JP2002184769A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
囲気においても回転軸やボールベアリングなどに副生成
物が付着することを防止する。 【解決手段】 基板を保持する基板保持手段１０を回転
駆動可能な回転軸１２がボールベアリング１４を介して
回転自在に設けられている取付フランジ１６に、互いに
所定間隔をあけてヒータ取付穴１６ａを互いに平行に２
本形成し、それぞれのヒータ取付穴１６ａにヒータ２２
をそれぞれ挿入して、ヒータ２２により取付フランジ１
６を回転軸１２やボールベアリング１４に副生成物が付
着することを防止する温度に加熱する。
Description
転駆動可能な回転軸への副生成物の付着を阻止する構成
を有する半導体製造装置に関するものである。
駆動させる半導体製造装置としては、図５に示されるも
のが知られている。この半導体製造装置は、基板を回転
可能に保持する基板保持手段１０と、この基板保持手段
１０に取り付けられ、基板保持手段１０を回転駆動可能
に支持する回転軸１２とを備え、回転軸１２は、ボール
ベアリング１４を介して取付フランジ１６に回転自在に
設けられている。回転軸１２の下端部は、これを回転駆
動可能なボート回転機構１８に連結されている。
は、回転軸１２により基板保持手段１０を回転駆動させ
ることにより、基板自体を回転させながら行い、基板面
内の均一性を向上させるようにしている。
来のものでは、Ｓｉ3Ｎ4膜のように副生成物（ＮＨ4Ｃ
ｌ）が付着するようなプロセスでは、回転軸１２自体の
シールが失われたり、最悪の場合は、ボールベアリング
１４が錆びたり、詰まったりして回転不能の状態に陥る
可能性がある。
３３５３１７号公報及び特開平６−１６８９０４号公報
に示されるものがある。これらに示されるものは共に、
回転軸１２部分へ不活性ガスを供給して、回転軸１２部
分への反応ガスの侵入を防止するものである。
ものであり、回転軸のシール面やボールベアリングなど
回転軸近傍への副生成物の付着を防止することができる
半導体製造装置を提供することを目的としている。
ために、本発明は、基板を回転可能に保持する基板保持
手段と、該基板保持手段を回転駆動可能な回転軸とを有
する半導体製造装置において、上記回転軸近傍に副生成
物が付着するのを防止する加熱部材が設けられているこ
とを特徴とする。
面やボールベアリングなど回転軸近傍を加熱できて、こ
れらに副生成物が付着するのを防止することができる。
を用いて説明する。図１は本発明の実施の形態における
半導体製造装置を示す断面図、図２は本発明の実施の形
態における半導体製造装置の平面図を示す。実施の形態
における半導体製造装置２０において、１０は基板を回
転可能に保持する円板状の基板保持手段であり、この基
板保持手段１０には、この基板保持手段１０を回転駆動
可能に回転軸１２が取付けられている。回転軸１２は耐
食性のある材質のボールベアリング１４を介して取付フ
ランジ１６に回転自在に設けられている。回転軸１２の
下端部は、これを回転駆動可能なボート回転機構１８に
連結されている。
けてヒータ取付穴１６ａが平行に２本形成されており、
それぞれのヒータ取付穴１６ａに、図３に示されるヒー
タ２２が挿入されている。また、取付フランジ１６には
サーモスイッチ２４が取付けられている。サーモスイッ
チ２４はヒータ２２に接続されてヒータ２２の過加熱を
防止する。
る。基板を処理する際には、回転軸１２により基板保持
手段１０を回転駆動させることにより基板自体を回転さ
せるとともに、ヒータ２２により取付フランジ１６を１
３０℃に加熱する。図４に示されるように、Ｓｉ3Ｎ4膜
の生成プロセスでは、１２０℃を境界にこの温度より低
いときに副生成物（ＮＨ4Ｃｌ）が固相になり、１２０
℃以上の温度のときにが気相になるので、取付フランジ
１６を１３０℃に加熱した場合には気相になり、回転軸
１２やボールベアリング１４内などに副生成物（ＮＨ4
Ｃｌ）が付着することがない。
ランジ１６にヒータ２２を２本挿入するのみであった
が、リング状のヒータにより回転軸１２本体も加熱する
ことができるようにしてもよい。
理の際に、ヒータによって取付フランジを加熱すること
により、回転軸のシール面やボールベアリングなどへの
副生成物の付着を防止することができる。また、これに
より、Ｓｉ3Ｎ4等の副生成物（ＮＨ4Ｃｌ）付着雰囲気
においても回転軸の性能が十分に発揮されるので、当該
プロセスにおいて基板の面内均一性が改善される。
る。
ｌ）の昇華曲線である。
リング、１６ 取付フランジ、１６ａ ヒータ取付穴。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板を回転可能に保持する基板保持手段
と、該基板保持手段を回転駆動可能な回転軸とを有する
半導体製造装置において、 上記回転軸近傍に副生成物が付着するのを防止する加熱
部材が設けられていることを特徴とする半導体製造装
置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000377783A JP4446587B2 (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 半導体製造装置、基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000377783A JP4446587B2 (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 半導体製造装置、基板処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002184769A true JP2002184769A (ja) | 2002-06-28 |
| JP4446587B2 JP4446587B2 (ja) | 2010-04-07 |
Family
ID=18846454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4446587B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010098164A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Rigaku Corp | 処理装置及び半導体製造装置 |
-
2000
- 2000-12-12 JP JP2000377783A patent/JP4446587B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010098164A (ja) * | 2008-10-17 | 2010-04-30 | Rigaku Corp | 処理装置及び半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4446587B2 (ja) | 2010-04-07 |
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