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JP2003007898A - Semiconductor device, method of manufacturing the same, flexible wiring board suitable for use in the semiconductor device, method of processing the same, and processing apparatus - Google Patents

Semiconductor device, method of manufacturing the same, flexible wiring board suitable for use in the semiconductor device, method of processing the same, and processing apparatus

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Publication number
JP2003007898A
JP2003007898A JP2001195076A JP2001195076A JP2003007898A JP 2003007898 A JP2003007898 A JP 2003007898A JP 2001195076 A JP2001195076 A JP 2001195076A JP 2001195076 A JP2001195076 A JP 2001195076A JP 2003007898 A JP2003007898 A JP 2003007898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
integrated circuit
circuit chip
electrodes
wiring board
flexible wiring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001195076A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Fukazawa
博之 深澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2001195076A priority Critical patent/JP2003007898A/en
Publication of JP2003007898A publication Critical patent/JP2003007898A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H10W72/536
    • H10W72/5363
    • H10W72/884
    • H10W90/734
    • H10W90/754

Landscapes

  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 集積回路チップの平面的寸法よりも僅かに大
きいだけの、そしてピッチの広い外部接続電極を裏面に
備えた半導体装置及びその製造方法を得ること。 【解決手段】 本発明の第1実施形態の半導体装置50
は、集積回路チップSバンプ(電極)1に対応して複数
の内部電極321が内方に、それら内部電極321に接
続された外部電極322が外方に形成されている複数の
配線32がフレキシブル絶縁板31の同一面に形成され
ているフレキシブル配線基板30Aとからなり、集積回
路チップSのバンプ1が内部電極321にそれぞれ電気
的に接続され、外部電極322が前記集積回路チップの
裏面側に比較的広いピッチで外部接続電極として形成さ
れている。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device having an external connection electrode on the back surface which is slightly larger than a planar dimension of an integrated circuit chip and has a wide pitch, and a method of manufacturing the same. SOLUTION: The semiconductor device 50 according to the first embodiment of the present invention.
A plurality of wirings 32 in which a plurality of internal electrodes 321 are formed inward corresponding to the integrated circuit chip S bumps (electrodes) 1 and a plurality of wirings 32 in which external electrodes 322 connected to the internal electrodes 321 are formed outside are flexible. The bumps 1 of the integrated circuit chip S are electrically connected to the internal electrodes 321 respectively, and the external electrodes 322 are provided on the back side of the integrated circuit chip. The external connection electrodes are formed at a relatively wide pitch.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップの
平面的寸法よりも僅かに大きいだけの、そしてピッチの
広い外部接続電極を裏面に備えた半導体装置、その製造
方法、フレキシブル配線基板、その加工方法及び加工装
置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having an external connection electrode on the back surface, which is slightly larger than the planar size of an integrated circuit chip and has a wide pitch, a method for manufacturing the same, a flexible wiring board, and the same. The present invention relates to a processing method and a processing device.

【0002】[0002]

【従来の技術】先ず、図12乃至図14を参照しなが
ら、従来技術の半導体装置を説明する。
2. Description of the Related Art First, a conventional semiconductor device will be described with reference to FIGS.

【0003】図12は従来技術の裏面に外部接続電極が
形成されている半導体装置を示す半断面図、図13は裏
面に外部接続電極が形成されている他の半導体装置を示
す半断面図、そして図14は図13に示した半導体装置
を複数個積み重ねた積層半導体装置の断面図である。
FIG. 12 is a half sectional view showing a conventional semiconductor device having an external connection electrode formed on the back surface, and FIG. 13 is a half sectional view showing another semiconductor device having an external connection electrode formed on the back surface. 14 is a cross-sectional view of a stacked semiconductor device in which a plurality of semiconductor devices shown in FIG. 13 are stacked.

【0004】従来、集積回路チップと配線基板とを集積
回路チップの裏面側で電気的に接続する半導体装置の構
造としては、米国特許第5,216,278号や、AS
IC& EDAP ページ9〜15、March,19
93に開示されているMotorola社の“OMPA
C”など、図12に半分断面で示したような半導体装置
600がある。この半導体装置600は、集積回路チッ
プSがプリント配線基板610の表面に接着剤などを用
いて搭載されている。プリント配線基板610の表面に
は複数の上部ランド611が、裏面には外部接続電極6
12が、そしてヴァイアホール613が形成されてい
て、集積回路チップSは、その複数の電極上に形成され
ている半田、金などのバンプ1がそれらに対応する上部
ランド611に金などの金属ワイヤ614を用いて電気
的に接続されている。そして、この集積回路チップSと
金属ワイヤ114を保護するために上面部にエポキシ樹
脂などの封止材615で封止した構造のものである。な
お、プリント配線基板610の裏面の外部電極612
は、周辺配列或いは格子配列状に設けられている。
Conventionally, as a structure of a semiconductor device for electrically connecting an integrated circuit chip and a wiring substrate on the back side of the integrated circuit chip, US Pat. No. 5,216,278 and AS
IC & EDAP pages 9-15, March, 19
93 disclosed by Motorola "OMPA"
12 is a semiconductor device 600 such as that shown in a half cross section in FIG. 12. In this semiconductor device 600, an integrated circuit chip S is mounted on the surface of a printed wiring board 610 using an adhesive or the like. A plurality of upper lands 611 are provided on the front surface of the wiring board 610, and the external connection electrodes 6 are provided on the back surface.
In the integrated circuit chip S, bumps 1 such as solder and gold formed on a plurality of electrodes of the integrated circuit chip S are provided with metal wires such as gold on the corresponding upper land 611. It is electrically connected using 614. Then, in order to protect the integrated circuit chip S and the metal wire 114, the upper surface is sealed with a sealing material 615 such as epoxy resin. In addition, the external electrodes 612 on the back surface of the printed wiring board 610.
Are provided in a peripheral arrangement or a lattice arrangement.

【0005】しかしながら、この半導体装置600の構
造であると、金属ワイヤ614で接続するために必要な
集積回路チップSとこの半導体装置600の端面との間
隔は、最低でも0.5mm程度必要となる。従って、半
導体装置600の平面的寸法が、集積回路チップSの平
面的寸法よりも1mm以上大きくなってしまうといった
課題があった。
However, in the structure of the semiconductor device 600, the distance between the integrated circuit chip S required for connection with the metal wire 614 and the end face of the semiconductor device 600 is required to be at least about 0.5 mm. . Therefore, there is a problem that the planar size of the semiconductor device 600 becomes larger than the planar size of the integrated circuit chip S by 1 mm or more.

【0006】この課題を解決するために、本発明者が発
明し、本出願人が出願したNo.01002717 &
No.01002718(出願番号を調べて記入す
る)に開示した半導体装置700がある。この先願の半
導体装置700は、図13に示したように、集積回路チ
ップSの裏面に予め電気的絶縁層2を形成しておき、こ
の集積回路チップSの側面に、複数本の細い導電線73
1を樹脂732で固めた厚さの薄いコの字型の導通部品
730をはめ込み、その側面に密着させて集積回路チッ
プSの複数のバンプ1にそれぞれ対応する導電線731
の上部先端233を接続し、それらの上部からキヤピラ
リー(不図示)と呼ばれる細い棒で、超音波振動および
熱を加えて圧着、接続し、導電線731の下部先端73
4を集積回路チップSの裏面に配設した構造のものであ
る。
In order to solve this problem, the No. No. filed by the present inventor and filed by the present applicant was applied. 01002717 &
No. There is a semiconductor device 700 disclosed in 01002718 (look up and fill in application number). In the semiconductor device 700 of this prior application, as shown in FIG. 13, an electrical insulating layer 2 is formed in advance on the back surface of the integrated circuit chip S, and a plurality of thin conductive wires are formed on the side surface of the integrated circuit chip S. 73
A thin U-shaped conductive component 730 in which 1 is hardened with a resin 732 is fitted and closely attached to the side surface of the conductive component 731 to correspond to the plurality of bumps 1 of the integrated circuit chip S.
Upper ends 233 of the conductive wires 731 are connected by a thin rod called a capillary (not shown) from the upper part of the conductive wires 731 by applying ultrasonic vibration and heat.
4 is provided on the back surface of the integrated circuit chip S.

【0007】このように半導体装置700は、コの字型
の導通部品730をが集積回路チップSの外周面に沿っ
て装着できるので、半導体装置700そのものをコンパ
クトに仕上げることができる。
As described above, in the semiconductor device 700, since the U-shaped conductive component 730 can be mounted along the outer peripheral surface of the integrated circuit chip S, the semiconductor device 700 itself can be made compact.

【0008】そして、この半導体装置700は単体で電
子機器に組み込まれるプリント配線基板に実装して用い
ることもでき、また、図14に示したように、最下層の
半導体装置700Aの導電線231の上部先端733
に、その半導体装置700Aの上方に積層した半導体装
置700Bの導電線731の下部先端734を直接接続
し、以下、同様に積層した半導体装置700を、このよ
うに電気的接続を行うことにより複数個の半導体装置7
00を多段に積層でき、積層部品として用いることがで
きる。
The semiconductor device 700 can also be used alone by mounting it on a printed wiring board incorporated in an electronic device. Further, as shown in FIG. 14, the conductive wire 231 of the lowermost semiconductor device 700A can be used. Upper tip 733
, The lower tip 734 of the conductive wire 731 of the semiconductor device 700B stacked above the semiconductor device 700A is directly connected to the semiconductor device 700A, and a plurality of semiconductor devices 700 stacked in the same manner are electrically connected in this manner. Semiconductor device 7
00 can be laminated in multiple stages and can be used as a laminated component.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】前記のような構造の半
導体装置700であると、図12に示した半導体装置6
00の構造上の課題であった集積回路チップSとその半
導体装置600の端面との間隔は、0.05mm程度に
まで短縮することができるが、導通部品730の製法
上、半導体装置700の外部接続電極となる導電線73
1の下部先端734が集積回路チップSの周辺配列のみ
となってしまい、外部接続電極のピッチを広く設計でき
る格子配列の外部接続電極を有する半導体装置が実現で
きないという課題が残った。
If the semiconductor device 700 having the above structure is used, the semiconductor device 6 shown in FIG.
The distance between the integrated circuit chip S and the end face of the semiconductor device 600, which was a structural problem of No. 00, can be shortened to about 0.05 mm. Conductive wire 73 to be a connection electrode
The lower tip 734 of No. 1 becomes only the peripheral array of the integrated circuit chip S, and the problem remains that a semiconductor device having a grid array of external connection electrodes in which the pitch of external connection electrodes can be designed wide cannot be realized.

【0010】従って、本発明は、前記のような従来技術
の半導体装置における課題を解決しようとするものであ
って、集積回路チップの平面的寸法よりも僅かに大きい
だけの、そしてピッチの広い外部接続電極を裏面に備え
た半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする
ものである。
Therefore, the present invention is intended to solve the above-mentioned problems in the semiconductor device of the prior art, and is an external device which is slightly larger than the planar size of the integrated circuit chip and has a wide pitch. An object of the present invention is to obtain a semiconductor device having a connection electrode on its back surface and a manufacturing method thereof.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】それ故、請求項1に記載
の発明のフレキシブル配線基板は、フレキシブル絶縁板
の中央部に搭載しようとする集積回路チップを挿入でき
る面積の四辺形の開口部が形成されており、該開口部側
に前記集積回路チップの電極に対応する内部電極が、外
方に該内部電極に対応する外部電極が形成されている電
気配線が所定の配列で形成されており、そして前記開口
部の周辺部に前記集積回路チップの厚みに相当する長さ
の切り込みが形成されていることを特徴とする。
Therefore, in the flexible wiring board of the invention described in claim 1, a quadrilateral opening having an area into which the integrated circuit chip to be mounted can be inserted is formed in the central portion of the flexible insulating plate. The internal wiring corresponding to the electrode of the integrated circuit chip is formed on the opening side and the external wiring corresponding to the internal electrode is formed on the outside in a predetermined arrangement. And, a notch having a length corresponding to the thickness of the integrated circuit chip is formed in the peripheral portion of the opening.

【0012】そして、請求項2に記載のフレキシブル配
線基板は、請求項1に記載のフレキシブル配線基板の前
記開口部の周辺部が、搭載しようとする集積回路チップ
の厚みに相当する高さで前記電気配線の形成側とは反対
側に垂直に予め折り曲げられていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a flexible wiring board according to the first aspect, wherein a peripheral portion of the opening of the flexible wiring board has a height corresponding to a thickness of an integrated circuit chip to be mounted. It is characterized in that it is preliminarily bent perpendicularly to the side opposite to the side where the electric wiring is formed.

【0013】また、請求項3に記載のフレキシブル配線
基板は、請求項1または請求項2に記載のフレキシブル
配線基板の前記フレキシブル絶縁板の前記電気配線の形
成側とは反対側に接着剤層と該接着剤層を覆う剥離フィ
ルムとが積層されていることを特徴とする。
A flexible wiring board according to a third aspect of the present invention has an adhesive layer on the side of the flexible wiring board of the first or second side opposite to the side where the electric wiring is formed on the flexible insulating plate. A release film covering the adhesive layer is laminated.

【0014】そしてまた、請求項4に記載のフレキシブ
ル配線基板の加工方法は、フレキシブル絶縁板の中央部
に搭載しようとする集積回路チップを挿入できる面積の
四辺形の開口部が形成されており、該開口部側に前記集
積回路チップの電極に対応する内部電極が、外方に該内
部電極に対応する外部電極が形成されている電気配線が
所定の配列で形成されているフレキシブル配線基板を、
その開口部の中心が、前記開口部の開口形状に相当する
凹部が形成されている金型の該凹部の中心に一致するよ
うに載置し、上方から前記フレキシブル絶縁板の開口部
の周辺部に加重を掛けて、前記集積回路チップの厚みに
相当する幅で前記電気配線形成面に対して垂直に下方に
折り曲げ、前記集積回路チップの側面を覆う側面板を形
成することを特徴とする。
Further, in the method for processing a flexible wiring board according to a fourth aspect, a quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip to be mounted can be inserted is formed in the central portion of the flexible insulating plate. A flexible wiring substrate is formed in which a predetermined arrangement of electric wirings is formed on the opening side with internal electrodes corresponding to the electrodes of the integrated circuit chip, and externally with external electrodes corresponding to the internal electrodes.
The opening is placed such that the center of the opening coincides with the center of the recess of the mold in which the recess corresponding to the opening shape of the opening is formed, and the peripheral portion of the opening of the flexible insulating plate is placed from above. And a side plate that covers the side surface of the integrated circuit chip is formed by bending downwardly with a width corresponding to the thickness of the integrated circuit chip perpendicular to the electric wiring formation surface.

【0015】更に、請求項5に記載のフレキシブル配線
基板の加工方法は、請求項4に記載のフレキシブル配線
基板の加工方法における前記フレキシブル絶縁板の周辺
部の折り曲げ時に前記金型を加熱し、該加熱温度で少な
くとも前記周辺部を加熱しながら折り曲げることを特徴
とする。
Further, in the method for processing a flexible wiring board according to a fifth aspect, in the method for processing a flexible wiring board according to the fourth aspect, the mold is heated when the peripheral portion of the flexible insulating plate is bent, It is characterized by bending while heating at least the peripheral portion at a heating temperature.

【0016】そして更に、請求項6記載のフレキシブル
配線基板の加工装置は、フレキシブル絶縁板の中央部に
集積回路チップを挿入できる面積の四辺形の開口部が形
成されており、該開口部側に前記集積回路チップの電極
に対応する内部電極が、外方に該内部電極に対応する外
部電極が形成されている電気配線が所定の配列で形成さ
れており、そして該開口部の周辺部を、搭載しようとす
る集積回路チップの厚みに相当する高さで前記電気配線
の形成側とは反対側に垂直に折り曲げるフレキシブル配
線基板の加工装置であって、前記フレキシブル配線基板
を載置できる平面載置面と、該平面載置面中央部に前記
内部電極が形成されている周辺部の開口幅よりフレキシ
ブル絶縁板の2倍の厚み分広い間隔幅で相対向する側縁
が互いに平行に、かつそれらの断面が直角に形成され、
前記フレキシブル絶縁板の開口部の相対向する周辺部を
前記側縁に、前記外部電極側を前記側縁より外方の平面
載置面で支持できる凹部とが形成されている固定金型
と、前記両側縁より外方の平面載置面で支持された前記
両外部電極側をそれぞれ上方から抑える一対の抑え板
と、該両抑え板の内方に在って、前記両側縁上に載置さ
れた前記周辺部を、前記搭載しようとする集積回路チッ
プの厚みに相当する高さで前記電気配線の形成側とは反
対側に上方から垂直に折り曲げるパンチとを備えている
可動金型とを具備して構成されている。
Further, in a flexible wiring board processing apparatus according to a sixth aspect, a quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip can be inserted is formed in a central portion of a flexible insulating plate, and the opening side is provided on the opening side. The internal electrodes corresponding to the electrodes of the integrated circuit chip, the electrical wiring on which the external electrodes corresponding to the internal electrodes are formed outward is formed in a predetermined array, and the peripheral portion of the opening is A processing apparatus for a flexible wiring board, which is vertically bent to a side opposite to a side on which the electric wiring is formed at a height corresponding to a thickness of an integrated circuit chip to be mounted, the flat mounting on which the flexible wiring board can be mounted. The surface and the side edges facing each other with an interval width wider than the opening width of the peripheral portion where the internal electrode is formed in the central portion of the flat mounting surface by twice the thickness of the flexible insulating plate are parallel to each other, One their cross section is right angle formed,
A fixed mold in which a peripheral portion of the opening of the flexible insulating plate facing each other is formed on the side edge, and a recess for supporting the external electrode side on a flat mounting surface outside the side edge is formed, A pair of holding plates for holding the two external electrode sides supported by flat mounting surfaces outside the both side edges from above, respectively, and a pair of holding plates located inside the both holding plates and placed on the both side edges. And a movable mold having a punch for vertically bending the peripheral portion from above to a side opposite to the side where the electric wiring is formed at a height corresponding to the thickness of the integrated circuit chip to be mounted. It is equipped and configured.

【0017】更にまた、請求項7に記載の半導体装置
は、複数の電極が形成されている集積回路チップと、該
集積回路チップの前記複数の電極に対応して複数の内部
電極が内方に、該複数の内部電極に接続された外部電極
が外方に形成されている複数の電気的配線がフレキシブ
ル絶縁板の同一面に形成されているフレキシブル配線基
板とからなり、前記集積回路チップの前記複数の電極が
前記複数の内方電極にそれぞれ電気的に接続されてお
り、前記複数の外部電極が前記集積回路チップの裏面側
に外部接続電極として形成されていることを特徴とす
る。
Further, in the semiconductor device according to the seventh aspect, an integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed thereon, and a plurality of internal electrodes corresponding to the plurality of electrodes of the integrated circuit chip are provided inward. A flexible wiring board having external electrodes connected to the internal electrodes and formed externally on the same surface of a flexible insulating plate. The plurality of electrodes are electrically connected to the plurality of inner electrodes, respectively, and the plurality of external electrodes are formed as external connection electrodes on the back surface side of the integrated circuit chip.

【0018】そして更にまた、請求項8に記載の半導体
装置は、複数の電極が形成されている集積回路チップ
と、フレキシブル絶縁板の中央部に前記集積回路チップ
を挿入できる面積の四辺形の開口部が形成されており、
該開口部側に前記集積回路チップの電極に対応する内部
電極が、外方に該内部電極に対応する外部電極が形成さ
れている電気配線が所定の配列で形成されているフレキ
シブル配線基板の前記開口部に前記集積回路チップが挿
入されており、その集積回路チップの側面が前記開口部
の周辺部のフレキシブル絶縁板で覆われており、裏面が
前記複数の外部電極が形成されている前記フレキシブル
絶縁板で覆われて、前記複数の外方部が外部接続電極と
して形成されていることを特徴とする。
Further, in a semiconductor device according to an eighth aspect, an integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed thereon and a quadrangular opening having an area into which the integrated circuit chip can be inserted in a central portion of a flexible insulating plate. Part is formed,
An internal wiring corresponding to an electrode of the integrated circuit chip is formed on the opening side, and an external wiring corresponding to the internal electrode is formed on the outside of the flexible wiring substrate in a predetermined arrangement. The integrated circuit chip is inserted into the opening, the side surface of the integrated circuit chip is covered with a flexible insulating plate around the opening, and the back surface is formed with the plurality of external electrodes. It is characterized in that it is covered with an insulating plate and the plurality of outer portions are formed as external connection electrodes.

【0019】そして更にまた、請求項9に記載の半導体
装置の製造方法は、内方に複数の内部電極が、外方に該
複数の内部電極と接続された外部電極が同一面に形成さ
れているフレキシブル配線基板に、複数の電極が表面に
形成されている集積回路チップを搭載して前記集積回路
チップの裏面に外部接続電極を形成する半導体装置の製
造方法において、前記集積回路チップの前記複数の電極
を前記フレキシブル配線基板の前記内部電極にそれぞれ
電気接続する電極接続工程と、前記複数の外部電極が形
成されている前記フレキシブル配線基板の外方部を前記
集積回路チップの裏面側に折り返して固定する折返し工
程とを備えていることを特徴とする。
Further, according to a ninth aspect of the method of manufacturing a semiconductor device, a plurality of internal electrodes are formed on the inner side and external electrodes connected to the plurality of inner electrodes are formed on the same surface. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein an integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed on a front surface thereof is mounted on a flexible wiring substrate, and external connection electrodes are formed on a back surface of the integrated circuit chip. An electrode connecting step of electrically connecting the electrodes of the flexible wiring board to the internal electrodes of the flexible wiring board, and the outer portion of the flexible wiring board on which the plurality of external electrodes are formed is folded back to the back surface side of the integrated circuit chip. It is characterized by including a folding back step of fixing.

【0020】そして更にまた、請求項10に記載の半導
体装置の製造方法は、フレキシブル絶縁板の中央部に搭
載しようとする集積回路チップを挿入できる面積の四辺
形の開口部が形成されており、該開口部側に前記集積回
路チップの電極に対応する内部電極が、外方に該内部電
極に対応する外部電極が形成されている電気配線が所定
の配列で表面に形成されており、そして前記開口部の周
辺部に前記集積回路チップの厚みに相当する長さの切り
込みが形成されているフレキシブル配線基板に、表面に
複数の電極が形成されている集積回路チップを搭載して
前記集積回路チップの裏面に外部接続電極を形成する半
導体装置の製造方法において、前記集積回路チップの表
面を上向きにして前記フレキシブル配線基板の裏面側か
ら表面側に向けて前記開口部に挿入しながら前記開口部
周辺の前記切り込みで自由端になっているフレキシブル
絶縁板を上方に押し上げて、該自由端が前記集積回路チ
ップの側面を覆う位置で前記集積回路チップを位置決め
する位置決め工程と、前記集積回路チップの前記複数の
電極を前記フレキシブル配線基板の前記内部電極にそれ
ぞれ接続する電極接続工程と、位置決めされた前記集積
回路チップからはみ出した前記フレキシブル配線基板の
前記複数の外部電極が形成されている外方部を前記集積
回路チップの裏面側に折り返した場合に該裏面側に前記
複数の外部電極が位置するように前記外方部を切断する
切断工程と、切断された前記フレキシブル配線基板の外
方部を前記集積回路チップの裏面側に折り返して固定す
る折返し工程と、前記集積回路チップの表面と側面を覆
っている前記フレキシブル配線基板の部分とを絶縁材で
被覆する絶縁被覆工程とを備えていることを特徴とす
る。
Furthermore, in the method of manufacturing a semiconductor device according to a tenth aspect of the present invention, a quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip to be mounted can be inserted is formed in the central portion of the flexible insulating plate. An electric wire having an internal electrode corresponding to the electrode of the integrated circuit chip on the opening side and an external electrode corresponding to the internal electrode on the outside is formed in a predetermined array on the surface, and The integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed on the surface thereof is mounted on a flexible wiring board having a notch having a length corresponding to the thickness of the integrated circuit chip formed around the opening. In the method of manufacturing a semiconductor device, wherein external connection electrodes are formed on the back surface of the flexible wiring board, the front surface of the integrated circuit chip faces upward, and The flexible insulating plate, which is a free end due to the cut around the opening, is pushed up while being inserted into the opening, and the integrated circuit chip is positioned at a position where the free end covers the side surface of the integrated circuit chip. A positioning step, an electrode connecting step for respectively connecting the plurality of electrodes of the integrated circuit chip to the internal electrodes of the flexible wiring board, and the plurality of flexible wiring boards protruding from the positioned integrated circuit chip. A cutting step of cutting the outer portion so that the plurality of outer electrodes are located on the back surface side when the outer portion on which the outer electrode is formed is folded back to the back surface side of the integrated circuit chip; And a step of folding back the outer portion of the flexible wiring board to the back side of the integrated circuit chip to fix the same, and the integrated circuit chip. Characterized in that the said flexible wiring board portion covering the surface and side surfaces and an insulating coating step of coating with an insulating material.

【0021】そして更にまた、請求項11に記載の半導
体装置の製造方法は、フレキシブル絶縁板の中央部に搭
載しようとする集積回路チップを挿入できる面積の四辺
形の開口部が形成されており、該開口部側に前記集積回
路チップの電極に対応する内部電極が、外方に該内部電
極に対応する外部電極が形成されている電気配線が所定
の配列で表面に形成されており、そして前記開口部の周
辺部のフレキシブル絶縁板が前記集積回路チップの厚み
に相当する高さで前記電気配線の形成側とは反対側に垂
直に予め折り曲げられているフレキシブル配線基板に、
表面に複数の電極が形成されている集積回路チップを搭
載して前記集積回路チップの裏面に外部接続電極を形成
する半導体装置の製造方法において、前記集積回路チッ
プの表面を上向きにして前記フレキシブル配線基板の表
面側から裏面側に向けて前記開口部上の位置で前記集積
回路チップを位置決めする位置決め工程と、前記位置決
めされた集積回路チップの前記複数の電極を前記フレキ
シブル配線基板の前記内部電極にそれぞれ所定の長さの
金属ワイヤで接続する電極接続工程と、該金属ワイヤで
接続された前記集積回路チップからはみ出した前記フレ
キシブル配線基板の前記複数の外部電極が形成されてい
る外方部を前記集積回路チップの裏面側に折り返した場
合に該裏面側に前記複数の外部電極が位置するように前
記外方部を切断する切断工程と、切断された前記フレキ
シブル配線基板を持ち上げて前記金属ワイヤをループ状
に持ち上げるフレキシブル配線基板の持ち上げ工程と、
持ち上げられたフレキシブル配線基板の外方部を前記集
積回路チップの裏面側に反転させる反転工程と、該反転
させたフレキシブル配線基板の外方部を前記集積回路チ
ップの裏面に固着する固着工程と、前記集積回路チップ
の表面と側面を覆っている前記フレキシブル配線基板の
部分とを絶縁材で被覆する絶縁被覆工程とを備えている
ことを特徴とする。
Furthermore, in the method of manufacturing a semiconductor device according to the eleventh aspect, a quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip to be mounted can be inserted is formed in the central portion of the flexible insulating plate. An electric wire having an internal electrode corresponding to the electrode of the integrated circuit chip on the opening side and an external electrode corresponding to the internal electrode on the outside is formed in a predetermined array on the surface, and A flexible wiring board in which a flexible insulating plate in the peripheral portion of the opening is preliminarily bent at a height corresponding to the thickness of the integrated circuit chip to the side opposite to the side where the electric wiring is formed,
In a method of manufacturing a semiconductor device, wherein an integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed on a surface thereof is mounted, and external connection electrodes are formed on a back surface of the integrated circuit chip, the flexible wiring with the surface of the integrated circuit chip facing upward. A positioning step of positioning the integrated circuit chip at a position on the opening from the front surface side to the back surface side of the substrate; and the plurality of electrodes of the positioned integrated circuit chip on the internal electrodes of the flexible wiring board. The electrode connecting step of connecting with a metal wire of a predetermined length, and the outer portion of the flexible wiring board protruding from the integrated circuit chip connected with the metal wire, the outer portion having the plurality of external electrodes formed thereon, The outer portion is cut so that the plurality of external electrodes are positioned on the back surface side when folded back to the back surface side of the integrated circuit chip. A cutting step, a step lifting of the flexible wiring board to lift the metal wire lifts the flexible wiring board is cut in a loop,
A reversing step of reversing the outer portion of the lifted flexible wiring substrate to the back surface side of the integrated circuit chip, and a fixing step of fixing the outer portion of the reversed flexible wiring substrate to the back surface of the integrated circuit chip, An insulating coating step of coating the surface of the integrated circuit chip and the portion of the flexible wiring board covering the side surface with an insulating material is provided.

【0022】そして更にまた、請求項12に記載の半導
体装置の製造方法は、請求項9、請求項10、または請
求項11に記載の半導体装置の製造方法における前記フ
レキシブル配線基板の前記内部電極及び前記外部電極が
形成されている面とは反対の面に接着剤層が形成されて
いることを特徴とする。
Furthermore, a semiconductor device manufacturing method according to a twelfth aspect is the method for manufacturing a semiconductor device according to the ninth, tenth, or eleventh aspect, wherein the internal electrodes and the internal electrodes of the flexible wiring substrate are included. An adhesive layer is formed on a surface opposite to the surface on which the external electrode is formed.

【0023】従って、請求項1に記載の発明によれば、
開口部及び切り込みの存在により集積回路チップのフレ
キシブル配線基板への位置決めがし易く、その開口部へ
の挿入動作につれてフレキシブル絶縁板の開口部周辺を
集積回路チップの側面に貼り付けることができる。
Therefore, according to the invention of claim 1,
The presence of the opening and the notch makes it easy to position the integrated circuit chip on the flexible wiring board, and the periphery of the opening of the flexible insulating plate can be attached to the side surface of the integrated circuit chip as the inserting operation into the opening is performed.

【0024】そして、請求項2に記載の発明によれば、
請求項1に記載の発明のフレキシブル配線基板の開口部
周辺を前記のように予め折り曲げておくことにより、集
積回路チップを容易に搭載できる他、折り曲げた開口部
周辺のフレキシブル絶縁板の外方への開きを防止するこ
とができる。
According to the invention described in claim 2,
By bending the periphery of the opening of the flexible wiring board of the invention according to claim 1 in advance as described above, the integrated circuit chip can be easily mounted, and the flexible insulating plate around the folded opening is outwardly provided. Can be prevented from opening.

【0025】また、請求項3に記載の発明によれば、請
求項1または請求項2に記載の開口部周辺のフレキシブ
ル絶縁板の集積回路チップへの固着作業が容易に行え
る。
According to the invention of claim 3, the work of fixing the flexible insulating plate around the opening according to claim 1 or 2 to the integrated circuit chip can be easily performed.

【0026】そしてまた、請求項4に記載の発明によれ
ば、請求項2に記載の発明のフレキシブル配線基板、即
ち、開口部周辺のフレキシブル絶縁板が予め垂直に折り
曲げられたフレキシブル配線基板を容易に加工しておく
ことができる。
Further, according to the invention described in claim 4, the flexible wiring board of the invention described in claim 2, that is, the flexible wiring board in which the flexible insulating plate around the opening is preliminarily bent vertically is facilitated. It can be processed into.

【0027】更に、請求項5に記載の発明によれば、少
なくとも開口部周辺のフレキシブル絶縁板を加熱してお
くことにより、より少ない加重で、かつ短時間で折り曲
げ加工を行うことができる。
Further, according to the invention described in claim 5, by heating at least the flexible insulating plate around the opening, it is possible to perform bending work with less weight and in a short time.

【0028】そして更に、請求項6に記載の発明によれ
ば、フレキシブル配線基板の外方部を抑え板で固定しな
がら、加重が十分に掛かったパンチで開口部の周辺のフ
レキシブル絶縁板を下方に垂直に折り曲げることができ
る。
Further, according to the invention as set forth in claim 6, while fixing the outer portion of the flexible wiring board by the restraining plate, the flexible insulating plate around the opening is lowered by the punch having a sufficient weight. Can be folded vertically to.

【0029】更にまた、請求項7に記載の発明によれ
ば、搭載した集積回路チップの側面及び裏面をフレキシ
ブル配線基板で覆うことにより、半導体装置の平面的寸
法を、搭載した集積回路チップの平面的寸法よりそれ程
広くない面積で形成でき、実装面積を取らず、外部接続
電極のピッチを広く設計できる任意の配列で形成でき、
そしてその裏面に外部接続電極を具備せしめることがで
きる。
Further, according to the invention of claim 7, the side surface and the back surface of the mounted integrated circuit chip are covered with the flexible wiring substrate, so that the planar size of the semiconductor device can be made equal to that of the mounted integrated circuit chip. Can be formed in an area that is not much wider than the target size, does not occupy a mounting area, and can be formed in any array that can design the pitch of external connection electrodes to be wide,
Then, an external connection electrode can be provided on the back surface thereof.

【0030】そして更にまた、請求項8に記載の発明に
よれば、フレキシブル配線基板の中央部に開口部に臨ん
で集積回路チップを位置決めして搭載し易く、その搭載
した集積回路チップの側面及び裏面をフレキシブル配線
基板で覆うことにより、半導体装置の平面的寸法を、搭
載した集積回路チップの平面的寸法よりそれ程広くない
面積で形成でき、実装面積を取らず、外部接続電極のピ
ッチを広く設計できる任意の配列で形成でき、そしてそ
の裏面に外部接続電極を具備せしめることができる。
Further, according to the invention of claim 8, it is easy to position and mount the integrated circuit chip by facing the opening in the central portion of the flexible wiring board, and the side surface of the mounted integrated circuit chip and By covering the back surface with a flexible wiring board, the planar dimensions of the semiconductor device can be formed in an area that is not much wider than the planar dimensions of the integrated circuit chip on which it is mounted. It can be formed in any possible arrangement, and can be provided with an external connection electrode on its back surface.

【0031】そして更にまた、請求項9に記載の発明に
よれば、搭載した集積回路チップの側面及び裏面がフレ
キシブル配線基板で覆われた、そして半導体装置の平面
的寸法を、搭載した集積回路チップの平面的寸法よりそ
れ程広くない面積で形成でき、実装面積を取らず、外部
接続電極のピッチを広く設計できる任意の配列で形成で
き、そしてその裏面に外部接続電極を具備した半導体装
置を容易に製造することができる。
Further, according to the invention of claim 9, the side surface and the back surface of the mounted integrated circuit chip are covered with the flexible wiring substrate, and the planar dimension of the semiconductor device is mounted. Can be formed in an area that is not much wider than the planar dimension of the semiconductor device, can be formed in an arbitrary array that does not take up a mounting area, and the pitch of external connection electrodes can be designed wide, and a semiconductor device having external connection electrodes on its back surface can be easily formed. It can be manufactured.

【0032】そして更にまた、請求項10に記載の発明
によれば、開口部の周辺を予め上方に折り曲げられる切
り込みが形成されていることから、下方にから積回路チ
ップを開口部に挿入することにより自動的に集積回路チ
ップの位置決めができると同時に切り込みにより自由端
となっているフレキシブル絶縁板の周辺部を集積回路チ
ップの側面に固着することができる。
According to the tenth aspect of the present invention, since the notch for bending the periphery of the opening upward is formed beforehand, the product circuit chip can be inserted into the opening from below. Thus, the integrated circuit chip can be automatically positioned and the peripheral portion of the flexible insulating plate, which is a free end, can be fixed to the side surface of the integrated circuit chip by the cut.

【0033】そして更にまた、請求項11に記載の発明
によれば、開口部の周辺を予め下方に折り曲げて形成さ
れていることから、上方から積回路チップを開口部に挿
入することにより集積回路チップの位置決めができ、そ
して集積回路チップの側面に折り曲げ絶縁板が密着し、
半導体装置の平面的寸法を、搭載した集積回路チップの
平面的寸法よりそれ程広くない面積で半導体装置を形成
でき、実装面積を取らず、外部接続電極のピッチを広く
設計できる任意の配列で形成でき、そしてその裏面に外
部接続電極を具備した半導体装置を容易に製造すること
ができる。
Further, according to the invention of claim 11, since the periphery of the opening is formed by bending it downward in advance, the integrated circuit chip is inserted into the opening from above. The chip can be positioned, and the side of the integrated circuit chip is attached to the bent insulating plate,
The semiconductor device can be formed in an arbitrary array that allows the semiconductor device to be formed in an area that is not much wider than that of the integrated circuit chip on which it is mounted, does not occupy a mounting area, and can be designed with a wide pitch of external connection electrodes. Then, a semiconductor device having an external connection electrode on its back surface can be easily manufactured.

【0034】そして更にまた、請求項12に記載の発明
によれば、格別の固着手段を用いることなく、フレキシ
ブル配線基板に設けた接着剤層により、集積回路チップ
の裏面に折り曲げられたフレキシブル配線基板の外方部
を、その裏面に接着、固定することができ、生産性が向
上する。
Further, according to the invention of claim 12, the flexible wiring board is bent to the back surface of the integrated circuit chip by the adhesive layer provided on the flexible wiring board without using any special fixing means. The outer part of the can be adhered and fixed to the back surface, which improves productivity.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、図を用いて、本発明の各種
実施形態の半導体装置及びその製造方法を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Semiconductor devices according to various embodiments of the present invention and manufacturing methods thereof will be described below with reference to the drawings.

【0036】図1は本発明の実施形態の半導体装置の断
面図、図2は図1に示した半導体装置に用いて好適な一
実施形態の1単位のフレキシブル配線基板の形状を示し
ていて、同図Aはその平面図、同図Bは同図Aのフレキ
シブル配線基板の外部電極部を裏面に折り曲げて形成さ
れた外部接続電極を示す図1に示した半導体装置の裏面
の平面図、図3は他の3実施形態の1単位のフレキシブ
ル配線基板の形状を示した平面図、図4は図3に示した
各種形状のフレキシブル配線基板の外部電極部分を折り
曲げて形成された外部接続電極を示す半導体装置の裏面
の平面図、図5は図1に示した半導体装置の第1の製造
方法を示す工程図、図6は図5に示した半導体装置の製
造方法により得られた半導体装置の絶縁材による封止方
法を示す工程図、図7は図1に示した半導体装置の第2
の製造方法を示す工程図、図8は本発明の半導体装置の
好ましくない構造の断面図、図9は本発明の第2実施形
態のフレキシブル配線基板の断面図、図10は図9に示
した第2実施形態のフレキシブル配線基板の形成装置の
断面図、図11は図9に示した第2実施形態のフレキシ
ブル配線基板を用いた半導体装置の第3の製造方法を示
す工程図である。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows the shape of one unit of a flexible wiring board suitable for use in the semiconductor device shown in FIG. 1A is a plan view thereof, and FIG. 1B is a plan view of the back surface of the semiconductor device shown in FIG. 1 showing external connection electrodes formed by bending the external electrode portions of the flexible wiring board of FIG. 3 is a plan view showing the shape of a flexible wiring board of one unit according to the other three embodiments, and FIG. 4 shows external connection electrodes formed by bending the external electrode portions of the flexible wiring boards of various shapes shown in FIG. 5 is a plan view of the back surface of the semiconductor device shown in FIG. 5, FIG. 5 is a process drawing showing the first manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG. 1, and FIG. 6 is a semiconductor device obtained by the manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG. Process drawing showing a sealing method with an insulating material, 7 and the second semiconductor device shown in FIG. 1
FIG. 8 is a sectional view showing a method for manufacturing the same, FIG. 8 is a sectional view of an unfavorable structure of a semiconductor device of the present invention, FIG. 9 is a sectional view of a flexible wiring board of a second embodiment of the present invention, and FIG. 11 is a cross-sectional view of the flexible wiring board forming apparatus of the second embodiment, and FIG. 11 is a process diagram showing a third manufacturing method of a semiconductor device using the flexible wiring board of the second embodiment shown in FIG.

【0037】先ず、図1乃至図6を用いて、本発明の第
1実施形態の半導体装置の構造及びその製造方法を説明
する。
First, the structure of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention and the method for manufacturing the same will be described with reference to FIGS.

【0038】図1において、符号50は本発明の第1実
施形態の半導体装置を指す。この半導体装置50は、集
積回路チップSとフレキシブル配線基板30Aとから構
成されていて、集積回路チップSがフレキシブル配線基
板30Aに搭載されており、その搭載された集積回路チ
ップSの側面及び裏面をフレキシブル配線基板30Aで
覆い、集積回路チップSの複数のバンプ(電極)1をフ
レキシブル配線基板30A上に形成されている内部電極
321に金などの極細の金属ワイヤWを介して電気的に
接続し、フレキシブル配線基板30Aの外方部に形成さ
れ、前記内部電極321に通じている外部電極322部
分を集積回路チップSの裏面に配して、これらを外部接
続電極とし、集積回路チップSのバンプ1が形成された
表面及び側面を側を、例えば、エポキシ樹脂などの封止
材Inで被覆された構造のものである。符号34は内部
電極321と外部電極322とを除く配線32部分を電
気的、機械的に保護する絶縁保護膜を指す。
In FIG. 1, reference numeral 50 indicates a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. The semiconductor device 50 is composed of an integrated circuit chip S and a flexible wiring board 30A, the integrated circuit chip S is mounted on the flexible wiring board 30A, and the side surface and the back surface of the mounted integrated circuit chip S are The flexible wiring board 30A is covered, and the plurality of bumps (electrodes) 1 of the integrated circuit chip S are electrically connected to the internal electrodes 321 formed on the flexible wiring board 30A via ultrafine metal wires W such as gold. The external electrode 322 portion formed on the outer portion of the flexible wiring board 30A and communicating with the internal electrode 321 is arranged on the back surface of the integrated circuit chip S, and these are used as external connection electrodes, and bumps of the integrated circuit chip S are provided. The surface and the side surface on which 1 is formed are covered with a sealing material In such as epoxy resin. Reference numeral 34 indicates an insulating protective film that electrically and mechanically protects the wiring 32 portion excluding the internal electrode 321 and the external electrode 322.

【0039】このような構造を採ることによって、集積
回路チップSの平面的寸法よりもわずかに大きいだけの
外形寸法の半導体装置を得ることができる。また、この
ような半導体装置の構造であると、複数の外部接続電極
(外部電極322)のピッチを広く設計できる電極配列
で実現可能となる。
By adopting such a structure, it is possible to obtain a semiconductor device having an outer dimension slightly larger than the planar dimension of the integrated circuit chip S. Further, such a structure of the semiconductor device can be realized with an electrode array in which the pitch of the plurality of external connection electrodes (external electrodes 322) can be designed wide.

【0040】前記集積回路チップSは表面に複数の電極
上に金、半田などのバンプ1が形成されている。集積回
路チップSはその複数のバンプ(電極)1が相対向する
2辺に沿って所定の間隔で一直線状に配列されている構
造(デュアルインライン配列)のものでもよく、4辺に
沿って所定の間隔で四辺形状に配列されている構造(ク
ワッドランギュラ配列)のものでもよく、また、集積回
路チップSの表面全面に所定の間隔で格子状に配列され
ている、所謂、エリアアレイ配列の構造のものであって
もよい。
On the surface of the integrated circuit chip S, bumps 1 of gold, solder, etc. are formed on a plurality of electrodes. The integrated circuit chip S may have a structure (dual in-line arrangement) in which a plurality of bumps (electrodes) 1 are arranged in a straight line at a predetermined interval along two opposite sides (predetermined intervals along four sides). It may have a quadrangular structure (quadrangular arrangement) arranged at regular intervals, or a so-called area array arrangement in which the entire surface of the integrated circuit chip S is arranged in a lattice pattern at predetermined intervals. It may have a structure.

【0041】フレキシブル配線基板30Aは、図1及び
図2に示したように、例えば、ポリイミドなどの絶縁樹
脂シート、或いはテープ(以下、単に「フレキシブル絶
縁板」と記す)31の表面上に電気回路の電気的導通部
である複数本の配線32と、中央部に集積回路チップS
を挿入できるように、その外形寸法に相当する輪郭の開
口部33などが形成された基板である。各配線32の内
方(開口部33側)には内部電極321が、外方部(フ
レキシブル配線基板30Aの外側)311、312には
外部電極322が形成されている。これら隣接する外部
電極322のピッチは広く広げて形成することができ、
図2Bに示したように、集積回路チップSの裏面側に折
り込まれて外部接続電極となる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the flexible wiring board 30A has an electric circuit formed on the surface of an insulating resin sheet such as polyimide or a tape (hereinafter, simply referred to as "flexible insulating plate") 31. A plurality of wirings 32 which are electrically conducting portions of the integrated circuit chip S in the central portion.
Is a substrate in which an opening portion 33 having a contour corresponding to the outer dimension thereof is formed so that the can be inserted. An inner electrode 321 is formed on the inner side (opening 33 side) of each wiring 32, and an outer electrode 322 is formed on the outer side (outer side of the flexible wiring substrate 30A) 311 and 312. The pitch of the adjacent external electrodes 322 can be widened and formed,
As shown in FIG. 2B, the integrated circuit chip S is folded on the back surface side to serve as an external connection electrode.

【0042】図2に1個の集積回路チップSを搭載する
1単位の各種フレキシブル配線基板30Aを示した。こ
のフレキシブル配線基板30Aは複数の電極(バンプ)
1が集積回路チップ本体の相対向する2辺に沿って所定
の間隔で一直線状に配列(デュアルインライン配列)さ
れている構造の集積回路チップSに適用して好適なフレ
キシブル配線基板30Aである。このフレキシブル配線
基板30Aの中央部には集積回路チップSの外形に相当
する輪郭にほぼ一致する形状の開口部33が形成されて
おり、その開口部33の四隅には、配線32が形成され
ていない辺の開口部33の縁の延長線上に切り込み35
が入れられており、それらの両端を結ぶ点線は、内方
(開口部33側)に存在するフレキシブル絶縁板31の
自由端片315、316の折線Laを示している。即
ち、切り込み35の長さ、言い換えれば折線Laまでの
幅は、搭載しようとする集積回路チップSの厚みに相当
する寸法とする。これらのフレキシブル絶縁板31は、
折線La部分で、図4Bに示したように、集積回路チッ
プSの開口部33への挿入により上方に垂直に折り曲げ
られる。図2Bの状態は、前記のように、フレキシブル
配線基板30Aの外方部311、312が集積回路チッ
プSの裏面に折り込まれた半導体装置50の裏面を表し
ている。
FIG. 2 shows one unit of various flexible wiring boards 30A on which one integrated circuit chip S is mounted. This flexible wiring board 30A has a plurality of electrodes (bumps).
1 is a flexible wiring board 30A suitable for application to an integrated circuit chip S having a structure in which the integrated circuit chip body is arranged in a straight line along two opposite sides of the integrated circuit chip body (dual in-line arrangement). An opening 33 having a shape substantially corresponding to the contour corresponding to the outer shape of the integrated circuit chip S is formed in the central portion of the flexible wiring board 30A, and the wiring 32 is formed at four corners of the opening 33. A notch 35 is formed on the extension of the edge of the opening 33 on the non-existing side.
Is inserted, and the dotted line connecting both ends thereof indicates the fold line La of the free end pieces 315, 316 of the flexible insulating plate 31 existing inside (on the side of the opening 33). That is, the length of the cut 35, in other words, the width up to the broken line La has a dimension corresponding to the thickness of the integrated circuit chip S to be mounted. These flexible insulating plates 31 are
As shown in FIG. 4B, the folding line La is bent vertically upward by inserting the integrated circuit chip S into the opening 33. The state of FIG. 2B represents the back surface of the semiconductor device 50 in which the outer portions 311 and 312 of the flexible wiring board 30A are folded into the back surface of the integrated circuit chip S as described above.

【0043】フレキシブル配線基板30Aの形状は、図
2Aに示した形状のものの他、図3A、B、Cに示した
ような形状であってもよい。これらは複数の電極(バン
プ)1が集積回路チップ本体の四辺の各辺に沿って所定
の間隔で一直線状に配列されている(クワッドランギュ
ラ配列)、或いはエリアアレイ状に配列されている構造
の集積回路チップSに適用して好適なフレキシブル配線
基板30Aである。
The shape of the flexible wiring board 30A may be the shape shown in FIG. 2A or the shape shown in FIGS. 3A, 3B and 3C. These are a structure in which a plurality of electrodes (bumps) 1 are arranged in a straight line along each side of the four sides of the integrated circuit chip body at a predetermined interval (quadrangular arrangement) or arranged in an area array form. It is a flexible wiring board 30A suitable for application to the integrated circuit chip S.

【0044】図3A、図3B、図3Cの各フレキシブル
配線基板30Aの開口部33の四隅にも切り込み35が
入れられており、それらの両端を結ぶ点線も折線Laを
指す。
Notches 35 are also formed at the four corners of the opening 33 of each flexible wiring board 30A shown in FIGS. 3A, 3B and 3C, and the dotted lines connecting both ends thereof also indicate the fold line La.

【0045】図3A及び図3Cのフレキシブル配線基板
30Aにおいては、開口部33の四隅に、切り込み35
が小四辺形の貫通孔を打ち抜いて形成されているもので
あって、点線が折線Laとなる。
In the flexible wiring board 30A shown in FIGS. 3A and 3C, the notches 35 are formed at the four corners of the opening 33.
Is formed by punching out a small quadrangular through hole, and the dotted line is the broken line La.

【0046】図3Bのフレキシブル配線基板30Aで
は、切り込み35が開口部33の四隅で斜めに入れられ
ており、それらの端部を結ぶ点線が折線Laとなる。
In the flexible wiring board 30A of FIG. 3B, the notches 35 are obliquely formed at the four corners of the opening 33, and the dotted line connecting the ends thereof is the broken line La.

【0047】図3A、図3B及び図3Cに示したそれぞ
れのフレキシブル配線基板30Aの開口部33に集積回
路チップSを搭載し、後記する工程に従って外方部31
1、312、313、314を集積回路チップSの裏面
に折り込めば、それぞれ図4A、図4B、図4Cに示し
たような折り込み形状となる。外方部311、312、
313、314は図4A、図4Bに示したように、集積
回路チップSの裏面全面を覆うように切断してもよく、
図4Cに示したように、裏面の一部分を露出する形状で
切断してもよい。なお、これらの図に内部電極321と
外部電極322との表記を省略した。
The integrated circuit chip S is mounted in the opening 33 of each flexible wiring board 30A shown in FIGS. 3A, 3B and 3C, and the outer portion 31 is subjected to the steps described below.
When 1,312, 313, and 314 are folded into the back surface of the integrated circuit chip S, the folded shapes shown in FIGS. 4A, 4B, and 4C are obtained. Outer parts 311, 312,
As shown in FIGS. 4A and 4B, 313 and 314 may be cut to cover the entire back surface of the integrated circuit chip S,
As shown in FIG. 4C, you may cut | disconnect in the shape which exposes a part of back surface. Note that the illustration of the internal electrode 321 and the external electrode 322 is omitted in these figures.

【0048】次に、図2、図5乃至図7を用いて、半導
体装置50の製造方法を説明する。
Next, a method of manufacturing the semiconductor device 50 will be described with reference to FIGS. 2 and 5 to 7.

【0049】その製造方法には2通りあり、先ず、図2
Aに示したフレキシブル配線基板30Aと複数の電極
(バンプ)1がデュアルインライン配列で形成されてい
る集積回路チップSとを用い、図5を参照しながら、半
導体装置50の第1の製造方法を説明する。
There are two types of manufacturing methods. First, referring to FIG.
A flexible wiring board 30A shown in A and an integrated circuit chip S in which a plurality of electrodes (bumps) 1 are formed in a dual in-line arrangement are used to refer to a first manufacturing method of a semiconductor device 50 with reference to FIG. explain.

【0050】先ず、図5Aに示したように、予め表面に
電気回路の配線32が形成され、中央部に集積回路チッ
プSの寸法よりその厚さの2倍の寸法の開口部33が形
成されたフレキシブル配線基板30Aを載置台に平面状
に載置し、その開口部33の下方に集積回路チップSを
移載し、その集積回路チップSを下方から開口部33に
挿入する。
First, as shown in FIG. 5A, the wiring 32 of the electric circuit is preliminarily formed on the surface, and the opening 33 having a size twice the thickness of the integrated circuit chip S is formed in the central portion. The flexible wiring board 30A is placed flat on the mounting table, the integrated circuit chip S is transferred below the opening 33, and the integrated circuit chip S is inserted into the opening 33 from below.

【0051】そうすると、開口部33の四隅に予め切り
込み35が形成されていることから、図2Aに示したフ
レキシブル配線基板30Aの折線Laから内方の自由端
片315、316が、図5Bに示したように、上方に垂
直に折り曲げられる。
Then, since the notches 35 are formed in advance at the four corners of the opening 33, the free end pieces 315 and 316 inward from the fold line La of the flexible wiring board 30A shown in FIG. 2A are shown in FIG. 5B. As shown above, it is bent vertically upward.

【0052】次に、図5Cに示したように、その集積回
路チップSのバンプ1とフレキシブル配線基板30Aの
内部電極321とを互いに金などの金属ワイヤWで電気
的に接続する。
Next, as shown in FIG. 5C, the bumps 1 of the integrated circuit chip S and the internal electrodes 321 of the flexible wiring board 30A are electrically connected to each other by a metal wire W such as gold.

【0053】続く工程で同図Dに示したようにフレキシ
ブル配線基板30Aの外周部を切断する。この切断の形
状は、図2Aに示した4本の一点鎖線Lbに沿って行
う。
In the subsequent step, the outer peripheral portion of the flexible wiring board 30A is cut as shown in FIG. This cutting is performed along the four single-dot chain lines Lb shown in FIG. 2A.

【0054】次に、同図Eに示したように、集積回路チ
ップSの左右の外側にはみ出したフレキシブル配線基板
30Aの外方部311、312を、その集積回路チップ
Sの裏面側に折り返し、別途用意した液状などの接着樹
脂などを用いて固着する。この裏面側に折り返す時に、
フレキシブル配線基板30Aに折線La部分が集積回路
チップSの裏面の両側縁に位置していることから、それ
ら外方部311、312を裏面側に折り返し易く、作業
性が向上する。
Next, as shown in FIG. 6E, the outer portions 311 and 312 of the flexible wiring board 30A protruding outside the left and right of the integrated circuit chip S are folded back to the back surface side of the integrated circuit chip S, It is fixed using a separately prepared liquid adhesive resin. When folding back on this back side,
Since the folding line La portions are located on both side edges of the back surface of the integrated circuit chip S on the flexible wiring board 30A, the outer portions 311 and 312 are easily folded back to the back surface side, and the workability is improved.

【0055】フレキシブル配線基板30Aの外周部を、
図2Aに示したように、切断することにより、それら集
積回路チップSからはみ出した外方部311、312の
集積回路チップSの裏面における平面状態は、図2Bに
示したように、集積回路チップSの裏面全面を覆う状態
となり、その表面に外部電極(外部接続電極)322が
互いに広いピッチで配列された状態となる。
The outer peripheral portion of the flexible wiring board 30A is
As shown in FIG. 2A, the planar state of the back surface of the integrated circuit chip S of the outer portions 311 and 312 protruding from the integrated circuit chip S by cutting is as shown in FIG. 2B. The entire surface of the back surface of S is covered, and the external electrodes (external connection electrodes) 322 are arranged on the surface at a wide pitch.

【0056】続いて、図6に示したように、集積回路チ
ップSの金属ワイヤW部分、表面、側面をエポキシ樹脂
などの封止材Inで被覆し、加熱硬化させることで図1
に示したような半導体装置50が完成する。同図A及び
同図Bは集積回路チップSの両側面に沿って折り曲げら
れているフレキシブル配線基板30A部分を封止材In
で被覆する工程を示しており、同図Cは集積回路チップ
Sの表面、全てのバンプ1及び金属ワイヤW部分を封止
材Inで封止する工程を示している。
Subsequently, as shown in FIG. 6, the metal wire W portion, the surface, and the side surface of the integrated circuit chip S are covered with an encapsulating material In such as an epoxy resin and cured by heating.
The semiconductor device 50 as shown in is completed. In FIGS. A and B, the flexible wiring board 30A portion bent along both side surfaces of the integrated circuit chip S is sealed with the sealing material In.
C shows the step of sealing the surface of the integrated circuit chip S, all the bumps 1 and the metal wires W with the sealing material In.

【0057】このように、本発明の第1実施形態の半導
体装置50は、その平面的寸法を、搭載した集積回路チ
ップSの平面的寸法より、それ程広くない面積で形成で
きるので、実装面積を取らず、隣接する外部接続電極の
ピッチを広く設計できる任意の配列で形成でき、そして
その裏面に外部接続電極を具備していることから、複数
個の半導体装置を積層した構造で用いることもできる。
As described above, the semiconductor device 50 according to the first embodiment of the present invention can be formed in a plane size which is not so large as the plane size of the integrated circuit chip S on which it is mounted. Instead, the external connection electrodes can be formed in an arbitrary array in which the pitch of the adjacent external connection electrodes can be designed wide, and since the external connection electrodes are provided on the back surface thereof, it can be used in a structure in which a plurality of semiconductor devices are stacked. .

【0058】第1実施形態の半導体装置50の製造に当
たっては、集積回路チップSの裏面に折り返したフレキ
シブル配線基板30Aの外方部311、312を、その
裏面に固着する場合に、別途用意した液状などの接着樹
脂などを用いて固着する方法を採っているために、その
ための工数が必要となる。
In manufacturing the semiconductor device 50 of the first embodiment, when the outer portions 311 and 312 of the flexible wiring board 30A folded back to the back surface of the integrated circuit chip S are fixed to the back surface thereof, a liquid prepared separately is used. Since a method of fixing using an adhesive resin or the like is adopted, man-hours for that are required.

【0059】この課題を解決するには、図7に示した製
造工程を採るとよい。先ず、図7Aに示した工程で、フ
レキシブル配線基板30Bを用意する。このフレキシブ
ル配線基板30Bは、その中央部に開口部33が形成さ
れており、フレキシブル絶縁板31の表面には、開口部
33の周辺に臨んで内部電極321が、これとは反対側
の外方に、内部電極321にそれぞれ対応する外部電極
322が形成されている所定の電子回路などの配線32
が形成されており、フレキシブル絶縁板31の裏面には
接着剤層36とその表面に剥離フィルム37とがラミネ
ートされている基板である。この接着剤層36は中央部
の開口部33を除くフレキシブル絶縁板31の裏面全面
に、剥離フィルム37は集積回路チップSの大きさより
大きい開口部を除く全面にラミネートされたものとなっ
ている。フレキシブル絶縁板31も、例えば、ポリイミ
ド樹脂製などの絶縁材を用いて形成することができる。
To solve this problem, the manufacturing process shown in FIG. 7 may be adopted. First, in the step shown in FIG. 7A, the flexible wiring board 30B is prepared. The flexible wiring board 30B has an opening 33 formed in the center thereof, and the flexible insulating plate 31 has an internal electrode 321 on the surface facing the periphery of the opening 33 and an external electrode on the opposite side. The external electrodes 322 corresponding to the internal electrodes 321 are formed on the wiring 32 of a predetermined electronic circuit or the like.
Is formed, and the adhesive layer 36 is laminated on the back surface of the flexible insulating plate 31, and the release film 37 is laminated on the surface of the adhesive layer 36. The adhesive layer 36 is laminated on the entire back surface of the flexible insulating plate 31 except the central opening 33, and the peeling film 37 is laminated on the entire surface except the opening larger than the integrated circuit chip S. The flexible insulating plate 31 can also be formed by using an insulating material such as a polyimide resin.

【0060】このような構造のフレキシブル配線基板3
0Bを用いて、図7Aに示したように、図5Aの工程と
同様に、フレキシブル配線基板30Bを載置台(不図
示)に水平に載置し、その下方向から集積回路チップS
をフレキシブル配線基板30Bの開口部33に挿入する
と、同図Bに示した状態になる。なお、フレキシブル配
線基板30Bもフレキシブル配線基板30Aと同様に、
集積回路チップSのコーナ部に当たる部分に、予め、切
り込み35が形成されている。それらの切り込み35の
存在によって、集積回路チップSが挿入し易くなる。こ
の時、フレキシブル配線基板30Bの自由端片315、
316は、裏面の接着剤層36によって集積回路チップ
Sの側面に自動的に接着されて行く。
Flexible wiring board 3 having such a structure
As shown in FIG. 7A, the flexible wiring board 30B is horizontally mounted on a mounting table (not shown) using 0B as shown in FIG. 7A, and the integrated circuit chip S is mounted from below.
Is inserted into the opening 33 of the flexible wiring board 30B, the state shown in FIG. The flexible wiring board 30B, like the flexible wiring board 30A,
A notch 35 is previously formed in a portion corresponding to a corner portion of the integrated circuit chip S. The presence of the cuts 35 facilitates insertion of the integrated circuit chip S. At this time, the free end piece 315 of the flexible wiring board 30B,
316 is automatically adhered to the side surface of the integrated circuit chip S by the adhesive layer 36 on the back surface.

【0061】次に、図7Cに示したように、集積回路チ
ップSの電極(バンプ)1とフレキシブル配線基板30
Bの配線32の内部電極321とを金属ワイヤ11によ
り電気的に接続し、フレキシブル配線基板30Aの切断
の場合の要領で、フレキシブル配線基板30Bの外周部
の切断を行う。そうすると、同図Dに示したような形状
の集積回路チップSが搭載されたフレキシブル配線基板
となる。
Next, as shown in FIG. 7C, the electrodes (bumps) 1 of the integrated circuit chip S and the flexible wiring board 30.
The internal electrode 321 of the B wiring 32 is electrically connected by the metal wire 11, and the outer peripheral portion of the flexible wiring board 30B is cut as in the case of cutting the flexible wiring board 30A. Then, the flexible wiring board on which the integrated circuit chip S having the shape shown in FIG.

【0062】そして、フレキシブル配線基板30Bの裏
面の剥離フィルム37を剥がし、集積回路チップSの外
側にはみ出したフレキシブル配線基板30Bの外方部3
11、312を集積回路チップSの裏面側に折り返す
と、接着剤層36でフレキシブル絶縁板31を集積回路
チップSの側面及び裏面に接着して、それら外方部31
1、312を集積回路チップSの裏面に容易に固着させ
ることができ、同図Eに示したように、外部電極322
を外部接続電極として形成された構造の半導体装置が得
られる。
Then, the peeling film 37 on the back surface of the flexible wiring board 30B is peeled off, and the outer portion 3 of the flexible wiring board 30B protruding outside the integrated circuit chip S is removed.
When 11 and 312 are folded back to the back surface side of the integrated circuit chip S, the flexible insulating plate 31 is adhered to the side surface and the back surface of the integrated circuit chip S with the adhesive layer 36, and the outer portion 31
1, 312 can be easily fixed to the back surface of the integrated circuit chip S, and as shown in FIG.
A semiconductor device having a structure in which is formed as an external connection electrode is obtained.

【0063】このように、接着剤層36が予めフレキシ
ブル配線基板30Bにラミネートされているので、液状
などの接着用樹脂を用いなくても容易にフレキシブル配
線基板30Bを折り返し、固定することが可能となる。
Since the adhesive layer 36 is previously laminated on the flexible wiring board 30B as described above, the flexible wiring board 30B can be easily folded and fixed without using an adhesive resin such as a liquid. Become.

【0064】次に、このようにして得られた半導体装置
を、図6に示した方法で、金属ワイヤW部と集積回路チ
ップSの表面を、エポキシ樹脂などの封止材Inで封止
し、加熱熟硬化することで、図1に示したような半導体
装置50が得られる。
Next, in the semiconductor device thus obtained, the metal wire W portion and the surface of the integrated circuit chip S are sealed with an encapsulating material In such as epoxy resin by the method shown in FIG. The semiconductor device 50 as shown in FIG. 1 is obtained by heating and curing.

【0065】以上記したように、第2の製造方法は、フ
レキシブル絶縁板31の裏面に接着剤層36及び剥離フ
ィルム37がラミネートされているフレキシブル配線基
板30Bを用いることによって、集積回路チップSをフ
レキシブル配線基板30Bに搭載する際に、集積回路チ
ップSの上方への移動動作に連れて自動的にフレキシブ
ル配線基板30Bの内方部を集積回路チップSの側面に
接着させ、更に、液状などの接着用樹脂を用いることな
く簡単にフレキシブル配線基板30Bの外方部311、
312を集積回路チップSの裏面に接着させることがで
きるので、製造コストを低減させることができる。
As described above, in the second manufacturing method, the integrated circuit chip S is formed by using the flexible wiring board 30B in which the adhesive layer 36 and the release film 37 are laminated on the back surface of the flexible insulating plate 31. When mounted on the flexible wiring board 30B, the inner portion of the flexible wiring board 30B is automatically adhered to the side surface of the integrated circuit chip S along with the upward movement of the integrated circuit chip S. The outer portion 311 of the flexible wiring board 30B can be easily formed without using an adhesive resin.
Since the 312 can be adhered to the back surface of the integrated circuit chip S, the manufacturing cost can be reduced.

【0066】ところで、前記の半導体装置50は、フレ
キシブル配線基板30A、30B共にそれらの外方部3
11、312を集積回路チップSの裏面に折り返す際
に、フレキシブル絶縁板31の剛性が高い場合には、集
積回路チップSに沿って曲がりにくくなり、図8に示し
たように、矢印Aで示す自由端片315、316の基部
が垂直になりにくく、矢印Bで示す自由端片315、3
16の端部が開き気味になり、封止材Inで封止して
も、金属ワイヤWが露出してしまうことがある。
By the way, in the semiconductor device 50, both the flexible wiring boards 30A and 30B have outer portions 3 thereof.
When the flexible insulating plate 31 has a high rigidity when the 11, 11 and 312 are folded back to the back surface of the integrated circuit chip S, the flexible insulating plate 31 is hard to bend along the integrated circuit chip S and is indicated by an arrow A as shown in FIG. The bases of the free end pieces 315, 316 are unlikely to be vertical, and the free end pieces 315, 3 shown by arrow B
The end portion of 16 is likely to open, and the metal wire W may be exposed even if it is sealed with the sealing material In.

【0067】この課題を解決するために発明されたの
が、図9に示した本発明の第3実施形態のフレキシブル
配線基板30Cを用いて構成した半導体装置であって、
この半導体装置は図1に示した完成した半導体装置50
の外観及び構造ともに同一のものとなる。
What was invented in order to solve this problem is a semiconductor device constituted by using the flexible wiring board 30C of the third embodiment of the present invention shown in FIG.
This semiconductor device is a completed semiconductor device 50 shown in FIG.
The appearance and structure are the same.

【0068】フレキシブル配線基板30Cは、図9に示
したように、フレキシブル配線基板30A、30Bのフ
レキシブル絶縁板31の自由端片315、316に相当
する開口部周辺315A、316Aが開口部33側で外
方部311、312の水平面に対して下方に垂直に予め
折り曲げられて形成されている構造の基板である。
As shown in FIG. 9, the flexible wiring board 30C has openings 315A and 316A corresponding to the free end pieces 315 and 316 of the flexible insulating plates 31 of the flexible wiring boards 30A and 30B on the opening 33 side. It is a substrate having a structure formed by being bent vertically downward in advance with respect to the horizontal planes of the outer portions 311 and 312.

【0069】この構造のフレキシブル配線基板30C
は、図10に示した実施形態のような本発明のフレキシ
ブル配線基板の加工装置(以下、単に「加工装置」と記
す)を用いることにより形成することができる。即ち、
この加工装置40は固定金型4100と可動金型420
0とから構成されている。
Flexible wiring board 30C of this structure
Can be formed by using the flexible wiring board processing apparatus of the present invention as in the embodiment shown in FIG. 10 (hereinafter simply referred to as “processing apparatus”). That is,
This processing device 40 includes a fixed mold 4100 and a movable mold 420.
It is composed of 0 and 0.

【0070】固定金型4100は、前記フレキシブル配
線基板30Cを載置できる平面載置面4110と、その
平面載置面4110の中央部に、フレキシブル配線基板
30Cの開口部33の開口幅よりフレキシブル絶縁板3
1の2倍の厚み分広い間隔幅で相対向する側縁4120
(雄型)が互いに平行に、かつそれらの断面が直角に形
成され、前記フレキシブル絶縁板31の開口部33の相
対向する周辺部を前記側縁4120に、外部電極322
側を平面載置面4110で支持できる凹部4130とが
形成されている。この凹部4130は、集積回路チップ
Sの電極がデュアルインライン配列で形成されている場
合に用いるフレキシブル配線基板を加工する場合には、
凹溝の形状で形成されており、従って、2本の側縁41
20が形成された構造のものとなる。
The fixed mold 4100 has a flat mounting surface 4110 on which the flexible wiring board 30C can be mounted, and a flexible insulation from the opening width of the opening 33 of the flexible wiring board 30C at the center of the flat mounting surface 4110. Board 3
Side edges 4120 facing each other with a width twice as wide as 1
(Male types) are formed in parallel with each other and their cross sections are perpendicular to each other, and the peripheral portions of the opening 33 of the flexible insulating plate 31 facing each other are provided on the side edge 4120 and the external electrode 322.
A concave portion 4130 whose side can be supported by the flat mounting surface 4110 is formed. This concave portion 4130 is formed when processing the flexible wiring board used when the electrodes of the integrated circuit chip S are formed in the dual in-line arrangement.
It is formed in the shape of a groove and therefore has two side edges 41.
The structure 20 is formed.

【0071】一方の可動金型4200は、前記両側縁4
120より外方の平面載置面4110でフレキシブル配
線基板30Cの両外部電極322側を支持した場合に、
それら両外部電極322をれぞれ上方から抑える一対の
抑え板4210と、それら両抑え板4210の内方に在
って、前記両側縁4120上に載置された前記開口部3
3の周辺部を、搭載しようとする集積回路チップSの厚
みに相当する高さで前記電気配線32の形成面側とは反
対側に上方から垂直に折り曲げるパンチ機構4220と
を備えて構成されている。
One of the movable molds 4200 has the both side edges 4
When the both sides of the external electrode 322 of the flexible wiring board 30C are supported by the flat mounting surface 4110 outside 120,
A pair of restraining plates 4210 that restrain the external electrodes 322 from above, respectively, and the opening 3 that is placed inside the both restraining plates 4210 and placed on the both side edges 4120.
3 is provided with a punching mechanism 4220 that vertically bends the peripheral portion of the peripheral portion 3 from above to the side opposite to the surface on which the electric wiring 32 is formed at a height corresponding to the thickness of the integrated circuit chip S to be mounted. There is.

【0072】抑え板4210の下面はフレキシブル絶縁
板31の内周部、配線32、或いは絶縁保護膜34の段
差に応じてそれらを押し込める押圧面4211が形成さ
れている。そして、図示していない機構により、外部か
らの押圧力で下降し、その押圧力が無くなれば、上昇し
て元の位置に復帰し、待機する。
The lower surface of the restraining plate 4210 is formed with a pressing surface 4211 for pressing them in accordance with the inner peripheral portion of the flexible insulating plate 31, the wiring 32, or the step of the insulating protective film 34. Then, by a mechanism (not shown), the pressure decreases from the outside, and when the pressure disappears, the pressure rises and returns to the original position to stand by.

【0073】パンチ機構4220は2本の加工パンチ4
221、4222と加重プレート4230とから構成さ
れている。更に2本の加工パンチ4221、4222は
支持アーム4223、4224とこれらの先端に形成さ
れているパンチ4225、4226とそれらの基端部4
227、4228とからなり、支持アーム4223、4
224はそれらの中央部で交差して軸4240を中心に
して回動できるように軸支され、それらの基端部422
6、4227は加重プレート4230の下面に当接して
いる。パンチ4225、4226はフレキシブル絶縁板
31の開口部周辺315A、316Aを下方に垂直に折
り曲げられるよう、両側縁4120の直角に合致する断
面で直角の窪み4229(雌型)が形成されている。
The punch mechanism 4220 has two processing punches 4
221, 4222 and a weight plate 4230. Further, two processing punches 4221 and 4222 are support arms 4223 and 4224, punches 4225 and 4226 formed at the tips thereof, and base end portions 4 thereof.
227, 4228 and support arms 4223, 4
224 are pivotally supported such that they intersect at their central portions and can pivot about an axis 4240, and their proximal ends 422.
Reference numerals 6 and 4227 are in contact with the lower surface of the weight plate 4230. The punches 4225 and 4226 are formed with a right-angled recess 4229 (female type) in a cross section that coincides with the right angle of both side edges 4120 so that the peripheral portions 315A and 316A of the flexible insulating plate 31 can be bent vertically downward.

【0074】加重プレート4230は一対の抑え板42
10の間で水平状態で上下動ができるように支持されて
おり、上方から押圧されることにより下降し、その裏面
に当接している支持アーム4223、4224の基端部
4227、4228を押し下げ、支持アーム4223、
4224が軸4240を中心にしてパンチ4225、4
226を開き、両側縁4120に接近する。上方からの
押圧力が無くなると、図示していない機構により加重プ
レート4230が上昇し、この動きにつれて支持アーム
4223、4224の開きも閉じてパンチ4225、4
226が両側縁4120から離れ、待機位置に戻る。図
示の状態はパンチ4225、4226がフレキシブル絶
縁板31の開口部周辺315A、316Aを押圧してい
る状態である。
The weight plate 4230 is a pair of holding plates 42.
It is supported so that it can move up and down in a horizontal state between 10 and is lowered by being pressed from above, and the base end portions 4227 and 4228 of the support arms 4223 and 4224 that are in contact with the back surfaces thereof are pushed down. Support arm 4223,
4224 punches 4225 about the axis 4240,
Open 226 to access both side edges 4120. When the pressing force from above disappears, the weighting plate 4230 rises by a mechanism (not shown), and the opening of the support arms 4223 and 4224 closes with this movement, thereby punching the punches 4225 and 4225.
226 separates from the side edges 4120 and returns to the standby position. The state shown in the figure is a state in which the punches 4225 and 4226 are pressing the peripheral portions 315A and 316A of the opening of the flexible insulating plate 31.

【0075】次に、このような固定金型4100と可動
金型420とで構成された加工装置40を用いてフレキ
シブル絶縁板31の開口部周辺315A、316Aの折
り曲げ加工を行うための動作を説明する。
Next, the operation for bending the periphery 315A, 316A of the opening of the flexible insulating plate 31 using the processing device 40 constituted by the fixed mold 4100 and the movable mold 420 will be described. To do.

【0076】先ず、可動金型4200及び両抑え板42
10を上方の待機位置に後退させた状態で、フレキシブ
ル配線基板30Cを、その開口部33が凹部4130に
一致するように、そして配線32が形成されている部分
を平面載置面4110上に位置するように載置する。
First, the movable mold 4200 and the both holding plates 42.
In the state where 10 is retracted to the upper standby position, the flexible wiring board 30C is positioned so that the opening 33 thereof coincides with the recess 4130 and the portion where the wiring 32 is formed is placed on the flat mounting surface 4110. Place it as you would.

【0077】次に、両抑え板4210に押圧力Cを掛け
て降下させ、平らなフレキシブル配線基板を抑え、加重
プレート4230に押圧力Dを掛けて降下させ、パンチ
4225、4226を固定金型4100の凹部4130
の両側縁4120に向けて移動させ、フレキシブル絶縁
板31の開口部周辺315A、316Aを加圧する。こ
の加圧によりそれら開口部周辺315A、316Aが下
方に直角に折り曲げられる。この折り曲げ加工の時に固
定金型4100及び或いは可動金型4200を加熱し、
その温度でフレキシブル絶縁板31を加熱する。この加
熱によりフレキシブル絶縁板31は軟化し、より少ない
押圧力(加重)Dで、かつ短時間で折り曲げ加工を行う
ことができる。
Next, a pressing force C is applied to both holding plates 4210 to lower them, a flat flexible wiring board is held down, and a pressing force D is applied to the weight plate 4230 to lower them, and the punches 4225 and 4226 are fixed die 4100. Recessed portion 4130
Of the flexible insulating plate 31 and the peripheral portions 315A and 316A of the flexible insulating plate 31 are pressed. By this pressurization, the openings 315A and 316A are bent downward at a right angle. At the time of this bending process, the fixed mold 4100 and / or the movable mold 4200 are heated,
The flexible insulating plate 31 is heated at that temperature. By this heating, the flexible insulating plate 31 is softened, and the bending process can be performed with less pressing force (weight) D and in a short time.

【0078】この折り曲げ加工が終了すると、加重プレ
ート4230への押圧力Dを解除し、加重プレート42
30を上昇させ、元に位置に待機させることによりパン
チ4225、4226が両側縁4120から離れる。同
時に両抑え板4210の押圧力Cも解除して両抑え板4
210を上昇させ、待機位置に戻す。
When this bending process is completed, the pressing force D on the weight plate 4230 is released and the weight plate 42 is released.
The punches 4225 and 4226 are separated from the both side edges 4120 by raising 30 and waiting it in the original position. At the same time, the pressing force C of both holding plates 4210 is also released, and both holding plates 4
210 is raised and returned to the standby position.

【0079】そして加工されたフレキシブル絶縁板31
の熱が除熱されると、その折り曲げ加工されたフレキシ
ブル配線基板を固定金型4100から取り外せば、図9
に示した構造のフレキシブル配線基板30Cが得られ
る。
The processed flexible insulating plate 31
When the heat of the above is removed, the bent flexible wiring board is removed from the fixed mold 4100.
The flexible wiring board 30C having the structure shown in FIG.

【0080】次に、このようにして成形されたフレキシ
ブル配線基板30Cを用いて本発明の半導体装置50を
製造する製造方法を図11を用いて説明する。
Next, a manufacturing method for manufacturing the semiconductor device 50 of the present invention using the thus-formed flexible wiring board 30C will be described with reference to FIG.

【0081】先ず、図11Aに示したように、不図示の
載置台に水平に載置した状態の集積回路チップSの開口
部33に集積回路チップSを持ち来たし、次に、同図B
に示したように、開口部33内に集積回路チップSを少
々挿入し、この状態で同図Cに示したように、集積回路
チップSのバンプ1とフレキシブル配線基板30Cの内
部電極321とを電気的に接続する。
First, as shown in FIG. 11A, the integrated circuit chip S is brought into the opening 33 of the integrated circuit chip S which is horizontally mounted on a mounting table (not shown).
As shown in FIG. 11, the integrated circuit chip S is slightly inserted into the opening 33, and in this state, the bumps 1 of the integrated circuit chip S and the internal electrodes 321 of the flexible wiring board 30C are inserted as shown in FIG. Connect electrically.

【0082】次に、図11Dに示したように、集積回路
チップSの外周部からはみ出しているフレキシブル配線
基板30Cの外方部311、312を所定の形状に切断
する。
Next, as shown in FIG. 11D, the outer portions 311 and 312 of the flexible wiring board 30C protruding from the outer peripheral portion of the integrated circuit chip S are cut into a predetermined shape.

【0083】次に、図11Eに示したように、それらの
外方部311、312に押圧力Eを付与してフレキシブ
ル配線基板30Cを持ち上げ、垂直に折り曲げられてい
る開口部周辺315A、316Aの下端縁が集積回路チ
ップSの側面の中央部近辺当たり、或いはそれよりも上
方まで持ち上げ、金属ワイヤWをループ状になるように
上方に揚げる。
Next, as shown in FIG. 11E, a pressing force E is applied to the outer portions 311 and 312 of the flexible wiring board 30C to raise the flexible wiring substrate 30C, and the periphery of the vertically bent openings 315A and 316A are bent. The lower edge hits the vicinity of the central portion of the side surface of the integrated circuit chip S, or is lifted to a position higher than that, and the metal wire W is lifted upward in a loop shape.

【0084】次に、図11Fに示したように、その状態
で外方部311、312を矢印Fで示したように、下方
に回転させ、更に、集積回路チップSの裏面へ180度
にわたって回動、反転させ、図11Gに示したように、
その裏面に接着剤を用いて固着させる。
Next, as shown in FIG. 11F, in this state, the outer portions 311 and 312 are rotated downward as indicated by arrow F, and further rotated 180 degrees to the back surface of the integrated circuit chip S. Move and flip, as shown in FIG. 11G,
The back surface is fixed with an adhesive.

【0085】その後で、図6に示したように、集積回路
チップSの表面及び側面を封止材Inで封止することに
より本発明の半導体装置50が完成する。
After that, as shown in FIG. 6, the front surface and the side surface of the integrated circuit chip S are sealed with the sealing material In, whereby the semiconductor device 50 of the present invention is completed.

【0086】この半導体装置50はフレキシブル配線基
板30Cの開口部周辺315A、316Aが予め直角に
折り曲げられた状態で成形されているため、図8に示し
たように、自由端片315、316が集積回路チップS
の側面から浮き上がることが無く密着した状態に保たれ
る。従って、金属ワイヤWが封止材Inから露出するよ
うなことが無い。
Since the semiconductor device 50 is formed in a state where the openings 315A and 316A of the flexible wiring board 30C are bent at right angles in advance, the free end pieces 315 and 316 are integrated as shown in FIG. Circuit chip S
It does not rise from the side of the and is kept in close contact. Therefore, the metal wire W is not exposed from the sealing material In.

【0087】搭載しようとする集積回路チップSがクワ
ッドインライン配列或いはエリアアレイ配列で形成され
ている電極を備えている場合には、前記のフレキシブル
配線基板の4辺の開口部周辺を垂直に折り曲げなければ
ならない。この折り曲げ加工を行う場合には、先ず、相
対向する2辺の折り曲げ加工を行い、次に、そのフレキ
シブル配線基板を固定金型4100から抜き、その固定
金型4100に対して90度回動させて再度載置し、残
る相対向する2辺の折り曲げ加工を行えばよい。
When the integrated circuit chip S to be mounted has the electrodes formed in the quad in-line arrangement or the area array arrangement, the periphery of the four side openings of the flexible wiring board must be bent vertically. I have to. In the case of performing this bending process, first, the two opposite sides are bent, then the flexible wiring board is removed from the fixed mold 4100 and rotated 90 degrees with respect to the fixed mold 4100. Then, it is placed again, and the remaining two opposite sides may be bent.

【0088】なお、フレキシブル配線基板30Cのよう
な構造のフレキシブル配線基板を用いる場合も、それら
の外方部311、312を集積回路チップSの裏面に固
着し易くするためには、それらの裏面に接着剤層と剥離
フィルムとをラミネートしておけばよい。
Even when a flexible wiring board having a structure such as the flexible wiring board 30C is used, in order to easily fix the outer parts 311 and 312 to the back surface of the integrated circuit chip S, the back surface of the back surface of the integrated circuit chip S can be easily fixed. The adhesive layer and the release film may be laminated together.

【0089】[0089]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置によれば、集積回路チップの平面的寸法よりも僅かに
大きいだけの、そしてピッチの広い外部接続電極を裏面
に備えた半導体装置を得ることができ、また、集積回路
チップの側面及び裏面は絶縁材或いはフレキシブル配線
基板でも覆われて、保護されている。
As described above, according to the semiconductor device of the present invention, there is provided a semiconductor device having external connection electrodes on the back surface which are slightly larger than the planar size of the integrated circuit chip and have a wide pitch. Moreover, the side surface and the back surface of the integrated circuit chip are covered and protected by an insulating material or a flexible wiring board.

【0090】また、前記の半導体装置を製造する本発明
の半導体装置の製造方法によれば、中央部に開口部が形
成され、搭載しようとする集積回路チップのコーナに相
当する部分に切り込みを設けたフレキシブル配線基板を
用いることにより集積回路チップの平面的寸法よりも僅
かに大きいだけの、そしてピッチの広い外部接続電極を
裏面に備えた半導体装置を製造することができる。
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention for manufacturing the above-mentioned semiconductor device, the opening is formed in the central portion, and the notch is provided at the portion corresponding to the corner of the integrated circuit chip to be mounted. By using the flexible wiring board, it is possible to manufacture a semiconductor device having an external connection electrode on the back surface, which is slightly larger than the planar size of the integrated circuit chip and has a wide pitch.

【0091】更に、本発明のフレキシブル配線基板によ
れば、中央部に開口部と切り込みを形成してあることか
ら、その開口部周辺部分を集積回路チップの側面に固定
しやすく、特に予め開口部周辺部分を下方に垂直に折り
曲げ、成形しておけば、集積回路チップの挿入がし易
く、かつその側面に沿った状態にあるので、金属ワイヤ
が浮き上がることが無く、完全に集積回路チップ及び金
属ワイヤを封止材で封止することができる。更にまた、
裏面に予め接着剤層が形成されているフレキシブル配線
基板を用いることにより集積回路チップの側面及び裏面
にフレキシブル絶縁板を自動的に固着でき、作業効率が
向上する。
Further, according to the flexible wiring board of the present invention, since the opening and the notch are formed in the central portion, it is easy to fix the peripheral portion of the opening to the side surface of the integrated circuit chip, and especially the opening is previously prepared. If the peripheral part is bent vertically downward and shaped, the integrated circuit chip can be easily inserted and is along the side surface of the integrated circuit chip. The wire can be sealed with a sealant. Furthermore,
By using the flexible wiring board having the adhesive layer formed on the back surface in advance, the flexible insulating plate can be automatically fixed to the side surface and the back surface of the integrated circuit chip, and the work efficiency is improved.

【0092】更にまた、本発明のフレキシブル配線基板
の加工装置によれば、簡単な構造、構成で、開口部周辺
を予め下方に垂直に折り曲げ、成形したフレキシブル配
線基板を容易に得られ、そのような構造のフレキシブル
配線基板を使用することにより、封止材から金属ワイヤ
が露出するのを防止できる半導体装置を得ることができ
る。
Further, according to the flexible wiring board processing apparatus of the present invention, it is possible to easily obtain a flexible wiring board which is formed by bending the periphery of the opening vertically downward in advance with a simple structure and configuration. By using a flexible wiring board having a different structure, it is possible to obtain a semiconductor device capable of preventing the metal wire from being exposed from the sealing material.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の実施形態の半導体装置の断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示した半導体装置に用いて好適な一実
施形態の1単位のフレキシブル配線基板の形状を示して
いて、同図Aはその平面図、同図Bは同図Aのフレキシ
ブル配線基板の外部電極部を裏面に折り曲げて形成され
た外部接続電極を示す図1に示した半導体装置の裏面の
平面図である。
2A and 2B show the shape of one unit of a flexible wiring board suitable for use in the semiconductor device shown in FIG. 1. FIG. 2A is a plan view of the same, and FIG. FIG. 3 is a plan view of the back surface of the semiconductor device shown in FIG. 1, showing the external connection electrodes formed by bending the external electrode portions of the wiring board on the back surface.

【図3】 他の3実施形態の1単位のフレキシブル配線
基板の形状を示した平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing the shape of one unit of a flexible wiring board according to other three embodiments.

【図4】 図3に示した各種形状のフレキシブル配線基
板の外部電極部分を折り曲げて形成された外部接続電極
を示す半導体装置の裏面の平面図である。
FIG. 4 is a plan view of the back surface of the semiconductor device showing the external connection electrodes formed by bending the external electrode portions of the flexible wiring boards of various shapes shown in FIG.

【図5】 図1に示した半導体装置の第1の製造方法を
示す工程図である。
5A to 5C are process diagrams showing a first manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG.

【図6】 図5に示した半導体装置の製造方法により得
られた半導体装置の絶縁材による封止方法を示す工程図
である。
6A to 6C are process diagrams showing a method for sealing a semiconductor device obtained by the method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 5 with an insulating material.

【図7】 図1に示した半導体装置の第2の製造方法を
示す工程図である。
FIG. 7 is a process drawing showing a second manufacturing method of the semiconductor device shown in FIG.

【図8】 本発明の半導体装置の好ましくない構造の断
面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of an unfavorable structure of the semiconductor device of the present invention.

【図9】 本発明の第2実施形態のフレキシブル配線基
板の断面図である。
FIG. 9 is a sectional view of a flexible wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図10】 図9に示した第2実施形態のフレキシブル
配線基板の形成装置の断面図である。
10 is a cross-sectional view of the flexible wiring board forming apparatus of the second embodiment shown in FIG.

【図11】 図9に示した第2実施形態のフレキシブル
配線基板を用いた半導体装置の第3の製造方法を示す工
程図である。
FIG. 11 is a process diagram showing a third manufacturing method of a semiconductor device using the flexible wiring board of the second embodiment shown in FIG. 9.

【図12】 従来技術の裏面に外部接続電極が形成され
ている半導体装置を示す半断面図である。
FIG. 12 is a half sectional view showing a semiconductor device in which an external connection electrode is formed on the back surface of a conventional technique.

【図13】 裏面に外部接続電極が形成されている他の
半導体装置を示す半断面図である。
FIG. 13 is a half cross-sectional view showing another semiconductor device in which an external connection electrode is formed on the back surface.

【図14】 図13に示した半導体装置を複数個積み重
ねた積層半導体装置の断面図である。
14 is a cross-sectional view of a stacked semiconductor device in which a plurality of semiconductor devices shown in FIG. 13 are stacked.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…集積回路チップSのバンプ(電極)、30A,30
B,30C…フレキシブル配線基板、31…フレキシブ
ル絶縁板、311,312…フレキシブル絶縁板31の
外方部、32…配線、321…内部電極、322…外部
電極(外部接続電極)、33…開口部、34…絶縁保護
膜、35…切り込み、36…接着剤層、37…剥離フィ
ルム、40…フレキシブル配線基板の加工装置、410
0…固定金型、4120…側縁、4130…凹部、42
00…可動金型、4210…抑え板、4220…パンチ
機構、4221,4222…加工パンチ、4230…加
重プレート、50…本発明の半導体装置、S…集積回路
チップ、In…絶縁材、W…金属ワイヤ、La…折線
1 ... Bump (electrode) of integrated circuit chip S, 30A, 30
B, 30C ... Flexible wiring board, 31 ... Flexible insulating plate, 311, 312 ... Outer part of flexible insulating plate 31, 32 ... Wiring, 321 ... Internal electrode, 322 ... External electrode (external connection electrode), 33 ... Opening part , 34 ... Insulating protective film, 35 ... Notch, 36 ... Adhesive layer, 37 ... Release film, 40 ... Flexible wiring board processing device, 410
0 ... Fixed mold, 4120 ... Side edge, 4130 ... Recessed portion, 42
00 ... Movable die, 4210 ... Suppression plate, 4220 ... Punch mechanism, 4221, 4222 ... Processing punch, 4230 ... Weighting plate, 50 ... Semiconductor device of the present invention, S ... Integrated circuit chip, In ... Insulating material, W ... Metal Wire, La ... Folded line

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フレキシブル絶縁板の中央部に搭載しよ
うとする集積回路チップを挿入できる面積の四辺形の開
口部が形成されており、該開口部側に前記集積回路チッ
プの電極に対応する内部電極が、外方に該内部電極に対
応する外部電極が形成されている電気配線が所定の配列
で形成されており、そして前記開口部の周辺部に前記集
積回路チップの厚みに相当する長さの切り込みが形成さ
れていることを特徴とするフレキシブル配線基板。
1. A quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip to be mounted can be inserted is formed in a central portion of a flexible insulating plate, and an internal portion corresponding to an electrode of the integrated circuit chip is formed on the opening side. Electrodes are formed in a predetermined array on the outside in which an external wiring corresponding to the internal electrodes is formed, and a length corresponding to the thickness of the integrated circuit chip is formed around the opening. A flexible wiring board having a notch formed therein.
【請求項2】 前記開口部の周辺部が、搭載しようとす
る集積回路チップの厚みに相当する高さで前記電気配線
の形成側とは反対側に垂直に予め折り曲げられているこ
とを特徴とする請求項1に記載のフレキシブル配線基
板。
2. A peripheral portion of the opening is preliminarily bent vertically to a side opposite to a side where the electric wiring is formed at a height corresponding to a thickness of an integrated circuit chip to be mounted. The flexible wiring board according to claim 1.
【請求項3】 前記フレキシブル絶縁板の前記電気配線
の形成側とは反対側に接着剤層と該接着剤層を覆う剥離
フィルムとが積層されていることを特徴とする請求項1
または請求項2に記載のフレキシブル配線基板。
3. An adhesive layer and a release film covering the adhesive layer are laminated on the side of the flexible insulating plate opposite to the side where the electric wiring is formed.
Alternatively, the flexible wiring board according to claim 2.
【請求項4】 フレキシブル絶縁板の中央部に搭載しよ
うとする集積回路チップを挿入できる面積の四辺形の開
口部が形成されており、該開口部側に前記集積回路チッ
プの電極に対応する内部電極が、外方に該内部電極に対
応する外部電極が形成されている電気配線が所定の配列
で形成されているフレキシブル配線基板を、その開口部
の中心が、前記開口部の開口形状に相当する凹部が形成
されている金型の該凹部の中心に一致するように載置
し、上方から前記フレキシブル絶縁板の開口部の周辺部
に加重を掛けて、前記集積回路チップの厚みに相当する
幅で前記電気配線形成面に対して垂直に下方に折り曲
げ、前記集積回路チップの側面を覆う側面板を形成する
ことを特徴とするフレキシブル配線基板の加工方法。
4. A quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip to be mounted can be inserted is formed in a central portion of a flexible insulating plate, and an internal portion corresponding to an electrode of the integrated circuit chip is formed on the opening side. An electrode is a flexible wiring board on which electric wirings having external electrodes corresponding to the internal electrodes formed outward are formed in a predetermined array, and the center of the opening corresponds to the opening shape of the opening. It is placed so that it coincides with the center of the concave portion of the mold in which the concave portion is formed, and the peripheral portion of the opening of the flexible insulating plate is weighted from above to correspond to the thickness of the integrated circuit chip. A method of processing a flexible wiring board, characterized in that a side plate that covers a side surface of the integrated circuit chip is formed by bending the electric wiring forming surface vertically downward with a width.
【請求項5】 前記フレキシブル絶縁板の周辺部の折り
曲げ時に前記金型を加熱し、該加熱温度で少なくとも前
記周辺部を加熱しながら折り曲げることを特徴とする請
求項4に記載のフレキシブル配線基板の加工方法。
5. The flexible wiring board according to claim 4, wherein the mold is heated when the peripheral portion of the flexible insulating plate is bent, and the mold is bent while heating at least the peripheral portion at the heating temperature. Processing method.
【請求項6】 フレキシブル絶縁板の中央部に集積回路
チップを挿入できる面積の四辺形の開口部が形成されて
おり、該開口部側に前記集積回路チップの電極に対応す
る内部電極が、外方に該内部電極に対応する外部電極が
形成されている電気配線が所定の配列で形成されてお
り、そして該開口部の周辺部を、搭載しようとする集積
回路チップの厚みに相当する高さで前記電気配線の形成
側とは反対側に垂直に折り曲げるフレキシブル配線基板
の加工装置であって、 前記フレキシブル配線基板を載置できる平面載置面と、
該平面載置面中央部に前記内部電極が形成されている周
辺部の開口幅よりフレキシブル絶縁板の2倍の厚み分広
い間隔幅で相対向する側縁が互いに平行に、かつそれら
の断面が直角に形成され、前記フレキシブル絶縁板の開
口部の相対向する周辺部を前記側縁に、前記外部電極側
を前記側縁より外方の平面載置面で支持できる凹部とが
形成されている固定金型と、 前記両側縁より外方の平面載置面で支持された前記両外
部電極側をそれぞれ上方から抑える一対の抑え板と、該
両抑え板の内方に在って、前記両側縁上に載置された前
記周辺部を、前記搭載しようとする集積回路チップの厚
みに相当する高さで前記電気配線の形成側とは反対側に
上方から垂直に折り曲げるパンチとを備えている可動金
型とを備えたフレキシブル配線基板の加工装置。
6. A flexible insulating plate is provided with a quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip can be inserted, and an internal electrode corresponding to an electrode of the integrated circuit chip is provided outside the opening. On the other hand, an electric wiring on which an external electrode corresponding to the internal electrode is formed is formed in a predetermined array, and the peripheral portion of the opening is provided with a height corresponding to the thickness of the integrated circuit chip to be mounted. In the processing device for a flexible wiring board that is bent vertically to the side opposite to the side where the electric wiring is formed, a flat mounting surface on which the flexible wiring board can be mounted,
The side edges facing each other are parallel to each other with an interval width wider than the opening width of the peripheral portion where the internal electrodes are formed in the central portion of the flat mounting surface by twice the thickness of the flexible insulating plate, and their cross sections are parallel to each other. Formed at right angles, the peripheral portions of the opening of the flexible insulating plate facing each other are formed on the side edges, and the external electrode side is formed with a concave portion that can be supported by a flat mounting surface outside the side edges. A fixed die, a pair of holding plates that hold the two external electrode sides supported by a flat mounting surface outside the both side edges from above, respectively, and a pair of holding plates that are located inside the two holding plates The peripheral portion mounted on the edge is provided with a punch that vertically bends from above to a side opposite to the side where the electric wiring is formed at a height corresponding to the thickness of the integrated circuit chip to be mounted. Flexible wiring board processing equipment with movable mold Place
【請求項7】 複数の電極が形成されている集積回路チ
ップと、該集積回路チップの前記複数の電極に対応して
複数の内部電極が内方に、該複数の内部電極に接続され
た外部電極が外方に形成されている複数の電気的配線が
フレキシブル絶縁板の同一面に形成されているフレキシ
ブル配線基板とからなり、前記集積回路チップの前記複
数の電極が前記複数の内方電極にそれぞれ電気的に接続
されており、前記複数の外部電極が前記集積回路チップ
の裏面側に外部接続電極として形成されていることを特
徴とする半導体装置。
7. An integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed thereon, and a plurality of internal electrodes corresponding to the plurality of electrodes of the integrated circuit chip inward, and an external device connected to the plurality of internal electrodes. A plurality of electric wirings having electrodes formed on the outside, and a flexible wiring board having the flexible insulating plate formed on the same surface, wherein the plurality of electrodes of the integrated circuit chip serve as the plurality of inner electrodes. A semiconductor device, which is electrically connected to each other, wherein the plurality of external electrodes are formed as external connection electrodes on a back surface side of the integrated circuit chip.
【請求項8】 複数の電極が形成されている集積回路チ
ップと、フレキシブル絶縁板の中央部に前記集積回路チ
ップを挿入できる面積の四辺形の開口部が形成されてお
り、該開口部側に前記集積回路チップの電極に対応する
内部電極が、外方に該内部電極に対応する外部電極が形
成されている電気配線が所定の配列で形成されているフ
レキシブル配線基板の前記開口部に前記集積回路チップ
が挿入されており、その集積回路チップの側面が前記開
口部の周辺部のフレキシブル絶縁板で覆われており、裏
面が前記複数の外部電極が形成されている前記フレキシ
ブル絶縁板で覆われて、前記複数の外方部が外部接続電
極として形成されていることを特徴とする半導体装置。
8. An integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed therein, and a quadrilateral opening having an area into which the integrated circuit chip can be inserted is formed in a central portion of a flexible insulating plate, and the opening side is provided on the side of the opening. The internal electrodes corresponding to the electrodes of the integrated circuit chip and the external electrodes corresponding to the internal electrodes are formed on the outside in the opening of the flexible wiring board in a predetermined arrangement. A circuit chip is inserted, a side surface of the integrated circuit chip is covered with a flexible insulating plate around the opening, and a back surface is covered with the flexible insulating plate on which the plurality of external electrodes are formed. And a plurality of outer portions are formed as external connection electrodes.
【請求項9】 内方に複数の内部電極が、外方に該複数
の内部電極と接続された外部電極が同一面に形成されて
いるフレキシブル配線基板に、複数の電極が表面に形成
されている集積回路チップを搭載して前記集積回路チッ
プの裏面に外部接続電極を形成する半導体装置の製造方
法において、 前記集積回路チップの前記複数の電極を前記フレキシブ
ル配線基板の前記内部電極にそれぞれ電気接続する電極
接続工程と、 前記複数の外部電極が形成されている前記フレキシブル
配線基板の外方部を前記集積回路チップの裏面側に折り
返して固定する折返し工程とを備えていることを特徴と
する半導体装置の製造方法。
9. A flexible wiring board having a plurality of internal electrodes formed inwardly and an external electrode connected to the plurality of internal electrodes outwardly formed on the same surface, wherein the plurality of electrodes are formed on the surface. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: mounting an integrated circuit chip on which an external connection electrode is formed on a back surface of the integrated circuit chip; electrically connecting the plurality of electrodes of the integrated circuit chip to the internal electrodes of the flexible wiring board, respectively. And a folding step of folding and fixing the outer portion of the flexible wiring board on which the plurality of external electrodes are formed to the back surface side of the integrated circuit chip. Device manufacturing method.
【請求項10】 フレキシブル絶縁板の中央部に搭載し
ようとする集積回路チップを挿入できる面積の四辺形の
開口部が形成されており、該開口部側に前記集積回路チ
ップの電極に対応する内部電極が、外方に該内部電極に
対応する外部電極が形成されている電気配線が所定の配
列で表面に形成されており、そして前記開口部の周辺部
に前記集積回路チップの厚みに相当する長さの切り込み
が形成されているフレキシブル配線基板に、表面に複数
の電極が形成されている集積回路チップを搭載して前記
集積回路チップの裏面に外部接続電極を形成する半導体
装置の製造方法において、 前記集積回路チップの表面を上向きにして前記フレキシ
ブル配線基板の裏面側から表面側に向けて前記開口部に
挿入しながら前記開口部周辺の前記切り込みで自由端に
なっているフレキシブル絶縁板を上方に押し上げて、該
自由端が前記集積回路チップの側面を覆う位置で前記集
積回路チップを位置決めする位置決め工程と、 前記集積回路チップの前記複数の電極を前記フレキシブ
ル配線基板の前記内部電極にそれぞれ接続する電極接続
工程と、 位置決めされた前記集積回路チップからはみ出した前記
フレキシブル配線基板の前記複数の外部電極が形成され
ている外方部を前記集積回路チップの裏面側に折り返し
た場合に該裏面側に前記複数の外部電極が位置するよう
に前記外方部を切断する切断工程と、 切断された前記フレキシブル配線基板の外方部を前記集
積回路チップの裏面側に折り返して固定する折返し工程
と、 前記集積回路チップの表面と側面を覆っている前記フレ
キシブル配線基板の部分とを絶縁材で被覆する絶縁被覆
工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
10. A quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip to be mounted can be inserted is formed in a central portion of a flexible insulating plate, and an internal portion corresponding to an electrode of the integrated circuit chip is formed on the opening side. Electrodes are formed on the surface in a predetermined array on the outside of which external electrodes corresponding to the internal electrodes are formed, and in the periphery of the opening, the electric wiring corresponds to the thickness of the integrated circuit chip. In a method of manufacturing a semiconductor device, wherein an integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed on a front surface is mounted on a flexible wiring substrate having a length cut, and an external connection electrode is formed on a back surface of the integrated circuit chip. While inserting the integrated circuit chip into the opening from the back side to the front side of the flexible wiring board with the front side facing upward, A positioning step of pushing up the flexible insulating plate which is the free end and positioning the integrated circuit chip at a position where the free end covers the side surface of the integrated circuit chip; and the plurality of electrodes of the integrated circuit chip. An electrode connecting step of connecting to each of the internal electrodes of the flexible wiring board, and an outer portion of the flexible wiring board, on which the plurality of external electrodes are formed, protruding from the positioned integrated circuit chip, the integrated circuit chip. A cutting step of cutting the outer portion so that the plurality of external electrodes are located on the back surface side when folded back to the back surface side of the integrated circuit chip. A folding step of folding back and fixing to the back side, and a flexible wiring board covering the front surface and the side surface of the integrated circuit chip. The method of manufacturing a semiconductor device, characterized in that an insulating coating step of coating a minute and with an insulating material.
【請求項11】 フレキシブル絶縁板の中央部に搭載し
ようとする集積回路チップを挿入できる面積の四辺形の
開口部が形成されており、該開口部側に前記集積回路チ
ップの電極に対応する内部電極が、外方に該内部電極に
対応する外部電極が形成されている電気配線が所定の配
列で表面に形成されており、そして前記開口部の周辺部
のフレキシブル絶縁板が前記集積回路チップの厚みに相
当する高さで前記電気配線の形成側とは反対側に垂直に
予め折り曲げられているフレキシブル配線基板に、表面
に複数の電極が形成されている集積回路チップを搭載し
て前記集積回路チップの裏面に外部接続電極を形成する
半導体装置の製造方法において、 前記集積回路チップの表面を上向きにして前記フレキシ
ブル配線基板の表面側から裏面側に向けて前記開口部上
の位置で前記集積回路チップを位置決めする位置決め工
程と、 前記位置決めされた集積回路チップの前記複数の電極を
前記フレキシブル配線基板の前記内部電極にそれぞれ所
定の長さの金属ワイヤで接続する電極接続工程と、 該金属ワイヤで接続された前記集積回路チップからはみ
出した前記フレキシブル配線基板の前記複数の外部電極
が形成されている外方部を前記集積回路チップの裏面側
に折り返した場合に該裏面側に前記複数の外部電極が位
置するように前記外方部を切断する切断工程と、 切断された前記フレキシブル配線基板を持ち上げて前記
金属ワイヤをループ状に持ち上げるフレキシブル配線基
板の持ち上げ工程と、 持ち上げられたフレキシブル配線基板の外方部を前記集
積回路チップの裏面側に反転させる反転工程と、 該反転させたフレキシブル配線基板の外方部を前記集積
回路チップの裏面に固着する固着工程と、 前記集積回路チップの表面と側面を覆っている前記フレ
キシブル配線基板の部分とを絶縁材で被覆する絶縁被覆
工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
11. A flexible insulating plate is formed with a quadrilateral opening having an area into which an integrated circuit chip to be mounted can be inserted, and an internal portion corresponding to an electrode of the integrated circuit chip is formed on the opening side. Electrodes are formed on the surface in a predetermined arrangement on the surface of which electrical wiring is formed on the outside of which external electrodes corresponding to the internal electrodes are formed, and a flexible insulating plate around the opening is formed on the integrated circuit chip. The integrated circuit chip having a plurality of electrodes formed on a surface thereof is mounted on a flexible wiring substrate that is preliminarily bent at a height corresponding to a thickness and is opposite to the side on which the electric wiring is formed. In a method for manufacturing a semiconductor device in which an external connection electrode is formed on the back surface of a chip, the integrated circuit chip is directed upward from the front surface side to the back surface side of the flexible wiring board. A positioning step of positioning the integrated circuit chip at a position on the opening, and connecting the plurality of electrodes of the positioned integrated circuit chip to the internal electrodes of the flexible wiring board with metal wires of a predetermined length, respectively. And a case where the outer portion of the flexible wiring board protruding from the integrated circuit chip connected with the metal wire and having the plurality of external electrodes is folded back to the back surface side of the integrated circuit chip. A cutting step of cutting the outer portion so that the plurality of external electrodes are located on the back surface side, and a lifting step of the flexible wiring board for lifting the cut flexible wiring board and lifting the metal wire in a loop shape. And flipping the outer part of the lifted flexible wiring board to the back side of the integrated circuit chip. An insulating material is provided between the step, the fixing step of fixing the outer portion of the inverted flexible wiring board to the back surface of the integrated circuit chip, and the portion of the flexible wiring board covering the front surface and the side surface of the integrated circuit chip. And an insulating coating step of coating with.
【請求項12】 前記フレキシブル配線基板の前記内部
電極及び前記外部電極が形成されている面とは反対の面
に接着剤層が形成されていることを特徴とする請求項
9、請求項10、または請求項11に記載の半導体装置
の製造方法。
12. The adhesive layer is formed on the surface of the flexible wiring board opposite to the surface on which the internal electrodes and the external electrodes are formed, according to claim 9, Alternatively, the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 11.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2004066422A1 (en) * 2003-01-17 2004-08-05 Sanyo Electric Co., Ltd. Nonaqueous electrolyte secondary battery

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