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JP2002033341A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JP2002033341A
JP2002033341A JP2000217861A JP2000217861A JP2002033341A JP 2002033341 A JP2002033341 A JP 2002033341A JP 2000217861 A JP2000217861 A JP 2000217861A JP 2000217861 A JP2000217861 A JP 2000217861A JP 2002033341 A JP2002033341 A JP 2002033341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor element
chip
die
element chip
die tip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000217861A
Other languages
English (en)
Inventor
Hironori Yokoyama
裕紀 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000217861A priority Critical patent/JP2002033341A/ja
Publication of JP2002033341A publication Critical patent/JP2002033341A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W70/682
    • H10W72/931

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  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージ内に半導体素子チップを収納する
際、ダイアチップ部の空洞部内の空気の熱膨張に起因し
て半導体素子チップが局所的に浮き上がるアオリ不良の
発生を防止することが可能な半導体装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 パッケージ10の収納部12底面上に略
ロ字形のダイアチップ部14が設けられ、更にその中央
部の空洞部16と外部とを通気する通気溝18が設けら
れている。このため、半導体素子チップ20を接着剤2
2を介してダイアチップ部14上面に接着した後、熱処
理を施して接着剤22を硬化する際、半導体素子チップ
20によって蓋をされた状態のダイアチップ部14の空
洞部16内の熱膨張した空気は通気溝18を通ってダイ
アチップ部14の外部に逃げることになる。従って、ダ
イアチップ部14の空洞部16内の空気の熱膨張に起因
して半導体素子チップ20が局所的に浮き上がるアオリ
不良の発生が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特にパッケージ内に半導体素子チップが収納されている
半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来のパッケージ内に半導体素子チップ
を収納するプロセスを、半導体装置の概略平面図である
図6(a)、図6(a)におけるA−A線断面図である
図6(b)、及び同じく半導体装置の概略平面図である
図7(a)、図7(a)におけるA−A線断面図である
図7(b)を用いて説明する。先ず、図6に示されるよ
うなパッケージ10を用意するが、このパッケージ10
においては、その中央部に半導体素子チップを収納する
凹形状の収納部12が設けられている。そして、この収
納部12底面上には、略ロ字形のダイアチップ部14が
設けられており、その略ロ字形の4辺に囲まれた中央部
は空洞部16となっている。
【0003】次いで、図7に示されるように、このダイ
アチップ部14上面に接着剤(図示せず)を塗布した
後、この接着剤を塗布したダイアチップ部14上面に半
導体素子チップ20を載置し、押圧する。こうして、半
導体素子チップ20裏面を接着剤を介してダイアチップ
部14上面に接着する。
【0004】続いて、ダイアチップ部14上面に半導体
素子チップ20を載置したパッケージ10を、高温槽
(キュア炉)内に入れて、所定の熱処理を施し、半導体
素子チップ20裏面をダイアチップ部14上面に接着し
ている接着剤を硬化する。こうして、半導体素子チップ
20をダイアチップ部14上面に固着する。
【0005】ところで、パッケージ10の凹形状の収納
部12底面上にダイアチップ部14が設けられているの
は、次のような理由によるものである。即ち、ダイアチ
ップ部14がない場合には、半導体素子チップ20を凹
形状の収納部12内に収納する際に、半導体素子チップ
20の角部が収納部12底面に接触し、その衝撃によっ
て半導体素子チップ20の角部が欠損する場合があっ
た。
【0006】このため、ダイアチップ部14を設け、こ
のダイアチップ部14上面に半導体素子チップ20を載
置することにより、図7に示されるように、半導体素子
チップ20の四隅の角部と収納部12底面との間に空間
24が生じるようにする。そして、半導体素子チップ2
0の角部と収納部12底面との接触を回避し、半導体素
子チップ20の角部が欠損することを防止している。
【0007】また、ダイアチップ部14が略ロ字形をな
し、その中央部が空洞部16となっているのは、次のよ
うな理由によるものである。ダイアチップ部14がその
中央部の空洞部16のない平板状の台をなしている場合
には、パッケージ10を高温槽内に入れて所定の熱処理
を施す際に、この平板状のダイアチップ部14に反り等
が生じ、その平板状の上面の平坦性が損なわれる危険性
が高くなる。そして、このような事態が生じると、ダイ
アチップ部14上面に接着剤を介して接着した半導体素
子チップ20が局所的に浮き上がり、所謂アオリ不良が
発生する。
【0008】このため、ダイアチップ部14を略ロ字形
にしてその中央部に空洞部16を設けることにより、熱
処理を施す際にも、反り等が生じてその上面の平坦性が
損なわれることを回避して、半導体素子チップ20のア
オリ不良の発生を防止している。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のパ
ッケージ10においては、半導体素子チップ20裏面を
接着剤を介してダイアチップ部14上面に接着する際
に、ダイアチップ部14の中央部の空洞部16は半導体
素子チップ20によって蓋をされた状態となり、密閉さ
れた空間となる。
【0010】このため、続いて高温槽内においてパッケ
ージ10に所定の熱処理を施す際、密閉空間となったダ
イアチップ部14の空洞部16内の空気が熱膨張する。
このとき、この空洞部16内の空気には、パッケージ1
0の構造上、逃げ場がない。従って、半導体素子チップ
20をダイアチップ部14上面に接着している接着剤が
熱処理によって硬化する前に、半導体素子チップ20を
持ち上げてしまう事態が生じる。即ち、半導体素子チッ
プ20が局所的に浮き上がり、アオリ不良が発生する。
【0011】そこで本発明は、上記事情を鑑みてなされ
たものであり、パッケージ内に半導体素子チップを収納
する際に、ダイアチップ部の空洞部内の空気の熱膨張に
起因して半導体素子チップが局所的に浮き上がるアオリ
不良の発生を防止することが可能な半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題は、以下に述べ
る本発明に係る半導体装置によって達成される。即ち、
請求項1に係る半導体装置は、パッケージ内に半導体素
子チップが収納されている半導体装置であって、パッケ
ージの収納部の底面上に略ロ字形に設けられ、中央部に
空洞部を有するダイアチップ部と、このダイアチップ部
に設けられ、ダイアチップ部の外部と前記空洞部とを通
気する通気溝と、ダイアチップ部上に固着された前記半
導体素子チップと、を備えていることを特徴とする。
【0013】このように請求項1に係る半導体装置にお
いては、パッケージの収納部の底面上に略ロ字形に設け
られたダイアチップ部に、ダイアチップ部の外部と中央
部の空洞部とを通気する通気溝が設けられていることに
より、半導体素子チップを接着剤を介してダイアチップ
部上面に接着する際に、ダイアチップ部の中央部の空洞
部が半導体素子チップによって蓋をされた状態となって
も、その空洞部は密閉された空間とはならない。このた
め、続いて高温槽内においてパッケージに所定の熱処理
を施す際に、ダイアチップ部の空洞部内の空気が熱膨張
しても、この空洞部内の空気は通気溝を通ってダイアチ
ップ部の外部に逃げることになる。従って、ダイアチッ
プ部の空洞部内の空気の熱膨張に起因して半導体素子チ
ップが局所的に浮き上がるアオリ不良の発生が容易に防
止される。
【0014】また、請求項2に係るチップ状半導体装置
の移載方法は、上記請求項1に係る半導体装置におい
て、通気溝が、ダイアチップ部の略ロ字形の辺の対向す
る2辺に少なくとも1か所ずつ設けられている構成とす
ることにより、パッケージに所定の熱処理を施す際に、
半導体素子チップによって蓋をされた状態のダイアチッ
プ部の中央部の空洞部内の熱膨張した空気は、ダイアチ
ップ部の対向する2辺に設けられている通気溝を通っ
て、正反対の2方向に同時に逃げることになる。このた
め、上記請求項1の場合の作用に加えて、このダイアチ
ップ部の空洞部内の空気が通気溝を通って外部に逃げる
際の反動として半導体素子チップが一方向に微動するこ
とが防止される。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。 (第1の実施形態)図1(a)、(b)はそれぞれ本発
明の第1の実施形態に係るパッケージ内に半導体素子チ
ップが収納されている半導体装置を示す平面図及びその
A−A線断面図である。また、図2〜図4はそれぞれ図
1に示す半導体装置の製造方法、即ちパッケージ内に半
導体素子チップを収納するプロセスを説明するための工
程図である。なお、図2〜図4の各(a)、(b)はそ
れぞれ図1(a)、(b)に対応する平面図及び断面図
である。
【0016】図1(a)、(b)に示されるように、本
実施形態に係る半導体装置においては、例えばCCD
(Charge Coupled Device )用のパッケージ10の中央
部に、凹形状の収納部12が設けられている。
【0017】また、この収納部12底面上には、略ロ字
形のダイアチップ部14が設けられており、その略ロ字
形の4辺に囲まれた中央部は空洞部16となっている。
そして、このダイアチップ部14には、その空洞部16
と外部とを通気する通気溝18が所定の1か所に設けら
れており、この点に本実施形態の特徴がある。
【0018】なお、この通気溝18の寸法は、ダイアチ
ップ部14の空洞部16と外部とを通気するという機能
を果たす限り、幾ら小さくてもよいし、半導体素子チッ
プ20裏面と接続するためのダイアチップ部14上面が
残存する限り、幾ら大きくてもよい。従って、この範囲
内であれば、寸法の変更は任意に可能である。
【0019】また、このダイアチップ部14上面には、
CCD等が形成されている半導体素子チップ20裏面が
接着剤を介して固着されている。こうして、半導体素子
チップ20がパッケージ10の収納部12に収納されて
いる。
【0020】次に、図1(a)、(b)に示される半導
体装置の製造方法、即ちパッケージ内に半導体素子チッ
プを収納するプロセスを、図2〜図4を用いて説明す
る。先ず、最初に、図2(a)、(b)に示されるよう
なパッケージ10を用意する。即ち、このパッケージ1
0においては、その中央部に凹形状の収納部12が設け
られている。そして、この収納部12底面上には、略ロ
字形のダイアチップ部14が設けられ、その中央部は空
洞部16となっていると共に、このダイアチップ部14
には、その空洞部16と外部とを通気する通気溝18が
設けられている。
【0021】次いで、図3(a)、(b)に示されるよ
うに、パッケージ10のダイアチップ部14上面に接着
剤22を塗布する。
【0022】次いで、図4(a)、(b)に示されるよ
うに、この接着剤22を塗布したダイアチップ部14上
面に、半導体素子チップ20をフェースアップに載置
し、押圧する。こうして、半導体素子チップ20裏面を
接着剤22を介してダイアチップ部14上面に接着す
る。
【0023】なお、このとき、ダイアチップ部14の中
央部の空洞部16は半導体素子チップ20によって蓋を
された状態となるが、ダイアチップ部14には、その空
洞部16と外部とを通気する通気溝18が設けられてい
るため、この空洞部16は密閉された空間とはならな
い。
【0024】続いて、このダイアチップ部14上面に半
導体素子チップ20を載置したパッケージ10を、高温
槽内に入れて所定の熱処理を施し、半導体素子チップ2
0裏面をダイアチップ部14上面に接着している接着剤
22を硬化する。こうして、半導体素子チップ20をダ
イアチップ部14上面に固着する。
【0025】なお、このとき、半導体素子チップ20に
よって蓋をされた状態のダイアチップ部14の空洞部1
6内の空気は熱膨張するが、この空洞部16内の熱膨張
した空気は通気溝18を通ってダイアチップ部14の外
部に逃げる。このため、ダイアチップ部14の空洞部1
6内の空気の熱膨張に起因して半導体素子チップ20が
局所的に浮き上がるアオリ不良の発生は容易に防止され
る。
【0026】以上のようにして、図1(a)、(b)に
示されるような、半導体素子チップ20がパッケージ1
0の収納部12に収納されている半導体装置を作製す
る。
【0027】このように本実施形態によれば、その中央
部が空洞部16となっている略ロ字形のダイアチップ部
14に、その空洞部16と外部とを通気する通気溝18
が設けられていることにより、ダイアチップ部14上面
に半導体素子チップ20をフェースアップに載置し、押
圧して、半導体素子チップ20裏面を接着剤22を介し
てダイアチップ部14上面に接着する際に、ダイアチッ
プ部14の中央部の空洞部16は半導体素子チップ20
によって蓋をされた状態となるものの、この空洞部16
は通気溝18の存在によって密閉空間とはならない。
【0028】このため、パッケージ10を高温槽内に入
れて所定の熱処理を施し、半導体素子チップ20裏面を
ダイアチップ部14上面に接着している接着剤22を硬
化して、半導体素子チップ20をダイアチップ部14上
面に固着する際に、半導体素子チップ20によって蓋を
された状態のダイアチップ部14の空洞部16内の空気
は熱膨張するものの、この空洞部16内の熱膨張した空
気は通気溝18を通ってダイアチップ部14の外部に逃
げることになる。従って、ダイアチップ部14の空洞部
16内の空気の熱膨張に起因して半導体素子チップ20
が局所的に浮き上がるアオリ不良の発生を容易に防止
し、高い信頼性をもつ半導体装置を実現することができ
る。
【0029】また、本実施形態によれば、先ず最初に用
意するパッケージ10を例えば加圧成形法によって作製
する場合、その際に使用する金型を従来のものと変える
のみで、通気溝18が設けられているダイアチップ部1
4を容易に作成するが可能なため、従来のダイアチップ
部に通気溝が設けられていない場合と比較して製造コス
トや工程数を殆ど増大することなく、作製することがで
きる。
【0030】(第2の実施形態)図5(a)、(b)は
それぞれ本発明の第2の実施形態に係る半導体装置を示
す平面図及びそのA−A線断面図である。なお、上記第
1の実施形態における図1(a)、(b)に示す半導体
装置の構成要素と同一の要素には同一の符号を付して説
明を省略する。
【0031】本実施形態に係る半導体装置は、上記第1
の実施形態においてダイアチップ部14の空洞部16と
その外部とを通気する通気溝18が所定の1か所に設け
られている代わりに、通気溝がダイアチップ部の略ロ字
形の4辺のうちの対向する2辺にそれぞれ1か所ずつ設
けられているものである。
【0032】即ち、図5(a)、(b)に示されるよう
に、本実施形態に係る半導体装置においては、その中央
部が空洞部16となっている略ロ字形のダイアチップ部
14の略ロ字形の4辺のうちの対向する2辺に、その空
洞部16と外部とを通気する通気溝18a、18bがそ
れぞれ1か所ずつ設けられており、この点に本実施形態
の特徴がある。
【0033】なお、これら通気溝18a、18bの寸法
は、上記第1の実施形態の場合と同様に、ダイアチップ
部14の空洞部16と外部とを通気するという機能を果
たす限り、幾ら小さくてもよいし、半導体素子チップ2
0裏面と接続するためのダイアチップ部14上面が残存
する限り、幾ら大きくてもよい。従って、この範囲内で
あれば、寸法の変更は任意に可能である。
【0034】また、この図5(a)、(b)に示される
半導体装置の製造方法、即ちパッケージ内に半導体素子
チップを収納するプロセスも、上記図2〜図4を用いて
説明した第1の実施形態の場合と基本的に同様であるた
め、その図示及び説明は省略する。
【0035】このように本実施形態によれば、その中央
部が空洞部16となっている略ロ字形のダイアチップ部
14に、その空洞部16と外部とを通気する通気溝18
a、18bが設けられていることにより、上記第1の実
施形態の場合と同様に、パッケージ10を高温槽内に入
れて所定の熱処理を施し、半導体素子チップ20裏面を
ダイアチップ部14上面に接着している接着剤22を硬
化して、半導体素子チップ20をダイアチップ部14上
面に固着する際、半導体素子チップ20によって蓋をさ
れた状態のダイアチップ部14の空洞部16内の空気が
熱膨張しても、その熱膨張した空気は通気溝18a、1
8bを通ってダイアチップ部14の外部に逃げることに
なるため、ダイアチップ部14の空洞部16内の空気の
熱膨張に起因して半導体素子チップ20が局所的に浮き
上がるアオリ不良の発生を容易に防止し、高い信頼性を
もつ半導体装置を実現することができる。
【0036】しかも、この場合、通気溝18a、18b
のダイアチップ部14が略ロ字形の辺のうちの対向する
2辺にそれぞれ1か所ずつ設けられていることにより、
パッケージ10を高温槽内に入れて所定の熱処理を施す
際に、半導体素子チップ20によって蓋をされた状態の
ダイアチップ部14の空洞部16内の熱膨張した空気は
通気溝18a、18bを通って正反対の2方向に同時に
逃げることになるため、このダイアチップ部14の空洞
部16内の空気が通気溝18a、18bを通って外部に
逃げる際の反動として半導体素子チップ20が一方向に
微動することを防止すことができる。
【0037】なお、上記第1の実施形態においてはダイ
アチップ部14の所定の1か所に通気溝18が設けられ
ている場合を、上記第2の実施形態においてはダイアチ
ップ部14の4辺のうちの対向する2辺の1か所ずつに
通気溝18a、18bが設けられている場合をそれぞれ
述べたが、通気溝の設置位置やその設置数は上記の場合
に限定する必要はない。また、例えばダイアチップ部1
4の4辺にそれぞれ通気溝を設けてもよいし、また各辺
に設ける通気溝の数を1か所に限定する必要もない。
【0038】そして、このような場合においても、既に
説明したように、パッケージ10を加圧成形法によって
形成する場合には、その際に使用する金型を従来のもの
と変えるのみで容易に作成可能なため、従来のダイアチ
ップ部に通気溝が設けられていない場合と比較して製造
コストや工程数を殆ど増大することなく、任意の箇所に
任意の数だけ通気溝が設けられているパッケージを作製
することができる。
【0039】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る半導体装置によれば、次のような効果を奏することが
できる。即ち、請求項1に係る半導体装置によれば、パ
ッケージの収納部の底面上に略ロ字形に設けられたダイ
アチップ部に、ダイアチップ部の外部と中央部の空洞部
とを通気する通気溝が設けられていることにより、半導
体素子チップをダイアチップ部上面に接着する際に、ダ
イアチップ部の中央部の空洞部が半導体素子チップによ
って蓋をされた状態となっても、その空洞部は密閉され
た空間とはならないため、続いてパッケージに所定の熱
処理を施す際に、ダイアチップ部の空洞部内の熱膨張し
た空気は通気溝を通ってダイアチップ部の外部に逃げる
ことができる。従って、ダイアチップ部の空洞部内の空
気の熱膨張に起因して半導体素子チップが局所的に浮き
上がるアオリ不良の発生を容易に防止し、高い信頼性を
もつ半導体装置を実現することができる。
【0040】また、請求項2に係る半導体装置によれ
ば、上記請求項1に係る半導体装置において、通気溝
が、ダイアチップ部の略ロ字形の辺の対向する2辺に少
なくとも1か所ずつ設けられていることにより、パッケ
ージに所定の熱処理を施す際に、半導体素子チップによ
って蓋をされた状態のダイアチップ部の中央部の空洞部
内の熱膨張した空気は、ダイアチップ部の対向する2辺
に設けられている通気溝を通って、正反対の2方向に同
時に逃げることになるため、上記請求項1の場合の効果
に加えて、このダイアチップ部の空洞部内の空気が通気
溝を通って外部に逃げる際の反動として半導体素子チッ
プが一方向に微動することを防止することができる。従
って、更に高い信頼性をもつ半導体装置を実現すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)、(b)はそれぞれ本発明の第1の実施
形態に係るパッケージ内に半導体素子チップが収納され
ている半導体装置を示す平面図及びそのA−A線断面図
である。
【図2】図1に示す半導体装置の製造方法、即ちパッケ
ージ内に半導体素子チップを収納するプロセスを説明す
るための工程図(その1)であって、(a)、(b)は
それぞれ図1(a)、(b)に対応する平面図及び断面
図である。
【図3】図1に示す半導体装置の製造方法、即ちパッケ
ージ内に半導体素子チップを収納するプロセスを説明す
るための工程図(その2)であって、(a)、(b)は
それぞれ図1(a)、(b)に対応する平面図及び断面
図である。
【図4】図1に示す半導体装置の製造方法、即ちパッケ
ージ内に半導体素子チップを収納するプロセスを説明す
るための工程図(その3)であって、(a)、(b)は
それぞれ図1(a)、(b)に対応する平面図及び断面
図である。
【図5】(a)、(b)はそれぞれ本発明の第2の実施
形態に係るパッケージ内に半導体素子チップを収納され
ている半導体装置を示す平面図及びそのA−A線断面図
である。
【図6】従来のパッケージ内に半導体素子チップを収納
するプロセスを説明するための工程図(その1)であっ
て、(a)、(b)はそれぞれ平面図及び及びそのA−
A線断面図である。
【図7】従来のパッケージ内に半導体素子チップを収納
するプロセスを説明するための工程図(その2)であっ
て、(a)、(b)はそれぞれ平面図及び及びそのA−
A線断面図である。
【符号の説明】
10……パッケージ、12……収納部、14……ダイア
チップ部、16……空洞部、18、18a、18b……
通気溝、20……半導体素子チップ、22……接着剤、
24……空間。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パッケージ内に半導体素子チップが収納
    されている半導体装置であって、 前記パッケージの収納部の底面上に略ロ字形に設けら
    れ、中央部に空洞部を有するダイアチップ部と、 前記ダイアチップ部に設けられ、前記ダイアチップ部の
    外部と前記空洞部とを通気する通気溝と、 前記ダイアチップ部上に固着された前記半導体素子チッ
    プと、 を備えていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置において、 前記通気溝が、前記ダイアチップ部の略ロ字形の辺の対
    向する2辺に少なくとも1か所ずつ設けられていること
    を特徴とする半導体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6868733B2 (en) 2003-02-20 2005-03-22 Denso Corporation Sensor having membrane and method for manufacturing the same

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