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JP2003007450A - 発光素子、表示装置及び照明装置 - Google Patents

発光素子、表示装置及び照明装置

Info

Publication number
JP2003007450A
JP2003007450A JP2001186144A JP2001186144A JP2003007450A JP 2003007450 A JP2003007450 A JP 2003007450A JP 2001186144 A JP2001186144 A JP 2001186144A JP 2001186144 A JP2001186144 A JP 2001186144A JP 2003007450 A JP2003007450 A JP 2003007450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
layer
electrode
organic
transparent electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001186144A
Other languages
English (en)
Inventor
Naomi Kaneko
尚美 金子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001186144A priority Critical patent/JP2003007450A/ja
Publication of JP2003007450A publication Critical patent/JP2003007450A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機ＥＬ素子の発熱による、発光効率が低下
や表示領域の輝度ムラを改善し、有機ＥＬ素子及びそれ
を用いた表示装置、照明装置の表示品位及び信頼性を向
上する。 【解決手段】 基板上に少なくとも第１の電極、有機
材料を含む発光領域、第２の電極が順に形成され、前記
基板と前記第１の電極の間に絶縁性の放熱層を有し、前
記放熱層の熱伝導率が５０Ｗ／ｍＫ以上である発光素
子。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極間に正
孔輸送層、発光層、電子注入層からなる有機材料を含む
発光領域を備え、両電極から発光層にキャリアを注入す
ることによって発光層を発光させる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子を利用した平面ディスプレ
イや、平面光源は、次世代のディスプレイ材料として研
究、開発が盛んに行われている。
【０００３】有機ＥＬ素子は、例えば、図１２に示すよ
うに、ガラス基板１０上に陽極を構成する透明導電材料
（ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＩｎＯ3、ＺｎＯ）が用いられた透
明電極１２が形成され、この透明電極１２上に有機材料
を含む有機材料を含む発光領域１８（正孔輸送層１４、
発光層１６、電子輸送層１７）、発光領域１８上に、陰
極を構成するＭｇＡｇ，Ｃａ，Ａｌ、ＭｇＩｎなどから
なる金属電極５０が形成されている。そして、透明電極
１２から発光層１６に注入された正孔と、金属電極５０
から発光層に注入される電子とが、発光層１６で再結合
することにより発光する。図１２に示すように、発光層
１６で発光した光は、透明電極を通過し、ガラス基板１
０を通じて外部に出る。また、不透明な金属電極５０側
へ進んだ光は、透明電極５０で反射され、これよりガラ
ス基板側へ進んでガラス基板を通って外部へ出る。しか
し、このようなＥＬ素子内で発生した発光光がガラス基
板１０を通して外部へ射出される場合は、射出割合は約
２０％程度であり、残りの８０％近くは、発光層１８や
ガラス基板１０を導波して金属面で吸収されたり基板の
端から放出されてしまう。
【０００４】素子内で発生した発光を効率良く素子外部
に取り出して発光効率を改善するために提案されたＥＬ
素子の構成が図１３に示すものである。
【０００５】図１３に示すように、ガラス基板１０上に
電極を構成する透明導電材料（ＩＴＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ
Ｏ3、ＺｎＯ等）、あるいはＭｇＡｇ，Ｃａ，Ａｌ、Ｍ
ｇＩｎなどからなる金属材料が用いられた電極１２が形
成され、この電極１２上に有機材料を含んだ発光領域１
８（正孔輸送層１４、発光層１６、電子輸送層１７）、
発光領域１８上に透明電極５１が形成されている。この
透明電極６０は、図１２に示すように不透明な金属材料
ではなく、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＩｎＯ3、ＺｎＯ、あるい
はこれらの酸化物の複合体からなる透明導電膜材料が用
いられている。
【０００６】透明電極５１に透明導電膜材料を用いるこ
とで、素子の上部電極となる陰極電極側から発光領域１
８で発生した発光を取り出すことが可能となる。図１３
に示すように、発光層１６で発光した光は、透明な陰極
電極５１を通過し、外部に出る。電極１２が不透明な金
属材料である場合は、陽極電極１２側へ進んだ光は陽極
電極１２で反射され、これより透明電極６０側へ進んで
透明電極６０を通って外部へ出る。また、電極が透明導
電膜材料からなる場合、例えばガラス上に反射層（散乱
層）（図示せず）と組み合わせることにより、発光層１
６で発光し陽極電極１２側へ進んだ光は陽極電極１２で
反射され、これより透明電極１３５１側へ進んで透明電
極６０を通って外部へ出ることになる。
【０００７】このような有機ＥＬ素子内で発生した発光
光は、ガラス基板１０を通して外部へ射出されないた
め、図１２の構成に比べて、外部への射出割合は増える
のである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図１２、図１３に示す
ような有機ＥＬ素子は、発光層が有機材料を含むため耐
熱温度が低い。
【０００９】そのため、有機ＥＬ素子の発熱（基板上に
形成駆動素子（図示せず）や電極の発熱も含む）によ
り、発光領域の劣化を加速し、発光効率が低下するとい
った問題がある。
【００１０】また、発光領域によって温度分布が生じ、
例えば、有機ＥＬ素子を用いたディスプレイの場合、表
示領域の輝度ムラが発生し、表示品位が悪化するといっ
た問題もある。
【００１１】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、有機ＥＬ素子から発生した熱を放熱、あ
るいは均一に分散させることにより、発光効率の低下、
及び輝度むらを低減し、有機ＥＬ素子及びそれを用いた
表示装置、照明装置の表示品位向上を実現することを目
的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発光素子
は、基板上に少なくとも第１の電極、有機材料を含む発
光領域、第２の電極が順に形成され、前記基板と前記第
１の電極の間に絶縁性の放熱層を有し、前記放熱層の熱
伝導率が５０Ｗ／ｍＫ以上である。
【００１３】好ましくは、第２の電極が透明又は半透明
であって、第２の電極側から光取り出しをする構造であ
る。
【００１４】また、好ましくは、基板と第１の電極の間
に、前記基板上に散乱層、絶縁性の放熱層が順に形成さ
れ、前記放熱層により散乱層表面が平坦化されているこ
とを特徴とする。
【００１５】また、好ましくは、放熱層の膜厚は、１５
ｎｍ以上であることを特徴とする。
【００１６】また、好ましくは、放熱層は、反射層を兼
ねることを特徴とする。
【００１７】また、好ましくは、放熱層は、多層膜であ
ることを特徴とする。
【００１８】また、本発明の第２の発光素子は、基板上
に少なくとも第１の電極、有機材料を含む発光領域、第
２の電極が順に形成され、前記基板と前記第２の電極上
に絶縁性の放熱層を有し、前記放熱層の熱伝導率が５０
Ｗ／ｍＫ以上である。
【００１９】好ましくは、第１又は第２の発光素子の放
熱層は、少なくともアルミニウム、マグネシウム、ケイ
素、炭素を含む化合物を有することを特徴とする。
【００２０】また、好ましくは、第１又は第２の発光素
子の放熱層は、少なくとも窒化アルミニウム、ダイヤモ
ンドライクカーボン、酸化マグネシウム、又は炭化ケイ
素を含むことを特徴とする。
【００２１】また、本発明の表示装置は、上記の発光素
子に、発光素子を駆動する駆動回路を加えた表示装置で
ある。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面に基づいて説明する。
【００２３】（実施の形態１）以下本発明の実施の形態
１について説明する。図１は本発明に係る発光素子の実
施の形態１を示す断面図である。図１において、１０１
は基板、１０２は反射電極、１０３は発光層、１０４は
透明電極、１０５は積層膜、１０６は光取り出し面であ
る。
【００２４】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【００２５】反射電極１０２は、反射率が高く、発光層
を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌあ
るいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を用
いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀・
パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・金
・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。ま
た、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注入
型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極となり、
電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低い材
料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極としては例
えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関数が
低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性が低
く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いればよ
い。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関数
の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属の
積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明導
電膜の積層電極などを用いることができる。
【００２６】反射電極１０２の形成方法としては、スパ
ッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方法
を用いればよい。
【００２７】発光層１０３としては、例えば有機ＥＬ素
子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好まし
くは、従来構造と同様に、発光層１０３を多層構造すな
わちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用いた
電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰＤ
等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、オ
キサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層構
造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【００２８】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【００２９】透明電極１０４としては、ＩＴＯ、酸化錫
等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【００３０】有機ＥＬ素子の場合、有機発光層が付着し
た基板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうた
め、透明電極１０４は低温成膜する必要がある。さら
に、透明電極としてＩＴＯ等をスパッタ法やエレクトロ
ンビーム蒸着法等により有機発光層上に形成する場合、
有機層へのダメージを軽減するため、有機層上にバッフ
ァ層を形成してから透明電極を形成するのが好ましい。
バッファ層としては、銅フタロシアニン等の熱的に安定
な有機化合物等を用いればよい。透明電極１０４は低温
で形成されるため、透明電極１０４と下地膜の密着性は
悪く、透明電極１０４の剥がれが発生しやすい。スパッ
タ法により透明電極を形成する場合、透明電極と下地膜
との密着性を向上するため、スパッタエッチング加工を
施した表面に透明電極をスパッタリングにより形成する
ことが好ましい。
【００３１】この場合、有機発光層へのダメージを軽減
するため、有機層上に形成されたバッファー層の表面に
スパッタエッチ加工を施し、スパッタエッチ加工を施し
た該表面に透明電極をスパッタリングによって形成する
ことがさらに好ましい。
【００３２】基板１０１上に、窒化アルミニウム膜から
なる絶縁膜１０５が形成されている。熱伝導率は１７０
Ｗ／ｍＫ程度である。
【００３３】窒化アルミニウムからなる絶縁膜１０５上
には、所定の形状にパターニングされたＡｌからなる反
射電極１０２が１００ｎｍ形成されている。
【００３４】絶縁膜１０５の形成方法としては、３００
℃の温度条件下金属Ａｌと窒素ガスを用いて、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法によって０．３μｍ形成している。
【００３５】上記窒化アルミニウム膜には酸素も含まれ
ており、熱伝導率は１７０Ｗ／ｍＫ程度あり、かつ透明
な化合物膜である。
【００３６】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】窒化アルミニウム膜は、一般的な絶縁膜で
あるＳｉＯ2膜と比較して熱伝導率が優れた特性を持つ
ことが分かる。従って、発光領域、及び電極で発生した
熱は、絶縁膜１０５から放熱、かつ均一に分散される。
【００３９】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【００４０】
【表２】
【００４１】また、絶縁膜１０５は、上記材料に限らな
いものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのうち、
１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。また、
その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であればよ
い。
【００４２】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【００４３】また、絶縁膜１０５の形成方法も、上記方
法に限らないものとし、スパッタ、エレクトロンビーム
蒸着、抵抗加熱蒸着、ＣＶＤ、塗布型等、真空アーク
法、電子シャワー法、陽極酸化法などを用いればよい。
【００４４】本実施の形態１においては、基板上にＡｌ
Ｎなどからなる熱伝導性の高い絶縁膜１０５と反射電極
１０２をこの順序で形成することにより、発光領域の劣
化や、輝度ムラを防止することが可能になり、高寿命、
かつ信頼性の高い、表示品位の良好な発光素子、表示装
置及び照明装置を得ることが出来る。
【００４５】（実施の形態２）以下本発明の実施の形態
２について説明する。図２は本発明に係る発光素子の実
施の形態２を示す断面図である。図２において、２０１
は基板、２０２は透明電極、２０３は発光層、２０４は
透明電極、２０５は絶縁膜、２０６は光取り出し面であ
る。
【００４６】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【００４７】発光層２０３としては、例えば有機ＥＬ素
子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好まし
くは、従来構造と同様に、発光層１０３を多層構造すな
わちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用いた
電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰＤ
等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、オ
キサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層構
造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【００４８】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【００４９】反射電極２０４は、反射率が高く、発光層
を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌあ
るいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を用
いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀・
パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・金
・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。ま
た、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注入
型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極となり、
電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低い材
料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極としては例
えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関数が
低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性が低
く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いればよ
い。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関数
の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属の
積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明導
電膜の積層電極などを用いることができる。
【００５０】反射電極２０４の形成方法としては、スパ
ッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方法
を用いればよい。
【００５１】透明電極２０２としては、ＩＴＯ、酸化錫
等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【００５２】基板２０１上に、窒化アルミニウム膜から
なる絶縁膜２０５が形成されている。熱伝導率は１７５
Ｗ／ｍＫ程度である。
【００５３】窒化アルミニウムからなる絶縁膜２０５上
には、所定の形状にパターニングされたＩＴＯからなる
透明電極２０２が１００ｎｍ形成されている。
【００５４】絶縁膜２０５の形成方法としては、３００
℃の温度条件下金属Ａｌと窒素ガスを用いて、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法によって０．５μｍ形成している。
【００５５】上記窒化アルミニウム膜は、反射率が高
く、発光領域で発光した光を効率よく光取り出し面２０
６に反射することが出来る。
【００５６】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【００５７】窒化アルミニウム膜は、一般的な絶縁膜で
あるＳｉＯ2膜と比較して熱伝導率が優れた特性を持つ
ことが分かる。従って、発光領域、及び電極で発生した
熱は、透明導電膜上に形成された絶縁膜から放熱、かつ
均一に分散される。
【００５８】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【００５９】また、絶縁膜２０５は、上記材料に限らな
いものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのうち、
１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。また、
その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であればよ
い。
【００６０】絶縁膜２０５の膜厚は、１５ｎｍ以上であ
ることが好ましい。
【００６１】また、絶縁膜２０５の形成方法も、上記方
法に限らないものとし、スパッタ、エレクトロンビーム
蒸着、抵抗加熱蒸着、ＣＶＤ、塗布型等、真空アーク
法、電子シャワー法、陽極酸化法などを用いればよい。
【００６２】本実施の形態２においては、基板２０２上
にＡｌＮなどからなる熱伝導性の高い絶縁膜２０５と透
明電極２０２をこの順序で形成することにより、発光領
域の劣化や、輝度ムラを防止することが可能になり、高
寿命、かつ信頼性の高い、表示品位の良好な発光素子、
表示装置及び照明装置を得ることが出来る。
【００６３】（実施の形態３）以下本発明の実施の形態
１について説明する。図３は本発明に係る発光素子の実
施の形態３を示す断面図である。図３において、３０１
は基板、３０２は反射電極、３０３は発光層、３０４は
透明電極、３０５は積層膜、３０６は光取り出し面であ
る。
【００６４】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【００６５】反射電極３０２は、反射率が高く、発光層
を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌあ
るいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を用
いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀・
パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・金
・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。ま
た、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注入
型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極となり、
電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低い材
料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極としては例
えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関数が
低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性が低
く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いればよ
い。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関数
の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属の
積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明導
電膜の積層電極などを用いることができる。
【００６６】反射電極３０２の形成方法としては、スパ
ッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方法
を用いればよい。
【００６７】発光層１０３としては、例えば有機ＥＬ素
子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好まし
くは、従来構造と同様に、発光層１０３を多層構造すな
わちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用いた
電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰＤ
等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、オ
キサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層構
造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【００６８】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【００６９】透明電極３０４としては、ＩＴＯ、酸化錫
等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【００７０】有機ＥＬ素子の場合、有機発光層が付着し
た基板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうた
め、透明電極３０４は低温成膜する必要がある。さら
に、透明電極としてＩＴＯ等をスパッタ法やエレクトロ
ンビーム蒸着法等により有機発光層上に形成する場合、
有機層へのダメージを軽減するため、有機層上にバッフ
ァ層を形成してから透明電極を形成するのが好ましい。
バッファ層としては、銅フタロシアニン等の熱的に安定
な有機化合物等を用いればよい。透明電極３０４は低温
で形成されるため、透明電極３０４と下地膜の密着性は
悪く、透明電極３０４の剥がれが発生しやすい。スパッ
タ法により透明電極を形成する場合、透明電極と下地膜
との密着性を向上するため、スパッタエッチング加工を
施した表面に透明電極をスパッタリングにより形成する
ことが好ましい。
【００７１】この場合、有機発光層へのダメージを軽減
するため、有機層上に形成されたバッファー層の表面に
スパッタエッチ加工を施し、スパッタエッチ加工を施し
た該表面に透明電極をスパッタリングによって形成する
ことがさらに好ましい。
【００７２】基板３０１上に、ダイヤモンドライクカー
ボン膜からなる絶縁膜３０５が形成されている。熱伝導
率は２４０Ｗ／ｍＫ程度である。
【００７３】ダイヤモンドライクカーボンからなる絶縁
膜３０５上には、所定の形状にパターニングされたＡｌ
からなる反射電極３０２が１００ｎｍ形成されている。
【００７４】絶縁膜３０５の形成方法としては、プラズ
マＣＶＤ法を用いて０．３μｍ形成している。
【００７５】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【００７６】ダイヤモンドライクカーボン膜は、一般的
な絶縁膜であるＳｉＯ2膜と比較して熱伝導率が優れた
特性を持つことが分かる。従って、発光領域、及び電極
で発生した熱は、絶縁膜３０５から分散かつ放熱され
る。
【００７７】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【００７８】また、絶縁膜３０５は、上記材料に限らな
いものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのうち、
１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。また、
その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であればよ
い。
【００７９】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【００８０】また、絶縁膜３０５の形成方法も、上記方
法に限らないものとする。
【００８１】本実施の形態３においては、基板３０１上
にダイヤモンドライクカーボンなどからなる熱伝導性の
高い積層膜３０５と反射電極３０２をこの順序で形成す
ることにより、発光領域の劣化や、輝度ムラを防止する
ことが可能になり、高寿命、かつ信頼性の高い、表示品
位の良好な発光素子、表示装置及び照明装置を得ること
が出来る。
【００８２】（実施の形態４）以下本発明の実施の形態
４について説明する。図４は本発明に係る発光素子の実
施の形態４を示す断面図である。図４において、４０１
は基板、４０２は反射電極、４０３は発光層、４０４は
透明電極、４０５は積層膜、４０６は光取り出し面であ
る。
【００８３】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【００８４】反射電極４０２は、反射率が高く、発光層
を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌあ
るいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を用
いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀・
パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・金
・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。ま
た、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注入
型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極となり、
電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低い材
料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極としては例
えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関数が
低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性が低
く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いればよ
い。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関数
の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属の
積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明導
電膜の積層電極などを用いることができる。
【００８５】反射電極４０２の形成方法としては、スパ
ッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方法
を用いればよい。
【００８６】発光層４０３としては、例えば有機ＥＬ素
子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好まし
くは、従来構造と同様に、発光層４０３を多層構造すな
わちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用いた
電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰＤ
等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、オ
キサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層構
造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【００８７】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【００８８】透明電極４０４としては、ＩＴＯ、酸化錫
等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【００８９】有機ＥＬ素子の場合、有機発光層が付着し
た基板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうた
め、透明電極４０４は低温成膜する必要がある。さら
に、透明電極としてＩＴＯ等をスパッタ法やエレクトロ
ンビーム蒸着法等により有機発光層上に形成する場合、
有機層へのダメージを軽減するため、有機層上にバッフ
ァ層を形成してから透明電極を形成するのが好ましい。
バッファ層としては、銅フタロシアニン等の熱的に安定
な有機化合物等を用いればよい。透明電極４０４は低温
で形成されるため、透明電極４０４と下地膜の密着性は
悪く、透明電極４０４の剥がれが発生しやすい。スパッ
タ法により透明電極を形成する場合、透明電極と下地膜
との密着性を向上するため、スパッタエッチング加工を
施した表面に透明電極をスパッタリングにより形成する
ことが好ましい。
【００９０】この場合、有機発光層へのダメージを軽減
するため、有機層上に形成されたバッファー層の表面に
スパッタエッチ加工を施し、スパッタエッチ加工を施し
た該表面に透明電極をスパッタリングによって形成する
ことがさらに好ましい。
【００９１】基板４０１上に、ＭｇＯ膜からなる絶縁膜
３０５が形成されている。熱伝導率は１２０Ｗ／ｍＫ程
度である。
【００９２】ＭｇＯからなる絶縁膜４０５上には、所定
の形状にパターニングされたＡｌからなる反射電極４０
２が１００ｎｍ形成されている。
【００９３】絶縁膜４０５の形成方法としては、スパッ
タ法を用いて０．２μｍ形成している。
【００９４】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【００９５】ＭｇＯ膜は、一般的な絶縁膜であるＳｉＯ
2膜と比較して熱伝導率が優れた特性を持つことが分か
る。従って、発光領域、及び電極で発生した熱は、絶縁
膜４０５から分散かつ放熱される。
【００９６】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【００９７】また、絶縁膜４０５は、上記材料に限らな
いものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのうち、
１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。また、
その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であればよ
い。
【００９８】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【００９９】また、絶縁膜４０５の形成方法も、上記方
法に限らないものとする。
【０１００】本実施の形態４においては、基板４０１上
にＭｇＯなどからなる熱伝導性の高い絶縁膜４０５と反
射電極４０２をこの順序で形成することにより、発光領
域の劣化や、輝度ムラを防止することが可能になり、高
寿命、かつ信頼性の高い、表示品位の良好な発光素子、
表示装置及び照明装置を得ることが出来る。
【０１０１】（実施の形態５）以下本発明の実施の形態
１について説明する。図５は本発明に係る発光素子の実
施の形態５を示す断面図である。図５において、５０１
は基板、５０２は反射電極、５０３は発光層、５０４は
透明電極、５０５は積層膜、５０６は光取り出し面であ
る。
【０１０２】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【０１０３】反射電極５０２は、反射率が高く、発光層
を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌあ
るいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を用
いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀・
パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・金
・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。ま
た、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注入
型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極となり、
電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低い材
料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極としては例
えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関数が
低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性が低
く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いればよ
い。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関数
の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属の
積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明導
電膜の積層電極などを用いることができる。
【０１０４】反射電極５０２の形成方法としては、スパ
ッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方法
を用いればよい。
【０１０５】発光層５０３としては、例えば有機ＥＬ素
子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好まし
くは、従来構造と同様に、発光層５０３を多層構造すな
わちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用いた
電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰＤ
等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、オ
キサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層構
造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【０１０６】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【０１０７】透明電極５０４としては、ＩＴＯ、酸化錫
等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【０１０８】有機ＥＬ素子の場合、有機発光層が付着し
た基板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうた
め、透明電極５０４は低温成膜する必要がある。さら
に、透明電極としてＩＴＯ等をスパッタ法やエレクトロ
ンビーム蒸着法等により有機発光層上に形成する場合、
有機層へのダメージを軽減するため、有機層上にバッフ
ァ層を形成してから透明電極を形成するのが好ましい。
バッファ層としては、銅フタロシアニン等の熱的に安定
な有機化合物等を用いればよい。透明電極５０４は低温
で形成されるため、透明電極５０４と下地膜の密着性は
悪く、透明電極５０４の剥がれが発生しやすい。スパッ
タ法により透明電極を形成する場合、透明電極と下地膜
との密着性を向上するため、スパッタエッチング加工を
施した表面に透明電極をスパッタリングにより形成する
ことが好ましい。
【０１０９】この場合、有機発光層へのダメージを軽減
するため、有機層上に形成されたバッファー層の表面に
スパッタエッチ加工を施し、スパッタエッチ加工を施し
た該表面に透明電極をスパッタリングによって形成する
ことがさらに好ましい。
【０１１０】基板５０１上に、ＳｉＣ膜からなる絶縁膜
５０５が形成されている。熱伝導率は１６０Ｗ／ｍＫ程
度である。
【０１１１】ＳｉＣからなる絶縁膜５０５上には、所定
の形状にパターニングされたＡｌからなる反射電極５０
２が１００ｎｍ形成されている。
【０１１２】絶縁膜５０５の形成方法としては、プラズ
マＣＶＤ法を用いて３００ｎｍ形成している。
【０１１３】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【０１１４】ＳｉＣ膜は、一般的な絶縁膜であるＳｉＯ
2膜と比較して熱伝導率が優れた特性を持つことが分か
る。従って、発光領域、及び電極で発生した熱は、絶縁
膜５０５から分散かつ放熱される。
【０１１５】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【０１１６】また、絶縁膜５０５は、上記材料に限らな
いものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのうち、
１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。また、
その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であればよ
い。
【０１１７】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【０１１８】また、絶縁膜５０５の形成方法も、上記方
法に限らないものとする。
【０１１９】本実施の形態５においては、基板５０１上
にＳｉＣなどからなる熱伝導性の高い積層膜５０５と反
射電極５０２をこの順序で形成することにより、発光領
域の劣化や、輝度ムラを防止することが可能になり、高
寿命、かつ信頼性の高い、表示品位の良好な発光素子、
表示装置及び照明装置を得ることが出来る。
【０１２０】（実施の形態６）次に、本発明の本発明の
実施の形態６について、図６を用いて説明する。図６は
本発明に係る実施の形態６を示す断面図である。図６に
おいて、６１０は散乱層、６０５は絶縁層（平坦化
層）、６０８は透明電極である。散乱層６１０は、この
場合電極として機能しないため、反射率が高く、発光層
６０３で発生した光を等方的に散乱できればよい。散乱
層６１０としては、ＡｌあるいはＡｌ化合物、銀あるい
は銀化合物等の金属膜を用いることが好ましい。さら
に、銀化合物としては、ＡｇＰｄＣｕあるいはＡｇＡｕ
Ｃｕを用いるのが好ましい。平坦化層６０７は、透明な
絶縁膜であればよく、例えばＳｉＯ2等の無機材料ある
いはポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のポリマー
材料を用いることができる。ＳｉＯ2等の無機材料は、
スパッタ法、エレクトロンビーム蒸着法、ＣＶＤ法等の
方法で成膜すればよい。ＰＭＭＡ等のポリマー膜は、ス
ピンコート法、キャスト法等の塗布法により、成膜すれ
ばよい。透明電極６０８は、透明電極６０４と同様、Ｉ
ＴＯ、ＺｎＯ等の酸化物透明電極を用いればよい。本実
施例のように平坦化層を兼ねた絶縁層６０５を導入すれ
ば、例えば図６の構成において散乱層６１０の凹凸が原
因で、透明電極６０２と透明電極６０４が短絡してしま
うことを防ぐことができる。
【０１２１】絶縁層（平坦化層）６０５は、エポキシ系
の樹脂に高熱伝導性フィラーＭｇＯを混合したものであ
り、スピンコート法により、３μｍ形成している。熱伝
導率は５０Ｗ／ｍＫ程度である。
【０１２２】また、絶縁膜６０５上には、所定の形状に
パターニングされたＩＴＯからなる透明電極６０８が１
００ｎｍ形成されている。
【０１２３】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【０１２４】エポキシ系の樹脂に高熱伝導性フィラーＭ
ｇＯを混合した絶縁層６０５は、一般的な絶縁膜である
ＳｉＯ2膜と比較して熱伝導率が優れた特性を持つこと
が分かる。従って、発光領域、及び電極で発生した熱
は、絶縁膜６０５から分散かつ放熱される。
【０１２５】絶縁層６０５は、上記材料に限らないもの
とし、無機膜、有機膜、あるいは無機と有機の混合であ
っても構わないものとし、例えば、有機材料にＭｇＯや
Ｓｉといった導電性フィラーを混合することにより、熱
伝導率を上昇させたものであっても構わない。
【０１２６】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【０１２７】絶縁膜６０５の形成方法も、上記方法に限
らないものとする。
【０１２８】表１に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【０１２９】本発明によれば、絶縁層６０５を形成する
ことにより、発光領域の劣化や、輝度ムラを防止するこ
とが可能になり、信頼性が高く、表示品位の良好な発光
素子、表示装置及び照明装置を得ることが出来る。
【０１３０】（実施の形態７）次に、本発明の本発明の
実施の形態７について、図７を用いて説明する。図７は
本発明に係る実施の形態７を示す断面図である。図７に
おいて、７１０は散乱層、７０５は多層膜（７０５ｂ、
７０５ａ）からなる絶縁層、７０８は透明電極である。
散乱層７１０は、この場合電極として機能しないため、
反射率が高く、発光層７０３で発生した光を等方的に散
乱できればよい。散乱層７１０としては、Ａｌあるいは
Ａｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を用いるこ
とが好ましい。さらに、銀化合物としては、ＡｇＰｄＣ
ｕあるいはＡｇＡｕＣｕを用いるのが好ましい。絶縁膜
７０５は、２層の絶縁膜からなる多層膜からなる。絶縁
膜７０５ａは、平坦化層を兼ねいる。平坦化層を兼ねた
絶縁膜７０５ａは、透明な絶縁膜であればよく、例えば
ＳｉＯ2等の無機材料あるいはポリメタクリル酸メチル
（ＰＭＭＡ）等のポリマー材料を用いることができる。
ＳｉＯ2等の無機材料は、スパッタ法、エレクトロンビ
ーム蒸着法、ＣＶＤ法等の方法で成膜すればよい。ＰＭ
ＭＡ等のポリマー膜は、スピンコート法、キャスト法等
の塗布法により、成膜すればよい。透明電極７０８は、
透明電極７０４と同様、ＩＴＯ、ＺｎＯ等の酸化物透明
電極を用いればよい。本実施例のように平坦化層を兼ね
た絶縁層７０５ａを導入すれば、例えば図７の構成にお
いて散乱層７１０の凹凸が原因で、透明電極７０２と透
明電極７０４が短絡してしまうことを防ぐことができ
る。
【０１３１】平坦化層を兼ねた絶縁膜７０５ａは、エポ
キシ系の樹脂に高熱伝導性フィラーＳｉを混合したもの
であり、スピンコート法により、３μｍ形成している。
熱伝導率は８５Ｗ／ｍＫ程度である。
【０１３２】また、絶縁膜７０５ａ上には、窒化アルミ
ニウムからなる絶縁膜７０５ｂが２０００Ａ形成されて
いる。絶縁膜２０５ｂの形成方法としては、３００℃の
温度条件下金属Ａｌと窒素ガスを用いて、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法によって形成している。
【０１３３】絶縁膜７０５ｂの熱伝導率は１２０Ｗ／ｍ
Ｋ程度である。絶縁膜７０５ｂ上には、所定の形状にパ
ターニングされたＩＴＯからなる透明電極７０８が１０
０ｎｍ形成されている。
【０１３４】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【０１３５】エポキシ系の樹脂に高熱伝導性フィラーを
Ｓｉを混合した平坦化層７０５ａ、及び窒化アルミニウ
ムからなる絶縁膜７０５ｂからなる絶縁膜７０５は、一
般的な絶縁膜であるＳｉＯ2膜と比較して熱伝導率が優
れた特性を持つことが分かる。従って、発光領域、及び
電極で発生した熱は、絶縁膜６０５から分散かつ放熱さ
れる。
【０１３６】絶縁層７０５は、上記材料に限らないもの
とし、無機膜、有機膜、あるいは無機と有機の混合であ
っても構わないものとし、例えば、有機材料にＭｇＯや
Ｓｉといった導電性フィラーを混合することにより、熱
伝導率を上昇させたものであっても構わない。
【０１３７】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【０１３８】絶縁膜７０５の形成方法も、上記方法に限
らないものとする。
【０１３９】表１に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【０１４０】本発明によれば、絶縁層６０５を形成する
ことにより、発光領域の劣化や、輝度ムラを防止するこ
とが可能になり、信頼性が高く、表示品位の良好な発光
素子、表示装置及び照明装置を得ることが出来る。
【０１４１】（実施の形態８）以下本発明の実施の形態
８について説明する。図８は本発明に係る発光素子の実
施の形態８を示す断面図である。図８において、８０１
は基板、８０２は反射電極、８０３は発光層、８０４は
透明電極、８０５は積層膜、８０６は光取り出し面であ
る。
【０１４２】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【０１４３】反射電極８０２は、反射率が高く、発光層
を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌあ
るいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を用
いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀・
パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・金
・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。ま
た、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注入
型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極となり、
電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低い材
料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極としては例
えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関数が
低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性が低
く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いればよ
い。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関数
の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属の
積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明導
電膜の積層電極などを用いることができる。
【０１４４】反射電極８０２の形成方法としては、スパ
ッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方法
を用いればよい。
【０１４５】発光層８０３としては、例えば有機ＥＬ素
子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好まし
くは、従来構造と同様に、発光層８０３を多層構造すな
わちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用いた
電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰＤ
等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、オ
キサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層構
造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【０１４６】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【０１４７】透明電極８０４としては、ＩＴＯ、酸化錫
等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【０１４８】有機ＥＬ素子の場合、有機発光層が付着し
た基板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうた
め、透明電極８０４は低温成膜する必要がある。さら
に、透明電極としてＩＴＯ等をスパッタ法やエレクトロ
ンビーム蒸着法等により有機発光層上に形成する場合、
有機層へのダメージを軽減するため、有機層上にバッフ
ァ層を形成してから透明電極を形成するのが好ましい。
バッファ層としては、銅フタロシアニン等の熱的に安定
な有機化合物等を用いればよい。透明電極８０４は低温
で形成されるため、透明電極８０４と下地膜の密着性は
悪く、透明電極８０４の剥がれが発生しやすい。スパッ
タ法により透明電極を形成する場合、透明電極と下地膜
との密着性を向上するため、スパッタエッチング加工を
施した表面に透明電極をスパッタリングにより形成する
ことが好ましい。
【０１４９】この場合、有機発光層へのダメージを軽減
するため、有機層上に形成されたバッファー層の表面に
スパッタエッチ加工を施し、スパッタエッチ加工を施し
た該表面に透明電極をスパッタリングによって形成する
ことがさらに好ましい。
【０１５０】透明電極８０４上に、窒化アルミニウム膜
からなる絶縁膜８０５が形成されている。熱伝導率は１
７０Ｗ／ｍＫ程度である。
【０１５１】窒化アルミニウムからなる絶縁膜８０５上
には、所定の形状にパターニングされたＡｌからなる反
射電極８０２が１００ｎｍ形成されている。
【０１５２】絶縁膜８０５の形成方法としては、３００
℃の温度条件下金属Ａｌと窒素ガスを用いて、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法によって０．３μｍ形成している。
【０１５３】上記窒化アルミニウム膜には酸素も含まれ
ており、熱伝導率は１７０Ｗ／ｍＫ程度あり、かつ透明
な化合物膜である。
【０１５４】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【０１５５】窒化アルミニウム膜は、一般的な絶縁膜で
あるＳｉＯ2膜と比較して熱伝導率が優れた特性を持つ
ことが分かる。従って、発光領域、及び電極で発生した
熱は、絶縁膜８０５から放熱、かつ均一に分散される。
【０１５６】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【０１５７】また、絶縁膜８０５は、上記材料に限らな
いものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのうち、
１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。また、
その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であればよ
い。
【０１５８】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【０１５９】また、絶縁膜８０５の形成方法も、上記方
法に限らないものとし、スパッタ、エレクトロンビーム
蒸着、抵抗加熱蒸着、ＣＶＤ、塗布型等、真空アーク
法、電子シャワー法、陽極酸化法などを用いればよい。
【０１６０】本実施の形態８においては、基板上にＡｌ
Ｎなどからなる熱伝導性の高い絶縁膜８０５と反射電極
８０２をこの順序で形成することにより、発光領域の劣
化や、輝度ムラを防止することが可能になり、高寿命、
かつ信頼性の高い、表示品位の良好な発光素子、表示装
置及び照明装置を得ることが出来る。
【０１６１】（実施の形態９）以下本発明の実施の形態
９について説明する。図９は本発明に係る発光素子の実
施の形態３を示す断面図である。図９において、９０１
は基板、９０２は反射電極、９０３は発光層、９０４は
透明電極、９０５は積層膜、９０６は光取り出し面であ
る。
【０１６２】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【０１６３】反射電極９０２は、反射率が高く、発光層
を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌあ
るいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を用
いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀・
パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・金
・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。ま
た、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注入
型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極となり、
電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低い材
料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極としては例
えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関数が
低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性が低
く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いればよ
い。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関数
の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属の
積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明導
電膜の積層電極などを用いることができる。
【０１６４】反射電極９０２の形成方法としては、スパ
ッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方法
を用いればよい。
【０１６５】発光層９０３としては、例えば有機ＥＬ素
子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好まし
くは、従来構造と同様に、発光層１０３を多層構造すな
わちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用いた
電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰＤ
等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、オ
キサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層構
造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【０１６６】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【０１６７】透明電極９０４としては、ＩＴＯ、酸化錫
等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【０１６８】有機ＥＬ素子の場合、有機発光層が付着し
た基板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうた
め、透明電極９０４は低温成膜する必要がある。さら
に、透明電極としてＩＴＯ等をスパッタ法やエレクトロ
ンビーム蒸着法等により有機発光層上に形成する場合、
有機層へのダメージを軽減するため、有機層上にバッフ
ァ層を形成してから透明電極を形成するのが好ましい。
バッファ層としては、銅フタロシアニン等の熱的に安定
な有機化合物等を用いればよい。透明電極９０４は低温
で形成されるため、透明電極３０４と下地膜の密着性は
悪く、透明電極９０４の剥がれが発生しやすい。スパッ
タ法により透明電極を形成する場合、透明電極と下地膜
との密着性を向上するため、スパッタエッチング加工を
施した表面に透明電極をスパッタリングにより形成する
ことが好ましい。
【０１６９】この場合、有機発光層へのダメージを軽減
するため、有機層上に形成されたバッファー層の表面に
スパッタエッチ加工を施し、スパッタエッチ加工を施し
た該表面に透明電極をスパッタリングによって形成する
ことがさらに好ましい。
【０１７０】透明電極９０４上に、ダイヤモンドライク
カーボン膜からなる絶縁膜３０５が形成されている。熱
伝導率は２４０Ｗ／ｍＫ程度である。
【０１７１】ダイヤモンドライクカーボンからなる絶縁
膜９０５上には、所定の形状にパターニングされたＡｌ
からなる反射電極９０２が１００ｎｍ形成されている。
絶縁膜９０５の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法を
用いて０．３μｍ形成している。
【０１７２】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【０１７３】ダイヤモンドライクカーボン膜は、一般的
な絶縁膜であるＳｉＯ2膜と比較して熱伝導率が優れた
特性を持つことが分かる。従って、発光領域、及び電極
で発生した熱は、絶縁膜９０５から分散かつ放熱され
る。
【０１７４】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【０１７５】また、絶縁膜９０５は、上記材料に限らな
いものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのうち、
１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。また、
その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であればよ
い。
【０１７６】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【０１７７】また、絶縁膜９０５の形成方法も、上記方
法に限らないものとする。
【０１７８】本実施の形態９においては、基板９０１上
にダイヤモンドライクカーボンなどからなる熱伝導性の
高い積層膜９０５と反射電極９０２をこの順序で形成す
ることにより、発光領域の劣化や、輝度ムラを防止する
ことが可能になり、高寿命、かつ信頼性の高い、表示品
位の良好な発光素子、表示装置及び照明装置を得ること
が出来る。
【０１７９】（実施の形態１０）以下本発明の実施の形
態１０について説明する。図１０は本発明に係る発光素
子の実施の形態１０を示す断面図である。図１０におい
て、１００１は基板、１０１２は反射電極、１０１３は
発光層、１００４は透明電極、１００５は積層膜、１０
０６は光取り出し面である。
【０１８０】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【０１８１】反射電極１００２は、反射率が高く、発光
層を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌ
あるいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を
用いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀
・パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・
金・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。
また、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注
入型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極とな
り、電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低
い材料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極として
は例えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関
数が低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性
が低く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いれば
よい。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関
数の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属
の積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明
導電膜の積層電極などを用いることができる。
【０１８２】反射電極１００２の形成方法としては、ス
パッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方
法を用いればよい。
【０１８３】発光層１００３としては、例えば有機ＥＬ
素子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好ま
しくは、従来構造と同様に、発光層４０３を多層構造す
なわちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用い
た電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰ
Ｄ等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、
オキサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層
構造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【０１８４】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【０１８５】透明電極１００４としては、ＩＴＯ、酸化
錫等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【０１８６】有機ＥＬ素子の場合、有機発光層が付着し
た基板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうた
め、透明電極１００４は低温成膜する必要がある。さら
に、透明電極としてＩＴＯ等をスパッタ法やエレクトロ
ンビーム蒸着法等により有機発光層上に形成する場合、
有機層へのダメージを軽減するため、有機層上にバッフ
ァ層を形成してから透明電極を形成するのが好ましい。
バッファ層としては、銅フタロシアニン等の熱的に安定
な有機化合物等を用いればよい。透明電極１００４は低
温で形成されるため、透明電極１００４と下地膜の密着
性は悪く、透明電極４０４の剥がれが発生しやすい。ス
パッタ法により透明電極を形成する場合、透明電極と下
地膜との密着性を向上するため、スパッタエッチング加
工を施した表面に透明電極をスパッタリングにより形成
することが好ましい。
【０１８７】この場合、有機発光層へのダメージを軽減
するため、有機層上に形成されたバッファー層の表面に
スパッタエッチ加工を施し、スパッタエッチ加工を施し
た該表面に透明電極をスパッタリングによって形成する
ことがさらに好ましい。
【０１８８】透明電極１００４上に、ＭｇＯ膜からなる
絶縁膜１００５が形成されている。熱伝導率は１２０Ｗ
／ｍＫ程度である。
【０１８９】ＭｇＯからなる絶縁膜１００５上には、所
定の形状にパターニングされたＡｌからなる反射電極１
００２が１００ｎｍ形成されている。
【０１９０】絶縁膜１００５の形成方法としては、スパ
ッタ法を用いて０．２μｍ形成している。
【０１９１】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【０１９２】ＭｇＯ膜は、一般的な絶縁膜であるＳｉＯ
2膜と比較して熱伝導率が優れた特性を持つことが分か
る。従って、発光領域、及び電極で発生した熱は、絶縁
膜１００５から分散かつ放熱される。
【０１９３】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【０１９４】また、絶縁膜１００５は、上記材料に限ら
ないものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのう
ち、１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。ま
た、その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であれ
ばよい。
【０１９５】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【０１９６】また、絶縁膜１００５の形成方法も、上記
方法に限らないものとする。
【０１９７】本実施の形態１０においては、基板１００
１上にＭｇＯなどからなる熱伝導性の高い絶縁膜１００
５と反射電極１００２をこの順序で形成することによ
り、発光領域の劣化や、輝度ムラを防止することが可能
になり、高寿命、かつ信頼性の高い、表示品位の良好な
発光素子、表示装置及び照明装置を得ることが出来る。
【０１９８】（実施の形態１１）以下本発明の実施の形
態１１について説明する。図１１は本発明に係る発光素
子の実施の形態１１を示す断面図である。図１１におい
て、１１０１は基板、１１０２は反射電極、１１０３は
発光層、１１０４は透明電極、１１０５は積層膜、１１
０６は光取り出し面である。
【０１９９】基板１は、本発明の発光素子を坦持できる
ものであればよく、ガラスあるいはポリカーボネート、
ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレー
トなどの樹脂フィルム、またはシリコン基板等を用いる
ことができる。
【０２００】反射電極１１０２は、反射率が高く、発光
層を効率良く発光させる機能を備えていればよく、Ａｌ
あるいはＡｌ化合物、銀あるいは銀化合物等の金属膜を
用いることが好ましい。さらに、銀化合物としては、銀
・パラジウム・銅（ＡｇＰｄＣｕ）の合金あるいは銀・
金・銅（ＡｇＡｕＣｕ）の合金を用いるのが好ましい。
また、有機化合物を発光層として用いるいわゆる電流注
入型の有機ＥＬ素子の場合、通常反射電極は陰極とな
り、電子の注入効率のよい材料、すなわち仕事関数の低
い材料を用いることが多い。有機ＥＬ素子の陰極として
は例えばＡｌ−Ｌｉ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金等の、仕事関
数が低いが反応性の高い金属（Ｌｉ、Ｍｇ等）と反応性
が低く安定な金属（Ａｌ、Ａｇ等）との合金を用いれば
よい。あるいは、Ｌｉ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ａｌ等の仕事関
数の低い金属あるいはその化合物と仕事関数の高い金属
の積層電極、ＩＴＯ／Ａｌ／ＩＴＯといった金属と透明
導電膜の積層電極などを用いることができる。
【０２０１】反射電極１１０２の形成方法としては、ス
パッタ、エレクトロンビーム蒸着、抵抗加熱蒸着等の方
法を用いればよい。
【０２０２】発光層１１０３としては、例えば有機ＥＬ
素子の場合、Ａｌｑ3等の有機発光材料を用いる。好ま
しくは、従来構造と同様に、発光層５０３を多層構造す
なわちＴＰＤ等を用いた正孔輸送層、Ａｌｑ3等を用い
た電子輸送性発光層を積層した２層構造、あるいはＴＰ
Ｄ等を用いた正孔輸送層、ペリレン等を用いた発光層、
オキサジアゾール等を用いた電子輸送層を積層した３層
構造、あるいはそれ以上の多層構造とすればよい。
【０２０３】この場合、ＩＴＯ等の正孔注入電極側を正
孔輸送層、ＡｌＬｉ、ＭｇＡｇ等の電子注入電極側を電
子輸送層とする。有機ＥＬ素子の場合、発光層の形成は
主に抵抗加熱蒸着法を用いるが、エレクトロンビーム蒸
着法、スパッタ法等を用いてもよい。
【０２０４】透明電極１１０４としては、ＩＴＯ、酸化
錫等の酸化物透明電極を用いればよい。透明電極の形成
は、スパッタ法、抵抗加熱蒸着法、エレクトロンビーム
蒸着法、イオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【０２０５】有機ＥＬ素子の場合、有機発光層が付着し
た基板を高温に加熱すると、有機層が劣化してしまうた
め、透明電極１１０４は低温成膜する必要がある。さら
に、透明電極としてＩＴＯ等をスパッタ法やエレクトロ
ンビーム蒸着法等により有機発光層上に形成する場合、
有機層へのダメージを軽減するため、有機層上にバッフ
ァ層を形成してから透明電極を形成するのが好ましい。
バッファ層としては、銅フタロシアニン等の熱的に安定
な有機化合物等を用いればよい。透明電極１１０４は低
温で形成されるため、透明電極１１０４と下地膜の密着
性は悪く、透明電極１１０４の剥がれが発生しやすい。
スパッタ法により透明電極を形成する場合、透明電極と
下地膜との密着性を向上するため、スパッタエッチング
加工を施した表面に透明電極をスパッタリングにより形
成することが好ましい。
【０２０６】この場合、有機発光層へのダメージを軽減
するため、有機層上に形成されたバッファー層の表面に
スパッタエッチ加工を施し、スパッタエッチ加工を施し
た該表面に透明電極をスパッタリングによって形成する
ことがさらに好ましい。
【０２０７】透明電極１１０１上に、ＳｉＣ膜からなる
絶縁膜１１０５が形成されている。熱伝導率は１６０Ｗ
／ｍＫ程度である。
【０２０８】ＳｉＣからなる絶縁膜１１０５上には、所
定の形状にパターニングされたＡｌからなる反射電極１
１０２が１００ｎｍ形成されている。
【０２０９】絶縁膜１１０５の形成方法としては、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて３００ｎｍ形成している。
【０２１０】表１に絶縁膜の材質と熱伝導率、電気抵抗
率を示す。
【０２１１】ＳｉＣ膜は、一般的な絶縁膜であるＳｉＯ
2膜と比較して熱伝導率が優れた特性を持つことが分か
る。従って、発光領域、及び電極で発生した熱は、絶縁
膜１１０５から分散かつ放熱される。
【０２１２】表２に本実施例における耐久性試験結果を
示す。
【０２１３】また、絶縁膜１１０５は、上記材料に限ら
ないものとし、少なくともＡｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃのう
ち、１つ以上を含む化合物膜であることが好ましい。ま
た、その化合物膜の熱導電性が５０Ｗ／ｍＫ以上であれ
ばよい。
【０２１４】絶縁膜の膜厚は、１５ｎｍ以上であること
が好ましい。
【０２１５】また、絶縁膜１１０５の形成方法も、上記
方法に限らないものとする。
【０２１６】本実施の形態１１においては、基板１１０
１上にＳｉＣなどからなる熱伝導性の高い絶縁膜１１０
５と反射電極１１０２をこの順序で形成することによ
り、発光領域の劣化や、輝度ムラを防止することが可能
になり、高寿命、かつ信頼性の高い、表示品位の良好な
発光素子、表示装置を得ることができる。
【０２１７】図１２に、種々の放熱層を有する実施の形
態１から１１に記載した発光素子を定電流駆動したとき
の輝度半減時間を示す。
【０２１８】
【発明の効果】上記構成により、発光素子の駆動時に、
発光素子自身や、発光素子を駆動する駆動素子からの発
熱を効率よく放熱することができ、素子の寿命を向上す
ることができる。そして、散乱層を有する素子の場合に
は、散乱層の平坦化をも兼ねることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発光素子の第１の実施例を示す断
面図
【図２】本発明に係る発光素子の第２の実施例を示す断
面図
【図３】本発明に係る発光素子の第３の実施例を示す断
面図
【図４】本発明に係る第４の実施例を示す断面図
【図５】本発明に係る第５の実施例を示す断面図
【図６】本発明に係る第６の実施例を示す断面図
【図７】本発明に係る第７の実施例を示す断面図
【図８】本発明に係る第８の実施例を示す断面図
【図９】本発明に係る第９の実施例を示す断面図
【図１０】本発明に係る第１０の実施例を示す断面図
【図１１】本発明に係る第１１の実施例を示す断面図
【図１２】種々の熱伝導率を有する放熱層を用いた素子
について、定電流駆動下における輝度半減時間と駆動時
間の関係を示す図
【図１３】従来の有機ＥＬ素子の断面図
【図１４】従来の有機ＥＬ素子の断面図
【符号の説明】
１０１ 基板 １０２ 反射電極 １０３ 発光領域 １０４ 透明電極 １０５ 保護膜 １０６ 光取り出し面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ 33/22 33/22 Ｚ 33/24 33/24 33/28 33/28 Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｈ０５Ｋ 7/20 Ｂ Ｆターム(参考） 3K007 AB14 BA06 CB01 CB03 CC01 DA01 DB03 EA01 EA04 EB00 5C094 AA03 AA33 AA35 AA37 AA55 BA03 BA27 CA19 DA07 DA09 DA13 DA15 EA05 EA06 EB02 EB04 ED11 ED13 FA02 FB02 FB03 FB15 FB20 JA08 JA20 5E322 AA11 FA04

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に少なくとも第１の電極、有機材
    料を含む発光領域、第２の電極が順に形成され、前記基
    板と前記第１の電極の間に絶縁性の放熱層を有し、前記
    放熱層の熱伝導率が５０Ｗ／ｍＫ以上である発光素子。
  2. 【請求項２】 第２の電極が透明又は半透明であって、
    第２の電極側から光取り出しをすることを特徴とする請
    求項１に記載の発光素子。
  3. 【請求項３】 基板と第１の電極の間に、前記基板上に
    散乱層、絶縁性の放熱層が順に形成され、前記放熱層に
    より散乱層表面が平坦化されていることを特徴とする請
    求項１又は２に記載の発光素子。
  4. 【請求項４】 放熱層の膜厚は、１５ｎｍ以上であるこ
    とを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の
    発光素子。
  5. 【請求項５】 放熱層は、反射層を兼ねることを特徴と
    する請求項１又は４に記載の発光素子。
  6. 【請求項６】 放熱層は、多層膜であることを特徴とす
    る請求項１から５のいずれか１項に記載の発光素子。
  7. 【請求項７】 基板上に少なくとも第１の電極、有機材
    料を含む発光領域、第２の電極が順に形成され、前記基
    板と前記第２の電極上に絶縁性の放熱層を有し、前記放
    熱層の熱伝導率が５０Ｗ／ｍＫ以上である発光素子。
  8. 【請求項８】 放熱層は、少なくともアルミニウム、マ
    グネシウム、ケイ素、炭素を含む化合物を有することを
    特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の発光
    素子。
  9. 【請求項９】 放熱層は、少なくとも窒化アルミニウ
    ム、ダイヤモンドライクカーボン、酸化マグネシウム、
    又は炭化ケイ素を含むことを特徴とする請求項１から７
    のいずれか１項に記載の発光素子。
  10. 【請求項１０】 請求項１から９のいずれか１項に記載
    の発光素子に、発光素子を駆動する駆動素子を加えた表
    示装置。
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