JP2002141771A - 弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 梯子型回路構成を有する弾性表面波フィルタ
素子がフェイスダウン工法でパッケージに電気的に接続
・機械的に固定されている弾性表面波フィルタ装置にお
いて、インダクタンスの付加により良好なフィルタ特性
が得られる構造を提供する。 【解決手段】 圧電性基板上に梯子型回路構成を有する
ように複数の一端子弾性表面波共振子が構成されている
弾性表面波フィルタ素子が、フェイスダウン工法でパッ
ケージに収納されており、直列腕共振子及び／または並
列腕共振子に接続されているマイクロストリップライン
がパッケージの内部に、設けられており、マイクロスト
リップラインのインダクタンス成分を用いて特性が調整
される、弾性表面波フィルタ装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、梯子型バンドパス
フィルタとして用いられる弾性表面波フィルタ装置に関
し、特に、梯子型回路構成を有する弾性表面波フィルタ
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、複数の一端子対弾性表面波共振子
が並列腕共振子及び直列腕共振子として用いられている
梯子型回路構成を有するバンドパスフィルタが知られて
いる（例えば特開平５−１８３３８０号公報等）。

【０００３】この種のバンドパスフィルタでは、並列腕
共振子と直列腕共振子とが入力側から出力側に向かって
交互に配置されている。梯子型回路構成を有する弾性表
面波フィルタでは、挿入損失の低減及び広帯域化をはか
ることができるため、携帯電話機におけるバンドパスフ
ィルタなどに広く用いられている。

【０００４】特開平５−１８３３８０号公報には、上記
直列腕共振子または並列腕共振子にインダクタンス成分
を直列に接続すれば、フィルタ特性の広帯域化が図られ
ることが記載されている。

【０００５】また、特開平１０−９３３８２号公報に
は、梯子型回路構成を有する弾性表面波フィルタ装置に
おいて、並列腕共振子にインダクタンスを付加した構造
が開示されている。図１８は、この先行技術に記載の弾
性表面波フィルタ装置の回路構成を示す図である。弾性
表面波フィルタ装置５０１では、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ
２と並列腕共振子Ｐ１〜Ｐ３とが梯子型回路を構成をす
るように接続されている。ここでは、並列腕共振子Ｐ１
〜Ｐ３とアース電位との間に、インダクタンスＬが挿入
されている。

【０００６】インダクタンスＬの付加により、広帯域化
及び通過帯域近傍における減衰量の拡大を図ることがで
きるとされている。他方、特開平４−６５９０９号公報
には、弾性表面波フィルタ素子をフェィスダウン工法に
よりパッケージに接続してなる構造が開示されている。
すなわち、従来、弾性表面波フィルタ素子をパッケージ
化するに際しては、パッケージの電極と弾性表面波フィ
ルタ素子の電極とがボンディングワイヤにより接続され
ていた。これに対して、この先行技術に記載の弾性表面
波フィルタ装置では、フェイスダウン工法を採用するこ
とにより小型化が図られている。図１９は、このフェイ
スダウン工法を用いた弾性表面波フィルタ装置の略図的
断面図である。

【０００７】弾性表面波フィルタ装置６０１では、パッ
ケージ６０２内に弾性表面波フィルタ素子６０３が収納
されている。パッケージ６０２は、ベース基板６０２
ａ，側壁６０２ｂ及びキャップ６０２ｃを有する。

【０００８】ベース基板６０２ａ上には、弾性表面波フ
ィルタ素子６０３に電気的に接続される複数の電極パッ
ドを有するダイアタッチ部６０２ｄが形成されている。
弾性表面波フィルタ素子６０３は、圧電基板６０３ａを
有し、圧電基板６０３ａの下面に弾性表面波共振子を構
成するための電極等が形成されている。そして、圧電基
板６０３ａの下面に形成されている電極がバンプ６０４
により、ダイアタッチ部６０２ｄ中の電極パッドに電気
的に接続されると共に、該バンプ６０４により、弾性表
面波フィルタ素子６０３がダイアタッチ部６０２ｄに機
械的に固定されている。

【０００９】このようなフェイスダウン工法、すなわち
弾性表面波共振子を構成する電極等が形成されている圧
電基板面側からバンプ６０４により弾性表面波フィルタ
素子をパッケージに接合する方法では、ボンディングワ
イヤを必要としないので、弾性表面波装置の小型化を進
めることができる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、特開平５−
１８３３８０号公報や特開平１０−９３３８２号公報に
記載のように、梯子型回路構成を有する弾性表面波フィ
ルタ装置において、直列腕共振子または並列腕共振子に
インダクタンスを付加した場合、フィルタ特性が向上す
る。また、ボンディングワイヤにより弾性表面波フィル
タ素子とパッケージの電極とを接続する場合には、該ボ
ンディングワイヤを利用して上記インダクタンスを付加
することかできる。

【００１１】しかしながら、前述したフェイスダウン工
法によりパッケージ化されている弾性表面波フィルタ装
置６０１では、ボンディングワイヤを有しないので、ボ
ンディングワイヤによるインダクタンス成分の付加は行
えない。もっとも、パッケージに設けられた外部電極
と、ダイアタッチ部とを接続している引回し電極により
わずかなインダクタンス成分を得ることができるが、こ
のような引回し電極では大きなインダクタンスを得るこ
とができない。

【００１２】従って、特開平４−６５９０９号公報に記
載の弾性表面波フィルタ装置では、インダクタンスの付
加により、広帯域化及び通過帯域近傍における減衰量の
増大を図ることが困難であった。

【００１３】なお、特開平４−６５９０９号公報には、
パッケージ内の入出力信号端子とアース端子との間にイ
ンダクタンス成分を付加すれば、外部素子を用いること
なく入出力のインピーダンス整合を図ることができると
記載されている。この記載は、弾性表面波フィルタ外で
入出力インピーダンスのマッチングを図らなければなら
ない構造の弾性表面波フィルタに関するものである。従
って、本質的に５０Ωに整合せずともよい梯子型回路構
成を有する弾性表面波フィルタでは、このようなパッケ
ージ内の入出力信号端子と、アース端子との間でインピ
ーダンス整合を図る必要はない。

【００１４】また、特開平４−６５９０９号公報では、
ダイアタッチ部においてインダクタンス成分が構成され
ているが、この構造では、弾性表面波フィルタ素子の圧
電基板上の配線等とダイアタッチ部との電磁界的な結合
が生じ、フィルタ特性が低下する。また、ダイアタッチ
部においてインダクタンス成分を形成すると、弾性表面
波フィルタ素子とパッケージとを電気的に接続・機械的
固定するためのバンプの位置や個数の制限が大きくな
る。

【００１５】ボンディングワイヤを用いた構造であれ
ば、弾性表面波フィルタ素子は接着剤を用いてパッケー
ジに固定することができるが、フェイスダウン工法で
は、バンプが、弾性表面波フィルタ素子の電気的接続及
び機械的固定の双方の機能を有する。従って、バンプの
位置や個数に制限が加わると、電気的接続及び機械的固
定が十分に行われず、信頼性が低下することとなる。

【００１６】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、梯子型回路構成を有する弾性表面波フィルタ
素子がフェイスダウン工法でパッケージに収納されてい
る弾性表面波フィルタ装置において、並列腕共振子及び
／または直列腕共振子にインダクタンスが付加されてお
り、かつ弾性表面波フィルタ素子上の電極とパッケージ
に設けられたインダクタンスとの電磁界的な結合による
フィルタ特性の悪化が生じ難く、バンプの位置や個数の
制限が少ない、良好なフィルタ特性を有する弾性表面波
フィルタ装置を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の広い局面によれ
ば、圧電性基板、及び前記圧電性基板上に形成された複
数の一端子対弾性表面波素子を有し、前記一端子対弾性
表面波素子が梯子型回路の並列腕共振子及び直列腕共振
子を構成するように接続されている弾性表面波フィルタ
素子と、前記弾性表面波フィルタ素子を収納しているパ
ッケージとを備え、前記弾性表面波フィルタ素子が複数
のバンプにより接続されるフェイスダウン工法で前記パ
ッケージに収納されており、前記パッケージの内に設け
られており、前記直列腕共振子及び並列腕共振子の少な
くとも一方に接続されているマイクロストリップライン
のインダクタンス成分をさらに備えることを特徴とす
る、弾性表面波フィルタ装置が提供される。

【００１８】本発明のある特定の局面では、前記パッケ
ージが、弾性表面波フィルタ素子のいずれかの信号端子
及びアース端子にバンプにより接続される複数の電極パ
ッドを有するダイアタッチ部と、いずれかの電極パッド
と電気的に接続されており、かつ弾性表面波フィルタ装
置外の信号ラインまたはアースラインに接続される複数
の外部電極とを備える。

【００１９】本発明のより限定的な局面では、前記マイ
クロストリップラインが、前記直列腕共振子の信号端子
に接続されている前記電極パッドと、前記弾性表面波装
置外の信号ラインに接続される前記外部電極との間に接
続されている。

【００２０】本発明の他の限定的な局面では、前記マイ
クロストリップラインが、少なくとも１つの前記並列腕
共振子のアース端子にバンプにより接続されている前記
電極パッドと、アースラインに接続される前記外部電極
との間に設けられている。

【００２１】本発明の他の特定の局面では、少なくとも
２個の前記並列腕共振子を備え、全ての並列腕共振子の
アース端子が前記圧電性基板上で共通接続されており、
前記並列腕共振子のアース端子が共通接続されている部
分と、前記パッケージの外部電極との間に、前記マイク
ロストリップラインが接続されている。

【００２２】本発明のさらに別の特定の局面では、少な
くとも２個の前記並列腕共振子を備え、全ての並列腕共
振子のアース端子に接続されるパッケージ側の前記電極
パッドが共通とされており、前記共通とされている電極
パッドと、前記外部電極との間の経路に前記マイクロス
トリップラインが設けられている。

【００２３】本発明のさらに他の限定的な局面によれ
ば、少なくとも３個以上の前記並列腕共振子を備え、前
記圧電性基板上に形成されており、少なくとも２個の並
列腕共振子のアース端子が接続される電極ランドをさら
に備え、前記電極ランドと、前記電極ランドが接続され
る外部電極との間の経路に前記マイクロストリップライ
ンが設けられており、前記少なくとも２個の並列腕共振
子以外の並列腕共振子が、圧電性基板上において、前記
少なくとも２個の並列腕共振子と電気的に分離されてお
り、前記少なくとも２個の並列腕共振子に接続されてい
るパッケージ側の外部電極以外の外部電極に電気的に接
続されている。

【００２４】本発明の他の特定の局面では、少なくとも
３個の前記並列腕共振子を備え、前記複数の電極パッド
が、前記並列腕共振子のうち少なくとも２個の並列腕共
振子のアース端子に接続される共通電極パッドを有し、
前記マイクロストリップラインが共通電極パッドと、該
共通電極パッドが接続される前記外部電極と間の経路に
設けられており、前記少なくとも２個の並列腕共振子以
外の並列腕共振子が、前記複数の電極パッドを含むダイ
アタッチ部において、前記少なくとも２個の並列腕共振
子と電気的に分離されており、前記少なくとも２個の並
列腕共振子に接続されているパッケージ側の外部電極以
外の外部電極に電気的に接続されている。

【００２５】本発明のさらに他の限定的な局面では、前
記マイクロストリップラインが、パッケージ内におい
て、ダイアタッチ部以外に配置されている。本発明の他
の特定の局面では、前記パッケージが、前記弾性表面波
フィルタ素子が搭載されるベース基板と、該ベース基板
内に設けられた環状の側壁と、環状の側壁の上端を閉成
するように取り付けられたキャップ材とを備え、前記マ
イクロストリップラインの主要部が、前記側壁と前記ベ
ース基板との間に配置されている。

【００２６】本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のさ
らに別の特定の局面では、前記パッケージが、前記弾性
表面波フィルタ素子が搭載される第１のケース材と、第
１のケース材に搭載されている弾性表面波フィルタ素子
を囲繞する第２のケース材とを備え、前記第１のケース
材の内部にマイクロストリップラインの主要部が設けら
れている。

【００２７】なお、本明細書において「マイクロストリ
ップラインの主要部」とは、マイクロストリップライン
の全長の５０パーセント以上をいうものとする。本発明
に係る弾性表面波フィルタ装置の他の特定の局面では、
前記弾性表面波フィルタ素子の入出力端の信号端子と少
なくとも１つのアース端子とが、前記複数の外部電極の
うち入出力端の信号ラインに接続される外部電極と少な
くとも１つのアース電位に接続される外部電極に対し、
前記弾性表面波フィルタ素子の圧電性基板の中心を通
り、圧電性基板に直交する仮想線の周りに９０度回転さ
せたような位置関係とされている。

【００２８】本発明に係る通信機は、本発明に係る弾性
表面波フィルタ装置を有することを特徴とする。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明
に係る弾性表面波フィルタ装置の詳細を説明する。

【００３０】図１は、本発明の第１の実施例に係る弾性
表面波装置の略図的断面図であり、図２は本実施例で用
いられる弾性表面波フィルタ素子の平面図であり図３は
パッケージ内の電極構造を説明するための模式的平面図
である。

【００３１】図１に示すように、本実施例の弾性表面波
装置１では、パッケージ２内に弾性表面波フィルタ素子
３が収納されている。なお、図１では、弾性表面波フィ
ルタ素子３は略図的にその外形のみが示されている。

【００３２】パッケージ２は、矩形板状のベース基板４
と、ベース基板４上に接合された矩形枠状の側壁５と、
側壁５の上方開口を閉成するように取り付けられた矩形
板状のキャップ材６とを有する。側壁５は、矩形板状以
外の円環状等の他の環状構造を有するものであってもよ
い。

【００３３】ベース基板４及び側壁５は、例えばアルミ
ナなどの絶縁性セラミックスあるいは合成樹脂により構
成することができる。キャップ材６についても同様の材
料で構成することができ、あるいはキャップ材６は電磁
シールド性を付与するために金属等により構成されてい
てもよい。

【００３４】図２に示すように、弾性表面波フィルタ素
子３は、圧電性基板としての矩形板状の圧電基板７を有
する。圧電基板７は、本実施例では３６°ＹｃｕｔＸ伝
搬ＬｉＴａＯ3 基板により構成されている。もっとも、
圧電基板７は、他の圧電単結晶、あるいはチタンジルコ
ン酸鉛系セラミックスのような圧電セラミックスにより
構成されていてもよい。また、圧電基板や絶縁基板上に
ＺｎＯ等からなる圧電薄膜を形成してなる圧電性基板を
用いてもよい。

【００３５】圧電基板７の上面７ａには、金属膜を全面
に形成した後、フォトリソグラフィー−エッチングによ
り、図示の電極構造が形成されている。この電極構造を
形成する金属材料についても特に限定されないが、本実
施例ではＡｌにより構成されている。なお、電極形成は
フォトリソグラフィー−リフトオフ法で行ってもよい。

【００３６】図２を参照して上記電極構造を説明する。
圧電基板７の上面７ａ上には、梯子型回路構成を実現す
るために、それぞれが一端子対弾性表面波素子からなる
直列腕共振子８，９及び並列腕共振子１０〜１２が形成
されている。直列腕共振子８，９及び並列腕共振子１０
〜１２は、いずれも、１つのＩＤＴと、ＩＤＴの表面波
伝搬方向両側に配置された反射器とを有する。直列腕共
振子８を代表して説明すると、直列腕共振子８は、ＩＤ
Ｔ８ａと、反射器８ｂ，８ｃとを有する。

【００３７】また、圧電基板７の上面７ａ上には、電極
ランド１３〜１７が形成されている。電極ランド１３〜
１７は、弾性表面波フィルタ素子３を外部と電気的に接
続するための部分であり、ある程度の面積を有する金属
膜により構成されている。なお、電極ランド１３〜１７
上に描かれている円形の部分は、バンプにより接合され
る部分を意味する。

【００３８】電極ランド１３は、弾性表面波フィルタ素
子３の入力端として用いられ、該電極ランド１３が導電
路１８により第１の直列腕共振子８の一端に接続されて
いる。導電路１８は、電極ランド１３と、直列腕共振子
８の一端と、第１の並列腕共振子１０の一端とを電気的
に接続している。並列腕共振子１０の導電路１８が接続
されている側とは反対側の端部は、導電路１９を介して
電極ランド１４に接続されている。電極ランド１４は、
アース電位に接続される電極ランドである。

【００３９】また、直列腕共振子８の導電路１８が接続
されている側とは反対側の端部は、導電路２０に接続さ
れている。導電路２０は、第２の直列腕共振子９の一端
及び第２の並列腕共振子１１の一端にも接続されてい
る。第２の並列腕共振子１１の導電路２０が接続されて
いる側とは反対側の端部は、電極ランド１５に接続され
ている。電極ランド１５はアース電位に接続される電極
ランドである。

【００４０】第２の直列腕共振子９の他端には、導電路
２１が接続されており、導電路２１は、電極ランド１７
及び第３の並列腕共振子１２の一端に接続されている。
電極ランド１７は、出力端子として用いられる。また、
並列腕共振子１２の導電路２１に接続されている側とは
反対側の端部は、導電路２１を介して電極ランド１６に
接続されている。電極ランド１６はアース電位に接続さ
れる電極ランドである。

【００４１】従って、弾性表面波フィルタ素子３におい
て、上記第１，第２の直列腕共振子８，９及び第１〜第
３の並列腕共振子１０〜１２は、図４に示す梯子型回路
を構成するように接続されている。なお、図４における
インダクタンスＬ１〜Ｌ５については後述する。

【００４２】図３は、図１に示したパッケージ２におけ
るベース基板４の上面に形成されている電極構造を示
す。ベース基板４の上面４ａ上において、破線Ｘで示す
部分に弾性表面波フィルタ素子３が搭載される。この部
分において、前述した弾性表面波フィルタ素子３が圧電
基板７の上面７ａが下方を向くようにしてバンプにより
接合される。すなわち、図２に示した弾性表面波フィル
タ素子３が圧電基板７の上面７ａが下面を向くようにし
て、図３に示すベース基板４の上面４ａ上に重ねられ、
両者の間がバンプにより接合され、弾性表面波フィルタ
素子３が固定される。

【００４３】なお、ベース基板４の上面４ａ上には、電
極ペーストを印刷・焼成して、図示の電極が形成されて
いる。すなわち、この複数の電極パッド２３〜２７がダ
イアタッチ部を構成している。電極パッド２３〜２７が
互いに分離して形成されている。このうち、電極パッド
２３は、バンプ２８により、図２に示した電極ランド１
３に電気的に接続されるとともに、機械的に接合され
る。同様に、電極パッド２４〜２６は、それぞれ、図２
に示した電極ランド１４〜１６に、バンプ２９，３０，
３１、３２により接続される。さらに電極パッド２７
は、バンプ３３を介して、図２に示した電極ランド１７
に電気的に接続される。

【００４４】上記電極パッド２３〜２７のうち、電極パ
ッド２３，２７が、外部の信号ラインに接続される電極
パッドであり、電極パッド２４〜２６は外部のアースラ
インに接続される電極パッドである。

【００４５】また、ベース基板４の上面には、外部電極
４１〜４４が形成されている。外部電極４１〜４４は、
ベース基板４の上面４ａだけでなく、図１では図示され
ていない部分において、ベース基板４の側面及び下面に
至るように形成されている。すなわち、外部電極４１〜
４４は、図１に示した弾性表面波装置１を外部と電気的
に接続するための電極として機能する。

【００４６】外部電極４４は、マイクロストリップライ
ン４５を介して電極パッド２３に接続されている。同様
に、外部電極４１は、マイクロストリップライン４６を
介して電極パッド２７に接続されている。また、外部電
極４２は、マイクロストリップライン４７を介して電極
パッド２４に接続されており、外部電極４３はマイクロ
ストリップライン４８，４９を介して、電極パッド２
５，２６の双方に電気的に接続されている。

【００４７】従って、外部電極４２，４３は、外部のア
ースラインに接続される外部電極であり、外部電極４
１，４４が信号ラインに接続される外部電極である。上
記マイクロストリップライン４５〜４９は、ベース基板
４と側壁との間に存在している。

【００４８】本実施例では、上記マイクロストリップラ
イン４５〜４９によりインダクタンス分が得られる。す
なわち、マイクロストリップライン４５により、図４に
示すインダクタンスＬ１が、マイクロストリップライン
４６にインダクタンスＬ２がマイクロストリップライン
４７〜４９により、インダクタンスＬ３〜Ｌ５が構成さ
れている。

【００４９】言い換えれば、梯子型回路構成を有する各
並列腕共振子とアースラインに接続される外部電極との
間に、インダクタンス成分として働くマイクロストリッ
プライン４７〜４９が接続されている。同様に、直列腕
共振子と、外部の信号ラインに接続される外部電極４
１，４４との間にも、それぞれ、マイクロストリップラ
インのインダクタンス成分４５，４６が接続されてい
る。

【００５０】本実施例では、２個の直列腕共振子８，９
及び３個の並列腕共振子１０〜１２からなる梯子型のフ
ィルタ回路が実現されている弾性表面波装置において、
並列腕共振子１０〜１２に、それぞれ、独立に、上記マ
イクロストリップライン４７〜４９によりインダクタン
ス成分が挿入されている。従って、広帯域化を図ること
ができるとともに、通過帯域近傍の減衰量を大きくする
ことができる。これをより具体的な実験例に基づき説明
する。

【００５１】図６の実線は、本実施例の弾性表面波装置
の減衰量−周波数特性を示し、破線は比較のために用意
した従来の弾性表面波装置の減衰量−周波数特性を示
す。なお、図６において破線で示した従来例の弾性表面
波装置は、パッケージのベース基板の上面の電極構造を
図５に示したように形成したことを除いては、上記実施
例と同様とした。すなわち、図５に示すベース基板１０
４の上面１０４ａ上には、電極パッド１０５〜１０７が
形成されている。また、四隅には、外部電極１１１〜１
１４が形成されている。外部電極１１１〜１１４は、ベ
ース基板１０４の上面から側面を経て、下面にも至るよ
うに形成されており、外部と電気的に接続する部分に相
当する。外部電極１１２，１１３は、幅の太い導電路１
０８，１０９により電極パッド１０５，１０６にそれぞ
れ電気的に接続されている。また、面積の大きな電極パ
ッド１０７が、外部電極１１１，１１４に直接接続され
る。電極パッド１０７は、弾性表面波フィルタ素子３の
アースラインに接続される電極ランド１４〜１６にバン
プにより接合され、電極パッド１０５，１０６は、それ
ぞれ、信号端子に接続される電極ランド１３，１７に接
続される部分である。

【００５２】従って、比較のために用意した従来の弾性
表面波装置では、並列腕共振子１０〜１２とアースライ
ンに接続される外部電極１１１，１１４との間に、マイ
クロストリップラインが独立に形成されておらず、マイ
クロストリップラインによるインダクタンス分は挿入さ
れていない。

【００５３】同様に、直列腕共振子８，９と外部電極１
１２，１１３との間にも、パッケージ側において、マイ
クロストリップラインは接続されておらず、従ってマイ
クロストリップラインによるインダクタンス成分は挿入
されていない。

【００５４】なお、上記実施例及び従来例において用い
た弾性表面波フィルタ素子３の仕様は以下の通りであ
る。直列腕共振子８，９…電極指交差幅＝１７μｍ、Ｉ
ＤＴにおける電極指の対数＝１００、反射器の電極指の
本数＝１００、電極指ピッチ０．９９μｍ（弾性表面波
の波長λ＝１．９９μｍ）。

【００５５】第１，第３の並列腕共振子１０，１２…電
極指交差幅＝５０μｍ、ＩＤＴの電極指の対数＝４０
対、反射器の電極指の本数＝１００、電極指ピッチ１．
０４μｍ（弾性表面波の波長λ＝２．０７μｍ）。

【００５６】第２の並列腕共振子１１…電極指交差幅＝
５２μｍ、ＩＤＴの電極指の対数＝９０対、反射器の電
極指の本数＝１００本、電極指ピッチ＝１．０４μｍ
（弾性表面波の波長λ＝２．０８μｍ）。

【００５７】また、実施例において、ベース基板４上に
形成されているマイクロストリップライン４５〜４９に
よるインダクタンス成分は以下の通りである。 マイクロストリップライン４５，４６…０．８ｎＨ マイクロストリップライン４７，４９…０．８ｎＨ マイクロストリップライン４８…０．５ｎＨ 図６から明らかなように、減衰量が４ｄＢである通過帯
域の幅は、従来例では７８ＭＨｚであるのに対し、本実
施例では８６ＭＨｚと広げられていることがわかる。ま
た、通過帯域近傍における減衰極は従来例と実施例とで
はほぼ同じ周波数に位置するが、これは、ダイアタッチ
部のアース電位に接続される電極パッドがそれぞれ分離
されているので、共通インダクタンス成分が存在しない
ためと考えられる。すなわち、第１〜第３の並列腕共振
子１０〜１２に独立にインダクタンス成分が、上記マイ
クロストリップライン４７〜４９により付加されている
ことによる。

【００５８】さらに、上記インダクタンス成分を付加す
るためのマイクロストリップライン４５〜４９が、ベー
ス基板と側壁との間に存在しているので、マイクロスト
リップライン４５〜４９と弾性表面波フィルタ素子３と
の電磁界的な結合があまり生じず、従って良好なフィル
タ特性の得られることがわかる。さらに、上記マイクロ
ストリップライン４５〜４９は、ダイアタッチ部には存
在していないので、バンプの位置や個数に制限を与える
ことがない。従って、弾性表面波フィルタ素子３をベー
ス基板４に十分な接合強度で接合することができる。

【００５９】また、マイクロストリップラインを形成す
る基板の誘電率、マイクロストリップラインとグランド
の間隔などを変化させることにより、マイクロストリッ
プラインの単位長あたりのインダクタンス成分を設計る
ことができる。従って、弾性表面波フィルタの特性を改
善するために必要なインダクタンス成分を、マイクロス
トリップラインのインダクタンス成分で設計して弾性表
面波フィルタに挿入することができる。さらに、マイク
ロストリップラインは外界の影響に強いため、マイクロ
ストリップラインのインダクタンス成分が、弾性表面波
フィルタ素子をフェースダウン工法によってベース基板
に取り付けられても変化することがほとんどないので、
所望のインダクタンス成分を設計どおり弾性表面波フィ
ルタに挿入することができる。

【００６０】（第２の実施例）図７は、本発明の第２の
実施例に係る弾性表面波フィルタ装置の回路構成を示す
図である。

【００６１】本実施例においても、第１の実施例と同様
の弾性表面波フィルタ素子３が用いられている。従っ
て、図７に示すように、２個の直列腕共振子８，９と、
３個の並列腕共振子１０〜１２とが梯子型回路構成を有
するように接続されている。

【００６２】もっとも、図７から明らかなように、本実
施例では、３個の並列腕共振子１０〜１２のアース電位
に接続される端部が共通接続されており、共通接続され
ている部分と外部のアースラインに接続される外部電極
との間に、インダクタンスＬ６，Ｌ７が接続されてい
る。なお、３個の並列腕共振子１０〜１２のアース電位
に接続される端部、すなわちアース端子は、圧電性基板
上で共通接続されていてもよい。

【００６３】上記インダクタンスＬ６，Ｌ７は、パッケ
ージ内で形成されたマイクロストリップラインにより構
成されている。

【００６４】図８は、第２の実施例で用いられるパッケ
ージのベース基板５４の上面の電極構造を示す模式的平
面図である。

【００６５】第２の実施例は、ベース基板５４の上面の
電極構造が異なることを除いては、第１の実施例と同様
に構成されている。従って、弾性表面波フィルタ素子３
の構造及びパッケージ２の他の構造については第１の実
施例の説明を授用することととする。

【００６６】本実施例においても、ベース基板５４の上
面の破線Ｘで囲まれている領域に、弾性表面波フィルタ
素子３が圧電基板４の上面４ａ（図２参照）が下面を向
くようにしてフェイスダウン工法でバンプにより接合さ
れる。

【００６７】ベース基板５４の上面５４ａ上には、電極
パッド５５〜５７からなるダイアタッチ部が構成されて
いる。電極パッド５５，５６は、それぞれ、図２に示し
た電極ランド１３，１７にバンプ５５ａ，５６ａにより
それぞれ接合されている。また、電極パッド５７は、図
２に示したアース電位に接続される電極ランド１４，１
５，１６とバンプ５７ａ〜５７ｄにより接合される。

【００６８】外部電極６１〜６４が第１の実施例と同様
にベース基板５４のコーナー部分に設けられており、外
部電極６１〜６４は、ベース基板１４の上面５４ａ上だ
けでなく、側面を経て下面にも至るように形成されてい
る。上記電極パッド５５，５６が、それぞれ、マイクロ
ストリップライン６５，６６を介して外部電極６４，６
１に接続されている。また、電極パッド５７は、マイク
ロストリップライン６７，６８を介して外部電極６２，
６３に接続されている。

【００６９】すなわち、パッケージ２のダイアタッチ部
の電極パッド５７により３個の並列腕共振子のアース電
位に接続される端子が共通接続されており、かつ電極パ
ッド５７が、それぞれ、マイクロストリップライン６
７，６８を介して異なる外部電極６２，６３に接続され
ている。

【００７０】また、圧電基板４上の入出力信号端子とな
る電極ランド１３，１７とアース端子となる電極ランド
１４〜１６とは、パッケージの外部の信号ラインに接続
される外部電極６１，６４及びアースラインに接続され
る外部電極６２，６３に対して、圧電基板４の中央を通
る垂線の周りに９０度回転するように位置されている。

【００７１】その他の構成については、第１の実施例と
同様である。

【００７２】第２の実施例の弾性表面波フィルタ装置の
減衰量周波数特性を図９に実線で示す。比較のために、
第１の実施例の比較例として用意した従来例の弾性表面
波フィルタ装置の減衰量周波数特性を破線で示す。

【００７３】なお、実施例において、上記マイクロスト
リップライン６５，６６により付加されるインダクタン
ス成分は、それぞれ、０．８ｎＨであり、マイクロスト
リップライン６７，６８により付加されるインダクタン
ス成分は、それぞれ、０．３ｎＨ程度である。

【００７４】なお、外部のアースラインに接続される外
部電極６２，６３に接続されるマイクロストリップライ
ン６７，６８は、外部のアースラインに対して並列に接
続されるため、実際には、０．１ｎＨ程度の共通インダ
クタンス成分が挿入されることになる。

【００７５】図９から明らかなように、本実施例では、
パッケージ２内に上記マイクロストリップライン６５〜
６８によりインダクタンス成分が付加されているので、
通過帯域近傍の減衰量が高められる。また、４ｄＢの減
衰量の通過帯域幅は、従来例では７８ＭＨｚに対し、本
実施例では、８０ＭＨｚであり、広帯域化も同時に図ら
れている。

【００７６】また、本実施例においても、インダクタン
スを付加するためのマイクロストリップラインが、ベー
ス基板４と環状の側壁５との間に存在しているので、弾
性表面波フィルタ素子との電磁界的な結合が少なく、従
って良好なフィルタ特性を得ることができる。また、第
１の実施例と同様に本実施例においても、ダイアタッチ
部にマイクロストリップラインが存在しないので、バン
プの位置や個数の制限がない。従って、弾性表面波フィ
ルタ素子３をベース基板４に強固に接合することができ
る。

【００７７】（第３の実施例）図１０は、第３の実施例
に係る弾性表面波装置の回路構成を示す図である。第３
の実施例においても、弾性表面波フィルタ素子３は、第
１の実施例と同様に構成されており、２個の直列腕共振
子８，９と、３個の並列腕共振子１０〜１２とが梯子型
回路構成を実現するように接続されている。

【００７８】本実施例においても、パッケージ２の側壁
及びキャップ材は第１の実施例と同様に構成されてい
る。異なるところは、図１１に示すように、ベース基板
７４上に設けられた電極構造にある。従って、ベース基
板７４上の電極構造以外の構成については、第１の実施
例の説明を授用することにより省略する。

【００７９】ベース基板７４の上面７４ａ上には、複数
の電極パッド７５，７６，７７，７８が形成されてお
り、該複数の電極パッド７５〜７８によりダイアタッチ
部が構成されている。電極パッド７５〜７８の内部に円
で示されている部分は、それぞれ、弾性表面波フィルタ
素子３をフェイスダウン工法で接合する際のバンプの位
置を示す。

【００８０】ベース基板７４のコーナー部分には、第１
の実施例と同様にして、外部電極８１〜８４が形成され
ている。外部電極が８１，８４は、信号ラインに接続さ
れる外部電極であり、電極パッド７５，７６に対してマ
イクロストリップライン８５，８６を介して接続されて
いる。また、電極パッド７７，７８は、アースラインに
接続される外部電極８２，８３にマイクロストリップラ
イン８７，８８を介して接続されている。

【００８１】また、電極パッド７５は、バンプ７５ａに
より図２に示した電極ランド１３に接続され、電極パッ
ド７６はバンプ７６ａにより図２に示した電極ランド１
７に接続される。電極パッド７７は、バンプ ７７ａ，
７７ｂにより電極ランド１４（図２）に接続され、電極
パッド７８は、バンプ７８ａ，７８ｂにより電極ランド
１５，１６（図２参照）に接続されている。なお、少な
くとも２個の並列腕共振子のアース端子が１つの電極ラ
ンドに接続されていてもよい。すなわち、アース電位に
接続される電極ランド、例えば電極ランド１５，１６が
共通とされていてもよい。

【００８２】従って、図１０に示すように、第１の並列
腕共振子１０と第２，第３の並列腕共振子１１，１２と
がダイアタッチ部において分離されている。そして、第
１の並列腕共振子１０と外部のアースラインに接続され
る外部電極８２との間にマイクロストリップライン８７
によるインダクタンスＬ７が、第２，第３の並列腕共振
子１１，１２とアースラインに接続される外部電極８３
との間にマイクロストリップライン８８によるインダク
タンスＬ８が構成されている。

【００８３】第３の実施例の弾性表面波フィルタの減衰
量周波数特性を図１２に実線で示す。また、比較のため
に、第１の実施例で比較のために用意した従来例の弾性
表面波装置の減衰量周波数特性を図１２に破線で示す。

【００８４】なお、この場合、マイクロストリップライ
ン８５，８６によるインダクタンス分は、それぞれ、
０．８ｎＨとし、マイクロストリップライン８７，８８
によるインダクタンス分は、０．３ｎＨとした。その他
の構成については、第１の実施例と同様である。

【００８５】図１２から明らかなように、本実施例にお
いても、パッケージ２内に、マイクロストリップライン
８５〜８８によるインダクタンス分が構成されており、
従って、通過帯域近傍の減衰量を従来例に比べて大幅に
拡大し得ることがわかる。また、減衰量４ｄＢの通過帯
域幅は、従来例では７８ＭＨｚであるのに対し、本実施
例では８５ＭＨｚであり、広帯域化も同時に図られてい
ることがわかる。

【００８６】さらに、第２の実施例の周波数特性（図
９）と比較すると、本実施例では、通過帯域近傍の減衰
極ｆｒの周波数が高められており、従って、通過帯域の
より近い周波数域における減衰量の拡大が求められる場
合、第３の実施例の弾性表面波装置は、第２の実施例の
弾性表面波装置に比べて有効である。

【００８７】（第４の実施例）図１３は、本発明の第４
の実施例に係る弾性表面波装置の回路構成を示す図であ
る。本実施例においても、第１の実施例と同じ弾性表面
波フィルタ素子３が用いられており、第１，第２の直列
腕共振子８，９と、第１〜第３の並列腕共振子１０〜１
２とが梯子型回路構成を有するように接続されている。

【００８８】図１４に断面図で示すようにパッケージ２
は、第１のケース材としてのベース基板９４を有する。
また、側壁９５及びキャップ９６からなる第２のケース
材が、第１の実施例と同様に構成されている。

【００８９】本実施例では、ベース基板９４が積層セラ
ミック基板により構成されており、ベース基板９４内
に、インダクタンスを付加するための後述のマイクロス
トリップラインが形成されている。

【００９０】図１５は、ベース基板９４の平面図であ
り、図１６は、マイクロストリップラインが形成されて
いる中間高さ位置における模式的平面断面図である。図
１５に示すように、ベース基板９４の上面には、図８に
示した第２の実施例のベース基板と同様に、電極パッド
５５〜５７が形成されている。もっとも、本実施例で
は、ベース基板９４の上面には、外部電極は形成されて
いない。また、ベース基板９４内には、上端が電極パッ
ド５５〜５７に接合されるようにスルーホール電極９５
ａ〜９５ｄが形成されている。スルーホール電極９５ａ
〜９５ｄの下端は、図１６に示すマイクロストリップラ
イン９７ａ〜９７ｄの一端に接続されている。マイクロ
ストリップライン９７ａ〜９７ｄの他端は、外部電極９
８ａ〜９８ｄに接続されている。外部電極９８ａ〜９８
ｄは、ベース基板９４の中間高さ位置において、コーナ
ー部分からベース基板９４の側面に至るように形成され
ている（図１４参照）。

【００９１】すなわち、本実施例では、第１のケース材
としてのベース基板９４内にマイクロストリップライン
９７ａ〜９７ｄが埋設されており、該マイクロストリッ
プライン９７ａ〜９７ｄにより、図１３に示すように、
第１〜第３の並列腕共振子を共通接続した部分と外部の
アースラインに接続される外部電極との間のインダクタ
ンスＬ９，Ｌ１０と、直列腕共振子８，９と外部の信号
ラインに接続される外部電極との間のインダクタンス分
Ｌ１，Ｌ２とを構成している。

【００９２】このように、本発明におけるインダクタン
スを付加するためのマイクロストリップラインは、パッ
ケージ内であれば、任意の位置に構成することができ
る。

【００９３】図１７の実線は、第４の実施例に係る弾性
表面波装置の減衰量周波数特性を示し、破線は第１の実
施例の比較のために用意した従来例の弾性表面波装置の
減衰量周波数特性を示す。なお、第４の実施例の弾性表
面波装置を構成するに際しては、直列腕共振子に付加さ
れるマイクロストリップラインによるインダクタンス分
は１．０ｎＨとし、並列腕共振子とアースラインに接続
されるインダクタンス分Ｌ７，Ｌ８は、それぞれ、１．
０ｎＨとした。

【００９４】図１７から明らかなように、本実施例にお
いても、パッケージ２内にインダクタンス分を付加する
ためのマイクロストリップラインを形成することによ
り、通過帯域近傍の減衰量が高められる。特に、低周波
側における減衰量の改善が著しい。これは、並列に接続
されたインダクタンスＬ８，Ｌ９が大きいため、減衰極
ｆｒの周波数が低くなったためである。

【００９５】第４の実施例では、マイクロストリップラ
インがベース基板内に埋設されているので、すなわち内
部電極の形態で構成されているので、マイクロストリッ
プラインの長さを長くすることができ、より大きなイン
ダクタンスを得ることができる。また、さらに大きなイ
ンダクタンスを得るには、複数の層に渡りマイクロスト
リップラインを形成し、スルーホール電極やビアホール
電極により複数のマイクロストリップラインを相互に電
気的に接続することにより、マイクロストリップライン
の長さを大きくすればよい。

【００９６】

【発明の効果】本発明に係る弾性表面波フィルタ装置で
は、梯子型回路を構成している直列腕共振子及び並列腕
共振子の少なくとも一方にマイクロストリップラインに
よるインダクタンス成分が接続されており、かつ該マイ
クロストリップラインがパッケージ内に設けられている
ので、通過帯域近傍の減衰量が拡大され、かつ広帯域の
フィルタ特性を得ることができる。

【００９７】また、マイクロストリップラインを形成す
る基板の誘電率、マイクロストリップラインの線幅及び
マイクロストリップラインとグランドとの間隔などを変
化させることにより、マイクロストリップラインの単位
長あたりのインダクタンス成分を設計することができ
る。従って、弾性表面波フィルタの特性を改善するため
に必要なインダクタンス成分を、マイクロストリップラ
インのインダクタンス成分で設計して弾性表面波フィル
タに挿入することができる。さらに、マイクロストリッ
プラインは外界の影響に強いため、マイクロストリップ
ラインのインダクタンス成分が、弾性表面波フィルタ素
子をフェースダウン工法によってベース基板に取り付け
られても変化することがほとんどないので、所望のイン
ダクタンス成分を設計どおり弾性表面波フィルタに挿入
することができる。

【００９８】また、パッケージが、弾性表面波フィルタ
素子のいずれかの信号端子及びアース端子にバンプによ
り接続される複数の電極パッドを有するダイアタッチ部
と、いずれかの電極パッドと電気的に接続されておりか
つ弾性表面波フィルタ装置外の信号ラインまたはアース
ラインに接続される複数の外部電極とを備える場合に
は、上記複数の電極パッドに、弾性表面波フィルタ素子
を複数のバンプによりフェイスダウン工法で接続及び機
械的接合が果たされる。従って、本発明に従って、通過
帯域外の減衰量が大きく、広帯域のフィルタ装置を容易
に構成することができる。

【００９９】マイクロストリップラインが、直列腕共振
子の信号端子に接続されている電極パッドと、弾性表面
波フィルタ装置外の信号ラインに接続される外部電極と
の間に接続されている場合には、直列腕共振子と信号ラ
インとの間に接続されているので、反射損を低減し広帯
域化を図ることができる。

【０１００】また、上記マイクロストリップラインが、
少なくとも１つの並列腕共振子のアース端子にバンプに
より接続されている電極パッドと、パッケージ外のアー
スラインに接続される外部電極との間に設けられている
場合には、通過帯域近傍の減衰量の拡大及び広帯域のフ
ィルタ特性を得ることができる。

【０１０１】少なくとも２個の並列腕共振子を有し、全
ての並列腕共振子のアース端子が圧電性基板上で共通接
続されており、並列腕共振子のアース端子が共通接続さ
れている部分とパッケージに設けられた外部電極との間
に上記マイクロストリップラインが接続されている場合
には、より低い周波数域において減衰量を拡大すること
ができる。

【０１０２】同様に、全ての並列腕共振子のアース端子
に接続されるパッケージ側の電極パッドが共通とされて
おり、共通とされている電極パッドと、外部電極との間
の経路にマイクロストリップラインが設けられている場
合においても、より低い周波数域で減衰量を拡大するこ
とができる。さらに、パッケージ側で共通とすることで
チップの配線が容易となる。

【０１０３】少なくとも３個以上の並列腕共振子を備
え、少なくとも２個の並列腕共振子のアース端子が接続
される電極ランドと、該電極ランドが接続される外部電
極との間の経路にマイクロストリップラインが設けられ
ており、少なくとも２個の並列腕共振子以外の並列腕共
振子が、上記少なくとも２個の並列腕共振子と圧電性基
板上において電気的に分離されている場合には、より一
層広帯域かつ通過帯域近傍の減衰量が拡大されたフィル
タ特性を得ることができる。

【０１０４】少なくとも３個の並列腕共振子を備え、該
並列腕共振子のうち少なくとも２個の並列腕共振子のア
ース端子に接続される共通電極パッドを有し、上記マイ
クロストリップラインが共通電極パッドと、共通電極パ
ッドが接続される外部電極との間の経路に設けられてお
り、それ以外の並列腕共振子が、複数の電極パッドを含
むダイアタッチ部において、上記少なくとも２個の並列
腕共振子と電気的に分離されている場合には、より一層
通過帯域近傍における減衰量が拡大され、かつ広帯域の
フィルタ特性を得ることができる。

【０１０５】マイクロストリップラインがパッケージ内
において、ダイアタッチ部以外に配置されている場合に
は、表面波フィルタ素子との電磁界的な干渉を防ぎ、フ
ィルタ特性の劣化を招くことがない。

【０１０６】パッケージが、ベース基板と、ベース基板
上に設けられた環状の側壁と、該環状の側壁の上端を閉
成するように取り付けられたキャップ材とを備え、マイ
クロストリップラインの主要部が、側壁とベース基板と
の間に配置されている場合には、余分なスペースが要ら
ないために、パッケージのサイズを変えることなくフィ
ルタ特性を改善することができる。

【０１０７】パッケージが、弾性表面波フィルタ素子が
搭載される第１のケース材と、第１のケース材に搭載さ
れている弾性表面波フィルタ素子を囲繞する第２のケー
ス材とを備え、第１のケース材の内部にマイクロストリ
ップラインの主要部が設けられている場合には、大きな
インダクタンス成分を入れることが可能となり、フィル
タ特性の大幅な改善を行うことができる。

【０１０８】弾性表面波フィルタ素子の入出力端の信号
端子と少なくとも１つのアース端子とが、複数の外部電
極のうち入出力端に信号ラインに接続される外部電極と
少なくとも１つのアース電位に接続される外部電極に対
し、弾性表面波フィルタ素子の圧電性基板の中心を通
り、該圧電性基板に直交する仮想線の周りに９０度回転
させたように配置されている場合には、側壁とベース基
板の間にマイクロストリップラインを構成する際に、無
理な曲げ部を作らずとも大きなインダクタンス成分を入
れることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波フィル
タ装置の略図的断面図。

【図２】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波フィル
タ装置に用いられる弾性表面波フィルタ素子の電極構造
を示す平面図。

【図３】本発明の第１の実施例に係る弾性表面波フィル
タ装置のパッケージのベース基板上面の複数の電極パッ
ドを含むダイアタッチ部を説明するための模式的平面
図。

【図４】第１の実施例の弾性表面波フィルタ装置の回路
構成を示す図。

【図５】比較のために用意した従来の弾性表面波装置の
パッケージのベース基板の上面の電極パターンを示す
図。

【図６】第１の実施例及び従来例の弾性表面波装置の減
衰量−周波数特性を示す図。

【図７】本発明の第２の実施例に係る弾性表面波フィル
タ装置の回路構成を示す図。

【図８】第２の実施例の弾性表面波フィルタ装置で用い
られるパッケージのべース基板の上面の電極構造を示す
平面図。

【図９】第２の実施例及び従来例の弾性表面波フィルタ
装置の減衰量−周波数特性を示す図。

【図１０】本発明の第３の実施例に係る弾性表面波フィ
ルタ装置の回路構成を示す図。

【図１１】第３の実施例の弾性表面波フィルタ装置のパ
ッケージのベース基板の上面の電極構造を示す平面図。

【図１２】第３の実施例及び従来例の弾性表面波フィル
タ装置の減衰量−周波数特性を示す図。

【図１３】本発明の第４の実施例の弾性表面波フィルタ
装置の回路構成を示す図。

【図１４】第４の実施例の弾性表面波フィルタ装置の断
面図。

【図１５】第４の実施例の弾性表面波フィルタ装置にお
けるパッケージのベース基板上面の電極構造を示す平面
図。

【図１６】第４の実施例の弾性表面波フィルタ装置に用
いられるパッケージのベース基板内の電極構造を示す模
式的平面断面図。

【図１７】第４の実施例及び従来の弾性表面波フィルタ
装置の減衰量−周波数特性を示す図。

【図１８】従来の梯子型回路構成を有する弾性表面波フ
ィルタ装置の一例を示す回路図。

【図１９】従来の弾性表面波フィルタ装置の他の例を説
明するための断面図。

【符号の説明】

１…弾性表面波フィルタ装置 ２…パッケージ ３…弾性表面波フィルタ素子 ４…ベース基板 ５…側壁 ６…キャップ ７…圧電基板 ８，９…直列腕共振子 １０〜１２…並列腕共振子 １３〜１６…電極ランド Ｌ１〜Ｌ５…インダクタンス Ｌ６，Ｌ７…インダクタンス ５４…ベース基板 ５５〜５７…電極パッド ５５ａ，５６ａ，５７ａ，５７ｂ，５７ｃ，５７ｄ…バ
ンプ ６１〜６４…外部電極 ６５〜６８…マイクロストリップライン Ｌ７，Ｌ８…インダクタンス ７４…ベース基板 ７５〜７８…電極パッド ７５ａ，７６ａ，７７ａ，７７ｂ，７８ａ，７８ｂ…電
極パッド ８１〜８４…外部電極 ８５〜８８…マイクロストリップライン Ｌ９，Ｌ１０…インダクタンス ９４…ベース基板 ９５ａ〜９５ｄ…スルーホール電極 ９７ａ〜９７ｄ…マイクロストリップライン ９８ａ〜９８ｄ…外部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武田 光雄 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA16 AA17 AA19 AA34 BB02 BB17 CC05 DD13 DD16 HA02 HA04 JJ01 JJ08 KK04 KK10 LL01

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 圧電性基板、及び前記圧電性基板上に形
   成された複数の一端子対弾性表面波素子を有し、前記一
   端子対弾性表面波素子が梯子型回路の並列腕共振子及び
   直列腕共振子を構成するように接続されている弾性表面
   波フィルタ素子と、 前記弾性表面波フィルタ素子を収納しているパッケージ
   とを備え、 前記弾性表面波フィルタ素子が複数のバンプにより接続
   されるフェイスダウン工法で前記パッケージに収納され
   ており、 前記パッケージ内に設けられており、前記直列腕共振子
   及び並列腕共振子の少なくとも一方に接続されているマ
   イクロストリップラインのインダクタンス成分をさらに
   備えることを特徴とする、弾性表面波フィルタ装置。
2. 【請求項２】 前記パッケージが、弾性表面波フィルタ
   素子のいずれかの信号端子及びアース端子に前記バンプ
   により接続される複数の電極パッドを有するダイアタッ
   チ部と、いずれかの前記電極パッドと電気的に接続され
   ており、かつ弾性表面波フィルタ装置外の信号ラインま
   たはアースラインに接続される複数の外部電極とを備え
   る、請求項１に記載の弾性表面波フィルタ装置。
3. 【請求項３】 前記マイクロストリップラインが、前記
   直列腕共振子の信号端子に接続されている前記電極パッ
   ドと、前記弾性表面波フィルタ装置外の信号ラインに接
   続される前記外部電極との間に接続されている、請求項
   ２に記載の弾性表面波装置。
4. 【請求項４】 前記マイクロストリップラインが、少な
   くとも１つの前記並列腕共振子のアース端子に前記バン
   プにより接続されている前記電極パッドと、パッケージ
   外のアースラインに接続される前記外部電極との間に設
   けられている請求項２または３に記載の弾性表面波フィ
   ルタ装置。
5. 【請求項５】 少なくとも２個の前記並列腕共振子を備
   え、 全ての前記並列腕共振子のアース端子が前記圧電性基板
   上で共通接続されており、前記並列腕共振子のアース端
   子が共通接続されている部分と、前記パッケージに設け
   られた外部電極との間に、前記マイクロストリップライ
   ンが接続されている、請求項２に記載の弾性表面波フィ
   ルタ装置。
6. 【請求項６】 少なくとも２個の前記並列腕共振子を備
   え、 全ての前記並列腕共振子のアース端子に接続されるパッ
   ケージ側の前記電極パッドが共通とされており、 前記共通とされている電極パッドと、前記外部電極との
   間の経路に前記マイクロストリップラインが設けられて
   いる請求項２に記載の弾性表面波フィルタ装置。
7. 【請求項７】 少なくとも３個以上の前記並列腕共振子
   を備え、 前記圧電性基板上に形成されており、少なくとも２個の
   並列腕共振子のアース端子が接続される電極ランドをさ
   らに備え、 少なくとも２個の並列腕共振子のアース端子に接続され
   ている前記電極ランドと、該電極ランドが接続される前
   記外部電極との間の経路に前記マイクロストリップライ
   ンが設けられており、 前記少なくとも２個の並列腕共振子以外の並列腕共振子
   が、圧電性基板上において、前記少なくとも２個の並列
   腕共振子と電気的に分離されており、前記少なくとも２
   個の並列腕共振子に接続されているパッケージ側の外部
   電極以外の外部電極に電気的に接続されている、請求項
   ２に記載の弾性表面波フィルタ装置。
8. 【請求項８】 少なくとも３個の前記並列腕共振子を備
   え、 前記複数の電極パッドが、前記並列腕共振子のうち少な
   くとも２個の並列腕共振子のアース端子に接続される共
   通電極パッドを有し、前記マイクロストリップラインが
   共通電極パッドと、該共通電極パッドが接続される前記
   外部電極との間の経路に設けられており、 前記少なくとも２個の並列腕共振子以外の並列腕共振子
   が、前記複数の電極パッドを含むダイアタッチ部におい
   て、前記少なくとも２個の並列腕共振子と電気的に分離
   されており、前記少なくとも２個の並列腕共振子に接続
   されているパッケージ側の外部電極以外の外部電極に電
   気的に接続されている、請求項２に記載の弾性表面波フ
   ィルタ装置。
9. 【請求項９】 前記マイクロストリップラインが、パッ
   ケージ内において、前記ダイアタッチ部以外に配置され
   ている、請求項１〜８のいずれかに記載の弾性表面波フ
   ィルタ装置。
10. 【請求項１０】 前記パッケージが、前記弾性表面波フ
    ィルタ素子が搭載されるベース基板と、該ベース基板上
    に設けられた環状の側壁と、該環状の側壁の上端を閉成
    するように取り付けられたキャップ材とを備え、 前記マイクロストリップラインの主要部が、前記側壁と
    前記ベース基板との間に配置されている、請求項１〜９
    のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置。
11. 【請求項１１】 前記パッケージが、前記弾性表面波フ
    ィルタ素子が搭載される第１のケース材と、第１のケー
    ス材に搭載されている弾性表面波フィルタ素子を囲繞す
    る第２のケース材とを備え、 前記第１のケース材の内部に前記マイクロストリップラ
    インの主要部が設けられている、請求項１〜９のいずれ
    かに記載の弾性表面波フィルタ装置。
12. 【請求項１２】 前記弾性表面波フィルタ素子の入出力
    端の信号端子と少なくとも１つのアース端子とが、前記
    複数の外部電極のうち入出力端の信号ラインに接続され
    る外部電極と少なくとも１つのアース電位に接続される
    外部電極に対し、前記弾性表面波フィルタ素子の圧電性
    基板の中心を通り、圧電性基板に直交する仮想線の周り
    に９０度回転させたように配置されている、請求項１〜
    １１のいずれかに記載の弾性表面波フィルタ装置。
13. 【請求項１３】 請求項１〜１２のいずれかに記載の弾
    性表面波フィルタ装置を有する通信機。