードバーに圧縮力が加わ
ることを回避することができる。
【００２７】請求項９記載の発明は、請求項７又は請求
項８記載の発光モジュールの組み立て方法において、導
電性プレートと導電ブロックとが当接する部位に溝が形
成されるように、導電性プレート及び導電ブロックの少
なくとも一方に、絶縁板に対して鋭角に傾く傾斜面を設
ける工程を含む構成を採る。
項８記載の発光モジュールの組み立て方法において、導
電性プレートと導電ブロックとが当接する部位に溝が形
成されるように、導電性プレート及び導電ブロックの少
なくとも一方に、絶縁板に対して鋭角に傾く傾斜面を設
ける工程を含む構成を採る。
【００２８】この構成により、導電性プレートと導電ブ
ロックとが当接する部位に溝が形成されるので、半田等
を用いて両者を簡単に接合することが可能となる。ま
た、導電性プレートは、導電ブロックと当接しているた
め、半田等が凝固して収縮する際に、水平方向に位置が
ずれることがない。そのため、レーザダイオードバーに
歪みが発生することはない。
ロックとが当接する部位に溝が形成されるので、半田等
を用いて両者を簡単に接合することが可能となる。ま
た、導電性プレートは、導電ブロックと当接しているた
め、半田等が凝固して収縮する際に、水平方向に位置が
ずれることがない。そのため、レーザダイオードバーに
歪みが発生することはない。
【００２９】請求項１０記載の発明は、請求項７又は請
求項８記載の発光モジュールの組み立て方法において、
導電性プレートの一端に、レーザダイオードバーを有す
る面と反対の方向に折れ曲がる曲折部を設ける工程と、
導電ブロックの導電性プレートの曲折部と当接する部位
に、絶縁板に対して鋭角に傾く傾斜面を設ける工程とを
含む構成を採る。
求項８記載の発光モジュールの組み立て方法において、
導電性プレートの一端に、レーザダイオードバーを有す
る面と反対の方向に折れ曲がる曲折部を設ける工程と、
導電ブロックの導電性プレートの曲折部と当接する部位
に、絶縁板に対して鋭角に傾く傾斜面を設ける工程とを
含む構成を採る。
【００３０】このように、曲折部を有する導電性プレー
トを用いることによって、製造コストの削減を図ること
ができる。また、大電流を供給することを妨げず、レー
ザダイオードバーの大出力化に対応することができる。
さらに、導電性プレートに可撓性を有する金属や熱処理
された無酸素銅板を用いれば、積層等により導電ブロッ
クに荷重が加わり絶縁板が圧縮されても、導電性プレー
トが変形してその変位を吸収するので、レーザダイオー
ドバーに歪みが発生することはない。したがって、絶縁
板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、ウレタンゴ
ム等の弾性体も用いることができる。
トを用いることによって、製造コストの削減を図ること
ができる。また、大電流を供給することを妨げず、レー
ザダイオードバーの大出力化に対応することができる。
さらに、導電性プレートに可撓性を有する金属や熱処理
された無酸素銅板を用いれば、積層等により導電ブロッ
クに荷重が加わり絶縁板が圧縮されても、導電性プレー
トが変形してその変位を吸収するので、レーザダイオー
ドバーに歪みが発生することはない。したがって、絶縁
板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、ウレタンゴ
ム等の弾性体も用いることができる。
【００３１】請求項１１記載の発明は、請求項７又は請
求項８記載の発光モジュールの組み立て方法において、
導電ブロックの導電性プレートと当接する部位に断面が
Ｌ字状の開口部を設ける工程を含む構成を採る。
求項８記載の発光モジュールの組み立て方法において、
導電ブロックの導電性プレートと当接する部位に断面が
Ｌ字状の開口部を設ける工程を含む構成を採る。
【００３２】このように、導電ブロックは、導電性プレ
ートと当接する部位に断面がＬ字状の開口部を備えてい
るので、概略長方形の導電性プレートを容易に接合する
ことが可能となる。導電性プレートに可撓性を有する金
属や熱処理された無酸素銅板を用いれば、積層等により
導電ブロックに荷重が加わり絶縁板が圧縮されても、導
電性プレートが変形してその変位を吸収するので、レー
ザダイオードバーに歪みが発生することはない。したが
って、絶縁板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、
ウレタンゴム等の弾性体も用いることができる。
ートと当接する部位に断面がＬ字状の開口部を備えてい
るので、概略長方形の導電性プレートを容易に接合する
ことが可能となる。導電性プレートに可撓性を有する金
属や熱処理された無酸素銅板を用いれば、積層等により
導電ブロックに荷重が加わり絶縁板が圧縮されても、導
電性プレートが変形してその変位を吸収するので、レー
ザダイオードバーに歪みが発生することはない。したが
って、絶縁板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、
ウレタンゴム等の弾性体も用いることができる。
【００３３】請求項１２記載の発明は、請求項７又は請
求項８記載の発光モジュールの組み立て方法において、
導電性プレートの一端に、断面が逆Ｕ字状の湾曲部を設
ける工程と、導電ブロックの絶縁板と反対側の面に凹部
を設ける工程と、湾曲部の端部と凹部とを係合させる工
程とを含む構成を採る。
求項８記載の発光モジュールの組み立て方法において、
導電性プレートの一端に、断面が逆Ｕ字状の湾曲部を設
ける工程と、導電ブロックの絶縁板と反対側の面に凹部
を設ける工程と、湾曲部の端部と凹部とを係合させる工
程とを含む構成を採る。
【００３４】このように、一端に断面が逆Ｕ字状の湾曲
部を備えた導電性プレートを用いることによって、導電
性プレートの製造コストの削減を図ることができる。ま
た、大電流を供給することを妨げず、レーザダイオード
バーの大出力化に対応することができる。導電性プレー
トに可撓性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用
いれば、積層等により導電ブロックに荷重が加わり絶縁
板が圧縮されても、導電性プレートが変形してその変位
を吸収するので、レーザダイオードバーに歪みが発生す
ることはない。したがって、絶縁板にＡｌＮ等の剛体で
なく、シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性体も用いる
ことができる。特に、導電性プレートは、一端が逆Ｕ字
状に成形されているため、この性質が大きい。したがっ
て、絶縁板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、ウ
レタンゴム等の弾性体を用いることができる。
部を備えた導電性プレートを用いることによって、導電
性プレートの製造コストの削減を図ることができる。ま
た、大電流を供給することを妨げず、レーザダイオード
バーの大出力化に対応することができる。導電性プレー
トに可撓性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用
いれば、積層等により導電ブロックに荷重が加わり絶縁
板が圧縮されても、導電性プレートが変形してその変位
を吸収するので、レーザダイオードバーに歪みが発生す
ることはない。したがって、絶縁板にＡｌＮ等の剛体で
なく、シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性体も用いる
ことができる。特に、導電性プレートは、一端が逆Ｕ字
状に成形されているため、この性質が大きい。したがっ
て、絶縁板にＡｌＮ等の剛体でなく、シリコンゴム、ウ
レタンゴム等の弾性体を用いることができる。
【００３５】請求項１３記載の発明は、請求項１２記載
の発光モジュールの組み立て方法において、湾曲部の端
部と凹部とを係合させる工程は、導電ブロックを絶縁板
上に設置した後、湾曲部を凹部方向に加圧する工程、又
は凹部を湾曲部の端部に当接させた後、導電ブロックを
絶縁板上に設置する工程のいずれか一方を含む構成を採
る。
の発光モジュールの組み立て方法において、湾曲部の端
部と凹部とを係合させる工程は、導電ブロックを絶縁板
上に設置した後、湾曲部を凹部方向に加圧する工程、又
は凹部を湾曲部の端部に当接させた後、導電ブロックを
絶縁板上に設置する工程のいずれか一方を含む構成を採
る。
【００３６】このように、あらかじめ導電ブロックを絶
縁板上に設置した後、湾曲部を凹部方向に加圧すること
によって、また、凹部を湾曲部の端部に当接させた後、
導電ブロックを絶縁板上に設置することによって、容易
に湾曲部の端部と凹部とを係合させることが可能とな
る。
縁板上に設置した後、湾曲部を凹部方向に加圧すること
によって、また、凹部を湾曲部の端部に当接させた後、
導電ブロックを絶縁板上に設置することによって、容易
に湾曲部の端部と凹部とを係合させることが可能とな
る。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。なお、各図において同一要
素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。ま
た、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致して
いない。以下の説明では、図面中、X方向を前側、Ｙ方
向を上側とする。
施の形態について説明する。なお、各図において同一要
素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。ま
た、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致して
いない。以下の説明では、図面中、X方向を前側、Ｙ方
向を上側とする。
【００３８】（実施の形態１）本発明の実施の形態１に
ついて、図１から図３を参照して説明する。図１は、実
施の形態１に係る発光モジュール１の斜視図であり、Ｘ
方向を前側とする。図２は、図１におけるＡ−Ａ線で切
断した断面図であり、図３は、導電ブロック接合前の状
態を示す断面図である。
ついて、図１から図３を参照して説明する。図１は、実
施の形態１に係る発光モジュール１の斜視図であり、Ｘ
方向を前側とする。図２は、図１におけるＡ−Ａ線で切
断した断面図であり、図３は、導電ブロック接合前の状
態を示す断面図である。
【００３９】これらの図に示すように、サブマウントベ
ース２の上面には、レーザダイオードバー３と絶縁板４
とが隙間５を空けて並設され、各々半田により接合され
ている。ここでサブマウントベース２はレーザダオード
バー３からの発熱を十分放熱し、かつレーザダイオード
バー３と電気的に接続する為に、熱伝導性に優れ、かつ
導電性を有する材料、例えば銅、銅タングステン、モリ
ブデン等からなる構成される。また、レーザダイオード
バー３の上面には、例えば、銅等からなる導電性プレー
トとしてのアッパープレート６が半田により接合されて
いる。さらに、銅等からなる導電ブロック７が、絶縁板
４の上面にアッパープレート６と当接するように設置さ
れ、半田により接合されている。
ース２の上面には、レーザダイオードバー３と絶縁板４
とが隙間５を空けて並設され、各々半田により接合され
ている。ここでサブマウントベース２はレーザダオード
バー３からの発熱を十分放熱し、かつレーザダイオード
バー３と電気的に接続する為に、熱伝導性に優れ、かつ
導電性を有する材料、例えば銅、銅タングステン、モリ
ブデン等からなる構成される。また、レーザダイオード
バー３の上面には、例えば、銅等からなる導電性プレー
トとしてのアッパープレート６が半田により接合されて
いる。さらに、銅等からなる導電ブロック７が、絶縁板
４の上面にアッパープレート６と当接するように設置さ
れ、半田により接合されている。
【００４０】サブマウントベース２は、上面から見た場
合、左右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をな
しており、左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と
概略同一である。また、サブマウントベース２は、図示
しないヒートシンク等の上に半田により接合される。
合、左右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をな
しており、左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と
概略同一である。また、サブマウントベース２は、図示
しないヒートシンク等の上に半田により接合される。
【００４１】レーザダイオードバー３は、複数のレーザ
ダイオードが連接された、出射面上に複数のレーザ出射
点が設けられた構造を有し、Ｘ方向にレーザ光を出射す
る。
ダイオードが連接された、出射面上に複数のレーザ出射
点が設けられた構造を有し、Ｘ方向にレーザ光を出射す
る。
【００４２】絶縁板４は、上面から見た場合、左右幅が
前後幅に対して長寸となる概略長方形をなしており、左
右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略同一であ
る。また、高さはレーザーダイオードバー３の高さに対
して低寸となっている。
前後幅に対して長寸となる概略長方形をなしており、左
右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略同一であ
る。また、高さはレーザーダイオードバー３の高さに対
して低寸となっている。
【００４３】アッパープレート６は、上面から見た場
合、左右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をな
している。左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と
概略同一であり、前後幅は、レーザダイオードバー３及
び隙間５の前後幅を合わせたものに対して長寸となって
いる。アッパプレート６は、前端面がレーザダイオード
バー３の前端面に概略そろえて設置されているので、後
端面６ａは、隙間５を超えて絶縁板４上に突出してい
る。また、アッパープレート６には、上面から後端面６
ａにわたって、切欠かれて形成された傾斜面６ｂが設け
られている。傾斜面６ｂの左右幅は、アッパープレート
６の左右幅に対して短寸となっている。
合、左右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をな
している。左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と
概略同一であり、前後幅は、レーザダイオードバー３及
び隙間５の前後幅を合わせたものに対して長寸となって
いる。アッパプレート６は、前端面がレーザダイオード
バー３の前端面に概略そろえて設置されているので、後
端面６ａは、隙間５を超えて絶縁板４上に突出してい
る。また、アッパープレート６には、上面から後端面６
ａにわたって、切欠かれて形成された傾斜面６ｂが設け
られている。傾斜面６ｂの左右幅は、アッパープレート
６の左右幅に対して短寸となっている。
【００４４】導電ブロック７は、上面から見た場合、左
右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をなしてい
る。左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略同
一であり、前後幅は絶縁板４の左右幅に対して短寸とな
っている。また、導電ブロック７には、上面から前端面
７ａにわたって切欠かれて形成された傾斜面７ｂが設け
られている。さらに、導電ブロック７を絶縁板４の上面
に設置したときに、導電ブロック７の上面の高さはアッ
パープレート６の上面の高さよりも高く、導電ブロック
７の傾斜面７ｂの下端の高さは、前記アッパープレート
６に設けられた傾斜面６ｂの下端の高さと概略同一とな
っている。また、傾斜面７ｂの左右幅は、傾斜面６ｂの
左右幅と概略同一である。
右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をなしてい
る。左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略同
一であり、前後幅は絶縁板４の左右幅に対して短寸とな
っている。また、導電ブロック７には、上面から前端面
７ａにわたって切欠かれて形成された傾斜面７ｂが設け
られている。さらに、導電ブロック７を絶縁板４の上面
に設置したときに、導電ブロック７の上面の高さはアッ
パープレート６の上面の高さよりも高く、導電ブロック
７の傾斜面７ｂの下端の高さは、前記アッパープレート
６に設けられた傾斜面６ｂの下端の高さと概略同一とな
っている。また、傾斜面７ｂの左右幅は、傾斜面６ｂの
左右幅と概略同一である。
【００４５】次に、図２及び図３を参照して、導電ブロ
ック７の接続方法について説明する。図３に示すよう
に、導電ブロック７は、前端面７ａを矢印Ａの方向に向
けて、当該前端面７ａがアッパープレート６の後端面６
ａに当接するように、絶縁板４の上面に設置される。こ
れにより、傾斜面６ｂと傾斜面７ｂとで、左右方向にわ
たって断面Ｖ字状の半田溜り８が形成される。
ック７の接続方法について説明する。図３に示すよう
に、導電ブロック７は、前端面７ａを矢印Ａの方向に向
けて、当該前端面７ａがアッパープレート６の後端面６
ａに当接するように、絶縁板４の上面に設置される。こ
れにより、傾斜面６ｂと傾斜面７ｂとで、左右方向にわ
たって断面Ｖ字状の半田溜り８が形成される。
【００４６】このとき、予め絶縁板４の上面及び導電ブ
ロック７の下面に、半田を蒸着しておく。この半田の融
点は、サブマウントベース２，レーザダイオードバー
３，絶縁板４及びアッパープレート６を接合する際に用
いた半田の融点よりも低いことはもちろんである。な
お、絶縁板４の上面と導電ブロック７の下面とを、接着
剤により固定することも可能である。この場合、半田９
の融点に耐える接着剤が必要であるが、Ｓｉ系の接着剤
であれば満足される。
ロック７の下面に、半田を蒸着しておく。この半田の融
点は、サブマウントベース２，レーザダイオードバー
３，絶縁板４及びアッパープレート６を接合する際に用
いた半田の融点よりも低いことはもちろんである。な
お、絶縁板４の上面と導電ブロック７の下面とを、接着
剤により固定することも可能である。この場合、半田９
の融点に耐える接着剤が必要であるが、Ｓｉ系の接着剤
であれば満足される。
【００４７】次に、図２に示すように、半田溜り８に、
前記の蒸着した半田と概略同一の融点を持つ半田９を挿
入し、加熱して導電ブロック７の接合を行う。このとき
アッパープレート６は、その後端面６ａにおいて導電ブ
ロック７の前端面７ａと当接しているため、半田９が凝
固して収縮する際に、水平方向に位置がずれることがな
い。そのため、レーザダイオードバー３に歪みが発生す
ることはない。なお、半田９は、球，線，箔等いずれの
形状でも良い。
前記の蒸着した半田と概略同一の融点を持つ半田９を挿
入し、加熱して導電ブロック７の接合を行う。このとき
アッパープレート６は、その後端面６ａにおいて導電ブ
ロック７の前端面７ａと当接しているため、半田９が凝
固して収縮する際に、水平方向に位置がずれることがな
い。そのため、レーザダイオードバー３に歪みが発生す
ることはない。なお、半田９は、球，線，箔等いずれの
形状でも良い。
【００４８】このように、導通に金線を用いず、アッパ
ープレート６及び導電ブロック７を用いているため、構
造を簡略化することができ耐久性が高まると共に、製造
コストの削減を図ることができる。また、アッパープレ
ート６をレーザダイオードバー３の上面のみに配置する
ことで、アッパープレート６がレーザダイオードバー３
の上面で傾いたりすることなく、均一に半田で接合され
る。これにより、大電流を供給することができ、レーザ
ダイオードバー３の大出力化に対応することができる。
さらに、導電ブロック７を絶縁板４の上面に配置するこ
とで、導電ブロック７の上面に通電用電極を設置した
り、複数の発光モジュール１を積層しても、レーザダイ
オードバー３に圧縮力が加わることを回避することがで
きる。
ープレート６及び導電ブロック７を用いているため、構
造を簡略化することができ耐久性が高まると共に、製造
コストの削減を図ることができる。また、アッパープレ
ート６をレーザダイオードバー３の上面のみに配置する
ことで、アッパープレート６がレーザダイオードバー３
の上面で傾いたりすることなく、均一に半田で接合され
る。これにより、大電流を供給することができ、レーザ
ダイオードバー３の大出力化に対応することができる。
さらに、導電ブロック７を絶縁板４の上面に配置するこ
とで、導電ブロック７の上面に通電用電極を設置した
り、複数の発光モジュール１を積層しても、レーザダイ
オードバー３に圧縮力が加わることを回避することがで
きる。
【００４９】（実施の形態２）次に、本発明の実施の形
態２について、図４を参照して説明する。図４は、第２
の実施の形態に係る発光モジュール１０の断面図であ
る。図１に示される実施の形態１と異なる点は、アッパ
ープレートの形状である。
態２について、図４を参照して説明する。図４は、第２
の実施の形態に係る発光モジュール１０の断面図であ
る。図１に示される実施の形態１と異なる点は、アッパ
ープレートの形状である。
【００５０】アッパープレート１６は、後端を概略９０
度上方に曲げられ、左右方向にわたって断面Ｌ字状に成
形された金属板であり、左右幅は導電ブロック７の傾斜
面７ｂの左右幅に対して短寸となっている。また、アッ
パープレート１６の下面の高さは導電ブロック７の傾斜
面７ｂの下端の高さよりも高くなっており、後端縁の高
さは導電ブロック７の上面の高さより低くなっている。
度上方に曲げられ、左右方向にわたって断面Ｌ字状に成
形された金属板であり、左右幅は導電ブロック７の傾斜
面７ｂの左右幅に対して短寸となっている。また、アッ
パープレート１６の下面の高さは導電ブロック７の傾斜
面７ｂの下端の高さよりも高くなっており、後端縁の高
さは導電ブロック７の上面の高さより低くなっている。
【００５１】図４に示すように、導電ブロック７は、傾
斜面７ｂがアッパープレート１６の折り曲げ部と当接す
るように絶縁板４の上面に設置され、これにより、半田
溜り１８が形成される。次に、当該半田溜り１８に半田
９を挿入し、加熱して導電ブロック７の接合を行う。
斜面７ｂがアッパープレート１６の折り曲げ部と当接す
るように絶縁板４の上面に設置され、これにより、半田
溜り１８が形成される。次に、当該半田溜り１８に半田
９を挿入し、加熱して導電ブロック７の接合を行う。
【００５２】このように、断面Ｌ字状に成形された金属
板のアッパープレート１６を用いることによって、さら
に、アッパープレートの製造コストの削減を図ることが
できる。また、金属板であるから大電流を供給すること
を妨げず、レーザダイオードバー３の大出力化に対応す
ることができる。さらに、アッパープレート１６に可撓
性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用いれば、
積層等により導電ブロック７に荷重が加わり絶縁板４が
圧縮されても、アッパープレート１６が変形してその変
位を吸収するので、レーザダイオードバー３に歪みが発
生することはない。したがって、絶縁板４にＡｌＮ等の
剛体でなく、シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性体を
用いることができる。
板のアッパープレート１６を用いることによって、さら
に、アッパープレートの製造コストの削減を図ることが
できる。また、金属板であるから大電流を供給すること
を妨げず、レーザダイオードバー３の大出力化に対応す
ることができる。さらに、アッパープレート１６に可撓
性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用いれば、
積層等により導電ブロック７に荷重が加わり絶縁板４が
圧縮されても、アッパープレート１６が変形してその変
位を吸収するので、レーザダイオードバー３に歪みが発
生することはない。したがって、絶縁板４にＡｌＮ等の
剛体でなく、シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性体を
用いることができる。
【００５３】（実施の形態３）次に、本発明の実施の形
態３について、図５及び図６を参照して説明する。図５
は、実施の形態３に係る発光モジュール２０の断面図で
あり、図６は、半田溶融時の状態を示す断面図である。
図１に示される実施の形態１と異なる点は、アッパープ
レートの形状と導電ブロックの形状及びそれらの接続方
法である。
態３について、図５及び図６を参照して説明する。図５
は、実施の形態３に係る発光モジュール２０の断面図で
あり、図６は、半田溶融時の状態を示す断面図である。
図１に示される実施の形態１と異なる点は、アッパープ
レートの形状と導電ブロックの形状及びそれらの接続方
法である。
【００５４】図５に示すように、アッパープレート２６
は、上面から見た場合、左右幅が前後幅に対して長寸と
なる概略長方形をなした金属板であり、左右幅は、後述
する導電ブロック２７の壁面２７ａの左右幅に対して短
寸となっている。
は、上面から見た場合、左右幅が前後幅に対して長寸と
なる概略長方形をなした金属板であり、左右幅は、後述
する導電ブロック２７の壁面２７ａの左右幅に対して短
寸となっている。
【００５５】導電ブロック２７は、上面から見た場合、
左右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をなして
いる。左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略
同一であり、前後幅は絶縁板４の前後幅と概略同一であ
る。また、導電ブロック２７は、上面から前端面にわた
って、概略鉛直な壁面２７ａと概略水平な底面２７ｂか
らなる切欠き部２７ｃを有する。さらに、導電ブロック
２７を絶縁板４の上面に設置したときに、導電ブロック
２７の底面２７ｂの高さは前記アッパープレート２６の
下面の高さよりも低くなっており、導電ブロック２７の
上面の高さは前記アッパープレート２６の上面の高さよ
りも高くなっている。
左右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をなして
いる。左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略
同一であり、前後幅は絶縁板４の前後幅と概略同一であ
る。また、導電ブロック２７は、上面から前端面にわた
って、概略鉛直な壁面２７ａと概略水平な底面２７ｂか
らなる切欠き部２７ｃを有する。さらに、導電ブロック
２７を絶縁板４の上面に設置したときに、導電ブロック
２７の底面２７ｂの高さは前記アッパープレート２６の
下面の高さよりも低くなっており、導電ブロック２７の
上面の高さは前記アッパープレート２６の上面の高さよ
りも高くなっている。
【００５６】次に、図６により、導電ブロック２７の接
続方法について説明する。図６に示すように、導電ブロ
ック２７を、壁面２７ａがアッパープレート２６の後端
縁と当接するように絶縁板４の上面に設置し、レーザダ
イオードバー３を上方にして発光モジュール２０を傾斜
した状態で保持する。これにより、半田溜り２８が形成
される。次に、当該半田溜り２８に半田９を挿入し、加
熱して導電ブロック２７の接合を行う。
続方法について説明する。図６に示すように、導電ブロ
ック２７を、壁面２７ａがアッパープレート２６の後端
縁と当接するように絶縁板４の上面に設置し、レーザダ
イオードバー３を上方にして発光モジュール２０を傾斜
した状態で保持する。これにより、半田溜り２８が形成
される。次に、当該半田溜り２８に半田９を挿入し、加
熱して導電ブロック２７の接合を行う。
【００５７】このように、概略長方形の金属板のアッパ
ープレート２６を用いることによって、さらに、アッパ
ープレートの製造コストの削減を図ることができる。ま
た、金属板であるから大電流を供給することを妨げず、
レーザダイオードバー３の大出力化に対応することがで
きる。さらに、アッパープレート２６に可撓性を有する
金属や熱処理された無酸素銅板を用いれば、積層等によ
り導電ブロック２７に荷重が加わり絶縁板が圧縮されて
も、アッパープレート２６が変形してその変位を吸収す
るので、レーザダイオードバー３に歪みが発生すること
はない。したがって、絶縁板４にＡｌＮ等の剛体でな
く、シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性体を用いるこ
とができる。
ープレート２６を用いることによって、さらに、アッパ
ープレートの製造コストの削減を図ることができる。ま
た、金属板であるから大電流を供給することを妨げず、
レーザダイオードバー３の大出力化に対応することがで
きる。さらに、アッパープレート２６に可撓性を有する
金属や熱処理された無酸素銅板を用いれば、積層等によ
り導電ブロック２７に荷重が加わり絶縁板が圧縮されて
も、アッパープレート２６が変形してその変位を吸収す
るので、レーザダイオードバー３に歪みが発生すること
はない。したがって、絶縁板４にＡｌＮ等の剛体でな
く、シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性体を用いるこ
とができる。
【００５８】（実施の形態４）次に、本発明の実施の形
態４について、図７及び図８を参照して説明する。図７
は、実施の形態４に係る発光モジュール３０の断面図で
あり、図８は、アッパープレート変形前の状態を示す断
面図である。図１に示される実施の形態１と異なる点
は、アッパープレートの形状と導電ブロックの形状及び
それらの接続方法である。
態４について、図７及び図８を参照して説明する。図７
は、実施の形態４に係る発光モジュール３０の断面図で
あり、図８は、アッパープレート変形前の状態を示す断
面図である。図１に示される実施の形態１と異なる点
は、アッパープレートの形状と導電ブロックの形状及び
それらの接続方法である。
【００５９】図７に示すように、アッパープレート３６
は、後端を左右方向にわたって断面逆Ｕ字状に成形され
た金属板であり、左右幅は、後述する導電ブロック３７
の凹部３７ａの底面３７ｂに対して短寸となっている。
は、後端を左右方向にわたって断面逆Ｕ字状に成形され
た金属板であり、左右幅は、後述する導電ブロック３７
の凹部３７ａの底面３７ｂに対して短寸となっている。
【００６０】導電ブロック３７は、上面から見た場合、
左右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をなして
いる。左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略
同一であり、前後幅は絶縁板４の前後幅と概略同一であ
る。また、導電ブロック３７は、前面側に、凹部３７ａ
を有する。凹部３７ａの底面３７ｂは概略水平であり、
前記アッパープレート３６の後端縁の高さよりも低くな
っている。
左右幅が前後幅に対して長寸となる概略長方形をなして
いる。左右幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略
同一であり、前後幅は絶縁板４の前後幅と概略同一であ
る。また、導電ブロック３７は、前面側に、凹部３７ａ
を有する。凹部３７ａの底面３７ｂは概略水平であり、
前記アッパープレート３６の後端縁の高さよりも低くな
っている。
【００６１】次に、図８により、導電ブロック３７の接
続方法について説明する。図８に示すように、導電ブロ
ック３７を絶縁板４の上面に設置する。次に、アッパー
プレート３６の逆Ｕ字部に矢印方向の概略鉛直下向きに
荷重を加え、アッパープレート３６の後端縁が導電ブロ
ック３７の凹部３７ａの底面３７ｂに当接するように変
形させる。これにより、図７に示すように、半田溜り３
８が形成される。このとき、アッパープレート３６の逆
Ｕ字部の頂点３６ａの高さは、導電ブロック３７の上面
の高さよりも低くなっている。次に、半田溜り３８に半
田９を挿入し、加熱して導電ブロック３７の接合を行
う。
続方法について説明する。図８に示すように、導電ブロ
ック３７を絶縁板４の上面に設置する。次に、アッパー
プレート３６の逆Ｕ字部に矢印方向の概略鉛直下向きに
荷重を加え、アッパープレート３６の後端縁が導電ブロ
ック３７の凹部３７ａの底面３７ｂに当接するように変
形させる。これにより、図７に示すように、半田溜り３
８が形成される。このとき、アッパープレート３６の逆
Ｕ字部の頂点３６ａの高さは、導電ブロック３７の上面
の高さよりも低くなっている。次に、半田溜り３８に半
田９を挿入し、加熱して導電ブロック３７の接合を行
う。
【００６２】このように、後端が断面逆Ｕ字状に成形さ
れた金属板のアッパープレート３６を用いることによっ
て、さらに、アッパープレートの製造コストの削減を図
ることができる。また、金属板であるから大電流を供給
することを妨げず、レーザダイオードバー３の大出力化
に対応することができる。さらに、アッパープレート３
６に可撓性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用
いれば、積層等により導電ブロック３７に荷重が加わり
絶縁板４が圧縮されても、アッパープレート３６が変形
してその変位を吸収するので、レーザダイオードバー３
に歪みが発生することはない。特に、アッパープレート
３６は、後端が逆Ｕ字状に成形された金属板であるた
め、この性質が大きい。したがって、絶縁板４にＡｌＮ
等の剛体でなく、シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性
体を用いることができる。
れた金属板のアッパープレート３６を用いることによっ
て、さらに、アッパープレートの製造コストの削減を図
ることができる。また、金属板であるから大電流を供給
することを妨げず、レーザダイオードバー３の大出力化
に対応することができる。さらに、アッパープレート３
６に可撓性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用
いれば、積層等により導電ブロック３７に荷重が加わり
絶縁板４が圧縮されても、アッパープレート３６が変形
してその変位を吸収するので、レーザダイオードバー３
に歪みが発生することはない。特に、アッパープレート
３６は、後端が逆Ｕ字状に成形された金属板であるた
め、この性質が大きい。したがって、絶縁板４にＡｌＮ
等の剛体でなく、シリコンゴム、ウレタンゴム等の弾性
体を用いることができる。
【００６３】（実施の形態５）次に、本発明の実施の形
態５について、図９及び図１０を参照して説明する。図
９は、実施の形態５に係る発光モジュール４０の断面図
であり、図１０は、導電ブロック３７の接続の状態を示
す断面図である。図７に示される実施の形態４と異なる
点は、アッパープレートの形状と絶縁板の形状及びアッ
パープレートと導電ブロックの接続方法である。
態５について、図９及び図１０を参照して説明する。図
９は、実施の形態５に係る発光モジュール４０の断面図
であり、図１０は、導電ブロック３７の接続の状態を示
す断面図である。図７に示される実施の形態４と異なる
点は、アッパープレートの形状と絶縁板の形状及びアッ
パープレートと導電ブロックの接続方法である。
【００６４】図９に示すように、アッパープレート４６
は、後端を左右方向にわたって断面逆Ｕ字状に成形され
た金属板であり、左右幅は、導電ブロック３７の凹部３
７ａの底面３７ｂに対して短寸となっている。また、後
端縁の高さは、導電ブロック３７を絶縁板４４の上面に
設置したときの凹部３７ａの底面３７ｂと概略同一とな
っており、逆Ｕ字部の頂点４６ａの高さは、導電ブロッ
ク３７の上面の高さよりも低くなっている。
は、後端を左右方向にわたって断面逆Ｕ字状に成形され
た金属板であり、左右幅は、導電ブロック３７の凹部３
７ａの底面３７ｂに対して短寸となっている。また、後
端縁の高さは、導電ブロック３７を絶縁板４４の上面に
設置したときの凹部３７ａの底面３７ｂと概略同一とな
っており、逆Ｕ字部の頂点４６ａの高さは、導電ブロッ
ク３７の上面の高さよりも低くなっている。
【００６５】絶縁板４４は、上面から見て、左右幅が前
後幅に対して長寸となる概略長方形をなしており、左右
幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略同一であ
る。また、前後幅は導電ブロック３７の前後幅に対して
短寸となっている。
後幅に対して長寸となる概略長方形をなしており、左右
幅はレーザダイオードバー３の左右幅と概略同一であ
る。また、前後幅は導電ブロック３７の前後幅に対して
短寸となっている。
【００６６】次に、図１０により、導電ブロック３７の
接続方法について説明する。図１０に示すように、導電
ブロック３７を前端面が下方になるように傾斜して保持
し、導電ブロック３７の凹部３７ａにアッパープレート
４６の後端縁を潜り込ませる。次に、導電ブロック３７
を矢印方向に右回転して、絶縁板４４の上面に設置す
る。これにより、アッパープレート４６の後端縁と導電
ブロック３７の凹部３７ａの底面３７ｂが当接して、半
田溜り４８が形成される。次に、半田溜り４８に半田９
を挿入し、加熱して導電ブロックの接合を行う。
接続方法について説明する。図１０に示すように、導電
ブロック３７を前端面が下方になるように傾斜して保持
し、導電ブロック３７の凹部３７ａにアッパープレート
４６の後端縁を潜り込ませる。次に、導電ブロック３７
を矢印方向に右回転して、絶縁板４４の上面に設置す
る。これにより、アッパープレート４６の後端縁と導電
ブロック３７の凹部３７ａの底面３７ｂが当接して、半
田溜り４８が形成される。次に、半田溜り４８に半田９
を挿入し、加熱して導電ブロックの接合を行う。
【００６７】このように、後端が断面逆Ｕ字状に成形さ
れた金属板のアッパープレート４６を用いることによっ
て、さらに、アッパープレートの製造コストの削減を図
ることができる。また、金属板であるから大電流を供給
することを妨げず、レーザダイオードバー３の大出力化
に対応することができる。さらに、アッパープレート４
６に可撓性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用
いれば、積層等により導電ブロック３７に荷重が加わり
絶縁板４４が圧縮されても、アッパープレート４６が変
形してその変位を吸収するので、レーザダイオードバー
３に歪みが発生することはない。特に、アッパープレー
ト４６は、後端が逆Ｕ字状に成形された金属板であるた
め、この性質が大きい。したがって、絶縁板４４にＡｌ
Ｎ等の剛体でなく、シリコン等の弾性体を用いることが
できる。
れた金属板のアッパープレート４６を用いることによっ
て、さらに、アッパープレートの製造コストの削減を図
ることができる。また、金属板であるから大電流を供給
することを妨げず、レーザダイオードバー３の大出力化
に対応することができる。さらに、アッパープレート４
６に可撓性を有する金属や熱処理された無酸素銅板を用
いれば、積層等により導電ブロック３７に荷重が加わり
絶縁板４４が圧縮されても、アッパープレート４６が変
形してその変位を吸収するので、レーザダイオードバー
３に歪みが発生することはない。特に、アッパープレー
ト４６は、後端が逆Ｕ字状に成形された金属板であるた
め、この性質が大きい。したがって、絶縁板４４にＡｌ
Ｎ等の剛体でなく、シリコン等の弾性体を用いることが
できる。
【００６８】なお、前記実施の形態では、レーザダイオ
ードバーをサブマウントベースに接合する場合を示した
が、サブマウントベースを用いず、レーザダイオードバ
ーを直接ヒートシンクに接合することや、さらに、複数
の発光モジュールを積層することも可能である。
ードバーをサブマウントベースに接合する場合を示した
が、サブマウントベースを用いず、レーザダイオードバ
ーを直接ヒートシンクに接合することや、さらに、複数
の発光モジュールを積層することも可能である。
【００６９】
【発明の効果】本発明に係る発光モジュールは、レーザ
ダイオードバーと、レーザダイオードバーに並設された
絶縁板と、レーザダイオードバーの一端面に設けられた
導電性プレートと、絶縁板に設けられ、導電性プレート
に当接する導電ブロックとを備える構成を採る。
ダイオードバーと、レーザダイオードバーに並設された
絶縁板と、レーザダイオードバーの一端面に設けられた
導電性プレートと、絶縁板に設けられ、導電性プレート
に当接する導電ブロックとを備える構成を採る。
【００７０】このように、導通に金線を用いず、導電性
プレート及び導電ブロックを用いているため、構造を簡
略化することができ、耐久性が高まると共に、製造コス
トの削減を図ることができる。また、導電性プレートを
レーザダイオードバーの一端面（上面）のみに配置する
ことで、導電性プレートがレーザダイオードバーの上面
で傾いたりすることなく、均一に半田等で接合される。
これにより、大電流を供給することができ、レーザダイ
オードバーの大出力化に対応することができる。さら
に、導電ブロックを導電性プレートに当接するように絶
縁板上に配置することで、導電ブロックの絶縁板と反対
側の面に通電用電極を設置したり、複数の発光モジュー
ルを積層しても、レーザダイオードバーに圧縮力が加わ
ることを回避することができる。
プレート及び導電ブロックを用いているため、構造を簡
略化することができ、耐久性が高まると共に、製造コス
トの削減を図ることができる。また、導電性プレートを
レーザダイオードバーの一端面（上面）のみに配置する
ことで、導電性プレートがレーザダイオードバーの上面
で傾いたりすることなく、均一に半田等で接合される。
これにより、大電流を供給することができ、レーザダイ
オードバーの大出力化に対応することができる。さら
に、導電ブロックを導電性プレートに当接するように絶
縁板上に配置することで、導電ブロックの絶縁板と反対
側の面に通電用電極を設置したり、複数の発光モジュー
ルを積層しても、レーザダイオードバーに圧縮力が加わ
ることを回避することができる。
【図１】実施の形態１に係る発光モジュールの斜視図で
ある。
ある。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線で切断した断面図であ
る。
る。
【図３】導電ブロックの接合前の状態を示す断面図であ
る。
る。
【図４】実施の形態２に係る発光モジュールの断面図で
ある。
ある。
【図５】実施の形態３に係る発光モジュールの断面図で
ある。
ある。
【図６】半田溶融時の状態を示す断面図である。
【図７】実施の形態４に係る発光モジュールの断面図で
ある。
ある。
【図８】アッパープレート変形前の状態を示す断面図で
ある。
ある。
【図９】実施の形態５に係る発光モジュールの断面図で
ある。
ある。
【図１０】導電ブロックの接続の状態を示す断面図であ
る。
る。
【図１１】第１の従来例に係る発光モジュールの斜視図
である。
である。
【図１２】第２の従来例に係る発光モジュールの斜視図
である。
である。
【図１３】第３の従来例に係る発光モジュールの斜視図
である。
である。
【図１４】（ａ） レーザダイオードバーの厚さが絶縁
板の厚さよりも薄い場合の第１の接合状態を示す側面図
である。 （ｂ） レーザダイオードバーの厚さが絶縁板の厚さよ
りも厚い場合の第１の接合状態を示す断面図である。
板の厚さよりも薄い場合の第１の接合状態を示す側面図
である。 （ｂ） レーザダイオードバーの厚さが絶縁板の厚さよ
りも厚い場合の第１の接合状態を示す断面図である。
【図１５】（ａ） レーザダイオードバーの厚さが絶縁
板の厚さよりも薄い場合の第２の接合状態を示す断面図
である。 （ｂ） レーザダイオードバーの厚さが絶縁板の厚さよ
りも厚い場合の第２の接合状態を示す断面図である。
板の厚さよりも薄い場合の第２の接合状態を示す断面図
である。 （ｂ） レーザダイオードバーの厚さが絶縁板の厚さよ
りも厚い場合の第２の接合状態を示す断面図である。
１…発光モジュール、２…サブマウントベース、３…レ
ーザーダイオードバー、４…絶縁板、５…隙間、６…ア
ッパープレート、６ａ…後端面、６ｂ…傾斜面、７…導
電ブロック、７ａ…前端面、７ｂ…傾斜面、８…半田溜
り、９…半田、１０…発光モジュール、１６…アッパー
プレート、１８…半田溜り、２０…発光モジュール、２
６…アッパープレート、２７…導電ブロック、２７ａ…
壁面、２７ｂ…底面、２７ｃ…切欠き部、２８…半田溜
り、３０…発光モジュール、３６…アッパープレート、
３６ａ…頂点、３７…導電ブロック、３７ａ…凹部、３
７ｂ…底面、３８…半田溜り、４０…発光モジュール、
４４…絶縁板、４６…アッパープレート、４６ａ…頂
点、４８…半田溜り、１１１…サブマウントベース、１
１２…レーザダイオードバー、１１３…アッパープレー
ト、１１３ａ…通電用電極設置部、１２１…サブマウン
トベース、１２２…レーザダイオードバー、１２３…絶
縁板、１２４…アッパープレート、１２４ａ…通電用電
極設置部、１２５…金線、１３１…サブマウントベー
ス、１３２…レーザダイオードバー、１３３…絶縁板、
１３４…アッパープレート、１３４ａ…通電用電極設置
部。
ーザーダイオードバー、４…絶縁板、５…隙間、６…ア
ッパープレート、６ａ…後端面、６ｂ…傾斜面、７…導
電ブロック、７ａ…前端面、７ｂ…傾斜面、８…半田溜
り、９…半田、１０…発光モジュール、１６…アッパー
プレート、１８…半田溜り、２０…発光モジュール、２
６…アッパープレート、２７…導電ブロック、２７ａ…
壁面、２７ｂ…底面、２７ｃ…切欠き部、２８…半田溜
り、３０…発光モジュール、３６…アッパープレート、
３６ａ…頂点、３７…導電ブロック、３７ａ…凹部、３
７ｂ…底面、３８…半田溜り、４０…発光モジュール、
４４…絶縁板、４６…アッパープレート、４６ａ…頂
点、４８…半田溜り、１１１…サブマウントベース、１
１２…レーザダイオードバー、１１３…アッパープレー
ト、１１３ａ…通電用電極設置部、１２１…サブマウン
トベース、１２２…レーザダイオードバー、１２３…絶
縁板、１２４…アッパープレート、１２４ａ…通電用電
極設置部、１２５…金線、１３１…サブマウントベー
ス、１３２…レーザダイオードバー、１３３…絶縁板、
１３４…アッパープレート、１３４ａ…通電用電極設置
部。
Claims (13)
- 【請求項１】 レーザダイオードバーと、 前記レーザダイオードバーに並設された絶縁板と、 前記レーザダイオードバーの一端面に設けられた導電性
プレートと、 前記絶縁板に設けられ、前記導電性プレートに当接する
導電ブロックとを備えることを特徴とする発光モジュー
ル。 - 【請求項２】 レーザダイオードバーと、 絶縁板と、 前記レーザダイオードバー及び前記絶縁板が載置される
サブマウントベースと、 前記レーザダイオードバーの前記サブマウントベースと
反対側の面に設けられた導電性プレートと、 前記絶縁板の前記サブマウントベースと反対側の面に設
けられ、前記導電性プレートに当接する導電ブロックと
を備え、 前記導電ブロックの前記サブマウントベースと反対側の
端部から前記サブマウントベースまでの距離は、前記導
電性プレートの前記サブマウントベースと反対側の端部
から前記サブマウントベースまでの距離よりも大きいこ
とを特徴とする発光モジュール。 - 【請求項３】 前記導電性プレートと前記導電ブロック
とが当接する部位に溝が形成されるように、前記導電性
プレート及び前記導電ブロックの少なくとも一方に、傾
斜面が設けられていることを特徴とする請求項１又は請
求項２記載の発光モジュール。 - 【請求項４】 前記導電性プレートは、一端が前記レー
ザダイオードバーを有する面と反対の方向に折れ曲がっ
た曲折部を備え、 前記導電ブロックは、前記導電性プレートの曲折部と当
接する部位に傾斜面を備えることを特徴とする請求項１
又は請求項２記載の発光モジュール。 - 【請求項５】 前記導電ブロックは、前記導電性プレー
トと当接する部位に断面がＬ字状の開口部を備えている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の発光モジ
ュール。 - 【請求項６】 前記導電性プレートは、一端に断面が逆
Ｕ字状の湾曲部を備え、 前記導電ブロックは、前記絶縁板と反対側の面に凹部を
備え、 前記湾曲部の端部と前記凹部とが当接することを特徴と
する請求項１又は請求項２記載の発光モジュール。 - 【請求項７】 レーザダイオードバーと絶縁板とを並設
する工程と、 前記レーザダイオードバーの一端面に導電性プレートを
設置する工程と、 前記導電性プレートに当接するように導電ブロックを前
記絶縁板に設ける工程とを含むことを特徴とする発光モ
ジュールの組み立て方法。 - 【請求項８】 前記レーザダイオードバー及び前記絶縁
板を、サブマウントベース上に設ける工程を含むことを
特徴とする請求項７記載の発光モジュールの組み立て方
法。 - 【請求項９】 前記導電性プレートと前記導電ブロック
とが当接する部位に溝が形成されるように、前記導電性
プレート及び前記導電ブロックの少なくとも一方に、傾
斜面を設ける工程を含むことを特徴とする請求項７又は
請求項８記載の発光モジュールの組み立て方法。 - 【請求項１０】 前記導電性プレートの一端に、前記レ
ーザダイオードバーを有する面と反対の方向に折れ曲が
る曲折部を設ける工程と、 前記導電ブロックの前記導電性プレートの曲折部と当接
する部位に、傾斜面を設ける工程とを含むことを特徴と
する請求項７又は請求項８記載の発光モジュールの組み
立て方法。 - 【請求項１１】 前記導電ブロックの前記導電性プレー
トと当接する部位に断面がＬ字状の開口部を設ける工程
を含むことを特徴とする請求項７又は請求項８記載の発
光モジュールの組み立て方法。 - 【請求項１２】 前記導電性プレートの一端に、断面が
逆Ｕ字状の湾曲部を設ける工程と、 前記導電ブロックの前記絶縁板と反対側の面に凹部を設
ける工程と、 前記湾曲部の端部と前記凹部とを係合させる工程とを含
むことを特徴とする請求項７又は請求項８記載の発光モ
ジュールの組み立て方法。 - 【請求項１３】 前記湾曲部の端部と前記凹部とを係合
させる工程は、 前記導電ブロックを前記絶縁板上に設置した後、湾曲部
を凹部方向に加圧する工程、又は前記凹部を前記湾曲部
の端部に当接させた後、前記導電ブロックを前記絶縁板
上に設置する工程のいずれか一方を含むことを特徴とす
る請求項１２記載の発光モジュールの組み立て方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224913A JP4132742B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 発光モジュール及び発光モジュールの組み立て方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001224913A JP4132742B2 (ja) | 2001-07-25 | 2001-07-25 | 発光モジュール及び発光モジュールの組み立て方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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