JP2002179768A - 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置Info
- Publication number
- JP2002179768A JP2002179768A JP2001302668A JP2001302668A JP2002179768A JP 2002179768 A JP2002179768 A JP 2002179768A JP 2001302668 A JP2001302668 A JP 2001302668A JP 2001302668 A JP2001302668 A JP 2001302668A JP 2002179768 A JP2002179768 A JP 2002179768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- substituted
- alkyl group
- atom
- compound represented
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Epoxy Resins (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 速硬化性、高保存安定性、高流動性とを並立
させた、熱硬化性樹脂組成物及びエポキシ樹脂成形材
料、ならびにこれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 １分子内にエポキシ基を２個以上有する
化合物（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２個以
上有する化合物（Ｂ）、ホスホニウム化合物（Ｃ）を必
須成分とする熱硬化性樹脂組成物、これを含むエポキシ
樹脂成形材料、ならびにこの硬化物で封止された半導体
装置。
させた、熱硬化性樹脂組成物及びエポキシ樹脂成形材
料、ならびにこれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】 １分子内にエポキシ基を２個以上有する
化合物（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２個以
上有する化合物（Ｂ）、ホスホニウム化合物（Ｃ）を必
須成分とする熱硬化性樹脂組成物、これを含むエポキシ
樹脂成形材料、ならびにこの硬化物で封止された半導体
装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱硬化性樹脂組成
物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半
導体装置に関するものである。更に詳しくは、硬化性、
流動性、常温における貯蔵安定性性が良好で、電気・電
子材料分野に好適に用いることができる熱硬化性樹脂組
成物および、これを用いたエポキシ樹脂成形材料、なら
びにその硬化物にて封止された耐半田性、耐湿信頼性に
優れた半導体装置に関するものである。
物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半
導体装置に関するものである。更に詳しくは、硬化性、
流動性、常温における貯蔵安定性性が良好で、電気・電
子材料分野に好適に用いることができる熱硬化性樹脂組
成物および、これを用いたエポキシ樹脂成形材料、なら
びにその硬化物にて封止された耐半田性、耐湿信頼性に
優れた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気・電子材料、特に、ＩＣ封止材料
は、近年、生産効率の向上を目的とした速硬化性と、物
流・保管時のハンドリング性向上のための保存性の向上
が、より重要視されるようになってきている。
は、近年、生産効率の向上を目的とした速硬化性と、物
流・保管時のハンドリング性向上のための保存性の向上
が、より重要視されるようになってきている。
【０００３】従来、電子電気分野向けエポキシ樹脂に
は、硬化触媒として、アミン類、イミダゾール系化合
物、ジアザビシクロウンデセンなどの含窒素複素環式化
合物、第四級アンモニウム、ホスホニウムあるいはアル
ソニウム化合物などの種々の化合物が使用されている。
は、硬化触媒として、アミン類、イミダゾール系化合
物、ジアザビシクロウンデセンなどの含窒素複素環式化
合物、第四級アンモニウム、ホスホニウムあるいはアル
ソニウム化合物などの種々の化合物が使用されている。
【０００４】これら一般に使用される硬化触媒は、常温
などの比較的低温においても、硬化促進作用を示す場合
が多い。このことは、樹脂組成物の製造および保存時の
粘度上昇や、流動性の低下、硬化性のばらつきなど、製
品としての品質を低下させる原因となっている。
などの比較的低温においても、硬化促進作用を示す場合
が多い。このことは、樹脂組成物の製造および保存時の
粘度上昇や、流動性の低下、硬化性のばらつきなど、製
品としての品質を低下させる原因となっている。
【０００５】この問題を解決すべく、近年では、低温で
の粘度、流動性の経時変化を抑え、賦形、成形時の加熱
によってのみ、硬化反応を起こすような、いわゆる潜伏
性硬化促進剤の研究が盛んになされている。その手段と
して、硬化促進剤の活性点をイオン対により保護するこ
とで、潜伏性を発現する研究がなされており、特開平８
−４１２９０号公報では、種々の有機酸とホスホニウム
イオンとの塩構造を有する潜伏性硬化促進剤が提示され
ている。しかし、このホスホニウム塩は、イオン対が比
較的容易に外部環境の影響を受けるため、近年の低分子
エポキシ樹脂やフェノールアラルキル樹脂のような分子
の動きやすい硬化剤を用いる半導体封止材料では、流動
性や保存性が低下する問題が生じている。
の粘度、流動性の経時変化を抑え、賦形、成形時の加熱
によってのみ、硬化反応を起こすような、いわゆる潜伏
性硬化促進剤の研究が盛んになされている。その手段と
して、硬化促進剤の活性点をイオン対により保護するこ
とで、潜伏性を発現する研究がなされており、特開平８
−４１２９０号公報では、種々の有機酸とホスホニウム
イオンとの塩構造を有する潜伏性硬化促進剤が提示され
ている。しかし、このホスホニウム塩は、イオン対が比
較的容易に外部環境の影響を受けるため、近年の低分子
エポキシ樹脂やフェノールアラルキル樹脂のような分子
の動きやすい硬化剤を用いる半導体封止材料では、流動
性や保存性が低下する問題が生じている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、硬化性、流
動性、常温における貯蔵安定性が良好で、電気・電子材
料分野に有用な熱硬化性樹脂組成物、および、これを用
いたエポキシ樹脂成形材料、ならびにその硬化物にて封
止された耐半田性、耐湿信頼性に優れる半導体装置を提
供することを目的とするものである。
動性、常温における貯蔵安定性が良好で、電気・電子材
料分野に有用な熱硬化性樹脂組成物、および、これを用
いたエポキシ樹脂成形材料、ならびにその硬化物にて封
止された耐半田性、耐湿信頼性に優れる半導体装置を提
供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、１分子内
にエポキシ基を２個以上有する化合物、１分子内にフェ
ノール性水酸基を２個以上有する化合物と共に、特定構
造のホスホニウム化合物を用いることにより、優れた硬
化性、流動性、貯蔵安定性性を並立する樹脂組成物、お
よびエポキシ樹脂成形材料が得られ、さらには高い耐半
田性、耐湿信頼性を有する半導体装置が得られることを
見いだし、本発明を完成するに至った。
にエポキシ基を２個以上有する化合物、１分子内にフェ
ノール性水酸基を２個以上有する化合物と共に、特定構
造のホスホニウム化合物を用いることにより、優れた硬
化性、流動性、貯蔵安定性性を並立する樹脂組成物、お
よびエポキシ樹脂成形材料が得られ、さらには高い耐半
田性、耐湿信頼性を有する半導体装置が得られることを
見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００８】即ち、本発明は、第（１）〜（６）項に記
載の熱硬化性樹脂組成物、第（７）〜（１１）項に記載
のエポキシ樹脂成形材料及び第（１２）項に記載の半導
体装置を提供するものである。
載の熱硬化性樹脂組成物、第（７）〜（１１）項に記載
のエポキシ樹脂成形材料及び第（１２）項に記載の半導
体装置を提供するものである。
【０００９】（１）１分子内にエポキシ基を２個以上有
する化合物（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２
個以上有する化合物（Ｂ）、および、一般式（１）で表
されるホスホニウム化合物（Ｃ）を必須成分とすること
を特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
する化合物（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２
個以上有する化合物（Ｂ）、および、一般式（１）で表
されるホスホニウム化合物（Ｃ）を必須成分とすること
を特徴とする熱硬化性樹脂組成物。
【化１７】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｙは３価以上のプロトン供与体がプロトン
を１個放出してなる基を表し、ｎは０．２〜２の値を表
す。）
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｙは３価以上のプロトン供与体がプロトン
を１個放出してなる基を表し、ｎは０．２〜２の値を表
す。）
【００１０】（２）一般式（１）で表されるホスホニウ
ム化合物（Ｃ）が、一般式（２）で表されるホスホニウ
ム化合物である前記第（１）項に記載の熱硬化性樹脂組
成物。
ム化合物（Ｃ）が、一般式（２）で表されるホスホニウ
ム化合物である前記第（１）項に記載の熱硬化性樹脂組
成物。
【化１８】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子、Ａｒは芳香環または複素環
を含むｐ価の有機基を表し、ｐは３以上の整数、ｑは
０．２〜２の値を表す。）
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子、Ａｒは芳香環または複素環
を含むｐ価の有機基を表し、ｐは３以上の整数、ｑは
０．２〜２の値を表す。）
【００１１】（３）一般式（１）で表されるホスホニウ
ム化合物が、一般式（３）で表されるホスホニウム化合
物である前記第（１）項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
ム化合物が、一般式（３）で表されるホスホニウム化合
物である前記第（１）項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
【化１９】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子、Ａｒは芳香環または複素環
を含むｒ＋１価の有機基を表し、ｒは２以上の整数、ｓ
は０．２〜２の値を表す。）
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子、Ａｒは芳香環または複素環
を含むｒ＋１価の有機基を表し、ｒは２以上の整数、ｓ
は０．２〜２の値を表す。）
【００１２】（４）一般式（２）で表されるホスホニウ
ム化合物（Ｃ）が、一般式（４）で表されるホスホニウ
ム化合物である前記第（２）項記載の熱硬化性樹脂組成
物。
ム化合物（Ｃ）が、一般式（４）で表されるホスホニウ
ム化合物である前記第（２）項記載の熱硬化性樹脂組成
物。
【化２０】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基、Ａｒ
は（ｔ＋ｕ）価の芳香族基または複素環基、Ｘは水素原
子または１価の有機基を表す。ｔは３〜５の整数、ｕは
１〜３の整数を表す。）
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基、Ａｒ
は（ｔ＋ｕ）価の芳香族基または複素環基、Ｘは水素原
子または１価の有機基を表す。ｔは３〜５の整数、ｕは
１〜３の整数を表す。）
【００１３】（５）一般式（４）で表されるホスホニウ
ム化合物（Ｃ）が、一般式（５）又は（６）で表される
ホスホニウム化合物である前記第（４）項記載の熱硬化
性樹脂組成物。
ム化合物（Ｃ）が、一般式（５）又は（６）で表される
ホスホニウム化合物である前記第（４）項記載の熱硬化
性樹脂組成物。
【化２１】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基を表
す。）
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基を表
す。）
【化２２】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基を表
す。 Ｒ5は水素原子または炭素原子数１〜１８で構成さ
れる１価のアルキル基を表す。）
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基を表
す。 Ｒ5は水素原子または炭素原子数１〜１８で構成さ
れる１価のアルキル基を表す。）
【００１４】（６）一般式（３）で表されるホスホニウ
ム化合物（Ｃ）が、一般式（７）又は（８）で表される
ホスホニウム化合物である前記第（３）項記載の熱硬化
性樹脂組成物。
ム化合物（Ｃ）が、一般式（７）又は（８）で表される
ホスホニウム化合物である前記第（３）項記載の熱硬化
性樹脂組成物。
【化２３】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子を表し、ｙは０．２〜２の値
を表す。）
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子を表し、ｙは０．２〜２の値
を表す。）
【化２４】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子を表し、ｚは０．２〜２の値
を表す。）
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子を表し、ｚは０．２〜２の値
を表す。）
【００１５】（７）１分子内にエポキシ基を２個以上有
する化合物（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２
個以上有する化合物（Ｂ）、一般式（１）で表されるホ
スホニウム化合物（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）を必須
成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂成形材料。 （８）一般式（１）で表されるホスホニウム化合物
（Ｃ）が、一般式（２）又は（３）で表されるホスホニ
ウム化合物である前記第（７）項記載のエポキシ樹脂成
形材料。 （９）一般式（２）で表される化合物が、一般式（４）
で表されるホスホニウム化合物である前記第（８）項記
載のエポキシ樹脂成形材料。 （１０）一般式（４）で表される化合物が、一般式
（５）又は（６）で表される化合物である前記第（９）
項記載のエポキシ樹脂成形材料。 （１１）一般式（３）で表される化合物が、一般式
（７）又は（８）で表される化合物である前記第（８）
項記載のエポキシ樹脂成形材料。
する化合物（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２
個以上有する化合物（Ｂ）、一般式（１）で表されるホ
スホニウム化合物（Ｃ）および無機充填材（Ｄ）を必須
成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂成形材料。 （８）一般式（１）で表されるホスホニウム化合物
（Ｃ）が、一般式（２）又は（３）で表されるホスホニ
ウム化合物である前記第（７）項記載のエポキシ樹脂成
形材料。 （９）一般式（２）で表される化合物が、一般式（４）
で表されるホスホニウム化合物である前記第（８）項記
載のエポキシ樹脂成形材料。 （１０）一般式（４）で表される化合物が、一般式
（５）又は（６）で表される化合物である前記第（９）
項記載のエポキシ樹脂成形材料。 （１１）一般式（３）で表される化合物が、一般式
（７）又は（８）で表される化合物である前記第（８）
項記載のエポキシ樹脂成形材料。
【００１６】（１２）前記第（７）〜（１１）項記載の
エポキシ樹脂成形材料の硬化物にて封止された半導体装
置。
エポキシ樹脂成形材料の硬化物にて封止された半導体装
置。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明に用いる１分子内にエポキ
シ基を２個以上有する化合物（Ａ）は、１分子内にエポ
キシ基を２個以上有するものであれば、何ら制限はな
く、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルア
ラルキル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、
ナフタレン型エポキシ樹脂など、ビフェノールなどのフ
ェノール類やフェノール樹脂、ナフトール類などの水酸
基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ
樹脂、エポキシ化合物などが挙げられる。その他に、脂
環式エポキシ樹脂のようにオレフィンを過酸を用いて酸
化させエポキシ化したエポキシ樹脂や、ハイドロキノン
等のジヒドロキシベンゼン類をエピクロロヒドリンでエ
ポキシ化したものが挙げられる。
シ基を２個以上有する化合物（Ａ）は、１分子内にエポ
キシ基を２個以上有するものであれば、何ら制限はな
く、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルア
ラルキル型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、
ナフタレン型エポキシ樹脂など、ビフェノールなどのフ
ェノール類やフェノール樹脂、ナフトール類などの水酸
基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ
樹脂、エポキシ化合物などが挙げられる。その他に、脂
環式エポキシ樹脂のようにオレフィンを過酸を用いて酸
化させエポキシ化したエポキシ樹脂や、ハイドロキノン
等のジヒドロキシベンゼン類をエピクロロヒドリンでエ
ポキシ化したものが挙げられる。
【００１８】また、１分子内にフェノール性水酸基を２
個以上有する化合物（Ｂ）は、１分子内にエポキシ基を
２個以上有する化合物（Ａ）の硬化剤として作用するも
のである。具体的には、フェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、アルキル変性ノボラック樹脂
（シクロアルケンの二重結合をフリーデルクラフツ型の
反応でフェノール類と反応、共縮合した樹脂を含む）、
フェノールアラルキル樹脂、ナフトール類とフェノール
類をカルボニル基含有化合物と共縮合した樹脂などが例
示されるが、１分子内で芳香族性の環に結合する水素原
子が、水酸基で２個以上置換された化合物であればよ
い。
個以上有する化合物（Ｂ）は、１分子内にエポキシ基を
２個以上有する化合物（Ａ）の硬化剤として作用するも
のである。具体的には、フェノールノボラック樹脂、ク
レゾールノボラック樹脂、アルキル変性ノボラック樹脂
（シクロアルケンの二重結合をフリーデルクラフツ型の
反応でフェノール類と反応、共縮合した樹脂を含む）、
フェノールアラルキル樹脂、ナフトール類とフェノール
類をカルボニル基含有化合物と共縮合した樹脂などが例
示されるが、１分子内で芳香族性の環に結合する水素原
子が、水酸基で２個以上置換された化合物であればよ
い。
【００１９】本発明において硬化促進剤として機能する
ホスホニウム化合物（Ｃ）は、一般式（１）、または一
般式（２）〜（３）、さらには一般式（４）〜（８）で
表されるテトラ置換ホスホニウムと多価プロトン供与体
との錯塩である。このホスホニウム化合物は、１個のテ
トラ置換オニウムカチオンと、多価プロトン供与体が１
個のプロトンを放出してなる有機アニオンがイオン対を
形成し、さらにアニオン分子部と他のプロトン供与体分
子が水素結合等の分子間相互作用を介して安定な錯塩を
形成するものである。
ホスホニウム化合物（Ｃ）は、一般式（１）、または一
般式（２）〜（３）、さらには一般式（４）〜（８）で
表されるテトラ置換ホスホニウムと多価プロトン供与体
との錯塩である。このホスホニウム化合物は、１個のテ
トラ置換オニウムカチオンと、多価プロトン供与体が１
個のプロトンを放出してなる有機アニオンがイオン対を
形成し、さらにアニオン分子部と他のプロトン供与体分
子が水素結合等の分子間相互作用を介して安定な錯塩を
形成するものである。
【００２０】本発明に用いるホスホニウム化合物（Ｃ）
が、従来のホスホニウムカチオン−プロトン供与体アニ
オンである１：１型のホスホニウム塩と異なる点は、３
価以上のプロトン供与体が、分子中の水酸基、カルボキ
シル基、カルボニル等の極性基、あるいは複素環を構成
する窒素原子が関与した分子間水素結合を介して、プロ
トン供与体間の水素結合により、高次構造の錯アニオン
部を形成し、安定な超分子型の錯塩を形成している点で
ある。この安定な超分子型錯塩構造により、従来のホス
ホニウムカチオン−プロトン供与体アニオンが１：１型
の塩に比べて、低温の活性が抑制され、樹脂組成物の良
好な保存安定性を与えることができる。一方、成形温度
付近の高温においては、水素結合により形成される超分
子型の錯塩構造は、速やかに熱的に解離分解し活性化
し、従来のホスホニウム塩同様に速やかに硬化を促進
し、良好な硬化性を発現する。さらには、従来のホスホ
ニウム塩に比べて、成形温度付近に到達するまでは、触
媒活性が、より抑制されているため、成形時に、より良
好な流動性を与えることができる。従って、本発明の特
定のホスホニウム化合物（Ｃ）を用いることによって、
良好な保存安定性、硬化性、流動性が並立した樹脂特
性、材料特性が付与される。
が、従来のホスホニウムカチオン−プロトン供与体アニ
オンである１：１型のホスホニウム塩と異なる点は、３
価以上のプロトン供与体が、分子中の水酸基、カルボキ
シル基、カルボニル等の極性基、あるいは複素環を構成
する窒素原子が関与した分子間水素結合を介して、プロ
トン供与体間の水素結合により、高次構造の錯アニオン
部を形成し、安定な超分子型の錯塩を形成している点で
ある。この安定な超分子型錯塩構造により、従来のホス
ホニウムカチオン−プロトン供与体アニオンが１：１型
の塩に比べて、低温の活性が抑制され、樹脂組成物の良
好な保存安定性を与えることができる。一方、成形温度
付近の高温においては、水素結合により形成される超分
子型の錯塩構造は、速やかに熱的に解離分解し活性化
し、従来のホスホニウム塩同様に速やかに硬化を促進
し、良好な硬化性を発現する。さらには、従来のホスホ
ニウム塩に比べて、成形温度付近に到達するまでは、触
媒活性が、より抑制されているため、成形時に、より良
好な流動性を与えることができる。従って、本発明の特
定のホスホニウム化合物（Ｃ）を用いることによって、
良好な保存安定性、硬化性、流動性が並立した樹脂特
性、材料特性が付与される。
【００２１】本発明に用いるホスホニウム化合物（Ｃ）
を構成するホスホニウムカチオンとしては、置換または
無置換のアリール基やアルキル基を置換基にもつ、テト
ラ置換ホスホニウムイオンもしくはテトラ置換アンモニ
ウムイオンが、熱や、加水分解に対する安定性の上で好
ましく、具体的には、テトラフェニルホスホニウム、テ
トラトリルホスホニウムなどのテトラアリール置換ホス
ホニウム、エチルトリフェニルホスホニウムやベンジル
トリフェニルホスホニウム、トリフェニルメチルホスニ
ウムなどのトリアリールホスフィンとアルキルハライド
から合成されたホスホニウムハライドに起源をもつトリ
アリールモノアルキルホスホニウム、テトラブチルホス
ホニウムなどのテトラアルキル置換ホスホニウムイオ
ン、もしくはなどが例示される。
を構成するホスホニウムカチオンとしては、置換または
無置換のアリール基やアルキル基を置換基にもつ、テト
ラ置換ホスホニウムイオンもしくはテトラ置換アンモニ
ウムイオンが、熱や、加水分解に対する安定性の上で好
ましく、具体的には、テトラフェニルホスホニウム、テ
トラトリルホスホニウムなどのテトラアリール置換ホス
ホニウム、エチルトリフェニルホスホニウムやベンジル
トリフェニルホスホニウム、トリフェニルメチルホスニ
ウムなどのトリアリールホスフィンとアルキルハライド
から合成されたホスホニウムハライドに起源をもつトリ
アリールモノアルキルホスホニウム、テトラブチルホス
ホニウムなどのテトラアルキル置換ホスホニウムイオ
ン、もしくはなどが例示される。
【００２２】また、ホスホニウム化合物（Ｃ）を形成す
るもう一方の成分である、３価以上のプロトン供与体と
しては、1,2,3-トリヒドロキシベンゼン、1,3,5-トリヒ
ドロキシベンゼン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4-トリヒドロキシアセトフェノン、2,4,6-トリ
ヒドロキシプロピオンフェノン、1,8,9-トリヒドロキシ
アントラセン、1,2,4-トリヒドロキシアントラキノン、
1,4,9,10-テトラヒドロキシアントラセン、2,3,4,4'-テ
トラヒドロキシフェニルメタン、没食子酸、没食子酸メ
チル、没食子酸エチル、没食子酸-n-ブチル、没食子酸-
n-オクチル、没食子酸-n-ラウリル、没食子酸ステアリ
ル等のトリヒドロキシベンゼン誘導体、トリメシン酸、
トリメリト酸、ピロメリト酸、シトラジン酸、バルビツ
ール酸、タンニン酸、シアヌル酸、チオシアヌル酸など
が例示されるが、ホスホニウム化合物の安定性や硬化
性、流動性、保存性、硬化物物性のバランスの観点か
ら、1,2,3-トリヒドロキシベンゼン、1,3,5-トリヒドロ
キシベンゼン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン等
のトリヒドロキシベンゼン誘導体、没食子酸、シトラジ
ン酸、タンニン酸等のポリヒドロキシ型カルボン酸、没
食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸-n-オクチ
ル、没食子酸-n-ドデシル、没食子酸ステアリル等の没
食子酸エステル等が特に好適である。
るもう一方の成分である、３価以上のプロトン供与体と
しては、1,2,3-トリヒドロキシベンゼン、1,3,5-トリヒ
ドロキシベンゼン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノ
ン、2,3,4-トリヒドロキシアセトフェノン、2,4,6-トリ
ヒドロキシプロピオンフェノン、1,8,9-トリヒドロキシ
アントラセン、1,2,4-トリヒドロキシアントラキノン、
1,4,9,10-テトラヒドロキシアントラセン、2,3,4,4'-テ
トラヒドロキシフェニルメタン、没食子酸、没食子酸メ
チル、没食子酸エチル、没食子酸-n-ブチル、没食子酸-
n-オクチル、没食子酸-n-ラウリル、没食子酸ステアリ
ル等のトリヒドロキシベンゼン誘導体、トリメシン酸、
トリメリト酸、ピロメリト酸、シトラジン酸、バルビツ
ール酸、タンニン酸、シアヌル酸、チオシアヌル酸など
が例示されるが、ホスホニウム化合物の安定性や硬化
性、流動性、保存性、硬化物物性のバランスの観点か
ら、1,2,3-トリヒドロキシベンゼン、1,3,5-トリヒドロ
キシベンゼン、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン等
のトリヒドロキシベンゼン誘導体、没食子酸、シトラジ
ン酸、タンニン酸等のポリヒドロキシ型カルボン酸、没
食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸-n-オクチ
ル、没食子酸-n-ドデシル、没食子酸ステアリル等の没
食子酸エステル等が特に好適である。
【００２３】一方、特公昭５８−３９８３８号公報に
は、テトラヒドロカルビルホスホニウムフェノキシド塩
およびこのホスホニウムフェノキシド塩の１モル当り１
モル以上の多価フェノールＨmＸで錯化された化合物に
ついて記載されており、燐位エポキシド含有化合物と多
価フェノールとの反応用触媒として有用であるとしてい
る。上述のホスホニウムフェノキシドのフェノキシドお
よび、錯化せしめる多価フェノールに対応するＨmＸの
具体的な例として、レゾルシノール、ヒドロキノン、フ
ェノールフタレイン、2,4',4"-トリス（ヒドロキシフェ
ニル）メタン等が例示されており、さらには、非置換あ
るいは塩素または臭素置換のビスフェノール類が特に好
ましいとして、実施例において詳細に記載されている。
は、テトラヒドロカルビルホスホニウムフェノキシド塩
およびこのホスホニウムフェノキシド塩の１モル当り１
モル以上の多価フェノールＨmＸで錯化された化合物に
ついて記載されており、燐位エポキシド含有化合物と多
価フェノールとの反応用触媒として有用であるとしてい
る。上述のホスホニウムフェノキシドのフェノキシドお
よび、錯化せしめる多価フェノールに対応するＨmＸの
具体的な例として、レゾルシノール、ヒドロキノン、フ
ェノールフタレイン、2,4',4"-トリス（ヒドロキシフェ
ニル）メタン等が例示されており、さらには、非置換あ
るいは塩素または臭素置換のビスフェノール類が特に好
ましいとして、実施例において詳細に記載されている。
【００２４】本発明に用いるホスホニウム化合物のアニ
オン部を構成する３価以上のプロトン供与体として、好
ましい化合物は、同一芳香核を置換している水素結合性
の官能基である水酸基およびカルボキシル基の数の合計
が３以上のものであり、実質において特公昭５８−３９
８３８公報で例示されている多価フェノール類とは異な
る。同一芳香核を置換している水酸基およびカルボキシ
ル基の合計が３より小さい多価フェノール化合物では、
水素結合に基づく分子間相互作用が、より弱いため、ホ
スホニウム化合物（Ｃ）の錯アニオン部の安定性より低
く、低温で活性が発現する傾向がある。実際に特公昭５
８−３９８３８公報で例示されているような多価フェノ
ール類を、ホスホニウム化合物（Ｃ）を構成する多価プ
ロトン供与体として用いた場合では、本発明の目的の一
つである樹脂組成物の保存安定性の向上は得られない。
本発明における水素結合性の官能基である水酸基および
カルボキシル基の数の合計は３以上であるが、この数が
大きいほど、分子間水素結合がより強くなり安定な錯塩
となるため、樹脂組成物の貯蔵安定性が向上する。
オン部を構成する３価以上のプロトン供与体として、好
ましい化合物は、同一芳香核を置換している水素結合性
の官能基である水酸基およびカルボキシル基の数の合計
が３以上のものであり、実質において特公昭５８−３９
８３８公報で例示されている多価フェノール類とは異な
る。同一芳香核を置換している水酸基およびカルボキシ
ル基の合計が３より小さい多価フェノール化合物では、
水素結合に基づく分子間相互作用が、より弱いため、ホ
スホニウム化合物（Ｃ）の錯アニオン部の安定性より低
く、低温で活性が発現する傾向がある。実際に特公昭５
８−３９８３８公報で例示されているような多価フェノ
ール類を、ホスホニウム化合物（Ｃ）を構成する多価プ
ロトン供与体として用いた場合では、本発明の目的の一
つである樹脂組成物の保存安定性の向上は得られない。
本発明における水素結合性の官能基である水酸基および
カルボキシル基の数の合計は３以上であるが、この数が
大きいほど、分子間水素結合がより強くなり安定な錯塩
となるため、樹脂組成物の貯蔵安定性が向上する。
【００２５】本発明に用いる一般式（１）で表されるホ
スホニウム化合物（Ｃ）において、錯アニオン部を構成
するプロトン供与体ＹＨのホスホニウムカチオンに対す
るモル比ｎは、０．２〜２の範囲がホスホニウム化合物
（Ｃ）の安定性の面で好ましい。ｎが０．２未満では水
素結合による錯塩の安定性が低下し、低温で解離分解し
やすくなるため、樹脂組成物や成形材料において十分な
保存安定性が得られなくなる。同様の理由から、一般式
（２）及び（３）で表されるホスホニウム化合物
（Ｃ）、および一般式（７）及び（８）で表されるホス
ホニウム化合物（Ｃ）の錯アニオン部を構成するプロト
ン供与体ＹＨのホスホニウムカチオンに対するモル比
ｑ、ｓ、ｙ、ｚの値は、０．２〜２の範囲が好ましい。
スホニウム化合物（Ｃ）において、錯アニオン部を構成
するプロトン供与体ＹＨのホスホニウムカチオンに対す
るモル比ｎは、０．２〜２の範囲がホスホニウム化合物
（Ｃ）の安定性の面で好ましい。ｎが０．２未満では水
素結合による錯塩の安定性が低下し、低温で解離分解し
やすくなるため、樹脂組成物や成形材料において十分な
保存安定性が得られなくなる。同様の理由から、一般式
（２）及び（３）で表されるホスホニウム化合物
（Ｃ）、および一般式（７）及び（８）で表されるホス
ホニウム化合物（Ｃ）の錯アニオン部を構成するプロト
ン供与体ＹＨのホスホニウムカチオンに対するモル比
ｑ、ｓ、ｙ、ｚの値は、０．２〜２の範囲が好ましい。
【００２６】本発明に用いるホスホニウム化合物（Ｃ）
は、前述のような３価以上のプロトン供与体と、最終的
に脱ハロゲン化水素を助ける塩基、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物をア
ルコールなどの溶媒に溶解し、続いて適当な溶媒に溶解
した前記テトラ置換ホスホニウムのハライドを添加し反
応させて、最終的には再結晶や再沈殿などの操作により
固形分として取り出す方法や、テトラ置換ホスホニウム
テトラ置換ボレートとプロトン供与体を熱反応後、アル
コールなどの溶媒中で加熱反応させる方法で合成可能で
ある。
は、前述のような３価以上のプロトン供与体と、最終的
に脱ハロゲン化水素を助ける塩基、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物をア
ルコールなどの溶媒に溶解し、続いて適当な溶媒に溶解
した前記テトラ置換ホスホニウムのハライドを添加し反
応させて、最終的には再結晶や再沈殿などの操作により
固形分として取り出す方法や、テトラ置換ホスホニウム
テトラ置換ボレートとプロトン供与体を熱反応後、アル
コールなどの溶媒中で加熱反応させる方法で合成可能で
ある。
【００２７】本発明に用いる、硬化促進剤として機能す
る、ホスホニウム化合物（Ｃ）の配合量は、１分子内に
エポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、硬化剤と
して機能する、１分子内にフェノール性水酸基を２個以
上有する化合物（Ｂ）の合計重量を１００重量部とした
場合、０．５〜２０重量部程度が硬化性、保存性、他特
性のバランスがよく好適である。また、１分子内にエポ
キシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフ
ェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）の配合
比率は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物
（Ａ）のエポキシ基１モルに対し、１分子内にフェノー
ル性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）のフェノール
性水酸基と分子化合物（Ｃ）に含まれるフェノール性水
酸基との合算にて０．５〜２モル、好ましくは、０．８
〜１．２程度のモル比となるよう用いると、硬化性、耐
熱性、電気特性等がより良好となる。
る、ホスホニウム化合物（Ｃ）の配合量は、１分子内に
エポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、硬化剤と
して機能する、１分子内にフェノール性水酸基を２個以
上有する化合物（Ｂ）の合計重量を１００重量部とした
場合、０．５〜２０重量部程度が硬化性、保存性、他特
性のバランスがよく好適である。また、１分子内にエポ
キシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフ
ェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）の配合
比率は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物
（Ａ）のエポキシ基１モルに対し、１分子内にフェノー
ル性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）のフェノール
性水酸基と分子化合物（Ｃ）に含まれるフェノール性水
酸基との合算にて０．５〜２モル、好ましくは、０．８
〜１．２程度のモル比となるよう用いると、硬化性、耐
熱性、電気特性等がより良好となる。
【００２８】本発明に用いる無機充填材（Ｄ）は、その
種類については、特に制限はなく、一般に封止材料に用
いられているものを使用することができる。例えば、溶
融破砕シリカ粉末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉
末、２次凝集シリカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、
水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が
挙げられ、特に溶融球状シリカ粉末が好ましい。形状は
限りなく真球状であることが好ましく、又、粒子の大き
さの異なるものを混合することにより、充填量を多くす
ることができる。
種類については、特に制限はなく、一般に封止材料に用
いられているものを使用することができる。例えば、溶
融破砕シリカ粉末、溶融球状シリカ粉末、結晶シリカ粉
末、２次凝集シリカ粉末、アルミナ、チタンホワイト、
水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラス繊維等が
挙げられ、特に溶融球状シリカ粉末が好ましい。形状は
限りなく真球状であることが好ましく、又、粒子の大き
さの異なるものを混合することにより、充填量を多くす
ることができる。
【００２９】この無機充填材の配合量としては、１分子
内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分
子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物
（Ｂ）の合計量１００重量部あたり、２００〜２４００
重量部が好ましい。２００重量部未満だと、無機充填材
による補強効果が充分に発現しないおそれがあり、２４
００重量部を越えると、樹脂組成物の流動性が低下し成
形時に充填不良等が生じるおそれがあるので好ましくな
い。特に、無機充填材の配合量が、前記成分（Ａ）と
（Ｂ）の合計量１００重量部あたり、２５０〜１４００
重量部であれば、成形材料の硬化物の吸湿率が低くな
り、半田クラックの発生を防止することができ、更に溶
融時の成形材料の粘度が低くなるため、半導体装置内部
の金線変形を引き起こすおそれがなく、より好ましい。
又、無機充填材は、予め充分混合しておくことが好まし
い。
内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分
子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物
（Ｂ）の合計量１００重量部あたり、２００〜２４００
重量部が好ましい。２００重量部未満だと、無機充填材
による補強効果が充分に発現しないおそれがあり、２４
００重量部を越えると、樹脂組成物の流動性が低下し成
形時に充填不良等が生じるおそれがあるので好ましくな
い。特に、無機充填材の配合量が、前記成分（Ａ）と
（Ｂ）の合計量１００重量部あたり、２５０〜１４００
重量部であれば、成形材料の硬化物の吸湿率が低くな
り、半田クラックの発生を防止することができ、更に溶
融時の成形材料の粘度が低くなるため、半導体装置内部
の金線変形を引き起こすおそれがなく、より好ましい。
又、無機充填材は、予め充分混合しておくことが好まし
い。
【００３０】本発明のエポキシ樹脂成形材料は、（Ａ）
〜（Ｄ）成分の他に、必要に応じてγ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボ
ンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アン
チモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シ
リコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワッ
クス、高級脂肪もしくはその金属塩類、パラフィン等の
離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合することがで
き、また、本発明において硬化促進剤として機能するホ
スホニウム化合物（Ｃ）の特性を損なわない範囲で、ト
リフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾール等
の他の公知の触媒と併用しても何ら問題はない。
〜（Ｄ）成分の他に、必要に応じてγ−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン等のカップリング剤、カーボ
ンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹脂、酸化アン
チモン、リン化合物等の難燃剤、シリコーンオイル、シ
リコーンゴム等の低応力成分、天然ワックス、合成ワッ
クス、高級脂肪もしくはその金属塩類、パラフィン等の
離型剤、酸化防止剤等の各種添加剤を配合することがで
き、また、本発明において硬化促進剤として機能するホ
スホニウム化合物（Ｃ）の特性を損なわない範囲で、ト
リフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５，
４，０）−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾール等
の他の公知の触媒と併用しても何ら問題はない。
【００３１】本発明のエポキシ樹脂成形材料は、（Ａ）
〜（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用い
て常温混合し、ロール、押出機等の混練機で混練し、冷
却後粉砕して得られる。
〜（Ｄ）成分、及びその他の添加剤等をミキサーを用い
て常温混合し、ロール、押出機等の混練機で混練し、冷
却後粉砕して得られる。
【００３２】本発明のエポキシ樹脂成形材料を用いて、
半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するに
は、トランスファーモールド、コンプレッションモール
ド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形
することができる。
半導体等の電子部品を封止し、半導体装置を製造するに
は、トランスファーモールド、コンプレッションモール
ド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形
することができる。
【００３３】本発明のエポキシ樹脂成形材料の硬化物で
封止された半導体装置は、本発明の技術的範囲に含ま
れ、優れた耐湿性を示す。
封止された半導体装置は、本発明の技術的範囲に含ま
れ、優れた耐湿性を示す。
【００３４】
【実施例】以下に、本発明の実施例を示すが、本発明
は、これにより何ら制限を受けるものではない。
は、これにより何ら制限を受けるものではない。
【００３５】[硬化促進剤の合成] （合成例１）撹拌装置付きの１Ｌのセパラブルフラスコ
に１，２，３−トリヒドロキシベンゼン２５．２ｇ
（０．２ｍｏｌ）、メタノール１００ｍＬを仕込み、室
温で撹拌溶解し、さらに攪拌しながら水酸化ナトリウム
４．０ｇ(０．１ｍｏｌ)を予め、５５０ｍＬのメタノー
ルで溶解した溶液を添加した。次いで、予めテトラフェ
ニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ（０．１ｍｏ
ｌ）を１５０ｍＬのメタノールに溶解した溶液を加え
た。しばらく攪拌を継続し、３００ｍＬのメタノールを
追加した後、フラスコ内の溶液に５００ｍＬの水を撹拌
しながら滴下し、淡黄色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥
し、融点１９８〜２００℃の淡黄色色結晶１０９．８ｇ
を得た。この化合物をＣ１とする。Ｃ１を、ＮＭＲ、マ
ススペクトル、元素分析で分析した結果、テトラフェニ
ルホスホニウム１分子と１，２，３−トリヒドロキシベ
ンゼンが、モル比１：２で錯化した一般式（１）で表さ
れる目的のホスホニウム化合物であることが確認され
た。合成の収率は９３．０％であった。
に１，２，３−トリヒドロキシベンゼン２５．２ｇ
（０．２ｍｏｌ）、メタノール１００ｍＬを仕込み、室
温で撹拌溶解し、さらに攪拌しながら水酸化ナトリウム
４．０ｇ(０．１ｍｏｌ)を予め、５５０ｍＬのメタノー
ルで溶解した溶液を添加した。次いで、予めテトラフェ
ニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ（０．１ｍｏ
ｌ）を１５０ｍＬのメタノールに溶解した溶液を加え
た。しばらく攪拌を継続し、３００ｍＬのメタノールを
追加した後、フラスコ内の溶液に５００ｍＬの水を撹拌
しながら滴下し、淡黄色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥
し、融点１９８〜２００℃の淡黄色色結晶１０９．８ｇ
を得た。この化合物をＣ１とする。Ｃ１を、ＮＭＲ、マ
ススペクトル、元素分析で分析した結果、テトラフェニ
ルホスホニウム１分子と１，２，３−トリヒドロキシベ
ンゼンが、モル比１：２で錯化した一般式（１）で表さ
れる目的のホスホニウム化合物であることが確認され
た。合成の収率は９３．０％であった。
【００３６】（合成例２〜１０）合成例２〜８は、表１
に示した条件により、基本的な操作はすべて合成例1と
同様に行い、それぞれ化合物Ｃ２〜Ｃ１０を調製した。
結果を表１に示す。
に示した条件により、基本的な操作はすべて合成例1と
同様に行い、それぞれ化合物Ｃ２〜Ｃ１０を調製した。
結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】[熱硬化性樹脂組成物の評価]合成したホス
ホニウム化合物（Ｃ）を、１分子内にエポキシ基を２個
以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水
酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）、に加えて粉砕混合
し、さらに１００℃で５分間、熱板上で溶融混練した
後、冷却粉砕して、組成物のサンプルを調製し、評価を
行った。評価方法は、下記のとおりである。
ホニウム化合物（Ｃ）を、１分子内にエポキシ基を２個
以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水
酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）、に加えて粉砕混合
し、さらに１００℃で５分間、熱板上で溶融混練した
後、冷却粉砕して、組成物のサンプルを調製し、評価を
行った。評価方法は、下記のとおりである。
【００３９】（１）硬化トルク（硬化性評価） 前記のサンプル調製方法により作製した樹脂組成物を用
いて、キュラストメーター（オリエンテック社製、ＪＳ
ＲキュラストメーターＰＳ型）により、１７５℃で、４
５秒後のトルクを求めた。キュラストメーターにおける
トルクは、硬化性のパラメータであり、値の大きい方
が、硬化性が高いことを示す。
いて、キュラストメーター（オリエンテック社製、ＪＳ
ＲキュラストメーターＰＳ型）により、１７５℃で、４
５秒後のトルクを求めた。キュラストメーターにおける
トルクは、硬化性のパラメータであり、値の大きい方
が、硬化性が高いことを示す。
【００４０】（２）硬化発熱量残存率（保存性評価） 前記のサンプル調製方法により作製した樹脂組成物を用
いて、調製直後の初期硬化発熱量、および４０℃で３日
間保存処理後の硬化発熱量を測定し、初期硬化発熱量
（ｍＪ／ｍｇ）に対する保存処理後の硬化発熱量（ｍＪ
／ｍｇ）の百分率を算出した。尚、硬化発熱量の測定
は、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で、示差熱分析によ
り測定した。この値が大きいほど、硬化発熱量の経時変
化が小さく保存性が良好であることを示す。
いて、調製直後の初期硬化発熱量、および４０℃で３日
間保存処理後の硬化発熱量を測定し、初期硬化発熱量
（ｍＪ／ｍｇ）に対する保存処理後の硬化発熱量（ｍＪ
／ｍｇ）の百分率を算出した。尚、硬化発熱量の測定
は、昇温速度１０℃／ｍｉｎの条件で、示差熱分析によ
り測定した。この値が大きいほど、硬化発熱量の経時変
化が小さく保存性が良好であることを示す。
【００４１】（実施例１〜１０、および比較例１〜４）
表２〜３に示した配合により、前記の方法で、組成物の
サンプルを調製し評価した。比較例１〜４では、実施例
における化合物（Ｃ）にかえて、公知の硬化促進剤であ
るトリフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾ
ール、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレ
ートを用いた。得られた各組成物の評価結果を表２に示
す。
表２〜３に示した配合により、前記の方法で、組成物の
サンプルを調製し評価した。比較例１〜４では、実施例
における化合物（Ｃ）にかえて、公知の硬化促進剤であ
るトリフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ
［５．４．０］−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾ
ール、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレ
ートを用いた。得られた各組成物の評価結果を表２に示
す。
【００４２】
【表２】
【００４３】
【表３】
【００４４】本発明の熱硬化性樹脂組成物である実施例
１〜１０では、硬化性、保存性ともに良好であるのに対
し、比較例１および比較例３では保存性が悪く、また比
較例２および４では硬化性、保存性とも悪い結果を示し
た。
１〜１０では、硬化性、保存性ともに良好であるのに対
し、比較例１および比較例３では保存性が悪く、また比
較例２および４では硬化性、保存性とも悪い結果を示し
た。
【００４５】 [エポキシ樹脂成形材料の評価] （実施例１１） 油化シェルエポキシ製YX-4000H（ビフェニル型エポキシ樹脂） 52重量部 三井化学製XL225（フェノールアラルキル樹脂） 48重量部 ホスホニウム化合物Ｃ１ 3.0重量部 溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ） 500重量部 カーボンブラック 2重量部 臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 2重量部 カルナバワックス 2重量部 を混合し、熱ロールを用いて、９５℃で８分間混練して
冷却後粉砕し、エポキシ樹脂成形材料を得た。得られた
エポキシ樹脂成形材料を、以下の方法で評価した。結果
を表４〜表５に示す。
冷却後粉砕し、エポキシ樹脂成形材料を得た。得られた
エポキシ樹脂成形材料を、以下の方法で評価した。結果
を表４〜表５に示す。
【００４６】評価方法 （１）スパイラルフローは、ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じ
たスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７
５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で測定し
た。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、
数値が大きい方が流動性が良好である。
たスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７
５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で測定し
た。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、
数値が大きい方が流動性が良好である。
【００４７】（２）硬化トルクは、キュラストメーター
（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーター
IVＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定
した。この値の大きい方が硬化性は良好である。
（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーター
IVＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定
した。この値の大きい方が硬化性は良好である。
【００４８】（３）フロー残存率は、調製直後と３０℃
で１週間保存した後のスパイラルフロー値を測定し、調
製直後のスパイラルフロー値に対する保存後の値の百分
率で示した。
で１週間保存した後のスパイラルフロー値を測定し、調
製直後のスパイラルフロー値に対する保存後の値の百分
率で示した。
【００４９】（４）耐湿信頼性は、金型温度１７５℃、
圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で１６ｐＤＩＰを成形
し、この成形物を１７５℃で８時間硬化した後、１２５
℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を１
６ｐＤＩＰに印加し、断線不良を調べた。１５個のパッ
ケージのうちの、８個以上に不良が出るまでの時間を、
不良時間とした。単位は時間。なお、測定時間は、最長
で５００時間とし、その時点で不良パッケージ数が８個
未満であったものは、不良時間を５００時間以上と示し
た。不良時間が長いほど、耐湿信頼性に優れる。
圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で１６ｐＤＩＰを成形
し、この成形物を１７５℃で８時間硬化した後、１２５
℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を１
６ｐＤＩＰに印加し、断線不良を調べた。１５個のパッ
ケージのうちの、８個以上に不良が出るまでの時間を、
不良時間とした。単位は時間。なお、測定時間は、最長
で５００時間とし、その時点で不良パッケージ数が８個
未満であったものは、不良時間を５００時間以上と示し
た。不良時間が長いほど、耐湿信頼性に優れる。
【００５０】（実施例１２〜１８、比較例５〜８）実施
例１２〜１８および比較例５〜８について、表３の配合
に従い、実施例９と同様にして、エポキシ樹脂成形材料
を調製し評価した。結果を表３に示す。
例１２〜１８および比較例５〜８について、表３の配合
に従い、実施例９と同様にして、エポキシ樹脂成形材料
を調製し評価した。結果を表３に示す。
【００５１】
【表４】
【００５２】
【表５】
【００５３】実施例１１〜１８の本発明のエポキシ樹脂
成形材料は、硬化性、流動性、保存性がきわめて良好で
あり、さらに、このエポキシ樹脂成形材料の硬化物で封
止された半導体装置は、耐湿性が良好であることがわか
る。比較例５〜８では、硬化性、流動性、保存性、信頼
性を同時に満たすことができなかった。
成形材料は、硬化性、流動性、保存性がきわめて良好で
あり、さらに、このエポキシ樹脂成形材料の硬化物で封
止された半導体装置は、耐湿性が良好であることがわか
る。比較例５〜８では、硬化性、流動性、保存性、信頼
性を同時に満たすことができなかった。
【００５４】
【発明の効果】本発明の熱硬化性樹脂組成物及びエポキ
シ樹脂成形材料は、優れた硬化性、保存性、流動性を有
し、このエポキシ樹脂成形材料の硬化物で封止された半
導体装置は、耐湿信頼性に優れ有用である。
シ樹脂成形材料は、優れた硬化性、保存性、流動性を有
し、このエポキシ樹脂成形材料の硬化物で封止された半
導体装置は、耐湿信頼性に優れ有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J002 CC03X CC04X CC05X CD03W CD04W CD05W CD06W DE137 DE147 DJ017 DJ037 DJ047 DL007 EW176 FA047 FD017 FD130 FD14X FD156 FD160 GQ01 GQ05 4J036 AA01 AA02 AC01 AC02 AD01 AD08 AF01 AF05 DC41 DC46 DD07 FA01 FA03 FA05 FB07 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EB03 EB04 EB09 EC01 EC03 EC14 EC20
Claims (12)
- 【請求項１】 １分子内にエポキシ基を２個以上有する
化合物（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２個以
上有する化合物（Ｂ）、および、一般式（１）で表され
るホスホニウム化合物（Ｃ）を必須成分とすることを特
徴とする熱硬化性樹脂組成物。 【化１】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｙは３価以上のプロトン供与体がプロトン
を１個放出してなる基を表し、ｎは０．２〜２の値を表
す。） - 【請求項２】一般式（１）で表されるホスホニウム化合
物（Ｃ）が、一般式（２）で表されるホスホニウム化合
物である請求項１記載の熱硬化性樹脂組成物。 【化２】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子、Ａｒは芳香環または複素環
を含むｐ価の有機基を表し、ｐは３以上の整数、ｑは
０．２〜２の値を表す。） - 【請求項３】 一般式（１）で表されるホスホニウム化
合物（Ｃ）が、一般式（３）で表されるホスホニウム化
合物である請求項１記載の熱硬化性樹脂組成物。 【化３】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子、Ａｒは芳香環または複素環
を含むｒ＋１価の有機基を表し、ｒは２以上の整数、ｓ
は０．２〜２の値を表す。） - 【請求項４】 一般式（２）で表されるホスホニウム化
合物が、一般式（４）で表されるホスホニウム化合物で
ある請求項２記載の熱硬化性樹脂組成物。 【化４】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基、Ａｒ
は（ｔ＋ｕ）価の芳香族基または複素環基、Ｘは水素原
子または１価の有機基を表す。ｔは３〜５の整数、ｕは
１〜３の整数を表す。） - 【請求項５】 一般式（４）で表されるホスホニウム化
合物が、一般式（５）又は（６）で表されるホスホニウ
ム化合物である請求項４記載の熱硬化性樹脂組成物。 【化５】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基を表
す。） 【化６】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基を表
す。 Ｒ5は水素原子または炭素原子数１〜１８で構成さ
れる１価のアルキル基を表す。） - 【請求項６】 一般式（３）で表されるホスホニウム化
合物が、一般式（７）又は（８）で表されるホスホニウ
ム化合物である請求項３記載の熱硬化性樹脂組成物。 【化７】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子を表し、ｙは０．５〜２の値
を表す。） 【化８】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子を表し、ｚは０．５〜２の値
を表す。） - 【請求項７】 １分子内にエポキシ基を２個以上有する
化合物（Ａ）、１分子内にフェノール性水酸基を２個以
上有する化合物（Ｂ）、一般式（１）で表されるホスホ
ニウム化合物（Ｃ）、および無機充填材（Ｄ）を必須成
分とすることを特徴とするエポキシ樹脂成形材料。 【化９】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｙは３価以上のプロトン供与体がプロトン
を１個放出してなる基を表し、ｎは０．２〜２の値を表
す。） - 【請求項８】 一般式（１）で表されるホスホニウム化
合物（Ｃ）が、一般式（２）又は（３）で表されるホス
ホニウム化合物である請求項７記載のエポキシ樹脂成形
材料。 【化１０】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子、Ａｒは芳香環または複素環
を含むｐ価の有機基を表し、ｐは３以上の整数、ｑは
０．２〜２の値を表す。） 【化１１】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子、Ａｒは芳香環または複素環
を含むｒ＋１価の有機基を表し、ｒは２以上の整数、ｓ
は０．２〜２の値を表す。） - 【請求項９】 一般式（２）で表される化合物が、一般
式（４）で表されるホスホニウム化合物である請求項８
記載のエポキシ樹脂成形材料。 【化１２】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基、Ａｒ
は（ｔ＋ｕ）価の芳香族基または複素環基、Ｘは水素原
子または１価の有機基を表す。ｔは３〜５の整数、ｕは
１〜３の整数を表す。） - 【請求項１０】 一般式（４）で表される化合物が、一
般式（５）又は（６）で表される化合物である請求項９
記載のエポキシ樹脂成形材料。 【化１３】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基を表
す。） 【化１４】 （ただし、Ｐはリン原子、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置
換もしくは無置換の芳香族基、またはアルキル基を表
す。 Ｒ5は水素原子または炭素原子数１〜１８で構成さ
れる１価のアルキル基を表す。） - 【請求項１１】 一般式（３）で表される化合物が、一
般式（７）又は（８）で表される化合物である請求項８
記載のエポキシ樹脂成形材料。 【化１５】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子を表し、ｙは０．５〜２の値
を表す。） 【化１６】 （ただし、 Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は置換もしくは無
置換の芳香族基またはアルキル基、 Ｐはリン原子、Ｈ
は水素原子、Ｏは酸素原子を表し、ｚは０．５〜２の値
を表す。） - 【請求項１２】 請求項７〜請求項１１記載のエポキシ
樹脂成形材料の硬化物にて封止された半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001302668A JP5055679B2 (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 |
| TW091106188A TW583261B (en) | 2000-09-29 | 2002-03-28 | Thermosetting resin composition and its use in epoxy resin molding material and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000300731 | 2000-09-29 | ||
| JP2000300731 | 2000-09-29 | ||
| JP2000-300731 | 2000-09-29 | ||
| JP2001302668A JP5055679B2 (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002179768A true JP2002179768A (ja) | 2002-06-26 |
| JP5055679B2 JP5055679B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=26601250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001302668A Expired - Fee Related JP5055679B2 (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-28 | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5055679B2 (ja) |
| TW (1) | TW583261B (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004043695A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US6753086B2 (en) | 2002-09-18 | 2004-06-22 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material and semiconductor device |
| JP2004269586A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
| SG131750A1 (en) * | 2002-09-18 | 2007-05-28 | Sumitomo Bakelite Co | Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material and semiconductor device |
| KR100971062B1 (ko) * | 2002-09-26 | 2010-07-20 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 열경화성 수지조성물, 에폭시수지 성형재료 및 반도체장치 |
| JP2016084342A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-19 | 三星エスディアイ株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ ＳＤＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ホスホニウム系化合物、それを含むエポキシ樹脂組成物、およびそれを用いて製造された半導体装置 |
| WO2016120925A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | サンアプロ株式会社 | エポキシ樹脂硬化促進剤 |
| WO2016121356A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 |
| US20170002192A1 (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device prepared using the same |
| JP2017155068A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | サンアプロ株式会社 | エポキシ樹脂硬化促進剤 |
| JP6197187B1 (ja) * | 2016-07-21 | 2017-09-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018002911A (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 |
| JP2018016760A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2018016761A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07228670A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物 |
| JPH07330787A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラ置換ホスホニウム有機酸塩の合成法 |
| JPH0841290A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物 |
| JP2000086867A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2000319359A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JP2002105171A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 積層板用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグおよび積層板 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001302668A patent/JP5055679B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-28 TW TW091106188A patent/TW583261B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07228670A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物 |
| JPH07330787A (ja) * | 1994-06-13 | 1995-12-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | テトラ置換ホスホニウム有機酸塩の合成法 |
| JPH0841290A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物 |
| JP2000086867A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
| JP2000319359A (ja) * | 1999-04-30 | 2000-11-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JP2002105171A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 積層板用エポキシ樹脂組成物、並びにこれを用いたプリプレグおよび積層板 |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004043695A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ダイボンディング用接着剤並びにそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| US6753086B2 (en) | 2002-09-18 | 2004-06-22 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material and semiconductor device |
| SG131750A1 (en) * | 2002-09-18 | 2007-05-28 | Sumitomo Bakelite Co | Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material and semiconductor device |
| KR100971062B1 (ko) * | 2002-09-26 | 2010-07-20 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 열경화성 수지조성물, 에폭시수지 성형재료 및 반도체장치 |
| JP2004269586A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 |
| JP2016084342A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-19 | 三星エスディアイ株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ ＳＤＩ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | ホスホニウム系化合物、それを含むエポキシ樹脂組成物、およびそれを用いて製造された半導体装置 |
| US9633922B2 (en) | 2015-01-30 | 2017-04-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Sealing epoxy resin composition, hardened product, and semiconductor device |
| JP6023992B1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-11-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 |
| WO2016120925A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | サンアプロ株式会社 | エポキシ樹脂硬化促進剤 |
| WO2016121356A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 |
| KR102378915B1 (ko) | 2015-01-30 | 2022-03-24 | 산아프로 가부시키가이샤 | 에폭시 수지 경화 촉진제 |
| KR20170108934A (ko) * | 2015-01-30 | 2017-09-27 | 산아프로 가부시키가이샤 | 에폭시 수지 경화 촉진제 |
| JPWO2016120925A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2017-11-09 | サンアプロ株式会社 | エポキシ樹脂硬化促進剤 |
| US9870971B2 (en) * | 2015-07-03 | 2018-01-16 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device prepared using the same |
| US20170002192A1 (en) * | 2015-07-03 | 2017-01-05 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor device and semiconductor device prepared using the same |
| KR101835937B1 (ko) | 2015-07-03 | 2018-04-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 사용하여 제조된 반도체 소자 |
| JP2017155068A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | サンアプロ株式会社 | エポキシ樹脂硬化促進剤 |
| WO2017150090A1 (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-08 | サンアプロ株式会社 | エポキシ樹脂硬化促進剤 |
| JP2018002911A (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 |
| WO2018015981A1 (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体封止用樹脂組成物と硬化物、及び半導体装置 |
| JP6197187B1 (ja) * | 2016-07-21 | 2017-09-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| JP2018016760A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2018016761A (ja) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 封止用エポキシ樹脂組成物、硬化物、及び半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW583261B (en) | 2004-04-11 |
| JP5055679B2 (ja) | 2012-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4163162B2 (ja) | エポキシ樹脂用潜伏性触媒、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2002179768A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 | |
| JP3672225B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 | |
| KR102378915B1 (ko) | 에폭시 수지 경화 촉진제 | |
| JP4665616B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2005048110A (ja) | 硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP7010604B2 (ja) | エポキシ樹脂硬化促進剤及びエポキシ樹脂組成物 | |
| JP4830543B2 (ja) | 潜伏性触媒の製造方法及びエポキシ樹脂組成物 | |
| JP2003292582A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP3672224B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 | |
| WO2003082976A1 (en) | Thermosetting resin composition and epoxy resin molding material using the composition and semiconductor device | |
| JP4595223B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料および半導体装置 | |
| JP4720357B2 (ja) | 潜伏性触媒の製造方法およびエポキシ樹脂組成物 | |
| JP2018203916A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| JP4341261B2 (ja) | エポキシ樹脂用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP2006348283A (ja) | エポキシ樹脂用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2003292584A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたエポキシ樹脂成形材料ならびに半導体装置 | |
| JP2003292732A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 | |
| US6753086B2 (en) | Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material and semiconductor device | |
| JP2000319359A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物 | |
| JP2002284855A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いたエポキシ樹脂成形材料並びに半導体装置 | |
| JP4244662B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置 | |
| KR100971062B1 (ko) | 열경화성 수지조성물, 에폭시수지 성형재료 및 반도체장치 | |
| JP2002284854A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物及びそれを用いたエポキシ樹脂成形材料並びに半導体装置 | |
| JP2003286335A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080804 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110304 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110308 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110509 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110927 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111128 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120703 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120716 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5055679 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |