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JP2002151400A - 露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場 - Google Patents

露光装置、その保守方法並びに同装置を用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場

Info

Publication number
JP2002151400A
JP2002151400A JP2000348713A JP2000348713A JP2002151400A JP 2002151400 A JP2002151400 A JP 2002151400A JP 2000348713 A JP2000348713 A JP 2000348713A JP 2000348713 A JP2000348713 A JP 2000348713A JP 2002151400 A JP2002151400 A JP 2002151400A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
exposure apparatus
exposure
inert gas
reticle stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000348713A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayoshi Arakawa
貴吉 荒川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2000348713A priority Critical patent/JP2002151400A/ja
Priority to TW090127683A priority patent/TWI249781B/zh
Priority to DE60135260T priority patent/DE60135260D1/de
Priority to EP01309576A priority patent/EP1207425B1/en
Priority to US09/986,918 priority patent/US6757048B2/en
Priority to DE60128879T priority patent/DE60128879D1/de
Priority to EP06076659A priority patent/EP1731967B1/en
Priority to KR10-2001-0070791A priority patent/KR100453343B1/ko
Publication of JP2002151400A publication Critical patent/JP2002151400A/ja
Priority to US10/622,143 priority patent/US6891593B2/en
Priority to US11/083,936 priority patent/US7034918B2/en
Pending legal-status Critical Current

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • H10P76/00—
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
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    • G—PHYSICS
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 露光光として紫外光を用い、マスクのパター
ンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置に
おいて、装置内の紫外光路を不活性ガスで部分的に有効
にパージする手段を開発する。 【解決手段】 レチクルステージ７とこれを支持するレ
チクル定盤１０に紫外光が通る開口部を設け、レチクル
ホルダ１３のレチクル吸着面１４に吸着溝１５を設け、
ホルダ１３にも紫外光が通る開口部を設け、レチクルス
テージ７開口部にステージ７の下端部からレチクル定盤
１０近傍に向かって紫外光路を囲う囲い１７を設け、レ
チクル６とステージ７と囲い１７と定盤１０と投影光学
系１９で形成される空間に不活性ガスからなるパージガ
スを吹き込む供給口１６を設ける。囲い１７の代わりに
又は囲い１７と共に、レチクル定盤１０開口部にシート
ガラスを設けても良い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクのパターン
を投影光学系を介して感光基板に照射する露光装置に関
する。また、本発明は同装置の保守方法並びに同装置を
用いた半導体デバイス製造方法及び半導体製造工場にも
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩなどの極
微細パターンから形成される半導体素子の製造工程にお
いては、レチクル等のマスクに描かれた回路パターンを
感光剤が塗布された基板上に縮小投影して焼き付け形成
する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体素子
の実装密度の向上に伴いパターンのより一層の微細化が
要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の
微細化への対応がなされてきた。
【０００３】露光装置の解像力を向上させる手段として
は、露光波長をより短波長に変えていく方法と、投影光
学系の開口数（ＮＡ）を大きくしていく方法とがある。
【０００４】露光波長については、３６５ｎｍのｉ線か
ら最近では２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエ
キシマレーザ、１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒ
Ｆエキシマレーザの開発が行なわれている。更に、１５
７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ2 ）エキシマ
レーザの開発が行なわれている。
【０００５】遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を
有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎｍ付近の発振
波長を有するフッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザにおいて
は、これら波長付近の帯域には酸素（Ｏ2 ）の吸収帯が
複数存在することが知られている。
【０００６】例えば、フッ素エキシマレーザは波長が１
５７ｎｍと短いため、露光装置への応用が進められてい
るが、１５７ｎｍという波長は一般に真空紫外と呼ばれ
る波長領域にある。この波長領域の光は酸素分子によっ
て大きく吸収され、すなわち大気中をほとんど透過しな
いため、真空に近くまで気圧を下げ、酸素濃度を充分下
げた環境でしか応用ができない。文献「Ｐｈｏｔｏｃｈ
ｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆＳｍａｌｌ Ｍｏｌｅｃｕｌｅ
ｓ」（Ｈｉｄｅｏ Ｏｋａｂｅ著、Ａ Ｗｉｌｅｙ−Ｉ
ｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ、１
９７８年、１７８頁）によると、波長１５７ｎｍの光に
対する酸素の吸収係数は約１９０ａｔｍ - 1 ｃｍ- 1 で
ある。これは１気圧中で１％の酸素濃度の気体中を波長
１５７ｎｍの光が通過すると、１ｃｍあたりの透過率は Ｔ＝ｅｘｐ（−１９０×１ｃｍ×０．０１ａｔｍ）＝
０．１５０ しかないことを示す。
【０００７】また、酸素が上記光を吸収することにより
オゾン（Ｏ3 ）が生成され、このオゾンが光の吸収をよ
り増加させ、透過率を著しく低下させることに加え、オ
ゾンに起因する各種生成物が光学素子表面に付着し、光
学系の効率を低下させる。従って、ＡｒＦエキシマレー
ザ、フッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザ等の遠紫外線を光源
とする投影露光装置の露光光学系の光路においては、窒
素等の不活性ガスによるパージ手段によって、光路中に
存在する酸素濃度を数ｐｐｍオーダー以下の低レベルに
抑える方法がとられている。
【０００８】このように、遠紫外線とりわけ１９３ｎｍ
付近の波長を有するＡｒＦエキシマレーザや、１５７ｎ
ｍ付近の波長を有するフッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザ光
を利用した露光装置においては、ＡｒＦエキシマレーザ
光や、フッ素（Ｆ2 ）エキシマレーザ光が非常に物質に
吸収されやすいため、光路内の光吸収物質を数ｐｐｍオ
ーダー以下にまでパージする必要がある。また水分に対
しても同様のことが言え、やはり、ｐｐｍオーダー以下
になるまでの除去が必要である。
【０００９】このため、紫外光の透過率あるいはその安
定性を確保するために、不活性ガスで露光装置のレチク
ルステージ等の紫外光路をパージしていた。例えば、特
開平６−２６０３８５号公報では、感光基板に向かって
不活性ガスを吹きつけることが開示されているが、それ
だけでは酸素や水分をパージするには不十分であった。
また、特開平８−２７９４５８号公報では、投影光学系
下端部から感光基板近傍の空間の全体を密閉部材で覆う
ことが開示されているが、ステージの移動が困難となっ
て実用的とは言えなかった。また、特願２０００−１７
９５９０号では、照明光学系のレチクル側下端部からレ
チクルステージ近傍に向かって紫外光路を囲うカバーを
設け、カバー内部に不活性ガスを吹きつけることが開示
されているが、レチクルを保持するレチクルホルダから
レチクルステージを支持するレチクル定盤までの空間を
囲ってパージすることがなかったため、酸素や水分をパ
ージするには不十分であった。また、シートガラスを可
動部であるレチクルステージ側に配置していたため、レ
チクルステージの重量増加となる。また、レチクルステ
ージのスキャンストローク範囲をシートガラスで覆わな
ければいけないので、シートガラスが大型化して更なる
重量の増加となる。また、レチクルステージの駆動によ
るシートガラスの変形により光学特性が変化する問題が
ある。特にシートガラスを光学素子にする場合、光学特
性の変化が顕著に現れる。また光学素子にした場合、ス
キャンストローク範囲内で光学特性を同一にする必要が
あるため、加工が大変複雑になる。更に、可動部である
レチクルステージ側に不活性ガス供給用のチューブを接
続することで、チューブから伝達される振動の問題やチ
ューブを引きずりながらスキャン動作を行うことで、レ
チクルステージの制御特性を悪化させる問題がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記の通り、紫外線と
りわけＡｒＦエキシマレーザ光やフッ素（Ｆ2 ）エキシ
マレーザ光を利用した露光装置においては、これら波長
の光の酸素及び水による吸収が大きいため、紫外光の充
分な透過率及び安定性を得るためには光路における酸素
及び水の濃度を低減する必要がある。
【００１１】そこで、露光装置内の紫外光路、特に露光
装置内で出し入れが多いウエハやレチクル近傍に対する
有効なパージ手段の開発が望まれている。
【００１２】本発明は、上述の問題点に鑑みてなされた
ものでマスクのパターンを投影光学系を介して感光基板
に照射する露光装置において、露光装置内の光路を不活
性ガスで部分的に有効にパージする装置を提供するこ
と、更にこれを用いた半導体デバイスの製造方法、製造
工場、これのための保守方法等を提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段及び作用】上記の目的を達
成するために、本発明の第一の露光装置は、レチクルの
パターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光
装置において、レチクルを保持して搬送するレチクルス
テージ及び該レチクルステージを相対可動に支持するレ
チクル定盤に露光光が通過する開口部を設け、前記レチ
クルステージ開口部の前記レチクル定盤側に、少なくと
もレチクルを露光位置に配置した際に前記レチクルステ
ージ開口部と前記レチクル定盤開口部を周辺部から概略
遮蔽するための囲い手段を設けたことを特徴とする。
【００１４】本発明の露光装置では、前記レチクルと前
記レチクルステージ開口部と前記囲い手段と前記レチク
ル定盤開口部と前記投影光学系で形成される空間に不活
性ガスを吹き込む供給口が設けられるよう構成すること
ができる。前記囲い手段は、スキャン露光中に前記レチ
クル定盤の開口部が前記囲い手段の内部領域から外れな
いよう構成することができる。前記囲い手段の例として
は、前記レチクルステージ開口部をレチクルステージ下
側に設けられたカバーや前記レチクルステージに設けら
れた静圧軸受、または前記カバーと、１つまたは２つ以
上の前記静圧軸受で囲んだものが挙げられる。ここで、
前記静圧軸受への供給ガスとして不活性ガスを使用する
ものが挙げられる。
【００１５】本発明の第二の露光装置は、レチクルのパ
ターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装
置において、レチクルを保持して搬送するレチクルステ
ージ及び該レチクルステージを相対可動に支持するレチ
クル定盤に露光光が通過する開口部を設け、前記レチク
ル定盤の開口部に前記投影光学系側につながる空間を遮
蔽するためのシートガラスを設けたことを特徴とする。
ここで、少なくともレチクルを露光位置に配置した際に
前記レチクルと前記レチクルホルダと前記レチクル定盤
と前記シートガラスで形成される空間に不活性ガスを吹
き込む供給口が設けられるよう構成することができる。
更に前記レチクル定盤と前記シートガラスと前記投影光
学系で形成される空間に不活性ガスを吹き込む供給口が
設けられているよう構成することができる。また前記シ
ートガラスのレチクルステージ側上面が、前記レチクル
定盤のレチクルステージ側上面と同一面にあることが好
ましい。また、前記シートガラスは光学素子であること
ができる。
【００１６】本発明の第三の露光装置は、レチクルのパ
ターンを投影光学系を介して感光基板に照射する露光装
置において、レチクルを保持して搬送するレチクルステ
ージ及び該レチクルステージを相対可動に支持するレチ
クル定盤に露光光が通過する開口部を設け、前記レチク
ルステージ開口部の前記レチクル定盤側に、少なくとも
レチクルを露光位置に配置した際に前記レチクルステー
ジ開口部と前記レチクル定盤開口部を周辺部から概略遮
蔽するための囲い手段を設け、更に、前記レチクル定盤
の開口部に前記投影光学系側につながる空間を遮蔽する
ためのシートガラスを設けたことを特徴とする。前記レ
チクルと前記レチクルホルダと前記囲い手段と前記レチ
クル定盤と前記シートガラスで形成される空間、及び前
記レチクル定盤と前記シートガラスと前記投影光学系で
形成される空間のそれぞれに不活性ガスを吹き込む供給
口が設けられるよう構成することができる。前記囲い手
段は、スキャン露光中に前記レチクル定盤の開口部が前
記囲いの内部の領域から外れないよう構成することがで
きる。
【００１７】本発明の露光装置において、前記紫外光は
レーザを光源とするレーザ光であることができ、レーザ
はフッ素エキシマレーザまたはＡｒＦエキシマレーザで
あることができる。前記不活性ガスは、窒素、ヘリウム
及びアルゴンから選ばれる１種であることができる。
【００１８】本発明の露光装置では、不活性ガスを吹き
込む前記供給口は１つあるいは２つ以上のノズルである
ことができる。
【００１９】また、本発明の露光装置では、不活性ガス
を吹き込む前記供給口及び不活性ガスを吸い出す回収口
が前記レチクル定盤に設けられ、不活性ガスを前記供給
口から前記回収口へ向けて、前記レチクルと前記レチク
ルステージ開口部と前記囲い手段と前記レチクル定盤開
口部と前記投影光学系で形成される空間、または前記レ
チクルと前記レチクルステージと前記レチクル定盤と前
記シートガラスで形成される空間、及び前記レチクル定
盤と前記シートガラスと前記投影光学系で形成される空
間、または前記レチクルと前記レチクルステージと前記
囲い手段と前記レチクル定盤と前記シートガラスで形成
される空間、及び前記レチクル定盤と前記シートガラス
と前記投影光学系で形成される空間に流すことができ
る。
【００２０】また、本発明の露光装置では、不活性ガス
注入エリア内に不活性ガスの圧力を測定する圧力計が設
けられ、該圧力計によって測定された圧力値に基づいて
不活性ガスの圧力を制御する手段を備えたパージガス供
給手段が設けられてもよい。
【００２１】また、本発明の露光装置には、前記不活性
ガス注入エリア内を不活性ガスで充填させるパージ手段
を備えたものも含まれる。
【００２２】また、前記不活性ガスに酸素（Ｏ2 ）及び
／またはオゾン（Ｏ3 ）を混合させる手段を備えること
ができる。
【００２３】本発明の半導体デバイス製造方法は、上記
いずれかの本発明の露光装置を含む各種プロセス用の製
造装置群を半導体製造工場に設置する工程と、該製造装
置群を用いて複数のプロセスによって半導体デバイスを
製造する工程とを有することを特徴とする。この方法
は、前記製造装置群をローカルエリアネットワークで接
続する工程と、前記ローカルエリアネットワークと前記
半導体製造工場外の外部ネットワークとの間で、前記製
造装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信す
る工程とをさらに有しても良い。この場合、前記露光装
置のべンダーもしくはユーザーが提供するデータベース
に前記外部ネットワークを介してアクセスしてデータ通
信によって前記製造装置の保守情報を得る、もしくは前
記半導体製造工場とは別の半導体製造工場との間で前記
外部ネットワークを介してデータ通信して生産管理を行
うこともできる。本発明の半導体製造工場は、上記いず
れかの本発明の露光装置を含む各種プロセス用の製造装
置群と、該製造装置群を接続するローカルエリアネット
ワークと、該ローカルエリアネットワークから工場外の
外部ネットワークにアクセス可能にするゲートウェイを
有し、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
データ通信することを可能にしたものである。
【００２４】本発明の保守方法は、半導体製造工場に設
置された上記いずれかの本発明の露光装置の保守方法で
あって、前記露光装置のべンダーもしくはユーザーが、
前記半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保
守データベースを提供する工程と、前記半導体製造工場
内から前記外部ネットワークを介して前記保守データベ
ースへのアクセスを許可する工程と、前記保守データベ
ースに蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介
して半導体製造工場側に送信する工程とを有することを
特徴とする。
【００２５】本発明の露光装置は、ディスプレイと、ネ
ットワークインターフェースと、ネットワーク用ソフト
ウェアを実行するコンピュータとをさらに有することに
より、露光装置の保守惰報をコンピュータネットワーク
を介してデータ通信することが可能である。前記ネット
ワーク用ソフトウェアは、前記露光装置が設置された工
場の外部ネットワークに接続され前記露光装置のべンダ
ーもしくはユーザーが提供する保守データベースにアク
セスするためのユーザーインターフェースを前記ディス
プレイ上に提供すれば、前記外部ネットワークを介して
該データベースから情報を得ることが可能である。
【００２６】
【発明の実施の形態】本発明の露光装置は、特許請求の
範囲に規定した以外の構成については制限されない。
【００２７】本発明の露光装置に用いる露光光としての
紫外光は制限されないが、従来技術で述べたように、遠
紫外線とりわけ１９３ｎｍ付近の波長を有するＡｒＦエ
キシマレーザや、１５７ｎｍ付近の波長を有するフッ素
(Ｆ2 ）エキシマレーザ光に対して、本発明に係るパー
ジ手段は特に有効である。
【００２８】
【実施形態】以下、図面を用いて本発明の実施形態を説
明する。実施形態１ 図１Ａは本発明の一実施形態に係るステップ・アンド・
スキャン型の投影露光装置の要部であり、図１Ｂ、１Ｃ
は図１Ａの露光装置をそれぞれＢ−Ｂ、Ｃ−Ｃから見た
断面図である。図１において、不図示の紫外光源から露
光装置内の照明光学系１に来た紫外光は、レチクルステ
ージ７上に載置され、このレチクルステージ上に設けら
れたレチクルホルダ１３で保持されたレチクル６を照射
する。照明光学系１のレチクル側下端部からレチクルス
テージ７近傍に向かって紫外光路を囲うカバー３が設け
られ、カバー３の内部に不活性ガスからなるパージガス
を吹き込む供給口であるノズル２が設けられている。カ
バー３の下端とレチクル６との隙間はＳ１である。照明
光学系１の内部より窒素、へリウム、アルゴン等の不活
性ガスが、ノズル２からカバー３の内部に吹き込まれ、
酸素及び水分等の露光有害物がパージされている。レチ
クルステージ７上には、天板８が設けられレチクル６の
上面と同一面を形成しており、これによりスキャン動作
でレチクルステージ７が移動しても、カバー３によって
有効にパージされる部分から外れない。これらによりカ
バー３の内側の不純物を十分排除できるが、さらにカバ
ー３の外側も不図示の手段でパージしてある程度不純物
を排除することにより、カバー３の内側の不純物がより
一層低濃度に排除できるので望ましい。ここで、カバー
３の外側のおおよそのパージエリア９は二点鎖線で囲ま
れた付近である。
【００２９】また、レチクルステージ７を支持するレチ
クル定盤１０上のレチクルステージ走り面１１にはリニ
アモータ固定子１２が設けられ、レチクルステージ７が
リニアモータ固定子１２に誘導されて移動する。レチク
ルステージ７上のレチクルホルダ１３のレチクル吸着面
１４には、周囲に吸着溝１５が設けられ、レチクル６が
全周接して載置されている（但し、僅かな隙間ならレチ
クル吸着面１４の一部が切り欠かれて接しなくても問題
ない）。レチクルホルダ１３のレチクル吸着面１４の内
側とレチクルステージ７の中心部は、露光光束が通るた
めに開口していて空間となっている。レチクル定盤１０
の中心部にも露光光束が通るための開口部があり、不活
性ガスからなるパージガスを吹き込むノズル（供給口）
１６が設けられている。また、レチクルステージ開口部
のレチクル定盤側に、レチクルステージ開口部とレチク
ル定盤開口部を周辺部から概略遮蔽するための囲い１７
が設けられている。囲い１７の下端とレチクル定盤１０
との隙間はＳ２である。囲い１７は、スキャン露光中に
レチクル定盤の開口部が囲い１７の形成する内部領域か
ら外れないように配置されている。囲い１７としては、
例えばレチクルステージ７の開口部の周囲をレチクルス
テージ７に設けられたカバーで囲んだものやレチクルス
テージ７の開口部の周囲をレチクルステージ７のガイド
用の静圧軸受１８で囲んだもの、またカバーと、１つま
たは２つ以上の静圧軸受１８で囲んだもの（図１Ｃ）が
考えられる。また、カバーとしては、例えばステンレス
などの金属製カバーやフッ素などの樹脂製カバー、ある
いは不活性ガスを使用したエアカーテンなどが考えられ
る。このレチクル６、レチクルステージ７、レチクル定
盤１０、囲い１７及び投影光学系１９で形成される空間
に、不活性ガスからなるパージガスがレチクル定盤１０
に設けられたノズル１６から吹き込まれる。一方、ノズ
ル１６を設けずに、静圧軸受１８へ供給される不活性ガ
スだけを利用して上記空間のパージを行うことも考えら
れる。
【００３０】レチクル６を透過した紫外光は、投影光学
系１９を経て、ウエハステージ２０上に載置されたウエ
ハ２１を照射する。投影光学系１９のウエハ側下瑞部か
らウエハステージ２０近傍に向かって紫外光路を囲うカ
バー２２が設けられ、カバー２２の内部に不活性ガスか
らなるパージガスを吹き込む供給口であるノズル２３が
設けらている。投影光学系１９の内部より窒素、へリウ
ム、アルゴン等の不活性ガスが、ノズル２３からカバー
２２の内部に吹き込まれ、酸素及び水分等の露光有害物
がパージされている。カバー２２の下端とウエハ２１と
の隙間はＳ３である。ウエハステージ２０上には、天板
２４が設けられウエハ２１と同一面を形成しており、こ
れによりスキャン動作でウエハステージ２０が移動して
も、カバー２２によって有効にパージされる部分から外
れない。これらによりカバー２２の内側の不純物を十分
排除できるが、さらにカバー２２の外側も不図示の手段
でパージしてある程度不純物を排除することにより、カ
バー２２の内側の不純物がより一層低濃度に排除できる
ので望ましい。ここで、カバー２２の外側のおおよその
パージエリア２５は、投影光学系定盤２６とウエハステ
ージ定盤２７と隔壁２８で囲まれた付近である。なお、
ウエハステージ定盤２７から投影光学系定盤２６への振
動や変形を伝わりにくくするために、隔壁２８はべロー
ズ状の弾性体にしているが、あるいはその代わりに、隔
壁２８をべローズ状ではなく通常の剛体とし、隔壁２８
と投影光学系定盤２６を連結せずに全周にわずかな隙間
を設けてもよい。これにより、パージガスはリークする
ので、流量が余計に必要になるものの、振動や変形がよ
り伝わらないようにできる。あるいは、ステージダンパ
ー２９をなくして、隔壁２８をべローズ状ではなく通常
の剛体とし、ウエハステージ定盤２７を投影光学系定盤
２６から隔壁２８で吊って一体とした構成にしてもよ
い。
【００３１】本実施形態の露光装置により、フッ素ガス
レーザを露光光に用いても、フッ素ガスレーザの光路内
の不純物をパージし、十分な透過率とその安定性を確保
できた。また、レチクル定盤１０に不活性ガス供給用の
チューブを接続することで、レチクルステージ７にはチ
ューブからの振動が伝達されないので、レチクルステー
ジ７の制御特性を向上させることが可能となる。
【００３２】実施形態２ 図２Ａは、本発明の別の実施形態に係るステップ・アン
ド・スキャン型の投影露光装置の要部であり、図２Ｂ、
２Ｃは図２Ａの露光装置をそれぞれＢ−Ｂ、Ｃ−Ｃから
見た断面図である。本例では、実施形態１に記載の囲い
１７の代わりに、レチクル定盤１０の開口部にシートガ
ラス３０を設け、レチクル６とレチクルステージ７とレ
チクル定盤１０とシートガラス３０で第一の空間が形成
され、レチクル定盤１０とシートガラス３０と投影光学
系１９で第二の空間が形成される。シートガラス３０
は、レチクルステージ７側上面がレチクル定盤１０のレ
チクルステージ７側上面と同一面にあるように配置され
ている。このように段差を少なくすると、レチクルステ
ージの下面から投影光学系までの光路をレチクルステー
ジのスキャン動作で乱すことが少なくなる。よって、紫
外光を吸収する不純物の濃度が安定して、露光量の空間
的、時間的変化がより安定する。また、シートガラス３
０は露光光の光学特性を補正するための光学素子であっ
てもよい。例えば、凹形状、凸形状、シリンドリカルな
どの球面レンズ、または非球面レンズ、あるいは平面上
に部分的な非球面加工を施した光学素子などが考えられ
る。また、シートガラス３０の取付は、表面に汚染物質
が付着した際に、容易に交換できるようにするのが望ま
しい。また、第一の空間と第二の空間に不活性ガスから
なるパージガスを吹き込む供給口１６が、レチクル定盤
１０に設けられている。これ以外の構成は実施形態１と
同一である。
【００３３】本実施形態の露光装置により、スキャン動
作でレチクルステージ７が移動しても、第一の空間と第
二の空間はパージされる。また、実施形態１に記載した
ようなレチクルステージ７に設けた囲い１７は必要がな
いので、レチクルステージ７の簡素化が可能となる。ま
た、シートガラス３０を固定部であるレチクル定盤１０
に配置するため、レチクルステージ７の更なる簡素化が
でき、かつステージ駆動によるシートガラスの変形はな
く、光学特性が変化する問題がなくなる。
【００３４】実施形態３ 図３Ａは、本発明の更に別の実施形態に係るステップ・
アンド・スキャン型の投影露光装置の要部であり、図３
Ｂ、３Ｃは図３Ａの露光装置をそれぞれＢ−Ｂ、Ｃ−Ｃ
から見た断面図である。本例では、実施形態１に記載の
囲い１７と実施形態２に記載のシートガラス３０を共に
設け、レチクル６とレチクルステージ７とレチクル定盤
１０と囲い１７とシートガラス３０で形成される空間、
及びレチクル定盤１０とシートガラス３０と投影光学系
１９で形成される空間に、不活性ガスからなるパージガ
スを吹き込む供給口１６がレチクル定盤１０に設けられ
ている。これ以外の構成は実施形態１と同一である。
【００３５】本実施形態の露光装置により、パージエリ
アを必要最小限に分割とすることができるため、フッ素
ガスレーザ光を吸収する不純物の濃度分布がより安定し
て、露光量の空間的・時間的変化がより安定する（少な
くなる）効果がある。また、レチクルステージ７の開口
部の空間は高い気密性を保持できるので、フッ素ガスレ
ーザ光を吸収する不純物の濃度をより抑えて透過率が向
上したり、その濃度分布がより安定して露光量の空間的
・時間的変化がより安定する効果がある。更に、パージ
ガスの消費量の低減とパージエリア内の不純物を所定濃
度以下にするまでのパージ時間の短縮が可能になる。
【００３６】実施形態４ 図４は、本実施形態４の露光装置の照明光学系からレチ
クル定盤までを示す図である。本例は、上記の実施形態
３において、レチクル定盤１０の一方側にパージガスを
吹き込む供給口３１を設け、レチクル定盤１０の他方側
にパージガスを吸い出す回収口を設けて、パージガスを
前記パージエリア内部にした場合の実施形態である。こ
れは実施形態１、２においても適用可能である。供給口
３１からパージガスは矢印の方向にレチクル近傍に吹き
込まれる。同時にパージガスは回収口３２から吸い出さ
れる。露光光はシートガラス３０を経て照明エリアまた
は投影エリアを形成する。パージガスが流れる方向はス
キャン方向と平行、直交、または斜めであってよいし、
スキャンとともに方向を変えてもよいが、スキャン方向
に直交させ、スキャン方向において露光差が生じないよ
うにするのが望ましい。
【００３７】本実施形態の露光装置により、フッ素ガス
レーザを露光光に用いても、フッ素ガスレーザの光路内
の不純物をパージし、露光光の十分な透過率とその安定
性を確保できた。また、供給口と回収口を設け、供給口
から回収口へ向かって積極的にパージガスの流れをつく
りだすことで、パージガスがパージエリア内部に滞留し
て、パージエリア内部を汚染することを防止できる。
【００３８】実施形態５ 図５は、上記の実施形態１から４において、不活性ガス
の流量を節約するため、カバー３、２２の下にウエハ及
び／またはレチクルがロードされた時のみ不活性ガスを
流すようにした場合のフロー図である。同様に、天板
８、２４の有無についても考慮して、天板がロードされ
た時のみ不活性ガスを流すようにすることも不活性ガス
の節約に有効である。
【００３９】実施形態６ 本例は、実施形態１から実施形態５の露光装置におい
て、カバー３、２２の内側に圧力センサを設け、さらに
パージされる空間内のガスの圧力を制御する手段を備え
たパージガス供給手段を設けた例である。そして、圧力
センサによって測定された圧力値に基づき空間内のパー
ジガスの圧力制御を行い、気圧によらず一定に制御す
る。
【００４０】このようにすることで奏される特有の効果
について説明する。照明光学系１、あるいは投影光学系
１９の鏡筒内部も不純物を除去するため不活性ガスでパ
ージされほぼ密閉系となっているので、外部の気圧変動
にあまり追従しないため、鏡筒内部と外部に差圧が生じ
る。すると、例えば照明光学系１下端の光学素子、ある
いは投影光学系１９下端の光学素子はその差圧に応じて
変形し、光学性能が気圧変動に応じて変化してしまう問
題がある。しかし本実施形態は、これら光学素子下部に
あるカバー３、２２の内側のパージガス圧力を一定に制
御することにより差圧を発生させず、気圧変動による光
学性能の変化を抑えることができる。
【００４１】また図６Ａは、実施形態１において、カバ
ー３の内側と、レチクルステージ７の内側またはレチク
ル定盤１０の開口部に圧力センサ３３を設け、さらにパ
ージガスの圧力を制御する手段を備えたパージガス供給
手段３４をノズル１６の先端に設けた場合の実施形態で
ある。圧力センサ３３によって測定された圧力値に基づ
いてパージガスの圧力制御を行い、気圧によらず一定に
制御する。
【００４２】このようにすることで奏される特有の効果
について説明する。投影光学系１９の鏡筒内部も不純物
を除去するため不活性ガスでパージされほぼ密閉系とな
っているので、外部の気圧変動にあまり追従しないた
め、鏡筒内部と外部に差圧が生じる。すると、投影光学
系１９上端の光学素子はその差圧に応じて変形し、光学
性能が気圧変動に応じて変化してしまう問題がある。し
かし本実施形態は、投影光学系１９の上方空間のパージ
ガス圧力を一定に制御することにより差圧を発生させな
いので、気圧変動による光学性能の変化を抑えることが
できる。
【００４３】また図６Ｂは、実施形態３において、カバ
ー３の内側、レチクルステージ７の内側及び投影光学系
１９上端部の三か所に圧力センサ３３を設け、さらにパ
ージガスの圧力を制御する手段を備えたパージガス供給
手段３４を設けた場合の実施形態である。本例のように
レチクル定盤１０にシートガラス３０を設けた場合に
は、レチクルステージ７の内側と投影光学系１９上端部
のパージガス圧力を一定に制御することにより差圧が発
生しないので、シートガラス３０が変形せず光学性能の
変化を抑えることができる。また、これらによりレチク
ル６の上部と下部のパージガス圧力も一定で差圧が生じ
ないので、レチクル６の変形も生じない。
【００４４】また、レチクル６の自重たわみや平面度が
デフォーカスやディストーションとして問題となる場合
においては、レチクル６、レチクルステージ７、囲い１
７、レチクル定盤１０及びシートガラス３０で形成され
るレチクルステージ７内側の空間のパージガス圧力を最
適な既知の一定値に制御することにより、レチクル６あ
るいはシートガラス３０を一定量変形させて、デフォカ
ースやディストーションを軽減させることができる。な
お、最適な圧力は、事前に所望のレチクル６を使いパー
ジガス圧力を変えながら露光して、デフオーカスやディ
ストーションを検査し、それらが最小になった圧力にす
ればよい。あるいは、シミュレーション計算で求めても
よい。
【００４５】実施形態７ 前記実施形態においては、窒素、へリウム、アルゴン等
の不活性ガスからなるパージガスを各ノズルで吹き込ん
たが、本実施形態の露光装置は、さらに前記不活性ガス
に酸素（Ｏ2 ）及び／またはオゾン（Ｏ3 ）を混合させ
る手段も備える。そして、通常露光時には酸素及び／ま
たはオゾンを混合せず不活性ガスのみ吹き込むが、露光
装置が稼動していない待機時に、あるいは指定された時
間間隔で通常露光の間に、あるいはレチクルがレチクル
ステージに載置された時に、微量の酸素及び／またはオ
ゾンを不活性ガスに混合して所定エリアをパージした状
態で、ウエハを搬入せずにダミーの露光動作を一定時間
あるいは規定の像面照度になるまで行う。その後、再び
酸素及び／またはオゾンの混合を停止して不活性ガスの
み吹き込んでパージし、通常露光動作を行うようにす
る。
【００４６】このようにすることで奏される特有の効果
について説明する。遠紫外線とりわけＡｒＦエキシマレ
ーザやフッ素エキシマレーザなどの短波長の露光光は、
気体中の有機分子等の不純物を分解して、分解生成物が
光学素子に付着していき、光学素子の表面に炭素膜また
は炭素を含んだ膜すなわち有機化合物の堆積物が形成さ
れることになる。よって、徐々にではあるが光学素子の
光透過率が減少して像面照度を低下させスループットの
低下を招いてしまう。前記実施形態では、レチクル６ま
たはウエハ２１近傍を不活性ガスでパージし不純物濃度
を極限まで減少させているものの微量に残留する場合が
ある。また例えば、露光中あるいは露光前に、ウエハ２
１に塗布されたレジストあるいはレジストとウエハ２１
との間の接着剤層から脱ガスが発生し、不純物が投影光
学系１９下端のシートガラス３５の近傍に存在する場合
がある。また例えば、微量の不純物が付着したレチクル
６が搬入されその不純物が一部蒸発し、あるいはレチク
ル６とペリクル枠との接着剤層、あるいはペリクル枠と
ペリクルとの接着剤層から脱ガスが発生し、不純物がレ
チクルの露光面、あるいは照明光学系１下端のシートガ
ラス４、あるいはレチクル定盤１０のシートガラス３
０、あるいは投影光学系１９上端の光学素子表面の近傍
に存在する場合がある。これらの場合、露光によって分
解生成された有機化合物がこれら光学素子に付着し堆積
していき、徐々にではあるが光透過率が減少していく。
そのような場合、微量のオゾンを不活性ガスに混合して
パージした状態でそれらの光学素子に露光光を当てる
と、いわゆるオゾン洗浄効果により堆積した有機化合物
が酸化され分解され、および分解生成物の堆積が防止さ
れる。あるいは、微量の酸素を不活性ガスに混合してパ
ージした状態でそれらの光学素子に露光光を当てると、
光化学反応によって酸素はオゾンに変換されるので、オ
ゾンを混合した場合と同様のオゾン洗浄効果が得られ
る。したがって、これを前述のように定期的に行うこと
により、像面照度の低下を防いで常に高いスループット
を維持できる。
【００４７】半導体生産システムの実施形態 次に、半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チッ
プ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等）の生産システムの例を説明する。これは半導体
製造工場に設置された製造装置のトラブル対応や定期メ
ンテナンス、あるいはソフトウェア提供などの保守サー
ビスを、製造工場外のコンピュータネットワークを利用
して行うものである。
【００４８】図７は全体システムをある角度から切り出
して表現したものである。図中、１０１は半導体デバイ
スの製造装置を提供するベンダー（装置供給メーカー）
の事業所である。製造装置の実例として、半導体製造工
場で使用する各種プロセス用の半導体製造装置、例え
ば、前工程用機器（露光装置、レジスト処理装置、エッ
チング装置等のリソグラフィ装置、熱処理装置、成膜装
置、平坦化装置等）や後工程用機器（組立て装置、検査
装置等）を想定している。事業所１０１内には、製造装
置の保守データベースを提供するホスト管理システム１
０８、複数の操作端末コンピュータ１１０、これらを結
んでイントラネットを構築するローカルエリアネットワ
ーク（ＬＡＮ）１０９を備える。ホスト管理システム１
０８は、ＬＡＮ１０９を事業所１０１の外部ネットワー
クであるインターネット１０５に接続するためのゲート
ウェイと、外部からのアクセスを制限するセキュリティ
機能を備える。
【００４９】一方、１０２〜１０４は、製造装置のユー
ザーである半導体デバイスメーカーの製造工場である。
製造工場１０２〜１０４は、互いに異なるメーカーに属
する工場であっても良いし、同一のメーカーに属する工
場（例えば、前工程用の工場、後工程用の工場等）であ
っても良い。各工場１０２〜１０４内には、夫々、複数
の製造装置１０６と、それらを結んでイントラネットを
構築するローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）１１１
と、各製造装置１０６の稼動状況を監視する監視装置と
してホスト管理システム１０７とが設けられている。各
工場１０２〜１０４に設けられたホスト管理システム１
０７は、各工場内のＬＡＮ１１１を工場の外部ネットワ
ークであるインターネット１０５に接続するためのゲー
トウェイを備える。これにより各工場のＬＡＮ１１１か
らインターネット１０５を介してベンダー１０１側のホ
スト管理システム１０８にアクセスが可能となり、ホス
ト管理システム１０８のセキュリティ機能によって限ら
れたユーザーだけがアクセスが許可となっている。具体
的には、インターネット１０５を介して、各製造装置１
０６の稼動状況を示すステータス情報（例えば、トラブ
ルが発生した製造装置の症状）を工場側からベンダー側
に通知する他、その通知に対応する応答情報（例えば、
トラブルに対する対処方法を指示する情報、対処用のソ
フトウェアやデータ）や、最新のソフトウェア、ヘルプ
情報などの保守情報をベンダー側から受け取ることがで
きる。各工場１０２〜１０４とベンダー１０１との間の
データ通信および各工場内のＬＡＮ１１１でのデータ通
信には、インターネットで一般的に使用されている通信
プロトコル（ＴＣＰ／ＩＰ）が使用される。なお、工場
外の外部ネットワークとしてインターネットを利用する
代わりに、第三者からのアクセスができずにセキュリテ
ィの高い専用線ネットワーク（ＩＳＤＮなど）を利用す
ることもできる。また、ホスト管理システム１０８はベ
ンダーが提供するものに限らずユーザーがデータベース
を構築して外部ネットワーク上に置き、ユーザーの複数
の工場から該データベースへのアクセスを許可するよう
にしてもよい。
【００５０】さて、図８は本実施形態の全体システムを
図７とは別の角度から切り出して表現した概念図であ
る。先の例ではそれぞれが製造装置を備えた複数のユー
ザー工場と、該製造装置のベンダーの管理システムとを
外部ネットワークで接続して、該外部ネットワークを介
して各工場の生産管理や少なくとも１台の製造装置の情
報をデータ通信するものであった。これに対し本例は、
複数のベンダーの製造装置を備えた工場と、該複数の製
造装置のそれぞれのベンダーの管理システムとを工場外
の外部ネットワークで接続して、各製造装置の保守情報
をデータ通信するものである。図中、２０１は製造装置
ユーザー（半導体デバイスメーカー）の製造工場であ
り、工場の製造ラインには各種プロセスを行う複数の製
造装置、ここでは例として露光装置２０２、レジスト処
理装置２０３、成膜装置２０４が導入されている。なお
図８では製造工場２０１は１つだけ描いているが、実際
は複数の工場が同様にネットワーク化されている。工場
内の各装置はＬＡＮ２０６で接続されてイントラネット
を構成し、ホスト管理システム２０５で製造ラインの稼
動管理がされている。一方、露光装置メーカー２１０、
レジスト処理装置メーカー２２０、成膜装置メーカー２
３０などベンダー（装置供給メーカー）の各事業所に
は、それぞれ供給した機器の遠隔保守を行なうためのホ
スト管理システム２１１、２２１、２３１を備え、これ
らは上述したように保守データベースと外部ネットワー
クへのゲートウェイを備える。ユーザーの製造工場内の
各装置を管理するホスト管理システム２０５と、各装置
のベンダーの管理システム２１１、２２１、２３１と
は、外部ネットワーク２００であるインターネットもし
くは専用線ネットワークによって接続されている。この
システムにおいて、製造ラインの一連の製造機器の中の
どれかにトラブルが起きると、製造ラインの稼動が休止
してしまうが、トラブルが起きた機器がベンダーからイ
ンターネット２００を介した遠隔保守を受けることで迅
速な対応が可能で、製造ラインの休止を最小限に抑える
ことができる。
【００５１】半導体製造工場に設置された複数の製造装
置はそれぞれ、ディスプレイと、ネットワークインター
フェースと、記憶装置に保存されたネットワークアクセ
ス用ソフトウェアならびに装置動作用のソフトウェアを
実行するコンピュータを備える。記憶装置としては内蔵
メモリやハードディスク、あるいはネットワークファイ
ルサーバーなどである。上記ネットワークアクセス用ソ
フトウェアは、専用又は汎用のウェブブラウザを含み、
例えば図９に一例を示す様な画面のユーザーインターフ
ェースをディスプレイ上に提供する。各工場で製造装置
を管理するオペレータは、画面を参照しながら、製造装
置の機種（４０１）、シリアルナンバー（４０２）、ト
ラブルの件名（４０３）、発生日（４０４）、緊急度
（４０５）、症状（４０６）、対処法（４０７）、経過
（４０８）等の情報を画面上の入力項目に入力する。入
力された情報はインターネットを介して保守データベー
スに送信され、その結果の適切な保守情報が保守データ
ベースから返信されディスプレイ上に提示される。また
ウェブブラウザが提供するユーザーインターフェースは
さらに図示のごとくハイパーリンク機能（４１０〜４１
２）を実現し、工場のオペレータは各項目の更に詳細な
情報にアクセスしたり、ベンダーが提供するソフトウェ
アライブラリから製造装置に使用する最新バージョンの
ソフトウェアを引出したり、オペレータの参考に供する
操作ガイド（ヘルプ情報）を引出したりすることができ
る。｛ここで、保守データベースが提供する保守情報に
は、上記説明した本発明の特徴に関する情報も含まれ、
また前記ソフトウェアライブラリは本発明の特徴を実現
するための最新のソフトウェアも提供する。
【００５２】次に上記説明した生産システムを利用した
半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図１０は半
導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計
を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路
パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ
３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハ
を製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステッ
プ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化
する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボン
ディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組
立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で
作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テ
スト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバ
イスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。前工程
と後工程はそれぞれ専用の別の工場で行い、これらの工
場毎に上記説明した遠隔保守システムによって保守がな
される。また前工程工場と後工程工場との間でも、イン
ターネットまたは専用線ネットワークを介して生産管理
や装置保守のための情報がデータ通信される。
【００５３】図１１は上記ウエハプロセス（ステップ
４）の詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極
形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光
剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記説明した
本発明の露光装置によってマスクの回路パターンをウエ
ハに焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光した
ウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では現
像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９
（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となった
レジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行な
うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成
する。各工程で使用する製造機器は上記説明した遠隔保
守システムによって保守がなされているので、トラブル
を未然に防ぐと共に、もしトラブルが発生しても迅速な
復旧が可能で、従来に比べて半導体デバイスの生産性を
向上させることができる。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
紫外線とりわけＡｒＦエキシマレーザ光やフッ素
（Ｆ2 ）エキシマレーザ光を利用した露光装置におい
て、レチクル及び／またはウエハ近傍で部分的にかつ有
効に、酸素及び水分をパージすることが可能となった。
これにより、ＡｒＦエキシマレーザ光や、フッ素
（Ｆ2 ）エキシマレーザ光の充分な透過率及び安定性を
得ることができ、投影露光を高精度に行うことが可能に
なり、微細な回路パターンが良好に投影できるようにな
った。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 本発明の一実施形態に係る投影露光装置の
概略構成図である。
【図１Ｂ】 図１ＡをＢ−Ｂから見た断面図である。
【図１Ｃ】 図１ＡをＣ−Ｃから見た断面図である。
【図２Ａ】 本発明の別の実施形態に係る投影露光装置
の概略構成図である。
【図２Ｂ】 図２ＡをＢ−Ｂから見た断面図である。
【図２Ｃ】 図２ＡをＣ−Ｃから見た断面図である。
【図３Ａ】 本発明の更に別の実施形態に係る投影露光
装置の概略構成図である。
【図３Ｂ】 図３ＡをＢ−Ｂから見た断面図である。
【図３Ｃ】 図３ＡをＣ−Ｃから見た断面図である。
【図４】 本発明のまた別の実施形態に係る投影露光装
置のレチクル付近の概略構成図である。
【図５】 本発明の一実施形態に係る投影露光操作のフ
ロー図である。
【図６Ａ】 本発明のまた更に別の実施形態に係る投影
露光装置のレチクル付近の概略構成図である。
【図６Ｂ】 本発明の更にまた別の実施形態に係る投影
露光装置のレチクル付近の概略構成図である。
【図７】 本発明に係る半導体デバイスの生産システム
をある角度から見た概念図である。
【図８】 本発明に係る半導体デバイスの生産システム
を別の角度から見た概念図である。
【図９】 本発明の露光装置のユーザーインターフェー
スの具体例である。
【図１０】 半導体デバイスの製造プロセスのフロー図
である。
【図１１】 ウエハプロセス（ステップ４）の詳細なフ
ロー図である。
【符号の説明】
１：照明光学系、２：ノズル、３：カバー、４：シート
ガラス、５：ペリクル、６：レチクル、７：レチクルス
テージ、８：天板、９：パージエリア、１０：レチクル
定盤、１１：レチクルステージ走り面、１２：リニアモ
ータ固定子、１３：レチクルホルダ、１４：レチクル吸
着面、１５：レチクル吸着溝、１６：ノズル、１７：囲
い、１８：静圧軸受、１９：投影光学系、２０：ウエハ
ステージ、２１：ウエハ、２２：カバー、２３：ノズ
ル、２４：天板、２５：パージエリア、２６：投影光学
系定盤、２７：ウエハステージ定盤、２８：隔壁、２
９：ステージダンパー、３０：シートガラス、３１：供
給口、３２：回収口、３３：圧力センサ、３４：パージ
ガス供給手段、３５：シートガラス、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３：隙間、１０１、２１０、２２０、２３０：半導体デ
バイス製造装置ベンダーの事務所、１０２〜１０４、２
０１：製造装置ユーザーである半導体デバイスメーカー
の製造工場、１０５、２００：インターネット、１０
６、２０２〜２０４：各製造装置、１０７、２０５：製
造工場側のホスト管理システム、１０８、２１１、２２
１、２３１：ベンダー側のホスト管理システム、１０
９：複数の操作端末１１０を結ぶＬＡＮ、１１０：操作
端末コンピュータ、１１１：複数の製造装置１０６を結
ぶＬＡＮ。

Claims (31)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 レチクルのパターンを投影光学系を介し
    て感光基板に照射する露光装置において、レチクルを保
    持して搬送するレチクルステージ及び該レチクルステー
    ジを相対可動に支持するレチクル定盤に露光光が通過す
    る開口部を設け、前記レチクルステージ開口部の前記レ
    チクル定盤側に、少なくともレチクルを露光位置に配置
    した際に前記レチクルステージ開口部と前記レチクル定
    盤開口部を周辺部から概略遮蔽するための囲い手段を設
    けたことを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項２】 前記レチクルと前記レチクルステージ開
    口部と前記囲い手段と前記レチクル定盤開口部と前記投
    影光学系で形成される空間に不活性ガスを吹き込む供給
    口が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の
    露光装置。
  3. 【請求項３】 前記囲い手段は、スキャン露光中に前記
    レチクル定盤の開口部が前記囲い手段の形成する内部領
    域から外れないよう構成されていることを特徴とする請
    求項１又は２に記載の露光装置。
  4. 【請求項４】 前記囲い手段は、前記レチクルステージ
    開口部を該レチクルステージ下側に設けられたカバーで
    囲んだものであることを特徴とする請求項３に記載の露
    光装置。
  5. 【請求項５】 前記囲い手段は、前記レチクルステージ
    開口部を前記レチクルステージに設けられた静圧軸受で
    囲んだものであることを特徴とする請求項３に記載の露
    光装置。
  6. 【請求項６】 前記囲い手段は、前記レチクルステージ
    下側に設けられたカバーと、前記レチクルステージに設
    けられた１つまたは２つ以上の静圧軸受で囲んだもので
    あることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
  7. 【請求項７】 前記静圧軸受への供給気体に前記不活性
    ガスを使用することを特徴とする請求項５乃至６のいず
    れかに記載の露光装置。
  8. 【請求項８】 レチクルのパターンを投影光学系を介し
    て感光基板に照射する露光装置において、レチクルを保
    持して搬送するレチクルステージ及び該レチクルステー
    ジを相対可動に支持するレチクル定盤に露光光が通過す
    る開口部を設け、前記レチクル定盤の開口部に前記投影
    光学系側につながる空間を遮蔽するためのシートガラス
    を設けたことを特徴とする露光装置。
  9. 【請求項９】 少なくともレチクルを露光位置に配置し
    た際に前記レチクルと前記レチクルステージと前記レチ
    クル定盤と前記シートガラスで形成される空間に不活性
    ガスを吹き込む供給口が設けられていることを特徴とす
    る請求項８に記載の露光装置。
  10. 【請求項１０】 更に、前記レチクル定盤と前記シート
    ガラスと前記投影光学系で形成される空間に不活性ガス
    を吹き込む供給口が設けられていることを特徴とする請
    求項８又は９に記載の露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記シートガラスのレチクルステージ
    側上面が、前記レチクル定盤のレチクルステージ側上面
    と同一面にあることを特徴とする請求項８に記載の露光
    装置。
  12. 【請求項１２】 前記シートガラスが光学素子であるこ
    とを特徴とする請求項８乃至９のいずれかに記載の露光
    装置。
  13. 【請求項１３】 レチクルのパターンを投影光学系を介
    して感光基板に照射する露光装置において、レチクルを
    保持して搬送するレチクルステージ及び該レチクルステ
    ージを相対可動に支持するレチクル定盤に露光光が通過
    する開口部を設け、前記レチクルステージ開口部の前記
    レチクル定盤側に、少なくともレチクルを露光位置に配
    置した際に前記レチクルステージ開口部と前記レチクル
    定盤開口部を周辺部から概略遮蔽するための囲い手段を
    設け、更に、前記レチクル定盤の開口部に前記投影光学
    系側につながる空間を遮蔽するためのシートガラスを設
    けたことを特徴とする露光装置。
  14. 【請求項１４】 前記レチクルと前記レチクルステージ
    と前記囲い手段と前記レチクル定盤と前記シートガラス
    で形成される空間、及び前記レチクル定盤と前記シート
    ガラスと前記投影光学系で形成される空間のそれぞれに
    不活性ガスを吹き込む供給口が設けられていることを特
    徴とする露光装置。
  15. 【請求項１５】 前記囲い手段は、スキャン露光中に前
    記レチクル定盤の開口部が前記囲いの内部の領域から外
    れないよう構成されていることを特徴とする請求項１３
    又は１４に記載の露光装置。
  16. 【請求項１６】 前記紫外光がレーザを光源とするレー
    ザ光であることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれ
    かに記載の露光装置。
  17. 【請求項１７】 前記レーザがフッ素エキシマレーザで
    あることを特徴とする請求項１６に記載の露光装置。
  18. 【請求項１８】 前記レーザがＡｒＦエキシマレーザで
    あることを特徴とする請求項１６に記載の露光装置。
  19. 【請求項１９】 前記不活性ガスが、窒素、ヘリウム及
    びアルゴンから選ばれる１種であることを特徴とする請
    求項１乃至１８のいずれかに記載の露光装置。
  20. 【請求項２０】 前記不活性ガスを吹き込む前記供給口
    が１つあるいは２つ以上のノズルであることを特徴とす
    る請求項２、９、１０又は１４に記載の露光装置。
  21. 【請求項２１】 前記不活性ガスを吹き込む前記供給口
    及び前記不活性ガスを吸い出す回収口が前記レチクル定
    盤に設けられ、前記不活性ガスを前記供給口から前記回
    収口へ向けて、前記レチクルと前記レチクルステージと
    前記囲い手段と前記レチクル定盤と前記投影光学系で形
    成される空間、又は前記レチクルと前記レチクルステー
    ジと前記レチクル定盤と前記シートガラスで形成される
    空間及び前記レチクル定盤と前記シートガラスと前記投
    影光学系で形成される空間、又は前記レチクルと前記レ
    チクルステージと前記囲い手段と前記レチクル定盤と前
    記シートガラスで形成される空間及び前記レチクル定盤
    と前記シートガラスと前記投影光学系で形成される空間
    に流すことを特徴とする請求項２、１０又は１４に記載
    の露光装置。
  22. 【請求項２２】 不活性ガス注入エリア内に不活性ガス
    の圧力を測定する圧力計が設けられ、該圧力計によって
    測定された圧力値に基づいて不活性ガスの圧力を制御す
    る手段を備えた不活性ガス供給手段が設けられているこ
    とを特徴とする請求項１乃至２１のいずれかに記載の露
    光装置。
  23. 【請求項２３】 前記不活性ガス注入エリア内を不活性
    ガスで充填させるパージ手段を備えることを特徴とする
    請求項１乃至２２のいずれかに記載の露光装置。
  24. 【請求項２４】 前記不活性ガスに酸素（Ｏ2 ）及び／
    またはオゾン（Ｏ3）を混合させる手段を備えることを
    特徴とする請求項１乃至２３のいずれかに記載の露光装
    置。
  25. 【請求項２５】 請求項１乃至２４のいずれかに記載の
    露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群を半導体製
    造工場に設置する工程と、該製造装置群を用いて複数の
    プロセスによって半導体デバイスを製造する工程とを有
    することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記製造装置群をローカルエリアネッ
    トワークで接続する工程と、前記ローカルエリアネット
    ワークと前記半導体製造工場外の外部ネットワークとの
    間で、前記製造装置群の少なくとも１台に関する情報を
    データ通信する工程とをさらに有する請求項２５記載の
    方法。
  27. 【請求項２７】 前記露光装置のべンダーもしくはユー
    ザーが提供するデータベースに前記外部ネットワークを
    介してアクセスしてデータ通信によって前記製造装置の
    保守情報を得る、もしくは前記半導体製造工場とは別の
    半導体製造工場との間で前記外部ネットワークを介して
    データ通信して生産管理を行う請求項２６記載の方法。
  28. 【請求項２８】 請求項１乃至２４のいずれかに記載の
    露光装置を含む各種プロセス用の製造装置群と、該製造
    装置群を接続するローカルエリアネットワークと、該ロ
    ーカルエリアネットワークから工場外の外部ネットワー
    クにアクセス可能にするゲートウェイを有し、前記製造
    装置群の少なくとも１台に関する情報をデータ通信する
    ことを可能にした半導体製造工場。
  29. 【請求項２９】 半導体製造工場に設置された請求項１
    乃至２４のいずれかに記載の露光装置の保守方法であっ
    て、前記露光装置のべンダーもしくはユーザーが、前記
    半導体製造工場の外部ネットワークに接続された保守デ
    ータベースを提供する工程と、前記半導体製造工場内か
    ら前記外部ネットワークを介して前記保守データベース
    へのアクセスを許可する工程と、前記保守データベース
    に蓄積される保守情報を前記外部ネットワークを介して
    半導体製造工場側に送信する工程とを有することを特徴
    とする露光装置の保守方法。
  30. 【請求項３０】 請求項１乃至２４のいずれかに記載の
    露光装置において、ディスプレイと、ネットワークイン
    ターフェースと、ネットワーク用ソフトウェアを実行す
    るコンピュータとをさらに有し、露光装置の保守惰報を
    コンピュータネットワークを介してデータ通信すること
    を可能にした露光装置。
  31. 【請求項３１】 前記ネットワーク用ソフトウェアは、
    前記露光装置が設置された工場の外部ネットワークに接
    続され前記露光装置のべンダーもしくはユーザーが提供
    する保守データベースにアクセスするためのユーザーイ
    ンターフェースを前記ディスプレイ上に提供し、前記外
    部ネットワークを介して該データベースから情報を得る
    ことを可能にする請求項３０記載の露光装置。
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