JP2002265760A - 難燃性エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体封止材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハロゲン系化合物やリン系難燃剤を使用する
ことなしに、高度な難燃性を有すると共に、硬化性、流
動性、耐湿信頼性を大きく低下させることのない難燃性
エポキシ樹脂組成物、それを用いた半導体封止材料、及
び半導体装置を提供する。 【解決手段】 １分子内に少なくとも２個のエポキシ基
を有するエポキシ樹脂、硬化剤、（式１）で示されるア
セチルアセトナート金属錯体、および、金属原子と芳香
族化合物または複素環化合物が、イオン結合または配位
結合で結合した化合物を、必須成分として配合する。 【化１】

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ハロゲン系化合物
やリン系難燃剤を使用することなしに、優れた難燃性を
示す難燃性エポキシ樹脂組成物、およびそれを用いた半
導体封止材料に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】エポキシ樹脂は、不飽和ポリエステル樹
脂やフェノール樹脂など、他の熱硬化性樹脂に比べて硬
化の際の収縮が少なく、金属や無機物との接着性が良い
ことから、半導体封止材料として用いられている。半導
体封止材料は、火災に対する安全性を確保するため難燃
性が付与されている。従来、これらの樹脂の難燃化に
は、臭素化エポキシ樹脂などのハロゲン系化合物と酸化
アンチモンを用いるのが一般的であった。

【０００３】これらのハロゲン系化合物は高度な難燃性
を有するが、芳香族臭素化合物は、熱分解によって腐食
性の臭素や臭化水素を遊離するだけでなく、酸素存在下
で分解した場合には、毒性の高いポリベンゾフランやポ
リブロムジベンゾオキサジンを形成する可能性がある。
また、臭素を含有する老朽廃材やゴミの処理はきわめて
困難である。

【０００４】このような理由から、ハロゲン系化合物に
代わる難燃剤として、リン系難燃剤が広く検討されてき
た。しかし、エポキシ樹脂系組成物にリン酸エステルな
どを加えた場合、ブリードや加水分解性が原因となっ
て、電気的特性や信頼性を著しく劣化させるという場合
ある。そこで、ハロゲン系化合物、酸化アンチモン化合
物、リン系化合物に代わる難燃剤として、特開平２００
０−２０４２２７号公報には、金属原子を有する化合物
を用いた難燃技術が提案されている。しかしながら、添
加量を増やしても一定以上の十分な難燃性が確保できな
いために、さらに異なる難燃技術の開発が望まれてい
る。

【０００５】本発明者らは、エポキシ樹脂の難燃化にお
ける、このような問題点を解決すべく鋭意検討を行なっ
た結果、エポキシ樹脂組成物にコバルト錯体（Ｃ）を添
加することにより、難燃性を著しく向上させ得ることを
見出し、特願平１１−８１２８０号として特許出願し
た。しかしこの方法では、コバルト錯体の添加により難
燃性が付与できるが、その量の増加と共に硬化性が著し
く低下するため、添加量が限定され、必ずしも十分な難
燃性が得られない問題があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の方法
にさらに改良を加えて、ハロゲン系化合物や酸化アンチ
モン、リン系難燃剤を添加することなく、より高度な難
燃性と良好な流動性、かつ耐湿信頼性に優れた難燃性エ
ポキシ樹脂組成物、およびそれを用いた半導体封止材料
を提供することを目的としたものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、エポキシ
樹脂の難燃化におけるこのような現状に鑑み、さらに検
討を重ねた結果、アセチルアセトナート金属錯体（Ｃ）
の他さらに、金属原子と芳香族化合物または複素環化合
物が、イオン結合または配位結合で結合した、熱分解温
度が３００〜８００℃である化合物（Ｄ）を加えること
によって、エポキシ樹脂に対して化合物（Ｄ）を多量に
添加した場合にも硬化性を維持でき、樹脂が分解する温
度３００〜８００℃まで熱的に安定で、他の物性に悪影
響を及ぼすことなく、燃焼時に難燃剤として高い効果を
発揮でき、さらに流動性をも向上させ得ることを見出
し、さらに検討を進めて本発明を完成するに至った。

【０００８】即ち本発明は、１分子内に少なくとも２個
のエポキシ基を有するエポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤
（Ｂ）、（式１）で示されるアセチルアセトナート金属
錯体（Ｃ）、および、金属原子と芳香族化合物または複
素環化合物が、イオン結合または配位結合で結合した化
合物（Ｄ）を、必須成分として含有することを特徴とす
る難燃性エポキシ樹脂組成物、及びそれを用いた半導体
封止材料である。

【０００９】またさらには、化合物（Ｄ）が、熱重量減
少測定において、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／min
で昇温させた時の、１０％重量減少時の温度が３００〜
８００℃であることを特徴とする。

【００１０】

【化１６】 式中、Ｍは金属原子を示し、ｎは１以上の整数である。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の難燃性エポキシ樹脂組成
物、及びそれを用いた半導体封止材料は、アセチルアセ
トナート金属錯体（Ｃ）と、金属原子と芳香族化合物ま
たは複素環化合物が、イオン結合または配位結合で結合
した化合物（Ｄ）とを添加し併用することによって、ハ
ロゲン化エポキシ樹脂などのハロゲン系化合物や、リン
系難燃剤を使用せず、且つ、流動性、硬化性、耐湿信頼
性を著しく低下させることなく、エポキシ樹脂に優れた
難燃性を付与することを骨子とする。

【００１２】本発明において用いるエポキシ樹脂（Ａ）
は、１分子内に少なくとも２個のエポキシ基を有する化
合物であれば良く、具体的には、ビスフェノールＡ型エ
ポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナ
フタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、
芳香族アミンおよび複素環式窒素塩基から導かれるＮ-
グリシジル化合物、例えば、Ｎ,Ｎ-ジグリシジルアニリ
ン、トリグリシジルイソシアヌレート、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-
テトラグリシジル-ビス（パラ-アミノフェニル）-メタ
ン等が例示されるが、特にこれらに限定されるものでは
ない。また、これらは何種類かを併用して用いることも
できる。

【００１３】但し、本発明がハロゲン系化合物を用いな
い樹脂組成物を目的とする以上、臭素化ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂や臭素化ノボラック型エポキシ樹脂な
どの、ハロゲン化エポキシ樹脂は、原則として除外する
が、ハロゲン化エポキシ樹脂を少量、あるいは部分的に
含んでいたとしても、本発明の技術的範囲に含まれるこ
とは勿論である。また、エポキシ樹脂の製造工程上、エ
ピクロルヒドリンを起源とする通常のエポキシ樹脂に含
まれる塩素は、やむを得ず残留するものであり、本発明
に関して何ら差し支えはなく、これを除外するものでは
ない。その量は当業者に公知のレベルであり、加水分解
性塩素にて数百ｐｐｍのオーダーである。

【００１４】本発明に用いる硬化剤（Ｂ）は、エポキシ
樹脂を硬化させるためのものであり、当業者において公
知のものはすべて用いることができる。具体的には、エ
チレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレ
ンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどのＣ２〜Ｃ２
０の直鎖脂肪族ジアミン、メタフェニレンジアミン、パ
ラフェニレンジアミン、パラキシレンジアミン、４,４'
-ジアミノジフェニルメタン、４,４'-ジアミノジフェニ
ルプロパン、４,４'-ジアミノジフェニルエーテル、４,
４'-ジアミノジフェニルスルホン、４,４'-ジアミノジ
シクロヘキサン、ビス（４-アミノフェニル）フェニル
メタン、１,５-ジアミノナフタレン、メタキシレンジア
ミン、パラキシレンジアミン、１,１-ビス（４-アミノ
フェニル）シクロヘキサン、ジシアノジアミドなどのア
ミン類、アニリン変性レゾール樹脂やジメチルエーテル
レゾール樹脂などのレゾール型フェノール樹脂、フェノ
ールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ター
シャリー-ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフ
ェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール
樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレ
ン、フェノールアラルキル樹脂などのフェノール樹脂
や、酸無水物などが例示されるが、特にこれらに限定さ
れるものではない。

【００１５】また、半導体封止材料用の硬化剤として
は、耐湿性、信頼性等の点から、１分子内に少なくとも
２個のフェノール性水酸基を有する化合物または樹脂が
好ましく、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボ
ラック樹脂、ターシャリー-ブチルフェノールノボラッ
ク樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラ
ック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポ
リパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレン、フェ
ノールアラルキル樹脂が例示される。

【００１６】次に、本発明に用いるアセチルアセトナー
ト金属錯体（Ｃ）は、（式１）で示される化合物であ
り、式中のＭは金属原子を示し、ｎは１以上の整数を示
す。また、金属原子Ｍは、周期律表の２Ａ、３Ａから１
Ｂの一般に遷移金属と呼ばれる群、および２Ｂに属する
金属より選ばれ、好ましくは、コバルト（ｎ＝２又は
３）、鉄（ｎ＝２又は３）、銅（ｎ＝１又は２）であ
る。

【００１７】本発明における金属錯体（Ｃ）の配合量
は、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）との合計１００
重量部に対して、０.０１〜３重量部が好ましいが、特
に好ましくは０.１〜１.０重量部の範囲である。０.０
１重量部以下では難燃性の効果が低下する恐れがあり、
一方、３重量部を越えると硬化性が低下する恐れがあ
る。金属錯体（Ｃ）は、単独で用いてもよく、複数種を
混合しても用いることも出来る。また、樹脂組成物の製
造においては、分散性を向上させるために、あらかじめ
エポキシ樹脂（Ａ）や硬化剤（Ｂ）に溶融、混合して用
いてもよいし、粒径を制御して用いても良い。

【００１８】次に、本発明に用いる金属原子と芳香族化
合物または複素環化合物が、イオン結合または配位結合
で結合した化合物（Ｄ）は、熱重量減少測定において、
窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／minで昇温させた時
の、１０％重量減少時の温度が３００〜８００℃である
ことが好ましく、樹脂の分解温度付近で分解することに
より難燃性が向上し、特にＵＬ９４試験における２回目
の接炎後の難燃に効果がある。樹脂がまだ分解していな
い３００℃未満、あるいは樹脂の分解が終わってしまっ
た８００℃を越えると、化合物（Ｄ）が分解しても、十
分な難燃効果を発揮できない恐れがある。また成形温度
が１６５〜１９０℃と化合物の分解温度に比べて低いた
め、硬化性が低下することなく、流動性も良好である。
尚、熱重量減少測定には、セイコーインスツルメント
(株)製ＴＧ−ＤＴＡを使用した。

【００１９】化合物（Ｄ）を構成する金属原子は、周期
律表の２Ａ、３Ａから１Ｂの一般に遷移金属と呼ばれる
群、および２Ｂに属する金属より選ばれた、少なくとも
１種であり、好ましくはコバルト、鉄、または銅であ
る。

【００２０】また、化合物（Ｄ）は具体的には、フタロ
シアニン錯体（式１）、ナフタロシアニン錯体（式
２）、ヒドロキシキノリン（オキシン）（式３）、ニト
ロナフトール錯体（式４）、サリチルアルデヒドエチレ
ンジイミン錯体（式５）、フェナントロリン錯体（式
６）、シクロペンタジエニル錯体（式７）、およびビピ
リジン錯体（式８）より選ばれた、少なくとも１種の錯
体化合物である。

【００２１】式中のＲ₁〜Ｒ₂₈は、水素、メチル基、エ
チル基、ターシャリーブチル基、アミノ基、およびカル
ボキシル基からなる群から選択され、同一でも異なって
いてもよい。Ｍは、周期律表の２Ａ、３Ａから１Ｂの一
般に遷移金属と呼ばれる群、および２Ｂに属する金属よ
り選ばれる金属原子を示す。また、（式３）〜（式６）
は配位子を２つ持つ例を示すが、配位子が３つ以上ある
化合物でも良い。

【００２２】

【化１７】

【００２３】

【化１８】

【００２４】

【化１９】

【００２５】

【化２０】

【００２６】

【化２１】

【００２７】

【化２２】

【００２８】

【化２３】

【００２９】

【化２４】

【００３０】また、本発明における化合物（Ｄ）とし
て、特に好ましいのは、銅フタロシアニン（式１０）、
コバルトフタロシアニン（式１１）、銅ビスキノリノラ
ト（式１２）、コバルトビスキノリノラト（式１３）、
ビス（サリチルアルデヒド）エチレンジイミンコバルト
（式１４）、およびトリスベンゾイルメタナト鉄（式１
５）より選ばれる、少なくとも１種のの有機金属錯体化
合物である。

【００３１】

【化２５】

【００３２】

【化２６】

【００３３】

【化２７】

【００３４】

【化２８】

【００３５】

【化２９】

【００３６】

【化３０】

【００３７】本発明における化合物（Ｄ）の配合量は、
エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）との合計１００重量
部に対して、１〜１０重量部が好ましい、更に好ましく
は、３〜５重量部の範囲である。１重量部未満では難燃
性の効果が小さくなる恐れがあり、一方、１０重量部を
越えると硬化性、流動性が低下する恐れがある。化合物
（Ｄ）は、単独で用いてもよく、複数種を混合しても用
いることも出来る。また、樹脂組成物の製造において
は、分散性を向上させるために、あらかじめエポキシ樹
脂（Ａ）や硬化剤（Ｂ）に溶融、混合して用いてもよい
し、粒径を制御して用いても良い。

【００３８】金属錯体（Ｃ）は、添加量が増えるに従っ
て難燃性が向上するが、ＵＬ９４試験における２回目の
接炎後の難燃効果は小さい。また、１重量部を超える
と、エポキシ樹脂の硬化性が著しく低下する恐れがあ
る。化合物（Ｄ）を併用することで、ＵＬ９４試験の２
回目の接炎後の難燃効果が大きくなり、より優れた難燃
性を発現することができた。

【００３９】本発明の半導体封止材料は、前記難燃性樹
脂組成物と充填剤とで基本的に構成される。充填剤の具
体例としては、溶融シリカ等のシリカ粉末、アルミナ、
タルク、炭酸カルシウム、クレー、マイカなどが挙げら
れ、さらに必要に応じて天然ワックス類、合成ワックス
類、直鎖脂肪族酸の金属酸化物、酸アミド類、エステル
類、パラフィン類などの離型剤、カーボンブラック、ベ
ンガラなどの着色剤、種々の硬化促進剤、カップリング
剤など、当業者において公知の添加剤を必要に応じて適
宜配合して使用される。

【００４０】また、半導体装置は、上記で得られた半導
体封止材料を用いて、１６５〜１９０℃の範囲でトラン
スファー成形、射出成形などによって、半導体素子を封
止成形し、硬化して得られるものである。

【００４１】本発明において、硬化剤（Ｂ）がフェノー
ル系化合物である場合、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤
（Ｂ）の配合割合は、エポキシ樹脂（Ａ）のエポキシ当
量に対する硬化剤（Ｂ）の水酸基当量の割合が、０.５
〜２.０の範囲で配合することが好ましい。また、硬化
剤（Ｂ）が酸無水物の場合は、エポキシ当量に対する酸
無水物当量の割合が、０.５〜１.５の範囲で配合するこ
とが好ましい。

【００４２】本発明の難燃性エポキシ樹脂組成物と充填
剤、その他の成分を、所定の組成比に選択し、ミキサー
などにより十分に均一になるように混合した後、熱ロー
ルによる混練、またはコニーダなどによる混練処理を行
い、冷却、固化させ、適当な大きさに粉砕することで、
半導体封止材料を得ることができる。得られた半導体封
止材料は、トランスファー成形、射出成形することによ
って半導体装置として好適に用いられる。

【００４３】また、本発明の難燃性エポキシ樹脂組成物
は、ハロゲン系化合物やリン系難燃剤を含まず、優れた
難燃性を示し、硬化性、流動性、耐湿信頼性を大きく低
下させることがないことから、半導体素子を初め、電子
部品や電機部品の封止材料として使用できる他、被膜材
料、絶縁材料、積層板、金属張り積層板などの用途にも
好適に使用することが出来る。

【００４４】

【実施例】以下、実施例により本発明を詳しく説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。ここでは先ず、所定の配合により半導体封止用成形
材料を調製し、その特性を評価するため、スパイラルフ
ロー、バーコル硬度、および難燃性を測定し、耐湿信頼
性の試験を行なった。各特性の測定方法および条件は、
次の通りとした。また、特性の評価結果は、表１にまと
めて示した。

【００４５】（１）スパイラルフロー（ｃｍ） ＥＭＭＩ-1-66に準じた金型を使用し、トランスファー
成形機により、金型温度１７５℃、注入圧力６.８６Ｍ
Ｐａ（７０kgf／cm²）、硬化時間１２０秒の条件で測定
した。得られた測定値は、大きい方が流動性が良いこと
を示す。

【００４６】（２）バーコール硬度 トランスファー成形機により、金型温度１７５℃で１２
０秒間成形し、金型の型開き１０秒後の成形品のバーコ
ール硬度（＃９３５）を測定した。測定値が大きい方
が、硬化性が良いことを示す。

【００４７】（３）難燃性 トランスファー成形機により、金型温度１７５℃、注入
圧力６.８６ＭＰａ（７０kgf／cm²）、硬化時間１２０
秒の条件で成形した後、１７５℃で８時間の後硬化を行
った、厚さ１.６mmの耐燃性試験サンプルを用いて、Ｕ
Ｌ９４規格に従い、ΣＦ、Ｆmaxを測定した。また各試
験片の１回目接炎後の消火時間ΣＦ１と、２回目の接炎
後の消火時間ΣＦ２も求めた。

【００４８】（４）耐湿信頼性 調製した成形材料を用いて、金型温度１７５℃、注入圧
力６.８６ＭＰａ（７０kgf／cm²）、硬化時間１２０秒
の条件で、アルミ模擬素子を搭載したモニターＩＣ（１
６ｐＤＩＰ）を成形し、１７５℃、８時間で後硬化させ
た半導体装置を用いた。これに１２５℃、相対湿度１０
０％、２.３気圧の温室条件下で５.５Ｖの電圧を印加し
たまま、２００時間放置した後、導通試験を行い、１端
子でも導通しないものを不良と判定した。不良の生じた
パッケージがａ個であるとき、ａ/２０とした。

【００４９】（実施例１）球状溶融シリカ（平均粒径20
μm、最大粒径100μm）８５重量部、ビフェニル型エポ
キシ樹脂（油化シェルエポキシ社製ＹＸ-４０００Ｈ
Ｋ、エポキシ当量１９５ｇ／eq）７.６重量部、フェノ
ールアラルキル樹脂（三井化学製ＸＬ-２２５、水酸基
当量１７５ｇ／eq）６.８重量部、コバルトアセチルア
セトナート（関東化学製）、コバルトフタロシアニン
（アルドリッチ製）０.６７重量部（エポキシ樹脂
（Ａ）と硬化剤（Ｂ）との合計１００重量部に対して５
重量部）、トリフェニルホスフィン０.３重量部、離型
剤（天然カルナバワックス）０.３重量部、着色剤（カ
ーボンブラック）０.２重量部、及びエポキシシランカ
ップリング剤（日本ユニカー製Ａ-１８６）０.３重量部
を配合し、熱ロールを用いて混練した後、冷却、粉砕し
て半導体封止用成形材料を得た。

【００５０】（実施例２〜９）実施例１におけるコバル
トアセチルアセトナート（関東化学製）に代えて、鉄ア
セチルアセトナート（関東化学製）を、また、コバルト
フタロシアニン（関東化学製）に代えて、銅フタロシア
ニン（関東化学製）、銅ビスキノリノラト（東京化成
製）、コバルトビスキノリノラト（Ind．Eng．Chem.，V
ol.16，No.6，387（1944）に記載の方法で合成した）、
及びビス（サリチルアルデヒド）エチレンジイミンコバ
ルト（東京化成製）を用い、表１に従って配合した以外
は、実施例１と同様にして、半導体封止用成形材料を調
製した。

【００５１】（比較例１〜３）難燃剤としてリン系化合
物のレゾルシンジフェニルホスフェート（大八化学製Ｃ
ＤＰ）、及びトリフェニルホスフィンオキシド（大八化
学製ＴＰＰ）、有機金属化合物難燃剤として、ナフテン
酸コバルト、コバルトアセチルアセトナート、及びコバ
ルトフタロシアニンを用いた。比較例１は難燃剤を含ま
ない配合例を、比較例２〜４はリン系難燃剤を含む配合
例を、５〜７は有機金属難燃剤を含む配合例を示す。各
成分を表１に従って配合した以外は、実施例１と同様に
して、成形材料を調製し、スパイラルフロー、硬化性、
難燃性、及び耐湿信頼性を評価した。

【００５２】

【表１】

【００５３】表１に示した結果から分かるように、難燃
剤を添加しない比較例１は、フローや硬化性は問題ない
ものの、難燃性は試験片が全焼するものがあり、ＵＬ９
４に該当しない。難燃剤としてレゾルシンジフェニルホ
スフェートを用いた比較例２は、フロー，硬化性，難燃
性は問題ないものの、耐湿信頼性が著しく低い。トリフ
エニルホスフィンオキシドを用いた比較例３，４では、
流動性は良いが、硬化性，難燃性，耐湿信頼性に劣る結
果であった。また、ナフテン酸コバルトを用いた比較例
５では、難燃性はＵＬ９４のＶ-０に到達しているもの
の、ΣＦが４９秒、Ｆmaxが１０秒とＶ-０ボーダーライ
ンであり、更なる難燃性の向上が必要である。コバルト
アセチルアセトナートを用いた比較例６、コバルトフタ
ロシアニンを用いた比較例７も、比較例５と同様に、Ｖ
-０ボーダーラインであるが、比較例６はΣＦ１の燃焼
時間が短く、比較例７はΣＦ２の燃焼時間が短いのが特
徴である。

【００５４】これに対して、本発明のアセチルアセトナ
ート金属錯体（Ｃ）と、金属原子と芳香族化合物または
複素環化合物が、イオン結合または配位結合で結合した
化合物（Ｄ）とを難燃剤とする、実施例１〜５では、い
ずれも難燃性はＵＬ９４ Ｖ-０を示し、総燃焼時間で比
較しても、比較例５〜７に比べて難燃性が向上すること
が分かる。さらには、比較例に比べて良好な流動性を示
した。従来のものに比べて、難燃性だけでなく、優れた
流動性を示す非常に良い結果であった。

【００５５】

【発明の効果】本発明の難燃性エポキシ樹脂組成物は、
ハロゲン系化合物やリン系難燃剤を添加することなく高
度な難燃性を有し、従来から用いられているリン系難燃
剤を配合する場合に比べて、耐湿信頼性が優れており、
特に流動性が良好なものであり、今後要求されるノンハ
ロゲン、ノンリン材料による、難燃性エポキシ樹脂組成
物を実現出来るもので、半導体封止用の材料として極め
て有用なものであり、また、この半導体封止材料を硬化
して得た半導体装置も極めて有用なものである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CC04X CC05X CC10X CC12X CD05W CD06W CD13W CD14W EN036 EN076 EZ007 EZ008 FD137 FD138 FD14X FD146 GQ05 4J036 AA01 AA02 AB17 AD07 AD08 AD21 AF06 AF08 AG07 AH10 DC03 DC04 DC06 DC09 DC10 DC31 FB07 JA07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA02 EB03 EB07 EC01 EC20

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １分子内に少なくとも２個のエポキシ基
   を有するエポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、（式１）
   で示されるアセチルアセトナート金属錯体（Ｃ）、およ
   び、金属原子と芳香族化合物または複素環化合物が、イ
   オン結合または配位結合で結合した化合物（Ｄ）を、必
   須成分として含有することを特徴とする難燃性エポキシ
   樹脂組成物。 【化１】 式中、Ｍは金属原子を示し、ｎは１以上の整数である。
2. 【請求項２】 硬化剤（Ｂ）が、１分子内に少なくとも
   ２個のフェノール性水酸基を有する化合物からなること
   を特徴とする、請求項１記載の難燃性エポキシ樹脂組成
   物。
3. 【請求項３】 アセチルアセトナート金属錯体（Ｃ）を
   構成する金属原子Ｍが、 周期律表の２Ａ、３Ａから１
   Ｂの一般に遷移金属と呼ばれる群、および２Ｂに属する
   金属より選ばれた１種であることを特徴とする、請求項
   １または請求項２に記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。
4. 【請求項４】 アセチルアセトナート金属錯体（Ｃ）を
   構成する金属原子Ｍが、コバルト、鉄、および銅から選
   ばれた１種であることを特徴とする、請求項１ないし請
   求項３のいずれかに記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。
5. 【請求項５】 化合物（Ｄ）が、熱重量減少測定におい
   て、窒素雰囲気下、昇温速度１０℃／minで昇温させた
   時の、１０％重量減少時の温度が３００〜８００℃であ
   ることを特徴とする、請求項１ないし請求項４のいずれ
   かに記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。
6. 【請求項６】 化合物（Ｄ）が、フタロシアニン錯体
   （式２）、ナフタロシアニン錯体（式３）、ヒドロキシ
   キノリン（オキシン）（式４）、ニトロナフトール錯体
   （式５）、サリチルアルデヒドエチレンジイミン錯体
   （式６）、フェナントロリン錯体（式７）、ビピリジン
   錯体（式８）、およびジベンゾイルメタナト（式９）よ
   り選ばれる、少なくとも１種以上の錯体化合物であるこ
   とを特徴とする、請求項１ないし請求項５に記載の難燃
   性エポキシ樹脂組成物。 【化２】 【化３】 【化４】 【化５】 【化６】 【化７】 【化８】 【化９】 式中、Ｒ₁〜Ｒ₂₈は、水素、メチル基、エチル基、ター
   シャリーブチル基、アミノ基、およびカルボキシル基か
   らなる群から選択され、同一でも異なっていてもよい。
   Ｍは金属原子を示す。
7. 【請求項７】 化合物（Ｄ）を構成する金属原子Ｍが、
   周期律表の２Ａ、３Ａから１Ｂの一般に遷移金属と呼ば
   れる群、および２Ｂに属する金属より選ばれた１種であ
   ることを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいずれ
   かに記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。
8. 【請求項８】 化合物（Ｄ）を構成する金属原子Ｍが、
   コバルト、鉄、および銅から選ばれた１種であることを
   特徴とする、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載
   の難燃性エポキシ樹脂組成物。
9. 【請求項９】 化合物（Ｄ）が、銅フタロシアニン（式
   １０）、コバルトフタロシアニン（式１１）、銅ビスキ
   ノリノラト（式１２）、コバルトビスキノリノラト（式
   １３）、ビス（サリチルアルデヒド）エチレンジイミン
   コバルト（式１４）、およびジベンゾイルメタナト鉄
   （式１５）より選ばれる、少なくとも１種以上の錯体化
   合物であることを特徴とする、請求項１ないし請求項８
   のいずれかに記載の難燃性エポキシ樹脂組成物。 【化１０】 【化１１】 【化１２】 【化１３】 【化１４】 【化１５】
10. 【請求項１０】 請求項１ないし請求項９のいずれかに
    記載された難燃性エポキシ樹脂組成物と充填剤とで、基
    本的に構成されることを特徴とする半導体封止材料。
11. 【請求項１１】 請求項１１に記載された半導体封止材
    料の硬化物によって、封止されていることを特徴とする
    半導体装置。