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JP2003005710A - 電流駆動回路及び画像表示装置 - Google Patents

電流駆動回路及び画像表示装置

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Publication number
JP2003005710A
JP2003005710A JP2001191135A JP2001191135A JP2003005710A JP 2003005710 A JP2003005710 A JP 2003005710A JP 2001191135 A JP2001191135 A JP 2001191135A JP 2001191135 A JP2001191135 A JP 2001191135A JP 2003005710 A JP2003005710 A JP 2003005710A
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JP
Japan
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transistor
current
gate
transistors
signal
Prior art date
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Pending
Application number
JP2001191135A
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English (en)
Inventor
Shigeo Nishitoba
茂夫 西鳥羽
Koichi Iguchi
康一 井口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Priority to US10/176,084 priority patent/US6774877B2/en
Priority to KR10-2002-0035812A priority patent/KR100443238B1/ko
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機ＥＬ画像表示装置などに適した電流駆動
回路において、カレントミラー回路を使用しつつ、カレ
ントミラー回路を構成するトランジスタ間のばらつきの
影響を軽減する。 【解決手段】 カレントミラー回路を構成するトランジ
スタ６，８のソースと電源線１との間に、線形領域（非
飽和領域）で動作するトランジスタ７，９を設け、トラ
ンジスタ６，８のしきい値電圧のばらつきによる影響を
低減する。トランジスタ７，９のゲートは、それぞれ、
トランジスタ６，８のゲートに接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）素子などの電流駆動型の素子を駆
動する電流駆動回路と、このような電流駆動回路が組み
込まれるとともに発光素子として電流駆動型の素子を使
用する画像表示装置とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの出力装置や携帯電
話機などに用いられる画像表示装置として、有機ＥＬ素
子などの電流駆動型の発光素子を用いたものが注目を集
めている。有機ＥＬ素子は、有機発光ダイオードとも呼
ばれ、直流で駆動できるという利点を有している。有機
ＥＬ素子を画像表示装置に用いる場合、画素ごとの有機
ＥＬ素子を基板上にマトリクス状に配置して表示パネル
を構成するのが一般的である。そして、この基板上にＴ
ＦＴ（薄膜トランジスタ；thin film transistor）を形
成し、ＴＦＴを介して各画素の有機ＥＬ素子を駆動す
る、アクティブマトリクス型の構成が検討されている。
【０００３】ところで、有機ＥＬ素子は電流駆動型の素
子であるため、有機ＥＬ素子をＴＦＴで駆動する場合、
電圧駆動型の素子である液晶セルを用いるアクティブマ
トリクス型液晶表示装置と同じ回路構成を用いることは
できない。そこで従来より、有機ＥＬ素子とＭＯＳ(met
al-oxide-semiconductor)トランジスタであるＴＦＴと
を直列に接続して電源線と接地線との間に挿入し、ＴＦ
Ｔのゲートに制御電圧を印加できるようにするととも
に、この制御電圧を保持する保持コンデンサをＴＦＴの
ゲートに接続し、さらに、各画素に対して制御電圧を印
加するための信号線とＴＦＴとの間にスイッチング素子
を設けたアクティブマトリクス駆動回路が提案されてい
る。この回路では、信号線上に各画素に対する制御電圧
を時分割形態で出力するとともに、各スイッチング素子
は、対応する画素に対する制御電圧が出力されているタ
イミングのみ導通状態となるように制御される。その結
果、スイッチング素子が導通状態になれば、そのときの
制御電圧がＴＦＴのゲートに印加されて制御電圧に応じ
た電流が有機ＥＬ素子を流れるようになるとともに、保
持コンデンサがその制御電圧で充電される。この状態で
スイッチング素子が遮断状態に遷移すれば、保持コンデ
ンサの作用により、既に印加されている制御電圧がＴＦ
Ｔのゲートに印加され続けることとなり、有機ＥＬ素子
には、その制御電圧に応じた電流が流れ続けることとな
る。
【０００４】しかしながらこの従来の回路では、ＴＦＴ
の特性にばらつきがあると、同じ制御電圧を印加したと
しても画素ごとの有機ＥＬ素子に流れる電流がばらつく
こととなり、特に階調表示を行なう場合に適切な表示を
行なえないこととなる。また、微細な信号線上での電圧
降下によっても、有機ＥＬ素子に流れる電流がばらつく
こととなる。
【０００５】そこで本出願人は、上記の問題点を解決す
るために、既に、特開平１１−２８２４１９号公報にお
いて、アクティブマトリクス型画像表示装置として構成
する際に、その画像表示装置の画素を構成する有機ＥＬ
素子などの電流駆動型の能動素子を駆動するのに適した
電流駆動回路を提案している。図２０は、特開平１１−
２８２４１９号公報において提案した電流駆動回路の基
本回路構成を示す回路図である。ここでは１画素分の回
路が示されている。
【０００６】図２０に示す回路は、ｎチャネルトランジ
スタ５６，５８からなるカレントミラー回路によって、
信号線５３上の信号電流を有機ＥＬ素子６１に流れる駆
動電流に変換し、有機ＥＬ素子６１が信号電流に応じた
駆動電流で定電流駆動されるようにした回路である。電
源電圧が正であるとして、電源線５１と接地線５２が設
けられ、トランジスタ５８の負荷として設けられている
有機ＥＬ素子６１のアノードが電源線５１に接続し、カ
ソードがトランジスタ５８のドレインに接続する。トラ
ンジスタ５６，５８のソースはそれぞれ接地線５２に接
続する。トランジスタ５６のゲートとドレインは相互に
接続するとともに、スイッチ素子６２を介してトランジ
スタ５８のゲートに接続する。トランジスタ５８のゲー
トと接地線５２との間には、保持容量６０が設けられて
いる。トランジスタ５６のドレインは、スイッチ素子６
３を介して信号線５３に接続する。スイッチ素子６２，
６３は、例えばＭＯＳスイッチなどからなり、その制御
端子（ＭＯＳトランジスタを用いている場合であればゲ
ート）は選択線５４に接続する。
【０００７】選択線５４が活性状態となってスイッチ素
子６２，６３が導通状態になると、信号線５３から供給
される信号電流がスイッチ素子６３を介してダイオード
接続されたトランジスタ５６に流れるとともに、保持容
量６０の両端の電圧がトランジスタ５６のゲート・ソー
ス間電圧となるまで、この保持容量６０を充電する。ト
ランジスタ５６とトランジスタ５８とはカレントミラー
回路を構成しているので、トランジスタ５６，５８のチ
ャネル長、チャネル幅が同一であるとすれば、信号線５
３からの信号電流と同じ大きさ電流がトランジスタ５８
に流れることなり、負荷である有機ＥＬ素子６１にこの
電流が流れることとなる。
【０００８】選択線５４が非活性状態に遷移してスイッ
チ素子６２，６３が遮断状態となると、スイッチ素子６
３が遮断状態なので信号線５３からは信号電流は供給さ
れないが、スイッチ素子６２も遮断状態であるので、ト
ランジスタ５８のゲートに接続された保持容量６０に
は、スイッチ素子６２，６３が導通状態であったときの
電圧レベルがそのまま保持されていることとなり、トラ
ンジスタ５８は、スイッチ素子６２，６３が導通状態の
ときと同じ値の電流を負荷である有機ＥＬ素子６１に流
し続けることになる。
【０００９】この回路では、信号線に制御電圧を印加す
るのではなくて信号電流を流すようにしているので、信
号線における電圧降下の影響を受けにくくなるととも
に、カレントミラー回路を用いているので、画素間での
トランジスタの特性に違いに左右されることなく、信号
電流に応じた駆動電流を得ることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
電流駆動回路を構成するトランジスタをアモルファスシ
リコンＴＦＴ（薄膜トランジスタ）あるいは多結晶シリ
コンＴＦＴで構成した場合、単結晶シリコン半導体上に
形成されるトランジスタの場合と異なって、たとえこれ
らのＴＦＴを隣接させて配置させた場合であっても、し
きい値電圧Ｖthが数十ミリボルトのオーダーでばらつく
ことがある。そのため、図２０に示す回路においてカレ
ントミラー回路を形成するトランジスタ５６，５８を隣
接させて配置させたとしても、しきい値のばらつきを抑
えることが難しく、結果として、両方のトランジスタ５
６，５８の整合を得ることは難しくなる。また、カレン
トミラー回路を構成するトランジスタ間の整合がとれな
くなる原因としては、しきい値だけでなく、キャリア移
動度やゲート酸化膜厚のばらつき等もある。しきい値や
キャリア移動度、ゲート酸化膜厚などがばらつく結果、
トランジスタ間の整合が得られなくなり、カレントミラ
ー回路の入出力特性が大きくばらつくこととなる。
【００１１】図２０に示す回路は、トランジスタ５６，
５８で構成されるカレントミラー回路を介して、信号線
５３から供給される信号電流を負荷である有機ＥＬ素子
６１に伝達する構成であるが、上述のようにトランジス
タ５６とトランジスタ５８とのゲート・ソース間の電圧
の整合が得られない場合には、信号線５３からの信号電
流を負荷である有機ＥＬ素子６１に正確には伝達できな
いことなる。図２１は、カレントミラー回路を構成する
２つのトランジスタ５６，５８のしきい値Ｖthが各々５
０ｍＶばらついた場合のそのカレントミラー回路の入出
力伝達特性を示したものである。各トランジスタ５６，
５８は、チャネル長及びチャネル幅がいずれも４μｍで
あるとした。図示中央の斜めの直線はしきい値のばらつ
きがないとした場合の伝達特性を示しており、その両脇
の直線はしきい値のばらつきがあったとした場合の伝達
特性を示している。図２１に示すように、しきい値Ｖth
が±５０ｍＶ程度ばらついた場合には、出力電流すなわ
ち有機ＥＬ素子を流れる電流が約±１３％ばらつく。
【００１２】そのため、図２０に示した電流駆動回路に
おいても、ＴＦＴを用いて回路を構成して有機ＥＬ画像
表示装置に適用した場合に、画素間で階調誤差を生じ、
表示パネルにおける画質低下がもたらされ、さらには製
造歩留まりの低下につながってコスト増の一因となるこ
とがある、という、解決すべき課題が残されている。
【００１３】そこで本発明の目的は、有機ＥＬ画像表示
装置などに適した電流駆動回路であって、カレントミラ
ー回路を使用しつつ、カレントミラー回路を構成するト
ランジスタ間のばらつきの影響を軽減した電流駆動回路
と、このような電流駆動回路を有する画像表示装置と、
を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述したよう
なカレントミラー回路を用いた電流駆動回路に関するも
のである。カレントミラー回路としては各種の形態のも
のがあるが、その基本的な構成は、ドレイン電流に応じ
たゲート電位を発生する第１のトランジスタと、電流駆
動型の素子がドレインに接続される第２のトランジスタ
とも備え、第１のトランジスタのゲート電位に応じた電
位が第２のトランジスタのゲートに印加されるようにし
たものである。このように構成することによって、第１
のトランジスタに信号電流を流したときに、第２のトラ
ンジスタが信号電流に応じたドレイン電流で電流駆動型
の素子を駆動することになる。このようなカレントミラ
ー回路に対し、本発明では、第１のトランジスタのゲー
トに接続するゲートを有し、第１のトランジスタのソー
スに直列に接続して非飽和領域で動作する第３のトラン
ジスタと、第２のトランジスタのゲートに接続するゲー
トを有し、第２のトランジスタのソースに直列に接続し
て非飽和領域（線形領域）で動作する第４のトランジス
タとを設け、カレントミラー回路を構成するトランジス
タ間のばらつきの影響を軽減している。第３及び第４の
トランジスタは、ここでは、実質的に抵抗として動作す
ることになる。
【００１５】カレントミラー回路の形式や構成の違いに
より、本発明においては第３及び第４のトランジスタの
配置方法は種々に変化し得るものであるが、それらの具
体的な例は、後述する発明の実施の形態から明らかにな
るであろう。
【００１６】すなわち本発明の本発明の電流駆動回路
は、ドレイン電流に応じたゲート電位を発生する第１の
トランジスタと、電流駆動型の素子がドレインに接続さ
れる第２のトランジスタとを少なくとも有し、第１のト
ランジスタのゲート電位に応じた電位が第２のトランジ
スタのゲートに印加されることにより、第２のトランジ
スタが素子を第１のトランジスタのドレイン電流に対応
した電流で駆動するカレントミラー回路と、第２のトラ
ンジスタのゲート電位を保持する保持容量と、入力する
制御信号に応じて、信号電流を与える信号線に前記第１
のトランジスタのドレインを接続する第１のスイッチ素
子と、入力する制御信号に応じて導通状態と遮断状態の
いずれかの状態となり、導通状態のときにカレントミラ
ー回路が動作するようにし、遮断状態のときにはカレン
トミラー回路を動作させないとともに保持容量からの充
放電経路を遮断する第２のスイッチ素子と、第１のトラ
ンジスタのソース電流及び第２のトランジスタのソース
電流を与える線と第１のトランジスタのソースとの間に
挿入され、非飽和領域で動作する第３のトランジスタ
と、第１のトランジスタのソース電流及び第２のトラン
ジスタのソース電流を与える線と第２のトランジスタの
ソースとの間に挿入され、非飽和領域で動作する第４の
トランジスタと、を有する。
【００１７】 ［発明の詳細な説明］次に、本発明の好ましい実施の形
態について、図面を参照して説明する。
【００１８】図１は、本発明の第１の実施の形態の電流
駆動回路の構成を示す回路図である。この電流駆動回路
は、図２０に示した従来の電流駆動回路と同様に、カレ
ントミラー回路を備え、信号線３から供給される信号電
流に応じた駆動電流によって有機ＥＬ素子１１を定電流
駆動するものである。ただし、図１に示した回路では、
カレントミラーを構成するＭＯＳトランジスタをｐチャ
ネル型としており、それに伴って、図２０に示した回路
とは、電源線と接地線との間でのカレントミラー回路や
有機ＥＬ素子の配置関係が逆転している。そして図１に
示した回路が図２０に示した回路と最も大きく相違する
点は、カレントミラー回路を構成する各トランジスタ
６，８のソース側に、さらにトランジスタ７，９が挿入
され、いわゆるダブルゲート構造となっている点であ
る。以下、図１に示す電流駆動回路をさらに詳しく説明
する。ここでは、電源電圧が正であるとする。
【００１９】電源電圧が印加される電源線１と接地電位
に保たれる接地線２とが設けられており、有機ＥＬ素子
１１のカソードは接地線２に接続し、アノードはトラン
ジスタ８のドレインに接続している。トランジスタ８の
ソースはトランジスタ９のドレインに接続し、トランジ
スタ９のソースは電源線１に接続している。トランジス
タ８，９のゲートは相互に接続する。保持容量（保持コ
ンデンサ）１０が、トランジスタ８，９の共通接続され
たゲートと電源線１との間に設けられている。
【００２０】トランジスタ６のドレインとゲートは相互
に接続し、さらにトランジスタ７のゲートにも接続して
いる。トランジスタ６のソースはトランジスタ７のドレ
インに接続し、トランジスタ７のソースは電源線１に接
続している。トランジスタ６のゲートはスイッチトラン
ジスタ１２を介してトランジスタ８のゲートに接続す
る。トランジスタ６のドレインはスイッチトランジスタ
１３を介して信号線３に接続している。スイッチトラン
ジスタ１２，１３のゲートは、選択線４に接続する。
【００２１】この回路において、トランジスタ６〜９及
びスイッチトランジスタ１２，１３は、いずれもｐチャ
ネルＭＯＳトランジスタであって、典型的にはＴＦＴと
して形成される。トランジスタ６〜９によってダブルゲ
ート構造のカレントミラー回路が構成されているが、こ
の中で、トランジスタ６，８は本来のカレントミラー回
路として機能するものであって、ＭＯＳトランジスタの
飽和領域で動作する。これに対してトランジスタ７，９
は、トランジスタ６，８のしきい値Ｖthのばらつきなど
を補償するためのものであって、非飽和領域（線形領
域）で動作し、ゲート・ソース間電圧に応じた抵抗値を
有する実質的な抵抗として機能する。画像表示パネル上
に画素ごとに電流駆動回路を設ける用途においてＴＦＴ
の配置の容易さを考慮すると、トランジスタ６，７のチ
ャネル幅は相互に等しくすることが好ましく、またトラ
ンジスタ８，９のチャネル幅は相互に等しくすることが
好ましい。また、トランジスタ６，８をカレントミラー
回路として飽和領域で動作させるのに対し、トランジス
タ７，９を非飽和領域で動作させることを考慮すると、
トランジスタ７，９のチャネル長は非飽和領域として動
作するのに十分なものでなくてはならない。
【００２２】次に、この電流駆動回路の動作について、
図２のタイミングチャートを用いて説明する。図２０に
示す回路と異なってｐチャネルのトランジスタを用いて
いるので、選択線４は、ローレベルが活性状態であり、
ハイレベルが非活性状態である。
【００２３】選択線４がローレベルになって活性状態と
なると、スイッチトランジスタ１３が導通状態となるの
で、信号線３から信号電流が供給されてトランジスタ
６，７を流れることになる。このときスイッチトランジ
スタ１２も導通状態であるから、トランジスタ６〜９に
よって構成されるダブルゲート構造のカレントミラー回
路が動作し、トランジスタ８のドレインから負荷である
有機ＥＬ素子１１へ電流が供給される。信号線３から供
給される信号電流はトランジスタ９のゲート・ソース間
電圧に変換され、この変換されたゲート・ソース間電圧
まで、保持容量１０が充電される。保持容量１０は、信
号線３から供給される信号電流によって変換されたトラ
ンジスタ９のゲート・ソース間電圧を保持する。
【００２４】選択線４がハイレベルになり非活性状態に
遷移すると、スイッチトランジスタ１２，１３は遮断状
態となり、トランジスタ６，７は遮断状態となる。一
方、スイッチトランジスタ１２が遮断状態であるため、
保持容量１０には先に変換されたゲート・ソース間電圧
が保持されたままであり、保持容量１０に保持された電
圧によって、トランジスタ８，９のゲートが駆動され
る。その結果、トランジスタ８，９は、有機ＥＬ素子１
１に、選択線４が導通状態の時と同じ電流を供給し続け
る。
【００２５】図３は、図１に示す回路において、上述し
たダブルゲート構造のカレントミラー回路を構成するト
ランジスタのしきい値Ｖthが±５０ｍＶばらつくとき
に、このカレントミラー回路の入出力特性がどのように
ばらつくかを示したグラフである。ここでは、トランジ
スタ６〜９は、いずれもチャネル長が４μｍ、チャネル
幅が４μｍであるものとした。図３より、ダブルゲート
構造とすることによって、出力電流のばらつきは±３％
に低減されることが分かる。なお、図２１に示したよう
に、カレントミラー回路をダブルゲート構造にしない場
合には、同じ条件で出力電流が±１３％ばらつく。ま
た、しきい値だけでなく、薄膜トランジスタにおけるキ
ャリアの移動度、ゲート酸化膜厚などがばらついても、
ダブルゲート構造を採用することによって、カレントミ
ラー回路の出力電流は同様に低減される。
【００２６】図４は、トランジスタのしきい値が±５０
ｍＶばらつくとして、図１に示す回路において、トラン
ジスタ７，９のチャネル長とカレントミラー回路の出力
電流のばらつきとの関係を示している。トランジスタ
６，８のチャネル長は４μｍであり、またトランジスタ
６〜９のチャネル幅は４μｍである。図４から明らかな
ように、トランジスタ７，９のチャネル長を長くするほ
どばらつきが低減される。このため、本実施形態の電流
駆動回路を画像表示装置に適用する場合、その画像表示
装置に要求される画質等の品質に応じて、トランジスタ
７，９のチャネル長を選択すれば所望の特性が得られ
る。なお、トランジスタ７，９のチャネル長を長くしす
ぎると、これらトランジスタ７，９での電圧降下が大き
くなりすぎ、消費電力や電源電圧の面では好ましくな
い。トランジスタ７，９のチャネル長は、トランジスタ
６，８のチャネル長の０．５倍以上とすることが好まし
く、１倍以上４倍以下とすることがさらに好ましい。
【００２７】このように、本実施形態では、カレントミ
ラー回路を構成するトランジスタ６，７及びトランジス
タ８，９は、いずれもダブルゲート構造となるように
し、トランジスタ７，９を線形領域で実質的に抵抗とし
て使用することにより、トランジスタ７，９に発生する
電圧が支配的となって、トランジスタ６，８のゲート・
ソース間の電圧のばらつきが低減されて、入出力電流間
のばらつきの少ないカレントミラー回路を実現すること
ができる。
【００２８】図５は、図１に示した電流駆動回路をマト
リクス状に配置して構成した画像表示装置を示してい
る。図５においては、図１に示した電流駆動回路が、画
素２１として、ｍ行ｎ列で配列している。同じ行に属す
る画素２１は、それぞれ電源線１及び接地線２を共有
し、各行の電源線１は１つにまとめられて直流の電源２
２の一端に接続し、各行の接地線２は１つにまとめられ
て電源２２の他端に接続する。また、同じ行に属する画
素２１は、選択線４を共有しており、合計ｍ本の選択線
４には、それぞれ、制御信号を発生する信号ドライバ２
４が接続されている。一方、同じ列に属する画素２１は
信号線３を共有しており、合計ｎ本の信号線３には、そ
れぞれ、信号電流を発生する電流ドライバ２３が接続さ
れている。さらにこの画像表示装置は、不図示の制御回
路を備えており、各電流ドライバ２３が出力する電流値
や各信号ドライバ２４での制御信号の発生タイミング
は、この制御回路によって制御されている。
【００２９】ｍ個の信号ドライバ２４は順番に制御信号
を出力し、これにより、第１行目から第ｍ行目までの選
択線４に順番に制御信号が出力されることになる。これ
に対し、ｎ個の電流ドライバ２３は、選択線４により選
択されている行についてその行に属する画素２１に対す
る信号電流を並列に出力する。この結果、選択されてい
る行の各画素２１を構成する電流駆動回路に、電流ドラ
イバ２１から信号電流が供給されることとなり、信号電
流に対応した発光を有機ＥＬ素子１１は行う。また、上
述したように、選択線４によって選択されていた行が選
択されなくなった場合、その行の各画素２１においては
選択されていたときと同じ電流が有機ＥＬ素子１１に流
れ続けることとなる。
【００３０】図１に示した電流駆動回路では、スイッチ
トランジスタ１２，１３としてｐチャネル構造のトラン
ジスタを使用しているが、ｎチャネル構造のトランジス
タを使用しても構わない。その場合、選択線４がハイレ
ベルの時、スイッチトランジスタ１２，１３は導通し、
トランジスタ６〜９で構成されるダブルゲート構造のカ
レントミラー回路が動作する。一方、選択線４がローレ
ベルの時、スイッチトランジスタ１２，１３は遮断状態
となる。
【００３１】さらに、スイッチトランジスタ及びダブル
ゲート構造のカレントミラー回路を構成するトランジス
タの全てをｎチャネルトランジスタによって構成しても
よい。その場合の回路構成を図６に示す。トランジスタ
の導電型が逆になったことにより、有機ＥＬ素子１１は
（正電源である）電源線１に接続し、接地線２側にカレ
ントミラー回路が設けられることになる。この回路で
は、選択線４がハイレベルのときカレントミラー回路が
動作する。
【００３２】次に、本発明の第２の実施形態の電流駆動
回路について説明する。図７は第２の実施形態の電流駆
動回路の構成を示す回路図であり、図８はこの電流駆動
回路の動作を示すタイミングチャートである。
【００３３】図１に示した回路では、選択線４がスイッ
チトランジスタ１２，１３のゲートに共通に接続してい
たが、図７に示す回路では、この選択線を分離し、選択
線４はスイッチトランジスタ１２のゲートに接続し、選
択線５がスイッチトランジスタ１３のゲートに接続する
ようにしている。この回路では、選択線４，５がローレ
ベル（活性状態）となって信号線３からの信号電流が電
圧に変換された後、この電圧を保持容量１０において確
実に保持できるようにするため、図８に示すように、選
択線４を先にハイレベルにしてスイッチトランジスタ１
２を遮断状態とした後、選択線５をハイレベルとしてス
イッチトランジスタ１３を遮断状態とする。
【００３４】なお、図７に示した回路では、スイッチト
ランジスタ１２，１３にｐチャネルランジスタを使用し
ているが、第１の実施の形態と同様に、ｎチャネルトラ
ンジスタを使用しても構わない。さらに、トランジスタ
６〜９としてｎチャネルトランジスタを使用するように
してもよい。
【００３５】図９は、図７に示した電流駆動回路を用い
た画像表示装置の構成を示している。同じ行に属する画
素２１は、選択線４を共有し、また選択線５を共有して
いる。図５に示した画像表示装置と異なる点は、画素２
１として図７に示した電流駆動回路を使用するため、選
択線４を駆動する信号ドライバ２４と選択線５を駆動す
る信号ドライバ２５とが別々に設けられている点であ
る。この電流駆動回路は、さらに不図示の制御回路を備
えており、各電流ドライバ２３が出力する電流値や各信
号ドライバ２４，２５での制御信号の発生タイミング
は、この制御回路によって制御されている。
【００３６】次に、本発明の第３の実施の形態の電流駆
動回路について、図１０を用いて説明する。図１に示す
回路においては、選択されていないときにカレントミラ
ー回路の動作を停止させるとともに保持容量１０に蓄積
された電荷が逃げないようにするスイッチングトランジ
スタ１２は、トランジスタ６のゲートとトランジスタ８
のゲートとの間に設けられていた。しかしながら、スイ
ッチトランジスタ１２の位置はこれに限られるものでは
ない。図１０に示す回路は、図１に示す回路において、
スイッチトランジスタ１２をトランジスタ６のゲートと
ドレインとの間に挿入し、そのかわり、トランジスタ６
のゲートとトランジスタ８のゲートとを直接接続した構
成のものである。
【００３７】図１０に示す回路において、選択線４がロ
ーレベル（活性状態）のときの動作は、スイッチトラン
ジスタ１２，１３が導通状態にあるので、図１に示す回
路と同じである。また、選択線４がハイレベル（非活性
状態）に遷移したときは、トランジスタ６のドレインと
ゲートとの間が分離するので、トランジスタ６，８はカ
レントミラー回路としては動作しなくなる。また、スイ
ッチトランジスタ１２が遮断状態となるので、保持容量
１０に保持された電荷の流出入パスがなくなり、保持容
量１０は、選択されていたときに保持した電圧をそのま
ま維持し、その結果、有機ＥＬ素子１１には、選択され
ていたときと同じ電流が流れ続けることになる。この図
１０に示す電流駆動回路を用いることによって、図５に
示す画像表示装置と同様の画像表示装置を構成すること
ができる。
【００３８】図１１は、第３の実施の形態の電流駆動回
路の別の例を示している。この回路は、図１０に示した
ものと同様の回路であるが、第２の実施形態の回路（図
７）と同様に選択線を分離して、選択線４はスイッチト
ランジスタ１２のゲートに接続し、選択線５がスイッチ
トランジスタ１３のゲートに接続するようにしている。
この回路では、選択線４，５がローレベル（活性状態）
となって信号線３からの信号電流が電圧に変換された
後、この電圧を保持容量１０において確実に保持できる
ようにするため、選択線４を先にハイレベルにしてスイ
ッチトランジスタ１２を遮断状態とした後、選択線５を
ハイレベルとしてスイッチトランジスタ１３を遮断状態
とする。この図１１に示す電流駆動回路を用いることに
よって、図９に示す画像表示装置と同様の画像表示装置
を構成することができる。
【００３９】図１２に示す本発明の第４の実施の形態の
電流駆動回路は、図１に示す回路に対し、信号線３の寄
生容量１４を明示的に付加したものである。各実施の形
態の電流駆動回路において、トランジスタ６〜９やスイ
ッチトランジスタ１２，１３などは、通常、絶縁ゲート
構造を有するＴＦＴによって形成されるが、ＴＦＴ構造
における配線層は、通常、アルミニウム（Ａｌ）配線あ
るいはタングステンシリサイド（ＷＳｉ）等によって形
成される。そして配線部分が交差することなどによっ
て、寄生容量１４が発生する。信号電流が充分大きい場
合には、多少の寄生容量があってもその寄生容量を充電
に要する時間はわずかであるため問題とならないが、こ
の電流駆動回路を有機ＥＬアクティブマトリクス表示装
置に適用する場合には信号電流の電流レベルが微小とな
るため（例えばマイクロアンペアのオーダー）、信号線
３から供給される信号電流が寄生容量１４の充電に使用
され、選択線４がローレベルである間に保持容量１０の
両端の電圧が本来予定されている電圧に達しないおそれ
がある。本来予定されている電圧とは、電流ドライバ２
３（図５参照）が信号線３に出力した電流に対応する電
圧のことである。ローレベルである間に保持容量１０の
両端が本来予定されている電圧に達しなければ、有機Ｅ
Ｌ素子１１を流れる電流も、電流ドライバ２３から信号
線３に出力された電流に達しないものとなり、有機ＥＬ
アクティブマトリクス表示装置における表示画質の劣化
につながることとなる。
【００４０】そこで、トランジスタ６，７のチャネル幅
（ゲート幅）をトランジスタ８，９のチャネル幅のＮ倍
にそれぞれ設定すると（Ｎ＞１とする）、有機ＥＬ素子
１１に流すべき電流値は変化させないものとして、信号
線３から供給される信号電流は図１の場合の信号電流に
比べてＮ倍となるため、信号線３に寄生容量１４が存在
してもその充電時間は短縮される。また当然ながら、保
持容量１０への充電もＮ倍の電流で行われるため、充電
時間が短縮される。なお、信号線３に付加される寄生容
量１４の値、保持容量１０の値、選択線４がローレベル
である期間の長さ等を考慮して、Ｎの値を選択すればよ
い。
【００４１】次に、本発明の第５の実施形態の電流駆動
回路について、図１３を用いて説明する。この電流駆動
回路は、図１に示す回路において、トランジスタ８のド
レインと有機ＥＬ素子１１のアノードとの間にｐチャネ
ルＭＯＳトランジスタ１５（典型的にはＴＦＴである）
を挿入し、いわゆるウィルソン型のカレントミラー回路
にしたものである。トランジスタ６のドレインとゲート
とは相互に直接接続されず、スイッチトランジスタ１２
は、トランジスタ６のドレインとトランジスタ１５のゲ
ートとの間に設けられており、その代わりに、トランジ
スタ６のゲートはトランジスタ８のゲートに直接接続し
ている。さらに、トランジスタ８のゲートは、トランジ
スタ９のゲートのみならずトランジスタ８のドレインに
も接続している。保持容量１０は、電源線１とトランジ
スタ１５のゲートとの間に設けられている。
【００４２】この電流駆動回路は、ウィルソン型のカレ
ントミラー回路として構成することにより、有機ＥＬ素
子１１に流れる出力電流の電源電圧依存性を低減してい
る。この電流駆動回路の動作は、図１に示した回路の動
作と同様である。またこの図１３に示す電流駆動回路を
用いることによって、図５に示す画像表示装置と同様の
画像表示装置を構成することができる。
【００４３】図１４に示す本発明の第６の実施の形態の
電流駆動回路は、図１に示す回路に対して、ＴＦＴであ
るｐチャネルＭＯＳトランジスタ１５，１６を追加し
て、トランジスタ６，８のソース・ドレイン間の電圧が
等しくなるようにし、出力電流の電源電圧に対する変動
が低減するようにしたものである。すなわち、図１に示
す回路において、トランジスタ６のドレインとスイッチ
トランジスタ１３との間にトランジスタ１６が追加さ
れ、トランジスタ１６のドレインとゲートを相互に接続
し、トランジスタ８のドレインと有機ＥＬ素子１１のア
ノードとの間にトランジスタ１５が追加されている。ス
イッチトランジスタ１２は、トランジスタ１５のゲート
とトランジスタ１６のゲートの間に設けられており、そ
の代わりに、トランジスタ６のゲートとトランジスタ８
のゲートとは直接接続している。保持容量１０は、電源
線１とトランジスタ１５のゲートの間に設けられてい
る。
【００４４】図１４に示す回路は、結局、２段のカレン
トミラー回路をカスケード接続し、負荷である有機ＥＬ
素子１１から遠い方のカレントミラー回路を上述したよ
うなダブルゲート構造のカレントミラー回路としたもの
である。カスケード接続されるカレントミラー回路の段
数は２段に限られるものではなく３段以上としてもよい
が、段数を増やしすぎると電圧使用効率の低下などがも
たらされる。カスケード接続とした場合、各段のカレン
トミラー回路のそれぞれに非飽和領域で動作するＭＯＳ
トランジスタを追加するのではなく、負荷である有機Ｅ
Ｌ素子１１から最も離れている段のカレントミラー回路
のみに非飽和領域で動作するＭＯＳトランジスタを追加
し、この段のみが上述したダブルゲート構造のカレント
ミラー回路となるようにすればよい。
【００４５】なお、図１４に示す電流駆動回路の動作
は、図１に示す回路の動作と同様である。また、図１４
に示す電流駆動回路を用いることによって、図５に示す
画像表示装置と同様の画像表示装置を構成することがで
きる。
【００４６】図１５に示す本発明の第７の実施の形態の
電流駆動回路は、図１に示す回路において、スイッチト
ランジスタ１２のリーク電流を低減するために、スイッ
チトランジスタ１２と並列に、ｐチャネルＭＯＳトラン
ジスタであるスイッチトランジスタ１７を追加したもの
である。スイッチトランジスタ１７のゲートは、スイッ
チトランジスタ１２のゲートに接続しており、これによ
り、選択線４に接続する。
【００４７】スイッチトランジスタ１２にリーク電流が
発生すると、保持容量１０に蓄積された電荷がスイッチ
トランジスタ１２の遮断時にリークし、保持容量１０の
両端の電圧が変化して、有機ＥＬ素子１１に流れる電流
が本来の電流からずれることとなり、画像表示装置の場
合であれば画質劣化が引き起こされることになる。この
実施の形態では、スイッチトランジスタ１２に並列にス
イッチトランジスタ１７を追加してあるので、リーク電
流がより低減され、画像表示装置に適用した場合であれ
ば画質劣化が防止される。
【００４８】次に、本発明の第８の実施の形態について
説明する。図１６は第８の実施の形態の電流駆動回路の
構成を示す回路図であり、図１７はこの回路の動作を説
明するタイミングチャートである。図１６に示す回路
は、図１２に示す回路において、電源線１と信号線３と
の間にリセット用トランジスタ１８を設けた構成のもの
である。リセット用トランジスタ１８はｐチャネルＭＯ
Ｓトランジスタであって、そのゲートは選択線１９に接
続する。
【００４９】図１２に示す回路では、信号線３から供給
される信号電流が最大電流（白レベル）から最小電流
（黒レベル）に変化した場合、保持容量１０は最大の電
圧レベルから、最小の電圧レベルまで放電を行う必要が
ある。しかし、信号電流が最小電流であるために放電時
間が長くなり、選択線４がローレベルである選択期間内
に保持容量１０の放電が完了しないことがある。また、
ダブルゲート構造のカレントミラー回路の場合、ゲート
・ソース間電圧、すなわち、保持容量１０の両端の電圧
は、従来の回路の一例として図２０に示すようなシング
ルゲート構造のカレントミラー回路のゲート・ソース間
電圧よりも大きくなる。したがって、上記のように信号
線３から供給される信号電流が最大電流（白レベル）か
ら最小電流（黒レベル）に変化した場合、保持容量１０
に蓄積された電荷の放電時間が長くなる。保持容量１０
の放電が完全には終了しなかった場合には、本来、保持
容量の両端の電圧は最小電位であるべきにもかかわら
ず、電位が残存し、画像表示装置として使用した場合で
あれば、黒レベル浮きの状態となって、黒が正しく表示
されないという不具合が生じる。
【００５０】そこで図１６に示す回路では、この不具合
を防止するため、選択線４がローレベルとなると同時
に、リセット用トランジスタ１８のゲートに接続された
選択線１９をローレベルとし、リセット用トランジスタ
１８を導通状態とする。リセット用トランジスタ１８に
よって、信号線３に付加された寄生容量１４は電源線１
の電圧レベルまで充電されるとともに、保持容量１０に
蓄積されていた電荷は放電されてしまう。選択線１９の
ローレベルの開始は図１４に示したように選択線４のロ
ーレベルの開始と同時であり、選択線１９のローレベル
の期間は、スイッチトランジスタ１２，１３，１８を介
して保持容量１０が放電し得る時間でよいため、選択線
４がローレベルである期間より充分短くてよい。
【００５１】リセット用トランジスタ１８は、最低限、
各列の信号線３ごとに設ければよいので、アクティブマ
トリクス有機ＥＬ表示パネル外で信号線３及び選択線４
を駆動する回路内に設けてもよいし（この場合は選択線
４上の信号から選択線１９上の信号を生成すればよ
い）、あるいは、パネル内に画素ごとに設けることとし
て、トランジスタ６〜９やスイッチトランジスタ１２，
１３と同様にアモルファスシリコンＴＦＴあるいは多結
晶シリコンＴＦＴで構成してもよい。
【００５２】次に、本発明の第９の実施の形態について
説明する。図１８は第９の実施の形態の電流駆動回路の
構成を示す回路図であり、図１９はこの回路の動作を説
明するタイミングチャートである。
【００５３】図１８に示す回路は、上述した図１６に示
す回路において、リセット用トランジスタ１８のソース
と電源線１との間に定電圧源２０を設けたものである。
【００５４】図１６に示す回路では、リセット用トラン
ジスタ１８によって保持容量１０は電源線１の電圧レベ
ルまで放電されるが、電流駆動回路を構成する各トラン
ジスタをアモルファスシリコンＴＦＴまたは多結晶シリ
コンＴＦＴで構成した場合、トランジスタのしきい値が
大きく、したがってそのゲート・ソース間電圧が大きく
なる。信号線３から供給される信号電流の最小電流（黒
レベル）は一般に数ｎＡのオーダーであるため、上記の
ＴＦＴのゲート・ソース間電圧はこのような電流レベル
で２〜３Ｖとなることがある。そのため、リセット用ト
ランジスタ１８によって保持容量１０を完全に放電する
必要はなく、１〜２Ｖ程度の電圧が残存していてもよ
い。そこで図１８に示す回路では、このような残存が許
容される電圧レベルに定電圧源２０の電圧を設定してお
り、その結果、リセット用トランジスタ１８を導通状態
としたときの保持容量１０の最終電圧値は、定電圧源２
０の電圧レベルに収束する。図１８に示す回路では、選
択線４がローレベルとなって信号線３から信号電流が供
給されたときに、保持容量１０は、定電圧源２０の電圧
レベルから充電を開始するため、図１６に示す回路に比
べ、保持容量１０が信号電流に応じた規定の電圧レベル
に達するまでの時間を短縮することができる。定電圧源
２０としては、定電圧ダイオードや、ダイオードの順方
向特性を用いたものの任意の定電圧素子を用いることが
できる。
【００５５】以上本発明の好ましい実施の形態につい
て、トランジスタ６〜９，１５，１６やスイッチトラン
ジスタ１２，１３，１８として典型的にはＴＦＴとして
構成されるＭＯＳトランジスタを用いる場合を説明した
が、本発明はこれに限定されるものではない。トランジ
スタ６〜９，１５，１６としては、ＭＯＳトランジスタ
に限られず、その他の絶縁ゲート型の電界効果トランジ
スタなどを用いることができる。選択線４が周期的に活
性状態になるものとしてこの一周期の時間内で保持容量
１０に蓄積された電荷を保持できるだけのゲート抵抗を
有するものであれば、必ずしも絶縁ゲート型である必要
はなく、他の種類のトランジスタであってもよい。ま
た、スイッチトランジスタ１２，１３，１８としては、
ＭＯＳトランジスタ以外の各種のトランジスタ類や、ト
ランスファゲートなどを使用することが可能である。電
流駆動される素子として上述した実施の形態では有機Ｅ
Ｌ素子を用いているが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、レーザダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード
（ＬＥＤ）などを用いることも可能である。
【００５６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、カレント
ミラー回路を構成するトランジスタに対して、非飽和領
域（線形領域）で動作し実質的に抵抗として機能するト
ランジスタを接続することにより、カレントミラー回路
の入出力電流間のばらつきが抑えられ、信号電流に基づ
いて正確に素子を駆動できる電流駆動回路が得られ、こ
れにより、有機ＥＬ画像表示装置などにおいて表示画像
の画像品質を向上することができる、という効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態の電流駆動回路を示
す回路図である。
【図２】図１の回路の動作を示すタイミングチャートで
ある。
【図３】図１の電流駆動回路においてカレントミラー回
路を構成するトランジスタ間にばらつきがあったときの
カレントミラー回路の入出力伝達特性を示すグラフであ
る。
【図４】トランジスタのしきい値がばらついたときのト
ランジスタのチャネル長とカレントミラー回路の出力電
流誤差との関係を示すグラフである。
【図５】図１に示す電流駆動回路を用いた画像表示回路
を示す回路図である。
【図６】第１の実施の形態の電流駆動回路の別の例を示
す回路図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態の電流駆動回路を示
す回路図である。
【図８】図７に示す回路の動作を示すタイミングチャー
トである。
【図９】図７に示す電流駆動回路を用いた画像表示回路
を示す回路図である。
【図１０】本発明の第３の実施の形態の電流駆動回路を
示す回路図である。
【図１１】第３の実施の形態の電流駆動回路の別の例を
示す回路図である。
【図１２】本発明の第４の実施の形態の電流駆動回路を
示す回路図である。
【図１３】本発明の第５の実施の形態の電流駆動回路を
示す回路図である。
【図１４】本発明の第６の実施の形態の電流駆動回路を
示す回路図である。
【図１５】本発明の第７の実施の形態の電流駆動回路を
示す回路図である。
【図１６】本発明の第８の実施の形態の電流駆動回路を
示す回路図である。
【図１７】図１６に示す回路の動作を示すタイミングチ
ャートである。
【図１８】本発明の第９の実施の形態の電流駆動回路を
示す回路図である。
【図１９】図１８に示す回路の動作を示すタイミングチ
ャートである。
【図２０】従来の電流駆動回路の構成を示す回路図であ
る。
【図２１】カレントミラー回路を構成するトランジスタ
間にばらつきがあったときのカレントミラー回路の入出
力伝達特性を示すグラフである。
【符号の説明】
１ 電源線 ２ 接地線 ３ 信号線 ４，５，１９ 選択線 ６〜９，１５，１６ トランジスタ １０ 保持容量（保持コンデンサ） １１ 有機ＥＬ素子 １２，１３，１７ スイッチトランジスタ １４ 寄生容量 １８ リセット用トランジスタ ２０ 定電圧源 ２１ 画素 ２２ 電源 ２３ 電流ドライバ ２４，２５ 信号ドライバ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5C080 AA06 BB05 DD05 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 JJ05 5C094 AA03 AA21 AA53 BA03 BA27 CA19 CA25 EA04 EA07

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ドレイン電流に応じたゲート電位を発生
    する第１のトランジスタと、電流駆動型の素子がドレイ
    ンに接続される第２のトランジスタとを少なくとも有
    し、前記第１のトランジスタのゲート電位に応じた電位
    が前記第２のトランジスタのゲートに印加されることに
    より、前記第２のトランジスタが前記素子を前記第１の
    トランジスタのドレイン電流に対応した電流で駆動する
    カレントミラー回路と、 前記第２のトランジスタのゲート電位を保持する保持容
    量と、 入力する制御信号に応じて、信号電流を与える信号線に
    前記第１のトランジスタのドレインを接続する第１のス
    イッチ素子と、 入力する制御信号に応じて導通状態と遮断状態のいずれ
    かの状態となり、導通状態のときに前記カレントミラー
    回路が動作するようにし、遮断状態のときには前記カレ
    ントミラー回路を動作させないとともに前記保持容量か
    らの充放電経路を遮断する第２のスイッチ素子と、 前記第１のトランジスタのソース電流及び前記第２のト
    ランジスタのソース電流を与える線と、 前記線と前記第１のトランジスタのソースとの間に挿入
    され、非飽和領域で動作する第３のトランジスタと、 前記線と前記第２のトランジスタのソースとの間に挿入
    され、非飽和領域で動作する第４のトランジスタと、 を有する電流駆動回路。
  2. 【請求項２】 前記第３及び第４のトランジスタと前記
    カレントミラー回路との間に、さらに、１段以上のカレ
    ントミラー回路が挿入されている請求項１に記載の電流
    駆動回路。
  3. 【請求項３】 前記第２のトランジスタ及び前記第４の
    トランジスタの間に挿入された第５のトランジスタを有
    し、前記第１、第２及び前記第５のトランジスタがウィ
    ルソン型のカレントミラー回路として動作する、請求項
    １に記載の電流駆動回路。
  4. 【請求項４】 前記第３のトランジスタのゲートは前記
    第３のトランジスタのドレインにソースが直接接続して
    いるトランジスタのゲートに接続し、前記第４のトラン
    ジスタのゲートは前記第４のトランジスタのドレインに
    ソースが直接接続しているトランジスタのゲートに直接
    接続している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
    電流駆動回路。
  5. 【請求項５】 第１のトランジスタと、 前記第１のトランジスタと協働してカレントミラー回路
    として動作して、ドレインに接続された電流駆動型の素
    子を駆動する第２のトランジスタと、 前記カレントミラー回路として動作しているときに前記
    第２のトランジスタに与えられたゲート電位を保持する
    保持容量と、 制御信号に応じて、信号電流を与える信号線に前記第１
    のトランジスタのドレインを接続する第１のスイッチ素
    子と、 制御信号に応じて、前記第１のトランジスタと前記第２
    のトランジスタとを協働させて前記カレントミラー回路
    として動作させ、前記カレントミラー回路として動作さ
    せないときには前記保持容量からの充放電経路を遮断す
    る第２のスイッチ素子と、 前記第１のトランジスタのゲートに接続するゲートを有
    し、前記第１のトランジスタのソースに直列に接続して
    非飽和領域で動作する第３のトランジスタと、 前記第２のトランジスタのゲートに接続するゲートを有
    し、前記第２のトランジスタのソースに直列に接続して
    非飽和領域で動作する第４のトランジスタと、 を有する電流駆動回路。
  6. 【請求項６】 前記第２のトランジスタのゲートとドレ
    インが直接接続され、前記第１のトランジスタのゲート
    と前記第２のトランジスタのゲートの間に前記第２のス
    イッチ素子が挿入されている請求項５に記載の電流駆動
    回路。
  7. 【請求項７】 前記第２のトランジスタのゲートとドレ
    インとの間に前記第２のスイッチ素子が挿入され、前記
    第１のトランジスタのゲートと前記第２のトランジスタ
    のゲートとが直接接続されている請求項５に記載の電流
    駆動回路。
  8. 【請求項８】 前記信号線をプリチャージする手段をさ
    らに有する請求項５乃至７のいずれか１項に記載の電流
    駆動回路。
  9. 【請求項９】 前記第１、第２、第３及び第４のトラン
    ジスタが絶縁ゲートを有する同一導電型の薄膜トランジ
    スタであり、前記第１及び第３のトランジスタのチャネ
    ル幅が同一であり、前記第２及び第４のトランジスタの
    チャネル幅が同一であり、Ｎ≧１として、第１のトラン
    ジスタのチャネル幅と第２のトランジスタのチャネル幅
    との比がＮ：１である、請求項１乃至８のいずれか１項
    に記載の電流駆動回路。
  10. 【請求項１０】 前記第１、第２、第３及び第４のトラ
    ンジスタが絶縁ゲートを有する同一導電型の薄膜トラン
    ジスタであり、前記第１及び第２のトランジスタのチャ
    ネル長が同一であり、前記第３及び第４のトランジスタ
    のチャネル長が同一であり、前記第３のトランジスタの
    チャネル長は前記第１のトランジスタのチャネル長の１
    倍以上４倍以下である請求項５乃至８のいずれか１項に
    記載の電流駆動回路。
  11. 【請求項１１】 前記制御信号を前記第１のスイッチ素
    子及び前記第２のスイッチに供給する選択線をさらに有
    する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電流駆動
    回路。
  12. 【請求項１２】 前記第１の制御信号を前記第１のスイ
    ッチ素子に供給する第１の選択線と第２の制御信号を前
    記第２のスイッチに供給する第２の選択線とをさらに有
    し、前記第２の制御信号によって前記第２のスイッチ素
    子が遮断状態となってから前記第１の制御信号によって
    前記第１のスイッチ素子が遮断状態となる、請求項１乃
    至１０のいずれか１項に記載の電流駆動回路。
  13. 【請求項１３】 前記プリチャージする手段は、所定の
    電圧を発生する電源と、前記電源を前記信号線に接続す
    る第３のスイッチ素子と、を有する請求項８に記載の電
    流駆動回路。
  14. 【請求項１４】 前記素子が有機ＥＬ素子である請求項
    １乃至１３のいずれか１項に記載の電流駆動回路。
  15. 【請求項１５】 電流駆動によって発光する複数の発光
    素子をマトリクス状に配した画像表示装置であって、 前記各発光素子は画素ごとに設けられ、 選択信号を各画素に与える選択線と、各画素の発光素子
    の駆動電流に対応する信号電流を各画素に与える信号線
    とがマトリクス状に設けられ、 前記各画素ごとに、 ドレイン電流に応じたゲート電位を発生する第１のトラ
    ンジスタと、前記発光素子がドレインに接続された第２
    のトランジスタとを少なくとも有し、前記第１のトラン
    ジスタのゲート電位に応じた電位が前記第２のトランジ
    スタのゲートに印加されることにより、前記第２のトラ
    ンジスタが前記発光素子を前記第１のトランジスタのド
    レイン電流に対応した電流で駆動するカレントミラー回
    路と、 前記第２のトランジスタのゲート電位を保持する保持容
    量と、 前記制御信号に応じて、前記信号線に前記第１のトラン
    ジスタのドレインを接続する第１のスイッチ素子と、 前記制御信号に応じて導通状態と遮断状態のいずれかの
    状態となり、導通状態のときに前記カレントミラー回路
    が動作するようにし、遮断状態のときには前記カレント
    ミラー回路を動作させないとともに前記保持容量からの
    充放電経路を遮断する第２のスイッチ素子と、 前記第１のトランジスタのソース電流及び前記第２のト
    ランジスタのソース電流を与える線と前記第１のトラン
    ジスタのソースとの間に挿入され、非飽和領域で動作す
    る第３のトランジスタと、 前記線と前記第２のトランジスタのソースとの間に挿入
    され、非飽和領域で動作する第４のトランジスタと、 を有する画像表示装置。
  16. 【請求項１６】 電流駆動によって発光する複数の発光
    素子をマトリクス状に配した画像表示装置であって、 前記各発光素子は画素ごとに設けられ、 選択信号を各画素に与える選択線と、各画素の発光素子
    の駆動電流に対応する信号電流を各画素に与える信号線
    とがマトリクス状に設けられ、 前記各画素ごとに、 第１のトランジスタと、 前記発光素子がドレインに接続され、前記第１のトラン
    ジスタと協働してカレントミラー回路として動作する第
    ２のトランジスタと、 前記カレントミラー回路として動作しているときに前記
    第２のトランジスタに与えられたゲート電位を保持する
    保持容量と、 前記制御信号に応じて、前記信号線に前記第１のトラン
    ジスタのドレインを接続する第１のスイッチ素子と、 前記制御信号に応じて、前記第１のトランジスタと前記
    第２のトランジスタとを協働させて前記カレントミラー
    回路として動作させ、前記カレントミラー回路として動
    作させないときには前記保持容量からの充放電経路を遮
    断する第２のスイッチ素子と、 前記第１のトランジスタのゲートに接続するゲートを有
    し、前記第１のトランジスタのソースに直列に接続して
    非飽和領域で動作する第３のトランジスタと、 前記第２のトランジスタのゲートに接続するゲートを有
    し、前記第２のトランジスタのソースに直列に接続して
    非飽和領域で動作する第４のトランジスタと、を有する
    画像表示装置。
  17. 【請求項１７】 前記発光素子は有機ＥＬ素子である請
    求項１５または１６に記載の画像表示装置。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003122303A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
JP2004361424A (ja) * 2003-03-19 2004-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 素子基板、発光装置及び発光装置の駆動方法
JP2005037413A (ja) * 2003-05-16 2005-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器
JP2006011024A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置及び電子機器
WO2006030994A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-23 Jin Jang Circuit and method for driving organic light emitting diode
KR20060056789A (ko) * 2004-11-22 2006-05-25 삼성에스디아이 주식회사 커렌트 미러 회로 및 그의 구동방법
JP2007506144A (ja) * 2003-09-23 2007-03-15 イグニス イノベーション インコーポレーテッド ピクセルドライバ回路
JP2007072453A (ja) * 2005-08-12 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置並びに当該半導体装置を具備する表示装置及び電子機器
US7250720B2 (en) 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
CN100383847C (zh) * 2003-03-31 2008-04-23 三洋电机株式会社 显示元件及显示装置
US7495382B2 (en) 2003-05-16 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having display surfaces with polarizing plates
US7583032B2 (en) 2001-09-21 2009-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2010146023A (ja) * 2003-03-26 2010-07-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2010160494A (ja) * 2003-03-19 2010-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2010224557A (ja) * 2003-05-16 2010-10-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US8310469B2 (en) 2006-12-27 2012-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and driving method thereof
CN103208253A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置、其驱动方法及相应系统
JP2015015475A (ja) * 2003-06-16 2015-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2017182085A (ja) * 2001-10-24 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020016905A (ja) * 2003-05-09 2020-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2022126652A (ja) * 2011-11-29 2022-08-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6661180B2 (en) * 2001-03-22 2003-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, driving method for the same and electronic apparatus
WO2003003339A1 (fr) * 2001-06-28 2003-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ecran el a matrice active et procede de fonctionnement associe
KR100819138B1 (ko) * 2001-08-25 2008-04-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널의 구동장치 및 그 구동방법
TW571281B (en) * 2002-09-12 2004-01-11 Au Optronics Corp Driving circuit and method for a display device and display device therewith
KR100505370B1 (ko) * 2002-09-19 2005-08-03 재단법인서울대학교산학협력재단 액티브 매트릭스 오-엘이디의 화소 구조
JP3949040B2 (ja) * 2002-09-25 2007-07-25 東北パイオニア株式会社 発光表示パネルの駆動装置
JP2004117820A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Seiko Epson Corp 電子回路、電子装置及び電子機器
JP2004138773A (ja) * 2002-10-17 2004-05-13 Tohoku Pioneer Corp アクティブ型発光表示装置
JP4339103B2 (ja) 2002-12-25 2009-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び表示装置
TW589603B (en) * 2003-02-11 2004-06-01 Toppoly Optoelectronics Corp Pixel actuating circuit and method for use in active matrix electron luminescent display
JP2004254190A (ja) * 2003-02-21 2004-09-09 Seiko Epson Corp 電子回路、電子装置、電気光学装置及び電子機器
JP4464062B2 (ja) * 2003-03-24 2010-05-19 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 電流駆動回路及び表示装置
CN102709478B (zh) 2003-03-26 2016-08-17 株式会社半导体能源研究所 发光装置
JP4562997B2 (ja) * 2003-03-26 2010-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 素子基板及び発光装置
JP2004294865A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 表示回路
KR100497246B1 (ko) * 2003-04-01 2005-06-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
TWI363573B (en) * 2003-04-07 2012-05-01 Semiconductor Energy Lab Electronic apparatus
JP4425574B2 (ja) * 2003-05-16 2010-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 素子基板及び発光装置
JP4346350B2 (ja) * 2003-05-28 2009-10-21 三菱電機株式会社 表示装置
JP2004361753A (ja) * 2003-06-05 2004-12-24 Chi Mei Electronics Corp 画像表示装置
US7122969B2 (en) * 2003-06-18 2006-10-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Element substrate and light emitting device
KR100939206B1 (ko) * 2003-06-27 2010-01-28 엘지디스플레이 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시장치 및 그 구동방법
US8552933B2 (en) * 2003-06-30 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method of the same
KR100560780B1 (ko) * 2003-07-07 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법
JP4059177B2 (ja) * 2003-09-17 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 電子回路、その駆動方法、電気光学装置および電子機器
JP2005181975A (ja) * 2003-11-20 2005-07-07 Seiko Epson Corp 画素回路、電気光学装置および電子機器
EP1562168A3 (en) 2004-02-03 2006-07-19 Lg Electronics Inc. Electro-luminescence display device and driving method thereof
KR100692862B1 (ko) * 2004-02-03 2007-03-09 엘지전자 주식회사 일렉트로-루미네센스 표시장치와 그의 구동방법
TWI324332B (en) * 2004-03-30 2010-05-01 Au Optronics Corp Display array and display panel
KR101142994B1 (ko) 2004-05-20 2012-05-08 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101085911B1 (ko) * 2004-07-30 2011-11-23 매그나칩 반도체 유한회사 유기전계 발광장치
CN101006488B (zh) * 2004-08-13 2012-08-22 株式会社半导体能源研究所 发光装置及其驱动方法
US7105855B2 (en) * 2004-09-20 2006-09-12 Eastman Kodak Company Providing driving current arrangement for OLED device
KR100592636B1 (ko) * 2004-10-08 2006-06-26 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치
JP4747565B2 (ja) * 2004-11-30 2011-08-17 ソニー株式会社 画素回路及びその駆動方法
WO2006059813A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Seoul National University Industry Foundation Picture element structure of current programming method type active matrix organic emitting diode display and driving method of data line
US7262652B2 (en) * 2004-12-21 2007-08-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Current driver, data driver, and display device
US20060158397A1 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Joon-Chul Goh Display device and driving method therefor
KR100748739B1 (ko) * 2005-01-28 2007-08-13 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Ｅｌ 표시 장치 및 해당 ｅｌ 표시 장치의 구동 방법
US7190122B2 (en) 2005-03-01 2007-03-13 Eastman Kodak Company OLED display with improved active matrix circuitry
US7595778B2 (en) * 2005-04-15 2009-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device using the same
KR100782455B1 (ko) * 2005-04-29 2007-12-05 삼성에스디아이 주식회사 발광제어 구동장치 및 이를 구비하는 유기전계발광표시장치
TW200709160A (en) * 2005-07-20 2007-03-01 Pioneer Corp Active matrix type display device
TWI271115B (en) * 2005-08-30 2007-01-11 Au Optronics Corp Active display and driving circuit of a pixel thereof
JP4753373B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の駆動方法
US9153341B2 (en) 2005-10-18 2015-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register, semiconductor device, display device, and electronic device
EP1793264A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2007072766A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1804114B1 (en) * 2005-12-28 2014-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1832915B1 (en) * 2006-01-31 2012-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with improved contrast
US20070176538A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Eastman Kodak Company Continuous conductor for OLED electrical drive circuitry
EP1816508A1 (en) 2006-02-02 2007-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1826606B1 (en) * 2006-02-24 2012-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1826605A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI603307B (zh) 2006-04-05 2017-10-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置，顯示裝置，和電子裝置
JP5397219B2 (ja) * 2006-04-19 2014-01-22 イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド アクティブマトリックス表示装置用の安定な駆動スキーム
KR20070111638A (ko) * 2006-05-18 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
JP4240068B2 (ja) * 2006-06-30 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP4281019B2 (ja) * 2007-02-19 2009-06-17 ソニー株式会社 ディスプレイ装置
JP2008309910A (ja) 2007-06-13 2008-12-25 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
US20090101980A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 International Business Machines Corporation Method of fabricating a gate structure and the structure thereof
DE102008014425B4 (de) * 2008-03-13 2012-03-29 Atmel Automotive Gmbh Treiberschaltung mit einem Dämpfungsnetzwerk unter Verwendung eines Stromspiegels
AU2009273748A1 (en) 2008-07-21 2010-01-28 Sato Holdings Corporation A device having data storage
KR100968401B1 (ko) * 2008-10-16 2010-07-07 한국과학기술원 디스플레이 구동장치
US8199076B2 (en) * 2008-10-30 2012-06-12 National Cheng Kung University Pixel circuit
CN102708786B (zh) * 2011-08-25 2014-12-10 京东方科技集团股份有限公司 Amoled像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置
CN102708787A (zh) * 2011-08-25 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 Amoled像素单元驱动电路和方法、像素单元以及显示装置
JP2014225482A (ja) * 2011-09-13 2014-12-04 パナソニック株式会社 半導体装置のシミュレーション方法およびシミュレーション装置
CN104217681B (zh) * 2014-09-02 2016-08-17 武汉天马微电子有限公司 一种像素电路、显示面板及显示装置
DE102014226495B4 (de) * 2014-12-18 2018-03-08 Dialog Semiconductor (Uk) Limited Gestapelte Energieversorgung für einen reduzierten Stromverbrauch
CN107038992B (zh) 2017-05-23 2019-06-18 上海和辉光电有限公司 一种像素电路、驱动方法及显示器
US11315513B2 (en) * 2017-12-20 2022-04-26 Sitronix Technology Corp. Driving circuit for display panel and high voltage tolerant circuit
CN117292641A (zh) * 2022-06-23 2023-12-26 华为技术有限公司 一种显示电路、显示方法、显示装置及电子设备
KR20240106136A (ko) 2022-12-29 2024-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20240139114A (ko) * 2023-03-09 2024-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613820A (ja) * 1992-03-18 1994-01-21 Natl Semiconductor Corp <Ns> エンハンスメント／デプリーション・モード・カスコード電流ミラー
JPH09307370A (ja) * 1996-05-17 1997-11-28 Fujitsu Ltd 電流伝達回路及びこれを用いた電流電圧変換回路
JPH09319323A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Toshiba Microelectron Corp 定電流駆動回路
JPH11282419A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Nec Corp 素子駆動装置および方法、画像表示装置
WO1999065012A2 (en) * 1998-06-12 1999-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices
JP2000056847A (ja) * 1998-08-14 2000-02-25 Nec Corp 定電流駆動回路
JP2000081920A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Canon Inc 電流出力回路
WO2001006484A1 (en) * 1999-07-14 2001-01-25 Sony Corporation Current drive circuit and display comprising the same, pixel circuit, and drive method

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3629939B2 (ja) * 1998-03-18 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 トランジスタ回路、表示パネル及び電子機器
GB9812742D0 (en) 1998-06-12 1998-08-12 Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display devices
GB9923261D0 (en) * 1999-10-02 1999-12-08 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix electroluminescent display device
JP2001147659A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
KR100566813B1 (ko) * 2000-02-03 2006-04-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 셀 구동회로
KR100743103B1 (ko) * 2001-06-22 2007-07-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 일렉트로 루미네센스 패널
JP2003043994A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc アクティブマトリックス型ディスプレイ

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0613820A (ja) * 1992-03-18 1994-01-21 Natl Semiconductor Corp <Ns> エンハンスメント／デプリーション・モード・カスコード電流ミラー
JPH09307370A (ja) * 1996-05-17 1997-11-28 Fujitsu Ltd 電流伝達回路及びこれを用いた電流電圧変換回路
JPH09319323A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Toshiba Microelectron Corp 定電流駆動回路
JPH11282419A (ja) * 1998-03-31 1999-10-15 Nec Corp 素子駆動装置および方法、画像表示装置
WO1999065012A2 (en) * 1998-06-12 1999-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display devices
JP2000056847A (ja) * 1998-08-14 2000-02-25 Nec Corp 定電流駆動回路
JP2000081920A (ja) * 1998-09-07 2000-03-21 Canon Inc 電流出力回路
WO2001006484A1 (en) * 1999-07-14 2001-01-25 Sony Corporation Current drive circuit and display comprising the same, pixel circuit, and drive method

Cited By (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8378578B2 (en) 2001-09-21 2013-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7915830B2 (en) 2001-09-21 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8604704B2 (en) 2001-09-21 2013-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US7583032B2 (en) 2001-09-21 2009-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2003122303A (ja) * 2001-10-16 2003-04-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｅｌ表示パネルおよびそれを用いた表示装置とその駆動方法
US9892679B2 (en) 2001-10-24 2018-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US10679550B2 (en) 2001-10-24 2020-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2017182085A (ja) * 2001-10-24 2017-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US8570256B2 (en) 2003-03-19 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device substrate, light emitting device and driving method of light emitting device
US8242988B2 (en) 2003-03-19 2012-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device substrate, light emitting device and driving method of light emitting device
JP2010160494A (ja) * 2003-03-19 2010-07-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7843408B2 (en) 2003-03-19 2010-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Device substrate, light emitting device and driving method of light emitting device
JP2004361424A (ja) * 2003-03-19 2004-12-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 素子基板、発光装置及び発光装置の駆動方法
JP2010146023A (ja) * 2003-03-26 2010-07-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
CN100383847C (zh) * 2003-03-31 2008-04-23 三洋电机株式会社 显示元件及显示装置
US7250720B2 (en) 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8674908B2 (en) 2003-04-25 2014-03-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8018403B2 (en) 2003-04-25 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US8139001B2 (en) 2003-04-25 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP2020016905A (ja) * 2003-05-09 2020-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2020101832A (ja) * 2003-05-09 2020-07-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7495382B2 (en) 2003-05-16 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having display surfaces with polarizing plates
JP2011085943A (ja) * 2003-05-16 2011-04-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2005037413A (ja) * 2003-05-16 2005-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた電子機器
JP2010224557A (ja) * 2003-05-16 2010-10-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
US8957836B2 (en) 2003-05-16 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving light-emitting device
JP2015015475A (ja) * 2003-06-16 2015-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2007506144A (ja) * 2003-09-23 2007-03-15 イグニス イノベーション インコーポレーテッド ピクセルドライバ回路
JP2006011024A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体表示装置及び電子機器
US7675018B2 (en) 2004-09-15 2010-03-09 Jin Jang Circuit and method for driving organic light emitting diode
WO2006030994A1 (en) * 2004-09-15 2006-03-23 Jin Jang Circuit and method for driving organic light emitting diode
KR20060056789A (ko) * 2004-11-22 2006-05-25 삼성에스디아이 주식회사 커렌트 미러 회로 및 그의 구동방법
JP2007072453A (ja) * 2005-08-12 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置並びに当該半導体装置を具備する表示装置及び電子機器
US8570456B2 (en) 2005-08-12 2013-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device and electronic device equipped with the semiconductor device
US8310469B2 (en) 2006-12-27 2012-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and driving method thereof
JP2022126652A (ja) * 2011-11-29 2022-08-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP7250981B2 (ja) 2011-11-29 2023-04-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP2023093446A (ja) * 2011-11-29 2023-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP7446502B2 (ja) 2011-11-29 2024-03-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP2024069256A (ja) * 2011-11-29 2024-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
JP7612078B2 (ja) 2011-11-29 2025-01-10 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
CN103208253A (zh) * 2012-01-13 2013-07-17 三星显示有限公司 有机发光显示装置、其驱动方法及相应系统

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KR100443238B1 (ko) 2004-08-04
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