JP2002269809A - 情報記録媒体、情報記録媒体の初期化方法、情報記録媒体の初期化方法および情報の記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 容易に初期化を行うことが可能で、かつ改竄
不可能な非晶質マークを長期間安定に形成することがで
きる追記型ディスク、およびその初期化方法および記録
方法を提供する。 【解決手段】 基板上に記録層と、記録層に接して記録
マーク安定化層を設け、エネルギーを与えることによっ
て記録マークを形成し、記録マーク領域の記録マーク安
定化層の一部または全部を記録層中に拡散させる。記録
マークを形成する前に、エネルギーを与えることによっ
て上記記録層を結晶化させる初期化過程を施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光、電子線
などの記録用ビームによって、映像、音声、コンピュー
タデータなどのディジタル情報を記録することが可能な
情報記録媒体、媒体の製造方法、情報記録再生方法およ
び情報記録再生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板上にヒートモード記録材
料よりなる薄膜（記録層）を担持し、記録層の光熱作用
によって情報の記録を可能にした情報記録媒体が種々提
案されている。これらのうち、情報の記録が一度だけ可
能な追記型記録媒体はデータの改竄ができないため、長
期保存用ファイルとして注目を集めている。

【０００３】この種の記録に関する発明は多数出願され
ており、特公昭４６−４０４７９号、特開昭５７−６６
９９６号などには穴形成により情報を記録する技術が、
特開昭５７−２２０９５、特開昭６０−２８０４５など
には固相拡散、合金化により情報を記録する技術が、特
許第２１３８５６４号あるいは特許第２１３５３６３号
などには色素を用いた追記型媒体いわゆるＣＤ−Ｒに関
する技術が開示されている。

【０００４】また、原子配列変化（いわゆる相変化）に
より記録を行うもののうち、ディスク前面を初期結晶化
する必要があるものがある。この初期化工程を省くた
め、あるいは初期化工程を迅速化するために結晶核形成
層を形成する技術は特開平１０−２２６１７３、特開平
１１−９６５９４などに開示されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記した技術のうち穴
形成により記録を行う方法は記録膜の物理的な移動によ
る物理的な変形を伴うため、記録膜を酸化から防ぐなど
記録膜保護のための保護膜を密着して形成することがで
きないという問題点があった。また、溶融した記録膜の
表面張力を制御することが難しく、微小なマーク形状の
コントロールが困難であるという問題点があった。

【０００６】また、固相拡散、合金化による技術は、記
録膜原子の移動があるのみで物理的変形を伴わないため
保護膜を密着して形成することができるが、長期間の保
存、あるいは過酷な環境下において徐々に拡散が進行し
保存寿命が不十分であるという問題点があった。ＣＤ−
Ｒにおいては、反射率や記録感度などの特性が記録レー
ザ波長に大きく依存性するという問題点があった。

【０００７】一方、記録膜をまず全面結晶化させた後に
非晶質マークを形成する方法は、上記問題点を回避する
ことが可能であるように考えられる。実際、書換タイプ
の媒体に関してはＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどの製
品に用いられている方法である。ところが、記録情報の
改竄が困難な追記型媒体にこの方法を適用すると、初期
化過程においては容易に結晶化が可能で、一旦記録した
非晶質マークは容易には結晶化しないという、相反する
特性を満足させるのが大変困難であるという問題点に直
面した。前述のように特開平１１−９６５９４には結晶
化促進層を形成した追記型媒体に関する技術が開示され
ている。この方法によると、結晶化促進層によって記録
層が結晶化するため、結晶化速度の遅い記録層を用いて
も初期化が不要、あるいは容易に初期化が行え、かつ非
晶質マークが結晶化しにくい媒体を提供できるように考
えられる。しかし、過酷な保存環境下における非晶質マ
ークの保存安定性、特に結晶化促進層が非晶質マークの
結晶化に及ぼす影響については十分に考察されていなか
った。

【０００８】本発明の目的は、容易に初期化を行うこと
が可能で、かつ改竄不可能な非晶質マークを形成するこ
とができる大容量で信頼性の高い追記型ディスク、およ
びその初期化方法および記録方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成すべく、種々の検討を行ったところ、基板上に記
録層と、記録層に接して記録マーク安定化層を設け、エ
ネルギーを与えることによって記録マークを形成し、記
録マーク領域の記録マーク安定化層の一部または全部を
記録層中に拡散させることによって、上記の課題をすみ
やかに解決できることを見出した。

【００１０】このとき、記録マークを形成する前に、エ
ネルギーを与えることによって上記記録層を結晶化させ
る初期化過程を施す。

【００１１】記録層として、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含み、
かつＳｂとＴｅの原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が
０．０１≦[Ｓｂ／Ｔｅ]≦1を満たす材料を用いること
ができ、このとき記録マーク安定化層は少なくともＳ
ｂ、ＴｅもしくはＡｇを含むことが好ましい。また、記
録マーク安定化層がＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、
Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔ
ｌ、Ｐｂ、Ｂｉを含んでも良い。

【００１２】また、記録層として、Ｓｂ、Ｔｅを含み、
かつＳｂとＴｅの原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が１
＜[Ｓｂ／Ｔｅ]≦１０を満たす材料を用いることがで
き、このとき記録マーク安定化層は少なくともＴｅを含
むことが好ましい。また、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、
Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉを含んでも良い。

【００１３】初期化過程においては、記録マーク安定化
層の一部または全部を記録膜中に拡散させることが好ま
しい。

【００１４】また、初期化を行った後、媒体をアニール
することによって記録マーク安定化層の一部または全部
を記録膜中に拡散させてもよいし、初期化を行った後、
媒体に光を照射することによって記録マーク安定化層の
一部または全部を記録膜中に拡散させてもよい。

【００１５】また、初期化時に加えられる単位時間、単
位面積あたりのエネルギー強度が記録時に加えられる単
位時間、単位面積あたりのエネルギー強度よりも小さい
ことが好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】Ｇｅ、ＳｂおよびＴｅを含む記録
層は、ＧｅＴｅとＳｂ₂Ｔｅ₃を結ぶ線上において結晶化
速度が速く、容易に結晶化が可能である。しかし同時に
非晶質記録マークの結晶化、すなわち消去も容易に行わ
れることになる。この特徴は書換型媒体においてはメリ
ットとなるが、改竄不可能な追記型媒体においてはデメ
リットとなってしまう。

【００１７】一方、ＧｅＴｅとＳｂ₂Ｔｅ₃を結ぶ線上の
組成に対して、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅのうちの少なくともひ
とつの元素を過剰に含有させた組成の膜は結晶化速度が
遅くなる。また、ＧｅＴｅとＳｂ₂Ｔｅ₃を結ぶ線上の組
成に対して、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓ
ｅ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのうちの少なくともひとつを添加
することによっても結晶化速度が遅くなる。

【００１８】同様に、ＳｂおよびＴｅを含む記録層は、
ＳｂとＴｅの原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が１より
大きくなる領域においても結晶化速度が速く、[Ｓｂ／
Ｔｅ]が大きくなるほど結晶化速度が速くなる傾向にあ
るが、他の元素、たとえばＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、
Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉを添加することによって
結晶化速度が遅くなる。

【００１９】したがって、記録層としてＧｅＴｅとＳｂ
₂Ｔｅ₃を結ぶ線上の組成のものや、[Ｓｂ／Ｔｅ]が１あ
るいはそれ以上となるような結晶化速度の速い材料を用
いた場合、記録マーク安定化層として、記録層に添加す
ることで記録層の結晶化速度が遅くなる材料を用い、記
録マーク領域において記録マーク安定化層の一部または
全部が記録層に拡散させれば、初期化を容易に行うこと
ができ、かつデータの改竄が困難な媒体を得ることが可
能となる。データの改竄が困難になる理由は、記録マー
ク安定化層の拡散によって記録層の組成が結晶化速度の
速いものから遅いものへと変わってしまい、結晶化が容
易に行われなくなるためである。

【００２０】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層として好ましい
組成は、ＧｅＴｅとＳｂ₂Ｔｅ₃を結ぶ線上近傍のもので
ある。具体的には、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅのそれぞれの元素
の含有量比を一般式 （Ｇｅ_1-xＴｅ_x）_1-z（Ｓｂ_1-yＴｅ_y）_z で表したときに、０．４０≦ｘ≦０．６０、０．５０≦
ｙ≦０．７０、０≦ｚ≦１となる範囲が好ましく、０．
４２≦ｘ≦０．５８、０．５２≦ｙ≦０．６８、０≦ｚ
≦０．９５となる範囲がより好ましく、０．４５≦ｘ≦
０．５５、０．５５≦ｙ≦０．６５、０≦ｚ≦０．９と
なる範囲が最も好ましい。

【００２１】また、記録層はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ以外の元
素を含んでも良く、その他の元素をＭで表したときに一
般式 {（Ｇｅ_1-xＴｅ_x）_1-z（Ｓｂ_1-yＴｅ_y）_z}_1-aＭＡ_a において、０．４２≦ｘ≦０．５８、０．５２≦ｙ≦
０．６８、０≦ｚ≦１、０＜ａ≦０．１５となる範囲が
好ましく、０．４５≦ｘ≦０．５５、０．５５≦ｙ≦
０．６５、０≦ｚ≦０．９５、０＜ａ≦０．１となる範
囲がより好ましい。ＭＡはＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、
Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉが好ましい。これらのうち、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、
Ａｕは耐食性に優れるという点で好ましい。Ｏ、Ｎ、Ａ
ｒは、非晶質マーク形状が、結晶部との界面からの結晶
成長によって歪む現象を防止する効果があり好ましい。
Ａｇは結晶と非晶質の間の屈折率差が大きくなるという
点で好ましい。Ｓｎは結晶化速度の制御を行うことが容
易であるという点で好ましい。ＳｎはＭＡとして添加し
ても良いが、ＭＡとしてではなくＧｅを置換する形で添
加することもできる。この場合には結晶化速度が速くな
る効果がある。Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｓｅはそれ自身が酸
化することによって記録層自身の酸化を防止する効果が
あり好ましい。また、複数元素を添加するとそれぞれの
持つ効果を得ることが可能である。

【００２２】Ｓｂ−Ｔｅ系記録層として好ましい組成
は、ＳｂとＴｅの原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が１
より大きくなる領域のものである。具体的には、１＜
[Ｓｂ／Ｔｅ]≦１０となるものが好ましい。また、記録
層はＳｂ、Ｔｅ以外の元素を含んでも良い。その他の元
素としては、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、
Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒ
ｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、
Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉが好ましい。これらのうち、Ｇｅ
は結晶化温度を上昇させる点で好ましい。Ｉｎは結晶と
非晶質の間の屈折率差が大きくなるという点で好まし
い。Ａｕ、Ａｇは反射率が高くなるという効果を持つ。
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ
は耐食性に優れるという点で好ましい。Ｏ、Ｎ、Ａｒ
は、非晶質マーク形状が、結晶部との界面からの結晶成
長によって歪む現象を防止する効果があり好ましい。

【００２３】もちろん記録層はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料
や、Ｓｂ−Ｔｅ系材料に限られるものではない。他の材
料としては例えばＧｅ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ系、Ｉｎ−
Ｓｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ系、Ｓｂ−Ｓｅ−Ｂｉ系、Ｓ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系などを用
いることができる。

【００２４】記録マークは記録層を溶融後急冷すること
によって形成するため、記録時に記録マーク安定化層の
温度も融点近傍もしくはそれ以上に熱せられていると拡
散が容易に起こる。したがって記録マーク安定化層の融
点は記録層の融点より低いか、高くても記録膜の融点に
近いことが好ましい。記録マーク安定化層の融点が記録
層の融点よりも高い場合、その差は１５０℃以下が好ま
しく、１００℃以下であればより好ましい。

【００２５】上記したように、記録マーク安定化層は、
記録膜中に拡散することによって記録膜の結晶化速度を
低下させ、記録マークを安定に保持させる役割を有す
る。また、同時に記録膜を初期化させる際に記録膜の結
晶化を促進させる役割を持たせることもできる。具体的
には、記録膜が結晶成長するために必要な結晶核を生成
するような役割を持てば、記録膜を容易に結晶化させる
ことが可能である。結晶核となるためには、記録マーク
安定化層自身が安定であることが要求される。それ自身
が結晶であっても非晶質であってもよい。また、記録膜
結晶の格子定数と近い格子定数を持てば結晶核となりや
すいが、非晶質であってもよい。非晶質としては記録膜
を構成する元素の少なくともひとつの窒化物、酸化物、
硫化物、弗化物、炭化物などを含むことが好ましい。

【００２６】

【実施例】以下に本発明を実施例によって詳細に説明す
る。図１、図２および図３は本実施例の断面図、図４お
よび５は記録に用いた波形である。

【００２７】（実施例１）直径１２０ｍｍ、厚さ０．６
ｍｍのポリカーボネート樹脂板の表面に、幅０．６μ
ｍ、深さ６０ｎｍの溝が１．２３μｍピッチで形成され
た基板１を射出成形によって作製した。この基板にはデ
ィスク認識情報やアドレス情報などをあらかじめ記録す
るためのプリピットも形成されている。また、情報記録
用のトラックとして溝、溝間の両方を用いる。この基板
１を、複数のスパッタ室を持ち、膜厚の均一性および再
現性に優れたスパッタ装置内の第1スパッタ室に配置し
た。ターゲットとしてＺｎＳとＳｉＯ₂の混合物を用
い、アルゴンガス中で厚さ８０ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（Ｓ
ｉＯ₂）₂₀（モル％）第１誘電体層２を形成した。次い
でこの基板を第２のスパッタ室に移動した後、ターゲッ
トとしてＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀（原子％）焼結体を用い、アルゴ
ンガス中で厚さ５ｎｍのＳｂ₇₀Ｔｅ₃₀記録マーク安定化
層３を形成した。続いて、第３スパッタ室で、Ｇｅ₂₂Ｓ
ｂ₂₅Ｔｅ₅₃（原子％）焼結体ターゲットを用いて、アル
ゴンガス中で記録層４を２５ｎｍ形成した。次いで第４
スパッタ室に基板を移動し、第１誘電体層形成と同様の
要領で厚さ１６ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モ
ル％）第２誘電体層５を形成した。最後に第５スパッタ
室内でＡｌ_95.5Ｔｉ_0.5（原子％）をターッゲットとし
て用い、ＡｌＴｉ反射層６を７０ｎｍ形成した。積層さ
れた基板をスパッタ装置から取り出し、最上層の上に紫
外線硬化樹脂保護層７をスピンコートによって形成し
た。

【００２８】同様にしてもう一枚の同様な基板１'上に
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）第１誘電体層
２'、記録マーク安定化層３'、記録層４'、（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）第２誘電対層５'、ＡｌＴｉ
反射層６'、紫外線硬化樹脂保護層７'を形成し、2枚の
基板を、紫外線硬化樹脂保護層７、７'を内側にして接
着剤層８によって貼り合わせを行った。この時、接着剤
層の直径を１１８ｍｍ以上にすると落下などの衝撃によ
る接着剤層の剥離が起こりにくくなった。断面構造を図
１に示す。

【００２９】上記のように作製したディスクを、波長８
１０ｎｍ、ビーム長径５０μｍ、短径１μｍの楕円ビー
ムを持つレーザ光を照射することによって初期化を行っ
た。初期化を行ったディスクを線速１７ｍ／ｓとなるよ
うに回転させ、波長６６０ｎｍの半導体レーザ光を開口
数０．６の対物レンズで集光させて再生を行って反射率
変動ΔＲを調べた。反射率変動ΔＲは、ディスク１周で
の反射率最大値をＲｍａｘ、最小値をＲｍｉｎとしたと
きに、 ΔＲ＝（Ｒｍａｘ−Ｒｍｉｎ）／{（Ｒｍａｘ＋Ｒｍｉ
ｎ）／２} で定義した。

【００３０】初期化過程におけるディスク線速とパワー
を変えたとき、ΔＲは下記の表1のようになった。な
お、表中○はΔＲ≦５％、×はΔＲ＞５％を示してい
る。

【００３１】

【表１】

【００３２】線速８ｍ／ｓ、パワー７００ｍＷでディス
クを初期化した後、線速度約１７ｍ／ｓとなるように回
転させ、波長６６０ｎｍの半導体レーザ光をＮＡ０．６
の対物レンズで集光して基板を通して記録層上に照射
し、記録および再生を行った。このとき、トラッキング
は溝上に行った。記録周波数を４．８ＭＨｚとし、記録
パワーを変えて記録を行ない、Ｃ／Ｎを測定した。記録
パワー１２ｍＷ以上で５０ｄＢ以上の良好なＣ／Ｎが得
られた。また、連続光の照射によるキャリアレベル（Ｃ
レベル）の減少分、すなわち消去比は１０ｄＢ以下であ
り、データ改竄が困難な記録マークが形成されたことが
わかった。

【００３３】記録を行った後、ディスクを９０℃８０％
の環境下に２５０時間放置し、Ｃレベルの減少分を測定
したところ、減少分は１ｄＢ以下であった。

【００３４】上記において、記録マーク安定化層を設け
ないディスクを作製し、同様の実験を行った。このと
き、良好な初期化条件の組み合わせは表１と同様であっ
たが、連続光照射によって２５ｄＢ以上Ｃレベルが減少
し、データ改竄が比較的容易に行える可能性が高いディ
スクであることがわかった。また、記録マーク安定化層
を設けず、記録層にＳｂを１０％添加したディスクを作
製したところ、Ｃレベルの減少は１０ｄＢ以下であった
が、良好な初期化条件の組み合わせがほとんどなくなっ
た。

【００３５】本実施例では記録マーク安定化層を記録層
の基板に近い側に設けたが、基板から遠い側に設けても
同様の結果が得られた。

【００３６】なお、上記結果は溝上で行ったが、溝間に
トラッキングさせて記録を行った場合にも同様の結果が
得られた。

【００３７】記録膜としてＧｅＴｅとＳｂ₂Ｔｅ₃を結ぶ
線上近傍の組成、すなわちＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅのそれぞれ
の元素の含有量比を一般式 （Ｇｅ_1-xＴｅ_x）_1-z（Ｓｂ_1-yＴｅ_y）_z で表したときに、０．４０≦ｘ≦０．６０、０．５０≦
ｙ≦０．７０、０≦ｚ≦１となる範囲のものを用いた場
合にも同様の結果が得られた。０．４２≦ｘ≦０．５
８、０．５２≦ｙ≦０．６８、０≦ｚ≦０．９５となる
範囲を用いるとΔＲが小さな値を示す良好な初期化条件
の組み合わせがやや多くなり、０．４５≦ｘ≦０．５
５、０．５５≦ｙ≦０．６５、０≦ｚ≦０．９となる範
囲を用いると良好な初期化条件の組み合わせがより多く
なった。また、記録膜としてＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅ以外の元
素Ｍを含んだもの、すなわち {（Ｇｅ_1-xＴｅ_x）_1-z（Ｓｂ_1-yＴｅ_y）_z}_1-aＭ_a において、０．４２≦ｘ≦０．５８、０．５２≦ｙ≦
０．６８、０≦ｚ≦１、０＜ａ≦０．１５となる範囲の
ものを用いても同様の結果が得られた。０．４５≦ｘ≦
０．５５、０．５５≦ｙ≦０．６５、０≦ｚ≦０．９
５、０＜ａ≦０．１となる範囲を用いると良好な初期化
条件の組み合わせがやや多くなった。なお、Ｍとしては
Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａ
ｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ
を用いることができる。

【００３８】記録マーク安定化層として、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀
かわりに、Ｓｂ_αＴｅ_{1- α}（ただし０≦α≦１）を用い
ても良く似た特性が得られた。このとき、α≧０．７５
の領域においては拡散が起こりやすくなり、オーバライ
トジッターが悪くなってデータ改竄がよりしにくくなっ
た。また、記録マーク安定化層として、Ｓｂ₇₀Ｔｅ
₃₀に、Ｇｅを添加することもできる。ただしこの場合に
はＧｅが含有量が５０％以上である場合には安定化層の
融点が高くなり記録層への拡散が生じにくくなった。し
たがって、Ｇｅの含有量は５０％以下が好ましく、３０
％以下であればより好ましい。ＧｅのかわりにＳｃ、Ｔ
ｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、
Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、
Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのうち少な
くとも一元素を添加しても良く似た特性が得られた。ま
た、記録マーク安定化層として、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ａｇ
あるいはこれらのうち２種類以上の元素からなる合金、
さらに、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、
Ｐｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｇ
ｅを３０％以下添加した材料を用いても良く似た特性が
得られた。

【００３９】（実施例２）直径１２０ｍｍ、厚さ０．６
ｍｍのポリカーボネート樹脂板の表面に、幅０．３μ
ｍ、深さ３０ｎｍの溝が０．７４μｍピッチで形成され
た基板１０を射出成形によって作製した。この基板には
ディスク認識情報やアドレス情報などをあらかじめ記録
するためのプリピットも形成されている。情報記録用の
トラックとしては溝もしくは溝間のどちらか一方を用い
る。この基板１０を、実施例１と同様に、複数のスパッ
タ室を持ち、膜厚の均一性および再現性に優れたスパッ
タ装置内の第1スパッタ室に配置した。ターゲットとし
てＡｇを用い、アルゴンガス中で厚さ２ｎｍのＡｇ記録
マーク安定化層１２を形成した。次に、この基板を第２
のスパッタ室に移動した後、ターゲットとしてＡｇ₅Ｉ
ｎ₁₀Ｓｂ₅₀Ｔｅ₃₅（原子％）焼結体として、窒素０．２
モル％含有したアルゴン−窒素混合ガス中で１５ｎｍの
記録層１３を形成した。Ａｇを形成し終わってから記録
層を形成するまでの時間を６０秒とし、その間基板を１
×１０^-3Ｐａの真空下に保持した。次いで第３スパッタ
室に基板を移動し、ターゲットとしてＺｎＳとＳｉＯ₂
の混合物を用い、アルゴンガス中で厚さ３０ｎｍの（Ｚ
ｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）誘電体層１４を形成
した。最後に第４スパッタ室室内でＡｌ_95.5Ｔｉ
_0.5（原子％）をターッゲットとして用い、ＡｌＴｉ反
射層１５を１５０ｎｍ形成した。積層された基板をスパ
ッタ装置から取り出し、ＡｌＴｉ反射層の面と、基板１
と同じ直径および厚さを持つダミー基板１６とを、紫外
線硬化樹脂１７からなる接着剤層により貼り合わせを行
った。断面構造を図２に示す。

【００４０】上記のように作製したディスクを、波長８
１０ｎｍ、ビーム長径５０μｍ、短径１μｍの楕円ビー
ムを持つレーザ光を照射することによって初期化を行っ
た。実施例１と同様に反射率変動ΔＲを調べた。初期化
過程におけるディスク線速とパワーを変えたとき、ΔＲ
は下記の表２のようになった。なお、表中○はΔＲ≦５
％、×はΔＲ＞５％を示している。

【００４１】

【表２】

【００４２】線速７ｍ／ｓ、パワー７００ｍＷでディス
クを初期化した後、線速度約１４ｍ／ｓとなるように回
転させ、波長６６０ｎｍの半導体レーザ光をＮＡ０．６
の対物レンズで集光して基板を通して記録層上に照射
し、記録および再生を行った。このとき、トラッキング
は溝上に行った。ウィンドウ幅Ｔｗを１０ｎｓとし、８
−１６変調されたランダム信号を図４に示すような波形
で記録し、ジッターを測定したところ、記録パワー１２
ｍＷ以上で８％以下の良好なジッターが得られた。続い
て同一個所に図５に示すようなオーバライト波形を用い
てランダム信号のオーバライトを行った。このとき消去
パワーは記録パワーの１／２とした。いずれのパワーに
おいてもオーバライトジッターは２０％以上となり、オ
ーバライト、すなわちデータ改竄が困難であることがわ
かった。

【００４３】記録を行った後、ディスクを９０℃８０％
の環境下に２５０時間放置し、ジッターの上昇分を測定
したところ、上昇分は０．５％以下であった。

【００４４】上記において、記録マーク安定化層を設け
ないディスクを作製し、同様の実験を行った。このと
き、良好な初期化条件の組み合わせは表２と同様であっ
たが、オーバライトジッターが８％以下と良好であり、
データ改竄が比較的容易に行える可能性が高いディスク
であることがわかった。また、記録マーク安定化層を設
けず、記録層にＴｅを２０％添加したディスクを作製し
たところ、オーバライトジッターは２０％以上であった
が、良好な初期化条件の組み合わせがほとんどなくなっ
た。

【００４５】本実施例では記録マーク安定化層を記録層
の基板に近い側に設けたが、基板から遠い側に設けても
同様の結果が得られた。

【００４６】なお、上記結果は溝上で行ったが、溝間に
トラッキングさせて記録を行った場合にも同様の結果が
得られた。

【００４７】記録膜としてＳｂとＴｅの原子％での含有
量比[Ｓｂ／Ｔｅ]を１より大きく１０以下としても良く
似た特性が得られた。[Ｓｂ／Ｔｅ]を１．８以上とする
とより初期化が容易になり、１．８以下にすると加速環
境下でのジッター上昇分が小さくなった。また、Ａｇお
よびＩｎの一部もしくは全部をＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、
Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｎ、
Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｇｅのうち少なくとも一元素置換し
ても良く似た特性が得られた。

【００４８】記録マーク安定化層としてＡｇを用いた場
合、結晶成長を促進させる効果を持つ。したがって[Ｓ
ｂ／Ｔｅ]を１．８以下と小さくしても初期化を容易に
行うことができた。

【００４９】記録マーク安定化層として、Ａｇのかわり
に、Ｓｂ_αＴｅ_{1- α}（ただし０．５≦α≦１）を用いて
も良く似た特性が得られた。このとき、α≧０．７５の
領域においては拡散が起こりやすくなり、オーバライト
ジッターが悪くなってデータ改竄がよりしにくくなっ
た。また、記録マーク安定化層として、Ｓｂ_αＴｅ_{1- α}
に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅを添加することもできる。これら
を添加する場合は、これらの含有量が５０％以上である
場合には安定化層の融点が高くなり記録層への拡散が生
じにくくなった。したがって、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇｅの含有
量は５０％以下が好ましく、３０％以下であればより好
ましい。Ａｇ、Ｉｎ、ＧｅのかわりにＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、
Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉのうち少なくとも一元素を
添加しても良く似た特性が得られた。また、記録マーク
安定化層として、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ａｇあるいはこれ
らのうち２種類以上の元素からなる合金、さらに、Ｓ
ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、
Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｇｅを３０
％以下添加した材料を用いても良く似た特性が得られ
た。

【００５０】（実施例３）直径１２０ｍｍ、厚さ１．１
ｍｍのポリカーボネート樹脂板の表面に、幅０．１５μ
ｍ、深さ３５ｎｍの溝が０．３μｍピッチで形成された
基板１８を射出成形によって作製した。この基板にはデ
ィスク認識情報やアドレス情報などをあらかじめ記録す
るためのプリピットも形成されている。情報記録用のト
ラックとしては溝あるいは溝間のどちらか一方を用い
る。この基板１８を、複数のスパッタ室を持ち、膜厚の
均一性および再現性に優れたスパッタ装置内の第1スパ
ッタ室に配置した。ターゲットとしてＡｌ_95.5Ｔｉ_0.5
（原子％）を用い、アルゴンガス中で厚さ７０ｎｍのＡ
ｌＴｉ反射層１９を形成した。次いでこの基板を第２の
スパッタ室に移動した後、ターゲットとしてＺｎＳとＳ
ｉＯ₂の混合物を用い、アルゴンガス中で厚さ２０ｎｍ
の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）第１誘電体層
２０を形成した。続いて、第３スパッタ室で、Ｇｅ₃₃Ｓ
ｂ₁₃Ｔｅ₅₄（原子％）焼結体ターゲットを用いて、アル
ゴンガス中で記録層２１を２０ｎｍ形成した。次いで第
４スパッタ室に基板を移動し、Ｓｂ₇₀Ｔｅ₃₀（原子％）
焼結体ターゲットを用いてアルゴンガス中でＳｂ₇₀Ｔｅ
₃₀記録マーク安定化層２２を２ｎｍ形成し、続いて第１
誘電体層形成と同様の要領で厚さ４０ｎｍの（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）第２誘電体層２３を形成し
た。積層された基板をスパッタ装置から取り出し、最上
層の上に紫外線硬化樹脂接着剤２４を用いて厚さ０．１
ｍｍのカバー層２５を貼り合せた。

【００５１】上記のように作製したディスクを、実施例
１と同様の初期化装置を用いて初期化を行った。ただし
このときレーザ光は０．１ｍｍのカバー層側から照射し
た。また、初期化を行ったディスクを線速１５ｍ／ｓと
なるように回転させ、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光
を開口数０．８５の対物レンズで集光させて再生を行
い、反射率変動ΔＲを調べた。初期化過程におけるディ
スク線速とパワーを変えたとき、ΔＲは下記の表３のよ
うになった。なお、表中○はΔＲ≦５％、×はΔＲ＞５
％を示している。

【００５２】

【表３】

【００５３】線速７ｍ／ｓ、パワー７００ｍＷでディス
クを初期化した後、線速度約１０ｍ／ｓとなるように回
転させ、波長４０５ｎｍの半導体レーザ光をＮＡ０．８
５の対物レンズで集光して基板を通して記録層上に照射
し、記録および再生を行った。このとき、トラッキング
は溝上に行った。記録周波数を２５ＭＨｚとし、記録パ
ワーを変えて記録を行ない、Ｃ／Ｎを測定した。記録パ
ワー４ｍＷ以上で４５ｄＢ以上の良好なＣ／Ｎが得られ
た。また、連続光の照射によるキャリアレベル（Ｃレベ
ル）の減少分、すなわち消去比は１０ｄＢ以下であり、
データ改竄が困難な記録マークが形成されたことがわか
った。

【００５４】記録を行った後、ディスクを９０℃８０％
の環境下に２５０時間放置し、Ｃレベルの減少分を測定
したところ、減少分は１ｄＢ以下であった。

【００５５】上記において、記録マーク安定化層を設け
ないディスクを作製し、同様の実験を行った。このと
き、良好な初期化条件の組み合わせは表３と同様であっ
たが、連続光照射によって２５ｄＢ以上Ｃレベルが減少
し、データ改竄が比較的容易に行える可能性が高いディ
スクであることがわかった。また、記録マーク安定化層
を設けず、記録層にＳｂを１０％添加したディスクを作
製したところ、Ｃレベルの減少は１０ｄＢ以下であった
が、良好な初期化条件の組み合わせがほとんどなくなっ
た。

【００５６】本実施例では記録マーク安定化層を記録層
の１．１ｍｍ基板から遠い側に設けたが、基板に近い側
に設けても同様の結果が得られた。

【００５７】なお、上記結果は溝上で行ったが、溝間に
トラッキングさせて記録を行った場合にも同様の結果が
得られた。

【００５８】本実施例では反射層としてＡｌ_95.5Ｔｉ
_0.5（原子％）を用いたが、他の組成のＡｌ−Ｔｉ合金
や他のＡｌ合金、例えばＡｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔａ、Ａｌ
−Ｎｂ、Ａｌ−Ｍｇ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｇｅなども用
いることができる。さらにＡｇあるいはＡｇ合金、Ａｕ
あるいはＡｕ合金、ＣｕあるいはＣｕ合金も使用可能で
ある。また、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂを主成分とするものも用
いることができる。これらの反射層を多層化して用いる
こともできる。

【００５９】本実施例では記録トラックとして溝あるい
は溝間のどちらか一方を用いる基板を用いたが、溝と溝
間の両方に記録を行う、いわゆるランド・グルーブ記録
用基板を用いても同様の結果が得られた。このときの基
板としては、溝ピッチ０．６μｍ以下、溝幅０．３μｍ
以下のものを用いることができる。

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、容易に初期化を行うこ
とが可能で、かつ改竄不可能な非晶質マークを形成する
ことができる大容量で信頼性の高い追記型ディスク、お
よびその初期化方法を提供することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施例１の情報記録媒体の断面構造を示
す説明図である。

【図２】本発明の実施例２の情報記録媒体の断面構造を
示す説明図である。

【図３】本発明の実施例３の情報記録媒体の断面構造を
示す説明図である。

【図４】本発明の実施例２の情報記録媒体への記録に用
いた記録波形を示す説明図である。

【図５】本発明の実施例２の情報記録媒体へのオーバー
ライト記録に用いた記録波形を示す説明図である。

【符号の説明】

１、１'、１０、１８ 基板 ２、２'、２０ 第１誘電体層 ３、３'、１２、２２ 記録マーク安定化層 ４、４'、１３、２１ 記録層 ５、５'、１４、２３ 第２誘電体層 ６、６'、１５、１９ 反射層 ７、７' 紫外線硬化樹脂保護層 ８、１７、２４ 接着剤層 ９ レーザ光 １６ ダミー基板 ２５ カバー層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/30 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 梅澤 和代 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 飯村 誠 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA23 EA31 FA11 FA12 FA14 FA21 FA23 FA37 FB05 FB09 FB12 FB30 GA11 5D029 HA06 HA07 JA01 JB03 JB05 JC17 5D090 AA01 BB05 BB12 CC11 DD01 KK03 5D121 AA01 EE03 EE27

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に記録層が設けられ、エネルギー
   を与えることによって記録マークを形成する情報記録媒
   体において、記録層に接して記録マーク安定化層を設
   け、記録マーク部分における記録マーク安定化層の一部
   または全部が記録層中に拡散していることを特徴とする
   情報記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の情報記録媒体におい
   て、エネルギーを与えることによって上記記録層を結晶
   化させる初期化過程を施した後、記録を行うことを特徴
   とする情報記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の情報記録媒体
   において、記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含み、かつＳｂ
   とＴｅの原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が０．０１≦
   [Ｓｂ／Ｔｅ]≦１を満たし、記録マーク安定化層が少な
   くともＳｂを含むことを特徴とする情報記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項１または２に記載の情報記録媒体
   において、記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含み、かつＳｂ
   とＴｅの原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が０．０１≦
   [Ｓｂ／Ｔｅ]≦１を満たし、記録マーク安定化層が少な
   くともＴｅを含むことを特徴とする情報記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項１または２に記載の情報記録媒体
   において、記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含み、かつＳｂ
   とＴｅの原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が０．０１≦
   [Ｓｂ／Ｔｅ]≦１を満たし、記録マーク安定化層が少な
   くともＡｇを含むことを特徴とする情報記録媒体。
6. 【請求項６】 請求項１または２に記載の情報記録媒体
   において、記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含み、かつＳｂ
   とＴｅの原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が０．０１≦
   [Ｓｂ／Ｔｅ]≦1を満たし、記録マーク安定化層が少な
   くともＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎ
   ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、
   Ｒｈ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉ
   ｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａ
   ｒ、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ
   を含むことを特徴とする情報記録媒体。
7. 【請求項７】 請求項１または２に記載の情報記録媒体
   において、記録層がＳｂ、Ｔｅを含み、かつＳｂとＴｅ
   の原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が１＜[Ｓｂ／Ｔｅ]
   ≦１０を満たし、記録マーク安定化層が少なくともＴｅ
   を含むことを特徴とする情報記録媒体。
8. 【請求項８】 請求項１または２に記載の情報記録媒体
   において、記録層がＳｂ、Ｔｅを含み、かつＳｂとＴｅ
   の原子％での含有量比[Ｓｂ／Ｔｅ]が１＜[Ｓｂ／Ｔｅ]
   ≦1０を満たし、記録マーク安定化層が少なくともＳ
   ｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、
   Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
   ｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、
   Ｐｔ、Ａｕ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ａｒ、
   Ｇａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂ
   ｉを含むことを特徴とする情報記録媒体。
9. 【請求項９】 請求項２に記載の情報記録媒体におい
   て、初期化過程において記録マーク安定化層の一部また
   は全部を記録膜中に拡散させたことを特徴とする情報記
   録媒体。
10. 【請求項１０】 請求項２に記載の情報記録媒体におい
    て、初期化を行った後、媒体をアニールすることによっ
    て記録マーク安定化層の一部または全部を記録膜中に拡
    散させたことを特徴とする情報記録媒体。
11. 【請求項１１】 請求項２に記載の情報記録媒体におい
    て、初期化を行った後、媒体に光を照射することによっ
    て記録マーク安定化層の一部または全部を記録膜中に拡
    散させたことを特徴とする情報記録媒体。
12. 【請求項１２】 基板上に記録層と、それに接した記録
    マーク安定化層とを少なくとも設けた情報記録媒体の記
    録層を結晶化するために、エネルギーを加えることによ
    って初期結晶化を行う初期化方法において、初期化過程
    において記録マーク安定化層の一部または全部を記録膜
    中に拡散させたことを特徴とする情報記録媒体の初期化
    方法。
13. 【請求項１３】 基板上に記録層と、それに接した記録
    マーク安定化層とを少なくとも設けた情報記録媒体の記
    録層を結晶化するために、エネルギーを加えることによ
    って初期結晶化を行う初期化方法および初期化後にエネ
    ルギーを加えることによって非晶質マークを形成する情
    報の記録方法において、初期化時に加えられる単位時
    間、単位面積あたりのエネルギー強度が記録時に加えら
    れる単位時間、単位面積あたりのエネルギー強度よりも
    小さいことを特徴とする情報記録媒体の初期化方法およ
    び情報の記録方法。