JP2002368032A - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】リードフレームなどを使用しない半導体装置を
提供する。 【解決手段】回路素子が形成された半導体チップ、半導
体ウエハーなどの半導体基体１２上に形成された複数の
パッド部１２ａに、実装基板上に設けられた電極とコン
タクトする電極３０を固着すると共に、この電極に対
し、その一部を残して補強層３２を被覆することで、ラ
ンドグリッドアレイ状をなす半導体装置１０を得る。半
導体基体に形成されたパッド部そのものに外部電極を接
続するが、これはランドグリッドアレイ状をなす電極で
ある。リードフレームを使用していないために、半導体
装置のサイズは、半導体基体つまり半導体チップのチッ
プサイズとなり、チップサイズの半導体装置を提供でき
る。またリードフレームを使用しないために部品点数が
少なくなり、しかも製造構成が簡略化されるため大幅な
コストダウンとなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、チップサイズパ
ッケージよりもさらに小型化できる半導体装置に関す
る。詳しくは、半導体基体そのものから、若しくは中間
電極を介して外部電極を導出する構成とすることで、半
導体装置を従来のチップサイズパッケージよりもさらに
小型化できるようにしたものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置のうちで、チップサイズに近
いパッケージ（ＣＳＰ）が知られている。このＣＳＰ型
半導体装置には、周知のようにランドグリッドアレイ
（ＬＧＡ）や、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）などが
知られている。図１５はランドグリッドアレイ型の半導
体装置の断面図である。この半導体装置１０は半導体チ
ップ１２を載せるリードフレーム１４として絶縁性基板
１６を使用したものが例示されている。絶縁性基板１６
の上面には内部電極層１６ａが被着形成され、その下面
には外部電極層１６ｂが被着形成されている。図示はし
ないが、外部電極層１６ｂはスルーホールを介して内部
電極層１６ａと導通している。

【０００３】半導体チップ１２と内部電極層１６ａとは
金線１８によって接続され、そしてこれら半導体チップ
１２および金線１８を覆うように樹脂材２０で絶縁性基
板１６の上面が封止される。ランドグリッドアレイ型で
は、リードフレーム１４に設けられた外部電極層１６ｂ
が実装基板（図示はしない）に対する外部電極として使
用される。このように半導体装置１０を構成すると、半
導体装置１０のサイズはほぼ絶縁性基板１６の大きさと
なり、チップサイズに近い半導体装置を実現できる。

【０００４】図１６はランドグリッドアレイ型の変形例
であって、この例では半導体チップ１２に設けられた電
極層と絶縁性基板１６の内部電極層１６ａとがバンプ２
２によって接続されたもので、接続用金線が省かれたも
のとなっている。図１７はボールグリッドアレイ型の半
導体装置１０の一例を示す。その構成は図１５に示した
ランドグリッドアレイ型の半導体装置１０と殆ど同じで
あるが、外部電極層１６ｂにはボール状の外部電極２４
が被着形成されている。したがってこのボール状の外部
電極２４を介して実装基板に実装されることになる。こ
のボールグリッドアレイ型であっても、半導体装置１０
のサイズはほぼ絶縁性基板１６の大きさとなるから、チ
ップサイズに近い半導体装置を実現できることになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うにＣＳＰ型の半導体装置１０では、半導体チップ１２
と外部電極層１６ｂあるいは外部電極２４との間に必ず
リードフレーム１４などの中間基板を介して組み立てら
れている。中間基板は最初から図１５に示すようなチッ
プサイズに固片化したものが使用されるのではなく、複
数の半導体チップ１２を載置できるラージサイズの中間
基板をモールド処理後に裁断することで、図１５〜図１
７のような半導体装置１０となる。そのため、内部電極
層１６ａや外部電極層１６ｂを精密に生成する必要があ
るため、ラージサイズの中間基板に対する複雑な品質管
理が要求されると共に、中間基板に対する裁断などの加
工処理工程が必要になる。もちろん、中間基板を使用す
る場合、基板材料に対する品質管理も必要になるし、基
板材料そのもののコストも比較的高価であり、上述した
品質管理や加工処理と相俟ってコストアップの一因とな
っている。

【０００６】さらに、中間基板が存在する関係で、厳密
な意味ではチップサイズの半導体装置とはなっていな
い。したがってこの中間基板であるリードフレーム１４
のサイズよりも小さいサイズ、つまり究極的には半導体
チップ１２そのもののサイズまで小さくすることは不可
能である。これは半導体チップ１２とリードフレーム１
４とを電気的に接続するための幅が必要になるからであ
る。そこで、この発明はこのような従来の課題を解決し
たものであって、特にリードフレームを省略した構成と
することで、コストダウンを図ると共に半導体チップと
同一サイズとなされた究極の半導体装置を提案するもの
である。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、請求項１に記載したこの発明に係るランドグリッド
アレイ状をなす半導体装置の製造方法では、回路素子が
形成された半導体チップ、半導体ウエハーなどの半導体
基体上に形成された複数のパッド部に、実装基板上に設
けられた電極とコンタクトする電極を固着すると共に、
この電極に対し、その一部を残して補強層を被覆するこ
とで、ランドグリッドアレイ状をなす半導体装置を得る
ようにしたことを特徴とする。

【０００８】請求項４に記載したこの発明に係るランド
グリッドアレイ状をなす半導体装置では、回路素子が形
成された半導体チップ、半導体ウエハーなどの半導体基
体上に形成された複数のパッド部と、これら複数のパッ
ド部上に固着された実装基板用の外部電極とで構成され
たことを特徴とする。

【０００９】請求項６に記載したこの発明に係るランド
グリッドアレイ状をなす半導体装置の製造方法では、回
路素子が形成された半導体チップ、半導体ウエハーなど
の半導体基体上に形成された複数のパッド部に中間電極
を固着し、この中間電極を覆うように封止層を被着形成
した後、上記中間電極の一部が露呈するように上記封止
層を切削すると共に、露呈した上記中間電極上に、実装
基板上に設けられた電極とコンタクトするボール状をな
す外部電極を被着形成するようにしたことを特徴とする
回路素子が形成された半導体チップ、半導体ウエハーな
どの半導体基体上に形成された複数のパッド部に中間電
極を固着し、この中間電極を覆うように封止層を被着形
成した後、上記中間電極の一部が露呈するように上記封
止層を切削すると共に、露呈した上記中間電極上に、実
装基板上に設けられた電極とコンタクトするボール状を
なす外部電極を被着形成するようにしたことを特徴とす
る。

【００１０】また、請求項１１に記載したボールグリッ
ドアレイ状をなすこの発明に係る半導体装置では、回路
素子が形成された半導体チップ、半導体ウエハーなどの
半導体基体上に形成された複数のパッド部と、これら複
数のパッド部上に固着された中間電極と、この中間電極
に接続された外部電極と、この外部電極に接合されたパ
ッド部の間隔拡張用中間基板とで構成されたことを特徴
とする。

【００１１】この発明では、半導体基体に形成されたパ
ッド部そのものに、若しくはこのパッド部に中間電極を
介して外部電極を接続する。外部電極は実装基板と接続
するためのランドグリッドアレイ状をなす電極であり、
またこの外部電極は実装基板と接続するためのボールグ
リッドアレイ状をなす電極である。

【００１２】ボールグリッドアレイ状の半導体装置の場
合であって、その半導体基体上に形成されるパッド部の
数が多いときには、電極の間隔拡張手段を採用して外部
電極を固着する。その場合に例外的に中間基板を使用し
て外部電極を導出することもできる。この場合において
も中間基板は出来るだけチップサイズに近いサイズとす
るため、多重に外部電極を接続する。このようにするこ
とで限りなくチップサイズに近い半導体装置を提供でき
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】続いて、この発明に係る半導体装
置の製造方法および半導体装置の一実施形態を図面を参
照して詳細に説明する。図１はこの発明に係る半導体装
置１０を、ランドグリッドアレイ型の半導体装置に適用
した場合の実施の形態を示す。図１はその断面図であ
り、図２は半導体装置１０の裏面図である。この実施の
形態では半導体基体１２としてダイシングされ、固片化
された半導体チップを例示する。半導体基体１２の上面
の所定位置には例えば図２に示すように矩形状に配列さ
れた複数のパッド部１２ａが形成されている。パッド部
１２ａの個数は任意であり、例えば１６ピンタイプの半
導体装置であるときには、チップサイズには制限される
ものではなく、例えば２．７×３．５ｍｍから任意サイ
ズの半導体装置に適用できる。

【００１４】これら複数のパッド部１２ａに対してその
上面にボール状をなす外部電極３０が被着形成されると
共に、これら外部電極３０の表面は平坦面となるように
加工されている。さらに、これら外部電極３０を除く半
導体基体１２の表面には補強層３２が被着形成されてい
る。補強層３２の表面は外部電極３０の平坦面と同一面
か、それよりも僅かに低くい。補強層３２は半導体基体
１２の表面を封止する封止層としても機能する。

【００１５】このように外部電極３０の外部露呈面を平
坦面とすることによって、この半導体装置１０はランド
グリッドアレイ型の半導体装置となる。この半導体装置
１０は半導体基体１２そのものに実装基板と接続するた
めの外部電極３０が設けられているために、半導体装置
１０のサイズは半導体基体１２つまり半導体チップのサ
イズそのものとなる。したがって、チップサイズが最小
の半導体装置１０を実現できる。

【００１６】図３は、図１に示したランドグリッドアレ
イ状の半導体装置１０の製造方法の実施の形態を示す要
部の工程図である。この場合も説明の都合上、半導体基
体１２としては半導体チップに固片化されたものを例示
するが、実際にはダイシングする前の半導体ウエハーの
状態でこの発明に係る半導体装置が製造されるものであ
る。

【００１７】まず図３Ａに示すように回路素子が形成さ
れた半導体基体１２を用意する。次にボール状をなす外
部電極３０が半導体基体１２に形成されたパッド部１２
ａ上に被着形成される（図３Ｂ）。パッド部１２ａ上に
固着されたこの外部電極３０の大きさはパッド部１２ａ
のサイズによって相違するが、パッド部１２ａの幅とほ
ぼ同じ径か、これよりも僅かに小さな径のボール電極が
使用される。

【００１８】次に、外部電極３０を含めて半導体基体１
２の上面に樹脂を使用した補強層３２が充填される（図
３Ｂ）。この補強層３２は半導体基体１２の上面の全て
を被覆するものであるから、半導体基体１２の封止層と
しても機能する。その後、外部電極３０が露呈し、その
露呈面が平坦面となるように補強層３２および外部電極
３０が切削加工される（図３Ｃ）この例では、外部電極
３０が１／３程度切削されるように加工された場合を示
す。切削加工法は任意であるが、エッチング処理が最も
利用し易い。外部電極３０の平坦面は実装基板に形成さ
れた配線パターン（電極部）とのなじみがよくなり、強
固に半導体装置１０を実装基板に実装できる。このよう
に形成した場合には、補強層３２内に埋め込まれた状態
で外部電極３０が半導体基体１２のパッド部１２ａに直
接被着形成されたチップサイズの半導体装置１０を得る
ことができる。

【００１９】補強層３２だけでは外部電極３０に対する
補強が十分ではないと思われるときには、図４に示すよ
うに補強層３２の上面にさらに第２の補強層３４を形成
することもできる。この場合には第２の補強層３４の面
よりも外部電極３０が窪んでしまうので、第２の補強層
３４を使用する場合には実装基板にはボール状の電極を
補助電極として被着しておくと、実装が一層確実にな
る。第２の補強層３４も第１の補強層３２と同じく樹脂
が用いられる。

【００２０】また、外部電極３０を実装基板に確実に実
装できるようにするためには、補強層３２の面をさらに
僅かに切削して、外部電極３０の平坦面が補強層３２よ
り僅かに突出するように形成してもよい。また、補強層
３２を半導体基体１２の上面に塗布するには、図５に示
すような塗布ケース３６を利用し、ここに補強層となる
樹脂を流し込む。そうすると平坦な補強層３２を所定の
厚みとなるように半導体基体１２の上面に塗布できる。

【００２１】図１に示した外部電極３０はボール状の電
極の一部を平坦面に切削した構造のものをその実施の形
態として説明したが、図６あるいは図７のように外部電
極を構成することもできる。

【００２２】図６の実施の形態は、ボール状の電極の頂
部にさらに棒状の電極４０を頂部電極として被着したも
のである。この場合には外部電極３０と棒状電極４０を
それぞれ被着形成した後、補強層３２を半導体基体１２
の上面に被着し、その後で切削して棒状電極４０を露呈
させる。この構成とすると、露呈電極の大きさを非常に
小さくできるので、実装基板の配線パターンの微細化を
実現できる。

【００２３】図７の実施の形態は、外部電極３０として
矩形状の電極で構成し、その上面に角状の補助電極４２
を積層したものである。こうすると、補助電極４２の実
装基板に対する接触面積が大きくなるから、より強固に
実装できる。そのため比較的大きなチップサイズの半導
体装置に好適である。この場合においても、外部電極３
０と補助電極４２をそれぞれ被着してから補強層３２を
充填し、その後補強層３２を切削加工することで図７に
示すような電極構造の半導体装置１０を得ることができ
る。

【００２４】図１に示した半導体装置１０は、図２にも
示すように外部電極３０が矩形状に配列されている場合
を示した。しかし、ピン数が多くなるときには一条配列
では不可能な場合がある。そのような場合には例えば図
８に示すように数条に外部電極３０を配列することにな
る。こうすることによって、より多くのピン数の半導体
装置１０を構成できる。このような多条配列構造の電極
構造の場合でも、この発明を適用できる。数条に渡って
配列される外部電極３０としては、電極をできるだけた
くさん配列できるようにするため、例えば図９に示すよ
うな千鳥状に配列形成することもできることは容易に理
解できる。

【００２５】上述した実施の形態はこの発明をランドグ
リッドアレイ型の半導体装置に適用した。次に述べるの
はこの発明をボールグリッドアレイ型の半導体装置に適
用した場合である。図１０はボールグリッドアレイ型の
半導体装置１０の実施の形態を示す。図１と対応する部
分には同一の符号を付してその説明を割愛するが、この
実施の形態では、半導体基体１２のパッド部１２ａ上に
被着形成された外部電極が中間電極４０として使用され
る。この中間電極４０と補強層３２とが同一面となるよ
うに、しかも中間電極４０の面が例えば平坦面となるよ
うに切削加工される。

【００２６】そして、この中間電極４０には最終的に外
部電極として利用されるボール状電極４６が被着形成さ
れると共に、第２の補強層４４がさらに第１の補強層３
２の上面に被着形成される。第２の補強層４４はボール
状電極４６の２／３程度が覆われるような厚みに選定さ
れる。

【００２７】このように構成することで、図１１に示す
ように半導体基体１２の外表面１２ｂにはボール状電極
４６のみが露出されることになるので、これでボールグ
リッドアレイ型の半導体装置１０が得られる。このボー
ルグリッドアレイ型の半導体装置１０であってもそのサ
イズは半導体基体１２のサイズ、つまりチップサイズと
同じである。

【００２８】図１２は、図１０に示したボールグリッド
アレイ型の半導体装置１０の製造方法の実施の形態を示
す要部の工程図である。この場合も説明の都合上、半導
体基体１２としては半導体チップに固片化されたものを
例示するが、実際にはダイシングする前の半導体ウエハ
ーの状態でこの発明に係る半導体装置が製造されるもの
である。

【００２９】まず図１２Ａに示すように回路素子が形成
された半導体基体１２を用意する。次にボール状をなす
中間電極４０が半導体基体１２に形成されたパッド部１
２ａ上に被着形成される（図１２Ｂ）。中間電極４０の
大きさはパッド部１２ａのサイズによって相違するが、
パッド部１２ａの幅とほぼ同じ径か、これよりも僅かに
小さな径のボール電極が使用される。

【００３０】次に、中間電極４０を含めて半導体基体１
２の上面に樹脂を使用した第１の補強層３２が被着形成
される（図１２Ｃ）。この第１の補強層３２は半導体基
体１２の上面の全てを被覆するものであるから、半導体
基体１２の封止層としても機能する。

【００３１】その後、中間電極４０が露呈し、その露呈
面が平坦面となるように第１の補強層３２および中間電
極４０が切削加工される（図１２Ｄ）この例では、中間
電極４０が１／３程度切削されるように加工された場合
を示す。切削加工法は任意であるが、エッチング処理が
最も利用し易い。中間電極４０を平坦面としたのは、次
に被着形成される外部電極４６とのなじみをよくするた
めであると共に、接着面積を稼ぐためである。

【００３２】次に中間電極４０の面上を残して第２の補
強層４４をエッチングによって選択的に形成する（図１
２Ｅ）。その後ボール状電極４６が中間電極４０の上に
被着形成される（図１２Ｆ）。これによって、半導体基
体１２の表面にはボール状電極４６が露呈することにな
る。

【００３３】このように形成した場合には、第２の補強
層４４内にその一部が埋め込まれた状態でボール状電極
４６が外部電極として半導体基体１２のパッド部１２ａ
に接続されたボールグリッドアレイ型の半導体装置１０
を得ることができる。完成後の半導体装置１０は図示す
るように、そのサイズはチップサイズである。

【００３４】なお、半導体基体１２に配列されるパッド
部１２ａの配列ピッチ間隔が非常に狭いときには、図１
３のように電極の間隔拡張手段を用いて構成すればよ
い。図１３に示す実施の形態は２条に渡りパッド部１２
ａが配列形成された半導体基体１２に適用した場合で、
この場合には隣接ピッチｐａが非常に狭く、そのままで
は外部電極４６を被着形成できない。

【００３５】そこで、電極の間隔拡張手段を用いてボー
ルグリッドアレイ型の半導体装置１０が構成される。こ
の実施の形態ではボール状電極４６に加えて、間隔拡張
用配線パターン層として機能する外部導出層４８が使用
される。つまり第２の補強層４４に中間電極４０とコン
タクトするため、パッド部１２ａと同じような形状をな
す外部導出層４８が被着形成される。外部導出層４８
は、図示するように互いにその間隔が広がるように左右
方向に配線される。そしてこの外部導出層４８の上に最
終的な外部電極となるボール状電極４６が被着形成され
る。このようにすることで、ボール状電極４６のピッチ
ｐｂは半導体基体１２上に形成されたパッド部１２ａの
ピッチｐａよりも幅広となり、最終的な外部電極として
使用されるボール状電極４６を被着形成するに十分な間
隔を得ることができる。

【００３６】図１４は図１３の他の実施の形態を示すも
ので、この場合には電極の間隔拡張手段として例外的に
中間基板５０を使用した場合である。この場合には中間
基板５０の下面には、パッド部１２ａと同一に配列形成
された電極パターン層５０ａが設けられ、この電極パタ
ーン層５０ａによってパッド部１２ａとのコンタクトが
取られる。

【００３７】そして、中間基板５０の上面にはその下面
の電極パターン層５０ａよりはピッチを広くした電極パ
ターン層５０ｂが形成され、この電極パターン層５０ｂ
に最終的な外部電極となるボール状の電極５２が被着形
成される。このように中間基板５０を使用することで、
狭ピッチ化されたパッド部１２ａであっても、外部電極
５２を固着できるので、高密度で多ピン構成の半導体装
置にもこの発明を適用できる。半導体基体１２と中間基
板５０との間は樹脂などによって封止してもよい。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したようにこの発明に係る半導
体装置の製造方法および半導体装置では、半導体基体上
に形成された複数のパッド部そのものに、若しくは中間
電極を介して外部電極を被着形成するようにしたもので
ある。これによれば、半導体装置のサイズは半導体基体
のサイズ、つまり半導体チップのチップサイズと同じに
なるから、チップサイズの最も小さな半導体装置を提供
できる。

【００３９】そして、このような半導体装置とすること
で、リードフレームなどの中間基板を使用しないでも済
むから、リードフレームに対する複雑な品質管理を始め
として、中間基板に対する裁断などの加工処理工程を全
て省くことができる。その結果、製造工程の簡略化と相
俟って従来よりも大幅なコストダウンを図ることができ
る。したがってこの発明はランドグリッドアレイ状若し
くはボールグリッドアレイ状の半導体装置などに適用し
て極めて好適である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るランドグリッドアレイ状の半導
体装置の実施の形態を示す断面図である。

【図２】その裏面図である。

【図３】この発明に係るランドグリッドアレイ状の半導
体装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程の図であ
る。

【図４】この発明に係るランドグリッドアレイ状の半導
体装置の他の実施の形態を示す要部の断面図である。

【図５】この発明に係るランドグリッドアレイ状の半導
体装置の製造方法の他の例を示す一部の断面図である。

【図６】外部電極の他の実施の形態を示す一部の断面図
である（その１）。

【図７】外部電極の他の実施の形態を示す一部の断面図
である（その２）。

【図８】外部電極の配列例を示す半導体装置の裏面図で
ある。

【図９】外部電極の他の配列例を示す半導体装置の一部
の裏面図である。

【図１０】この発明に係るボールグリッドアレイ状の半
導体装置の実施の形態を示す断面図である。

【図１１】その裏面図である。

【図１２】この発明に係るボールグリッドアレイ状の半
導体装置の製造方法の実施の形態を示す製造工程の図で
ある。

【図１３】この発明に係るボールグリッドアレイ状の半
導体装置の他の実施の形態を示す要部の断面図である。

【図１４】この発明に係るボールグリッドアレイ状の半
導体装置の他の実施の形態を示す要部の断面図である。

【図１５】従来の半導体装置の断面図である（その
１）。

【図１６】従来の半導体装置の断面図である（その
２）。

【図１７】従来の半導体装置の断面図である（その
３）。

【符号の説明】

１０・・・半導体装置、１２・・・半導体基体、１４・
・・リードフレーム、１８・・・金線、２０・・・封止
層、１２ａ・・・パッド部、３０、４６、５２・・・外
部電極、３２、４４・・・補強層（電極間隔拡張手
段）、５０・・・中間基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０２Ｋ ６０２Ｄ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 回路素子が形成された半導体チップ、半
   導体ウエハーなどの半導体基体上に形成された複数のパ
   ッド部に、実装基板上に設けられた電極とコンタクトす
   る電極を固着すると共に、 この電極に対し、その一部を残して補強層を被覆するこ
   とで、ランドグリッドアレイ状をなす半導体装置を得る
   ようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 【請求項２】 上記電極の表面を切削して面出しを行う
   ことでランド状の外部電極とすることを特徴とする請求
   項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 【請求項３】 上記半導体基体が半導体ウエハーである
   ときには、上記電極の面出しを行った後、複数の半導体
   チップに固片化することを特徴とする請求項２記載の半
   導体装置の製造方法。
4. 【請求項４】 回路素子が形成された半導体チップ、半
   導体ウエハーなどの半導体基体上に形成された複数のパ
   ッド部と、 これら複数のパッド部上に固着された実装基板用の外部
   電極とで構成されたことを特徴とするランドグリッドア
   レイ状をなす半導体装置。
5. 【請求項５】 上記外部電極は補強層によって補強され
   たことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 回路素子が形成された半導体チップ、半
   導体ウエハーなどの半導体基体上に形成された複数のパ
   ッド部に中間電極を固着し、 この中間電極を覆うように封止層を被着形成した後、上
   記中間電極の一部が露呈するように上記封止層を切削す
   ると共に、 露呈した上記中間電極上に、実装基板上に設けられた電
   極とコンタクトするボール状をなす外部電極を被着形成
   するようにしたことを特徴とする回路素子が形成された
   半導体チップ、半導体ウエハーなどの半導体基体上に形
   成された複数のパッド部に中間電極を固着し、 この中間電極を覆うように封止層を被着形成した後、上
   記中間電極の一部が露呈するように上記封止層を切削す
   ると共に、 露呈した上記中間電極上に、実装基板上に設けられた電
   極とコンタクトするボール状をなす外部電極を被着形成
   するようにしたことを特徴とするボールグリッドアレイ
   状をなす半導体装置の製造方法。
7. 【請求項７】 上記半導体基体が半導体ウエハーである
   ときには、上記中間電極の面出しを行った後、半導体チ
   ップに固片化することを特徴とする請求項６記載の半導
   体装置の製造方法。
8. 【請求項８】 上記半導体基体の表面に形成された複数
   のパッド部と接続可能なパッド部の間隔拡張手段を介在
   させ、 この間隔拡張手段の他面に外部電極を固着するようにし
   たことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方
   法。
9. 【請求項９】 上記間隔拡張手段は中間基板であって、
   この中間基板の上面に外部電極が固着されることを特徴
   とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 上記間隔拡張手段は間隔拡張用電極パ
    ターン層であり、その上面に形成された間隔拡張用電極
    に上記外部電極が固着されることを特徴とする請求項８
    記載の半導体装置の製造方法。
11. 【請求項１１】 回路素子が形成された半導体チップ、
    半導体ウエハーなどの半導体基体上に形成された複数の
    パッド部と、 これら複数のパッド部上に固着された中間電極と、 この中間電極に接続された外部電極と、 この外部電極に接合されたパッド部の間隔拡張用中間基
    板とで構成されたことを特徴とするボールグリッドアレ
    イ状をなす半導体装置。
12. 【請求項１２】 上記複数のパッド部上に固着された中
    間電極に接続可能なパッド部の間隔拡張用電極パターン
    層が設けられ、 この間隔拡張用電極パターン層の上面に形成された間隔
    拡張用電極にボール状をなす上記外部電極を固着するよ
    うにしたことを特徴とする請求項１１記載の半導体装
    置。
13. 【請求項１３】 上記複数のパッド部に間隔拡張用の中
    間基板が接合されると共に、 この中間基板の上面に形成された間隔拡張用の電極にボ
    ール状をなす上記外部電極が固着されることを特徴とす
    る請求項１１記載の半導体装置。