JP2003007421A - スパークプラグ - Google Patents
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C3/04—Glass compositions containing silica
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- C03C3/112—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen containing fluorine
- C03C3/115—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen containing fluorine containing boron
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- H01T13/00—Sparking plugs
- H01T13/20—Sparking plugs characterised by features of the electrodes or insulation
- H01T13/38—Selection of materials for insulation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Pb成分の含有量が少なく、しかも釉焼時の
流動性に優れ、高絶縁抵抗で耐フラッシュオーバ性に優
れた釉薬層を有するスパークプラグを提供する。 【解決手段】 スパークプラグ100の釉薬層2dは、
Pb成分の含有量がPbO換算にて1mol%以下とさ
れ、さらに、SiO2を30〜60mol%、B 2O3
を20〜50mol%、ZnOを0.5〜25mol
%、BaO及び/又はSrOを合計で0.5〜15mo
l%含有する。また、アルカリ金属成分の酸化物を、K
とLiを必須とする形で、合計で2〜12mol%の範
囲にて含有する。さらに、FをF2に換算した値にて
0.1〜10mol%含有する。
流動性に優れ、高絶縁抵抗で耐フラッシュオーバ性に優
れた釉薬層を有するスパークプラグを提供する。 【解決手段】 スパークプラグ100の釉薬層2dは、
Pb成分の含有量がPbO換算にて1mol%以下とさ
れ、さらに、SiO2を30〜60mol%、B 2O3
を20〜50mol%、ZnOを0.5〜25mol
%、BaO及び/又はSrOを合計で0.5〜15mo
l%含有する。また、アルカリ金属成分の酸化物を、K
とLiを必須とする形で、合計で2〜12mol%の範
囲にて含有する。さらに、FをF2に換算した値にて
0.1〜10mol%含有する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はスパークプラグに関
する。
する。
【0002】
【従来の技術】自動車エンジン等の内燃機関の点火用に
使用されるスパークプラグは、一般に、接地電極が取り
付けられる主体金具の内側に、アルミナ系セラミック等
で構成された絶縁体が配置され、その絶縁体の内側に中
心電極が配置された構造を有する。絶縁体は主体金具の
後方側開口部から軸方向に突出し、その突出部の内側に
端子金具が配置され、これがガラスシール工程により形
成される導電性ガラスシール層や抵抗体等を介して中心
電極と接続される。そして、その端子金具を介して高圧
を印加することにより、接地電極と中心電極との間に形
成されたギャップに火花放電が生ずることとなる。
使用されるスパークプラグは、一般に、接地電極が取り
付けられる主体金具の内側に、アルミナ系セラミック等
で構成された絶縁体が配置され、その絶縁体の内側に中
心電極が配置された構造を有する。絶縁体は主体金具の
後方側開口部から軸方向に突出し、その突出部の内側に
端子金具が配置され、これがガラスシール工程により形
成される導電性ガラスシール層や抵抗体等を介して中心
電極と接続される。そして、その端子金具を介して高圧
を印加することにより、接地電極と中心電極との間に形
成されたギャップに火花放電が生ずることとなる。
【0003】ところが、プラグ温度が高くなったり、周
囲の湿度が上昇したりするなどの条件が重なると、高圧
印加してもギャップに飛火せず、絶縁体突出部の表面を
回り込む形で端子金具と主体金具との間で放電する、い
わゆるフラッシュオーバ現象が生じることがある。その
ため、一般に使用されているほとんどのスパークプラグ
においては、主にこのフラッシュオーバ現象防止のため
に絶縁体表面に釉薬層が形成されている。他方、釉薬層
は、絶縁体表面を平滑化して汚染を防止したり、化学的
あるいは機械的強度を高めたりするといった役割も果た
す。
囲の湿度が上昇したりするなどの条件が重なると、高圧
印加してもギャップに飛火せず、絶縁体突出部の表面を
回り込む形で端子金具と主体金具との間で放電する、い
わゆるフラッシュオーバ現象が生じることがある。その
ため、一般に使用されているほとんどのスパークプラグ
においては、主にこのフラッシュオーバ現象防止のため
に絶縁体表面に釉薬層が形成されている。他方、釉薬層
は、絶縁体表面を平滑化して汚染を防止したり、化学的
あるいは機械的強度を高めたりするといった役割も果た
す。
【0004】スパークプラグ用のアルミナ系絶縁体の場
合、従来は、ケイ酸塩ガラスに比較的多量のPbOを配
合して屈伏点を低下させた鉛ケイ酸塩ガラス系の釉薬を
使用してきたが、環境保護に対する関心が地球規模で高
まりつつある近年では、Pbを含有する釉薬は次第に敬
遠されるようになってきている。例えばスパークプラグ
が多量に使用される自動車業界においては、廃棄スパー
クプラグによる環境への影響を考慮して、Pb含有釉薬
を使用したスパークプラグの使用は将来全廃しようとの
検討も進められている。
合、従来は、ケイ酸塩ガラスに比較的多量のPbOを配
合して屈伏点を低下させた鉛ケイ酸塩ガラス系の釉薬を
使用してきたが、環境保護に対する関心が地球規模で高
まりつつある近年では、Pbを含有する釉薬は次第に敬
遠されるようになってきている。例えばスパークプラグ
が多量に使用される自動車業界においては、廃棄スパー
クプラグによる環境への影響を考慮して、Pb含有釉薬
を使用したスパークプラグの使用は将来全廃しようとの
検討も進められている。
【0005】そのようなPb含有釉薬の代替品として検
討されている硼珪酸ガラスやアルカリ硼珪酸ガラス系の
無鉛釉薬は、ガラス粘性が高かったり、あるいは絶縁抵
抗が不足したりする等の不具合が避けがたかった。特
に、スパークプラグ用の釉薬の場合、エンジンに取り付
けた環境下で使用されることもあって、通常の絶縁磁器
等よりも温度が上昇しやすく(最高200℃程度)、ま
た、近年ではエンジンの高性能化に伴いスパークプラグ
への印加電圧も高くなってきていることから、釉薬に対
してもより厳しい環境に耐えうる絶縁性能が求められる
ようになってきている。具体的には、温度上昇した状態
でフラッシュオーバを抑制するために、高温においてよ
り絶縁性の優れた釉薬が必要となる。
討されている硼珪酸ガラスやアルカリ硼珪酸ガラス系の
無鉛釉薬は、ガラス粘性が高かったり、あるいは絶縁抵
抗が不足したりする等の不具合が避けがたかった。特
に、スパークプラグ用の釉薬の場合、エンジンに取り付
けた環境下で使用されることもあって、通常の絶縁磁器
等よりも温度が上昇しやすく(最高200℃程度)、ま
た、近年ではエンジンの高性能化に伴いスパークプラグ
への印加電圧も高くなってきていることから、釉薬に対
してもより厳しい環境に耐えうる絶縁性能が求められる
ようになってきている。具体的には、温度上昇した状態
でフラッシュオーバを抑制するために、高温においてよ
り絶縁性の優れた釉薬が必要となる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来のスパークプラグ
用の無鉛釉薬においては、鉛成分を排除することによる
融点上昇を抑えるために、アルカリ金属成分を配合する
ことが行われてきた。また、アルカリ金属成分は、釉焼
時の流動性を確保する効用も有する。しかし、アルカリ
金属成分は、含有量が増えるとともに釉薬の絶縁抵抗を
低下させ、耐フラッシュオーバ性が損ないやすい側面も
有するので、絶縁性向上のために釉薬中のアルカリ金属
成分は、必要最小限の添加量に留めるのが是とされてき
た。
用の無鉛釉薬においては、鉛成分を排除することによる
融点上昇を抑えるために、アルカリ金属成分を配合する
ことが行われてきた。また、アルカリ金属成分は、釉焼
時の流動性を確保する効用も有する。しかし、アルカリ
金属成分は、含有量が増えるとともに釉薬の絶縁抵抗を
低下させ、耐フラッシュオーバ性が損ないやすい側面も
有するので、絶縁性向上のために釉薬中のアルカリ金属
成分は、必要最小限の添加量に留めるのが是とされてき
た。
【0007】そのため、従来の無鉛釉薬は、アルカリ金
属成分の含有量がどうしても不足しがちであり、有鉛釉
薬に比べて高温時(釉溶け時)のガラス粘性が高くなり
やすく、釉焼後において、外観上にピンホールや釉チヂ
レ等が発生しやすい欠点があった。また、この欠点を解
消するために釉焼温度を上昇させて流動性改善を図るこ
とも考えられるが、釉焼温度の上昇はエネルギーコスト
の高騰や設備寿命の低下等につながるので好ましくな
い。
属成分の含有量がどうしても不足しがちであり、有鉛釉
薬に比べて高温時(釉溶け時)のガラス粘性が高くなり
やすく、釉焼後において、外観上にピンホールや釉チヂ
レ等が発生しやすい欠点があった。また、この欠点を解
消するために釉焼温度を上昇させて流動性改善を図るこ
とも考えられるが、釉焼温度の上昇はエネルギーコスト
の高騰や設備寿命の低下等につながるので好ましくな
い。
【0008】本発明の課題は、Pb成分の含有量が少な
く、しかも釉焼時の流動性に優れ、高絶縁抵抗で耐フラ
ッシュオーバ性に優れた釉薬層を有するスパークプラグ
を提供することにある。
く、しかも釉焼時の流動性に優れ、高絶縁抵抗で耐フラ
ッシュオーバ性に優れた釉薬層を有するスパークプラグ
を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】本発明に
係るスパークプラグの構成は、中心電極と主体金具との
間にアルミナ系セラミックからなる絶縁体を配したスパ
ークプラグにおいて、その絶縁体の表面の少なくとも一
部を覆う形態で酸化物主体の釉薬層が形成される。
係るスパークプラグの構成は、中心電極と主体金具との
間にアルミナ系セラミックからなる絶縁体を配したスパ
ークプラグにおいて、その絶縁体の表面の少なくとも一
部を覆う形態で酸化物主体の釉薬層が形成される。
【0010】そして、その第一の構成においては、上記
の釉薬層が、Pb成分の含有量がPbO換算にて1mo
l%以下とされ、Si成分をSiO2に酸化物換算した
値にて30〜60mol%、B成分をB 2O3に酸化物
換算した値にて20〜50mol%、Zn成分をZnO
に酸化物換算した値にて0.5〜25mol%、Ba及
び/又はSr成分を、BaOないしSrOに酸化物換算
した値にて合計で0.5〜15mol%含有するととも
に、アルカリ金属成分として、NaはNa2O、KはK
2O、LiはLi2Oに酸化物換算した値にて、K及び
Liを必須とする2種以上を合計で2〜12mol%の
範囲にて含有し、さらに、FをF2に換算した値にて
0.1〜10mol%含有することを特徴とする。
の釉薬層が、Pb成分の含有量がPbO換算にて1mo
l%以下とされ、Si成分をSiO2に酸化物換算した
値にて30〜60mol%、B成分をB 2O3に酸化物
換算した値にて20〜50mol%、Zn成分をZnO
に酸化物換算した値にて0.5〜25mol%、Ba及
び/又はSr成分を、BaOないしSrOに酸化物換算
した値にて合計で0.5〜15mol%含有するととも
に、アルカリ金属成分として、NaはNa2O、KはK
2O、LiはLi2Oに酸化物換算した値にて、K及び
Liを必須とする2種以上を合計で2〜12mol%の
範囲にて含有し、さらに、FをF2に換算した値にて
0.1〜10mol%含有することを特徴とする。
【0011】また、第二の構成においては、上記の釉薬
層が、Pb成分の含有量がPbO換算にて1mol%以
下とされ、Si成分をSiO2に酸化物換算した値にて
30〜60mol%、B成分をB 2O3に酸化物換算し
た値にて20〜40mol%、Zn成分をZnOに酸化
物換算した値にて0.5〜25mol%、Ba及び/又
はSr成分を、BaOないしSrOに酸化物換算した値
にて合計で0.5〜15mol%含有するとともに、ア
ルカリ金属成分として、NaはNa2O、KはK2O、
LiはLi2Oに酸化物換算した値にて、それらの1種
又は2種以上を合計で2〜12mol%の範囲にて含有
し、FをF2に換算した値にて0.1〜10mol%含
有し、さらに、Bi、Sb及び希土類元素RE(ただ
し、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、
Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuか
らなる群より選ばれるもの)から選ばれる1種又は2種
以上(以下、流動改善成分という)を、BiはBi2O
3に、SbはSb2O5に、REは、CeはCeO2、
PrはPr7O11、他はRE2O3にそれぞれ酸化物
換算した値にて合計で0.1〜5mol%含有すること
を特徴とする。
層が、Pb成分の含有量がPbO換算にて1mol%以
下とされ、Si成分をSiO2に酸化物換算した値にて
30〜60mol%、B成分をB 2O3に酸化物換算し
た値にて20〜40mol%、Zn成分をZnOに酸化
物換算した値にて0.5〜25mol%、Ba及び/又
はSr成分を、BaOないしSrOに酸化物換算した値
にて合計で0.5〜15mol%含有するとともに、ア
ルカリ金属成分として、NaはNa2O、KはK2O、
LiはLi2Oに酸化物換算した値にて、それらの1種
又は2種以上を合計で2〜12mol%の範囲にて含有
し、FをF2に換算した値にて0.1〜10mol%含
有し、さらに、Bi、Sb及び希土類元素RE(ただ
し、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、
Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuか
らなる群より選ばれるもの)から選ばれる1種又は2種
以上(以下、流動改善成分という)を、BiはBi2O
3に、SbはSb2O5に、REは、CeはCeO2、
PrはPr7O11、他はRE2O3にそれぞれ酸化物
換算した値にて合計で0.1〜5mol%含有すること
を特徴とする。
【0012】本発明のスパークプラグにおいては、前述
の環境問題への適合性を図るため、使用する釉薬が、P
b成分の含有量がPbO換算にて1.0mol%以下と
することを前提とする(以下、このレベルにPb成分含
有量が低減された釉薬を無鉛釉薬と称する)。また、釉
薬層中にPb成分が価数の低いイオン(例えばP
b2 +)の形で含有されていると、コロナ放電等により
これが価数の高いイオン(例えばPb3+)に酸化さ
れ、釉薬層の絶縁性が低下して耐フラッシュオーバ性が
損なわれる場合もあるので、Pb含有量を上記のように
削減することはこの観点においても好都合である。な
お、Pbの含有量は望ましくは0.1mol%以下、よ
り望ましくは実質的に含有しない(ただし、釉薬原料等
から不可避的に混入するものを除く)のがよい。
の環境問題への適合性を図るため、使用する釉薬が、P
b成分の含有量がPbO換算にて1.0mol%以下と
することを前提とする(以下、このレベルにPb成分含
有量が低減された釉薬を無鉛釉薬と称する)。また、釉
薬層中にPb成分が価数の低いイオン(例えばP
b2 +)の形で含有されていると、コロナ放電等により
これが価数の高いイオン(例えばPb3+)に酸化さ
れ、釉薬層の絶縁性が低下して耐フラッシュオーバ性が
損なわれる場合もあるので、Pb含有量を上記のように
削減することはこの観点においても好都合である。な
お、Pbの含有量は望ましくは0.1mol%以下、よ
り望ましくは実質的に含有しない(ただし、釉薬原料等
から不可避的に混入するものを除く)のがよい。
【0013】本発明では、Pb含有量を上記のように低
減しつつ、絶縁性能確保、釉焼温度の最適化(具体的に
は低温化)及び釉焼面の仕上がり状態を良好に確保する
ために、上記特有の組成が選択されている。従来の釉薬
においては、Pb成分が釉薬の屈伏点調整(具体的には
釉薬の屈伏点を適度に下げ、釉焼時の流動性を確保す
る)に関して重要な役割を果たしていたが、無鉛釉薬で
は、B成分(B2O3)やアルカリ金属成分が屈伏点調
整に深く関係する。本発明者らは、B成分には、Si成
分の含有量との関連において、釉焼面の仕上がり改善を
図る上で好都合な前記した特有の含有量範囲が存在し、
かつ、その含有量範囲を前提として、前記した組成範囲
のF成分を含有させることにより、アルカリ金属の含有
量を比較的低く抑えつつ釉焼時の流動性を確保でき、ひ
いては比較的低温で釉焼可能であってしかも絶縁性に優
れ、かつ平滑な釉焼面を有する釉薬層が得られることを
見出して、本発明を完成するに至ったのである。
減しつつ、絶縁性能確保、釉焼温度の最適化(具体的に
は低温化)及び釉焼面の仕上がり状態を良好に確保する
ために、上記特有の組成が選択されている。従来の釉薬
においては、Pb成分が釉薬の屈伏点調整(具体的には
釉薬の屈伏点を適度に下げ、釉焼時の流動性を確保す
る)に関して重要な役割を果たしていたが、無鉛釉薬で
は、B成分(B2O3)やアルカリ金属成分が屈伏点調
整に深く関係する。本発明者らは、B成分には、Si成
分の含有量との関連において、釉焼面の仕上がり改善を
図る上で好都合な前記した特有の含有量範囲が存在し、
かつ、その含有量範囲を前提として、前記した組成範囲
のF成分を含有させることにより、アルカリ金属の含有
量を比較的低く抑えつつ釉焼時の流動性を確保でき、ひ
いては比較的低温で釉焼可能であってしかも絶縁性に優
れ、かつ平滑な釉焼面を有する釉薬層が得られることを
見出して、本発明を完成するに至ったのである。
【0014】以下、各成分の役割と組成範囲の臨界的意
味について詳細に説明する(以下、特に断りのあるもの
を除き、説明は第一の構成と第二の構成とに共通であ
る)。アルカリ金属成分は、本来はイオン伝導性が高
く、ガラス質の釉薬層中において絶縁性を低下させる方
向に作用する。他方、Si成分あるいはB成分はガラス
骨格の形成成分であり、その含有量を適切に設定するこ
とで骨格網目の大きさが、アルカリ金属のイオン伝導を
ブロックする上で好都合なものとなり、良好な絶縁性能
を確保できるようになる。他方、Si成分あるいはB成
分は骨格形成しやすい成分であるから、釉焼時の流動性
を低下させる向きに作用するが、適量なアルカリ金属成
分を前記した流動改善成分とともに含有させることで、
共晶反応による融点低下及びSiイオンとOイオンとの
相互作用による錯陰イオン形成防止により、釉焼時の流
動性が向上する。
味について詳細に説明する(以下、特に断りのあるもの
を除き、説明は第一の構成と第二の構成とに共通であ
る)。アルカリ金属成分は、本来はイオン伝導性が高
く、ガラス質の釉薬層中において絶縁性を低下させる方
向に作用する。他方、Si成分あるいはB成分はガラス
骨格の形成成分であり、その含有量を適切に設定するこ
とで骨格網目の大きさが、アルカリ金属のイオン伝導を
ブロックする上で好都合なものとなり、良好な絶縁性能
を確保できるようになる。他方、Si成分あるいはB成
分は骨格形成しやすい成分であるから、釉焼時の流動性
を低下させる向きに作用するが、適量なアルカリ金属成
分を前記した流動改善成分とともに含有させることで、
共晶反応による融点低下及びSiイオンとOイオンとの
相互作用による錯陰イオン形成防止により、釉焼時の流
動性が向上する。
【0015】Si成分は、30mol%未満になると、
十分な絶縁性能の確保が困難となる。また、Si成分が
60mol%を超えると釉焼が困難となる。他方、B成
分含有量が20mol%未満になると、釉薬の屈伏点が
上昇し釉焼が困難となる。また、B成分含有量の上限値
は、第一の構成では50mol%、第二の構成では40
mol%としている。該上限値を超えてB成分を含有さ
せると流動性が過度に上昇して釉チヂレが引き起こされ
やすくなる。第二の構成では後述する流動改善成分が添
加されている分だけ、第一の構成よりも少ないB含有量
でも流動性の向上が見込まれる。従って、B成分の上限
値は、流動改善成分の最低添加量(0.1mol%)に
対応して第一の構成よりも低く設定してある。なお、B
含有量が上記上限値を超えて増加した場合、他の成分の
含有量によっては、釉薬層の失透、絶縁性の低下あるい
は下地との熱膨張係数不適合といった問題についても懸
念が生ずる場合がある。
十分な絶縁性能の確保が困難となる。また、Si成分が
60mol%を超えると釉焼が困難となる。他方、B成
分含有量が20mol%未満になると、釉薬の屈伏点が
上昇し釉焼が困難となる。また、B成分含有量の上限値
は、第一の構成では50mol%、第二の構成では40
mol%としている。該上限値を超えてB成分を含有さ
せると流動性が過度に上昇して釉チヂレが引き起こされ
やすくなる。第二の構成では後述する流動改善成分が添
加されている分だけ、第一の構成よりも少ないB含有量
でも流動性の向上が見込まれる。従って、B成分の上限
値は、流動改善成分の最低添加量(0.1mol%)に
対応して第一の構成よりも低く設定してある。なお、B
含有量が上記上限値を超えて増加した場合、他の成分の
含有量によっては、釉薬層の失透、絶縁性の低下あるい
は下地との熱膨張係数不適合といった問題についても懸
念が生ずる場合がある。
【0016】Zn成分含有量は、0.5mol%未満に
なると、釉薬層の熱膨張係数が大きくなりすぎ、釉薬層
に貫入等の欠陥が生じやすくなる場合がある。また、Z
n成分は釉薬の屈伏点を低下させる作用も有するので、
これが不足すれば釉焼が困難となる場合がある。他方、
Zn成分の含有量が25mol%を超えると、失透によ
り釉薬層に白濁等を生じやすくなる。なお、該Zn成分
の含有量は、望ましくは10〜20mol%の範囲で設
定するのがよい。なお、Zn成分を該望ましい範囲にて
含有する場合、Zn成分自体の屈伏点低下作用による流
動性改善効果も期待できるので、前記した流動改善成分
の合計含有量は、この場合は0.1〜2.5mol%と
することが望ましい。
なると、釉薬層の熱膨張係数が大きくなりすぎ、釉薬層
に貫入等の欠陥が生じやすくなる場合がある。また、Z
n成分は釉薬の屈伏点を低下させる作用も有するので、
これが不足すれば釉焼が困難となる場合がある。他方、
Zn成分の含有量が25mol%を超えると、失透によ
り釉薬層に白濁等を生じやすくなる。なお、該Zn成分
の含有量は、望ましくは10〜20mol%の範囲で設
定するのがよい。なお、Zn成分を該望ましい範囲にて
含有する場合、Zn成分自体の屈伏点低下作用による流
動性改善効果も期待できるので、前記した流動改善成分
の合計含有量は、この場合は0.1〜2.5mol%と
することが望ましい。
【0017】次に、Ba成分ないしSr成分は、釉薬層
の絶縁性向上に寄与するほか、強度の向上にも効果があ
る。その合計含有量が0.5mol%未満になると、釉
薬の絶縁性が低下し、耐フラッシュオーバー性が損なわ
れることにつながる。他方、合計含有量が15mol%
を超えると、釉薬層の熱膨張係数が高くなりすぎ、釉薬
層に貫入等の欠陥が生じやすくなる。また、釉薬層に白
濁等も生じやすくなる。Ba及びSr成分の合計含有量
は、絶縁性向上及び熱膨張係数調整の観点から、望まし
くは0.5〜10mol%の範囲で設定するのがよい。
Ba成分とSr成分とは、いずれか一方を単独で含有さ
せてもよいし、両者を混合して含有してもよい。ただ
し、原料コスト的な面においては、より安価なBa成分
の使用が有利である。
の絶縁性向上に寄与するほか、強度の向上にも効果があ
る。その合計含有量が0.5mol%未満になると、釉
薬の絶縁性が低下し、耐フラッシュオーバー性が損なわ
れることにつながる。他方、合計含有量が15mol%
を超えると、釉薬層の熱膨張係数が高くなりすぎ、釉薬
層に貫入等の欠陥が生じやすくなる。また、釉薬層に白
濁等も生じやすくなる。Ba及びSr成分の合計含有量
は、絶縁性向上及び熱膨張係数調整の観点から、望まし
くは0.5〜10mol%の範囲で設定するのがよい。
Ba成分とSr成分とは、いずれか一方を単独で含有さ
せてもよいし、両者を混合して含有してもよい。ただ
し、原料コスト的な面においては、より安価なBa成分
の使用が有利である。
【0018】なお、Ba成分及びSr成分は、使用原料
によっては釉薬中にて酸化物以外の形態で存在する場合
がある。例えば、BaSO4をBa成分源として用いた
場合、S成分が釉薬層中に残留することがある。この硫
黄成分は釉焼時に釉薬層の表面近くに濃化して、溶融釉
薬の表面張力を低下させ、得られる釉薬層の平滑性を高
めることができる場合がある。
によっては釉薬中にて酸化物以外の形態で存在する場合
がある。例えば、BaSO4をBa成分源として用いた
場合、S成分が釉薬層中に残留することがある。この硫
黄成分は釉焼時に釉薬層の表面近くに濃化して、溶融釉
薬の表面張力を低下させ、得られる釉薬層の平滑性を高
めることができる場合がある。
【0019】また、Zn成分とBa及び/又はSr成分
との合計含有量は、前記した酸化物換算にて7〜25m
ol%となっていることが望ましい。これらの合計含有
量が25mol%を超えると釉薬層に白濁等を生じる。
例えば、絶縁体の外面には、製造者等を特定するための
文字や図形あるいは品番などの視覚情報を、色釉等を用
いて印刷・焼付けすることが行われているが、白濁等に
より、印刷された視覚情報の読み取りが困難となる場合
がある。また、7mol%未満では、釉薬の屈伏点が過
度に上昇して釉焼が困難となり、また、外観不良の原因
ともなりうる。なお、該合計含有量は、望ましくは10
〜20mol%となっているのがよい。
との合計含有量は、前記した酸化物換算にて7〜25m
ol%となっていることが望ましい。これらの合計含有
量が25mol%を超えると釉薬層に白濁等を生じる。
例えば、絶縁体の外面には、製造者等を特定するための
文字や図形あるいは品番などの視覚情報を、色釉等を用
いて印刷・焼付けすることが行われているが、白濁等に
より、印刷された視覚情報の読み取りが困難となる場合
がある。また、7mol%未満では、釉薬の屈伏点が過
度に上昇して釉焼が困難となり、また、外観不良の原因
ともなりうる。なお、該合計含有量は、望ましくは10
〜20mol%となっているのがよい。
【0020】次に、アルカリ金属成分の合計含有量が2
mol%未満になると、釉薬の屈伏点が上昇し、釉焼が
不能となる。また、12mol%を超えると、釉薬の絶
縁性が低下し、耐フラッシュオーバー性が損なわれる。
また、アルカリ金属成分に関しては1種類のアルカリ金
属成分を単独添加するのではなく、Na、K、Liから
選ばれる2種類以上を共添加することが釉薬層の絶縁性
低下抑制にさらに有効である。その結果、絶縁性を低下
させずにアルカリ金属成分の含有量を増大させることが
でき、結果として釉焼時の流動性確保及び耐フラッシュ
オーバ性の確保という2つの目的を同時に達成すること
が可能となる(いわゆる、アルカリ共添加効果)。
mol%未満になると、釉薬の屈伏点が上昇し、釉焼が
不能となる。また、12mol%を超えると、釉薬の絶
縁性が低下し、耐フラッシュオーバー性が損なわれる。
また、アルカリ金属成分に関しては1種類のアルカリ金
属成分を単独添加するのではなく、Na、K、Liから
選ばれる2種類以上を共添加することが釉薬層の絶縁性
低下抑制にさらに有効である。その結果、絶縁性を低下
させずにアルカリ金属成分の含有量を増大させることが
でき、結果として釉焼時の流動性確保及び耐フラッシュ
オーバ性の確保という2つの目的を同時に達成すること
が可能となる(いわゆる、アルカリ共添加効果)。
【0021】そして、第一の構成においては、アルカリ
金属成分は、KとLiとの含有を必須としている。K成
分は、Na及びLiに比べて原子量が大きいため、同じ
mol含有率にアルカリ金属成分の合計含有量を設定し
た場合には、K成分はNa成分やLi成分ほどの流動性
改善効果は示さないが、他方、NaやLi(特にLi)
と比較して、ガラス質の釉薬層中でのイオン移動度が比
較的小さいことから、含有量を増大させても釉薬層の絶
縁性を低下させにくい性質を有する。これに対し、Li
成分は、原子量が小さいために流動性改善効果はK成分
と比較して大きいが、イオン移動度が高いために過度の
添加は釉薬層の絶縁性低下を引き起こしやすい。
金属成分は、KとLiとの含有を必須としている。K成
分は、Na及びLiに比べて原子量が大きいため、同じ
mol含有率にアルカリ金属成分の合計含有量を設定し
た場合には、K成分はNa成分やLi成分ほどの流動性
改善効果は示さないが、他方、NaやLi(特にLi)
と比較して、ガラス質の釉薬層中でのイオン移動度が比
較的小さいことから、含有量を増大させても釉薬層の絶
縁性を低下させにくい性質を有する。これに対し、Li
成分は、原子量が小さいために流動性改善効果はK成分
と比較して大きいが、イオン移動度が高いために過度の
添加は釉薬層の絶縁性低下を引き起こしやすい。
【0022】そこで、第一の構成においては、後記流動
改善成分が添加されなかった場合においても、必要十分
なレベルの流動性を常に確保できるよう、流動性改善に
関する効果の大きいLi成分の含有を必須とし、さらに
Li成分の増加による絶縁性低下を補うため、Kの添加
を行なうことも前提としている。当然、最低2種のアル
カリ金属成分が共添加されるので、前記したアルカリ共
添加効果による絶縁性改善効果も達成される(これに対
し、流動改善成分の添加が前提となる第二の構成におい
ては、含有されるアルカリ金属成分の種類に制限はな
い)。
改善成分が添加されなかった場合においても、必要十分
なレベルの流動性を常に確保できるよう、流動性改善に
関する効果の大きいLi成分の含有を必須とし、さらに
Li成分の増加による絶縁性低下を補うため、Kの添加
を行なうことも前提としている。当然、最低2種のアル
カリ金属成分が共添加されるので、前記したアルカリ共
添加効果による絶縁性改善効果も達成される(これに対
し、流動改善成分の添加が前提となる第二の構成におい
ては、含有されるアルカリ金属成分の種類に制限はな
い)。
【0023】例えば、アルカリ金属成分のうち、K成分
の含有量を最も高くすることで釉薬層の絶縁性低下を効
果的に抑制することができ、これに次ぐ含有量でLi成
分を配合することにより、釉焼時の流動性を確保できる
とともに、K成分配合による釉薬層の熱膨張係数の増大
を抑制することができ、下地のアルミナとの熱膨張係数
を合わせることができる。そして、Li成分添加による
絶縁性低下の傾向は、KあるいはLiよりも少ない量に
てNa成分を配合することで、3成分による前述したア
ルカリ共添加効果により効果的に抑制することができ
る。この結果、絶縁性が高くしかも釉焼時の流動性に富
み、さらに、絶縁体構成セラミックであるアルミナとの
熱膨張係数の差も小さい釉薬組成が実現される。
の含有量を最も高くすることで釉薬層の絶縁性低下を効
果的に抑制することができ、これに次ぐ含有量でLi成
分を配合することにより、釉焼時の流動性を確保できる
とともに、K成分配合による釉薬層の熱膨張係数の増大
を抑制することができ、下地のアルミナとの熱膨張係数
を合わせることができる。そして、Li成分添加による
絶縁性低下の傾向は、KあるいはLiよりも少ない量に
てNa成分を配合することで、3成分による前述したア
ルカリ共添加効果により効果的に抑制することができ
る。この結果、絶縁性が高くしかも釉焼時の流動性に富
み、さらに、絶縁体構成セラミックであるアルミナとの
熱膨張係数の差も小さい釉薬組成が実現される。
【0024】具体的には、アルカリ金属成分Na、K、
Liのうち、K成分の割合を上記のように酸化物換算し
たモル含有量で、 0.4≦K/(Na+K+Li)≦0.8 の範囲に設定することが好ましい。K/(Na+K+L
i)の値が0.4未満では、K添加による絶縁性改善効
果が不十分となる場合がある。他方、K/(Na+K+L
i)の値を0.8以下とすることは、残部0.2以上
(0.6以下)の範囲でK以外のアルカリ金属成分が共
添加されることを意味し、前記したアルカリ共添加効果
による絶縁性ひいては耐フラッシュオーバ性の向上を図
ることができる。なお、K/(Na+K+Li)の値は0.
5〜0.7の範囲にて調整することがより望ましい。
Liのうち、K成分の割合を上記のように酸化物換算し
たモル含有量で、 0.4≦K/(Na+K+Li)≦0.8 の範囲に設定することが好ましい。K/(Na+K+L
i)の値が0.4未満では、K添加による絶縁性改善効
果が不十分となる場合がある。他方、K/(Na+K+L
i)の値を0.8以下とすることは、残部0.2以上
(0.6以下)の範囲でK以外のアルカリ金属成分が共
添加されることを意味し、前記したアルカリ共添加効果
による絶縁性ひいては耐フラッシュオーバ性の向上を図
ることができる。なお、K/(Na+K+Li)の値は0.
5〜0.7の範囲にて調整することがより望ましい。
【0025】一方、Li成分は、絶縁性改善のためのア
ルカリ共添加効果の発現と、釉薬層の熱膨張係数調整、
さらには、釉焼時の流動性を確保でき、また機械的強度
を向上させるため、なるべく含有させることが好まし
い。Li成分は、前記のように酸化物換算したモル含有
量で、 0.2≦Li/(Na+K+Li)≦0.5 の範囲に設定することが好ましい。
ルカリ共添加効果の発現と、釉薬層の熱膨張係数調整、
さらには、釉焼時の流動性を確保でき、また機械的強度
を向上させるため、なるべく含有させることが好まし
い。Li成分は、前記のように酸化物換算したモル含有
量で、 0.2≦Li/(Na+K+Li)≦0.5 の範囲に設定することが好ましい。
【0026】Liの割合が0.2未満では、下地のアル
ミナに比べて熱膨張係数が大きくなりすぎ、その結果、
貫入(クレージング)等の欠陥が生じやすくなり、釉焼
面の仕上がり確保が不十分となる場合がある。一方、L
iの割合が0.5よりも大きくなると、Liイオンが、
アルカリ金属イオンの中でも比較的移動度が高いことか
ら、釉薬層の絶縁性能に悪影響を及ぼす場合がある。L
i/(Na+K+Li)の値は、より望ましくは0.3〜
0.45の範囲にて調整するのがよい。
ミナに比べて熱膨張係数が大きくなりすぎ、その結果、
貫入(クレージング)等の欠陥が生じやすくなり、釉焼
面の仕上がり確保が不十分となる場合がある。一方、L
iの割合が0.5よりも大きくなると、Liイオンが、
アルカリ金属イオンの中でも比較的移動度が高いことか
ら、釉薬層の絶縁性能に悪影響を及ぼす場合がある。L
i/(Na+K+Li)の値は、より望ましくは0.3〜
0.45の範囲にて調整するのがよい。
【0027】次に、F成分は、アリカリ金属成分との共
添加を図ることで、アルカリ金属成分の含有率を低く抑
えつつも、釉薬の屈伏点を低下させ釉焼時の流動性を改
善する効果を発揮する。その含有率がF2換算にて0.
1mol%未満では流動性改善効果に乏しく、10mo
l%を超えると釉焼時に釉薬中に破壊起点となりやすい
気泡が生じやすくなり、釉薬層付き絶縁体の強度、例え
ば耐衝撃性が損なわれ、また、大量の気泡により釉薬層
が失透しやすくなるためである。また、釉焼時にF成分
を含有したガスが発生し、これが炉壁等を構成する耐火
物と反応して炉壁寿命を縮めたりする不具合も招き易
い。F成分は、より望ましくはF2換算にて2〜6mo
l%の範囲にて含有させるのがよい。
添加を図ることで、アルカリ金属成分の含有率を低く抑
えつつも、釉薬の屈伏点を低下させ釉焼時の流動性を改
善する効果を発揮する。その含有率がF2換算にて0.
1mol%未満では流動性改善効果に乏しく、10mo
l%を超えると釉焼時に釉薬中に破壊起点となりやすい
気泡が生じやすくなり、釉薬層付き絶縁体の強度、例え
ば耐衝撃性が損なわれ、また、大量の気泡により釉薬層
が失透しやすくなるためである。また、釉焼時にF成分
を含有したガスが発生し、これが炉壁等を構成する耐火
物と反応して炉壁寿命を縮めたりする不具合も招き易
い。F成分は、より望ましくはF2換算にて2〜6mo
l%の範囲にて含有させるのがよい。
【0028】また、F添加による流動性改善効果はアル
カリ金属成分の添加量に応じて調整することが望まし
い。具体的には、アルカリ金属成分の前記酸化物換算し
た合計mol含有率をNR(mol%)とし、F成分の
F2換算したmol含有率をNFとして、NF/NRが
0.07〜1.5の範囲にて調整されているのがよい。
NF/NRが0.07未満ではF添加による流動性改善効
果に乏しく、NF/NRが1.5を超えた場合は、それ以
上のF成分増加に伴う流動性改善効果の顕著な向上が見
込めなくなり、無駄が多くなる。
カリ金属成分の添加量に応じて調整することが望まし
い。具体的には、アルカリ金属成分の前記酸化物換算し
た合計mol含有率をNR(mol%)とし、F成分の
F2換算したmol含有率をNFとして、NF/NRが
0.07〜1.5の範囲にて調整されているのがよい。
NF/NRが0.07未満ではF添加による流動性改善効
果に乏しく、NF/NRが1.5を超えた場合は、それ以
上のF成分増加に伴う流動性改善効果の顕著な向上が見
込めなくなり、無駄が多くなる。
【0029】なお、F成分は、釉薬層のカチオン成分源
の一部を、そのカチオンのフッ化物の形で配合すること
により添加が可能であり、例えばSi、アリカリ金属、
アルカリ土類金属あるいは希土類金属のフッ化物の形で
添加することができる(具体例としてはLiF、CaF
2など)。ただし、フッ化物の形で添加されるカチオン
成分も、本発明においてはその含有率を一律に酸化物に
換算して表示するものとする)。珪素のフッ化物として
は、例えばフッ化珪素系高分子の使用が可能である。ま
た、釉薬フリットの調製時にF以外の成分をガスの形で
分解・排出できるF化合物、例えば炭素のフッ化物(ポ
リテトラフルオロエチレンあるいはフッ化グラファイト
など)の形で添加することも可能である。
の一部を、そのカチオンのフッ化物の形で配合すること
により添加が可能であり、例えばSi、アリカリ金属、
アルカリ土類金属あるいは希土類金属のフッ化物の形で
添加することができる(具体例としてはLiF、CaF
2など)。ただし、フッ化物の形で添加されるカチオン
成分も、本発明においてはその含有率を一律に酸化物に
換算して表示するものとする)。珪素のフッ化物として
は、例えばフッ化珪素系高分子の使用が可能である。ま
た、釉薬フリットの調製時にF以外の成分をガスの形で
分解・排出できるF化合物、例えば炭素のフッ化物(ポ
リテトラフルオロエチレンあるいはフッ化グラファイト
など)の形で添加することも可能である。
【0030】次に、第二の構成においては、前記の流動
改善成分の含有が必須となる。これら流動改善成分は、
いずれも釉焼時の流動性を高め、釉薬層中の気泡形成を
抑制したり、あるいは釉焼面の付着物を流動時に包み込
んで、異常突起となったりすることを防ぐ効果を有す
る。Sb及びBiは特に効果が顕著である(ただし、B
iは将来的に制限物質に指定される可能性がある)。ま
た、釉焼時の流動性の改善は、これらの流動改善成分の
2種以上を組み合わせて用いるとさらに顕著である。ま
た、分離精製に比較的コストを要する希土類成分は、非
分離希土類(この場合、原料鉱石に特有の組成にて複数
種類の希土類元素が混在するものとなる)を使用する
と、コスト削減の観点において有利である。必須流動性
改善成分の、酸化物換算した合計含有量が0.1mol
%未満では、釉焼時の流動性を改善して平滑な釉薬層を
得やすくする効果が必ずしも十分達成できなくなる場合
がある。他方、5mol%を超えると、釉薬の屈伏点
の、過度の上昇により釉焼が困難あるいは不能となる場
合がある。
改善成分の含有が必須となる。これら流動改善成分は、
いずれも釉焼時の流動性を高め、釉薬層中の気泡形成を
抑制したり、あるいは釉焼面の付着物を流動時に包み込
んで、異常突起となったりすることを防ぐ効果を有す
る。Sb及びBiは特に効果が顕著である(ただし、B
iは将来的に制限物質に指定される可能性がある)。ま
た、釉焼時の流動性の改善は、これらの流動改善成分の
2種以上を組み合わせて用いるとさらに顕著である。ま
た、分離精製に比較的コストを要する希土類成分は、非
分離希土類(この場合、原料鉱石に特有の組成にて複数
種類の希土類元素が混在するものとなる)を使用する
と、コスト削減の観点において有利である。必須流動性
改善成分の、酸化物換算した合計含有量が0.1mol
%未満では、釉焼時の流動性を改善して平滑な釉薬層を
得やすくする効果が必ずしも十分達成できなくなる場合
がある。他方、5mol%を超えると、釉薬の屈伏点
の、過度の上昇により釉焼が困難あるいは不能となる場
合がある。
【0031】また、Sb、Bi及び希土類成分の一部に
は、5mol%を超える添加量を採用したときに、釉薬
層に過度の着色を生ずる場合がある。例えば、絶縁体の
外面には、製造者等を特定するための文字や図形あるい
は品番などの視覚情報を、色釉を用いて印刷することが
行われているが、釉薬層の着色があまり強くなりすぎる
と、印刷された視覚情報の読み取りが困難となる場合が
ある。また、別の現実的な問題としては、釉薬組成変更
に由来する色調変化が、購買者側では「使い慣れた外観
色の理由なき変更」に映じ、その抵抗感から必ずしもス
ムーズに製品が受け入れられない、といった不具合も生
じうる。
は、5mol%を超える添加量を採用したときに、釉薬
層に過度の着色を生ずる場合がある。例えば、絶縁体の
外面には、製造者等を特定するための文字や図形あるい
は品番などの視覚情報を、色釉を用いて印刷することが
行われているが、釉薬層の着色があまり強くなりすぎる
と、印刷された視覚情報の読み取りが困難となる場合が
ある。また、別の現実的な問題としては、釉薬組成変更
に由来する色調変化が、購買者側では「使い慣れた外観
色の理由なき変更」に映じ、その抵抗感から必ずしもス
ムーズに製品が受け入れられない、といった不具合も生
じうる。
【0032】なお、釉薬層の下地を形成する絶縁体は、
本発明においては白色を呈するアルミナ系セラミックに
て構成されるが、着色の防止ないし抑制の観点において
は、絶縁体上に形成された状態にて観察した釉薬層の外
観色調が、彩度Csが0〜6、明度Vsが7.5〜10
となるように組成調整すること、例えば上記の遷移金属
成分の含有量を調整することが望ましい。彩度が6を超
えると、肉眼による色相識別性が顕著となり、また、明
度が7.5より小さくなると、灰色あるいは黒っぽい色
調が識別され易くなる。いずれも、外観上、「明らかに
色がついている」印象がぬぐいきれなくなる問題を生ず
る。なお、彩度Csは望ましくは0〜2、より望ましく
は0〜1とするのがよく、彩度Vsは望ましくは8〜1
0、より望ましくは9〜10とするのがよい。本明細書
においては、明度VS及び彩度CSの測定方法について
は、JIS−Z8722「色の測定方法」において、
「4.分光測色方法」の「4.3反射物体の測定方法」
に規定された方法を用いるものとする。ただし、簡略な
方法として、JIS−Z8721に準拠して作成された
標準色票との目視比較により、明度及び彩度を知ること
もできる。
本発明においては白色を呈するアルミナ系セラミックに
て構成されるが、着色の防止ないし抑制の観点において
は、絶縁体上に形成された状態にて観察した釉薬層の外
観色調が、彩度Csが0〜6、明度Vsが7.5〜10
となるように組成調整すること、例えば上記の遷移金属
成分の含有量を調整することが望ましい。彩度が6を超
えると、肉眼による色相識別性が顕著となり、また、明
度が7.5より小さくなると、灰色あるいは黒っぽい色
調が識別され易くなる。いずれも、外観上、「明らかに
色がついている」印象がぬぐいきれなくなる問題を生ず
る。なお、彩度Csは望ましくは0〜2、より望ましく
は0〜1とするのがよく、彩度Vsは望ましくは8〜1
0、より望ましくは9〜10とするのがよい。本明細書
においては、明度VS及び彩度CSの測定方法について
は、JIS−Z8722「色の測定方法」において、
「4.分光測色方法」の「4.3反射物体の測定方法」
に規定された方法を用いるものとする。ただし、簡略な
方法として、JIS−Z8721に準拠して作成された
標準色票との目視比較により、明度及び彩度を知ること
もできる。
【0033】以下、本発明において釉薬層に含有させる
ことのできる他の成分について説明する。まず、釉薬層
には、補助流動改善成分として、Mo、W、Ni、C
o、Fe及びMnの1種又は2種以上の成分を、Moは
MoO3、WはWO3、NiはNi3О4、CoはCo
3О4、FeはFe2О3、MnはMnО2にそれぞれ
酸化物換算した値にて合計で0.5〜5mol%の範囲
にて含有させることができる。補助流動改善成分の合計
含有量が0.5mol%未満では効果に乏しく、5mo
l%を超えると、釉薬の屈伏点が過度に上昇し、釉焼が
困難あるいは不能となる場合がある。なお、補助流動改
善成分のうち、流動性改善効果が特に顕著であるのはM
o、Fe、次いでWである。
ことのできる他の成分について説明する。まず、釉薬層
には、補助流動改善成分として、Mo、W、Ni、C
o、Fe及びMnの1種又は2種以上の成分を、Moは
MoO3、WはWO3、NiはNi3О4、CoはCo
3О4、FeはFe2О3、MnはMnО2にそれぞれ
酸化物換算した値にて合計で0.5〜5mol%の範囲
にて含有させることができる。補助流動改善成分の合計
含有量が0.5mol%未満では効果に乏しく、5mo
l%を超えると、釉薬の屈伏点が過度に上昇し、釉焼が
困難あるいは不能となる場合がある。なお、補助流動改
善成分のうち、流動性改善効果が特に顕著であるのはM
o、Fe、次いでWである。
【0034】また、これらの補助流動改善成分は、いず
れも遷移元素であるため、過度の添加は釉薬層に意図せ
ざる着色を生ずる不具合にもつながりやすい(これは、
流動改善成分として希土類元素を使用する場合にも問題
となる場合がある)。
れも遷移元素であるため、過度の添加は釉薬層に意図せ
ざる着色を生ずる不具合にもつながりやすい(これは、
流動改善成分として希土類元素を使用する場合にも問題
となる場合がある)。
【0035】釉薬層には、Ti、Zr及びHfの1種又
は2種以上の成分を、ZrはZrO 2に、TiはTiO
2に、HfはHfO2にそれぞれ酸化物換算した値にて
合計で0.5〜5mol%の範囲で含有させることがで
きる。Ti、Zr及びHfの1種又は2種以上の成分を
含有させることにより、耐水性が改善される。Zr成分
あるいはHf成分に関しては、釉薬スラリーの耐水性改
善効果がTi成分に比して一層顕著である。なお、「耐
水性が良好」とは、例えば粉末状の釉薬原料を水等の溶
媒とともに混合し、釉薬スラリーの形で長時間放置した
場合に、成分溶出による釉薬スラリーの粘性が高くなる
不具合を生じにくくなるということを意味する。その結
果、釉薬スラリーを絶縁体に塗布する場合に、その塗布
厚さを適正化することが容易となり、また厚さのばらつ
きも小さくなる。その結果、釉焼により形成される釉薬
層の厚さの適正化とばらつき低減とを効果的に図ること
ができる。なお、上記成分の合計含有量が0.5mol
%未満では効果に乏しく、5mol%を超えると釉薬層
が失透しやすくなる。
は2種以上の成分を、ZrはZrO 2に、TiはTiO
2に、HfはHfO2にそれぞれ酸化物換算した値にて
合計で0.5〜5mol%の範囲で含有させることがで
きる。Ti、Zr及びHfの1種又は2種以上の成分を
含有させることにより、耐水性が改善される。Zr成分
あるいはHf成分に関しては、釉薬スラリーの耐水性改
善効果がTi成分に比して一層顕著である。なお、「耐
水性が良好」とは、例えば粉末状の釉薬原料を水等の溶
媒とともに混合し、釉薬スラリーの形で長時間放置した
場合に、成分溶出による釉薬スラリーの粘性が高くなる
不具合を生じにくくなるということを意味する。その結
果、釉薬スラリーを絶縁体に塗布する場合に、その塗布
厚さを適正化することが容易となり、また厚さのばらつ
きも小さくなる。その結果、釉焼により形成される釉薬
層の厚さの適正化とばらつき低減とを効果的に図ること
ができる。なお、上記成分の合計含有量が0.5mol
%未満では効果に乏しく、5mol%を超えると釉薬層
が失透しやすくなる。
【0036】また、釉薬層には、Al2O3に酸化物換
算した値にて0.5〜5mol%のAl成分、CaОに
酸化物換算した値にて0.5〜10mol%のCa成
分、及び、及びMgOに酸化物換算した値にて0.5〜
10mol%のMg成分の1種又は2種以上を合計で
0.5〜15mol%含有させることができる。Al成
分は釉薬層の失透を抑制する効果を有し、Ca成分とM
g成分とは釉薬層の絶縁性向上に寄与する。特に、Ca
成分は、釉薬層の絶縁性改善を図る上で、Ba成分ある
いはZn成分に次いで有効である。添加量が上記の各下
限値未満では効果に乏しく、また、個々の成分の上限値
又は合計含有量の上限値を超えた場合には、釉薬の屈伏
点が過度に上昇して釉焼が困難あるいは不能となる場合
がある。
算した値にて0.5〜5mol%のAl成分、CaОに
酸化物換算した値にて0.5〜10mol%のCa成
分、及び、及びMgOに酸化物換算した値にて0.5〜
10mol%のMg成分の1種又は2種以上を合計で
0.5〜15mol%含有させることができる。Al成
分は釉薬層の失透を抑制する効果を有し、Ca成分とM
g成分とは釉薬層の絶縁性向上に寄与する。特に、Ca
成分は、釉薬層の絶縁性改善を図る上で、Ba成分ある
いはZn成分に次いで有効である。添加量が上記の各下
限値未満では効果に乏しく、また、個々の成分の上限値
又は合計含有量の上限値を超えた場合には、釉薬の屈伏
点が過度に上昇して釉焼が困難あるいは不能となる場合
がある。
【0037】さらに、釉薬層には、Sn、P、Cu及び
Crの1種又は2種以上の補助成分を、SnはSnO2
に、PはP2O5に、CuはCuOに、CrはCr2O
3にそれぞれ酸化物換算した値にて合計で0.5〜5m
ol%の範囲で含有させることができる。これらの成分
は、各種目的に応じて積極的に添加することもできる
し、釉薬原料(あるいは、後述する釉薬スラリーの調製
時に配合する粘土鉱物)や、釉薬フリット製造のための
溶融工程における耐火材等からの不純物(あるいはコン
タミ)として不可避に混入する場合もある。いずれも釉
焼時の流動性を高め、釉薬層中の気泡形成を抑制した
り、あるいは釉焼面の付着物を流動時に包み込んで、異
常突起となったりすることを防ぐ上で効果を有する。添
加量が上記の各下限値未満では効果に乏しく、また、個
々の成分の上限値又は合計含有量の上限値を超えた場合
には、釉薬の屈伏点が過度に上昇して釉焼が困難あるい
は不能となったり(特にCuO、Cr2O3)、釉薬層
の導電性が低下したり(特にSnO2)、釉薬層の耐水
性が不足(特にP2O5)したりする不具合につなが
る。
Crの1種又は2種以上の補助成分を、SnはSnO2
に、PはP2O5に、CuはCuOに、CrはCr2O
3にそれぞれ酸化物換算した値にて合計で0.5〜5m
ol%の範囲で含有させることができる。これらの成分
は、各種目的に応じて積極的に添加することもできる
し、釉薬原料(あるいは、後述する釉薬スラリーの調製
時に配合する粘土鉱物)や、釉薬フリット製造のための
溶融工程における耐火材等からの不純物(あるいはコン
タミ)として不可避に混入する場合もある。いずれも釉
焼時の流動性を高め、釉薬層中の気泡形成を抑制した
り、あるいは釉焼面の付着物を流動時に包み込んで、異
常突起となったりすることを防ぐ上で効果を有する。添
加量が上記の各下限値未満では効果に乏しく、また、個
々の成分の上限値又は合計含有量の上限値を超えた場合
には、釉薬の屈伏点が過度に上昇して釉焼が困難あるい
は不能となったり(特にCuO、Cr2O3)、釉薬層
の導電性が低下したり(特にSnO2)、釉薬層の耐水
性が不足(特にP2O5)したりする不具合につなが
る。
【0038】なお、本発明のスパークプラグの構成にお
いては、釉薬中における前記各成分は酸化物の形で含有
されることとなるが、非晶質のガラス相を形成するなど
の要因により、酸化物による存在形態を直接は同定でき
ないことも多い。この場合は、釉薬層中における、前記
酸化物換算した値での元素成分の含有量が前述の範囲の
ものとなっていれば、本発明の範囲に属するものとみな
す。
いては、釉薬中における前記各成分は酸化物の形で含有
されることとなるが、非晶質のガラス相を形成するなど
の要因により、酸化物による存在形態を直接は同定でき
ないことも多い。この場合は、釉薬層中における、前記
酸化物換算した値での元素成分の含有量が前述の範囲の
ものとなっていれば、本発明の範囲に属するものとみな
す。
【0039】ここで、絶縁体上に形成された釉薬層の各
成分の含有量は、例えばEPMA(電子プローブ微小分
析)やXPS(X線光電子分光)等の公知の微小分析方
法を用いて同定できる。例えばEPMAを用いる場合、
特性X線の測定には、波長分散方式とエネルギー分散方
式のいずれを用いてもよい。また、絶縁体から釉薬層を
剥離し、これを化学分析あるいはガス分析することによ
り組成同定する方法もある。
成分の含有量は、例えばEPMA(電子プローブ微小分
析)やXPS(X線光電子分光)等の公知の微小分析方
法を用いて同定できる。例えばEPMAを用いる場合、
特性X線の測定には、波長分散方式とエネルギー分散方
式のいずれを用いてもよい。また、絶縁体から釉薬層を
剥離し、これを化学分析あるいはガス分析することによ
り組成同定する方法もある。
【0040】また、上記釉薬層を有する本発明のスパー
クプラグは、絶縁体の貫通孔内において、中心電極と一
体に、又は導電性結合層を間に挟んで中心電極と別体に
設けられた軸状の端子金具部を備えたものとして構成で
きる。この場合、該スパークプラグ全体を約500℃に
保持し、絶縁体を介して端子金具部と主体金具との間で
通電することにより絶縁抵抗値を測定することができ
る。そして、高温での絶縁耐久性を確保するために、こ
の絶縁抵抗値は200MΩ以上、望ましくは400MΩ
以上確保されていることが、フラッシュオーバ等の発生
を防止する上で望ましい。
クプラグは、絶縁体の貫通孔内において、中心電極と一
体に、又は導電性結合層を間に挟んで中心電極と別体に
設けられた軸状の端子金具部を備えたものとして構成で
きる。この場合、該スパークプラグ全体を約500℃に
保持し、絶縁体を介して端子金具部と主体金具との間で
通電することにより絶縁抵抗値を測定することができ
る。そして、高温での絶縁耐久性を確保するために、こ
の絶縁抵抗値は200MΩ以上、望ましくは400MΩ
以上確保されていることが、フラッシュオーバ等の発生
を防止する上で望ましい。
【0041】その測定は以下のようにして行なうことが
できる。まず、図1のスパークプラグ100の端子金具
13側に直流定電圧電源(例えば電源電圧1000V)
を接続するとともに主体金具1側を接地し、加熱炉中に
スパークプラグ100を配置して500℃に加熱した状
態で通電を行なう。例えば、電流測定用抵抗(抵抗値R
m)を用いて通電電流値Imを測定する場合を考えると、
通電電圧をVSとして、測定すべき絶縁抵抗値Rxは、
(VS/Im)−Rmにて求めることができる。
できる。まず、図1のスパークプラグ100の端子金具
13側に直流定電圧電源(例えば電源電圧1000V)
を接続するとともに主体金具1側を接地し、加熱炉中に
スパークプラグ100を配置して500℃に加熱した状
態で通電を行なう。例えば、電流測定用抵抗(抵抗値R
m)を用いて通電電流値Imを測定する場合を考えると、
通電電圧をVSとして、測定すべき絶縁抵抗値Rxは、
(VS/Im)−Rmにて求めることができる。
【0042】また、絶縁体は、Al成分をAl2O3に
酸化物換算した値にて85〜98mol%含有するアル
ミナ系絶縁材料で構成することができる。また、釉薬層
は、20〜350℃の温度範囲における釉薬の平均の熱
膨張係数が、5×10−6/℃〜8.5×10−6/℃
の範囲のものとなっていることが望ましい。熱膨張係数
がこの下限値より小さくなっていると、釉薬層に亀裂や
釉飛び等の欠陥が生じやすくなる場合がある。他方、熱
膨張係数がこの上限値より大きくなっていると、釉薬層
に貫入(クレージング)等の欠陥が生じやすくなる。な
お、上記熱膨張係数は、より望ましくは6×10−6/
℃〜8×10−6/℃の範囲のものとなっているのがよ
い。
酸化物換算した値にて85〜98mol%含有するアル
ミナ系絶縁材料で構成することができる。また、釉薬層
は、20〜350℃の温度範囲における釉薬の平均の熱
膨張係数が、5×10−6/℃〜8.5×10−6/℃
の範囲のものとなっていることが望ましい。熱膨張係数
がこの下限値より小さくなっていると、釉薬層に亀裂や
釉飛び等の欠陥が生じやすくなる場合がある。他方、熱
膨張係数がこの上限値より大きくなっていると、釉薬層
に貫入(クレージング)等の欠陥が生じやすくなる。な
お、上記熱膨張係数は、より望ましくは6×10−6/
℃〜8×10−6/℃の範囲のものとなっているのがよ
い。
【0043】釉薬層の熱膨張係数は、釉薬層と略同一組
成となるように原料を配合・溶解して得たガラス質の釉
薬バルク体から試料を切り出し、これを用いて公知のデ
ィラトメータ法等により測定した値により推定すること
ができる。また、絶縁体上の釉薬層の熱膨張係数は、例
えばレーザー干渉計や原子間力顕微鏡等を用いて測定す
ることが可能である。
成となるように原料を配合・溶解して得たガラス質の釉
薬バルク体から試料を切り出し、これを用いて公知のデ
ィラトメータ法等により測定した値により推定すること
ができる。また、絶縁体上の釉薬層の熱膨張係数は、例
えばレーザー干渉計や原子間力顕微鏡等を用いて測定す
ることが可能である。
【0044】絶縁体には、軸線方向中間位置においてそ
の外周面に周方向の突出部を形成しておくことができ
る。そして、軸線方向において前記中心電極の先端に向
かう側を前方側として、突出部に対し後方側に隣接する
絶縁体本体部の基端部外周面を円筒面状に形成すること
ができる。自動車エンジン等では、ゴムキャップを用い
てスパークプラグをエンジン電装系に取り付ける方式が
一般に広く採用されているが、耐フラッシュオーバ性を
向上させるためには、絶縁体とゴムキャップ内面との密
着性が重要である。そこで、釉薬層は、前記本体部の基
端部外周面にてJIS:B0601に規定された方法に
従い測定した釉薬層の表面粗さ曲線において、その最大
高さが7μm以下の平滑なものとなっていることが望ま
しい。
の外周面に周方向の突出部を形成しておくことができ
る。そして、軸線方向において前記中心電極の先端に向
かう側を前方側として、突出部に対し後方側に隣接する
絶縁体本体部の基端部外周面を円筒面状に形成すること
ができる。自動車エンジン等では、ゴムキャップを用い
てスパークプラグをエンジン電装系に取り付ける方式が
一般に広く採用されているが、耐フラッシュオーバ性を
向上させるためには、絶縁体とゴムキャップ内面との密
着性が重要である。そこで、釉薬層は、前記本体部の基
端部外周面にてJIS:B0601に規定された方法に
従い測定した釉薬層の表面粗さ曲線において、その最大
高さが7μm以下の平滑なものとなっていることが望ま
しい。
【0045】また、本発明者らが鋭意検討したところ、
硼珪酸ガラス系あるいはアルカリ硼珪酸ガラス系の無鉛
釉薬においては、平滑な釉焼面を得る上で、釉薬層の膜
厚調整が重要であることがわかった。そして、上記絶縁
体本体部の基端部外周面は、特にゴムキャップとの密着
性が求められることから、膜厚調整を適切に行なわなけ
れば、耐フラッシュオーバ性等を十分に確保できなくな
ることが判明した。そこで、上記組成の無鉛釉薬層を有
する絶縁体において、本体部の基端部外周面を覆う釉薬
層の膜厚を7〜50μmの範囲内にて調整することが望
ましい。これにより、釉薬層の絶縁性を低下させること
なく釉焼面とゴムキャップとの密着性が高められ、ひい
ては耐フラッシュオーバ性を向上させることができる。
硼珪酸ガラス系あるいはアルカリ硼珪酸ガラス系の無鉛
釉薬においては、平滑な釉焼面を得る上で、釉薬層の膜
厚調整が重要であることがわかった。そして、上記絶縁
体本体部の基端部外周面は、特にゴムキャップとの密着
性が求められることから、膜厚調整を適切に行なわなけ
れば、耐フラッシュオーバ性等を十分に確保できなくな
ることが判明した。そこで、上記組成の無鉛釉薬層を有
する絶縁体において、本体部の基端部外周面を覆う釉薬
層の膜厚を7〜50μmの範囲内にて調整することが望
ましい。これにより、釉薬層の絶縁性を低下させること
なく釉焼面とゴムキャップとの密着性が高められ、ひい
ては耐フラッシュオーバ性を向上させることができる。
【0046】絶縁体の当該部位における釉薬層の厚さが
7μm未満になると、上記組成の無鉛釉薬では均一で平
滑な釉焼面を形成することが困難となり、釉焼面とゴム
キャップとの密着性が損なわれて耐フラッシュオーバ性
が不十分となる。また、釉薬層の厚さが50μmを超え
ると通電断面積が増加し、上記組成の無鉛釉薬では絶縁
性の確保が困難となるので、同様に耐フラッシュオーバ
性低下につながる場合がある。
7μm未満になると、上記組成の無鉛釉薬では均一で平
滑な釉焼面を形成することが困難となり、釉焼面とゴム
キャップとの密着性が損なわれて耐フラッシュオーバ性
が不十分となる。また、釉薬層の厚さが50μmを超え
ると通電断面積が増加し、上記組成の無鉛釉薬では絶縁
性の確保が困難となるので、同様に耐フラッシュオーバ
性低下につながる場合がある。
【0047】釉薬層の厚さを均一化し、過度に(あるい
は局所的に)厚い釉薬層が形成されることを抑制するた
めには、前述の通り、Ti、ZrあるいはHfの添加を
行なうことが有効である。
は局所的に)厚い釉薬層が形成されることを抑制するた
めには、前述の通り、Ti、ZrあるいはHfの添加を
行なうことが有効である。
【0048】次に、上記本発明のスパークプラグは、以
下のような製造方法により製造することができる。すな
わち、該方法は、釉薬の各成分源となる成分源粉末を所
期の組成が得られるように配合して混合後、その混合物
を1000〜1500℃に加熱して溶融させ、その溶融
物を急冷・ガラス化し粉砕した釉薬粉末を調製する釉薬
粉末調製工程と、その釉薬粉末を絶縁体の表面に堆積さ
せて釉薬粉末堆積層を形成する釉薬粉末堆積工程と、そ
の絶縁体を加熱することにより、釉薬粉末堆積層を絶縁
体表面に焼き付けて釉薬層となす釉焼工程と、を含む。
下のような製造方法により製造することができる。すな
わち、該方法は、釉薬の各成分源となる成分源粉末を所
期の組成が得られるように配合して混合後、その混合物
を1000〜1500℃に加熱して溶融させ、その溶融
物を急冷・ガラス化し粉砕した釉薬粉末を調製する釉薬
粉末調製工程と、その釉薬粉末を絶縁体の表面に堆積さ
せて釉薬粉末堆積層を形成する釉薬粉末堆積工程と、そ
の絶縁体を加熱することにより、釉薬粉末堆積層を絶縁
体表面に焼き付けて釉薬層となす釉焼工程と、を含む。
【0049】なお、各成分の成分源粉末としては、それ
ら成分の酸化物(複合酸化物でもよい)の他、水酸化
物、炭酸塩、塩化物、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩等の各
種無機系材料粉末を使用できる。これら無機系材料粉末
は、いずれも加熱・溶融により酸化物に転化できるもの
を使用する必要がある。また、急冷は、溶融物を水中に
投じる方法の他、溶融物を冷却ロール表面に噴射してフ
レーク状の急冷凝固物を得る方法も採用できる。
ら成分の酸化物(複合酸化物でもよい)の他、水酸化
物、炭酸塩、塩化物、硫酸塩、硝酸塩、リン酸塩等の各
種無機系材料粉末を使用できる。これら無機系材料粉末
は、いずれも加熱・溶融により酸化物に転化できるもの
を使用する必要がある。また、急冷は、溶融物を水中に
投じる方法の他、溶融物を冷却ロール表面に噴射してフ
レーク状の急冷凝固物を得る方法も採用できる。
【0050】釉薬粉末は、水又は溶媒中に分散させるこ
とにより釉薬スラリーとして使用可能であり、例えば、
釉薬スラリーを絶縁体表面に塗布し乾燥することで、釉
薬粉末堆積層を該釉薬スラリーの塗布層として形成でき
る。なお、釉薬スラリーを絶縁体表面に塗布する方法と
しては、釉薬スラリーを噴霧ノズルから絶縁体表面に噴
霧する方法を用いると、均一な厚さの釉薬粉末堆積層を
簡単に形成でき、その塗布厚さの調整も容易である。
とにより釉薬スラリーとして使用可能であり、例えば、
釉薬スラリーを絶縁体表面に塗布し乾燥することで、釉
薬粉末堆積層を該釉薬スラリーの塗布層として形成でき
る。なお、釉薬スラリーを絶縁体表面に塗布する方法と
しては、釉薬スラリーを噴霧ノズルから絶縁体表面に噴
霧する方法を用いると、均一な厚さの釉薬粉末堆積層を
簡単に形成でき、その塗布厚さの調整も容易である。
【0051】釉薬スラリーには、形成した釉薬粉末堆積
層の形状保持力を高める目的で、適量の粘土鉱物や有機
バインダを配合できる。粘土鉱物は、含水アルミノケイ
酸塩を主体に構成されるものを使用でき、例えばアロフ
ェン、イモゴライト、ヒシンゲライト、スメクタイト、
カオリナイト、ハロイサイト、モンモリロナイト、イラ
イト、バーミキュライト、ドロマイト等(あるいはそれ
らの合成物)の1種又は2種以上を主体とするものを使
用できる。また、含有される酸化物系成分の観点におい
ては、SiO2及びAl2O3に加え、Fe2O3、T
iO2、CaO、MgO、Na2O及びK2O等の1種
又は2種以上を主に含有するものを使用することができ
る。
層の形状保持力を高める目的で、適量の粘土鉱物や有機
バインダを配合できる。粘土鉱物は、含水アルミノケイ
酸塩を主体に構成されるものを使用でき、例えばアロフ
ェン、イモゴライト、ヒシンゲライト、スメクタイト、
カオリナイト、ハロイサイト、モンモリロナイト、イラ
イト、バーミキュライト、ドロマイト等(あるいはそれ
らの合成物)の1種又は2種以上を主体とするものを使
用できる。また、含有される酸化物系成分の観点におい
ては、SiO2及びAl2O3に加え、Fe2O3、T
iO2、CaO、MgO、Na2O及びK2O等の1種
又は2種以上を主に含有するものを使用することができ
る。
【0052】本発明のスパークプラグは、絶縁体の軸方
向に形成された貫通孔に対し、その一方の端部側に端子
金具が固定され、同じく他方の端部側に中心電極が固定
されるとともに、該貫通孔内において端子金具と中心電
極との間に、それらを電気的に接合するための、主にガ
ラスと導電性材料との混合物からなる焼結導電材料部
(例えば導電性ガラスシール層や抵抗体)が形成された
ものとして構成できる。これを製造する場合、次のよう
な工程を含む方法を採用できる。・組立体製造工程:絶
縁体の貫通孔に対し、その一方の端部側に端子金具が配
置され、同じく他方の端部側に中心電極が配置されると
ともに、該貫通孔内において端子金具と中心電極との間
に、ガラス粉末と導電性材料粉末とを主体とする焼結導
電材料原料粉末の充填層を形成した組立体を製造する。
・釉焼工程:絶縁体の表面に釉薬粉末堆積層を形成した
状態の組立体を、800〜950℃の温度範囲に加熱し
て、釉薬粉末堆積層を絶縁体表面に焼き付けて釉薬層と
なす工程と、充填層中のガラス粉末を軟化させる工程と
を同時に行なう。・プレス工程:その加熱された組立体
において、貫通孔内にて中心電極と端子金具とを相対的
に接近させることにより、充填層をそれら中心電極と端
子金具との間でプレスして焼結導電材料部となす。
向に形成された貫通孔に対し、その一方の端部側に端子
金具が固定され、同じく他方の端部側に中心電極が固定
されるとともに、該貫通孔内において端子金具と中心電
極との間に、それらを電気的に接合するための、主にガ
ラスと導電性材料との混合物からなる焼結導電材料部
(例えば導電性ガラスシール層や抵抗体)が形成された
ものとして構成できる。これを製造する場合、次のよう
な工程を含む方法を採用できる。・組立体製造工程:絶
縁体の貫通孔に対し、その一方の端部側に端子金具が配
置され、同じく他方の端部側に中心電極が配置されると
ともに、該貫通孔内において端子金具と中心電極との間
に、ガラス粉末と導電性材料粉末とを主体とする焼結導
電材料原料粉末の充填層を形成した組立体を製造する。
・釉焼工程:絶縁体の表面に釉薬粉末堆積層を形成した
状態の組立体を、800〜950℃の温度範囲に加熱し
て、釉薬粉末堆積層を絶縁体表面に焼き付けて釉薬層と
なす工程と、充填層中のガラス粉末を軟化させる工程と
を同時に行なう。・プレス工程:その加熱された組立体
において、貫通孔内にて中心電極と端子金具とを相対的
に接近させることにより、充填層をそれら中心電極と端
子金具との間でプレスして焼結導電材料部となす。
【0053】この場合、焼結導電材料部により端子金具
と中心電極とが電気的に接合されるとともに、絶縁体貫
通孔の内面とそれら端子金具及び中心電極との間が封着
(シール)される。従って、上記釉焼工程がガラスシー
ル工程を形成することになる。該方法では、ガラスシー
ル工程と釉焼工程とが同時になされるので効率的であ
る。また、前述の釉薬を用いるため釉焼温度を800〜
950℃と低くできるので、中心電極や端子金具の酸化
による製造不良が発生しにくく、スパークプラグの製品
歩留まりが向上する。ただし、釉焼工程を先に行ってお
いて、その後にガラスシール工程を行なうようにするこ
ともできる。
と中心電極とが電気的に接合されるとともに、絶縁体貫
通孔の内面とそれら端子金具及び中心電極との間が封着
(シール)される。従って、上記釉焼工程がガラスシー
ル工程を形成することになる。該方法では、ガラスシー
ル工程と釉焼工程とが同時になされるので効率的であ
る。また、前述の釉薬を用いるため釉焼温度を800〜
950℃と低くできるので、中心電極や端子金具の酸化
による製造不良が発生しにくく、スパークプラグの製品
歩留まりが向上する。ただし、釉焼工程を先に行ってお
いて、その後にガラスシール工程を行なうようにするこ
ともできる。
【0054】釉薬層の屈伏点は、例えば520〜700
℃の範囲で調整するのがよい。屈伏点が700℃を超え
ると、ガラスシール工程に釉焼工程を兼用させる場合に
950℃以上の釉焼温度が必要となり、中心電極や端子
金具の酸化が進みやすくなる。他方、屈伏点が520℃
未満になると、釉焼温度も800℃未満の低温に設定す
る必要が生ずる。この場合、良好なガラスシール状態が
得られるよう、焼結導電材料部に使用するガラスも屈伏
点の低いものを使用しなければならなくなる。その結
果、完成したスパークプラグが比較的高温の環境下で長
時間使用された場合に、焼結導電材料部中のガラスが変
質しやすくなるため、例えば焼結導電材料部が抵抗体を
含む場合には、その負荷寿命特性などの性能の劣化につ
ながる場合がある。なお、釉薬層の屈伏点は、望ましく
は520〜620℃の範囲で調整するのがよい。
℃の範囲で調整するのがよい。屈伏点が700℃を超え
ると、ガラスシール工程に釉焼工程を兼用させる場合に
950℃以上の釉焼温度が必要となり、中心電極や端子
金具の酸化が進みやすくなる。他方、屈伏点が520℃
未満になると、釉焼温度も800℃未満の低温に設定す
る必要が生ずる。この場合、良好なガラスシール状態が
得られるよう、焼結導電材料部に使用するガラスも屈伏
点の低いものを使用しなければならなくなる。その結
果、完成したスパークプラグが比較的高温の環境下で長
時間使用された場合に、焼結導電材料部中のガラスが変
質しやすくなるため、例えば焼結導電材料部が抵抗体を
含む場合には、その負荷寿命特性などの性能の劣化につ
ながる場合がある。なお、釉薬層の屈伏点は、望ましく
は520〜620℃の範囲で調整するのがよい。
【0055】なお、釉薬層の屈伏点は、例えば釉薬層を
絶縁体から剥離して加熱しながら示差熱分析を行い、屈
状点を表す最初の吸熱ピークの次に現われるピーク(す
なわち第2番目に発生する吸熱ピーク)の温度をもって
該屈伏点とする。また、絶縁体表面に形成された釉薬層
の屈伏点については、釉薬層中の各成分の含有量をそれ
ぞれ分析して酸化物換算した組成を算出し、この組成と
ほぼ等しくなるように、各被酸化元素成分の酸化物原料
を配合・溶解後、急冷してガラス試料を得、そのガラス
試料の屈伏点をもって当該形成された釉薬層の屈伏点を
推定することもできる。
絶縁体から剥離して加熱しながら示差熱分析を行い、屈
状点を表す最初の吸熱ピークの次に現われるピーク(す
なわち第2番目に発生する吸熱ピーク)の温度をもって
該屈伏点とする。また、絶縁体表面に形成された釉薬層
の屈伏点については、釉薬層中の各成分の含有量をそれ
ぞれ分析して酸化物換算した組成を算出し、この組成と
ほぼ等しくなるように、各被酸化元素成分の酸化物原料
を配合・溶解後、急冷してガラス試料を得、そのガラス
試料の屈伏点をもって当該形成された釉薬層の屈伏点を
推定することもできる。
【0056】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に示すいくつかの実施例を参照して説明する。図1は、
本発明の第一の構成に係るスパークプラグの一実施例を
示す。該スパークプラグ100は、筒状の主体金具1、
先端部21が突出するようにその主体金具1の内側に嵌
め込まれた絶縁体2、先端に形成された発火部31を突
出させた状態で絶縁体2の内側に設けられた中心電極
3、及び主体金具1に一端が溶接等により結合されると
ともに他端側が側方に曲げ返されて、その側面が中心電
極3の先端部と対向するように配置された接地電極4等
を備えている。また、接地電極4には上記発火部31に
対向する発火部32が形成されており、それら発火部3
1と、対向する発火部32との間の隙間が火花放電ギャ
ップgとされている。
に示すいくつかの実施例を参照して説明する。図1は、
本発明の第一の構成に係るスパークプラグの一実施例を
示す。該スパークプラグ100は、筒状の主体金具1、
先端部21が突出するようにその主体金具1の内側に嵌
め込まれた絶縁体2、先端に形成された発火部31を突
出させた状態で絶縁体2の内側に設けられた中心電極
3、及び主体金具1に一端が溶接等により結合されると
ともに他端側が側方に曲げ返されて、その側面が中心電
極3の先端部と対向するように配置された接地電極4等
を備えている。また、接地電極4には上記発火部31に
対向する発火部32が形成されており、それら発火部3
1と、対向する発火部32との間の隙間が火花放電ギャ
ップgとされている。
【0057】主体金具1は、低炭素鋼等の金属により円
筒状に形成されており、スパークプラグ100のハウジ
ングを構成するとともに、その外周面には、プラグ10
0を図示しないエンジンブロックに取り付けるためのね
じ部7が形成されている。なお、1eは、主体金具1を
取り付ける際に、スパナやレンチ等の工具を係合させる
工具係合部であり、六角状の軸断面形状を有している。
筒状に形成されており、スパークプラグ100のハウジ
ングを構成するとともに、その外周面には、プラグ10
0を図示しないエンジンブロックに取り付けるためのね
じ部7が形成されている。なお、1eは、主体金具1を
取り付ける際に、スパナやレンチ等の工具を係合させる
工具係合部であり、六角状の軸断面形状を有している。
【0058】また、絶縁体2の軸方向には貫通孔6が形
成されており、その一方の端部側に端子金具13が固定
され、同じく他方の端部側に中心電極3が固定されてい
る。また、該貫通孔6内において端子金具13と中心電
極3との間に抵抗体15が配置されている。この抵抗体
15の両端部は、導電性ガラスシール層16,17を介
して中心電極3と端子金具13とにそれぞれ電気的に接
続されている。これら抵抗体15と導電性ガラスシール
層16,17とが焼結導電材料部を構成している。な
お、抵抗体15は、ガラス粉末と導電材料粉末(及び必
要に応じてガラス以外のセラミック粉末)との混合粉末
を原料とし、後述のガラスシール工程においてこれを加
熱・プレスすることにより得られる抵抗体組成物で構成
される。なお、抵抗体15を省略して、一層の導電性ガ
ラスシール層により端子金具13と中心電極3とを一体
化した構成としてもよい。
成されており、その一方の端部側に端子金具13が固定
され、同じく他方の端部側に中心電極3が固定されてい
る。また、該貫通孔6内において端子金具13と中心電
極3との間に抵抗体15が配置されている。この抵抗体
15の両端部は、導電性ガラスシール層16,17を介
して中心電極3と端子金具13とにそれぞれ電気的に接
続されている。これら抵抗体15と導電性ガラスシール
層16,17とが焼結導電材料部を構成している。な
お、抵抗体15は、ガラス粉末と導電材料粉末(及び必
要に応じてガラス以外のセラミック粉末)との混合粉末
を原料とし、後述のガラスシール工程においてこれを加
熱・プレスすることにより得られる抵抗体組成物で構成
される。なお、抵抗体15を省略して、一層の導電性ガ
ラスシール層により端子金具13と中心電極3とを一体
化した構成としてもよい。
【0059】絶縁体2は、内部に自身の軸方向に沿って
中心電極3を嵌め込むための貫通孔6を有し、全体が以
下の絶縁材料により構成されている。すなわち、該絶縁
材料はアルミナを主体に構成され、Al成分を、Al2
O3に換算した値にて85〜98mol%(望ましくは
90〜98mol%)含有するアルミナ系セラミック焼
結体として構成される。
中心電極3を嵌め込むための貫通孔6を有し、全体が以
下の絶縁材料により構成されている。すなわち、該絶縁
材料はアルミナを主体に構成され、Al成分を、Al2
O3に換算した値にて85〜98mol%(望ましくは
90〜98mol%)含有するアルミナ系セラミック焼
結体として構成される。
【0060】Al以外の成分の具体的な組成としては下
記のようなものを例示できる。 Si成分:SiO2換算値で1.50〜5.00mol
%; Ca成分:CaO換算値で1.20〜4.00mol
%; Mg成分:MgO換算値で0.05〜0.17mol
%; Ba成分:BaO換算値で0.15〜0.50mol
%; B成分:B2O3換算値で0.15〜0.50mol
%。
記のようなものを例示できる。 Si成分:SiO2換算値で1.50〜5.00mol
%; Ca成分:CaO換算値で1.20〜4.00mol
%; Mg成分:MgO換算値で0.05〜0.17mol
%; Ba成分:BaO換算値で0.15〜0.50mol
%; B成分:B2O3換算値で0.15〜0.50mol
%。
【0061】絶縁体2の軸方向中間には、周方向外向き
に突出する突出部2eが例えばフランジ状に形成されて
いる。そして、絶縁体2には、中心電極3(図1)の先
端に向かう側を前方側として、該突出部2eよりも後方
側がこれよりも細径に形成された本体部2bとされてい
る。一方、突出部2eの前方側にはこれよりも細径の第
一軸部2gと、その第一軸部2gよりもさらに細径の第
二軸部2iがこの順序で形成されている。また、第一軸
部2gの外周面は略円筒状とされ、第二軸部2iの外周
面は先端に向かうほど縮径する略円錐面状とされてい
る。
に突出する突出部2eが例えばフランジ状に形成されて
いる。そして、絶縁体2には、中心電極3(図1)の先
端に向かう側を前方側として、該突出部2eよりも後方
側がこれよりも細径に形成された本体部2bとされてい
る。一方、突出部2eの前方側にはこれよりも細径の第
一軸部2gと、その第一軸部2gよりもさらに細径の第
二軸部2iがこの順序で形成されている。また、第一軸
部2gの外周面は略円筒状とされ、第二軸部2iの外周
面は先端に向かうほど縮径する略円錐面状とされてい
る。
【0062】他方、中心電極3の軸断面径は抵抗体15
の軸断面径よりも小さく設定されている。そして、絶縁
体2の貫通孔6は、中心電極3を挿通させる略円筒状の
第一部分6aと、その第一部分6aの後方側(図面上方
側)においてこれよりも大径に形成される略円筒状の第
二部分6bとを有する。端子金具13と抵抗体15とは
第二部分6b内に収容され、中心電極3は第一部分6a
内に挿通される。中心電極3の後端部には、その外周面
から外向きに突出して電極固定用凸部3cが形成されて
いる。そして、上記貫通孔6の第一部分6aと第二部分
6bとは、図3(a)の第一軸部2g内において互いに
接続しており、その接続位置には、中心電極3の電極固
定用凸部3cを受けるための凸部受け面6cがテーパ面
あるいはアール面状に形成されている。
の軸断面径よりも小さく設定されている。そして、絶縁
体2の貫通孔6は、中心電極3を挿通させる略円筒状の
第一部分6aと、その第一部分6aの後方側(図面上方
側)においてこれよりも大径に形成される略円筒状の第
二部分6bとを有する。端子金具13と抵抗体15とは
第二部分6b内に収容され、中心電極3は第一部分6a
内に挿通される。中心電極3の後端部には、その外周面
から外向きに突出して電極固定用凸部3cが形成されて
いる。そして、上記貫通孔6の第一部分6aと第二部分
6bとは、図3(a)の第一軸部2g内において互いに
接続しており、その接続位置には、中心電極3の電極固
定用凸部3cを受けるための凸部受け面6cがテーパ面
あるいはアール面状に形成されている。
【0063】また、第一軸部2gと第二軸部2iとの接
続部2hの外周面は段付面とされ、これが主体金具1の
内面に形成された主体金具側係合部としての凸条部1c
とリング状の板パッキン63を介して係合することによ
り、軸方向の抜止めがなされている。他方、主体金具1
の後方側開口部内面と、絶縁体2の外面との間には、フ
ランジ状の突出部2eの後方側周縁と係合するリング状
の線パッキン62が配置され、そのさらに後方側にはタ
ルク等の充填層61を介してリング状の線パッキン60
が配置されている。そして、絶縁体2を主体金具1に向
けて前方側に押し込み、その状態で主体金具1の開口縁
をパッキン60に向けて内側に加締めることにより加締
め部1dが形成され、主体金具1が絶縁体2に対して固
定されている。
続部2hの外周面は段付面とされ、これが主体金具1の
内面に形成された主体金具側係合部としての凸条部1c
とリング状の板パッキン63を介して係合することによ
り、軸方向の抜止めがなされている。他方、主体金具1
の後方側開口部内面と、絶縁体2の外面との間には、フ
ランジ状の突出部2eの後方側周縁と係合するリング状
の線パッキン62が配置され、そのさらに後方側にはタ
ルク等の充填層61を介してリング状の線パッキン60
が配置されている。そして、絶縁体2を主体金具1に向
けて前方側に押し込み、その状態で主体金具1の開口縁
をパッキン60に向けて内側に加締めることにより加締
め部1dが形成され、主体金具1が絶縁体2に対して固
定されている。
【0064】図3(a)及び図3(b)は絶縁体2のい
くつかの例を示すものである。その各部の寸法を以下に
例示する。 ・全長L1:30〜75mm。 ・第一軸部2gの長さL2:0〜30mm(ただし、突
出部2eとの接続部2fを含まず、第二軸部2iとの接
続部2hを含む)。 ・第二軸部2iの長さL3:2〜27mm。 ・本体部2bの外径D1:9〜13mm。 ・突出部2eの外径D2:11〜16mm。 ・第一軸部2gの外径D3:5〜11mm。 ・第二軸部2iの基端部外径D4:3〜8mm。 ・第二軸部2iの先端部外径D5(ただし、先端面外周
縁にアールないし面取りが施される場合は、中心軸線O
を含む断面において、該アール部ないし面取部の基端位
置における外径を指す):2.5〜7mm。 ・貫通孔6の第二部分6bの内径D6:2〜5mm。 ・貫通孔6の第一部分6aの内径D7:1〜3.5m
m。 ・第一軸部2gの肉厚t1:0.5〜4.5mm。 ・第二軸部2iの基端部肉厚t2(中心軸線Oと直交す
る向きにおける値):0.3〜3.5mm。 ・第二軸部2iの先端部肉厚t3(中心軸線Oと直交す
る向きにおける値;ただし、先端面外周縁にアールない
し面取りが施される場合は、中心軸線Oを含む断面にお
いて、該アール部ないし面取部の基端位置における肉厚
を指す):0.2〜3mm。 ・第二軸部2iの平均肉厚tA((t2+t3)/2):
0.25〜3.25mm。
くつかの例を示すものである。その各部の寸法を以下に
例示する。 ・全長L1:30〜75mm。 ・第一軸部2gの長さL2:0〜30mm(ただし、突
出部2eとの接続部2fを含まず、第二軸部2iとの接
続部2hを含む)。 ・第二軸部2iの長さL3:2〜27mm。 ・本体部2bの外径D1:9〜13mm。 ・突出部2eの外径D2:11〜16mm。 ・第一軸部2gの外径D3:5〜11mm。 ・第二軸部2iの基端部外径D4:3〜8mm。 ・第二軸部2iの先端部外径D5(ただし、先端面外周
縁にアールないし面取りが施される場合は、中心軸線O
を含む断面において、該アール部ないし面取部の基端位
置における外径を指す):2.5〜7mm。 ・貫通孔6の第二部分6bの内径D6:2〜5mm。 ・貫通孔6の第一部分6aの内径D7:1〜3.5m
m。 ・第一軸部2gの肉厚t1:0.5〜4.5mm。 ・第二軸部2iの基端部肉厚t2(中心軸線Oと直交す
る向きにおける値):0.3〜3.5mm。 ・第二軸部2iの先端部肉厚t3(中心軸線Oと直交す
る向きにおける値;ただし、先端面外周縁にアールない
し面取りが施される場合は、中心軸線Oを含む断面にお
いて、該アール部ないし面取部の基端位置における肉厚
を指す):0.2〜3mm。 ・第二軸部2iの平均肉厚tA((t2+t3)/2):
0.25〜3.25mm。
【0065】また、図1において、絶縁体2の主体金具
1の後方側に突出している部分2kの長さLQは、23
〜27mm(例えば25mm程度)である。
1の後方側に突出している部分2kの長さLQは、23
〜27mm(例えば25mm程度)である。
【0066】なお、図3(a)に示す絶縁体2における
上記各部寸法は、例えば以下の通りである:L1=約6
0mm、L2=約10mm、L3=約14mm、D1=約
11mm、D2=約13mm、D3=約7.3mm、D4
=5.3mm、D5=4.3mm、D6=3.9mm、D
7=2.6mm、t1=3.3mm、t2=1.4mm、
t3=0.9mm、tA=1.15mm。
上記各部寸法は、例えば以下の通りである:L1=約6
0mm、L2=約10mm、L3=約14mm、D1=約
11mm、D2=約13mm、D3=約7.3mm、D4
=5.3mm、D5=4.3mm、D6=3.9mm、D
7=2.6mm、t1=3.3mm、t2=1.4mm、
t3=0.9mm、tA=1.15mm。
【0067】また、図3(b)に示す絶縁体2は、第一
軸部2g及び第二軸部2iがそれぞれ、図3(a)に示
すものと比較してやや大きい外径を有している。各部の
寸法は、例えば以下の通りである:L1=約60mm、
L2=約10mm、L3=約14mm、D1=約11m
m、D2=約13mm、D3=約9.2mm、D4=6.
9mm、D5=5.1mm、D6=3.9mm、D7=
2.7mm、t1=3.3mm、t2=2.1mm、t3
=1.2mm、tA=1.65mm。
軸部2g及び第二軸部2iがそれぞれ、図3(a)に示
すものと比較してやや大きい外径を有している。各部の
寸法は、例えば以下の通りである:L1=約60mm、
L2=約10mm、L3=約14mm、D1=約11m
m、D2=約13mm、D3=約9.2mm、D4=6.
9mm、D5=5.1mm、D6=3.9mm、D7=
2.7mm、t1=3.3mm、t2=2.1mm、t3
=1.2mm、tA=1.65mm。
【0068】次に、図2に示すように、絶縁体2の表
面、具体的には本体部2bの外周面に釉薬層2dが形成
されている。釉薬層2dの形成厚さは7〜150μm、
望ましくは10〜50μmとされる。なお、図1に示す
ように、本体部2bに形成された釉薬層2dは、その軸
方向前方側が主体金具1の内側に所定長入り込む形で形
成される一方、後方側は本体部2bの後端縁位置まで延
びている。
面、具体的には本体部2bの外周面に釉薬層2dが形成
されている。釉薬層2dの形成厚さは7〜150μm、
望ましくは10〜50μmとされる。なお、図1に示す
ように、本体部2bに形成された釉薬層2dは、その軸
方向前方側が主体金具1の内側に所定長入り込む形で形
成される一方、後方側は本体部2bの後端縁位置まで延
びている。
【0069】次に、釉薬層2dは、課題を解決するため
の手段及び作用・効果の欄にて説明した組成を有するも
のである。各成分の組成範囲の臨界的意味については、
既に詳細に説明済みであるからここでは繰り返さない。
また、絶縁体本体部2bの基端部(主体金具1から後方
に突出している部分の円筒状の外周面を呈する部分)外
周面における釉薬層2dの厚さ(平均値)は7〜50μ
mである。
の手段及び作用・効果の欄にて説明した組成を有するも
のである。各成分の組成範囲の臨界的意味については、
既に詳細に説明済みであるからここでは繰り返さない。
また、絶縁体本体部2bの基端部(主体金具1から後方
に突出している部分の円筒状の外周面を呈する部分)外
周面における釉薬層2dの厚さ(平均値)は7〜50μ
mである。
【0070】図1に戻り、接地電極4及び中心電極3の
本体部3aはNi合金等で構成されている。また、中心
電極3の本体部3aの内部には、放熱促進のためにCu
あるいはCu合金等で構成された芯材3bが埋設されて
いる。一方、上記発火部31及び対向する発火部32
は、Ir、Pt及びRhの1種又は2種以上を主成分と
する貴金属合金を主体に構成される。中心電極3の本体
部3aは先端側が縮径されるとともにその先端面が平坦
に構成され、ここに上記発火部を構成する合金組成から
なる円板状のチップを重ね合わせ、さらにその接合面外
縁部に沿ってレーザー溶接、電子ビーム溶接、抵抗溶接
等により溶接部を形成してこれを固着することにより発
火部31が形成される。また、対向する発火部32は、
発火部31に対応する位置において接地電極4にチップ
を位置合わせし、その接合面外縁部に沿って同様に溶接
部を形成してこれを固着することにより形成される。な
お、これらチップは、各合金成分を配合・溶解すること
により得られる溶解材、又は合金粉末あるいは所定比率
で配合された金属単体成分粉末を成形・焼結することに
より得られる焼結材により構成することができる。な
お、発火部31及び対向する発火部32は少なくとも一
方を省略する構成としてもよい。
本体部3aはNi合金等で構成されている。また、中心
電極3の本体部3aの内部には、放熱促進のためにCu
あるいはCu合金等で構成された芯材3bが埋設されて
いる。一方、上記発火部31及び対向する発火部32
は、Ir、Pt及びRhの1種又は2種以上を主成分と
する貴金属合金を主体に構成される。中心電極3の本体
部3aは先端側が縮径されるとともにその先端面が平坦
に構成され、ここに上記発火部を構成する合金組成から
なる円板状のチップを重ね合わせ、さらにその接合面外
縁部に沿ってレーザー溶接、電子ビーム溶接、抵抗溶接
等により溶接部を形成してこれを固着することにより発
火部31が形成される。また、対向する発火部32は、
発火部31に対応する位置において接地電極4にチップ
を位置合わせし、その接合面外縁部に沿って同様に溶接
部を形成してこれを固着することにより形成される。な
お、これらチップは、各合金成分を配合・溶解すること
により得られる溶解材、又は合金粉末あるいは所定比率
で配合された金属単体成分粉末を成形・焼結することに
より得られる焼結材により構成することができる。な
お、発火部31及び対向する発火部32は少なくとも一
方を省略する構成としてもよい。
【0071】上記スパークプラグ100は、例えば下記
のような方法で製造される。まず、絶縁体2であるが、
これは原料粉末として、アルミナ粉末と、Si成分、C
a成分、Mg成分、Ba成分及びB成分の各成分源粉末
を、焼成後に酸化物換算にて前述の組成となる所定の比
率で配合し、所定量の結合剤(例えばPVA)と水とを
添加・混合して成形用素地スラリーを作る。なお、各成
分源粉末は、例えばSi成分はSiO2粉末、Ca成分
はCaCO3粉末、Mg成分はMgO粉末、Ba成分が
BaCO3あるいはBaSO4、B成分がH3BO3粉
末の形で配合できる。なお、H3BO3は溶液の形で配
合してもよい。
のような方法で製造される。まず、絶縁体2であるが、
これは原料粉末として、アルミナ粉末と、Si成分、C
a成分、Mg成分、Ba成分及びB成分の各成分源粉末
を、焼成後に酸化物換算にて前述の組成となる所定の比
率で配合し、所定量の結合剤(例えばPVA)と水とを
添加・混合して成形用素地スラリーを作る。なお、各成
分源粉末は、例えばSi成分はSiO2粉末、Ca成分
はCaCO3粉末、Mg成分はMgO粉末、Ba成分が
BaCO3あるいはBaSO4、B成分がH3BO3粉
末の形で配合できる。なお、H3BO3は溶液の形で配
合してもよい。
【0072】成形用素地スラリーは、スプレードライ法
等により噴霧乾燥されて成形用素地造粒物とされる。そ
して、成形用素地造粒物をラバープレス成形することに
より、絶縁体の原形となるプレス成形体を作る。成形体
は、さらに外面側をグラインダ切削等により加工して、
図1の絶縁体2に対応した外形形状に仕上げられ、次い
で温度1400〜1600℃で焼成されて絶縁体2とな
る。
等により噴霧乾燥されて成形用素地造粒物とされる。そ
して、成形用素地造粒物をラバープレス成形することに
より、絶縁体の原形となるプレス成形体を作る。成形体
は、さらに外面側をグラインダ切削等により加工して、
図1の絶縁体2に対応した外形形状に仕上げられ、次い
で温度1400〜1600℃で焼成されて絶縁体2とな
る。
【0073】他方、釉薬スラリーの調製を以下のように
して行なう。まず、Si、B、Zn、Ba、アルカリ金
属成分(Na、K、Li)、流動改善成分等の各成分源
となる成分源粉末を、所定の組成が得られるように配合
して混合する。また、F成分はたとえばフッ化珪素高分
子あるいはフッ化グラファイトの形で添加する。次い
で、その混合物を1000〜1500℃に加熱して溶融
させ、その溶融物を水中に投じて急冷・ガラス化し、さ
らに粉砕することにより釉薬粉末を作る。そして、この
釉薬粉末にカオリン、蛙目粘土等の粘土鉱物と有機バイ
ンダとを適量配合し、さらに水を加えて混合することに
より釉薬スラリーを得る。
して行なう。まず、Si、B、Zn、Ba、アルカリ金
属成分(Na、K、Li)、流動改善成分等の各成分源
となる成分源粉末を、所定の組成が得られるように配合
して混合する。また、F成分はたとえばフッ化珪素高分
子あるいはフッ化グラファイトの形で添加する。次い
で、その混合物を1000〜1500℃に加熱して溶融
させ、その溶融物を水中に投じて急冷・ガラス化し、さ
らに粉砕することにより釉薬粉末を作る。そして、この
釉薬粉末にカオリン、蛙目粘土等の粘土鉱物と有機バイ
ンダとを適量配合し、さらに水を加えて混合することに
より釉薬スラリーを得る。
【0074】そして、この釉薬スラリーを噴霧ノズルか
ら絶縁体の必要な表面に噴霧・塗布することにより、釉
薬粉末堆積層としての釉薬スラリー塗布層を形成し、こ
れを乾燥する。
ら絶縁体の必要な表面に噴霧・塗布することにより、釉
薬粉末堆積層としての釉薬スラリー塗布層を形成し、こ
れを乾燥する。
【0075】次に、この釉薬スラリー塗布層を形成した
絶縁体2への、中心電極3と端子金具13との組付け、
及び抵抗体15と導電性ガラスシール層16,17との
形成工程の概略は以下の通りである。まず、絶縁体2の
貫通孔6に対し、その第一部分6aに中心電極3を挿入
した後、導電性ガラス粉末を充填する。そして、貫通孔
6内に押さえ棒を挿入して充填した粉末を予備圧縮し、
第一の導電性ガラス粉末層を形成する。次いで抵抗体組
成物の原料粉末を充填して同様に予備圧縮し、さらに導
電性ガラス粉末を充填して予備圧縮を行なうことによ
り、中心電極3側(下側)から貫通孔6内には、第一の
導電性ガラス粉末層、抵抗体組成物粉末層及び第二の導
電性ガラス粉末層が積層された状態となる。
絶縁体2への、中心電極3と端子金具13との組付け、
及び抵抗体15と導電性ガラスシール層16,17との
形成工程の概略は以下の通りである。まず、絶縁体2の
貫通孔6に対し、その第一部分6aに中心電極3を挿入
した後、導電性ガラス粉末を充填する。そして、貫通孔
6内に押さえ棒を挿入して充填した粉末を予備圧縮し、
第一の導電性ガラス粉末層を形成する。次いで抵抗体組
成物の原料粉末を充填して同様に予備圧縮し、さらに導
電性ガラス粉末を充填して予備圧縮を行なうことによ
り、中心電極3側(下側)から貫通孔6内には、第一の
導電性ガラス粉末層、抵抗体組成物粉末層及び第二の導
電性ガラス粉末層が積層された状態となる。
【0076】そして、貫通孔に端子金具を上方から配置
した組立体を形成する。この状態で加熱炉に挿入してガ
ラス屈伏点以上である800〜950℃の所定温度に加
熱し、その後、端子金具13を貫通孔6内へ中心電極3
と反対側から軸方向に圧入して積層状態の各層を軸方向
にプレスする。これにより、各層は圧縮・焼結されてそ
れぞれ図1に示す導電性ガラスシール層16、抵抗体1
5及び導電性ガラスシール層17となる(以上、ガラス
シール工程)。
した組立体を形成する。この状態で加熱炉に挿入してガ
ラス屈伏点以上である800〜950℃の所定温度に加
熱し、その後、端子金具13を貫通孔6内へ中心電極3
と反対側から軸方向に圧入して積層状態の各層を軸方向
にプレスする。これにより、各層は圧縮・焼結されてそ
れぞれ図1に示す導電性ガラスシール層16、抵抗体1
5及び導電性ガラスシール層17となる(以上、ガラス
シール工程)。
【0077】ここで、釉薬スラリー塗布層に含まれる釉
薬粉末の屈伏点を600〜700℃としておけば、釉薬
スラリー塗布層を、上記ガラスシール工程における加熱
により同時に釉焼して釉薬層2dとすることができる。
また、ガラスシール工程の加熱温度として800〜95
0℃の比較的低い温度を採用することで、中心電極3や
端子金具13の表面への酸化も生じにくくなる。
薬粉末の屈伏点を600〜700℃としておけば、釉薬
スラリー塗布層を、上記ガラスシール工程における加熱
により同時に釉焼して釉薬層2dとすることができる。
また、ガラスシール工程の加熱温度として800〜95
0℃の比較的低い温度を採用することで、中心電極3や
端子金具13の表面への酸化も生じにくくなる。
【0078】なお、加熱炉(釉焼炉も兼ねる)としてバ
ーナー式のガス炉を用いると、加熱雰囲気には燃焼生成
物である水蒸気が比較的多く含まれる。このとき、釉薬
組成としてB成分の含有量を40mol%以下に留めた
ものを使用することにより、そのような水蒸気が多く存
在する雰囲気下においても、釉焼時の流動性が確保でき
て、しかも平滑で均質であり、かつ絶縁性も良好な釉薬
層形成が可能となる。なお、釉焼工程をガラスシール工
程に先立って予め行っておくことも可能である。
ーナー式のガス炉を用いると、加熱雰囲気には燃焼生成
物である水蒸気が比較的多く含まれる。このとき、釉薬
組成としてB成分の含有量を40mol%以下に留めた
ものを使用することにより、そのような水蒸気が多く存
在する雰囲気下においても、釉焼時の流動性が確保でき
て、しかも平滑で均質であり、かつ絶縁性も良好な釉薬
層形成が可能となる。なお、釉焼工程をガラスシール工
程に先立って予め行っておくことも可能である。
【0079】こうしてガラスシール工程が完了した組立
体には、主体金具1や接地電極4等が組み付けられて、
図1に示すスパークプラグ100が完成する。スパーク
プラグ100は、そのねじ部7においてエンジンブロッ
クに取り付けられ、燃焼室に供給される混合気への着火
源として使用される。ここで、スパークプラグ100へ
の高圧ケーブルあるいはイグニッションコイルの装着
は、図1に仮想線で示すように、絶縁体2の本体部2b
の外周面を覆うゴムキャップ(例えばシリコンゴム等で
構成される)RCを用いて行われる。このゴムキャップ
RCの孔径は、本体部2bの外径D1(図3)よりも
0.5〜1.0mm程度小さいものが使用される。本体
部2bは孔を弾性的に拡径しつつその基端部まで覆われ
るようにこれに押し込まれる。その結果、ゴムキャップ
RCは、孔内面において本体部2bの基端部外周面に密
着し、フラッシュオーバ等を防止するための絶縁被覆と
して機能する。
体には、主体金具1や接地電極4等が組み付けられて、
図1に示すスパークプラグ100が完成する。スパーク
プラグ100は、そのねじ部7においてエンジンブロッ
クに取り付けられ、燃焼室に供給される混合気への着火
源として使用される。ここで、スパークプラグ100へ
の高圧ケーブルあるいはイグニッションコイルの装着
は、図1に仮想線で示すように、絶縁体2の本体部2b
の外周面を覆うゴムキャップ(例えばシリコンゴム等で
構成される)RCを用いて行われる。このゴムキャップ
RCの孔径は、本体部2bの外径D1(図3)よりも
0.5〜1.0mm程度小さいものが使用される。本体
部2bは孔を弾性的に拡径しつつその基端部まで覆われ
るようにこれに押し込まれる。その結果、ゴムキャップ
RCは、孔内面において本体部2bの基端部外周面に密
着し、フラッシュオーバ等を防止するための絶縁被覆と
して機能する。
【0080】なお、本発明のスパークプラグは図1に示
すタイプのものに限らず、例えば接地電極の先端を中心
電極の側面と対向させてそれらの間に火花ギャップを形
成したものであってもよい。また、スパークプラグを、
絶縁体の先端部を中心電極の側面と接地電極の先端面と
の間に進入させたセミ沿面放電型スパークプラグとして
構成してもよい。
すタイプのものに限らず、例えば接地電極の先端を中心
電極の側面と対向させてそれらの間に火花ギャップを形
成したものであってもよい。また、スパークプラグを、
絶縁体の先端部を中心電極の側面と接地電極の先端面と
の間に進入させたセミ沿面放電型スパークプラグとして
構成してもよい。
【0081】
【実験例】本発明の効果を確認するために、以下の実験
を行なった。 (実験例1)絶縁体2を次のようにして作製した。ま
ず、原料粉末として、アルミナ粉末(アルミナ95mo
l%、Na含有量(Na2O換算値)0.1mol%、
平均粒径3.0μm)に対し、SiO2(純度99.5
%、平均粒径1.5μm)、CaCO3(純度99.9
%、平均粒径2.0μm)、MgO(純度99.5%、
平均粒径2μm)、BaCO3(純度99.5%、平均
粒径1.5μm)、H3BO3(純度99.0%、平均
粒径1.5μm)、ZnO(純度99.5%、平均粒径
2.0μm)を所定比率にて配合するとともに、この配
合した粉末総量を100質量部として、親水性バインダ
としてのPVAを3質量部と、水103質量部とを加え
て湿式混合することにより、成形用素地スラリーを作製
した。
を行なった。 (実験例1)絶縁体2を次のようにして作製した。ま
ず、原料粉末として、アルミナ粉末(アルミナ95mo
l%、Na含有量(Na2O換算値)0.1mol%、
平均粒径3.0μm)に対し、SiO2(純度99.5
%、平均粒径1.5μm)、CaCO3(純度99.9
%、平均粒径2.0μm)、MgO(純度99.5%、
平均粒径2μm)、BaCO3(純度99.5%、平均
粒径1.5μm)、H3BO3(純度99.0%、平均
粒径1.5μm)、ZnO(純度99.5%、平均粒径
2.0μm)を所定比率にて配合するとともに、この配
合した粉末総量を100質量部として、親水性バインダ
としてのPVAを3質量部と、水103質量部とを加え
て湿式混合することにより、成形用素地スラリーを作製
した。
【0082】次いで、これら組成の異なるスラリーをそ
れぞれスプレードライ法により乾燥して、球状の成形用
素地造粒物を調製した。なお、造粒物は、ふるいにより
粒径50〜100μmに整粒している。そして、この造
粒物を、公知のラバープレス法により圧力50MPaに
て成形し、その成形体の外周面にグラインダ研削を施し
て所定の絶縁体形状に加工するとともに、温度1550
℃で焼成することにより絶縁体2を得た。なお、蛍光X
線分析により、絶縁体2は下記の組成を有していること
がわかった: Al成分:Al2O3換算値で94.9mol%; Si成分:SiO2換算値で2.4mol%; Ca成分:CaO換算値で1.9mol%; Mg成分:MgOに換算値で0.1mol%; Ba成分:BaOに換算値で0.4mol%; B成分:B2O3換算値で0.3mol%。
れぞれスプレードライ法により乾燥して、球状の成形用
素地造粒物を調製した。なお、造粒物は、ふるいにより
粒径50〜100μmに整粒している。そして、この造
粒物を、公知のラバープレス法により圧力50MPaに
て成形し、その成形体の外周面にグラインダ研削を施し
て所定の絶縁体形状に加工するとともに、温度1550
℃で焼成することにより絶縁体2を得た。なお、蛍光X
線分析により、絶縁体2は下記の組成を有していること
がわかった: Al成分:Al2O3換算値で94.9mol%; Si成分:SiO2換算値で2.4mol%; Ca成分:CaO換算値で1.9mol%; Mg成分:MgOに換算値で0.1mol%; Ba成分:BaOに換算値で0.4mol%; B成分:B2O3換算値で0.3mol%。
【0083】また、図3(a)を援用して示す絶縁体2
の各部寸法は以下の通りである:L1=約60mm、L2
=約8mm、L3=約14mm、D1=約10mm、D2
=約13mm、D3=約7mm、D4=5.5mm、D5
=4.5mm、D6=4mm、D7=2.6mm、t1=
1.5mm、t2=1.45mm、t3=1.25mm、
tA=1.35mm。さらに、図1を援用して示すと、
絶縁体2の主体金具1の後方側に突出している部分2k
の長さLQは25mmである。
の各部寸法は以下の通りである:L1=約60mm、L2
=約8mm、L3=約14mm、D1=約10mm、D2
=約13mm、D3=約7mm、D4=5.5mm、D5
=4.5mm、D6=4mm、D7=2.6mm、t1=
1.5mm、t2=1.45mm、t3=1.25mm、
tA=1.35mm。さらに、図1を援用して示すと、
絶縁体2の主体金具1の後方側に突出している部分2k
の長さLQは25mmである。
【0084】次に、釉薬スラリーを次のようにして調製
した。まず、原料としてSiO2(純度99.5%)、
Al2O3粉末(純度99.5%)、H3BO3粉末
(純度98.5%)、Na2CO3粉末(純度99.5
%)、K2CO3粉末(純度99%)、Li2CO3粉
末(純度99%)、BaSO4粉末(純度99.5
%)、SrCO3粉末(純度99%)、ZnO粉末(純
度99.5%)、MoО3粉末(純度99%)、Fe2
O3粉末(純度99%)、WО3粉末(純度99%)、
Ni3O4粉末(純度99%)、Co3O4粉末(純度
99%)、MnO2粉末(純度99%)、CaO粉末
(純度99.5%)、ZrO2粉末(純度99.5
%)、TiO2粉末(純度99.5%)、MgO粉末
(純度99.5%)、La2O3粉末(純度99%)、
Y2O3粉末(純度99.5%)、Sc2O3粉末(純
度99%)、CeO2粉末(純度99%)、Pr7O
11粉末(純度99%)、Nd2O3粉末(純度99
%)、Sm2O3粉末(純度99%)、Eu2O3粉末
(純度99%)、Gd2O3粉末(純度99%)、Tb
2O3粉末(純度99%)、Dy2O3粉末(純度99
%)、Ho2O3粉末(純度99%)、Er2O3粉末
(純度99%)、Tm2O3粉末(純度99%)、Yb
2O3粉末(純度99%)、Lu2O3粉末(純度99
%)、Bi2O3粉末(純度99%)、SnO2粉末
(純度99.5%)、P2O5粉末(純度99%)、S
b2O5粉末(純度99%)、CuO粉末(純度99
%)、Cr2O3粉末(純度99.5%)、CaF2粉
末(純度98%)、LiF粉末(純度98%)を各種比
率で配合し、その混合物を1000〜1500℃に加熱
して溶融させ、その溶融物を水中に投じて急冷・ガラス
化し、さらにアルミナ製ポットミルにより粒径50μm
以下に粉砕することにより釉薬粉末を作製した。そし
て、この釉薬粉末100質量部に対し粘土鉱物としての
ニュージーランドカオリンを3質量部、及び有機バイン
ダとしてのPVAを2質量部配合し、さらに水を100
質量部加えて混合することにより釉薬スラリーを得た。
なお、F2は、基本的にはCaF2にて添加している
が、CaのすべてをCaF2にて添加してなお設定組成
値に満たない場合は、LiFの添加により補っている。
した。まず、原料としてSiO2(純度99.5%)、
Al2O3粉末(純度99.5%)、H3BO3粉末
(純度98.5%)、Na2CO3粉末(純度99.5
%)、K2CO3粉末(純度99%)、Li2CO3粉
末(純度99%)、BaSO4粉末(純度99.5
%)、SrCO3粉末(純度99%)、ZnO粉末(純
度99.5%)、MoО3粉末(純度99%)、Fe2
O3粉末(純度99%)、WО3粉末(純度99%)、
Ni3O4粉末(純度99%)、Co3O4粉末(純度
99%)、MnO2粉末(純度99%)、CaO粉末
(純度99.5%)、ZrO2粉末(純度99.5
%)、TiO2粉末(純度99.5%)、MgO粉末
(純度99.5%)、La2O3粉末(純度99%)、
Y2O3粉末(純度99.5%)、Sc2O3粉末(純
度99%)、CeO2粉末(純度99%)、Pr7O
11粉末(純度99%)、Nd2O3粉末(純度99
%)、Sm2O3粉末(純度99%)、Eu2O3粉末
(純度99%)、Gd2O3粉末(純度99%)、Tb
2O3粉末(純度99%)、Dy2O3粉末(純度99
%)、Ho2O3粉末(純度99%)、Er2O3粉末
(純度99%)、Tm2O3粉末(純度99%)、Yb
2O3粉末(純度99%)、Lu2O3粉末(純度99
%)、Bi2O3粉末(純度99%)、SnO2粉末
(純度99.5%)、P2O5粉末(純度99%)、S
b2O5粉末(純度99%)、CuO粉末(純度99
%)、Cr2O3粉末(純度99.5%)、CaF2粉
末(純度98%)、LiF粉末(純度98%)を各種比
率で配合し、その混合物を1000〜1500℃に加熱
して溶融させ、その溶融物を水中に投じて急冷・ガラス
化し、さらにアルミナ製ポットミルにより粒径50μm
以下に粉砕することにより釉薬粉末を作製した。そし
て、この釉薬粉末100質量部に対し粘土鉱物としての
ニュージーランドカオリンを3質量部、及び有機バイン
ダとしてのPVAを2質量部配合し、さらに水を100
質量部加えて混合することにより釉薬スラリーを得た。
なお、F2は、基本的にはCaF2にて添加している
が、CaのすべてをCaF2にて添加してなお設定組成
値に満たない場合は、LiFの添加により補っている。
【0085】この釉薬スラリーを、噴霧ノズルより絶縁
体2の表面に噴霧後、乾燥して釉薬スラリー塗布層を形
成した。なお、乾燥後の釉薬の塗布厚さは100μm程
度である。この絶縁体2を用いて既に説明した方法によ
り、図1に示すスパークプラグ100を各種作成した。
ただし、ねじ部7の外径は14mmとした。また、抵抗
体15の原料粉末としてはB2O3−SiO2−BaO
−Li2O系ガラス、ZrO2粉末、カーボンブラック
粉末、TiO2粉末、金属Al粉末を、導電性ガラスシ
ール層16,17の原料粉末としてはB2O3−SiO
2−Na2O系ガラス、Cu粉末、Fe粉末、Fe−B
粉末をそれぞれ用い、ガラスシール時の加熱温度、すな
わち釉焼温度は900℃にて行った。
体2の表面に噴霧後、乾燥して釉薬スラリー塗布層を形
成した。なお、乾燥後の釉薬の塗布厚さは100μm程
度である。この絶縁体2を用いて既に説明した方法によ
り、図1に示すスパークプラグ100を各種作成した。
ただし、ねじ部7の外径は14mmとした。また、抵抗
体15の原料粉末としてはB2O3−SiO2−BaO
−Li2O系ガラス、ZrO2粉末、カーボンブラック
粉末、TiO2粉末、金属Al粉末を、導電性ガラスシ
ール層16,17の原料粉末としてはB2O3−SiO
2−Na2O系ガラス、Cu粉末、Fe粉末、Fe−B
粉末をそれぞれ用い、ガラスシール時の加熱温度、すな
わち釉焼温度は900℃にて行った。
【0086】他方、粉砕せずに塊状に凝固させた釉薬試
料も作製した。なお、この塊状の釉薬試料は、X線回折
によりガラス化(非晶質化)したものであることを確認
した。これを用いて下記の実験を行った。 化学組成分析:蛍光X線分析による。各試料の分析値
(酸化物換算した値による)を表1〜表6に示してい
る。なお、絶縁体2の表面に形成された釉薬層2dの各
組成をEPMA法により測定したが、該塊状試料を用い
て測定した分析値とほぼ一致していることが確認でき
た。 熱膨張係数:塊状試料から寸法5mm×5mm×10
mmの測定試料を切り出し、公知のディラトメータ法に
より20℃から350℃までの平均値として測定してい
る。また、絶縁体2からも上記寸法の測定試料を切り出
し、同様の測定を行ったところ、その値は73×10
−7/℃であった。 屈伏点:粉末試料50mgを加熱しながら示差熱分析
を行い、室温より測定開始し、第2番目の吸熱ピークと
なった温度を屈伏点として測定した。
料も作製した。なお、この塊状の釉薬試料は、X線回折
によりガラス化(非晶質化)したものであることを確認
した。これを用いて下記の実験を行った。 化学組成分析:蛍光X線分析による。各試料の分析値
(酸化物換算した値による)を表1〜表6に示してい
る。なお、絶縁体2の表面に形成された釉薬層2dの各
組成をEPMA法により測定したが、該塊状試料を用い
て測定した分析値とほぼ一致していることが確認でき
た。 熱膨張係数:塊状試料から寸法5mm×5mm×10
mmの測定試料を切り出し、公知のディラトメータ法に
より20℃から350℃までの平均値として測定してい
る。また、絶縁体2からも上記寸法の測定試料を切り出
し、同様の測定を行ったところ、その値は73×10
−7/℃であった。 屈伏点:粉末試料50mgを加熱しながら示差熱分析
を行い、室温より測定開始し、第2番目の吸熱ピークと
なった温度を屈伏点として測定した。
【0087】
【表1】
【0088】
【表2】
【0089】
【表3】
【0090】
【表4】
【0091】
【表5】
【0092】
【表6】
【0093】また、各スパークプラグについては、50
0℃での絶縁抵抗測定を、既に説明した方法により通電
電圧1000Vにて行った。また、絶縁体2に対する釉
薬層2dの形成状態(外観)を目視にて観察するととも
に、絶縁体の基端部外周面位置における釉薬層の膜厚を
断面のSEM観察により測定した。なお、釉薬層の外観
判定は、光沢及び透明度ともに異常のないものを優良
(○)、許容範囲内ではあるがわずかにちぢれや失透等
が認められたものを良好(△)とし、明らかな異常が認
められたものは、欄内にその異常の種別を具体的に示し
ている。以上の結果を表7〜表11に示す。
0℃での絶縁抵抗測定を、既に説明した方法により通電
電圧1000Vにて行った。また、絶縁体2に対する釉
薬層2dの形成状態(外観)を目視にて観察するととも
に、絶縁体の基端部外周面位置における釉薬層の膜厚を
断面のSEM観察により測定した。なお、釉薬層の外観
判定は、光沢及び透明度ともに異常のないものを優良
(○)、許容範囲内ではあるがわずかにちぢれや失透等
が認められたものを良好(△)とし、明らかな異常が認
められたものは、欄内にその異常の種別を具体的に示し
ている。以上の結果を表7〜表11に示す。
【0094】
【表7】
【0095】
【表8】
【0096】
【表9】
【0097】
【表10】
【0098】
【表11】
【0099】この結果によると、前記した本発明に係る
釉薬組成を選択することにより、Pbをほとんど含有し
ないにもかかわらず、比較的低温で釉焼可能であり、ま
た、十分な絶縁性能が確保されていることがわかる。ま
た、釉焼面の外観もおおむね良好である。
釉薬組成を選択することにより、Pbをほとんど含有し
ないにもかかわらず、比較的低温で釉焼可能であり、ま
た、十分な絶縁性能が確保されていることがわかる。ま
た、釉焼面の外観もおおむね良好である。
【図1】本発明のスパークプラグの一例を示す全体正面
断面図。
断面図。
【図2】絶縁体の外観を釉薬層とともに示す正面図。
【図3】絶縁体のいくつかの実施例を示す縦断面図。
1 主体金具
2 絶縁体
2d 釉薬層
3 中心電極
4 接地電極
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考)
H01T 13/38 H01T 13/38
Fターム(参考) 4G062 AA08 BB05 BB20 CC10 DA05
DA06 DB02 DB03 DC04 DC05
DD01 DD02 DD03 DE02 DE03
DE04 DF01 DF02 EA01 EA02
EA03 EA04 EB02 EB03 EB04
EC02 EC03 EC04 ED01 ED02
ED03 EE01 EE02 EE03 EF01
EF02 EF03 EF04 EG01 EG02
EG03 EG04 FA01 FA10 FB01
FB02 FB03 FC01 FC02 FC03
FD01 FE01 FE02 FE03 FF01
FG01 FH01 FJ01 FJ02 FJ03
FK01 FK02 FK03 FL01 FL02
FL03 GA01 GA02 GA03 GA10
GB01 GC01 GD01 GE02 GE03
HH01 HH03 HH04 HH05 HH07
HH08 HH09 HH11 HH12 HH13
HH15 HH17 HH18 HH20 JJ01
JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01
KK02 KK03 KK04 KK05 KK06
KK07 KK08 KK10 MM05 NN40
5G059 AA05 CC02 DD15 FF02 FF06
FF12
Claims (11)
- 【請求項1】 中心電極と主体金具との間にアルミナ系
セラミックからなる絶縁体を配したスパークプラグにお
いて、その絶縁体の表面の少なくとも一部を覆う形態で
酸化物主体の釉薬層が形成され、該釉薬層が、 Pb成分の含有量がPbO換算にて1mol%以下とさ
れ、 Si成分をSiO2に酸化物換算した値にて30〜60
mol%、B成分をB 2O3に酸化物換算した値にて2
0〜50mol%、Zn成分をZnOに酸化物換算した
値にて0.5〜25mol%、Ba及び/又はSr成分
を、BaOないしSrOに酸化物換算した値にて合計で
0.5〜15mol%含有するとともに、 アルカリ金属成分として、NaはNa2O、KはK
2O、LiはLi2Oに酸化物換算した値にて、K及び
Liを必須とする2種以上を合計で2〜12mol%の
範囲にて含有し、 さらに、FをF2に換算した値にて0.1〜10mol
%含有することを特徴とするスパークプラグ。 - 【請求項2】 中心電極と主体金具との間にアルミナ系
セラミックからなる絶縁体を配したスパークプラグにお
いて、その絶縁体の表面の少なくとも一部を覆う形態で
酸化物主体の釉薬層が形成され、該釉薬層が、 Pb成分の含有量がPbO換算にて1mol%以下とさ
れ、 Si成分をSiO2に酸化物換算した値にて30〜60
mol%、B成分をB 2O3に酸化物換算した値にて2
0〜40mol%、Zn成分をZnOに酸化物換算した
値にて0.5〜25mol%、Ba及び/又はSr成分
を、BaOないしSrOに酸化物換算した値にて合計で
0.5〜15mol%含有するとともに、 アルカリ金属成分として、NaはNa2O、KはK
2O、LiはLi2Oに酸化物換算した値にて、それら
の1種又は2種以上を合計で2〜12mol%の範囲に
て含有し、 FをF2に換算した値にて0.1〜10mol%含有
し、 さらに、Bi、Sb及び希土類元素RE(ただし、S
c、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、
Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuからなる
群より選ばれるもの)から選ばれる1種又は2種以上
を、BiはBi2O 3に、SbはSb2O5に、RE
は、CeはCeO2、PrはPr7O11、他はRE2
O3にそれぞれ酸化物換算した値にて合計で0.1〜5
mol%含有することを特徴とするスパークプラグ。 - 【請求項3】 前記釉薬層は、Zn成分と、Ba成分及
び/又はSr成分とは、Zn成分はZnO、Ba成分は
BaO、Sr成分はSrOにそれぞれ酸化物換算した値
にて、合計で7〜25mol%とされている請求項1又
は2に記載のスパークプラグ。 - 【請求項4】 前記釉薬層は、アルカリ金属成分の前記
酸化物換算した合計mol含有率をNR(mol%)と
し、F成分のF2換算したmol含有率をNFとして、
NF/NRが0.07〜1.5の範囲にて調整されている
請求項1ないし3のいずれか1項に記載のスパークプラ
グ。 - 【請求項5】 前記釉薬層は、Mo、W、Ni、Co、
Fe及びMnの1種又は2種以上の成分を、MoはMo
O3、WはWO3、NiはNi3О4、CoはCo3О
4、FeはFe2О3、MnはMnО2にそれぞれ酸化
物換算した値にて合計で0.5〜5mol%の範囲にて
含有する請求項1ないし4のいずれか1項に記載のスパ
ークプラグ。 - 【請求項6】 前記釉薬層は、Zr、Ti及びHfの1
種又は2種以上の成分を、ZrはZrO2に、TiはT
iO2に、HfはHfO2にそれぞれ酸化物換算した値
にて合計で0.5〜5mol%の範囲で含有する請求項
1ないし5のいずれか1項に記載のスパークプラグ。 - 【請求項7】 前記釉薬層は、Al2O3に酸化物換算
した値にて0.5〜5mol%のAl成分、CaОに酸
化物換算した値にて0.5〜10mol%のCa成分、
及びMgOに酸化物換算した値にて0.5〜10mol
%のMg成分の1種又は2種以上を合計で0.5〜15
mol%含有する請求項1ないし6のいずれか1項に記
載のスパークプラグ。 - 【請求項8】 前記釉薬層は、Sn、P、Cu及びCr
の1種又は2種以上の成分を、SnはSnO2に、Pは
P2O5に、CuはCuOに、CrはCr2O3にそれ
ぞれ酸化物換算した値にて合計で0.5〜5mol%の
範囲で含有する請求項1ないし7のいずれか1項に記載
のスパークプラグ。 - 【請求項9】 前記スパークプラグは、前記絶縁体の貫
通孔内において、前記中心電極と一体に、又は導電性結
合層を間に挟んで前記中心電極と別体に設けられた軸状
の端子金具部を備え、 かつ該スパークプラグ全体を約500℃に保持し、前記
絶縁体を介して前記端子金具部と前記主体金具との間で
通電することにより測定される絶縁抵抗値が400MΩ
以上である請求項1ないし8のいずれか1項に記載のス
パークプラグ。 - 【請求項10】 前記絶縁体は、Al成分をAl2O3
に酸化物換算した重量にて85〜98mol%含有する
アルミナ系絶縁材料で構成されており、 前記釉薬は、20〜350℃の温度範囲における前記釉
薬の平均の熱膨張係数が、5×10−6/℃〜8.5×
10−6/℃である請求項1ないし9のいずれか1項に
記載のスパークプラグ。 - 【請求項11】 前記釉薬層の屈伏点が520〜620
℃である請求項1ないし10のいずれか1項に記載のス
パークプラグ。
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