JP2003032558A - Image sensor IC package and method of manufacturing the same - Google Patents
Image sensor IC package and method of manufacturing the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】小型化が可能なイメージセンサＩＣパッケージ
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板上に透明導体パターンを形成
し、該透明導体パターンのイメージセンサＩＣ実装用電
極部と入出力端子部には金めっきを施し、イメージセン
サＩＣを前記ガラス基板上にフリップチップ実装し、チ
ップ周辺を樹脂で封止し、入出力端子部にはフレキシブ
ルプリント配線板を実装する。
(57) Abstract: An object is to provide an image sensor IC package that can be reduced in size and a method for manufacturing the same. A transparent conductor pattern is formed on a glass substrate, and an electrode portion for mounting the image sensor IC and an input / output terminal portion of the transparent conductor pattern are plated with gold, and the image sensor IC is flip-chip mounted on the glass substrate. After mounting, the periphery of the chip is sealed with resin, and a flexible printed wiring board is mounted on the input / output terminals.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はイメージセンサＩＣ
パッケージに係り、特にＣＯＧ（チップ・オン・ガラ
ス）工法を用いたイメージセンサＩＣパッケージおよび
その製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image sensor IC.
The present invention relates to a package, and more particularly to an image sensor IC package using a COG (chip on glass) method and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年の電子部品の発達と画像処理技術や
伝送技術の向上により、小型イメージセンサの需要が高
まっている。従来の小型イメージセンサＩＣパッケージ
は一般に図２に示す構造を有している。図２において、
２１はイメージセンサＩＣ、２１ａはイメージセンサＩ
Ｃ２１のイメージセンサ部、２１ｂはイメージセンサＩ
Ｃ２１の電極、２２はセラミックヘッダー、２２ａはセ
ラミックヘッダー２２のキャビティ内電極、２３はワイ
ヤボンディングによる配線、２４はガラス製のふたであ
る。セラミックヘッダー２２内にイメージセンサＩＣ２
１をダイマウントし、ワイヤボンディングでキャビティ
内の電極２２ａと接続していた。また、セラミックヘッ
ダー２２にガラス製のふた２４を接着剤にて固着し封止
する構造になっている。2. Description of the Related Art With the recent development of electronic parts and improvement of image processing technology and transmission technology, the demand for small image sensors is increasing. A conventional small image sensor IC package generally has a structure shown in FIG. In FIG.
21 is an image sensor IC, 21a is an image sensor I
C21 image sensor unit, 21b is an image sensor I
C21 is an electrode, 22 is a ceramic header, 22a is an electrode in the cavity of the ceramic header 22, 23 is wiring by wire bonding, and 24 is a glass lid. Image sensor IC2 in the ceramic header 22
1 was die-mounted and connected to the electrode 22a in the cavity by wire bonding. In addition, a glass lid 24 is fixed to the ceramic header 22 with an adhesive and sealed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パッケ
ージ外形寸法は面積がイメージセンサＩＣチップの約６
倍、高さがイメージセンサＩＣチップの数倍と大きく、
したがって、撮像モジュール外形が大きくなってしま
い、装置の形状を小型化する上での障害になるという問
題があった。本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、小型化が可能なイメージセンサＩＣパッケ
ージを提供することを目的とする。However, the external dimensions of the package are about 6 times that of the image sensor IC chip.
Twice as large as the image sensor IC chip,
Therefore, there is a problem that the outer shape of the image pickup module becomes large, which is an obstacle to downsizing the shape of the device. The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to provide an image sensor IC package that can be downsized.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】請求項１のイメージセン
サＩＣパッケージは、ガラス基板上のＩＣ実装用電極に
フリップチップ実装したイメージセンサＩＣのチップ周
辺を樹脂封止し、前記ガラス基板上の入出力端子にフレ
キシブルプリント配線板を接続した構造を有することを
特徴とする。According to the image sensor IC package of claim 1, the periphery of the image sensor IC flip-chip mounted on the IC mounting electrode on the glass substrate is resin-sealed, and the package on the glass substrate is sealed. It has a structure in which a flexible printed wiring board is connected to the output terminal.
【０００５】請求項２のイメージセンサＩＣパッケージ
の製造方法は、ガラス基板上に導体パターンを形成し、
該導体パターンの内少なくともイメージセンサＩＣ実装
用電極部および入出力端子部には金めっきを施し、イメ
ージセンサＩＣの電極には金バンプを形成し、該イメー
ジセンサＩＣを前記ガラス基板のイメージセンサＩＣ実
装用電極部に位置決め載置してフリップチップ実装し、
チップ周辺を樹脂で封止し、前記ガラス基板の入出力端
子部にフレキシブルプリント配線板を圧接実装すること
を特徴とする。According to a second aspect of the method of manufacturing an image sensor IC package, a conductor pattern is formed on a glass substrate,
At least the image sensor IC mounting electrode portion and the input / output terminal portion of the conductor pattern are plated with gold, and gold bumps are formed on the electrodes of the image sensor IC, and the image sensor IC is mounted on the glass substrate. Positioned and mounted on the mounting electrode part and flip-chip mounted,
It is characterized in that the periphery of the chip is sealed with a resin, and a flexible printed wiring board is mounted under pressure on the input / output terminal portion of the glass substrate.
【０００６】上記のイメージセンサＩＣパッケージによ
れば、セラミックヘッダーを使用すること無く、ワイヤ
ボンディングによる配線も不要のＣＯＧ工法によるパッ
ケージが得られるので、小型、軽量の電子機器設計に有
利なイメージセンサＩＣパッケージを提供することがで
きる。According to the image sensor IC package described above, a COG method package that does not require wiring by wire bonding can be obtained without using a ceramic header, so that the image sensor IC is advantageous for designing small and lightweight electronic devices. Package can be provided.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の具体的実
施例であるＣＯＧ工法によるイメージセンサＩＣパッケ
ージを模式図で示す。図１において、１はイメージセン
サＩＣ、１ａはイメージセンサＩＣ１のイメージセンサ
部、１ｂはイメージセンサＩＣ１の金バンプ、２はガラ
ス基板、２ａはガラス基板２上のパターン、３は外部回
路へ接続するためのフレキシブルプリント配線板、４は
アンダーフィル樹脂を示す。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing an image sensor IC package by a COG method which is a specific embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is an image sensor IC, 1a is an image sensor part of the image sensor IC1, 1b is a gold bump of the image sensor IC1, 2 is a glass substrate, 2a is a pattern on the glass substrate 2, and 3 is an external circuit. Flexible printed wiring board 4 for the underfill resin.
【０００８】ガラス基板２上に形成するパターン２ａ
は、液晶表示装置の表示画素用電極を形成する方法を適
用する。例えば、ガラス基板２に、スパッタリング法に
より、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）透明電極膜を形成
し、パターン２ａ部以外をめっきレジストで覆い、パタ
ーン２ａ部に電解または無電解金めっきを施す。めっき
レジスト剥離後、ＩＴＯ透明電極膜をエッチングするこ
とで所望のパターン２ａを得る。このパターン２ａ形成
に先立ち、ガラス基板２のイメージセンサ部１ａに対向
する部分をマスキングし、失透を防ぐことが重要であ
る。Pattern 2a formed on the glass substrate 2
Applies a method for forming a display pixel electrode of a liquid crystal display device. For example, an ITO (indium tin oxide) transparent electrode film is formed on the glass substrate 2 by a sputtering method, the portions other than the pattern 2a portion are covered with a plating resist, and the pattern 2a portion is subjected to electrolytic or electroless gold plating. After removing the plating resist, the ITO transparent electrode film is etched to obtain a desired pattern 2a. Prior to forming the pattern 2a, it is important to mask the portion of the glass substrate 2 facing the image sensor portion 1a to prevent devitrification.
【０００９】前記パターン２ａ形成済みのガラス基板２
上の前記実装用電極上に、金バンプ１ｂを形成したイメ
ージセンサＩＣ１のフリップチップ実装を行なうが、こ
のフリップチップ実装には、超音波工法や圧接工法があ
る。The glass substrate 2 on which the pattern 2a has been formed
Flip-chip mounting of the image sensor IC 1 having the gold bumps 1b formed thereon is performed on the above-mentioned mounting electrodes. The flip-chip mounting includes ultrasonic method and pressure welding method.
【００１０】超音波工法による場合は、接合部位を加熱
しながら加圧し、超音波振動を加えることでイメージセ
ンサＩＣ１の金バンプ１ｂとガラス基板２のイメージセ
ンサＩＣ実装用電極部との接合を行なう。接合完了後、
イメージセンサＩＣ１の周辺に熱硬化型あるいは紫外線
硬化型の樹脂４を塗布することで、塵埃や湿気からイメ
ージセンサ部１ａを保護する封止効果、イメージセンサ
への邪魔な光の進入を防ぐ遮光効果、イメージセンサＩ
Ｃ１とガラス基板との接続信頼性向上のアンダーフィル
効果を持たせる。In the case of the ultrasonic method, pressure is applied while heating the bonding portion and ultrasonic vibration is applied to bond the gold bump 1b of the image sensor IC1 and the image sensor IC mounting electrode portion of the glass substrate 2. . After joining is completed,
By applying a thermosetting or ultraviolet curable resin 4 around the image sensor IC 1, a sealing effect for protecting the image sensor portion 1a from dust and moisture, and a light blocking effect for preventing intruding light into the image sensor. , Image sensor I
An underfill effect for improving the connection reliability between C1 and the glass substrate is provided.
【００１１】圧接工法による場合は、導電性粒子無しの
透明樹脂をガラス基板２へ塗布し、イメージセンサＩＣ
１の金バンプ１ｂとガラス基板２のイメージセンサＩＣ
実装用電極部の位置合わせをしてイメージセンサＩＣ１
を圧接し、前記樹脂を加熱して硬化することで接続を図
る。この場合には、該透明樹脂により既に封止効果とア
ンダーフィル効果がそなわっているので、単に遮光効果
を持たせるための樹脂塗布を追加するだけでよい。In the case of the pressure welding method, a transparent resin without conductive particles is applied to the glass substrate 2 to form an image sensor IC.
Image sensor IC of 1 gold bump 1b and glass substrate 2
Image sensor IC1 by aligning the mounting electrodes
Is pressed and the resin is heated and cured to establish a connection. In this case, since the transparent resin has already provided the sealing effect and the underfill effect, it is only necessary to add the resin coating for providing the light shielding effect.
【００１２】外部端子とフレキシブルプリント配線板３
の接続は、例えばＡＣＦ（異方性導電フィルム）あるい
はＮＣＦ（非導電性フィルム）を用いて圧着実装を行な
う。External terminals and flexible printed wiring board 3
The connection is performed by pressure bonding using, for example, ACF (anisotropic conductive film) or NCF (non-conductive film).
【００１３】[0013]
【発明の効果】本発明によれば、イメージセンサＩＣを
ガラス基板に直接フリップチップ実装し、同ガラス基板
の入出力端子にフレキシブルプリント配線板を圧着実装
するので、従来ヘッダに施したキャビティやワイヤボン
ディング電極、ワイヤボンディング配線等の余分な配線
やスペースが不要になり、小型化、軽量化が図れる。ま
た、配線経路が短くなるため、信号の伝送にあたってノ
イズを低減することができる。According to the present invention, the image sensor IC is directly flip-chip mounted on the glass substrate and the flexible printed wiring board is pressure-bonded to the input / output terminals of the glass substrate. Extra wiring and space such as bonding electrodes and wire bonding wiring are not required, and the size and weight can be reduced. Moreover, since the wiring path is shortened, noise can be reduced in transmitting the signal.
【図１】本発明の１実施の形態であるイメージセンサＩ
Ｃのパッケージ模式図である。FIG. 1 is an image sensor I according to an embodiment of the present invention.
It is a package schematic diagram of C.
【図２】従来の小型イメージセンサＩＣパッケージ模式
図である。FIG. 2 is a schematic diagram of a conventional small image sensor IC package.
１ イメージセンサＩＣ １ａ イメージセンサＩＣ１のイメージセンサ部 １ｂ イメージセンサＩＣ１の金バンプ ２ ガラス基板 ２ａ ガラス基板２上のパターン ３ フレキシブルプリント配線板 ４ アンダーフィル樹脂 ２１ イメージセンサＩＣ ２１ａ イメージセンサＩＣ２１のイメージセンサ部 ２１ｂ イメージセンサＩＣ２１の電極 ２２ セラミックヘッダー ２２ａ セラミックヘッダー２２のキャビティ内電極 ２３ ワイヤボンディングによる配線 ２４ ガラス製のふた 1 Image sensor IC 1a Image sensor part of image sensor IC1 1b Gold bump of image sensor IC1 2 glass substrates 2a Pattern on glass substrate 2 3 Flexible printed wiring board 4 Underfill resin 21 Image sensor IC 21a Image sensor part of image sensor IC21 21b Image sensor IC21 electrode 22 Ceramic header 22a Electrode in cavity of ceramic header 22 23 Wire bonding wiring 24 glass lid
Claims (2)
プチップ実装したイメージセンサＩＣのチップ周辺を樹
脂封止し、前記ガラス基板上の入出力端子にフレキシブ
ルプリント配線板を接続した構造を有することを特徴と
するイメージセンサＩＣパッケージ。1. A structure in which a chip periphery of an image sensor IC flip-chip mounted on an IC mounting electrode on a glass substrate is resin-sealed, and a flexible printed wiring board is connected to input / output terminals on the glass substrate. Image sensor IC package characterized by:
該導体パターンの内少なくともイメージセンサＩＣ実装
用電極部および入出力端子部には金めっきを施し、イメ
ージセンサＩＣの電極には金バンプを形成し、該イメー
ジセンサＩＣを前記ガラス基板のイメージセンサＩＣ実
装用電極部に位置決め載置してフリップチップ実装し、
チップ周辺を樹脂で封止し、前記ガラス基板の入出力端
子部にフレキシブルプリント配線板を圧接実装すること
を特徴とするイメージセンサＩＣパッケージの製造方
法。2. A conductor pattern is formed on a glass substrate,
At least the image sensor IC mounting electrode portion and the input / output terminal portion of the conductor pattern are plated with gold, and gold bumps are formed on the electrodes of the image sensor IC, and the image sensor IC is mounted on the glass substrate. Positioned and mounted on the mounting electrode part and flip-chip mounted,
A method for manufacturing an image sensor IC package, characterized in that a periphery of a chip is sealed with resin, and a flexible printed wiring board is pressure-contact mounted on an input / output terminal portion of the glass substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001213267A JP2003032558A (en) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | Image sensor IC package and method of manufacturing the same |
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|---|---|
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| JP2001213267A Pending JP2003032558A (en) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | Image sensor IC package and method of manufacturing the same |
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005069375A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
| US7141869B2 (en) | 2004-11-08 | 2006-11-28 | Optopac, Inc. | Electronic package for image sensor, and the packaging method thereof |
| CN100416847C (en) * | 2005-09-01 | 2008-09-03 | 南茂科技股份有限公司 | Glass flip chip package structure of image sensor |
| CN105321895A (en) * | 2014-05-26 | 2016-02-10 | 南茂科技股份有限公司 | Thin Film Flip-Chip Packaging Structure and Its Flexible Circuit Carrier |
-
2001
- 2001-07-13 JP JP2001213267A patent/JP2003032558A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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