JP2003046160A - 圧電素子，アクチュエータ及びインクジェットヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 単結晶基板以外の基板の上にも、圧電特性の
よい圧電素子を形成するための構造及びそれを利用した
デバイスを提供する。 【解決手段】 圧電素子１は、ＰＺＴからなる圧電体膜
２と、圧電体膜２を挟む一対の電極である下部電極３お
よび上部電極４と、圧電体膜２と下部電極３との間に介
在する厚みが約５０ｎｍ〜２００ｎｍのＰＬＴからなる
下地膜５とを有している。そして、圧電素子１全体は、
多結晶体であるステンレス基板や、非晶質体である耐熱
性ガラス基板や、単結晶体であるシリコン基板などであ
る基板６の上に設けられている。単結晶体以外の基板上
にも、圧電特性の良好な圧電素子を設けることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電体層を有する
圧電素子、並びに、圧電素子を利用したアクチュエータ
及びインクジェットヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、圧電体は、目的に応じて様々
なデバイスに利用されている。かかるデバイスの例とし
て、圧電体に電圧を加えてその電圧に応じた変形を生じ
させるように構成されたアクチュエータや、逆に、圧電
体の変形から電圧を発生させる加速度センサ，角速度セ
ンサなどがある。

【０００３】圧電体材料としては、優れた圧電特性を有
する鉛系の誘電体、特に、Ｐｂ（Ｚｒ_1-x Ｔｉ_x ）Ｏ₃
で表される組成を有する，ＰＺＴと略称されるペロブス
カイト型強誘電体が広く用いられている。従来、圧電素
子は、熱処理により得られた圧電材料の焼結体を切削，
研磨などの工程により目的に応じた形状を有する圧電体
層を形成した後、圧電体層の相対向する２つの面にそれ
ぞれ一対の電極を設けることにより、形成されている。

【０００４】近年、これらの圧電素子を利用した各種デ
バイスをより小型化，高機能化，低消費電力化（低電圧
駆動）することによって、各種デバイスをマイクロマシ
ンやマイクロセンサなどに適用することが検討されてお
り、これまで不可能とさてていた様々な分野において、
微少かつ精密な制御などが可能になると期待されてい
る。

【０００５】そこで、従来の焼結，切削，研磨などを利
用した製造方法とは別に、圧電体薄膜を基板上に形成
し、半導体プロセスなどで用いられてきた微細加工技術
を駆使して、より高精度な超小型圧電素子を開発する研
究がなされている。しかし、圧電素子を小型化するにあ
たり、圧電体膜に微少な変位を高精度かつ高効率で発生
させたり、微少変位を高精度かつ高効率で検知できる構
成が必要であり、なお検討する課題が多く残されてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板上に圧
電体膜を形成する技術（薄膜化プロセス）は、微細性，
精密性，機能性及び加工性に優れた技術であるが、従来
行われてきた焼結体を用いた微細成形技術とは全く異な
るプロセスで行なわれる。従って、その薄膜化プロセス
に適合した圧電体および圧電素子の構造を実現する必要
がある。良好な圧電特性を有する薄膜圧電体を作成する
方法として一般的に用いられるのは、ＣＶＤ法，スパッ
タ法，ゾルゲル法である。これらの方法を用いた場合で
も、さらにＭｇＯ単結晶基板や、ＳｒＴｉＯ₃ 単結晶基
板などの単結晶基板を使用してＰＺＴ薄膜をエピタキシ
ャル成長をさせてやらなければ良好な特性を得ることは
困難であった。また、圧電特性を安定に得るためには、
単結晶基板の上に、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ₃ ，ＰｂＴｉ
Ｏ₂ などの圧電体膜を成膜する必要があった。単結晶基
板としては、ＭｇＯ単結晶基板やＳｒＴｉＯ₃ 単結晶基
板などが用いられている。

【０００７】しかし、ＭｇＯ単結晶基板やＳｒＴｉＯ₃
単結晶基板などは、非常に価格が高い上に、基板の大き
さも３０ｍｍ×３０ｍｍ程度であるので、あまり大面積
の基板が得られない。一方、単結晶基板以外の基板上に
圧電特性の良好な圧電体膜を形成する技術はまだ確立さ
れていない。

【０００８】本発明の目的は、単結晶基板を用いなくて
も圧電特性の良好な圧電体膜を形成する技術を実現する
ことにより、安価で高性能の圧電素子及びこれを利用し
た各種デバイスを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の圧電素子は、基
板上に設けられる圧電素子であって、厚みが５０ｎｍ以
上で２００ｎｍ以下の範囲にある下地膜と、上記下地膜
を挟んで上記基板に対向して設けられた圧電体膜と備え
ている。

【００１０】これにより、下地膜が形成される基板の材
質に拘わらず、良好な圧電特性を有する圧電体膜が得ら
れることが確認されている。

【００１１】上記下地膜と上記基板との間に介設された
第１の電極をさらに備えていることにより、基板が絶縁
体である場合には、圧電体への電圧の印加を第１の電極
により行なうことができ、基板が導体である場合にも、
下地膜と基板との反応を抑制する機能等を第１の電極に
もたせることができる。

【００１２】上記圧電体膜を挟んで上記下地膜に対向し
て設けられた第２の電極をさらに備えていることによ
り、圧電体への電圧の印加を第２の電極によって行なう
ことができる。

【００１３】上記基板は、多結晶体又は非晶質体により
構成されていることにより、単結晶体のような高価な材
料を用いることがなく、かつ、可撓性のある基板の上に
圧電素子を直接形成することも可能となる。よって、こ
の圧電素子をアクチュエータに応用することで、小型
化，高機能化，低消費電力化されたアクチュエータが得
られる。

【００１４】上記下地膜は、立方晶あるいは正方晶の結
晶構造を有する酸化物により構成されていることが好ま
しい。

【００１５】上記下地膜は、構成要素にＺｒを含まない
ペロブスカイト酸化物により構成されていることがより
好ましく、特に、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ₃ で表される組
成を有するペロブスカイト酸化物であるＰＬＴにより構
成されていることにより、著効を発揮することができ
る。

【００１６】上記圧電体膜は、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含む
ペロブスカイト酸化物により構成されていることが好ま
しい。

【００１７】本発明のアクチュエータは、固定部材と、
上記固定部材に対して移動可能な移動部材と、上記固定
部材及び移動部材に接続された圧電素子とを備え、上記
圧電素子は、厚みが５０ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の範
囲にある下地膜と、上記下地膜に接触して形成された圧
電体膜とを有している。

【００１８】これにより、下地膜が形成される基板の材
質に拘わらず、良好な圧電特性を有する圧電体膜が得ら
れるので、この圧電素子を利用した高精度かつ高機能の
アクチュエータが得られる。そして、このアクチュエー
タを小型化，高機能化，低消費電力化することで、マイ
クロマシンやマイクロセンサに応用することが可能とな
った。

【００１９】上記固定部材は、上記移動部材に取り付け
られており、上記圧電素子は、上記移動部材のみに接触
しており、上記下地膜は、上記圧電体膜と上記移動部材
との間に介在していて、上記圧電素子は、上記圧電体膜
の上に設けられた上部電極をさらに有している構造を採
ることができる。

【００２０】その場合、上記圧電素子は、上記下地膜と
上記移動部材との間に介設された下部電極をさらに有し
ていることにより、移動部材が絶縁体である場合には、
圧電体への電圧の印加を第１の電極により行なうことが
でき、移動部材が導体である場合にも、下地膜と移動部
材との反応を抑制する機能等を第１の電極にもたせるこ
とができる。

【００２１】上記圧電素子は、上記移動部材及び固定部
材に接触しており、上記下地膜は、上記移動部材又は上
記固定部材のうちの一方の部材と、上記圧電体膜との間
に介在している構造を採ることもできる。

【００２２】その場合、上記圧電素子は、上記下地膜と
上記一方の部材との間に介設された第１の電極をさらに
有していることにより、上述の作用効果を発揮すること
ができる。

【００２３】上記圧電素子は、上記下地膜と、上記移動
部材又は固定部材のうちの他方の部材との間に介設され
た第２の電極をさらに有していることが好ましい。

【００２４】上記移動部材及び上記固定部材のうち少な
くともいずれか一方は、可撓性のある多結晶体又は非晶
質体により構成されていることにより、アクチュエータ
の機能性を高めることができる。

【００２５】上記下地膜は、構成要素にＺｒを含まない
ペロブスカイト酸化物により構成されていることが好ま
しい。

【００２６】本発明のインクジェットヘッドは、インク
を供給するための供給口とインクを吐出するための吐出
口とを有する圧力室用凹部が形成されたヘッド本体と、
上記ヘッド本体の凹部を塞いで凹部と共に圧力室を構成
するように設けられた振動板と、上記振動板の上記圧力
室に接する面とは対向する面に設けられた圧電素子とを
備えているインクジェットヘッドにおいて、上記圧電素
子は、上記振動板に対向する上部電極と、上記振動板と
上記上部電極との間に設けられた圧電体膜と上記振動板
と上記圧電体膜との間に設けられた厚みが５０ｎｍ以上
で２００ｎｍ以下の範囲にある下地膜とを有している。

【００２７】これにより、例えば、振動板の材質に拘わ
らず、振動板上に圧電特性の良好な圧電体膜を有する圧
電素子を設けることが可能になる。したがって、インク
ジェットヘッドのヘッド本体の小型化や、インクジェッ
トヘッドの製造コストの低減等を図ることができる。

【００２８】上記振動板と上記下地膜との間に設けられ
た下部電極をさらに備えていることが好ましい。

【００２９】また、上記振動板は、多結晶体又は非晶質
体により構成されていることにより、振動板として可撓
性のあるものを用いて、その上に直接圧電素子を形成す
ることが可能になる。

【００３０】上記下部電極と上記振動板との間に設けら
れた多結晶膜又は非晶質膜をさらに備えていることもで
きる。

【００３１】上記振動板は、金属により構成されている
ことが好ましい。

【００３２】上記下地膜は、立方晶あるいは正方晶の結
晶構造を有する酸化物により構成されていることが好ま
しい。上記下地膜は、構成要素にＺｒを含まないペロブ
スカイト酸化物により構成されていることがより好まし
い。

【００３３】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の第１の実施形態である圧電素子の構成を示す断面図
である。本実施形態の圧電素子１は、厚さが０．１μｍ
〜５０μｍの圧電体膜２と、圧電体膜２を挟む一対の電
極である下部電極３および上部電極４と、圧電体膜２と
下部電極３との間に介在する厚みが約５０ｎｍ〜２００
ｎｍの下地膜５とを有している。そして、圧電素子１全
体は、多結晶体であるステンレス基板や、非晶質体であ
る耐熱性ガラス基板や、単結晶体であるシリコン基板な
どである基板６の上に設けられている。

【００３４】図２（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態におけ
る半導体薄膜素子の製造工程を示す断面図である。

【００３５】まず、図２（ａ）に示す工程で、基板６の
上に、スパッタ法、または蒸着法を用いて、厚み５０ｎ
ｍ〜２００ｎｍの下部電極用のＰｔ膜３ｘを形成する。

【００３６】次に、図２（ｂ）に示す工程で、Ｐｔ膜３
ｘの上に、基板温度５００℃〜７００℃の条件で、スパ
ッタリング，ＣＶＤまたはゾル・ゲル法を用いて、厚み
５０ｎｍ〜２００ｎｍの下地膜用ＰＬＴ膜５ｘを形成す
る。

【００３７】次に、図２（ｃ）に示す工程で、ＰＬＴ膜
５ｘの上に、スパッタリング、ＣＶＤまたはゾル・ゲル
法を用いて、厚み０．１μｍ〜５０μｍの圧電体膜用の
ＰＺＴ膜２ｘを形成する。さらに、ＰＺＴ膜２ｘの上
に、スパッタリング、または蒸着により、厚み５０ｎｍ
〜３００ｎｍの上部電極用の白金（Ｐｔ）又は金（Ａ
ｕ）等の貴金属膜４ｘを形成する。

【００３８】次に、図２（ｄ）に示す工程で、リソグラ
フィー工程を行なって、貴金属膜４ｘの上にレジスト膜
９を形成する。

【００３９】そして、図２（ｅ）に示す工程で、レジス
ト膜９をエッチングマスクとして、貴金属膜４ｘ，ＰＺ
Ｔ膜２ｘ，ＰＬＴ膜５ｘ及びＰｔ膜３ｘをパターニング
して、下部電極３，下地膜５，圧電体膜２及び上部電極
４からなる圧電素子１を形成する。この工程は、以下の
手順で行なわれる。

【００４０】まず、貴金属膜４ｘをエッチングして上部
電極４を形成する。エッチング方法としてはドライエッ
チング法、ウエットエッチング法などがあるが、ドライ
エッチング法の場合には、アルゴンガス（Ａｒ）を用い
てエッチングする。一方、ウエットエッチングの場合に
は、金（Ａｕ）に対してはヨウ化カリウム（ＫＩ）、ヨ
ウ素（Ｉ₂ ）、水（Ｈ₂ Ｏ）の混合液などを用いてエッ
チングを行う。

【００４１】上部電極４が形成されると、いったんレジ
スト膜９を除去して、再度、ＰＺＴ膜２ｘのエッチング
マスクとなるレジスト膜を形成する。このとき、上部電
極４がＰＺＴ膜と同形状で、上部電極４用のレジスト膜
９が耐ウェットエッチング性にも優れているものなら
ば、上部電極４用のレジスト膜９をそのままＰＺＴ膜２
ｘパターニング時のエッチングマスクとして用いても良
い。

【００４２】そして、ＰＺＴ膜２ｘ及びＰＬＴ膜５ｘを
エッチングして、圧電体膜２及び下地膜５を形成する。
その際、ＰＺＴ膜２ｘ等の膜厚が薄い場合にはドライエ
ッチング法を用い、厚みが厚い場合にはウエットエッチ
ング法を用いる。ドライエッチング法の場合には、金
（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）の場合と同様にアルゴンガス
（Ａｒ）を用いてエッチングする。ウエットエッチング
の場合には、弗化アンモニウム溶液及び弗酸を用いてエ
ッチングを行う。エッチング方法は、ビーカに入れたバ
ファードフッ酸を約６０℃に温め、その中に基板６ごと
浸漬する。バッファードフッ酸は濃度が一定になるよう
に常時かき混ぜられる。エッチングが終了すると、純水
で洗浄した後、乾燥させる。

【００４３】その後、ＰＺＴ膜２ｘ等のエッチングに用
いたレジスト膜を除去し、再度、下部電極形成用のエッ
チングマスクとなるレジスト膜を形成し、Ｐｔ膜３ｘを
エッチングして、下部電極３を形成する。その際、ドラ
イエッチング法の場合には、アルゴンガス（Ａｒ）を用
いてエッチングする。一方、ウエットエッチングの場合
には、エッチング液としてシアン化カリウム、ペルオキ
ソ硫酸アンモニウム、水の混合液を用いる。

【００４４】本実施形態によると、以下の効果を発揮す
ることができる。

【００４５】従来、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ₃ （ＰＬ
Ｔ），ＰｂＴｉＯ₂ などの下地膜を形成する場合、Ｍｇ
Ｏ単結晶基板や、ＳｒＴｉＯ₃ 単結晶基板などの単結晶
基板を使用して、厚み５ｎｍ〜３０ｎｍのＰＬＴ膜など
の下地膜を形成する必要があり、その下地膜の上にＰＺ
Ｔ膜などの圧電体膜をエピタキシャル成長をさせてい
た。ところが、ＭｇＯ単結晶基板やＳｒＴｉＯ₃ 単結晶
基板などは、非常に価格が高いので、圧電素子のコスト
ダウンが困難である。また、基板の大きさも３０ｍｍ×
３０ｍｍ程度であるので、あまり大面積の基板が得られ
ない。

【００４６】それに対し、本実施形態の圧電素子及びそ
の製造方法では、ステンレス，ガラス，Ｓｉなどの比較
的安価な基板を使用しつつ、後述するように優れた圧電
特性を有する圧電体膜を形成することができるので、特
性の良好な圧電素子を低コストで得ることができる。

【００４７】また、多結晶体や非晶質体の中には、単結
晶体とは異なり可撓性のあるものが多く存在するので、
種々のアクチュエータの部品となるステンレス板などに
圧電素子を直接形成することにより、小型化，高機能
化，低消費電力化され微小な動作を行なう圧電式アクチ
ュエータも実現することができる。

【００４８】−実施例− 本実施形態の効果を確認するために、以下の具体的なサ
ンプルに対する圧電定数の測定を行なった。図１に示す
構造を有するサンプルを基板６の材質を変え、ＰＬＴか
らなる下地膜５の厚みを２５ｎｍ，５０ｎｍ，７５ｎ
ｍ，１００ｎｍ，１２５ｎｍ，１５０ｎｍ，１７５ｎ
ｍ，２００ｎｍの８種類に変えて、下地膜の厚みの変化
に対する圧電定数ｄ₃₁の変化状態を調べた。

【００４９】基板６としては、ＭｇＯ単結晶基板，シリ
コン単結晶基板，ステンレス基板（多結晶体），ポリシ
リコン基板，耐熱ガラス基板（非晶質体），チタン基板
（多結晶体），鉄板（多結晶体），銅板（多結晶体），
ニッケル板（多結晶体）を用いた。

【００５０】なお、下部電極３は厚み１００ｎｍのＰｔ
膜であり、下地膜５は組成がＰｂ_{0. 85}Ｌａ_0.15Ｔｉ
_0.9625Ｏ_x で表されるＰＬＴ膜であり、圧電体膜２は組
成がＰｂＺｒ_0.5 Ｔｉ_0.5 Ｏ₃ で表される厚み３μｍの
ＰＺＴ膜である。下地膜５及び圧電体膜２は、基板温度
６００℃でスパッタリングにより形成されている。上部
電極４は蒸着により形成された厚み２００ｎｍのＡｕ膜
である。

【００５１】図３は、本実験においてレーザー変位計を
用いて圧電定数を測定する方法を概略的に示す斜視図で
ある。圧電素子１及び基板６は、３ｍｍ×１５ｍｍの短
冊状に切り出され、長さ方向の一端部が固定台７に固定
されている。つまり、圧電素子１及び基板６が片持梁の
状態で支持されている状態で、上部電極−下部電極間に
電圧を印加してレーザー変位計（図示せず）を用いて変
位を測定した。ここで、レーザー変位計としては、グラ
フテック社製のレーザドップラー変位計を用いた。

【００５２】ここで、図３に示す座標系において、圧電
素子１がＸ方向に伸びるとき、電圧をｖ（Ｖ）、圧電体
膜２の厚さをｔ₁ （ｍ）、基板６の厚さをｔ₂ （ｍ）、
圧電体膜２の長さをｌ（ｍ）、圧電体膜２の機械結合係
数Ｓ₁ 、基板６の機械結合係数をＳ₂ 、圧電体膜２の圧
電定数をｄ₃₁とすると、圧電素子１のＸ方向における伸
びｄｘは、下記式（１） ｄｘ＝−３ｄ₃₁・Ｓ₁・Ｓ₂・ｔ₁（ｔ₁＋ｔ₂）・ｌ／（Ｓ₁ ²・ｔ₂ ⁴ ＋４Ｓ₁・Ｓ₂・ｔ₁・ｔ₂ ³＋６Ｓ₁・Ｓ₂・ｔ₁ ²・ｔ₂ ² ＋４Ｓ₁・Ｓ₂・ｔ₂・ｔ₁ ³＋Ｓ₂・２ｔ₁ ⁴） （１） で表される。そこで、各定数の数値を式（１）に代入し
て、圧電定数ｄ₃₁を計算した。

【００５３】図４は、各種基板を用い、下地膜の厚みを
８種類に変化させたときの圧電定数ｄ₃₁のデータを示す
図である。図４に示すように、ＭｇＯ単結晶基板だけで
なく、多結晶体基板や非晶質体基板を用いた場合でも、
下地膜５の厚みが５０ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の範囲
で、比較的良好な圧電定数ｄ₃₁が得られることがわかっ
た。特に、下地膜５の厚みが１００ｎｍ以上で１５０ｎ
ｍ以下の範囲では、圧電定数ｄ₃₁が極めて高く、ＭｇＯ
基板を用いたときの値（約８０×１０^-12ｍ／Ｖ）に対
する圧電定数ｄ₃₁の低下量がわずかであることがわかっ
た。

【００５４】すなわち、本実施形態の圧電素子及びその
製造方法により、ステンレス，ガラス，Ｓｉなどの比較
的安価な基板を使用しつつ、特性の良好な圧電素子を形
成しうることがわかる。

【００５５】ここで、従来、単結晶基板以外の基板（多
結晶基板又は非晶質基板）を用いて圧電体膜を形成して
も、良好な圧電特性が得られていなかったのは、単結晶
基板への圧電体膜の形成と同様に、下地膜の厚みが高々
３０ｎｍ程度にすぎなかったためと考えられる。それに
対し、本発明では、下地膜の厚みを５０ｎｍ以上２００
ｎｍ以下にすることにより、配向性及び圧電特性の良好
な圧電体膜を多結晶基板又は非晶質基板上に形成するこ
とを見いだした。

【００５６】そして、単結晶基板以外の基板上に圧電体
膜を形成しうるので、アクチュエータや各種デバイスに
圧電素子を設ける場合、アクチュエータや各種デバイス
の部材に直接圧電素子を設けることが可能になった。例
えば、アクチュエータのステンレス製バネなどの上に、
下部電極，下地膜，圧電体膜，上部電極などを形成しう
ることは、図２（ａ）〜（ｄ）の製造工程からみて明ら
かである。したがって、従来の転写法を利用する場合の
ごとく、高価な単結晶基板（ＭｇＯ基板）を消耗品とし
て用いる方法に比べると、単結晶基板の不要化によるコ
ストの削減と、工程の簡素化によるコストの削減とを図
ることができる。

【００５７】ただし、本発明においても、転写法を利用
することは可能である。例えば、安価なポリシリコン基
板上に、圧電素子を形成しておいて、その後、ポリシリ
コン基板を除去してもよい。その場合にも、ポリシリコ
ン基板はＭｇＯ基板に比べると格段に安価であるので、
製造コストの削減を図ることができる。

【００５８】その場合、単結晶のシリコンウエハを用い
ることもできる。単結晶基板であっても、ペロブスカイ
ト構造を有する圧電体膜とは格子整合性がよくないもの
があり、かかる基板の場合には、ペロブスカイト構造を
有する圧電体膜に対する格子整合性のよいもの（例えば
ＭｇＯ基板）のごとく薄い下地膜（例えば厚み３ｎｍ〜
３０ｎｍ）を用い、薄い下地膜の上に圧電体膜を形成し
ても、あまり良好な特性が得られないが、本発明のよう
に、５０ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の範囲の厚みの下地
膜の上に、圧電体膜を形成することによって、圧電特性
の良好な圧電素子を得ることができる。

【００５９】ここで、本発明において、圧電体膜２は、
ペロブスカイト構造を有する圧電体材料によって構成さ
れていることが好ましく、特に、鉛（Ｐｂ），チタン
（Ｔｉ）及びジルコニウム（Ｚｒ）を含むペロブスカイ
ト型酸化物、バリウム（Ｂａ），チタン（Ｔｉ）を含む
ペロブスカイト酸化物によって構成されていることがよ
り好ましい。

【００６０】本発明において、下部電極３は、ペロブス
カイト等の酸化物を形成する際の酸化性雰囲気に耐える
金属材料であることが好ましく、特に、白金（Ｐｔ），
パラジウム（Ｐｄ），イリジウム（Ｉｒ）及びルテニウ
ム（Ｒｕ）から選択される金属あるいはそれらの酸化物
によって構成されていることがより好ましい。

【００６１】本発明において、下地膜５は、ペロブスカ
イト膜を成長させるのに適した正方晶又は立方晶の結晶
構造を有する酸化物材料であること好ましく、特に、Ｚ
ｒを含まないペロブスカイト構造を有する酸化物材料か
らなることが好ましい。具体的に、好ましい材料として
は、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ₃ ）や、ＰｂＴｉＯ₃ にラ
ンタンを添加した（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ₃ （以下、単に
ＰＬＴと略す）がある。また、酸化マグネシウム（Ｍｇ
Ｏ），チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃），チタ
ン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ），ルテニウム酸ストロン
チウム（ＳｒＲｕＯ₃ ），ニッケルオキサイド（Ｎｉ
Ｏ），コバルトオキサイト（ＣｏＯ），酸化チタン（Ｔ
ｉＯ₂ ），ジンクオキサイド（ＺｎＯ），酸化ジルコニ
ウム（ＺｒＯ₂ ）などの立方晶または正方晶の結晶構造
を有する酸化物も、下地膜を構成する材料として用いる
ことができる。

【００６２】また、下地膜５の厚みは、５０ｎｍ以上で
２００ｎｍ以下であることが好ましい。図４に示される
ように、下地膜５の厚みが５０ｎｍ未満の場合には、配
向性がよくないためと思われるが、下地膜５の上に形成
される圧電体膜２において十分大きい圧電係数が得られ
ないからである。また、下地膜５の厚みが２００ｎｍを
越えると、下地膜５の剛性が高くなりすぎることによる
ものと思われるが、圧電体膜２の圧電係数が悪化するこ
とがわかっている。また、図４に示されるように、もっ
ともよい圧電特性を発揮するためには、下地膜５の厚み
は、１００ｎｍ以上で１５０ｎｍ以下であることがより
好ましい。

【００６３】本発明において、上部電極４は、酸化性雰
囲気に耐える金属材料であることが好ましく、特に、白
金（Ｐｔ），パラジウム（Ｐｄ），イリジウム（Ｉ
ｒ），ルテニウム（Ｒｕ）及び金（Ａｕ）から選択され
る金属あるいはそれらの酸化物によって構成されている
ことがより好ましい。

【００６４】本発明において、基板６として、単結晶基
板以外のものを用いることが好ましい。例えば、材料全
般を、単結晶体，多結晶体，非晶質体の３つのカテゴリ
ーに分類した場合、本発明の基板は、多結晶体又は非晶
質体であることが好ましい。基板６を構成するのに好ま
しい具体的な材料としては、以下のものがある。第１
に、鉄（Ｆｅ），銅（Ｃｕ），コバルト（Ｃｏ），ニッ
ケル（Ｎｉ），タンタル（Ｔａ），チタン（Ｔｉ），ク
ロム（Ｃｒ）などの金属，これらの金属の１又は２以上
を含む合金，あるいは、これらの金属又は合金の酸化物
である。これらの合金又は酸化物の例としては、ステン
レス，チタン合金，耐熱性ガラスなどがある。また、基
板６を構成するのに好ましい別の材料として、カーボン
（Ｃ）、シリコン（Ｓｉ）を主成分とする半導体または
それらの酸化物がある。

【００６５】ただし、圧電体膜と格子整合性のよくない
単結晶基板であっても、本発明を適用することにより、
良好な圧電特性を有する圧電素子を得ることができる。

【００６６】−その他の実施例− 図５は、各種基板を用い、基板の上にアモルファスシリ
コン膜を形成してから下地膜を形成し、下地膜の厚みを
８種類に変化させたときの圧電定数ｄ₃₁の実験データを
示す図である。アモルファスシリコン膜の厚みは、約３
００ｎｍであり、ＣＶＤ法によって形成されている。こ
こで、ＰＬＴからなる下地膜５の厚みを２５ｎｍ，５０
ｎｍ，７５ｎｍ，１００ｎｍ，１２５ｎｍ，１５０ｎ
ｍ，１７５ｎｍ，２００ｎｍの８種類に変化させてい
る。

【００６７】基板６としては、ＭｇＯ単結晶基板，ステ
ンレス基板（多結晶体），シリコン基板（単結晶体と多
結晶体），耐熱ガラス基板（非晶質体），チタン基板
（多結晶体），鉄板（多結晶体），銅板（多結晶体），
ニッケル板（多結晶体）を用いた。

【００６８】下部電極３は厚み１００ｎｍのＰｔ膜であ
り、下地膜５は組成がＰｂ_0.85Ｌａ _0.15Ｔｉ_0.9625Ｏ_x
で表されるＰＬＴ膜であり、圧電体膜２は組成がＰｂＺ
ｒ_{0. 5} Ｔｉ_0.5 Ｏ₃ で表される厚み３μｍのＰＺＴ膜で
ある。下地膜５及び圧電体膜２は、基板温度６００℃で
スパッタリングにより形成されている。上部電極４は蒸
着により形成された厚み２００ｎｍのＡｕ膜である。

【００６９】圧電素子１及び基板６は、３ｍｍ×１５ｍ
ｍの短冊状に切り出され、図３に示すごとく片持梁の状
態で支持されている状態で、上部電極−下部電極間に電
圧を印加してレーザー変位計（図示せず）を用いて変位
を測定した。

【００７０】図５に示すように、この例の場合にも、Ｍ
ｇＯ単結晶基板だけでなく、多結晶体基板や非晶質体基
板を用いた場合でも、下地膜５の厚みが５０ｎｍ以上で
２００ｎｍ以下の範囲で、比較的良好な圧電定数ｄ₃₁が
得られることがわかった。特に、下地膜５の厚みが１０
０ｎｍ以上で１５０ｎｍ以下の範囲では、圧電定数ｄ ₃₁
が極めて高く、ＭｇＯ基板を用いたときの値（約８０×
１０^-12ｍ／Ｖ）に対する圧電定数ｄ₃₁の低下量がわず
かである。

【００７１】すなわち、本発明の圧電素子及びその製造
方法により、ステンレス，ガラス，Ｓｉなどの比較的安
価な基板を使用しつつ、その上にアモルファスシリコン
膜などを設けた場合にも、圧電特性の良好な圧電素子を
形成しうることがわかる。

【００７２】図６は、各種基板を用い、基板の上に多結
晶シリコン膜を形成してから下地膜を形成し、下地膜の
厚みを８種類に変化させたときの圧電定数ｄ₃₁の実験デ
ータを示す図である。多結晶シリコン膜の厚みは、約３
００ｎｍであり、ＣＶＤ法によって形成されている。こ
こで、ＰＬＴからなる下地膜５の厚みを、２５ｎｍ，５
０ｎｍ，７５ｎｍ，１００ｎｍ，１２５ｎｍ，１５０ｎ
ｍ，１７５ｎｍ，２００ｎｍの８種類に変化させてい
る。

【００７３】基板６としては、ＭｇＯ単結晶基板，ステ
ンレス基板（多結晶体），シリコン基板（多結晶体），
耐熱ガラス基板（非晶質体），チタン基板（多結晶
体），鉄板（多結晶体），銅板（多結晶体），ニッケル
板（多結晶体）を用いた。

【００７４】下部電極３は厚み１００ｎｍ〜１２０ｎｍ
のＰｔ膜であり、下地膜５は組成がＰｂ_0.85Ｌａ_0.15Ｔ
ｉ_0.9625Ｏ_x で表されるＰＬＴ膜であり、圧電体膜２は
組成がＰｂＺｒ_0.5 Ｔｉ_0.5 Ｏ₃ で表される厚み３μｍ
のＰＺＴ膜である。下地膜５及び圧電体膜２は、基板温
度６００℃でスパッタリングにより形成されている。上
部電極４は蒸着により形成された厚み２００ｎｍのＡｕ
膜である。

【００７５】圧電素子１及び基板６は、３ｍｍ×１５ｍ
ｍの短冊状に切り出され、図３に示すごとく片持梁の状
態で支持されている状態で、上部電極−下部電極間に電
圧を印加してレーザー変位計（図示せず）を用いて変位
を測定した。

【００７６】図６に示すように、この例の場合にも、Ｍ
ｇＯ単結晶基板だけでなく、多結晶体基板や非晶質体基
板を用いた場合でも、下地膜５の厚みが５０ｎｍ以上で
２００ｎｍ以下の範囲で、比較的良好な圧電定数ｄ₃₁が
得られることがわかった。特に、下地膜５の厚みが１０
０ｎｍ以上で１５０ｎｍ以下の範囲では、圧電定数ｄ ₃₁
が極めて高く、ＭｇＯ基板を用いたときの値（約８０×
１０^-12ｍ／Ｖ）に対する圧電定数ｄ₃₁の低下量がわず
かであることがわかった。

【００７７】すなわち、本発明の圧電素子及びその製造
方法により、ステンレス，ガラス，Ｓｉなどの比較的安
価な基板を使用しつつ、圧電特性の良好な圧電素子を形
成しうることがわかる。

【００７８】図７は、ステンレス基板を用い、ステンレ
ス基板の上に下地膜を形成し、その上に形成される圧電
体膜であるＰＺＴ膜中のＺｒ組成比を変化させたときの
圧電定数ｄ₃₁の実験データを示す図である。

【００７９】ここでは、ＰＺＴ（ＰｂＺｒ_x Ｔｉ_1-x Ｏ
₃ ）のＺｒ組成比ｘを、０．４０〜０．６０の間で７種
類に変化させている。圧電体膜（ＰＺＴ膜）の厚みは約
３μｍである。基板６としては、ステンレス基板（多結
晶体）と、ＭｇＯ単結晶基板とを用いた。

【００８０】下部電極３は厚み１００ｎｍのＰｔ膜であ
り、下地膜５は組成がＰｂ_0.85Ｌａ _0.15Ｔｉ_0.9625Ｏ_x
で表される，厚み約１００ｎｍ〜１２０ｎｍのＰＬＴ膜
であり、下地膜５及び圧電体膜２は、基板温度６００℃
でスパッタリングにより形成されている。上部電極４は
蒸着により形成された厚み２００ｎｍのＡｕ膜である。

【００８１】圧電素子１及び基板６は、３ｍｍ×１５ｍ
ｍの短冊状に切り出され、図３に示すごとく片持梁の状
態で支持されている状態で、上部電極−下部電極間に電
圧を印加してレーザー変位計（図示せず）を用いて変位
を測定した。

【００８２】図７に示すように、ステンレス基板を用い
た場合、ＰＺＴの組成比ｘが０．４０〜０．６０の間で
変化しても、ほぼ一定で、かつＭｇＯ単結晶基板を用い
た場合とほぼ同等の良好な圧電定数ｄ₃₁が得られること
がわかった。

【００８３】すなわち、本発明の圧電素子及びその製造
方法により、ステンレス，ガラス，Ｓｉなどの比較的安
価な基板を使用しつつ、圧電特性の良好な圧電素子を形
成しうることがわかる。

【００８４】図８は、ステンレス基板を用い、ステンレ
ス基板の上に形成される下地膜の材質を、１０種類に変
化させたときの圧電定数ｄ₃₁の実験データを示す図であ
る。

【００８５】ここでは、下地膜５の組成を、Ｐｂ_0.85Ｌ
ａ_0.15Ｔｉ_0.9625Ｏ_x で表されるＰＬＴ、酸化マグネシ
ウム（ＭｇＯ），チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ
₃ ），チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ），ＳｒＲｕＯ
₃ （ルテニウム酸ストロンチウム），ニッケルオキサイ
ド（ＮｉＯ），コバルトオキサイト（ＣｏＯ），酸化チ
タン（ＴｉＯ₂ ），ジンクオキサイド（ＺｎＯ），酸化
ジルコニウム（ＺｒＯ ₂ ）の１０種類に変化させてい
る。また、下地膜５の厚みを２５ｎｍ，５０ｎｍ，７５
ｎｍ，１００ｎｍ，１２５ｎｍ，１５０ｎｍ，１７５ｎ
ｍ，２００ｎｍの８種類に変化させている。

【００８６】圧電体膜２は、スパッタリングによって形
成された厚み３μｍのＰＺＴ膜（ＰｂＺｒ_0.5 Ｔｉ_0.5
Ｏ₃ 膜）である。

【００８７】下部電極３はスパッタリングにより形成さ
れた厚み１００ｎｍ〜１２０ｎｍのＰｔ膜であり、下地
膜５は組成がＰｂ_0.85Ｌａ_0.15Ｔｉ_0.9625Ｏ_x で表され
る，厚み約１００ｎｍ〜１２０ｎｍのＰＬＴ膜であり、
下地膜５及び圧電体膜２は、基板温度６００℃でスパッ
タリングにより形成されている。上部電極４は蒸着によ
り形成された厚み２００ｎｍのＡｕ膜である。

【００８８】圧電素子１及び基板６は、３ｍｍ×１５ｍ
ｍの短冊状に切り出され、図３に示すごとく片持梁の状
態で支持されている状態で、上部電極−下部電極間に電
圧を印加してレーザー変位計（図示せず）を用いて変位
を測定した。

【００８９】図８に示すように、下地膜が立方晶又は正
方晶であれば、下地膜５の厚みが５０ｎｍ以上で２００
ｎｍ以下の範囲で、比較的良好な圧電定数ｄ₃₁が得られ
ることがわかった。特に、下地膜５の厚みが１００ｎｍ
以上で１５０ｎｍ以下の範囲では、圧電定数ｄ₃₁が極め
て高いことがわかった。

【００９０】すなわち、本発明の圧電素子及びその製造
方法により、圧電特性の良好な圧電素子を形成しうるこ
とがわかる。

【００９１】（第２の実施形態）図９（ａ）〜（ｄ）
は、本発明の第２の実施形態における圧電式アクチュエ
ータの各種構造を示す断面図である。

【００９２】本実施形態のアクチュエータは、基本的要
素として、圧電素子１と、圧電素子を保持するように設
けられた合成樹脂からなる補強部材１４と、補強部材１
４を支持する固定部１５と、補強部材１４に形成された
スルーホール１７を埋めて圧電素子１の上部電極４に接
続される上部電極引き出し電極１６と、圧電素子１によ
って駆動される対象物１８とを備えている。また、補強
部材１４は、固定部１５と対象物１８と圧電素子１とを
互いに連結させており、移動部材として機能する部分と
固定部材として機能する部分とを有していることにな
る。

【００９３】圧電素子１は、第１の実施形態で説明した
通りの構造を有しており、下部電極３と、下部電極３の
上に形成された下地膜５と、下地膜５の上に形成された
圧電体膜２と、圧電体膜２の上に形成された上部電極４
とを備えている。圧電素子１を構成する各要素２〜５の
材質や厚み寸法は、第１の実施形態で説明した範囲内で
適宜選択することができる。代表的な例としては、下部
電極３は厚み１００ｎｍのＰｔ膜であり、下地膜５は組
成がＰｂ_0.85Ｌａ_0.15Ｔｉ_0.9625Ｏ_x で表される厚み１
５０ｎｍのＰＬＴ膜であり、圧電体膜２は組成がＰｂＺ
ｒ_0.5 Ｔｉ_0.5Ｏ₃ で表される厚み３μｍのＰＺＴ膜で
あり、上部電極４は厚み２００ｎｍのＡｕ膜である。

【００９４】そして、圧電素子１の一方の端は下部電極
３を介して固定部１５に固定されている。下部電極３は
固定部１５が導電体の場合、固定部１５を介して電圧供
給部に接続され、固定部１５が絶縁体の場合、固定部１
５上に引き出し線を設けることにより電圧供給部に接続
される。上部電極４は補強部材１４が絶縁層であるの
で、スルーホール１７を通って上部電極引き出し線１６
に接続される。圧電素子１の固定部１５に接する端部と
反対側の端部には、圧電素子１が動作させる対象物１８
が取り付けられている。

【００９５】そして、図９（ａ）に示す構造では、圧電
素子１を形成するために用いられた基板がエッチング等
の方法により除去されている。そして、補強部材１４の
みが形状保持機能を有している。

【００９６】図９（ｂ）に示す構造では、圧電素子１を
形成するために用いられた基板がエッチング等の方法に
より除去されて、基板が除去された領域には、圧電素子
１の下部電極３を覆う保護層１９が設けられている。そ
して、保護層１９と補強部材１４とが形状保持機能を有
している。

【００９７】図９（ｃ）に示す構造では、圧電素子１を
形成するために用いられた基板がエッチング等の方法に
より一部１５ａだけ薄く加工されている。そして、補強
部材１４と基板の一部１５ａとが形状保持機能を有して
いる。

【００９８】図９（ｄ）に示す構造では、圧電素子１を
形成するために用いられた基板がエッチング等の方法に
より除去されて、補強部材１４が圧電素子１全体を覆
い、かつ、固定部１５の上まで延びている。この構造
は、固定部１５が絶縁体、または固定部１５が導電体で
あっても、下部電極３に直接電圧を印可したい場合の構
造の一例である。図９（ｄ）は、固定部１５が導電体で
ある場合を示し、この場合には、補強部材１４の固定部
１５上に位置する部分の上に、下部電極引き出し線２０
を形成する。固定部１５が絶縁体である場合、補強部材
１４のうち固定部１５の上に位置する部分は形成せず
に、固定部１５上に下部電極引き出し線２０を形成する
ことができる。

【００９９】図１０（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態のア
クチュエータの製造工程の一部を示す断面図である。

【０１００】まず、図１０（ａ）に示す工程で、固定部
１５や対象物１８となりうる基板１０の上に、第１の実
施形態で説明した方法により、下部電極３となるＰｔ膜
３ｘと、下地膜５となるＰＬＴ膜５ｘと、圧電体膜２と
なるＰＺＴ膜２ｘと、上部電極４となる貴金属膜４ｘと
を形成する。

【０１０１】次に、図１０（ｂ）に示す工程で、リソグ
ラフィー工程を行なって、貴金属膜４ｘの上にレジスト
マスク１１を形成する。

【０１０２】次に、図１０（ｃ）に示す工程で、貴金属
膜４ｘ，ＰＺＴ膜２ｘ，ＰＬＴ膜５ｘ及びＰｔ膜３ｘを
パターニングすることにより、下部電極３，下地膜５，
圧電体膜２及び上部電極４を有する圧電素子１を形成す
る。このときの、パターニング方法は、第１の実施形態
で説明したとおりである。

【０１０３】次に、図１０（ｄ）に示す工程で、スピン
ナー法、ロール法、浸漬法、スプレイ法、インクジェッ
ト法などを用いて合成樹脂からなる補強部材１４を基板
１０及び上部電極４の上に塗布する。そして、リソグラ
フィー工程及びエッチング工程を行なって、補強部材１
４に上部電極４を引き出すためのスルーホール１７を開
口する。

【０１０４】次に、図１０（ｅ）に示す工程で、メッキ
により、スルーホール１７を埋め、かつ、補強部材１４
を覆うアルミニウム合金等の金属膜を形成した後、金属
膜をパターニングして、上部電極引き出し配線１６を形
成する。

【０１０５】図１０（ａ）〜（ｅ）に示す工程は、図９
（ａ）〜（ｃ）に示されるいずれかの構造を実現するた
めの方法である。

【０１０６】すなわち、図１０（ｅ）に示す構造におい
て、基板１０のうち圧電体素子１の下方に位置する部分
を、その両端部のみを残して除去すると、図９（ａ）に
示される構造が得られる。すなわち、基板１０が固定部
１５と対象物１８とに分離されることになる。

【０１０７】また、図１０（ｅ）に示す構造において、
基板１０のうち圧電体素子１の下方に位置する部分を、
その両端部のみを残して除去した後、保護層１９を形成
すると、図９（ｂ）に示される構造が得られる。

【０１０８】さらに、図１０（ｅ）に示す構造におい
て、基板１０のうち圧電体素子１の下方に位置する部分
を、その両端部を除きハーフエッチングすることによ
り、図９（ｃ）に示される構造が得られる。

【０１０９】なお、本発明者達の発明に係る特開２００
１−３０９６７３号に開示されている方法を採用するこ
とにより、図９（ｄ）に示される構造も容易に得られ
る。

【０１１０】図１１は、本発明の第２の実施形態のアク
チュエータの一例である情報記録再生装置用２段式アク
チュエータの基本的な構成を示す斜視図である。図１２
（ａ），（ｂ）は、それぞれ順に、この２段式アクチュ
エータの正面図及び平面図である。

【０１１１】図１１及び図１２（ａ）に示すように、ヘ
ッド支持機構は、ヘッド素子２３を搭載し回転または走
行する記録媒体上を飛行または滑走するスライダー２４
と、それを支持するサスペンション２５と、サスペンシ
ョン２５を固定するベースプレート２６と、スライダー
２４に荷重を加えるロードビーム（図示せず）およびヘ
ッド素子２３と、情報記録装置の記録再生回路を電気的
に接合する信号系（図示なし）とを備えている。そし
て、この２段式アクチュエータは、信号系リード線やサ
スペンションに直接または間接的にプリント回路に接続
される。

【０１１２】微小駆動するアクチュエータは、サスペン
ション２５と一体型で、ヘッド素子２３を付設している
スライダー２４とベースプレート２６の間に配置され
る。

【０１１３】このアクチュエータは、母材となる約１０
〜３０μｍのステンレスと微小駆動素子２８を構成する
圧電体膜からなる。圧電素子を含む微小駆動素子２８は
ディスク面２９に対して垂直になるように折り曲げ構造
をとる。

【０１１４】さらに、図１２（ｂ）に示すように、微小
駆動素子２８はディスク面２９に垂直かつサスペンショ
ン２５の長手方向の中心線Ｌceに沿った面とそれぞれ１
５度以上の角度を成して構成される。

【０１１５】図１３（ａ），（ｂ）は、微小駆動素子に
よるサスペンション等の移動を説明するための平面図で
ある。それぞれの微小駆動素子２８には、９０度逆位相
の駆動電圧が与えられ伸縮が繰り返される。伸縮によっ
てサスペンション２５およびサスペンション２５に固定
されたスライダー２４，ヘッド素子２３は、図１３
（ａ）に示すように回転する。さらに、駆動電圧を逆位
相にすると、サスペンション２５およびサスペンション
２５に固定されたスライダー２４及びヘッド素子２３
は、図１３（ｂ）に示すように、反対方向に回転する。

【０１１６】微小駆動素子２８は、ディスク面に垂直な
面（図１２（ａ）に示す中心線Ｌce）に対して約１５以
上の角度を取るように配置されている。これは、角度が
小さい（約０度〜１５度未満）場合、ディスクの回転が
スライダー２４に及ぼす影響（空気粘性摩擦力）を受け
やすいことから、この影響を軽減するためである。以上
の構成により、高精度なトラック位置決めが可能にな
る。

【０１１７】なお、アクチュエータを構成する母材とし
ては、この構造においてはステンレスを使用したが、バ
ネ性，耐熱性を所有し、厚みが薄くともある程度の剛性
が確保できる材料であればどんな材料でも良い。

【０１１８】ここで、本実施形態のアクチュエータの場
合、従来の構造においては、圧電素子１をＭｇＯ等の単
結晶基板上に形成した後、フォトリソグラフィーを用い
て加工し、転写プロセスを用いて固定部位に転写してい
た。その転写の際、接着剤又は金属接合を用いて、圧電
素子１と支持部材との固定を行なっていた。ところが、
接着剤や金属接合を用いた固定には、工程上の手間が煩
雑になる。しかも、圧電素子１の固定の際の位置誤差
や、取り付け面との傾きなどが生じるおそれがある。

【０１１９】それに対し、本実施形態においては、第１
の実施形態において説明した方法により、圧電素子１を
直接ステンレス板などの可撓性のある金属板や絶縁板
（多結晶体又は非晶質体）の上に形成することが可能に
なるので、接着又は金属接合による転写行なう必要がな
くなる。したがって、別途高価なＭｇＯ基板等の単結晶
基板が不要となることによる製造コストの削減と、工程
の簡略化による製造コストの削減と、機構的精度や機能
の向上とを図ることができる。特に、小型化，高機能
化，低消費電力化されたアクチュエータを実現すること
ができ、マイクロマシンやマイクロセンサに適したアク
チュエータの提供を図ることができる。

【０１２０】本発明のアクチュエータは、例えば下記の
ような各種デバイスに搭載することができる。

【０１２１】アクチュエータが光学的デバイスとして機
能するものとして、以下のもの （１）光を偏向させるデバイスを用いたもの、例えば、
プリンタ、投写型ディスプレイ、バーコードリーダー、
スキャナーなど （２）薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ （３）マイクロ光学素子：光学スイッチング素子、焦点
調整装置、焦点可変ミラーなど （４）絞り装置：カメラ、ビデオムービー、内視鏡など
の光学機器 （５）可変できるミラー がある。

【０１２２】アクチュエータがポンプとして機能するも
のとして、以下のもの （６）インクジェットプリンター （７）イオン発生器：空気清浄機、加湿器、集塵機 がある。

【０１２３】アクチュエータがモータとして機能するも
のとして、以下のもの （８）圧電リニアモータに用いる光ピックアップ、超音
波モータ がある。

【０１２４】アクチュエータが圧電共振子として機能す
るものとして、以下のもの （９）発振素子 （１０）ディスクリミネータ （１１）フィルタ がある。

【０１２５】アクチュエータがセンサとして機能するも
のとして、以下のもの （１２）圧力センサー （１３）加速度センサー （１４）衝撃センサー （１５）ＡＥセンサー(Acoustic Emission) （１６）超音波センサー （１７）角速度センサー （１８）重力センサー がある。

【０１２６】アクチュエータが機構の一部を構成するも
のとして、以下のもの （１９）マイクロリレー （２０）超薄膜キーボード （２１）流体制御用バルブ （２２）ハードディスクドライブ(ＨＤＤ)用アクチュエ
ータ がある。

【０１２７】（第３の実施形態）本実施形態において
は、第２の実施形態におけるアクチュエータの応用例と
して、ＨＤＤに用いられる圧電式アクチュエータの一例
について説明する。

【０１２８】図１４（ａ），（ｂ）は、それぞれ順に、
本実施形態に係る第１世代ピギーバックアクチュエータ
の全体構造を示す斜視図、第２世代ピギーバックアクチ
ュエータのヘッド部の部分構造を示す斜視図である。

【０１２９】図１４（ａ）に示すように、第１世代ピギ
ーバックアクチュエータは、ＶＣＭ（ボイスコイルモー
タ）３０を駆動手段とする主要アクチュエータと、圧電
素子１を補助駆動手段とする補助アクチュエータとを備
えており、この主要アクチュエータ及び補助アクチュエ
ータによって磁気ヘッド３４を位置決め制御する第１世
代ピギーバックアクチュエータである。そして、圧電素
子１は、ステンレス板により構成されるサスペンション
３５の一方の上面上に複数個取り付けられており、アク
チュエータ機構のほぼ重心位置に配置されている。各圧
電素子１の上面上には、圧電素子１と同数の分岐端３１
ａを有する支持アーム３１が取り付けられており、支持
アーム３１の先端部はサスペンション３２に連結されて
いる。また、サスペンション３２の先端部に磁気ヘッド
３４を付設したスライダー３３が取り付けられている。
そして、圧電素子１により、複数の分岐端３１ａが微小
駆動される。すなわち、圧電素子１によって支持アーム
３１の各分岐端３１ａが同時に微小駆動されることで、
磁気ヘッド３４の微小移動調整が行なわれる。

【０１３０】また、図１４（ｂ）に示すように、第２世
代ピギーバックアクチュエータは、図１４（ａ）に示す
ＶＣＭ３０を駆動手段とする主要アクチュエータ（図１
４（ｂ）には図示せず）を備えるとともに、主要アクチ
ュエータに支持アーム（図示せず）を介して連結されて
いるサスペンョン３２と、先端部に磁気ヘッド３４が取
り付けられているスライダー３３とを備え、サスペンシ
ョン３２と、スライダー３３との間にスライダー３３を
微小制御するための圧電素子１が介設されている。

【０１３１】圧電素子１は、第１の実施形態で説明した
通りの構造を有しており、下部電極と、下部電極の上に
形成された下地膜と、下地膜の上に形成された圧電体膜
と、圧電体膜の上に形成された上部電極とを備えてい
る。圧電素子１を構成する各要素の材質や厚み寸法は、
第１の実施形態で説明した範囲内で適宜選択することが
できる。代表的な例としては、下部電極は厚み１００ｎ
ｍのＰｔ膜であり、下地膜は組成がＰｂ_0.85Ｌａ_0.15Ｔ
ｉ_0.9625Ｏ_x で表される厚み１５０ｎｍのＰＬＴ膜であ
り、圧電体膜は組成がＰｂＺｒ_0.5 Ｔｉ_0.5 Ｏ₃ で表さ
れる厚み３μｍのＰＺＴ膜であり、上部電極は厚み２０
０ｎｍのＡｕ膜である。

【０１３２】従来、図１４（ａ）、（ｂ）に示すような
圧電式のアクチュエータの場合、従来の構造において
は、圧電素子１をＭｇＯ等の単結晶基板上に形成した
後、フォトリソグラフィーを用いて加工し、転写プロセ
スを用いて固定部位に転写していた。その転写の際、接
着剤又は金属接合を用いて、圧電素子１と支持アーム３
１との固定、圧電素子１とサスペンション３２との固
定、あるいは圧電素子１とスライダー３３との固定を行
なっていた。ところが、図１４（ｂ）に示す構造の場合
には、スライダー３３の大きさが数ｍｍ以下と小さいた
め、固定面積も非常に小さく、接着剤を用いる場合に
は、接着する部分と接着しない部分とを分けることは非
常に困難である。さらに、金属接合を用いる場合には、
工程上の手間が煩雑になる。しかも、圧電素子１の固定
の際の位置誤差や、取り付け面との傾きなどが生じるお
それがある。

【０１３３】それに対し、本実施形態においては、第１
の実施形態において説明した方法により、圧電素子１を
直接ステンレス板上に形成することが可能になるので、
一方の面における接着又は金属接合を行なう必要がなく
なる。したがって、別途高価なＭｇＯ基板等の単結晶基
板が不要となることによる製造コストの削減と、工程の
簡略化による製造コストの削減と、機構的精度や機能の
向上による検知又は記録精度の向上とを図ることができ
る。

【０１３４】（第４の実施形態）本実施形態において
は、本発明の圧電素子１をインクジェットヘッドに適用
した例について説明する。

【０１３５】図１５（ａ），（ｂ）は、本発明の第４の
実施形態に係るインクジェットヘッドの図１７に示すXV
−XV線における断面図及びその部分拡大図である。図１
６は、本発明の第４の実施形態に係るインクジェットヘ
ッドの図１７に示すXVI-XVI線における断面図である。
図１７は、本発明の第４の実施形態に係るインクジェッ
トヘッドの平面図である。

【０１３６】図１５〜図１７に示すように、本実施形態
のインクジェットヘッドは、インクを供給するための供
給口５２ａとインクを吐出するための吐出口５２ｂとを
有する複数の圧力室用凹部５２が形成されたヘッド本体
５１を備えている。このヘッド本体５１の各凹部５２
は、ヘッド本体５１の一外側面（上面）に略矩形状に開
口されていて、一方向に所定間隔をあけて並べられてい
る。なお、図１７には、各凹部５２（後述のノズル孔６
４、振動板７２、圧電素子７３、上部電極４等）は、煩
雑となるのを避けるために３つしか記載していないが、
実際には、多数設けられている。

【０１３７】ヘッド本体５１の各凹部５２の側壁部は、
約２００μｍ厚の感光性ガラス製の圧力室部品５５で構
成され、各凹部５２の底壁部は、この圧力室部品５５に
固着されかつ複数のステンレス鋼薄板を貼り合せてなる
インク流路部品５６で構成されている。このインク流路
部品５６内には、各凹部５２の供給口５２ａにそれぞれ
接続された供給用インク流路５７と、各吐出口５２ｂに
それぞれ接続された吐出用インク流路５８とが形成され
ている。各供給用インク流路５７は、各凹部５２が並ぶ
方向に延びるインク供給室６０に接続され、このインク
供給室６０は、圧力室部品５５及びインク流路部品５６
に形成されかつ図外のインクタンクと接続されるインク
供給孔６１に接続されている。インク流路部品５６の圧
力室部品５５に接する面とは対向する面（下面）には、
ポリイミド等の高分子樹脂からなる約２０μｍ厚のノズ
ル板６３が設けられ、このノズル板６３には、各吐出用
インク流路５８とそれぞれ接続された直径約２０μｍの
ノズル孔６４が形成されている。この各ノズル孔６４
は、各凹部５２の配列方向に延びる一直線上に配置され
ている。

【０１３８】そして、ヘッド本体５１の圧力室部品５５
におけるインク流路部品５６に接する面とは対向する面
（上面）には、圧電アクチュエータ７１が設けられてい
る。この圧電アクチュエータ７１は、ヘッド本体５１の
各凹部５２を塞いで凹部５２と共に圧力室５３を構成す
るように１つの圧力室５３毎に分割された状態で設けら
れた１〜３μｍ厚のステンレス，Ｃｒ，Ｎｉ等の金属板
である振動板７２を有している。この各振動板７２は、
平面視で圧力室５３と略同じ略矩形状に形成されている
と共に、配線（図示せず）により互いに電気的に接続さ
れて、後述の全圧電素子１に共通の共通電極としての役
割をも有している。

【０１３９】また、圧電アクチュエータ７１は、各振動
板７２の圧力室５３に接する面とは対向する面（上面）
において圧力室５３に対応する部分にそれぞれ設けられ
かつチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる２〜５μ
ｍ厚の圧電素子１と、この各圧電素子１の上記振動板７
２に接する面とは対向する面（上面）にそれぞれ設けら
れ、振動板７２と共に各圧電素子１に電圧をそれぞれ印
加するための０．１μｍ厚のＰｔ製上部電極４とを有し
ている。

【０１４０】圧電素子１は、第１の実施形態で説明した
通りの構造を有しており、下部電極３と、下部電極３の
上に形成された下地膜５と、下地膜５の上に形成された
圧電体膜２と、圧電体膜２の上に形成された上部電極４
とを備えている。圧電素子１を構成する各要素の材質や
厚み寸法は、第１の実施形態で説明した範囲内で適宜選
択することができる。代表的な例としては、下部電極３
は厚み１００ｎｍのＰｔ膜であり、下地膜５は組成がＰ
ｂ_0.85Ｌａ_0.15Ｔｉ_0.9625Ｏ_x で表される厚み１５０ｎ
ｍのＰＬＴ膜であり、圧電体膜２は組成がＰｂＺｒ_0.5
Ｔｉ_0.5 Ｏ₃ で表される厚み３μｍのＰＺＴ膜であり、
上部電極４は厚み２００ｎｍのＡｕ膜である。製造工程
においては、平板状態の金属板上に下部電極３，下地膜
５，圧電体膜２及び上部電極４を形成した後、曲げ加工
やパターニングを行なって、図１５（ｂ）に示す構造を
作成することができる。

【０１４１】各振動板７２の圧力室５３に対応する部分
は、圧力室５３が配置されている側とは反対側（上側）
へ凸状に湾曲している。つまり、各振動板７２の圧力室
５３に対応する部分は、振動板７２の幅方向に沿って切
断した断面及び長さ方向に沿って切断した断面のいずれ
においても、略円弧状をなして圧力室５３と反対側へ突
出している。この各振動板７２の湾曲に伴って各圧電素
子１及び各上部電極４も上側へ湾曲している。各振動板
７２の圧力室５３に対応する部分における圧力室５３と
反対側への最大突出量（各振動板７２の略中央部の突出
量）は、０．０５〜１０μｍに設定することが望まし
い。これは、この最大突出量が０．０５μｍよりも小さ
いと、後述の如くインクジェットヘッドの製造時及び使
用時において振動板７２や圧電素子１の不良抑制効果が
十分に得られない一方、１０μｍよりも大きいと、却っ
て製造時に振動板７２や圧電素子１にクラック等が生じ
易くなるからである。なお、最大凸量のより好ましい範
囲は、０．０５〜５μｍである。

【０１４２】次に、インクジェットヘッドの動作につい
て説明すると、振動板７２と上部電極４との間への電圧
の印加により、振動板７２の圧力室５３に対応する部分
を圧力室５３の容積が減少するように変形させること
で、圧力室５３内のインクを吐出口５２ｂから吐出させ
る。すなわち、振動板７２と上部電極４とを介して圧電
素子１にパルス状の電圧を印加すると、このパルス電圧
の立ち上がりにより圧電素子１がその厚み方向と垂直な
幅方向に収縮するのに対し、振動板７２は収縮しないの
で、振動板７２の圧力室５３に対応する部分が圧力室５
３側へ（凸量が小さくなる側へ）変位するように変形す
る。この変形により圧力室５３内に圧力が生じ、この圧
力で圧力室５３内のインクのうちの所定量が吐出口５２
ｂ及び吐出用インク流路５８を経由してノズル孔６４よ
り外部（印刷する紙面上）へ吐出されて、紙面にドット
状に付着することとなる。そして、パルス電圧の立ち下
がりにより圧電素子１が幅方向に伸長して振動板７２は
元の状態に復帰し、このとき、圧力室５３内にはインク
供給室６０より供給用インク流路５７及び供給口５２ａ
を介してインクが充填される。なお、１色のインクだけ
でなく、例えばブラック、シアン、マゼンタ及びイエロ
ーの各インクを互いに異なるノズル孔６４からそれぞれ
吐出させるようにして、カラー印刷を行うようにするこ
ともできる。

【０１４３】従来の製造方法では、ＭｇＯ基板等の上に
圧電素子を形成した後、圧電素子を振動板７２の上に転
写していた。また、転写法ではなく圧電素子を直接振動
板７２の上にスパッタリング等によって形成することも
可能であったが、その場合には、圧電素子の圧電特性が
あまりよくなかった。

【０１４４】それに対し、本実施形態では、第１の実施
形態で説明した方法により、圧電素子１を直接ステンレ
ス，Ｃｒ，Ｎｉ等の金属板上に形成することが可能にな
るので、別途高価なＭｇＯ基板等の単結晶基板が不要と
なることによる製造コストの削減と、工程の簡略化によ
る製造コストの削減と、機構的精度の向上による印字精
度の向上とを図ることができる。

【０１４５】（その他の実施形態）なお、上記第１〜第
４の実施形態において、圧電素子１が形成される基板が
導電性のある材料，例えばステンレス，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃ
ｒ等の金属板である場合、圧電素子１が下部電極３を備
えている必要はない。基板が下部電極として機能しうる
からである。ただし、現実に下地膜がＰＬＴ膜等のペロ
ブスカイト膜である場合には、下地膜と基板を構成する
材料との相互拡散による反応が生じるおそれを防止する
意味で、何らかのバリア層が必要である。そこで、上述
の実施形態においては、現実には、Ｐｔ膜が下部電極と
して用いられている。

【０１４６】同様に、圧電素子１の上方に導電性部材が
取り付けられる場合には、導電性部材を上部電極として
機能させることができる。

【０１４７】さらに、上記第１〜第４の実施形態におい
て、下部電極３と基板（第２の実施形態における基板１
０や第４の実施形態における振動板７２）との間に、多
結晶シリコン膜など、多結晶膜又は非晶質膜を介在させ
てもよい。

【０１４８】

【発明の効果】本発によると、厚みが５０ｎｍ以上で２
００ｎｍ以下の下地膜と、下地膜上に設けられた圧電体
膜とを備える構造としてので、多結晶体あるいは非晶質
体である基板の上にも、圧電特性の良好な圧電素子を設
けることができ、製造コストの低減や、圧電素子を利用
した各種デバイスの提供が可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態である圧電素子の構成
を示す断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本実施形態における半導体
薄膜素子の製造工程を示す断面図である。

【図３】本発明の実験においてレーザー変位計を用いて
圧電定数を測定する方法を概略的に示す斜視図である。

【図４】本発明の第１の実施形態おいて、各種基板を用
い、下地膜の厚みを８種類に変化させたときの圧電定数
ｄ₃₁のデータを示す図である。

【図５】本発明の第１の実施形態の実施例において、各
種基板を用い、基板の上にアモルファスシリコン膜を形
成してから下地膜を形成し、下地膜の厚みを８種類に変
化させたときの圧電定数ｄ₃₁の実験データを示す図であ
る。

【図６】本発明の第１の実施形態の実施例において、各
種基板を用い、基板の上に多結晶シリコン膜を形成して
から下地膜を形成し、下地膜の厚みを８種類に変化させ
たときの圧電定数ｄ₃₁の実験データを示す図である。

【図７】本発明の第１の実施形態の実施例において、ス
テンレス基板を用い、ステンレス基板の上に下地膜を形
成し、その上に形成される圧電体膜であるＰＺＴ膜中の
Ｚｒ組成比を変化させたときの圧電定数ｄ₃₁の実験デー
タを示す図である。

【図８】本発明の第１の実施形態の実施例において、ス
テンレス基板を用い、ステンレス基板の上に形成される
下地膜の材質を、１０種類に変化させたときの圧電定数
ｄ₃₁の実験データを示す図である。

【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施形態に
おける圧電式アクチュエータの各種構造を示す断面図で
ある。

【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第２の実施形態
のアクチュエータの製造工程の一部を示す断面図であ
る。

【図１１】本発明の第２の実施形態のアクチュエータの
一例である２段式アクチュエータの基本的な構成を示す
斜視図である。

【図１２】（ａ），（ｂ）は、それぞれ順に、情報記録
再生装置用２段式アクチュエータの正面図及び平面図で
ある。

【図１３】（ａ），（ｂ）は、２段式アクチュエータに
おける微小駆動素子によるサスペンション等の移動を説
明するための平面図である。

【図１４】（ａ），（ｂ）は、それぞれ順に、本発明の
第３の実施形態に係る第１世代ピギーバックアクチュエ
ータの全体構造を示す斜視図、第２世代ピギーバックア
クチュエータのヘッド部の部分構造を示す斜視図であ
る。

【図１５】（ａ），（ｂ）は、本発明の第４の実施形態
に係るインクジェットヘッドの図１７に示すXV−XV線に
おける断面図及びその部分拡大図である。

【図１６】本発明の第４の実施形態に係るインクジェッ
トヘッドの図１７に示すXVI-XVI線における断面図であ
る。

【図１７】本発明の第４の実施形態に係るインクジェッ
トヘッドの平面図である。

【符号の説明】

１ 圧電素子 ２ 圧電体膜 ３ 下部電極 ４ 上部電極 ５ 下地膜 ６ 基板 ７ 固定台

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｄ 41/18 １０１Ｚ 41/187 41/08 Ｄ Ｈ０２Ｎ 2/00 Ｂ４１Ｊ 3/04 １０３Ａ Ｆターム(参考） 2C057 AF93 AG39 AG44 AG55 BA03 BA14 5D068 AA02 CC11 EE19 GG24 5D096 AA02 NN03 NN07

Claims (23)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に設けられる圧電素子であって、 厚みが５０ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の範囲にある下地
   膜と、 上記下地膜を挟んで上記基板に対向して設けられた圧電
   体膜とを備えていることを特徴とする圧電素子。
2. 【請求項２】 請求項１記載の圧電素子において、 上記下地膜と上記基板との間に介設された第１の電極を
   さらに備えていることを特徴とする圧電素子。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の圧電素子におい
   て、 上記圧電体膜を挟んで上記下地膜に対向して設けられた
   第２の電極をさらに備えていることを特徴とする圧電素
   子。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のうちいずれか１つに記載
   の圧電素子において、 上記基板は、多結晶体又は非晶質体により構成されてい
   ることを特徴とする圧電素子。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のうちいずれか１つに記載
   の圧電素子において、 上記下地膜は、立方晶あるいは正方晶の結晶構造を有す
   る酸化物により構成されていることを特徴とする圧電素
   子。
6. 【請求項６】 請求項５記載の圧電素子において、 上記下地膜は、構成要素にＺｒを含まないペロブスカイ
   ト酸化物により構成されていることを特徴とする圧電素
   子。
7. 【請求項７】 請求項６記載の圧電素子において、 上記下地膜は、（Ｐｂ，Ｌａ）ＴｉＯ₃ で表される組成
   を有するペロブスカイト酸化物であるＰＬＴにより構成
   されていることを特徴とする圧電素子。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のうちいずれか１つに記載
   の圧電素子において、 上記圧電体膜は、Ｐｂ，Ｚｒ，Ｔｉを含むペロブスカイ
   ト酸化物により構成されていることを特徴とする圧電素
   子。
9. 【請求項９】 固定部材と、 上記固定部材に対して移動可能な移動部材と、 上記固定部材及び移動部材に接続された圧電素子とを備
   え、 上記圧電素子は、 厚みが５０ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の範囲にある下地
   膜と、 上記下地膜に接触して形成された圧電体膜とを有してい
   ることを特徴とするアクチュエータ。
10. 【請求項１０】 請求項９記載のアクチュエータにおい
    て、 上記固定部材は、上記移動部材に取り付けられており、 上記圧電素子は、上記移動部材のみに接触しており、 上記下地膜は、上記圧電体膜と上記移動部材との間に介
    在していて、 上記圧電素子は、上記圧電体膜の上に設けられた上部電
    極をさらに有していることを特徴とするアクチュエー
    タ。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載のアクチュエータにお
    いて、 上記圧電素子は、上記下地膜と上記移動部材との間に介
    設された下部電極をさらに有していることを特徴とする
    アクチュエータ。
12. 【請求項１２】 請求項９記載のアクチュエータにおい
    て、 上記圧電素子は、上記移動部材及び固定部材に接触して
    おり、 上記下地膜は、上記移動部材又は上記固定部材のうちの
    一方の部材と、上記圧電体膜との間に介在していること
    を特徴とするアクチュエータ。
13. 【請求項１３】 請求項１２記載のアクチュエータにお
    いて、 上記圧電素子は、上記下地膜と上記一方の部材との間に
    介設された第１の電極をさらに有していることを特徴と
    するアクチュエータ。
14. 【請求項１４】 請求項１２又は１３記載のアクチュエ
    ータにおいて、 上記圧電素子は、上記下地膜と、上記移動部材又は固定
    部材のうちの他方の部材との間に介設された第２の電極
    をさらに有していることを特徴とするアクチュエータ。
15. 【請求項１５】 請求項９〜１４のうちいずれか１つに
    記載のアクチュエータにおいて、 上記移動部材及び上記固定部材のうち少なくともいずれ
    か一方は、可撓性のある多結晶体又は非晶質体により構
    成されていることを特徴とするアクチュエータ。
16. 【請求項１６】 請求項９〜１５のうちいずれか１つに
    記載のアクチュエータにおいて、 上記下地膜は、構成要素にＺｒを含まないペロブスカイ
    ト酸化物により構成されていることを特徴とするアクチ
    ュエータ。
17. 【請求項１７】 インクを供給するための供給口とイン
    クを吐出するための吐出口とを有する圧力室用凹部が形
    成されたヘッド本体と、上記ヘッド本体の凹部を塞いで
    凹部と共に圧力室を構成するように設けられた振動板
    と、上記振動板の上記圧力室に接する面とは対向する面
    に設けられた圧電素子とを備えているインクジェットヘ
    ッドにおいて、 上記圧電素子は、 上記振動板に対向する上部電極と、 上記振動板と上記上部電極との間に設けられた圧電体膜
    と、 上記振動板と上記圧電体膜との間に設けられた厚みが５
    ０ｎｍ以上で２００ｎｍ以下の範囲にある下地膜とを有
    していることを特徴とするインクジェットヘッド。
18. 【請求項１８】 請求項１７記載のインクジェットヘッ
    ドにおいて、 上記振動板と上記下地膜との間に設けられた下部電極を
    さらに備えていることを特徴とするインクジェットヘッ
    ド。
19. 【請求項１９】 請求項１８記載のインクジェットヘッ
    ドにおいて、 上記振動板は、多結晶体又は非晶質体により構成されて
    いることを特徴とするインクジェットヘッド。
20. 【請求項２０】 請求項１８又は１９記載のインクジェ
    ットヘッドにおいて、 上記下部電極と上記振動板との間に設けられた多結晶膜
    又は非晶質膜をさらに備えていることを特徴とするイン
    クジェットヘッド。
21. 【請求項２１】 請求項１９又は２０記載のインクジェ
    ットヘッドにおいて、 上記振動板は、金属により構成されていることを特徴と
    する圧電素子。
22. 【請求項２２】 請求項１７〜２１のうちいずれか１つ
    に記載のインクジェットヘッドにおいて、 上記下地膜は、立方晶あるいは正方晶の結晶構造を有す
    る酸化物により構成されていることを特徴とするインク
    ジェットヘッド。
23. 【請求項２３】 請求項２２記載のインクジェットヘッ
    ドにおいて、 上記下地膜は、構成要素にＺｒを含まないペロブスカイ
    ト酸化物により構成されていることを特徴とするインク
    ジェットヘッド。