JP2003034578A - 窒化ケイ素系複合焼結体及びその製造方法 - Google Patents
窒化ケイ素系複合焼結体及びその製造方法Info
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Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 室温から中低温域で優れた機械的特性を
有すると共に、低い摩擦係数を有し、耐摩耗性に優れた
窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化ケイ素と、チタン系窒化物・炭化
物、炭化ケイ素及びグラファイトあるいはカーボンの組
成からなり、平均粒径が100nm以下で無潤滑下での
摩擦係数が0.2以下であることを特徴とする窒化ケイ
素系複合焼結体および窒化ケイ素粉末と焼結助剤粉末、
金属チタン粉末およびグラファイトあるいはカーボン粉
末を、窒化ケイ素とチタン窒化物・炭化物、炭化ケイ素
およびグラファイトあるいはカーボンの平均粒径が30
nm以下になるまで粉砕混合して、複合二次粒子を形成
して、該複合二次粒子を成形して成形体とし、該成形体
を1200〜1600℃、非酸化性雰囲気下にて焼結し
て焼結体とすることを特徴とする窒化ケイ素系複合焼結
体の製造方法である。
有すると共に、低い摩擦係数を有し、耐摩耗性に優れた
窒化ケイ素系焼結体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 窒化ケイ素と、チタン系窒化物・炭化
物、炭化ケイ素及びグラファイトあるいはカーボンの組
成からなり、平均粒径が100nm以下で無潤滑下での
摩擦係数が0.2以下であることを特徴とする窒化ケイ
素系複合焼結体および窒化ケイ素粉末と焼結助剤粉末、
金属チタン粉末およびグラファイトあるいはカーボン粉
末を、窒化ケイ素とチタン窒化物・炭化物、炭化ケイ素
およびグラファイトあるいはカーボンの平均粒径が30
nm以下になるまで粉砕混合して、複合二次粒子を形成
して、該複合二次粒子を成形して成形体とし、該成形体
を1200〜1600℃、非酸化性雰囲気下にて焼結し
て焼結体とすることを特徴とする窒化ケイ素系複合焼結
体の製造方法である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種機構部材や切
削工具・摺動部材等に使用される高耐摩耗・低摩擦のセ
ラミック材料として、室温から中低温領域で優れた機械
的特性を有する窒化ケイ素焼結体及びその製造方法に関
する。
削工具・摺動部材等に使用される高耐摩耗・低摩擦のセ
ラミック材料として、室温から中低温領域で優れた機械
的特性を有する窒化ケイ素焼結体及びその製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】窒化ケイ素(Si3N4)は強度、靭性、
耐食性、耐酸化性、耐熱衝撃性において優れた材料であ
るために、切削工具やガスタービン、軸受等に幅広く使
用されている。さらに最近では、エンジン部品や精密部
品などの構造材料にも使用する研究が進められ、耐摩耗
性等の摩耗特性など性能レベルが苛酷になりつつある。
耐食性、耐酸化性、耐熱衝撃性において優れた材料であ
るために、切削工具やガスタービン、軸受等に幅広く使
用されている。さらに最近では、エンジン部品や精密部
品などの構造材料にも使用する研究が進められ、耐摩耗
性等の摩耗特性など性能レベルが苛酷になりつつある。
【0003】例えば、高い耐摩耗性が要求されている特
定の自動車部品等の精密耐摩部品に窒化ケイ素系複合材
料を用いる場合には、超硬合金(WCからなる硬質粒子
とCo等の結合相とからなるサーメット材料)やハイス
のような従来の材料に比べ顕著に高い耐摩耗性が要求さ
れている。
定の自動車部品等の精密耐摩部品に窒化ケイ素系複合材
料を用いる場合には、超硬合金(WCからなる硬質粒子
とCo等の結合相とからなるサーメット材料)やハイス
のような従来の材料に比べ顕著に高い耐摩耗性が要求さ
れている。
【0004】しかしながら、窒化珪素系の複合材料は、
これらの材料に比べ高価であるとともに、耐摩耗性は、
その価格レベルに見合うだけの満足したレベルにはない
のが現状である。
これらの材料に比べ高価であるとともに、耐摩耗性は、
その価格レベルに見合うだけの満足したレベルにはない
のが現状である。
【0005】なお、「窒化ケイ素系」とは、主結晶相と
して窒化ケイ素(Si3N4)および/又はサイアロンを
含むセラミックスを指す。また、「窒化ケイ素系の複合
材料」とは、窒化ケイ素系セラミックスを主結晶とする
マトリックス中に、それとは異なった成分を分散複合化
させた材料をいう。
して窒化ケイ素(Si3N4)および/又はサイアロンを
含むセラミックスを指す。また、「窒化ケイ素系の複合
材料」とは、窒化ケイ素系セラミックスを主結晶とする
マトリックス中に、それとは異なった成分を分散複合化
させた材料をいう。
【0006】このような窒化ケイ素系材料においては、
その特性をより一層向上させるために様々な研究が行わ
れている。例えば、特開平11−139882号公報並
びに特開平11−139874号公報には、窒化ケイ素
粉末と金属チタン粉末とを窒素雰囲気中にて高加速度で
混合することにより、微細な窒化ケイ素粒子と窒化チタ
ン粒子とからなる複合粉末が得られ、この複合粉末を用
いることにより、窒化チタン粒子が窒化ケイ素の粒成長
を抑制し、微細な結晶構造で高強度の窒化ケイ素焼結体
を製造できることが報告されている。
その特性をより一層向上させるために様々な研究が行わ
れている。例えば、特開平11−139882号公報並
びに特開平11−139874号公報には、窒化ケイ素
粉末と金属チタン粉末とを窒素雰囲気中にて高加速度で
混合することにより、微細な窒化ケイ素粒子と窒化チタ
ン粒子とからなる複合粉末が得られ、この複合粉末を用
いることにより、窒化チタン粒子が窒化ケイ素の粒成長
を抑制し、微細な結晶構造で高強度の窒化ケイ素焼結体
を製造できることが報告されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
窒化ケイ素焼結体は高強度を示すものの、機械構造用材
料としての摩擦に関する特性、特に現在の省エネルギー
化の傾向に関して最も期待されている無潤滑下での摩擦
を低下させることについては未だ研究されていなかっ
た。
窒化ケイ素焼結体は高強度を示すものの、機械構造用材
料としての摩擦に関する特性、特に現在の省エネルギー
化の傾向に関して最も期待されている無潤滑下での摩擦
を低下させることについては未だ研究されていなかっ
た。
【0008】一方、低摩擦係数を有するセラミックス材
料を作製するために一般的に行われる手法としては、窒
化ホウ素、硫化モリブデン、グラファイト等の固体潤滑
材を材料中に分散させる手法がよく知られている。しか
し、これら固体潤滑材の第2相はサブミクロン程度の大
きさでしか分散させることができず、そのため摩擦係数
の低下と耐摩耗特性の向上には限界があった。
料を作製するために一般的に行われる手法としては、窒
化ホウ素、硫化モリブデン、グラファイト等の固体潤滑
材を材料中に分散させる手法がよく知られている。しか
し、これら固体潤滑材の第2相はサブミクロン程度の大
きさでしか分散させることができず、そのため摩擦係数
の低下と耐摩耗特性の向上には限界があった。
【0009】本発明は、このような従来の事情に鑑み、
室温から中低温域で優れた機械的特性を有すると共に、
低い摩擦係数を有し、耐摩耗性に優れた窒化ケイ素系焼
結体およびその製造方法を提供することを目的とする。
室温から中低温域で優れた機械的特性を有すると共に、
低い摩擦係数を有し、耐摩耗性に優れた窒化ケイ素系焼
結体およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明はまず、窒化ケイ
素とチタン系窒化物・炭化物、炭化ケイ素及びグラファ
イトあるいはカーボンの組成からなり、平均粒径が10
0nm以下で無潤滑中での摩擦係数が0.2以下である
ことを特徴とする窒化ケイ素系複合焼結体である。
素とチタン系窒化物・炭化物、炭化ケイ素及びグラファ
イトあるいはカーボンの組成からなり、平均粒径が10
0nm以下で無潤滑中での摩擦係数が0.2以下である
ことを特徴とする窒化ケイ素系複合焼結体である。
【0011】本発明では、30nm以下の粒径とされた
窒化ケイ素、金属窒化物及び/又は炭化物およびグラフ
ァイト粉末あるいはカーボン粉末の各原料粉末を混合粉
砕して形成した二次粒子を用い放電プラズマ焼結によっ
て非酸化性雰囲気中で1200〜1600℃で焼結した
もので、組織は平均粒径が100nm以下、さらに好ま
しくは50nm以下の均一な粒径からなるナノ構造を持
つ組織である。金属Tiは焼結中に全てTiNとTiC
あるいはTiCNに変化しており、TiN粒子がSi3
N4の粒成長を抑制して組織を微細化するとともに、C
はSi3N4、TiNおよびTiCあるいはTiCNの重
なる点および粒界に分散している。また一部のCはSi
Cとなる場合もある。
窒化ケイ素、金属窒化物及び/又は炭化物およびグラフ
ァイト粉末あるいはカーボン粉末の各原料粉末を混合粉
砕して形成した二次粒子を用い放電プラズマ焼結によっ
て非酸化性雰囲気中で1200〜1600℃で焼結した
もので、組織は平均粒径が100nm以下、さらに好ま
しくは50nm以下の均一な粒径からなるナノ構造を持
つ組織である。金属Tiは焼結中に全てTiNとTiC
あるいはTiCNに変化しており、TiN粒子がSi3
N4の粒成長を抑制して組織を微細化するとともに、C
はSi3N4、TiNおよびTiCあるいはTiCNの重
なる点および粒界に分散している。また一部のCはSi
Cとなる場合もある。
【0012】このような特殊なナノ構造によって、摩耗
特性の優れた窒化ケイ素系複合焼結体となる。また、本
材料は、共摺りだけでなく、鋼等の金属に対しても優れ
ており、摩擦係数は0.2以下、比摩耗量は1.0×1
0-8mm2/N以下と低い摩擦係数を有し、耐摩耗性に
も優れたものである。この低摩耗の理由としては、固体
潤滑剤であるCが微細に分散したこと、及び鋼と凝着し
にくいTi系化合物がナノサイズで分散したためである
と考えられる。
特性の優れた窒化ケイ素系複合焼結体となる。また、本
材料は、共摺りだけでなく、鋼等の金属に対しても優れ
ており、摩擦係数は0.2以下、比摩耗量は1.0×1
0-8mm2/N以下と低い摩擦係数を有し、耐摩耗性に
も優れたものである。この低摩耗の理由としては、固体
潤滑剤であるCが微細に分散したこと、及び鋼と凝着し
にくいTi系化合物がナノサイズで分散したためである
と考えられる。
【0013】本発明の製造方法は、窒化ケイ素粉末と焼
結助剤粉末、金属チタン粉末およびグラファイト粉末あ
るいはカーボン粉末を一次粒子の平均粒径が30nm以
下になるまで混合粉砕し、複合二次粒子を形成して、該
複合二次粒子を成形して成形体とし、該成形体を120
0〜1600℃、窒素雰囲気下にて焼結して焼結体とす
ることを特徴とする。また、本発明の材料特性を発現す
る平均粒径は100nm以下、好ましくは50nm以下
である。
結助剤粉末、金属チタン粉末およびグラファイト粉末あ
るいはカーボン粉末を一次粒子の平均粒径が30nm以
下になるまで混合粉砕し、複合二次粒子を形成して、該
複合二次粒子を成形して成形体とし、該成形体を120
0〜1600℃、窒素雰囲気下にて焼結して焼結体とす
ることを特徴とする。また、本発明の材料特性を発現す
る平均粒径は100nm以下、好ましくは50nm以下
である。
【0014】窒化ケイ素、焼結助剤、金属チタン及びグ
ラファイトあるいはカーボンの各粉末を、圧力0.05
〜1.0MPaの窒素雰囲気中において室温〜250℃
の温度にて10〜300Gの加速度で混合することによ
り、各粉末は30nm以下の平均粒径となり、窒化ケイ
素、窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタン、グラファ
イトあるいはカーボンおよびこれらの粒子の表面を覆っ
ているアモルファス相を含む相と共に平均粒径が0.3
μm以上である窒化ケイ素系複合二次粒子が形成され
る。なお、焼結助剤としてはY2O3、Al2O3等が用い
られる。
ラファイトあるいはカーボンの各粉末を、圧力0.05
〜1.0MPaの窒素雰囲気中において室温〜250℃
の温度にて10〜300Gの加速度で混合することによ
り、各粉末は30nm以下の平均粒径となり、窒化ケイ
素、窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタン、グラファ
イトあるいはカーボンおよびこれらの粒子の表面を覆っ
ているアモルファス相を含む相と共に平均粒径が0.3
μm以上である窒化ケイ素系複合二次粒子が形成され
る。なお、焼結助剤としてはY2O3、Al2O3等が用い
られる。
【0015】混合手段としては、粉砕を伴う遊星ボール
ミルやアトライターを用いることが好ましい。かかる高
加速度での混合により、金属チタンが下記化学式の各反
応を主に起こして窒化ケイ素、窒化チタン、炭化チタ
ン、炭窒化チタンを微細化してそれぞれ20nm以下の
平均粒径を有するものとしていくものと考えられる。 Si3N4+4Ti→4TiN+3Si 2Ti+N2→2TiN Ti+C→TiC この際にTiNとTiCは互いに固溶し、炭窒化チタン
を形成することが多い。
ミルやアトライターを用いることが好ましい。かかる高
加速度での混合により、金属チタンが下記化学式の各反
応を主に起こして窒化ケイ素、窒化チタン、炭化チタ
ン、炭窒化チタンを微細化してそれぞれ20nm以下の
平均粒径を有するものとしていくものと考えられる。 Si3N4+4Ti→4TiN+3Si 2Ti+N2→2TiN Ti+C→TiC この際にTiNとTiCは互いに固溶し、炭窒化チタン
を形成することが多い。
【0016】ここで加速度を10〜300Gに限定する
理由は、10G未満では均一な粉末の微細化が起こり難
く、最終的な焼結体の結晶粒径が不均一になってしまう
ためである。また、混合時の加速度が300Gを超える
と、粉砕機におけるポットやボールが摩耗することによ
り不純物が混入されるようになる。
理由は、10G未満では均一な粉末の微細化が起こり難
く、最終的な焼結体の結晶粒径が不均一になってしまう
ためである。また、混合時の加速度が300Gを超える
と、粉砕機におけるポットやボールが摩耗することによ
り不純物が混入されるようになる。
【0017】この高加速度で混合する際の温度として
は、室温〜250℃、好ましくは50℃〜200℃であ
る。この温度領域において上記反応が促進され、短時間
で目的とする20nm以下の平均粒径の粉体を基礎とし
た複合二次粒子粉末を得ることができる。混合時間につ
いては、0.5時間未満では反応に伴う微細化が進行せ
ず、50時間を超えると不純物が混入するため、0.5
〜50時間とすることが望ましい。なお、混合の際の加
速度、温度、混合時間は、その作製したい粉末の条件に
より適宜制御することが必要である。
は、室温〜250℃、好ましくは50℃〜200℃であ
る。この温度領域において上記反応が促進され、短時間
で目的とする20nm以下の平均粒径の粉体を基礎とし
た複合二次粒子粉末を得ることができる。混合時間につ
いては、0.5時間未満では反応に伴う微細化が進行せ
ず、50時間を超えると不純物が混入するため、0.5
〜50時間とすることが望ましい。なお、混合の際の加
速度、温度、混合時間は、その作製したい粉末の条件に
より適宜制御することが必要である。
【0018】また、上記の反応を起こすためには窒素雰
囲気が必要であり、その窒素雰囲気の圧力は0.05〜
1.0MPaの範囲が好ましく、0.08〜0.15M
Paの範囲がさらに好ましい。窒素雰囲気の圧力が0.
05MPa未満では反応の制御が困難であり、また、
1.0MPaを超えると耐圧容器等の特殊な容器が必要
となるので好ましくない。
囲気が必要であり、その窒素雰囲気の圧力は0.05〜
1.0MPaの範囲が好ましく、0.08〜0.15M
Paの範囲がさらに好ましい。窒素雰囲気の圧力が0.
05MPa未満では反応の制御が困難であり、また、
1.0MPaを超えると耐圧容器等の特殊な容器が必要
となるので好ましくない。
【0019】金属チタン粉末の添加量は、特に制限はな
いが、5重量%未満の場合には反応するTiの量が少な
過ぎるために、窒化ケイ素を微細化することができな
い。また、添加量が60重量%を超えると、反応するT
iの量が多くなり、焼結体の色ムラ等が発生するために
好ましくない。従って、金属チタン粉末の添加量は5〜
60重量%の範囲が好ましい。C量が20重量%を超え
ると、アグレッシブ摩耗が激しくなり、耐摩耗性が低下
する。また、C量が0.5重量%未満であると、固体潤
滑剤であるCが不十分となり摩耗係数が増大する。
いが、5重量%未満の場合には反応するTiの量が少な
過ぎるために、窒化ケイ素を微細化することができな
い。また、添加量が60重量%を超えると、反応するT
iの量が多くなり、焼結体の色ムラ等が発生するために
好ましくない。従って、金属チタン粉末の添加量は5〜
60重量%の範囲が好ましい。C量が20重量%を超え
ると、アグレッシブ摩耗が激しくなり、耐摩耗性が低下
する。また、C量が0.5重量%未満であると、固体潤
滑剤であるCが不十分となり摩耗係数が増大する。
【0020】以上のような混合粉砕をすることによっ
て、混合中に金属TiからTiN等へのメカノケミカル
反応が起こり、混合時間が増加するに伴ないSi3N4の
結晶径は微細化する。そして、最終的には平均粒径が
0.3μm以上の二次複合粒子を形成する。
て、混合中に金属TiからTiN等へのメカノケミカル
反応が起こり、混合時間が増加するに伴ないSi3N4の
結晶径は微細化する。そして、最終的には平均粒径が
0.3μm以上の二次複合粒子を形成する。
【0021】かかる二次複合粒子を成形後、成形体を1
200〜1600℃で窒素雰囲気下にて焼結する。焼結
時の熱により、結晶粒同士が一体化し粒成長することが
知られているので、このような加熱に伴う粒成長をでき
るだけ抑制するため、高い圧力をかけて焼結する方法
や、低温、短時間で焼結する方法が有効である。本発明
では、放電プラズマ焼結またはマイクロ波焼結が有効で
ある。
200〜1600℃で窒素雰囲気下にて焼結する。焼結
時の熱により、結晶粒同士が一体化し粒成長することが
知られているので、このような加熱に伴う粒成長をでき
るだけ抑制するため、高い圧力をかけて焼結する方法
や、低温、短時間で焼結する方法が有効である。本発明
では、放電プラズマ焼結またはマイクロ波焼結が有効で
ある。
【0022】このような製造方法により、前述の特徴を
もった本発明の新規な窒化ケイ素系複合焼結体が得られ
る。
もった本発明の新規な窒化ケイ素系複合焼結体が得られ
る。
【0023】
【発明の実施の形態】本発明における原料粉末として
は、いずれも市販のものでよい。Si3N4粉末の結晶型
は、α型、β型のいずれでもよい。
は、いずれも市販のものでよい。Si3N4粉末の結晶型
は、α型、β型のいずれでもよい。
【0024】かかるSi3N4粉末で市販の平均粒径0.
5μmの粉末に、焼結助剤として2.5wt%のY2O3
粉末と1wt%のAl2O3粉末を加え、更に平均粒径1
0μmの金属Ti粉末を30wt%、平均粒径5μmの
カーボン粉末を5wt%添加して0.1MPaの窒素雰
囲気中において50℃の温度条件で、Si3N4製ボール
を用いた遊星ボールミルにより加速度150Gで16時
間混合した。
5μmの粉末に、焼結助剤として2.5wt%のY2O3
粉末と1wt%のAl2O3粉末を加え、更に平均粒径1
0μmの金属Ti粉末を30wt%、平均粒径5μmの
カーボン粉末を5wt%添加して0.1MPaの窒素雰
囲気中において50℃の温度条件で、Si3N4製ボール
を用いた遊星ボールミルにより加速度150Gで16時
間混合した。
【0025】得られた粉末をXRDにて定性分析を行っ
たところ、Si3N4、TiN、TiCN及びCのピーク
を確認することができた。また、この複合二次粒子粉末
を透過電子顕微鏡で観察した結果、各粒子の平均粒径は
いずれも30nm以下であり、それらの粒子はアモルフ
ァス相に覆われている構造であることが分かった。この
得られた複合二次粒子の平均粒径は0.5μmであっ
た。
たところ、Si3N4、TiN、TiCN及びCのピーク
を確認することができた。また、この複合二次粒子粉末
を透過電子顕微鏡で観察した結果、各粒子の平均粒径は
いずれも30nm以下であり、それらの粒子はアモルフ
ァス相に覆われている構造であることが分かった。この
得られた複合二次粒子の平均粒径は0.5μmであっ
た。
【0026】この複合二次粒子をカーボンダイスに充填
した後、通電焼結が可能な放電プラズマ焼結機(SP
S)で昇温速度100℃/min、保持時間5分で表1
に示す条件で焼結した。また、測温はカーボンダイスを
二色温度計にて測定した。
した後、通電焼結が可能な放電プラズマ焼結機(SP
S)で昇温速度100℃/min、保持時間5分で表1
に示す条件で焼結した。また、測温はカーボンダイスを
二色温度計にて測定した。
【0027】
【表1】
【0028】得られた焼結体は、研削、ラッピング処理
した後、XRDで組成を評価した他、ボールオンディス
ク試験機で、φ5mmのSi3N4ボールを用い、0.2
m/sec、摺動距離1000mの無潤滑条件(25
℃、大気、湿度60%)10Nの条件で、耐摩耗特性を
評価した。その摩耗係数と比摩耗量を評価した。また、
この焼結体を研摩した後、Arイオンエッチングで薄膜
試験片を作製し、透過電子顕微鏡を用いて平均粒径を評
価した。以上の結果を表2に示す。
した後、XRDで組成を評価した他、ボールオンディス
ク試験機で、φ5mmのSi3N4ボールを用い、0.2
m/sec、摺動距離1000mの無潤滑条件(25
℃、大気、湿度60%)10Nの条件で、耐摩耗特性を
評価した。その摩耗係数と比摩耗量を評価した。また、
この焼結体を研摩した後、Arイオンエッチングで薄膜
試験片を作製し、透過電子顕微鏡を用いて平均粒径を評
価した。以上の結果を表2に示す。
【0029】
【表2】
【0030】実施例Cにおいては、φ5mmのSUJ2
ボールを使用し、同様な試験を行った。その結果、摩擦
係数は0.1を示した。また、比摩耗量は0.4×10
-8mm2/Nであった。
ボールを使用し、同様な試験を行った。その結果、摩擦
係数は0.1を示した。また、比摩耗量は0.4×10
-8mm2/Nであった。
【0031】また、φ5mmのSi3N4ボールで、2
0、40、80Nで0.1〜2.0m/sec、摺動距
離1000mの条件で試験を行ない、同様な摩擦係数、
比摩耗量の結果を得た。
0、40、80Nで0.1〜2.0m/sec、摺動距
離1000mの条件で試験を行ない、同様な摩擦係数、
比摩耗量の結果を得た。
【0032】実施例2
実施例1と同様に、焼結助剤として2.5wt%のY2
O3;1wt%のAl2O3を加えた平均粒径0.5μm
のSi3N4粉末に、平均粒径10μmの金属チタンと、
平均粒径5μmのカーボン粉末を表3に示すように配合
し、Si3N4ボールを用い、窒素雰囲気0.1MPa、
温度50℃、加速度150Gの条件で遊星ボールミルを
用いて16時間混合した。得られた複合二次粒子は実施
例1同様、通電焼結が可能な放電プラズマ焼結で表3の
条件で焼結させた。
O3;1wt%のAl2O3を加えた平均粒径0.5μm
のSi3N4粉末に、平均粒径10μmの金属チタンと、
平均粒径5μmのカーボン粉末を表3に示すように配合
し、Si3N4ボールを用い、窒素雰囲気0.1MPa、
温度50℃、加速度150Gの条件で遊星ボールミルを
用いて16時間混合した。得られた複合二次粒子は実施
例1同様、通電焼結が可能な放電プラズマ焼結で表3の
条件で焼結させた。
【0033】
【表3】
【0034】得られた焼結体は、実施例1と同様な手法
で評価した。この結果を表4に示す。
で評価した。この結果を表4に示す。
【0035】
【表4】
【0036】
【発明の効果】本発明は、室温から中低温域(300℃
以下)で優れた機械的強度を有し、低い摩擦係数を有
し、耐摩耗性に優れた窒化ケイ素系複合焼結体であり、
各種機構部材や切削工具・摺動部材として有用なもので
ある。又、製造方法では、特定の複合二次粒子を用い、
特定の条件で焼結することによって、焼結時の粒成長を
抑制することができて、上記のように優れた特性をもつ
窒化ケイ素系複合焼結体を得ることができる。
以下)で優れた機械的強度を有し、低い摩擦係数を有
し、耐摩耗性に優れた窒化ケイ素系複合焼結体であり、
各種機構部材や切削工具・摺動部材として有用なもので
ある。又、製造方法では、特定の複合二次粒子を用い、
特定の条件で焼結することによって、焼結時の粒成長を
抑制することができて、上記のように優れた特性をもつ
窒化ケイ素系複合焼結体を得ることができる。
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フロントページの続き
Fターム(参考) 3C046 FF33 FF40 FF47 FF55
4G001 BA03 BA09 BA25 BA32 BA38
BA57 BA60 BA61 BB03 BB09
BB22 BB25 BB32 BB38 BB57
BB60 BC01 BC13 BC21 BC41
BC42 BC52 BC54 BD12 BD18
BE21
Claims (8)
- 【請求項1】 窒化ケイ素とチタン系窒化物・炭化物、
炭化ケイ素及びグラファイトあるいはカーボンの組成か
らなり、平均粒径が100nm以下で無潤滑中での摩擦
係数が0.2以下であることを特徴とする窒化ケイ素系
複合焼結体。 - 【請求項2】 平均粒径が50nm以下である請求項1
記載の窒化ケイ素系複合焼結体。 - 【請求項3】 チタン系窒化物・炭化物が互いに固溶し
ていることを特徴とする請求項1又は2記載の窒化ケイ
素複合焼結体。 - 【請求項4】 比摩耗量が1.0×10-8mm2/N以
下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか
1項に記載の窒化ケイ素系複合焼結体。 - 【請求項5】 窒化ケイ素粉末と焼結助剤粉末、金属チ
タン粉末およびグラファイト粉末あるいはカーボン粉末
を窒化ケイ素とチタン窒化物・炭化物、およびグラファ
イトあるいはカーボン粉末を一次粒子の平均粒径が30
nm以下になるまで粉砕混合し、複合二次粒子を形成し
て、該複合二次粒子を成形して成形体とし、該成形体を
1200〜1600℃、非酸化性雰囲気下にて焼結して
焼結体とすることを特徴とする窒化ケイ素系複合焼結体
の製造方法。 - 【請求項6】 金属チタン粉末の添加量が5〜60重量
%、グラファイトあるいはカーボン粉末の添加量が0.
5〜20重量%である請求項5記載の窒化ケイ素系複合
焼結体の製造方法。 - 【請求項7】 粉砕混合は、圧力0.05〜1.0MP
aの窒素雰囲気中において、室温〜250℃の温度にて
10〜300Gの加速度の下で行う請求項5または6記
載の窒化ケイ素系複合焼結体の製造方法。 - 【請求項8】 焼結は、放電プラズマ焼結またはマイク
ロ波焼結で行う請求項5ないし7のいずれかに記載の窒
化ケイ素系複合焼結体の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001222814A JP2003034578A (ja) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | 窒化ケイ素系複合焼結体及びその製造方法 |
| EP02718611A EP1298106A4 (en) | 2001-04-20 | 2002-04-18 | COMPOSITE FRITTE PRODUCT BASED ON SILICON NITRIDE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| PCT/JP2002/003864 WO2002085812A1 (en) | 2001-04-20 | 2002-04-18 | Silicon nitride based composite sintered product and method for production thereof |
| US10/311,604 US6844282B2 (en) | 2001-04-20 | 2002-04-18 | Silicon nitride based composite sintered product and method for production thereof |
| CNB028013255A CN100480214C (zh) | 2001-04-20 | 2002-04-18 | 氮化硅基复合烧结体及其生产方法 |
| US11/031,994 US7008893B2 (en) | 2001-04-20 | 2005-01-11 | Silicon nitride-based composite sintered body and producing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001222814A JP2003034578A (ja) | 2001-07-24 | 2001-07-24 | 窒化ケイ素系複合焼結体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003034578A true JP2003034578A (ja) | 2003-02-07 |
Family
ID=19056236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001222814A Pending JP2003034578A (ja) | 2001-04-20 | 2001-07-24 | 窒化ケイ素系複合焼結体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003034578A (ja) |
-
2001
- 2001-07-24 JP JP2001222814A patent/JP2003034578A/ja active Pending
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