JP2001092098A

JP2001092098A - 熱現像感光材料の処理方法

Info

Publication number: JP2001092098A
Application number: JP26709299A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Hattori; 良司服部
Original assignee: Konica Minolta Inc
Current assignee: Konica Minolta Inc
Priority date: 1999-09-21
Filing date: 1999-09-21
Publication date: 2001-04-06

Abstract

(57)【要約】【課題】熱現像感光材料を処理するにあたり、熱伝達
率の変化や空気の流れ込みに伴う、現像ムラ、画像再現
性、搬送不良の問題を解消する。【解決手段】感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、加熱部内の空隙率（＝加
熱部内の空隙体積（ｃｍ³）／加熱部内の体積（ｃ
ｍ³））が０．００２〜０．３の範囲である熱現像処理
装置を用いる熱現像感光材料の処理方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、熱伝達率の変化や
空気の流れ込みに伴う、現像ムラ、画像再現性、搬送不
良の問題が改善された熱現像感光材料の処理方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来印刷製版や医療の分野では、画像形
成材料の湿式処理に伴う廃液が、作業性の上で問題とな
っており、近年では環境保全、省スペースの観点からも
処理廃液の減量が強く望まれている。そこで、レーザー
・イメージセッターやレーザー・イメージャーにより効
率的な露光が可能で、高解像度で鮮明な黒色画像を形成
することができる写真技術用途の光熱写真材料に関する
技術が必要とされている。この技術として、例えば、米
国特許第３，１５２，９０４号、同３，４８７，０７５
号及びＤ．モーガン（Ｍｏｒｇａｎ）による「ドライシ
ルバー写真材料（ＤｒｙＳｉｌｖｅｒＰｈｏｔｏｇ
ｒａｐｈｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ）」（Ｈａｎｄｂｏ
ｏｋｏｆＩｍａｇｉｎｇＭａｔｅｒｉａｌｓ，Ｍ
ａｒｃｅｌＤｅｋｋｅｒ，Ｉｎｃ．第４８頁，１９９
１）等に記載されているように、支持体上に有機銀塩、
感光性ハロゲン化銀粒子、還元剤及びバインダーを含有
する熱現像材料が知られている。

【０００３】これらの熱現像材料は常温で安定である
が、露光後高温（例えば、８０℃〜１４０℃）に加熱す
ることで現像される。即ち、加熱することで有機銀塩
（酸化剤として機能する）と還元剤との間の酸化還元反
応を通じて銀を生成する。

【０００４】熱現像する際の従来の自動熱現像機として
特開平０８−２１１５４７号には、１００〜１５０℃で
現像する熱現像画像形成方法が、特開平０９−２９２６
９５号には、医用画像を１２０±１０℃の加熱温度、±
３℃の幅方向精度及び５〜３０秒の現像時間で処理する
方法が、それぞれ開示されている。特開平０９−２９７
３８６号、同０９−２９７３８５号、同０９−２９７３
８４号にはヒータードラムの外周面温度を制御する方法
が開示されている。また特公表１０−５００４９６号に
はドラム加熱によって現像する方法が、同１０−５００
４９７号には複数のローラーで加熱し現像する方法が、
同１０−５００５０６号には電気的に加熱された回転可
能なドラムの温度制御装置及び円筒形ドラムの表面の温
度を検知し温度信号を出す装置が、それぞれ開示されて
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところでヒドラジン誘
導体や４級オニウム塩の様な硬調化剤を含有する熱現像
感光材料は、熱現像処理装置の熱現像部内で空気の微妙
な流れがあると感光材料自身の熱伝達率が変化し、現像
ムラが生じたり、画像再現性が大きく変化してしまう問
題がある。また熱現像処理装置の加熱部の空隙率が大き
いとそこに空気が流れ込みフィルムの先端等が暴れ搬送
不良を起こすこともしばしばある。

【０００６】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、その目的は、熱現像感光材料を処理するにあた
り、熱伝達率の変化や空気の流れ込みに伴う、現像ム
ラ、画像再現性、搬送不良の問題を解消することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、加熱部内の空隙率（＝加熱部内の
空隙体積（ｃｍ³）／加熱部内の体積（ｃｍ³））が０．
００２〜０．３の範囲である熱現像処理装置を用いる熱
現像感光材料の処理方法、熱現像処理装置の加熱部の温
度が１００℃〜１５０℃の範囲であること、感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、１１０℃〜１５０℃の範囲である
現像部と、該現像部の温度より５℃以上低い温度範囲の
プレヒート部を有する熱現像処理装置を用いる熱現像感
光材料の処理方法、現像部とプレヒート部を有する加熱
部内の空隙率に対する現像部内の空隙率が０．００６〜
１．８であること、感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、現像部内の空隙率（＝熱現像部内
の空隙体積（ｃｍ³）／熱現像部内の体積（ｃｍ³））が
０．００２〜０．５の範囲である熱現像処理装置を用い
る熱現像感光材料の処理方法、熱現像処理装置の現像部
の温度が１１０℃〜１５０℃の範囲であること、熱現像
処理装置の現像部の前に現像部温度より５℃以上低い温
度のプレヒート部を有すること、感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、加熱部内に搬送される熱現像感光
材料表面と対面する加熱部材との距離が０〜１．８ｃｍ
の範囲である熱現像処理装置を用いる熱現像感光材料の
処理方法、感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオン用還元
剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像感光材料
を処理するにあたり、現像部内の搬送部材と加熱部材と
の距離が０〜１．８ｃｍの範囲である熱現像処理装置を
用いる熱現像感光材料の処理方法、及び、、、、
、において、平面搬送する熱現像処理装置であるこ
と、熱現像感光材料の支持体厚みが１１０〜１５０μｍ
であること、によって達成される。

【０００８】即ち、本発明者は熱伝達率の変化や空気の
流れ込みに伴う、現像ムラ、画像再現性、搬送不良の問
題を熱現像処理装置の加熱部の空隙率を設定して解消し
ようと考え、またプレヒートを経て現像すれば更に有効
であることを見出し本発明に至った。

【０００９】なお本発明において、加熱部とは加熱部材
により３０℃以上の温度に加熱された部分を言い、プレ
ヒート部及び現像部を含む。また現像部とは、露光済感
光材料を挿入し、１０秒処理した時に光学濃度計（コニ
カ（株）製、ＰＤＡ−６５）で測定した最大濃度（Ｄｍ
ａｘ）が０．４以上となる加熱部を言い、中心部の温度
が加熱部材により１００〜１５０℃の範囲の温度に加熱
された部分であることが好ましい。又、現像部とプレヒ
ート部の温度の差が有るため敷居、部材等で各部屋ごと
に分割されることが好ましい。更にプレヒート部とは、
露光済感光材料を挿入し、１０秒処理した時に光学濃度
計（前出）で測定した最大濃度が０．３９以下となる加
熱部を言う。

【００１０】以下、本発明について項目毎に詳述する。

【００１１】《熱現像感光材料》ハロゲン化銀は光セン
サーとして機能するものである。平均粒子サイズは小さ
い方が好ましく、０．１μｍ以下、より好ましくは０．
０１μｍ〜０．１μｍ、特に０．０２μｍ〜０．０８μ
ｍが好ましい。ここでいう粒子サイズとは、ハロゲン化
銀粒子が立方体或いは八面体のいわゆる正常晶である場
合には、ハロゲン化銀粒子の稜の長さをいう。又、正常
晶でない場合、例えば球状、棒状、或いは平板状の粒子
の場合には、ハロゲン化銀粒子の体積と同等な球を考え
たときの直径をいう。またハロゲン化銀は単分散である
ことが好ましい。ここでいう単分散とは、下記式で求め
られる単分散度が４０以下をいう。更に好ましくは３０
以下であり、特に好ましくは０．１以上２０以下となる
粒子である。

【００１２】単分散度＝（粒径の標準偏差）／（粒径の
平均値）×１００ハロゲン化銀粒子の形状については、特に制限はない
が、ミラー指数〔１００〕面の占める割合が高いことが
好ましく、この割合が５０％以上、更には７０％以上、
特に８０％以上であることが好ましい。またもう一つの
好ましいハロゲン化銀の形状は、平板粒子である。ここ
でいう平板粒子とは、投影面積の平方根を粒径ｒμｍと
して垂直方向の厚みｈμｍした場合のアスペクト比＝ｒ
／ｈが３以上のものをいう。その中でも好ましくはアス
ペクト比が３以上５０以下である。また粒径は０．１μ
ｍ以下であることが好ましく、さらに０．０１μｍ〜
０．０８μｍが好ましい。

【００１３】ハロゲン組成としては特に制限はなく、塩
化銀、塩臭化銀、塩沃臭化銀、臭化銀、沃臭化銀、沃化
銀のいずれであってもよい。写真乳剤は酸性法、中性
法、アンモニア法等のいずれの方法を用いて調製しても
よく、又可溶性銀塩と可溶性ハロゲン塩を反応させる形
成としては、片側混合法、同時混合法、それらの組合せ
等のいずれを用いてもよい。このハロゲン化銀はいかな
る方法で画像形成層に添加されてもよく、このときハロ
ゲン化銀は還元可能な銀源に近接するように配置する。
又、ハロゲン化銀は有機酸銀とハロゲンイオンとの反応
による有機酸銀中の銀の一部又は全部をハロゲン化銀に
変換することによって調製してもよいし、ハロゲン化銀
を予め調製しておき、これを有機銀塩を調製するための
溶液に添加してもよく、又はこれらの方法の組み合わせ
も可能であるが、後者が好ましい。一般にハロゲン化銀
は有機銀塩に対して０．７５〜３０重量％の量で含有す
ることが好ましい。

【００１４】本発明に用いられるハロゲン化銀には、周
期表の６族から１１族に属する金属イオンを含有するこ
とが好ましい。上記の金属としては、Ｗ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐ
ｔ、Ａｕが好ましい。

【００１５】感光性ハロゲン化銀粒子はヌードル法、フ
ロキュレーション法等、当業界で知られている方法の水
洗により脱塩することができる。また感光性ハロゲン化
銀粒子は化学増感されていることが好ましい。好ましい
化学増感法としては当業界でよく知られているように硫
黄増感法、セレン増感法、テルル増感法、金化合物や白
金、パラジウム、イリジウム化合物等の貴金属増感法や
還元増感法を用いることができる。

【００１６】本発明において有機銀塩は還元可能な銀源
であり、還元可能な銀イオン源を含有する有機酸及びヘ
テロ有機酸の銀塩、特に長鎖（１０〜３０、好ましくは
１５〜２５の炭素原子数）の脂肪族カルボン酸及び含窒
素複素環が好ましい。配位子が、４．０〜１０．０の銀
イオンに対する総安定定数を有する有機又は無機の銀塩
錯体も有用である。好適な銀塩の例は、Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅ第１７０２９及び２９９６３
に記載されている。好ましい銀源はベヘン酸銀、アラキ
ジン酸銀及びステアリン酸銀である。

【００１７】有機銀塩化合物は、水溶性銀化合物と銀と
錯形成する化合物を混合することにより得られるが、正
混合法、逆混合法、同時混合法、特開平９−１２７６４
３号に記載されている様なコントロールドダブルジェッ
ト法等が好ましく用いられる。

【００１８】有機銀粒子の平均粒径は０．２〜１．２μ
ｍであることが好ましく、さらに好ましくは０．３５〜
１μｍである。また有機銀粒子は単分散であることが好
ましく、好ましくは単分散度が１〜３０である。

【００１９】感光材料の失透を防ぐためには、ハロゲン
化銀及び有機銀塩の総量は、銀量に換算して１ｍ²当た
り０．５ｇ〜２．２ｇであることが好ましい。

【００２０】好適な還元剤の例は、米国特許第３，７７
０，４４８号、同第３，７７３，５１２号、同第３，５
９３，８６３号、及びＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏ
ｓｕｒｅ第１７０２９及び２９９６３に記載されてい
る。中でも特に好ましい還元剤はヒンダードフェノール
類である。ヒンダードフェノール類としては下記一般式
（Ａ）で表される化合物が挙げられる。

【００２１】

【化１】

【００２２】式中、Ｒは水素原子、又は炭素原子数１〜
１０のアルキル基（例えば、−Ｃ₄Ｈ₉、２，４，４−ト
リメチルペンチル）を表し、Ｒ′及びＲ″は炭素原子数
１〜５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｔ−ブ
チル）を表す。

【００２３】一般式（Ａ）で表される化合物の具体例を
以下に示す。ただし、本発明は、以下の化合物に限定さ
れるものではない。

【００２４】

【化２】

【００２５】

【化３】

【００２６】前記一般式（Ａ）で表される化合物を始め
とする還元剤の使用量は好ましくは銀１モル当り１×１
０^-2〜１０モル、特に１×１０^-2〜１．５モルである。

【００２７】本発明の熱現像感光材料は硬調化剤を含有
し、硬調化剤としては、以下に述べるヒドラジン誘導
体、四級オニウム塩及びビニル化合物から選ばれること
が好ましい。

【００２８】ヒドラジン誘導体としては、下記一般式
〔Ｈ〕で表される化合物が好ましい。

【００２９】

【化４】

【００３０】式中、Ａ₀はそれぞれ置換基を有してもよ
い脂肪族基、芳香族基、複素環基又は−Ｇ₀−Ｄ₀基を、
Ｂ₀はブロッキング基を表し、Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基、スルホニル
基又はオキザリル基を表す。ここで、Ｇ₀は−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ₁Ｄ₁）
−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）（Ｇ₁Ｄ
₁）−基を表し、Ｇ₁は単なる結合手、−Ｏ−基、−Ｓ−
基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は脂肪族基、芳香族
基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に複数のＤ₁
が存在する場合、それらは同じであっても異なってもよ
い。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香族基、複素環基、
アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。

【００３１】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される脂
肪族基は好ましくは炭素数１〜３０のものであり、特に
炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基が好
ましく、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、オ
クチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基が挙げられ、
これらは更に適当な置換基（例えばアリール基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、スルファモ
イル基、アシルアミノ基、ウレイド基等）で置換されて
いてもよい。

【００３２】一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀で表される芳
香族基は、単環又は縮合環のアリール基が好ましく、例
えばベンゼン環又はナフタレン環が挙げられ、Ａ₀で表
される複素環基としては、単環又は縮合環で窒素、硫
黄、酸素原子から選ばれる少なくとも一つのヘテロ原子
を含む複素環が好ましく、例えばピロリジン環、イミダ
ゾール環、テトラヒドロフラン環、モルホリン環、ピリ
ジン環、ピリミジン環、キノリン環、チアゾール環、ベ
ンゾチアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げら
れ、Ａ₀で表される−Ｇ₀−Ｄ₀基において、Ｇ₀は−ＣＯ
−基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ
₁Ｄ₁）−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）
（Ｇ₁Ｄ₁）−基を表す。Ｇ₁は単なる結合手、−Ｏ−
基、−Ｓ−基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は脂肪族
基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分子内に
複数のＤ₁が存在する場合、それらは同じであっても異
なってもよい。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香族基、
複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ
基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ましい
Ｄ₀としては水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ア
ミノ基等が挙げられる。Ａ₀の芳香族基、複素環基及び
−Ｇ₀−Ｄ₀基は置換基を有していてもよい。

【００３３】Ａ₀として特に好ましいものはアリール基
及び−Ｇ₀−Ｄ₀基である。

【００３４】又、一般式〔Ｈ〕において、Ａ₀は耐拡散
基又はハロゲン化銀吸着基を少なくとも一つ含むことが
好ましい。耐拡散基としてはカプラー等の不動性写真用
添加剤にて常用されるバラスト基が好ましく、バラスト
基としては写真的に不活性であるアルキル基、アルケニ
ル基、アルキニル基、アルコキシ基、フェニル基、フェ
ノキシ基、アルキルフェノキシ基等が挙げられ、置換基
部分の炭素数の合計は８以上であることが好ましい。

【００３５】一般式〔Ｈ〕において、ハロゲン化銀吸着
促進基としてはチオ尿素、チオウレタン基、メルカプト
基、チオエーテル基、チオン基、複素環基、チオアミド
複素環基、メルカプト複素環基、或いは特開昭６４−９
０４３９号に記載の吸着基等が挙げられる。

【００３６】一般式〔Ｈ〕において、Ｂ₀はブロッキン
グ基を表し、好ましくは−Ｇ₀−Ｄ₀基であり、Ｇ₀は−
ＣＯ−基、−ＣＯＣＯ−基、−ＣＳ−基、−Ｃ（＝ＮＧ
₁Ｄ₁）−基、−ＳＯ−基、−ＳＯ₂−基又は−Ｐ（Ｏ）
（Ｇ₁Ｄ₁）−基を表す、好ましいＧ₀としては−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基が挙げられ、Ｇ₁は単なる結合手、
−Ｏ−基、−Ｓ−基又は−Ｎ（Ｄ₁）−基を表し、Ｄ₁は
脂肪族基、芳香族基、複素環基又は水素原子を表し、分
子内に複数のＤ₁が存在する場合、それらは同じであっ
ても異なってもよい。Ｄ₀は水素原子、脂肪族基、芳香
族基、複素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基を表し、好ま
しいＤ₀としては水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基等が挙げられる。Ａ₁、Ａ₂はともに水素原
子、又は一方が水素原子で他方はアシル基（アセチル
基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等）、スル
ホニル基（メタンスルホニル基、トルエンスルホニル基
等）、又はオキザリル基（エトキザリル基等）を表す。

【００３７】次に一般式〔Ｈ〕で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【００３８】

【化５】

【００３９】

【化６】

【００４０】

【化７】

【００４１】

【化８】

【００４２】

【化９】

【００４３】

【化１０】

【００４４】更に好ましいヒドラジン誘導体は、下記一
般式（Ｈ−１）、（Ｈ−２）、（Ｈ−３）、（Ｈ−４）
又は（Ｈ−５）で表される化合物である。

【００４５】

【化１１】

【００４６】式中、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃はそれぞれ置換
又は無置換のアリール基又は、置換又は無置換のヘテロ
アリール基を表す。Ｒ₁₄はヘテロ環オキシ基又はヘテロ
アリールチオ基を表す。Ａ₁、Ａ₂は共に水素原子又は一
方が水素原子で他方がアシル基、アルキルスルホニル基
又はオキザリル基を表す。

【００４７】

【化１２】

【００４８】式中、Ｒ₂₁は置換若しくは無置換のアルキ
ル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。Ｒ₂₂は
水素、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロア
リールアミノ基を表す。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）の
それと同義である。

【００４９】

【化１３】

【００５０】式中、Ｇ₃₁、Ｇ₃₂は−（ＣＯ）ｐ−基、−
Ｃ（＝Ｓ）−基、スルホニル基、スルホキシ基、−Ｐ
（＝Ｏ）Ｒ₃₃−基又はイミノメチレン基を表し、ｐは１
又は２の整数を表し、Ｒ₃₃はアルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、アルコキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アルキニルオキシ基、アリールオキシ基
又はアミノ基を表す。但し、Ｇ₃₁がスルホニル基のとき
Ｇ₃₂はカルボニル基ではない。Ｒ₃₁、Ｒ₃₂は一価の置換
基を表す。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）のそれと同義で
ある。

【００５１】

【化１４】

【００５２】式中、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂及びＲ₄₃はそれぞれ置換
又は無置換のアリール基又は、置換又は無置換のヘテロ
アリール基を表す。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅は置換又は無置換のアル
キル基を表す。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）のそれと同
義である。

【００５３】

【化１５】

【００５４】式中、Ｒ₅₁は、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アラルキル基、ヘテロ環基、置換ア
ミノ基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロ
環アミノ基、ヒドラジノ基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、ヘテロ環オキシ基、アルキルチオ基、アリール
チオ基、ヘテロ環チオ基、アルコキシカルボニル基、ア
リールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル
基、アルキルチオカルボニル基、アリールチオカルボニ
ル基、ヘテロ環チオカルボニル基、カルバモイル基、カ
ルバモイルオキシ基、カルバモイルチオ基、カルバゾイ
ル基、オキサリル基、オキサモイル基、アルコキシウレ
イド基、アリールオキシウレイド基又はヘテロ環オキシ
ウレイド基を表す。Ａ₁、Ａ₂は一般式（Ｈ−１）のそれ
と同義である。

【００５５】一般式（Ｈ−１）において、Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及
びＲ₁₃で表されるアリール基としてはフェニル基、ｐ−
メチルフェニル基、ナフチル基等が挙げられ、ヘテロア
リール基としては、トリアゾール残基、イミダゾール残
基、ピリジン残基、フラン残基、チオフェン残基等が挙
げられる。またＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃はそれぞれ任意の連
結基を介して結合しても良い。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃が有
してもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル
基、アルキニル基、アリール基、複素環基、４級化され
た窒素原子を含むヘテロ環基（ピリジニオ基等）、ヒド
ロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基若しくはプ
ロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリ
ールオキシ基、アシルオキシ基、アシル基、アルコキシ
カルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモ
イル基、ウレタン基、カルボキシル基、イミド基、アミ
ノ基、カルボンアミド基、スルホンアミド基、ウレイド
基、チオウレイド基、スルファモイルアミノ基、セミカ
ルバジド基、チオセミカルバジド基、ヒドラジノ基、４
級アンモニオ基、（アルキル、アリール又はヘテロ環）
チオ基、メルカプト基、（アルキル又はアリール）スル
ホニル基、（アルキル又はアリール）スルフィニル基、
スルホ基、スルファモイル基、アシルスルファモイル
基、（アルキル又はアリール）スルホニルウレイド基、
（アルキル又はアリール）スルホニルカルバモイル基、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、リン酸アミド基等
が挙げられる。Ｒ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃として全てがフェニ
ル基であることが好ましく、更に全て無置換のフェニル
基であることが好ましい。

【００５６】Ｒ₁₄で表されるヘテロアリールオキシ基と
しては、ピリジルオキシ基、インドリルオキシ基、ベン
ゾチアゾリルオキシ基、ベンズイミダゾリルオキシ基、
フリルオキシ基、チエニルオキシ基、ピラゾリルオキシ
基、イミダゾリルオキシ基等が挙げられ、ヘテロアリー
ルチオ基としては、ピリジルチオ基、ピリミジルチオ
基、インドリルチオ基、ベンゾチアゾリルチオ基、ベン
ズイミダゾリルチオ基、フリルチオ基、チエニルチオ
基、ピラゾリルチオ基、イミダゾリルチオ基等が挙げら
れる。Ｒ₁₄として好ましくはピリジルオキシ基、チエニ
ルオキシ基である。

【００５７】Ａ₁又はＡ₂で表されるアシル基としては、
アセチル基、トリフルオロアセチル基、ベンゾイル基等
が挙げられ、スルホニル基としてはメタンスルホニル
基、トルエンスルホニル基等が挙げられ、オキザリル基
としてはエトキザリル基が挙げられる。Ａ₁、Ａ₂とも水
素原子であることが好ましい。

【００５８】一般式（Ｈ−２）において、Ｒ₂₁で表され
るアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｔ−ブチ
ル基、２−オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル
基、ジフェニルメチル基等が挙げられ、アリール基及び
ヘテロアリール基及び有してもよい置換基としては、Ｒ
₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃と同様である。Ｒ₂₁として好ましくは
アリール基又はヘテロアリール基であり、特に好ましく
はフェニル基である。Ｒ₂₂で表されるアルキルアミノ基
としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピル
アミノ基、ブチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチ
ルアミノ基、エチルメチルアミノ基等が挙げられ、アリ
ールアミノ基としてはアニリノ基、ヘテロアリール基と
してはチアゾリルアミノ基、ベンズイミダゾリルアミノ
基、ベンズチアゾリルアミノ基等が挙げられる。Ｒ₂₂と
して好ましくはジメチルアミノ基又はジエチルアミノ基
である。

【００５９】一般式（Ｈ−３）において、Ｒ₃₁、Ｒ₃₂で
表される一価の置換基としては、一般式（Ｈ−１）で述
べたＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃が有してもよい置換基と同様で
あるが、好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロア
リール基、アルコキシ基、アミノ基であり、更にはアリ
ール基又はアルコキシ基であり、特に好ましくはＲ₃₁が
フェニル基であって、Ｒ₃₂がｔｅｒｔ−ブトキシカルボ
ニル基である。Ｇ₃₁、Ｇ₃₂として好ましくは、−ＣＯ−
基、−ＣＯＣＯ−基、スルホニル基又は−ＣＳ−基であ
り、更に好ましくは、双方が−ＣＯ−基又はスルホニル
基の場合である。

【００６０】一般式（Ｈ−４）において、Ｒ₄₁、Ｒ₄₂及
びＲ₄₃は一般式（Ｈ−１）におけるＲ₁₁、Ｒ₁₂及びＲ₁₃
と同義である。好ましくは全てがフェニル基の場合であ
り、更には全て無置換のフェニル基である。Ｒ₄₄、Ｒ₄₅
で表される置換又は無置換のアルキル基としては、メチ
ル基、エチル基、ｔ−ブチル基、２−オクチル基、シク
ロヘキシル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙
げられ、好ましくは双方エチル基の場合である。

【００６１】以下に、一般式（Ｈ−１）〜（Ｈ−５）の
化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されない。

【００６２】

【化１６】

【００６３】

【化１７】

【００６４】

【化１８】

【００６５】

【化１９】

【００６６】

【化２０】

【００６７】

【化２１】

【００６８】

【化２２】

【００６９】

【化２３】

【００７０】

【化２４】

【００７１】

【化２５】

【００７２】

【化２６】

【００７３】

【化２７】

【００７４】

【化２８】

【００７５】

【化２９】

【００７６】その他に好ましく用いることのできるヒド
ラジン誘導体は、米国特許第５，５４５，５０５号カラ
ム１１〜カラム２０に記載の化合物Ｈ−１〜Ｈ−２９、
米国特許第５，４６４，７３８号報カラム９〜カラム１
１に記載の化合物１〜１２である。これらのヒドラジン
誘導体は公知の方法で合成することができる。

【００７７】ヒドラジン誘導体及び後述するビニル化合
物の添加層は、ハロゲン化銀を含む感光層及び／又は感
光層に隣接した層である。またそれらの添加量はハロゲ
ン化銀粒子の粒径、ハロゲン組成、化学増感の程度、抑
制剤の種類等により最適量は一様ではないが、ハロゲン
化銀１モル当たり１０^-6モル〜１０^-1モル程度、特に１
０^-5モル〜１０^-2モルの範囲が好ましい。

【００７８】４級オニウム化合物としては、下記一般式
（Ｐ）で表される化合物が好ましく用いられる。

【００７９】

【化３０】

【００８０】式中、Ｑは窒素原子又は燐原子を表し、Ｒ
₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は各々、水素原子又は置換基を表
し、Ｘ^-はアニオンを表す。尚、Ｒ₁〜Ｒ₄は互いに連結
して環を形成してもよい。

【００８１】一般式（Ｐ）において、Ｒ₁〜Ｒ₄で表され
る置換基としては、アルキル基（メチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基
等）、アルケニル基（アリル基、ブテニル基等）、アル
キニル基（プロパルギル基、ブチニル基等）、アリール
基（フェニル基、ナフチル基等）、複素環基（ピペリジ
ニル基、ピペラジニル基、モルホリニル基、ピリジル
基、フリル基、チエニル基、テトラヒドロフリル基、テ
トラヒドロチエニル基、スルホラニル基等）、アミノ基
等が挙げられる。

【００８２】Ｒ₁〜Ｒ₄が互いに連結して形成しうる環と
しては、ピペリジン環、モルホリン環、ピペラジン環、
キヌクリジン環、ピリジン環、ピロール環、イミダゾー
ル環、トリアゾール環、テトラゾール環等が挙げられ
る。

【００８３】Ｒ₁〜Ｒ₄で表される基はヒドロキシル基、
アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基、ス
ルホ基、アルキル基、アリール基等の置換基を有しても
よい。

【００８４】Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄としては、水素原子
及びアルキル基が好ましい。

【００８５】Ｘ^-が表すアニオンとしては、ハロゲンイ
オン、硫酸イオン、硝酸イオン、酢酸イオン、ｐ−トル
エンスルホン酸イオン等の無機及び有機のアニオンが挙
げられる。

【００８６】更に好ましくは下記一般式（Ｐａ）、（Ｐ
ｂ）又は（Ｐｃ）で表される化合物、及び下記一般式
〔Ｔ〕で表される化合物である。

【００８７】

【化３１】

【００８８】式中、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵は、含
窒素複素環を完成させるための非金属原子群を表し、酸
素原子、窒素原子、硫黄原子を含んでもよく、ベンゼン
環が縮合しても構わない。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及びＡ⁵
で構成される複素環は置換基を有してもよく、それぞれ
同一でも異なっていてもよい。置換基としては、アルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルケニル基、アル
キニル基、ハロゲン原子、アシル基、アルコキシカルボ
ニル基、アリールオキシカルボニル基、スルホ基、カル
ボキシ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオ
キシ基、アミド基、スルファモイル基、カルバモイル
基、ウレイド基、アミノ基、スルホンアミド基、スルホ
ニル基、シアノ基、ニトロ基、メルカプト基、アルキル
チオ基、アリールチオ基を表す。Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及
びＡ⁵の好ましい例としては、５〜６員環（ピリジン、
イミダゾール、チオゾール、オキサゾール、ピラジン、
ピリミジン等の各環）を挙げることができ、更に好まし
い例としてピリジン環が挙げられる。

【００８９】Ｂ_Pは２価の連結基を表し、ｍは０又は１
を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリー
レン基、アルケニレン基、−ＳＯ₂−、−ＳＯ−、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｎ（Ｒ⁶）−（Ｒ⁶はアルキル
基、アリール基、水素原子を表す）を単独又は組み合わ
せて構成されるものを表す。Ｂ_pとして好ましくは、ア
ルキレン基、アルケニレン基を挙げることができる。

【００９０】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵は各々、炭素数１〜２０
のアルキル基を表す。又、Ｒ¹及びＲ²は同一でも異って
いてもよい。アルキル基とは、置換或いは無置換のアル
キル基を表し、置換基としては、Ａ¹、Ａ²、Ａ³、Ａ⁴及
びＡ⁵の置換基として挙げた置換基と同様である。

【００９１】Ｒ¹、Ｒ²及びＲ⁵の好ましい例としては、
それぞれ炭素数４〜１０のアルキル基である。更に好ま
しい例としては、置換或いは無置換のアリール置換アル
キル基が挙げられる。

【００９２】Ｘ_p ^-は分子全体の電荷を均衡さすに必要な
対イオンを表し、例えば塩素イオン、臭素イオン、沃素
イオン、硝酸イオン、硫酸イオン、ｐ−トルエンスルホ
ナート、オキザラート等を表す。ｎ_pは分子全体の電荷
を均衡さすに必要な対イオンの数を表し、分子内塩の場
合にはｎ_pは０である。

【００９３】

【化３２】

【００９４】上記一般式〔Ｔ〕で表されるトリフェニル
テトラゾリウム化合物のフェニル基の置換基Ｒ₅、Ｒ₆、
Ｒ₇は水素原子もしくは電子吸引性度を示すハメットの
シグマ値（σＰ）が負のものが好ましい。

【００９５】フェニル基におけるハメットのシグマ値は
多くの文献、例えばジャーナル・オブ・メディカルケミ
ストリー（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＭｅｄｉｃａｌＣ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ）２０巻、３０４頁、１９７７年記載
のＣ．ハンシュ（Ｃ．Ｈａｎｓｃｈ）等の報文等に見る
ことが出来、特に好ましい負のシグマ値を有する基とし
ては、例えばメチル基（σＰ＝−０．１７以下何れもσ
Ｐ値）、エチル基（−０．１５）、シクロプロピル基
（−０．２１）、ｎ−プロピル基（−０．１３）、ｉｓ
ｏ−プロピル基（−０．１５）、シクロブチル基（−
０．１５）、ｎ−ブチル基（−０．１６）、ｉｓｏ−ブ
チル基（−０．２０）、ｎ−ペンチル基（−０．１
５）、シクロヘキシル基（−０．２２）、アミノ基（−
０．６６）、アセチルアミノ基（−０．１５）、ヒドロ
キシル基（−０．３７）、メトキシ基（−０．２７）、
エトキシ基（−０．２４）、プロポキシ基（−０．２
５）、ブトキシ基（−０．３２）、ペントキシ基（−
０．３４）等が挙げられ、これらは何れも一般式〔Ｔ〕
の化合物の置換基として有用である。

【００９６】ｎは１或いは２を表し、Ｘ_T ^n-で表される
アニオンとしては、例えば塩化物イオン、臭化物イオ
ン、ヨウ化物イオン等のハロゲンイオン、硝酸、硫酸、
過塩素酸等の無機酸の酸根、スルホン酸、カルボン酸等
の有機酸の酸根、アニオン系の活性剤、具体的にはｐ−
トルエンスルホン酸アニオン等の低級アルキルベンゼン
スルホン酸アニオン、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸
アニオン等の高級アルキルベンゼンスルホン酸アニオ
ン、ラウリルスルフェートアニオン等の高級アルキル硫
酸エステルアニオン、テトラフェニルボロン等の硼酸系
アニオン、ジ−２−エチルヘキシルスルホサクシネート
アニオン等のジアルキルスルホサクシネートアニオン、
セチルポリエテノキシサルフェートアニオン等の高級脂
肪酸アニオン、ポリアクリル酸アニオン等のポリマーに
酸根のついたもの等を挙げることができる。

【００９７】以下、４級オニウム化合物の具体例を下記
に挙げるが、これらに限定されるものではない。

【００９８】

【化３３】

【００９９】

【化３４】

【０１００】

【化３５】

【０１０１】

【化３６】

【０１０２】

【化３７】

【０１０３】

【化３８】

【０１０４】

【化３９】

【０１０５】

【化４０】

【０１０６】

【化４１】

【０１０７】

【化４２】

【０１０８】上記４級オニウム化合物は公知の方法に従
って容易に合成でき、例えば上記テトラゾリウム化合物
はＣｈｅｍｉｃａｌＲｅｖｉｅｗｓｖｏｌ．５５
ｐ．３３５〜４８３に記載の方法を参考にできる。

【０１０９】これら４級オニウム化合物の添加量は、ハ
ロゲン化銀１モル当たり１×１０^-8〜１モル程度、好ま
しくは１×１０^-7〜１×１０^-1モルである。これらはハ
ロゲン化銀粒子形成時から塗布までの任意の時期に感光
材料中に添加できる。

【０１１０】４級オニウム化合物は、単独で用いても２
種以上を適宜併用して用いてもよい。また感光材料の構
成層中のいかなる層に添加してもよいが、好ましくは感
光層を有する側の構成層の少なくとも１層、更には感光
層及び／又はその隣接層に添加する。

【０１１１】ビニル化合物としては下記一般式（Ｇ）で
表されるものが好ましい。

【０１１２】

【化４３】

【０１１３】一般式（Ｇ）において、ＸとＲはシスの形
で表示してあるが、ＸとＲがトランスの形も一般式
（Ｇ）に含まれる。この事は具体的化合物の構造表示に
おいても同様である。

【０１１４】式中、Ｘは電子吸引性基を表し、Ｗは水素
原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリ
ール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、アシル基、チオア
シル基、オキサリル基、オキシオキサリル基、チオオキ
サリル基、オキサモイル基、オキシカルボニル基、チオ
カルボニル基、カルバモイル基、チオカルバモイル基、
スルホニル基、スルフィニル基、オキシスルフィニル
基、チオスルフィニル基、スルファモイル基、オキシス
ルフィニル基、スルフィナモイル基、ホスホリル基、ニ
トロ基、イミノ基、Ｎ−カルボニルイミノ基、Ｎ−スル
ホニルイミノ基、ジシアノエチレン基、アンモニウム
基、スルホニウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、
インモニウム基を表す。

【０１１５】Ｒはハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコ
キシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アルケ
ニルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニル
オキシ基、アミノカルボニルオキシ基、メルカプト基、
アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、ア
ルケニルチオ基、アシルチオ基、アルコキシカルボニル
チオ基、アミノカルボニルチオ基、ヒドロキシ基又はメ
ルカプト基の有機又は無機の塩（例えば、ナトリウム
塩、カリウム塩、銀塩等）、アミノ基、アルキルアミノ
基、環状アミノ基（例えば、ピロリジノ基）、アシルア
ミノ基、オキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環基（５〜
６員の含窒素ヘテロ環、例えばベンツトリアゾリル基、
イミダゾリル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基
等）、ウレイド基、スルホンアミド基を表す。ＸとＷ、
ＸとＲは、それぞれ互いに結合して環状構造を形成して
もよい。ＸとＷが形成する環としては、例えばピラゾロ
ン、ピラゾリジノン、シクロペンタンジオン、β−ケト
ラクトン、β−ケトラクタム等が挙げられる。

【０１１６】一般式（Ｇ）について更に説明すると、Ｘ
の表す電子吸引性基とは、ハメットの置換基定数σｐが
正の値をとりうる置換基のことである。具体的には、置
換アルキル基（ハロゲン置換アルキル等）、置換アルケ
ニル基（シアノビニル等）、置換・無置換のアルキニル
基（トリフルオロメチルアセチレニル、シアノアセチレ
ニル等）、置換アリール基（シアノフェニル等）、置換
・無置換のヘテロ環基（ピリジル、トリアジニル、ベン
ゾオキサゾリル等）、ハロゲン原子、シアノ基、アシル
基（アセチル、トリフルオロアセチル、ホルミル等）、
チオアセチル基（チオアセチル、チオホルミル等）、オ
キサリル基（メチルオキサリル等）、オキシオキサリル
基（エトキサリル等）、チオオキサリル基（エチルチオ
オキサリル等）、オキサモイル基（メチルオキサモイル
等）、オキシカルボニル基（エトキシカルボニル等）、
カルボキシル基、チオカルボニル基（エチルチオカルボ
ニル等）、カルバモイル基、チオカルバモイル基、スル
ホニル基、スルフィニル基、オキシスルホニル基（エト
キシスルホニル等）、チオスルホニル基（エチルチオス
ルホニル等）、スルファモイル基、オキシスルフィニル
基（メトキシスルフィニル等）、チオスルフィニル基
（メチルチオスルフィニル等）、スルフィナモイル基、
スフィナモイル基、ホスホリル基、ニトロ基、イミノ
基、Ｎ−カルボニルイミノ基（Ｎ−アセチルイミノ
等）、Ｎ−スルホニルイミノ基（Ｎ−メタンスルホニル
イミノ等）、ジシアノエチレン基、アンモニウム基、ス
ルホニウム基、ホスホニウム基、ピリリウム基、インモ
ニウム基が挙げられるが、アンモニウム基、スルホニウ
ム基、ホスホニウム基、インモニウム基等が環を形成し
たヘテロ環状のものも含まれる。σｐ値として０．３０
以上の置換基が特に好ましい。

【０１１７】Ｗとして表されるアルキル基としてはメチ
ル、エチル、トリフルオロメチル等が、アルケニル基と
してはビニル、ハロゲン置換ビニル、シアノビニル等
が、アルキニル基としてはアセチレニル、シアノアセチ
レニル等が、アリール基としてはニトロフェニル、シア
ノフェニル、ペンタフルオロフェニル等が、ヘテロ環基
としてはピリジル、ピリミジル、トリアジニル、スクシ
ンイミド、テトラゾリル、トリアゾリル、イミダゾリ
ル、ベンゾオキサゾリル等が挙げられる。Ｗとしてはσ
ｐ値が正の電子吸引性基が好ましく、更にはその値が
０．３０以上のものが好ましい。

【０１１８】上記Ｒの置換基の内、好ましくはヒドロキ
シ基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
ハロゲン原子、ヒドロキシ基又はメルカプト基の有機又
は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、更に好ましくはヒ
ドロキシ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基又はメルカプ
ト基の有機又は無機の塩、ヘテロ環基が挙げられ、特に
好ましくはヒドロキシ基、ヒドロキシ基又はメルカプト
基の有機又は無機の塩が挙げられる。

【０１１９】また上記Ｘ及びＷの置換基の内、置換基中
にチオエーテル結合を有するものが好ましい。

【０１２０】次に一般式（Ｇ）で表される化合物の具体
例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。

【０１２１】

【化４４】

【０１２２】

【化４５】

【０１２３】

【化４６】

【０１２４】

【化４７】

【０１２５】

【化４８】

【０１２６】

【化４９】

【０１２７】

【化５０】

【０１２８】

【化５１】

【０１２９】

【化５２】

【０１３０】

【化５３】

【０１３１】

【化５４】

【０１３２】

【化５５】

【０１３３】

【化５６】

【０１３４】

【化５７】

【０１３５】

【化５８】

【０１３６】

【化５９】

【０１３７】

【化６０】

【０１３８】

【化６１】

【０１３９】

【化６２】

【０１４０】

【化６３】

【０１４１】

【化６４】

【０１４２】

【化６５】

【０１４３】

【化６６】

【０１４４】

【化６７】

【０１４５】本発明の熱現像感光材料に好適なバインダ
ーは透明又は半透明で、一般に無色であり、天然ポリマ
ー合成樹脂やポリマー及びコポリマー、その他フィルム
を形成する媒体、例えば：ゼラチン、アラビアゴム、ポ
リ（ビニルアルコール）、ヒドロキシエチルセルロー
ス、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチ
レート、ポリ（ビニルピロリドン）、カゼイン、デンプ
ン、ポリ（アクリル酸）、ポリ（メチルメタクリル
酸）、ポリ（塩化ビニル）、ポリ（メタクリル酸）、コ
ポリ（スチレン−無水マレイン酸）、コポリ（スチレン
−アクリロニトリル）、コポリ（スチレン−ブタジエ
ン）、ポリ（ビニルアセタール）類（例えば、ポリ（ビ
ニルホルマール）及びポリ（ビニルブチラール））、ポ
リ（エステル）類、ポリ（ウレタン）類、フェノキシ樹
脂、ポリ（塩化ビニリデン）、ポリ（エポキシド）類、
ポリ（カーボネート）類、ポリ（ビニルアセテート）、
セルロースエステル類、ポリ（アミド）類がある。親水
性でも疎水性でもよいが、本発明においては、熱現像後
のカブリを低減させるために、疎水性透明バインダーを
使用することが好ましい。好ましいバインダーとして
は、ポリビニルブチラール、セルロースアセテート、セ
ルロースアセテートブチレート、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリアクリル酸、ポリウレタンなどがあげ
られる。その中でもポリビニルブチラール、セルロース
アセテート、セルロースアセテートブチレートは特に好
ましく用いられる。

【０１４６】感光性ハロゲン化銀を含有する層（以下、
感光層とも言う）の乾燥膜厚は２〜２０μｍが好まし
く、５〜２０μｍがより好ましい。２μｍ以下になると
塗布故障が発生し、ムラやピンホール上の故障が多発す
るため好ましくない。２０μｍを超えると現像性が劣化
する。感光層側の表面保護層の乾燥膜厚は０．１〜１
０．０μｍが好ましく、より好ましくは０．１〜８．０
μｍである。感光層側は保護層や感光層と支持体の間に
他の層を有しても良い。感光層側の感光層以外の層厚は
薄い方が良い。保護層が厚いと保護層側から感光層への
伝熱が悪く、また、支持体と感光層の間の層も支持体側
からの伝熱が劣化し、現像性が劣化する。バッキング層
側のトータル膜厚は２〜２０μｍが好ましい。バッキン
グ側からの熱伝達でも現像されるためバッキング層は薄
い方がより好ましいが、２μｍ未満だと塗布ムラが発生
してしまう。２０μｍより厚いと熱伝達が劣化する。

【０１４７】本発明の熱現像感光材料には、塗布助剤と
して各種の界面活性剤を用いることができる。その中で
もフッ素系界面活性剤が、帯電特性を改良したり、斑点
状の塗布故障を防ぐために好ましく用いられる。

【０１４８】本発明の熱現像感光材料は、必要に応じて
銀の色調を抑制する色調剤を含有できる。採用できる好
適な色調剤の例はＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏｓｕ
ｒｅ第１７０２９号に開示されている。また現像を抑制
あるいは促進させ現像を制御するため、分光増感効率を
向上させるため、現像前後の保存性を向上させるためな
どにメルカプト化合物、ジスルフィド化合物、チオン化
合物を含有させることができる。

【０１４９】本発明の熱現像感光材料中にはかぶり防止
剤が含まれて良い。

【０１５０】本発明の熱現像感光材料には増感色素が使
用できる。本発明に使用される有用な増感色素は例えば
ＲｅｓｅａｒｃｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅＩｔｅｍ１
７６４３IV−Ａ項（１９７８年１２月ｐ．２３）、同Ｉ
ｔｅｍ１８３１Ｘ項（１９７８年８月ｐ．４３７）に記
載もしくは引用された文献に記載されている。特に各種
スキャナー光源の分光特性に適した分光感度を有する増
感色素を有利に選択することができる。

【０１５１】各種の添加剤は感光層、非感光層、又はそ
の他の形成層のいずれに添加しても良い。本発明の熱現
像感光材料には例えば、酸化防止剤、安定化剤、可塑
剤、紫外線吸収剤、被覆助剤等を用いても良い。これら
の添加剤及び上述したその他の添加剤はＲｅｓｅａｒｃ
ｈＤｉｓｃｌｏｓｕｒｅＩｔｅｍ１７０２９（１９
７８年６月ｐ．９〜１５）に記載されている化合物を好
ましく用いることができる。

【０１５２】本発明で用いられる支持体は、現像処理後
に所定の光学濃度を得るため、及び現像処理後の画像の
変形を防ぐためにプラスチックフィルム（例えば、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリイミ
ド、ナイロン、セルローストリアセテート、ポリエチレ
ンナフタレート）であることが好ましい。また熱処理し
たプラスチック支持体を用いることもできる。

【０１５３】その中でも好ましい支持体としては、ポリ
エチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略す）及びシン
ジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含むプ
ラスチック（以下ＳＰＳと略す）の支持体が挙げられ
る。

【０１５４】支持体の厚さは１００〜１５０μｍが良
い。好ましくは１１０〜１３０μｍである。薄い方がバ
ッキング層側からの熱伝達が良いが、１１０μｍ未満で
あると急激に加熱されることになり現像ムラが劣化す
る。１５０μｍより厚いと支持体の熱容量が高くなりす
ぎて所望の現像条件で充分現像されない。

【０１５５】支持体は熱処理することが好ましく、熱処
理することによって予め収縮させることが目的である。
例えばポリエチレンフタレート（ＰＥＴ）は１００℃〜
１９０℃が良い。ガラス転移点が８０℃なので８０℃未
満では意味がなく、８０℃以上１００℃未満では収縮が
充分ではない。１９０℃を超えると軟化が激しく溶融し
てしまう危険性がある。

【０１５６】《熱現像処理》例えばレーザーを用いて露
光した感光材料を熱により現像する。加熱現像の加熱手
段としては導電性の発熱体層を有する形態、ハロゲンラ
ンプ、特開昭６１−１４５５４４号記載の発熱体等を用
いることができる。

【０１５７】具体的な形態としては、１）一定温度のオ
ーブンの中に所定時間入れておく方法、２）一定温度に
保たれたオーブン内を一定速度で搬送する方法、３）一
定温度に加熱した媒体（金属ローラー、シリコンゴム、
ウレタンゴム、紙、フッ素処理媒体等）に所定時間の接
触させる方法等であれば特に制限はない。また、この現
像部とは別に現像部前もしくは後にプレヒート部を有し
てもかまわない。この場合も前者同様に１）〜３）記載
の条件が不可欠である。

【０１５８】本発明においては現像部、プレヒート部の
温度を一定に制御する為に温度制御機構が必要である。
温度制御するには、サーモスタット等で温度管理し調整
することが好ましい。

【０１５９】また、温度フィードバックシステムがあっ
てもよい。このフィードバックは、随時若しくは時間ご
と、日間ごとに情報をフィードバックすることが好まし
いが、これらは使用するオペレーターによって自由に調
整すればよい。

【０１６０】加熱時の好ましい温度は、３０℃〜１５０
℃の範囲であり、現像部の好ましい温度範囲は１００〜
１５０℃で、より好ましくは１００〜１４０℃である。
本発明においては、現像部の前に現像温度より５℃以上
低い温度で予め加熱処理することが好ましい。温度範囲
は１００〜１２０℃がより好ましく、１００〜１１５℃
が更に好ましい。加熱部の処理時間は１〜６０秒が好ま
しく、５〜５０秒がより好ましい。現像部の好ましい処
理時間範囲は３〜３０秒で、５〜３０秒が更に好まし
い。プレヒート部の好ましい処理時間範囲は３〜３０秒
で、５〜２５秒が更に好ましい。

【０１６１】本発明の処理方法は全処理時間が２０〜８
０秒であることが好ましく、より好ましくは、３０〜７
０秒である。

【０１６２】この様な熱現像を行う上で感光材料に張力
を掛けないことが好ましいが、１０ｋｇ／ｃｍ²以下で
あれば特に制限はない。張力を掛けすぎると感光材料の
寸法が変化して問題になってしまうので注意が必要であ
る。

【０１６３】本発明における、加熱部内、現像部内、プ
レヒート部内等の空隙率は、１）加熱部等の空隙体積
（ｃｍ³）、２）加熱部等の体積（ｃｍ³）を測定し求め
る。

【０１６４】１）加熱部等の空隙体積（ｃｍ³）の測定
方法は、加熱、現像、プレヒート部等を実際に使用する
形態で保ち、加熱、現像、プレヒート部等に水あるいは
ガスを入れ中の体積を算出する。

【０１６５】２）加熱部等の体積（ｃｍ³）の測定方法
は、加熱、現像、プレヒート部等の中の搬送部、加熱手
段部、温度制御部、配線等の部品を全て排除し、加熱、
現像、プレヒート部等に水あるいはガスを入れ中の体積
を算出する。

【０１６６】本発明においては、加熱部内の空隙率（＝
加熱部内の空隙体積（ｃｍ³）／加熱部内の体積（ｃ
ｍ³））が０．００２〜０．３であるが、好ましくは
０．００２〜０．２８である。この空隙率が０．００２
より小さいと熱現像感光材料の搬送性を劣化させ、０．
３より大きいと空気層により現像ムラ等の問題を発生さ
せてしまう。現像部内の空隙率（＝熱現像部内の空隙体
積（ｃｍ³）／熱現像部内の体積（ｃｍ³））が０．００
２〜０．５の範囲が好ましく、より好ましくは０．００
２〜０．４５の範囲である。この空隙率が０．００２よ
り小さいと熱現像感光材料の搬送性を劣化させる等の問
題があり、０．５より大きいと空気層により現像ムラ等
の問題を発生させてしまう。

【０１６７】本発明では、熱現像処理装置において現像
部内の空隙率／加熱部内の空隙率＝０．００６〜１．８
の関係が成り立つことが好ましいが、より好ましくは
０．００６〜１．６である。この関係で０．００６より
小さいと現像搬送性を劣化させる等の問題があり、１．
８より大きいと空気層により現像ムラ等の問題を発生さ
せてしまう。

【０１６８】空隙率を特定の範囲にするために、熱現像
処理装置において、加熱部内に搬送される熱現像感光材
料と対向する加熱部材との距離が０〜１．８ｃｍの範囲
であることが好ましく、より好ましくは０．０１５〜
１．６ｃｍである。また、より好ましい形態として現像
部内の搬送部材と加熱部材との距離が０〜１．８ｃｍの
範囲であることが好ましく、より好ましくは０．０１５
〜１．６ｃｍである。

【０１６９】熱現像処理装置は、露光システムと一体に
なっていても良くそのときはブリッジ等によって搬送系
が一体になっている。熱現像部のほかに上記記載のよう
に現像部の前にプレヒート部を有することも可能であ
る。現像部の後には熱現像感光材料の現像進行を抑制す
るため、または支持体のカールを制御するために冷却部
を有することも可能である。冷却部を有する場合その温
度は１０〜８０℃の範囲であることが好ましく、より好
ましくは２０〜６０℃の範囲である。

【０１７０】ラインスピードは１２６０ｍｍ／分〜３０
００ｍｍ／分が好ましい。本発明では１２６０ｍｍ／分
以上でも現像ムラの問題は生じない。３０００ｍｍ／分
を超えると感光材料が熱現像部で軟化していることによ
る搬送不良が多発してしまう。又、処理能力はアップす
るがライン長が長くなりすぎ、装置が大きくなり、製造
コストもアップするため好ましくない。

【０１７１】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明の態様はこれに限定されない。

【０１７２】実施例１（下引済みＰＥＴ支持体の作製）市販の２軸延伸熱固定
済みの厚さ１２０μｍのＰＥＴフィルムの両面に８Ｗ／
ｍ²・分のコロナ放電処理を施し、一方の面に下記下引
塗布液ａ−１を乾燥膜厚０．８μｍになるように塗設し
乾燥させて下引層Ａ−１とし、また反対側の面に下記帯
電防止加工した下引塗布液ｂ−１を乾燥膜厚０．８μｍ
になるように塗設し乾燥させて帯電防止加工下引層Ｂ−
１とした。

【０１７３】《下引塗布液ａ−１》ブチルアクリレート（３０重量％）ｔ−ブチルアクリレート（２０重量％）スチレン（２５重量％）２−ヒドロキシエチルアクリレート（２５重量％）の共重合体ラテックス液（固形分３０％）２７０ｇ（Ｃ−１）０．６ｇヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア）０．８ｇポリスチレン微粒子（平均粒径３μｍ）０．０５ｇコロイダルシリカ（平均粒径９０μｍ）０．１ｇ水で１ｌに仕上げる《下引塗布液ｂ−１》ＳｎＯ₂／Ｓｂ（９／１重量比、平均粒径０．１８μｍ）２００ｍｇ／ｍ²になる量ブチルアクリレート（３０重量％）スチレン（２０重量％）グリシジルアクリレート（４０重量％）の共重合体ラテックス液（固形分３０％）２７０ｇ（Ｃ−１）０．６ｇヘキサメチレン−１，６−ビス（エチレンウレア）０．８ｇ水で１ｌに仕上げる引き続き、下引層Ａ−１及び下引層Ｂ−１の上表面に、
８Ｗ／ｍ²・分のコロナ放電を施し、下引層Ａ−１の上
には、下記下引上層塗布液ａ−２を乾燥膜厚０．１μｍ
になる様に下引層Ａ−２として、下引層Ｂ−１の上には
下記下引上層塗布液ｂ−２を乾燥膜厚０．８μｍになる
様に帯電防止機能をもつ下引上層Ｂ−２として塗設し
た。

【０１７４】《下引上層塗布液ａ−２》ゼラチン０．４ｇ／ｍ²になる重量（Ｃ−１）０．２ｇ（Ｃ−２）０．２ｇ（Ｃ−３）０．１ｇシリカ粒子（平均粒径３μｍ）０．１ｇ水で１ｌに仕上げる《下引上層塗布液ｂ−２》（Ｃ−４）６０ｇ（Ｃ−５）を成分とするラテックス液（固形分２０％）８０ｇ硫酸アンモニウム０．５ｇ（Ｃ−６）１２ｇポリエチレングリコール（重量平均分子量６００）６ｇ水で１ｌに仕上げる

【０１７５】

【化６８】

【０１７６】

【化６９】

【０１７７】（支持体の熱処理）上記の下引済み支持体
の下引乾燥工程において、支持体を１４０℃で加熱し、
その後徐々に冷却した。

【０１７８】（乳剤Ａの調製）水９００ｍｌ中にイナー
トゼラチン７．５ｇ及び臭化カリウム１０ｍｇを溶解し
て温度３５℃、ｐＨを３．０に合わせた後、硝酸銀７４
ｇを含む水溶液３７０ｍｌと（６０／３８／２）のモル
比の塩化ナトリウムと臭化カリウムと沃化カリウムを含
む水溶液及び〔Ｉｒ（ＮＯ）Ｃｌ₅〕塩を銀１モル当た
り１×１０^-6モル及び塩化ロジウム塩を銀１モル当たり
１×１０^-6モルを、ｐＡｇ７．７に保ちながらコントロ
ールドダブルジェット法で添加した。その後４−ヒドロ
キシ−６−メチル−１，３，３ａ，７−テトラザインデ
ンを添加しＮａＯＨでｐＨを８、ｐＡｇ６．５に調整す
ることで還元増感を行い平均粒子サイズ０．０６μｍ、
単分散度１０％の投影直径面積の変動係数８％、〔１０
０〕面比率８７％の立方体沃臭化銀粒子を得た。この乳
剤にゼラチン凝集剤を用いて凝集沈降させ脱塩処理を行
った。

【０１７９】（ベヘン酸Ｎａ溶液の調製）９４５ｍｌの
純水にベヘン酸３２．４ｇ、アラキジン酸９．９ｇ、ス
テアリン酸５．６ｇを９０℃で溶解した。次に高速で撹
拌しながら１．５Ｍの水酸化ナトリウム水溶液９８ｍｌ
を添加した。次に濃硝酸０．９３ｍｌを加えた後、５５
℃に冷却して３０分撹拌させてベヘン酸Ｎａ溶液を得
た。

【０１８０】（ベヘン酸銀とハロゲン化銀乳剤Ａのプレ
フォーム乳剤の調製）上記のベヘン酸Ｎａ溶液に前記ハ
ロゲン化銀乳剤Ａを１５．１ｇ添加し水酸化ナトリウム
溶液でｐＨ８．１に調整した後に１Ｍの硝酸銀溶液１４
７ｍｌを７分間かけて加え、さらに２０分撹拌し限外濾
過により水溶性塩類を除去した。できたベヘン酸銀は平
均粒子サイズ０．８μｍ、単分散度８％の粒子であっ
た。分散物のフロックを形成後、水を取り除き、更に６
回の水洗と水の除去を行った後乾燥させた。

【０１８１】（感光性乳剤の調製）できあがったプレフ
ォーム乳剤を分割し、それにポリビニルブチラール（数
平均分子量３０００）のメチルエチルケトン溶液（１７
ｗｔ％）５４４ｇとトルエン１０７ｇを徐々に添加して
混合した後に、０．５ｍｍサイズＺｒＯ₂のビーズミル
を用いたメディア分散機で４０００ｐｓｉで３０℃、１
０分間の分散を行った。

【０１８２】前記支持体上に以下の各層を両面同時塗布
し、試料を作製した。尚、乾燥は６０℃、１５分間で行
った。

【０１８３】（バック面側塗布）バッキング層１：支持
体のＢ−２層の上に以下の組成の液を乾燥膜厚５μｍに
なる様に塗布した。

【０１８４】セルロースアセテートブチレート１５ｍｌ／ｍ² （１０％メチルエチルケトン溶液）染料−Ａ７ｍｇ／ｍ² 染料−Ｂ７ｍｇ／ｍ² マット剤：単分散度１５％平均粒子サイズ８μｍ単分散シリカ９０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₂Ｃ₈Ｆ₁₇ ５０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ１０ｍｇ／ｍ²

【０１８５】

【化７０】

【０１８６】（感光層面側塗布）感光層１：支持体のＡ−２層の上に以下の組成の液を乾
燥膜厚１５μｍで塗布銀量が１．８ｇ／ｍ²になる様に
塗布した。

【０１８７】プレフォーム乳剤２４０ｇ増感色素（０．１％メタノール溶液）１．７ｍｌピリジニウムプロミドペルブロミド（６％メタノール溶液）３ｍｌ臭化カルシウム（０．１％メタノール溶液）１．７ｍｌ酸化剤（１０％メタノール溶液）１．２ｍｌ２−４−クロロベンゾイル安息香酸（１２％メタノール溶液）９．２ｍｌ２−メルカプトベンズイミダゾール（１％メタノール溶液）１１ｍｌトリブロモメチルスルホキノリン（５％メタノール溶液）１７ｍｌヒドラジン誘導体Ｈ−２６０．４ｇ硬調化剤Ｐ−５１０．３ｇフタラジン０．６ｇ４−メチルフタル酸０．２５ｇテトラクロロフタル酸０．２ｇ平均粒径３μｍの炭酸カルシウム０．１ｇＡ−４（２０％メタノール溶液）２０．５ｍｌイソシアネート化合物０．５ｇ（モーベイ社製、ＤｅｓｍｏｄｕｒＮ３３００）

【０１８８】

【化７１】

【０１８９】表面保護層：以下の組成の液を乾燥膜厚
２．６μｍで感光層の上に同時塗布した。

【０１９０】アセトン５ｍｌ／ｍ² メチルエチルケトン２１ｍｌ／ｍ² セルロースアセテートブチレート２．３ｍｇ／ｍ² メタノール７ｍｌ／ｍ² フタラジン２５０ｍｇ／ｍ² Ａ−４（２０％メタノール溶液）１０ｍｌ／ｍ² マット剤：単分散度１０％、平均粒子サイズ４μｍの単分散シリカ５ｍｇ／ｍ² ＣＨ₂＝ＣＨＳＯ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＨ₂ＳＯ₂ＣＨ＝ＣＨ₂ ３５ｍｇ／ｍ² フッ素系界面活性剤Ｃ₁₂Ｆ₂₅（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）₁₀Ｃ₁₂Ｆ₂₅ １０ｍｇ／ｍ² Ｃ₈Ｆ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−ＳＯ₃Ｎａ１０ｍｇ／ｍ² 《露光及び現像処理》その後、７８０ｎｍの半導体レー
ザーを搭載したイメージセッター機であるサイテックス
社製Ｄｏｌｅｖ２ｄｒｙ（内面ドラム方式）を用いて
−ｌｏｇＥのエネルギーでベタ露光した。

【０１９１】《自動熱現像機》図１〜４に加熱部の断面
を示す自動熱現像機を用い、表に示す現像条件で現像を
行って評価した。尚、露光及び現像は２３℃、５０％Ｒ
Ｈに調湿した部屋で行った。

【０１９２】図１〜４は加熱部の例の断面図である。図
１（ａ）〜（ｃ）は、搬送ローラーを用いる水平搬送型
のもので、→方向に搬送される感光材料と搬送ローラー
を取り囲む形で、熱媒体２が配置される。ここにおいて
搬送される熱現像感光材料表面と対面する熱媒体（加熱
部材）との距離を加熱部高さとすると、プレヒート部高
さがＤｐ、現像部高さがＤｈである。図２（ａ）は、ベ
ルトコンベアー３を用いる水平搬送型のもので、感光材
料が搬送される領域のみ空隙が設定された熱媒体２が配
置される。図２（ｂ）は同形式でプレヒート部を有する
ものである。図２（ｃ）はプレヒート部をローラー搬
送、熱現像部をベルトコンベアー搬送とするものであ
る。図３（ａ）はヒートドラム対で加熱するもので、感
光材料はガイドローラ６１、６２に挟持されて搬送さ
れ、ヒートドラム対５１、５２に挟まれて両面から加熱
され、ガイドローラ７１、７２により一旦加熱現像部か
ら排出されたのち、逆方向に搬送され、再度の両面加熱
の後、上部ヒートドラム５１に巻回され、ガイドローラ
４により案内されて、冷却部を経て搬出される。図３
（ｂ）は更にプレヒートドラム８１、８２を組み合わせ
たものである。図４（ａ）は、ヒートドラム５３周縁に
ローラ群９１を配し、搬送される感光材料をヒートドラ
ムに押しつけて加熱すると共に、熱媒体２で全体を覆っ
て、裏面からの加熱も行うものである。図４（ｂ）は、
更にプレヒートドラム８３周縁に間欠ローラ群９２を配
してプレヒートするものである。

【０１９３】《現像ムラ評価》４４０ｍｍ×６１０ｍｍ
サイズの感光材料を作製し、露光機、現像機を用い１枚
通したときの感光材料の位置でのＤｍｉｎ、Ｄｍａｘの
変動率を評価した。即ち、図５に示す９箇所で測定し
て、最大Ｄｍｉｎ値と最小Ｄｍｉｎの差をＤｍｉｎ変動
率、最大Ｄｍａｘ値と最小Ｄｍａｘの差をＤｍａｘ変動
率とした。なお現像先端が測定点１〜３側である。

【０１９４】《搬送性の評価》熱現像感光材料を１００
枚処理した時の搬送不良の回数で評価した。

【０１９５】《画像再現性の評価》熱現像感光材料を１
０枚露光し、現像して得たセンシトメトリー画像から濃
度１．０を与える露光量の逆数で感度を求め、その変化
率を百分率で表し評価した。

【０１９６】以上の条件と結果を表１〜３に示す。

【０１９７】

【表１】

【０１９８】

【表２】

【０１９９】

【表３】

【０２００】

【発明の効果】本発明の熱現像感光材料の処理方法によ
れば、熱伝達率の変化や空気の流れ込みに伴う、現像ム
ラ、画像再現性、搬送不良の問題を解消することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】搬送ローラーを用いる水平搬送型加熱部の例の
断面図である。

【図２】ベルトコンベアーを用いる水平搬送型加熱部の
例の断面図である。

【図３】ヒートドラム対で加熱する加熱部の例の断面図
である。

【図４】ヒートドラムと熱媒体を併用する加熱部の例の
断面図である。

【図５】現像ムラ評価の測定点を示す図である。

【符号の説明】

１搬送ローラー２熱媒体３ベルトコンベアー４ガイドローラ５１、５２、５３ヒートドラム６１、６２、７１、７２ガイドローラ８１、８２、８３プレヒートドラムＤｈ現像部高さＤｐプレヒート部高さ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、加熱部内の空隙率（＝加
熱部内の空隙体積（ｃｍ³）／加熱部内の体積（ｃ
ｍ³））が０．００２〜０．３の範囲である熱現像処理
装置を用いることを特徴とする熱現像感光材料の処理方
法。
【請求項２】熱現像処理装置の加熱部の温度が１００
℃〜１５０℃の範囲であることを特徴とする請求項１に
記載の熱現像感光材料の処理方法。
【請求項３】感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、１１０℃〜１５０℃の範
囲である現像部と、該現像部の温度より５℃以上低い温
度範囲のプレヒート部を有する熱現像処理装置を用いる
ことを特徴とする熱現像感光材料の処理方法。
【請求項４】感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、現像部内の空隙率（＝熱
現像部内の空隙体積（ｃｍ³）／熱現像部内の体積（ｃ
ｍ³））が０．００２〜０．５の範囲である熱現像処理
装置を用いることを特徴とする熱現像感光材料の処理方
法。
【請求項５】熱現像処理装置の現像部の温度が１１０
℃〜１５０℃の範囲であることを特徴とする請求項４に
記載の熱現像感光材料の処理方法。
【請求項６】熱現像処理装置の現像部の前に現像部温
度より５℃以上低い温度のプレヒート部を有することを
特徴とする請求項４又は５に記載の熱現像感光材料の処
理方法。
【請求項７】現像部とプレヒート部を有する加熱部内
の空隙率に対する現像部内の空隙率が０．００６〜１．
８であることを特徴とする請求項３に記載の熱現像感光
材料の処理方法。
【請求項８】感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、加熱部内に搬送される熱
現像感光材料表面と対面する加熱部材との距離が０〜
１．８ｃｍの範囲である熱現像処理装置を用いることを
特徴とする熱現像感光材料の処理方法。
【請求項９】感光性ハロゲン化銀、有機銀塩、銀イオ
ン用還元剤、硬調化剤及びバインダーを含有する熱現像
感光材料を処理するにあたり、現像部内の搬送部材と加
熱部材との距離が０〜１．８ｃｍの範囲である熱現像処
理装置を用いることを特徴とする熱現像感光材料の処理
方法。
【請求項１０】平面搬送する熱現像処理装置であるこ
とを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８
又は９に記載の熱現像感光材料の処理方法。
【請求項１１】熱現像感光材料の支持体厚みが１１０
〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１、２、
３、４、５、６、７、８、９又は１０に記載の熱現像感
光材料の処理方法。