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JP2003059664A - 基板の補強方法 - Google Patents

基板の補強方法

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Publication number
JP2003059664A
JP2003059664A JP2002218047A JP2002218047A JP2003059664A JP 2003059664 A JP2003059664 A JP 2003059664A JP 2002218047 A JP2002218047 A JP 2002218047A JP 2002218047 A JP2002218047 A JP 2002218047A JP 2003059664 A JP2003059664 A JP 2003059664A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
reinforcing
support rim
substrate according
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002218047A
Other languages
English (en)
Inventor
Ewald Karl Michael Guenther
カール ミヒャエル ギュンター エヴァルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of JP2003059664A publication Critical patent/JP2003059664A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842Containers
    • H10K50/8426Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H10P72/00
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/976Temporary protective layer

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 その上にデバイスが形成されている基板であ
ってmデバイスの製造期間中に損傷を受けにくくするた
めに、基板を補強する方法。 【解決手段】 基板を設け、該基板の少なくとも1つの
主表面の縁部にサポートリムを形成して、該サポートリ
ムにより基板の損傷の受け易さが低減されるようにし、
付加的な処理を実施してデバイスを完成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はデバイスを製造する
際に使用される薄い基板に関する。更に特定すれば、本
発明は薄い基板に対する補強に関する。
【0002】
【従来の技術】薄いまたは極薄ガラス基板はデバイスを
製造する際に使用されるように提案されている。薄いガ
ラス基板は殊に、有機発光ダイオード(OLED=Orga
nic light emitting diode)のようなフレキシブルなデ
バイスを製造するのに適している。図1には従来のOL
EDデバイス100が示されている。OLEDデバイス
は1つまたは複数の有機機能層110を、第1の電極1
05と第2の電極115との間に有している。これらは
薄い基板101上に形成されている。電極をパターン化
して、例えば複数のOLEDセルが形成されるようにす
ることができる。第1および第2の電極に接続されてい
るボンドパッド150が設けられていて、OLEDセル
に対する電気的な接続を行えるようになっている。キャ
ップ160がデバイスを包囲して、OLEDセルが湿気
および/または空気のような環境から保護されるように
している。
【0003】薄いガラス基板を製造するために、薄いガ
ラスの大きなシートが最初に作成される。それから大き
なシートは切断されて、所望のサイズの基板が形成され
る。しかし、切断工程が基板の縁部に欠陥を引き起こす
可能性がある。このような欠陥により基板は製造期間中
および製造後にクラックし易くなり、従ってデバイスが
損傷される。これにより不都合にも歩留りが低下しかつ
生産コストが上昇する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このようなことを踏ま
えると、デバイスの製造期間中損傷を受けにくい薄い基
板を製造することが望まれる。
【0005】
【課題を解決するための手段】この要望は、請求項1の
特徴部分に記載の構成によって果たせられる。
【0006】本発明は、例えばOLEDの製造の際に使
用される基板の補強に関する。普通はガラスから成って
いるこの種の基板は脆性でありかつ、従って取り扱いの
際に損傷を非常に受け易い。補強手段は基板の縁部にお
けるサポートリムから成っている。サポートリムは基板
の上表面、下表面または両面に配置されていてよい。サ
ポートリムはエポキシ、接着剤、または基板に接着する
別のタイプの材料から成っている。サポートリムは、ラ
ミネート加工、スクリーン印刷、ホトリソグラフィー、
ディップコーティングまたはロールコーティングのよう
な種々の技術を使用して形成することができる。
【0007】
【実施例】次に本発明を図示の実施例につき図面を用い
て詳細に説明する。
【0008】本発明は一般に、OLEDデバイスのよう
なデバイスの製造に使用される基板に関する。更に特定
すると、本発明は基板に対して補強を行うものである。
この補強により、製造または取り扱い期間中の損傷の蒙
り易さが低減される。
【0009】図2および図3にはそれぞれ、本発明の実
施例による基板101の断面図および平面図が示されて
いる。基板は例えば、ボロンの添加されたシリケートガ
ラス(BSG)のようなシリケートガラスを有してい
る。ソーダガラス(軟質ガラス)または別の透明な材料
のような別の材料も使用可能である。普通、基板の厚さ
は約0.01〜0.2mmである。
【0010】基板は基板をサポートするリム(サポート
リム)280を備えている。本発明の1つの実施例にお
いて、サポートリムは基板の縁部の周りに配置されてい
る。サポートリムは基板を安定させて、クラックの蒙り
易さを低減するのに十分である。サポートリムの幅およ
び厚さは例えばそれぞれ、約0.5mmおよび0.01
〜1mmである。基板の僅かな部分を占めているサポー
トリムを設けることによって、フレキシビリティのよう
な幾何的な特性に及ぼす影響力は小さい。更に、サポー
トリムは有利にも、敏感なアクティブ領域に影響を与え
ることなく基板の扱いを容易にすることができる。サポ
ートリムを縁部にだけ設けることによって材料コストも
低減されかつ、ディスプレイ材料および光学特性とのコ
ンパチビリティもあまり厳しくないので材料選択の自由
度は高められる。
【0011】1つの実施例において、リムは、基板の主
表面の少なくとも1つに設けられている。例えば、サポ
ートリムは基板の上表面か下表面(285または28
6)かのどちらかに設けられている。1つの実施例にお
いて、サポートリムは有利には下表面に設けられてい
る。サポートリムの幅および厚さは例えばそれぞれ約
0.1〜0.5mmおよび約0.01から1mmであ
る。択一的に、サポートリムは基板の上表面および下表
面の両方に設けられている。
【0012】1つの実施例において、サポートリムはエ
ポキシ、アクリル酸塩またはその他のタイプの接着剤を
有している。ポリイミド、ポリアミド、シリコーン樹
脂、ノボラック樹脂、またはドライレジストのような別
の材料も使用可能である。基板に接着されかつ基板より
一層延性のある別の材料も使用可能である。サポートリ
ムは材料を基板の縁部周囲に施すことによって形成する
ことができる。ラミネート加工、スクリーン印刷、デッ
プコーティング、ロールコーティングを含むサポートリ
ムを形成するための別の技術、または印刷技術並びにホ
トリソグラフィーも使用可能である。サポートリムを基
板の縁部に形成された後で例えばUVまたは熱でキュア
リングして、基板の機械的な特性が改善されるようにす
ることができる。eビームキュアリングのような別のキ
ュアリング技術も使用可能である。
【0013】説明したように、サポートリムはデバイス
の非アクティブ領域に配置されている。サポートリムを
非アクティブ領域に限定することによって、デバイス性
能は不都合な影響を受けることはない。更に、サポート
リムは基板の僅かな部分しか占めていないので、フレキ
シビリティのような、基板の機械的な特性に及ぼす影響
は低い。
【0014】図4および図5にはそれぞれ、本発明の択
一的な実施例の断面図および平面図が示されている。図
示されているように、サポートリム480は縁部並びに
基板101の側部をカバーしている。サポートリムは例
えば基板の縁部の約0.5mmをカバーしている。基板
の側部をカバーすることによって、サポートリムは基板
の縁部にある欠陥が原因でクラックが生じるのを一段と
保護することができる。エポキシ、アクリル酸塩、ポリ
イミド、ポリアミド、シリコーン樹脂、ノボラック樹
脂、またはドライレジストのような材料を使用してサポ
ートリムを形成することができる。1つの実施例におい
て、サポートリムは、サポートリム材料を含んでいる浴
に基板の縁部を漬けることによって形成され、このよう
にして基板の縁部および側部がコーティングされる。ラ
ミネート加工、デップコーティング、ロールコーティン
グ、スクリーン印刷、ディスペンシング(吐出供給)の
ような別の技術または別の印刷技術並びにホトリソグラ
フィーおよびスピンコーティング、カーテンコーティン
グ、メニスカスコーティング、スプレイコーティングま
たは均一なコーティングのために使用される別の技術も
使用可能である。サポートリムを基板の縁部に形成され
た後でキュアリングして、基板の機械的な特性が改善さ
れるようにすることができる。
【0015】基板にサポートリムが用意された後、付加
的な処理を実施して、デバイスを完成させる。1つの実
施例において、OLEDデバイスを形成するために複数
の工程が続けられる。OLEDデバイスの製造は、例え
ば、J. H. Burroughes et al., Nature (London) 347,
639 (1990) に記載されており、該文献はどんな目的で
あれ本明細書に参照されたものとする。本発明によれ
ば、サポートリムは製造工程並びにOLEDデバイスの
結果生じる使用法とコンパチブルである(例えば表示用
途に対する任意選択的な透明性)。
【0016】本発明を種々の実施例を参照して特別に示
しかつ説明もしたが。当業者であれば、本発明をその精
神および範囲から逸脱しなければ修正も変更もできるこ
とは自明のことである。従って本発明の範囲は、これま
での説明を参照して決定されるのではなくて、特許請求
の範囲およびそれと等価な範囲すべてを参照して決定さ
れるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】OLEDデバイスの略図である。
【図2】本発明の1つの実施例の断面略図である。
【図3】図2の実施例の平面略図である。
【図4】本発明の別の実施例の断面略図である。
【図5】図4の実施例の平面略図である。
【符号の説明】
100 OLED、 101 基板、 105,115
電極、 110 有機機能層、 150 ボンドパッ
ド、 160 キャップ、 280,480サポートリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エヴァルト カール ミヒャエル ギュン ター シンガポール国 シンガポール マウント シナイ ライズ 21ディー Fターム(参考) 3K007 AB18 CA01 DB03 FA00 FA03

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 その上にデバイスが形成されている基板
    を補強するための方法であって、基板を設け、該基板の
    少なくとも1つの主表面の縁部にサポートリムを形成し
    て、該サポートリムにより基板の損傷の受け易さが低減
    されるようにし、付加的な処理を実施してデバイスを完
    成させる基板の補強方法。
  2. 【請求項2】 デバイスはOLEDデバイスから成って
    いる請求項1記載の基板の補強方法。
  3. 【請求項3】 基板はシリケートガラスまたはソーダガ
    ラスから成っている請求項1または2記載の基板の補強
    方法。
  4. 【請求項4】 基板は脆性材料から成っている請求項1
    または2記載の基板の補強方法。
  5. 【請求項5】 サポートリムは、接着剤、エポキシ樹
    脂、アクリル酸塩、ポリイミド、ポリアミド、シリコー
    ン樹脂、ノボラック樹脂、またはドライ樹脂から成るグ
    ループから選択された材料から成っている請求項1から
    4までのいずれか1項記載の基板の補強方法。
  6. 【請求項6】 サポートリムは基板に接着する材料から
    成っている請求項1から5までのいずれか1項記載の基
    板の補強方法。
  7. 【請求項7】 前記接着する材料は基板より延性がある
    請求項6記載の基板の補強方法。
  8. 【請求項8】 基板の主表面は下表面から成っている請
    求項1記載の基板の補強方法。
  9. 【請求項9】 サポートリムを形成することには、基板
    の側部にサポートリムを形成することが含まれている請
    求項1から8までのいずれか1項記載の基板の補強方
    法。
  10. 【請求項10】 サポートリムが形成された後に該サポ
    ートリムをキュアリングすることが含まれている請求項
    1から9までのいずれか1項記載の基板の補強方法。
  11. 【請求項11】 サポートリムを形成することには、ラ
    ミネート加工、印刷、スクリーン印刷、ディスペンシン
    グ、ホトリソグラフィー、スピンコーティング、カーテ
    ンコーティング、メニスカスコーティング、スプレイコ
    ーティング、デップコーティング、ロールコーティン
    グ、均質コーティング技術、またはその組み合わせが含
    まれている請求項1から10までのいずれか1項記載の
    基板の補強方法。
  12. 【請求項12】 基板は約0.01〜0.2mmの厚さ
    から成っている請求項1から11までのいずれか1項記
    載の基板の補強方法。
  13. 【請求項13】 キュアリングにはUVキュアリング、
    サーマルキュアリング、またはeビームが含まれている
    請求項10記載の基板の補強方法。
  14. 【請求項14】 基板の主表面は上表面から成っている
    請求項1または請求項8から13までのいずれか1項記
    載の基板の補強方法。
  15. 【請求項15】 サポートリムを形成することには、基
    板の上表面または下表面の両方の縁部にサポートリムを
    形成することを含んでいる請求項1から13までのいず
    れか1項記載の基板の補強方法。
JP2002218047A 2001-07-26 2002-07-26 基板の補強方法 Pending JP2003059664A (ja)

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