JP2002260285A - Phase change optical recording medium and initialization method - Google Patents
Phase change optical recording medium and initialization methodInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録面が多層の光記録媒体において、基板成
形および成膜プロセスがすべて完了した後に記録膜の初
期結晶化を容易に行なえるようにすること。
【解決手段】 記録再生光からみて、半透明な記録層が
あり、そのあと、透明層が挿入されることにより距離を
置いて次の記録層が存在する相変化型の多層記録媒体で
あって、もっとも入射面から遠い位置の記録層に反射層
があり、この反射層と基板の間に反射防止膜を設けたこ
とを特徴とする相変化型光記録媒体。
(57) [Problem] To provide an optical recording medium having a multi-layered recording surface so that initial crystallization of a recording film can be easily performed after all of substrate forming and film forming processes are completed. SOLUTION: This is a phase change type multilayer recording medium in which there is a translucent recording layer as viewed from recording / reproducing light, and then a transparent layer is inserted to provide a next recording layer at a distance. A phase change type optical recording medium characterized in that a reflection layer is provided on a recording layer farthest from the incident surface, and an antireflection film is provided between the reflection layer and the substrate.
Description
【0001】[0001]
【従来の技術】現在、書き換え可能な光ディスクとして
CD−RWやDVD−RWが広く使われている。これら
はレーザーの熱で急冷、徐冷することで記録膜を非晶質
化、または結晶化し、その間の光学的性質の違いを利用
して反射率などの違う記録マークをディスク盤面上に作
製し、情報を記録、再生する光記録媒体である。これら
の記録容量をさらに向上させる手段として記録層の多層
化の試みがあり、例えば、DVDは0.6mmの基板を
貼り合わせて作成することを利用し、1枚には半透明な
薄い記録層を形成し、別の1枚には通常とは逆順に基板
上に反射膜から成膜した記録媒体を形成し、これを貼り
合わせて半透明膜側から記録再生する、というものであ
る。この場合、半透明層の初期結晶化は容易であるが、
奥の記録層は手前の半透明層で初期化レーザーが吸収さ
れてしまうため初期化が難しい。そのため、現状ではそ
れぞれの基板を成膜後、単板の状態で初期化して貼り合
わせるという方法がとられている。2. Description of the Related Art At present, CD-RW and DVD-RW are widely used as rewritable optical disks. In these, the recording film is made amorphous or crystallized by quenching or gradual cooling with the heat of laser, and recording marks with different reflectivities etc. are created on the disk surface using the difference in optical properties between them. , An optical recording medium for recording and reproducing information. As means for further improving these recording capacities, attempts have been made to increase the number of recording layers. For example, a DVD is prepared by bonding a 0.6 mm substrate together, and one sheet is formed of a translucent thin recording layer. Is formed, and a recording medium formed from a reflective film on a substrate is formed on another substrate in the reverse order to the normal case, and the recording medium is bonded to perform recording and reproduction from the translucent film side. In this case, the initial crystallization of the translucent layer is easy,
The recording layer at the back is difficult to initialize because the initialization laser is absorbed by the translucent layer at the front. Therefore, at present, a method is adopted in which after each substrate is formed, it is initialized in a single plate state and bonded.
【0002】しかし、この方法ではディスクの貼り合わ
せ前にハンドリングを繰り返して初期化を行ない、貼り
合わせると、ゴミの巻き込みなどの可能性が増える。1
枚の基板上に記録層を成膜し、その上にシートを敷い
て、ふたたび成膜してもう1層の別の記録層を形成する
タイプの光ディスクの場合、スパッタしてシートを貼
り、初期化し、またスパッタし、シートを貼り、初期
化、と工程が複雑であり、やはりゴミの巻き込みや製造
ラインの複雑化の問題がある。However, according to this method, the handling is repeated before the disks are bonded, and initialization is performed. When the disks are bonded, the possibility of entrapment of dust increases. 1
In the case of an optical disc of the type in which a recording layer is formed on a single substrate, a sheet is laid thereon, and another film is formed again to form another recording layer, the sheet is attached by sputtering, , Spattering, attaching a sheet, and initializing, the process is complicated, and there is also a problem of entrapping dust and complicating a production line.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、記録
面が多層の光記録媒体において、基板成形および成膜プ
ロセスがすべて完了した後に記録膜の初期結晶化を容易
に行なえるようにすることである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to make it possible to easily perform initial crystallization of a recording film in an optical recording medium having a multi-layer recording surface after the substrate forming and film forming processes are all completed. That is.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に鋭意検討をした結果、本発明者等は、再生光の入射側
から見て奥側の記録層の初期化が問題になっていること
に着目し、この層の初期化を再生光入射側と反対側から
できるようにした。この場合、この面は反射層なので初
期化レーザーを入射させると、ほとんど反射してしまう
ため、反射防止層を成膜しておくことが必要であり、こ
のディスクに対して、反射層側から初期化レーザーを入
射させることにより、上記課題を解決できることを見出
した。As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that the initialization of the recording layer on the back side when viewed from the side of incidence of the reproduction light has become a problem. Focusing on this fact, this layer can be initialized from the side opposite to the reproduction light incident side. In this case, since this surface is a reflective layer, it is almost reflected when an initialization laser is applied. Therefore, it is necessary to form an antireflection layer on the disk. It has been found that the above problem can be solved by injecting an activated laser.
【0005】すなわち、上記課題は、本発明の(1)
「記録再生光からみて、半透明な記録層があり、そのあ
と、透明層が挿入されることにより距離を置いて次の記
録層が存在する相変化型の多層記録媒体であって、もっ
とも入射面から遠い位置の記録層に反射層があり、この
反射層と基板の間に反射防止膜を設けたことを特徴とす
る相変化型光記録媒体」によって達成される。[0005] That is, the above problem is solved by (1) the present invention.
"From the viewpoint of recording / reproducing light, there is a semi-transparent recording layer, and after that, the next recording layer exists at a distance by inserting a transparent layer. This is achieved by a "phase-change type optical recording medium, wherein a recording layer remote from the surface has a reflection layer, and an antireflection film is provided between the reflection layer and the substrate."
【0006】また、上記課題は、本発明の(2)「記録
再生光からみて、半透明な記録層があり、そのあと、透
明層が挿入されることにより距離を置いて次の記録層が
存在する相変化型の多層記録媒体の初期化方法であっ
て、もっとも入射面から遠い位置の記録層に反射層があ
り、この反射層側から初期結晶化のレーザーを入射させ
て初期化を行なうことを特徴とする相変化型光記録媒体
の初期化方法」によって達成される。[0006] The above-mentioned problem is also solved by the problem described in (2) of the present invention in that there is a translucent recording layer as viewed from the recording / reproducing light, and after that, the next recording layer is spaced apart by inserting the transparent layer. An existing method for initializing a phase change type multilayer recording medium, wherein a recording layer farthest from an incident surface has a reflective layer, and initialization is performed by irradiating a laser for initial crystallization from the reflective layer side. A method for initializing a phase-change optical recording medium characterized by the above-mentioned feature. "
【0007】また、上記課題は、本発明の(3)「前記
反射防止膜が、凹凸の小さな膜を形成しやすい材料であ
ることを特徴とする前記第(1)項に記載の相変化型光
記録媒体」、(4)「前記反射防止膜が、高密度炭化ケ
イ素であることを特徴とする前記第(3)項に記載の相
変化型光記録媒体」によって達成される。[0007] The present invention also provides (3) a phase-change type liquid crystal display device according to the above (1), wherein the antireflection film is a material which is easy to form a film having small irregularities. Optical recording medium ", (4)" Phase change type optical recording medium according to item (3), wherein the antireflection film is high-density silicon carbide. "
【0008】反射層側から初期化レーザーを入射する
と、初期化レーザーの波長の光を閉じ込めるような厚さ
の反射防止層が基板上に形成されているために初期化レ
ーザーのエネルギーが、効率よく伝わり、初期化できる
ようになる。この再生光からみて奥側の記録層は、基板
上に反射防止層、反射層、誘電体保護層、相変化型記録
層、誘電体保護層の順に成膜される。したがって、最初
の反射防止層の膜表面の凹凸が小さくないと、記録膜の
滑らかさが損なわれて高密度に記録したとき、記録マー
クがきれいに形成できず、S/Nが悪くなる。本発明で
は、炭化珪素などの比較的膜応力が小さく、凹凸も小さ
な膜を第1層目に形成することでこの点を解決した。When the initialization laser is incident from the reflective layer side, the energy of the initialization laser can be efficiently increased because the anti-reflection layer having a thickness to confine light of the wavelength of the initialization laser is formed on the substrate. To be able to initialize. The recording layer on the back side as viewed from the reproduction light is formed on the substrate in the order of an antireflection layer, a reflection layer, a dielectric protection layer, a phase change recording layer, and a dielectric protection layer. Therefore, if the first anti-reflection layer does not have small irregularities on the film surface, the smoothness of the recording film is impaired, and when recording is performed at a high density, recording marks cannot be formed clearly and S / N deteriorates. In the present invention, this problem has been solved by forming a film of silicon carbide or the like having relatively small film stress and small unevenness on the first layer.
【0009】以下、本発明に係わる光記録媒体について
詳細に説明する。図1は、本発明の光情報記録媒体の一
例を示す概略断面図である。図1においては、基板
(1)上に反射防止層(2)、反射放熱層(3)、誘電
体保護層(4)、記録層(5)、誘電体保護層(6)、
光透過層(7)、誘電体保護層(8)、半透明記録層
(9)、誘電体保護層(10)、保護フィルム(1
1)、ハードコート(12)をその順に蓄積した構成か
らなる例を示すものである。光透過層(7)は、例えば
透明樹脂層、透明ガラス層を挿入することにより比較的
簡単に形成することができる。Hereinafter, the optical recording medium according to the present invention will be described in detail. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of the optical information recording medium of the present invention. In FIG. 1, an antireflection layer (2), a reflection heat dissipation layer (3), a dielectric protection layer (4), a recording layer (5), a dielectric protection layer (6),
Light transmitting layer (7), dielectric protective layer (8), translucent recording layer (9), dielectric protective layer (10), protective film (1
1) shows an example in which the hard coat (12) is accumulated in that order. The light transmitting layer (7) can be formed relatively easily by inserting, for example, a transparent resin layer and a transparent glass layer.
【0010】基板(1)の材料としては通常ガラス、セ
ラミックスあるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コ
ストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹
脂、フッ素系樹脂、ABS樹脂、ウレタン樹脂などが挙
げられるが、成形性、コストの点で優れるポリカーボネ
ート樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。基板面の一方に
凹凸パターンが形成されており、こちら側に耐熱層、記
録層が成膜される。基板の厚さ、色は特に制限されるも
のではない。The material of the substrate (1) is usually glass, ceramics or resin, and a resin substrate is suitable in terms of moldability and cost. Examples of the resin include polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene copolymer resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicone resin, fluorine resin, ABS resin, urethane resin, and the like. A polycarbonate resin and an acrylic resin which are excellent in moldability and cost are preferable. An uneven pattern is formed on one side of the substrate surface, and a heat-resistant layer and a recording layer are formed on this side. The thickness and color of the substrate are not particularly limited.
【0011】反射防止層(2)としては、透明で屈折率
が基板と違えば良く、窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、アルミナ、炭化珪素、窒化ゲルマニウムなど、多く
の透明誘電体を考えることができる。しかし、基板に最
初に成膜される材料であり、膜の応力や表面性が記録層
へ大きく影響し、記録マークの再生S/Nがこの反射防
止層で大きく変化する。窒化シリコン、窒化アルミニウ
ム、アルミナ、炭化珪素、窒化ゲルマニウム、二酸化ク
ロム、窒化ゲルマニウムと酸化クロムの混合物などをス
パッタで形成し、比較したが、炭化珪素がもっとも再生
信号品質が良く、また保存信頼性も良好だった。The antireflection layer (2) may be transparent and have a different refractive index from the substrate, and many transparent dielectrics such as silicon nitride, aluminum nitride, alumina, silicon carbide and germanium nitride can be considered. However, it is a material formed first on the substrate, and the stress and surface properties of the film greatly affect the recording layer, and the reproduction S / N of the recording mark is greatly changed by the antireflection layer. Silicon nitride, aluminum nitride, alumina, silicon carbide, germanium nitride, chromium dioxide, a mixture of germanium nitride and chromium oxide were formed by sputtering, and compared. Silicon carbide has the best reproduction signal quality and storage reliability. It was good.
【0012】例えば、窒化アルミニウムは、初期結晶化
の熱応力で膜浮きが発生し、窒化シリコンは、カットオ
フ周波数の8割くらいの密度で記録再生したときのジッ
ターが炭化珪素より大きかった。また、アルミナは、屈
折率が小さく、光閉じ込めが弱いために初期化が1W以
下では行なえなかった。また、窒化ゲルマニウムは、炭
化珪素同様に特性は良好だったが、高価であること、高
いレートで成膜するとスパッタリングターゲットが割れ
てしまいやすい等の欠点があった。反射防止層の膜厚
は、初期化レーザーの波長と、反射層、反射防止層の光
学定数によって異なるが、一般の回折理論から導かれる
反射防止条件の膜厚にすれば良い。その一例を図2に示
す。For example, aluminum nitride causes film floating due to thermal stress of initial crystallization, and silicon nitride has a larger jitter than silicon carbide when recorded and reproduced at a density of about 80% of the cutoff frequency. In addition, since the refractive index of alumina was small and the light confinement was weak, initialization could not be performed at 1 W or less. Germanium nitride has good characteristics like silicon carbide, but has disadvantages such as being expensive and a sputtering target being easily broken when formed at a high rate. The thickness of the anti-reflection layer depends on the wavelength of the initialization laser and the optical constants of the reflection layer and the anti-reflection layer, but may be set to a thickness under anti-reflection conditions derived from general diffraction theory. An example is shown in FIG.
【0013】反射放熱層(3)としては、Al、Au、
Ag、Cuなどの金属材料、またはそれらの合金などを
用いることができる。また、添加元素としては、Cr、
Ti、Si、Cu、Ag、Pd、Taなどが使用され
る。このような反射放熱層は、各種気相成長法、たとえ
ば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマCVD法、
光CVD法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着
法などによって形成できる。なかでも、スパッタリング
法が、量産性、膜質等に優れている。特にAu、Au−
Pt合金、Ag合金などが、熱伝導率が高く、反射率が
高く、かつ表面の凹凸が少なく、優れている。反射放熱
層の膜厚は20〜200nm程度が良く、特に50nm
付近で特性が良い。As the reflection heat radiation layer (3), Al, Au,
A metal material such as Ag or Cu, or an alloy thereof can be used. In addition, Cr,
Ti, Si, Cu, Ag, Pd, Ta and the like are used. Such a reflective heat dissipation layer can be formed by various vapor deposition methods, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, a plasma CVD method,
It can be formed by a photo CVD method, an ion plating method, an electron beam evaporation method, or the like. Among them, the sputtering method is excellent in mass productivity, film quality, and the like. Especially Au, Au-
Pt alloys, Ag alloys, and the like are excellent because of their high thermal conductivity, high reflectivity, and few surface irregularities. The thickness of the reflective heat dissipation layer is preferably about 20 to 200 nm, particularly 50 nm.
Good characteristics near.
【0014】誘電体保護層(4)及び(6)は、記録層
(5)の劣化変質を防ぎ、記録層(5)の接着強度を高
め、かつ記録特性を高めるなどの作用を有するもので、
例えばSiO、SiO2、ZnO、SnO2、Al2O3、
TiO2、In2O3、MgO、ZrO2などの金属酸化
物、Si3N4、AlN、TiN、BN、ZrNなどの窒
化物、ZnS、In2S3、TaS4などの硫化物、Si
C、TaC、B4C、WC、TiC、ZrCなどの炭化
物やダイヤモンド状カーボン、あるいはそれらの混合物
が挙げられる。これらの材料は、単体で耐熱層とするこ
ともできるが、互いの混合物としてもよい。また、必要
に応じて不純物を含んでもよい。誘電体保護層の融点は
記録層よりも高いことが必要である。膜厚は5〜60n
m程度の場合が多い。光学特性と、熱特性の面から厚さ
を選択するが、反射放熱層と記録層の間の保護層は、厚
さに対して記録後の冷却速度に大きく影響しやすく、厚
さに敏感な層である。そのため、波長400nm近傍、
対物レンズのNAが0.7以上のシステムでは、反射層
と記録層の間は10nm以下が望ましい。これ以上だ
と、熱がにじむので記録マークの記録位置の揺らぎが大
きくなる。記録膜と透明シートの間の保護層(6)は、
一般には光閉じ込め条件近傍として変調度を稼ぐように
する。したがって一般的なZnS−SiO 2、波長40
0nmで屈折率2.3近傍であれば、保護層(6)の厚
さは30〜60nm程度になる。このような誘電体保護
層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタ
リング法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレ
ーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成でき
る。なかでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に
優れている。The dielectric protective layers (4) and (6) are recording layers.
Prevents deterioration and deterioration of (5) and increases the adhesive strength of the recording layer (5)
And has the effect of improving recording characteristics, etc.
For example, SiO, SiOTwo, ZnO, SnOTwo, AlTwoOThree,
TiOTwo, InTwoOThree, MgO, ZrOTwoSuch as metal oxidation
Object, SiThreeNFour, AlN, TiN, BN, ZrN
Compound, ZnS, InTwoSThree, TaSFourSuch as sulfide, Si
C, TaC, BFourCarbonization of C, WC, TiC, ZrC, etc.
Objects, diamond-like carbon, or mixtures thereof
Is mentioned. These materials can be used alone as a heat-resistant layer.
However, they may be mixed with each other. Also necessary
May be included depending on the conditions. The melting point of the dielectric protection layer is
It needs to be higher than the recording layer. Film thickness is 5-60n
m in many cases. Thickness in terms of optical and thermal properties
But the protective layer between the reflective heat dissipation layer and the recording layer is thick
Is likely to greatly affect the cooling rate after recording.
It is a sensitive layer. Therefore, the wavelength around 400 nm,
In systems where the NA of the objective lens is 0.7 or more, the reflective layer
It is desirable that the distance between the layer and the recording layer is 10 nm or less. More than this
Heat fluctuates, and the recording mark recording position fluctuates greatly.
It will be good. The protective layer (6) between the recording film and the transparent sheet is
Generally, gain modulation degree near the optical confinement condition
I do. Therefore, general ZnS-SiO Two, Wavelength 40
If the refractive index is around 2.3 at 0 nm, the thickness of the protective layer (6)
The length is about 30 to 60 nm. Such dielectric protection
The layer may be formed by various vapor deposition methods, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method.
Ring method, plasma CVD method, photo-CVD method, ion press
Coating, electron beam evaporation, etc.
You. Among them, the sputtering method is used for mass production, film quality, etc.
Are better.
【0015】記録層(5)の材料としては、カルコゲン
系合金薄膜を用いることが多い。例えば、Ge−Te
系、Ge−Te−Sb系、Ge−Sn−Te系、Ag−
In−Sb−Te四元系合金薄膜などが挙げられるが、
Sb−TeにAgおよび/又はInおよび/又はGeな
どを添加した共晶系薄膜が、記録(アモルファス化)感
度・速度、及び消去比が極めて良好なため、記録層の材
料として適している。これらの記録層材料にはさらなる
性能向上、信頼性向上などを目的に他の元素や不純物を
添加することができる。無機材料を用いた記録層は、各
種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング
法、プラズマCVD法、光CVD法、イオンプレーティ
ング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。な
かでも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れて
いる。記録層の膜厚は、記録時の熱にじみを防ぐために
波長400nm近傍、対物レンズのNAが0.7以上の
システムでは、15nm以下が望ましく、特に7nm〜
13nmくらいが望ましい。As a material of the recording layer (5), a chalcogen alloy thin film is often used. For example, Ge-Te
System, Ge-Te-Sb system, Ge-Sn-Te system, Ag-
In-Sb-Te quaternary alloy thin film and the like,
A eutectic thin film obtained by adding Ag and / or In and / or Ge to Sb-Te has a very good recording (amorphization) sensitivity / speed and erasing ratio, and thus is suitable as a material for the recording layer. Other elements and impurities can be added to these recording layer materials for the purpose of further improving performance and reliability. The recording layer using an inorganic material can be formed by various vapor deposition methods, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, a plasma CVD method, a photo CVD method, an ion plating method, an electron beam deposition method, or the like. Among them, the sputtering method is excellent in mass productivity, film quality, and the like. The thickness of the recording layer is desirably 15 nm or less in a system in which the wavelength is around 400 nm and the NA of the objective lens is 0.7 or more in order to prevent thermal bleeding during recording.
About 13 nm is desirable.
【0016】光透過層(7)は、青色光領域の短波長レ
ーザーを用いる場合、0.3mm以下の厚さが要求され
るため、シート状であることが好ましい。材料として
は、例えばポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチ
レン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン
樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ABS樹脂、
ウレタン樹脂などが挙げられるが、光学特性、コストの
点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル系樹脂が好
ましい。上記透明シートを用いて光透過層を形成する方
法としては、紫外線硬化性樹脂、あるいは透明な両面粘
着シートを介して、透明シートを貼りつける方法が挙げ
られる。また、紫外線硬化性樹脂を誘電体保護層(6)
上に塗布してこれを硬化させて光透過層を形成してもよ
い。また、透明シートに凹凸パターンが形成されていて
もよい。When a short wavelength laser in the blue light region is used, the light transmitting layer (7) is required to have a thickness of 0.3 mm or less. As the material, for example, polycarbonate resin, acrylic resin, epoxy resin, polystyrene resin, acrylonitrile-styrene copolymer resin, polyethylene resin, polypropylene resin, silicone resin, fluorine resin, ABS resin,
Urethane resins and the like can be mentioned, but polycarbonate resins and acrylic resins which are excellent in optical properties and cost are preferable. As a method of forming the light transmitting layer using the transparent sheet, there is a method of attaching a transparent sheet via an ultraviolet curable resin or a transparent double-sided pressure-sensitive adhesive sheet. Further, the ultraviolet curable resin is coated with a dielectric protection layer (6).
The light transmitting layer may be formed by applying the composition on the top and curing the applied composition. Further, an uneven pattern may be formed on the transparent sheet.
【0017】誘電体保護層(8)、(10)および半透
明記録層(9)は、上記誘電体保護層(4)、(6)お
よび記録層(5)と成膜法や材料は同様である。ただ
し、半透明記録層は反射層がなく、記録時の温度プロフ
ァイルが異なる。特に記録時の温度低下の速度が異なる
ので非晶質化、結晶化の速度を記録層組成で調整するこ
とが必要である。したがって、記録層(5)と半透明記
録層(9)は同一組成では記録がうまく行かないことが
ある。半透明記録層の厚さは、半透明でなくてはならな
いので10nm以下であり、また均一な膜である必要性
から、最適膜厚は5〜10nm程度を用いる。誘電体保
護層は相変化記録の熱から樹脂シートを守るために30
nm程度以上は必要である。あとは光学的な条件で決定
する。本発明における保護フィルム(11)としては、
従来公知のものをそのまま用いることができる。The dielectric protective layers (8) and (10) and the translucent recording layer (9) are formed in the same manner as the dielectric protective layers (4) and (6) and the recording layer (5) by the same film forming method and material. It is. However, the translucent recording layer has no reflective layer, and has a different temperature profile during recording. In particular, since the rate of temperature decrease during recording is different, it is necessary to adjust the rate of amorphization and crystallization by the composition of the recording layer. Therefore, when the recording layer (5) and the translucent recording layer (9) have the same composition, recording may not be performed well. The thickness of the translucent recording layer is 10 nm or less because it must be translucent, and the optimum film thickness is about 5 to 10 nm from the necessity of a uniform film. The dielectric protection layer has a thickness of 30 to protect the resin sheet from the heat of phase change recording.
A thickness of about nm or more is necessary. The rest is determined by optical conditions. As the protective film (11) in the present invention,
Conventionally known ones can be used as they are.
【0018】ハードコート(12)としては、スピンコ
ートで作製した紫外線硬化樹脂が一般的である。その厚
さは、1〜8μmが適当である。1μm以下では、充分
な耐擦傷性が得られない。8μm以上の厚さでは、内部
応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大き
く影響してしまう。その硬度は、布でこすっても大きな
傷がつかない鉛筆硬度であるH以上とする必要がある。
必要に応じて導電性の材料を混入させ、帯電防止を図
り、埃等の付着を防止することも効果的である。用いら
れるハードコート層の紫外線硬化樹脂としては、再現性
よく、且つ精度よく塗布位置を制御するために、粘度が
40cps以上のものが望ましい。As the hard coat (12), an ultraviolet curable resin produced by spin coating is generally used. An appropriate thickness is 1 to 8 μm. If it is 1 μm or less, sufficient scratch resistance cannot be obtained. If the thickness is 8 μm or more, the internal stress increases, which greatly affects the mechanical properties of the disk. The hardness must be equal to or higher than H, which is a pencil hardness that does not cause significant damage even when rubbed with a cloth.
It is also effective to mix a conductive material as needed to prevent charging and prevent dust and the like from adhering. As the ultraviolet curable resin of the hard coat layer to be used, a resin having a viscosity of 40 cps or more is desirable in order to control the application position with good reproducibility and accuracy.
【0019】[0019]
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明す
るが、本発明はこれらの実施例になんら限定されるもの
ではない。 実施例1 直径12cm、厚さ1.1mmで、表面に連続溝による
ピッチ0.5μmのトラッキングガイドの凹凸を持つポ
リカーボネート基板上に、SiCからなる反射防止層5
0nm、Agからなる反射放熱層60nm、(GeCr)
Nx、Ge:Cr=4:1モル比、からなる誘電体保護
層6nm、Ag1In7Sb68Te22Ge2at%からな
る記録層10nm、ZnS−SiO2からなる誘電体保
護層40nmの順にスパッタ装置によって製膜し、さら
に両面粘着シートを介して厚さ40μmのポリカーボネ
ートフィルムを貼りつけた。この上に紫外線硬化樹脂を
滴下し、スタンパーを用いてプリグルーブを形成し、こ
の上にZnS−SiO2からなる誘電体保護層50n
m、Ag1In3Sb60Te33Ge3at%からなる記録
層7nm、ZnS−SiO2からなる誘電体保護層40
nmを成膜した。この上に厚さ40μmのポリカーボネ
ートフィルムを貼りつけ、さらにハードコートをし、2
層型の光記録媒体を形成した。このディスクはハードコ
ート側から記録再生する。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. Example 1 An anti-reflection layer 5 made of SiC was formed on a polycarbonate substrate having a diameter of 12 cm, a thickness of 1.1 mm, and a tracking guide with a continuous groove on the surface having a pitch of 0.5 μm.
0 nm, reflective heat dissipation layer made of Ag 60 nm, (GeCr)
Nx, Ge: Cr = 4: 1 molar ratio, and film made dielectric protective layer 6 nm, the recording layer 10nm made of Ag1In7Sb68Te22Ge2at%, by sputtering device in the order of the dielectric protective layer 40nm made of ZnS-SiO 2 from the further two-sided A polycarbonate film having a thickness of 40 μm was attached via an adhesive sheet. An ultraviolet curing resin is dropped on this, a pre-groove is formed using a stamper, and a dielectric protection layer 50n made of ZnS-SiO 2 is formed thereon.
m, the recording layer 7nm consisting Ag1In3Sb60Te33Ge3at%, the dielectric protective layer made of ZnS-SiO 2 40
nm was formed. A 40 μm-thick polycarbonate film was stuck on top of this, further hard-coated,
A layer type optical recording medium was formed. This disc is recorded and reproduced from the hard coat side.
【0020】次に、大口径の半導体レーザーを有する初
期化装置によってディスクの記録層の初期化処理を行な
った。初期化レーザーは、波長830nmである。半透
明記録層の初期化を、まず、再生面側から行なう。線速
度3m/s、レーザーパワー400mW、ビーム直径1
00μm、ヘッド送り50μm/回転の条件で初期結晶
化した。Next, the recording layer of the disk was initialized by an initialization device having a large-diameter semiconductor laser. The initialization laser has a wavelength of 830 nm. Initialization of the translucent recording layer is first performed from the reproduction surface side. Linear velocity 3m / s, laser power 400mW, beam diameter 1
Initial crystallization was performed under the conditions of 00 μm and a head feed of 50 μm / rotation.
【0021】次に、基板側から反射層がある記録層の初
期化を行なった。線速度2m/s、レーザーパワー80
0mW、ビーム直径100μm、ヘッド送り50μm/
回転の条件で初期結晶化した。Next, the recording layer having the reflective layer was initialized from the substrate side. Linear velocity 2m / s, laser power 80
0 mW, beam diameter 100 μm, head feed 50 μm /
Initial crystallization was performed under rotating conditions.
【0022】このディスクを波長405nm、NA0.
65のピックアップで記録再生した。奥側記録層は、成
膜直後の状態より、大幅部反射率が上昇し、結晶化でき
ていた。ランダムデータを1−7変調し、記録密度0.
2μm/bitで両方の記録層に信号を記録し、再生し
た。記録線速度は3m/s。再生も同じ線速度で行なっ
た。再生パワーは0.5mW。半透明層は、記録ピーク
パワー5mW、ボトムパワー2.4mW、奥側記録層
は、記録ピークパワー8mW、ボトムパワー4.4mW
で記録した。結果、両方の記録層とも良好なアイパター
ンが得られた。本実施例では、成膜、貼り合わせ、コー
ティングなどのゴミを巻き込みやすいプロセスがすべて
終了した後に初期化を行なうために、ディスク生産プロ
セス上での欠陥発生率が下がった。This disk was set at a wavelength of 405 nm and an NA of 0.
Recording and reproduction were performed with 65 pickups. In the back side recording layer, the reflectivity of the portion was greatly increased from the state immediately after the film formation, and the back side recording layer was crystallized. The random data is modulated by 1-7 so that the recording density is 0.
A signal was recorded on both recording layers at 2 μm / bit and reproduced. The recording linear velocity is 3 m / s. Regeneration was also performed at the same linear speed. Reproduction power is 0.5mW. The translucent layer has a recording peak power of 5 mW and a bottom power of 2.4 mW, and the back side recording layer has a recording peak power of 8 mW and a bottom power of 4.4 mW.
Recorded. As a result, good eye patterns were obtained for both recording layers. In the present embodiment, the initialization is performed after all processes such as film formation, bonding, coating, etc., which are likely to involve dusts, are completed, so that the defect generation rate in the disk production process is reduced.
【0023】実施例2 直径12cm、厚さ1.1mmで、表面に連続溝による
ピッチ0.5μmのトラッキングガイドの凹凸を持つポ
リカーボネート基板上に、TiO2からなる反射防止層
50nm、Agからなる反射放熱層60nm、(GeC
r)Nx、Ge:Cr=4:1モル比、からなる誘電体
保護層6nm、Ag1In7Sb68Te22Ge2at%か
らなる記録層10nm、ZnS−SiO2からなる誘電
体保護層40nmの順にスパッタ装置によって製膜し、
さらに両面粘着シートを介して厚さ40μmのポリカー
ボネートフィルムを貼りつけた。この上に紫外線硬化樹
脂を滴下し、スタンパーを用いてプリグルーブを形成
し、この上にZnS−SiO2からなる誘電体保護層5
0nm、Ag1In3Sb60Te33Ge3at%からなる
記録層7nm、ZnS−SiO2からなる誘電体保護層
40nmを成膜した。この上に厚さ40μmのポリカー
ボネートフィルムを貼りつけ、さらにハードコートを
し、2層型の光記録媒体を形成した。このディスクは
ハードコート側から記録再生する。Example 2 On a polycarbonate substrate having a diameter of 12 cm, a thickness of 1.1 mm, and a tracking guide having a pitch of 0.5 μm formed by continuous grooves on the surface thereof, an antireflection layer made of TiO 2 having a thickness of 50 nm and a reflection made of Ag were used. Heat dissipation layer 60 nm, (GeC
r) Nx, Ge: Cr = 4: 1 molar ratio, and film made dielectric protective layer 6 nm, the recording layer 10nm made of Ag1In7Sb68Te22Ge2at%, by sputtering device in the order of the dielectric protective layer 40nm made of ZnS-SiO 2 from
Further, a polycarbonate film having a thickness of 40 μm was attached via a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet. An ultraviolet curing resin is dropped on this, a pre-groove is formed using a stamper, and a dielectric protection layer 5 made of ZnS-SiO 2 is formed thereon.
0 nm, the recording layer 7nm consisting Ag1In3Sb60Te33Ge3at%, was deposited dielectric protective layer 40nm made of ZnS-SiO 2. A polycarbonate film having a thickness of 40 μm was stuck thereon and hard-coated to form a two-layer optical recording medium. This disc is
Recording and playback from the hard court side.
【0024】次に、大口径の半導体レーザーを有する初
期化装置によって、ディスクの記録層の初期化処理を行
なった。初期化レーザーは、波長830nmである。半
透明記録層の初期化を、まず、再生面側から行なう。線
速度3m/s、レーザーパワー400mW、ビーム直径
100μm、ヘッド送り50μm/回転の条件で初期結
晶化した。Next, the recording layer of the disk was initialized by an initialization device having a large-diameter semiconductor laser. The initialization laser has a wavelength of 830 nm. Initialization of the translucent recording layer is first performed from the reproduction surface side. Initial crystallization was performed under the conditions of a linear velocity of 3 m / s, a laser power of 400 mW, a beam diameter of 100 μm, and a head feed of 50 μm / rotation.
【0025】次に、基板側から反射層がある記録層の初
期化を行なった。線速度2m/s、レーザーパワー80
0mW、ビーム直径100μm、ヘッド送り50μm/
回転の条件で初期結晶化した。Next, the recording layer having the reflective layer was initialized from the substrate side. Linear velocity 2m / s, laser power 80
0 mW, beam diameter 100 μm, head feed 50 μm /
Initial crystallization was performed under rotating conditions.
【0026】このディスクを波長405nm、NA0.
65のピックアップで記録再生した。奥側記録層は、成
膜直後の状態より、大幅部反射率が上昇し、結晶化でき
ていた。ランダムデータを1−7変調し、記録密度0.
2μm/bitで両方の記録層に信号を記録し、再生し
た。記録線速度は3m/s。再生も同じ線速度で行なっ
た。再生パワーは0.5mW。半透明層は記録ピークパ
ワー5mW、ボトムパワー2.4mW、奥側記録層は、
記録ピークパワー8mW、ボトムパワー4.4mWで記
録した。結果、両方の記録層とも良好なアイパターンが
得られた。This disk was set at a wavelength of 405 nm and an NA of 0.
Recording and reproduction were performed with 65 pickups. In the back side recording layer, the reflectivity of the portion was greatly increased from the state immediately after the film formation, and the back side recording layer was crystallized. The random data is modulated by 1-7 so that the recording density is 0.
A signal was recorded on both recording layers at 2 μm / bit and reproduced. The recording linear velocity is 3 m / s. Regeneration was also performed at the same linear speed. Reproduction power is 0.5mW. The translucent layer has a recording peak power of 5 mW, a bottom power of 2.4 mW, and the back side recording layer has a
Recording was performed with a recording peak power of 8 mW and a bottom power of 4.4 mW. As a result, good eye patterns were obtained for both recording layers.
【0027】比較例1 直径12cm、厚さ1.1mmで、表面に連続溝による
ピッチ0.5μmのトラッキングガイドの凹凸を持つポ
リカーボネート基板上に、AlNからなる反射防止層5
0nm、Agからなる反射放熱層60nm、(GeC
r)Nx、Ge:Cr=4:1モル比、からなる誘電体
保護層6nm、Ag1In7Sb68Te22Ge2at%か
らなる記録層10nm、ZnS−SiO2からなる誘電
体保護層40nmの順にスパッタ装置によって製膜し、
さらに両面粘着シートを介して厚さ40μmのポリカー
ボネートフィルムを貼りつけた。この上に紫外線硬化樹
脂を滴下し、スタンパーを用いてプリグルーブを形成
し、この上にZnS−SiO2からなる誘電体保護層5
0nm、Ag1In3Sb60Te33Ge3at%からなる
記録層7nm、ZnS−SiO2からなる誘電体保護層
40nmを成膜した。この上に厚さ40μmのポリカー
ボネートフィルムを貼りつけ、さらにハードコートを
し、2層型の光記録媒体を形成した。このディスクは
ハードコート側から記録再生する。Comparative Example 1 An antireflection layer 5 made of AlN was placed on a polycarbonate substrate having a diameter of 12 cm, a thickness of 1.1 mm, and a tracking guide having a pitch of 0.5 μm formed by continuous grooves on the surface.
0 nm, Ag reflective heat dissipation layer 60 nm, (GeC
r) Nx, Ge: Cr = 4: 1 molar ratio, and film made dielectric protective layer 6 nm, the recording layer 10nm made of Ag1In7Sb68Te22Ge2at%, by sputtering device in the order of the dielectric protective layer 40nm made of ZnS-SiO 2 from
Further, a polycarbonate film having a thickness of 40 μm was attached via a double-sided pressure-sensitive adhesive sheet. An ultraviolet curing resin is dropped on this, a pre-groove is formed using a stamper, and a dielectric protection layer 5 made of ZnS-SiO 2 is formed thereon.
0 nm, the recording layer 7nm consisting Ag1In3Sb60Te33Ge3at%, was deposited dielectric protective layer 40nm made of ZnS-SiO 2. A polycarbonate film having a thickness of 40 μm was stuck thereon and hard-coated to form a two-layer optical recording medium. This disc is
Recording and playback from the hard court side.
【0028】次に、大口径の半導体レーザーを有する初
期化装置によって、ディスクの記録層の初期化処理を行
なった。初期化レーザーは、波長830nmである。半
透明記録層の初期化を、まず、再生面側から行なう。線
速度3m/s、レーザーパワー400mW、ビーム直径
100μm、ヘッド送り50μm/回転の条件で初期結
晶化した。Next, the recording layer of the disk was initialized by an initialization device having a large-diameter semiconductor laser. The initialization laser has a wavelength of 830 nm. Initialization of the translucent recording layer is first performed from the reproduction surface side. Initial crystallization was performed under the conditions of a linear velocity of 3 m / s, a laser power of 400 mW, a beam diameter of 100 μm, and a head feed of 50 μm / rotation.
【0029】次に、基板側から反射層がある記録層の初
期化を行なった。線速度2m/s、レーザーパワー80
0mW、ビーム直径100μm、ヘッド送り50μm/
回転の条件で初期結晶化した。Next, the recording layer having the reflection layer was initialized from the substrate side. Linear velocity 2m / s, laser power 80
0 mW, beam diameter 100 μm, head feed 50 μm /
Initial crystallization was performed under rotating conditions.
【0030】このとき、初期化による熱応力で膜浮きが
発生し、膜が浮いた部分は記録再生できなかった。これ
は、窒化アルミニウムの膜応力が大きいことや付着力の
大小が関連すると考えられる。At this time, the film floated due to the thermal stress caused by the initialization, and the portion where the film floated could not be recorded / reproduced. This is considered to be related to the large film stress of aluminum nitride and the magnitude of the adhesive force.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上、詳細且つ具体的な説明より明らか
なように、本発明の請求項1に示す光記録ディスクによ
れば、光閉じ込め層の追加によって初期化レーザー光の
利用効率が上がり、通常と反対の反射膜側からのレーザ
ー照射で初期化が可能となった。また、請求項2に示す
初期化方法によれば、反射膜側からの光照射により、半
透明記録層への初期化レーザーの吸収がなくなるので、
直接2層目記録層の初期化が容易に行なえるようになっ
た。さらに、請求項3に示す光記録媒体では、基板上に
最初に成膜される層である反射防止層に凹凸の少ない膜
を用いることで記録層の凹凸も減少し、記録マークを再
生するときの揺らぎが減少し、S/Nが良くなり、より
高密度記録ができるようになった。さらに、請求項4に
示す光記録媒体によれば、安価な材料で凹凸の少ない反
射防止膜を高速に形成できた。また、本発明の光記録媒
体は成膜、貼り合わせ、コーティングなどのゴミを巻き
込みやすいプロセスがすべて終了した後に初期化を行な
うために、ディスク生産プロセス上での欠陥発生率が下
がるという優れた効果を奏する。As described above, according to the detailed and specific description, according to the optical recording disk of the first aspect of the present invention, the use efficiency of the initialization laser beam is increased by the addition of the optical confinement layer. Initialization became possible by laser irradiation from the opposite side of the reflective film. According to the initialization method of the present invention, the light irradiation from the reflection film side eliminates the absorption of the initialization laser to the translucent recording layer.
Initialization of the second recording layer can be easily performed directly. Furthermore, in the optical recording medium according to the third aspect, the unevenness of the recording layer is reduced by using a film with less unevenness for the anti-reflection layer, which is the layer formed first on the substrate, and the recording mark is reproduced. , The S / N was improved, and higher density recording became possible. Further, according to the optical recording medium of the fourth aspect, an anti-reflection film with less unevenness can be formed at a high speed with an inexpensive material. In addition, the optical recording medium of the present invention performs initialization after all processes that easily involve dust such as film formation, bonding, and coating are completed, so that an excellent effect that the defect occurrence rate in a disk production process is reduced. To play.
【図1】本発明の光記録媒体の1例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing one example of an optical recording medium of the present invention.
【図2】本発明の反射防止膜と、初期化レーザー波長の
光に対する反射率の関係を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the antireflection film of the present invention and the reflectance for light having an initialization laser wavelength.
1 基板 2 反射防止層 3 反射放熱層 4 誘電体保護層 5 記録層 6 誘電体保護層 7 光透過層 8 誘電体保護層 9 半透明記録層 10 誘電体保護層 11 保護フィルム 12 ハードコート DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Antireflection layer 3 Reflection heat dissipation layer 4 Dielectric protection layer 5 Recording layer 6 Dielectric protection layer 7 Light transmission layer 8 Dielectric protection layer 9 Translucent recording layer 10 Dielectric protection layer 11 Protective film 12 Hard coat
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/26 531 B41M 5/26 X (72)発明者 岩佐 博之 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA36 FB05 FB09 FB12 FB17 5D029 HA06 JA01 JB13 JB18 JC01 MA21 MA22 5D090 AA01 BB05 BB12 CC11 KK09 5D121 AA01 GG26 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G11B 7/26 531 B41M 5/26 X (72) Inventor Hiroyuki Iwasa 1-3-3 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo No. 6 F-term in Ricoh Co., Ltd. (Reference) 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA36 FB05 FB09 FB12 FB17 5D029 HA06 JA01 JB13 JB18 JC01 MA21 MA22 5D090 AA01 BB05 BB12 CC11 KK09 5D121 AA01 GG26
Claims (4)
あり、そのあと、透明層が挿入されることにより距離を
置いて次の記録層が存在する相変化型の多層記録媒体で
あって、もっとも入射面から遠い位置の記録層に反射層
があり、この反射層と基板の間に反射防止膜を設けたこ
とを特徴とする相変化型光記録媒体。1. A phase change type multi-layer recording medium having a translucent recording layer as viewed from recording / reproducing light, and a transparent layer being interposed between the recording layer and the next recording layer at a distance. A phase-change optical recording medium, wherein a reflection layer is provided on the recording layer farthest from the incident surface, and an antireflection film is provided between the reflection layer and the substrate.
あり、そのあと、透明層が挿入されることにより距離を
置いて次の記録層が存在する相変化型の多層記録媒体の
初期化方法であって、もっとも入射面から遠い位置の記
録層に反射層があり、この反射層側から初期結晶化のレ
ーザーを入射させて初期化を行なうことを特徴とする相
変化型光記録媒体の初期化方法。2. A phase change type multi-layer recording medium having a semi-transparent recording layer as viewed from recording / reproducing light, and a next recording layer at a distance by inserting a transparent layer. A phase change type optical recording medium, characterized in that a recording layer located farthest from the incident surface has a reflection layer, and initialization is performed by irradiating a laser for initial crystallization from the reflection layer side. Initialization method.
成しやすい材料であることを特徴とする請求項1に記載
の相変化型光記録媒体。3. The phase-change optical recording medium according to claim 1, wherein the anti-reflection film is made of a material that easily forms a film having small irregularities.
あることを特徴とする請求項3に記載の相変化型光記録
媒体。4. The phase-change optical recording medium according to claim 3, wherein said antireflection film is made of high-density silicon carbide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001054496A JP2002260285A (en) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | Phase change optical recording medium and initialization method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001054496A JP2002260285A (en) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | Phase change optical recording medium and initialization method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002260285A true JP2002260285A (en) | 2002-09-13 |
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ID=18914821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001054496A Pending JP2002260285A (en) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | Phase change optical recording medium and initialization method |
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|---|---|
| JP (1) | JP2002260285A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229721B2 (en) | 2002-11-14 | 2007-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for evaluating photo mask and method for manufacturing semiconductor device |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001054496A patent/JP2002260285A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229721B2 (en) | 2002-11-14 | 2007-06-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for evaluating photo mask and method for manufacturing semiconductor device |
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