JP2002268174A - 熱現像感光材料およびその処理方法 - Google Patents
熱現像感光材料およびその処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱現像時の粉落ちがなく、PS版焼き付け時
に焼きボケの発生がなく、小点再現性に優れる、硬調で
Dmaxの高い感光材料を提供する。 【解決手段】 支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化
銀、バインダー、および還元剤を含有する画像記録層を
有する熱現像記録材料において、画像記録層上に画像記
録保護層が設けられ、画像記録層および/または画像記
録保護層にバインダーの一部としてヒドロキシル基含有
量が4〜20質量%のセルロースエステルを含有する。
画像記録層に上記のセルロースエステルを、画像記
録層の全バインダー質量に対して5〜50質量%含む。
画像記録保護層に上記のセルロースエステルを、画
像記録保護層の全バインダー質量に対して5〜50質量
%含む。
に焼きボケの発生がなく、小点再現性に優れる、硬調で
Dmaxの高い感光材料を提供する。 【解決手段】 支持体上に、有機酸銀、ハロゲン化
銀、バインダー、および還元剤を含有する画像記録層を
有する熱現像記録材料において、画像記録層上に画像記
録保護層が設けられ、画像記録層および/または画像記
録保護層にバインダーの一部としてヒドロキシル基含有
量が4〜20質量%のセルロースエステルを含有する。
画像記録層に上記のセルロースエステルを、画像記
録層の全バインダー質量に対して5〜50質量%含む。
画像記録保護層に上記のセルロースエステルを、画
像記録保護層の全バインダー質量に対して5〜50質量
%含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱現像感光材料お
よびその熱現像方法に関し、詳しくは熱現像感光材料の
画像記録層およびその保護層のバインダーの改良に関す
る。
よびその熱現像方法に関し、詳しくは熱現像感光材料の
画像記録層およびその保護層のバインダーの改良に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、印刷製版や医療診断の分野では、
画像形成材料の湿式処理に伴う廃液が作業性の上で問題
となっており、近年では、環境保全および省スペースの
観点からも処理廃液の減量が強く望まれている。一方、
画像情報処理のデジタル化への転換の要請がある。そこ
で、レーザー・イメージセッターやレーザー・イメージ
ャーにより効率的な露光が可能で、高解像度で鮮明な黒
色画像を湿式処理なしで形成することができる技術が必
要とされている。
画像形成材料の湿式処理に伴う廃液が作業性の上で問題
となっており、近年では、環境保全および省スペースの
観点からも処理廃液の減量が強く望まれている。一方、
画像情報処理のデジタル化への転換の要請がある。そこ
で、レーザー・イメージセッターやレーザー・イメージ
ャーにより効率的な露光が可能で、高解像度で鮮明な黒
色画像を湿式処理なしで形成することができる技術が必
要とされている。
【0003】湿式処理なしで写真画像を得る技術とし
て、例えば、米国特許第3,152,904号、同3,
487,075号およびD.モーガン(Morgan)
による「ドライシルバー写真材料(Dry Silve
r PhotographicMaterials)」
(Handbook of Imaging Mate
rials, Marcel Dekker,Inc.
第48頁,1991)等に記載されているように、支持
体上に有機銀塩、感光性ハロゲン化銀粒子、還元剤およ
びバインダーを含有する層を設けた熱現像感光材料が知
られている。
て、例えば、米国特許第3,152,904号、同3,
487,075号およびD.モーガン(Morgan)
による「ドライシルバー写真材料(Dry Silve
r PhotographicMaterials)」
(Handbook of Imaging Mate
rials, Marcel Dekker,Inc.
第48頁,1991)等に記載されているように、支持
体上に有機銀塩、感光性ハロゲン化銀粒子、還元剤およ
びバインダーを含有する層を設けた熱現像感光材料が知
られている。
【0004】この熱現像感光材料は、熱現像処理で写真
画像を形成するもので、還元可能な銀源(有機銀塩)、
感光性ハロゲン化銀、還元剤および必要に応じて銀の色
調を抑制する色調剤を通常(有機)バインダーマトリッ
クス中に分散した状態で含有している。このような熱現
像感光材料は常温で安定であるが、露光後に高温(例え
ば、80℃〜140℃)に加熱することで有機銀塩(酸
化剤として機能する)と還元剤との間の酸化還元反応を
通じて銀を生成する。この酸化還元反応は露光でハロゲ
ン化銀に生成した潜像の触媒作用によって促進される。
露光領域中の有機銀塩の反応によって生成した銀は黒色
画像を提供し、これは非露光領域と対照をなし画像の形
成がなされる。この反応過程は、外部から水等の処理液
を供給することなしで進行する。
画像を形成するもので、還元可能な銀源(有機銀塩)、
感光性ハロゲン化銀、還元剤および必要に応じて銀の色
調を抑制する色調剤を通常(有機)バインダーマトリッ
クス中に分散した状態で含有している。このような熱現
像感光材料は常温で安定であるが、露光後に高温(例え
ば、80℃〜140℃)に加熱することで有機銀塩(酸
化剤として機能する)と還元剤との間の酸化還元反応を
通じて銀を生成する。この酸化還元反応は露光でハロゲ
ン化銀に生成した潜像の触媒作用によって促進される。
露光領域中の有機銀塩の反応によって生成した銀は黒色
画像を提供し、これは非露光領域と対照をなし画像の形
成がなされる。この反応過程は、外部から水等の処理液
を供給することなしで進行する。
【0005】このような熱現像感光材料は、マイクロ写
真用感光材料やX線写真用感光材料に使われてきたが、
印刷用感光材料としては一部で使われているのみであ
る。それは、得られる画像のDmaxが低く階調が軟調
なために印刷用感光材料としては画質が著しく悪いから
であった。
真用感光材料やX線写真用感光材料に使われてきたが、
印刷用感光材料としては一部で使われているのみであ
る。それは、得られる画像のDmaxが低く階調が軟調
なために印刷用感光材料としては画質が著しく悪いから
であった。
【0006】一方、近年、レーザーや発光ダイオードの
発達により、600〜800nmに発振波長を有するス
キャナー適性を有し、感度およびDmaxが高く、かつ
硬調な感光材料の開発が強く望まれていた。また、簡易
処理、ドライ化への要望も強くなっている。
発達により、600〜800nmに発振波長を有するス
キャナー適性を有し、感度およびDmaxが高く、かつ
硬調な感光材料の開発が強く望まれていた。また、簡易
処理、ドライ化への要望も強くなっている。
【0007】このような要望に応じる技術として、米国
特許第5,464,738号や米国特許第5,496,
695号には、有機銀塩、ハロゲン化銀、ヒンダードフ
ェノール類、およびある種のヒドラジン誘導体を含有す
る熱現像感光材料が開示されている。しかし、これらの
ヒドラジン誘導体を用いた場合には、十分満足なDma
xあるいは超硬調性が得られず、また黒ポツが発生して
画質が悪化する問題がある。
特許第5,464,738号や米国特許第5,496,
695号には、有機銀塩、ハロゲン化銀、ヒンダードフ
ェノール類、およびある種のヒドラジン誘導体を含有す
る熱現像感光材料が開示されている。しかし、これらの
ヒドラジン誘導体を用いた場合には、十分満足なDma
xあるいは超硬調性が得られず、また黒ポツが発生して
画質が悪化する問題がある。
【0008】黒ポツを改良したヒドラジン誘導体が特開
平9−292671号、同9−304870号、同9−
304871号、同9−304872号、同10−31
282号等で開示され、さらに画像の再現性を改善した
ヒドラジン誘導体が特開平10−62898号に記載さ
れている。しかし、最高到達濃度、超硬調性、および小
点再現性を満足するには至っていない。
平9−292671号、同9−304870号、同9−
304871号、同9−304872号、同10−31
282号等で開示され、さらに画像の再現性を改善した
ヒドラジン誘導体が特開平10−62898号に記載さ
れている。しかし、最高到達濃度、超硬調性、および小
点再現性を満足するには至っていない。
【0009】ところで、従来、熱現像感光材料のバイン
ダーとして、画像記録層にはガラス転移温度(Tg)が
−30℃〜40℃のポリマーラテックスやTgが60℃
〜90℃のポリビニルブチラール樹脂が使用され、画像
記録保護層にはヒドロキシル基含有量が0.5〜3.0
質量%のセルロースエステルやTgが20℃〜70℃の
ポリマーラテックスが使用されている。そして、熱現像
感光材料のくっつき防止や搬送性を良くするため、感光
材料の表面を凹凸化するためにマット剤が用いられてい
る。
ダーとして、画像記録層にはガラス転移温度(Tg)が
−30℃〜40℃のポリマーラテックスやTgが60℃
〜90℃のポリビニルブチラール樹脂が使用され、画像
記録保護層にはヒドロキシル基含有量が0.5〜3.0
質量%のセルロースエステルやTgが20℃〜70℃の
ポリマーラテックスが使用されている。そして、熱現像
感光材料のくっつき防止や搬送性を良くするため、感光
材料の表面を凹凸化するためにマット剤が用いられてい
る。
【0010】しかしながら、従来のバインダーはマット
剤との接着性が悪く、超迅速処理を行った場合、粉落ち
の発生が原因となり、PS版焼き付け時に焼きボケをお
こし、小点再現性が悪化する等の問題点があり、これら
の問題点を解決する技術の開発が望まれている。
剤との接着性が悪く、超迅速処理を行った場合、粉落ち
の発生が原因となり、PS版焼き付け時に焼きボケをお
こし、小点再現性が悪化する等の問題点があり、これら
の問題点を解決する技術の開発が望まれている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、マット剤と
それを保持する層との接着性に優れ、熱現像処理時の粉
落ちの発生が良好に防止され、PS版焼き付け時に焼き
ボケの発生がなく、小点再現性に優れる硬調で、Dma
xの高い感光材料を提供することを課題とする。
それを保持する層との接着性に優れ、熱現像処理時の粉
落ちの発生が良好に防止され、PS版焼き付け時に焼き
ボケの発生がなく、小点再現性に優れる硬調で、Dma
xの高い感光材料を提供することを課題とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の構成は下記である。
明の構成は下記である。
【0013】(1)支持体上に、有機銀塩、ハロゲン化
銀、バインダー、および還元剤を含有する画像記録層を
有する熱現像記録材料において、該画像記録層上に画像
記録保護層が設けられ、該画像記録層および/または該
画像記録保護層にバインダーの一部としてヒドロキシル
基含有量が4〜20質量%のセルロースエステルを含有
することを特徴とする熱現像感光材料。
銀、バインダー、および還元剤を含有する画像記録層を
有する熱現像記録材料において、該画像記録層上に画像
記録保護層が設けられ、該画像記録層および/または該
画像記録保護層にバインダーの一部としてヒドロキシル
基含有量が4〜20質量%のセルロースエステルを含有
することを特徴とする熱現像感光材料。
【0014】(2)画像記録層にヒドロキシル基含有量
が4〜20質量%のセルロースエステルを、画像記録層
の全バインダー質量に対して5〜50質量%の比率で含
有することを特徴とする上記(1)に記載の熱現像感光
材料。
が4〜20質量%のセルロースエステルを、画像記録層
の全バインダー質量に対して5〜50質量%の比率で含
有することを特徴とする上記(1)に記載の熱現像感光
材料。
【0015】(3)画像記録保護層にヒドロキシル基含
有量が4〜20質量%のセルロースエステルを、画像記
録保護層の全バインダー質量に対して5〜50質量%の
比率で含有することを特徴とする上記(1)に記載の熱
現像感光材料。
有量が4〜20質量%のセルロースエステルを、画像記
録保護層の全バインダー質量に対して5〜50質量%の
比率で含有することを特徴とする上記(1)に記載の熱
現像感光材料。
【0016】(4)画像記録層にヒドロキシル基含有量
が4〜20質量%のセルロースエステルを該層のバイン
ダーの10〜70質量%含有し、かつ画像記録保護層に
ヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロースエ
ステルを該層のバインダーの10〜70質量%含有する
ことを特徴とする上記(1)に記載の熱現像感光材料。
が4〜20質量%のセルロースエステルを該層のバイン
ダーの10〜70質量%含有し、かつ画像記録保護層に
ヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロースエ
ステルを該層のバインダーの10〜70質量%含有する
ことを特徴とする上記(1)に記載の熱現像感光材料。
【0017】(5)画像記録保護層にヒドロキシル基含
有量が0.5〜3質量%の樹脂(A)とヒドロキシル基
含有量が4〜20質量%の樹脂(B)が含まれ、樹脂
(A)/樹脂(B)の質量比率が95/5〜50/50
であることを特徴とする上記(1)〜(4)に記載の熱
現像感光材料。
有量が0.5〜3質量%の樹脂(A)とヒドロキシル基
含有量が4〜20質量%の樹脂(B)が含まれ、樹脂
(A)/樹脂(B)の質量比率が95/5〜50/50
であることを特徴とする上記(1)〜(4)に記載の熱
現像感光材料。
【0018】(6)画像記録層にアクリル樹脂を含有す
ることを特徴とする上記(1)に記載の熱現像感光材
料。
ることを特徴とする上記(1)に記載の熱現像感光材
料。
【0019】(7)支持体と画像記録層の間にアクリル
樹脂および/またはポリエステルを含有する下塗り層を
有することを特徴とする上記(1)〜(6)のいずれか
1項に記載の熱現像感光材料。
樹脂および/またはポリエステルを含有する下塗り層を
有することを特徴とする上記(1)〜(6)のいずれか
1項に記載の熱現像感光材料。
【0020】(8)画像記録層の全バインダーの50質
量%以上がポリマーラテックスからなり、該画像記録層
塗布液の溶媒の30質量%以上が水であることを特徴と
する上記(1)〜(5)のいずれか1項に記載の熱現像
感光材料。
量%以上がポリマーラテックスからなり、該画像記録層
塗布液の溶媒の30質量%以上が水であることを特徴と
する上記(1)〜(5)のいずれか1項に記載の熱現像
感光材料。
【0021】(9)上記(1)〜(6)のいずれか1項
に記載の熱現像感光材料を、熱現像機の搬送速度が22
mm/sec以上40mm/sec以下で熱現像するこ
とを特徴とする熱現像感光材料の処理方法。
に記載の熱現像感光材料を、熱現像機の搬送速度が22
mm/sec以上40mm/sec以下で熱現像するこ
とを特徴とする熱現像感光材料の処理方法。
【0022】
【発明の実施の形態】請求項1〜9に係る熱現像感光材
料の画像記録層が含有する有機銀塩は還元可能な銀イオ
ン源を含有する有機酸およびヘテロ有機酸の銀塩、特に
長鎖(10〜30、好ましくは15〜25の炭素原子
数)の脂肪族カルボン酸および含窒素複素環が好まし
い。配位子が4.0〜10.0の銀イオンに対する総安
定定数を有する有機または無機の銀塩錯体も有用であ
る。
料の画像記録層が含有する有機銀塩は還元可能な銀イオ
ン源を含有する有機酸およびヘテロ有機酸の銀塩、特に
長鎖(10〜30、好ましくは15〜25の炭素原子
数)の脂肪族カルボン酸および含窒素複素環が好まし
い。配位子が4.0〜10.0の銀イオンに対する総安
定定数を有する有機または無機の銀塩錯体も有用であ
る。
【0023】好適な銀塩の例は、Research D
isclosure(以下「RD」と略記する)170
29および29963に記載されており、次のものが挙
げられる。有機酸の塩(例えば、没食子酸、シュウ酸、
ベヘン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ラウリン酸等
の塩);銀のカルボキシアルキルチオ尿素塩(例えば、
1−(3−カルボキシプロピル)チオ尿素、1−(3−
カルボキシプロピル)−3,3−ジメチルチオ尿素
等);アルデヒドとヒドロキシ置換芳香族カルボン酸
(例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチ
ルアルデヒドのようなアルデヒド類とサリチル酸、ベン
ジル酸、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、5,5−チオ
ジサリチル酸のようなヒドロキシ置換酸類)とのポリマ
ー反応生成物の銀錯体;チオン類の銀塩または錯体(例
えば、3−(2−カルボキシエチル)−4−ヒドロキシ
メチル−4−チアゾリン−2−チオンおよび3−カルボ
キシメチル−4−メチル−4−チアゾリン−2−チオ
ン);イミダゾール、ピラゾール、ウラゾール、1,
2,4−チアゾールおよび1H−テトラゾール、3−ア
ミノ−5−ベンジルチオ−1,2,4−トリアゾールお
よびベンゾトリアゾールから選択される窒素酸と銀との
錯体または塩;サッカリン、5−クロロサリチルアルド
キシム等の銀塩;メルカプチド類の銀塩等。好ましい有
機銀塩はベヘン酸銀、アラキジン酸銀およびステアリン
酸銀であり、これらの1種または2種以上を併用するこ
とができる。
isclosure(以下「RD」と略記する)170
29および29963に記載されており、次のものが挙
げられる。有機酸の塩(例えば、没食子酸、シュウ酸、
ベヘン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、ラウリン酸等
の塩);銀のカルボキシアルキルチオ尿素塩(例えば、
1−(3−カルボキシプロピル)チオ尿素、1−(3−
カルボキシプロピル)−3,3−ジメチルチオ尿素
等);アルデヒドとヒドロキシ置換芳香族カルボン酸
(例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチ
ルアルデヒドのようなアルデヒド類とサリチル酸、ベン
ジル酸、3,5−ジヒドロキシ安息香酸、5,5−チオ
ジサリチル酸のようなヒドロキシ置換酸類)とのポリマ
ー反応生成物の銀錯体;チオン類の銀塩または錯体(例
えば、3−(2−カルボキシエチル)−4−ヒドロキシ
メチル−4−チアゾリン−2−チオンおよび3−カルボ
キシメチル−4−メチル−4−チアゾリン−2−チオ
ン);イミダゾール、ピラゾール、ウラゾール、1,
2,4−チアゾールおよび1H−テトラゾール、3−ア
ミノ−5−ベンジルチオ−1,2,4−トリアゾールお
よびベンゾトリアゾールから選択される窒素酸と銀との
錯体または塩;サッカリン、5−クロロサリチルアルド
キシム等の銀塩;メルカプチド類の銀塩等。好ましい有
機銀塩はベヘン酸銀、アラキジン酸銀およびステアリン
酸銀であり、これらの1種または2種以上を併用するこ
とができる。
【0024】有機銀塩は、水溶性銀化合物と、銀と錯形
成する化合物を混合することにより得られるが、この混
合には、正混合法、逆混合法、同時混合法、特開平9−
127643号に記載されている様なコントロールドダ
ブルジェット法等が好ましく用いられる。例えば、有機
酸にアルカリ金属塩(例えば、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウムなど)を加えて有機酸アルカリ金属塩ソープ
(例えば、ベヘン酸ナトリウム、アラキジン酸ナトリウ
ムなど)を作製した後に、コントロールドダブルジェッ
ト法により、前記ソープと硝酸銀などを添加して有機銀
塩の結晶を作製する。その際にハロゲン化銀粒子を混在
させてもよい。
成する化合物を混合することにより得られるが、この混
合には、正混合法、逆混合法、同時混合法、特開平9−
127643号に記載されている様なコントロールドダ
ブルジェット法等が好ましく用いられる。例えば、有機
酸にアルカリ金属塩(例えば、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウムなど)を加えて有機酸アルカリ金属塩ソープ
(例えば、ベヘン酸ナトリウム、アラキジン酸ナトリウ
ムなど)を作製した後に、コントロールドダブルジェッ
ト法により、前記ソープと硝酸銀などを添加して有機銀
塩の結晶を作製する。その際にハロゲン化銀粒子を混在
させてもよい。
【0025】画像記録層が含有するハロゲン化銀は、光
センサーとして機能するものである。本発明において
は、画像形成後の白濁を低く抑えるため、および良好な
画質を得るためにハロゲン化銀の平均粒子サイズは小さ
い方が好ましく、平均粒子サイズが0.1μm以下、よ
り好ましくは0.01〜0.1μm、特に0.02〜
0.08μmが好ましい。ここでいう粒子サイズとは、
ハロゲン化銀粒子が立方体或いは八面体のいわゆる正常
晶である場合には、ハロゲン化銀粒子の稜の長さをい
う。また、正常晶でない場合、例えば、球状、棒状、或
いは平板状の粒子の場合には、ハロゲン化銀粒子の体積
と同等な球の直径をいう。また、ハロゲン化銀粒子は単
分散であることが好ましい。ここでいう単分散とは、下
記式で求められる粒径分布の変動係数が40%以下をい
う。該変動係数は更に好ましくは30%以下であり、特
に好ましくは0.1〜20%である。
センサーとして機能するものである。本発明において
は、画像形成後の白濁を低く抑えるため、および良好な
画質を得るためにハロゲン化銀の平均粒子サイズは小さ
い方が好ましく、平均粒子サイズが0.1μm以下、よ
り好ましくは0.01〜0.1μm、特に0.02〜
0.08μmが好ましい。ここでいう粒子サイズとは、
ハロゲン化銀粒子が立方体或いは八面体のいわゆる正常
晶である場合には、ハロゲン化銀粒子の稜の長さをい
う。また、正常晶でない場合、例えば、球状、棒状、或
いは平板状の粒子の場合には、ハロゲン化銀粒子の体積
と同等な球の直径をいう。また、ハロゲン化銀粒子は単
分散であることが好ましい。ここでいう単分散とは、下
記式で求められる粒径分布の変動係数が40%以下をい
う。該変動係数は更に好ましくは30%以下であり、特
に好ましくは0.1〜20%である。
【0026】粒径分布の変動係数(%)=(粒径の標準
偏差/粒径の平均値)×100 本発明において、画像記録層が含有するハロゲン化銀
は、平均粒径0.1μm以下で、かつ単分散の粒子であ
ることが好ましく、これにより得られる画像の粒状性も
向上する。
偏差/粒径の平均値)×100 本発明において、画像記録層が含有するハロゲン化銀
は、平均粒径0.1μm以下で、かつ単分散の粒子であ
ることが好ましく、これにより得られる画像の粒状性も
向上する。
【0027】ハロゲン化銀粒子の形状については特に制
限はないが、ミラー指数(100)面の占める割合が高
いことが好ましく、この割合が50%以上、更には70
%以上、特に80%以上であることが好ましい。ミラー
指数(100)面の比率は、増感色素の吸着における
(111)面と(100)面との吸着依存性を利用した
T.Tani;J.Imaging Sci.,29,
165(1985)により求めることができる。
限はないが、ミラー指数(100)面の占める割合が高
いことが好ましく、この割合が50%以上、更には70
%以上、特に80%以上であることが好ましい。ミラー
指数(100)面の比率は、増感色素の吸着における
(111)面と(100)面との吸着依存性を利用した
T.Tani;J.Imaging Sci.,29,
165(1985)により求めることができる。
【0028】もう一つの好ましいハロゲン化銀粒子の形
状は平板粒子である。ここでいう平板粒子とは、ハロゲ
ン化銀粒子の投影面積の平方根を粒径rμmとし、垂直
方向の厚みをhμmとした場合のアスペクト比=r/h
が3以上の粒子をいう。その中でも好ましくは、アスペ
クト比が3以上、50以下である。また粒径は0.1μ
m以下であることが好ましく、さらに0.01〜0.0
8μmが好ましい。このような平板状粒子については米
国特許第5,264,337号、同5,314,798
号、同5,320,958号等に記載されており、容易
に目的の平板状粒子を得ることができる。本発明におい
て平板状粒子を用いた場合、さらに画像の鮮鋭性も向上
する。
状は平板粒子である。ここでいう平板粒子とは、ハロゲ
ン化銀粒子の投影面積の平方根を粒径rμmとし、垂直
方向の厚みをhμmとした場合のアスペクト比=r/h
が3以上の粒子をいう。その中でも好ましくは、アスペ
クト比が3以上、50以下である。また粒径は0.1μ
m以下であることが好ましく、さらに0.01〜0.0
8μmが好ましい。このような平板状粒子については米
国特許第5,264,337号、同5,314,798
号、同5,320,958号等に記載されており、容易
に目的の平板状粒子を得ることができる。本発明におい
て平板状粒子を用いた場合、さらに画像の鮮鋭性も向上
する。
【0029】ハロゲン化銀のハロゲン組成としては特に
制限はなく、塩化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、
沃臭化銀、沃化銀のいずれであってもよい。本発明に用
いられるハロゲン化銀粒子を含有するハロゲン化銀乳剤
は、P.Glafkides著Chimie et P
hysique Photographique(Pa
ul Montel社刊、1967年)、G.F.Du
ffin著 Photographic Emulsi
on Chemistry(The Focal Pr
ess刊、1966年)、V.L.Zelikman
et al著Making and Coating
Photographic Emulsion(The
Focal Press刊、1964年)等に記載さ
れた方法を用いて調製することができる。
制限はなく、塩化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、
沃臭化銀、沃化銀のいずれであってもよい。本発明に用
いられるハロゲン化銀粒子を含有するハロゲン化銀乳剤
は、P.Glafkides著Chimie et P
hysique Photographique(Pa
ul Montel社刊、1967年)、G.F.Du
ffin著 Photographic Emulsi
on Chemistry(The Focal Pr
ess刊、1966年)、V.L.Zelikman
et al著Making and Coating
Photographic Emulsion(The
Focal Press刊、1964年)等に記載さ
れた方法を用いて調製することができる。
【0030】本発明に用いられるハロゲン化銀粒子に
は、照度不軌改良や階調の調整のために、元素周期律表
の6族から10族に属する金属のイオンまたは錯体イオ
ンを含有させることが好ましい。上記の金属としては、
W、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、R
e、Os、Ir、Pt、Auが好ましい。
は、照度不軌改良や階調の調整のために、元素周期律表
の6族から10族に属する金属のイオンまたは錯体イオ
ンを含有させることが好ましい。上記の金属としては、
W、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、R
e、Os、Ir、Pt、Auが好ましい。
【0031】ハロゲン化銀粒子は、ヌードル法、フロキ
ュレーション法等、当業界で知られている方法の水洗に
より脱塩することができるが、本発明においては脱塩し
てもしなくてもよい。
ュレーション法等、当業界で知られている方法の水洗に
より脱塩することができるが、本発明においては脱塩し
てもしなくてもよい。
【0032】本発明において、ハロゲン化銀粒子は化学
増感されていることが好ましい。好ましい化学増感法と
しては、当業界でよく知られている硫黄増感法、セレン
増感法、テルル増感法、金化合物や白金、パラジウム、
イリジウム化合物等の貴金属増感法や還元増感法を適宜
選択して用いることができる。ハロゲン化銀の形成方法
は当業界でよく知られており、例えば、リサーチ・ディ
スクロジャー17029(1978年6月)、米国特許
第3,700,458号等に記載されている方法を用い
ることができる。
増感されていることが好ましい。好ましい化学増感法と
しては、当業界でよく知られている硫黄増感法、セレン
増感法、テルル増感法、金化合物や白金、パラジウム、
イリジウム化合物等の貴金属増感法や還元増感法を適宜
選択して用いることができる。ハロゲン化銀の形成方法
は当業界でよく知られており、例えば、リサーチ・ディ
スクロジャー17029(1978年6月)、米国特許
第3,700,458号等に記載されている方法を用い
ることができる。
【0033】本発明においては、得られる画像の失透を
防ぐためには、ハロゲン化銀粒子および有機銀塩の総量
は、銀量に換算して熱現像感光材料1m2当たり0.3
〜2.2gであることが好ましく、0.5g〜1.5g
がより好ましい。また、この範囲にすることで硬調な画
像が得られる。また、銀総量に対するハロゲン化銀の量
は、質量比で好ましくは50%以下、より好ましくは2
5%以下、更に好ましくは0.1〜15%である。
防ぐためには、ハロゲン化銀粒子および有機銀塩の総量
は、銀量に換算して熱現像感光材料1m2当たり0.3
〜2.2gであることが好ましく、0.5g〜1.5g
がより好ましい。また、この範囲にすることで硬調な画
像が得られる。また、銀総量に対するハロゲン化銀の量
は、質量比で好ましくは50%以下、より好ましくは2
5%以下、更に好ましくは0.1〜15%である。
【0034】本発明において、ハロゲン化銀粒子は分光
増感することができる。分光増感色素としては、例え
ば、特開昭63−159841号、同60−14033
5号、同63−231437号、同63−259651
号、同63−304242号、同63−15245号等
の各公報、米国特許第4,639,414号、同第4,
740,455号、同第4,741,966号、同第
4,751,175号、同第4,835,096号等の
各明細書に記載された各増感色素を使用することができ
る。本発明に使用される有用な増感色素は、例えば、リ
サーチ・ディスクロジャー(以下「RD」と略記する)
17643IV−A項(1978年12月p.23)、
同1831X項(1978年8月p.437)に記載も
しくは引用された文献に記載されている。また、各種ス
キャナー光源の分光特性に適合した分光感度を有する分
光増感色素を選択することができ、例えば、特開平9−
34078号、同9−54409号、同9−80679
号記載の増感色素が好ましく用いられる。
増感することができる。分光増感色素としては、例え
ば、特開昭63−159841号、同60−14033
5号、同63−231437号、同63−259651
号、同63−304242号、同63−15245号等
の各公報、米国特許第4,639,414号、同第4,
740,455号、同第4,741,966号、同第
4,751,175号、同第4,835,096号等の
各明細書に記載された各増感色素を使用することができ
る。本発明に使用される有用な増感色素は、例えば、リ
サーチ・ディスクロジャー(以下「RD」と略記する)
17643IV−A項(1978年12月p.23)、
同1831X項(1978年8月p.437)に記載も
しくは引用された文献に記載されている。また、各種ス
キャナー光源の分光特性に適合した分光感度を有する分
光増感色素を選択することができ、例えば、特開平9−
34078号、同9−54409号、同9−80679
号記載の増感色素が好ましく用いられる。
【0035】本発明の熱現像感光材料の画像記録層には
有機銀塩のための還元剤を含有する。好適な還元剤の例
は、米国特許第3,770,448号、同3,773,
512号、同3,593,863号、およびRD170
29およびRD29963に記載されており、次のもの
が挙げられる。
有機銀塩のための還元剤を含有する。好適な還元剤の例
は、米国特許第3,770,448号、同3,773,
512号、同3,593,863号、およびRD170
29およびRD29963に記載されており、次のもの
が挙げられる。
【0036】アミノヒドロキシシクロアルケノン化合物
(例えば、2−ヒドロキシ−3−ピペリジノ−2−シク
ロヘキセノン);還元剤の前駆体としてアミノレダクト
ン類(reductones)エステル(例えば、ピペ
リジノヘキソースレダクトンモノアセテート);N−ヒ
ドロキシ尿素誘導体(例えば、N−p−メチルフェニル
−N−ヒドロキシ尿素);アルデヒドまたはケトンのヒ
ドラゾン類(例えば、アントラセンアルデヒドフェニル
ヒドラゾン);ホスファーアミドフェノール類;ホスフ
ァーアミドアニリン類;ポリヒドロキシベンゼン類(例
えば、ヒドロキノン、t−ブチル−ヒドロキノン、イソ
プロピルヒドロキノンおよび(2,5−ジヒドロキシ−
フェニル)メチルスルホン);スルフヒドロキサム酸類
(例えば、ベンゼンスルフヒドロキサム酸);スルホン
アミドアニリン類(例えば、4−(N−メタンスルホン
アミド)アニリン);2−テトラゾリルチオヒドロキノ
ン類(例えば、2−メチル−5−(1−フェニル−5−
テトラゾリルチオ)ヒドロキノン);テトラヒドロキノ
キサリン類(例えば、1,2,3,4−テトラヒドロキ
ノキサリン);アミドオキシム類;アジン類;脂肪族カ
ルボン酸アリールヒドラザイド類とアスコルビン酸の組
み合わせ;ポリヒドロキシベンゼンとヒドロキシルアミ
ンの組み合わせ;レダクトンおよび/またはヒドラジ
ン;ヒドロキサン酸類;アジン類とスルホンアミドフェ
ノール類の組み合わせ;α−シアノフェニル酢酸誘導
体;ビス−β−ナフトールと1,3−ジヒドロキシベン
ゼン誘導体の組み合わせ;5−ピラゾロン類;スルホン
アミドフェノール還元剤;2−フェニルインダン−1,
3−ジオン等;クロマン;1,4−ジヒドロピリジン類
(例えば、2,6−ジメトキシ−3,5−ジカルボエト
キシ−1,4−ジヒドロピリジン);ビスフェノール類
(例えば、ビス(2−ヒドロキシ−3−t−ブチル−5
−メチルフェニル)メタン、ビス(6−ヒドロキシ−m
−トリ)メシトール(mesitol)、2,2−ビス
(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、
4,4−エチリデン−ビス(2−t−ブチル−6−メチ
ルフェノール))、紫外線感応性アスコルビン酸誘導
体;ヒンダードフェノール類;3−ピラゾリドン類。中
でも特に好ましい還元剤は、ヒンダードフェノール類で
ある。ヒンダードフェノール類としては、下記一般式
(1)で表される化合物が挙げられる。
(例えば、2−ヒドロキシ−3−ピペリジノ−2−シク
ロヘキセノン);還元剤の前駆体としてアミノレダクト
ン類(reductones)エステル(例えば、ピペ
リジノヘキソースレダクトンモノアセテート);N−ヒ
ドロキシ尿素誘導体(例えば、N−p−メチルフェニル
−N−ヒドロキシ尿素);アルデヒドまたはケトンのヒ
ドラゾン類(例えば、アントラセンアルデヒドフェニル
ヒドラゾン);ホスファーアミドフェノール類;ホスフ
ァーアミドアニリン類;ポリヒドロキシベンゼン類(例
えば、ヒドロキノン、t−ブチル−ヒドロキノン、イソ
プロピルヒドロキノンおよび(2,5−ジヒドロキシ−
フェニル)メチルスルホン);スルフヒドロキサム酸類
(例えば、ベンゼンスルフヒドロキサム酸);スルホン
アミドアニリン類(例えば、4−(N−メタンスルホン
アミド)アニリン);2−テトラゾリルチオヒドロキノ
ン類(例えば、2−メチル−5−(1−フェニル−5−
テトラゾリルチオ)ヒドロキノン);テトラヒドロキノ
キサリン類(例えば、1,2,3,4−テトラヒドロキ
ノキサリン);アミドオキシム類;アジン類;脂肪族カ
ルボン酸アリールヒドラザイド類とアスコルビン酸の組
み合わせ;ポリヒドロキシベンゼンとヒドロキシルアミ
ンの組み合わせ;レダクトンおよび/またはヒドラジ
ン;ヒドロキサン酸類;アジン類とスルホンアミドフェ
ノール類の組み合わせ;α−シアノフェニル酢酸誘導
体;ビス−β−ナフトールと1,3−ジヒドロキシベン
ゼン誘導体の組み合わせ;5−ピラゾロン類;スルホン
アミドフェノール還元剤;2−フェニルインダン−1,
3−ジオン等;クロマン;1,4−ジヒドロピリジン類
(例えば、2,6−ジメトキシ−3,5−ジカルボエト
キシ−1,4−ジヒドロピリジン);ビスフェノール類
(例えば、ビス(2−ヒドロキシ−3−t−ブチル−5
−メチルフェニル)メタン、ビス(6−ヒドロキシ−m
−トリ)メシトール(mesitol)、2,2−ビス
(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、
4,4−エチリデン−ビス(2−t−ブチル−6−メチ
ルフェノール))、紫外線感応性アスコルビン酸誘導
体;ヒンダードフェノール類;3−ピラゾリドン類。中
でも特に好ましい還元剤は、ヒンダードフェノール類で
ある。ヒンダードフェノール類としては、下記一般式
(1)で表される化合物が挙げられる。
【0037】
【化1】
【0038】式中、Rは水素原子、または炭素原子数1
〜10のアルキル基(例えば、−C 4H9、2,4,4−
トリメチルペンチル)を表し、R′およびR″は、各々
炭素原子数1〜5のアルキル基(例えば、メチル、エチ
ル、tert−ブチル)を表す。
〜10のアルキル基(例えば、−C 4H9、2,4,4−
トリメチルペンチル)を表し、R′およびR″は、各々
炭素原子数1〜5のアルキル基(例えば、メチル、エチ
ル、tert−ブチル)を表す。
【0039】請求項1〜4に係る熱現像感光材料の画像
記録層および/または画像記録保護層がバインダーの一
部として含有するヒドロキシル基含有量が4〜20質量
%のセルロースエステルについて説明する。上記セルロ
ースエステルとしては公知のセルロースエステル、例え
ば、セルロースナイトレート、セルロースアセテート、
セルロースアセテートプトピオネート、セルロースアセ
テートブチレート、セルロースプロピオネート、セルロ
ースブチレート等が使用可能であるが、セルロースアセ
テートブチレートおよびセルロースアセテートプロピオ
ネートが好ましい。ヒドロキシル基含有量が4〜20質
量%のセルロースエステルは他の種類の樹脂と併用した
場合でも相溶性にすぐれ、各層間の接着性を向上させる
ことができる。アセチル基の含有量は好ましくは0.2
〜50質量%、ブチリル基の含有量は好ましくは5〜6
0質量%、プロピオニル基の含有量は好ましくは5〜6
0質量%である。
記録層および/または画像記録保護層がバインダーの一
部として含有するヒドロキシル基含有量が4〜20質量
%のセルロースエステルについて説明する。上記セルロ
ースエステルとしては公知のセルロースエステル、例え
ば、セルロースナイトレート、セルロースアセテート、
セルロースアセテートプトピオネート、セルロースアセ
テートブチレート、セルロースプロピオネート、セルロ
ースブチレート等が使用可能であるが、セルロースアセ
テートブチレートおよびセルロースアセテートプロピオ
ネートが好ましい。ヒドロキシル基含有量が4〜20質
量%のセルロースエステルは他の種類の樹脂と併用した
場合でも相溶性にすぐれ、各層間の接着性を向上させる
ことができる。アセチル基の含有量は好ましくは0.2
〜50質量%、ブチリル基の含有量は好ましくは5〜6
0質量%、プロピオニル基の含有量は好ましくは5〜6
0質量%である。
【0040】ヒドロキシル基含有量が4質量%より少な
いと接着性改良の効果が十分でなく、ヒドロキシル基含
有量が20質量%より多いと、帯電特性が悪化したり、
熱現像後に脂肪酸が塗膜表面にブリードアウトしてくる
問題が発生して好ましくない。請求項1〜4に係る画像
記録層が含有する上記セルロースエステルのヒドロキシ
ル基の含有量は、好ましくは4〜12質量%、より好ま
しくは4〜8質量%である。
いと接着性改良の効果が十分でなく、ヒドロキシル基含
有量が20質量%より多いと、帯電特性が悪化したり、
熱現像後に脂肪酸が塗膜表面にブリードアウトしてくる
問題が発生して好ましくない。請求項1〜4に係る画像
記録層が含有する上記セルロースエステルのヒドロキシ
ル基の含有量は、好ましくは4〜12質量%、より好ま
しくは4〜8質量%である。
【0041】請求項1〜4に係る熱現像感光材料の画像
記録層および/または画像記録保護層がバインダーの一
部であるヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセル
ロースエステルは、画像記録層の全バインダー質量に対
して5〜50質量%の比率で含むことが好ましく、より
好ましくは10〜40質量%、さらに好ましくは15〜
35質量%である。また、画像記録保護層が含有するヒ
ドロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロースエス
テルは、画像記録保護層の全バインダー質量に対して5
〜50質量%の比率で含むことが好ましく、より好まし
くは10〜40質量%、さらに好ましくは15〜35質
量%である。
記録層および/または画像記録保護層がバインダーの一
部であるヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセル
ロースエステルは、画像記録層の全バインダー質量に対
して5〜50質量%の比率で含むことが好ましく、より
好ましくは10〜40質量%、さらに好ましくは15〜
35質量%である。また、画像記録保護層が含有するヒ
ドロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロースエス
テルは、画像記録保護層の全バインダー質量に対して5
〜50質量%の比率で含むことが好ましく、より好まし
くは10〜40質量%、さらに好ましくは15〜35質
量%である。
【0042】また、画像記録層および画像記録保護層
に、ヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロー
スエステルを、これらの層のバインダー質量に対してそ
れぞれ10〜70質量%の比率で含むことが好ましく、
より好ましくは15〜65質量%、さらに好ましくは2
0〜60質量%である。
に、ヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロー
スエステルを、これらの層のバインダー質量に対してそ
れぞれ10〜70質量%の比率で含むことが好ましく、
より好ましくは15〜65質量%、さらに好ましくは2
0〜60質量%である。
【0043】請求項1〜4に係る熱現像感光材料の画像
記録層および/または画像記録保護層が含有するバイン
ダーの一部としてヒドロキシル基含有量が4〜20質量
%のセルロースエステルを含有する。このセルロースエ
ステル以外のバインダーとしては、熱現像感光材料の画
像記録層および画像記録保護層のバインダーとして公知
の高分子化合物(樹脂)を使用することができる。好ま
しいバインダーとして次のような疎水性樹脂および親水
性樹脂が挙げられ、それぞれの適性に応じて使い分けら
れる。
記録層および/または画像記録保護層が含有するバイン
ダーの一部としてヒドロキシル基含有量が4〜20質量
%のセルロースエステルを含有する。このセルロースエ
ステル以外のバインダーとしては、熱現像感光材料の画
像記録層および画像記録保護層のバインダーとして公知
の高分子化合物(樹脂)を使用することができる。好ま
しいバインダーとして次のような疎水性樹脂および親水
性樹脂が挙げられ、それぞれの適性に応じて使い分けら
れる。
【0044】疎水性樹脂は、熱現像後のカブリを低減さ
せる等の利点を有し、好ましい疎水性樹脂としては、ポ
リビニルブチラール、セルロースアセテート、セルロー
スアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリウレタン、塩化ビニル樹脂等
が挙げられる。その中でもポリビニルブチラール、セル
ロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、
ポリエステル、ポリウレタンは特に好ましく用いられ
る。
せる等の利点を有し、好ましい疎水性樹脂としては、ポ
リビニルブチラール、セルロースアセテート、セルロー
スアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカーボネ
ート、アクリル樹脂、ポリウレタン、塩化ビニル樹脂等
が挙げられる。その中でもポリビニルブチラール、セル
ロースアセテート、セルロースアセテートブチレート、
ポリエステル、ポリウレタンは特に好ましく用いられ
る。
【0045】親水性樹脂としては、例えばアクリル樹
脂、ポリエステル、ポリウレタン、塩化ビニル樹脂、塩
化ビニリデン樹脂、ゴム系樹脂(例えばSBR樹脂やN
BR樹脂)、酢酸ビニル樹脂、ポリオレフィン、ポリビ
ニルアセタールなどがある。上記樹脂は単一の単量体が
重合した単一重合体でもよいし、2種以上の単量体が共
重合した共重合体でもよく、構造が直鎖状のものでも枝
分かれしたものでもよい。さらに樹脂同士が架橋されて
いるものでもよい。
脂、ポリエステル、ポリウレタン、塩化ビニル樹脂、塩
化ビニリデン樹脂、ゴム系樹脂(例えばSBR樹脂やN
BR樹脂)、酢酸ビニル樹脂、ポリオレフィン、ポリビ
ニルアセタールなどがある。上記樹脂は単一の単量体が
重合した単一重合体でもよいし、2種以上の単量体が共
重合した共重合体でもよく、構造が直鎖状のものでも枝
分かれしたものでもよい。さらに樹脂同士が架橋されて
いるものでもよい。
【0046】上記樹脂は市販もされていて、以下のよう
なものが利用できる。アクリル樹脂としては、例えば、
セビアンA−4635、46583、4601(以上ダ
イセル化学工業(株)製)、Nipol LX811、
814、820、821、857(以上日本ゼオン
(株)製)等。ポリエステルとしては、例えば、FIN
ETEX ES650、611、679、675、52
5、801、850(以上大日本インキ化学(株)
製)、WDsize WHS(イーストマンケミカル
製)等。ポリウレタンとしては、例えば、HYDRAN
AP10、20、30、40、101H、HYDRA
N HW301、310、350(以上大日本インキ化
学(株)製)など、塩化ビニリデン樹脂としては、例え
ば、L502、L513、L123c、L106c、L
111、L114(以上旭化成工業(株)製)など、塩
化ビニル樹脂としては、例えば、G351、G576
(以上日本ゼオン(株)製)など、ポリオレフィンとし
ては、例えば、ケミパールS−120、S−300、S
A−100、A−100、V−100、V−200、V
−300(以上三井石油化学(株)製)などがある。こ
れらの樹脂は、1種のみを用いてもよいし、2種類以上
ブレンドして用いてもよい。
なものが利用できる。アクリル樹脂としては、例えば、
セビアンA−4635、46583、4601(以上ダ
イセル化学工業(株)製)、Nipol LX811、
814、820、821、857(以上日本ゼオン
(株)製)等。ポリエステルとしては、例えば、FIN
ETEX ES650、611、679、675、52
5、801、850(以上大日本インキ化学(株)
製)、WDsize WHS(イーストマンケミカル
製)等。ポリウレタンとしては、例えば、HYDRAN
AP10、20、30、40、101H、HYDRA
N HW301、310、350(以上大日本インキ化
学(株)製)など、塩化ビニリデン樹脂としては、例え
ば、L502、L513、L123c、L106c、L
111、L114(以上旭化成工業(株)製)など、塩
化ビニル樹脂としては、例えば、G351、G576
(以上日本ゼオン(株)製)など、ポリオレフィンとし
ては、例えば、ケミパールS−120、S−300、S
A−100、A−100、V−100、V−200、V
−300(以上三井石油化学(株)製)などがある。こ
れらの樹脂は、1種のみを用いてもよいし、2種類以上
ブレンドして用いてもよい。
【0047】また、これらの樹脂は、−SO3M、−O
SO3M、−PO(OM1)2および−OPO(OM1)2
(但し、Mは水素原子またはNa、K、Li等のアルカ
リ金属原子を表し、M1は水素原子、Na、K、Li等
のアルカリ金属原子またはアルキル基を表す)から選ば
れる少なくとも1種の極性基を有することが好ましく、
中でも−SO3Na,−SO3K,−OSO3Na,−O
SO3Kを有することが好ましい。上記樹脂の分子量
は、重量平均分子量で通常5000〜100000であ
り、好ましくは10000〜50000である。画像記
録層のバインダーとして用いられる樹脂は、これらの中
でもアクリル樹脂、ポリビニルアセタール、ゴム系樹
脂、ポリウレタン、およびポリエステルが好ましく、ス
チレン−ブタジエン樹脂、ポリウレタン、およびポリエ
ステルがより好ましい。(画像記録層の)バインダーの
ガラス転移温度(Tg)は、好ましくは45〜150
℃、より好ましくは60℃〜120℃である。画像記録
保護層やバックコート層に用いられるバインダーは、こ
れらの中でもセルロースエステル、アクリル樹脂、およ
びポリウレタンが好ましい。該層のバインダーのガラス
転移温度(Tg)は好ましくは75〜200℃、より好
ましくは100℃〜160℃である。
SO3M、−PO(OM1)2および−OPO(OM1)2
(但し、Mは水素原子またはNa、K、Li等のアルカ
リ金属原子を表し、M1は水素原子、Na、K、Li等
のアルカリ金属原子またはアルキル基を表す)から選ば
れる少なくとも1種の極性基を有することが好ましく、
中でも−SO3Na,−SO3K,−OSO3Na,−O
SO3Kを有することが好ましい。上記樹脂の分子量
は、重量平均分子量で通常5000〜100000であ
り、好ましくは10000〜50000である。画像記
録層のバインダーとして用いられる樹脂は、これらの中
でもアクリル樹脂、ポリビニルアセタール、ゴム系樹
脂、ポリウレタン、およびポリエステルが好ましく、ス
チレン−ブタジエン樹脂、ポリウレタン、およびポリエ
ステルがより好ましい。(画像記録層の)バインダーの
ガラス転移温度(Tg)は、好ましくは45〜150
℃、より好ましくは60℃〜120℃である。画像記録
保護層やバックコート層に用いられるバインダーは、こ
れらの中でもセルロースエステル、アクリル樹脂、およ
びポリウレタンが好ましい。該層のバインダーのガラス
転移温度(Tg)は好ましくは75〜200℃、より好
ましくは100℃〜160℃である。
【0048】上記高分子化合物は、本発明の画像記録層
および画像記録保護層以外のバックコート層、下引き層
等のバインダーとしても用いられる。
および画像記録保護層以外のバックコート層、下引き層
等のバインダーとしても用いられる。
【0049】請求項1〜4に係る熱現像感光材料の好ま
しい1つの形態として、画像記録保護層がヒドロキシル
基含有量が0.5〜3質量%の樹脂(A)とヒドロキシ
ル基含有量が4〜20質量%の樹脂(B)を含有し、樹
脂(A)/樹脂(B)の質量比率が95/5〜50/5
0である形態が挙げられる。この形態により、接着性を
良好に保ったままで、表面比抵抗の値を良好なレベルに
維持できるという効果が得られる。
しい1つの形態として、画像記録保護層がヒドロキシル
基含有量が0.5〜3質量%の樹脂(A)とヒドロキシ
ル基含有量が4〜20質量%の樹脂(B)を含有し、樹
脂(A)/樹脂(B)の質量比率が95/5〜50/5
0である形態が挙げられる。この形態により、接着性を
良好に保ったままで、表面比抵抗の値を良好なレベルに
維持できるという効果が得られる。
【0050】上記樹脂(A)のヒドロキシル基含有量は
好ましくは0.7〜2.5質量%、より好ましくは1.
0〜2.0質量%である。画像記録保護層に含まれる樹
脂(A)と樹脂(B)の質量比率(A)/(B)は好ま
しくは90/10〜60/40であり、より好ましくは
85/15〜65/35である。
好ましくは0.7〜2.5質量%、より好ましくは1.
0〜2.0質量%である。画像記録保護層に含まれる樹
脂(A)と樹脂(B)の質量比率(A)/(B)は好ま
しくは90/10〜60/40であり、より好ましくは
85/15〜65/35である。
【0051】ヒドロキシル基含有量が0.5〜3質量%
の樹脂(A)としては、ヒドロキシル基含有量を上記範
囲の鹸化度としたセルロースエステルが使用可能であ
る。セルロースエステルとしてはセルロースアセテート
ブチレートおよびセルロースアセテートプロピオネート
が好ましく用いられる。また、上記含有量のヒドロキシ
ル基を有するポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、
ヒドロキシエチル(メタ)クリレートなどが挙げられ
る。
の樹脂(A)としては、ヒドロキシル基含有量を上記範
囲の鹸化度としたセルロースエステルが使用可能であ
る。セルロースエステルとしてはセルロースアセテート
ブチレートおよびセルロースアセテートプロピオネート
が好ましく用いられる。また、上記含有量のヒドロキシ
ル基を有するポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、
ヒドロキシエチル(メタ)クリレートなどが挙げられ
る。
【0052】ヒドロキシル基含有量が4〜20質量%の
樹脂(B)としては、ヒドロキシル基含有量を上記範囲
の鹸化度としたセルロースエステルが使用可能である。
セルロースエステルとしてはセルロースアセテートブチ
レートおよびセルロースアセテートプロピオネートが好
ましく用いられる。また、上記含有量のヒドロキシル基
を有するポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ヒド
ロキシエチル(メタ)クリレートなどが挙げられる。
樹脂(B)としては、ヒドロキシル基含有量を上記範囲
の鹸化度としたセルロースエステルが使用可能である。
セルロースエステルとしてはセルロースアセテートブチ
レートおよびセルロースアセテートプロピオネートが好
ましく用いられる。また、上記含有量のヒドロキシル基
を有するポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ヒド
ロキシエチル(メタ)クリレートなどが挙げられる。
【0053】上記樹脂(A)および(B)の数平均分子
量(Mn)は、好ましくは5000〜100000、よ
り好ましくは10000〜80000の範囲である。
量(Mn)は、好ましくは5000〜100000、よ
り好ましくは10000〜80000の範囲である。
【0054】請求項1〜5に係る熱現像感光材料の画像
記録層は、該層の全バインダーの50質量%以上がポリ
マーラテックスからなり、該画像記録層塗布液の溶媒の
30質量%以上が水である塗布液を塗布、乾燥して形成
されたものであることが好ましい。上記ポリマーラテッ
クスの全バインダーに対する含有率は、より好ましくは
65質量%以上、さらに好ましくは80質量%以上であ
る。該ポリマーラテックスは、ポリマーが水系分散媒に
分散したものであり、上記質量%はポリマーの質量%で
ある。また、上記溶媒の45質量%以上が水であること
がより好ましく、60質量%以上が水であることがさら
に好ましい。この形態により、熱現像で得られた画像の
濃度むら、最大濃度および搬送性の改善効果がより高く
なり、また生産効率が高く、環境適性にも優れている等
の利点が得られる。
記録層は、該層の全バインダーの50質量%以上がポリ
マーラテックスからなり、該画像記録層塗布液の溶媒の
30質量%以上が水である塗布液を塗布、乾燥して形成
されたものであることが好ましい。上記ポリマーラテッ
クスの全バインダーに対する含有率は、より好ましくは
65質量%以上、さらに好ましくは80質量%以上であ
る。該ポリマーラテックスは、ポリマーが水系分散媒に
分散したものであり、上記質量%はポリマーの質量%で
ある。また、上記溶媒の45質量%以上が水であること
がより好ましく、60質量%以上が水であることがさら
に好ましい。この形態により、熱現像で得られた画像の
濃度むら、最大濃度および搬送性の改善効果がより高く
なり、また生産効率が高く、環境適性にも優れている等
の利点が得られる。
【0055】上記ポリマーラテックスの好ましい具体例
としては以下のようなものが挙げられる。
としては以下のようなものが挙げられる。
【0056】PL−1:−(MMA)50−(EA)45−
(AA)5−のラテックス(Mw=3万) PL−2:−(2EHA)30−(MMA)50−(St)
15−(MAA)5−のラテックス(Mw=5万) PL−3:−(BR)50−(St)47−(AA)3−の
ラテックス(Mw=1万) PL−4:−(BR)40−(DVB)10−(St)45−
(MAA)5−のラテックス(Mw=5万) PL−5:−(VC)70−(MMA)25−(AA)5−
のラテックス(Mw=1.5万) PL−6:−(VDC)60−(MMA)30−(EA)5
−(MAA)5−のラテックス(Mw=8万) 上記において、略号は以下に示す単量体から誘導される
構成単位を表し、数値は質量%である。
(AA)5−のラテックス(Mw=3万) PL−2:−(2EHA)30−(MMA)50−(St)
15−(MAA)5−のラテックス(Mw=5万) PL−3:−(BR)50−(St)47−(AA)3−の
ラテックス(Mw=1万) PL−4:−(BR)40−(DVB)10−(St)45−
(MAA)5−のラテックス(Mw=5万) PL−5:−(VC)70−(MMA)25−(AA)5−
のラテックス(Mw=1.5万) PL−6:−(VDC)60−(MMA)30−(EA)5
−(MAA)5−のラテックス(Mw=8万) 上記において、略号は以下に示す単量体から誘導される
構成単位を表し、数値は質量%である。
【0057】MMA:メチルメタクリレート、EA:エ
チルアクリレート、AA:アクリル酸、2EHA:2−
エチルヘキシルアクリレート、St:スチレン、MA
A:メタクリル酸、BR:ブタジエン、DVB:ジビニ
ルベンゼン、VC:塩化ビニル、VDC:塩化ビニリデ
ン。
チルアクリレート、AA:アクリル酸、2EHA:2−
エチルヘキシルアクリレート、St:スチレン、MA
A:メタクリル酸、BR:ブタジエン、DVB:ジビニ
ルベンゼン、VC:塩化ビニル、VDC:塩化ビニリデ
ン。
【0058】また、この様なポリマーは市販もされてい
て以下のようなものが利用できる。例えば、アクリル樹
脂としては、セビアンA−4635、46583、46
01(以上、ダイセル化学工業(株)製)、Nipol
LX811、814、820、821、857(以上
日本ゼオン(株)製)等。ポリエステル樹脂としては、
FINETEX ES650、611、679、67
5、525、801、850(以上、大日本インキ化学
(株)製)、WDsize WHS(イーストマンケミ
カル製)等。ポリウレタン樹脂としては、HYDRAN
AP10、20、30、40、101H、HYDRA
N HW301、310、350(以上大日本インキ化
学(株)製)など、塩化ビニリデン樹脂としては、L5
02、L513、L123c、L106c、L111、
L114(以上旭化成工業(株)製)など、塩化ビニル
樹脂としては、G351、G576(以上、日本ゼオン
(株)製)など、ポリオレフィン樹脂としては、ケミパ
ールS−120、S−300、SA−100、A−10
0、V−100、V−200、V−300(以上、三井
石油化学(株)製)などがある。本発明においては、バ
インダーはこれらのポリマーを単独で用いてもよいし、
2種類以上ブレンドして用いてもよい。
て以下のようなものが利用できる。例えば、アクリル樹
脂としては、セビアンA−4635、46583、46
01(以上、ダイセル化学工業(株)製)、Nipol
LX811、814、820、821、857(以上
日本ゼオン(株)製)等。ポリエステル樹脂としては、
FINETEX ES650、611、679、67
5、525、801、850(以上、大日本インキ化学
(株)製)、WDsize WHS(イーストマンケミ
カル製)等。ポリウレタン樹脂としては、HYDRAN
AP10、20、30、40、101H、HYDRA
N HW301、310、350(以上大日本インキ化
学(株)製)など、塩化ビニリデン樹脂としては、L5
02、L513、L123c、L106c、L111、
L114(以上旭化成工業(株)製)など、塩化ビニル
樹脂としては、G351、G576(以上、日本ゼオン
(株)製)など、ポリオレフィン樹脂としては、ケミパ
ールS−120、S−300、SA−100、A−10
0、V−100、V−200、V−300(以上、三井
石油化学(株)製)などがある。本発明においては、バ
インダーはこれらのポリマーを単独で用いてもよいし、
2種類以上ブレンドして用いてもよい。
【0059】また、これらの樹脂は−SO3M、−OS
O3M、−PO(OM1)2および−OPO(OM1)
2(但し、Mは水素原子またはNa、K、Li等のアル
カリ金属原子を表し、M1は水素原子、Na、K、Li
等のアルカリ金属原子またはアルキル基を表す)から選
ばれる少なくとも1種の極性基を含むことが好ましい。
O3M、−PO(OM1)2および−OPO(OM1)
2(但し、Mは水素原子またはNa、K、Li等のアル
カリ金属原子を表し、M1は水素原子、Na、K、Li
等のアルカリ金属原子またはアルキル基を表す)から選
ばれる少なくとも1種の極性基を含むことが好ましい。
【0060】上記ポリマーラテックスの数平均分子量
(Mn)は、好ましくは5000〜1500000、よ
り好ましくは10000〜100000の範囲である。
(Mn)は、好ましくは5000〜1500000、よ
り好ましくは10000〜100000の範囲である。
【0061】請求項1に係る熱現像感光材料は、画像記
録層にバインダーの一部としてアクリル樹脂を含有する
ことができる。アクリル樹脂としては、単一の単量体が
重合した単一重合体でも、また2種以上の単量体が共重
合した共重合体でもよく、共重合体はアクリル類以外の
単量体単位を含む共重合体でも良い。また、構造が直鎖
状のものでも枝分かれしたものでもよく、樹脂の分子量
としては重量平均分子量Mwが好ましくは1000〜1
00万、より好ましくは3000〜50万のものであ
る。共重合体のとき、ランダム共重合体でもブロック共
重合体でもよい。具体的には、ポリメタクリレート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリアル
キルメタクリレート/アクリレート共重合体、ポリスチ
レン/ポリメタクリレート共重合体などが挙げられる。
録層にバインダーの一部としてアクリル樹脂を含有する
ことができる。アクリル樹脂としては、単一の単量体が
重合した単一重合体でも、また2種以上の単量体が共重
合した共重合体でもよく、共重合体はアクリル類以外の
単量体単位を含む共重合体でも良い。また、構造が直鎖
状のものでも枝分かれしたものでもよく、樹脂の分子量
としては重量平均分子量Mwが好ましくは1000〜1
00万、より好ましくは3000〜50万のものであ
る。共重合体のとき、ランダム共重合体でもブロック共
重合体でもよい。具体的には、ポリメタクリレート、ポ
リメチルメタクリレート、ポリアクリレート、ポリアル
キルメタクリレート/アクリレート共重合体、ポリスチ
レン/ポリメタクリレート共重合体などが挙げられる。
【0062】画像記録層に含まれるアクリル樹脂の含有
量は画像記録層の全バインダー質量に対して通常1〜5
0質量%、好ましくは2〜30質量%、より好ましくは
3〜10質量%である。これらの範囲とすることで、併
用するバインダーとの相溶性が悪い場合でも透明な塗膜
を得ることが可能であり、ヘイズ値を小さくおさえるこ
とができる。
量は画像記録層の全バインダー質量に対して通常1〜5
0質量%、好ましくは2〜30質量%、より好ましくは
3〜10質量%である。これらの範囲とすることで、併
用するバインダーとの相溶性が悪い場合でも透明な塗膜
を得ることが可能であり、ヘイズ値を小さくおさえるこ
とができる。
【0063】請求項1〜6に係る熱現像感光材料には、
支持体と画像記録層の間にアクリル樹脂および/または
ポリエステルを含有する下塗り層を有していてもよい。
アクリル樹脂としては、メチルメタクリレート、エチル
アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、2−エチル
ヘキシルアクリレート等の単独重合体または2種以上を
共重合させた共重合体、メタクリル酸とスチレンの共重
合体、これらの単量体とブタジエン、ジビニルベンゼ
ン、塩化ビニル、塩化ビニリデン等との共重合体が挙げ
られる。
支持体と画像記録層の間にアクリル樹脂および/または
ポリエステルを含有する下塗り層を有していてもよい。
アクリル樹脂としては、メチルメタクリレート、エチル
アクリレート、アクリル酸、メタクリル酸、2−エチル
ヘキシルアクリレート等の単独重合体または2種以上を
共重合させた共重合体、メタクリル酸とスチレンの共重
合体、これらの単量体とブタジエン、ジビニルベンゼ
ン、塩化ビニル、塩化ビニリデン等との共重合体が挙げ
られる。
【0064】また、この様な樹脂は市販もされていて以
下のようなものが利用できる。例えばアクリル樹脂とし
ては、セビアンA−4635、46583、4601
(以上ダイセル化学工業(株)製)、Nipol LX
811、814、820、821、857(以上日本ゼ
オン(株)製)等がある。
下のようなものが利用できる。例えばアクリル樹脂とし
ては、セビアンA−4635、46583、4601
(以上ダイセル化学工業(株)製)、Nipol LX
811、814、820、821、857(以上日本ゼ
オン(株)製)等がある。
【0065】ポリエステル樹脂としては、FINETE
X ES650、611、679、675、525、8
01、850(以上大日本インキ化学(株)製)、WD
size WHS(イーストマンケミカル製)等を用い
ることができる。本発明においては、バインダーはこれ
らのポリマーを単独で用いてもよいし、2種類以上ブレ
ンドして用いてもよい。
X ES650、611、679、675、525、8
01、850(以上大日本インキ化学(株)製)、WD
size WHS(イーストマンケミカル製)等を用い
ることができる。本発明においては、バインダーはこれ
らのポリマーを単独で用いてもよいし、2種類以上ブレ
ンドして用いてもよい。
【0066】下塗り層には、架橋のための架橋剤、塗布
性改良のための界面活性剤などを添加してもよい。架橋
剤としては、イソシアナート基、ビニルスルホニル基、
またはエポキシ基を有する架橋剤が好ましく、特に好ま
しい架橋剤として、イソシアナート基、ビニルスルホニ
ル基、またはエポキシ基をそれぞれ2個有する多官能型
架橋剤が挙げられる。
性改良のための界面活性剤などを添加してもよい。架橋
剤としては、イソシアナート基、ビニルスルホニル基、
またはエポキシ基を有する架橋剤が好ましく、特に好ま
しい架橋剤として、イソシアナート基、ビニルスルホニ
ル基、またはエポキシ基をそれぞれ2個有する多官能型
架橋剤が挙げられる。
【0067】下引き液の濃度は通常20質量%以下が好
ましく、より好ましくは15質量%以下である。塗布量
は熱現像感光材料1m2当たり乾燥質量で好ましくは1
〜20g、より好ましくは5〜15gの範囲である。
ましく、より好ましくは15質量%以下である。塗布量
は熱現像感光材料1m2当たり乾燥質量で好ましくは1
〜20g、より好ましくは5〜15gの範囲である。
【0068】本発明の熱現像記録材料は硬調化剤を含有
することが好ましい。硬調化剤として、下記一般式
(H)で表されるヒドラジン誘導体、一般式(G)で表
される化合物、一般式(P)で表される4級オニウム化
合物、一般式(A)〜(D)で表される化合物およびヒ
ドロキシアミン、アルカノールアミン、フタル酸アンモ
ニウム化合物等が挙げられる。まず、下記一般式(H)
で表されるヒドラジン誘導体について説明する。
することが好ましい。硬調化剤として、下記一般式
(H)で表されるヒドラジン誘導体、一般式(G)で表
される化合物、一般式(P)で表される4級オニウム化
合物、一般式(A)〜(D)で表される化合物およびヒ
ドロキシアミン、アルカノールアミン、フタル酸アンモ
ニウム化合物等が挙げられる。まず、下記一般式(H)
で表されるヒドラジン誘導体について説明する。
【0069】
【化2】
【0070】式中、A0はそれぞれ置換基を有してもよ
い脂肪族基、芳香族基、複素環基または−G0−D0基
を、B0はブロッキング基を表し、A1およびA2はとも
に水素原子、または一方が水素原子で他方はアシル基、
スルホニル基またはオキザリル基を表す。ここで、G0
は−CO−基、−COCO−基、−CS−基、−C(=
NG1D1)−基、−SO−基、−SO2−基または−P
(O)(G1D1)−基を表し、G1は単なる結合手、−
O−基、−S−基または−N(D1)−基を表し、D1は
脂肪族基、芳香族基、複素環基または水素原子を表し、
分子内に複数のD1が存在する場合、それらは同じであ
っても異なってもよい。D0は水素原子、脂肪族基、芳
香族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表す。好
ましいD0としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。
い脂肪族基、芳香族基、複素環基または−G0−D0基
を、B0はブロッキング基を表し、A1およびA2はとも
に水素原子、または一方が水素原子で他方はアシル基、
スルホニル基またはオキザリル基を表す。ここで、G0
は−CO−基、−COCO−基、−CS−基、−C(=
NG1D1)−基、−SO−基、−SO2−基または−P
(O)(G1D1)−基を表し、G1は単なる結合手、−
O−基、−S−基または−N(D1)−基を表し、D1は
脂肪族基、芳香族基、複素環基または水素原子を表し、
分子内に複数のD1が存在する場合、それらは同じであ
っても異なってもよい。D0は水素原子、脂肪族基、芳
香族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリール
オキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表す。好
ましいD0としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。
【0071】一般式(H)において、A0で表される脂
肪族基は好ましくは炭素数1〜30のものであり、特に
炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基が
好ましく、例えばメチル基、エチル基、t−ブチル基、
オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基等が挙げら
れ、これらは更に適当な置換基(例えば、アリール基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ア
リールチオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スル
ファモイル基、アシルアミノ基、ウレイド基等)で置換
されていてもよい。
肪族基は好ましくは炭素数1〜30のものであり、特に
炭素数1〜20の直鎖、分岐または環状のアルキル基が
好ましく、例えばメチル基、エチル基、t−ブチル基、
オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基等が挙げら
れ、これらは更に適当な置換基(例えば、アリール基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、ア
リールチオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スル
ファモイル基、アシルアミノ基、ウレイド基等)で置換
されていてもよい。
【0072】一般式(H)において、A0で表される芳
香族基は、単環または縮合環のアリール基が好ましく、
例えばベンゼン環またはナフタレン環が挙げられ、A0
で表される複素環基としては、単環または縮合環で窒
素、硫黄、および酸素原子から選ばれる少なくとも一つ
のヘテロ原子を含む複素環が好ましく、例えばピロリジ
ン環、イミダゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホ
リン環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、チア
ゾール環、ベンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン
環等が挙げられる。A0で表される芳香族基、複素環基
および−G0−D0基は置換基を有していてもよい。A0
として、特に好ましいものはアリール基、−G0−D
0基、および置換アルキル基である。
香族基は、単環または縮合環のアリール基が好ましく、
例えばベンゼン環またはナフタレン環が挙げられ、A0
で表される複素環基としては、単環または縮合環で窒
素、硫黄、および酸素原子から選ばれる少なくとも一つ
のヘテロ原子を含む複素環が好ましく、例えばピロリジ
ン環、イミダゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホ
リン環、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環、チア
ゾール環、ベンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン
環等が挙げられる。A0で表される芳香族基、複素環基
および−G0−D0基は置換基を有していてもよい。A0
として、特に好ましいものはアリール基、−G0−D
0基、および置換アルキル基である。
【0073】また、一般式(H)において、A0は耐拡
散基またはハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むこ
とが好ましい。耐拡散基としては、カプラー等の不動性
写真用添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バ
ラスト基としては、写真的に不活性であるアルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げら
れ、置換基部分の炭素数の合計は8以上であることが好
ましい。
散基またはハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むこ
とが好ましい。耐拡散基としては、カプラー等の不動性
写真用添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バ
ラスト基としては、写真的に不活性であるアルキル基、
アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル
基、フェノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げら
れ、置換基部分の炭素数の合計は8以上であることが好
ましい。
【0074】ハロゲン化銀吸着基としては、チオ尿素、
チオウレタン基、メルカプト基、チオエーテル基、チオ
ン基、複素環基、チオアミド複素環基、メルカプト複素
環基或いは特開昭64−90439号に記載の吸着基等
が挙げられる。
チオウレタン基、メルカプト基、チオエーテル基、チオ
ン基、複素環基、チオアミド複素環基、メルカプト複素
環基或いは特開昭64−90439号に記載の吸着基等
が挙げられる。
【0075】一般式(H)において、B0はブロッキン
グ基を表し、好ましくは−G0−D0基であり、G0は−
CO−基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG
1D1)−基、−SO−基、−SO2−基または−P
(O)(G1D1)−基を表す。好ましいG0としては−
CO−基、−COCO−基が挙げられ、G1は単なる結
合手、−O−基、−S−基または−N(D1)−基を表
し、D1は脂肪族基、芳香族基、複素環基または水素原
子を表し、分子内に複数のD1が存在する場合、それら
は同じであっても異なってもよい。D0は水素原子、脂
肪族基、芳香族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ
基を表し、好ましいD0としては水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、アミノ基等が挙げられる。A1、A2
はともに水素原子、または一方が水素原子で他方はアシ
ル基(アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイ
ル基等)、スルホニル基(メタンスルホニル基、トルエ
ンスルホニル基等)、またはオキザリル基(エトキザリ
ル基等)を表す。
グ基を表し、好ましくは−G0−D0基であり、G0は−
CO−基、−COCO−基、−CS−基、−C(=NG
1D1)−基、−SO−基、−SO2−基または−P
(O)(G1D1)−基を表す。好ましいG0としては−
CO−基、−COCO−基が挙げられ、G1は単なる結
合手、−O−基、−S−基または−N(D1)−基を表
し、D1は脂肪族基、芳香族基、複素環基または水素原
子を表し、分子内に複数のD1が存在する場合、それら
は同じであっても異なってもよい。D0は水素原子、脂
肪族基、芳香族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ
基を表し、好ましいD0としては水素原子、アルキル
基、アルコキシ基、アミノ基等が挙げられる。A1、A2
はともに水素原子、または一方が水素原子で他方はアシ
ル基(アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイ
ル基等)、スルホニル基(メタンスルホニル基、トルエ
ンスルホニル基等)、またはオキザリル基(エトキザリ
ル基等)を表す。
【0076】更に好ましいヒドラジン誘導体は、下記一
般式(H−1)、(H−2)、(H−3)、または(H
−4)で表される。
般式(H−1)、(H−2)、(H−3)、または(H
−4)で表される。
【0077】
【化3】
【0078】一般式(H−1)において、R11、R12お
よびR13はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリー
ル基または複素環基を表すが、アリール基として具体的
には、例えばフェニル基、p−トリル基、ナフチル基な
どが挙げられる。複素環基として具体的には、例えばト
リアゾール残基、イミダゾール残基、ピリジン残基、フ
ラン残基、チオフェン残基などがあげられる。また、R
11、R12およびR13はそれぞれ任意の連結基を介して結
合してもよい。R11、R12およびR13が置換基を有する
場合、その置換基としては例えばアルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、4級化さ
れた窒素原子を含む複素環基(例えばピリジニオ基)、
ヒドロキシ基、アルコキシ基(エチレンオキシ基もしく
はプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む)、
アリールオキシ基、アシルオキシ基、アシル基、アルコ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カル
バモイル基、ウレタン基、カルボキシル基、イミド基、
アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレ
イド基、チオウレイド基、スルファモイルアミノ基、セ
ミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ
基、4級のアンモニオ基、(アルキル、アリール、また
は複素環)チオ基、メルカプト基、(アルキルまたはア
リール)スルホニル基、(アルキルまたはアリール)ス
ルフィニル基、スルホ基、スルファモイル基、アシルス
ルファモイル基、(アルキルもしくはアリール)スルホ
ニルウレイド基、(アルキルもしくはアリール)スルホ
ニルカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、リン酸アミド基などが挙げられる。R11、R12およ
びR13として好ましくは、いずれもが置換もしくは無置
換のフェニル基であり、より好ましくはR11、R12およ
びR13のいずれもが無置換のフェニル基である。
よびR13はそれぞれ独立に置換もしくは無置換のアリー
ル基または複素環基を表すが、アリール基として具体的
には、例えばフェニル基、p−トリル基、ナフチル基な
どが挙げられる。複素環基として具体的には、例えばト
リアゾール残基、イミダゾール残基、ピリジン残基、フ
ラン残基、チオフェン残基などがあげられる。また、R
11、R12およびR13はそれぞれ任意の連結基を介して結
合してもよい。R11、R12およびR13が置換基を有する
場合、その置換基としては例えばアルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、4級化さ
れた窒素原子を含む複素環基(例えばピリジニオ基)、
ヒドロキシ基、アルコキシ基(エチレンオキシ基もしく
はプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む)、
アリールオキシ基、アシルオキシ基、アシル基、アルコ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カル
バモイル基、ウレタン基、カルボキシル基、イミド基、
アミノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレ
イド基、チオウレイド基、スルファモイルアミノ基、セ
ミカルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ
基、4級のアンモニオ基、(アルキル、アリール、また
は複素環)チオ基、メルカプト基、(アルキルまたはア
リール)スルホニル基、(アルキルまたはアリール)ス
ルフィニル基、スルホ基、スルファモイル基、アシルス
ルファモイル基、(アルキルもしくはアリール)スルホ
ニルウレイド基、(アルキルもしくはアリール)スルホ
ニルカルバモイル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、リン酸アミド基などが挙げられる。R11、R12およ
びR13として好ましくは、いずれもが置換もしくは無置
換のフェニル基であり、より好ましくはR11、R12およ
びR13のいずれもが無置換のフェニル基である。
【0079】R14は複素環オキシ基、複素環チオ基を表
すが、複素環オキシ基として具体的には、ピリジルオキ
シ基、ピリミジルオキシ基、インドリルオキシ基、ベン
ゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオキシ基、
フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリルオキシ
基、イミダゾリルオキシ基等が挙げられる。複素環チオ
基として具体的にはピリジルチオ基、ピリミジルチオ
基、インドリルチオ基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベン
ズイミダゾリルチオ基、フリルチオ基、チエニルチオ
基、ピラゾリルチオ基、イミダゾリルチオ基等が挙げら
れる。R14として好ましくはピリジルオキシ基、チエニ
ルオキシ基である。
すが、複素環オキシ基として具体的には、ピリジルオキ
シ基、ピリミジルオキシ基、インドリルオキシ基、ベン
ゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオキシ基、
フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリルオキシ
基、イミダゾリルオキシ基等が挙げられる。複素環チオ
基として具体的にはピリジルチオ基、ピリミジルチオ
基、インドリルチオ基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベン
ズイミダゾリルチオ基、フリルチオ基、チエニルチオ
基、ピラゾリルチオ基、イミダゾリルチオ基等が挙げら
れる。R14として好ましくはピリジルオキシ基、チエニ
ルオキシ基である。
【0080】A1およびA2は、ともに水素原子、または
一方が水素原子で他方はアシル基(アセチル、トリフル
オロアセチル、ベンゾイル等)、スルホニル基(メタン
スルホニル、トルエンスルホニル等)、またはオキザリ
ル基(エトキザリル等)を表す。好ましくはA1、A2と
もに水素原子の場合である。
一方が水素原子で他方はアシル基(アセチル、トリフル
オロアセチル、ベンゾイル等)、スルホニル基(メタン
スルホニル、トルエンスルホニル等)、またはオキザリ
ル基(エトキザリル等)を表す。好ましくはA1、A2と
もに水素原子の場合である。
【0081】一般式(H−2)において、R21は置換も
しくは無置換のアルキル基、アリール基または複素環基
を表すが、アルキル基として具体的には、メチル基、エ
チル基、tert−ブチル基、2−オクチル基、シクロ
ヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙げ
られる。アリール基および複素環基として具体的には、
R11、R12およびR13と同様のものが挙げられる。ま
た、R21が置換基を有する場合の置換基の具体的な例と
しては、R11、R12およびR13の置換基と同様のものが
挙げられる。R21は好ましくはアリール基または複素環
基であり、特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニ
ル基である。
しくは無置換のアルキル基、アリール基または複素環基
を表すが、アルキル基として具体的には、メチル基、エ
チル基、tert−ブチル基、2−オクチル基、シクロ
ヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙げ
られる。アリール基および複素環基として具体的には、
R11、R12およびR13と同様のものが挙げられる。ま
た、R21が置換基を有する場合の置換基の具体的な例と
しては、R11、R12およびR13の置換基と同様のものが
挙げられる。R21は好ましくはアリール基または複素環
基であり、特に好ましくは置換もしくは無置換のフェニ
ル基である。
【0082】R22は水素、アルキルアミノ基、アリール
アミノ基、または複素環アミノ基を表すが、アルキルア
ミノ基として具体的には、メチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基等が
挙げられる。アリールアミノ基としてはアニリノ基、複
素環基としてはチアゾリルアミノ基、ベンゾイミダゾリ
ルアミノ基、ベンズチアゾリルアミノ基等が挙げられ
る。R22として好ましくはジメチルアミノ基またはジエ
チルアミノ基である。
アミノ基、または複素環アミノ基を表すが、アルキルア
ミノ基として具体的には、メチルアミノ基、エチルアミ
ノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルア
ミノ基、ジエチルアミノ基、エチルメチルアミノ基等が
挙げられる。アリールアミノ基としてはアニリノ基、複
素環基としてはチアゾリルアミノ基、ベンゾイミダゾリ
ルアミノ基、ベンズチアゾリルアミノ基等が挙げられ
る。R22として好ましくはジメチルアミノ基またはジエ
チルアミノ基である。
【0083】A1、A2は、一般式(H−1)で記載した
A1、A2と同義である。一般式(H−3)において、R
31およびR32は各々一価の置換基を表すが、一価の置換
基としては、R11、R12およびR13の置換基として挙げ
られた基が挙げられるが、好ましくは、アルキル基、ア
リール基、複素環基、アルコキシ基、またはアミノ基が
挙げられる。更に好ましくはアリール基またはアルコキ
シ基である。特に好ましいのは、R31とR32の少なくと
も一つがtert−ブトキシ基であるものであり、別の
好ましい構造は、R31がフェニル基のとき、R32がte
rt−ブトキシ基である。
A1、A2と同義である。一般式(H−3)において、R
31およびR32は各々一価の置換基を表すが、一価の置換
基としては、R11、R12およびR13の置換基として挙げ
られた基が挙げられるが、好ましくは、アルキル基、ア
リール基、複素環基、アルコキシ基、またはアミノ基が
挙げられる。更に好ましくはアリール基またはアルコキ
シ基である。特に好ましいのは、R31とR32の少なくと
も一つがtert−ブトキシ基であるものであり、別の
好ましい構造は、R31がフェニル基のとき、R32がte
rt−ブトキシ基である。
【0084】G31、G32は、各々−(CO)p−基、−
C(=S)−、スルホニル基、スルホキシ基、−P(=
O)R33−基またはイミノメチレン基を表し、pは1ま
たは2を表し、R33はアルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキ
シ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、または
アミノ基を表す。但し、G31がスルホニル基のとき、G
32はカルボニル基ではない。G31、G32として好ましく
は、各々−CO−基、−COCO−基、スルホニル基ま
たは−CS−であり、より好ましくは互いに−CO−基
または互いにスルホニル基である。
C(=S)−、スルホニル基、スルホキシ基、−P(=
O)R33−基またはイミノメチレン基を表し、pは1ま
たは2を表し、R33はアルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケニルオキ
シ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基、または
アミノ基を表す。但し、G31がスルホニル基のとき、G
32はカルボニル基ではない。G31、G32として好ましく
は、各々−CO−基、−COCO−基、スルホニル基ま
たは−CS−であり、より好ましくは互いに−CO−基
または互いにスルホニル基である。
【0085】A1、A2は一般式(H−1)で記載したA
1、A2と同義である。一般式(H−4)において、
R41、R42およびR43は一般式(H−1)における
R11、R12およびR13と同義である。R41、R42および
R43として好ましくはいずれもが置換もしくは無置換の
フェニル基であり、より好ましくはR41、R42およびR
43のいずれもが無置換のフェニル基である。R44、R45
は、各々無置換または置換アルキル基を表すが、具体的
な例としては、メチル基、エチル基、tert−ブチル
基、2−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、
ジフェニルメチル基等が挙げられる。R44、R45として
好ましくは互いにエチル基である。
1、A2と同義である。一般式(H−4)において、
R41、R42およびR43は一般式(H−1)における
R11、R12およびR13と同義である。R41、R42および
R43として好ましくはいずれもが置換もしくは無置換の
フェニル基であり、より好ましくはR41、R42およびR
43のいずれもが無置換のフェニル基である。R44、R45
は、各々無置換または置換アルキル基を表すが、具体的
な例としては、メチル基、エチル基、tert−ブチル
基、2−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、
ジフェニルメチル基等が挙げられる。R44、R45として
好ましくは互いにエチル基である。
【0086】A1、A2は一般式(H−1)で記載したA
1、A2と同義である。以下、一般式(H−1)〜(H−
4)で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限
定されるものではない。
1、A2と同義である。以下、一般式(H−1)〜(H−
4)で表される化合物の具体例を挙げるが、これらに限
定されるものではない。
【0087】
【化4】
【0088】
【化5】
【0089】
【化6】
【0090】
【化7】
【0091】
【化8】
【0092】
【化9】
【0093】
【化10】
【0094】一般式(H−1)〜(H−4)で表される
化合物は、公知の方法により容易に合成することがで
き、例えば米国特許第5,464,738号明細書また
は同第5,496,695号明細書を参考にして合成す
ることができる。
化合物は、公知の方法により容易に合成することがで
き、例えば米国特許第5,464,738号明細書また
は同第5,496,695号明細書を参考にして合成す
ることができる。
【0095】その他に好ましく用いることのできるヒド
ラジン誘導体は、米国特許第5,545,505号明細
書、カラム11〜20に記載の化合物H−1〜H−2
9、米国特許第5,464,738号明細書、カラム9
〜11に記載の化合物1〜12である。これらのヒドラ
ジン誘導体は、公知の方法で合成することができる。
ラジン誘導体は、米国特許第5,545,505号明細
書、カラム11〜20に記載の化合物H−1〜H−2
9、米国特許第5,464,738号明細書、カラム9
〜11に記載の化合物1〜12である。これらのヒドラ
ジン誘導体は、公知の方法で合成することができる。
【0096】次に下記一般式(G)で表される化合物に
ついて説明する。
ついて説明する。
【0097】
【化11】
【0098】一般式(G)において、XとRはシスの形
で表示されているが、XとRがトランス型の場合も本発
明に含まれる。
で表示されているが、XとRがトランス型の場合も本発
明に含まれる。
【0099】一般式(G)において、Xは電子吸引性基
を表す。電子吸引性基とは、置換基定数σpが正の値を
とりうる置換基のことである。具体的には、置換アルキ
ル基(ハロゲン置換アルキル等)、置換アルケニル基
(シアノビニル等)、置換・未置換のアルキニル基(ト
リフルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレニル
等)、置換アリール基(シアノフェニル等)、置換・未
置換の複素環基(ピリジル、トリアジニル、ベンゾオキ
サゾリル等)、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基(ア
セチル、トリフルオロアセチル、ホルミル等)、チオア
セチル基(チオアセチル、チオホルミル等)、オキサリ
ル基(メチルオキサリル等)、オキシオキサリル基(エ
トキサリル等)、チオオキサリル基(エチルチオオキサ
リル等)、オキサモイル基(メチルオキサモイル等)、
オキシカルボニル基(エトキシカルボニル等)、カルボ
キシル基、チオカルボニル基(エチルチオカルボニル
等)、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スルホニ
ル基、スルフィニル基、オキシスルホニル基(エトキシ
スルホニル等)、チオスルホニル基(エチルチオスルホ
ニル等)、スルファモイル基、オキシスルフィニル基
(メトキシスルフィニル等)、チオスルフィニル基(メ
チルチオスルフィニル等)、スルフィナモイル基、スフ
ィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ基、N
−カルボニルイミノ基(N−アセチルイミノ等)、N−
スルホニルイミノ基(N−メタンスルホニルイミノ
等)、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニ
ウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモニウム
基が挙げられるが、アンモニウム基、スルホニウム基、
ホスホニウム基、インモニウム基等が環を形成した複素
環状のものも含まれる。σp値として0.30以上の置
換基が特に好ましい。
を表す。電子吸引性基とは、置換基定数σpが正の値を
とりうる置換基のことである。具体的には、置換アルキ
ル基(ハロゲン置換アルキル等)、置換アルケニル基
(シアノビニル等)、置換・未置換のアルキニル基(ト
リフルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレニル
等)、置換アリール基(シアノフェニル等)、置換・未
置換の複素環基(ピリジル、トリアジニル、ベンゾオキ
サゾリル等)、ハロゲン原子、シアノ基、アシル基(ア
セチル、トリフルオロアセチル、ホルミル等)、チオア
セチル基(チオアセチル、チオホルミル等)、オキサリ
ル基(メチルオキサリル等)、オキシオキサリル基(エ
トキサリル等)、チオオキサリル基(エチルチオオキサ
リル等)、オキサモイル基(メチルオキサモイル等)、
オキシカルボニル基(エトキシカルボニル等)、カルボ
キシル基、チオカルボニル基(エチルチオカルボニル
等)、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スルホニ
ル基、スルフィニル基、オキシスルホニル基(エトキシ
スルホニル等)、チオスルホニル基(エチルチオスルホ
ニル等)、スルファモイル基、オキシスルフィニル基
(メトキシスルフィニル等)、チオスルフィニル基(メ
チルチオスルフィニル等)、スルフィナモイル基、スフ
ィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ基、N
−カルボニルイミノ基(N−アセチルイミノ等)、N−
スルホニルイミノ基(N−メタンスルホニルイミノ
等)、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニ
ウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモニウム
基が挙げられるが、アンモニウム基、スルホニウム基、
ホスホニウム基、インモニウム基等が環を形成した複素
環状のものも含まれる。σp値として0.30以上の置
換基が特に好ましい。
【0100】Wは、水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、複素環基、ハロゲン原
子、アシル基、チオアシル基、オキサリル基、オキシオ
キサリル基、チオオキサリル基、オキサモイル基、オキ
シカルボニル基、チオカルボニル基、カルバモイル基、
チオカルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、
オキシスルホニル基、チオスルホニル基、スルファモイ
ル基、オキシスルフィニル基、チオスルフィニル基、ス
ルフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ
基、N−カルボニルイミノ基、N−スルホニルイミノ
基、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、またはインモニ
ウム基を表す。Wとして表されるアルキル基としては、
メチル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル
基としてはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル
等が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセ
チレニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シ
アノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、複素環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Wとしてはσ
p値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
0.30以上のものが好ましい。
基、アルキニル基、アリール基、複素環基、ハロゲン原
子、アシル基、チオアシル基、オキサリル基、オキシオ
キサリル基、チオオキサリル基、オキサモイル基、オキ
シカルボニル基、チオカルボニル基、カルバモイル基、
チオカルバモイル基、スルホニル基、スルフィニル基、
オキシスルホニル基、チオスルホニル基、スルファモイ
ル基、オキシスルフィニル基、チオスルフィニル基、ス
ルフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ
基、N−カルボニルイミノ基、N−スルホニルイミノ
基、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、またはインモニ
ウム基を表す。Wとして表されるアルキル基としては、
メチル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル
基としてはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル
等が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセ
チレニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シ
アノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、複素環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Wとしてはσ
p値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
0.30以上のものが好ましい。
【0101】Rはハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、アルケニ
ルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオ
キシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、アルケ
ニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニルチオ
基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシ基またはメル
カプト基の有機または無機の塩(例えば、ナトリウム
塩、カリウム塩、銀塩等)、アミノ基、アルキルアミノ
基、環状アミノ基(例えば、ピロリジノ基)、アシルア
ミノ基、オキシカルボニルアミノ基、複素環基(5〜6
員の含窒素複素環、例えばベンツトリアゾリル基、イミ
ダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基等)、ウ
レイド基、またはスルホンアミド基を表す。XとW、X
とRはそれぞれ互いに結合して環状構造を形成してもよ
い。XとWが形成する環としては、例えばピラゾロン、
ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−ケトラク
トン、β−ケトラクタム等が挙げられる。Rで表される
基の内、好ましくはヒドロキシ基、メルカプト基、アル
コキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基またはメルカプト基の有機または無機の塩、複素環基
が挙げられ、更に好ましくはヒドロキシ基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基またはメルカプト基の有機または無機
の塩、複素環基が挙げられ、特に好ましくはヒドロキシ
基、ヒドロキシ基またはメルカプト基の有機または無機
の塩が挙げられる。
キシ基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、アルケニ
ルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオ
キシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、ア
ルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、アルケ
ニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニルチオ
基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシ基またはメル
カプト基の有機または無機の塩(例えば、ナトリウム
塩、カリウム塩、銀塩等)、アミノ基、アルキルアミノ
基、環状アミノ基(例えば、ピロリジノ基)、アシルア
ミノ基、オキシカルボニルアミノ基、複素環基(5〜6
員の含窒素複素環、例えばベンツトリアゾリル基、イミ
ダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基等)、ウ
レイド基、またはスルホンアミド基を表す。XとW、X
とRはそれぞれ互いに結合して環状構造を形成してもよ
い。XとWが形成する環としては、例えばピラゾロン、
ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−ケトラク
トン、β−ケトラクタム等が挙げられる。Rで表される
基の内、好ましくはヒドロキシ基、メルカプト基、アル
コキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基またはメルカプト基の有機または無機の塩、複素環基
が挙げられ、更に好ましくはヒドロキシ基、アルコキシ
基、ヒドロキシ基またはメルカプト基の有機または無機
の塩、複素環基が挙げられ、特に好ましくはヒドロキシ
基、ヒドロキシ基またはメルカプト基の有機または無機
の塩が挙げられる。
【0102】また、上記XおよびWで表される基の内、
置換基中にチオエーテル結合を有するものが好ましい。
置換基中にチオエーテル結合を有するものが好ましい。
【0103】次に、下記一般式(P)で表される化合物
について説明する。
について説明する。
【0104】
【化12】
【0105】一般式(P)において、Qは窒素原子また
は燐原子を表し、R1、R2、R3およびR4は各々、水素
原子または置換基を表し、X-はアニオンを表す。な
お、R 1〜R4は互いに連結して環を形成してもよい。
は燐原子を表し、R1、R2、R3およびR4は各々、水素
原子または置換基を表し、X-はアニオンを表す。な
お、R 1〜R4は互いに連結して環を形成してもよい。
【0106】R1〜R4で表される置換基としては、アル
キル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(ア
リル基、ブテニル基等)、アルキニル基(プロパルギル
基、ブチニル基等)、アリール基(フェニル基、ナフチ
ル基等)、複素環基(ピペリジニル基、ピペラジニル
基、モルホリニル基、ピリジル基、フリル基、チエニル
基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチエニル基、
スルホラニル基等)、アミノ基等が挙げられる。
キル基(メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ヘキシル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(ア
リル基、ブテニル基等)、アルキニル基(プロパルギル
基、ブチニル基等)、アリール基(フェニル基、ナフチ
ル基等)、複素環基(ピペリジニル基、ピペラジニル
基、モルホリニル基、ピリジル基、フリル基、チエニル
基、テトラヒドロフリル基、テトラヒドロチエニル基、
スルホラニル基等)、アミノ基等が挙げられる。
【0107】R1〜R4が互いに連結して形成しうる環と
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。
【0108】R1〜R4で表される基は、各々ヒドロキシ
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル
基、スルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有
してもよい。R1、R2、R3およびR4は、各々水素原子
またはアルキル基が好ましい。
ル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル
基、スルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有
してもよい。R1、R2、R3およびR4は、各々水素原子
またはアルキル基が好ましい。
【0109】X-が表すアニオンとしては、ハロゲンイ
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、p−トル
エンスルホン酸イオン等の無機および有機のアニオンが
挙げられる。
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、p−トル
エンスルホン酸イオン等の無機および有機のアニオンが
挙げられる。
【0110】更に好ましくは下記一般式(Pa)、(P
b)または(Pc)で表される化合物、および下記一般
式(T)で表される化合物が用いられる。
b)または(Pc)で表される化合物、および下記一般
式(T)で表される化合物が用いられる。
【0111】
【化13】
【0112】式中、A1、A2、A3、A4およびA5は、
各々含窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表
し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベ
ンゼン環が縮合しても構わない。A1、A2、A3、A4お
よびA5で構成される複素環は、各々置換基を有しても
よく、それぞれ同一でも異なっていてもよい。置換基と
しては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
スルホ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アミド基、スルファモイル基、
カルバモイル基、ウレイド基、アミノ基、スルホンアミ
ド基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト
基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表す。A1、
A2、A3、A4およびA5の好ましい例としては、5〜6
員環(ピリジン、イミダゾール、チオゾール、オキサゾ
ール、ピラジン、ピリミジン等の各環)を挙げることが
でき、更に好ましい例として、ピリジン環が挙げられ
る。
各々含窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表
し、酸素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベ
ンゼン環が縮合しても構わない。A1、A2、A3、A4お
よびA5で構成される複素環は、各々置換基を有しても
よく、それぞれ同一でも異なっていてもよい。置換基と
しては、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、ハロゲン原子、アシル基、ア
ルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、
スルホ基、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アルコキシ
基、アリールオキシ基、アミド基、スルファモイル基、
カルバモイル基、ウレイド基、アミノ基、スルホンアミ
ド基、スルホニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト
基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表す。A1、
A2、A3、A4およびA5の好ましい例としては、5〜6
員環(ピリジン、イミダゾール、チオゾール、オキサゾ
ール、ピラジン、ピリミジン等の各環)を挙げることが
でき、更に好ましい例として、ピリジン環が挙げられ
る。
【0113】BPは2価の連結基を表し、mは0または
1を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、アリ
ーレン基、アルケニレン基、−SO2−、−SO−、−
O−、−S−、−CO−、−N(R6)−(R6はアルキ
ル基、アリール基、水素原子を表す)を単独または組み
合わせて構成されるものを表す。Bpとして好ましく
は、アルキレン基、アルケニレン基を挙げることができ
る。
1を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、アリ
ーレン基、アルケニレン基、−SO2−、−SO−、−
O−、−S−、−CO−、−N(R6)−(R6はアルキ
ル基、アリール基、水素原子を表す)を単独または組み
合わせて構成されるものを表す。Bpとして好ましく
は、アルキレン基、アルケニレン基を挙げることができ
る。
【0114】R11、R12およびR15は、各々炭素数1〜
20のアルキル基を表す。又、R11およびR12は同一で
も異っていてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置
換のアルキル基を表し、置換基としては、A1、A2、A
3、A4およびA5の置換基として挙げた置換基と同様で
ある。
20のアルキル基を表す。又、R11およびR12は同一で
も異っていてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置
換のアルキル基を表し、置換基としては、A1、A2、A
3、A4およびA5の置換基として挙げた置換基と同様で
ある。
【0115】R11、R12およびR15の好ましい例として
は、それぞれ炭素数4〜10のアルキル基である。更に
好ましい例としては、置換或いは無置換のアリール置換
アルキル基が挙げられる。
は、それぞれ炭素数4〜10のアルキル基である。更に
好ましい例としては、置換或いは無置換のアリール置換
アルキル基が挙げられる。
【0116】Xp -は分子全体の電荷を均衡させるのに必
要な対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、
沃素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、p−トルエンス
ルホナート、オキザラート等を表す。npは分子全体の
電荷を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩
の場合にはnpは0である。
要な対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、
沃素イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、p−トルエンス
ルホナート、オキザラート等を表す。npは分子全体の
電荷を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩
の場合にはnpは0である。
【0117】
【化14】
【0118】上記一般式(T)で表されるトリフェニル
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基R5、R6、
R7は、各々水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメ
ットのシグマ値(σp)が負のものが好ましい。
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基R5、R6、
R7は、各々水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメ
ットのシグマ値(σp)が負のものが好ましい。
【0119】フェニル基におけるハメットのシグマ値は
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー(Journal of Medical C
hemistry)20巻、304頁、1977年に記
載のC.ハンシュ(C.Hansch)等の報文等に見
ることが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基と
しては、例えばメチル基(σp=−0.17以下何れも
σp値)、エチル基(−0.15)、シクロプロピル基
(−0.21)、n−プロピル基(−0.13)、is
o−プロピル基(−0.15)、シクロブチル基(−
0.15)、n−ブチル基(−0.16)、イソブチル
基(−0.20)、n−ペンチル基(−0.15)、シ
クロヘキシル基(−0.22)、アミノ基(−0.6
6)、アセチルアミノ基(−0.15)、ヒドロキシル
基(−0.37)、メトキシ基(−0.27)、エトキ
シ基(−0.24)、プロポキシ基(−0.25)、ブ
トキシ基(−0.32)、ペントキシ基(−0.34)
等が挙げられ、これらは何れも一般式(T)の化合物の
置換基として有用である。
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー(Journal of Medical C
hemistry)20巻、304頁、1977年に記
載のC.ハンシュ(C.Hansch)等の報文等に見
ることが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基と
しては、例えばメチル基(σp=−0.17以下何れも
σp値)、エチル基(−0.15)、シクロプロピル基
(−0.21)、n−プロピル基(−0.13)、is
o−プロピル基(−0.15)、シクロブチル基(−
0.15)、n−ブチル基(−0.16)、イソブチル
基(−0.20)、n−ペンチル基(−0.15)、シ
クロヘキシル基(−0.22)、アミノ基(−0.6
6)、アセチルアミノ基(−0.15)、ヒドロキシル
基(−0.37)、メトキシ基(−0.27)、エトキ
シ基(−0.24)、プロポキシ基(−0.25)、ブ
トキシ基(−0.32)、ペントキシ基(−0.34)
等が挙げられ、これらは何れも一般式(T)の化合物の
置換基として有用である。
【0120】nは1または2を表し、XT n-で表される
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはp−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、p−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−2−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはp−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、p−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−2−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。
【0121】上記4級オニウム化合物は公知の方法に従
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はChemical Reviews vol.55
p.335〜483に記載の方法を参考にできる。
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はChemical Reviews vol.55
p.335〜483に記載の方法を参考にできる。
【0122】硬調化剤として、下記一般式(A)〜
(D)で表される化合物やヒドロキシルアミン、アルカ
ノールアミン、フタル酸アンモニウムも用いることがで
きる。
(D)で表される化合物やヒドロキシルアミン、アルカ
ノールアミン、フタル酸アンモニウムも用いることがで
きる。
【0123】
【化15】
【0124】一般式(A)で表される化合物について説
明する。一般式(A)において、EWDは電子吸引性基
を表し、R6、R7およびR8は各々水素原子または1価
の置換基を表す。但し、R7およびR8のうちの少なくと
も1つは1価の置換基である。ここにEWDで表される
電気吸引性基とはハメットの置換基定数σpが正の値を
取りうる置換基のことであり、具体的には、シアノ基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルスル
ホニル基、アリールスルホニル基、ニトロ基、ハロゲン
原子、パーフルオロアルキル基、アシル基、ホルミル
基、ホスホリル基、カルボキシ基(またはその塩)、ス
ルホ基(またはその塩)、飽和もしくは不飽和の複素環
基、アルケニル基、アルキニル基、アシルオキシ基、ア
シルチオ基、スルホニルオキシ基、またはこれら電子吸
引性基で置換されたアリール基等が挙げられる。これら
の基は置換基を有していてもよい。具体的化合物として
は、例えば、米国特許第5,545,515号、特開平
11−119372号公報等に開示された化合物が挙げ
られる。
明する。一般式(A)において、EWDは電子吸引性基
を表し、R6、R7およびR8は各々水素原子または1価
の置換基を表す。但し、R7およびR8のうちの少なくと
も1つは1価の置換基である。ここにEWDで表される
電気吸引性基とはハメットの置換基定数σpが正の値を
取りうる置換基のことであり、具体的には、シアノ基、
アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル
基、カルバモイル基、スルファモイル基、アルキルスル
ホニル基、アリールスルホニル基、ニトロ基、ハロゲン
原子、パーフルオロアルキル基、アシル基、ホルミル
基、ホスホリル基、カルボキシ基(またはその塩)、ス
ルホ基(またはその塩)、飽和もしくは不飽和の複素環
基、アルケニル基、アルキニル基、アシルオキシ基、ア
シルチオ基、スルホニルオキシ基、またはこれら電子吸
引性基で置換されたアリール基等が挙げられる。これら
の基は置換基を有していてもよい。具体的化合物として
は、例えば、米国特許第5,545,515号、特開平
11−119372号公報等に開示された化合物が挙げ
られる。
【0125】一般式(B)で表される化合物について説
明する。一般式(B)において、R 9は水素原子、アル
キル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ、
アミド基、アリール基、アラルキル基、アリールオキシ
基、アリールチオ基、アニリノ基、複素環基、複素環オ
キシ基または複素環チオ基を表すが、アルキル基である
のが好ましく、メチル基、エチル基であるのがより好ま
しい。
明する。一般式(B)において、R 9は水素原子、アル
キル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ、
アミド基、アリール基、アラルキル基、アリールオキシ
基、アリールチオ基、アニリノ基、複素環基、複素環オ
キシ基または複素環チオ基を表すが、アルキル基である
のが好ましく、メチル基、エチル基であるのがより好ま
しい。
【0126】R10は水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アルコキシ基、アルキルチオ、アミド基、アリール
基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アニリノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チ
オ基、ヒドラジノ基、アルキルアミノ基、スルホニルア
ミノ基、ウレイド基、オキシカルボニルアミノ基、アル
キニル基または無置換のアミノ基を表すが、アリール
基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基であるの
が好ましく、さらに好ましくは複素環オキシ基、複素環
チオ基である。複素環オキシ基として具体的には、ピリ
ジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、インドリルオキシ
基、ベンゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオ
キシ基、フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリ
ルオキシ基、イニダゾリルオキシ基フリルチオ基、チエ
ニルチオ基、ピラゾリルチオ基、イニダゾリルチオ基等
が挙げられる。R10として好ましくはピリジルオキシ
基、チエニルオキシ基である。
基、アルコキシ基、アルキルチオ、アミド基、アリール
基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アニリノ基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チ
オ基、ヒドラジノ基、アルキルアミノ基、スルホニルア
ミノ基、ウレイド基、オキシカルボニルアミノ基、アル
キニル基または無置換のアミノ基を表すが、アリール
基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基であるの
が好ましく、さらに好ましくは複素環オキシ基、複素環
チオ基である。複素環オキシ基として具体的には、ピリ
ジルオキシ基、ピリミジルオキシ基、インドリルオキシ
基、ベンゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオ
キシ基、フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリ
ルオキシ基、イニダゾリルオキシ基フリルチオ基、チエ
ニルチオ基、ピラゾリルチオ基、イニダゾリルチオ基等
が挙げられる。R10として好ましくはピリジルオキシ
基、チエニルオキシ基である。
【0127】Xは水素原子、アルキル基、カルバモイル
基またはオキシカルボニル基を表す。Xは水素原子であ
るのが好ましい。R9とR10とが結合して5員から7員
の環を形成してもよい。具体的化合物としては、例え
ば、米国特許第5,545,507号に開示された化合
物が挙げられる。
基またはオキシカルボニル基を表す。Xは水素原子であ
るのが好ましい。R9とR10とが結合して5員から7員
の環を形成してもよい。具体的化合物としては、例え
ば、米国特許第5,545,507号に開示された化合
物が挙げられる。
【0128】一般式(C)で表される化合物について説
明する。一般式(C)において、R 11はアルキル基、ア
ルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ、アミド基、
アリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリー
ルチオ基、アニリノ基または複素環基を表すがアリール
基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基であるの
が好ましい。より好ましくは複素環オキシ基、複素環チ
オ基である。複素環オキシ基として具体的には、ピリジ
ルオキシ基、ピリミジルオキシ基、インドリルオキシ
基、ベンゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオ
キシ基、フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリ
ルオキシ基、イニダゾリルオキシ基等が挙げられる。複
素環チオ基として具体的にはピリジルチオ基、ピリミジ
ルチオ基、インドリルチオ基、ベンゾチアゾリルチオ
基、ベンズイミダゾリルチオ基、フリルチオ基、チエニ
ルチオ基、ピラゾリルチオ基、イニダゾリルチオ基等が
挙げられる。R11として好ましくはピリジルオキシ基、
チエニルオキシ基である。具体的化合物としては例えば
米国特許第5,558,983号に開示された化合物が
挙げられる。
明する。一般式(C)において、R 11はアルキル基、ア
ルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ、アミド基、
アリール基、アラルキル基、アリールオキシ基、アリー
ルチオ基、アニリノ基または複素環基を表すがアリール
基、複素環基、複素環オキシ基、複素環チオ基であるの
が好ましい。より好ましくは複素環オキシ基、複素環チ
オ基である。複素環オキシ基として具体的には、ピリジ
ルオキシ基、ピリミジルオキシ基、インドリルオキシ
基、ベンゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオ
キシ基、フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリ
ルオキシ基、イニダゾリルオキシ基等が挙げられる。複
素環チオ基として具体的にはピリジルチオ基、ピリミジ
ルチオ基、インドリルチオ基、ベンゾチアゾリルチオ
基、ベンズイミダゾリルチオ基、フリルチオ基、チエニ
ルチオ基、ピラゾリルチオ基、イニダゾリルチオ基等が
挙げられる。R11として好ましくはピリジルオキシ基、
チエニルオキシ基である。具体的化合物としては例えば
米国特許第5,558,983号に開示された化合物が
挙げられる。
【0129】一般式(D)で表される化合物について説
明する。一般式(D)において、R 12はベンツヒドロー
ル核、ジフェニルフォスフィン核、トリフェニルメタン
核、N,N′−ジアルキルピペラジン核、3−ピロロリ
ン核、キサンテン核、9,10−ジヒドロアントラセン
核、9−ヒドロキシフルオレン核、アリル−ベータ−ケ
トエステル核、アルデヒド核、アルキル−ベータ−ケト
エステル核、オキシム核、アミドオキシム核、ベンズア
ルデヒドオキシム核、アセトフェノンオキシム核、カプ
ロラクタムオキシム核、エチルベンゾイルアセテート
核、ピバルデヒド核または、エチルイソブチルアセテー
ト核を表す。具体的化合物としては、例えば、米国特許
第5,637,449号に開示された化合物が挙げられ
る。
明する。一般式(D)において、R 12はベンツヒドロー
ル核、ジフェニルフォスフィン核、トリフェニルメタン
核、N,N′−ジアルキルピペラジン核、3−ピロロリ
ン核、キサンテン核、9,10−ジヒドロアントラセン
核、9−ヒドロキシフルオレン核、アリル−ベータ−ケ
トエステル核、アルデヒド核、アルキル−ベータ−ケト
エステル核、オキシム核、アミドオキシム核、ベンズア
ルデヒドオキシム核、アセトフェノンオキシム核、カプ
ロラクタムオキシム核、エチルベンゾイルアセテート
核、ピバルデヒド核または、エチルイソブチルアセテー
ト核を表す。具体的化合物としては、例えば、米国特許
第5,637,449号に開示された化合物が挙げられ
る。
【0130】以下に本発明の一般式(A)〜(D)で表
される化合物(硬調化剤)の具体例を挙げるが、これら
に限定されない。
される化合物(硬調化剤)の具体例を挙げるが、これら
に限定されない。
【0131】
【化16】
【0132】
【化17】
【0133】
【化18】
【0134】上記硬調化剤の添加量は、銀1モルあたり
1×10-6〜1モルの範囲が好ましく、1×10-5〜5
×10-1モルが特に好ましい。
1×10-6〜1モルの範囲が好ましく、1×10-5〜5
×10-1モルが特に好ましい。
【0135】本発明の熱現像記録材料には、カブリ抑制
のため、酸化剤を含有させることが好ましい。本発明に
用いられる酸化剤は、保存時のカブリを低減するものな
らばどのような酸化剤であってもよい。このような酸化
剤としては、好ましくは、例えば、特開昭50−119
624号、同50−120328号、同51−1213
32号、同54−58022号、同56−70543
号、同56−99335号、同59−90842号、同
61−129642号、同62−129845号、特開
平6−208191号、同7−5621号、同7−27
81号、同8−15809号、米国特許第5,340,
712号、同第5,369,000号、同第5,46
4,737号、同第3,874,946号、同第4,7
56,999号、同第5,340,712号、欧州特許
第605981A1号、同622666A1号、同63
1176A1号、特公昭54−165号、特開平7−2
781号、米国特許第4,180,665号および同第
4,442,202号に記載されている化合物等を用い
ることができるが、好ましくは下記一般式(I)で表さ
れるポリハロゲン化合物である。
のため、酸化剤を含有させることが好ましい。本発明に
用いられる酸化剤は、保存時のカブリを低減するものな
らばどのような酸化剤であってもよい。このような酸化
剤としては、好ましくは、例えば、特開昭50−119
624号、同50−120328号、同51−1213
32号、同54−58022号、同56−70543
号、同56−99335号、同59−90842号、同
61−129642号、同62−129845号、特開
平6−208191号、同7−5621号、同7−27
81号、同8−15809号、米国特許第5,340,
712号、同第5,369,000号、同第5,46
4,737号、同第3,874,946号、同第4,7
56,999号、同第5,340,712号、欧州特許
第605981A1号、同622666A1号、同63
1176A1号、特公昭54−165号、特開平7−2
781号、米国特許第4,180,665号および同第
4,442,202号に記載されている化合物等を用い
ることができるが、好ましくは下記一般式(I)で表さ
れるポリハロゲン化合物である。
【0136】
【化19】
【0137】式中、Aは脂肪族基、芳香族または複素環
基を表し、X1、X2、X3はそれぞれ水素原子、または
ハロゲン原子を表し、同一でも異なっていてもよい。Y
は2価の連結基を表す。nは0または1を表す。
基を表し、X1、X2、X3はそれぞれ水素原子、または
ハロゲン原子を表し、同一でも異なっていてもよい。Y
は2価の連結基を表す。nは0または1を表す。
【0138】本発明において酸化剤の添加量は、銀1モ
ル当たり1×10-4〜1モルであるのが好ましく、1×
10-3〜0.5モルであるのがより好ましい。
ル当たり1×10-4〜1モルであるのが好ましく、1×
10-3〜0.5モルであるのがより好ましい。
【0139】本発明の熱現像記録材料の画像記録層側の
少なくとも1層には、脂肪酸およびその誘導体を含有さ
せることが好ましく、その脂肪酸しては、例えば、ラウ
リン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、
ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エラ
イジン酸、また、脂肪酸エステルとしては、例えば、ス
テアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸
オクチル、パルミチン酸ブチル、ミリスチン酸ブチル、
ブトキシエチルステアレート、オレイルオレート、ステ
アリン酸ブトキシエチルが挙げられる。
少なくとも1層には、脂肪酸およびその誘導体を含有さ
せることが好ましく、その脂肪酸しては、例えば、ラウ
リン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、
ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エラ
イジン酸、また、脂肪酸エステルとしては、例えば、ス
テアリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸
オクチル、パルミチン酸ブチル、ミリスチン酸ブチル、
ブトキシエチルステアレート、オレイルオレート、ステ
アリン酸ブトキシエチルが挙げられる。
【0140】熱現像記録材料の支持体としては、紙、ポ
リエチレンを被覆した紙、ポリプロピレンを被覆した
紙、羊皮紙、布、金属(例、アルミニウム、銅、マグネ
シウム、亜鉛)のシートまたは薄膜、ガラス、金属
(例、クロム合金、スチール、銀、金、白金)で被覆し
たガラスおよびプラスチックフィルムが用いられる。支
持体の用いられるプラスチックの例には、ポリアルキル
メタクリレート(例、ポリメチルメタクリレート)、ポ
リエステル(例、ポリエチレンテレフタレート)、ポリ
ビニルアセタール、ポリアミド(例、ナイロン)および
セルロースエステル(例、セルロースニトレート、セル
ロースアセテート、セルロース、アセテートプロピオネ
ート、セルロースアセテートブチレート)が含まれる。
支持体を、ポリマーで被覆してもよい。ポリマーの例に
は、ポリ塩化ビニリデン、アクリル酸系ポリマー(例、
ポリアクリロニトリル、メチルアクリレート)不飽和ジ
カルボン酸(例、イタコン酸、アクリル酸)のポリマ
ー、カルボキシメチルセルロースおよびポリアクリルア
ミドが含まれる。コポリマーを用いてもよい。ポリマー
で被覆する代わりに、ポリマーを含む下塗り層を設けて
もよい。支持体の寸法特性を向上させるには、支持体を
低張力下でアニール処理を行なうことが有効である。例
えば、特公昭60−22616号、米国特許第2,77
9,684号、RD第19809、特開平8−2115
47号、同10−10676号、同10−10677
号、同11−47676号、同11−65025号、同
11−138628号、同11−138648号、同1
1−221892号、同11−333922号、同11
−333923号等に記載された公知の方法を適宜組み
合わせることが好ましい。支持体の熱処理時、好ましく
は下塗り層塗布時の張力は0.4〜80N/cm2、よ
り好ましくは2〜60N/cm2、さらに好ましくは1
0〜50N/cm2である。熱処理温度あるいは乾燥温
度は、70〜220℃、より好ましくは80〜200℃
であり、さらに好ましくは90〜190℃である。熱処
理時間あるいは乾燥時間は、1〜30分が好ましく、よ
り好ましくは2〜20分であり、さらに好ましくは3〜
15分である。
リエチレンを被覆した紙、ポリプロピレンを被覆した
紙、羊皮紙、布、金属(例、アルミニウム、銅、マグネ
シウム、亜鉛)のシートまたは薄膜、ガラス、金属
(例、クロム合金、スチール、銀、金、白金)で被覆し
たガラスおよびプラスチックフィルムが用いられる。支
持体の用いられるプラスチックの例には、ポリアルキル
メタクリレート(例、ポリメチルメタクリレート)、ポ
リエステル(例、ポリエチレンテレフタレート)、ポリ
ビニルアセタール、ポリアミド(例、ナイロン)および
セルロースエステル(例、セルロースニトレート、セル
ロースアセテート、セルロース、アセテートプロピオネ
ート、セルロースアセテートブチレート)が含まれる。
支持体を、ポリマーで被覆してもよい。ポリマーの例に
は、ポリ塩化ビニリデン、アクリル酸系ポリマー(例、
ポリアクリロニトリル、メチルアクリレート)不飽和ジ
カルボン酸(例、イタコン酸、アクリル酸)のポリマ
ー、カルボキシメチルセルロースおよびポリアクリルア
ミドが含まれる。コポリマーを用いてもよい。ポリマー
で被覆する代わりに、ポリマーを含む下塗り層を設けて
もよい。支持体の寸法特性を向上させるには、支持体を
低張力下でアニール処理を行なうことが有効である。例
えば、特公昭60−22616号、米国特許第2,77
9,684号、RD第19809、特開平8−2115
47号、同10−10676号、同10−10677
号、同11−47676号、同11−65025号、同
11−138628号、同11−138648号、同1
1−221892号、同11−333922号、同11
−333923号等に記載された公知の方法を適宜組み
合わせることが好ましい。支持体の熱処理時、好ましく
は下塗り層塗布時の張力は0.4〜80N/cm2、よ
り好ましくは2〜60N/cm2、さらに好ましくは1
0〜50N/cm2である。熱処理温度あるいは乾燥温
度は、70〜220℃、より好ましくは80〜200℃
であり、さらに好ましくは90〜190℃である。熱処
理時間あるいは乾燥時間は、1〜30分が好ましく、よ
り好ましくは2〜20分であり、さらに好ましくは3〜
15分である。
【0141】本発明における層構成の好ましい例として
は、支持体の一方の面上に下塗り層を設け、その上に画
像記録層を設け、さらにその上に表面保護層を設ける。
下塗り層(画像記録層側)は2層以上からなることが好
ましく、下塗り層の総乾燥膜厚は、0.2〜5μmが好
ましく、0.5〜3μmであることがより好ましい。画
像記録層の乾燥膜厚は、5〜13μmであることが好ま
しく、7〜11μmであることがより好ましい。表面保
護層の乾燥膜厚は、2〜10μmであることが好まし
く、4〜8μmであることがより好ましい。表面保護層
にはマット剤を含有することが好ましい。マット剤の平
均粒径は1〜10μmが好ましく、3〜7μmであるこ
とがより好ましい。マット剤としては、公知のフィラー
が使用できるが、ポリメチルメタクリレート等の有機質
粉末を使用することが好ましい。
は、支持体の一方の面上に下塗り層を設け、その上に画
像記録層を設け、さらにその上に表面保護層を設ける。
下塗り層(画像記録層側)は2層以上からなることが好
ましく、下塗り層の総乾燥膜厚は、0.2〜5μmが好
ましく、0.5〜3μmであることがより好ましい。画
像記録層の乾燥膜厚は、5〜13μmであることが好ま
しく、7〜11μmであることがより好ましい。表面保
護層の乾燥膜厚は、2〜10μmであることが好まし
く、4〜8μmであることがより好ましい。表面保護層
にはマット剤を含有することが好ましい。マット剤の平
均粒径は1〜10μmが好ましく、3〜7μmであるこ
とがより好ましい。マット剤としては、公知のフィラー
が使用できるが、ポリメチルメタクリレート等の有機質
粉末を使用することが好ましい。
【0142】支持体を挟んで画像記録層とは反対側の面
上に下塗り層を設け、その上にバックコート層を設け、
さらにその上にバックコート表面保護層を設けることが
好ましい。下塗り層(バックコート層側)は2層以上か
らなることが好ましく、支持体に最も近い下塗り層は、
導電性の金属酸化物および/または導電性ポリマーを含
有する帯電防止層であることが好ましい。導電性の金属
酸化物としては、Sbで表面処理されたSnO2が、導
電性ポリマーとしてはポリアニリンが好ましい。下塗り
層の総乾燥膜厚は、0.2〜4μmが好ましく、0.5
〜2μmであることがより好ましい。バックコート層の
乾燥膜厚は2〜10μmであることが好ましく、4〜8
μmであることがより好ましい。バックコート層にはア
ンチハレーション染料を含むことが好ましい。バックコ
ート表面保護層の乾燥膜厚は、2〜10μmであること
が好ましく、4〜8μmであることがより好ましい。バ
ックコート表面保護層にはマット剤を含有することが好
ましい。マット剤としては、公知のフィラーが使用でき
るが、ポリメチルメタクリレート等の有機質粉末を使用
することが好ましい。マット剤の平均粒径は1〜10μ
mが好ましく、3〜7μmであることがより好ましい。
上記の層構成、膜厚構成をとることで本発明の効果をよ
りよく発揮することができる。
上に下塗り層を設け、その上にバックコート層を設け、
さらにその上にバックコート表面保護層を設けることが
好ましい。下塗り層(バックコート層側)は2層以上か
らなることが好ましく、支持体に最も近い下塗り層は、
導電性の金属酸化物および/または導電性ポリマーを含
有する帯電防止層であることが好ましい。導電性の金属
酸化物としては、Sbで表面処理されたSnO2が、導
電性ポリマーとしてはポリアニリンが好ましい。下塗り
層の総乾燥膜厚は、0.2〜4μmが好ましく、0.5
〜2μmであることがより好ましい。バックコート層の
乾燥膜厚は2〜10μmであることが好ましく、4〜8
μmであることがより好ましい。バックコート層にはア
ンチハレーション染料を含むことが好ましい。バックコ
ート表面保護層の乾燥膜厚は、2〜10μmであること
が好ましく、4〜8μmであることがより好ましい。バ
ックコート表面保護層にはマット剤を含有することが好
ましい。マット剤としては、公知のフィラーが使用でき
るが、ポリメチルメタクリレート等の有機質粉末を使用
することが好ましい。マット剤の平均粒径は1〜10μ
mが好ましく、3〜7μmであることがより好ましい。
上記の層構成、膜厚構成をとることで本発明の効果をよ
りよく発揮することができる。
【0143】本発明の熱現像感光材料は、画像記録層、
画像記録保護層、およびその他の層に、前記以外の当技
術分野で公知の各種の添加剤、例えば色調剤、界面活性
剤、酸化防止剤、安定化剤、可塑剤、紫外線吸収剤、被
覆助剤当を添加してもよい。
画像記録保護層、およびその他の層に、前記以外の当技
術分野で公知の各種の添加剤、例えば色調剤、界面活性
剤、酸化防止剤、安定化剤、可塑剤、紫外線吸収剤、被
覆助剤当を添加してもよい。
【0144】本発明の熱現像感光材料の露光には公知の
技術を適用できる。例えば、アルゴンイオンレーザー
(488nm)、He−Neレーザー(633nm)、
赤色半導体レーザー(670nm)、赤外半導体レーザ
ー(780nm、820nm)等のレーザーが好ましく
用いられる。
技術を適用できる。例えば、アルゴンイオンレーザー
(488nm)、He−Neレーザー(633nm)、
赤色半導体レーザー(670nm)、赤外半導体レーザ
ー(780nm、820nm)等のレーザーが好ましく
用いられる。
【0145】本発明の熱現像感光材料の熱現像は、加熱
温度としては80℃以上200℃以下が好ましく、さら
に好ましいのは100℃以上150℃以下である。加熱
温度が80℃以下では短時間に十分な画像濃度が得られ
ず、又200℃以上ではバインダーが溶融し、ローラー
への転写など、画像そのものだけでなく搬送性や、現像
機等へも悪影響を及ぼす。
温度としては80℃以上200℃以下が好ましく、さら
に好ましいのは100℃以上150℃以下である。加熱
温度が80℃以下では短時間に十分な画像濃度が得られ
ず、又200℃以上ではバインダーが溶融し、ローラー
への転写など、画像そのものだけでなく搬送性や、現像
機等へも悪影響を及ぼす。
【0146】本発明の熱現像感光材料の熱現像におい
て、搬送方式の熱現像機を用い、搬送速度が22mm/
秒以上40mm/秒以下で熱現像することが本発明の目
的をより高度に達成できる点から好ましい。
て、搬送方式の熱現像機を用い、搬送速度が22mm/
秒以上40mm/秒以下で熱現像することが本発明の目
的をより高度に達成できる点から好ましい。
【0147】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【0148】実施例1 (下塗済みPET支持体の作製)市販の2軸延伸熱固定
済みの厚さ125μmのポリエチレンテレフタレート
(PET)フィルムを用い180℃、張力1.47×1
05Pa(=1.5kg/cm2)で1分間の搬送熱処理
を行なった。このPETフィルムのヤング率はMD方向
が750kg/mm2、TD方向が740kg/mm2で
あった。この両面に8W/m2・分のコロナ放電処理を
施し、一方の面に下記下塗り塗布液a−1を乾燥膜厚
0.8μmになるように塗布、乾燥して下塗り層A−1
とし、また反対側の面に下記帯電防止加工した下塗り塗
布液b−1を乾燥膜厚0.8μmになるように塗布、乾
燥して帯電防止加工下塗り層B−1とした。 (下塗り塗布液a−1) ブチルアクリレート(30質量%)、tert−ブチルアクリレート (20質量%)、スチレン(25質量%)、 2−ヒドロキシエチルアクリレート(25質量%) の共重合体ラテックス液(固形分30%) 270g 界面活性剤(C−1) 0.6g ヘキサメチレン−1,6−ビス(エチレンウレア) 0.8g ポリスチレン微粒子(平均粒径3μm) 0.05g コロイダルシリカ(平均粒径90nm) 0.1g 水で1lに仕上げる (下塗り塗布液b−1) SnO2/Sb(9/1質量比、平均粒径0.18μm) 120g ブチルアクリレート(30質量%)、スチレン(20質量%)、 グリシジルアクリレート(40質量%)の共重合体ラテックス液 (固形分30%) 270g 界面活性剤(C−1) 0.6g ヘキサメチレン−1,6−ビス(エチレンウレア) 0.8g 水で1lに仕上げる。
済みの厚さ125μmのポリエチレンテレフタレート
(PET)フィルムを用い180℃、張力1.47×1
05Pa(=1.5kg/cm2)で1分間の搬送熱処理
を行なった。このPETフィルムのヤング率はMD方向
が750kg/mm2、TD方向が740kg/mm2で
あった。この両面に8W/m2・分のコロナ放電処理を
施し、一方の面に下記下塗り塗布液a−1を乾燥膜厚
0.8μmになるように塗布、乾燥して下塗り層A−1
とし、また反対側の面に下記帯電防止加工した下塗り塗
布液b−1を乾燥膜厚0.8μmになるように塗布、乾
燥して帯電防止加工下塗り層B−1とした。 (下塗り塗布液a−1) ブチルアクリレート(30質量%)、tert−ブチルアクリレート (20質量%)、スチレン(25質量%)、 2−ヒドロキシエチルアクリレート(25質量%) の共重合体ラテックス液(固形分30%) 270g 界面活性剤(C−1) 0.6g ヘキサメチレン−1,6−ビス(エチレンウレア) 0.8g ポリスチレン微粒子(平均粒径3μm) 0.05g コロイダルシリカ(平均粒径90nm) 0.1g 水で1lに仕上げる (下塗り塗布液b−1) SnO2/Sb(9/1質量比、平均粒径0.18μm) 120g ブチルアクリレート(30質量%)、スチレン(20質量%)、 グリシジルアクリレート(40質量%)の共重合体ラテックス液 (固形分30%) 270g 界面活性剤(C−1) 0.6g ヘキサメチレン−1,6−ビス(エチレンウレア) 0.8g 水で1lに仕上げる。
【0149】引き続き、下塗り層A−1及び下塗り層B
−1の各上表面に、8W/m2・分のコロナ放電を施
し、下塗り層A−1の上には、下記下塗り上層塗布液a
−2を乾燥膜厚0.9μmになる様に下塗り層A−2と
して塗設し、下塗り層B−1の上には下記下塗り上層塗
布液b−2を乾燥膜厚0.2μmになる様に帯電防止機
能をもつ下塗り層B−2として塗設した。 (下塗り上層塗布液a−2) バインダー(表1中のE) 50g 界面活性剤(C−1) 0.2g 界面活性剤(C−2) 0.2g 架橋剤(C−3) 0.1g シリカ粒子(平均粒径3μm) 2.0g 水で1lに仕上げる。 (下塗り上層塗布液b−2) ポリマー(C−4) 60g (C−5)を成分とするラテックス液(固形分20%) 80g 硫酸アンモニウム 0.5g 架橋剤(C−6) 12g ポリエチレングリコール(重量平均分子量600) 6g 水で1lに仕上げる
−1の各上表面に、8W/m2・分のコロナ放電を施
し、下塗り層A−1の上には、下記下塗り上層塗布液a
−2を乾燥膜厚0.9μmになる様に下塗り層A−2と
して塗設し、下塗り層B−1の上には下記下塗り上層塗
布液b−2を乾燥膜厚0.2μmになる様に帯電防止機
能をもつ下塗り層B−2として塗設した。 (下塗り上層塗布液a−2) バインダー(表1中のE) 50g 界面活性剤(C−1) 0.2g 界面活性剤(C−2) 0.2g 架橋剤(C−3) 0.1g シリカ粒子(平均粒径3μm) 2.0g 水で1lに仕上げる。 (下塗り上層塗布液b−2) ポリマー(C−4) 60g (C−5)を成分とするラテックス液(固形分20%) 80g 硫酸アンモニウム 0.5g 架橋剤(C−6) 12g ポリエチレングリコール(重量平均分子量600) 6g 水で1lに仕上げる
【0150】
【化20】
【0151】
【化21】
【0152】(支持体の熱処理)上記の下塗済み支持体
の下塗乾燥工程において、支持体を140℃で加熱し、
その後徐々に冷却した。 (ハロゲン化銀乳剤Aの調製)水900ml中にイナー
トゼラチン7.5g及び臭化カリウム10mgを溶解し
て温度35℃、pHを3.0に合わせた後、硝酸銀74
gを含む水溶液370mlと(60/38/2)のモル
比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃化カリウムを含
む水溶液及び〔Ir(NO)Cl5〕塩を銀1モル当た
り1×10-6モル及び塩化ロジウム塩を銀1モル当たり
1×10-6モルを、pAg7.7に保ちながらコントロ
ールドダブルジェット法で添加した。その後4−ヒドロ
キシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデ
ンを添加し、NaOHでpHを8.0、pAg6.5に
調整することで還元増感を行い、平均粒径0.06μ
m、粒径分布の変動係数10%、投影直径面積の変動係
数8%、〔100〕面比率87%の立方体沃臭化銀粒子
を有するハロゲン化銀乳剤を得、この乳剤にゼラチン凝
集剤を用いて凝集沈降させ脱塩処理を行いハロゲン化銀
乳剤Aを得た。 (ベヘン酸Na溶液の調製)945mlの純水にベヘン
酸32.4g、アラキジン酸9.9g、ステアリン酸
5.6gを90℃で溶解した。次に高速で攪拌しながら
1.5モル/リットルの水酸化ナトリウム水溶液98m
lを添加した。次に濃硝酸0.93mlを加えた後、5
5℃に冷却して30分攪拌させてベヘン酸Na溶液を得
た。 (ベヘン酸銀とハロゲン化銀乳剤Aのプレフォーム乳剤
の調製)上記のベヘン酸Na溶液に前記ハロゲン化銀乳
剤Aを1.51g添加し、水酸化ナトリウム溶液でpH
8.1に調整した後に1モル/リットルの硝酸銀溶液1
47mlを7分間かけて加え、さらに20分攪拌し、限
外濾過により水溶性塩類を除去した。得られたベヘン酸
銀は平均粒径0.8μm、粒径分布の変動係数8%の粒
子であった。この分散物のフロックを形成後、水を取り
除き、更に6回の水洗と水の除去を行った後乾燥させプ
レフォーム乳剤を得た。 (感光性乳剤Aの調製)上記プレフォーム乳剤に、−S
O3Na含有ポリビニルブチラール樹脂のメチルエチル
ケトン/トルエン溶液(17質量%)544gとトルエ
ン107gを徐々に添加して混合した後に、0.5mm
サイズのZrO2のビーズミルを用いたメディア分散機
で4000psiで30℃、10分間の分散を行い感光
性乳剤Aを作製した。 (熱現像感光材料試料の作製)前記支持体上に以下の各
層を両面同時塗布し、熱現像感光材料試料を作製した。
なお、乾燥は60℃、15分間で行った。 (バック面側塗布)支持体の下塗り層B−2の上に下記
組成のバックコート層塗布液を乾燥膜厚が6μm、バッ
ク層表面保護層塗布液を乾燥膜厚が3.5μmとなるよ
うに同時塗布した。 (バックコート層塗布液) セルロースアセテートブチレート 15g (10%メチルエチルケトン溶液) 染料−A 0.007g 染料−B 0.007g マット剤:粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmの単分散シリカ 0.09g マット剤:粒径分布の変動係数15%、平均粒径15μmの単分散シリカ 0.02g C8F17(CH2CH2O)12C8F17 0.05g C9F17−C6H4−SO3Na 0.01g ステアリン酸 0.1g
の下塗乾燥工程において、支持体を140℃で加熱し、
その後徐々に冷却した。 (ハロゲン化銀乳剤Aの調製)水900ml中にイナー
トゼラチン7.5g及び臭化カリウム10mgを溶解し
て温度35℃、pHを3.0に合わせた後、硝酸銀74
gを含む水溶液370mlと(60/38/2)のモル
比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃化カリウムを含
む水溶液及び〔Ir(NO)Cl5〕塩を銀1モル当た
り1×10-6モル及び塩化ロジウム塩を銀1モル当たり
1×10-6モルを、pAg7.7に保ちながらコントロ
ールドダブルジェット法で添加した。その後4−ヒドロ
キシ−6−メチル−1,3,3a,7−テトラザインデ
ンを添加し、NaOHでpHを8.0、pAg6.5に
調整することで還元増感を行い、平均粒径0.06μ
m、粒径分布の変動係数10%、投影直径面積の変動係
数8%、〔100〕面比率87%の立方体沃臭化銀粒子
を有するハロゲン化銀乳剤を得、この乳剤にゼラチン凝
集剤を用いて凝集沈降させ脱塩処理を行いハロゲン化銀
乳剤Aを得た。 (ベヘン酸Na溶液の調製)945mlの純水にベヘン
酸32.4g、アラキジン酸9.9g、ステアリン酸
5.6gを90℃で溶解した。次に高速で攪拌しながら
1.5モル/リットルの水酸化ナトリウム水溶液98m
lを添加した。次に濃硝酸0.93mlを加えた後、5
5℃に冷却して30分攪拌させてベヘン酸Na溶液を得
た。 (ベヘン酸銀とハロゲン化銀乳剤Aのプレフォーム乳剤
の調製)上記のベヘン酸Na溶液に前記ハロゲン化銀乳
剤Aを1.51g添加し、水酸化ナトリウム溶液でpH
8.1に調整した後に1モル/リットルの硝酸銀溶液1
47mlを7分間かけて加え、さらに20分攪拌し、限
外濾過により水溶性塩類を除去した。得られたベヘン酸
銀は平均粒径0.8μm、粒径分布の変動係数8%の粒
子であった。この分散物のフロックを形成後、水を取り
除き、更に6回の水洗と水の除去を行った後乾燥させプ
レフォーム乳剤を得た。 (感光性乳剤Aの調製)上記プレフォーム乳剤に、−S
O3Na含有ポリビニルブチラール樹脂のメチルエチル
ケトン/トルエン溶液(17質量%)544gとトルエ
ン107gを徐々に添加して混合した後に、0.5mm
サイズのZrO2のビーズミルを用いたメディア分散機
で4000psiで30℃、10分間の分散を行い感光
性乳剤Aを作製した。 (熱現像感光材料試料の作製)前記支持体上に以下の各
層を両面同時塗布し、熱現像感光材料試料を作製した。
なお、乾燥は60℃、15分間で行った。 (バック面側塗布)支持体の下塗り層B−2の上に下記
組成のバックコート層塗布液を乾燥膜厚が6μm、バッ
ク層表面保護層塗布液を乾燥膜厚が3.5μmとなるよ
うに同時塗布した。 (バックコート層塗布液) セルロースアセテートブチレート 15g (10%メチルエチルケトン溶液) 染料−A 0.007g 染料−B 0.007g マット剤:粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmの単分散シリカ 0.09g マット剤:粒径分布の変動係数15%、平均粒径15μmの単分散シリカ 0.02g C8F17(CH2CH2O)12C8F17 0.05g C9F17−C6H4−SO3Na 0.01g ステアリン酸 0.1g
【0153】
【化22】
【0154】 (バック層表面保護層) セルロースアセテートブチレート 15g (10%メチルエチルケトン溶液) マット剤:粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmの単分散シリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.1g マット剤:粒径分布の変動係数15%、平均粒径15μmの単分散シリカ (シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.04g C8F17(CH2CH2O)12C8F17 0.05g C9F17−C6H4−SO3Na 0.01g ステアリン酸 0.1g (画像記録層面側塗布) (画像記録層)支持体上に設けた下塗り層A−2の上に
下記組成の塗布液を塗布銀量が1.0g/m2、乾燥膜
厚が10.0μmになる様に塗布した。
下記組成の塗布液を塗布銀量が1.0g/m2、乾燥膜
厚が10.0μmになる様に塗布した。
【0155】 感光性乳剤A 240g 増感色素A(0.1%メタノール溶液) 1.7ml 染料−A 0.07g ピリジニウムプロミドペルブロミド(6%メタノール溶液) 3ml 臭化カルシウム(0.1%メタノール溶液) 1.7ml 酸化剤−1(10%メタノール溶液) 1.2ml 2−4−クロロベンゾイル安息香酸(12%メタノール溶液)9.2ml 2−メルカプトベンゾイミダゾール(1%メタノール溶液) 11ml バインダー1(表1に記載) 表1に記載の量 トリブロモメチルスルホキノリン(5%メタノール溶液) 17ml 化合物A 0.1g 化合物B 0.1g 化合物C 0.1g ヒドラジン誘導体(表1に記載の化合物) 0.4g 硬調化剤(ヒドラジン誘導体以外の、表1に記載の化合物) 0.3g フタラジン 0.6g 4−メチルフタル酸 0.25g テトラクロロフタル酸 0.2g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmの単分散シリカ、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.3g 還元剤−1(20%メタノール溶液) 20.5ml イソシアネート化合物 0.5g (モーベイ社製、Desmodur N3300) ステアリン酸 0.5g ステアリン酸ブチル 0.5g α−アルミナ(モース硬度9) 0.5g
【0156】
【化23】
【0157】
【化24】
【0158】(画像記録保護層)下記組成の塗布液を画
像記録層の上に乾燥膜厚が6μmとなるよう画像記録層
塗布液と同時塗布した。
像記録層の上に乾燥膜厚が6μmとなるよう画像記録層
塗布液と同時塗布した。
【0159】 アセトン 5g メチルエチルケトン 21g バインダー2(表1に記載) 表1に記載の量 メタノール 7g フタラジン 0.25g 還元剤−1(20%メタノール溶液) 10g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmの単分散シリカ、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理したもの)0.2g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径20μmの単分散シリカ、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理したもの) 0.04g CH2=CHSO2CH2CH2OCH2CH2SO2CH=CH2 0.035g C12F25(CH2CH2O)10C12F25 0.01g C8F17−C6H4−SO3Na 0.01g ステアリン酸 0.1g ステアリン酸ブチル 0.1g α−アルミナ(モース硬度9) 0.1g 塗膜形成した熱現像感光材料試料について、バインダー
を除去した後に、レプリカ法で電子顕微鏡観察して測定
したところ、有機銀塩粒子は、長軸径0.5±0.05
μm、短軸径0.4±0.05μm、厚み0.01μm
の平板状粒子が全有機銀塩粒子の90%、粒径分布の変
動係数5%の粒子であった。
を除去した後に、レプリカ法で電子顕微鏡観察して測定
したところ、有機銀塩粒子は、長軸径0.5±0.05
μm、短軸径0.4±0.05μm、厚み0.01μm
の平板状粒子が全有機銀塩粒子の90%、粒径分布の変
動係数5%の粒子であった。
【0160】上記熱現像感光材料試料を、暗室内で30
cm幅で50mの長さに切断して内径10cmのボール
紙でできたコアに巻き付けロール形状とした。さらに暗
室内で、作製した試料を60cm×2mの包装材料で巻
いた。
cm幅で50mの長さに切断して内径10cmのボール
紙でできたコアに巻き付けロール形状とした。さらに暗
室内で、作製した試料を60cm×2mの包装材料で巻
いた。
【0161】実施例2 (ハロゲン化銀乳剤Bの調製)水700mlにフタル化
ゼラチン22gおよび臭化カリウム30mgを溶解して
温度40℃にてpHを5.0に合わせた後、硝酸銀1
8.6gを含む水溶液159mlと臭化カリウムを含む
水溶液をpAg7.7に保ちながらコントロールダブル
ジェット法で60分間かけて添加した。ついで硝酸銀5
5.4gを含む水溶液476mlとK3〔IrCl6〕3
を8×10-6モル/リットルと臭化カリウムを1モル/
リットル含む水溶液をpAg7.7に保ちながらコント
ロールダブルジェット法で30分かけて添加した。その
後pH5.9、pAg8.0に調整した。得られたハロ
ゲン化銀粒子は、平均粒径0.07μm、投影面積直径
の変動係数8%、(100)面積率86%の立方体粒子
であった。上記のハロゲン化銀乳剤Bを温度60℃に昇
温して、銀1モル当たり8.5×10-5モルのチオ硫酸
ナトリウム、1.1×10-5モルの2,3,4,5,6
−ペンタフロロフェニルジフェニルスルフィンセレニ
ド、2×10-6モルの下記テルル化合物−1、3.3×
10-6モルの塩化金酸、2.3×10-4モルのチオシア
ン酸を添加して、120分間熟成した。その後、温度を
50℃にして8×10-4モルの下記増感色素Bを攪拌し
ながら添加し、更に、3.5×10-2モルの沃化カリウ
ムを添加して30分間攪拌し、30℃に急冷してハロゲ
ン化銀粒子の調製を完了した。
ゼラチン22gおよび臭化カリウム30mgを溶解して
温度40℃にてpHを5.0に合わせた後、硝酸銀1
8.6gを含む水溶液159mlと臭化カリウムを含む
水溶液をpAg7.7に保ちながらコントロールダブル
ジェット法で60分間かけて添加した。ついで硝酸銀5
5.4gを含む水溶液476mlとK3〔IrCl6〕3
を8×10-6モル/リットルと臭化カリウムを1モル/
リットル含む水溶液をpAg7.7に保ちながらコント
ロールダブルジェット法で30分かけて添加した。その
後pH5.9、pAg8.0に調整した。得られたハロ
ゲン化銀粒子は、平均粒径0.07μm、投影面積直径
の変動係数8%、(100)面積率86%の立方体粒子
であった。上記のハロゲン化銀乳剤Bを温度60℃に昇
温して、銀1モル当たり8.5×10-5モルのチオ硫酸
ナトリウム、1.1×10-5モルの2,3,4,5,6
−ペンタフロロフェニルジフェニルスルフィンセレニ
ド、2×10-6モルの下記テルル化合物−1、3.3×
10-6モルの塩化金酸、2.3×10-4モルのチオシア
ン酸を添加して、120分間熟成した。その後、温度を
50℃にして8×10-4モルの下記増感色素Bを攪拌し
ながら添加し、更に、3.5×10-2モルの沃化カリウ
ムを添加して30分間攪拌し、30℃に急冷してハロゲ
ン化銀粒子の調製を完了した。
【0162】
【化25】
【0163】(有機銀塩微結晶分散物の調製)ベヘン酸
40g、ステアリン酸7.3g、蒸留水500mlを9
0℃で15分間混合し、激しく攪拌しながら1モル/リ
ットルのNaOH水溶液187mlを15分かけて添加
し、1モル/リットルの硝酸水溶液61mlを添加して
50℃に降温した。次に、1モル/リットルの硝酸銀水
溶液124mlを添加してそのまま30分間攪拌した。
その後、吸引濾過で固形分を濾過し、濾水の電気伝導度
が30μS/cmになるまで固形分を水洗した。こうし
て得られた固形分は、乾燥させないでウェットケーキと
して取り扱い、乾燥固形分34.8g相当のウェットケ
ーキに対して、ポリビニルアルコール12gおよび水1
50mlを添加し、良く混合してスラリーとした。平均
直径0.5mmのジルコニアビーズ840gを用意して
スラリーと一緒にベッセルに入れ、分散機(1/4G−
サンドグラインダーミル:アイメックス(株)製)にて
5時間分散し、体積加重平均1.5μmの有機銀塩微結
晶分散物を得た。粒子サイズの測定は、Malvern
Instruments Ltd.製MasterS
aizerXで行った。 (素材固体微粒子分散物の調製)テトラクロロフタル
酸、4−メチルフタル酸、1,1−ビス(2−ヒドロキ
シ−3,5−ジメチルフェニル)−3,5,5−トリメ
チルヘキサン、フタラジン、およびトリブロモメチルス
ルホキノリンのそれぞれについて固体微粒子分散物を調
製した。
40g、ステアリン酸7.3g、蒸留水500mlを9
0℃で15分間混合し、激しく攪拌しながら1モル/リ
ットルのNaOH水溶液187mlを15分かけて添加
し、1モル/リットルの硝酸水溶液61mlを添加して
50℃に降温した。次に、1モル/リットルの硝酸銀水
溶液124mlを添加してそのまま30分間攪拌した。
その後、吸引濾過で固形分を濾過し、濾水の電気伝導度
が30μS/cmになるまで固形分を水洗した。こうし
て得られた固形分は、乾燥させないでウェットケーキと
して取り扱い、乾燥固形分34.8g相当のウェットケ
ーキに対して、ポリビニルアルコール12gおよび水1
50mlを添加し、良く混合してスラリーとした。平均
直径0.5mmのジルコニアビーズ840gを用意して
スラリーと一緒にベッセルに入れ、分散機(1/4G−
サンドグラインダーミル:アイメックス(株)製)にて
5時間分散し、体積加重平均1.5μmの有機銀塩微結
晶分散物を得た。粒子サイズの測定は、Malvern
Instruments Ltd.製MasterS
aizerXで行った。 (素材固体微粒子分散物の調製)テトラクロロフタル
酸、4−メチルフタル酸、1,1−ビス(2−ヒドロキ
シ−3,5−ジメチルフェニル)−3,5,5−トリメ
チルヘキサン、フタラジン、およびトリブロモメチルス
ルホキノリンのそれぞれについて固体微粒子分散物を調
製した。
【0164】テトラクロロフタル酸の固体微粒子分散物
の調整:ヒドロキシプロピルセルロース0.81gと水
94.2mlとを添加して良く攪拌してスラリーとして
10時間放置した。その後、平均直径0.5mmのジル
コニアビーズを100mlとスラリーとを一緒にベッセ
ルに入れて有機酸銀微結晶分散物の調製に用いたものと
同じ型の分散機で5時間分散してテトラクロロフタル酸
の固体微結晶分散物を得た。固体微粒子の粒子サイズは
70質量%が1.0μm以下であった。
の調整:ヒドロキシプロピルセルロース0.81gと水
94.2mlとを添加して良く攪拌してスラリーとして
10時間放置した。その後、平均直径0.5mmのジル
コニアビーズを100mlとスラリーとを一緒にベッセ
ルに入れて有機酸銀微結晶分散物の調製に用いたものと
同じ型の分散機で5時間分散してテトラクロロフタル酸
の固体微結晶分散物を得た。固体微粒子の粒子サイズは
70質量%が1.0μm以下であった。
【0165】その他の素材については所望の平均粒径を
得るために適宜分散剤の使用量および分散時間を変更し
て、それぞれ固体微粒子分散物を得た。 (熱現像感光材料試料の作製)実施例1と同様にして作
製した下塗り済みPET支持体に以下の各層を両面同時
塗布し、熱現像感光材料試料を作製した。なお、乾燥は
60℃、15分間で行なった。 (バック面側塗布)支持体上に設けた下塗り層B−2の
上に下記組成のバックコート層塗布液を乾燥膜厚が6μ
mとなるように、その上にバック層表面保護層塗布液を
乾燥膜厚が3.5μmになるように同時塗布し、乾燥し
た。 (バックコート層塗布液) ポリビニルアルコール(10%水溶液) 15g 染料−A 0.007g 染料−B 0.007g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmの単分散シリカ) 0.09g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径17μmの単分散シリカ) 0.01g ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム 0.05g ステアリン酸 0.1g (バック層表面保護層塗布液) ポリビニルアルコール(10%水溶液) 15g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmのシリカA、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.5g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径15μmのシリカA、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.04g ステアリン酸 0.1g (画像記録層側塗布)支持体に設けた下塗り層A−2の
上に下記組成の塗布液を塗布銀量が1.0g/m2、乾
燥膜厚が10.0μmになる様に塗布した。 (画像記録層塗布液)先に調製した有機銀塩微結晶分散
物に対して下記のバインダーおよび素材を添加して画像
記録層塗布液を調製した。
得るために適宜分散剤の使用量および分散時間を変更し
て、それぞれ固体微粒子分散物を得た。 (熱現像感光材料試料の作製)実施例1と同様にして作
製した下塗り済みPET支持体に以下の各層を両面同時
塗布し、熱現像感光材料試料を作製した。なお、乾燥は
60℃、15分間で行なった。 (バック面側塗布)支持体上に設けた下塗り層B−2の
上に下記組成のバックコート層塗布液を乾燥膜厚が6μ
mとなるように、その上にバック層表面保護層塗布液を
乾燥膜厚が3.5μmになるように同時塗布し、乾燥し
た。 (バックコート層塗布液) ポリビニルアルコール(10%水溶液) 15g 染料−A 0.007g 染料−B 0.007g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmの単分散シリカ) 0.09g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径17μmの単分散シリカ) 0.01g ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム 0.05g ステアリン酸 0.1g (バック層表面保護層塗布液) ポリビニルアルコール(10%水溶液) 15g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmのシリカA、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.5g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径15μmのシリカA、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 0.04g ステアリン酸 0.1g (画像記録層側塗布)支持体に設けた下塗り層A−2の
上に下記組成の塗布液を塗布銀量が1.0g/m2、乾
燥膜厚が10.0μmになる様に塗布した。 (画像記録層塗布液)先に調製した有機銀塩微結晶分散
物に対して下記のバインダーおよび素材を添加して画像
記録層塗布液を調製した。
【0166】 有機酸銀微結晶分散物 0.95モル ハロゲン化銀乳剤B 0.05モル ラクスター3307B(大日本インキ化学工業(株)製 Tg=13℃) 固形分として430g バインダー1(表1に記載) 固形分として表1に記載の量 還元剤−1(20%メタノール溶液) 98g トリブロモメチルスルホニルベンゼン 12g ヒドラジン誘導体(表1に記載の化合物) 1.5g 硬調化剤(ヒドラジン誘導体以外の、表1に記載の化合物) 1.5g フタラジン 9.2g 4−メチルフタル酸 7g テトラクロロフタル酸 5g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmの単分散シリカ、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理) 2.0g ステアリン酸 0.5g ステアリン酸ブチル 0.5g α−アルミナ(モース硬度9) 0.5g (画像記録保護層)下記組成の液を画像記録層の上にな
るよう同時塗布した。
るよう同時塗布した。
【0167】 水 26g バインダー2(表1に記載) 表1に記載の量 フタラジン 0.25g 還元剤−1(20%メタノール溶液) 10g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径5μmのシリカ、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理したもの)0.5g マット剤(粒径分布の変動係数15%、平均粒径20μmのシリカ、 シリカ全質量の1質量%のアルミニウムで表面処理したもの) 0.04g C8F17−C6H4−SO3Na 0.02g ステアリン酸 0.1g ステアリン酸ブチル 0.1g α−アルミナ(モース硬度9) 0.1g 塗膜形成した熱現像感光材料試料を用い、バインダーを
除去した後に、レプリカ法で電子顕微鏡観察して測定し
たところ、有機銀塩粒子は、長軸径0.5±0.05μ
m、短軸径0.4±0.05μm、厚み0.01μmの
平板状粒子が全有機銀塩粒子の90%である粒径分布の
変動係数5%の粒子であった。
除去した後に、レプリカ法で電子顕微鏡観察して測定し
たところ、有機銀塩粒子は、長軸径0.5±0.05μ
m、短軸径0.4±0.05μm、厚み0.01μmの
平板状粒子が全有機銀塩粒子の90%である粒径分布の
変動係数5%の粒子であった。
【0168】作製した熱現像感光材料を、暗室内で30
cm幅で50mの長さに切断して内径10cmのボール
紙でできたコアに巻き付けロール形状の試料を作製し
た。さらに暗室内で作製した試料を60cm×2mの包
装材料で巻いた。 (露光及び現像処理)上記熱現像感光材料を、780n
mの半導体レーザーを搭載したイメージセッター機であ
るサイテックス社製Dolev 2dryを用いて30
0線で5%刻みで露光量変化させるように網点を露光
し、110℃で15秒のプレヒート部を通過させた後、
オーブン中で水平搬送を行ないつつ120℃で15秒の
熱現像を行った。その際、露光及び現像は23℃、50
%RHに調湿した部屋で行った。この時、熱現像処理機
中の最長非接触搬送長は18cmであった。また熱現像
処理機の搬送速度を表2に示す。 (ガンマγ)特性曲線の濃度0.3と3.0を結ぶ直線
の横軸に対する傾きを脚切れを表す階調(γ)とした。 (Dmax)得られた画像の最高濃度部の光学濃度を濃
度計で測定し、Dmaxとした。 (接着性)フィルム上にセロテープ(登録商標)をは
り、碁盤目上に傷を入れ、テープ剥離後にはがれた部分
の面積比率を求め、下記5段階で評価した。
cm幅で50mの長さに切断して内径10cmのボール
紙でできたコアに巻き付けロール形状の試料を作製し
た。さらに暗室内で作製した試料を60cm×2mの包
装材料で巻いた。 (露光及び現像処理)上記熱現像感光材料を、780n
mの半導体レーザーを搭載したイメージセッター機であ
るサイテックス社製Dolev 2dryを用いて30
0線で5%刻みで露光量変化させるように網点を露光
し、110℃で15秒のプレヒート部を通過させた後、
オーブン中で水平搬送を行ないつつ120℃で15秒の
熱現像を行った。その際、露光及び現像は23℃、50
%RHに調湿した部屋で行った。この時、熱現像処理機
中の最長非接触搬送長は18cmであった。また熱現像
処理機の搬送速度を表2に示す。 (ガンマγ)特性曲線の濃度0.3と3.0を結ぶ直線
の横軸に対する傾きを脚切れを表す階調(γ)とした。 (Dmax)得られた画像の最高濃度部の光学濃度を濃
度計で測定し、Dmaxとした。 (接着性)フィルム上にセロテープ(登録商標)をは
り、碁盤目上に傷を入れ、テープ剥離後にはがれた部分
の面積比率を求め、下記5段階で評価した。
【0169】5 剥離部分 0% 4 剥離部分 1〜33% 3 剥離部分 34〜66% 2 剥離部分 67%〜99% 1 剥離部分 100% (熱現像処理時の粉落ちの発生)熱現像処理時の粉落ち
の発生を目視で評価し、5を最良のレベル、1を最悪の
レベルとして5段階評価した。 (PS版焼き付け時の焼きボケの発生)PS版焼き付け
時の焼きボケの発生を目視で評価し、5を最良のレベ
ル、1を最悪のレベルとして5段階評価した。
の発生を目視で評価し、5を最良のレベル、1を最悪の
レベルとして5段階評価した。 (PS版焼き付け時の焼きボケの発生)PS版焼き付け
時の焼きボケの発生を目視で評価し、5を最良のレベ
ル、1を最悪のレベルとして5段階評価した。
【0170】結果を表2に示す。
【0171】
【表1】
【0172】
【表2】
【0173】比率*1:画像記録層中の全バインダー質
量に対するヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセ
ルロースエステル、またはアクリル樹脂の比率(%) 比率*2:画像記録保護層中の全バインダー質量に対す
るヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロース
エステルの比率(%) 表1中、「バインダー1」及び「バインダー2」の欄中
の記号の意味は下記の通りである。%は質量%を示す。 A:セルロースアセテートブチレート(ヒドロキシル基
含有量:1.8%)Tg=141℃ B:セルロースアセテートプロピオネート(ヒドロキシ
ル基含有量:5.0%)Tg=159℃ C:セルロースアセテートブチレート(ヒドロキシル基
含有量:4.8%)Tg=136℃ D:セルロースアセテートプロピオネート(ヒドロキシ
ル基含有量:1.3%)Tg=147℃ E:−SO3Na含有アクリル樹脂(2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート/メチルメタアクリレート=25/
75(モル%)、Tg=70℃) F:ポリメチルメタアクリレート Tg:示差走査熱量測定法(DSC)により求めた値。
量に対するヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセ
ルロースエステル、またはアクリル樹脂の比率(%) 比率*2:画像記録保護層中の全バインダー質量に対す
るヒドロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロース
エステルの比率(%) 表1中、「バインダー1」及び「バインダー2」の欄中
の記号の意味は下記の通りである。%は質量%を示す。 A:セルロースアセテートブチレート(ヒドロキシル基
含有量:1.8%)Tg=141℃ B:セルロースアセテートプロピオネート(ヒドロキシ
ル基含有量:5.0%)Tg=159℃ C:セルロースアセテートブチレート(ヒドロキシル基
含有量:4.8%)Tg=136℃ D:セルロースアセテートプロピオネート(ヒドロキシ
ル基含有量:1.3%)Tg=147℃ E:−SO3Na含有アクリル樹脂(2−ヒドロキシエ
チルメタクリレート/メチルメタアクリレート=25/
75(モル%)、Tg=70℃) F:ポリメチルメタアクリレート Tg:示差走査熱量測定法(DSC)により求めた値。
【0174】
【発明の効果】本発明によれば、接着性に優れ、熱現像
処理時の粉落ちの発生が良好に抑えられ、PS版焼き付
け時に焼きボケの発生がなく、小点再現性に優れる硬調
で、Dmaxの高い熱現像感光材料が得られる
処理時の粉落ちの発生が良好に抑えられ、PS版焼き付
け時に焼きボケの発生がなく、小点再現性に優れる硬調
で、Dmaxの高い熱現像感光材料が得られる
Claims (9)
- 【請求項1】 支持体上に、有機銀塩、ハロゲン化銀、
バインダー、および還元剤を含有する画像記録層を有す
る熱現像記録材料において、該画像記録層上に画像記録
保護層が設けられ、該画像記録層および/または該画像
記録保護層にバインダーの一部としてヒドロキシル基含
有量が4〜20質量%のセルロースエステルを含有する
ことを特徴とする熱現像感光材料。 - 【請求項2】 画像記録層にヒドロキシル基含有量が4
〜20質量%のセルロースエステルを、画像記録層の全
バインダー質量に対して5〜50質量%の比率で含有す
ることを特徴とする請求項1に記載の熱現像感光材料。 - 【請求項3】 画像記録保護層にヒドロキシル基含有量
が4〜20質量%のセルロースエステルを、画像記録保
護層の全バインダー質量に対して5〜50質量%の比率
で含有することを特徴とする請求項1に記載の熱現像感
光材料。 - 【請求項4】 画像記録層にヒドロキシル基含有量が4
〜20質量%のセルロースエステルを該層のバインダー
の10〜70質量%含有し、かつ画像記録保護層にヒド
ロキシル基含有量が4〜20質量%のセルロースエステ
ルを該層のバインダーの10〜70質量%含有すること
を特徴とする請求項1に記載の熱現像感光材料。 - 【請求項5】 画像記録保護層にヒドロキシル基含有量
が0.5〜3質量%の樹脂(A)とヒドロキシル基含有
量が4〜20質量%の樹脂(B)が含まれ、樹脂(A)
/樹脂(B)の質量比率が95/5〜50/50である
ことを特徴とする請求項1〜4に記載の熱現像感光材
料。 - 【請求項6】 画像記録層にアクリル樹脂を含有するこ
とを特徴とする請求項1に記載の熱現像感光材料。 - 【請求項7】 支持体と画像記録層の間にアクリル樹脂
および/またはポリエステルを含有する下塗り層を有す
ることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載
の熱現像感光材料。 - 【請求項8】 画像記録層の全バインダーの50質量%
以上がポリマーラテックスからなり、該画像記録層塗布
液の溶媒の30質量%以上が水であることを特徴とする
請求項1〜5のいずれか1項に記載の熱現像感光材料。 - 【請求項9】 請求項1〜6のいずれか1項に記載の熱
現像感光材料を、熱現像機の搬送速度が22mm/se
c以上40mm/sec以下で熱現像することを特徴と
する熱現像感光材料の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001066417A JP2002268174A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 熱現像感光材料およびその処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001066417A JP2002268174A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 熱現像感光材料およびその処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002268174A true JP2002268174A (ja) | 2002-09-18 |
Family
ID=18924906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001066417A Pending JP2002268174A (ja) | 2001-03-09 | 2001-03-09 | 熱現像感光材料およびその処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002268174A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014069510A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 保護層転写シート |
-
2001
- 2001-03-09 JP JP2001066417A patent/JP2002268174A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014069510A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 保護層転写シート |
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