JP2002359468A - フィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びその製造方法 - Google Patents
フィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】フィルドビア形成後の導体層の厚みを、フィル
ドビアの径や深さに係わらず所定の厚みに設定できるよ
うにして、表面平滑性と微細配線層が得られるようにし
たフィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】第１配線層１２ａ及び第１配線層１２ｂが
形成された絶縁基材１１の両面に絶縁層１３を介して第
２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂが形成されてお
り、第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂとフィルド
ビア１６ａとは薄膜導体層１８ａにて電気的に接続され
ており、第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂはフィ
ルドビア１６ａ及び絶縁層１３上にほぼ平坦に形成され
ている。このことは、第２配線層２１ａ及び第２配線層
２１ｂの膜厚はフィルドビア１６ａの径及び深さに影響
されず、任意に設定でき、微細な高密度の配線層が形成
できる。
ドビアの径や深さに係わらず所定の厚みに設定できるよ
うにして、表面平滑性と微細配線層が得られるようにし
たフィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びそ
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】第１配線層１２ａ及び第１配線層１２ｂが
形成された絶縁基材１１の両面に絶縁層１３を介して第
２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂが形成されてお
り、第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂとフィルド
ビア１６ａとは薄膜導体層１８ａにて電気的に接続され
ており、第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂはフィ
ルドビア１６ａ及び絶縁層１３上にほぼ平坦に形成され
ている。このことは、第２配線層２１ａ及び第２配線層
２１ｂの膜厚はフィルドビア１６ａの径及び深さに影響
されず、任意に設定でき、微細な高密度の配線層が形成
できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁基材上に絶縁
層を介して形成された各配線層がフィルドビアにて電気
的に接続されてなるフィルドビア構造を有する多層プリ
ント配線板及びその製造方法に関する。
層を介して形成された各配線層がフィルドビアにて電気
的に接続されてなるフィルドビア構造を有する多層プリ
ント配線板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、薄形化が進
み、プリント配線板においても配線の高密度化もさるこ
とながら高信頼性が要求されている。そのため、配線層
間をフィルドビアにて電気的に接続するフィルドビア構
造の多層プリント配線板の必要性が高まっている。導電
ペーストをビア用穴に充填してフィルドビアを形成する
方法は既に実用化されているが、小径フィルドビアに対
してはフィルドビア内に気泡を持ち込むことから信頼性
上問題であるとされている。従って、小径フィルドビア
に関しては、電解めっきを用いたフィルドビア形成技術
が注目され実用化されつつある。
み、プリント配線板においても配線の高密度化もさるこ
とながら高信頼性が要求されている。そのため、配線層
間をフィルドビアにて電気的に接続するフィルドビア構
造の多層プリント配線板の必要性が高まっている。導電
ペーストをビア用穴に充填してフィルドビアを形成する
方法は既に実用化されているが、小径フィルドビアに対
してはフィルドビア内に気泡を持ち込むことから信頼性
上問題であるとされている。従って、小径フィルドビア
に関しては、電解めっきを用いたフィルドビア形成技術
が注目され実用化されつつある。
【０００３】電解めっきを用いたフィルドビア形成法の
一例について説明する。図４（ａ）〜（ｅ）に、電解パ
ターンめっき法にてフィルドビア及び配線層を形成する
従来技術の一例を示す。図４（ａ）〜（ｅ）は電解パタ
ーンめっき法にてフィルドビア及び配線層を形成する製
造工程の一例を示す模式構成部分断面図である。まず、
絶縁基材５１上に配線層５２を形成し、所定厚の絶縁層
５３を形成し、絶縁層５３の所定位置にレーザー加工に
てビア用穴５４を形成する（図４（ａ）参照）。
一例について説明する。図４（ａ）〜（ｅ）に、電解パ
ターンめっき法にてフィルドビア及び配線層を形成する
従来技術の一例を示す。図４（ａ）〜（ｅ）は電解パタ
ーンめっき法にてフィルドビア及び配線層を形成する製
造工程の一例を示す模式構成部分断面図である。まず、
絶縁基材５１上に配線層５２を形成し、所定厚の絶縁層
５３を形成し、絶縁層５３の所定位置にレーザー加工に
てビア用穴５４を形成する（図４（ａ）参照）。
【０００４】次に、ビア用穴５４をデスミア処理を行
い、ビア用穴５４及び絶縁層５３上に無電解銅めっきを
行い、薄膜導体層５５を形成する（図４（ｂ）参照）。
次に、絶縁層５３の所定位置に電解めっきでフィルドビ
ア及び配線層を形成するためのレジストパターン５６を
形成する（図４（ｃ）参照）。
い、ビア用穴５４及び絶縁層５３上に無電解銅めっきを
行い、薄膜導体層５５を形成する（図４（ｂ）参照）。
次に、絶縁層５３の所定位置に電解めっきでフィルドビ
ア及び配線層を形成するためのレジストパターン５６を
形成する（図４（ｃ）参照）。
【０００５】次に、薄膜導体層５５をカソードにして電
解銅パターンめっきを行い（図４（ｄ）参照）、レジス
トパターン５６を剥離し、薄膜導体層１８をフラッシュ
エッチングしてフィルドビア６１及び配線層６２を形成
する（図４（ｅ）参照）。この電解銅パターンめっきを
ビア埋め用のレベリング作用の強いめっき液で行った場
合、レジストパターン５６の端部近傍ではめっき液の対
流が弱いため、相対的に抑制剤の吸着量が少なくなる。
その結果、レジストパターン５６の端部近傍ではめっき
析出速度が速くなり、めっき膜厚がせり上がった状態に
なり、配線層６２パターン形状が悪くなるという問題を
有する。
解銅パターンめっきを行い（図４（ｄ）参照）、レジス
トパターン５６を剥離し、薄膜導体層１８をフラッシュ
エッチングしてフィルドビア６１及び配線層６２を形成
する（図４（ｅ）参照）。この電解銅パターンめっきを
ビア埋め用のレベリング作用の強いめっき液で行った場
合、レジストパターン５６の端部近傍ではめっき液の対
流が弱いため、相対的に抑制剤の吸着量が少なくなる。
その結果、レジストパターン５６の端部近傍ではめっき
析出速度が速くなり、めっき膜厚がせり上がった状態に
なり、配線層６２パターン形状が悪くなるという問題を
有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記製造方法ではフィ
ルドビア６１を電解めっきで形成する際フィルドビアの
径や深さによっても変わるが、フィルドビア６１を形成
するためには、第２配線層６２はある厚さを必要とし、
表面平滑性を確保して、且つパターン形状を保持するの
は困難な状態にある。さらに、配線層の微細パターン化
の障害になっている。
ルドビア６１を電解めっきで形成する際フィルドビアの
径や深さによっても変わるが、フィルドビア６１を形成
するためには、第２配線層６２はある厚さを必要とし、
表面平滑性を確保して、且つパターン形状を保持するの
は困難な状態にある。さらに、配線層の微細パターン化
の障害になっている。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み考案されたもの
で、フィルドビア形成後の導体層の厚みを、フィルドビ
アの径や深さに係わらず所定の厚みに設定できるように
して、表面平滑性と微細配線層が得られるようにしたフ
ィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びその製
造方法を提供することを目的とする。
で、フィルドビア形成後の導体層の厚みを、フィルドビ
アの径や深さに係わらず所定の厚みに設定できるように
して、表面平滑性と微細配線層が得られるようにしたフ
ィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びその製
造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するために、まず、請求項１においては、絶縁基
材上に絶縁層を介して配線層間がフィルドビアにて電気
的に接続されてなる多層プリント配線板において、フィ
ルドビアと配線層が薄膜導体層を介して電気的に接続さ
れており、前記配線層が前記フィルドビア及び前記絶縁
層上に平坦に形成されてなるフィルドビア構造を有する
多層プリント配線板としたものである。
を解決するために、まず、請求項１においては、絶縁基
材上に絶縁層を介して配線層間がフィルドビアにて電気
的に接続されてなる多層プリント配線板において、フィ
ルドビアと配線層が薄膜導体層を介して電気的に接続さ
れており、前記配線層が前記フィルドビア及び前記絶縁
層上に平坦に形成されてなるフィルドビア構造を有する
多層プリント配線板としたものである。
【０００９】また、請求項２においては、少なくとも以
下の工程を備えていることを特徴とする請求項１記載の
多層プリント配線板の製造方法としたものである。 （ａ）絶縁基材の両面に第１配線層を形成する工程。 （ｂ）前記絶縁基材及び前記第１配線層上に絶縁層を形
成し、所定位置にビア用穴を形成し、導電化処理して薄
膜導体層を形成する工程。 （ｃ）前記薄膜導体層をカソードにしてビア埋め用銅め
っき液を使用して、電解銅めっきを行い、前記ビア用穴
にフィルドビア及び前記絶縁層上に所定厚の導体層を形
成する工程。 （ｄ）前記導体層及び薄膜導体層をエッチング処理し、
前記フィルドビアの上面を前記絶縁層の表面とほぼ同一
面にする工程。 （ｅ）前記絶縁層及び前記フィルドビアの表面を導電化
処理して、薄膜導体層を形成する工程。 （ｆ）前記フィルドビア及び前記導体層の所定位置にレ
ジストパターンを形成し、前記レジストパターンをめっ
きマスクにして電解銅パターンめっきを行い、所定厚の
第２導体層を形成する工程。 （ｇ）前記レジストパターンを剥離し、前記レジストパ
ターン下部にあった薄膜導体層をフラッシュエッチング
して第２配線層を形成し、前記フィルドビアと第２配線
層が前記薄膜導体層にて電気的に接続された多層プリン
ト配線板を作製する工程。 （ｈ）上記絶縁層、フィルドビア及び配線層の形成工程
を必要回数繰り返して所定層数のフィルドビア構造を有
する多層プリント配線板を作製する工程。
下の工程を備えていることを特徴とする請求項１記載の
多層プリント配線板の製造方法としたものである。 （ａ）絶縁基材の両面に第１配線層を形成する工程。 （ｂ）前記絶縁基材及び前記第１配線層上に絶縁層を形
成し、所定位置にビア用穴を形成し、導電化処理して薄
膜導体層を形成する工程。 （ｃ）前記薄膜導体層をカソードにしてビア埋め用銅め
っき液を使用して、電解銅めっきを行い、前記ビア用穴
にフィルドビア及び前記絶縁層上に所定厚の導体層を形
成する工程。 （ｄ）前記導体層及び薄膜導体層をエッチング処理し、
前記フィルドビアの上面を前記絶縁層の表面とほぼ同一
面にする工程。 （ｅ）前記絶縁層及び前記フィルドビアの表面を導電化
処理して、薄膜導体層を形成する工程。 （ｆ）前記フィルドビア及び前記導体層の所定位置にレ
ジストパターンを形成し、前記レジストパターンをめっ
きマスクにして電解銅パターンめっきを行い、所定厚の
第２導体層を形成する工程。 （ｇ）前記レジストパターンを剥離し、前記レジストパ
ターン下部にあった薄膜導体層をフラッシュエッチング
して第２配線層を形成し、前記フィルドビアと第２配線
層が前記薄膜導体層にて電気的に接続された多層プリン
ト配線板を作製する工程。 （ｈ）上記絶縁層、フィルドビア及び配線層の形成工程
を必要回数繰り返して所定層数のフィルドビア構造を有
する多層プリント配線板を作製する工程。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
説明する。本発明の多層プリント配線板は図１（ａ）及
び（ｂ）に示すように、第１配線層１２ａ及び第１配線
層１２ｂが形成された絶縁基材１１の両面に絶縁層１３
を介して第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂが形成
されており、第１配線層１２ａ及び第１配線層１２ｂと
第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂとはフィルドビ
ア１６ａにて、且つ第２配線層２１ａ及び第２配線層２
１ｂとフィルドビア１６ａとは薄膜導体層１８ａにて電
気的に接続されており、第２配線層２１ａ及び第２配線
層２１ｂは絶縁層１３及びフィルドビア１６ａ上にほぼ
フラットに形成されている。このことは、第２配線層２
１ａ及び第２配線層２１ｂの膜厚はフィルドビア１６ａ
の径及び深さに影響されず、任意に設定できるため、微
細な高密度の配線層が形成できるという利点を有する。
説明する。本発明の多層プリント配線板は図１（ａ）及
び（ｂ）に示すように、第１配線層１２ａ及び第１配線
層１２ｂが形成された絶縁基材１１の両面に絶縁層１３
を介して第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂが形成
されており、第１配線層１２ａ及び第１配線層１２ｂと
第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂとはフィルドビ
ア１６ａにて、且つ第２配線層２１ａ及び第２配線層２
１ｂとフィルドビア１６ａとは薄膜導体層１８ａにて電
気的に接続されており、第２配線層２１ａ及び第２配線
層２１ｂは絶縁層１３及びフィルドビア１６ａ上にほぼ
フラットに形成されている。このことは、第２配線層２
１ａ及び第２配線層２１ｂの膜厚はフィルドビア１６ａ
の径及び深さに影響されず、任意に設定できるため、微
細な高密度の配線層が形成できるという利点を有する。
【００１１】本発明の多層プリント配線板の作製法につ
いて説明する。まず、絶縁基材１１の両面に導体層を形
成し、パターニング処理して、第１配線層１２ａ及び１
２ｂを作成する（図２（ａ）参照）。絶縁基材１１とし
ては、リジット基板、フレキシブル基板、テープ状のい
ずれでも良い。絶縁材料としては、エポキシ樹脂、ビス
マレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド、ポリエステ
ル、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマーが使用
でき、ガラス繊維、アラミド繊維を補強材として含む材
料が使用できる。導体層の形成は、あらかじめ銅箔が積
層された両面銅張り積層板あるいは片面銅張り積層板の
銅箔を導体層として使用できる。配線層の形成は、ここ
ではサブトラクティブ法を使用したが、アディティブ法
等のいずれの方法でも良い。
いて説明する。まず、絶縁基材１１の両面に導体層を形
成し、パターニング処理して、第１配線層１２ａ及び１
２ｂを作成する（図２（ａ）参照）。絶縁基材１１とし
ては、リジット基板、フレキシブル基板、テープ状のい
ずれでも良い。絶縁材料としては、エポキシ樹脂、ビス
マレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド、ポリエステ
ル、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマーが使用
でき、ガラス繊維、アラミド繊維を補強材として含む材
料が使用できる。導体層の形成は、あらかじめ銅箔が積
層された両面銅張り積層板あるいは片面銅張り積層板の
銅箔を導体層として使用できる。配線層の形成は、ここ
ではサブトラクティブ法を使用したが、アディティブ法
等のいずれの方法でも良い。
【００１２】次に、第１配線層１２ａ及び第１配線層１
２ｂが形成された絶縁基材１１上に絶縁層１３を形成
し、絶縁層１３の所定位置にレーザー加工にてビア用穴
１４を形成する。次に、ビア用穴１４の底部及び壁面に
残留した樹脂残差を除去するためのデスミア処理を行
い、絶縁層１３上及びビア用穴１４内に無電解銅めっき
にて薄膜導体層１５を形成する（図２（ｂ）及び図３
（ａ）参照）。
２ｂが形成された絶縁基材１１上に絶縁層１３を形成
し、絶縁層１３の所定位置にレーザー加工にてビア用穴
１４を形成する。次に、ビア用穴１４の底部及び壁面に
残留した樹脂残差を除去するためのデスミア処理を行
い、絶縁層１３上及びビア用穴１４内に無電解銅めっき
にて薄膜導体層１５を形成する（図２（ｂ）及び図３
（ａ）参照）。
【００１３】次に、薄膜導体層１５をカソードにしてビ
ア埋め用銅めっき液を用いて電解銅パネルめっきを行
い、ビア用穴１４にフィルドビア１６を、絶縁層１３上
に導体層１７を形成する（図２（ｃ）及び図３（ｂ）参
照）。ここで、ビア用穴１４内へのビア埋めをめっきレ
ジストの無いパネルめっきで行うため、径の小さいフィ
ルドビアにおいてもボイドが発生しにくい。
ア埋め用銅めっき液を用いて電解銅パネルめっきを行
い、ビア用穴１４にフィルドビア１６を、絶縁層１３上
に導体層１７を形成する（図２（ｃ）及び図３（ｂ）参
照）。ここで、ビア用穴１４内へのビア埋めをめっきレ
ジストの無いパネルめっきで行うため、径の小さいフィ
ルドビアにおいてもボイドが発生しにくい。
【００１４】次に、導体層１７、フィルドビア１６の一
部及び絶縁層１３上の薄膜導体層１５をエッチングにて
除去し、フィルドビア１６の上部が絶縁層１３の表面と
ほぼ同一高さになったフィルドビア１６ａを形成する
（図２（ｄ）及び図３（ｃ）参照）。導体層１７及びフ
ィルドビア１６の上部をエッチングで除去し、絶縁層１
３の表面とほぼ同一高さにする際ジャストエッチングで
フィルドビア１６の上部の高さを制御するのは難しいた
め、オーバーエッチングでフィルドビア１６の上部を絶
縁層１３の表面より若干低めにすることが、後記する第
２配線層形成の点からも好ましい。
部及び絶縁層１３上の薄膜導体層１５をエッチングにて
除去し、フィルドビア１６の上部が絶縁層１３の表面と
ほぼ同一高さになったフィルドビア１６ａを形成する
（図２（ｄ）及び図３（ｃ）参照）。導体層１７及びフ
ィルドビア１６の上部をエッチングで除去し、絶縁層１
３の表面とほぼ同一高さにする際ジャストエッチングで
フィルドビア１６の上部の高さを制御するのは難しいた
め、オーバーエッチングでフィルドビア１６の上部を絶
縁層１３の表面より若干低めにすることが、後記する第
２配線層形成の点からも好ましい。
【００１５】次に、絶縁層１３及びフィルドビア１６ａ
上に無電解銅めっきにて薄膜導体層１８を形成し、第２
配線層をめっきで形成するためのレジストパターン１９
を形成する（図２（ｅ）及び図３（ｄ）参照）。
上に無電解銅めっきにて薄膜導体層１８を形成し、第２
配線層をめっきで形成するためのレジストパターン１９
を形成する（図２（ｅ）及び図３（ｄ）参照）。
【００１６】次に、薄膜導体層１８をカソードにして非
ビア埋め用銅めっき液を用いて電解銅パターンめっきを
行い、レジストパターン１９間の薄膜導体層１８上に導
体層２１を形成する（図２（ｆ）及び図３（ｅ）参
照）。パターンめっきする時点ですでにフィルドビアが
形成されているため、導体層厚はビア径に左右されず、
適性膜厚を設定できるので、ファイパターンの配線層形
成が可能になる。
ビア埋め用銅めっき液を用いて電解銅パターンめっきを
行い、レジストパターン１９間の薄膜導体層１８上に導
体層２１を形成する（図２（ｆ）及び図３（ｅ）参
照）。パターンめっきする時点ですでにフィルドビアが
形成されているため、導体層厚はビア径に左右されず、
適性膜厚を設定できるので、ファイパターンの配線層形
成が可能になる。
【００１７】次に、レジストパターン１９を専用の剥離
液で除去し、レジストパターン１９下部にあった薄膜導
体層１８をフラッシュエッチングで除去し、薄膜導体層
１８ａ上に第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂが形
成され、第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂが薄膜
導体層１８ａを介してフィルドビア１６ａと電気的に接
続された本発明のフィルドビア構造の多層プリント配線
板１００を得ることができる。さらに、絶縁層、フィル
ドビア及び配線層形成の工程を必要回数繰り返すことに
より、所望層数のフィルドビア構造の多層プリント配線
板を得ることができる。
液で除去し、レジストパターン１９下部にあった薄膜導
体層１８をフラッシュエッチングで除去し、薄膜導体層
１８ａ上に第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂが形
成され、第２配線層２１ａ及び第２配線層２１ｂが薄膜
導体層１８ａを介してフィルドビア１６ａと電気的に接
続された本発明のフィルドビア構造の多層プリント配線
板１００を得ることができる。さらに、絶縁層、フィル
ドビア及び配線層形成の工程を必要回数繰り返すことに
より、所望層数のフィルドビア構造の多層プリント配線
板を得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、ガラス−エポキシからなる絶縁基材１１に銅箔か
らなる導体層１２が積層された０．８ｍｍ厚のガラス−
エポキシ両面銅張積層板を用い、導体層１２をパターニ
ング処理し、絶縁基材１１の両面に第１配線層１２ａ及
び第１配線層１２ｂを形成した（図２（ａ）参照）。
まず、ガラス−エポキシからなる絶縁基材１１に銅箔か
らなる導体層１２が積層された０．８ｍｍ厚のガラス−
エポキシ両面銅張積層板を用い、導体層１２をパターニ
ング処理し、絶縁基材１１の両面に第１配線層１２ａ及
び第１配線層１２ｂを形成した（図２（ａ）参照）。
【００１９】次に、第１配線層１２ａ及び第１配線層１
２ｂが形成された絶縁基材１１上にエポキシ系樹脂を塗
布、乾燥し、５０μｍ厚の絶縁層１３を形成した。さら
に、絶縁層１３の所定位置にＵＶレーザにて５０μｍφ
のビア用穴１４を形成し、過マンガン酸カリウム（５８
ｇ／Ｌ）溶液にて絶縁層１３表面及びビア用穴１４内を
粗化処理して、絶縁層１３上及びビア用穴１４内に０．
３μｍ厚の薄膜導体層１５を形成した（図２（ｂ）参
照）。
２ｂが形成された絶縁基材１１上にエポキシ系樹脂を塗
布、乾燥し、５０μｍ厚の絶縁層１３を形成した。さら
に、絶縁層１３の所定位置にＵＶレーザにて５０μｍφ
のビア用穴１４を形成し、過マンガン酸カリウム（５８
ｇ／Ｌ）溶液にて絶縁層１３表面及びビア用穴１４内を
粗化処理して、絶縁層１３上及びビア用穴１４内に０．
３μｍ厚の薄膜導体層１５を形成した（図２（ｂ）参
照）。
【００２０】次に、薄膜導体層１５をカソードにして下
記のビア埋め用銅めっき液を用いて電解銅パネルめっき
を行い、ビア用穴１４にフィルドビア１６を、絶縁層１
３上に１５μｍ厚の導体層１７を形成した（図２（ｃ）
参照）。 ビア埋め用銅めっき液 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ２００ｇ／Ｌ Ｈ２ＳＯ4 ６０ｇ／Ｌ Ｃｌ- ５０ｐｐｍ 添加剤：キューブライトＶＦ（荏原コージライト）
記のビア埋め用銅めっき液を用いて電解銅パネルめっき
を行い、ビア用穴１４にフィルドビア１６を、絶縁層１
３上に１５μｍ厚の導体層１７を形成した（図２（ｃ）
参照）。 ビア埋め用銅めっき液 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ２００ｇ／Ｌ Ｈ２ＳＯ4 ６０ｇ／Ｌ Ｃｌ- ５０ｐｐｍ 添加剤：キューブライトＶＦ（荏原コージライト）
【００２１】次に、導体層１７、フィルドビア１６の一
部及び絶縁層１３上の薄膜導体層１５をエッチング液
（Ｈ2Ｏ2：５％、Ｈ2ＳＯ4：８％）にてエッチングし、
フィルドビア１６の上部が絶縁層１３の表面とほぼ同一
高さになったフィルドビア１６ａを形成した（図２
（ｄ）参照）。
部及び絶縁層１３上の薄膜導体層１５をエッチング液
（Ｈ2Ｏ2：５％、Ｈ2ＳＯ4：８％）にてエッチングし、
フィルドビア１６の上部が絶縁層１３の表面とほぼ同一
高さになったフィルドビア１６ａを形成した（図２
（ｄ）参照）。
【００２２】次に、絶縁層１３及びフィルドビア１６ａ
上に無電解銅めっきにて０．５μｍ厚の薄膜導体層１８
を形成し、第２配線層をめっきで形成するためのレジス
トパターン１９を形成した（図２（ｅ）参照）。
上に無電解銅めっきにて０．５μｍ厚の薄膜導体層１８
を形成し、第２配線層をめっきで形成するためのレジス
トパターン１９を形成した（図２（ｅ）参照）。
【００２３】次に、薄膜導体層１８をカソードにして下
記の非ビア埋め用銅めっき液を用いて電解銅パターンめ
っきを行い、レジストパターン１９間の薄膜導体層１８
上に導体層２１を形成した（図２（ｆ）参照）。 非ビア埋め用銅めっき液 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ８０ｇ／Ｌ Ｈ２ＳＯ4 ２００ｇ／Ｌ Ｃｌ- ５０ｐｐｍ 添加剤：スーパースロー２０００（日本ＬＰＷ）
記の非ビア埋め用銅めっき液を用いて電解銅パターンめ
っきを行い、レジストパターン１９間の薄膜導体層１８
上に導体層２１を形成した（図２（ｆ）参照）。 非ビア埋め用銅めっき液 ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ ８０ｇ／Ｌ Ｈ２ＳＯ4 ２００ｇ／Ｌ Ｃｌ- ５０ｐｐｍ 添加剤：スーパースロー２０００（日本ＬＰＷ）
【００２４】次に、レジストパターン１９を専用の剥離
液で除去し、レジストパターン１９下部にあった薄膜導
体層１８をフラッシュエッチングで除去し、薄膜導体層
１８ａ上に線幅２５μｍの第２配線層２１ａ及び第２配
線層２１ｂを形成し、第２配線層２１ａ及び第２配線層
２１ｂが薄膜導体層１８ａを介してフィルドビア１６ａ
と電気的に接続された本発明のフィルドビア構造の多層
プリント配線板１００を得た。
液で除去し、レジストパターン１９下部にあった薄膜導
体層１８をフラッシュエッチングで除去し、薄膜導体層
１８ａ上に線幅２５μｍの第２配線層２１ａ及び第２配
線層２１ｂを形成し、第２配線層２１ａ及び第２配線層
２１ｂが薄膜導体層１８ａを介してフィルドビア１６ａ
と電気的に接続された本発明のフィルドビア構造の多層
プリント配線板１００を得た。
【００２５】
【発明の効果】本発明のフィルドビア構造を有する多層
プリント配線板は、第２配線層２１ａ及び第２配線層２
１ｂとフィルドビア１６ａとは薄膜導体層１８ａにて電
気的に接続されており、第２配線層２１ａ及び第２配線
層２１ｂは絶縁層及びフィルドビア１６ａ上にほぼフラ
ットに形成されている。このことは、第２配線層２１ａ
及び第２配線層２１ｂの膜厚はフィルドビア１６ａの径
及び深さに影響されず、任意に設定できるため、微細な
配線層が形成でき、高密度、信頼性に優れたフィルドビ
ア構造の多層プリント配線板を得ることができる。ま
た、フィルドビアの形成をパネルめっきで行うため、小
径のフィルドビアでもボイドの発生のないフィルドビア
が得られる。従って、本発明は、ビルドアップ構造を有
する高密度多層配線板分野においては、優れた実用上の
効果を発揮する。
プリント配線板は、第２配線層２１ａ及び第２配線層２
１ｂとフィルドビア１６ａとは薄膜導体層１８ａにて電
気的に接続されており、第２配線層２１ａ及び第２配線
層２１ｂは絶縁層及びフィルドビア１６ａ上にほぼフラ
ットに形成されている。このことは、第２配線層２１ａ
及び第２配線層２１ｂの膜厚はフィルドビア１６ａの径
及び深さに影響されず、任意に設定できるため、微細な
配線層が形成でき、高密度、信頼性に優れたフィルドビ
ア構造の多層プリント配線板を得ることができる。ま
た、フィルドビアの形成をパネルめっきで行うため、小
径のフィルドビアでもボイドの発生のないフィルドビア
が得られる。従って、本発明は、ビルドアップ構造を有
する高密度多層配線板分野においては、優れた実用上の
効果を発揮する。
【図１】（ａ）は、本発明のフィルドビア構造の多層プ
リント配線板の一実施例を示す模式部分構成断面図であ
る。（ｂ）は、本発明のフィルドビア構造の多層プリン
ト配線板の一実施例を示すＡ領域の模式部分構成断面図
である。
リント配線板の一実施例を示す模式部分構成断面図であ
る。（ｂ）は、本発明のフィルドビア構造の多層プリン
ト配線板の一実施例を示すＡ領域の模式部分構成断面図
である。
【図２】（ａ）〜（ｇ）は、本発明のフィルドビア構造
の多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示す模式
部分構成断面図である。
の多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示す模式
部分構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、本発明のフィルドビア構造
のの多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示すＡ
領域の模式部分構成断面図である。
のの多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示すＡ
領域の模式部分構成断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、従来のフィルドビア構造の
多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示すＡ領域
の模式部分構成断面図である。
多層プリント配線板の製造方法の一実施例を示すＡ領域
の模式部分構成断面図である。
１１、５１……絶縁基材 １２ａ、１２ｂ、５２……第１配線層 １３、５３……絶縁層 １４、５４……ビア用穴 １５、１８、５５……薄膜導体層 １９、５６……レジストパターン ２１……導体層 ２１ａ、２１ｂ、６２……第２配線層 １００……フィルドビア構造の多層プリント配線板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E346 AA02 AA43 CC04 CC05 CC09 CC10 CC12 CC32 CC54 CC57 DD03 DD25 DD32 DD33 EE33 FF02 FF03 FF04 FF07 FF15 GG15 GG17 GG22 GG23 HH26
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁基材上に絶縁層を介して配線層間がフ
ィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配
線板において、フィルドビアと配線層が薄膜導体層を介
して電気的に接続されており、前記配線層が前記フィル
ドビア及び前記絶縁層上に平坦に形成されてなるフィル
ドビア構造を有する多層プリント配線板。 - 【請求項２】少なくとも以下の工程を備えていることを
特徴とする請求項１記載のフィルドビア構造を有する多
層プリント配線板の製造方法。 （ａ）絶縁基材の両面に第１配線層を形成する工程。 （ｂ）前記絶縁基材及び前記第１配線層上に絶縁層を形
成し、所定位置にビア用穴を形成し、導電化処理して薄
膜導体層を形成する工程。 （ｃ）前記薄膜導体層をカソードにしてビア埋め用銅め
っき液を使用して、電解銅めっきを行い、前記ビア用穴
にフィルドビア及び前記絶縁層上に所定厚の導体層を形
成する工程。 （ｄ）前記導体層含む表面をエッチング処理し、前記フ
ィルドビアの上面を前記絶縁層の表面とほぼ同一面にす
る工程。 （ｅ）前記絶縁層及び前記フィルドビアの表面を導電化
処理して、薄膜導体層を形成する工程。 （ｆ）前記フィルドビア及び前記導体層の所定位置にレ
ジストパターンを形成し、前記レジストパターンをめっ
きマスクにして電解銅パターンめっきを行い、所定厚の
第２導体層を形成する工程。 （ｇ）前記レジストパターンを剥離し、前記レジストパ
ターン下部にあった薄膜導体層をフラッシュエッチング
して第２配線層を形成し、前記フィルドビアと第２配線
層が前記薄膜導体層にて電気的に接続された多層プリン
ト配線板を作製する工程。 （ｈ）上記絶縁層、フィルドビア及び配線層の形成工程
を必要回数繰り返して所定層数のフィルドビア構造を有
する多層プリント配線板を作製する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001164118A JP2002359468A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | フィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001164118A JP2002359468A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | フィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002359468A true JP2002359468A (ja) | 2002-12-13 |
Family
ID=19006979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001164118A Pending JP2002359468A (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | フィルドビア構造を有する多層プリント配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002359468A (ja) |
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-
2001
- 2001-05-31 JP JP2001164118A patent/JP2002359468A/ja active Pending
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