JP2002261325A

JP2002261325A - 発光装置およびその製造方法

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Publication number: JP2002261325A
Application number: JP2001059072A
Authority: JP
Inventors: Akiyuki Kitano; 晃行北野
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 2001-03-02
Filing date: 2001-03-02
Publication date: 2002-09-13
Anticipated expiration: 2021-03-02
Also published as: JP4081985B2

Abstract

(57)【要約】【課題】小型で高輝度の発光装置およびその製造方法
を提供する。【解決手段】本発明の発光装置は、対向する２つの主
面と、側面とを有し、一方の主面を発光観測面とし、他
方の主面を実装面とし、前記実装面にバンプを有する発
光素子が、実質的に全面を封止部材によって覆われ、前
記バンプの先端部が前記封止部材から突出している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は発光装置およびその
製造方法に関し、特に、ディスプレイ、光通信、および
ＯＡ機器などに好適に使用される発光装置およびその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的な発光装置の断面図を図２１
（ａ）および（ｂ）に示す。図２１（ａ）の発光装置５
０および図２１（ｂ）の発光装置５２において、基板５
４の表面５４ｂにキャビティ部５６を形成するように絶
縁ブロック５８が設けられ、そのキャビティ部５６にＬ
ＥＤチップ６０が透明樹脂６２によって封止されてい
る。なお、図２１（ａ）に示す発光装置５０において、
ＬＥＤチップ６０は、基板５４にフリップチップ実装さ
れ、導電性部材６５によって基板５４の電極と電気的に
接続されている。図２１（ｂ）に示す発光装置５２にお
いては、ＬＥＤチップ６０は、半導体層側を上面にして
基板５４に搭載されており、ボンディングワイヤ６４に
よって基板５４の電極と電気的に接続されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
より小型の発光装置が望まれており、従来の発光装置５
０および５２において、ＬＥＤチップ６０をキャビティ
部５６に樹脂６２によって封止する必要があるので、素
子の小型化に限界があった。また、ＬＥＤチップ６０が
絶縁ブロック５８で囲まれているので、ＬＥＤチップの
側面から放出される光を十分利用できず、発光効率を向
上させることができなかった。さらに、図２１（ｂ）に
示す発光装置５２では、ＬＥＤチップ６０の発光観測面
にワイヤ６４が設けられているために、発光効率が低下
したり、発光色にばらつきが生じるという問題があっ
た。

【０００４】本発明は上述したような課題を解決するた
めのものであり、小型で、発光強度の高い発光装置およ
びその製造方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の発光装置は、対
向する２つの主面と、側面とを有し、一方の主面を発光
観測面とし、他方の主面を実装面とし、実装面にバンプ
を有する発光素子が、実質的に全面を封止部材によって
覆われ、バンプの先端部が封止部材から突出している。

【０００６】上記発光装置によると、実質的に発光素子
の全面が封止部材によって覆われているので、発光素子
を樹脂封止する必要がなく、発光装置を小型化できる。
また、発光素子の発光観測面だけでなく、側面および実
装面から放出される光をも効果的に利用することができ
るので、発光装置の発光強度を向上させることが可能と
なる。さらに、このような発光装置は、樹脂封止やパッ
ケージングなどすることなしに使用可能である（ベアチ
ップ状態で使用可能である）ので、装置を小型化でき
る。また、発光装置の実装面に設けられたバンプを基板
に接合すれば、ダイレクトボンディングを行うことがで
きる。さらに、バンプの先端部が上記封止部材から突出
しているので、導電性樹脂をバンプの先端部に付着させ
て外部電極などに容易に接続することができる。

【０００７】なお、上記「バンプの先端部」とは、バン
プの上面（バンプと発光素子の実装面との接触面に対向
する面）を含んでなるバンプの一部分であり、実装基板
等との接合に使用される部分である。

【０００８】上記発光装置において、封止部材が蛍光体
材料を含有すれば、発光装置の発光素子から放出される
光を、蛍光体材料を含有する封止部材を用いて、光の混
色の原理に基づいて、色変換することができる。このよ
うに本発明の発光装置を色変換発光装置として使用する
場合、発光装置に使用する発光素子がバンプの先端部を
除いて実質的に全面が封止部材によって覆われているの
で、発光素子のほぼ全面において均一に色変換を行うこ
とができる。従って、色むらのない色変換発光装置を得
ることができる。

【０００９】上記発光素子が青色発光素子であり、上記
封止部材がＹＡＧ系の蛍光体材料を含有すれば、光の混
色の原理より白色発光装置を得ることができる。また、
上記白色発光装置は、ＹＡＧ系の蛍光体材料を含有する
封止部材が実装面のバンプの先端部を除いて実質的にＬ
ＥＤチップの全面を覆うので、ＬＥＤチップの発光観測
面だけでなく、側面および実装面から放出される光も色
変換され、利用可能であるため、発光強度を向上させる
ことが可能となる。また、実質的にＬＥＤチップの全面
において均一に色変換が行われるので、発光色のばらつ
きが抑制される。

【００１０】上記バンプの先端部が実質的に平坦な上面
を有し、バンプの側面と上面とのなす角度が鋭角である
ことが好ましい。バンプの先端部が実質的に平坦な上面
を有すれば、バンプの平坦な上面を実装基板の電極に接
続させた場合に、発光装置を実装基板にがたつきなく、
安定して実装することができるからである。さらに、バ
ンプの側面と上面とのなす角度が鋭角であれば、発光装
置の製造工程において、発光素子の実装面に封止部材を
形成する際に、硬化前の封止材料がバンプの先端部にま
で達してしまうことを防止できるので、先端部が封止部
材から突出したバンプをより確実に形成できる。

【００１１】本発明の発光装置の製造方法は、（１）発
光素子となる領域を複数含むウェハであって、前記発光
素子の実装面となる、前記ウェハの第１主面に、複数の
バンプを形成する工程と、（２）前記ウェハの前記第１
主面に対向する第２主面に、封止部材を形成する工程
と、（３）前記ウェハの前記封止部材の表面に伸長シー
トを粘着させる工程と、（４）前記伸長シートを切断し
ないように前記ウェハを切断して、複数の発光素子に分
割する工程と、（５）前記伸長シートを伸長させること
により、前記複数の発光素子において、隣接する発光素
子が互いに離間するように、前記隣接する発光素子の間
に間隙を形成させる工程と、（６）転写用シートに前記
複数の発光素子の前記バンプの先端部を接触させて、前
記転写用シートと前記発光素子の前記実装面との間に空
間が形成されるように、前記複数の発光素子の前記バン
プに前記転写用シートを接着させ、前記伸長シートを前
記複数の発光素子から剥離することにより、前記複数の
発光素子を前記転写用シートに転写する工程と、（７）
前記転写用シートに転写された前記複数の発光素子のそ
れぞれの前記封止部材がトレーの底面に接触するように
して、前記複数の発光素子を前記トレーの中に入れ、前
記隣接する発光素子の前記間隙が封止材料で満たされる
ように、かつ、前記バンプの前記先端部を除く前記実装
面の実質的に全面が前記封止材料で覆われるように、前
記封止材料を前記トレーに充填させて、前記封止材料を
硬化させる工程と、（８）前記トレーから、前記封止材
料により連結された前記複数の発光素子を取り出し、前
記複数の発光素子の側面に封止部材が残るように、前記
隣接する発光素子の前記間隙の前記封止部材を切断し
て、複数の発光装置に分離する工程とを含む。上述の製
造方法によると、発光素子の発光観測面に封止部材を形
成する工程と、発光素子の側面および実装面に封止部材
を形成する工程とを異なる工程で行う。すなわち、発光
素子の側面および実装面に封止部材を形成する工程は上
述したように、（３）伸長シート粘着工程と、（４）ウ
ェハ切断工程と、（５）伸長シートの伸長工程と、
（６）転写工程と、（７）封止材料の充填および硬化工
程と、（８）分離工程とを含むことにより、従来困難と
されていた発光素子の側面および実装面にも、均一な膜
厚で容易に封止部材を形成させることができる。従っ
て、実装面のバンプの先端部を除いて実質的に全面を封
止部材によって覆われた発光装置を容易に製造すること
ができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】（実施形態１）図１は、本発明の
一実施形態の発光装置２の断面図である。本実施形態の
発光装置２は、図１に示すように、対向する２つの主面
である発光観測面１０および実装面１２と、側面１４と
を有する発光素子４が、封止部材６によって覆われて形
成されている。発光素子４の実装面１２にはバンプ８が
形成されており、封止部材６は実装面１２のバンプ８の
先端部分８ｂを除いて、実質的に発光素子４の全面を覆
っている。なお、本実施形態１では、上記発光素子４と
して、例えば発光ダイオードチップ（以下、ＬＥＤチッ
プと称する）を使用するが、本発明の発光装置に使用さ
れる発光素子はこれに限定されない。

【００１３】発光装置２におけるＬＥＤチップ４は、例
えば図２（ａ）に示すように、サファイア基板１５の表
面に、ｎ型窒化物半導体層１６と活性層１８とｐ型窒化
物半導体層２０とがこの順で積層され、さらに、ｎ型窒
化物半導体層１６の表面にはｎ電極２２およびバンプ８
が設けられ、ｐ型窒化物半導体層２０の表面にはｐ電極
２４およびバンプ８が設けられている。このようなＬＥ
Ｄチップ４はバンプ８を実装基板に接合して、表面実装
される。なお図２（ａ）はＬＥＤチップ４を模式的に示
す断面図であり、図２（ａ）に示されたＬＥＤチップ４
を構成する各層の膜厚は、実際のＬＥＤチップを構成す
る各層の膜厚を正確に示すものでない。実際のＬＥＤチ
ップでは、基板１５の厚みおよびバンプ８の高さに対し
て、窒化物半導体層１６、１８および２０の厚みが非常
に薄いために、ｎ電極２２上のバンプ８およびｐ電極２
４上のバンプ８において、これらのバンプ８の先端部８
ｂから基板１５の底面までの距離がほぼ等しく、ｎ電極
２２上のバンプ８の先端部８ｂの高さとｐ電極２４上の
バンプ８の先端部８ｂとの高さは実質的に一致してい
る。

【００１４】本実施形態の発光装置２によると、ＬＥＤ
チップ４が、その実装面１２に設けられたバンプ８の先
端部８ｂを除いて実質的に全面を封止部材６によって覆
われているので、図２１（ａ）および（ｂ）にそれぞれ
示した従来の発光装置５０および５２のように、ＬＥＤ
チップ６０をキャビティ５６の内部に樹脂層６２によっ
て封止する必要がないので、発光装置を小型化すること
ができる。また、ＬＥＤチップ４の発光観測面１０だけ
でなく、側面１４および実装面１２から放出される光を
も有効に利用することができるので、素子の発光強度を
向上させることが可能となる。

【００１５】また、図１に示すように、本実施形態の発
光装置２において、バンプ８の先端部８ｂは、封止部材
６から突出していることが好ましい。以下にその理由を
説明する。発光装置２のＬＥＤチップ４の実装面１２を
外部電極（例えば実装基板の電極）と対向させるフリッ
プチップ式実装を行う場合、バンプ８に導電性接着剤を
付着させて、この導電性接着剤を介して外部電極に接続
することができる。本実施形態の発光装置２のようにバ
ンプ８の先端部８ｂが封止部材６から突出していれば、
バンプ８の先端部８ｂに導電性接着剤を付着させて外部
電極に容易に接続できる。従って、バンプ８の先端部８
ｂが、封止部材６から突出していることが好ましい。ま
た、バンプ８の先端部８ｂが封止部材６から突出してい
ると、バンプ８を超音波溶着させて実装基板に接合させ
ることも可能であり、この場合、より容易に接合を行う
ことができる。

【００１６】なお、バンプ８は図２（ｂ）に示すよう
に、バンプ８の先端部８ｂにおいて、上面８ｃが実質的
に平坦であることが好ましい。これは、バンプ８の先端
部８ｂが実質的に平坦な上面８ｃを有すれば、バンプ８
の平坦な上面８ｃを実装基板の電極に接続させた場合
に、発光装置２を実装基板にがたつきなく、安定して実
装することができるからである。さらに、バンプ８の側
面８ｄと上面８ｃとのなす角度が鋭角であることが好ま
しい。これは後で詳述するが、発光装置２の製造工程に
おいて、ＬＥＤチップ４の実装面１２に封止部材６を形
成する際に、硬化前の封止材料がバンプ８の先端部８ｂ
にまで達してしまうことを防止できるので、先端部８ｂ
が封止部材６から突出したバンプをより確実に形成でき
るからである。

【００１７】本実施形態において、封止部材６は蛍光体
材料を含有しても良い。例えば、封止部材６に（Ｙ,Ｇ
ｄ）（Ａｌ,Ｇａ）_０Ｏ_１２の組成式で表されるＹＡＧ
系の蛍光体を含有する樹脂などの封止部材を使用し、Ｌ
ＥＤチップ４に青色発光のＬＥＤチップを使用すれば白
色発光装置を得ることができる。

【００１８】以下に白色発光機構を簡単に説明する。青
色ＬＥＤチップから放出された青色光が、蛍光体を含有
する封止部材の中へ入射すると、その一部が層内で蛍光
体に吸収される。蛍光体に吸収された青色光は励起源と
して働き、蛍光体は黄色の蛍光を層の外に放出する。一
方、層内で蛍光体に吸収されなかった青色光はそのまま
封止部材の外に放出される。この黄色光と青色光とが混
ぜ合わされて、人間の目には白色光として見える。上記
のような光の混色の原理により、青色ＬＥＤチップから
の発光が色変換されて白色の発光が得られる。

【００１９】上記のような白色発光装置は、実装面１２
のバンプ８の先端部を除いてＬＥＤチップ４のほぼ全面
が蛍光体を含有する封止部材６によって覆われているの
で、ＬＥＤチップ４の発光観測面１０だけでなく、ＬＥ
Ｄチップ４の側面１４および実装面１２からの発光を
も、上述した光の混色の原理により色変換することがで
きる。ＬＥＤチップの実装面または側面に樹脂層が形成
されていなかった従来の発光装置では、それらの面から
青色光が漏れ出して、発光装置の発光色がばらつくとい
う問題があったが、本実施形態の白色発光装置による
と、ＬＥＤチップの発光観測面１０、側面１４および実
装面１２のほぼ全面からの発光を均一に色変換できるの
で、発光装置の発光色のばらつきを抑制することができ
る。また、従来、効果的に利用することが困難であった
ＬＥＤチップの実装面１２および側面１４からの発光を
利用できるので、従来よりも装置の発光効率を向上させ
ることができる。

【００２０】以下に、本実施形態の発光装置の一例であ
る白色発光装置の製造方法を図３〜図１７を参照して説
明する。（バンプ形成工程）まず、青色発光のＬＥＤチップ４と
なる領域４Ｒを複数有するウェハ３０を用意する。この
ウェハ３０は、図２を参照して上述したように、例え
ば、サファイアからなる基板１５上に、ｎ型窒化物半導
体層１６と活性層１８とｐ型窒化物半導体層２０とがこ
の順で積層されてなり、さらに、各領域４Ｒにおいて、
ｎ型窒化物半導体層１６の表面にｎ電極２２が設けら
れ、ｐ型窒化物半導体層２０の表面にｐ電極２４が設け
られている。

【００２１】上記のようなウェハ３０を真空吸着で固定
しながら、ウェハ３０の各領域４Ｒに設けられたｎ電極
２２およびｐ電極２４に、バンプボンダーを用いてＡ
ｕ、Ｐｔ等からなるバンプ８を形成する。バンプ８のボ
ンディング条件は、各バンプ８のバンプシェア強度が５
０ｇｆ以上であるように設定されることが好ましい。ま
た、ｎ電極２２上のバンプ８の上面の高さとｐ電極２４
上のバンプの８の上面の高さとが実質的に等しく、バン
プ８の上面がＬＥＤダイオードの実装面１２と平行な平
坦面となることが好ましい。さらに、この平坦面の面積
をできるだけ大きくすることが好ましい。このようにバ
ンプを形成すると、最終的に得られる発光装置を実装基
板に安定して実装できる。特に、上述した図２（ｂ）に
示されるように、バンプ８の先端部８ｂが実質的に平坦
な上面８ｃを有し、バンプ８の側面８ｄと上面８ｃとの
なす角度が鋭角であることが好ましい。

【００２２】以下に図２（ｂ）に示される形状のバンプ
８の作製方法を簡単に説明する。まず、図１７（ａ）に
示すように、Ａｕなどの金属からなるワイヤ８ｅをキャ
ピラリー４２の細穴に通し、ワイヤ８ｅの先端をキャピ
ラリー４２の先端から突出させて、ワイヤ８ｅの先端を
溶融させてボール８ｆを形成する。次に、このボール８
ｆをバンプ形成面である電極２２、２４上に付与して、
電極２２、２４上にバンプを形成する。続いて、図１７
（ｂ）に示すように、電極２２、２４面に略平行にキャ
ピラリー４２の先端部分を上記バンプ８ｆ上に押圧およ
び摺動（スクラブ）させて、図２（ｂ）に示される形状
のバンプ８を作製する。この方法によると、バンプ形成
面である電極２２、２４にバンプを形成すると同時に、
バンプを図２（ｂ）に示すような形状にすることができ
る。

【００２３】あるいは、バンプ形成面である電極２２、
２４上に通常の方法でバンプを形成した後に、電極２
２、２４の面に対して平行に配置された板（任意の材料
から形成され、例えば金属からなる）によって、押圧お
よび摺動（スクラブ）させることにより、図２（ｂ）に
示される形状のバンプ８を作製してもよい。この方法に
よると、ｎ電極２２およびｐ電極２４上に形成するバン
プの上面を同時に平坦化でき、ｎ電極２２およびｐ電極
２４上に形成するバンプにおいて、ウェハの底面３０ｃ
からの高さを等しくすることができる。このようなバン
プによると、最終的に得られる発光装置をより安定して
実装基板などに実装することができる。

【００２４】以上のようにして、図３に示すように、最
終的に得られるＬＥＤチップの実装面となるウェハ３０
の第１主面３０ｂに設けられたｎ電極２２およびｐ電極
２４上にそれぞれバンプ８を形成する。

【００２５】（第１の封止部材形成工程）以下、ウェハ
３０の第２主面３０ｃに封止部材６Ｄを形成する方法の
一例を図４〜８を参照して説明する。なお、以下の説明
では封止部材６が樹脂層からなる例について説明する
が、本実施形態の発光装置はこれに限定されることはな
い。封止部材６が例えば、ガラスコーティング剤などか
ら形成されていれば、より耐熱性に優れた封止部材６を
形成することができる。

【００２６】まず、図４に示すように、上述したＹＡＧ
系の蛍光体を含有するエポキシまたはシリコーン樹脂材
料６Ｌを金属（例えばステンレス（ＳＵＳ）製）のトレ
ー３２に満たす。なお、後の工程で硬化した樹脂材料が
トレー３２から剥がれやすいように、トレー３２の内部
表面３２ｂに予め離型剤を塗布することが好ましい。離
型剤には例えばフッ素系ダイフリースプレー（ダイキン
株式会社製）を使用することができる。また、最終的に
得られるＬＥＤチップの発光観測面に形成される樹脂層
の厚みは、トレーに注入する樹脂材料６Ｌの量に依存す
るため、所望の樹脂層の厚みを考慮して注入すべき樹脂
材料の量を決定する。

【００２７】続いて図５に示すように、上記ウェハ３０
の第２主面３０ｃがＹＡＧ系蛍光体を含有する樹脂材料
６Ｌに接するように、ウェハ３０をトレー３２に入れ、
樹脂材料６Ｌを加熱して硬化させる（図６）。ここで、
ウェハの第２主面３０ｃとトレーの内部表面３２ｂとの
間の距離が、ウェハ分割後、最終的に得られるＬＥＤチ
ップの発光観測面に形成される樹脂層の厚みになる。Ｙ
ＡＧ系蛍光体を含有する樹脂材料６Ｌの樹脂成分には、
青色光に対する変色などの経時変化の極めて小さい材料
を選択することが好ましく、本実施形態では例えばエポ
キシまたはシリコーン樹脂材料を使用する。また、硬化
温度が、図１２に示す後の工程で使用される転写用の耐
熱シート４２の耐熱温度（剥離シートを使用する場合に
は剥離温度）よりも低い樹脂を選択することが好まし
い。例えば本実施形態で使用したエポキシまたはシリコ
ーン樹脂材料の硬化温度が約１００℃である場合、転写
用の耐熱シート４２として耐熱温度が１２０℃程度のも
のを用いる。

【００２８】ＹＡＧ系蛍光体を含有する樹脂材料６Ｌが
硬化した後、図７に示すように、樹脂層６Ｄが形成され
たウェハ３０をトレー３２から取り出す。上述したよう
に、予め離型剤３６がトレー３２の内部表面に塗布され
ているので、ウェハ３０をトレー３２から容易に取り出
すことができる。なお、図１６に示すように、側壁部を
テーパ状にしたトレー３３を使用してもよく、このよう
にしてもウェハ３０をトレーから容易に取りだすことが
できる。以上のようにして、図８に示すように、ウェハ
３０の第２主面３０ｃにＹＡＧ系蛍光体含有の樹脂層６
Ｄを形成する。

【００２９】（第２の封止部材形成工程）次に図９に示
すように、ウェハ３０の樹脂層６Ｄの表面６ｂに、粘着
性を有する伸長シート３８を貼り付ける。本実施形態で
は、伸長シート３８に、例えば、ポリオレフィンからな
る基材フィルム（膜厚７０μｍ）にアクリル系粘着剤
（膜厚１０μｍ）が形成されたシートを使用する。

【００３０】続いて、図１０に示すように、伸長シート
３８を切断しないように、例えばスクライバーを用いて
ウェハ３０および樹脂層６Ｄを切断して、複数のＬＥＤ
チップ４に分割する。

【００３１】続いて図１１に示すように、分割された複
数のＬＥＤチップ４が伸長シート３８に接着された状態
で、伸長シート３８をエキスパンダーによって均一に伸
長（エキスパンド）させる。図１１に対応する平面図を
図１７（ｃ）に示す。図１１および図１７（ｃ）に示さ
れるように、伸長シート３８を伸長させることにより、
伸長シート３８に接着された複数のＬＥＤチップ４にお
いて、隣接するＬＥＤチップが互いに離間し、隣接する
ＬＥＤチップの間に間隙４０が形成される。また、伸長
シート３８が均一に伸長されることにより、いずれの間
隙４０もほぼ等距離になる。エキスパンダーによって伸
長シート３８の伸長率を制御することにより、隣接する
ＬＥＤチップ間の間隙を所定の値に設定し、分割された
後のＬＥＤチップ４の側面に形成される樹脂層６の厚さ
を所望の値に設定する。なお、側面１４に形成する樹脂
層の厚さは、側面１４に付与させるべきＹＡＧ系の蛍光
体の量を考慮して決定される。本実施形態では、ＬＥＤ
チップ４の側面１４に形成される樹脂層の厚さと、発光
観測面１０に形成される樹脂層の厚さとが同程度になる
ように、伸長シート３８の伸長率を制御する。

【００３２】次に図１２に示すように、ＬＥＤチップ４
の実装面１２に設けられたバンプ８の先端部８ｂを転写
用の耐熱シート４２に接触させて、複数のＬＥＤチップ
４のバンプ８を耐熱シート４２に接着させる。このと
き、転写用の耐熱シート４２とＬＥＤチップの実装面１
２との間に空間が形成されるように、バンプ８と耐熱シ
ート４２との接着を行う。バンプ８に耐熱シート４２を
接着後、ＬＥＤチップ４の樹脂層６Ｄに粘着されていた
伸長シート３８を剥離し、それぞれのＬＥＤチップ４を
耐熱シート４２に転写する。なお、上記転写用の耐熱シ
ート４２の替わりに、一定温度を超えるとシートから被
接着物が剥離する熱剥離シートを使用しても良い。

【００３３】次に図１３に示すように、各ＬＥＤチップ
４に形成されている樹脂層６Ｄがトレー４４の底面４４
ｂに接触するように、耐熱シート４２に転写されたＬＥ
Ｄチップ４をトレー４４に入れ、トレー４４の内部をＹ
ＡＧ系の蛍光体を含有する樹脂材料６Ｌで満たす。本実
施形態では、ここで使用する樹脂材料６Ｌに、ＬＥＤチ
ップの発光観測面１０に形成した樹脂層６Ｄを形成する
ための樹脂材料６Ｌ（図４）と同様の材料を使用するこ
ともできるし、樹脂材料に対する蛍光体濃度を必要に応
じて変更して用いても良い。樹脂材料６Ｌは、ＬＥＤチ
ップ４の間隙４０が樹脂材料６Ｌで満たされるように、
かつ、バンプ８の先端部８ｂを除く実装面１２の全面が
樹脂材料６Ｌで覆われるように、トレー４４内部に注入
される。なお、バンプ８の上面８ｃが転写用の耐熱シー
ト４２にマスクされているので、樹脂材料６Ｌをトレー
４４内部に注入する際に、樹脂材料６Ｌによってバンプ
８の上面８ｃが覆われてしまうことを防止できる。さら
に、図２（ｂ）を参照して説明したように、バンプ８に
おいて、側面８ｄと上面８ｃとのなす角度が鋭角であれ
ば、樹脂材料８Ｌがバンプ８の先端部まで達することを
防ぐことができるので、最終的に得られる発光装置２に
おいて、より確実に、バンプ８の先端部８ｂを樹脂層６
から突出させることができる（図１参照）。

【００３４】トレー４４内部に注入する樹脂材料６Ｌの
量（液面の高さ）を制御することにより、ＬＥＤチップ
の実装面に形成する樹脂層の厚さを制御することができ
る。本実施形態では、ＬＥＤチップ４の発光観測面１０
の樹脂層に対して、５０％程度の厚さを有する樹脂層が
実装面１２に形成されるように、トレー４４内部に注入
する樹脂材料６Ｌの量を制御する。なお、トレー４４に
は、図４で使用したトレー３２と同様のトレーを使用す
ることもできれば、専用のトレーを用いることもでき
る。また、図４を参照して説明したように、樹脂材料６
Ｌを注入する前にトレー４４の内部表面に予め離型剤３
６を塗布しておけば、後の工程で硬化したＬＥＤチップ
をトレー４４から容易に取り出すことができる。

【００３５】続いて図１４に示すように上記樹脂材料６
Ｌを加熱して硬化させて、樹脂層６Ｅによって連結され
た複数のＬＥＤチップ４をトレー４４から取り出す。ま
た、耐熱シート４２をバンプ８から剥離する。なお、樹
脂材料６Ｌを硬化させるための加熱は、転写に使用する
耐熱シート４２の耐熱温度範囲で行う。

【００３６】最後に、図１５に示すように、いずれのＬ
ＥＤチップ４の側面１４にも同程度の厚みの樹脂層が残
るように、ＬＥＤチップ４の間隙４０の樹脂層６Ｅの中
央部分をダイサーを使用して切断する。本実施形態で
は、上述したように、発光観測面１０に形成された樹脂
層６Ｄの厚みと、側面１４に形成された樹脂層の厚みと
が同程度である。分離された各発光装置は、実装面のバ
ンプの先端部を除いて実質的に全面が樹脂層によって覆
われている。以上のようにして、本実施形態の発光装置
を作製する。

【００３７】（応用例）以下に実施形態１の発光装置２
の様々な応用例について説明する。図１８に示す発光装
置は、複数の発光装置２Ａ、２Ｂおよび２Ｃが同一基板
３上に搭載されて形成されてなる。発光装置２Ａ、２Ｂ
および２Ｃは、いずれも実施形態１で説明した発光装置
２と同様であり、ＬＥＤチップが実装面のバンプの先端
部を除いて実質的に全面が樹脂層に覆われて形成されて
いる。発光装置２Ａ、２Ｂおよび２Ｃのうち、発光装置
２Ａは、青色ＬＥＤチップがＹＡＧ系の蛍光体を含有す
る樹脂層で覆われ、光の混色の原理により白色光が発光
される白色発光装置である。発光装置２Ｂは、青色ＬＥ
Ｄチップが蛍光体を含有しない樹脂層で覆われた青色発
光装置であり、発光装置２Ｃは、黄色ＬＥＤチップが蛍
光体を含有しない樹脂層で覆われた黄色発光装置であ
る。

【００３８】図１８に示す発光装置によると、各発光装
置２Ａ、２Ｂおよび２Ｃが非常に小型であるので、異な
る色を発光するこれら複数の発光装置を組み合わせて使
用しても、装置を小型化できる。

【００３９】図１９に示す発光装置は、実施形態１の発
光装置２が基板３に搭載され、バンプ８が基板３上の各
電極５に直接接続されてなる。上述したように発光装置
２は、ＬＥＤチップのほぼ全面が樹脂層によって覆われ
て形成されているので、発光装置２をさらに樹脂封止し
たり、あるいはパッケージングなどすることなしに、使
用することができるので、発光装置２を使用する発光装
置を小型化できる。

【００４０】図２０に示す発光装置は、実施形態１の発
光装置２を利用したチップ部品型発光装置である。この
チップ部品型発光装置は、発光装置２が基板３に搭載さ
れ、基板３上にキャビティ部７を形成するように絶縁ブ
ロック９が形成され、キャビティ部７の内部に透明樹脂
材料を充填させて発光装置２を封止して形成されてい
る。キャビティ部７は、発光装置２からの発光の反射成
分がより利用できるように、内部表面７ｂにメッキ層が
形成されており、さらに、発光装置２が搭載されている
底面７ｃの面積が上面７ｄの面積よりも小さくなるよう
に、キャビティの内部側面が傾斜して、すり鉢形状にな
っている。キャビティ部７において、発光装置２のバン
プ８は、基板３上の各電極５に直接接続されている。こ
のような発光装置によると、発光装置２から放出された
光を非常に有効利用できるので、さらに高輝度な発光装
置を得ることができる。

【００４１】また、図２０のチップ部品型発光装置によ
ると、発光装置２がキャビティ部７の内部に透明樹脂材
料で封止され、発光装置２が透明樹脂材料によって覆わ
れている。従って、透明樹脂材料からなる封止樹脂層が
発光装置２の保護膜のような役割を果たし、発光装置２
が空気中の水分を吸収することを防ぐので、装置の劣化
を妨げることができる。

【００４２】また、図２０のチップ部品型発光装置を色
変換発光装置として使用する場合には、発光装置２に使
用する封止部材６に蛍光体材料を含有させる。発光装置
２において、ＬＥＤチップのほぼ全面が封止部材によっ
て覆われているので、発光装置２のほぼ全面から均一に
色変換された光が放出される。図２０のチップ部品型発
光装置によると、発光装置２から放出された光がキャビ
ティ部７の内部で反射し、この光を有効利用できる。従
って、さらに高輝度で色むらのない色変換発光装置を得
ることが可能となる。

【００４３】以下、封止部材６に蛍光体材料を含有させ
て本実施形態の発光装置２を色変換発光装置として使用
する場合に使用可能な発光素子４、および、封止部材６
に混合され得る蛍光体物質、ならびに封止部材６につい
て詳述する。

【００４４】（発光素子）本実施形態の発光装置が色変
換発光装置である場合、発光素子からの光は、蛍光体物
質から放出される光よりも短波長であると効率がよい。
そのため、高効率に発光輝度の高い可視光を発光可能な
半導体素子として、窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ
_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を活性層に利
用したものが好適に挙げられる。窒化物半導体を利用し
た発光素子は、サファイア基板、スピネル（ＭｇＡｉ_２
Ｏ_４）基板、ＳｉＣ、ＧａＮ単結晶等の上に形成させる
ことができるが、量産性と結晶性を満たすにはサファイ
ア基板を用いることが好ましい。よって、本実施形態で
は、ｎ型及びｐ型の窒化物半導体層が絶縁性基板である
サファイア基板上に形成され、半導体層側に両電極を有
する発光素子を用いている。

【００４５】（蛍光物質）本実施形態の発光素子に用い
られる蛍光物質は、窒化物系半導体を発光層とする半導
体発光素子から発光された光を励起させて発光できるセ
リウムで付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物
系蛍光物質をベースとしたものである。

【００４６】具体的なイットリウム・アルミニウム酸化
物系蛍光物質としては、ＹＡｌＯ_３：Ｃｅ、Ｙ_３Ａｌ_５
Ｏ_１２Ｙ：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）やＹ_４Ａｌ_２Ｏ_９：Ｃ
ｅ、更にはこれらの混合物などが挙げられる。イットリ
ウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質にＢａ、Ｓｒ、Ｍ
ｇ、Ｃａ、Ｚｎの少なくとも一種が含有されていてもよ
い。また、Ｓｉを含有させることによって、結晶成長の
反応を抑制し蛍光物質の粒子を揃えることができる。

【００４７】本明細書において、Ｃｅで付活されたイッ
トリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質は特に広義に
解釈するものとし、イットリウムの一部あるいは全体
を、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群から選
ばれる少なくとも１つの元素に置換され、あるいは、ア
ルミニウムの一部あるいは全体をＢａ、Ｔｌ、Ｇａ、Ｉ
ｎの何れが又は両方で置換され蛍光作用を有する蛍光体
を含む広い意味に使用する。

【００４８】更に詳しくは、一般式（Ｙ_ｚＧｄ_１−ｚ）
_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ（但し、０＜ｚ≦１）で示される
フォトルミネッセンス蛍光体や一般式（Ｒｅ_１−ａＳｍ
_ａ） _３Ｒｅ‘_５Ｏ_１２：Ｃｅ（但し、０≦ａ＜１、０≦
ｂ≦１、Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｓｃから選択される
少なくとも一種、Ｒｅ’は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選択
される少なくとも一種である。）で示されるフォトルミ
ネッセンス蛍光体である。

【００４９】この蛍光物質は、ガーネット構造のため、
熱、光及び水分に強く、励起スペクトルのピークを４５
０ｎｍ付近にさせることができる。また、発光ピーク
も、５８０ｎｍ付近にあり７００ｎｍまですそを引くブ
ロードな発光スペクトルを持つ。

【００５０】またフォトルミネセンス蛍光体は、結晶中
にＧｄ（ガドリニウム）を含有することにより、４６０
ｎｍ以上の長波長域の励起発光効率を高くすることがで
きる。Ｇｄの含有量の増加により、発光ピーク波長が長
波長に移動し全体の発光波長も長波長側にシフトする。
すなわち、赤みの強い発光色が必要な場合、Ｇｄの置換
量を多くすることで達成できる。一方、Ｇｄが増加する
と共に、青色光によるフォトルミネセンスの発光輝度は
低下する傾向にある。さらに、所望に応じてＣｅに加え
Ｔｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｅｕらを含有させることもできる。

【００５１】しかも、ガーネット構造を持ったイットリ
ウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体の組成のう
ち、Ａｌの一部をＧａで置換することで発光波長が短波
長側にシフトする。また、組成のＹの一部をＧｄで置換
することで、発光波長が長波長側にシフトする。

【００５２】Ｙの一部をＧｄで置換する場合、Ｇｄへの
置換を１割未満にし、且つＣｅの含有（置換）を０．０
３から１．０にすることが好ましい。Ｇｄへの置換が２
割未満では緑色成分が大きく赤色成分が少なくなるが、
Ｃｅの含有量を増やすことで赤色成分を補え、輝度を低
下させることなく所望の色調を得ることができる。この
ような組成にすると温度特性が良好となり発光ダイオー
ドの信頼性を向上させることができる。また、赤色成分
を多く有するように調整されたフォトルミネセンス蛍光
体を使用すると、ピンク等の中間色を発光することが可
能な発光装置を形成することができる。

【００５３】このようなフォトルミネセンス蛍光体は、
Ｙ、Ｇｄ、Ａｌ、及びＣｅの原料として酸化物、又は高
温で容易に酸化物になる化合物を使用し、それらを化学
量論比で十分に混合して原料を得る。又は、Ｙ、Ｇｄ、
Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶解した溶解液を
蓚酸で共沈したものを焼成して得られる共沈酸化物と、
酸化アルミニウムとを混合して混合原料を得る。これに
フラックスとしてフッ化バリウムやフッ化アンモニウム
等のフッ化物を適量混合して坩堝に詰め、空気中１３５
０〜１４５０°Ｃの温度範囲で２〜５時間焼成して焼成
品を得、つぎに焼成品を水中でボールミルして、洗浄、
分離、乾燥、最後に篩を通すことで得ることができる。

【００５４】発光ダイオードにおいて、このようなフォ
トルミネセンス蛍光体は、２種類以上のセリウムで付活
されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット蛍光体
や他の蛍光体を混合させてもよい。

【００５５】他にも青色、青緑色や緑色を吸収して赤色
が発光可能な蛍光体としては、Ｅｕ及び／又はＣｒで付
活されたサファイア（酸化アルミニウム）蛍光体やＥｕ
及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ−Ａｌ_２Ｏ_３
−ＳｉＯ_２蛍光体（オキシナイトライド蛍光硝子）等が
挙げられる。これらの蛍光体を利用して発光素子からの
光と蛍光体からの光の混色により白色光を得ることもで
きる。

【００５６】また、蛍光体材料を含有させる封止部材
（透光性モールド部材）の粘度や、蛍光体の粒径が、形
成時の量産性に影響する。すなわち、透光性モールド部
材となる材料の粘度が低い場合や、蛍光体の粒径が大き
い場合は透光性モールド部材となる材料との比重差によ
る分離沈降が促進する傾向にある。また、粉砕工程での
結晶破壊などにより、無機蛍光体では粒径が小さくなる
と変換効率が低下する傾向にある。さらに、あまり小さ
くなりすぎると凝集体を構成するために透光性モールド
部材中への分散性が低下し発光装置からの色ムラや輝度
ムラを引き起こす傾向にある。そのため、透光性モール
ド部材の材料や蛍光体にもよるが、蛍光体の平均粒径は
１〜１００μｍが好ましく、５〜５０μｍがより好まし
い。ここで平均粒径とは、空気透過法を基本原理として
サブシーブサイザーにて測定された平均粒子径を示す。

【００５７】また、発光出力を向上させるためには、本
発明で用いられる蛍光物質の平均粒径は１０μｍ〜５０
μｍが好ましく、より好ましくは１５μｍ〜３０μｍで
ある。このような粒径を有する蛍光物質は光の吸収率及
び変換効率が高く且つ励起波長の幅が広い。このよう
に、光学的に優れた特徴を有する大粒径蛍光物質を含有
させることにより、発光素子の主波長周辺の光をも良好
に変換し発光することが可能となり、発光装置の量産性
が向上される。

【００５８】また、この平均粒径値を有する蛍光物質が
頻度高く含有されていることが好ましく、頻度値は２０
％〜５０％が好ましい。このように粒径のバラツキが小
さい蛍光物質を用いることにより色ムラが抑制され良好
な色調を有する発光装置が得られる。

【００５９】本発明に用いられる具体的蛍光物質とし
て、Ｃｅで付活されたＹＡＧ系蛍光体（Ｙ、Ｌｕ、Ｓ
ｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍから選ばれた少なくとも１つの
元素と、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群から選ばれた
少なくとも１つの元素とを含んでなるセリウムで付活さ
れたガーネット系蛍光体）を挙げる。ＹＡＧ系蛍光体
は、Ｙ、Ｇｄ、Ｃｅの希土類元素を化学量論比で酸に溶
解した溶解液を蓚酸で沈降させる。これを焼成して得ら
れる共沈酸化物と酸化アルミニウムを混合して混合原料
を得る。これにフラックスとしてフッ化アンモニウムを
混合して坩堝に詰め、空気中１４００℃の温度で１７０
分焼成して焼成品が得られる。焼成品を水中でボールミ
ルして洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通してＹＡＧ系蛍
光体を形成させることができる。

【００６０】同様に、本発明に用いられる他の具体的蛍
光体として、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有
ＣａＯ-Ａｌ_２Ｏ_３-ＳｉＯ_２蛍光体が挙げられる。この
Ｅｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有ＣａＯ-Ａｌ
_２Ｏ_３-ＳｉＯ_２蛍光体は、酸化アルミニウム、酸化イ
ットリウム、窒化珪素及び酸化カルシウムなどの原料に
希土類原料を所定比に混合した粉末を窒素雰囲気下にお
いて１３００℃から１９００℃（より好ましくは１５０
０℃から１７５０℃）において溶融し成形させる。成形
品をボールミルして洗浄、分離、乾燥、最後に篩を通し
て蛍光体を形成させることができる。これにより４５０
ｎｍにピークをもった励起スペクトルと約６５０ｎｍに
ピークがある青色光により赤色発光が発光可能なＥｕ及
び／又はＣｒで付活されたＣａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキ
シナイトライド蛍光硝子とすることができる。

【００６１】なお、Ｅｕ及び／又はＣｒで付活されたＣ
ａ-Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光硝子の窒
素含有量を増減することによって発光スペクトルのピー
クを５７５ｎｍから６９０ｎｍに連続的にシフトするこ
とができる。同様に、励起スペクトルも連続的にシフト
させることができる。そのため、Ｍｇ、Ｚｎなどの不純
物がドープされたＧａＮやＩｎＧａＮを発光層に含む窒
化ガリウム系化合物半導体からの光と、約５８０ｎｍの
蛍光体の光の合成光により白色系を発光させることがで
きる。特に、約４９０ｎｍの光が高輝度に発光可能なＩ
ｎＧａＮを発光層に含む窒化ガリウム系化合物半導体か
らなる発光素子との組合せに理想的に発光を得ることも
できる。

【００６２】また、上述のＣｅで付活されたＹＡＧ系蛍
光体とＥｕ及び／又はＣｒで付活された窒素含有Ｃａ-
Ａｌ-Ｓｉ-Ｏ-Ｎ系オキシナイトライド蛍光硝子とを組
み合わせることにより青色系が発光可能な発光素子を利
用してＲＧＢ（赤色、緑色、青色）成分を高輝度に含む
極めて演色性の高い発光ダイオードを形成させることも
できる。このため、所望の顔料を添加するだけで任意の
中間色も極めて簡単に形成させることができる。本発明
においては何れの蛍光体も無機蛍光体であり、有機の光
散乱剤やＳｉＯ_２などを利用して高コントラストと優れ
た量産性が両立した発光ダイオードを形成させることが
できる。

【００６３】（封止部材）このような蛍光物質を封止部
材（透光性モールド部材）に含有させる。透光性モール
ド部材の材料原料としては、発光素子及び蛍光物質から
の光に対して耐光性が高く、透光性に優れたものが好ま
しい。また、発光素子を被覆する保護膜として働く場合
には、ある程度の剛性が要求される。透光性モールド部
材の材料として、具体的にはエポキシ樹脂、シリコーン
樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリ
ルウレタン樹脂、ポリイミド樹脂等の無溶剤、あるいは
溶剤タイプの液状透光性熱硬化樹脂が好適に挙げられ
る。同様に、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リノルボルネン樹脂等の溶剤タイプの液状透光性熱可塑
樹脂も利用することができる。更に、有機物だけでなく
二酸化珪素などの無機物やゾル−ゲル法にて形成した二
酸化珪素及びアクリル樹脂などを混合したハイブリッド
樹脂も好適に利用することができる。また、凸レンズ部
材など更に透光性モールド部材を樹脂等にて被覆する場
合は、凸レンズ部材等との密着性を考慮して上述で記載
した樹脂から選択利用することができる。

【００６４】（実施形態２）本実施形態２の白色系の発
光装置は、実施形態１のＬＥＤチップ４に４００ｎｍ付
近の短波長領域に発光ピークを有する紫外発光のＬＥＤ
チップを使用し、ＬＥＤチップを覆う樹脂層に下記のよ
うな材料を使用することにおいて、実施形態１の発光装
置２と異なる。

【００６５】以下、本実施形態２における、上記ＬＥＤ
チップを覆う樹脂層について説明する。

【００６６】樹脂材料に含まれる樹脂成分には、比較的
紫外線に強い樹脂（例えばシリコーンまたはアクリルな
ど）やガラスなどを使用する。上記樹脂成分に、紫外光
を吸収して、赤色を発光する蛍光体材料と、青色を発光
する蛍光体材料と、緑色を発光する蛍光体材料とを混合
させる。具体的には、上記赤色発光蛍光物質として、Ｙ
_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ、または３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２
・ＧｅＯ_２：Ｍｎ、またはＭｇ_６Ａｓ_２Ｏ_１１：Ｍｎ、
またはＧｄ_２Ｏ_２：Ｅｕ、またはＬａＯ_２Ｓ：Ｅｕ、ま
たはＹ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕが使用される。上記青色発光蛍光
物質として、Ｓｒ_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ、またはＲ
ｅ_５（ＰＯ_４）３Ｃｌ：Ｅｕ（ただしＲｅは、Ｓｒ、Ｃ
ａ、ＢａおよびＭｇから選択される少なくとも１つ）、
ＢａＭｇ _２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕが使用される。上記緑
色発光蛍光物質として、（ＳｒＥｕ）Ｏ・Ａｌ_２Ｏ_３が
使用される。

【００６７】本実施形態２によると、紫外発光のＬＥＤ
チップの発光観測面、側面および実装面のほぼ全面が、
紫外線を吸収して赤色、青色および緑色を発光する蛍光
体を含有する樹脂層で覆われているので、ＬＥＤチップ
の発光観測面だけでなく、側面および実装面から放出さ
れる光をも、蛍光体物質に吸収させて、波長変換を行う
ことができる。従って、実質的にＬＥＤチップの全面に
おいて、光の混色の原理により、白色発光を得ることが
できる。このような発光装置は紫外線によって劣化され
にくいため、長寿命で信頼性が高い。

【００６８】なお、本実施形態２では、ＬＥＤチップを
覆う樹脂層に、紫外光を吸収して、赤色を発光する蛍光
体材料と、青色を発光する蛍光体材料と、緑色を発光す
る蛍光体材料とが混合されているが、本実施形態２の発
光装置はこれに限定されない。樹脂層に上記蛍光体材料
の少なくとも１つが含まれていれば、その蛍光体材料に
対応した発光を得ることができる。

【００６９】

【発明の効果】上述したように、本発明によると、小型
で高輝度の発光装置、およびその製造方法を提供するこ
とができる。また、本発明の発光装置を色変換発光装置
として使用する場合、発光素子のほぼ全面において均一
に色変換を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における発光装置の断面
図である。

【図２】（ａ）は図１の発光装置に含まれるＬＥＤチッ
プの断面図であり、（ｂ）はバンプの拡大断面図であ
る。。

【図３】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法の
第１工程を示す図である。

【図４】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法の
第２工程を示す図である。

【図５】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法の
第３工程を示す図である。

【図６】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法の
第４工程を示す図である。

【図７】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法の
第５工程を示す図である。

【図８】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法の
第６工程を示す図である。

【図９】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法の
第７工程を示す図である。

【図１０】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法
の第８工程を示す図である。

【図１１】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法
の第９工程を示す図である。

【図１２】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法
の第１０工程を示す図である。

【図１３】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法
の第１１工程を示す図である。

【図１４】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法
の第１２工程を示す図である。

【図１５】本発明の一実施形態の発光装置の製造方法
の第１３工程を示す図である。

【図１６】本実施形態に使用される他のトレーの断面
図である。

【図１７】（ａ）および（ｂ）はバンプの作製方法を
説明するための図であり、（ｃ）は図１１に対応する平
面図である。

【図１８】実施形態１の発光装置を使用した発光装置
を示す図である。

【図１９】実施形態１の発光装置を使用した発光装置
を示す図である。

【図２０】実施形態１の発光装置を使用した発光装置
を示す図である。

【図２１】（ａ）および（ｂ）は、一般的な発光装置
の断面図である。

【符号の説明】

２発光装置４発光素子６封止部材６Ｌ封止材料６Ｄ封止部材８バンプ１０発光観測面１２実装面１４側面１６ｎ型窒化物半導体層１８活性層２０ｐ型窒化物半導体層２２ｎ電極２４ｐ電極３０ウェハ３２、３３、４４トレー３８伸長シート４０間隙４２転写用の耐熱シート

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】対向する２つの主面と、側面とを有し、
一方の主面を発光観測面とし、他方の主面を実装面と
し、前記実装面にバンプを有する発光素子が、実質的に
全面を封止部材によって覆われ、前記バンプの先端部が
前記封止部材から突出した発光装置。
【請求項２】前記封止部材は蛍光体材料を含有する請
求項１に記載の発光装置。
【請求項３】前記発光素子が青色発光素子であり、前
記封止部材がＹＡＧ系の蛍光体材料を含有する請求項１
に記載の発光装置。
【請求項４】前記バンプの前記先端部が実質的に平坦
な上面を有し、前記バンプの側面と前記上面とのなす角
度が鋭角である請求項１から３のいずれか１つに記載の
発光装置。
【請求項５】（１）発光素子となる領域を複数含むウ
ェハであって、前記発光素子の実装面となる、前記ウェ
ハの第１主面に、複数のバンプを形成する工程と、
（２）前記ウェハの前記第１主面に対向する第２主面
に、封止部材を形成する工程と、（３）前記ウェハの前
記封止部材の表面に伸長シートを粘着させる工程と、
（４）前記伸長シートを切断しないように前記ウェハを
切断して、複数の発光素子に分割する工程と、（５）前
記伸長シートを伸長させることにより、前記複数の発光
素子において、隣接する発光素子が互いに離間するよう
に、前記隣接する発光素子の間に間隙を形成させる工程
と、（６）転写用シートに前記複数の発光素子の前記バ
ンプの先端部を接触させて、前記転写用シートと前記発
光素子の前記実装面との間に空間が形成されるように、
前記複数の発光素子の前記バンプに前記転写用シートを
接着させ、前記伸長シートを前記複数の発光素子から剥
離することにより、前記複数の発光素子を前記転写用シ
ートに転写する工程と、（７）前記転写用シートに転写
された前記複数の発光素子のそれぞれの前記封止部材が
トレーの底面に接触するようにして、前記複数の発光素
子を前記トレーの中に入れ、前記隣接する発光素子の前
記間隙が封止材料で満たされるように、かつ、前記バン
プの前記先端部を除く前記実装面の実質的に全面が前記
封止材料で覆われるように、前記封止材料を前記トレー
に充填させて、前記封止材料を硬化させる工程と、
（８）前記トレーから、前記封止材料により連結された
前記複数の発光素子を取り出し、前記複数の発光素子の
側面に封止部材が残るように、前記隣接する発光素子の
前記間隙の前記封止部材を切断して、複数の発光装置に
分離する工程とを含む発光装置の製造方法。